KR20110016418A - 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 - Google Patents

레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20110016418A
KR20110016418A KR1020100076819A KR20100076819A KR20110016418A KR 20110016418 A KR20110016418 A KR 20110016418A KR 1020100076819 A KR1020100076819 A KR 1020100076819A KR 20100076819 A KR20100076819 A KR 20100076819A KR 20110016418 A KR20110016418 A KR 20110016418A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resist
group
carbon atoms
ether
polar solvent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
KR1020100076819A
Other languages
English (en)
Korean (ko)
Inventor
박면규
김태희
김정현
이승용
김병묵
Original Assignee
동우 화인켐 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동우 화인켐 주식회사 filed Critical 동우 화인켐 주식회사
Publication of KR20110016418A publication Critical patent/KR20110016418A/ko
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P76/00Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
    • H10P76/20Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising organic materials
    • H10P76/204Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising organic materials of organic photoresist masks
    • H10P76/2041Photolithographic processes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10Objects to be cleaned
    • C11D2111/14Hard surfaces
    • C11D2111/22Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
KR1020100076819A 2009-08-11 2010-08-10 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 Ceased KR20110016418A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090073762 2009-08-11
KR20090073762 2009-08-11

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110016418A true KR20110016418A (ko) 2011-02-17

Family

ID=43586635

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100076819A Ceased KR20110016418A (ko) 2009-08-11 2010-08-10 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9081291B2 (https=)
JP (1) JP5647685B2 (https=)
KR (1) KR20110016418A (https=)
CN (1) CN102472985B (https=)
TW (1) TWI519910B (https=)
WO (1) WO2011019189A2 (https=)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130045011A (ko) * 2011-10-25 2013-05-03 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트 박리방법
KR20130049577A (ko) * 2011-11-04 2013-05-14 동우 화인켐 주식회사 포토레지스트 박리액 조성물
WO2014081127A1 (ko) * 2012-11-20 2014-05-30 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 박리액 조성물 및 포토레지스트의 박리방법
KR20150049674A (ko) * 2013-10-30 2015-05-08 삼성디스플레이 주식회사 박리액 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법
KR20150109833A (ko) * 2014-03-21 2015-10-02 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
KR20170106000A (ko) * 2016-03-11 2017-09-20 주식회사 이엔에프테크놀로지 신너 조성물
KR20170124359A (ko) * 2016-05-02 2017-11-10 주식회사 이엔에프테크놀로지 신너 조성물
KR101879576B1 (ko) * 2011-06-29 2018-07-18 동우 화인켐 주식회사 오프셋 인쇄용 요판 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법
KR20180129663A (ko) * 2017-05-26 2018-12-05 아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 무연 납땜 용제용 세정제 조성물, 무연 납땜 용제의 세정 방법

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2395397A4 (en) * 2009-02-03 2012-10-03 Idemitsu Kosan Co PAINT REMOVAL COMPOSITION AND PAINT REMOVAL PROCESS USING THEREOF
KR100950779B1 (ko) * 2009-08-25 2010-04-02 엘티씨 (주) Tft―lcd 통합공정용 포토레지스트 박리제 조성물
CN103064263B (zh) * 2011-08-22 2015-06-10 东友精细化工有限公司 抗蚀剂剥离液组合物及利用该组合物的抗蚀剂剥离方法
KR20140024625A (ko) * 2012-08-20 2014-03-03 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 제거용 박리액 조성물
US20140100151A1 (en) * 2012-10-08 2014-04-10 Air Products And Chemicals Inc. Stripping and Cleaning Compositions for Removal of Thick Film Resist
CN102956505B (zh) * 2012-11-19 2015-06-17 深圳市华星光电技术有限公司 开关管的制作方法、阵列基板的制作方法
US9158202B2 (en) * 2012-11-21 2015-10-13 Dynaloy, Llc Process and composition for removing substances from substrates
CN103308654B (zh) * 2013-06-13 2016-08-10 深圳市华星光电技术有限公司 用于测试光阻剥离液中水分含量的方法
US9346737B2 (en) * 2013-12-30 2016-05-24 Eastman Chemical Company Processes for making cyclohexane compounds
KR101586453B1 (ko) * 2014-08-20 2016-01-21 주식회사 엘지화학 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법
TW201627781A (zh) * 2014-10-14 2016-08-01 Az電子材料盧森堡有限公司 光阻圖案處理用組成物及使用其之圖案形成方法
KR102347618B1 (ko) * 2015-04-02 2022-01-05 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물
KR102529951B1 (ko) * 2015-12-14 2023-05-08 삼성디스플레이 주식회사 포토 레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 어레이의 제조 방법
WO2018058341A1 (en) * 2016-09-28 2018-04-05 Dow Global Technologies Llc Sulfoxide/glycol ether based solvents for use in the electronics industry
KR102465604B1 (ko) * 2016-11-01 2022-11-11 주식회사 이엔에프테크놀로지 신너 조성물
CN106773562A (zh) * 2016-12-23 2017-05-31 昆山艾森半导体材料有限公司 一种去除az光刻胶的去胶液
CN108255027B (zh) * 2016-12-28 2024-04-12 安集微电子(上海)有限公司 一种光刻胶清洗液
JP6899220B2 (ja) * 2017-01-11 2021-07-07 株式会社ダイセル レジスト除去用組成物
CN110178204B (zh) * 2017-01-17 2022-11-04 株式会社大赛璐 半导体基板清洗剂
CN108424818A (zh) * 2017-02-14 2018-08-21 东友精细化工有限公司 掩模清洗液组合物
CN108693717A (zh) * 2017-03-29 2018-10-23 东友精细化工有限公司 抗蚀剂剥离液组合物
CN107271450A (zh) * 2017-06-20 2017-10-20 深圳市华星光电技术有限公司 一种聚酰胺/氮化硅膜致密性的检测方法
US11762297B2 (en) * 2019-04-09 2023-09-19 Tokyo Electron Limited Point-of-use blending of rinse solutions to mitigate pattern collapse
CN110396315B (zh) * 2019-07-22 2020-11-10 深圳市华星光电技术有限公司 改性修复液、制备方法及修复色阻的方法
WO2021100651A1 (ja) * 2019-11-20 2021-05-27 日産化学株式会社 洗浄剤組成物及び洗浄方法
US20230091893A1 (en) * 2020-09-22 2023-03-23 Lg Chem, Ltd. Stripper composition for removing photoresist and stripping method of photoresist using the same
CN112947015A (zh) * 2021-02-08 2021-06-11 绵阳艾萨斯电子材料有限公司 Pr胶剥离液及其在液晶面板制程再生中的应用
CN116285995A (zh) * 2021-12-20 2023-06-23 李长荣化学工业股份有限公司 用于移除硅的蚀刻组成物及使用其移除硅的方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100528266B1 (ko) 1996-03-22 2006-03-09 바스프 악티엔게젤샤프트 건식에칭후측벽잔류물제거용용액및제거방법
DE19801049A1 (de) 1998-01-14 1999-07-15 Clariant Gmbh Verwendung von Formamidinium-Salzen als Bleichaktivatoren
WO2002008491A1 (en) 2000-07-26 2002-01-31 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Palladium removing solution and method for removing palladium
JP2002278092A (ja) * 2000-12-27 2002-09-27 Sumitomo Chem Co Ltd 剥離剤組成物
KR100997180B1 (ko) 2002-04-25 2010-11-29 아치 스페셜티 케미칼즈, 인코포레이티드 에치 잔여물질을 제거하기 위한 비-부식성 세척 조성물
JP2004029346A (ja) * 2002-06-25 2004-01-29 Mitsubishi Gas Chem Co Inc レジスト剥離液組成物
JP4443864B2 (ja) * 2002-07-12 2010-03-31 株式会社ルネサステクノロジ レジストまたはエッチング残さ物除去用洗浄液および半導体装置の製造方法
KR20060024478A (ko) * 2004-09-13 2006-03-17 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 박리액 조성물
US20060116313A1 (en) * 2004-11-30 2006-06-01 Denise Geitz Compositions comprising tannic acid as corrosion inhibitor
KR20060064441A (ko) 2004-12-08 2006-06-13 말린크로트 베이커, 인코포레이티드 비수성 비부식성 마이크로전자 세정 조성물
US7700533B2 (en) * 2005-06-23 2010-04-20 Air Products And Chemicals, Inc. Composition for removal of residue comprising cationic salts and methods using same
KR101304723B1 (ko) * 2006-08-22 2013-09-05 동우 화인켐 주식회사 아미드계 화합물을 포함하는 포토레지스트 박리액 및 이를이용한 박리 방법
JP4617337B2 (ja) * 2007-06-12 2011-01-26 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
US8361237B2 (en) * 2008-12-17 2013-01-29 Air Products And Chemicals, Inc. Wet clean compositions for CoWP and porous dielectrics

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101879576B1 (ko) * 2011-06-29 2018-07-18 동우 화인켐 주식회사 오프셋 인쇄용 요판 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법
KR20130045011A (ko) * 2011-10-25 2013-05-03 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트 박리방법
KR101880302B1 (ko) * 2011-10-25 2018-07-20 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트 박리방법
KR20130049577A (ko) * 2011-11-04 2013-05-14 동우 화인켐 주식회사 포토레지스트 박리액 조성물
KR101880303B1 (ko) * 2011-11-04 2018-07-20 동우 화인켐 주식회사 포토레지스트 박리액 조성물
WO2014081127A1 (ko) * 2012-11-20 2014-05-30 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 박리액 조성물 및 포토레지스트의 박리방법
KR20150049674A (ko) * 2013-10-30 2015-05-08 삼성디스플레이 주식회사 박리액 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법
KR20150109833A (ko) * 2014-03-21 2015-10-02 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
KR20170106000A (ko) * 2016-03-11 2017-09-20 주식회사 이엔에프테크놀로지 신너 조성물
KR20170124359A (ko) * 2016-05-02 2017-11-10 주식회사 이엔에프테크놀로지 신너 조성물
KR20180129663A (ko) * 2017-05-26 2018-12-05 아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 무연 납땜 용제용 세정제 조성물, 무연 납땜 용제의 세정 방법

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011019189A2 (ko) 2011-02-17
CN102472985B (zh) 2014-01-08
JP2013501958A (ja) 2013-01-17
TW201113652A (en) 2011-04-16
CN102472985A (zh) 2012-05-23
JP5647685B2 (ja) 2015-01-07
TWI519910B (zh) 2016-02-01
US20120181248A1 (en) 2012-07-19
WO2011019189A3 (ko) 2011-06-23
US9081291B2 (en) 2015-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20110016418A (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
KR101734593B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
KR101392629B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법
KR20110053557A (ko) 레지스트 박리액 조성물
CN110597024B (zh) 防止污渍的光刻胶剥离剂组合物及平板显示器基板的制法
US8883699B2 (en) Resist stripping composition and method of stripping resist using the same
KR101880303B1 (ko) 포토레지스트 박리액 조성물
KR101805195B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
KR20090121650A (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법
KR102757703B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물, 및 디스플레이 장치용 플랫 패널의 제조방법 및 그에 의해 제조된 디스플레이 장치용 플랫 패널, 및 디스플레이 장치
KR101341701B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법
KR20150000183A (ko) 플랫 패널 디스플레이 제조용 레지스트 박리액 조성물
KR101880302B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트 박리방법
KR101858750B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
KR20170099525A (ko) 레지스트 박리액 조성물
KR101341746B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법
KR101543827B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
KR102092919B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
KR20140119286A (ko) 포토레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법
KR101857807B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
KR20150028526A (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 평판표시장치의 제조방법
KR102092922B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
KR20150075519A (ko) 포토레지스트 박리액 조성물
KR102028120B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물
KR20150024482A (ko) 레지스트 박리액 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

D13-X000 Search requested

St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000

D14-X000 Search report completed

St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

AMND Amendment
E13-X000 Pre-grant limitation requested

St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

St.27 status event code: N-2-6-B10-B15-exm-PE0601

X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
E13-X000 Pre-grant limitation requested

St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PX0901 Re-examination

St.27 status event code: A-2-3-E10-E12-rex-PX0901

PX0601 Decision of rejection after re-examination

St.27 status event code: N-2-6-B10-B17-rex-PX0601

X601 Decision of rejection after re-examination
T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

T13-X000 Administrative time limit extension granted

St.27 status event code: U-3-3-T10-T13-oth-X000

J201 Request for trial against refusal decision
PJ0201 Trial against decision of rejection

St.27 status event code: A-3-3-V10-V11-apl-PJ0201

J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2017101003555; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20170726

Effective date: 20190425

PJ1301 Trial decision

St.27 status event code: A-3-3-V10-V15-crt-PJ1301

Decision date: 20190425

Appeal event data comment text: Appeal Kind Category : Appeal against decision to decline refusal, Appeal Ground Text : 2010 0076819

Appeal request date: 20170726

Appellate body name: Patent Examination Board

Decision authority category: Office appeal board

Decision identifier: 2017101003555

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000