KR20110069008A - 헤테로 태양 전지 및 헤테로 태양 전지 제조방법 - Google Patents

헤테로 태양 전지 및 헤테로 태양 전지 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 실리콘, 도핑된 실리콘층 및 터널 보호층을 포함하는 헤테로 태양 전지에 관한 것이다. 상기 전지는 정면상의 인듐-주석 산화물층 및 배면상의 알루미늄층에 의하여 종결된다. 또한, 본 발명은 헤테로 태양 전지의 제조방법에 관한 것이다.

Description

헤테로 태양 전지 및 헤테로 태양 전지 제조방법{HETERO SOLAR CELL AND METHOD FOR PRODUCING HETERO SOLAR CELLS}
본 발명은 실리콘, 도핑된 실리콘층 및 터널 보호층(tunnel passivation layers)을 포함하는 헤테로 태양 전지에 관한 것이다. 이는 정면상의 인듐-주석 산화물층 및 배면상의 알루미늄층에 의하여 이루어진다. 또한, 본 발명은 헤테로 태양 전지의 제조방법에 관한 것이다.
무정형 실리콘으로 제작된 에미터(emitter)를 갖는 웨이퍼계(wafer-based) 결정질 실리콘 태양 전지(헤테로 태양 전지)는 상업적으로 이용가능하다. 단결정 실리콘은 이 목적을 위하여 시작 물질로 사용되고, n-도핑되거나 p-도핑된다(M. Tanaka, et al., Jnp. J. Appl. Phys., Vol. 31(1992), pp. 3518-3522 및 M. Schmidt, et al., Thin Solid Films 515(2007), p. 7475).
우선, 매우 얇은(약 1 내지 10 ㎚) 진성(intrinsic)(도핑되지 않은) 무정형 실리콘층이 발광된 면쪽으로 도포된다. 이후, 유사한 매우 얇은(약 1 내지 10 ㎚) 도핑된 무정형 실리콘층이 도포되고, 이의 도핑은 기본 도핑의 반대로 된다. 최종적으로, 예를 들어 인듐-주석 산화물(ITO)과 같은 전도성 투명 산화물(oxide)과 얇은 금속 접촉이 도포된다. 결정질 웨이퍼의 발광되지 않은 배면상에, 매우 얇은(약 1 내지 10 ㎚), 진성(도핑되지 않은), 비정질 실리콘층이 우선 도포되고, 이후 기본 도핑에 적합한, 매우 얇은(약 1 내지 10 ㎚) 도핑된 비정질 실리콘층이 도포된다. 최종적으로, 태양 전지를 접촉하는 역할을 하는 금속층이 도포된다.
현재, 무정형 실리콘층은 플라즈마 강화 화학 기상 증착(plasma-enhanced chemical vapour deposition; PECVD 기술)에 의하여 제조되며, 전도성 투명 산화물(ITO)은 스퍼터링(sputtering) 기술에 의하여 제조된다.
헤테로 실리콘 태양 전지의 효율은 결정질 실리콘과 무정형 에미터(또는 진성, 무정형 실리콘층) 사이의 계면(interface)의 결함 상태 밀도(defect state density)에 매우 민감하게 반응한다. 현재, 계면의 작은 결함 밀도는 주로 결정질 웨이퍼의 적당한 전처리(예를 들어, H. Angermann, et al., Material Science and Engineering B, Vol. 73(2000), p. 178의 경우에서와 같이 습식-화학적으로) 및 진성 또는 도핑된 무정형 실리콘층 자체에 의하여 발생된다.
계면을 보호하는 다른 가능성은 보호하고자 하는 계면에 정전하(stationary charges)를 최대한 가까이 두어 달성될 수 있다(A. Aberle, et al., J. Appl. Phys. 71(9), (1992), p. 4422). 이 가능성은 특히 현재의 실리콘 헤테로 태양 전지 구조에서는 활용되지 않는다.
당해 분야에 공지된, 헤테로 태양 전지를 제조하는 다른 방법은 PECVD 수단에 의하여 무정형층을 증착하는 것이다. 표면이 균일한 형태를 갖지 않는 한, 증착하고자 하는 물질을 구조화된(texutured) 피라미드의 정점(peaks) 및 계곡(valleys)에 다른 양으로 증착시킨다. 이는 구조화된 피라미드의 전처리를 필요로 한다(M. Tanaka, et al., Jnp. J. Appl. Phys., Vol. 31(1992), pp. 3518-3522).
본 발명의 목적은 종래기술의 단점을 제거하고, 구조화된 피라미드 정점상의 높은 계면 결함 밀도 및 단락 회로에 대하여 실질적으로 더 강력한 헤테로 태양 전지를 제공하고, 더 빠른 프로세싱을 가능하게 하는 것이다.
상기 본 발명의 목적은 특허청구범위 청구항 제1항의 특징을 갖는 헤테로 태양 전지에 의하여 달성된다. 제18항은 헤테로 태양 전지의 제조방법에 관한 것이다. 다른 유리한 실시예는 종속항에 포함되어 있다.
본 발명에 따르면, 결정질, 도핑된 실리콘 웨이퍼(c-Si 층)의 정면 표면상에 배치되고, 상기 c-Si 층에 반대로 도핑된 무정형 실리콘층(a-Si 층)으로 만들어진 에미터층 및 에미터층 위에 배치되어 정면 접촉을 갖는 ITO 층(인듐-주석 산화물층) 및 배면 표면상에 배치된 금속화층, 적어도 상기 c-Si 층의 정면 표면과 에미터층 사이에 도포된 터널 보호층을 포함하는 헤테로 태양 전지가 제공된다.
본 발명의 이러한 구성으로 인하여, 헤테로 태양 전지는 실질적으로 더 강력한 고 효율을 얻을 수 있다. 태양전지의 효율은 층 두께와 또한 층의 규칙성에 의존한다.
바람직하게는, 상기 터널 보호층의 두께는 양자 역학적 터널 전류가 흐르도록 선택된다. 특히, 이는 밴드갭 Eg ≥ 2 eV을 갖는 보호층에 적용된다.
헤테로 태양 전지는 정면 및 배면 표면상에 터널 보호층을 가질 수 있다.
터널 보호층을 사용함으로써, 예전의 웨이퍼의 일반적인 복잡한 예비세정 공정은 뒷전으로 물러나게 된다. 필요하다면, 이들 공정은 필요 없을 수조차 있으며, 따라서 더 경제적이고 빠른 헤테로 태양 전지의 제조를 가능하게 한다.
헤테로 태양 전지 자체의 터널 보호층 또는 절연층의 물질은 알루미늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드 및/또는 실리콘 나이트라이드로부터 용이하게 선택된다. 바람직하게는, 터널 보호층은 알루미늄 옥사이드 Al2O3로 제작되고, 이는 이 물질이 몇 가지 장점을 갖고 있기 때문이다. 알루미늄 옥사이드층은 매우 높은 밀도의 혼입된 음 전하를 갖고, 이로 인하여 대단히 우수한 보호 품질이 이루어진다. 또한, 알루미늄 옥사이드는 거의 모든 표면 형태에 대하여 원자층 증착(atomic layer deposition; ALD) 방법 또는 유사하게-작동하는 PECVD 방법에 의하여 균일하게 증착될 수 있다. 수직면상의 성장 속도는 평면 구역상의 성장 속도와 동일하다. 이어서 고정 전하가 터널 보호층 또는 절연층 내로 혼입될 수 있다(예를 들어, Cs+ 이온의 이온 주입(implantation)에 의하여).
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 알루미늄 옥사이드로 만들어진 터널 보호층의 두께는 0.1 내지 10 ㎚ 사이이고, 이는 이 층 두께가 전하 운반자의 양자역학적 터널링 및 표면의 보호를 가능하게 하기 때문이다.
본 발명에 따른 헤테로 태양 전지에 있어서, 알루미늄 옥사이드층 Al2O3(또는 다른 알루미늄 옥사이드 화학 양론(stoichiometries)) 및 또한 절연층(예를 들어, SiOx)은, 예비 세정되고(아마도 약하게 예비 세정되거나 또는 처리되지 않음), 구조화된 정면상 및 반사-최적화된 배면 표면상에 직접 고정 전하를 이후 혼입(예를 들어, Cs+ 이온의 이온 주입에 의하여)하여 증착된다. 이에 의하여 알루미늄 옥사이드층의 혼입된 음 전하는 보호 효과를 상당히 향상시킨다. 알루미늄 옥사이드가 결정질 및 무정형 실리콘보다 더 높은 밴드 갭을 갖기 때문에, 그 층 두께는 한편으로 이 층을 통하여 전하 운반자의 양자역학적 터널링을 가능하게 하기 위하여 가능한 한 작게 선택되어야 하고, 다른 한편으로는 보호 효과를 확실히 하기 위하여 충분한 두께를 가져야 한다. 양쪽의 조건을 충족시키기 위하여, 층 두께를 한 자리 내지 두 자리 옹스트롬 범위로 유지하는 것이 바람직하다. 층 두께는 예를 들어 원자층 증착 기술(ALD) (또는 유사하게-작동하는 PECVD 방법)을 이용하여 매우 정확하게 조절될 수 있기 때문에, 높은 재현성이 보장된다. 이 층은 시스템 내에 추가로 혼입될 수 있거나, 진성 무정형 층을 대체할 수 있다. ALD 기술(또는 유사하게-작동하는 PECVD 방법)을 이용함으로써, 구조화된 피라미드의 균일한 커버링(covering)도 동시에 확보된다.
헤테로 태양 전지의 중요한 장점 및 얇은 터널 보호층(예를 들어, Al2O3)을 사용하는 제조 방법의 중요한 장점은 다음과 같다:
ㆍ 구조화된 피라미드의 균일한 커버링
ㆍ 결정질 웨이퍼의 예비 세정을 위한 필요조건을 대폭 줄일 수 있거나 또는 완전히 이용하지 않을 수 있다
ㆍ 완만한 플라즈마 증착을 위한 필요조건을 가능한 한 완화시킬 수 있다(예를 들어, Al2O3는 보호 효과를 보장한다). 결국, 더 높은 성장 속도를 이용하여 더 빠른 처리로 이어질 수 있다
ㆍ 전체적으로 실질적으로 더 강력한 방법
또한, 도핑되지 않은(진성) 무정형층을 필요로 하지 않아서 제조 공정의 단축 및 단순화를 달성하는 것이 아마도 가능하다.
따라서, n-유형 및/또는 p-유형(기본 웨이퍼) 헤테로 태양 전지의 효율은 기술된 터널 층의 사용에 의하여 전체적으로 향상될 수 있다.
바람직하게는, 에미터층은 c-Si 층과 반대로 도핑된 a-Si 층 및 진성 실리콘층(i-Si 층)으로 이루어져 있다.
상기 c-Si 층과 반대로 도핑된 a-Si 층의 두께는 바람직하게는 1 내지 10 ㎚ 사이이다. 따라서, 상기 층이 균질하다는 것이 확보된다. 또한, 이 층 두께가 헤테로 태양 전지의 구성을 가능하게 한다.
헤테로 태양 전지의 변형에 있어서, 상기 i-Si 층의 선택된 두께는 1 내지 10 ㎚ 사이에 있다. 따라서, 도핑되지 않은 i-Si 층의 층 두께는 가능한 한 낮게 유지된다.
진성 및 또한 무정형 실리콘층은 보호의 역할도 수행할 수 있다.
바람직하게는, 상기 c-Si 층과 동일하게 도핑된 무정형 실리콘층은 배면 표면 및 금속화층 사이에 도포된다.
헤테로 태양 전지의 다른 일 실시예에서, 이 무정형 실리콘층의 두께는 1 내지 30 ㎚ 사이에 있다.
다른 일 실시예에서, 진성 실리콘층은 금속화층 및 배면 표면상에 도포되고 결정질 실리콘층과 동일하게 도핑된 무정형 실리콘층 사이에 도포된다.
상기 진성 실리콘층의 두께는 바람직하게는 1 내지 10 ㎚ 사이에 있다.
상기 결정질 실리콘층은 바람직하게는 n-도핑되거나 p-도핑되어 있다. 이 층의 두께는 바람직하게는 20 내지 2,000 ㎛ 사이에 있다.
헤테로 태양 전지의 다른 일 실시예에서, 상기 에미터층에 포함되어 있고 c-Si 층과 반대로 도핑되어 있는 무정형 실리콘층은 n-도핑되거나 p-도핑되어 있다.
배면 표면 및 금속화층 사이에 도포되고 결정질 실리콘층과 동일하게 도핑되어 있는 무정형 실리콘층은 n-도핑되거나 p-도핑될 수 있다.
또한, 본 발명은 상술된 헤테로 태양 전지의 제조방법에 관한 것이다.
상기 적어도 하나의 터널 보호층은 바람직하게는 원자층 증착 또는 PECVD 기술에 의하여 증착되었다. 이러한 원자층 증착방법(또는 유사하게 작동하는 PECVD 방법)은 구조화된 피라미드의 균질한 커버링을 달성하며, 결정질 웨이퍼의 예비 세정에 요구되는 필요조건을 줄이거나 이를 불필요하게 한다.
상기 터널 보호층 또는 절연층은 바람직하게는 알루미늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드 및/또는 실리콘 나이트라이드로 이루어져 있거나 이를 포함한다. Cs+ 이온도 포함할 수 있다. 이후, 고정 전하가 예를 들어 Cs+ 이온의 이온 주입에 의하여, 상기 터널 보호층 또는 절연층에 혼입될 수 있다. 이러한 층들은 전하 운반자의 양자 역학적 터널링 및 보호를 가능하게 한다. 원자층 증착 기술 또는 유사하게 작동하는 PECVD 방법은 매우 정확하게 조절될 수 있기 때문에, 층의 정확한 증착을 확보할 수 있다. 또한, 무정형 실리콘층의 완만한 증착을 위한 필요조건이 완화될 수 있고, 이는 이러한 터널 층이 보호 효과를 보장하기 때문이다. 결국, 더 높은 성장 속도를 이용될수 있고, 따라서 더 빠른 프로세싱을 가능하게 한다.
본 발명의 방법의 다른 변형은, 상기 적어도 하나의 터널 보호층은 알루미늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드 및/또는 실리콘 나이트라이드를 포함하거나 또는 이들로 이루어져 있다는 점에 특징이 있다. 또한, 여기서 알루미늄 옥사이드는 Al2O3와는 다른 화학 양론을 가질 수 있다. 또한, 고정 전하는 절연체(예를 들어, SiOx)의 증착 이후에, 예를 들어, Cs+ 이온의 이온 주입에 의하여 혼입될 수 있다.
본 발명에 의하면, 구조화된 피라미드 정점상의 높은 계면 결함 밀도 및 단락 회로에 대하여 실질적으로 더 강력한 헤테로 태양 전지를 제공하고, 더 빠른 프로세싱을 가능하게 한다.
또한, 본 발명은 터널 보호층을 사용함으로써, 예전의 웨이퍼의 일반적인 복잡한 예비세정 공정은 필요 없을 수조차 있으며, 따라서 더 경제적이고 빠른 헤테로 태양 전지의 제조를 가능하게 한다.
본 발명에 따른 주제는 하기 도 1 내지 3을 참조하여 더 상세히 설명하고, 상기 주제는 여기에 나타나 있는 특정 실시예에 한정되지 않는다. 본 발명에 따른 주제 및 또한 방법은 결정질 웨이퍼(바람직하게는 구조화된 피라미드)의 임의의 표면에 적용된다.
도 1은 정면 터널 보호층 및 에미터층을 갖는 헤테로 태양 전지의 구성을 도시한다.
도 2는 정면 터널 보호층 및 에미터층과 추가로 터널 보호층을 포함하는 배면 코팅을 갖는 헤테로 태양 전지의 구성을 도시한다.
도 3은 정면 터널 보호층 및 에미터층과 추가로 다른 진성 층을 포함하는 터널 보호층을 포함하는 배면 코팅을 갖는 헤테로 태양 전지의 구성을 도시한다.
도 1에, 헤테로 태양 전지(1)의 실시예가 도시되어 있고, 여기서 에미터층(12)은 Si 웨이퍼(7)의 결정질 정면 표면상에 배치되어 있다. 상기 결정질 실리콘층(7)은 n-도핑되어 있고 약 200 ㎛의 두께를 갖는다. 원자층 증착에 의하여, 0.1 내지 10 ㎚의 두께를 갖는 터널 보호층(예를 들어, 알루미늄 옥사이드층(Al2O3))(6)은 ALD 또는 PECVD에 의하여 증착된다. 이후, 도핑되지 않은 진성 무정형 실리콘층(5)이 도포된다. 이 층은 1 내지 10 ㎚의 두께를 갖는다. 정면쪽으로 또는 발광된 면쪽으로 향하는 p-도핑된 무정형 실리콘층(4)은 1 내지 10 ㎚의 두께를 갖는다. 상기 층들(4, 5)은 에미터층(12)을 형성한다. 전도성의 투명 산화물층(ITO)(3)이 그 위에 스퍼터링 기술에 의하여 약 80 ㎚의 층 두께로 도포된다(상기 ITO의 굴절률에 의존). 알루미늄층(8)이 헤테로 태양 전지의 배면상에 도포된다. 이는 또한 헤테로 태양 전지의 정면 접촉(2)과 같이 접촉의 역할을 수행한다.
도 2는 정면 에미터층과 추가로 배면 코팅을 갖는 평면상 실리콘 헤테로 태양 전지(1)의 층 구성을 보여준다. 터널 보호층(예를 들어, 알루미늄 옥사이드층)(6 또는 9)은 ALD 또는 유사하게 작동하는 PECVD 방법에 의하여 200 ㎛의 두께를 갖는 결정질 n-도핑된 실리콘층(7)의 양쪽 면상에 도포된다. 이들 층(알루미늄 옥사이드)은 0.1 내지 10 ㎚의 두께를 갖는다. 헤테로 태양 전지의 정면상에 1 내지 10 ㎚의 두께를 갖는 p-도핑된 무정형 실리콘층(4)뿐만 아니라 80 ㎚의 두께를 갖는 ITO 층(3)이 뒤따른다. 정면상에서 태양 전지는 금속 접촉(2)이 제공된다. 헤테로 태양 전지(1)의 배면은 최종적인 알루미늄층(8)을 형성한다. 무정형 n-도핑된 실리콘층(10)이 알루미늄층(8)과 알루미늄 옥사이드층(9) 사이에 삽입된다. 상기 실리콘층은 1 내지 30 ㎚의 두께를 갖는다.
도 3은 정면 에미터층(12) 및 진성 층(11)을 더 포함하는 다른 배면 코팅을 갖는 헤테로 태양 전지(1)를 도시한다. 이 헤테로 태양 전지는 알루미늄층(8)으로부터 구성되어 있다. 다음 층으로 1 내지 30 ㎚ 두께의 무정형 n-도핑된 실리콘층(10)이 뒤따른다. 이 위에 1 내지 10 ㎚ 두께의 진성 무정형 실리콘층(11)이 도포된다. 터널 보호층(9)은 n-도핑 또는 p-도핑된 결정질 실리콘층(7) 및 무정형 진성 실리콘층(11) 사이에 포함된다. 상기 터널 보호층은 0.1 내지 10 ㎚의 두께를 갖는다. 200 ㎚ 두께의 결정질 n-도핑된 실리콘층(7)의 정면상에 0.1 내지 10 ㎚의 두께를 갖는 다른 터널 보호층(6)이 도포된다. 그 위에 1 내지 10 ㎚의 층 두께를 갖는 진성 무정형 실리콘층(5)이 뒤따른다. 약 80 ㎚의 두께를 갖는 ITO 층(3)과 진성 무정형 실리콘층(5) 사이에 1 내지 10 ㎚의 층 두께를 갖는 p-도핑된 무정형 실리콘층(4)이 도포된다. 금속 접촉(2)은 헤테로 태양 전지(1)의 정면상에 끼워 맞춰져 있다.
무정형 실리콘층은 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)에 의하여 생성된다. 여기에 사용된 발전기(generator) 출력 및 주파수는 2 내지 200 W 및 13.56 MHz 내지 2 GHz이다. 가스 흐름은 실란 SiH4에 대하여 1 내지 100 sccm, 수소 H2에 대하여 0 내지 100 sccm, 디보란 B2H6에 의한 도핑에 대하여 1 내지 50 sccm 및 포스핀 PH3(1 내지 5% H2에 용해됨)에 대하여 1 내지 50 sccm의 범위에 있다. 기판의 온도는 100 내지 300℃ 사이에 있다. 헤테로 태양 전지의 제조 공정 동안에 PECVD 공장에서의 일반적인 압력은 101 내지 10-5 mbar에 있다(사용된 플라즈마 소스의 함수로서). 기본 압력은 10-5 mbar 미만이 되도록 선택되어야 한다. 평행 판 반응기의 경우에 전극 간격은 0.5 내지 5 ㎝ 사이에 있다. 공정 지속시간은 증착 속도 및 원하는 층 두께에 따르고, 5 내지 60 초의 범위에 있다. 터널 보호층(예를 들어, Al2O3)은 원자층 증착(ALD) 또는 유사하게 작동하는 PECVD 공정에 의하여 증착된다. 이러한 알루미늄 옥사이드층은 2 사이클로 생성된다. 사이클 1은 라디칼화된 트리메틸 알루미늄의 증착을 포함하고, 사이클 2는 상기 층과 O2와의 산화를 포함한다. 증착된 트리메틸 알루미늄은 기판으로부터 상대적으로 멀리 떨어져 있는(5 내지 50 ㎝), 상술한 플라즈마 소스에 의하여 라디칼화된다. 기판 온도는 상온 내지 350℃이다.

Claims (19)

  1. 결정질, 도핑된 실리콘 웨이퍼(c-Si 층)(7)의 정면 표면상에 배치되고, 상기 c-Si 층과 반대로 도핑된 무정형 실리콘층(a-Si 층)으로 만들어진 에미터층(12) 및 그 위에 배치되고 정면 접촉(2)을 갖는 ITO 층(3) 및 배면 표면상에 배치된 금속화층(8)을 포함하는 헤테로 태양 전지(1)에 있어서,
    터널 보호층(6)이 적어도 상기 c-Si 층(7)의 정면 표면 및 에미터층(12) 사이에 도포되는 것을 특징으로 하는 헤테로 태양 전지(1).
  2. 제1항에 있어서, 상기 터널 보호층(6, 9)이 정면 및 배면 표면상에 도포되는 것을 특징으로 하는 헤테로 태양 전지(1).
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 터널 보호층(6, 9)의 두께는 양자 역학적 터널 전류가 흐르도록 선택되는 것을 특징으로 하는 헤테로 태양 전지(1).
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 터널 보호층(6, 9)은 알루미늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드 및/또는 실리콘 나이트라이드로 이루어지거나 또는 이를 포함하는 것을 특징으로 하는 헤테로 태양 전지(1).
  5. 제4항에 있어서, 상기 터널 보호층(6, 9)에 이온, 바람직하게는 세슘 이온이 주입되는 것을 특징으로 하는 헤테로 태양 전지(1).
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 알루미늄 옥사이드로 만들어진 상기 터널 보호층(6, 9)의 두께는 0.1 내지 10 ㎚ 사이인 것을 특징으로 하는 헤테로 태양 전지(1).
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 에미터층(12)은 c-Si 층과 반대로 도핑된 a-Si 층(4) 및 진성 실리콘층(i-Si 층)(5)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 헤테로 태양 전지(1).
  8. 제7항에 있어서, 상기 a-Si 층(4)의 두께는 1 내지 10 ㎚ 사이인 것을 특징으로 하는 헤테로 태양 전지(1).
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 i-Si 층(5)의 두께는 1 내지 10 ㎚ 사이인 것을 특징으로 하는 헤테로 태양 전지(1).
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 c-Si 층과 동일하게 도핑된 a-Si 층(10)이 배면 표면 및 금속화층(8) 사이에 도포되는 것을 특징으로 하는 헤테로 태양 전지(1).
  11. 제10항에 있어서, 상기 a-Si 층(10)의 두께는 1 내지 30 ㎚ 사이인 것을 특징으로 하는 헤테로 태양 전지(1).
  12. 제10항 또는 제11항에 있어서, 진성 실리콘층(i-Si 층)(11)이 금속화층(8) 및, 배면 표면상에 도포되고 c-Si 층과 동일하게 도핑되어 있는, a-Si 층(10) 사이에 도포되는 것을 특징으로 하는 헤테로 태양 전지(1).
  13. 제12항에 있어서, 상기 i-Si 층(11)의 두께는 1 내지 10 ㎚ 사이인 것을 특징으로 하는 헤테로 태양 전지(1).
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 c-Si 층(7)은 n-도핑되거나 p-도핑되는 것을 특징으로 하는 헤테로 태양 전지(1).
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 c-Si 층(7)의 두께는 20 내지 2,000 ㎛ 사이인 것을 특징으로 하는 헤테로 태양 전지(1).
  16. 제7항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 에미터층(12)에 포함되고 c-Si 층과 반대로 도핑된 a-Si 층(4)은 n-도핑되거나 p-도핑되는 것을 특징으로 하는 헤테로 태양 전지(1).
  17. 제10항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배면 표면 및 금속화층(8) 사이에 도포되고, c-Si 층과 동일하게 도핑된 a-Si 층(10)은 n-도핑되거나 p-도핑되는 것을 특징으로 하는 헤테로 태양 전지(1).
  18. 적어도 하나의 터널 보호층(6, 9)이 원자층 증착 또는 유사하게 작동하는 PECVD 기술에 의하여 증착되는 것을 특징으로 하는, 제1항 내지 제17항 중 적어도 어느 한 항에 따른 헤테로 태양 전지(1)의 제조방법.
  19. 제18항에 있어서, Cs+ 이온을 포함할 수 있는 알루미늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드 및/또는 실리콘 나이트라이드층이 터널 보호층(6, 9)으로 증착되는 것을 특징으로 하는 헤테로 태양 전지(1)의 제조방법.
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