KR20110087071A - 반도체 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 반도체 소자 및 그 제조 방법을 도시한 단면도들.
Claims (13)
- 반도체 기판상에 리세스를 형성하는 단계;
상기 리세스를 포함한 전면에 제 1 게이트 전극 물질 및 하드마스크층을 형성하는 단계;
상기 하드마스크층 및 상기 제 1 게이트 전극 물질을 식각하여 상기 리세스의 내측 하부에 상기 제 1 게이트 전극 패턴을 형성하는 단계;
상기 리세스를 포함한 전면에 제 2 게이트 전극 물질을 형성하는 단계; 및
상기 제 2 게이트 전극 물질을 식각하여 상기 제 2 게이트 전극 물질을 분리하는 단계
를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 게이트 전극 물질은 TiN, TaN, Ti, Ta, Mo, Al 및 이들의 조합 중 선택 어느 하나의 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 하드마스크층은 폴리실리콘층, 산화막, 감광막, 탄소층 및 이들의 조합 중 선택된 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 게이트 전극 물질은 TiN, TaN, Ti, Ta, Mo, Al 및 이들의 조합 중 선택 어느 하나의 물질과 텅스텐(W)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법. - 제 4 항에 있어서,
상기 텅스텐(W)층은 리세스 내의 하부보다 상부에 더 넓게 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 리세스 내의 하부의 상기 제 1 및 제 2 게이트 전극 물질의 두께는 상기 리세스 내의 상부의 상기 제 2 게이트 전극 물질의 두께보다 두껍게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 게이트 전극 물질을 분리하는 단계는 에치백(Etchback) 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법. - 반도체 기판상에 리세스를 형성하는 단계;
상기 리세스를 포함한 전면에 제 1 게이트 전극 물질을 형성하는 단계;
상기 제 1 게이트 전극 물질을 식각하여 상기 리세스의 내측 하부에 상기 제 1 게이트 전극 패턴을 형성하는 단계;
상기 리세스 내에 제 2 게이트 전극 물질을 형성하는 단계; 및
상기 제 2 게이트 전극 물질을 식각하여 상기 리세스 간의 상기 제 2 게이트 전극 물질을 분리하는 단계
를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 게이트 전극 물질은 TiN, TaN, Ti, Ta, Mo, Al 및 이들의 조합 중 선택된 어느 하나의 물질과 텅스텐(W)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 2 게이트 전극 물질을 분리하는 단계는 에치백(Etchback) 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법. - 반도체 기판상에 형성된 리세스;
상기 리세스의 내측 하부에 형성된 제 1 게이트 전극 물질;
상기 리세스 내에 매립된 제 2 게이트 전극 물질; 및
상기 제 2 게이트 전극 물질이 분리되어 형성된 게이트 전극
을 포함하는 반도체 소자. - 제 11 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 게이트 전극 물질은 TiN, TaN, Ti, Ta, Mo, Al 및 이들의 조합 중 선택된 어느 하나의 물질과 텅스텐(W)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자. - 제 12 항에 있어서,
상기 텅스텐(W)은 리세스 내의 하부보다 상부에 더 넓게 증착된 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
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