KR20110005473U - 냉각용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블 - Google Patents

냉각용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블 Download PDF

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Abstract

본 고안은 반도체소자 절단장치의 칼날에 의해서 반도체소자몰딩체를 절단할 때 열을 냉각용수를 이용하여 반도체소자몰딩체를 냉각시키는 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블에 관한 것이다.
반도체소자 몰딩체를 절단하는 장치에 구비되고, 상기 반도체소자 몰딩체를 지지하는 진공척테이블은 척 베이스; 척 베이스의 상면에 접착되고 상기 반도체소자 몰딩체를 지지하는 반도체소자몰딩체지지부; 및 냉각용수를 공급하기 위한 냉각용수공급부를 포함하고, 상기 반도체소자몰딩체지지부에는 복수의 진공홀이 형성되고, 상기 진공홀을 통해 공기가 흡입됨으로써 상기 반도체소자 몰딩체가 반도체소자몰딩체지지부에 흡착되고, 상기 냉각용수공급부를 통해 냉각용수가 공급되어 상기 반도체소자 몰딩체 절단시 발생한 열을 식히는 것을 특징으로 한다.
진공척테이블, 냉각용수, 진공홀, 반도체소자몰딩체

Description

냉각용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블{Vacuum chuck table of sawing apparatus of semiconductor device supplying cooling water }
본 고안은 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 반도체소자 절단장치의 칼날에 의해서 반도체소자몰딩체를 절단할 때 열을 냉각용수를 이용하여 반도체소자몰딩체를 냉각시키는 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블에 관한 것이다.
일반적으로 반도체소자 몰딩체는 반도체칩을 리드 프레임(Lead frame)의 탑재판 또는 회로기판에 부착시키는 다이본딩(Die bonding) 공정, 반도체칩 상에 구비된 칩 패드와 리드 프레임 또는 회로기판의 리드를 와이어로 연결시키는 와이어본딩(Wire bonding) 공정, 반도체칩의 내부회로와 그 외의 구성부품을 보호하기 위하여 봉지재로 외부를 감싸는 몰딩(Molding) 공정 등을 거쳐 제조된다.
이렇게 제조된 반도체소자 몰딩체는 반도체소자 절단장치(Sawing apparatus)로 이송되어 각각의 반도체칩 단위인 반도체소자들로 절단된다. 이러한 반도체소자 절단장치에는 절단칼(Sawing blade)을 이용하여 각각의 반도체칩 단위로 반도체소자 몰딩체를 절단하기 위해, 반도체소자 몰딩체를 안정적으로 흡착 지지하는 진공 척 테이블이 구비된다.
반도체소자몰딩체에 종류에 따라서는 리드가 측면에 형성되어 반도체소자 절단장치의 칼날에 의해서 절단될때 측면에서 열이 발생한다. 기종 진공척테이블에는 반도체소자몰딩체를 냉각시키는 기능이 없어 이 때 발생하는 열에 의해서 금속성 리드가 녹아 다른 리드와 겹쳐지는 스메어(SMEAR) 또는 멜팅(MELTING)등의 불량이 발생한다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 반도체소자 절단장치의 칼날에 의해서 절단될때 냉각용수를 이용하여 반도체소자몰딩체에 발생한 열을 냉각시키는 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 바와 같은 과제를 해결하기 위한 본 고안인 반도체소자 몰딩체를 절단하는 장치에 구비되고, 상기 반도체소자 몰딩체를 지지하는 진공척테이블은 척 베이스; 척 베이스의 상면에 부착되고 상기 반도체소자 몰딩체를 지지하는 반도체소자몰딩체지지부; 및 냉각용수를 공급하기 위한 냉각용수공급부를 포함하고, 상기 반도체소자몰딩체지지부에는 복수의 진공홀이 형성되고, 상기 진공홀을 통해 공기가 흡입됨으로써 상기 반도체소자 몰딩체가 반도체소자몰딩체지지부에 흡착되고, 상기 냉각용수공급부를 통해 냉각용수가 공급되어 상기 반도체소자 몰딩체 절단시 발생한 열을 식히는 것을 특징으로 한다.
상기 반도체소자몰딩체지지부는 재질이 고무로 구성될 수도 있다.
상기 냉각용수공급부는 상기 척베이스에 평행하게 복수개의 수평냉각용수관로가 형성되고 각각의 상기 수평냉각용수관로의 상면에 수직으로 냉각용수를 공급하기 위한 수직냉각용수관로가 형성될 수도 있다.
상기 반도체소자몰딩체지지부는 반도체소자 절단장치의 칼날이 들어와 상기 반도체소자 몰딩체를 절단하고 냉각용수를 공급하여 반도체소자몰딩체를 식히기 위한 반도체소자몰딩체지지부홈이 형성될 수도 있다.
상기 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블은 가운데에 진공홀이 형성되어 있고 상기 척베이스를 지지하는 척베이스지지체를 더 포함할 수도 있다.
상기 반도체소자몰딩체지지부는 경도가 Hs10 내지 Hs55로 되는 것이 바람직하다.
또한 바람직하게는 상기 반도체소자몰딩체지지부는 경도가 Hs60 내지 Hs95로 형성될 수도 있다.
본 고안인 반도체소자 몰딩체를 절단하는 장치에 구비되고, 상기 반도체소자 몰딩체를 지지하는 진공척테이블의 다른 실시형태는 척 베이스; 상기 척 베이스의 상면에 결합되는 반도체소자몰딩체제2지지부; 상기 반도체소자몰딩체제2지지부의 상면에 접착되고 상기 반도체소자 몰딩체를 지지하며, 상기 반도체소자몰딩체제2지지부의 재질보다 낮은 경도를 갖는 재질로 이루어지는 반도체소자몰딩체지지부; 및 냉각용수를 공급하기 위한 냉각용수공급부를 포함하고, 상기 반도체소자몰딩체지지부 와 반도체소자몰딩체제2지지부에는 복수의 진공홀이 형성되고, 상기 진공홀을 통해 공기가 흡입됨으로써 상기 반도체소자 몰딩체가 반도체소자몰딩체지지부에 흡착되고, 상기 냉각용수공급부를 통해 냉각용수가 공급되어 상기 반도체소자 몰딩체 절단시 발생한 열을 식히는 것을 특징으로 한다.
상기 반도체소자몰딩체지지부와 반도체소자몰딩체제2지지부는 재질이 고무로 구성될 수도 있다.
상기 냉각용수공급부는 상기 척베이스에 평행하게 복수개의 수평냉각용수관로가 형성되고 각각의 상기 수평냉각용수관로의 상면에 수직으로 냉각용수를 공급하기 위한 수직냉각용수관로가 형성될 수도 있다.
바람직하게는 상기 반도체소자몰딩체지지부는 반도체소자 절단장치의 칼날이 들어와 상기 반도체소자 몰딩체를 절단하고 냉각용수를 공급하여 반도체소자몰딩체를 식히기 위한 반도체소자몰딩체지지부홈이 형성될 수도 있다.
상기 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블은 가운데에 진공홀이 형성되어 있고 상기 척베이스를 지지하는 척베이스지지체를 더 포함할 수도 있다.
상기 반도체소자몰딩체지지부는 경도가 Hs10 내지 Hs55로 구비되는 것이 바람직하다.
바람직하게는 상기 반도체소자몰딩체제2지지부는 경도가 Hs60 내지 Hs95로 구비될 수도 있다.
본 고안을 사용할 경우 반도체소자 절단장치의 칼날에 의해서 절단할때 열을 냉각용수를 이용하여 식히게 되어 반도체소자몰딩체를 냉각시키는 효과가 있다.
반도체소자몰딩체를 냉각하게 되어 열에 의해서 금속성 리드가 녹아 다른 리드와 겹쳐지는 스메어(SMEAR) 또는 멜팅(MELTING)등의 불량율이 현저히 감소하는 효과가 있다.
이와 같이 불량율이 감소하여 생산성이 향상되는 효과가 있다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하면서 본 고안의 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 고안인 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블의 제 1 실시예에 대한 사시도이다. 도 2는 본 고안인 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블의 제 1 실시예에 대한 평면도이다. 도 3은 본 고안인 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블의 제 1 실시예에 대한 D-D를 중심으로 한 단면도이다.
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블은 척베이스(220), 척베이스(220)의 상면에 부착되고 상기 반도체소자몰딩체(110)를 지지하는 반도체소자몰딩체지지부(240), 상기 냉각용수를 공급하기 위한 냉각용수공급부(210), 가운데에 진공홀(400)이 형성되어 있고 상기 척 베이스(220)를 지지하는 척베이스지지체(230)으로 구성된다.
상기 척베이스(110)는 진공척테이블의 몸체를 이루고 내부에 복수개의 진공홀(400)이 형성된다. 그리고, 상기 진공홀(400)은 척베이스(110)의 상면과 하면을 관통하도록 형성된다.
상기 반도체소자몰딩체지지부(240)에는 복수의 진공홀(400)이 형성되고, 상기 진공홀(400)을 통해 진공흡입기(미도시)에서 공기를 흡입하여 상기 반도체소자 몰딩체(110)가 반도체소자몰딩체지지부(240)에 흡착된다.
상기 반도체소자몰딩체지지부(240)는 반도체소자 몰딩체가 절삭측압에 의해 밀림 현상이 발생되지 않도록 진공척테이블에 안정성을 부여한다.
상기 반도체소자몰딩체지지부(240)는 진공홀(400)이 내부에 형성된 상태로 척베이스(220)와 결합되고 상기 반도체소자몰딩체지지부(240)와 척베이스(220)의 진공홀(400)은 각각 대응되도록 관통되어 형성된다. 상기 반도체소자몰딩체지지부(240)는 상부에 반도체소자 절단장치의 칼날이 들어와 상기 반도체소자몰딩체(110)를 절단하고 냉각용수를 공급하여 상기 반도체소자몰딩체(110)를 식히기 위하여 반도체소자몰딩체지지부홈(241)이 형성되어 있다.
바람직하게는 상기 척베이스(220)는 재질이 철로 구성하고 상기 반도체소자몰딩체지지부(240)는 재질이 고무로 구성할 수도 있다. 상기 반도체소자몰딩체지지부(240)는 경도가 Hs10 내지 Hs55로 구성하거나 또는 경도가 Hs60 내지 Hs95로 구성할 수도 있다.
상기 냉각용수공급부(210)는 상기 척베이스(220)에 평행하게 복수개의 수평냉각용수관로(211)가 형성되고 각각의 상기 수평냉각용수관로(211)의 상면에 수직으로 냉각용수를 공급하기 위한 수직냉각용수관로(212)가 형성되어 있다. 상기 수평냉각용수관로(212)는 상기 척베이스(220)와 반도체소자몰딩체지지부(240)의 내부에 서로 대응하면서 관통되어 형성되어 있다. 상기 냉각용수공급부(210)를 통해 냉각용수가 공급되어 상기 반도체소자몰딩체(110) 절단시 발생한 열을 식히게 된다.
도 4는 본 고안인 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블중 반도체소자몰딩체지지부(240)의 상면에 대한 확대도이다. 도 5는 도 4에 서 K-K를 따라 절취한 단면도이다. 도 4 내지 도 5에 도시된 바와 같이 냉각용수가 수평냉각용수관로(211)을 통해서 공급되고 이어서 수직냉각용수관로(212)를 통해서 반도체소자몰딩체지지부홈(241)에 도달한다. 반도체소자 절단장치의 칼날이 들어와 상기 반도체소자몰딩체(110)를 절단할때 반도체소자몰딩체지지부홈(241)의 하부에 도달한 냉각용수가 절단시 발생한 열을 식히게 된다. 도 4에서 보는 바와 같이 반도체소자몰딩체지지부홈(241)은 진공홀(400)들의 주위를 감싸면서 형성되어 있다.
도 6은 본 고안인 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블의 제 2 실시예에 대한 사시도이다. 도 7은 본 고안인 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블의 제 2 실시예서 B-B선에 따른 단면도이다. 도 6 과 도 7에 도시된 바와 같이 제 2 실시예는 제 1실시예와 비교하여 반도체소자몰딩체제2지지부(250)가 추가되었다. 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블은 척베이스(220), 상기 척베이스(220)의 상면에 결합되는 반도체소자몰딩체제2지지부(250), 상기 반도체소자몰딩체제2지지부(250)의 상면에 부착되고 상기 반도체소자몰딩체(110)를 지지하며 상기 반도체소자몰딩체제2지지부(250)의 재질보다 낮은 경도를 갖는 재질로 이루어지는 반도체소자몰딩체지지부(240), 냉각용수를 공급하기 위한 냉각용수공급부(210) 및 가운데에 진공홀(240)이 형성되어 있고 상기 척베이스(220)를 지지하는 척베이스지지체(230)로 구성된다.
이하에서는 척베이스(220), 반도체소자몰딩체지지부(240), 냉각용수공급부(210), 척베이스(220)는 제 1실시예와 동일하여 설명을 생략한다. 상기 반도체소 자몰딩체제2지지부(250)는 복수의 진공홀(400)이 형성되고 각각 대응하는 반도체소자몰딩체제지지부(240)의 진공홀(400)과 결합된다. 상기 진공홀(400)을 통해 진공흡입기(미도시)에서 공기를 흡입하여 상기 반도체소자몰딩체(110)가 반도체소자몰딩체지지부(240)에 흡착된다. 또한 반도체소자몰딩체제2지지부(250)의 내부에는 냉각용수를 공급하기 위하여 수직냉각용수관로(212)가 복수개가 형성되어 상기 반도체소자몰딩체제지지부(240)의 내부에 형성되어 있는 수직냉각용수관로(212)와 각각 결합하여 냉각용수가 공급되게 된다.
상기 반도체소자몰딩체제2지지부(250)는 바람직하게는 Hs60 내지 Hs95의 경도를 갖는 경질의 고무 재질로 이루어지고, 반도체소자몰딩체를 흡착 지지하는 반도체소자몰딩체지지부(240)의 하측에 결합되어 반도체소자 몰딩체가 절삭측압에 의해 밀림 현상이 발생되지 않도록 진공척 테이블에 안정성을 부여한다.
상기 반도체소자몰딩체지지부(240)는 바람직하게는 Hs10 내지 Hs55의 경도를 갖는 연질의 고무 재질로 이루어지고, 상면에 정렬 안착된 반도체소자 몰딩체를 흡착 지지한다. 상기 반도체소자몰딩체지지부(240)는 이처럼 연질의 재질로 이루어지므로 반도체소자몰딩체가 상면에 안착 또는 흡착될 때 발생하는 충격을 최소화할 수 있다.
그리고 상기 반도체소자몰딩체지지부(240)와 반도체소자몰딩체제2지지부(250)는 수지 접착물질에 의해 접착되는데, 동일한 고무 재질로 구비됨으로써 서로 수지 접착될 때에 접착성이 향상될 수 있다.
한편, 반도체소자 몰딩체는 플라스틱 등으로 이루어져 있으므로 1mm 안팎의 휘어짐 현상이 발생할 수 있는데, 이처럼 휘어진 반도체소자 몰딩체가 평평한 면에 흡착될 때, 휘어진 형상이 복원되면서 휘어진 방향의 반대 방향으로 힘(Bending force)을 받게 된다. 즉, 반도체소자 몰딩체가 1mm 만큼 휘어졌다면, 평평한 면에 흡착될 때에 1mm 만큼 복원되어 평평하게 되도록 힘을 받게 되는데, 이 과정에서 반도체소자 몰딩체가 과도한 힘을 받아 파손될 우려가 있다.
그러나, 본 고안의 바람직한 실시예에 있어서, 반도체소자몰딩체지지부(240)는 연질의 재질로 이루어져 이렇게 휘어진 반도체소자 몰딩체가 흡착될 때, 반도체소자 몰딩체의 휘어짐을 일부 수용함으로써, 흡착시 반도체소자 몰딩체에 과도한 힘이 가해지는 것을 방지한다.
보다 상세히 설명하면, 반도체소자 몰딩체가 1mm만큼 휘어졌다면, 반도체소자몰딩체지지부(240)의 상면에 흡착될 때에 반도체소자몰딩체지지부(240)의 연성으로 인해 0.5mm 정도 휘어진 상태로도 흡착이 될 수 있다. 따라서, 1mm 만큼 휘어진 반도체소자 몰딩체라 하더라도 반도체소자몰딩체지지부(240)의 상면에 흡착될 때에는 약 0.5mm 만큼만 복원되면 흡착될 수 있어, 과도한 힘을 받지 않게 된다.
또한, 이렇게 휘어진 반도체소자 몰딩체는 정렬된 상태로 평평한 면에 위치되고, 휘어져 있기 때문에 흡착이 시작될 때 반도체소자 몰딩체의 특정 일부분만 평평한 면에 접촉된 상태인데, 그 상태로 형상이 복원되는 과정에서 접촉된 특정 일부분 중 평평한 면과의 사이에 작용하는 마찰력이 작은 곳이 미끄러지면서 반도체소자 몰딩체가 위치 이동될 수 있다. 이와 같이, 정렬되어 있던 반도체소자 몰딩체의 위치가 이동되어 정렬 상태가 훼손되면, 흡착 완료 후 절단 과정이 진행될 때 에 절단 정확성이 저하될 수 있다.
상기 반도체소자몰딩체지지부(240)는 상술한 바와 같이, 연질의 재질로 이루어졌으므로 복원량도 적을 뿐 아니라, 흡착 전에 반도체소자 몰딩체와 접촉되는 부분과의 마찰력도 크다. 따라서, 휘어진 반도체소자 몰딩체를 흡착할 때의 미끄러짐이 차단되므로, 반도체소자 몰딩체의 위치 이동이 방지된다. 이처럼 반도체소자 몰딩체의 위치 이동이 방지되면, 절단 정확성이 향상될 수 있다.
한편, 상기 반도체소자몰딩체지지부(240)는 바람직하게는 0.1mm 내지 1.0mm의 두께로 구비된다. 전술된 바와 같이 반도체소자몰딩체지지부(240)는 Hs10 내지 Hs55의 경도를 갖는 고무 재질로 이루어지는데, 큰 경도의 고무 재질로 구비될수록 반도체소자몰딩체지지부(240)의 두께는 두껍게 구비되는 것이 바람직하다.
그러나, 반도체소자몰딩체지지부(240)가 Hs55의 경도로 구비되더라도, 두께가 1.0mm를 초과하는 경우에는 흡착 지지된 반도체소자 몰딩체에 대해 절단 작업이 수행될 때, 반도체소자몰딩체지지부(240)의 연성으로 인해 반도체소자 몰딩체가 절단칼의 절삭측압에 의해 밀림으로써 절단 정확성이 저하될 수 있어 바람직하지 않다.
또한, 반도체소자몰딩체지지부(240)가 Hs10의 경도로 구비되더라도, 두께가 0.1mm 미만일 경우에는 반도체소자 몰딩체의 휘어짐을 충분히 수용할 수 없고, 반도체소자 몰딩체의 안착 및 흡착 충격도 충분히 흡수할 수 없으므로 바람직하지 않다.
상기 반도체소자몰딩체지지부(240)에는 상면에 정렬 안착된 반도체소자 몰딩 체를 흡착 지지하기 위해 상ㆍ하면을 관통하는 복수의 진공홀(400)이 형성된다. 이러한 복수의 진공홀(400)은 반도체소자 몰딩체가 칼날에 의해 절단되어 생성되는 각각의 반도체칩 단위의 반도체소자들을 각각 흡착할 수 있도록 형성된다. 즉, 복수의 진공홀(400)은 각각의 반도체칩 단위의 반도체소자들에 대응되는 위치 및 개수로 구비된다.
상기 반도체소자몰딩체지지부(240)에 형성된 복수의 진공홀(400)은 반도체소자몰딩체제2지지부(250)에 형성된 복수의 진공홀(400)과 각각 연통된다. 따라서, 복수의 진공홀(400)들이 각각 서로 연통됨으로써 척 베이스(220)의 하면에서부터 반도체소자몰딩체지지부(240)의 상면까지 관통하는 복수의 공기유로들을 형성한다.
본 고안의 바람직한 실시예에서는 반도체소자몰딩체지지부(240)에 형성된 복수의 진공홀(400)과 각각 연통되는 복수의 진공홀(400)이 척 베이스(220) 및 반도체소자몰딩체제2지지부(250)의 상ㆍ하면을 관통하도록 형성되고, 척베이스지지체(230)의 내부에는 상기 진공홀(400)들과 연결된 하나의 큰 진공홀(400)이 형성되어있다. 본 고안에서는 진공흡입기(미도시)와 상기 척베이스지지체(230)의 내부에 형성된 진공홀(400)과 연결되도록 구비되었으나, 복수의 진공홀(400)이 진공흡입기(미도시)와 연결되는 형태가 이에 한정되는 것은 아니다.
도 8은 본 고안인 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블의 제 1 실시예를 이용하여 반도체소자몰딩체를 반도체소자 절단장치의 칼날을 통하여 반도체소자몰딩체를 절단하는 사용예를 보여주고 있다. 도 8에 도시된 바와 같이 반도체소자 절단장치의 칼날을 사용하여 반도체소자몰딩체를 절단할 수 있다. 이 때 열이 발생할 경우 냉각용수(500)를 분출시켜 반도체소자몰딩체(110) 및 반도체소자 절단장치의 칼날(300)를 냉각시키게 된다.
이상으로 첨부된 도면을 참조하여 본 고안의 실시예를 설명하였으나, 본 고안이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 고안의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시할 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것이다.
본고안에 의해서 반도체소자몰딩체를 냉각하게 되어 열에 의해서 금속성 리드가 녹아 다른 리드와 겹쳐지는 스메어(SMEAR) 또는 멜팅(MELTING)등의 불량율이 현저히 감소하여 산업상 매우 유용하다.
도 1은 본 고안인 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블의 제 1 실시예에 대한 사시도이다.
도 2는 본 고안인 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블의 제 1 실시예에 대한 평면도이다.
도 3은 본 고안인 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블의 제 1 실시예에 대한 D-D를 중심으로 한 단면도이다.
도 4는 본 고안인 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블중 반도체소자몰딩체지지부(240)의 상면에 대한 상세도이다.
도 5는 도 4에서 K-K를 중심으로 한 부분에 대한 단면도이다.
도 6은 본 고안인 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블의 제 2 실시예에 대한 사시도이다.
도 7은 본 고안인 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블의 제 2 실시예서 B-B를 중심으로 한 단면도이다.
도 8은 본 고안인 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블의 제 1 실시예를 이용한 사용예를 보여주는 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110 : 반도체소자몰딩체
200 : 진공척테이블
210 : 냉각용수공급부
211 : 수평냉각용수관로
212 : 수직냉각용수관로
220 : 척베이스
230 : 척베이스지지체
240 : 반도체소자몰딩체지지부
241 : 반도체소자몰딩체지지부홈
250 : 반도체소자몰딩체제2지지부
300 : 반도체소자 절단장치의 칼날
400 : 진공홀
500 : 냉각용수

Claims (14)

  1. 반도체소자 몰딩체를 절단하는 장치에 구비되고, 상기 반도체소자 몰딩체를 지지하는 진공척테이블에 있어서,
    척 베이스;
    척 베이스의 상면에 접착되고 상기 반도체소자 몰딩체를 지지하는 반도체소자몰딩체지지부; 및
    냉각용수를 공급하기 위한 냉각용수공급부를 포함하고,
    상기 반도체소자몰딩체지지부에는 복수의 진공홀이 형성되고, 상기 진공홀을 통해 공기가 흡입됨으로써 상기 반도체소자 몰딩체가 반도체소자몰딩체지지부에 흡착되고,
    상기 냉각용수공급부를 통해 냉각용수가 공급되어 상기 반도체소자 몰딩체 절단시 발생한 열을 식히는 것을 특징으로 하는 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 반도체소자몰딩체지지부는,
    재질이 고무로 구성된 것을 특징으로 하는 상기 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 냉각용수공급부는,
    상기 척베이스에 평행하게 복수개의 수평냉각용수관로가 형성되고 각각의 상기 수평냉각용수관로의 상면에 수직으로 냉각용수를 공급하기 위한 수직냉각용수관로가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 반도체소자몰딩체지지부는,
    반도체소자 절단장치의 칼날이 들어와 상기 반도체소자 몰딩체를 절단하고 냉각용수를 공급하여 반도체소자몰딩체를 식히기 위한 반도체소자몰딩체지지부홈이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블은,
    가운데에 진공홀이 형성되어 있고 상기 척베이스를 지지하는 척베이스지지체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 반도체소자몰딩체지지부는,
    경도가 Hs10 내지 Hs55로 구비되는 것을 특징으로 하는 상기 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 반도체소자몰딩체지지부는,
    경도가 Hs60 내지 Hs95로 구비되는 것을 특징으로 하는 상기 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블.
  8. 반도체소자 몰딩체를 절단하는 장치에 구비되고, 상기 반도체소자 몰딩체를 지지하는 진공척테이블에 있어서,
    척 베이스;
    상기 척 베이스의 상면에 결합되는 반도체소자몰딩체제2지지부;
    상기 반도체소자몰딩체제2지지부의 상면에 접착되고 상기 반도체소자 몰딩체를 지지하며, 상기 반도체소자몰딩체제2지지부의 재질보다 낮은 경도를 갖는 재질로 이루어지는 반도체소자몰딩체지지부; 및
    냉각용수를 공급하기 위한 냉각용수공급부를 포함하고,
    상기 반도체소자몰딩체지지부 와 반도체소자몰딩체제2지지부에는 복수의 진공홀이 형성되고, 상기 진공홀을 통해 공기가 흡입됨으로써 상기 반도체소자 몰딩 체가 반도체소자몰딩체지지부에 흡착되고,
    상기 냉각용수공급부를 통해 냉각용수가 공급되어 상기 반도체소자 몰딩체 절단시 발생한 열을 식히는 것을 특징으로 하는 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 반도체소자몰딩체지지부와 반도체소자몰딩체제2지지부는,
    재질이 고무로 구성된 것을 특징으로 하는 상기 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블.
  10. 제 8항 또는 제 9항에 있어서,
    상기 냉각용수공급부는,
    상기 척베이스에 평행하게 복수개의 수평냉각용수관로가 형성되고 각각의 상기 수평냉각용수관로의 상면에 수직으로 냉각용수를 공급하기 위한 수직냉각용수관로가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블.
  11. 제 8항에 있어서,
    상기 반도체소자몰딩체지지부는,
    반도체소자 절단장치의 칼날이 들어와 상기 반도체소자 몰딩체를 절단하고 냉각용수를 공급하여 반도체소자몰딩체를 식히기 위한 반도체소자몰딩체지지부홈이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블.
  12. 제 8항에 있어서,
    상기 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블은,
    가운데에 진공홀이 형성되어 있고 상기 척베이스를 지지하는 척베이스지지체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블.
  13. 제 8항에 있어서,
    상기 반도체소자몰딩체지지부는,
    경도가 Hs10 내지 Hs55로 구비되는 것을 특징으로 하는 상기 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블.
  14. 제 8항에 있어서,
    상기 반도체소자몰딩체제2지지부는,
    경도가 Hs60 내지 Hs95로 구비되는 것을 특징으로 하는 상기 냉각 용수 공급이 가능한 반도체소자 절단장치의 진공척테이블.
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