KR20110039535A - 특정 적층 처리 제품을 처리하기 위한 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 박층, 특히 도성, 반도성 또는 절연성 박층을 제조하기 위한 특히 편평 기판 형상의 특히 적층된 처리 제품을 처리하는 처리 장치에 관한 것이며, 특히 처리 챔버의 적어도 하나의 벽, 특히 모든 벽과 섹션으로 및/또는 열 작동성으로 접속되는 적어도 하나의 템퍼링 장치로서, 상기 챔버는 소정의 온도로 처리 챔버(14)의 벽(16)의 적어도 일부 영역, 특히 처리 챔버 벽의 실질적으로 전체에 설비되고 적합화되고, 특히 적층된 처리 제품의 처리의 적어도 일부동안 제1 온도로 동일하게 유지하도록 하고, 상기 온도는 제2 온도인 실온 미만이 아니고 처리 챔버에서 발생할 수 있는 제3 온도 미만이고 실온보다 높은, 적어도 하나의 템퍼링 장치와, 처리 챔버에서 특히 강제 대류인 가스 유동 사이클을 생성하기 위한 적어도 하나의 가스 반송 장치와, 가스를 가열하기 위한 것이고, 가스 반송 장치(46, 50)에 의해 생성되는 가스 유동 사이클에 배치되거나 배치될 수 있는 적어도 하나의 가열 장치(36)와, 적어도 하나의 가스 안내 장치를 포함한다.

Description

특정 적층 처리 제품을 처리하기 위한 처리 장치{PROCESS DEVICE FOR PROCESSING IN PARTICULAR STACKED PROCESSED GOODS}
본 발명은 특정 적층 처리 제품을 특히 고온에 대해 중간으로 처리하기 위한 처리 장치에 관한 것이며, 특히 처리 가스를 수용하기 위한 소기 가능한 처리 챔버, 처리 챔버의 가스 유동 사이클을 생성하기 위한 가스 반송 장치 및 처리 챔버를 통해 유동하는 가스를 가열하기 위한 가열 장치를 포함한다.
이러한 형식의 공지된 처리 장치는 예를 들어 CIS 형식의 박막 태양전지 셀의 제조에 사용되는 수정 튜브에 의해 한정된 처리 챔버를 갖는 확산 오븐(diffusion oven)일 수 있다. 공지된 확산 오븐은 특히, 예를 들어 H2Se 또는 H2S 가스와 같은 셀레늄화(seleniferous) 및/또는 황화(sulphurous) 처리 가스의 도움으로, 예를 들어 구리, 인듐 및/또는 갈륨과 같은 금속 전구체로 예비 코팅된 유리 기판인 처리 제품에 예를 들어 태양전지 셀의 흡수제층을 형성할 수 있는 황동광(chalcopyrite) 반도체층을 제조하는데 사용된다.
이를 위해, 처리되고 전구체 코팅을 구비한 기판 적층체는 수정 튜브 내로 도입된다. 수정 튜브를 밀봉한 후에, 소기되고 잔여 산소 및 잔여 습도에 대한 원하는 순도를 달성하기 위해 필요한 만큼 많이 불활성 가스로 충진된다. 그 다음에, 처리 가스 H2Se는 원하는 농도로 원하는 압력까지 불활성 캐리어 가스의 도입을 허용한다. 또한, 가열 장치인 수정 튜브 둘레에 배열된 재킷 가열체가 켜지고 원하는 온도 프로파일이 기판에 생성되는 방식으로 제어된다.
350℃ 내지 450℃ 사이의 온도로 소정의 반응 시간 후에, 수정 튜브는 소기된다. 그 다음에, H2S 및 불활성 캐리어 가스의 혼합물이 도입되고 온도는 약 450℃ 내지 550℃로 증가된다. 소정의 반응 시간 후에, 조립체는 실온으로 냉각되고, 독성 처리 가스가 다른 펌프 린스 사이클에 의해 제거된다. 수정 튜브의 환기 후에, 황동광 반도체에 반응한 박층을 갖는 기판이 제거될 수 있다.
이러한 방식으로 생성된 반도체층은 통상의 배면 전극쪽으로의 Ga 농도 상승과 표면쪽으로의 S 농도 상승을 갖는 Cu(In, Ga)(Se, S)2층일 수 있다. 반도체층은 사실상 점진적인 위상 전이 및 점진적인 밴드 갭을 갖는 다상층이다.
공지된 처리 장치에 내재하는 문제점은 바람직하지 않은 원통형 대칭 적외선 복사 형상과 기판 적층체의 적외선 복사의 쉐이딩이다. 이러한 방식으로 생성된 열 불균등성은 가열 및 냉각 비율이 낮게 유지될 때에만 감소될 수 있다. 이는 최소의 가능한 처리 시간을 크게 감소시키므로, 처리 용량을 확실히 제한한다. 또한 기판 적층체 상에 처리 결과가 크게 분산된다.
공통 진공 챔버 재료가 금속 합금으로 이루어지고, 금속뿐만 아니라 이들 합금은 셀레늄 증기 및 황 증기뿐만 아니라 H2Se 및 H2S 가스에서 불안정하고 부식되기 때문에, 소기 가능한 처리 챔버는 수정 튜브로 형성된다. 부식 생성물은 황동광 반도체 상에 미소 입자 및 미세한 먼지로서 안착되어, 전기 쇼트 회로로 인해 큰 결함으로써 손상을 일으킨다. 또한, 수정 튜브에 의해 형성된 처리 챔버는 제조 기술적인 이유로, 상당한 금융 초과 비용을 투자하여 단지 80cm만큼 직경이 크게 제조할 수 있다. 따라서, 이러한 장치에서 처리되는 기판의 크기는 제한된다.
GB 1 419 308 A에서, 열처리를 위한 소기 가능한 오븐은 가열 요소가 오븐 영역 내에 배열된 것으로 공지된다. 이러한 오븐에서, 진공 또는 보호 대기 중에서의 냉각뿐만 아니라 가열이 달성된다. GB 1 419 308 A에 따른 오븐은 가열 요소를 더 설비할 수 있다. 이러한 장치는 스틸 및 다른 금속, 금속 합금의 열처리를 위해 각각 설비되고 설계될 수 있다.
WO 2007/053016 A2호는 확산 처리에 의해 광전 태양전지 셀의 제조를 위한 오븐을 개시한다. 이러한 오븐의 처리 챔버에서, 태양전지 모듈의 제조를 위한 편평 기판이 배열될 수 있다. 처리 챔버 내로 공급되는 처리 가스를 냉각하는 냉각 장치의 사용은 기판의 처리 동안 사이클 시간을 상당히 감소시킬 수 있다는 것이 보고되었다. 냉각 장치는 열교환기에 커플링된 냉매 회로로서 개시되어 있다. 재가열 처리 가스는 처리 챔버로부터 제거되고, 처리 챔버의 외측에서 냉각되고 그 다음에 처리 챔버 내로 다시 도입된다. 이러한 장치의 단점은 매우 반응성이고 독성의 처리 가스가 처리 챔버로부터 제거되어야 한다는 점이다. 따라서, 요구되는 안전 기준을 충족시키기 위해 장치 경비가 필연적으로 매우 높다.
EP 1 643 199 A1은 웜업된 제품의 냉각을 위한 냉각 유닛이 통합된 소기 가능한 오븐이 공지되었다. 여기서, 가스는 오븐 내에서 압력하에 균일하게 순환한다. EP 1 643 199 A1에 따른 오븐은 금속의 열처리를 위해 설계되었다.
본 발명의 목적은 개선된 경제적 효율로 자신을 식별할 뿐만 아니라, 예를 들어 특히 황동광 반도체인 도체 또는 반도체 박층에 대해, 또는 절연 박층에 대해 보다 많은 균질층의 형성을 용이하게 하여, 손쉬운 유지보수를 용이하게 하고 처리 용량뿐만 아니라 기판 포맷의 확대를 가능하게 하고 연속 동작 하에서 매우 내구성있는, 전제부에서 언급된 종류의 처리 장치를 제공하는 것이다.
이러한 목적을 달성하기 위해, 처리 장치는 특히 박층, 특히 도전체, 반도체 또는 절연 박층을 제조하기 위한 편평 기판의 형태의 특정 적층된 처리 제품을 제공하며, 이는, 처리 가스를 수용하기 위한 소기 가능한 처리 챔버, 특히 처리 챔버의 적어도 하나의 벽, 특히 모든 벽과 적어도 섹션으로 및/또는 열 작동식으로 접속되는 적어도 하나의 템퍼링 장치로서, 상기 챔버는 처리 챔버의 벽, 특히 실질적으로 전체 처리 챔버 벽의 적어도 특정 영역을 소정의 온도로 유지하도록, 특히 적층된 처리 제품의 처리의 적어도 일부 동안의 제1 온도와 동일하게 유지하도록 설비되고 적합화되고, 상기 온도는 제2 온도인 실온 미만이 아니며, 처리 챔버에서 생성될 수 있는 제3 온도 미만이고, 실온을 초과하는 상기 템퍼링 장치와; 특히 강제 대류로 처리 챔버 내에서 가스 유동 사이클을 생성하기 위한 적어도 하나의 가스 반송 장치로서, 가스를 가열하기 위한 적어도 하나의 가열 장치를 갖고, 상기 가열 장치는 상기 가스 반송 장치에 의해 생성된 가스 유동 사이클에 배치되거나 배치 가능하고, 처리된 제품 적층체를 수용하도록 구성된 적어도 하나의 가스 안내 장치가 처리 챔버 내에 배치되거나 배치될 수 있어서, 생성되거나 생성될 수 있는 가스 유동 사이클의 적어도 일부가 상기 가스 안내 장치를 통해 연장하는, 적어도 하나의 가스 반송 장치와; 선택적으로, 처리된 제품 적층체가 가스 안내 장치 내로 삽입될 수 있는 제1 가스 및/또는 진공 기밀식 로킹 장치로 로킹될 수 있는 적어도 하나의 로딩 개구와; 선택적으로, 가스 유동 사이클 내로 처리 가스를 공급하기 위한 적어도 하나의 가스 입구 장치를 포함한다.
일 실시예에서, 처리 챔버의 적어도 하나의 벽, 특히 모든 벽은 금속 또는 금속 합금, 특히 고급 스틸, 바람직하게는 고급 합금 스틸을 포함하거나 또는 실질적으로 이들로 이루어지고, 또는 처리 챔버는 수정 유리 튜브 또는 세라믹 튜브를 포함하도록 제공될 수 있다. 적절한 금속 및 금속 합금은 또한 예를 들어 알루미늄 및/또는 알루미늄 합금을 포함한다.
본 발명의 의미 내의 박층은 예를 들어 물리적 증착(PVD), 열 증착, 화학 기상 증착(CVD), 스퍼터링, 갈바닉 증착 또는 졸-겔 처리에 따른 증착에 의하여 기판에 이루어질 수 있는 예를 들어 이러한 시스템을 포함하는 것이다. 따라서, 본 발명의 의미 내의 박층은 예를 들어 대략 최대 100 ㎛의 평균 두께, 바람직하게는 최대 약 10㎛의 두께를 가질 수 있다.
본 발명에 따른 처리 장치의 소기 가능한 처리 챔버는 소정의 온도로 처리 챔버의 벽의 적어도 부분 영역을 유지하기 위해 적어도 하나의 템퍼링 장치를 포함한다. 여기서, 템퍼링 장치는 바람직하게는 처리 챔버의 적어도 하나의 벽에 및/또는 열 작동식 접속으로 제공되고, 바람직하게는 벽의 적어도 부분 영역, 특히 처리 챔버의 실질적으로 전체 처리 챔버에서, 제2 온도인 실온 미만이 아니고 또한 처리 동안 생성된 제3 온도 미만이고 실온을 초과하는, 적층된 처리 제품의 처리 중의 적어도 일부 동안의 제1 온도로 유지하도록 설비되고 적합화된다. 처리 동안 템퍼링 장치는 바람직하게는 챔버 내의 일반적인 온도와 압력 및/또는 부분 압력 조건 하에서 처리 챔버의 처리 가스가 응축되지 않는 및/또는 그 안의 온도 및/또는 온도 범위로 처리 챔버 벽을 유지한다. 또한, 다른 바람직한 실시예에 따르면, 처리 챔버의 온도 및/또는 온도 범위가 처리(제1 온도) 동안 처리 챔버 재료, 특히 벽 재료를 손상시키는 값을 초과하지 않도록 보장하기 위해 단계들이 취해진다. 이러한 과열로 발생된 손상은 예를 들어 처리 챔버의 왜곡 및 진공 밀봉도의 손상을 야기할 수 있다. 이는 특히 예를 들어 고급 스틸인 금속 재료로 제조된 처리 챔버 벽에 적용된다. 처리 동안 처리 챔버 벽의 온도(제1 온도)는 바람직하게는 실온의 범위 내에 있는 온도 및/또는 온도 범위로 유지되고, 예를 들어 약 150℃ 내지 250℃이고, 특히 200℃까지이다. 본 발명의 의미 내의 실온은 예를 들어 20℃의 온도를 포함하는 것이다. 관련 응용예에 따라, 처리 온도(제3 온도)는 매우 다양할 수 있고, 예를 들어 반도체 박층의 처리를 위해 그중에서도 약 600℃ 이상으로 도달할 수 있다.
온도 장치는 예를 들어 열 또는 고온 오일인 템퍼링 유체가 유동하는, 예를 들어 처리 챔버 벽을 따라 진행하는 채널, 예를 들어 맨더링(meandering), 또는 예를 들어 그 위에, 특히 맨더링 위에 용접된 처리 챔버의 외부 표면에 배열된 파이프를 포함할 수 있다. 이러한 파이프는 처리 챔버 벽과 열 작동식으로 연결된다. 처리 챔버 벽의 채널은 예를 들어 드릴링에 의해 생성될 수 있고, 일 실시예에서 1 내지 4cm 범위의 두께 및/또는 직경을 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 템퍼링 장치는 또한 적어도 하나의 열 교환기와 적어도 하나의 열 오일 및/또는 고온 오일 저장소를 더 포함한다.
템퍼링 장치에 의해, 처리 챔버 벽은 처리 가스 대기의 영향 하에서도 처리 챔버 벽의 재료가 부식되지 않는 온도로 유지할 수 있다. 예를 들어 고급 스틸이 셀레늄화 또는 황화 처리 가스 대기 내에서 거의 부식되지 않는, 250℃ 미만의 온도 또는 온도 범위 내에서 부식 침해(corrosion attack)가 명백하게 증가되는 것이 공지되었다. 셀레늄 및 황의 공지된 증기 압력 곡선 때문에, 셀레늄 및/또는 황이 처리 챔버의 템퍼링된 벽에서의 처리 조건 하에서 응축될 수 있다는 것은 예상할 수 없다. 이들 측정에 의해, 처리 챔버가 장기간 안정성을 갖는 유동 벽 반응기 형식으로 분류될 수 있고, 따라서 임의의 처리 손상 입자를 해제하지 않는다는 것을 보장한다. 또한, 일반적으로 처리 코스에서, 예를 들어 H2Se 또는 H2S의 해리 생성물로서의처리 가스, 특히 셀레늄 또는 황의 증기 또는 가스 성분은 처리 외에 제어 불가능하게 응축되거나 또는 제어 불가능하게 처리 내로 재도입되지 않기 때문에, 템퍼링은 처리의 매우 우수한 제어성을 보장한다.
최종적으로, 처리 챔버 벽의 템퍼링은 수정 튜브가 아니고, 구성에 대해, 특히 처리 챔버의 치수에 대해 상당한 자유를 제공하는 예를 들어 고급 스틸과 같은 금속 재료로 처리 챔버를 형성할 수 있도록 한다. 본 발명의 처리 장치는 물론 수정 튜브를 포함하는 처리 챔버를 포함한다. 이는 특히 예를 들어 고급 스틸 플랜지인 금속 플랜지를 설비한 이러한 수정 튜브 처리 챔버에 적용된다.
본 발명의 의미 내의 고급 스틸은 합금 또는 비합금 스틸을 포함한다. 비합금 스틸 중에서, 특히 0.025 중량%의 황 또는 인을 포함하는 것이 바람직하다. 합금 고급 스틸, 특히 크롬 스틸 및/또는 크롬 니켈 스틸이 바람직하다. 본 발명의 의미 내의 크롬 스틸 및/또는 크롬 니켈 스틸은 쉽게 부식되지 않고 그리고/또는 내부식성인 약 9 중량% 초과의 크롬 함량을 갖는 고급 스틸이다.
또한, 금속 재료로 형성된 처리 챔버는 동일한 처리 용량뿐만 아니라 특히 또한 보다 큰 챔버 체적을 생성할 수 있고, 실리카 튜브보다 낮은 경제적 경비를 갖는다. 반면 실리카 튜브 확산 오븐은 최대 80cm의 직경으로 제조될 수 있어, 금속 재료로 형성된 처리 챔버는 높이의 대응하는 증가 및 큰 폭 때문에, 처리되는 제품, 즉 기판 표면의 크기를 비교적 쉽게 크게 할 수 있다. 예를 들어, 편평 기판은 1m 이상의 종방향 및/또는 횡방향 크기를 갖고 예를 들어 1 내지 3m의 크기를 갖고 어세스 가능하다. 또한, 이러한 처리 챔버의 설계에 대한 상당한 정도의 자유도는 본 발명에 따른 처리 장치가 실리카 유리로 제조된 처리 챔버에 더 이상 의존하지 않도록 한다. 예를 들어, 처리 챔버는 기본적으로 적어도 섹션에서 정사각형, 직사각형, 사다리꼴 또는 삼각형 단면을 가질 수 있다.
본 발명에 따른 처리 장치는 처리 챔버 내에서 가스 유동 사이클을 생성하기 위한 가스 반송 장치와, 처리 챔버를 통해 유동하는 가스를 가열하기 위해 가스 반송 장치에 의해 생성된 가스 유동 사이클 내에 배열된 가열 장치를 더 포함한다. 달리 말하면, 가열 장치는 처리 챔버 내에 배열되어, 처리 가스를 가열하기 위해, 예를 들어 적외선 복사의 공급원인 처리 챔버의 외측에 놓여진 열원으로 분배될 수 있다. 따라서, 처리 챔버는 적외선 복사에 대해 개선될 필요가 없고, 처리 챔버의 설계를 상당히 단순화하고, 또한 처리 챔버의 제조를 위해 금속 재료를 사용할 수 있도록 한다.
가스 반송 장치에 부가하여, 본 발명에 따른 처리 장치는 또한 적층된 처리 제품을 수용하는 가스 안내 장치를 갖고, 가스 안내 장치에 의해 생성된 가스 유동 사이클의 적어도 일부가 이를 통과하여 유동하는 방식으로 처리 챔버 내에 배열된다. 한편, 가스 반송 장치와 가스 안내 장치는 특히 강제 대류에 의해 적층된 처리 제품의 균일한 가열과 냉각을 보장하고, 다른 한편, 특히 균질 가스 분포와, 예를 들어 유리 기판인 처리 제품인 예를 들어 황동광 반도체의 특히 궁극적인 균질 층 형성을 보장한다.
또한, 가스 반송 장치, 가스 안내 장치 및 가열 장치뿐만 아니라 또한 특히 템퍼링 장치의 조합은 보다 빠른 가열 및 가열률을 가질 수 있어서, 그 결과 짧은 처리 시간과 따라서 처리된 제품의 높은 처리량이 가능하다.
처리되는 제품의 적층체의 처리, 즉 소위 배치 동작을 위해 처리 장치가 설계되었다는 사실 때문에, 처리 장치는 높은 수준의 소형화, 단순한 유지보수 및 접근성을 갖고, 순수한 인라인 시스템에 비해 낮은 수준의 복잡성을 갖는다.
본 발명의 유리한 개발은 종속 청구항, 상세한 설명 및 도면에서 찾을 수 있다.
제1 형태의 설계에 따르면, 적어도 섹션에서 처리 챔버 벽의 내측에 열 절연성 재료가 제공되고, 이러한 열 절연성 재료는 바람직하게는 처리 조건 하에서 비활성이다. 한편, 절연성 재료는 예를 들어 부식에 대해 처리 챔버 벽용의 부가의 보호를 형성하고, 다른 한편, 처리 챔버에서 발견되는 가스상 대기로부터 처리 챔버 벽의 소정의 열 디커플링을 제공하여, 가스상 대기의 온도는 보다 정밀하게 제어될 수 있다. 열 디커플링은 기본적으로는 통상적인 절연성 재료와 같이, 낮은 비열 용량 및 낮은 열 전도성에 기초한다. 또한, 열 절연성 재료는 처리 챔버 벽이 고온 처리 가스와 너무 커진 열의 방출에 의해 특정 온도 이상으로 가열되는 것을 방지한다. 가스 반송 장치에 의한 강제 대류의 경우에, 다른 우수한 열의 통과 때문에 열의 방출이 확실하게 제어되기 때문에 열 절연성 재료는 특히 유리하다. 절연성 재료는 처리 챔버 벽의 내측 전체를 커버할 수 있지만 이를 구비하지 않는다. 본 발명에 따른 처리 장치는 예를 들어 스테인리스 스틸로 제조된 처리 챔버 벽의 금속 표면이 내측에 전혀 없을 수 있고, 즉, 절연성 재료로 커버되지 않는다는 점에 의해 그 설계의 형태에서 자신이 구별된다.
절연 재료는 예를 들어, 세라믹, 비트로세라믹, 카본 섬유 보강 카본(CFC)과 같은 섬유질 재료를 포함하는 그래파이트 또는 예를 들어 SiO2 및 Al2O3 섬유로 구성된 세라믹 섬유 함유 절연 재료일 수 있다.
다른 형태의 설계에 따르면, 가스 안내 장치는 적층된 처리 제품을 수용하는 가스 안내 장치 위의 처리 챔버의, 챔버의 제1 영역을 한정하는 적어도 하나의 상부 분할 플레이트와, 적층된 처리 제품을 수용하는 가스 안내 장치 아래의 처리 챔버의 제2 영역을 한정하는 대향측의 하부 분할 플레이트를 갖는다. 또한, 가스 안내 장치는 또한 측면에서 두 개의 분할 플레이트를 가질 수 있다.
가스 유동의 특히 균일한 편평 분배를 위해 가스 안내 장치가 적어도 하나의 분배 장치를 갖고, 적층된 처리 제품이 바람직하게는 분배 장치의 하류에 배열되는 것이 바람직하다. 분배 장치는 예를 들어 슬릿 및/또는 홀을 구비한 플레이트일 수 있다. 분배 장치 및 가스 안내 장치는 바람직하게는 비활성 재료, 예를 들어 비트로세라믹, 실리콘 카바이드 또는 실리콘 나이트라이드를 포함하거나 이들로 구성된다.
사용되는 처리 가스의 종류에 따라, 처리 가스에 대해 저항성을 갖는 것으로 제공된 제안된 비활성 재료 대신에 금속 또는 금속 합금과 같은 다른 재료 또는 스틸이 본원에서 사용될 수 있다.
처리 챔버 벽과 유사한 방식으로, 가스 안내 장치의 표면도 바람직하게는 처리 조건 하에서 비활성인 열 절연성 재료를 구비할 수 있다. 이러한 방식으로, 가스 안내 장치는 처리 챔버에서 가스상 대기로부터 열적으로 디커플링된 적어도 큰 면적을 가져서, 처리 장치는 특히 요구되는 온도 변화가 동적인 경우에 낮은 전체 열 질량을 갖고, 그 결과, 처리 챔버 내의 처리 가스의 온도는 또한 보다 신속하고 정확하게 제어될 수 있다. 처리 가스의 반응성 성분에 대한 비활성 때문에, 절연성 재료는 또한 가스 안내 장치용의 예를 들어 부식에 대한 부가의 보호를 형성한다.
다른 형태의 설계에 따르면, 가스 반송 장치는 바람직하게는 비활성 재료로 이루어진 적어도 하나의 벤틸레이터(ventilator)를 포함한다. 벤틸레이터는 상이한 형태의 설계로 상상할 수 있고, 도면에 도시된 원리에 한정되지 않는다. 중요한 점은 벤틸레이터가 처리 가스의 반송에 효과적인 한 가능하다는 점이다. 벤틸레이터는 처리 챔버 내로 연장하는 구동 샤프트에 부착될 수 있고, 바람직하게는 비활성 재료로 제조된다. 비반응성 재료를 이용함으로써, 벤틸레이터 및/또는 구동 샤프트는 또한 처리 가스의 반응성 성분에 의한 침해, 특히 부식에 대해 보호된다. 예를 들어, 축방향 벤틸레이터 및 반경방향 벤틸레이터가 적절한 형상의 벤틸레이터 설계로서 언급된다.
벤틸레이터가 적층된 처리 제품의 전단부 중 하나의 영역에 배열되면 유리하다. 이러한 벤틸레이터의 배열은 특히 처리 가스로의 적층된 처리 제품의 균질한 처리량에 기인하고, 따라서 특히 균질한 막 분리 및 막 반응에 기인한다. 설계 형태에서, 본 발명에서 의미하는 전단부는 특히 임의의 로딩 또는 언로딩 장치를 갖지 않은 처리 챔버의 대향하여 놓인 단부 섹션을 포함한다.
가스 유동의 유동률과 균질성을 보다 더 증가시키기 위해, 다른 벤틸레이터를 적층된 처리 제품의 다른 전단부의 영역에 배열하는 것이 유리하다. 이러한 두 개의 벤틸레이터의 구성으로, 하나의 벤틸레이터는 적층된 처리 제품 내로 처리 가스를 반송하면서 다른 벤틸레이터가 적층된 처리 제품 외부로 처리 가스를 반송하는 방식으로 개발된다. 달리 말하면, 하나의 벤틸레이터는 소위 푸싱 동작으로 동작하면서, 다른 것은 흡인 동작으로 동작한다.
벤틸레이터 또는 구동 샤프트의 비활성 재료는 예를 들어, 실리콘 나이트라이드 또는 실리콘 카바이드와 같은 세라믹 재료일 수 있다. 벤틸레이터 및/또는 구동 샤프트는 이러한 재료로 코팅될 수 있다.
벤틸레이터의 구동부 또는 벤틸레이터들의 구동부들이 역방향 회전으로 동작할 수 있어서 가스 유동 사이클을 역전시킬 수 있으면 바람직하다.
다른 형태의 설계에 따르면, 가열 장치는 적어도 하나의 내부식성 가열 요소를 포함한다. 특히, 가열 장치는 적층 플레이트의 저항 가열 요소들로서 설계될 수 있다. 예를 들어, 그래파이트 또는 실리콘 카바이드 가열 요소가 적층 플레이트 멘더(meander) 히터로서 또는 가열 로드로서 사용될 수 있다. 가스 유동률, 히터 출력 및 히터 매트릭스의 표면의 구성에 따라, 수℃/분 내지 수℃/초의 처리 제품의 가열률에 도달할 수 있다.
다른 형태의 설계에 따르면, 냉각 장치는 냉각 챔버 내에 제공되고, 바람직하게는 가스 유동 사이클에 배열되거나 또는 배열될 수 있고, 냉각 장치는 바람직하게는 적어도 하나의 냉각 요소, 특히 하나의 적층 플레이트 냉각기 또는 하나의 다중 튜브 냉각기를 포함한다. 냉각 요소는 예를 들어, 오일 템퍼링 장치에 의해 예를 들어 약 200℃ 이하의 온도로 유지될 수 있다. 가스 유동률, 냉각기 출력 및 냉각기 배열의 표면에 따라, 수℃/분의 냉각률로 처리 제품에 도달할 수 있다.
다른 형태의 설계에 따르면, 가스 전환(divert) 요소가 제공되고, 이에 의해 가스 유동 사이클은 가열 장치 또는 냉각 장치가 가스 유동 사이클에 배열되는 방식으로 전환될 수 있다. 적절한 설정에서, 가스 전환 요소는 특히 요구되는 온도에서 처리된 제품의 신속한 가열 또는 냉각을 보장한다.
전술한 바와 같이, 처리된 제품은 특히, 예를 들어 태양전지 셀 용의, 주로 황동광 반도체층이고, 바람직하게는 I-III-VI 연결 반도체층이고 특히 Cu(In,Ga)(Se,S)2 반도체층인 반도체 박층을 제조하기 위한 유리 기판을 포함할 수 있다. I, III 및 IV족 원소로 이루어진 황동광 반도체에서는, 예를 들어 I족 원소로서 선택될 수 있는 Cu, 예를 들어 III족 원소로서 선택될 수 있는 In 및/또는 Ga, 예를 들어 IV족 원소로서 선택될 수 있는 Se 및/또는 S로 이루어지거나 이들로 구성되는 것이 공통점이다. 사용되는 성분의 선택에 따라, CIS 또는 CIGS 시스템에 대한 것이라고 말할 수 있다. 예를 들어, Cu(In)(Se) 또는 Cu(In)(Se,S) 시스템이 CIS 시스템 내에 포함되지만, 예를 들어 Cu(In,Ga)(Se) 및 Cu(In,Ga)(Se,S)에 기반한 이러한 시스템은 CIGS 시스템 하에 포함된다.
따라서 상술한 종류의 장치는 예를 들어, 특히 태양전지 셀용의 반도체 박층, 예를 들어 황동광 흡수제층의 제조에 적합하다.
다른 형태의 설계에 따르면, 본 발명에 따른 처리 장치는 특히 제2 가스 및/또는 진공 기밀 로킹 장치를 갖는 적어도 하나의 로크 가능한 언로딩 개구를 특징으로 하고, 이에 의해 적층된 처리 제품은 가스 안내 장치로부터 제거될 수 있다. 로킹 장치가 처리 챔버의 대향하여 놓여지는 섹션의 영역에 부착되는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 목적은 또한 본 발명에 따른 적어도 하나의 처리 장치로 적층된 처리 제품을 처리하기 위한 처리 시스템이고, 처리 장치는 적층된 처리 제품이 가스 안내 장치로 들어갈 수 있는 로딩 개구와, 적층된 처리 제품이 가스 안내 장치로부터 제거될 수 있는 언로딩 개구를 갖는다.
본 발명에 기초한 과제는 또한 적층된 처리 제품의 처리를 위한 처리 시스템에 의해 해결되며, 이는, a) 제1 가스 및/또는 진공 기밀식 로크 장치로 로크 가능하고, 이를 통해 처리된 제품 적층체를 가스 안내 장치로 삽입 가능한 제1 로딩 개구와, 제2 가스 및/또는 진공 기밀식 로크 장치로 로크 가능하고, 이를 통해 처리된 제품 적층체를 가스 안내 장치로부터 제거 가능한 제1 언로딩 개구를 갖는, 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 적어도 하나의 처리 장치와, b) 제3 가스 및/또는 진공 기밀식 로크 장치로 로크 가능한 제2 로딩 개구와, 제4 가스 및/또는 진공 기밀식 로크 장치로 로크 가능한 제2 언로딩 개구를 갖고, 상기 제1 언로딩 개구와 제2 로딩 개구는 상기 처리 장치로부터 상기 냉각 장치로 처리된 제품을 운송하기 위해 인접하게 배치되어 위치되거나 배치되어 위치될 수 있는, 적어도 하나의 냉각 챔버를 포함하는 적어도 하나의 냉각 장치와, 및/또는 c) 제5 가스 및/또는 진공 기밀식 로크 장치로 로크 가능한 제3 로딩 개구와, 제6 가스 및/또는 진공 기밀식 로크 장치로 로크 가능한 제3 언로딩 개구를 갖고, 상기 제3 언로딩 개구와 제1 로딩 개구는 처리된 제품을 채널링 챔버로부터 처리 장치로 운송하기 위해 인접하게 배치되어 위치되거나 또는 배치되어 위치될 수 있는 적어도 하나의 채널링 챔버를 포함하는 적어도 하나의 채널링 장치를 포함한다.
하나의 형태의 설계에서, 이러한 처리 시스템은 또한 특히 제1 언로딩 개구가 처리 장치에 링크되거나 링크 가능하고, 특히 제2 언로딩 개구가 냉각 장치에 링크되거나 링크 가능한 적어도 제1 연결 섹션과, 및/또는 특히 제1 로딩 개구가 처리 장치에 링크되거나 링크 가능하고, 특히 제3 언로딩 개구가 채널링 챔버에 링크되거나 링크 가능한 적어도 제2 연결 섹션을 특징으로 한다.
그렇게 해서, 냉각 챔버의 냉각 장치용으로 특히 적어도 하나의 냉각 요소 및/또는 하나의 적층 플레이트 냉각기 및/또는 다중 튜브 냉각기인 바람직하게는 -196℃의 범위, 특히 -50℃, 바람직하게는 예를 들어 실온인 10℃에서 250℃까지의 범위로 온도가 제어될 수 있는 적어도 하나의 냉각 장치를 갖도록 제공될 수 있다. 냉각은 예를 들어 통상 14℃ 내지 20℃의 온도를 갖는 냉각수를 사용하여 개시될 수 있다.
다른 형태의 설계에서, 채널링 챔버용으로 적어도 하나의 가열 장치를 갖도록 제공될 수 있다.
본 발명에 따르면, 본 발명에 따른 적어도 두 개의 처리 장치가 직접적으로 또는 제3 연결 섹션에 의해 이들 각각의 언로딩 및 로딩 장치를 통해 서로 연결되거나 연결될 수 있도록 제공된다.
또한 예를 들어 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 특히 스테인리스 스틸, 바람직하게는 합금된 스테인리스 스틸인 금속 또는 금속 합금을 포함하거나 기본적으로 이들로 구성된, 특히 로킹 장치 및/또는 채널링 챔버를 포함하는, 특히 로킹 장치 및/또는 제1, 제2 및/또는 제3 연결 섹션을 포함하는, 냉각 챔버의 적어도 하나의 벽, 특히 전체 벽용으로 본 발명에 따른 처리 시스템이 개발된다.
본 발명이 의미하는 로킹 장치는 예를 들어 도어 및 플레이트일 수 있다.
이러한 형태의 설계는 또한 적어도 하나의 벽, 특히 모든 벽, 채널링 챔버, 냉각 챔버 및/또는 제1, 제2 및/또는 제3 연결 섹션과 적어도 섹션으로 및/또는 열 작동식으로 연결되는 적어도 하나의 템퍼링 장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.
처리 시스템이 처리 장치에 인접하여 배열되고 처리 장치의 언로딩 개구와 정렬된 로딩 개구를 갖는 다른 처리 장치를 포함하는 것이 유리하다. 로딩 개구 및/또는 언로딩 개구는 도어, 특히 플레이트 밸브에 의해 로크되거나 이에 의해 로크 가능하다.
다른 처리 장치가 냉각 장치의 소기 가능한 처리 챔버의 가스 반송 장치에 의해 생성된 가스 유동 사이클에 배열된 냉각 장치를 가지면 바람직하다. 또한, 처리 시스템은 또한 처리량 방향에 관해서 볼 때 제1 처리 장치의 전방에 놓여진 채널링 챔버를 포함할 수도 있다.
몇몇 처리 장치의 인접한 배열에 의해, 처리 시스템은 처리되는 적층된 처리 제품용의 처리량 시스템을 형성한다. 따라서 어느 정도까지는, 이는 배치 동작을 갖는 연속 처리량 동작의 장점을 조합한 "배치 인라인 시스템"이다.
처리 장치의 수는 두 개로 제한되지 않는다는 점은 명백하다. 보다 정확하게는, 처리 시스템은 예를 들어 n개의 처리 장치와 m개의 냉각 장치를 포함하고, n과 m은 자연수이고, n=m=1은 배치 인라인 조합 처리 시스템의 가장 단순한 버전에만 적용된다.
또한 본 발명의 다른 목적은 청구항 제25항 또는 제26항의 특징부를 갖고, 적층된 처리 제품을 특히 고온에 대해 중간으로 처리하여 전술한 장점에 도달할 수 있는 처리이다.
본 발명이 의미하는 중간 온도는 예를 들어 100℃ 내지 600℃ 범위의 온도로 이해될 것이다. 본 발명에 따른 처리와 관련하여 본 발명이 의미하는 고온은 예를 들어 600℃ 내지 1000℃의 범위로 이해될 것이다.
이에 따라, 본 발명에 따른 처리 장치 또는 본 발명에 따른 처리 시스템의 사용에 의해, 특히 박층, 특히 도체, 반도체 및 절연 박층의 제조를 위한 특히 적층 및/또는 편평 처리된 제품을 처리하기 위한 본 발명에 따른 처리는 구별되며, 적층된 처리 제품은 가스를 수용하는 처리 챔버 내에 배열된 가스 안내 장치의 처리 위상 동안 수용되고, 특히 적층된 처리 제품의 처리의 적어도 일부 동안, 처리 챔버의 벽의 적어도 일부가 특히 템퍼링 장치에 의해, 제1 온도로 유지되고, 제1 온도는 제2 온도인 실온 미만이 아니고, 적어도 스테이지에서의 처리 동안 처리 챔버에서 생성된 제3 온도 미만이며 실온보다 높고, 생성된 가스 유동 사이클의 적어도 일부가 가스 안내 장치를 통과하여 가스 유동 사이클에 배열된 가열 장치에 의해 가스가 가열되는 방식으로 적어도 처리 챔버에서 가스 유동 사이클이 생성된다.
하나의 형태의 설계에 따르면, 바람직하게는 처리 위상 동안 가스 입구 장치에 의해 처리 챔버 내로 안내되는, 황 또는 셀레늄을 포함하고, 특히 H2S 및/또는 H2Se 가스 또는 가스상 황 및/또는 가스상 셀레늄을 포함하는 처리 가스용으로 제공된다.
하나의 형태의 설계에 따르면, 처리된 제품은 예를 들어 태양전지 셀용의 반도체 박층, 주로 황동광 반도체 박층, 바람직하게는 I-III-VI 연결 반도체층이고, 특히 Cu(In,Ga)(Se,S)2 반도체층을 제조하기 위한 편평하고 특히 예비 코팅된 유리 기판이다.
처리 동안 템퍼링 장치에 의해 제1 온도가 실온에서 약 250℃, 특히 최대 200℃까지의 범위 내에서 유지되는 본 발명에 따른 처리의 개발이 특히 바람직하다.
본 발명은 특히 박층, 예를 들어 도체, 반도체 및 절연성 박층을 제조하기 위해 편평 기판의 형상의 특히 적층된 처리 제품을 갖는 처리 장치뿐만 아니라 처리 시스템이 처리 챔버의 재료의 선택에 관계없이 임의의 문제점없이 제조되어 유지될 수 있다는 놀라운 발견에 기초한다. 본 발명에 따른 장치에서, 과열뿐만 아니라 밀도 부족에 야기될 수 있는 동반되는 지연이 처리 챔버에 의해 방지될 수 있다. 처리 챔버의 벽의 처리 가스의 응축이 방지될 수 있다는 점은 또다른 잇점이다. 그 결과, 처리 챔버 전체에 걸쳐 매우 균질한 가스 농도가 설정될 수 있고, 또한 처리 동안 유지될 수 있고, 반도체 박층 시스템이 제조되는 경우에 특히 균질한 구조층의 구조가 보장될 수 있다. 응축을 방지하거나 크게 감소시킴으로써, 처리 챔버 내의 균일한 가스 농도를 약화시킬 수 있는 응축된 재료의 재기화가 이후의 처리 사이클에서 발생하지 않는다. 또한 효율을 증가시키기 위해, 특히 내부 벽에의 인가에 의해 열 절연성 재료가 처리 챔버에 사용될 수 있다는 사실은 잇점이다. 본 발명에 따른 장치의 처리 챔버가 기하학적인 제한 또는 크기에 대한 제한을 더 이상 받지 않는다는 사실은 특히 잇점으로 발견되었다. 예를 들어, 스테인리스 스틸로 제조된 처리 챔버는 임의의 형상뿐만 아니라 원래 실리카 유리 오븐의 직경보다 상당히 큰 크기를 갖고 어세스 가능하다. 처리 챔버의 재료의 선택에 관계없이, 열손실량은 본 발명에 따른 장치에 의한 처리 동안 상당히 감소될 수 있다. 본 발명에 따른 장치를 사용할 때, 특히 예를 들어 스테인리스 스틸 플랜지인 금속 플랜지가 사용되는지 여부 또는 예를 들어 200℃ 또는 250℃까지 열 안정화하는 시일의 이들 플랜지용으로 사용되는지 여부는 실리카 유리 처리 챔버를 갖는 경우에 더 이상 중요하지 않다. 특히 본 발명에 따른 처리 시스템을 사용할 때, 사이클 시간을 상당히 감소시키는 것이 가능하다. 편평 기판, 예를 들어 반도체 박층의 완전한 냉각은 냉각 장치에서 개시되며, 처리의 다음 단계가 이미 진행되고, 적절한 다음 처리 스테이지는 채널링 챔버에서 준비된다.
이하에서는 본 발명이 유리한 실시예를 기초로 하여 첨부된 도면을 참조하여 순수하게 예로서 설명된다.
도 1은 본 발명에 따른 처리 장치의 개략 단면도.
도 2는 도 1의 선 A-A를 따른 처리 장치의 개략 종단면도.
도 3은 도 1 및 2에 도시된 형식의 처리 장치를 포함하고, 그 옆에 냉각 장치가 배열된, 본 발명에 따른 처리 시스템의 개략 종단면도.
도 4는 처리 장치의 상류의 채널링 챔버와 처리 장치의 하류의 냉각 장치를 포함하는, 본 발명에 따른 처리 시스템의 다른 대체 실시예의 개략 종단면도.
도 1은 본 발명에 따른 처리 장치(10)를 도시하고, 이는 태양전지 셀의 제조를 위해 의도된 유리 기판(12) 상에 Cu(In, Ga)(Se, S)2 반도체 박층을 형성하도록 설계된다.
처리 장치(10)는 처리 챔버 벽(16)에 의해 경계를 갖는 소기 가능한 처리 챔버(14)를 포함한다. 처리 챔버 벽(16)은 고급 스틸이고 템퍼링 장치(18)에 의해 150℃ 내지 250℃의 온도 범위 내에서 유지된다.
본 실시예에서, 템퍼링 장치(18)는 특히 적절한 고온 오일이 진행하는, 처리 챔버 벽(16)에 용접된, 처리 챔버(14) 둘레에 구불구불하게 배열되고 처리 챔버(14)의 외측에 부착된 파이프(20)에 의해 형성된다. 대안적으로 또는 부가적으로, 고온 오일은 또한 처리 챔버 벽(16) 내로 적절하게 삽입된 진행 채널(도시 안함)일 수 있다. 부가적으로, 처리 챔버 벽(16)의 외측에는 열 절연성 재료가 제공될 수 있다.
처리 챔버 벽(16)의 내측에서, 처리 챔버는 입자를 거의 포함하지 않고 적어도 1000℃의 온도까지 내열성을 갖는 비부식성 열 절연성 재료(22)와 적어도 거의 완전히 직선이 된다. 내열성 재료(22)는 세라믹, 유리 세라믹, 카본 파이버 보강 카본(CFC)과 같은 섬유질 재료를 포함하는 그래파이트, 또는 예를 들어 SiO2 및 Al2O3 섬유인 절연 기재 함유 세라믹 섬유로 이루어질 수 있다.
가스 안내 장치(24)가 처리 챔버(14)의 중심 영역에 배열된다.
가스 안내 장치(24)는 상부 분리 플레이트(26) 및 하부 분리 플레이트(28)를 포함한다. 상부 및 하부 분리 플레이트(26, 28)에 부가하여, 각각 전방 및 후방 분리 플레이트(도시 안함)가 제공될 수 있다. 그러나, 이들의 기능은 게이트 또는 이에 배열된 진공 밸브를 포함하는 열 절연 챔버 측벽에 의해 구현되기 때문에, 전방 분리 플레이트와 후방 분리 플레이트는 일반적으로는 생략된다.
상부 및 하부 분리 플레이트(26, 28) 각각뿐만 아니라 필요하다면 전방 및 후방 분리 플레이트는 바람직하게는 비부식성 재료, 예를 들어 실리콘 카바이드 또는 실리콘 나이트라이드와 같은 세라믹 재료 또는 유리 세라믹 재료로 형성된다. 또한, 모든 분리 플레이트는 전술한 열 절연성 재료(22)의 층으로 커버된다.
또한, 가스 안내 장치(24)는 분리 플레이트(26, 28) 사이의 가스 안내 장치(24)의 제1 단부벽(도 1에서 좌측)의 영역에 배열된 제1 분배 장치(30)와, 분리 플레이트(26, 28) 사이의 가스 안내 장치(24)의 제2 단부벽(도 1에서 우측)의 영역에 배열된 제2 분배 장치(32)를 포함한다. 분배 장치(30, 32)는 각각 실리콘 카바이드, 실리콘 나이트라이드 또는 유리 세라믹 재료와 같은 비부식성 재료로 형성된다. 도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 각각의 분배 장치(30, 32)는 특히 유리 기판(12)과 정렬된 복수의 수직 슬릿(33)을 구비한 플레이트이다. 대안적으로 또는 부가적으로, 복수의 홀이 플레이트 또는 각각의 플레이트에 형성될 수 있다.
상부 및 하부 분리 플레이트(26, 28) 각각과, 제1 및 제2 분배 장치(30, 32) 각각, 및 필요하다면 도시되지 않은 전방 및 후방 분리 플레이트는 적어도 대략 갭 기밀식으로 실행되는 기판(12)용의 케이싱을 형성하여, 가스 안내 장치(24)를 통해 진행하는 가스 유동(35)은 케이싱 내로 안내되고 이 측면에서 그로부터 탈출할 수 없다.
상부 분리 플레이트(26)와 처리 챔버 벽(16) 사이에 위치된 상부 챔버 영역(34)에서, 예를 들어 실리콘 카바이드 미로형 보일러 매트릭스인 가열 장치(36)가 배열되고, 예를 들어 플레이트 적층 냉각기인 냉각 장치(40)가 하부 분리 플레이트(28)와 처리 챔버 벽(16) 사이의 하부 챔버 영역(38)에 배열된다. 대안적으로, 상부 챔버 영역(34)에 냉각 장치(40)를 배열하고 하부 챔버 영역(38)에 가열 장치(36)를 배열하는 것이 가능하다.
가열 장치(36)의 단부(도 1의 우측 단부)의 영역에서, 처리 챔버 벽(16)을 통해 연장하고, 본 실시예에서는 H2S 또는 H2Se와 같은 셀레늄화 또는 황화 가스인 처리 가스(44)를 외측으로부터 처리 챔버(14)로 공급할 수 있는 가스 입구 장치(42)가 배열된다. 가스 입구 장치(42)는 기본적으로는 처리 챔버(14)의 임의의 위치에 배열될 수 있지만, 정상 작동시, 가스 입구 장치(42)에 의해 공급되는 처리 가스(44)가 우선 가열 장치(36)를 통과하여 진행하고, 따라서 처리 챔버(14)에 진입하는 동시에 가열되기 때문에, 도 1에 도시된 배열이 특히 바람직하다.
가스 안내 장치(24)의 제1 단부벽의 영역에서, 처리 챔버 벽(16)을 통해 연장하는 제1 구동 샤프트(48)에 의해 구동되는 적어도 하나의 제1 팬(46)이 제1 분배 장치(30)의 상류에 배열된다. 처리 챔버 벽(16)을 통해 연장하는 제2 구동 샤프트(52)에 의해 구동되는 두 개의 제2 벤틸레이터(50)가 가스 안내 장치(24)의 대향측의 제2 분배 장치(32)의 영역에 배열된다.
각각의 제1 및 제2 팬(46, 50)뿐만 아니라 각각의 제1 및 제2 구동 샤프트(48, 52) 모두는 세라믹 재료, 특히 실리콘 나이트라이드 또는 실리콘 카바이드와 같은 내부식성 재료로 제조된다. 제1 팬(46)이 구동되어, 이들은 가스를 가스 안내 장치(24)로 반송하면서, 동시에 제2 팬(50)이 동작하여 이들은 가스 안내 장치(24)로부터 가스를 제거한다. 따라서 팬(46, 50)의 동작은 도 1에 도시된 바와 같이 반시계 방향으로 지시된 가스 유동 사이클을 생성한다. 이는 가스 입구 장치(42)에 의해 처리 챔버(14) 내로 도입된 처리 가스(44)가 가열 장치(36)를 통해 우측에서 좌측으로 유동하고, 그 다음에 하향하여 가스 안내 장치(24)를 통해 좌측에서 우측으로 유동하고, 그 다음에 상향하여 다시 가열 장치(36)를 통해 우측에서 좌측으로 유동한다는 것을 의미한다.
처리 챔버(14)의 가스 유동의 부가적인 제어에서, 상부 쌍의 절환 가능한 가스 편향 요소(54)와 하부 쌍의 절환 가능한 가스 편향 요소(56)가 제공된다. 상부 가스 편향 요소(54)는 이들이 가스 안내 장치(24)로부터 상부 챔버 영역(34)으로, 그리고 상부 챔버 영역(34)으로부터 가스 안내 장치(24)로의 처리 가스(44)의 유동을 허용하거나 또는 이를 감소시키거나 완전히 방지할 수 있도록 배열된다. 따라서, 하부 가스 편향 요소(56)는 이들이 가스 안내 장치(24)로부터 하부 챔버 영역(38)으로 또는 하부 챔버 영역(38)으로부터 가스 안내 장치(24)로 처리 가스(44)의 유동을 허용하거나 또는 이를 감소시키거나 완전히 방지할 수 있도록 배열된다.
도 1에 도시된 상황에서, 상부 가스 편향 요소(54)는 처리 챔버(14)의 상부 영역을 통해, 즉 가스 안내 장치(24)와 가열 장치(36)를 통한 처리 가스의 순환을 가능하게 하는 개방 위치에 있다. 그러나 하부 가스 편향 요소(56)는 처리 챔버(14)의 하부 영역을 통한, 특히 냉각 장치(40)를 통한 처리 가스(44)의 순환을 방지하는 것을 의미하는 폐쇄 위치에 있다. 따라서, 도 1에 도시된 상황에서, 고온 처리 가스만이 순환되고, 예를 들어 400℃ 내지 600℃ 범위의 원하는 처리 온도를 유지하는데 기여한다. 이에 반해, 상부 가스 편향 요소(54)가 폐쇄되고 하부 가스 편향 요소(56)가 개방되면, 처리 가스(44)는 냉각 장치(40)를 통해 유동하고, 유리 기판(12)은 예를 들어 250℃의 감소된 온도로 냉각된다.
처리 챔버(14)를 로드하기 위해, 처리 장치(10)는 처리 챔버 벽(16)에 만들어지고 플레이트 밸브(62) 또는 임의의 다른 적절한 게이트에 의해 로크될 수 있는 전방층 로딩 개구(60)를 포함한다.
처리되는 유리 기판(12)은 이는 또한 배치라고 지칭되는 처리된 제품 적층체(66)를 형성하도록 간격을 갖고 수직으로 캐리어(64), 예를 들어 롤러 장착 트롤리에 배열된다. 처리된 제품 적층체(66)는 로딩 개구(60)를 통해 처리 챔버(14) 내로 이동하고 가스 안내 장치(24)에 위치된다. 로딩 개구(60)가 로크되자마자, 처리 챔버(14)는 가능한 처리 챔버(14) 내의 산소와 물의 함량을 감소시키도록 반복적으로 소기되어 제거된다.
처리 챔버(14)의 소기를 위해, 처리 챔버 벽(16)은 적절한 흡인 개구(도시 안함)를 갖고, 이는 펌프 시스템(도시 안함)에 연결된다. 처리 챔버(14)를 제거하기 위해, N2와 같은 제거 가스가 처리 챔버(14) 내로 진입할 수 있는 처리 챔버 벽(16)에 적절한 가스 입구가 제공된다.
처리 챔버(14) 내의 대기가 적절히 한정된 초기 조건을 나타내는 대로, 팬(46, 50)은 켜지고, 가열 장치(36)는 활성화되고 질소 가스는 처리 챔버(14) 내로 진입한다. 상부 가스 편향 요소(54)는 이때 개방되고 하부 가스 편향 요소(56)는 도 1에 도시된 바와 같이 폐쇄되어 유리 기판(12)의 워밍 업을 가능하게 한다.
온도가 처리 챔버(14)에서 반응이 시작되는데 요구되는 온도에 도달하는 대로, 셀레늄화, 예를 들어 H2Se 함유 처리 가스(44)가 가스 입구 장치(42)를 통해 처리 챔버(14) 내로 공급된다. 반응을 개시하는데 요구되는 온도는 실온과 400℃ 사이일 것이다.
처리 가스(44)가 원하는 온도 범위, 예를 들어 0.2% 내지 50%의 원하는 가스 농도 및 원하는 가스 유동률에서 주어진 시간 동안 유리 기판(12) 상을 통과한 후에, 팬(46, 50)은 꺼지고 처리 챔버(14)는 소기된다.
다음에 황화 처리 가스, 예를 들어 H2S 함유 처리 가스(44)가 가스 입구 장치(42)에 의해 처리 챔버(14) 내로 진입하면서, 팬(46, 50)은 다시 켜진다. 처리 온도는 예를 들어 400℃ 내지 600℃ 사이의 온도로 더 증가하고, 소정의 기간 동안 소정의 온도로 유지된다. 이 때, 원하는 가스 유동률과 가스 농도가 제어되고, 후자는 예를 들어 0.2% 내지 50%이다.
가열이 완료되면, 상부 가스 편향 요소(54)는 폐쇄되고 하부 가스 편향 요소(56)는 개방되어 처리 가스(44)는 냉각 장치(40)를 통해 반송되고, 유리 기판(12)은 예를 들어 350℃ 내지 150℃의 범위, 예를 들어 250℃의 온도로 냉각된다.
처리 챔버(14)가 재소기되고 질소로 충전되면, 처리된 제품 적층체(66)의 처리는 완료되어, 적층체는 처리 챔버(14)로부터 제거될 수 있다.
처리 장치(10)에 의해 달성 가능하고, 예를 들어 1K/분 내지 60K/분의 범위의 가열률과, 처리 챔버(14)의 설계에 따라 또한 그 위의 넓은 범위에서 조절 가능한 가열 및 냉각률은, 2시간 미만으로 처리 챔버(14)의 처리된 제품 적층체(66)의 처리, 본 예시적인 실시예에서 처리 제품의 셀레늄화 및 황화를 가능하게 한다.
처리 장치(10)의 전방측(58)에서 로딩 개구(60)를 통해 처리된 제품 적층체(66)를 제거하는 것은 기본적으로 가능하다.
그러나 본 예시적인 실시예에서, 처리 장치(10)는 로딩 개구(60)와 유사한 처리 챔버 벽(16)에 만들어진 언로딩 개구(70)를 그 반대측(68)에 갖고, 이는 플레이트 밸브(72) 또는 다른 적절한 게이트에 의해 로크 가능하다. 로딩 개구(60) 및 대향하는 언로딩 개구(70)를 갖는 처리 장치(10)의 설비는, 처리 장치(10)가 런-쓰루(run through) 장치로서 사용될 수 있도록 하고, 다른 처리 장치와 커플링될 수 있도록 한다.
예를 들어 도 3은 처리 장치(10)와 그 출력측에 연결된 냉각 장치(10')를 포함하는 처리 시스템을 도시한다. 냉각 장치(10')는 처리 장치(10)와 유사하게 형성되고, 가열 장치(36)를 갖는 상부 챔버 영역(34)이 생략된다는 점만이 다르다. 냉각 장치(10')가 유리 기판(12)을 냉각하기 위해 전용으로 제공되고, 특히 질소 가스와 같은 불활성 가스인 냉각 가스는 가스 안내 장치(24')를 통해서만 진행하고, 하부 챔버 영역(38')은 냉각 장치(40')를 포함하고, 상부 및 하부 가스 편향 요소(54, 56)는 또한 생각된다. 편의상, 도 3은 어떠한 제2 분배 장치(32)도 도시하지 않는다.
냉각 장치(10')는 커플링 섹션(74)을 통해 처리 장치(10)에 커플링되고, 그 옆에 배열되어, 냉각 장치(10')의 로딩 개구(60')는 처리 장치(10)의 언로딩 개구(70)와 정렬된다. 냉각 장치(10')의 로딩 개구(60')는 처리 장치(10)의 언로딩 개구(70)와 동시에 또는 이와 독립적으로 플레이트 밸브(62')에 의해 개폐될 수 있다.
처리 장치(10)와 냉각 장치(10')의 이러한 직렬 배열은 처리 장치(10)의 처리된 제품 적층체(66)가 언로딩 개구(70)와 로딩 개구(60')를 통해 냉각 장치(74)로 이동하도록 하여 처리가 종료된다.
처리된 제품 적층체(66)가 냉각 장치(10')로 이동하자마자, 플레이트 밸브(72)는 다시 로크되고, 처리 장치(10)는 다른 처리된 제품 적층체(66)를 로딩한다.
동시에, 냉각 장치(10')에 있는 우선 처리된 제품 적층체(66)는 유리 기판(12)을 통해, 그리고 냉각 장치(40')를 통해 질소 가스가 순환하도록 팬(50')에 의해 예를 들어 80℃까지 더 냉각될 수 있다. 최종 소기 및 냉각 장치(10)의 마지막 로딩 후에, 처리된 제품 적층체(66')는 언로딩 개구(70')를 통해 냉각 장치(10')로부터 제거될 수 있다. 냉각 장치(10')는 이제 처리 장치(10)로부터 다음 처리된 제품 적층체(66)를 수용할 준비가 된다.
도 4에 도시된 바와 같이, 처리된 제품 적층체(66)를 처리 장치(10)에 로딩하는 동안 처리 챔버(14) 내로 대기가 관통하는 것을 방지하기 위해 처리 장치(10)의 상류에 채널링 챔버(76)가 배열될 수 있다.
또한, 처리 시스템을 통해 처리된 제품 적층체(66)를 운반하는 캐리어(64)를 이동시키기 위한 운송 기구는 채널링 챔버(76)로부터 처리 챔버(14)로 캐리어(64)와 처리된 제품 적층체(66)를 활주시키기 위한 공급 기구뿐만 아니라, 처리 챔버(14)로부터 냉각 장치(10') 내로 캐리어(64)와 처리된 제품 적층체(66)를 끌어당기기 위한 당김 기구를 포함할 수 있다. 이러한 방식으로, 운송 기구의 이동부가 처리 시스템의 고온 및 부식 영역에 접촉하는 것이 방지될 수 있다.
또한 인라인 배치 처리로 지칭되는 런 쓰루 배치 처리에 의해, 확실히 2시간 미만의 전체 사이클 기간 내에 유리 기판(12)에 원하는 황동광 반도체 박층을 형성할 수 있다.
본 명세서, 청구범위뿐만 아니라 도면에 개시된 본 발명의 특징은 기본적으로 다양한 실시예에서 본 발명을 구현하기 위한 개별적이고 임의의 조합일 수 있다.

Claims (31)

  1. 처리 가스(44)를 수용하기 위해 소기 가능한 처리 챔버(14)를 수용하는 박층들, 특히 도성, 반도성 또는 절연성 박층들의 제조를 위해 특히 편평 기판들 형태의 특히 적층된 처리 제품(12)을 처리하기 위한 처리 장치(10)로서,
    특히 상기 처리 챔버의 적어도 하나의 벽, 특히 모든 벽들과 특히 적어도 섹션들로 및/또는 열 작동식으로 접속되는 적어도 하나의 템퍼링 장치로서, 상기 챔버는 소정의 온도로 상기 처리 챔버(14)의 벽(16)의 적어도 일부 영역, 특히 상기 처리 챔버 벽의 실질적으로 전체를 유지하고, 특히 상기 적층된 처리 제품의 처리의 적어도 일부동안 제1 온도로 동일하게 유지하도록 설비되고 적합화되고, 상기 온도는 제2 온도인 실온 미만이 아니고, 상기 처리 챔버에서 발생할 수 있고 실온보다 높은 는 제3 온도 미만인, 상기 적어도 하나의 템퍼링 장치와,
    상기 처리 챔버(14)에서 특히 강제 대류인 가스 유동 사이클을 생성하기 위한 적어도 하나의 가스 반송 장치(46, 50)와,
    가스를 가열하기 위한 것으로서, 상기 가스 반송 장치(46, 50)에 의해 생성되는 상기 가스 유동 사이클에 배치되거나 배치될 수 있는 적어도 하나의 가열 장치(36)와,
    처리된 제품 적층체(66)를 수용하도록 구성되고, 생성되거나 생성될 수 있는 상기 가스 유동 사이클의 적어도 일부가 가스 안내 장치(24)를 통해 연장하도록 상기 처리 챔버(14)에 배치되거나 배치될 수 있는 적어도 하나의 상기 가스 안내 장치(24)와,
    선택적으로, 제1 가스 및/또는 진공 기밀식 로킹 장치로 로크될 수 있고, 로딩 개구를 통해 상기 가스 안내 장치(24) 내로 처리된 제품 적층체(66)가 삽입될 수 있는 상기 적어도 하나의 로딩 개구(60)와,
    선택적으로, 상기 가스 유동 사이클 내로 상기 처리 가스(44)를 공급하기 위한 적어도 하나의 가스 입구 장치(42)를 포함하는 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 처리 챔버 벽(16)의 내부 표면은 처리 조건들 하에서 바람직하게는 내반응성인 열 절연 재료(22)로 적어도 섹션들이 커버되는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 가스 안내 장치(24)는 적어도 상기 가스 안내 장치(24) 위의 상기 처리 챔버(14)의 제1 챔버 섹션(34)을 한정하는 상부 분할 플레이트(26)와, 상기 가스 안내 장치(24) 아래의 처리 챔버(14)의 제2 챔버 섹션(38)을 한정하는 하부 분할 플레이트(28)를 갖고, 상기 가스 안내 장치(24)의 표면은 바람직하게는 처리 조건들 하에서 내반응성인 열 절연성 재료(22)로 커버되는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가스 안내 장치(24)는 적어도 가스 흐름을 바람직하게는 균질 방식으로 분배하기 위한 분배 장치(30, 32)를 갖고, 상기 처리된 제품 적층체(66)는 바람직하게는 상기 분배 장치(30)로부터 하류에 위치되고, 상기 분배 장치(30, 32)는 바람직하게는 슬릿들(33) 및/또는 홀들을 구비한 플레이트로 형성되는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가스 반송 장치는 바람직하게는 내반응성 재료를 갖는 적어도 하나의 팬(46)을 포함하고, 상기 팬(46)은 바람직하게는 처리된 제품 적층체(66)의 전방측들의 하나의 영역에 위치되고, 및/또는 상기 처리 챔버(14) 내로 연장하는 운송 구동부(48)에 부착되거나 부착 가능하고, 바람직하게는 내반응성 재료로 구성되거나 이러한 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 적어도 하나의 추가 팬(50)이 다른 전방측, 특히 상기 처리된 제품 적층체(66)의 대향측의 하나에 위치되는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가스 입구 장치(42)는 상기 가스 유동 사이클 내로, 바람직하게는 H2S 함유 및/또는 H2Se 함유 가스 또는 가스상 황 및/또는 가스상 셀레늄인 황 함유 또는 셀레늄 함유 가스를 공급하도록 설비되고 적합화되는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가열 유닛(36)은 적어도 하나의 내반응성 가열 요소를 포함하고, 바람직하게는 그래파이트 또는 실리콘 카바이드 가열 요소들을 포함하고, 예를 들어 플레이트형 멘더 가열 적층체들 또는 가열 로드 번들들로서 구성되는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 냉각 유닛(40)이 상기 가스 유동 사이클 내에 배열되고, 상기 냉각 유닛은 바람직하게는 250℃까지의 실온 범위에서 온도 제어 가능하고, 특히 적어도 하나의 냉각 요소 및/또는 하나의 플레이트 적층체 냉각기 및/또는 하나의 로드 번들 냉각기를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가열 유닛(36) 또는 상기 냉각 유닛(40)이 상기 가스 유동 사이클 내에 배치되거나 배치 가능한 방식으로 가스 유동 사이클이 편향될 수 있는 가스 편향 요소들(54, 56)을 특징으로 하는 처리 장치.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 제2 가스 및/또는 진공 기밀식 로크 장치로 로크 가능한 적어도 하나의 언로딩 개구(70)를 갖고, 상기 언로딩 개구를 통해 상기 처리된 제품 적층체(66)가 상기 가스 안내 장치(24)로부터 제거 가능한 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 챔버의 적어도 하나의 벽, 특히 모든 벽들은 금속 또는 금속 합금들, 특히 고급 스틸, 바람직하게는 합금된 고급 스틸을 포함하거나 기본적으로 이들로 구성되고, 또는 상기 처리 챔버는 용해된 실리카 파이프 또는 세라믹 파이프를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 챔버의 내측에 위치된 상기 처리 장치의 일부들은 금속 또는 금속 합금들 또는 세라믹 또는 탄소 또는 카본 섬유 재료들을 포함하거나 이들로 구성되는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 로킹 장치 및/또는 제2 로킹 장치는 금속들 또는 금속 합금들, 특히 고급 스틸, 바람직하게는 합금된 고급 스틸을 포함하거나 이들로 구성되는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및/또는 제2 로킹 장치는 온도를 제어 가능하고, 특히 상기 처리 챔버의 템퍼링 장치에 의해, 적어도 부분 영역, 특히 실질적으로 전체 로킹 장치가 상기 적층된 처리 제품의 처리의 적어도 일부 동안 소정의 온도, 특히 제1 온도로 조절 가능하고, 상기 온도는 제2 온도인 실온 미만이 아니고, 상기 처리 챔버에서 생성될 수 있고 제3 온도 미만이고 실온보다 높은 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 챔버의 단면은 적어도 섹션에서 실질적으로 직사각형, 정사각형, 사다리꼴 또는 삼각형인 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  17. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 챔버를 소기하기 위한 적어도 하나의 배출 포트를 포함하는 적어도 하나의 배출 유닛을 특징으로 하는 처리 장치.
  18. 적층된 처리 제품(12)을 처리하기 위한 처리 시스템이며,
    a) 제1 가스 및/또는 진공 기밀식 로크 장치로 로크 가능하고, 제 1 로딩 개구를 통해 처리된 제품 적층체(66)를 가스 안내 장치(24)로 삽입 가능한 상기 제1 로딩 개구와, 제2 가스 및/또는 진공 기밀식 로크 장치로 로크 가능하고, 제 1 언로딩 개구를 통해 처리된 제품 적층체(66)를 가스 안내 장치(24)로부터 제거 가능한 상기 제1 언로딩 개구를 갖는, 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 적어도 하나의 처리 장치(10)와,
    b) 제3 가스 및/또는 진공 기밀식 로크 장치로 로크 가능한 제2 로딩 개구와, 제4 가스 및/또는 진공 기밀식 로크 장치로 로크 가능한 제2 언로딩 개구를 갖고, 상기 제1 언로딩 개구와 제2 로딩 개구는 상기 처리 장치로부터 냉각 장치로 처리된 제품을 운송하기 위해 인접하게 배치되어 위치되거나 배치되어 위치될 수 있는, 적어도 하나의 냉각 챔버를 포함하는 적어도 하나의 상기 냉각 장치와, 및/또는
    c) 제5 가스 및/또는 진공 기밀식 로크 장치로 로크 가능한 제3 로딩 개구와, 제6 가스 및/또는 진공 기밀식 로크 장치로 로크 가능한 제3 언로딩 개구를 갖고, 상기 제3 언로딩 개구와 제1 로딩 개구는 처리된 제품을 채널링 챔버로부터 처리 장치로 운송하기 위해 인접하게 배치되어 위치되거나 또는 배치되어 위치될 수 있는 적어도 하나의 상기 채널링 챔버를 포함하는 적어도 하나의 채널링 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  19. 제18항에 있어서, 상기 처리 장치, 특히 상기 처리 장치의 제1 언로딩 개구와, 냉각 장치, 특히 상기 냉각 장치의 제2 로딩 개구를 커플링하거나 커플링 가능한 적어도 하나의 제1 연결 섹션, 및/또는
    상기 처리 장치, 특히 상기 처리 장치의 제1 로딩 개구와, 상기 채널링 챔버, 특히 상기 채널링 챔버의 제3 언로딩 개구를 커플링하거나 커플링 가능한 적어도 하나의 제2 연결 섹션을 갖는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  20. 제18항 또는 제19항에 있어서, 상기 냉각 장치는 상기 냉각 챔버 내에 적어도 하나의 냉각 유닛을 포함하고, 상기 냉각 유닛은 바람직하게는 -196℃, 특히 -50℃, 바람직하게는 10℃ 내지 250℃의 범위에서 온도를 제어 가능하고, 특히 적어도 하나의 냉각 요소 및/또는 하나의 플레이트 적층체 냉각기 및/또는 하나의 로드 번들 냉각기를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  21. 제18항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 채널링 챔버는 적어도 하나의 가열 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  22. 제18항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 적어도 두 개의 처리 장치들(10)은 이들 각각의 언로딩 및 로딩 개구들을 통해 직접 또는 제3 연결 섹션을 이용하여 서로 접속되거나 접속 가능한 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  23. 제18항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서, 특히 로킹 장치들을 포함하는 냉각 챔버 및/또는 특히 로킹 장치 및/또는 제1, 제2 및/또는 제3 연결 섹션을 포함하는 채널링 챔버의 적어도 하나의 벽, 특히 모든 벽들은 금속 또는 금속 합금들, 특히 고급 스틸, 바람직하게는 고급 스틸 합금을 포함하거나 실질적으로 이것들로 구성되는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  24. 제18항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 채널링 챔버, 상기 냉각 챔버 및/또는 제1, 제2 및/또는 제3 연결 섹션의 적어도 하나의 벽, 특히 모든 벽들과 적어도 섹션들로 및/또는 열 작동식 접속된 적어도 하나의 템퍼링 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  25. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 처리 장치 또는 제18항 내지 제24항 중 어느 한 항에 따른 처리 시스템을 사용하여 특히 박층들, 특히 도성, 반도성 또는 절연성 박층들을 제조하기 위해 특히 적층된 및/또는 편평 처리된 제품(12)의 처리 방법으로서,
    상기 처리된 제품 적층체(66)는 처리 위상 동안 가스 안내 장치(24) 내로 삽입되고, 특히 적어도 적층된 처리 제품의 처리의 부분 동안 처리 챔버(14)의 벽(16)의 적어도 부분 영역에서 템퍼링 장치(18)를 활용하는 가스 수용 처리 챔버(14) 내에 배열되는 가스 안내 장치는 소정의 온도, 특히 제1 온도로 유지되고, 상기 제1 온도는 제2 온도인 실온 미만이 아니고, 처리 동안 적어도 위상들 중에, 상기 처리 챔버에서 발생하는 제3 온도 미만이고 실온보다 높고,
    생성된 가스 유동 사이클의 적어도 일부가 상기 가스 안내 장치(24)를 통해 연장하는 방식으로 처리 챔버(14)에서 가스 유동 사이클이 생성되고 가스는 상기 가스 유동 사이클 내에 배열된 가열 장치(36)를 활용하여 가열되는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  26. 처리 위상 동안 가스 안내 장치(24) 내로 처리된 제품 적층체(66)가 삽입되는 특히 적층된 및/또는 편평 처리 제품(12)의 처리 방법으로서,
    처리 챔버(14)의 벽(16)의 적어도 일부 영역에서 템퍼링 장치(18)를 활용하는 가스 수용 처리 챔버(14) 내에 배열되는 상기 가스 안내 장치는 소정의 온도로 유지되고, 생성된 가스 유동 사이클의 적어도 일부가 가스 안내 장치(24)를 통해 연장하고, 가스가 상기 가스 유동 사이클 내에 배열된 가열 장치(36)를 활용하여 가열되도록 상기 가스 유동 사이클이 상기 처리 챔버(14)에서 생성되는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  27. 제25항 또는 제26항에 있어서, 특히 H2S 및/또는 H2Se 가스 또는 가스상 황 및/또는 가스상 셀레늄을 포함하는 바람직하게는 황 함유 또는 셀레늄 함유 가스인 처리 가스(44)는 처리 위상 동안 상기 처리 챔버(14) 내로 가스 입구 장치(42)를 통해 공급되는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  28. 제25항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 제품은 예를 들어 태양전지 셀용의 반도체 박층들, 바람직하게는 황동광 반도체층들, 보다 바람직하게는 I-III-VI 화합물 반도체층들 및 특히 Cu(In, Ga)(Se, S)2 반도체 박층들을 제조하기 위한 편평, 특히 예비 코팅된 유리 기판들(12)을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  29. 제25항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서, 실온으로부터 약 250℃ 특히 200℃의 범위로 처리 동안 상기 제1 온도는 상기 템퍼링 장치를 활용하여 유지되는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  30. 박층, 특히 도성, 반도성 또는 절연성 박층들 또는 상기 층들의 이전 스테이지들 또는 중간체들을 포함하는 특히 특히 편평 기판들을 제조하기 위한 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 처리 장치 또는 제18항 내지 제24항 중 어느 한 항에 따른 처리 시스템의 활용.
  31. 제30항에 있어서, 상기 반도체 박층은 황동관 반도체 박층, 특히 CIS 또는 CIGS 반도체 박층 또는 상기 층의 이전 스테이지 또는 중간체를 나타내는 것을 특징으로 하는 활용.
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