KR20110007062A - 도금 구조 및 전기재료의 제조방법 - Google Patents

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요시노리 스미야
긴야 스기에
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교와덴센 가부시끼가이샤
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Abstract

[과제] 시간 경과나 온도상승에 의해 황화되어 표면이 손상을 받는 일이 없는 도금구조를 제공하는 것을 목적으로 한다. 나아가서는, 발광소자를 실장한 발광장치용의, 황화 방지에 대한 내열성이 우수한 도금 구조를 갖는 반사면을 구비하는 발광소자 수납용 지지체를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 이러한 도금 구조를 갖고, 황화에 의해 변색되기 어렵고, 은 본래의 광택을 갖고, 접촉 저항이 작은 전기부품용 피복재를 얻는 전기부품용 피복방법을 제공하고자 한다.
[해결수단] 도금용 기체의 표면에 은도금층을 형성하고, 또한 상기 은도금층의 표면에 두께 0.001∼0.1μm의 주석 또는 인듐 또는 아연의 도금층을 형성하여 이루어지는 은도금 구조체를 열처리하여 얻을 수 있는 도금구조이다. 또한, 기재의 면상에 형성된 은층의 표면에, 입자 퇴적 공정에 의해 점석되어 이루어지는 주석 또는 인듐 또는 아연의 점석입자가 상기 표면과 수직방향으로 겹쳐지는 일 없이 상면에서 보아 빈틈이 있도록 배치되고, 상기 점석입자의 평균지름이 20∼80nm이며, 상기 은층의 표면의 주석 또는 인듐 또는 아연의 점석입자의 단위면적당 중량이 2×10-6∼8×10-6g/cm2인 입자 퇴적물을, 비산화분위기에서 가열하여 상기 점석입자를 용융시켜 피막화하는 것을 특징으로 하는 피복방법이다.

Description

도금 구조 및 전기재료의 제조방법{PLATING STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRIC MATERIAL}
본 발명은, 표면 특성의 열화가 개선된 도금 구조, 특히 황화 방지를 필요로 하는 전기 부품용의 재료의 도금 구조, 및 그 도금 구조를 갖는 전기부품용의 재료의 제조방법에 관한 것이다. 자세하게는, 금속 리드 프레임이나 금속조를 이용한 리드 선, 세라믹 등의 비도전성 기판에 설치된 리드 선, 리드 핀, 반사판이나 단자, 커넥터, 스위치 등의 전기 접점재로서 이용하여 적합한 재료의 도금 구조, 및 그 재료의 제조방법에 관한 것이다. 더 자세하게는, 내황화성이 우수한 전기부품용 재료의 도금 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 내황화성이 우수하고 접촉 저항이 낮고, 혹은 표면의 반사율이 높은, 전기재료의 도금 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다.
LED와 같은 발광소자를 실장한 발광장치는, 밝기의 향상을 위해 광반사면을 설치하는 것이 행하여진다(예를 들면, 특허문헌 1, 2 참조). 광반사면은 발광소자의 측부에 방산하는 빛이 예를 들면 조사의 주축방향을 향하도록 발광소자의 주위에 부착된다. 광반사면은 금속 도금에 의해 형성된다. 그 중에서도, 은도금이 고반사하는 데 있어서 바람직하다.
그러나, 은도금층은 유황이 포함되는 환경하에서는, 시간 경과나 온도상승에 의해 황화되어 반사율이 저하된다고 하는 문제가 있다.
이 때문에, 반사면에 유기물의 보호 피막을 형성하는 방책이 개시되어 있다.(예를 들면, 특허문헌 3, 4 참조)
혹은, 금속 기판상에 반불화 유황 함유 화합물 등의 물질의 자기 조직화 단분자막(Self-Assembled Monolayers)을 형성하여 표면을 보호하는 방법이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 5 참조).
이들 대책은 그 나름대로 유효하지만, 패키지에 수지가 사용되고 있는 경우의 실장 공정에서의 수지의 큐어 등에 의한 온도상승에 의해서, 은도금층의 황화 방지를 위한 보호 피막이 비산하고, 황화 방지 효과가 큰 폭으로 감소해 버려, 반사면의 황화나 발광소자의 발열에 기인하는 황화나 장치의 장시간 사용시의 황화를 방지하는 점에서는 반드시 만족해야 할 효과를 얻을 수 없다고 할 수 있다. 이 점에 감안하여 내열성이 우수한 반사면이 바람직하고 있다.
또한, 은도금 구조가 스위치의 접점으로서도 넓게 이용되지만(예를 들면, 특허문헌 6 참조), 그 은도금 표면도, 시간 경과나, 스위치 제작시의 혹은 온 오프시의 방전에 의한 온도상승에 의해 은도금층의 황화 방지를 위한 보호 피막이 비산하고, 황화 방지 효과가 큰 폭으로 감소해 버려 황화되어 표면이 손상을 받는 경우가 있다. 이 점에 감안하여 내열성이 우수한 도금 접점이 바람직하다.
이와 같이, 시간 경과나 온도상승에 의해 황화되어 표면이 손상을 받는 일이 없는 도금 구조가 바람직하다.
또한, 각종 금속기재의 표면을 은 또는 은합금으로 도금하여 내식성, 전기 접속성 등을 개량하는 것이 종래부터 각종의 용도로 행하여지고 있고, LED에서는 은 특유의 반사 성능을 살린 반사판으로서 이용되고 있다.
예를 들면, 도전성, 열전도성이 우수하고 기계적인 강도나 가공성의 점에서도 우수한 동 또는 동합금의 표면을 은 층으로 피복한 재료는, 동합금이 우수한 여러 특성에 더하여, 은의 우수한 내식성, 전기 접속성 등도 구비하는 재료로서 알려져 있고, 전기기기 분야에서의 전기 접점재나 리드의 재료로서 넓게 이용되고 있다.
그러나, 은표면은 황화에 의해 변색되기 쉽다고 하는 문제가 있다. 이 때문에, 혹은 또한 납땜 특성의 점으로부터 주석 또는 주석 합금층을 은표면에 형성하는 것이 개시되어 있다(예를 들면, 특허문헌 7 참조).
이 경우, 주석 또는 주석 합금층이 두꺼워지면 접촉 저항이 증대한다고 하는 문제가 발생한다. 또한, 반사율도 저하하여 은 본래의 광택 및 반사 성능이 없어진다.
혹은 은표면에 유기 박막을 형성하여 황화를 방지하는 것도 행하여지지만, 유기 박막은 내열성이 부족하고, 고온하에서의 내황화성에 문제가 있다.
[특허문헌 1] 일본 공개특허공보 2008-205501호 [특허문헌 2] 일본 공개특허공보 2006-041179호 [특허문헌 3] 일본 공개특허공보 2008-010591호 [특허문헌 4] 일본 공개특허공보 2003-188503호 [특허문헌 5] 일본 공개특허공보 2002-327283호 [특허문헌 6] 일본 공개특허공보 2008-248295호 [특허문헌 7] 일본 공개특허공보 평9-78287호
본 발명은, 시간 경과나 온도상승에 의해 황화되어 표면이 손상을 받는 일이 없는 도금구조를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 발광소자를 실장한 발광장치용의, 황화 방지에 대한 내열성이 우수한 도금 구조를 갖는 반사면을 구비하는 발광소자 수납용 지지체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
게다가, 본 발명의 목적은, 이러한 도금 구조를 갖고, 황화에 의해 변색되기 어렵고, 은 본래의 광택을 갖고, 접촉 저항이 작은 전기부품용 피복재를 얻는 전기부품용 피복방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 요지로 하는 바는, 도금용 기체(基體)의 표면에 은도금층을 형성하고, 또한 상기 은도금층 표면에 두께 0.001∼0.1μm의 주석 또는 인듐 또는 아연의 도금층을 형성하여 이루어지는 은도금 구조체를 열처리하여 얻을 수 있는 도금구조인 것에 있다.
또한, 본 발명의 요지로 하는 바는, 발광소자 수납용의 오목부를 갖고 상기 오목부의 둘레벽에서 빛을 반사시키는 발광소자 실장용 지지체로서, 상기 오목부의 둘레벽에, 상기 발광소자 실장용 지지체의 본체를 상기 도금용 기체로 하여 상기 도금구조가 형성된 발광소자 수납용 지지체인 것에 있다.
게다가, 본 발명의 요지로 하는 바는, 상기 발광소자 수납용 지지체와 상기 발광소자 수납용 지지체에 실장된 발광소자를 포함해서 이루어지는 발광장치인 것에 있다.
또한 게다가, 본 발명의 요지로 하는 바는, 상기 도금 구조를 갖는 도금부로 이루어지는 스위치 접점인 것에 있다.
또한, 본 발명의 요지로 하는 바는, 상기 도금 구조를 갖는 도금부로 이루어지는 부품단자인 것에 있다.
게다가 또한, 본 발명의 요지로 하는 바는, 상기 도금 구조를 갖는 도금부로 이루어지는 부품 접점인 것에 있다.
또한, 본 발명의 요지로 하는 바는, 상기 도금 구조를 얻는 피복방법이며, 기재의 면상에 형성된 은층의 표면에, 입자 퇴적 공정에 의해 점석(点析)되어 이루어지는 주석 또는 인듐 또는 아연의 점석입자가 상기 표면과 수직방향으로 겹쳐지는 일 없이 상면에서 보아 빈틈이 있도록 배치되고, 상기 점석입자의 평균지름이 20∼80nm이며, 상기 은층의 표면의 주석 또는 인듐 또는 아연의 점석입자의 단위면적당 중량이 2×10-6∼8×10-6g/cm2인 입자 퇴적물을, 비산화분위기에서 가열하여 상기 점석입자를 용융시켜 피막화하는 것을 특징으로 하는 피복방법인 것에 있다.
본 발명에 의하면, 시간 경과나 특히 온도상승에 의한 황화 방지 효과의 감소가 없는 도금 구조가 제공된다. 나아가서는, 발광소자를 실장한 발광장치용의, 내열성이 우수한 도금 구조를 갖는 반사면을 구비하는 발광소자 수납용 지지체가 제공된다.
본 발명에 의하면, 황화에 의해 변색되기 어렵고, 은 본래의 광택을 갖고, 접촉 저항이 작은 전기 접점재나 전기부품용 반사재, 그 외의 전기부품용 피복재가 제공된다.
도 1(a)는 본 발명의 도금 구조를 얻기 위한 은도금 구조체의 형태의 일례를 도시하는 단면 설명도이다.
도 1(b)는 본 발명의 도금 구조를 얻기 위한 은도금 구조체의 다른 형태의 일례를 도시하는 단면 설명도이다.
도 2는 본 발명의 도금 구조를 갖는 리드 프레임의 형태의 일례를 도시하는 단면 설명도이다.
도 3은 본 발명의 황화 방지 피복방법에 의해 제조되는 전기부품용 피복재를 이용한 LED 램프의 구성의 일례를 도시하는 단면 모식도이다.
도 4는 본 발명의 도금 구조를 갖는 시료 및 비교 시료의 반사율의 그래프이다.
도 5는 본 발명에 이용되는 입자 퇴적물의 형태를 도시하는 단면 모식도이다.
도 6은 점 형상으로 석출한 입자(이하 점석입자라 칭한다)가, 서로 이웃하는 점석입자끼리가 접촉한 상태 즉 빈틈이 없는 상태에서 면형상으로 배열한 입자 퇴적물을 도시하는 단면 모식도이다.
도 7은 서로 이웃하는 점석입자끼리가 빈틈이 없는 상태에서 또한, 은층의 표면과 수직방향으로도 겹친 상태로 입체적으로 배열한 입자 퇴적물을 도시하는 단면 모식도이다.
도 8은 본 발명의 황화 방지 피복방법에 의해 제조되는 전기부품용 피복재의 단면 모식도이다.
도 9는 본 발명에 이용되는 입자 퇴적물의 형태를 설명하는 현미경 사진이다.
도 10은 비교예에 있어서 이용되는 입자 퇴적물의 형태를 설명하는 현미경 사진이다.
본 발명의 도금 구조는 도 1(a)에 도시하는 바와 같이, 도금용 기체(102)의 표면에 은도금층(104)을 형성하고, 또한 은도금층(104)의 표면에 두께 0.001∼0.1μm의 보호 도금층(106)을 형성하여 이루어지는 은도금 구조체(101)를 150∼600℃에서 열처리하여 얻어진 도금구조이다. 열처리시간은 1초∼60초가 바람직하다.
기체(102)는, 은도금 가능한 기체이다. 기체(102)는 금속판으로 이루어지는 것이더라도 좋다. 예를 들면 진유(眞鍮) 등의 동계 금속, 철계 금속, 스테인리스의 판이 예시되지만 이것들에 한정되지 않는다. 한편, 통상, 동계 금속판을 이용한 경우는 도금용 기체(102)에 은도금을 실시하기 전에 하지(下地)로서 도시하지 않은 동도금이 실시된다. 스테인리스 판을 이용한 경우는 도금용 기체(102)에 은도금을 실시하기 전에 하지로서 도시하지 않은 니켈 도금 등이 실시된다.
혹은, 기체(102)는, 세라믹이나 수지를 베이스로서 그 표면에 무전해도금이나 증착이나 금속층의 확산 형성에 의한 메탈라이즈 가공으로 도전성의 피막이 형성된 것이더라도 좋다.
기체(102)는 도 1(a)에 도시하는 판 형상의 것에 한정하지 않고 막대형상의 것이더라도 좋다. 즉, 본 발명의 도금 구조는 도 1(b)에 도시하는 바와 같이, 기체 (102)가 금속선과 같은 길이가 긴 부재로 이루어지고, 그 둘레면에 은도금층(104), 보호 도금층(106)이 이 순서로 동심원적으로 형성되어 이루어지는 은도금 구조체 (101a)를 150∼600℃에서 열처리하여 얻어진 도금구조이더라도 좋다.
보호 도금층(106)의 두께는 0.001∼0.1μm인 것이 바람직하다. 보호 도금층 (106)의 두께가 이 범위이면, 은도금층(104)의 시간 경과나 열에 의한 황화의 촉진을 방지할 수 있다. 또한, 도금 구조가, 은 특유의 표면 특성, 예를 들면 양호한 광반사성이나 양호한 표면 전기전도성이나 은 특유의 광택을 갖는다. 보호 도금층 (106)의 두께가 이 범위를 밑돌면, 이 내황화성이 불충분하고, 보호 도금층(106)의 두께가 이 범위를 웃돌면, 은 특유의 표면 특성, 예를 들면 양호한 광반사성이나 양호한 표면 전기전도성을 얻을 수 없다.
보호 도금층(106)을 구성하는 금속으로서는, 주석, 인듐, 아연을 들 수 있다. 그 중에서도, 주석, 인듐이 내황화성에 있어서 바람직하다.
본 발명의 도금 구조에 있어서는, 보호 도금층(106)이 상술의 가열에 의한 은도금층(104)과 마이그레이션에 의해 은과의 합금을 포함하는 것으로 되어 있어도 좋다.
은도금층(104)은 기체(102)의 표면에 상법에 의해 은도금하여 얻을 수 있다. 무전해도금 등 그 외의 막형성법에 의해서 은도금층(104)이 형성되어도 좋다. 은도금층(104)의 두께는 0.1∼10μm인 것이 바람직하다. 은도금하는 기체(102)는 표면에 니켈 등의 하지 도금이 실시되어 있는 것이 바람직하다.
은도금 구조체(101)는, 150∼600℃에서 열처리하는 것에 의해, 보호 도금층 (106)의 두께가 0.001∼0.1μm로 얇음에도 불구하고, 극히 양호한 은도금층(104)의 황화 방지 효과를 얻을 수 있다. 이것은, 이 열처리에 의해 은도금층(104)과 보호 도금층(106)과의 계면에서 합금 조직이 생성되어 황화 작용에 대해서 가이드 하기 위해서라고 추정된다. 이 열처리 온도는 250∼300℃인 것이 황화 방지 효과와 높은 반사율 등 양호한 표면 상태를 얻는데 있어서 더 바람직하다. 열처리의 처리 시간은 1초∼60초인 것이 바람직하다.
이 열처리온도가 150℃ 미만이면 가열에 의한 주석 도금층의 확산 효과가 불충분하고 충분한 황화 방지 효과를 얻을 수 없는 경우가 있다. 이 열처리 온도가 600℃를 넘으면, 기체의 소둔에 의해 기체의 물성이 변화하여 실용상 필요한 기체의 기계적 특성이 손상된다.
은도금층(104)의 두께는 1∼10μm인 것이 바람직하다.
은도금층(104)나 보호 도금층(106)은 전해 도금이나 무전해도금에 의해 형성할 수 있다.
본 발명의 도금 구조를 구비한 발광소자 수납용 지지체의 형태의 일례를 도 2에 도시한다. 발광소자 수납용 지지체(202)는, 발광소자(204)를 수납하는 오목부 (206)를 갖는 리드 프레임이라고 칭해지는 기판(203)을 구비하여 이루어진다. 기판 (203)(리드 프레임)은 랜드(208)와 리드(209)로 구성되고, 랜드(208)에 오목부 (206)가 형성되어 있다. 발광소자(204)는 오목부(206)의 저면에 얹어놓여져 발광소자(204)의 한쪽의 단자가 랜드(208)와 도통하고, 다른쪽의 단자가 와이어(212)를 통하여 리드(209)와 도통하게 된다.
오목부(206)의 둘레면에 반사면(214)이 형성되어 있다. 본 발명에 있어서는, 반사면(214)이, 오목부(206)의 둘레면에 은도금을 실시한 후, 그 은도금층의 표면에 플래시 도금등에 의해 얇은 주석 도금층, 인듐 도금층 혹은 아연 도금층을 형성하고, 또한, 은도금층의 위에 얇은 주석 도금층, 인듐 도금층 혹은 아연 도금층이 형성된 기판을 150∼600℃에서 열처리하여 얻을 수 있다.
발광소자(204)로서는 LED를 들 수 있다.
도 2에 도시하는 형태로 발광소자(204)가 실장되어 발광장치를 얻을 수 있다. 발광소자(204)의 실장 공정, 예를 들어, 케이스의 몰드, 칩과의 와이어 본딩, 수지의 큐어를 위한 가열에 의해, 황화 방지 피막의 비산에 의한 황화 방지 효과의 감소로, 반사면의 황화가 촉진되는 것에 의한 반사율의 저하가 문제가 되고 있었다.
발광소자(204)가 발광하면 발열이 수반하고, 종래의 은도금층으로 이루어지는 반사면에 있어서는 이러한 발열에 의한 전술과 같은 황화 방지 효과의 감소로 황화가 진행된다.
본 발명의 발광소자 수납용 지지체(202)의 반사면(214)은 시간 경과나 반사면의 온도상승 등에 의한 황화가 극히 작아, 장기에 걸쳐 높은 반사율을 유지할 수 있다.
도 3에 본 발명에 의한 전기부품용 피복재를 응용한 LED 램프(20)의 구조의 일례를 도시한다. LED 램프(20)에 있어서는, LED(26)가 기반(22)상에 얹어놓여져, 케이싱(24)에 넣어져 있다. 케이싱(24)내에는 LED(26)가 형광체(28)에 매몰한 상태로 형광체(28)가 충전되고, 또한 형광체(28)의 상면에 투명 수지 커버(30)가 설치되어 있다. 부호 34는 리드 선이다. 기반(22)의 본체기재로서는 동합금 등의 금속부재 혹은 메탈라이즈 가공된 세라믹 부재가 이용되고, 그 표면에 본 발명에 의한 은도금과 주석 또는 인듐 도금이 실시된 반사면(32)이 형성되어 있다. 반사면(32)이 은면만의 반사성을 갖고, 또한 시간 경과에 의한 황화에 기인하는 변색이 거의 없기 때문에, LED 램프(20)는 출사광량이 크고 또한 시간 경과에 의한 출사광량의 저하가 적다.
본 발명의 도금 구조는 스위치 접점에 적용할 수 있다. 본 발명의 도금 구조를 갖는 스위치 접점은, 은 특유의 광택과 양호한 표면 전기전도성을 갖고, 장기의 사용에 의해서도 황화에 의한 이들 표면 특성의 변화가 적다. 예를 들면, 리드 프레임에 소자를 마운트하고, 본딩/수지 성형하고, 도금 후에 프레스 가공하여 스위치 접점 등에 조립된다.
본 발명의 도금 구조는 전기 기기의 접점이나 단자에 적용할 수 있다. 본 발명의 도금 구조를 갖는 접점이나 단자는, 은 특유의 광택과 양호한 표면 전기전도성을 갖고, 장기의 사용에 의해서도 황화에 의한 이들 표면 특성의 변화가 적다.
본 발명의 효과는 이하에 도시하는 실험예에 의해 확인된다.
[실험예]
· 기본시료
도 1의 도금용 기체(102)에 상당하는 것으로서, 리드 프레임용 동합금 조(후루카와덴코사제: 품명 EFTEC3)의 1cm각의 피스를 이용하였다. 이 피스의 한 면에 1μm의 동의 하지 도금을 실시한 후, 두께 2μm의 은도금을 실시하여 기본시료로 하고, 이 기본시료에 이하의 각 실험 수준에 따라서 주석 도금과 열처리 등을 실시하였다.
· 실험시료 수준
L-1 : 블랭크(기본시료인 채)
L-2 : 기본시료의 은면에 플래시 도금에 의해 두께 0.01μm의 주석층을 형성하였다.
L-3 : 기본시료의 은면에 플래시 도금에 의해 두께 0.01μm의 주석층을 형성한 후, 시료를 300℃에서 10초간 열처리하였다.
L-4 : 기본시료의 은면에 플래시 도금에 의해 두께 0.02μm의 주석층을 형성하였다.
L-5 : 기본시료의 은면에 플래시 도금에 의해 두께 0.02μm의 주석층을 형성한 후, 시료를 300℃에서 10초간 열처리하였다.
L-6 : 기본시료의 은면에 플래시 도금에 의해 두께 0.2μm의 주석층을 형성하였다.
L-7 : 기본시료의 은면에 자기 조직화 단분자막을 형성하는 황화 방지제를 이용하여 황화 방지를 목적으로 하는 유기 피막을 형성하였다.
표 1에 실험시료 수준과 그 내용의 일람표를 나타낸다.
· 황화 테스트
황화 암모늄 6중량%용액 20mL에 물 400cc를 더한 침지액에 시료를 5분간 실온에서 침지하는 것에 의해 황화처리하였다. 침지 완료 후의 피스를 순수 세정 후 메탄올 치환하여, 질소류로 블로우하여, 그 후 시료를 각 온도(표 1)에서 1시간 가열하여 황화를 촉진시켰다. 황화의 정도는 눈으로 판정하였다. 이 황화처리 후의 가열은 장기간에 걸친 황화 작용의 가속 시험에 대응한다. 또한, 기기의 조립시나 사용시에 있어서의 온도상승에도 대응한다.
· 판정 기준은
◎… 은표면의 광택, 색조가 유지되어 있다(황화처리 전). 또는, 표면에 황화가 인정되지 않고 은표면의 광택, 색조가 유지되어 있다(황화처리 후).
○…은표면의 광택, 색조가 거의 유지되어 있다(황화처리 전). 또는 표면에 황화가 거의 인정되지 않고 은표면의 광택, 색조가 거의 유지되어 있다(황화처리 후).
△…은표면의 광택, 색조를 용인할 수 있는 정도로 유지되어 있다(황화처리 전). 또는, 표면에 황화가 약간 인정되지만 은표면의 광택, 색조를 용인할 수 있는 정도로 유지되어 있다(황화처리 후).
×…은표면의 광택, 색조가 없어지고 있다(황화처리 전). 또는, 표면에 황화가 인정되어 은표면의 광택, 색조가 없어지고 있다(황화처리 후).
로 하였다.
· 반사율
실험시료의 황화 테스트 전후의 반사율을 JIS R3106에 준거하여 D65 광원에서의 파장 범위 380∼780nm의 빛에 의해서 측정하였다.
실험시료 (주석동금층의 두께) 도금 후의 열처리 표면의 유기막
L-1 없음 - 없음
L-2 0.01μm 없음 없음
L-3 0.01μm 있음 없음
L-4 0.02μm 없음 없음
L-5 0.02μm 있음 없음
L-6 0.2μm 없음 없음
L-7 없음 - 있음
· 테스트 결과
황화 테스트의 결과를 표 2에 나타낸다.
황화처리후의 가열온도 황화
테스트전		 가열없음 100℃ 130℃ 150℃ 170℃ 180℃
L-1 ◎ × × × × × ×
L-2 ◎ ◎ ○ × × × ×
L-3 ◎ ◎ ○ ○ ○ ○ ○
L-4 ○ ○ △ △ × × ×
L-5 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
L-6 × - - - - - -
L-7 ◎ × × × × × ×
표 2로부터, 주석층의 두께가 0.01μm인 것(L-2, L-3)은 황화처리 전에는 은표면의 광택, 색조가 유지되고 있는 것을 알 수 있다. 또한, 주석층의 두께가 0.02μm인 것(L-4, L-5)은 황화처리 전에는 은표면의 광택, 색조가 거의 유지된다. 또한, 주석층을 형성한 후, 시료를 300℃에서 10초간 열처리한 것(L-3)은, 주석층의 두께가 0.01μm로 극히 얇음에도 불구하고 황화처리 후의 가열에 의해서도 표면에 황화가 거의 인정되지 않고 은표면의 광택, 색조가 거의 유지되고 있다. 주석층을 형성한 후, 열처리하지 않은 것(L-2, L-4)에 대해서는, 주석층의 두께가 0.01μm로 극히 얇은 것(L-2)은, 황화처리 후의 고온 가열에 의해서 표면이 황화되어 은표면의 광택, 색조가 없어진다. 주석층의 두께가 0.02μm인 것(L-4)은, 주석층을 형성한 후의 열처리가 없어도, 황화처리 후의 가열에 의해서 황화되는 정도가 비교적 작다. 주석층의 두께가 0.2μm인 것(L-6)은 황화처리 전이더라도 주석층에 의한 마스크이기 때문에 은표면의 광택, 색조가 없어지고 있다. 기본시료의 은면에 유기 피막을 형성한 것(L-7)은 황화처리에 의해 표면이 황화되어 은표면의 광택, 색조가 없어진다.
도 4에 반사율의 측정 결과를 도시한다. 시료로서 실험시료 L-3, L-7을 이용하여,
가. 실험시료 L-3
나. 실험시료 L-3을 황화처리한 것
다. 실험시료 L-3을 황화처리 후 180℃에서 1시간 가열한 것
라. 실험시료 L-7을 황화처리 후 180℃에서 1시간 가열한 것의 4종류에 대해 반사율을 측정하였다.
도 4로부터, 기본시료의 은면에 유기 피막을 형성한 것(L1-7)은 황화처리에 의해 반사율이 현저하게 저하하는(라) 것을 알 수 있다. 두께 0.01μm의 주석층을 형성한 후, 시료를 300℃에서 10초간 열처리 한 것(L-3)은, 파장 450nm에 있어서 반사율은 93%, 또한, 가시광선의 거의 모든 파장역에서 80% 이상으로 양호한 반사율을 갖고, 황화처리에 의해서도 반사율의 저하는 적고, 황화처리 후의 반사율은 종래품인 L-7의 황화처리 후의 반사율보다 훨씬 높고, 예를 들면, 라.의 파장 450nm에 있어서의 반사율은 67%인데 비하여, (나)는 파장 450nm에 있어서 90%이었다. 또한, L-3을 황화처리 후 180℃에서 1시간 가열한 것(다)에 대해서도, 반사율의 저하는 적고, 예를 들면 파장 450nm에 있어서 85%이었다.
본 발명의 도금 구조를 얻기 위한 피복방법에 의한 전기부품용 피복재의 제조의 형태의 일례에 있어서는, 우선, 은도금층(104)(도 1)이 형성된 기체(102)를 준비하고, 그 은도금층(104)의 표면에 입자 퇴적 공정에 의해 주석 입자 또는 인듐 입자 또는 아연 입자를 퇴적시킨다. 이 때, 도 5에 도시하는 바와 같이, 입자 퇴적 공정에 의해 미소 덩어리 형상으로 석출한 점석입자(8)의 적어도 일부가 은도금층 (104)의 표면에, 서로 이웃하는 점석입자(8)의 사이에 빈틈(10)이 존재하여 면형상으로 드문드문 위치하도록, 또한, 은도금층(104)의 표면과 수직방향으로 겹쳐지는 일 없이 배치되도록 단시간의 통전을 행한다. 면형상으로 드문드문 위치한다란 은도금층(104)의 표면에 도금 등의 입자 퇴적 공정에 의해서 주석 또는 인듐 입자 또는 아연 입자를 퇴적시킨 어느 소정의 영역에 대해서, 상면에서 보아 보이는 은도금층 (104)의 면적이 그 영역 전체의 면적의 15% 이상인 상태를 말한다. 이 상면에서 보아 보이는 은도금층(104)의 면적은 상기의 영역 전체의 면적의 15∼50%인 것이 바람직하다. 이 값이 50%를 웃돌면 본 발명에 있어서 균일한 박막(7)을 얻을 수 없다.
본 발명에 있어서의 입자 퇴적 공정은, 화학적 수단, 전기적 수단, 물리적 수단으로부터 선택되는 수단에 의해, 기판상에 목적으로 하는 금속 입자를 퇴적시키는 공정으로, 구체적으로는 전기 도금법, 무전해도금법, 진공 증착법, 화학적 증착법, 스패터법, 플라즈마 퇴적법, 클러스터 이온 빔법 등을 이용한 공정을 들 수 있다. 그 중에서도 전기 도금법이 제조비용을 낮게 할 수 있는 점에서 바람직하다.
예를 들면, 입자 퇴적 공정으로서 전기 도금 공정을 이용한 경우, 통전시간이 길어지면 도 6에 도시하는 바와 같이, 점석입자(8)가, 서로 이웃하는 점석입자(8)끼리가 접촉한 상태 즉 빈틈이 없는 상태에서 면형상으로 배열한다. 혹은, 도 7에 도시하는 바와 같이, 서로 이웃하는 점석입자(8)끼리가 빈틈이 없는 상태에서 또한, 은도금층(104)의 표면과 수직방향으로도 겹친 상태로 입체적으로 배열한다.
예를 들면, 입자 퇴적 공정으로서 전기 도금 공정을 이용한 경우, 도 5에 도시하는 서로 이웃하는 점석입자(8)의 사이에 빈틈(10)이 존재하여 면형상으로 드문드문 위치하는 상태를 얻기 위해서는, 통전시간은 1∼120초의 범위에서 선택되는 것이 바람직하다. 또한, 도금액의 주석 또는 인듐 또는 아연 성분 농도를 통상의 도금의 조건보다 작고, 예를 들면 통상의 도금액(예를 들면, 메탄술폰산 주석 50∼100g/L)의 농도의 1/5∼1/20으로 조정하는 것이 바람직하다.
점석입자(8)의 입자 지름은 20∼80nm인 것이 본 발명에서 전기부품용 피복재의 균일한 피막을 얻는데 있어서 바람직하다. 30∼60nm인 것이 전기부품용 피복재의 양호한 반사성과 황화 방지성의 밸런스가 최적화되는데 있어서 바람직하다. 예를 들면, 통상의 주석 도금 욕에 대해서 그 주석 성분 농도를 1/5∼1/20으로 조정한 도금 욕을 이용하여, 통전의 전류밀도를 0.5∼10A/dm2의 범위에서 선택하는 것에 의해 이러한 입자 지름의 점석입자(8)를 얻을 수 있다. 이 경우, 통전시간은 도금액의 농도에 의해 조정한다. 혹은, 예를 들면, 마이크로 세컨드 오더의 펄스 통전을 행하는 것에 의해 20∼30nm에 가까운 범위의 입자 지름의 점석입자(8)를 얻을 수 있다.
본 발명에 있어서는, 도 5에 도시하는 바와 같은, 입자 퇴적 공정에 의해 점석되어 이루어지는 주석 또는 인듐 또는 아연의 점석입자(8)가 은도금층(104)의 표면과 수직방향으로 실질적으로 겹치는 일 없이 또한 점석입자(8)의 적어도 일부가 서로 간격을 두고 드문드문 위치된 입자 퇴적물(12)을 비산화분위기에서 가열하여 주석 또는 인듐 또는 아연의 점석입자(8)를 용융시켜 피막화한다. 비산화 분위기는 주석 또는 인듐 또는 아연을 기껏해야 무시할 수 있는 정도 밖에 산화되지 않는 분위기이며, 이 비산화분위기에서의 가열로서는, 질소 등의 불활성 기체중에서의 가열, 진공중에서의 가열, 환원염에 의한 가열 등을 들 수 있다. 가열 온도는 퇴적된 금속(주석 또는 인듐 또는 아연)의 융점 이상, 600℃이하인 것이 바람직하다.
이것에 의해, 도 8에 도시하는, 기체(102)의 표면에 은도금층(104)이 형성되고, 또한 은도금층(104)의 표면에 주석 또는 주석 합금의 박막(7), 혹은 인듐 또는 인듐 합금, 혹은 아연 또는 아연 합금의 박막(7)이 형성되어 이루어지는 전기부품용 피복재(222)가 형성된다.
입자 퇴적물(12)에 있어서의 은도금층(104)의 표면의 점석입자(8)의 단위면적당 중량은 2×10-6∼8×10-6g/cm2인 것이 바람직하다. 이 값은, 점석입자(8)가 용융 고화하고 은도금층(104)의 표면에서 주석으로 이루어지는 박막이 되었다고 가정한 경우의 그 주석으로 이루어지는 박막의 두께가 약 3∼11nm가 되는 점석입자(8)의 단위면적당 중량에 상당한다. 예를 들면 주석을 이용한 경우, 실제로는 박막(7)은 주석 및/또는 은과 주석의 합금으로 이루어진다고 추정되고, 예를 들면, 입자 퇴적물(12)에 있어서의 은도금층(104)의 표면의 점석입자(8)의 단위면적당 중량이 3×10-6g/cm2일 때의 박막(7)의 두께는 은,주석의 열확산층을 포함하여 4nm 이상이라고 추정되고, 입자 퇴적물(12)에 있어서의 은도금층(104)의 표면의 점석입자(8)의 단위면적당 중량이 8×10-6g/cm2일 때의 박막(7)의 두께는 11nm 이상이라고 추정된다. 어쨌든, 박막(7)에 존재하는 단위면적당의 주석 또는 인듐의 중량은, 입자 퇴적물(12)에 있어서의 은도금층(104)의 표면의 점석입자(8)의 단위면적당 중량과 같다.
입자 퇴적물(12)에 있어서의 은도금층(104)의 표면의 점석입자(8)의 단위면적당 중량이 5×10-6∼7×10-6g/cm2인 것이, 접촉 저항, 은광택, 내황화성의 균형에 있어서 더 바람직하다.
박막(7)에 존재하는 단위면적당의 주석 또는 인듐 또는 아연의 양이나, 입자 퇴적물(12)에 있어서의 은도금층(104)의 표면의 점석입자(8)의 단위면적당 중량은, 형광 X선분석장치에 의해 측정할 수 있다.
이러한 본 발명의 전기부품용 피복재의 제조방법에 의해 얻어진 전기부품용 피복재는, 황화하기 어렵고 또한 접촉 저항이 은에 가깝고, 은 특유의 광택을 구비한다. 주석과 인듐과 아연을 비교하면, 본 발명에 있어서 인듐을 이용한 전기부품용 피복재의 쪽이, 주석을 이용한 전기부품용 피복재보다 황화하기 어려워 보다 바람직하다. 주석을 이용한 전기부품용 피복재의 쪽이 아연을 이용한 전기부품용 피복재보다 황화하기 어려워 보다 바람직하다.
입자 퇴적물(12)에 있어서의 은도금층(104)의 표면의 점석입자(8)의 단위면적당 중량이 2×10-6g/cm2를 밑돌면 얻어진 전기부품용 피복재의 황화 방지 성능이 뒤떨어진다. 입자 퇴적물(12)에 있어서의 은도금층(104)의 표면의 점석입자(8)의 단위면적당 중량이 11×10-6/cm2를 웃돌면 얻어진 전기부품용 피복재의 접촉 저항이 과대가 되어, 은 특유의 광택이 없어진다. 또한, 주석 또는 인듐 또는 아연의 점석입자(8)가 은도금층(104)의 표면에 서로 이웃하는 점석입자(8)가 거의 모두 접촉하는 상태(이것을 빈틈이 없는 상태라고 한다)로 배치된 상태의 입자 퇴적물을 이용한 경우는 가열에 의한 원하는 두께의 균일한 박막 형성이 어렵고, 얻어진 전기부품용 피복재의 접촉 저항이 과대가 되어, 은 특유의 광택이 없어진다. 빈틈이 없는 상태는 어느 하나의 점석입자를 면형상으로 둘러싸는 복수의 점석입자 중 적어도 4개의 점석입자가 이 하나의 점석입자와 접촉하고 있는 상태를 말한다. 또한, 은도금층(104)의 표면에 점석입자를 입자 퇴적 공정에 의해 퇴적시킨 어느 소정의 영역에 대해서, 상면에서 보아 보이는 은도금층(104)의 면적이 그 영역 전체의 면적의 15%를 밑돌면 가열에 의한 원하는 두께의 균일한 박막 형성이 어렵고, 얻어진 전기부품용 피복재의 접촉 저항이 과대가 되어, 은 특유의 광택이 없어진다.
또한 점석입자(8)가 은도금층(104)의 표면과 수직방향으로 겹쳐진 상태로 배치된 입자 퇴적물을 이용한 경우도 가열에 의한 원하는 두께의 균일한 박막 형성이 어렵고, 얻어진 전기부품용 피복재의 접촉 저항이 과대가 되어, 은 특유의 광택이 없어진다.
또한, 입자 퇴적물(12)을 산화 분위기에서 가열한 경우는, 주석 또는 인듐 또는 아연은 산화하면 유동성이 저하하기 때문에, 점석입자(8)의 균일한 피막화가 되지 않아, 균일한 박막(7)을 얻을 수 없다.
실시예
[실시예 1]
도 2에 도시하는 기판(203)의 형상의 프레임에 은도금과 주석 도금을 실시하였다. 기체로서의 프레임의 재료로서는, 리드 프레임용 동합금조(후루카와덴코사제 : EFTEC3)를 이용하여 타발 가공에 의해 성형하였다. 프레임을 탈지 처리 후 5% 황산으로 산세정하고, 광택 황산동욕(황산동 200g/L, 황산 50g/L, 시판 광택제 2mL/L)으로 하지 동도금하였다. 하지 동도금의 막두께는 1.0μm이었다. 이어서, 광택 시안화은욕(시안화은 35g/L, 시안화칼륨 90g/L, 탄산칼륨 10g/L)으로 막두께 2μm의 광택은도금을 행하였다. 또한, 알카놀 술폰산욕(제 1 주석 18g/L, 유리산 100g/L, 반광택제 10mL/L)으로 막두께 0.01μm의 주석 도금을 실시한 후, 250℃에서 10초간 열처리하여 리드 프레임을 얻었다. 황화 테스트를 행하여, 표 1의 L-3과 같은 결과를 얻을 수 있었다.
[실시예 2]
두께 1mm, 1cm각의 스테인리스(SUS304) 판을 기체로 하여, 탈지처리 후 5% 황산으로 산세정하여, 광택 황산동욕(황산동 200g/L, 황산 50g/L, 시판 광택제 2mL/L)으로 하지 동도금하였다. 하지 동도금의 막두께는 1.0μm이었다. 이어서, 광택 시안화은욕(시안화은 35g/L, 시안화칼륨 90g/L, 탄산칼륨 10g/L)으로 막두께 2μm의 광택은도금을 행하였다. 또한, 알카놀 술폰산욕(제 1 주석 18g/L, 유리산 100g/L, 반광택제 10mL/L)으로 막두께 0.01μm의 주석 도금을 실시한 후, 500℃에서 10초간 열처리하여 광택판을 얻었다. 황화 테스트를 행하여, 표 1의 L-3과 같은 결과를 얻을 수 있었다.
[비교예 1]
주석 도금을 실시한 후의 열처리 온도를 100℃로 한 이외는 실시예 1과 같이 하여 리드 프레임을 얻었다. 황화 테스트를 행하여, 표 1의 L-2와 같은 결과를 얻을 수 있었다.
[실시예 3]
두께 0.3mm의 진유제 조건에 0.5μm의 니켈 하지 도금을 실시한 것을 기판으로 하였다. 그 기판의 표면에 두께 2μm의 은도금을 실시하여, 기초 시료로 하였다.
기초 시료에 하기 조건으로 주석 도금을 실시하여 입자 퇴적물을 얻었다.
도금액 조성 메탄술폰산 : 100g/L
메탄술폰산 주석 : 5g/L
계면활성제 : 3g/L
도금온도 42℃
전류밀도 2A/dm2
통전시간 4초
얻어진 입자 퇴적물은, 도 9에 도시한 바와 같이, 기초 시료의 표면에 주석의 점석입자(8)가 그 표면과 수직방향으로 겹쳐지는 일 없이 또한 상면에서 보아 빈틈(10)이 있도록 배치된 상태였다. 점석입자(8)의 평균지름은 50nm이었다. 또한, 입자 퇴적물의 형광 X선분석장치(에스에스아이·나노테크놀로지사제)에 의한 주석의 양은 5×10-6g/cm2이었다.
이 입자 퇴적물을 버너를 이용하여/LP가스의 환원염중에서 10초간 가열하여, 전기부품용 피복재를 얻었다. 가스의 연소 분위기 온도는 350℃이었다.
[실시예 4]
실시예 3에서 이용한 것과 같은 기초 시료에 하기 조건으로 주석 도금을 실시하여 입자 퇴적물을 얻었다.
도금액 조성 실시예 3과 같다
도금온도 실시예 3과 같다
전류밀도 평균 10A/dm2
통전시간 10초(펄스 통전 : 주기 100μsec)
얻어진 입자 퇴적물은, 기초 시료의 표면에 주석의 점석입자(8)가 그 표면과 수직방향으로 겹쳐지는 일 없이 또한 간격을 두고 배치된 상태이다. 점석입자(8)의 평균지름은 30nm이었다. 또한, 입자 퇴적물의 형광 X선분석장치(에스에스아이·나노테크놀로지사제)에 의한 주석의 양은 3×10-6g/cm2이었다.
이 입자 퇴적물을 실시예 3과 같이 하여 가열하여, 전기부품용 피복재를 얻었다.
[실시예 5]
실시예 3에서 이용한 것과 같은 기초 시료에 하기 조건으로 주석 도금을 실시하여 입자 퇴적물을 얻었다.
도금액 조성 실시예 3과 같다
도금온도 실시예 3과 같다
전류밀도 10A/dm2
통전시간 6초
얻어진 입자 퇴적물은, 기초 시료의 표면에 주석의 점석입자(8)가 그 표면과 수직방향으로 겹쳐지는 일 없이 또한 간격을 두고 배치된 상태이다. 점석입자(8)의 평균지름은 50nm이었다. 또한, 입자 퇴적물의 형광 X선분석장치(에스에스아이·나노테크놀로지사제)에 의한 주석의 양은 7.3×10-6g/cm2이었다.
이 입자 퇴적물을 실시예 3과 같이 하여 가열하여, 전기부품용 피복재를 얻었다.
[실시예 6]
실시예 3에서 이용한 것과 같은 기초 시료에 하기 조건으로 인듐 도금을 실시하여 도금물을 얻었다.
도금액 조성 술파민산 인듐 : 100g/L
계면활성제 : 800mL/L
도금액 온도 30℃
전류밀도 2A/dm2
통전시간 6초
얻어진 도금물은, 기초 시료의 표면에 인듐의 점석입자(8)가 그 표면과 수직방향으로 겹쳐지는 일 없이 또한 상면에서 보아 빈틈이 있도록 배치된 상태였다. 점석입자(8)의 평균지름은 50nm였다. 또한, 도금물의 형광 X선분석장치(에스에스아이·나노테크놀로지 사제)에 의한 인듐의 양은 7.3×10-6g/cm2였다.
이 도금물을 버너를 이용하여/LP가스의 250℃ 환원염중에서 10초간 가열하여, 전기부품용 도금재를 얻었다.
[실시예 7]
실시예 3에서 이용한 것과 같은 기초 시료에 하기 조건으로 아연도금을 실시하여 도금물을 얻었다.
도금액 조성 산화아연 : 5g/L
가성소다 : 100g/L
첨가제 : 10g/L
도금액 온도 30℃
전류밀도 2A/dm2
통전시간 5초
얻어진 도금물은, 기초 시료의 표면에 아연의 점석입자(8)가 그 표면과 수직방향으로 겹쳐지는 일 없이 또한 상면에서 보아 빈틈이 있도록 배치된 상태였다. 점석입자(8)의 평균지름은 50nm였다. 또한, 도금물의 형광 X선분석장치(에스에스아이·나노테크놀로지 사제)에 의한 아연의 양은 7.1×10-6g/cm2였다.
이 도금물을 버너를 이용하여/LP가스의 500℃ 환원염중에서 10초간 가열하여, 전기부품용 도금재를 얻었다.
[비교예 2]
실시예 3에서 이용한 것과 같은 기초 시료에 하기 조건으로 주석 도금을 실시하여 입자 퇴적물을 얻었다.
도금액 조성 실시예 3과 같다
도금온도 실시예 3과 같다
전류밀도 10A/dm2
통전시간 1.5초
얻어진 입자 퇴적물은, 기초 시료의 표면에 주석의 점석입자(8)가 그 표면과 수직방향으로 겹쳐지는 일 없이 또한 간격을 두고 배치된 상태이다. 점석입자(8)의 평균지름은 30nm였다. 또한, 입자 퇴적물의 형광 X선분석장치(에스에스아이·나노테크놀로지 사제)에 의한 주석의 양은 1.9×10-6g/cm2였다.
이 입자 퇴적물을 실시예 3과 같이 하여 가열하여, 전기부품용 피복재를 얻었다.
[비교예 3]
실시예 3에서 이용한 것과 같은 기초 시료에 하기 조건으로 주석 도금을 실시하여 입자 퇴적물을 얻었다.
도금액 조성 메탄술폰산 : 100g/L
메탄술폰산 주석 :실시예 3의 10배 당량/L
계면활성제 : 30g/L
도금온도 42℃
전류밀도 2A/dm2
통전시간 4초
얻어진 입자 퇴적물은, 도 10에 도시하는 바와 같이 기초 시료의 표면에 주석의 점석입자(8)가 그 표면과 수직방향으로 일부 겹쳐지고 또한 간격을 두지 않고 서로 이웃하는 점석입자가 접촉한 배치된 상태이다. 점석입자(8)의 평균지름은 100nm였다. 또한, 입자 퇴적물의 형광 X선분석장치(에스에스아이·나노테크놀로지사제)에 의한 주석의 양은 5×10-5g/cm2였다.
이 입자 퇴적물을 실시예 3과 같이 하여 가열하여, 전기부품용 피복재를 얻었다.
기초 시료 및 실시예, 비교예에서 얻어진 전기부품용 피복재의 특성을 표 3에 나타낸다. 표중 내황화성은, 시료의 전기부품용 피복재를 200℃에서 1시간 가열한 후, 농도 6중량%의 황화 암모늄 용액에 상온에서 10분간 침지 후, 순수 세정하고 메탄올 치환하여, 질소류로 블로우 했을 때의 변색의 정도이고, ◎◎ : 변색이 인정되지 않는다. ◎ : 변색이 거의 인정되지 않는다. ○ : 조금 변색이 인정되지만 허용범위이다. △ : 변색이 인정되지만 허용범위이다. × : 현저한 변색이 인정된다 를 표시한다. 또한, 접촉저항(mΩ)은, 교류 4단자법에 의해, 프로브의 재질을 NS/Au, 선단 형상을 1.0R로 하고, 측정 전류를 100μA, 하중 30gf로 측정하였다. 반사율은, U-4000형 분광 광도계로 측정한 파장 450nm의 반사율이다.
반사율(%) 접촉저항(mΩ) 내황화성
실시예 3 93 13 ◎
실시예 4 94 12 ○
실시예 5 90 16 ◎
실시예 6 95 10 ◎◎
실시예 7 94 15 ◎
비교예 2 95 10 ×
비교예 3 73 100 ◎
기초시료 96 2 ×
본 발명은, 은의 고반사 특성이나, 고표면 전기전도특성 등의 표면 특성을 이용한 각종의 기기에 있어서의 은표면의 황화 방지에 적합하게 적용된다. 특히, 광학 기계, 스위치, 부품 접점, 부품 단자, 진공 단열재 등에 적합하게 적용할 수 있다.
본 발명에 의해 얻을 수 있는 전기부품용 피복재는, 접촉 저항이 낮고, 내황화성이 우수하고, 은 본래의 광택을 가지므로, 단자, 커넥터, 스위치 등의 전기 접점재 뿐만 아니라, IC패키지의 리드 선이나 리드 핀, 또는 리드 프레임 등의 리드 재료, LED 램프 등 조명구용의 반사재, 연료 전지용의 도전재료, 등 전기(전자) 재료로서 적합하게 이용할 수 있다.
7 : 박막
8 : 점석입자
10 : 빈틈
101, 101a : 은도금 구조체
102 : 도금용 기체
104 : 은도금층
106 : 보호 도금층
222 : 전기부품용 피복재

Claims (7)

  1. 도금용 기체의 표면에 은도금층을 형성하고, 또한 상기 은도금층의 표면에 두께 0.001∼0.1μm의 주석 또는 인듐 또는 아연의 도금층을 형성하여 이루어지는 은도금 구조체를 열처리하여 얻을 수 있는 도금구조.
  2. 발광소자 수납용의 오목부를 갖고 상기 오목부의 둘레벽에서 빛을 반사시키는 발광소자 실장용 지지체로서, 상기 오목부의 둘레벽에, 상기 발광소자 실장용 지지체의 본체를 도금용 기체로 하여 제 1 항에 기재된 도금 구조가 형성된 발광소자 수납용 지지체.
  3. 제 2 항에 기재된 발광소자 수납용 지지체와, 상기 발광소자 수납용 지지체에 실장된 발광소자를 포함해서 이루어지는 발광장치.
  4. 제 1 항에 기재된 도금 구조를 갖는 도금부로 이루어지는 스위치 접점.
  5. 제 1 항에 기재된 도금 구조를 갖는 도금부로 이루어지는 부품 단자.
  6. 제 1 항에 기재된 도금 구조를 갖는 도금부로 이루어지는 부품 접점.
  7. 제 1 항에 기재된 도금 구조를 얻는 피복방법으로, 기재의 면상에 형성된 은층의 표면에, 입자 퇴적 공정에 의해 점석되어 이루어지는 주석 또는 인듐 또는 아연의 점석입자가 상기 표면과 수직방향으로 겹쳐지는 일 없이 상면에서 보아 빈틈이 있도록 배치되고, 상기 점석입자의 평균지름이 20∼80nm이고, 상기 은층의 표면의 주석 또는 인듐 또는 아연의 점석입자의 단위면적당 중량이 2×10-6∼8×10-6g/cm2인 입자 퇴적물을, 비산화분위기에서 가열하여 상기 점석입자를 용융시켜 피막화하는 것을 특징으로 하는 피복방법.
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