KR20100072061A - 살균 특성을 갖는 금속의 제조 방법 - Google Patents

살균 특성을 갖는 금속의 제조 방법 Download PDF

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제임스 티모시 쇼크로스
마틴 에드워드 리 픽포드
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Abstract

금속 산화물은 산화 용액과 접촉하여 금속 물체를 양극 산화하고, 이어서 양극 산화된 금속 물체를 반전된 전압(양극 산화 전압에 비교하여)을 받게 함으로써 처리된다. 이와 같이 처리된 금속 물체는 이어서 살균 금속 함유 용액과 접촉한다. 살균 금속은 금속 물체의 표면 상에 퇴적되어, 향상된 살균 특성을 생성한다.

Description

살균 특성을 갖는 금속의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING METAL WITH BIOCIDAL PROPERTIES}
본 발명은 살균 특성(biocidal property)을 제공하기 위한 금속의 처리 방법에 관한 것이다. 특히 배제적인 것은 아니지만, 본 발명은 신체가 신체 상에 또는 신체 내에 배치된 금속 또는 금속 물체와 접촉하게 될 때, 신체 내의 염증 또는 감염을 감소시키기 위해 사용될 수 있는 처리된 금속에 관한 것이다.
금속 재료는 예를 들어 임플란트가 사용되는 수술에서와 같이 다수의 상황에서 신체와 접촉하게 되는데, 이들 임플란트는 신체의 조직 내에 삽입되어 연조직 또는 경조직이 된다. 예를 들어 뼈의 암 치료의 경우에, 암 발생 뼈 조직이 제거되고, 보철 금속 임플란트가 제거된 뼈의 해당 부분을 치환하는데 사용된다. 임플란트는 또한 관절(예를 들어, 둔부) 내의 또한 치과 및 악안면 수술과 같은 다른 분야에서 뼈의 부분 또는 완전 치환을 위해 사용된다. 상기(및 다른) 용도를 위한 임플란트는 티타늄 금속 또는 티타늄 합금으로 이루어질 수 있다. 티타늄 금속 및 티타늄 합금은 생체 적합성이고 비교적 강하고 비교적 경량이다.
또한, 금속은 보석 산업에서 신체와 접촉하게 된다. 다수의 보석이 금과 같은 순금속을 사용하는 것보다 저가인 금속 합금으로 제조된다. 그러나, 보석의 경우에, 금속 합금은 이들이 불순물을 함유하여 이 불순물이 발한시에 수분과 반응할 수 있다는 단점을 갖는다. 또한, 금속 합금의 피트 발생(pitting)이 발한시에 염소 이온의 존재에 기인하여 발생할 수 있고, 이는 금속 합금이 손상된 피부와 접촉하게 되는 경우 피부 감염을 초래할 수 있는 박테리아가 축적되는 부위를 유발할 수 있다. 염증 및 감염은 신체를 관통하는 보석 뿐만 아니라 착용자가 민감성 피부를 갖는 경우에 피부 옆에 놓이는 보석에 대해서도 발생할 수 있다.
알 수 있는 바와 같이, 의료 및 보석 분야의 양자 모두에서, 신체 조직과 접촉하게 되는 금속의 사용은 감염을 도입하거나 감염이 발생하는 위험을 발생시킨다. 양 분야에서, 금속 은이 금속 상에 전기 도금될 수 있는 것이 제안되어 왔다. 은은 살균 특성을 갖는 것으로 알려져 있고, 은은 대상체에 독성 효과를 발생시키지 않고 감염을 제어한다. 그러나, 이러한 코팅은 체액으로부터의 부식 및/또는 임플란트 표면의 패시베이션에 기인하여 언더컷(undercut)될 수 있어, 코팅이 금속으로부터 탈착될 수 있는데, 이는 증가된 마모를 유도할 수 있고 은을 함유하는 탈착된 입자로부터의 조직 손상을 유발할 수 있다.
본 발명은 감염의 위험을 감소시킬 수 있는 내구성 및 살균 특성의 모두를 갖는 양극 처리된 금속을 제공함으로써 종래 기술과 관련된 문제점을 극복하기 위한 것이다. 본 발명은 또한 바이오필름 형성의 방지에 사용될 수 있다. 본 발명은 의료 분야, 보석 산업을 포함하는 다수의 기술 영역 및 예를 들어 개인이 펜을 사용하고, 칼붙이 또는 다른 가정용 또는 산업용 물품을 취급하고, 안경을 착용할 때 금속이 신체와 접촉하게 될 수 있는 다른 영역에서 용례를 갖는데, 이는 감염의 위험이 최소화될 필요가 있는 건강 관리 산업에 추가의 용례를 가질 수 있다. 실제로, 본 발명은 본 발명의 방법에 따라 양극 산화되어 있는 금속 물품이 피부 또는 신체 조직과 접촉하게 되는 모든 영역에서 용례를 갖고, 특히 본 발명은 티타늄 또는 이들의 합금과 같은 금속으로 형성된 금속 물품에 적용 가능하다.
본 발명의 제 1 양태에 따르면, 금속 물체와 일체이고 살균 재료를 포함하는 표면층을 그 상부에 형성하기 위해 상기 금속 물체를 처리하는 방법이 제공되고, 이 방법은
(a) 표면층을 위한 기판을 제공하기 위한 상기 금속 물체를 용매를 함유하는 양극 산화 전해질 내에 침지시키고, 금속 물체 상에 양극 산화된 일체형 표면층을 형성하기 위해 금속을 패시베이션하는 단계와,
(b) 일체형 표면을 통해 기판 내로 피트들을 생성하기 위해 전위를 계속 인가하는 단계와,
(c) (i) 양극 산화 전해질과 접촉하면서 단계 (a) 및 (b) 중에 양극 산화되어 있는 금속 물체에 네거티브 전압을 인가하거나, (ii) 단계 (a) 및 (b) 중에 양극 산화되어 있는 상기 금속 물체를 티타늄 또는 기판 금속의 환원형 가용성 염을 함유하는 전해질 용액과 접촉시키고 네거티브 전압을 인가하거나, (iii) 단계 (a) 및 (b) 후에 금속 물체를 화학 환원제와 접촉시킴으로써 수화 금속 산화물을 생성하는 단계와,
(d) 단계 (c)로부터 발생한 양극 산화된 상기 금속 물체를 양극 산화 전해질, 전해질 용액 또는 화학 환원제로부터 제거하거나 분리하고, 양극 산화된 상기 금속 물체를 살균 재료를 함유하는 용액과 접촉시켜 상기 살균 재료를 상기 표면층 내로 혼입하는 단계를 포함한다.
단계 (c)에서 인산염은 수화 금속 산화물에 부가하여 또는 그 대안으로서 생성될 수 있는 것이 고려된다.
살균 재료를 함유하는 용액과 접촉하기 전에 양극 산화 전해질을 제거하기 위해 임플란트를 헹구는 것이 바람직하다.
단계 (a) 및 (b)에서의 양극 산화 후에, 표면 피트 내에 포함된 용액은 기판 금속의 페록시 양이온 착물을 함유할 수 있는데, 이는 단계 (c)에서 (i) 제한된 용해도의 수화 금속 산화물로 전기 화학적으로 환원될 수 있는 것으로 고려된다. 전해질 용액은 단계 (c)에서 (ii) 페록시 양이온 착물(complex)을 함유할 수 있고, 이는 피트 내에서 수화 티타니아(hydrous titania)로 전기 화학적으로 환원될 수 있는 것이 또한 고려된다. 예를 들어, 티타늄을 포함하는 물체의 양극 산화 후에, 페록시티타닐과 같은 재료인 양극 산화 용액으로부터의 금속 물체의 제거는 금속 물체의 표면 내의 피트에서 환원 용액 내로 운반될 수 있고 여기서 단계 (c)에서 수화 티타니아로 환원될 것이다(iii).
재차 수화 금속 산화물이 생성되는 화학 환원의 경우, 화학 환원제는 이하의 재료, 아황산나트륨(sodium sulphite), 2가철염(클로라이드 또는 설페이트), 아질산나트륨(sodium nitrate), 주석 클로라이드 또는 설페이트, 2가크롬 클로라이드 또는 설페이트, 바나듐 설페이트, 하이드라진, 보로하이드라이드, 또는 적합한 조건하에서 심지어 아세톤 또는 포름알데히드 중 하나 이상으로부터 선택될 수 있다.
전압 반전(voltage reversal)과 같은 첨가된 화학 환원제를 갖는 전해질 용액의 사용은 생성되는 수화 금속 산화물을 생성하고, 이들 산화물은 높은 표면적을 갖는다. 높은 표면적은 은과 같은 재료와의 증가된 이온 교환을 허용하고, 이는 살균 재료로서 사용될 수 있다.
바람직하게는, 단계 (b)에서, 금속 물체는 피트가 상기 표면층을 통해 기판 금속 내로 형성될 때까지 양극 산화되고, 단계 (d)에서 살균 재료는 상기 피트 내에 혼입된다. (a) 초기 패시베이션 프로세스를 포함하고, 즉 표면 필름을 성장시킴으로써 피트 형성을 위한 표면을 준비하고, (b) 그 자체를 피트 형성하는 단계를 갖는 2단 프로세스가 존재한다.
양극 산화 중에 인가된 최대 전압은 부동 산화물 필름의 두께를 규정할 수 있다. 이후에 인가된 낮은 전압은 필름 두께에 영향을 미칠 수 없다.
패시베이션 중의 전압은 제한값으로 시간에 따라 선형적으로 증가하는 전압 또는 최대 한계까지 단계식 전압으로서 인가될 수 있거나, 낮은 후속값으로의 강하가 적용될 수도 있다. 다수의 패시베이션이 사용될 수 있는데 여기서 전압은 피트 형성을 위한 금속 표면을 준비하기 위해 반복적으로 인가되는 것이 또한 고려된다. 이들 상이한 유형의 인가 전압은 모두 전압을 인가하는 전의 내에 오게 된다.
단계 (d)에서 이동 전에, 잔류 전해질을 제거하기 위한 양극 산화된 금속의 헹굼이 존재하고 이어서 금속 물체 상의 표면층 내의 살균 금속 이온의 혼입을 최대화하기 위해 살균 금속을 함유하는 용액과의 후속의 접촉이 존재한다. 헹굼은 물 또는 임의의 적절한 용매를 사용함으로써 이루어질 수 있다.
단계 (a) 및 (b)의 양극 산화 절차 중에, 포지티브 전압이 금속에 인가된다. 프로세스 (i) 또는 (ii)의 단계 (c) 중에, 전압은 반대 개념으로 금속에 인가되고, 즉 반전되고, 이는 단계 (c)에 관련하여 본 명세서에 언급된 네거티브 전압이다. 단계 (b)의 종료 후에 피트를 생성하는데 사용되는 전압 반전이 발생하는 것이 바람직하다. 피트(pit)라는 것은, 살균 재료를 저장할 수 있는 우물 또는 저장조를 의미한다. 양극 산화 및 후속 단계의 결과로서, 금속 물체는 양극 산화된 층으로 형성되고 표면으로부터 성장되는 경질 외부면을 갖고(이는 일반적으로 ~0.3 내지 1.0 ㎍/cm2 Ag를 흡착할 수 있음), 이 층의 표면 내에 분산된 것은 이온과 같은 살균 재료의 추가의 이온을 수용할 수 있는 피트이다. 살균 재료를 수용하는 피트 내에 포함된 매트릭스는 비교적 연성이고 양극 산화된 표면에 대해 다공성이고, 따라서 더 경질의 양극 산화된 표면을 형성하는 재료와 더 높은 은 저장 용량의 최적 특성을 조합한다.
살균 재료는 살균 금속을 포함할 수 있고, 특히 살균 금속은 은이다. 콜로이드형 살균 재료가 예를 들어 신체 내의 부위 내로 또한 영양소를 해제할 수 있는 수화 티타니아 표면 상에 흡착된 단백질 콜로이드에 사용될 수 있고, 이는 임플란트가 위치되는 신체의 치유를 지원할 수 있다.
단계 (a)에서의 포지티브 전압은 15 내지 200 V(볼트)일 수 있지만, 일반적으로 리튬 보레이트와 같은 높은 파괴 전위를 갖는 전해질 내에서 30 V 내지 150 V의 범위 또는 심지어 최대 750 V 또는 2000 V이다. 유용한 것으로서 고려되고 있는 전압은 예를 들어 35 V 또는 100 V이고, 이들은 임플란트의 분야에서 특히 유용하다. 원하는 두께, 경도 및 색상의 부동층의 성장 후에(단계 a), 피트가 상이한 전해질 내의 표면 내에서 가능하게는 낮은 전위에서, 예를 들어 개별 단계로서 100 V에서 2.1 M HPO4로 성장될 수 있고, 이어서 수화 티타니아를 적소에 형성하기 위해 전해 환원 단계가 이어진다.
네거티브 전압의 크기는 용매의 전기 분해를 발생시키는데 불충분하도록 유지되거나 조절될 수 있다. 네거티브 전압의 크기는 주어진 시간 기간 동안 환원 전류의 통과를 통한 표면의 흡수 용량에 영향을 주고, 통과된 전하는 흡착제 매트릭스의 생성 및 따라서 금속 물체의 표면 내로 이후에 혼입되는 살균 재료(예를 들어 은과 같은 금속)의 양에 직접 관련된다. 네거티브 전압의 크기가 주어진 시간 기간에 걸쳐 너무 낮으면, 이후에 혼입되는 살균 금속의 양은 원하는 살균 특성의 레벨을 제공하는데 불충분할 수 있지만, 프로세스는 이를 극복하기 위해 더 긴 시간 동안 진행되도록 허용될 수 있다. 균형은 살균/정균성 효과를 생성하는데 요구되는 살균 재료의 레벨을 생성하고 상업적으로 가능한 시간 프레임 내에 재료를 포함하는 네거티브 전압을 제공한다. 환원 전류를 모니터링함으로써 금속 물체의 표면 내로 이후에 혼입될 원하는 살균 금속의 양을 가능하게 하면서 전해질의 전기 분해를 유발하지 않는 네거티브 전압의 크기를 결정하는 것이 가능하다.
네거티브 전압은 적어도 금속 물체를 통한 전류가 원하는 흡착 용량을 생성하기 위해 충분한 전하의 통과를 유발할 때까지 인가될 수 있다. 일반적으로, 이 전류는 그 초기값의 80% 미만, 더 일반적으로 그 초기값의 60% 이하로 강하될 것이다. 그러나, 20%로 강하된 전류를 위한 값이 프로세스가 예를 들어 최대 2분인 더 긴 시간 기간 동안 수행되도록 허용되는 경우에 인가될 수 있다.
바람직하게는, 살균 재료(예를 들어, 은과 같은 금속)가 이온의 형태의 용액 내에 제공된다. 살균 금속은 은일 수 있거나 은을 포함할 수 있지만, 다른 재료가 은에 추가하여 또는 그 대안으로서 사용될 수 있다.
금속 물체의 금속은 티타늄을 포함할 수 있거나, 니오븀, 탄탈 또는 지르코늄 또는 이러한 금속을 포함하는 합금을 포함할 수 있다.
양극 산화는 용액 pH를 원하는 범위 내로 제어하기 위해 더 희석된 용액을 제조하기 위해 희석제 내에 용해되어 있는 인산을 바람직하게 포함하는 액체 전해질을 이용하여 수행될 수 있다. 전해질은 용매로서 물을 포함할 수 있다. 황산, 인산염 용액 또는 아세트산과 같은 다른 전해질이 사용될 수 있다. 수산화나트륨과 같은 알칼리성 전해질이 또한 사용될 수 있다. 이들 전해질은 희석된 형태로 예를 들어 2.1 M H3PO4, 0.1 M H2SO4인 것이 바람직하다.
바람직하게는, 양극 산화 단계 중의 금속 물체의 표면에 대한 양극 산화 중의 전해질의 이동 또는 순환은 적어도 미시적 피트가 상기 표면층 (b)을 통해 형성될 때의 기간 중에 실제로 가능한 정도로 억제되거나 금지되지만, 완만한 교반이 높은 전류가 흐를 때 패시베이션 단계 (a) 중에 바람직하고, 따라서 국부 가열 효과의 생성을 최소화한다. 이는 단일 항목에 걸쳐, 그러나 또한 동시에 처리되는 유닛의 조립체 사이의 프로세스 균일성을 향상시키는데 유리하다. 예를 들어, 피트 성장 기간 (b) 중에, 전해질의 교반이 수행되지 않는 것이 바람직하고, 그리고/또는 전해질 이동을 방지하거나 감소시키기 위한 수단(전해질의 점도를 증가시키기 위한 겔화제와 같은 배플 또는 첨가제 등)이 이용될 수 있다. 미시적 피트가 기판 양극 산화된 표면층을 통해 기판 금속 내로 형성될 때 전해질이 양극 산화 단계 (b)의 부분 중에 금속 물체의 표면에 대해 이동되거나 순환되지 않을 때 증가된 레벨의 수화 금속 산화물(예를 들어 수화 티타늄 산화물)이 형성되는 것으로 판명되었다. 더 높은 레벨의 살균 금속은, 최종 금속 산화물이 사용될 때 독성 효과를 상승시키지 않고 이와 같이 양극 산화된 표면 상의 부위 내로 혼입될 수 있다는 것이 또한 판명되었다.
인산은 0.01 M 내지 5.0 M, 일반적으로 0.1 M 내지 3.0 M의 범위, 특히 2.0 M의 농도를 가질 수 있다. 의료 분야에 사용된 농도의 예는 0.05 내지 5.0 M, 예를 들어 1.0 내지 3.0 M이고, 보석 산업에서는 0.01 M 내지 5.0 M이다. 바람직하게는, 산성 전해질의 pH는 0.5<pH<2.0의 범위, 더 이상적으로는 0.75<pH<1.75의 범위 이내로 유지되어야 한다.
알칼리성 전해질이 사용되면, pH는 7 초과이고, 바람직하게는 9 초과이고, 더 일반적으로는 pH는 10 내지 14의 범위이다. 알칼리성 전해질은 Na3PO4와 같은 인산염일 수 있다.
예를 들어, 티타늄을 포함하는 의료용 임플란트의 경우에, 인산의 몰 농도가 2.0 M일 때 네거티브 전압은 Ag/AgCl 표준 기준 전극에 대해 -0.2 내지 -0.7 V의 범위의 크기를 가질 수 있다. Ag/AgCl 표준 기준 전극에 대한 이 전압 범위는 -0.7 V 미만에서 물 용매의 전기 분해를 회피하도록 선택될 것이다. 적은 네거티브 전압(예를 들어, -0.1 V)은 더 적은 실버 로딩이 마무리된 금속 내에서 얻어져서, 더 작은 환원 전류의 통과에 기인하는 그 살균 특성을 감소시키는 효과를 가진다.
다른 금속 기판 또는 양극 산화 전해질이 인산, 황산 또는 아세트산 대신에 사용되는 경우에, 네거티브(즉, 반전) 전압의 크기는 pH 또는 심지어 온도의 변화와 같은 팩터에 기인하여 원하는 효과를 제공하도록 조정될 필요가 있을 수 있다.
양극 산화된 금속 물체는 용매(예를 들어, 물)로 처리되어(예를 들어, 헹궈짐) 상기 이온 교환을 수행하기에 앞서 전해질 및 가용성 양이온을 제거할 수 있다.
금속 물체의 기하학적 표면적은 처리되는 항목의 기하학적 모델과 조합된 컴퓨터 지원 설계(CAD), 캘리퍼스, 마이크로미터 및 자(ruler)와 같은 표준 측정 디바이스, 또는 레이저 스캐닝과 같은 더 진보된 광학 방법의 사용과 같은 통상의 수단에 의해 결정될 수 있다. 그러나, 이 측정은 금속의 미시적 표면 특징 또는 표면 거칠기를 고려하지 않는다. 이 미시적 표면적은 얼마나 많은 전하가 양극 산화 단계 중에 통과되는지를 결정하고 제어하는 중요 요소이다(예를 들어, 쿨롱/cm2). 미시적 표면적은 예를 들어 전해질 내에서 금속 물체(정형외과 임플란트와 같은)의 침지에 의해 그리고 2중층 커패시턴스를 측정하고 온도 및 전해질 농도의 동일한 조건하에서 보정된 표준을 이와 비교함으로써 결정될 수 있다. 따라서, 미시적 표면적 당 전하 또는 전류, 예를 들어, 쿨롱/cm2 또는 mA/cm2은 일반적으로 양극 산화 프로세스의 제어에 사용된다. 미시적 면적 대 기하학적 면적의 비는 표면 거칠기 팩터로서 알려져 있고 일 면적을 다른 면적으로 변환시키는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 기하학적 면적에 기초하는 10 ㎍/cm2 은 로딩은 2의 거칠기 팩터에 대해 미시적 면적 기초로 5 ㎍/cm2 은 로딩에 대응할 것이다. 기하학적 면적당 은 로딩, 예를 들어 ㎍/cm2은 일반적으로 정형외과 임플란트를 위해 사용된다.
양극 산화는 0.1 내지 100 mA/cm2, 바람직하게는 0.1 내지 50 mA/cm2, 또는 더 일반적으로 1 내지 10 mA/cm2, 예를 들어 5 mA/cm2 또는 그 정도의 범위의 최대 전류 밀도로 수행될 수 있다. 이는 패시베이션, 즉 전류가 상당히 낮은 값으로 강하할 때 0으로부터 최대값(예를 들어 100 V)으로의 인가된 전위의 상승을 위해 취해지는 시간을 결정한다. 대안적으로, 시간 또는 전압 단계에 따라 선형적으로 증가하는 인가된 전압은 패시베이션 기간을 제어하기 위해 인가될 수 있고, 이는 이어서 후속의 피트 성장 단계 (b)에 대한 영향을 가질 것이다. 개략적으로, 일반적으로, 프로세스의 피트 성장부에 사용된 부동 전류 밀도의 초기값은 일반적으로 0.05 내지 0.5 mA/cm2의 범위이고, 이 위상의 종점에서 전류 밀도를 위한 값은 일반적으로 0.2 내지 2.0 mA/cm2의 범위이다.
양극 산화를 위해 이용된 전하의 양(단계 a 및 b)은 1 내지 10 쿨롱/cm2, 예를 들어 2 내지 5 쿨롱/cm2의 범위일 수 있다. 양극 산화 전류는 0.5 내지 8 시간, 더 구체적으로는 1 내지 6 시간, 예를 들어 2 내지 4 시간의 기간 중에 통과될 수 있다.
네거티브 전압은 적어도 금속 물체를 통한 전류가 그 인가시에 초기 환원 전류에 대해 낮은 값, 예를 들어 바람직하게는 그 초기값의 20% 이하(예를 들어 0 또는 실질적으로 0으로 수렴)로 강하할 때까지 금속 물체에 인가될 수 있다. 개략적으로, 일반적으로, 프로세스에 사용된 환원 전류 밀도의 초기값은 0.05 내지 2.0 mA/cm2의 범위이고, 환원 전압 위상의 종점에서의 전류 밀도를 위한 값은 0.01 내지 0.4 mA/cm2이다. 전류가 적합하게 낮은 값으로 강하할 때까지 네거티브 전압이 인가되는 시간은 300초 미만일 수 있고, 일반적으로 120초 미만일 수 있다.
본 발명은 또한 이 설명에 이어지는 청구범위 중 하나 이상에 설명된 바와 같은 금속 물체를 처리하는 방법을 제공한다.
본 발명의 추가의 양태에 따르면, 전술되고 이하에 설명되는 방법에 의해 얻어진 금속 물체가 제공된다.
금속 물체는 임플란트, 의료 도구 또는 디바이스 또는 보석의 형태일 수 있다. 특히, 의료 도구 또는 디바이스의 경우, 이는 예를 들어 페이스 메이커, 스텐트, 피부 스테이플, 외과용 메스, 투관침, 뼈용 핀 또는 수술 중에 사용되는 외과용 메스 또는 조직 클램프와 같은 의료 도구와 같은 신체와 접촉하게 되는 임의의 유형의 디바이스 또는 기구를 포함할 수 있다.
금속 물체는 인간이건 동물이건간에 재료와 접촉하게 되는 개인에 대한 독성 효과 없이 감염을 억제하고 그리고/또는 제어하기 위한 바람직한 살균 특성을 갖는다.
본 발명에 따른 임플란트는 전체 및 부분 둔부 치환, 악안면, 외상, 입 구강, 정형외과 용례, 관절경 디바이스, 치과 임플란트, 심장 혈관 및 일반 수술에 사용된 신경계 장치 및 부분(스테이플, 네일 및 핀과 같은)을 포함하는 다수의 의료 및 수술 목적을 위해 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 금속 물체로부터 제조될 수 있는 보석은 모든 유형의 보석을 포함할 수 있다. 보석은 반지, 목걸이 및 팔찌와 같은 통상의 보석일 수 있고, 또는 보석은 신체 내의 구멍 내에 유지되는 유형, 예를 들어 경피적으로 신체에 적용되는 보석일 수 있는데, 즉 예를 들어 입술, 뺨 등과 같은 신체의 다른 살 부분을 통해 삽입될 귀걸이, 코걸이, 반지와 같은 보석이 신체를 관통한다.
본 발명에 따른 임플란트 또는 보석을 제조하는데 사용될 수 있는 금속은 티타늄 또는 티타늄 합금일 수 있다. 이 목적을 위한 일 표준 합금은 6% 알루미늄 및 4% 바나듐(영국 표준 7252)을 갖는 티타늄 90%이다. 대안적으로, 금속은 니오븀, 탄탈 또는 지르코늄, 또는 이들 금속의 합금을 포함할 수 있다.
신체를 관통하기 위한 임플란트 또는 보석에 대해, 재료의 표면은 양극 산화에 의한 표면층의 생성 전에 고도로 연마되는 것이 바람직할 수도 있다. 임플란트의 경우, 고도로 연마된 표면은 임플란트가 뼈와 접촉하게 될 때 국부 석회화를 위한 임의의 경향을 감소시킨다. 연마된 표면은 또한 최소 프레팅(fretting) 또는 마모를 갖고 표면 상에 근육 및 조직의 원활한 이동을 허용한다. 적합한 연마는 (예를 들어) 기계적 연마 및/또는 전해 연마와 같은 공지된 기술에 의해 얻어질 수 있다.
금속 물체는 매우 평활한 표면을 제공하도록 초기에 연마될 수 있다. 티타늄 합금은 아세트산 또는 질산 및 불화수소산을 사용하여 전해 연마될 수 있다. 대안적으로, 재료는 기계적 연마와 양극 패시베이션의 조합을 받게될 수 있고, 이는 전해 리니싱(electrolinishing)이라 칭할 수 있고, 이 프로세스는 표면 거칠기를 보호하는 산화물을 제거하고, 이 지점에서 표면은 전기 화학적으로 재패시베이션되고, 따라서 경면 평활 마감부를 생성한다. 황산과 혼합된 질산, 수산화나트륨, 인산 나트륨, 아세트산 또는 아질산 나트륨과 혼합된 수산화나트륨을 포함하는 다양한 전해질이 이 목적을 위해 적합하다. 그릿 블래스팅(grit blasting) 또는 쇼트 블래스팅(shot blasting) 또는 쇼프 피닝(shot peening)과 같은 기술이 또한 표면을 준비하는데 사용될 수 있다(예를 들어, 국부화된 뼈 부착물을 자극하기 위해 살균 이온 로딩 후에 플라즈마 스프레이함으로써 하이드록시아파탄이트의 후속의 인가를 위해). 또한, 표면은 거친 표면을 제공하기 위해 티타늄으로 스프레이 코팅될 수 있다.
금속 물체의 표면의 연마 또는 다른 처리 후에, 표면 개질 또는 변환이 발생할 수 있다. 몇몇 인산염을 포함할 수 있는 수화된 금속 산화물 재료의 층이 적합한 전해질 내에서 양극 산화함으로써 형성되어, 최종층이 금속의 표면으로부터 형성된다. 살균 금속 종, 예를 들어 이온은 이어서 수성 염 용액으로 양극 산화된 금속 표면을 처리함으로써 후속의 단계에서 산화물 및/또는 인산염 매트릭스 내로 흡수되거나 흡착될 수 있다. 살균 금속 종은 이온의 형태, 예를 들어 은 이온(또는 Cu++)일 수 있고, 이들 이온은 이어서 산화물 및/또는 인산염 매트릭스 또는 이들의 혼합물 내로 이온 교환에 의해 흡수/흡착될 수 있다. 팔라듐, 플래티늄 또는 심지어 루테늄의 양이온은 유사한 방식으로 흡수될 수 있다. 원한다면, 퇴적된 은, 플래티늄 또는 팔라듐 이온은 이어서 금속 또는 산화물 또는 인산염 표면 코팅 내에서 불용성 RuO2로 변환된 루테늄 이온으로 변환되고, 이 반응은 화학적으로 또는 전기 화학적으로 또는 광에 의해 수행된다.
본 발명은 단지 비한정적인 예로서만 제공된 본 발명의 실시예를 참조하고 첨부 도면을 참조하여 더 설명된다.
본 발명에 따르면, 감염의 위험을 감소시킬 수 있는 내구성 및 살균 특성 모두를 갖는 양극 처리된 금속이 제공된다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표면 코팅 중에 사용된 전압 및 전류의 개략도.
도 2는 패시베이션 프로세스 중에 상이한 유형의 산을 사용하는 전류 반전의 사용을 도시하는 도면.
도 3은 본 발명에 따른 금속 물체의 표면의 부분을 통한 개략 단면도.
도 4는 네거티브 전압의 사용 및 사용이 없는 3개의 샘플에서의 피트(pit) 내의 은의 로딩의 비교를 도시하는 도면.
도 1은 티타늄 금속 물체의 양극 산화에 사용되는 일반적인 전류 및 전압 레벨을 도시한다. 전압은 실선으로, 전류는 파선으로 도시되어 있다. 그래프는 시간 경과(t)에 따라 인가된 전류(Amp) 및 전압(V)을 나타낸다. 전압(축적대로 도시되지 않음)은 예를 들어 100 V로 증가되고, 이 스테이지에서 금속의 표면의 패시베이션(P로 도시됨)이 발생하고, 이는 티타늄 금속 기판과 일체인 재료를 생성한다. 전압의 초기 인가 중에, 전위는 일반적으로 2.5 내지 10 mA/cm2의 범위에 있을 수 있는 전류 제한기를 사용하여 제어될 수 있지만, 더 높은 레벨이 사용될 수 있다. 전류 제한 기간 중에, 전원으로부터 공급된 인가된 전위는 산화물 필름의 두께가 성장함에 따라 점진적으로 증가한다. 전압은 금속의 표면 재료에 요구되는 특성에 따라 선택되는 미리 결정된 한계로 증가된다. 전압 한계, 예를 들어 100 V에 도달할 때, 전류는 예를 들어 1 mA/cm2 미만의 낮은 레벨로 강하되고, 이 전류 레벨의 강하는 패시베이션이 발생되었음을 지시한다. 일단 패시베이션이 발생하면, 전압은 패시베이션된 금속 표면(SE로 도시됨)의 표면 가공을 허용하도록 유지되고 피트가 표면에 형성된다. 전압 레벨 및 전압을 인가하기 위해 선택된 시간은 적용 범위(coverage) 및 표면에 요구되는 피트의 치수에 따라 선택될 수 있다. 이 금속 표면의 패시베이션 및 표면 가공은 단계 (x)로서 도시된다. 일단, 요구된 포맷에 대한 패시베이션 및 피트의 생성이 완료되면, 금속 물체는 관찰된 네거티브 전류를 생성하는 전압 반전(VR로 도시됨)을 받게 된다. 이 네거티브 전압의 인가는 도시된 바와 같이 단계 (y)에서 발생한다. 선택된 전압 및 전압이 인가되는 시간 길이는 살균 효과를 발생시킬 수 있는 이온성 재료로 금속 표면의 로딩을 변경할 수 있다.
도 2는 금속 재료가 양극 산화를 위해 배치되는 황산(0.1 M) 또는 인산(2.1 M) 전해질 용액을 사용할 때 시간 경과에 따른 전압 및 전류 레벨의 변화의 자취를 도시한다. 알 수 있는 바와 같이, 각 프로세스에 대해 시간에 걸쳐 생성된 트레이스(trace)는 유사 형태를 따른다.
도 3에 도시된 바와 같이, 금속 물체는 임플란트에 대해 사용되지만, 동일한 프로세스가 또한 보석을 생성하는데 사용될 수 있거나 또는 의료용 디바이스 또는 임플란트를 생성하는데 또한 사용될 수 있다.
임플란트(30)는 먼저 세척된다. 세척 프로세스는 액상으로서 제 1 아세톤(또는 다른 탈지 용매)을 사용하여 초음파 세척하고, 다음에 신선한 아세톤(또는 다른 용매)으로 이어서 탈이온화수 또는 임의의 다른 적합한 헹굼 용액으로 헹굼으로써 이루어질 수 있다. 금속 재료는 1 M의 수산화나트륨의 수용액(또는 다른 알칼리성 세척제) 내에서 세척되고 이어서 탈이온화수 내에서 헹궈질 수 있다. 최종 세척된 금속 재료는 이어서 인산의 수용액과 접촉하여 양극 산화된다. 인산의 농도는 바람직하게는 0.5 내지 5 M, 일반적으로 1 내지 3 M, 예를 들어 2 M(또는 약 20 중량 %의 용액)의 범위이다. 임플란트는 15 내지 150 V, 더 일반적으로는 50 내지 150 V, 예를 들어 100 V의 범위의 전압을 사용하여 양극 산화된다. 양극 산화 용액의 농도는 0.01 M 내지 5 M, 일반적으로 0.1 M 내지 3 M, 특히 2 M이고, 사용된 전압은 15 내지 200V, 일반적으로 30 V 내지 150 V의 범위, 예를 들어 35 V이다. 이러한 범위는 또한 보석에 적용될 수 있다.
전압은 바람직하게는 양극 산화된 표면층을 통해 기판 내로의 피트 또는 피트 형성된 구역의 원하는 성장이 얻어질 때까지 유지된다. 바람직하게는, 양극 산화 중의 표면을 통한 전류 밀도가 모니터링된다. 초기 필름 성장 기간 중의 적합한 전류 밀도 한계는 일반적으로 약 5 mA/cm2이고, 전압은 임플란트 상의 양호하게 양극 산화된 표면을 생성하기 위한 최대 일정값으로 상승한다. 전위는 단일 단계에서 그 최대값으로 인가될 수 있거나, 단계에서 예를 들어 30 V로부터 80V 내지 100 V로 인가될 수 있다. 대안적으로, 전위는 0.1 내지 10 V/s, 바람직하게는 0.5 내지 5 V/s, 이상적으로는 1 내지 2 V/s의 제어된 속도로 그 최대값으로 선형적으로 증가하여 인가될 수 있다. 원하는 양극 산화의 정도는 일반적으로 임플란트의 표면적의 2 내지 5 쿨롱/cm2의 전하가 통과된 후에 얻어진다. 바람직하게는, 양극 산화 프로세스는 1 내지 6 시간, 예를 들어 2 내지 4 시간의 기간에 걸쳐 수행된다. 적합한 전하가 약 3.5 쿨롱/cm2일 것이다.
티타늄에 기초하여 이와 같이 양극 산화된 임플란트의 표면은 티타늄 산화물을 포함하는 경질층(34) 및 피트 또는 피트가 형성된 구역(36)을 포함한다. 피트 및/또는 피트 형성된 구역(36)은 티타늄 산화물을 함유하는 것으로 고려되고, 또한 가용성 티타늄 화합물을 함유할 수 있다. 피트는 일반적으로 0.14 ㎛(100 V에서)의 부동층을 통해 기판 내로 통과하는 최대 2 내지 3 ㎛의 깊이를 갖고, 최대 5 ㎛의 직경을 갖는다. 피트는 5 내지 20%의 표면적, 바람직하게는 10% 미만을 점유할 수 있다. 그러나, 인가된 전압 및 처리의 시간 길이에 따라, 피트에 대한 소정 직경의 깊이 및 직경이 존재할 수 있고, 예를 들어 깊이는 1 내지 5 ㎛, 더 일반적으로는 1 내지 4 ㎛의 범위일 수 있고, 직경은 0.1 내지 20, 더 일반적으로는 1 내지 10 ㎛, 또는 1 내지 5 ㎛일 수 있고, 이들 범위는 임플란트의 표면을 가로질러 변경될 수 있다.
전술된 양극 산화 단계 후에, 전압은 양극 산화 단계 중에 전압(및 따라서 전류 흐름)에 비교하여 반전 개념으로 양극 산화 용액을 통해 인가된다. 즉, 임플란트는 네거티브 극성을 받는다. (예를 들어) 2.0 M 수성 인산 용액으로의 처리 중에, "반전 개념" 전압[즉, 양극 산화 단계 중에 전압(및 전류 흐름)에 대해 반전됨]이 -0.2 내지 -0.7 V, 예를 들어 -0.3 내지 -0.6 V, 더 구체적으로는 -0.40 내지 -0.55 V의 범위, 그리고 약 -0.45 V로 예시되는(Ag/AgCl 표준 기준 전극에 대해 측정될 때) 전압이 인가되어 용매, 즉 물이 전기 분해되지 않지만 환원 프로세스가 실시될 수 있는 것을 보장한다. 반전된 전압의 기간 동안, 특정 티타늄 종이 피트 내에서 높은 표면적, 낮은 용해도의 수화 티타늄 산화물 종으로 전기 화학적으로 환원되는 것으로 고려된다. 이 수화 티타늄 산화물 종은 0.5 내지 2의 범위 이내의 전해질에서 비교적 낮은 용해도를 갖고, 그 결과 양극 산화된 표면층을 통해 기판 금속 내에 형성될 피트가 이 높은 표면적 무기 매체로 충전되는 것으로 고려된다. 반전된 전압이 인가됨에 따라, 임플란트를 통한 전류는 초기의 높은 값으로부터 강하하고, 결국 0 또는 실질적으로 0으로 저하된다. 전류의 강하는 피트 내의 저용해도 수화 티타니아 종의 형성을 초래하는 환원성 티타늄 종의 고갈에 기인하는 것으로 고려된다. 실질적으로 수화 티타니아로의 완전한 환원은 일반적으로 0.005 내지 0.2 쿨롱/cm2의 범위, 예를 들어 0.01 내지 0.05 쿨롱/cm2의 범위의 캐소드 변화 후에 얻어진다. 반전된 전류가 예를 들어 피크값의 60% 미만, 바람직하게는 20% 미만, 바람직하게는 0 또는 그 정도로 충분히 강하되지 않을 때, 반전된 전위가 정지된다. 절차의 반전된 전류부의 강하는 60 내지 180초 소요될 수 있다. 전체 양극 산화 프로세스는 1 내지 5 시간, 예를 들어 2 내지 4 시간, 일반적으로 2.5 내지 3.5 시간, 예를 들어 3.0 시간 또는 그 정도의 범위의 시간 기간에 만족스럽게 실시된다.
이 전위 반전 스테이지가 화학적으로 합성된 용해된 페록시티타닐염을 함유하는 양극 산화 전해질의 용액 내에서 발생하는 것[예를 들어, 과산화수소를 함유하는 산성 전해질 용액 내에 Ti(OH)4를 용해시킴으로써]이 또한 가능하다. (등가의 프로세스가 알칼리성 전해질을 사용하여 수행될 수 있다.) 이 필름의 반도체 특성에 기인하여 양극 산화된 항목의 패시베이션된 외부면에 어떠한 환원 반응도 발생하지 않을 것이지만, 이 필름을 통해 가공된 전기 활성 피트가 피트 내에 국부적으로 전자 환원 프로세스를 허용할 수 있다. 금속 기판, 특히 예를 들어 Nb, Ta, Zr 및 이들의 합금과 같은 비티타늄계 재료에 대해, 후속의 살균 흡착 전에 표면 내로 수화 티타니아 흡착제 매체를 도입하는 유용한 방법일 수도 있다. 흡착제는 예를 들어 지르코늄과 같은 임플란트가 제조되는 금속에 기초할 수 있지만, 비용 효율성을 위해 티타니아가 선호물로서 사용된다.
양극 산화 프로세스는 광학 간섭 효과에 기인하여 상이한 색상의 외관을 가질 수 있는 경질 표면을 형성한다. 양극 산화의 초기 단계 중에, 표면 색상은 금색으로부터 무색, 녹색, 황색, 오렌지색 및 최종적으로 적색/심홍색을 통해 심홍색, 청색으로 다양하다. 100 V에서의 양극 산화는 약 140 nm의 필름 두께를 생성한다. 전압의 변화는 양극 산화의 정도 및 따라서 경질 표면의 두께를 변경할 수 있고, 이는 이어서 형성된 색상에 영향을 준다. 상이한 전압은 예를 들어 2.0 M 인산에서 생성된 색상을 변경시키고, 대략 20 V, 최대 35 V가 예를 들어 임플란트 또는 보석과 같은 금속 상에 청색 색상을 생성할 것이다. 상이한 색상의 물품을 갖는 것은 상이한 미적 효과를 제공할 뿐만 아니라 임플란트와 같은 물품이 식별될 수 있게 하는데, 예를 들어 하나의 용도 또는 하나의 제조업자로부터의 임플란트가 색상 코딩될 수 있어 제거되거나 교체되어야 하고, 의료 전문의는 특정 유형을 갖는 것으로서 임플란트를 식별할 수 있고 이어서 동일한 유형의 다른 임플란트로 이를 교체할 수 있다. 보석의 경우, 상이한 색상은 상이한 정도의 매력을 제공하고 이는 특히 티타늄 기반 보석에 적용 가능하다.
일단 기공/피트가 금속의 표면 내에 형성되면, 금속 표면의 표면 가공이 또한 이용되어 금속 내의 피트 내에 살균 이온의 로딩이 증가될 수 있다. 일단 피트가 형성되면, 예를 들어 티타늄의 경우에 75 V인 후속의 증가된 전압이 금속 또는 그 합금에 인가되는 단계 (b) 중에 표면 가공이 존재할 수 있고, 이 전압의 인가는 표면 내에 결함이 존재하거나 작은 피트의 국부 영역이 존재하는 영역 내에 표면의 파괴가 발생한다. 높은 전압은 피트의 벽이 전기 활성 상태로 잔류하는 사실에 기인하여 직경의 확장 및 심도화에 의해 표면 내의 존재하는 피트/결함이 성장하게 된다. 예를 들어 35 V 초과 최대 75 V의 전압의 재차 증가는 피트 벽의 소정의 정도의 패시베이션을 초래하여, 임의의 후속의 전해질 활성도가 피트의 바닥에 집중될 수 있는데, 이는 피트 내에 퇴적된 임의의 이온 재료가 양극 산화된 표면 상에 돌출하는 것을 방지한다.
양극 산화 단계 및 환원 단계가 완료될 때(그리고 전술된 바와 같은 임의의 표면 가공 프로세스), 양극 산화된 임플란트의 표면이 탈이온화수로 헹굼되어 인산 잔류물 및 다른 가용성 재료를 제거한다. 이와 같이 세척된 임플란트는 다음에 본 예에서 은인 살균 재료를 포함하는 용액 내에 침지된다. 용액은 0.001 내지 10 M, 예를 들어 0.01 내지 1.0 M, 예를 들어 0.1 M 또는 그 정도의 범위의 은 농도를 갖는 질산은의 수용액이다.
처리된 임플란트는 0.5 내지 40 ㎍/cm2 또는 더 일반적으로는 2 내지 20 ㎍/cm2의 은 함량을 가질 수 있다. 은은 초기에 주로 이온 형태로 존재하지만, 광환원의 결과로서 수화 티타니아 흡착 매트릭스 내에 분산된 금속의 원자 클러스터로 적어도 부분적으로 변환될 수 있다. 일반적으로, ~0.3 내지 1 ㎍/cm2이 외부 부동층 상에 흡착되고, 나머지는 수화 티타니아 충전 피트 내에 저장된다.
도 4는 감소된 전압이 인가되는 6개의 샘플에 대한 그래프를 도시하고, 이들은 R1, R2 및 R5로서 도시된다. 어떠한 감소된 전압이 NR3, NR4 및 NR6에 인가되는 3개의 샘플이 또한 존재한다.
티타늄의 디스크는 20℃에서 5 mA/cm2의 전류 한계로 100 V의 초기 전압으로 2.1 M의 H3PO4에서 양극 산화되었다. 다음에, 전압은 -0.45 V(-0.05 V 내지 -1.0 V의 레벨)로 감소되고, 더 일반적으로는 -0.1 V 내지 -0.060 V가 사용될 수 있다. 이 단계는 "NR" 샘플에서 생략되었다. 은 로딩 프로세스는 1 시간 동안 0.1 M 질산은 내에 금속을 배치하는 것을 수반한다. 은 로딩(SL)은 기하학적 영역에 관련되는 ㎍/cm2으로서 나타낸다. 알 수 있는 바와 같이, 전압 감소가 있는 피트의 로딩은 어떠한 전압 감소도 인가되지 않을 때보다 상당히 향상된 로딩의 레벨을 나타낸다. 로딩의 증가는 최대 2의 팩터일 수 있다.
양극 산화 중에, TiO2 2 +는 피트 내의 양극 산화 조건하에서 티타늄 용해를 통해 인산염으로서 국부적으로 생성되는 것으로 고려된다. 후속의 반전시에, 이는 Ti(OH)4(수화 티타니아)로 환원될 수 있는데, 이는 약 0.5의 pH 초과의 전해질 내에서 본질적으로 불용성이고, 따라서 이 재료는 고체로서 피트/기공 내에 보유된다. 수화 티타니아는 질산은, AgNO3 용액과 접촉할 때 은 양이온과 같은 양이온으로 포화될 수 있는 무기 이온 교환 매체이고, 이는 은의 증가된 레벨을 생성한다. 수화 티타니아는 또한 금속 종으로의 은 양이온의 광환원을 위한 촉매로 공지되어 있고, 이는 흡착제 매트릭스 내의 분산된 금속 은으로의 흡착된 이온 은의 일부의 변환을 초래할 수 있다.
체액으로의 노출 중에, 양극 산화된 층으로부터의 은 종의 저속 침출이 존재하여, 금속 물체의 부근에서의 박테리아, 효모 또는 진균과 같은 미생물의 성장이 억제되는 것으로 고려된다. 침출은 금속 물체에 접촉하는 체액에서 나트륨과 금속 물체 상의 은의 이온 교환에 의해 실시되는 것으로 고려된다. 국부화된 산소 레벨에 의한 이온 종으로의 금속 은의 산화와 같은 다른 메커니즘이 발생하여 미생물의 성장 또는 바이오필름 형성을 제거하거나 억제할 수 있는 해제된 은 이온을 생성할 수 있다.
전술된 본 발명의 방법은 양극 산화 전해질로의 처리를 수반하는 금속 물체의 범위의 준비를 위해 이용될 수도 있다. 특히, 본 발명은 티타늄으로 형성되거나 티타늄 합금인 금속 물품과, 지르코늄, 니오븀, 탄탈 또는 이들의 합금의 금속 물품에 대한 용례를 갖는다.
본 발명의 방법에 의해 표면 내에 혼입된 은은 공지된 방법에 의해 종래에 얻어진 것보다 더 일정한 농도에 있고, 따라서 본 발명에 따른 신규한 임플란트의 살균 특성이 종래의 임플란트에 비교하여 향상된다. 예를 들어, 본 발명에 따른 동일한 조건 하에서 준비된 9개의 샘플 임플란트에서, 9.8 ㎍ Ag/cm2의 평균 은 로딩이 얻어졌다. 이 평균에 대한 값의 표준 편차의 비는 단지 6%이고 본 발명의 방법에 의해 얻어진 매우 얇은 범위의 은 로딩을 나타낸다. 이 높은 살균 금속 로딩의 농도는 임플란트에 매우 바람직하다. 본 발명에 따른 방법은 공지된 방법에 걸쳐 은 로딩 및 더 높은 은 로딩의 농도의 상당한 향상을 제공한다.
본 명세서에서의 살균 금속으로서의 은의 참조는 단독으로 또는 다른 살균 금속(들)과 조합하여 구리, 금, 플래티늄, 팔라듐 또는 이들의 혼합물과 같은 다른 살균 금속에 또한 적용된다는 것이 이해되어야 한다.
일단 하이드록시아파타이트와 같은 살균 재료가 도입되면 뼈 성장 재료가 금속 임플란트 상에 코팅될 수 있다는 것이 또한 고려된다.
본 발명의 개별 실시예가 설명되었지만, 개별 실시예의 조합이 청구되고 설명된 바와 같은 본 발명의 범주 내에 있다는 것이 이해되어야 한다.

Claims (26)

  1. 금속 물체와 일체이고 살균 재료를 포함하는 표면층을 상기 금속 물체 상부에 형성하기 위해 상기 금속 물체를 처리하는 방법으로서,
    (a) 상기 표면층을 위한 기판을 제공하기 위한 상기 금속 물체를 용매를 함유하는 양극 산화 전해질 내에 침지시키고, 상기 금속 물체 상에 양극 산화된 일체형 표면층을 형성하기 위해 상기 금속을 패시베이션하는 단계와,
    (b) 상기 일체형 표면을 통해 상기 기판 내로 피트들을 생성하기 위해 전위를 계속 인가하는 단계와,
    (c) (i) 상기 양극 산화 전해질과 접촉하면서 상기 단계 (a) 및 (b) 동안에 양극 산화되어 있는 상기 금속 물체에 네거티브 전압을 인가하거나, (ii) 상기 단계 (a) 및 (b) 동안에 양극 산화되어 있는 상기 금속 물체를 티타늄 또는 기판 금속의 환원형 가용성 염을 함유하는 전해질 용액과 접촉시키고 네거티브 전압을 인가하거나, (iii) 상기 단계 (a) 및 (b) 후에 상기 금속 물체를 화학 환원제와 접촉시킴으로써, 수화 금속 산화물 또는 인산염을 생성하는 단계와,
    (d) 상기 단계 (c)로부터 발생한 양극 산화된 상기 금속 물체를 상기 양극 산화 전해질, 상기 전해질 용액 또는 화학 환원제로부터 제거하거나 분리하고, 양극 산화된 상기 금속 물체를 살균 재료를 함유하는 용액과 접촉시켜 상기 살균 재료를 상기 표면층 내로 혼입하는 단계를 포함하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 단계 (b)에서 인가된 전위는 패시베이션 중에 인가된 것과 동일하거나 상이한 전위인 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 단계 (b)에서 사용된 전해질 용액은 상기 단계 (a)에서 사용된 것과 동일한 양극 산화 전해질 또는 상이한 전해질인 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전해질 용액은 주기율표의 IVa, Va 및 VIa족의 금속의 페록시 양이온 착물(complex)인 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 (b)의 양극 산화는 미시적 피트들이 상기 표면층을 통해 상기 기판 금속 내로 형성될 때까지 계속되는 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 네거티브 전압의 크기는, 상기 용매의 전기 분해를 발생시키는데 불충분하지만 상기 피트들 내의 전기 활성 종을 환원시키는데 충분하도록 유지되거나 조절되는 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 네거티브 전압은 적어도 상기 금속 물체를 통한 전류가 그 초기값의 60% 미만으로 강하될 때까지 인가되는 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 살균 재료는 살균 금속을 포함하는 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 살균 금속은 은을 포함하는 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 물체의 금속은 티타늄, 니오븀, 탄탈, 지르코늄 및/또는 합금을 포함하는 방법.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 양극 산화는 인산, 황산, 아세트산, 이들의 염 또는 알칼리성 염기를 포함하는 전해질을 이용하여 수행되는 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 수성 용매가 상기 전해질에 첨가되는 방법.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서, 상기 인산은 0.01 내지 5 몰의 범위의 농도를 갖는 방법.
  14. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서, 상기 인산은 1.0 내지 3.0 몰의 농도 범위를 갖는 방법.
  15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 네거티브 전압은 실질적으로 2.0 몰의 인산 농도에 대한 Ag/AgCl 기준 전극에 대해 -0.2 내지 -0.7 볼트의 범위의 크기를 갖는 방법.
  16. 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 상기 물체를 통한 전류가 그 초기값의 20% 이하의 값으로 강하될 때까지 상기 네거티브 전압이 상기 금속 물체에 인가되는 방법.
  17. 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서, 양극 산화된 상기 금속 물체는 용매로 처리되어 이온 교환 프로세스를 수행하기 전에 전해질 및 가용성 양이온들을 제거하는 방법.
  18. 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 양극 산화는 0.1 내지 25 mA/cm2의 범위의 전류 밀도로 수행되는 방법.
  19. 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 양극 산화는 초당 0.1 내지 10 V의 전압에서 수행되는 방법.
  20. 제 1 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서, 양극 산화를 위해 이용되는 전하의 양은 1 내지 10 쿨롱/cm2의 범위인 방법.
  21. 제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서, 포지티브 전압이 15 내지 200 볼트의 범위로부터 선택되는 방법.
  22. 제 1 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 양극 산화는 전해질의 존재하에 수행되고, 상기 금속 물체의 표면에 대한 상기 전해질의 이동 및 순환은 적어도 피트 성장 단계 중에 억제되거나 금지되는 방법.
  23. 본 명세서에 실질적으로 설명된 바와 같은 및/또는 첨부 도면을 참조하여 실질적으로 설명된 바와 같은 수술 절차에 사용하기 위해 구성된 금속 물체를 처리하는 방법.
  24. 제 1 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조된 금속 물체.
  25. 제 1 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조된 의료용 임플란트 또는 디바이스.
  26. 제 1 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 생성된 보석.
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