KR20090129478A - 이방성 도전 페이스트 - Google Patents

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KR20090129478A
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conductive paste
anisotropic conductive
solder particles
particle size
inorganic filler
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KR1020097021634A
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타다히코 사카이
히데키 에후쿠
유키나리 아베
사토미 가와모토
가오리 마츠무라
Original Assignee
나믹스 가부시끼가이샤
파나소닉 주식회사
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Abstract

본 발명은 고온 고습하에서도 신뢰성이 높은 전기 접속을 가능하게 하는 이방성 도전 페이스트, 및 상기 이방성 도전 페이스트를 이용한 접속을 포함하는 반도체 장치를 제공한다. 에폭시 수지, 이미다졸 화합물, 땜납 입자 및 절연성 무기 충전재를 포함하고, 땜납 입자의 평균 입자 치수보다도 절연성 무기 충전재의 평균 입자 치수가 작은 이방성 도전 페이스트이다.
이방성 도전 페이스트, 에폭시 수지, 이미다졸 화합물, 땜납 입자, 절연성 무기 충전재

Description

이방성 도전 페이스트{ANISOTROPIC CONDUCTIVE PASTE}
본 발명은 이방성 도전 페이스트, 및 상기 이방성 도전 페이스트를 이용한 접속 방법 및 상기 이방성 도전 페이스트를 이용한 접속을 포함하는 반도체 장치에 관한 것이다.
최근 들어, 전자 기기의 추가적인 경박 단소화 및 고주파화를 배경으로, 반도체칩을 직접 인쇄 배선판에 탑재하는 플립 칩 실장이 주목받고 있다. 그 중에서도, 칩의 단자에 범프를 설치하고, 이것을 배선판 상의 전극과 대향시켜, 양자간에 이방성 도전 페이스트를 개재시켜 열 압착시키는 방식이 열심히 연구되고 있다.
이방성 도전 페이스트에는 사용 공정에서의 단시간화의 요청에 따라, 에폭시-이미다졸 경화계 수지가 이용되고 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).
그러나, 에폭시-이미다졸 경화계 수지를 사용한 이방성 도전 페이스트를 이용한 경우, 흡수율이 높고, 특히 고온 고습하에서 페이스트의 경화물이 흡습되어 팽창하여, 전기 접속의 불량이 발생하기 쉽다는 문제가 있었다.
그 때문에, 실온에서 수중에 침지했을 때의 흡수율이 낮은 원료 성분을 선택함으로써 경화물의 흡습에 의한 불량을 방지하는 것이 제안되어 있다(예를 들면 특허 문헌 2 참조).
그러나, 에폭시 수지의 경화에 의해 수산기가 생성되어 흡수율이 상승하기 때문에, 원료 성분의 선택만으로 경화물의 흡수율을 감소시키는 것은 곤란하였다.
특허 문헌 1: 일본 특허 공개 (평)09-310057호 공보
특허 문헌 2: 일본 특허 공개 제2003-176473호 공보
<발명의 개시>
<발명이 해결하고자 하는 과제>
본 발명은 상기한 문제를 해결하여, 고온 고습하에서도 신뢰성이 높은 전기 접속을 가능하게 하는 이방성 도전 페이스트를 얻는 것을 제공하는 것을 목적으로 한다.
<과제를 해결하기 위한 수단>
본 발명자들은 예의 검토한 결과, 이방성 도전 페이스트의 도전 입자로서 땜납 입자를 사용하고, 또한 땜납 입자의 평균 입자 치수보다도 작은 평균 입자 치수를 갖는 절연성 무기 충전재를 배합하는 것이 고온 고습하에서도 양호한 전기 접속을 유지하는 데에 있어서 매우 유효한 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은 에폭시 수지, 이미다졸 화합물, 땜납 입자 및 절연성 무기 충전재를 포함하고, 땜납 입자의 평균 입자 치수보다도 절연성 무기 충전재의 평균 입자 치수가 작은 이방성 도전 페이스트이다. 본 발명의 이방성 도전 페이스트를 이용한 경우, 전자 기기의 실장에 있어서, 페이스트 중의 땜납 입자가 접속시키고자 하는 대상(예를 들면, 칩의 단자의 범프 및 배선판 상의 전극)과 합금화하여, 그 결과, 양자의 접속이 강고해지고 양호한 전기 접속이 유지되며, 또한 절연성 무기 충전재를 병용함으로써 흡습성의 저하가 도모된다고 생각된다.
<발명의 효과>
본 발명에 따르면, 고온 고습하에서도 신뢰성이 높은 전기 접속을 가능하게 하는 이방성 도전 페이스트를 제공할 수 있다. 또한, 상기 이방성 도전 페이스트를 이용하여, 고온 고습하에서도 신뢰성이 높은 전기 접속을 갖는 반도체 장치를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 이방성 도전 페이스트에 따르면, 단시간에 양호한 전기 접속이 가능해져, 생산성 향상도 도모할 수 있다.
[도 1] A는 실시예 1의 시차 주사 열 분석 곡선을 나타내고, L은 그의 기준선이다. a는 최대 발열 피크 온도를 나타낸다. B는 비교예 6의 시차 주사 열 분석 곡선을 나타내고, b는 최대 발열 피크 온도를 나타낸다. C는 실시예 1 및 비교예 6에서 사용한 땜납 입자의 시차 주사 열 분석 곡선을 나타내고, c는 최대 흡열 피크 온도를 나타낸다.
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
본 발명은 에폭시 수지, 이미다졸 화합물, 땜납 입자 및 절연성 무기 충전재를 포함하고, 땜납 입자의 평균 입자 치수보다도 절연성 무기 충전재의 평균 입자 치수가 작은 이방성 도전 페이스트이다.
본 발명에 있어서의 에폭시 수지는 특별히 한정되는 것이 아니고, 공지된 것 을 사용할 수 있다.
에폭시 수지로서는 공지된 것을 들 수 있고, 분자 중에 에폭시 결합을 2개 이상 갖는 것이면, 분자 구조, 분자량 등에 특별히 제한은 없지만, 에폭시 수지 자체가 상온에서 액상인 것이 바람직하다. 구체예로서는 디시클로펜타디엔형, 크레졸 노볼락형, 페놀 노볼락형, 비스페놀형(비스페놀 A형, 비스페놀 F형), 비페닐형 등의 각종 에폭시 수지를 들 수 있다. 에폭시 수지는 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
이미다졸 화합물은 특별히 한정되지 않으며 공지된 것을 사용할 수 있다. 구체예로서는 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 및 이들을 마이크로 캡슐화한 것 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다. 에폭시 수지 100 중량부에 대하여, 이미다졸 화합물은 10 내지 50 중량부인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 15 내지 30 중량부이다.
본 발명의 이방성 도전 페이스트는 땜납 입자를 포함한다. 땜납 입자는 도전 입자로서 기능하는 것이다. 땜납 입자는 융점 100 내지 350 ℃인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 130 내지 250 ℃이다.
땜납 입자로서는 Sn 함유 합금이 바람직하다. 여기서, Sn 함유 합금이란, Sn을 포함하는 합금을 말하며, Sn-Pb계 합금, Sn-Bi계 합금, Sn-Ag-Cu계 합금, Sn-Ag계 합금, Sn-Cu계 합금, Sn-Zn계 합금, Sn-Zn-Bi계 합금, Sn-Cu-Ni계 합금, Sn-Cu-Ni-Ge계 합금, Sn-Ag-Cu-Bi계 합금, Sn-Ag-In-Bi계 합금을 들 수 있다. Sn 입 자도 사용할 수 있다.
땜납 입자의 형상으로서는 특별히 한정되지 않으며, 구형, 인편형, 침형, 부정형 등을 들 수 있다. 페이스트의 작업성 면에서, 구형이 바람직하다.
땜납 입자의 평균 입자 치수로서는 0.5 내지 50 μm를 들 수 있다. 일반적으로, 이방성 도전 페이스트에 있어서는 실장시에 도전 입자가 용융ㆍ변형되어, 압착 방향 이외에 도통이 생기는 것을 피하기 위해서, 비교적 고융점의 도전 입자가 사용된다. 땜납 입자는 통상, 이들보다도 저융점이지만, 평균 입자 치수를 상술한 범위로 함으로써, 압착 방향 이외의 절연성의 유지를 용이하게 할 수 있다. 평균 입자 치수는, 바람직하게는 1 내지 40 μm이고, 보다 바람직하게는 3 내지 30 μm로 할 수 있다. 본 명세서에 있어서, 평균 입자 치수란, 구형의 경우에는 입경, 인편형의 경우에는 입자 박편의 장경, 침형의 경우에는 길이, 부정형은 최장 길이의 평균치를 말한다.
본 발명의 이방성 도전 페이스트는 추가로 절연성 무기 충전재를 포함한다. 절연성 무기 충전재를 배합함으로써 경화물의 선 팽창 계수를 작게 할 수 있다. 이것 외에, 본 발명에 있어서는 땜납 입자의 평균 입자 치수보다도 절연성 무기 충전재의 평균 입자 치수가 작으면, 양자의 병용에 의해, 절연성 무기 충전재 또는 땜납 입자를 단독으로 배합한 경우에 비해, 경화물의 흡습성이 대폭 저하되어 전기 접속의 신뢰성 향상이 도모되는 것이 발견되었다.
절연성 무기 충전재로서는 실리카, 알루미나, 질화알루미늄, 탄산칼슘, 규산알루미늄, 규산마그네슘, 탄산마그네슘, 황산바륨, 탄산바륨, 황산석회, 수산화알 루미늄, 규산칼슘, 티탄산칼륨, 산화티탄, 산화아연, 탄화규소, 질화규소, 질화붕소 등을 들 수 있다. 실리카, 알루미나, 질화알루미늄이 바람직하다.
흡습성 저하 면에서, 특히 실리카가 바람직하다. 실리카는 결정질 실리카, 비정질 실리카 모두 사용할 수 있지만, 비정질 실리카가 바람직하다. 또한, 용융 실리카, 퓸드 실리카, 분쇄 실리카 등을 사용할 수 있지만, 용융 실리카가 바람직하다. 실리카는 표면 처리를 한 것도 사용할 수 있다.
절연성 무기 충전재의 형상은 특별히 한정되지 않으며, 구형, 인편형, 침형, 부정형 등을 들 수 있다. 페이스트의 작업성 면에서, 구형이 바람직하다.
절연성 무기 충전재의 평균 입자 치수로서는 작업성 면에서, 0.01 μm 이상의 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 0.025 내지 25 μm이고, 특히 0.1 μm 초과, 10 μm 이하의 것이 바람직하다.
땜납 입자와 절연성 무기 충전재의 평균 입자 치수는 본 발명의 이방성 도전 페이스트로 접속시키는 접속 대상물에 따라서 적절하게 선택할 수 있지만, 본 발명에 있어서는 땜납 입자보다도 절연성 무기 충전재쪽이 작은 평균 입자 치수를 갖는다. 예를 들면, 기판끼리를 접속시키는 경우에는 땜납 입자의 평균 입자 치수가 20 내지 30 μm, 절연성 무기 충전재의 평균 입자 치수가 0.1 μm 초과, 10 μm 이하인 것이 바람직하고, 플립 칩 실장에 있어서, 칩과 전극을 접속시키는 경우에는 땜납 입자의 평균 입자 치수가 3 내지 7 μm, 절연성 무기 충전재의 평균 입자 치수가 0.1 μm 초과, 1 μm 이하이다. 또한, 땜납 입자의 평균 입자 치수를 절연성 무기 충전재의 최대 입자 치수 이상으로 함으로써, 접속성을 더욱 확실하게 할 수 있다.
땜납 입자는 이방성 면에서, 에폭시 수지 100 중량부에 대하여, 5 내지 900 중량부인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 40 내지 650 중량부이고, 보다 바람직하게는 50 내지 300 중량부이다.
절연성 무기 충전재는 신뢰성 및 페이스트의 작업성 면에서, 이방성 도전 페이스트 중, 2.5 내지 35 중량％인 것이 바람직하다.
본 발명의 이방성 도전 페이스트에는 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 다른 경화제, 도전 입자를 배합할 수 있고, 또한 실란 커플링제, 밀착성 부여제, 레벨링제, 계면활성제, 소포제, 점도 조정제, 요변성 조정제, 응력 조정제, 내열 안정제, 내광 안정제, 난연제, 표면 개질제, 방청제, 착색제, 분산제, 대전 방지제, 무기 섬유, 이온 트랩제, 내부 이형제, 증감제 등의 첨가제를 배합할 수 있다.
본 발명의 이방성 도전 페이스트의 제조 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 라이카이기(ライカイ機), 포트밀, 3축 롤밀, 회전식 혼합기, 2축 믹서 등의 혼합기에 각 성분을 투입하고, 혼합함으로써 제조할 수 있다.
본 발명의 이방성 도전 페이스트는 점도(25 ℃, HBT형 점도계, 회전수 50 rpm)가 약 1 내지 150 Paㆍs인 것이 도포 안정성, 도출 안정성 면에서 바람직하다.
본 발명의 이방성 도전 페이스트의 시차 주사 열 분석 곡선으로부터 구한 최대 발열 피크 온도는 땜납 입자의 시차 주사 열 분석 곡선으로부터 구한 최대 흡열 피크 온도보다 높은 것이 바람직하다. 여기서, 시차 주사 열 분석은 30 내지 300 ℃의 온도 범위를 매분 500 ℃로 등속 승온시킨다. 이러한 관계에 있으면, 이방성 도전 페이스트의 사용시에, 땜납 입자의 용융에 의해 땜납 입자 사이의 전기 접속 및 땜납 입자와 접속시키고자 하는 대상과의 합금화에 의한 전기 접속이 형성된 후, 에폭시 수지가 경화되기 때문에, 전기 접속이 한층 확실하게 되기 때문이다.
본 발명의 이방성 도전 페이스트의 시차 주사 열 분석 곡선으로부터 구한 전체 발열량에 대하여, 땜납 입자의 최대 흡열 피크 온도 이하의 온도에서의 발열량이 20％ 이하인 것이 바람직하다. 여기서, 시차 주사 열 분석은 30 내지 300 ℃의 온도 범위를 매분 500 ℃로 등속 승온시킨다. 이러한 관계에 있으면, 이방성 도전 페이스트의 사용시에, 땜납 입자가 용융하기 전에, 에폭시 수지가 실질적으로 경화되지 않고, 땜납 입자의 용융에 의해 땜납 입자 사이의 전기 접속 및 땜납 입자와 접속시키고자 하는 대상과의 합금화에 의한 전기 접속이 형성된 후, 에폭시 수지가 경화되기 때문에, 전기 접속이 한층 확실하게 되기 때문이다.
본 발명의 이방성 도전 페이스트는 플립 칩 실장에 있어서의 전기 접속에 사용할 수 있다. 예를 들면, 칩 단자의 범프와 배선판 상의 전극과의 접속 이외에, 전극과 전극의 접속, 기판과 기판의 접속에도 응용 가능하고, 반도체 장치의 제조에 있어서 유용하다. 특히, 접속 대상의 범프나 전극 표면의 재질이 Au, Cu, 땜납이면, 페이스트 중의 땜납 입자와 합금화하기 쉽고, 예를 들면 5초 이하의 단시간에 용이하게 강고한 접속을 얻을 수 있고, 생산성 면에서도 우수하다. 덧붙여서 말하면, 종래의 이방성 도전 페이스트는 전기 접속을 위해, 페이스트 중의 수지의 경화가 필수이고, 그 때문에 적어도 5초 정도는 필요로 한다.
일례를 예로 들면, 칩 단자에 범프를 설치하고, 이것을 배선판 상의 전극과 대향시켜, 양자간에 본 발명의 이방성 도전 페이스트를 개재시켜 열 압착시킬 수 있다. 보다 구체적으로는 본 발명의 이방성 도전 페이스트를 배선판 상의 전극 상에 디스펜서 등에 의해서 도포하고, 그 후, 칩 단자의 범프가 전극과 대향되도록 하고, 칩의 상측에서 열판으로 프레스하여, 칩을 배선판에 열 압착시킬 수 있다. 열판의 온도는 150 내지 400 ℃, 압력은 1 g/칩 내지 50 kg/칩, 시간은 0.1 내지 5초로 할 수 있다. 그 후, 열판을 벗겨 100 내지 250 ℃, 1 내지 180분으로 유지하고, 이방성 도전 페이스트를 포스트 경화시켜 접속을 완료시킬 수 있다.
이하, 실시예에 의해 본 발명을 상세히 설명하지만, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다. 표시는 언급이 없는 한, 중량부이다.
하기 표 1, 표 2에 나타내는 배합에 따라서, 실온에서 2시간, 롤밀로 성분을 혼련하고, 실시예 1 내지 7, 비교예 1 내지 8의 이방성 도전 페이스트를 제조하여, 실시예 및 비교예의 각 이방성 도전 페이스트를 얻었다.
Figure 112009063463724-PCT00001
Figure 112009063463724-PCT00002
땜납 입자 1: Sn-Bi 합금(Sn42:Bi58), 구형, 평균 입자 치수 5 μm
땜납 입자 2: Sn-Ag-Cu 합금(Sn96.5:Ag3.0:Cu0.5),
구형, 평균 입자 치수 5 μm
땜납 입자 3: Sn-Bi 합금(Sn42:Bi58), 구형, 평균 입자 치수 10 μm
도전 입자 1: Ni 가루, 구형, 평균 입자 치수 5 μm
수지 코어 금 도금 입자: 평균 입경 5 μm의 고무 입자 표면에 Ni와 Au를 도금한 것.
실리카 충전재 1: 구형 용융 실리카, 평균 입자 치수 0.5 μm, BET 비표면적 6 ㎡/g, 최대 입자 치수 5 μm
실리카 충전재 2: 구형 용융 실리카, 평균 입자 치수 6 μm, 최대 입자 치수 25 μm
실란 커플링제: γ-글리시독시프로필트리메톡시실란
요오도늄염: 요오도늄, (4-메틸페닐)[4-(2-메틸프로필)페닐]-헥사플루오로포스페이트(1-)와 프로필렌카르보네이트의 3:1의 혼합물
방향족 아민: 디아미노디에틸디페닐메탄
2MAOK: 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물
〔실장 샘플의 제조〕
평가에 이용한 실장 샘플은 이하와 같이 하여 제조하였다.
칩: 9.6 mm×9.6 mm. 범프 직경 85 μm, 높이 70 μm의 Au 스터드 범프가 피치 150 μm에서 240개 페리페럴형으로 배치된 IC칩.
배선판: 칩의 범프에 대응되는 위치에 Ni/Au 도금이 된 구리의 전극을 갖는 FR-4 기판.
배선판을 150 ℃, 30분의 조건에서 건조시킨 후, 각 이방성 도전 페이스트 20 mg을 디스펜서(이와시따 엔지니어링 제조 AD9000)를 이용하여, 칩에 대응되는 9.6 mm×9.6 mm 부분에 도포하였다. 그 후, 칩의 범프가 전극과 대향되도록 하고, 칩의 상측에서 열판으로 프레스하여, 칩을 배선판에 열 압착시키고(열 압착의 조건은 온도 270 ℃, 압력 12 kg/칩, 1초), 이어서 열판을 벗겨 포스트 경화시켰다(온도 150 ℃, 시간 30분). 비교예 8의 실장 샘플은 온도 270 ℃, 압력 12 kg/칩, 15초의 조건으로 열 압착을 행하였다.
〔평가〕
1. 합금의 형성
시험 1: 칩을 배선판으로부터 박리하여, 전극에 땜납 용융의 흔적이 있는지를 금속 현미경으로 확인하였다.
시험 2: 실장 샘플의 단면을 SEM에 의해 관찰하여, 범프-전극 사이에 땜납이 존재하는 것을 확인하였다.
시험 1 및 2에서 땜납의 존재가 확인된 경우를 ○, 그 이외의 경우를 ×로 하였다. 결과를 표 1, 표 2에 나타내었다.
2. 접속성(저항치 시험)
디지털 멀티 미터에 의해 저항치를 측정하였다. 접속이 떨어지는 경우를 ○, 오픈 불량의 경우를 ×로 하였다. 결과를 표 1, 표 2에 나타내었다.
3. 접속 강도
만능 시험기로 칩-배선판 사이의 전단 강도를 측정하여, 접속 강도로 하였다. 초기치와, PCT 시험(조건: 121 ℃, 2기압(포화), 20시간) 후의 값을 표 1, 표 2에 나타내었다.
4. 흡수율
상기 PCT 시험 후의 중량 변화를 측정함으로써 측정하였다. 흡수율(％)은 (PCT 시험 후의 실장 샘플의 중량-초기의 실장 샘플의 중량)/(초기의 실장 샘플의 중량)×100에 의해 구하였다. 결과를 표 1, 표 2에 나타내었다.
5. 시차 주사 열 분석
실시예 1과 비교예 6의 이방성 도전 페이스트 및 실시예 1과 비교예 6에서 사용한 땜납 입자 5 mg을 퍼킨 엘머(Perkin Elmer)사 제조 시차 주사 열 분석 장치(형번: 피리스(Pyris) 1)를 이용하여, 30 내지 300 ℃의 온도 범위를 매분 500 ℃로 등속 승온시켜 시차 주사 열 분석 곡선을 얻었다. 결과를 도 1에 나타내었다.
실시예 1 내지 7은 열 압착의 시간이 1초로 짧음에도 불구하고, 범프와 전극의 사이에 땜납과의 합금이 형성되어, 양호한 전기 접속이 얻어졌다. 또한, 고온 고습하에서도 접속 강도가 유지되었다. 한편, 실리카 충전재를 함유하지 않은 비교예 1은 흡수율이 크고, 고온 고습하에서 접착 강도가 저하되었다. 땜납 입자를 함유하지 않은 비교예 2 내지 4는 양호한 전기 접속이 얻어지지 않았다. 실리카 충전재의 평균 입자 치수가 땜납 입자의 평균 입자 치수보다도 큰 비교예 5는 양호한 전기 접속이 얻어지지 않았다. 이미다졸 화합물 이외의 경화제를 사용한 비교예 6과 7에서는 양호한 전기 접속이 얻어지지 않았다. 특히, 비교예 7은 이방성 도전 페이스트가 경화되지 않았고, 전기 접속, 접착 강도, 흡수율의 측정을 할 수 없었다. 비교예 8은 비교예 7에 대해서 열 압착 시간을 길게 한 예이지만, 그래도 양호한 전기 접속이 얻어지지 않았다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 실시예 1의 시차 주사 열 분석 곡선 A로부터 구한 최대 발열 피크 온도 a와 비교예 6의 시차 주사 열 분석 곡선 B로부터 구한 최대 발열 피크 온도 b는 각각 170 ℃, 128 ℃였다. 이것에 대하여, 땜납 입자 (1)의 시차 주사 열 분석 곡선 C로부터 구한 최대 흡열 피크 온도 c는 145 ℃였다. 실시예 1에서는 땜납 입자가 용융된 후, 에폭시 수지가 경화되기 때문에, 양호한 전기 접속이 얻어졌다고 생각된다. 이것에 대하여, 비교예 6에서는 땜납 입자의 용융보다 먼저, 에폭시 수지가 경화되어 버리기 때문에, 양호한 전기 접속이 얻어지지 않았다고 생각된다. 다음으로, 실시예 1의 시차 주사 열 분석 곡선에 있어서, 기준선 L에 대하여 발열을 나타낸 135 내지 220 ℃에서의 전체 발열량에 대하여, 땜납 입자의 최대 흡열 피크 온도 c 이하의 135 내지 145 ℃에서의 발열량은 9.3％였다. 이에 따라, 땜납 입자가 용융되기 전에, 에폭시 수지가 실질적으로 경화되지 않고, 땜납 입자가 용융된 후, 에폭시 수지가 경화되고 있기 때문에, 양호한 전기 접속이 얻어졌다고 생각된다.
본 발명에 따르면, 플립 칩 실장, 그 중에서도, 반도체칩의 단자에 범프를 설치하고, 이것을 배선판 상의 전극과 대향시켜, 양자간에 이방성 도전 페이스트를 개재시켜 열 압착시키는 방식에 있어서, 고온 고습하에서도 신뢰성이 높은 전기 접속을 가능하게 하는 이방성 도전 페이스트를 제공할 수 있다. 또한, 상기 이방성 도전 페이스트를 이용하여, 고온 고습하에서도 신뢰성이 높은 전기 접속을 갖는 반도체 장치를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 이방성 도전 페이스트에 따르면, 단시간에 양호한 전기 접속이 가능해져, 생산성 향상도 도모할 수 있다.

Claims (13)

  1. 에폭시 수지, 이미다졸 화합물, 땜납 입자 및 절연성 무기 충전재를 포함하고, 땜납 입자의 평균 입자 치수보다도 절연성 무기 충전재의 평균 입자 치수가 작은 이방성 도전 페이스트.
  2. 제1항에 있어서, 에폭시 수지 100 중량부에 대하여, 땜납 입자가 5 내지 900 중량부인 이방성 도전 페이스트.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 에폭시 수지 100 중량부에 대하여, 이미다졸 화합물이 10 내지 50 중량부인 이방성 도전 페이스트.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 이방성 도전 페이스트의 시차 주사 열 분석 곡선으로부터 구한 최대 발열 피크 온도가 땜납 입자의 시차 주사 열 분석 곡선으로부터 구한 최대 흡열 피크 온도보다 높고, 여기서, 시차 주사 열 분석은 30 내지 300 ℃의 온도 범위를 매분 500 ℃로 등속 승온시킨 것인 이방성 도전 페이스트.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 이방성 도전 페이스트의 시차 주사 열 분석 곡선으로부터 구한 전체 발열량에 대하여, 땜납 입자의 최대 흡열 피크 온도 이하의 온도에서의 발열량이 20％ 이하이고, 여기서, 시차 주사 열 분석은 30 내지 300 ℃의 온도 범위를 매분 500 ℃로 등속 승온시킨 것인 이방성 도전 페이스트.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 땜납 입자가 Sn 함유 합금인 이방성 도전 페이스트.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 땜납 입자의 평균 입자 치수가 0.5 내지 50 μm인 이방성 도전 페이스트.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 절연성 무기 충전재가 실리카인 이방성 도전 페이스트.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 절연성 무기 충전재의 평균 입자 치수가 0.025 내지 25 μm인 이방성 도전 페이스트.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 이방성 도전 페이스트 중의 절연성 무기 충전재가 2.5 내지 35 중량％인 이방성 도전 페이스트.
  11. 전자 기기의 실장에 있어서, 접속 대상물끼리를 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 이방성 도전 페이스트를 개재시켜 열 압착시키는 것을 포함하는 접속 방법.
  12. 제11항에 있어서, 접속 대상물의 한쪽이 칩 단자의 범프이고, 다른 한쪽이 배선판 상의 전극인 접속 방법.
  13. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 이방성 도전 페이스트를 이용한 접속을 포함하는 반도체 장치.
KR1020097021634A 2007-03-19 2008-03-19 이방성 도전 페이스트 KR20090129478A (ko)

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JPJP-P-2007-071346 2007-03-19
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160130738A (ko) * 2014-03-07 2016-11-14 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 도전 페이스트, 접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5542470B2 (ja) * 2009-02-20 2014-07-09 パナソニック株式会社 はんだバンプ、半導体チップ、半導体チップの製造方法、導電接続構造体、および導電接続構造体の製造方法
JP5842084B2 (ja) * 2010-09-27 2016-01-13 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体部品実装基板
KR101365107B1 (ko) * 2012-09-21 2014-02-20 제일모직주식회사 이방성 도전 필름 및 이를 포함하는 반도체 장치
TWI499775B (zh) * 2013-01-28 2015-09-11 Tanaka Precious Metal Ind 氣體感測電極形成用之金屬膏
JP2015098588A (ja) * 2013-10-17 2015-05-28 デクセリアルズ株式会社 異方性導電接着剤及び接続構造体
JP6347635B2 (ja) * 2014-03-19 2018-06-27 デクセリアルズ株式会社 異方性導電接着剤
JP2014209624A (ja) * 2014-04-18 2014-11-06 パナソニック株式会社 回路基板と半導体部品との接合部構造
JP6430148B2 (ja) * 2014-05-23 2018-11-28 デクセリアルズ株式会社 接着剤及び接続構造体
JP6419457B2 (ja) * 2014-05-23 2018-11-07 デクセリアルズ株式会社 接着剤及び接続構造体
KR102368748B1 (ko) * 2014-05-23 2022-02-28 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 접착제 및 접속 구조체
JP2016054296A (ja) * 2014-09-01 2016-04-14 積水化学工業株式会社 接続構造体の製造方法
JP6294973B2 (ja) * 2015-08-24 2018-03-14 積水化学工業株式会社 導電材料及び接続構造体
CN108251030A (zh) * 2016-12-28 2018-07-06 株式会社田村制作所 各向异性导电糊及电子基板的制造方法
JP7249549B2 (ja) * 2019-03-19 2023-03-31 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 樹脂組成物およびこれを含む異方性導電フィルム、並びに電子装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3648277B2 (ja) * 1995-01-12 2005-05-18 株式会社東芝 半導体装置
JPH1021746A (ja) * 1996-07-02 1998-01-23 Toshiba Chem Corp 異方性導電膜
TW505686B (en) * 1996-07-15 2002-10-11 Hitachi Chemical Ltd Film-like adhesive for connecting circuit and circuit board
US6833180B1 (en) * 1997-07-04 2004-12-21 Nippon Zeon Company, Ltd. Adhesive for semiconductor part
JP2001184949A (ja) * 1999-12-24 2001-07-06 Asahi Kasei Corp 異方導電性材料
JP4463208B2 (ja) * 2003-10-10 2010-05-19 旭化成イーマテリアルズ株式会社 潜在性硬化剤および組成物
JP4867181B2 (ja) * 2005-03-17 2012-02-01 富士電機株式会社 電子部品実装用熱硬化性樹脂組成物
JP4626495B2 (ja) * 2005-11-16 2011-02-09 日立化成工業株式会社 回路接続用接着剤

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160130738A (ko) * 2014-03-07 2016-11-14 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 도전 페이스트, 접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법

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