TWI519910B - 光阻剝離液組成物及使用它之剝離光阻方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種光阻剝離液組成物及一種使用該光阻剝離液組成物之剝離光阻方法,本發明尤其係關於一種光阻剝離液組成物,其能夠有效地移除光阻圖案及製造平板顯示器過程中之蝕刻殘渣,且不會傷害鋁(Al)及/或銅(Cu)配線,以及尤其係關於一種使用該光阻剝離液組成物之剝離光阻方法。
近年來因高解析度平面顯示器的需求增加,已嘗試許多增加每單位面積像素數目的方法。此趨勢需減少圖案寬度,為因應於此,包括使用乾式蝕刻之製程條件變得更為嚴苛。此外,因平面顯示器的尺寸增加,配線中的信號速度亦應增加,及因此實際上使用較Al具有更低電阻的Cu作為配線材料。因此,必須增進用於移除光阻之剝離製程中之剝離液的性能需求。具體來說,依移除乾式蝕刻後所產生之蝕刻殘渣之能力及抑制金屬配線腐蝕之能力而言,剝離性必須到達相當程度。特別是,剝離液需具有抑制Cu及Al腐蝕的能力。剝離液亦應產生諸如增加處理基板之片材的數目之經濟效益以確保價格競爭性。
因此,本發明意欲提供一種光阻剝離液組成物,於乾式蝕刻及濕式蝕刻之後該光阻剝離液組成物極能夠移除光阻圖案及蝕刻殘渣,以及其防止包括Al及/或Cu的金屬配線之腐蝕,並且增加處理基板之片材的數目,因此產生經濟效益。本發明亦提供一種使用光阻剝離液組成物之剝離光阻方法。
本發明之一面向在於提供一種光阻剝離液組成物,其係包含(a)鹼性化合物,其係包括選自由以下式1至式3所表示之化合物之一或多者,由以下式4所表示之(b)醯胺化合物,(c)極性溶劑,及由以下式5所表示之(d)多元醇化合物:
其中R1、R2、R3、R4、R5及R6各獨立地為氫、經胺基或未經胺基取代的C1~10烷基、C2~10烯基、C1~10羥烷基、羧基、經C1~10烷氧基取代或未經羥基取代之C1~10烷基、經C1~4烷基取代或未經C1~4烷基取代之胺基、苯基或苄基;
其中R7、R8及R9各獨立地為氫、C1~10烷基、C2~10烯基、C1~10羥烷基、羧基、經C1~10烷氧基取代之C1~10烷基或經C1~4烷基取代或未經C1~4烷基取代之胺基,及R7及R8能夠一起形成環;以及
其中R10及R11各獨立地為氫、C1~10伸烷基、C2~10伸烷基、C1~10羥基伸烷基、羰基、經C1~10烷氧基取代之C1~10伸烷基或鍵結。
本發明之另一面向在於提供一種剝離光阻之方法,其係包含:(I)於平板顯示器用之基板上沈積導電金屬層,(II)於導電金屬層上形成光阻層,(III)使光阻層進行選擇性曝光,(IV)顯影光阻層以形成光阻圖案,(V)使用光阻圖案作為光罩來蝕刻導電金屬層,以及(VI)使用根據本發明之光阻剝離液組成物自基板剝離因形成光阻圖案及蝕刻所劣化並硬化的光阻。
根據本發明,於乾式蝕刻及濕式蝕刻之後光阻剝離液組成物極能夠移除光阻圖案及蝕刻殘渣,以及防止包括Al及/或Cu之金屬配線腐蝕,因此可有效地用於製造具有細緻圖案的平板顯示器以獲致高解析度,而且其可用於製造具有Cu配線之平板顯示器。此外,其能夠處理多數之基板,因此大幅降低成本。
本發明係關於一種光阻剝離液組成物,其係包含(a)鹼性化合物,其係包括選自由以下式1至式3所表示之化合物之一或多者,由以下式4所表示之(b)醯胺化合物,(c)極性溶劑,及由以下式5所表示之(d)多元醇化合物。
於式1至3中,R1、R2、R3、R4、R5及R6各獨立地為氫、經胺基或未經胺基取代的C1~10烷基、C2~10烯基、C1~10羥烷基、羧基、經C1~10烷氧基取代或未經羥基取代之C1~10烷基、經C1~4烷基取代或未經C1~4烷基取代之胺基、苯基或苄基。
於式4中,R7、R8及R9各獨立地為氫、C1~10烷基、C2~10烯基、C1~10羥烷基、羧基、經C1~10烷氧基取代之C1~10烷基或經C1~4烷基取代或未經C1~4烷基取代之胺基,以及R7及R8能夠一起形成環。
於式5中,R10及R11各獨立地為氫、C1~10伸烷基、C2~10伸烷基、C1~10羥基伸烷基、羰基、經C1~10烷氧基取代之C1~10伸烷基或鍵結。
以下,將詳細敘述本發明。
於根據本發明之光阻剝離液組成物中,包括選自由以下式1至式3所表示之化合物之一或多者之(a)鹼性化合物之功用為,於乾式或濕式蝕刻、灰化或離子植入之各種製程而破壞分子內鍵結或分子間鍵結之條件下,大量地滲入已劣化或交聯的光阻之聚合物基質中。此鹼性化合物於殘留在基板上之光阻之結構性脆弱部分中形成中空體,以使光阻轉換成非晶高分子凝膠塊,因而促使附著至基板上表面之光阻之移除。
由式1所表示之鹼性化合物的實施例包括初級胺,諸如甲胺、乙胺、一異丙胺、正丁胺、二級丁胺、異丁胺、三級丁胺及戊胺;二級胺,諸如二甲胺、二乙胺、二丙胺、二異丙胺、二丁胺、二異丁胺、甲基乙胺、甲基丙胺、甲基異丙胺、甲基丁胺及甲基異丁胺;三級胺,諸如三甲胺、三乙胺、三丙胺、三丁胺、三戊胺、二甲基乙胺、甲基二乙胺及甲基二丙胺;烷醇胺,諸如單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、單丙醇胺、2-胺乙醇、2-(乙胺基)乙醇、2-(甲胺基)乙醇、N-甲基二乙醇胺、N,N-二甲基乙醇胺、N,N-二乙基胺乙醇、2-(2-胺乙基胺基)-1-乙醇、1-胺基-2-丙醇、2-胺基-1-丙醇、3-胺基-1-丙醇、4-胺基-1-丁醇及二丁醇胺;以及烷氧基胺(alkoxyamine),諸如(丁氧基甲基)二乙胺、(甲氧基甲基)二乙胺、(甲氧基甲基)二甲胺、(丁氧基甲基)二甲胺、(異丁氧基甲基)二甲胺、(甲氧基甲基)二乙醇胺、(羥基乙氧基甲基)二乙胺、甲基(甲氧基甲基)乙胺、甲基(甲氧基甲基)胺乙醇、甲基(丁氧基甲基)胺乙醇及2-(2-胺基乙氧基)乙醇,彼等可單獨使用或以二或多者之混合物使用。於其中特別有用的為,單乙醇胺、三乙醇胺、1-胺基-2-丙醇、2-(2-胺基乙氧基)乙醇、N-甲基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N,N-二甲基乙醇胺、N,N-二乙基胺乙醇或2-(2-胺乙基胺基)-1-乙醇。
由式2所表示之鹼性化合物的實施例包括嗎啉、N-(3-胺丙基)嗎啉、N-(甲氧基甲基)嗎啉、N-(丁氧基甲基)嗎啉及N-(2-羥乙基)嗎啉,彼等可單獨使用或以二或多者之混合物使用。於其中特別有用的為N-(2-羥乙基)嗎啉。
由式3所表示之鹼性化合物的實施例包括哌嗪、1-甲基哌嗪、2-甲基哌嗪、1,4-二甲基哌嗪、1,4-二乙基哌嗪、1-(2-羥乙基)哌嗪、1-(2-羥乙基)-4-甲基哌嗪、1-(2-胺乙基)哌嗪、1-胺基-4甲基哌嗪、1-苄基哌嗪、1-苯基哌嗪、N,N’-二(甲氧基甲基)哌嗪、N,N’-二(丁氧基甲基)哌嗪及二(丁氧基甲基)哌嗪,彼等可單獨使用或以二或多者之混合物使用。特別有用的為1-(2-羥乙基)哌嗪。
包括選自由式1至式3所表示之化合物之一或多者之(a)鹼性化合物,基於組成物之總重量計,可使用之量係5~30重量%。於此成分之量落於以上範圍時,根據本發明之光阻剝離液組成物可展現較佳的剝離性能而不導致光阻剝離效果差或快速增加Al或Cu配線之蝕刻率的問題。
於根據本發明之光阻剝離液組成物中,由式4所表示之(b)醯胺化合物為強鹼性無質子極性溶劑,且非常有效於分解或溶解因乾蝕刻等而經劣化或交聯的光阻聚合物,以及與其他極性溶劑相較,依溶解作為光阻之主要成分的樹脂之能力而言,其效果優秀。
由式4所表示之(b)醯胺化合物之特別實施例包括甲醯胺、N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、乙醯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-(2-羥乙基)乙醯胺、3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺、3-(2-乙基己氧基)-N,N-二甲基丙醯胺及3-丁氧基-N,N-二甲基丙醯胺,彼等可單獨使用或以二或多者之混合物使用。特別有用的為N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基乙醯胺或N,N-二甲基乙醯胺。
由式4所表示之(b)醯胺化合物,基於組成物之總重量計,可使用之量係20~80重量%。於此成分之量落於以上範圍時,係有益於移除因蝕刻等而經劣化或交聯的光阻聚合物以及增加處理之片材的數目。
於根據本發明之光阻剝離液組成物中,(c)極性溶劑的功能為協助(b)醯胺化合物,以使因(a)鹼性化合物而呈凝膠的光阻聚合物溶解,以及於光阻剝離後以去離子水(DI)淋洗時促使剝離液被水移除,以使剝離液中之溶解的光阻再沈積最小化。此外,成分的功能為滲入經劣化或交聯的光阻而改進(a)鹼性化合物的表現性,因此破壞分子內鍵結或分子間鍵結。
(c)極性溶劑的實施例可包括質子極性溶劑及無質子極性溶劑,其可以單獨或混合物方式使用。質子極性溶劑的特別實施例包括乙二醇一甲基醚、乙二醇一乙基醚、乙二醇一異丙基醚、乙二醇一丁基醚、二乙二醇一甲基醚、二乙二醇一乙基醚、二乙二醇一異丙基醚、二乙二醇一丁基醚、三乙二醇一甲基醚、三乙二醇一乙基醚、三乙二醇一異丙基醚、三乙二醇一丁基醚、聚乙二醇一甲基醚、聚乙二醇一丁基醚、丙二醇一甲基醚、二丙二醇一甲基醚、三丙二醇一甲基醚、丙二醇一甲基醚乙酸酯及具有環狀醚鍵結之醇,彼等可單獨使用或以二或多者之混合物使用。具有環狀醚鍵結之醇之實施例包括呋喃甲醇及四氫呋喃甲醇。
無質子極性溶劑的特別實施例包括吡咯啶酮化合物,諸如N-甲基吡咯啶酮(NMP)及N-乙基吡咯啶酮;咪唑啶酮化合物,諸如1,3-二甲基-2-咪唑啶酮及1,3-二丙基-2-咪唑啶酮;內酯化合物,諸如γ-丁內酯;亞碸化合物,諸如二甲亞碸(DMSO)及環丁碸;磷酸酯化合物,諸如磷酸三乙酯及磷酸三丁酯;以及碳酸酯化合物,諸如碳酸二甲酯及碳酸二乙酯,彼等可單獨使用或以二或多者之混合物使用。
(c)極性溶劑,基於組成物之總重量計,可使用之量係10~70重量%。於此成分之量落於以上範圍時,因水降低剝離液的清潔能力,不需要考慮處理之片材的數目,亦不需考慮鹼性化合物及醯胺化合物之量急劇減少的相關問題。
(c)極性溶劑較佳包括一或更多質子極性溶劑及一或更多無質子極性溶劑。以及其較佳可包括一或更多具有環狀醚鍵結之醇。
於根據本發明之光阻剝離液組成物中,由式5所表示之(d)多元醇之功用為防止包括Al或Cu之金屬配線腐蝕。此多元醇化合物與光阻下之金屬層形成鍵結,因此防止金屬層被剝離液組成物之羥基腐蝕。
由式5所表示之(d)多元醇之特別實施例包括環己1,4-二醇、環己1,4-二甲醇及環己1,4-二乙醇,彼等可單獨使用或以二或多者之混合物使用。
(d)多元醇,基於組成物之總重量計,可使用之量係0.05~20重量%。於此成分之量落於以上範圍時,其於Al或Cu製成的金屬層上可展現較佳的抗蝕效果,以及極可能移除光阻及殘渣。
又,根據本發明之光阻剝離液組成物可進一步包含水以增加剝離液中之(a)鹼性化合物的活性,以增加移除光阻及乾式蝕刻殘渣之能力。
又,除以上成分外,根據本發明之光阻剝離液組成物可進一步界面活性劑。界面活性劑的功用為增加基板的濕潤性,因此致能均勻清潔以及增進界面滲透性而造成光阻剝離性增加。
可用於本發明之界面活性劑之實施例包括陰離子界面活性劑、陽離子界面活性劑及非離子性界面活性劑。特別有用的為具有較高濕潤性及較低成型性的非離子性界面活性劑。
非離子性界面活性劑的實施例包括聚氧乙烯烷基醚型、聚氧乙烯烷苯基醚型、聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚型、聚氧乙烯聚氧丁烯烷基醚型、聚氧乙烯烷胺基醚型、聚氧乙烯烷基醯胺基醚型、聚氧乙烯脂肪酸酯型、去水山梨醇脂肪酸酯型、甘油脂肪酸酯型、醇醯胺型及甘油酯型界面活性劑,彼等可單獨使用或以二或多者之混合物使用。
界面活性劑,基於組成物之總重量計,可使用之量係0.001~1.0重量%。於此成分之量落於以上範圍時,有利於基板之均勻剝離以及防止因剝離液之強成型性而難以處理剝離液。
根據本發明之光阻剝離液組成物,基於組成物之總重量計,係可包含(a)5~30重量%之包括選自由式1至式3所表示之化合物之一或多者之鹼性化合物,(b)20~80重量%之由式4所表示之醯胺化合物,(c)10~70重量%之極性溶劑,以及(d)0.05~20重量%之由式5所表示之多元醇化合物。
根據本發明之光阻剝離液組成物,可藉由混合預定量之以上化合物而有利地製備。混合過程並無特別的限制,且可使用各種程序而無限制。
此外,本發明係關於一種顯示器用之平板以及一種平板顯示器,兩者係使用根據本發明之光阻剝離液組成物而製造。
此外,本發明係關於一種使用根據本發明之光阻剝離液組成物之剝離光阻方法。此方法包括(I)於平板顯示器用之基板上沈積導電金屬層,(II)於導電金屬層上形成光阻層,(III)使光阻層進行選擇性曝光,(IV)顯影光阻層以形成光阻圖案,(V)使用光阻圖案作為光罩來蝕刻導電金屬層,以及(VI)使用根據本發明之光阻剝離液組成物自基板剝離因形成光阻圖案及蝕刻所劣化並硬化的光阻。
又,根據本發明之剝離方法包括於實行諸如回蝕處理或CMP(化學機械研磨)之乾式蝕刻之後,使用根據本發明之光阻剝離液組成物來剝離經曝光的光阻層,而不使用光罩形成光阻圖案。
於剝離過程中,可用此技藝已知方法執行光阻層形成、曝光、顯影、蝕刻及灰化。
光阻的種類包括正/負g射線(g-ray)、i射線(i-ray)及深紫外光(DUV)光阻、電子束光阻、X射線光阻及離子束光阻等。僅管光阻之組成並無限制,可有效應用根據本發明光阻剝離液組成物之光阻為包含酚醛清漆酚樹脂或諸如重氮萘醌或之光活性化合物或彼等之混合物之光阻。
使用根據本發明之光阻剝離液組成物來移除平板顯示器用之基板上的光阻、經劣化或硬化光阻或乾式蝕刻殘渣係包括,使塗覆有光阻之基板浸潤於剝離液中或噴灑剝離液至相應的基板上。亦於此情況中,可結合使用包括音波處理或使用旋轉或左右振動之刷子的物理性處理。於剝離過程後,藉由連續清潔過程可去除殘留在基板上的剝離液。除了以水或異丙醇取代剝離液之外,清潔過程與剝離過程相同。
剝離方法可包括浸潤或噴灑或兩者。於使用浸潤或噴灑或兩者進行剝離的情況中,剝離條件包括約15~100℃的溫度,較佳為30~70℃,以及執行浸潤或噴灑或兩者所需的時間為30秒至40分鐘,較佳為1分鐘至20分鐘。然而,於本發明中,並不嚴格施行上述條件,且熟悉此技藝者可輕易及適當地修改。若施加至塗覆有光阻之基板的剝離液組成物之溫度低於15℃,則移除已劣化或硬化之光阻層所需的時間可能過度增長。相反的,若組成物之溫度超過100℃,則光阻下之層可能受損,造成難以處理剝離液。
根據本發明,可利用光阻剝離液組成物及使用光阻剝離液組成物之剝離方法以移除典型光阻與因蝕刻氣體及高溫而劣化或硬化之光阻,以及蝕刻殘渣。此外,當利用光阻剝離液組成物及使用光阻剝離液組成物之剝離方法以製造平板顯示器時,可產生對包括Al或Cu之金屬配線之優異抗蝕效果。
此外,本發明係關於一種製造顯示器用之平板之方法,其係包括使用根據本發明之光阻剝離液組成物自平板基板剝離光阻。
此外,本發明係關於一種製造平板顯示器之方法,其係包括使用根據本發明之光阻剝離液組成物自平板基板剝離光阻。
使用上述方法所製造的顯示器用之平板及平板顯示器為有益的,因為於製造期間光阻完全被移除,並且很少發生包括Al及/或Cu之金屬配線的腐蝕,產生高品質產品。
透過以下闡述之實施例可更佳了解本發明,但實施例非用以限定本發明。
藉由混合下表1所示之成分量而製備光阻剝離液組成物。
註)MEA:單乙醇胺
NMEA:N-甲基乙醇胺
MDEA:N-甲基二乙醇胺
DMEA:N,N-二甲基乙醇胺
HEM:N-(2-羥乙基)嗎啉
HEP:1-(2-羥乙基)哌嗪
NMF:N-甲基甲醯胺
NMP:N-甲基吡咯啶酮
MDG:二乙二醇一乙基醚
CHDM:環己1,4-二甲醇
測試例1:依鹼性化合物之種類及使用而言之光阻移除性能之評估
為了評估實施例1~6及比較例1之光阻剝離液組成物之剝離效果,根據典型方法,藉使用薄膜濺鍍於玻璃基板上形成Mo/Al層、形成光阻圖案以及濕蝕刻或乾蝕刻金屬層而製備經濕蝕刻的基板及經乾蝕刻的基板。使用恆溫器使實施例1~6及比較例1之各光阻剝離液組成物均勻地維持於50℃,將靶材浸潤其中達10分鐘,並決定光阻剝離液組成物的剝離性。隨後,為了移除基板上殘留的剝離液,以DI清潔基板1分鐘,且接著使用氮完全乾燥基板以自已清潔的基板上移除DI。使用SEM(Hitachi S-4700)觀察自基板移除已劣化或硬化之光阻及乾式蝕刻殘渣的程度。結果係顯示於以下表2。
註)[剝離性能]◎:非常好,○:好,△:普通,×:差
如表2所示,於濕式蝕刻之後,實施例1至6之光阻剝離液組成物展現優異的光阻剝離性,以及於乾式蝕刻之後,實施例1至6之光阻剝離液組成物展現移除光阻及蝕刻殘渣的優異性能。然而,不具鹼性化合物之比較例1之組成物顯示針對經溼蝕刻後之光阻為普通(但針對經乾蝕刻後之光阻及蝕刻殘渣為差)之移除性能。
實施例7~9及比較例2:光阻剝離液組成物之製備
藉由混合下表3所示之成分量而製備光阻剝離液組成物。
註)DMAc: N,N-二甲基乙醯胺
測試例2:依醯胺化合物之種類及使用而言之性能之評估
評估實施例7至9及比較例2之光阻剝離液組成物之剝離性能,彼等係以醯胺化合物或不以醯胺化合物製備且含有各種且不同含量之極性溶劑。使用與測試例1相同之基板以測定光阻移除性能,且測試係於相同過程條件下實行。結果係示於以下表4。
註)[剝離性能]◎:非常好,○:好,△:普通,×:差
如表4所示,於濕式蝕刻及乾式蝕刻之後,實施例7至9之光阻剝離液組成物展現優異的光阻剝離性。然而,不具醯胺化合物之比較例2之組成物顯示針對經乾蝕刻基板為差的光阻移除性能。
實施例3、10~12及比較例3:光阻剝離液組成物之製備
藉由混合下表5所示之成分量而製備光阻剝離液組成物。
註)BDG:二乙二醇一丁基醚
THFA:四氫呋喃甲醇
測試例3:依極性溶劑之使用而言之處理片材之數目之評估
使用以極性溶劑或不以極性溶劑製備之實施例3、10~12及比較例3之光阻剝離液組成物間接評估就處理基板之片材之數目而言之剝離液性能。
具體而言,為了評估實施例3、10~12及比較例3之光阻剝離液組成物處理基板片材之數目,於50℃浸潤Mo/Al配線暴露的基板於剝離液組成物中10分鐘,其中於執行清潔及乾燥之後,固化的光阻(使用130℃之熱處理一天以完全除去溶劑所致)連續地溶解為1~5重量%濃度,隨後使用SEM(Hitachi S-4700)觀察產生殘渣的時間點。結果係示於以下表6。
註)[性能評估]◎:非常好,○:好,△:普通,×:差(標準,參見圖1)
如表6所示,於固化的光阻溶解至3~4重量%時起,實施例3、10~12之光阻剝離液組成物開始產生殘渣。然而,比較例3不具極性溶劑,於1~2重量%時起開始產生殘渣。特別是,含有以具環狀醚鍵結之醇作為極性溶劑之實施例11之光阻剝離液組成物展現極高之抑制殘渣產生能力,即使固化的光阻以高濃度存在。因此,可確認相較於習知剝離液組成物而言,根據本發明之光阻剝離液組成物能處理更多基板。
實施例3、11、13、14及比較例4:光阻剝離液之製備
藉由混合下表7所示之成分量而製備光阻剝離液組成物。
註)CHDM:環己1,4-二乙醇
測試例4:依多元醇化合物之使用而言之抗蝕性能之評估
使用以多元醇化合物或不以多元醇化合物且改變多元醇化合物種類所製備之實施例3、11、13、14及比較例4之光阻剝離液組成物來評估金屬配線之抗蝕性能。具體而言,使用Mo/Al配線-及Cu/Mo-Ti配線暴露的基板評估實施例3、11、13、14及比較例4之光阻剝離液組成物之抗蝕性能。藉於60℃浸潤基板於剝離液組成物中30分鐘、實行清潔及乾燥,以及使用SEM(Hitachi S-4700)觀察基板來量測金屬配線之抗蝕性能。結果係顯示於以下表8。
註)[抗蝕性能]◎:非常好,○:好,△:普通,×:差
如表8所示,實施例3、11、13及14之光阻剝離液組成物對金屬配線展現優異抗蝕性能,然而不具多元醇之比較例4之組成物顯現差的抗蝕性。
實施例3、11、15及16:光阻剝離液組成物之製備
藉由混合下表9所示之成分量而製備光阻剝離液組成物。
測試例5:依以具有環狀醚鍵結之醇作為極性溶劑之使用而言之光阻剝離時間之評估
為了評估依使用具有環狀醚鍵結之醇作為質子極性溶劑而言之光阻剝離時間,於4-英吋的裸玻璃基板上塗覆厚度約2μm的光阻,接著於170℃硬烤10分鐘,因此在嚴苛條件下製備經光阻塗覆的基板。切割基板成為1.5 cm(寬)x 1.5 cm(長)的大小,於50℃浸潤於實施例3、11、15及16的各光阻於剝離液組成物中,進行清潔及乾燥,接下來量測光阻完全剝離且以肉眼無法觀察到光阻殘渣的時間。針對每一光阻剝離液組成物實行五次量測。於下表10中係顯示光阻完全移除的時間範圍。
如表10所示,相較於不含有環狀醚鍵結之醇之實施例3及15之光阻剝離液組成物,含有以具環狀醚鍵結之醇作為極性溶劑之實施例11及16之光阻剝離液組成物展現短上許多的光阻剝離時間。
圖1係顯示根據本發明之用以評估測試例3中之處理片材之數目之標準之掃描式電子顯微鏡(SEM)影像。
Claims (12)
- 一種光阻剝離液組成物,其係包含(a)鹼性化合物,其係包括選自由以下式1至式3所表示之化合物之一或多者,由以下式4所表示之(b)醯胺化合物,(c)極性溶劑,及由以下式5所表示之(d)多元醇化合物:
- 如申請專利範圍第1項之光阻剝離液組成物,其中由式1所表示之(a)鹼性化合物係包含單乙醇胺、三乙醇胺、1-胺基-2-丙醇、2-(2-胺基乙氧基)乙醇、N-甲基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N,N-二甲胺基乙醇胺、N,N-二乙胺基乙醇或2-(2-胺乙基胺基)-1-乙醇;由式2所表示之化合物係包含嗎啉、N-(3-胺丙基)嗎啉、N-(甲氧基甲基)嗎啉、N-(丁氧基甲基)嗎啉或N-(2-羥乙基)嗎啉;以及由式3所表示之化合物係包含哌嗪、1-甲基哌嗪、2-甲基哌嗪、1,4-二甲基哌嗪、1,4-二乙基哌嗪、1-(2-羥乙基)哌嗪、1-(2-羥乙基)-4-甲基哌嗪、1-(2-胺乙基)哌嗪、1-胺基-4甲基哌嗪、1-苄基哌嗪、1-苯基哌嗪、N,N’-二(甲氧基甲基)哌嗪或二(丁氧基甲基)哌嗪。
- 如申請專利範圍第1項之光阻剝離液組成物,其中由式4所表示之(b)醯胺化合物包含選自由甲醯胺、N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、乙醯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-(2-羥乙基)乙醯胺、3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺、3-(2-乙基己氧基)-N,N-二甲基丙醯胺及3-丁氧基 -N,N-二甲基丙醯胺所構成群組之一或多者。
- 如申請專利範圍第1項之光阻剝離液組成物,其中(c)極性溶劑包含選自由乙二醇一甲基醚、乙二醇一乙基醚、乙二醇一異丙基醚、乙二醇一丁基醚、二乙二醇一甲基醚、二乙二醇一乙基醚、二乙二醇一異丙基醚、二乙二醇一丁基醚、三乙二醇一甲基醚、三乙二醇一乙基醚、三乙二醇一異丙基醚、三乙二醇一丁基醚、聚乙二醇一甲基醚、聚乙二醇一丁基醚、丙二醇一甲基醚、二丙二醇一甲基醚、三丙二醇一甲基醚、丙二醇一甲基醚乙酸酯、具有環狀醚鍵結之醇、吡咯啶酮化合物、咪唑啶酮化合物、內酯化合物、亞碸化合物、磷酸酯化合物及碳酸酯化合物所構成群組之一或多者。
- 如申請專利範圍第4項之光阻剝離液組成物,其中(c)極性溶劑包含一或更多具有環狀醚鍵結之醇。
- 如申請專利範圍第5項之光阻剝離液組成物,其中具有環狀醚鍵結之醇係選自由呋喃甲醇及四氫呋喃甲醇所構成的群組。
- 如申請專利範圍第4項之光阻剝離液組成物,其中(c)極性溶劑包含一或更多質子極性溶劑以及一或更多無質子極性溶劑。
- 如申請專利範圍第1項之光阻剝離液組成物,其中由式5所表示之(d)多元醇包含選自由環己1,4-二醇、環己1,4-二甲醇及環己1,4-二乙醇所構成群組之一或多者。
- 如申請專利範圍第1項之光阻剝離液組成物,其中光阻剝離液組成物係用以自具有包括鋁或銅之金屬配線之平面基板剝離光阻。
- 一種剝離光阻之方法,其係包含:於平板顯示器用之基板上沈積導電金屬層;於該導電金屬層上形成光阻層;使該光阻層進行選擇性曝光;顯影該光阻層以形成光阻圖案;使用該光阻圖案作為光罩來蝕刻該導電金屬層;以及使用如申請專利範圍第1項之光阻剝離液組成物來剝離因形成光阻圖案及蝕刻所劣化並硬化的光阻。
- 一種製造顯示器用之平板之方法,其係包含使用如申請專利範圍第1項之光阻剝離液組成物,自平面基板剝離光阻。
- 一種製造平板顯示器之方法,其係包含使用如申請專利範圍第1項之光阻剝離液組成物,自平面基板剝離光阻。
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