KR20100096068A - 플라즈마 처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 생성된 플라즈마를 효율적으로 이용할 수 있는 플라즈마 처리장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다. 본 발명에 관련된 플라즈마 처리장치(10)는, 진공용기(11)와, 진공용기(11)의 내부공간(111)에 돌출하도록 설치된 안테나(플라즈마 생성수단) 지지부(12)와, 안테나 지지부(12)에 장착된 고주파 안테나(플라즈마 생성수단)(13)를 구비하는 것을 특징으로 한다. 이로써, 고주파 안테나가 장착되는 부분의 면적이 작아지고, 플라즈마의 이용 효율이 향상된다.

Description

플라즈마 처리장치{Plasma treatment device}
본 발명은, 진공용기 내에 있어서 피처리기체(基體)의 근방에 플라즈마를 생성하고, 그 플라즈마를 이용해서 피처리기체에 퇴적처리나 에칭처리 등을 행하는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
플라즈마 처리장치는 퇴적처리, 에칭처리, 세정처리 등에 폭넓게 이용되고 있다. 예컨대, 실리콘과 질소를 포함하는 가스로부터 플라즈마를 생성하고, 유리기판 상에 질화규소 박막을 퇴적시킴으로써, 액정 디스플레이나 태양전지에 이용되는 기판이 얻어진다. 여기서 질화규소 박막은, 유리로부터의 불순물의 확산을 막기 위한 패시베이션막으로서의 기능을 가진다. 또한, 이러한 기판을 이용해서 액정 디스플레이나 태양전지 유닛을 제조할 때에는, 그 전체면 또는 일부를 에칭 처리하고, 혹은 세정 처리하는 것도 행하여진다. 이후, 플라즈마 처리가 실시되는 기체(基體)(상술한 예에서는 유리기판)를 피처리기체라고 호칭한다.
최근, 피처리기체가 대형화되고, 혹은 피처리기체의 크기는 종래대로여도 한번에 처리되는 피처리기체의 개수가 증가하는 경향이 보이고, 그에 수반하여, 플라즈마 처리장치의 대형화가 진행되고 있다. 그 중에서, 대형의 피처리기체를 처리할 경우에는 그 전체에 걸쳐서, 또한, 비교적 소형의 피처리기체를 다수 처리할 경우에는 그 모두에 대하여, 균등하게 플라즈마를 생성할 필요가 있다. 예컨대, 유리기판 상에 형성하는 박막의 막두께 등의 품질은 한정된 소정의 범위 내에 들지 않으면 안 된다. 따라서, 플라즈마 처리장치 내에 생성되는 플라즈마의 밀도의 편차는, 플라즈마 생성영역의 대형화에 관계없이, 일정한 범위 내로 수용하는 것이 요구되고 있다.
플라즈마 처리장치에는, ECR(전자 싸이클로트론 공명) 플라즈마 방식의 것, 마이크로파 플라즈마 방식의 것, 유도결합형 플라즈마 방식의 것, 용량결합형 플라즈마 방식의 것 등이 있다. 이 중 유도결합형 플라즈마 처리장치는, 진공용기의 내부에 가스를 도입하여, 고주파 안테나(유도 코일)에 고주파전류를 흐르게 함으로써 진공용기의 내부에 유도되는 유도 전계로 전자를 가속화하고, 그 전자와 가스 분자를 충돌시킴으로써, 가스 분자를 전리(電離)시켜서 플라즈마를 생성하는 것이다. 예컨대, 특허문헌 1에는, 진공용기 외측의 천정 상면에 소용돌이 형상의 코일이 1개 올려 놓아진 유도결합형 플라즈마 처리장치가 기재되어 있다. 그러나, 특허문헌 1에 기재된 플라즈마 처리장치에 있어서, 플라즈마 생성영역의 대형화에 맞춰서 소용돌이 형상 코일을 단순히 크게 하는 것만으로는, 중심부와 주변부의 플라즈마 밀도의 차이도 단순히 확대할 뿐이므로, 상기와 같은 플라즈마 생성영역 전체에 걸치는 균일성의 기준을 충족하지 못하게 되어 버린다. 또한, 안테나를 대형화하면, 안테나의 도체가 길어지게 되고, 그에 따라 안테나에 정재파가 형성되어서 고주파전류의 강도 분포가 불균일하게 되고, 결과적으로 플라즈마 밀도분포가 불균일하게 될 우려가 있다(비특허문헌 1 참조).
특허문헌 2 및 비특허문헌 1에는, 복수개의 고주파 안테나가 진공용기의 내벽에 장착된 멀티 안테나 방식의 유도결합형 플라즈마 처리장치가 기재되어 있다. 이 장치에 의하면, 복수의 안테나의 배치를 적절하게 설정함으로써, 진공용기 내의 플라즈마의 분포를 제어할 수 있다. 또한, 개개의 안테나의 도체의 길이를 짧게 할 수 있으므로, 정재파에 의한 악영향을 막을 수 있다. 이들 이유에 의해서, 특허문헌 2 및 비특허문헌 1에 기재된 플라즈마 처리장치는 종래의 것보다도 균일성이 높은 플라즈마를 생성할 수 있다.
일본국 특허공개 제2000-058297호 공보([0026]∼[0027], 도 1) 일본국 특허공개 제2001-035697호 공보([0050], 도 11)
세츠하라 유이치(SETSUHARA, Yuichi)저, 「차세대 미터 사이즈 대면적 프로세스용 플라즈마원」, Journal of Plasma and Fusion Research, 제81권 제2호 85∼93쪽, 2005년 2월 발행
특허문헌 2 및 비특허문헌 1에 기재된 플라즈마 처리장치에 의해, 진공용기 내의 플라즈마 밀도의 균일성은 높아진다. 그러나, 이들 장치에서는, 생성된 플라즈마의 약 반분(半分)은 진공용기의 중심측이 아니고 그 안테나를 장착한 내벽을 향해서 확산하므로, 플라즈마 처리에 이용되지 않는다. 또한, 피처리기체에 대하여 성막을 행하는 플라즈마 CVD장치에 있어서는, 플라즈마에 의해 생성된 래디컬(막 전구체)의 대략 반분이 진공용기 내벽에 부착되어 파티클이 되고, 그것이 낙하해서 막의 품질을 저하시키는 원인이 된다. 그로 인해서, 정기적으로 진공용기 내의 클리닝을 행할 필요가 생기고, 그에 따라 장치의 가동율이 저하된다. 또한, 고가의 클리닝용 가스를 대량으로 이용할 필요가 있음에 따라, 러닝 코스트가 상승한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 플라즈마의 이용 효율이 좋고, 또한 러닝 코스트를 억제할 수 있는 플라즈마 처리장치를 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 본 발명에 관련된 플라즈마 처리장치는,
⒜ 진공용기와,
⒝ 상기 진공용기의 내부공간 내에 돌출하도록 설치된 플라즈마 생성수단 지지부와,
⒞ 상기 플라즈마 생성수단 지지부에 장착된 1개 또는 복수개의 플라즈마 생성수단
을 구비하는 것을 특징으로 한다.
플라즈마 생성수단은 진공용기 내의 가스 분자를 전리시킴으로써 플라즈마를 생성하는 것이다. 플라즈마 생성수단에는 다양한 것을 이용할 수 있지만, 그 대표예로서 고주파 안테나를 들 수 있다. 또한, 마이크로파 도파관에 슬릿을 마련한 것이나 고주파 전극 등도 플라즈마 생성수단으로서 이용할 수 있다.
본 발명에 있어서, 「내부공간 내에 돌출하도록 설치된 플라즈마 생성수단 지지부」에는, 내부공간을 종(횡)단하는 것도 포함된다.
본 발명에 관련된 플라즈마 처리장치에서는, 복수개의 상기 플라즈마 생성수단을 상기 플라즈마 생성수단 지지부로부터 상기 진공용기의 벽면을 향해서 방사상으로 배치할 수 있다. 예컨대, 플라즈마 생성수단을 고주파 안테나로 하고, 원기둥형상의 플라즈마 생성수단 지지부의 측면 혹은 구(球) 형상의 플라즈마 생성수단 지지부의 표면에, 이들 면으로부터 진공용기의 벽면(원기둥 혹은 구의 외측)을 향해서 복수개의 고주파 안테나를 설치할 수 있다.
본 발명에 관련된 플라즈마 처리장치는, 상기 플라즈마 생성수단 지지부를 둘러싸도록 복수개의 피처리기체를 유지하는 기체유지부를 구비할 수 있다.
상기 기체유지부는, 상기 피처리기체를 상기 플라즈마 생성수단 지지부의 둘레로 회전시키는 공전부 또는/및 상기 피처리기체를 자전시키는 자전부를 구비할 수 있다.
또한, 상기 기체유지부는, 필름 형상의 기체가 상기 플라즈마 생성수단 지지부를 둘러싸도록 상기 필름 형상 기체를 유지하는 필름 형상 기체유지부를 구비할 수 있다. 그 경우에는 또한, 띠 형상의 필름 형상 기체를 상기 필름 형상 기체유지부에 순차 송출하는 송출부와, 상기 필름 형상 기체를 상기 필름 형상 기체유지부로부터 순차 취입하는 취입부를 구비할 수 있다.
본 발명에 관련된 플라즈마 처리장치에서는, 플라즈마 생성수단은, 진공용기의 내부공간에 돌출하도록 설치된 플라즈마 생성수단 지지부에 장착된다. 플라즈마 생성수단 지지부의 표면적은, 통상, 진공용기의 내벽의 표면적보다도 작으므로, 특허문헌 2 및 비특허문헌 1에 기재된 플라즈마 처리장치와 같이 진공용기의 내벽에 장착되는 경우보다도, 플라즈마 생성수단이 장착되는 부분의 총면적이 작아진다. 이로 인하여, 플라즈마의 이용 효율이 향상함과 함께, 플라즈마 CVD장치에서는 진공용기의 내벽에 부착되는 퇴적물을 적게 할 수 있다. 그 결과, 내벽의 클리닝의 빈도를 적게 할 수 있고, 장치의 가동율을 향상시킬 수 있음과 함께 러닝 코스트를 억제할 수 있다.
본 발명에 관련된 플라즈마 처리장치가 공전부를 가질 경우에는, 플라즈마 처리 중에 피처리기체를 플라즈마 생성수단 지지부의 둘레로 공전시킴으로써, 모든 피처리기체에 대하여 같은 조건으로 플라즈마 처리를 행할 수 있다.
본 발명에 관련된 플라즈마 처리장치가 자전부를 가질 경우에는, 피처리기체를 자전시킴으로써, 각 피처리기체의 표면에 균일하게 플라즈마 처리를 행할 수 있다.
본 발명에 관련된 플라즈마 처리장치에 필름 형상 기체유지부를 설치함으로써, 필름 형상의 기체의 표면에 대하여 적합하게 플라즈마 처리를 행할 수 있다. 특히, 송출부 및 취입부에 의해 필름 형상 기체를 순차, 플라즈마가 생성되어 있는 영역에 송출하여 취입함으로써, 넓은 면적에 걸쳐서 플라즈마 처리를 행할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 제1 실시예인, 자전부 및 공전부를 구비한 기체유지부를 가지는 플라즈마 처리장치를 나타내는 종단면도.
도 2는, 제1 실시예의 플라즈마 처리장치를 나타내는 상면도.
도 3은, 본 발명의 제2 실시예인, 로드록 챔버(38) 및 기체 반송장치를 가지는 플라즈마 처리장치(30)을 나타내는 상면도.
도 4는, 본 발명의 제3 실시예인, 필름 형상 기체유지부를 가지는 플라즈마 처리장치(40)를 나타내는 상면도.
도 1∼도 4를 이용하여, 본 발명에 관련된 플라즈마 처리장치의 실시예를 설명한다.
[실시예 1]
제1 실시예의 플라즈마 처리장치(10)는 막대 형상의 피처리기체(21)의 표면에 플라즈마 처리를 행하기 위한 장치이다. 본 실시예의 플라즈마 처리장치(10)는 종래와 마찬가지의 진공용기(11)를 가지고, 도 1에 나타낸 바와 같이, 이 진공용기(11)의 상벽면의 중앙부근으로부터 진공용기(11)의 내부공간(111) 내에 돌출하도록, 원기둥 형상의 안테나(플라즈마 생성수단) 지지부(12)가 1개 설치되어 있다. 안테나 지지부(12)의 외주면에는 원주의 종방향으로 등간격으로 4열, 원주를 따라 등간격으로 4개, 합계 16개의 고주파 안테나(13)가 설치되어 있다. 각 고주파 안테나(13)는 선 형상의 도체를 U자형으로 구부린 것이다. 각 고주파 안테나(13)는 전원(14)에 병렬로 접속되어 있고, 전체 고주파 안테나(13)와 전원(14) 사이에는 1개의 임피던스 정합기(15)가 설치되어 있다. 안테나 지지부(12) 내는 공동(空洞)으로 되어 있고, 그 공동 내에 상술한 고주파 안테나(13)와 전원(14)을 접속하기 위한 배선이 설치되어 있다. 안테나 지지부(12)의 공동 내는, 진공용기(11)와 연통(連通)하고 있어도 좋고, 반대로 외부(대기)와 연통하고 있어도 좋다.
진공용기(11)의 저부(底部)에는 기체유지부(16)가 설치되어 있다. 기체유지부(16)는, 진공용기(11)의 저면에 수직으로 설치된 지주(163) 상에 올려 놓아지고 지주(163)를 중심으로 해서 회전하는 원판 형상의 공전부(161)와, 공전부(161)의 상면의 주위에 등간격(도 2)으로 배치되고 중심의 둘레로 회전 가능한 원판으로 이루어지는 6개의 자전부(162)를 가진다.
그밖에, 본 플라즈마 처리장치(10)에는, 내부공간(111)을 배기하기 위한 진공 펌프나, 플라즈마 원료 가스를 도입하기 위한 가스 도입구 등이 마련된다.
본 실시예의 플라즈마 처리장치(10)의 동작을 설명한다. 우선, 자전부(162) 상에, 막대 형상의 피처리기체(21)을 세운 상태로 고정한다. 다음으로, 진공 펌프에 의해 내부공간(111)을 배기한 다음에, 가스 도입구로부터 플라즈마 원료 가스를 도입한다. 그리고, 공전부(161) 및 자전부(162)를 회전시키면서, 전원(14)으로부터 고주파 안테나(13)에 고주파 전력을 도입하여, 진공용기(11) 내에 고주파 전자계를 생성한다. 이 고주파 전자계에 의해, 플라즈마 원료 가스의 분자가 전리해서 플라즈마 상태가 되고, 이 플라즈마에 의해, 피처리기체(21)의 표면에 에칭처리나 퇴적처리 등의 플라즈마 처리가 행하여진다.
본 실시예의 플라즈마 처리장치(10)에서는, 진공용기(11)의 내부공간(111)에 돌출시켜 설치한 안테나 지지부(12)에 의해서 안테나를 장착하는 부분의 면적을 비교적 작게 할 수 있으므로, 진공용기(11)의 벽면에 고주파 안테나(13)를 장착하는 경우보다도, 장착면측을 향하는 플라즈마의 손실을 억제할 수 있다.
또한, 본 실시예의 플라즈마 처리장치(10)에서는 공전부(161)에 의해 피처리기체(21)를 안테나 지지부(12)의 둘레에서 공전시키므로, 모든 피처리기체(21)에 대하여 같은 조건으로 플라즈마 처리를 행할 수 있다. 또한, 본 실시예의 플라즈마 처리장치(10)에서는 자전부(162)에 의해 피처리기체(21)를 자전시키므로, 각 피처리기체(21)의 표면에 균일하게 플라즈마 처리를 행할 수 있다.
특허문헌 2 및 비특허문헌 1에 기재된 종래의 플라즈마 처리장치에서는, 복수의 고주파 안테나가 진공용기의 벽면에 분산 배치되어 있다. 따라서, 소수의 고주파전원이나 임피던스 정합기에 고주파 안테나를 다수 접속하고자 하면 배선이 길어지게 되어 전력공급할 때의 파워 로스가 커지고, 이 파워 로스를 억제하기 위해서 고주파전원이나 임피던스 정합기를 다수 배치하면 코스트가 증가한다고 하는 문제가 있었다. 이에 반해서, 본 실시예의 플라즈마 처리장치에서는, 안테나 지지부(12)에 고주파 안테나(13)를 집중적으로 배치하므로, 종래보다도 짧은 배선이면 되고, 파워 로스와 코스트의 쌍방을 억제할 수 있다.
다만, 본 실시예에서는 안테나 지지부(12)에 원기둥 형상의 것을 이용했지만, 사각기둥 등의 다른 형상의 것을 이용할 수도 있다. 안테나 지지부(12)의 개수는 본 실시예와 같이 1개뿐이어도 좋고, 복수개이어도 좋다. 고주파 안테나(13)를 장착하는 부분의 면적을 작게 위해서, 그리고 고주파 안테나(13)에 전력 등을 공급할 때의 손실을 적게 하기 위해서는, 안테나 지지부(12)의 개수는 적게 (바람직하게는 1개만) 해서 고주파 안테나(13)를 집중적으로 배치하는 것이 좋다. 또한, 안테나 지지부(12)의 위치도 적절하게 변경할 수 있다. 고주파 안테나(13)의 개수도, 요구되는 플라즈마의 밀도의 크기나 균일성에 의해 적절하게 변경할 수 있다. 이들은, 이하에 서술하는 다른 실시예에 대해서도 마찬가지이다.
[실시예 2]
도 3에 나타낸 상면도를 이용하여, 제2 실시예의 플라즈마 처리장치(30)에 대해서 설명한다. 본 실시예의 플라즈마 처리장치(30)는, 평판 형상의 피처리기체(22)를 진공용기(31)의 내부공간(311)에 반입하고, 플라즈마 처리를 행한 후, 진공용기(31)로부터 반출한다고 하는 조작을 행하기 위한 장치이다.
본 실시예의 플라즈마 처리장치(30)는 팔각기둥 형상의 진공용기(31)를 가지며, 그리고 벽면의 중앙부근으로부터 진공용기(31)의 내부공간(311) 내에 돌출하도록, 육각기둥 형상의 안테나(플라즈마 생성수단) 지지부(32)가 1개 설치되어 있다. 안테나 지지부(32)의 육각기둥의 각 측면에는 각각, 고주파 안테나(플라즈마 생성수단)(33)가 복수개, 상하방향으로 1열로 배열하도록 설치되어 있다. 각 고주파 안테나(33)는, U자형의 안테나이며, 안테나 지지부(32)에는 U자 바닥의 부분이 진공용기(31)의 벽면측을 향하도록 방사상으로 장착되어 있다. 또한, 모든 고주파 안테나(33)는, 1개의 임피던스 정합기를 통하여 1개의 전원에 병렬로 접속되어 있다(미도시).
진공용기(31)의 8면의 측벽 중 1면에는 로드록 챔버(38)가 설치되어 있다. 로드록 챔버(38)에는, 내부공간(311)과의 사이에서 피처리기체(22)의 반출입을 행하기 위한 진공용기측 반출입구(381)와, 그 외부와의 사이에서 피처리기체(22)의 반출입을 행하기 위한 외부측 반출입구(382)가 마련되어 있고, 그 내부는 진공용기(31)의 내부공간(311)은 독립적으로 배기 가능하게 되어 있다. 내부공간(311)에는, 로드록 챔버(38)로부터 반입된 피처리기체(22)를 측벽을 따라 일주시키는 기체 반송장치(미도시)가 설치되어 있다.
그밖에, 제1 실시예와 마찬가지로 진공 펌프나 가스 도입구 등이 마련된다.
본 실시예의 플라즈마 처리장치(30)의 동작을 설명한다. 제1 실시예와 마찬가지로 내부공간(311)에 플라즈마를 생성한다. 그리고, 피처리기체(22)를 순차, 외부로부터 로드록 챔버(38)를 통하여 내부공간(311)에 반입하고, 기체 반송장치에 의해 소정의 시간을 들여서 내부공간(311)을 일주시키고, 플라즈마 처리를 실시한다. 로드록 챔버(38)에 도달한 피처리기체(22)는 진공용기측 반출입구(381)로부터 로드록 챔버(38)에 반출되고, 진공용기측 반출입구(381)의 문이 닫힌 후, 외부측 반출입구(382)가 개방되고, 외부에 반출된다. 그리고, 다음의 피처리기체(22)가 로드록 챔버(38)에 반입되고, 조금 전과는 반대의 순서로 내부공간(311)에 반입된다. 이렇게 해서 다수의 피처리기체(22)가 순차 연속적으로 플라즈마 처리된다.
본 실시예의 플라즈마 처리장치(30)는 내부공간(311)에 플라즈마를 생성한 상태인 채로 피처리기체(22)의 반입/반출을 행하므로, 플라즈마 처리를 중단하지 않고 효율 좋고, 게다가 다수의 피처리기체를 연속적으로 처리할 수 있다. 또한, 모든 피처리기체(22)에 대하여 같은 조건으로 플라즈마 처리를 행할 수 있다.
[실시예 3]
도 4에 나타낸 상면도를 이용하여, 제3 실시예의 플라즈마 처리장치(40)에 대해서 설명한다. 본 실시예의 플라즈마 처리장치(40)는 띠 형상의 필름으로 이루어지는 필름 형상 피처리기체(23)의 표면에 플라즈마 처리를 행하기 위한 장치이다.
본 실시예의 플라즈마 처리장치(40)는 직방체 형상의 진공용기(41)를 가지며, 그 상벽면의 중앙부근으로부터 진공용기(41)의 내부공간(411) 내에 돌출하도록, 육각기둥 형상의 안테나(플라즈마 생성수단) 지지부(42)가 1개 설치되어 있다. 또한, 제2 실시예의 플라즈마 처리장치(30)와 마찬가지로, 안테나 지지부(42)에는 고주파 안테나(43)가 설치되어, 1개의 임피던스 정합기를 통하여 1개의 전원에 병렬로 접속되어 있다(미도시).
안테나 지지부(42)를 둘러싸도록, 필름 형상 기체유지부(46)가 설치되어 있다. 필름 형상 기체유지부(46)는, 안테나 지지부(42)에 평행한 원기둥 형상의 대(大)롤러(461)와, 안테나 지지부(42)에 평행하고 대롤러(461)보다도 직경이 작은 원기둥 형상의 소(小)롤러(462)를 가진다. 대롤러(461)는 안테나 지지부(42)의 주위에 60°간격으로 합계 6개 배치되어 있다. 소롤러(462)는 각 대롤러(461)의 외주에 1쌍씩, 합계 12개 배치되어 있다. 또한, 이웃하는 2개의 대롤러(461)의 측방에, 안테나 지지부(42)에 평행하게 원기둥 형상의 롤러로 이루어지는 송출부(471) 및 취입부(472)가 설치되어 있다.
그밖에, 제1 및 제2 실시예와 마찬가지로, 진공 펌프나 가스 도입구 등이 마련된다.
플라즈마 처리장치(40)의 동작을 설명한다. 우선, 송출부(471)에 감겨 있던 필름 형상 피처리기체(23)를 이하와 같이 필름 형상 기체유지부(46) 및 취입부(472)에 장착한다. 우선, 송출부(471)에 인접하는 제1 소롤러(462A), 제1 소롤러(462A)에 인접하는 제1 대롤러(461A), 제1 대롤러(461A) 및 제1 소롤러(462A)에 인접하는 제2 소롤러(462B), ..., 취입부(472)에 인접하는 제12 소롤러(462L)의 순으로 건다. 그리고, 필름 형상 피처리기체(23)의 일단(一端)을 취입부(472)에 고정한다.
다음으로, 진공 펌프에 의해 내부공간(411)의 공기를 제거한 다음에, 가스 도입구로부터 플라즈마 원료 가스를 도입하여, 전원으로부터 고주파 안테나(43)에 고주파 교류전류를 도입함으로써, 내부공간(411)에 플라즈마를 생성한다. 그와 함께, 취입부(472)의 롤러를 회전시킴으로써, 필름 형상 피처리기체(23)를 송출부(471)로부터 필름 형상 기체유지부(46)를 거쳐서 취입부(472)에 받아 넣는다. 이 동안, 필름 형상 피처리기체(23)의 일방의 표면(피처리면)이 플라즈마에 노출되어, 그로써 피처리면에 에칭이나 퇴적 등의 플라즈마 처리가 실시된다.
제3 실시예의 플라즈마 처리장치에 의해서, 피처리면의 전체면에 걸쳐서 플라즈마 처리를 행할 수 있다. 그때, 필름 형상 피처리기체(23)를 차례로 이동시키므로, 필름 형상 피처리기체(23) 표면에서의 처리를 균일하게 행할 수 있다. 또한, 고주파 안테나(43)가 필름 형상 피처리기체(23)에 둘러싸여 있으므로, 생성된 플라즈마도 필름 형상 피처리기체(23)에 둘러싸이고, 그 결과로서 플라즈마를 낭비없이 필름 형상 피처리기체(23)의 처리에 이용할 수 있다.
제3 실시예에 있어서도 제1 실시예와 마찬가지로, 안테나 지지부(42)나 고주파 안테나(43)의 형상, 개수, 위치 등은 적절하게 변경할 수 있다.
10 : 제1 실시예의 플라즈마 처리장치
11, 31, 41 : 진공용기
111, 311, 411 : 내부공간
12, 32, 42 : 안테나 지지부(플라즈마 생성수단 지지부)
13, 33, 43 : 고주파 안테나(플라즈마 생성수단)
14 : 전원
15 : 임피던스 정합기
16 : 기체유지부
161 : 공전부
162 : 자전부
163 : 지주
21 : 피처리기체
23 : 필름 형상 피처리기체
30 : 제2 실시예의 플라즈마 처리장치
38 : 로드록 챔버
381 : 진공용기측 반출입구
382 : 외부측 반출입구
40 : 제3 실시예의 플라즈마 처리장치
46 : 필름 형상 기체유지부
461 : 대(大)롤러
462 : 소(小)롤러
471 : 송출부
472 : 취입부

Claims (9)

  1. ⒜ 진공용기와,
    ⒝ 상기 진공용기의 내부공간 내에 돌출하도록 설치된 플라즈마 생성수단 지지부와,
    ⒞ 상기 플라즈마 생성수단 지지부에 장착된 1개 또는 복수개의 플라즈마 생성수단
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 플라즈마 생성수단이 고주파 안테나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    복수개의 상기 플라즈마 생성수단을 상기 플라즈마 생성수단 지지부로부터 상기 진공용기의 벽면을 향해서 방사상으로 배치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플라즈마 생성수단 지지부를 둘러싸도록 복수개의 피처리기체(基體)를 유지하는 기체유지부를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 기체유지부가 상기 피처리기체를 상기 플라즈마 생성수단 지지부의 둘레로 회전시키는 공전부를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  6. 청구항 4 또는 청구항 5에 있어서,
    상기 기체유지부가 상기 피처리기체를 자전시키는 자전부를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  7. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    필름 형상의 기체가 상기 플라즈마 생성수단 지지부를 둘러싸도록 상기 필름 형상 기체를 유지하는 필름 형상 기체유지부를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    띠 형상의 상기 필름 형상 기체를 상기 필름 형상 기체유지부에 순차 송출하는 송출부와, 상기 필름 형상 기체를 상기 필름 형상 기체유지부로부터 순차 취입하는 취입부를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  9. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 진공용기 내와 상기 진공용기 밖의 사이에서 피처리기체를 반입/반출하기 위한 로드록 챔버를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
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