KR20090086906A - Ⅲ－ⅴ 반도체 태양 전지를 이용한 집중식 태양광 시스템 모듈 - Google Patents

Ⅲ－ⅴ 반도체 태양 전지를 이용한 집중식 태양광 시스템 모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR20090086906A
KR20090086906A KR1020090003929A KR20090003929A KR20090086906A KR 20090086906 A KR20090086906 A KR 20090086906A KR 1020090003929 A KR1020090003929 A KR 1020090003929A KR 20090003929 A KR20090003929 A KR 20090003929A KR 20090086906 A KR20090086906 A KR 20090086906A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
solar cell
solar
diode
optical
disposed
Prior art date
Application number
KR1020090003929A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101224923B1 (ko
Inventor
게리 헤링
미카일 카츠
앨런 고렌즈
스콧 엘맵
루 팡
Original Assignee
엠코어 솔라 파워 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엠코어 솔라 파워 인코포레이티드 filed Critical 엠코어 솔라 파워 인코포레이티드
Publication of KR20090086906A publication Critical patent/KR20090086906A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101224923B1 publication Critical patent/KR101224923B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S20/00—Supporting structures for PV modules
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S40/00—Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
    • H02S40/20—Optical components
    • H02S40/22—Light-reflecting or light-concentrating means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/044—PV modules or arrays of single PV cells including bypass diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0508—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/052—Cooling means directly associated or integrated with the PV cell, e.g. integrated Peltier elements for active cooling or heat sinks directly associated with the PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0543—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the refractive type, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0547—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the reflecting type, e.g. parabolic mirrors, concentrators using total internal reflection
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

태양 전지 모듈은 렌즈의 어레이, 대응하는 2차 광학적 구성요소 및 대응하는 태양 전지 수신기를 포함한다. 태양 전지 수신기는 하나 이상의 Ⅲ－Ⅴ 화합물 반도체 층을 가진 태양 전지, 태양 전지와 평행하게 연결된 다이오드, 및 다른 태양 전지 수신기에 연결하기 위한 커넥터를 포함한다. 모듈은 각 렌즈가 그 각각의 태양 전지 상으로 태양 에너지를 집중시키도록 렌즈를 지지하는 하우징을 포함한다.
태양광 시스템, 태양 전지, 태양 전지 수신기

Description

Ⅲ－Ⅴ 반도체 태양 전지를 이용한 집중식 태양광 시스템 모듈{CONCENTRATED PHOTOVOLTAIC SYSTEM MODULES USING Ⅲ－Ⅴ SEMICONDUCTOR SOLAR CELLS}
본 발명은 Ⅲ－Ⅴ화합물 반도체 다중접합 태양 전지를 이용한 집중식 태양광 시스템 어레이에서의 이용을 위한 모듈 또는 서브어셈블리(subassembly)에 관한 것이다.
역사적으로, (우주 및 지구상에서 모두) 태양 발전은 주로 실리콘 태양 전지에 의해 제공되었다. 하지만, 과거 몇년 동안, 우주용 고효율 Ⅲ－Ⅴ 화합물 반도체 다중접합 태양 전지의 대량 제조는 지구상에서의 발전(terrestrial power generation)에 대한 대체 기술을 고려할 수 있도록 하였다. 실리콘에 비하여, Ⅲ－Ⅴ 화합물 반도체 다중접합 전지는 일반적으로 방사 저항(radiation resistant)이 더 강하고, 보다 큰 에너지 변환 효율을 가지지만, 제조하는데 더 많은 비용이 드는 경향이 있다. 현재 일부의 Ⅲ－Ⅴ 화합물 반도체 다중접합 전지는 27%를 초과하는 에너지 효율을 가지나, 실리콘 기술은 일반적으로 약 17% 효율에만 그친다. 집 중(집중도; concentration)에 있어서, 현재 일부의 Ⅲ－Ⅴ 화합물 반도체 다중접합 전지는 37%를 초과하는 에너지 효율을 가진다.
대체로, 다중접합 전지는 n-p 극을 가지고, InGaP/(In)GaAs/Ge 반도체 구조의 수직 스택(vertical stack)으로 구성된다. Ⅲ－Ⅴ 화합물 반도체 다중접합 태양 전지층(solar cell layer)은 전형적으로 게르마늄(germanium : Ge) 기판에서 금속 유기 화학적 기상 증착법(MOCVD : Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)을 통해 성장된다. Ge 기판의 이용은 접합이 n- 및 p- 형 Ge 사이에서 형성되도록 하여, 바닥 또는 저대역 갭 서브전지(low band gap subcell)를 형성하기 위한 기판을 이용한다. 태양 전지 구조는 전형적으로 약 86 ㎎/㎠의 평균 질량 밀도로 100-㎜ 직경의 Ge 웨이퍼에서 성장된다. 일부 공정에서, MOCVD 성장 공정 중에 12 또는 13 Ge 기판을 홀딩(hold)하는 플래터(platter) 전역의 에피택셜층의 균일성(uniformity)은 99.5% 보다 더 좋다. 각 웨이퍼는 전형적으로 2개의 대면적 태양 전지(large-area solar cell)를 산출한다. 생산용으로 공정된 전지 면적은 전형적으로 26.6 내지 32.4 ㎠의 범위이다. 실질적으로, 에피택셜 웨이퍼는 자동 로봇의 포토리소그래피(photolithography), 금속화 공정(metallization), 화학 클리닝 및 에칭(chemical cleaning and etching), 반사방지(AR) 코팅(antireflection coating), 다이싱(dicing) 및 테스팅 공정을 통하여 완성된 태양 전지 장치로 공정될 수 있다. 전형적으로, n- 및 p- 컨택 금속화 공정은 얇은 Au 캡층(cap layer)을 갖는 Ag로 주로 구성되어, 산화로부터 Ag를 보호한다. AR 코팅은 이중층 TiOx/Al2O3 유전체 스택이고, 이 스택의 스펙트럼 반사율 특성은 전지의 수명(EOL) 성능을 최대화할 뿐만 아니라, 커버글라스-인터커넥트-전지(coverglass-interconnect-cell : CIC) 또는 태양 전지 어셈블리(solar cell assembly : SCA) 레벨에서의 반사를 최소화하도록 설계된다.
일부의 화합물 반도체 다중접합 전지에서, 중간 전지(middle cell)는 GaAs 전지에 대립되는 InGaAs 전지이다. 인듐 농도는 InGaAs 중간 전지용으로 약 1.5% 의 범위내에 있을 수 있다. 일부 실시예에서, 이러한 배치는 증가된 효율성을 나타낸다. InGaAs층 이용의 이점은 이러한 층이 실질적으로 Ge 기판에 완전히 격자 정합된다는 점이다.
본 발명은 Ⅲ－Ⅴ화합물 반도체 다중접합 태양 전지를 이용한 집중식 태양광 시스템 어레이에서의 이용을 위한 모듈 또는 서브어셈블리를 제공한다.
본 발명의 일양태에 있어서, 태양 전지 모듈은 다중접합 Ⅲ－Ⅴ 화합물 반도체 태양 전지를 가진 태양 전지 수신기를 포함하는 서브어셈블리, 2차 광학 구성요소 및 태양 전지 상으로 투사광을 집광하는 렌즈를 포함한다.
본 발명의 일양태에 있어서, 태양 에너지를 전기로 변환하기 위한 태양 전지 모듈은, 제1 측면 및 제1 측면 반대편의 제2 측면을 포함하는 하우징(housing); 하우징의 제1 측면에 연결되고 약 38.1 ㎝ 및 약 50.8 ㎝ 사이의 초점 거리를 각각 가지는 프레넬 렌즈(Fresnel lense)의 집적 어레이(integral array); 및 하우징의 제2 측면에 배치된 복수의 태양 전지 수신기를 포함하고, 각 태양 전지 수신기는, 하나 이상의 Ⅲ－Ⅴ 화합물 반도체층을 포함하고 약 1 센티미터 × 약 1 센티미터의 치수를 갖는 태양 전지; 바디(body), 애노드 단자(anode terminal) 및 캐소드 단자(cathode terminal)를 갖고, 태양 전지와 평행하게 연결된 다이오드; 및 태양 전지 및 다이오드와 평행하게 연결되고, 하나 이상의 이격된 태양 전지 수신기에 전기적 접속을 제공하도록 구성된 제1 및 제2 전기 단자를 포함하고, 복수의 2차 광학적 구성요소는 각 렌즈의 광학적 경로에 배치되고, 각각의 2차 광학적 구성요 소는 복수의 반사벽을 갖는 각각의 테이퍼링된 광학적 채널을 정의하고, 각 태양 전지는 각 렌즈 및 각 광학적 채널의 광학적 경로에 배치되고, 렌즈는 400 이상의 팩터에 의해 각 태양 전지 상으로 태양 에너지를 집중시키도록 작동되고, 14와트의 피크 전력(peak power)를 초과하여 생성할 수 있다.
일부 실시예에서, 태양 전지 수신기는, 태양 전지 및 다이오드를 지지하기 위한 기판 - 다이오드 바디는 상부 및 상부보다 기판에 더 근접하게 배치된 하부를 포함함 - ; 다이오드 바디의 상부에 배치되고 기판으로 연장되며 다이오드 바디, 애노드 단자 및 캐소드 단자를 실질적으로 캡슐화하는 코팅; 및 다이오드 바디의 하부와 기판 사이의 모든 공간을 실질적으로 점유하는 언더코팅(undercoating)을 포함한다.
일부 실시예에서, 언더코팅은 다이오드와 기판 사이에 공기갭이 없도록 배치된다.
일부 실시예에서, 프레넬 렌즈의 집적 어레이는 하우징에서의 정렬 구성요소와 연결하도록 구성된 정렬 구성요소를 갖는 아크릴 시트(acrylic sheet)이다.
일부 실시예에서, 렌즈의 초점 거리는 약 45 ㎝이다.
일부 실시예에서, 태양 전지는 적어도 3개의 영역을 포함하는 다중접합 전지이고, 상기 영역은 게르마늄 함유 기판, 상기 기판에 배치된 InGaAs 또는 GaAs를 함유한 층, 상기 InGaAs 또는 GaAs를 함유한 층에 배치된 InGaP 층을 각각 포함한다.
일부 실시예에서, 2차 광학적 구성요소는 일반적으로 고반사율 내면을 갖는 사다리꼴 솔리드(trapezoidal solid)이다.
일부 실시예에서, 광학적 채널은 광학적 출구 및 광학적 출구보다 더 큰 광학적 입구에 의해 정의된다.
일부 실시예에서, 광학적 출구는 대략 태양 전지와 동일한 치수를 갖는다.
본 발명의 일양태에 있어서, 태양 에너지를 전기로 변환하기 위한 태양 전지 모듈은, 제1 측면 및 제1 측면 반대편의 제2 측면을 포함하는 하우징; 하우징의 제1 측면에 연결되고, 정렬 구성요소와 연결하기 위하여 복수의 리셉터클(receptacle)을 포함하는 정렬 프레임(alignment frame); 정렬 프레임에 배치되고 약 38.1 ㎝ 및 약 50.8 ㎝ 사이의 초점 거리를 각각 가지는 14개의 프레넬 렌즈의 집적 어레이 - 어레이는 제1 방향으로의 7개의 렌즈 및 제1 방향에 직각인 제2 방향으로의 2개의 렌즈를 포함함 - ; 14개의 프레넬 렌즈의 집적 어레이를 정렬 프레임의 리셉터클에 연결하는 복수의 정렬 구성요소; 하우징의 제2 측면에 배치되고, 제1 방향으로의 7개의 태양 전지 수신기 및 제1 방향에 직각인 제2 방향으로의 2개의 태양 전지 수신기를 포함하는 14개의 태양 전지 수신기의 어레이를 포함하고, 각 태양 전지 수신기는, 하나 이상의 Ⅲ－Ⅴ 화합물 반도체층을 포함하고 약 1 센티미터 × 약 1 센티미터의 치수를 갖는 태양 전지; 바디, 애노드 단자 및 캐소드 단자를 갖고, 태양 전지와 평행하게 연결된 다이오드; 및 태양 전지 및 다이오드와 평행하게 연결되고, 하나 이상의 이격된 태양 전지 수신기에 전기적 접속을 제공하도록 구성된 제1 및 제2 전기 단자를 포함하고, 복수의 정렬 구성요소는 각 태양 전지가 각 렌즈의 광학적 경로에 배치되도록 14개의 프레넬 렌즈의 집적 어레 이를 정렬하고, 렌즈는 520 이상의 팩터에 의해 각 태양 전지 상으로 태양 에너지를 집중시키고, 14 와트의 피크 전력을 초과하여 생성할 수 있다.
일부 실시예에서, 태양 전지 모듈은 각 렌즈의 광학적 경로에 각각 배치되고, 복수의 반사벽을 갖는 각각의 테이퍼링된 광학적 채널을 각각 정의하는 14개의 2차 광학적 구성요소의 어레이를 포함한다.
일부 실시예에서, 태양 전지는 각 렌즈 및 각 광학적 채널의 광학적 경로에 배치된다.
일부 실시예에서, 태양 전지 수신기는, 태양 전지 및 다이오드를 지지하기 위한 기판 - 다이오드 바디는 상부 및 상부보다 기판에 더 근접하게 배치된 하부를 포함함 - ; 다이오드 바디의 상부에 배치되고 기판으로 연장되며 다이오드 바디, 애노드 단자 및 캐소드 단자를 실질적으로 캡슐화하는 코팅; 및 다이오드 바디의 하부와 기판 사이의 모든 공간을 실질적으로 점유하는 언더코팅을 포함한다.
일부 실시예에서, 언더코팅은 다이오드와 기판 사이에 공기갭이 없도록 배치된다.
일부 실시예에서, 2차 광학적 구성요소는 일반적으로 고반사율 내면을 갖는 사다리꼴 솔리드이다.
일부 실시예에서, 광학적 채널은 광학적 출구 및 광학적 출구보다 더 큰 광학적 입구에 의해 정의된다.
일부 실시예에서, 광학적 출구는 대략 태양 전지와 동일한 치수를 갖는다.
본 발명은 Ⅲ－Ⅴ화합물 반도체 다중접합 태양 전지를 이용한 집중식 태양광 시스템 어레이에서의 이용을 위한 모듈 또는 서브어셈블리를 제공할 수 있다.
다음은 절연 바이패스 다이오드를 갖는 태양 전지 수신기의 바람직한 실시예 뿐만 아니라 다른 실시예의 설명이다.
Ⅰ. 개요
태양 전지 수신기는 태양 에너지를 전기로 변환한다. 본 발명에 설명된 다양한 실시예에서, 3중-접합 Ⅲ－Ⅴ 화합물 반도체 태양 전지가 사용되지만, 어플리케이션에 따라 다른 타입의 태양 전지가 이용될 수 있다. 태양 전지 수신기는 추가적인 구성요소 예를 들어, 출력 장치 또는 다른 태양 전지 수신기에 연결하기 위한 커넥터를 종종 포함한다.
일부 어플리케이션에 대하여, 태양 전지 수신기는 태양 전지 모듈의 일부로서 구현될 수 있다. 태양 전지 모듈은 태양 전지 수신기 및 태양 전지에 연결된 렌즈를 포함할 수 있다. 렌즈는 태양 전지 상으로 수신된 광을 집광하기 위하여 이용된다. 렌즈의 결과로서, 더 큰 집중도의 태양 에너지가 태양 전지에 의해 수신될 수 있다. 일부 실시예에서, 렌즈는 400 이상의 팩터(factor)에 의해 태양 에너지를 집중시키도록 구성된다. 예를 들어, 500-Suns 집중도에서, 1 ㎠의 태양 전지 면적 은 집중도없이 500 ㎠의 태양 전지 면적이 생산하는 것과 동일한 양의 전력을 생산한다. 따라서, 집중도를 이용하면, 렌즈 및 거울과 같은 비용 효율적인 물질로 초고가 반도체 전지 물질(cell material)을 대체할 수 있다.
둘 이상의 태양 전지 모듈은 어레이로 함께 그룹화될 수 있다. 이러한 어레이는 때때로 "패널(panel)" 또는 "솔라 패널(solar panel)"이라 칭한다.
Ⅱ. 솔라 패널의 실시예
도 1은 태양 에너지로부터 전기를 생성하기 위한 솔라 패널(10)의 하나의 실시예를 도시한다. 패널(10)은 복수의 태양 전지 모듈(20)을 포함한다. 이 예시에는 24개의 태양 전지 모듈(20)이 도시된다. 각 모듈(20)은 태양 전지 수신기의 태양 전지 상으로 태양광을 집광하기 위하여, 하나 이상의 태양 전지 수신기(예를 들어, 도 2a의 아이템(12a)) 및 대응하는 렌즈(예를 들어, 도 2a의 아이템(204a))를 포함할 수 있다. 복수의 패널(10)이 제공될 경우, 패널(10)은 통상적으로 직렬로 접속되지만, 다른 실시예는 병렬 또는 직병렬로 패널을 접속할 수 있다.
Ⅲ. 태양 전지 모듈의 실시예
도 2a는 렌즈(22a-22j)의 어레이(여기서, 4개는 미도시) 및 (도 4의 아이템(12)의 형태를 각각 취하는) 대응하는 태양 전지 수신기(12a-12j)를 포함하는 태양 전지 모듈(20)의 실시예를 예시한다. 일부 실시예에서, 태양 전지 모듈은 14개의 렌즈 및 14개의 대응하는 태양 전지 수신기를 포함한다. 예시된 실시예에서, 어 레이는 "7×2"이다.
렌즈(22a-22j)는 광학 재료(예를 들어, 아크릴)의 연속 시트(continuous sheet)(201)에 형성된다. 일부 실시예에서, 렌즈(22a-22j)가 형성되지 않은 시트(201)의 영역은 부분 또는 전체적으로 불투명하게 이루어진다. 연속 시트(201)로 렌즈(22a-22j)를 형성함으로써, 실질적으로 비용이 감소할 수 있다. 첫째, 큰 시트에 렌즈를 생산함으로써, 생산 비용이 감소한다. 둘째, 하나의 아이템(즉, 렌즈의 시트(201))만이 태양 전지 수신기와 정렬되기 때문에, 어셈블리 비용은 감소한다. 이러한 실시예에서, 시트(201)는 하우징(21)에 의해 그 주변 에지 상에 지지되고, 복수의 프레임 정렬 구성요소(frame alignment element)(예를 들어, 홀)(205a)을 갖는 정렬 프레임(206)의 상측에 놓인다. 홀(205a)은 나사산이 형성되거나 패스너(fastener)를 수용하도록 구성될 수 있다. 시트(201)는 프레임 정렬 구성요소(205a)를 정렬하고, 프레임 정렬 구성요소(205a)와 연결하는 시트 정렬 구성요소(205b)(예를 들어, 핀, 스크류 또는 다른 하드웨어)를 포함한다. 프레임 정렬 구성요소(205a)와 시트 정렬 구성요소(205b)를 연결하여 각 태양 전지 수신기(12a-12j)가 그 각각의 렌즈(22a-22j)와 정렬되도록, 프레임 정렬 구성요소(205a) 및 시트 정렬 구성요소(205b)가 위치한다. 일부 실시예에서, 면(202)은 각 태양 전지 수신기(12a-12j)가 소정의 위치에 위치하는 것을 보장하는 정렬 피쳐(alignment feature)를 포함한다. 이 피쳐는 태양 전지 수신기의 기판(예를 들어, 아이템(9))과 연결할 수 있다.
정렬 구성요소(205b)(예를 들어, 핀)는 일반적으로 4개의 렌즈에 의해 정의 된 중심점에 위치한다. 예를 들어, 정렬 구성요소(205b)는 렌즈(22f, 22g, 22h 및 22i)에 의해 정의된 중심점에 위치한다. 또 다른 정렬 구성요소(205)는 렌즈(22e, 22f, 22i 및 22j)에 의해 정의된 중심점에 위치한다. 4개의 렌즈에 의해 정의된 중심점에 정렬 구성요소(205b)를 위치시키는 이 패턴은 전체 시트(201)를 따라 연속될 수 있다.
일부 실시예에서, 각 렌즈(22a-22j)는 프레넬 렌즈이다. 대응하는 태양 전지 수신기(12a-12j)는 면(202) 상의 하우징(21)의 반대단에 위치한다. 각 태양 전지 수신기(12a-12j)는 즉, 대응하는 태양 전지(30)가 렌즈(22a-22j)를 통과하는 광을 수신하도록, 대응하는 렌즈(22a-22j)의 광학적 경로에 배치된 대응하는 태양 전지(30)(도 4 참조)를 포함한다. 일부 실시예에서, 렌즈의 광학적 경로에 태양 전지를 배치하기 위하여, 추가적인 렌즈 및/또는 거울이 사용된다. 예를 들어, 2차 광학적 구성요소(210b)는 태양 전지 수신기(12b) 및 렌즈(22b)와 대응한다는 것을 보여준다. 2차 광학적 구성요소(210b)는 렌즈(22b)로부터 광을 모아, 태양 전지 수신기(12b)의 태양 전지에 집광한다. 일부 실시예에서, 각 태양 전지 수신기(12a-12j)는 대응하는 2차 광학적 구성요소를 구비한다. 2차 광학적 구성요소는 도 2b와 관련하여 보다 상세히 설명한다.
일부의 프레넬 렌즈가 일부의 볼록 렌즈보다 태양광을 보다 많이 집광시킬 수 있지만, 실시예는 투사광을 집광하는 렌즈(22a-22j)의 임의의 타입을 이용할 수 있다. 렌즈(22a-22j)는 (예를 들어, 태양 전지(30)에 적용된 것과 유사한) 멀티-레이어 반사방지 코팅(204a-204j)을 포함할 수도 있다.
렌즈(22a-22j)를 포함하는 시트(201)와 태양 전지 수신기(12a-12j)의 대응하는 태양 전지 사이의 거리(203)는 예를 들어, 렌즈(22a-22j)의 초점 거리에 기초하여 선택될 수 있다. 일부 실시예에서, 각 태양 전지 수신기(12a-12j)의 태양 전지가 각 렌즈(22a-22j)의 초점 또는 그 주위에 배치되도록, 모듈 하우징(21)이 배열된다. 일부 실시예에서, 각 렌즈(22a-22j)의 초점 거리는 약 25.4 ㎝와 76.2 ㎝ 사이이다. 일부 실시예에서, 각 렌즈(22a-22j)의 초점 거리는 약 38.1 ㎝와 50.8 ㎝ 사이이다. 일부 실시예에서, 각 렌즈(22a-22j)의 초점 거리는 약 40.085 ㎝이다. 일부 실시예에서, 각 렌즈(22a-22j)의 초점 거리는 변화하고, 하우징은 시트(201)와 면(202) 사이의 다수의 상이한 거리(예를 들어, 치수(203)보다 더 크거나 및/또는 작은 거리)를 제공한다.
렌즈(22a-22j)의 일부 실시예는 통상적인 집중도의 400배(즉, 400 Suns) 이상으로 투사광을 집광한다. 일부 실시예에서, 하나 이상의 렌즈(22a-22j)는 통상적인 집중도의 약 520배로 태양광을 집광한다. 일부 실시예에서, 하나 이상의 렌즈(22a-22j)는 통상적인 집중도의 약 470배로 태양광을 집광한다. 대체로, 집중된 조명 아래에서 전기로의 태양 에너지의 변환 효율이 증가한다. 예를 들어, 약 500 Suns에서, 하나의 태양 전지 모듈은 10 와트 이상의 전력을 생성할 수 있다. 또 다른 예에서, 약 470 Suns에서, 하나의 태양 전지 모듈은 14 와트 이상의 전력을 생성할 수 있다. 모듈이 생산할 수 있는 전력의 양은 예를 들어, 태양 전지 특성(예를 들어, 크기, 구성물) 및 연관된 광학 렌즈의 속성(예를 들어, 집중도, 초점, 정렬)의 결합에 따라 변할 수 있다.
일부 실시예에서, 각 태양 전지 수신기(12a-12j)의 태양 전지(30)는 직렬로 배열된 3개의 서브-전지 각각을 갖는 3중-접합 Ⅲ－Ⅴ 태양 전지이다. 어플리케이션에서 다수의 태양 전지 모듈(20)이 사용되는 경우, 전형적으로 태양 전지 모듈(20)의 수신기(12a-12j)는 전기적으로 직렬로 함께 접속된다. 그러나, 다른 어플리케이션은 직렬 또는 직병렬 접속을 이용할 수 있다. 예를 들어, 주어진 모듈(20) 내의 수신기(12a-12j)는 직렬로 함께 전기적으로 접속될 수 있지만, 모듈(20)은 서로 병렬로 접속된다.
태양 전지 모듈의 일부 실시예는 2차 광학적 구성요소("SOE(secondary optical element)")를 포함한다. SOE의 실시예는 도 2b에 예시된다. SOE(210)는 태양 전지 모듈(20)의 하우징(21) 내부에 배치되고, 예를 들어, 도 2a의 22b의 연관된 렌즈에 의해 집중된 태양 에너지를 수집하도록 일반적으로 설계된다. 일부 실시예에서, 각 수신기(12a-12j)는 각 SOE를 갖는다.
SOE(210)는 광학적 입구(219) 및 광학적 출구(220), 바디(216) 및 장착 탭(mounting tab)(218)을 갖는 광학적 구성요소(217)를 포함한다. SOE(210)는 광학적 구성요소(217)가 태양 전지 수신기(12)의 태양 전지(30)(예를 들어, 도 2a의 12b) 상에 배치되도록 장착된다. 실시예에 따라 변할 수 있지만, SOE(210)는 광학적 출구가 태양 전지(30)로부터 약 0.5 밀리미터(예를 들어, 치수(215)가 약 0.5 밀리미터임) 떨어지도록 장착된다. 일부 실시예에서, 장착 탭(218)은 태양 전지 모듈(20)의 면(202)에 연결된다. (바디(216)를 포함하는) SOE(210)는 금속, 플라스틱 또는 유리 또는 다른 재료로 이루어질 수 있다.
일부 실시예에서, 광학적 구성요소(217)는 일반적으로 입구(219)로부터 출구(220)까지 테이퍼링되는 정사각형 단면을 갖는다. 광학적 구성요소의 내면(211)은 출구(220)를 향해 아래쪽으로 광을 반사시킨다. 일부 실시예에서, 내면(211)은 고반사율을 위해 은 또는 다른 재료로 코팅된다. 어떤 경우에, 반사 코팅은 산화, 변색 또는 부식으로부터 보호하기 위하여 SiO2와 같은 부동태 코팅(passivation coating)에 의해 보호된다. 광학적 입구(219)로부터 광학적 출구(220)까지의 경로는 1차 렌즈(primary lens)로부터 태양 에너지를 받아 태양 전지로 안내하는 테이퍼링된 광학적 채널을 형성한다. 이러한 실시예에서 도시된 바와 같이, SOE(210)는 4개의 반사벽을 갖는 광학적 구성요소(217)를 포함한다. 다른 실시예에서, 상이한 형상(예를 들어, 삼각형 단면을 형성하는 3면)이 사용될 수 있다.
어떤 경우, 1차 렌즈(예를 들어, 도 2a의 22b)가 태양 전지(30)의 치수를 갖는 지점 상에 집광하지 않거나, 태양광 추적 시스템이 완전히 태양을 향하지 않을 수 있다. 이러한 상황에서, 일부 광은 태양 전지(30)에 도달하지 않는다. 반사면(211)은 광을 태양 전지(30)로 보낸다. 또한, 광학적 구성요소(217)는 광을 균질화(homogenization)(예를 들어, 혼합)할 수 있다. 또한, 어떤 경우 광학적 구성요소(217)는 일부 집중 효과(concentration effect)를 가진다.
일부 실시예에서, 광학적 입구(219)는 정사각형 형상이고 약 49.60 ㎜ × 49.60 ㎜(치수(213))이며, 광학적 출구는 정사각형 형상이고 약 9.9 ㎜ × 9.9 ㎜(치수(214))이며, 광학적 구성요소의 높이는 약 70.104 ㎜(치수(212))이다. 치 수(212, 213 및 214)는 태양 전지 모듈 및 수신기의 설계에 의하여 변할 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예에서, 광학적 출구의 치수는 태양 전지의 치수와 대략 동일하다. 이러한 치수를 갖는 SOE에 있어서, 반 경사각(half inclination angle)은 15.8도이다.
Ⅳ. 태양 전지 수신기의 실시예
도 3은 태양 전지 모듈(20)의 태양 전지 수신기(12)(예를 들어, 도 2a의 12a)의 회로도를 예시한다. 이 수신기는 직렬로 배열된 상부 전지(top cell)(30a), 중간 전지(middle cell)(30b) 및 하부 전지(bottom cell)(30c)를 포함하는 3중-접합 Ⅲ－Ⅴ 화합물 반도체 태양 전지(30)를 포함한다. 태양 전지 모듈에 구현된 경우, 태양 전지(30)는 렌즈(도 2a 및 2b 참조)로부터 집중된 태양 에너지를 수신하도록 위치한다.
다이오드(14)는 3중-접합 태양 전지(30)와 평행하게 접속된다. 일부 실시예에서, 다이오드(14)는 쇼트키 바이패스 다이오드(Schottky bypass diode)와 같은 반도체 장치 또는 에피택셜 성장된 p-n 접합이다. 예시를 위하여, 다이오드(14)는 쇼트키 바이패스 다이오드이다. 외부 접속 단자(43 및 44)는 태양 전지(30)와 다이오드(14)를 다른 장치 예를 들어, 인접한 태양 전지 수신기에 접속시키기 위해 제공된다. 일부 실시예에서, 태양 전지(30), 다이오드(14) 및 단자(43 및 44)는 절연 재료로 이루어진 보드 또는 기판(도 4의 아이템(9) 참조) 상에 장착된다.
직렬로 접속된 다수의 태양 전지 수신기(12)를 고려함으로써 다이오드(14)의 기능성을 알 수 있다. 3중 접합 태양 전지(30) 각각은 연관된 "배터리"의 플러스 단자로 접속된 다이오드(14) 각각의 캐소드 및 연관된 "배터리"의 마이너스 단자로 접속된 다이오드 각각의 애노드를 갖는 배터리로서 볼 수 있다. 직렬로 접속된 태양 전지(30) 중의 하나가 손상 또는 차단될 경우, 그 전압 출력은 (예를 들어, 다이오드(14)와 연관된 임계 전압 이하로) 감소되거나 제거된다. 따라서, 연관된 다이오드(14)는 순방향 바이어스되고, 바이패스 전류는 (태양 전지(30)가 아닌) 그 다이오드(14)만을 통해 흐른다. 이와 같이, 손상되지 않거나 차단되지 않은 태양 전지는 그 태양 전지에 의해 수신된 태양 에너지로부터 전기를 생성하는 것을 연속한다. 다이오드(14)가 없었다면, 다른 태양 전지 수신기(12)에 의해 생산된 모든 전기는 차단되거나 손상된 태양 전지(30)를 실질적으로 통과하여, 그것을 훼손하고, 예를 들어, 패널 또는 어레이 내의 개방회로를 생성할 것이다.
도 4, 5 및 6은 도 2a에 아이템(12a-12j)으로서 구현된 수신기(12) 중의 하나를 예시한다. 이러한 구현을 위하여, 주어진 어레이 또는 패널 내의 다른 모든 수신기가 실질적으로 동일하다고 가정한다.
도 4는 하나의 태양 전지(30) 및 그 연관된 다이오드(14)를 예시한다. 태양 전지(30)는 다이오드(14)에 전기적으로 접속된다. 이러한 실시예에서, 태양 전지(30)의 상부면(upper surface)은 태양 전지(30)의 주변을 점유하는 컨택 영역(contact area)(301)을 포함한다. 일부 실시예에서, 컨택 영역(301)은 희망하는 접속 타입을 수용할 만큼 더 작거나 더 크다. 예를 들어, 컨택 영역(301)은 태양 전지(30)의 1개의 측면, 2개의 측면 또는 3개의 측면(또는 그 부분)에만 접할 수 있다. 일부 실시예에서, 컨택 영역(301)은 태양 에너지를 전기로 변환하는 영역을 최대화시킬 수 있을 만큼 작게 이루어지지만, 전기 접속을 여전히 허용한다. 태양 전지(30)의 특정 치수는 어플리케이션에 따라 변할 것이지만, 표준 치수는 약 1 ㎝의 정사각형이다. 예를 들어, 치수의 규격은 전체가 약 12.58 ㎜ × 12.58 ㎜이고, 두께가 약 0.160 ㎜이며, 약 108 ㎟의 총 활성 영역을 가질 수 있다. 예를 들어, 대략 12.58 ㎜ × 12.58 ㎜인 태양 전지(30)에서, 컨택 영역(301)은 폭이 약 0.98 ㎜이고, 개구 면적은 약 10 ㎜ × 10 ㎜이다. 컨택 영역(301)은 다양한 도전성 재료 예를 들어, 구리, 은 및/또는 도금된 은으로 이루어질 수 있다. 이러한 실시예에서, 컨택 영역(301)은 광을 받는 태양 전지(30)의 n-도전성 측면(n-conductivity side)이고, 그에 따라 컨택 영역(301)은 태양 전지(30)의 n-도전성 측면에 배치된다.
반사 방지 코팅(305)은 태양 전지(30) 상에 배치될 수 있다. 반사방지 코팅(305)은 소정의 파장 범위 예를 들어, 0.3 내지 1.8 ㎛에 걸친 저반사율을 제공하는 다층 반사방지 코팅일 수 있다. 반사방지 코팅의 예는 이중-층 TiOx/Al2O3 유전체 스택이다.
컨택 영역(301)은 보드(9)에 배치된 도체 트레이스(conductor trace)(302)에 연결된다. 이러한 실시예에서, 컨택 영역(301)은 복수(이 예에서 12개)의 와이어 본드(wire bond)(304)에 의해 도체 트레이스(302)에 연결된다. 무엇보다도, 복수의 실시예에서 이용되는 와이어 본드(304)의 수는 태양 전지(30)에 의해 생성된 전류 의 양과 관련될 수 있다.
도체 트레이스(302)(그에 따라, 태양 전지(30))는 도체 트레이스(302)와 도체 트레이스(45) 사이의 전기적 접속으로서 다이오드(14)의 단자(11)에 연결한다.
다이오드(14)의 다른 단자(13)는 트레이스(46)에 연결된다. 태양 전지(30)와 다이오드(14) 사이의 병렬 접속을 완료하기 위하여, 단자(13)는 태양 전지(30)의 밑면에 연결된다. 이것은 도 5 및 도 6과 관련하여 보다 더 상세하게 설명한다.
다이오드(14)는 트레이스(45 및 46)로서 커넥터 단자(43 및 44)에 각각 전기적으로 연결된다. 커넥터 단자(43 및 44)는 커넥터(40)의 개구(42 및 41)에 장착된 소켓(343 및 344)에 각각 전기적으로 연결된다. 소켓(343 및 344)은 커넥터(40)의 바디에 의해 가려져 있으므로, 점선으로 도시된다. 소켓은 전기적 도전성 재료를 포함하고, 회로에 장치를 전기적으로 연결하기 위하여 제공된다. 일부 실시예에서, 소켓은 애노드 및 캐소드 단자와 대응하고, 예를 들어 도 3을 참조로 전술한 바와 같이 인접한 수신기(312)로의 접속을 위하여 리셉터클 플러그(receptacle plug)(341 및 342)를 수용하도록 설계된다. 인접한 수신기(312)는 실질적으로 수신기(12)와 동일한 형태를 취할 수 있다. 일부 실시예에서, 커넥터(40)는 보드(9)에 안전하게 부착되고, 절연 재료(예를 들어, 플라스틱)로 구성될 수 있다.
절연된 개구(41 및 42)를 정의하는 비교적 큰 커넥터(40)는 그 하우징된 플러그/소켓 전기적 접속 각각에 우수한 절연을 제공하는 절연된 개구로 인하여, 인접한 수신기로 이끄는 단자에서 전기적 방전의 결과인 태양 전지의 고장을 막는 것을 돕는다.
도 5에 도시된 바와 같이, 다이오드(14)는 보드(9) 상의 단자(11 및 13)에 장착된다. 어플리케이션에 따라, 다이오드(14)는 표면-실장형(surface-mount type)일 수 있다. 단자(11 및 13)는 다이오드(14)의 애노드 및 캐소드에 각각 연결되어, 다이오드(14)의 애노드 단자 또는 캐소드 단자라 칭할 수 있다. 단자(11 및 13)를 제외한 다이오드(14)의 부분은 다이오드 바디(즉, 빗금친 영역(504))라 칭할 수 있다.
이러한 실시예에서, 다이오드 단자(11)는 보드(9)를 통과하여 태양 전지(30)의 하면에 다이오드를 연결시키는 커넥터(501)에 전기적으로 연결된다. 일부 실시예에서, 커넥터(501)는 다이오드(14)에 부착된 핀의 형태를 취할 수 있고, 스루-홀(through-hole) 기술을 이용하여 장착된다. 커넥터(501)는 태양 전지(30)가 보드(9) 상에 어떻게 장착되어 있는지에 따라 변할 수 있다. 예를 들어, 보드(9)는 태양 전지(예를 들어, p-도전성 측면)의 바닥이 노출되도록 구성되고, 커넥터(501)는 보드(9)의 전체 두께를 통과할 수 있다. 일부 실시예에서, 태양 전지(30)의 바닥은 보드(9) 면의 상부에 놓여질 수 있다. 이러한 실시예에 있어서, 커넥터(501)는 보드(9)의 층(예를 들어, 보드(9)의 상면(top surface)(505) 아래의 층)에 연결할 수 있다.
다이오드와 보드 사이에 공기갭이 없도록, 다이오드(14)의 하부(503)(예를 들어, 보드(9)를 향하는 면(들))와 보드(9) 사이의 갭은 임의의 적합한 유전체 언더필 재료(underfill material)(15)로 채워진다. 일부 실시예에서, 컨택(11 및 13) 사이에 공기갭은 없고, 언더필(15)이 다이오드(14)의 하부(503)와 보드(9) 사이의 모든 공간을 실질적으로 채운다. 이 경우, 언더필(15)은 다이오드(14)의 하부(503) 및 보드(9)와 접한다. 또한, 언더필(15)은 다이오드(14)의 다른 영역에 접촉할 수 있다. 적합한 언더필 재료의 예는 실리콘을 포함한다. 이와 유사하게, 적합한 유전체 글로브탑(globtop)(또는 컨포멀 코팅(conformal coating)) 재료(16)는 다이오드가 캡슐화되도록 다이오드(14) 상에 증착된다. 코팅(16)은 다이오드(14)의 상면(502)(예를 들어, 보드(9)로부터 떨어져 있는 면(들)) 상에 배치되고, 코팅(16)이 보드(9)에 도달할 때까지 아래쪽으로 연장된다. 따라서, 코팅(16)은 컨택(11 및 13) 뿐만 아니라 다이오드 바디(504)도 캡슐화한다. 코팅(16)은 컨택(11 및 13) 뿐만 아니라 다이오드(14)의 상면(502)에 접촉한다. 코팅(16)은 다이오드(14)의 다른 영역에 접촉할 수 있다. 적합한 글로브탑 또는 컨포멀 코팅 재료는 Henkel Corporation의 Loctite® 브랜드로 판매되는 것을 포함한다. 유전체 재료(15 및 16)가 공기보다 훨씬 더 높은 유전체 강도를 가지므로, 유전체 매체 고장의 위험은 실질적으로 무시된다. 언더필 및 글로브탑 유전체 재료(15 및 16)는 제어되지 않은 전기의 방전을 막아서, 시스템의 태양 전지(30)를 보호한다.
도 6은 수신기(12)의 하면을 도시한다. 태양 전지(30)의 밑면(601)은 도전성(예를 들어, 금속화된) 면이다. 밑면(601)은 도전성 트레이스(602)에 연결된다. 도전성 트레이스(602)는 다이오드(14)의 단자(11)(아이템(11 및 14)은 도면에서 가려져 있으므로 점선으로 도시됨)에 연결된 커넥터(501)에 연결된다. 도전성 트레이스(602)는 태양 전지(30)에 의해 생성된 전류를 운반할 만큼 비교적 넓을 수 있다.
실시예에 따라, 태양 전지(30)의 밑면(601)은 보드(9)의 면(예를 들어, 하 면(506) 상의 층)에 위치할 수 있다. 다른 실시예에서, 태양 전지(30)의 밑면(601)을 노출시키는 보드(9)에 컷아웃(cutout)이 있을 수 있다. 도전성 트레이스(602)의 위치는 태양 전지(30)가 어떻게 장착되는지에 따라 변할 수 있다. 예를 들어, 보드(9)에 컷아웃이 있다면, 도전성 트레이스(602)는 보드(9)의 하면(506) 상에 있을 수 있다. 태양 전지(30)가 하면(506) 상의 보드의 층에 있으면, 도전성 트레이스(602)는 보드의 하면 상에 있지 않을 수 있다(예를 들어, 보드(9)의 상면(505)과 하면(506) 사이의 층에 배치될 수 있다). 이러한 실시예에서, 태양 전지의 밑면(601)과 도전성 트레이스(602)는 이와 같이 전체적으로 가려질 수 있다.
Ⅴ. 태양 전지의 제2 실시예
도 7a, 7b 및 7c는 예를 들어, 도 2a의 아이템(12a-12j) 또는 도 4의 아이템(12)과 같은 태양 전지 수신기에서의 이용을 위한 태양 전지(730)의 제2 실시예를 도시한다. 태양 전지(730)는 n-p 극을 갖는 다중접합 전지이고, Ge 기판에서 InGaP/(In)GaAs Ⅲ－Ⅴ 화합물로 구성된다. 또한, 태양 전지(730)는, 스펙트럼 반사율 특성이 전지의 수명(EOL) 성능을 최대화할 뿐만 아니라 커버글라스-인터커넥트-전지(CIC) 또는 태양 전지 어셈블리(SCA) 레벨에서의 반사를 최소화하도록 설계되는 반사방지 코팅을 포함한다. 도 7a 및 7b는 n-극 측면에서 본 것이다.
이러한 태양 전지(730)와 도 4의 태양 전지(30) 사이의 하나의 차이는 전지(730)가 전지(30)의 주변 컨택(301)보다는 2개의 단자(703 및 704)("버스바(bus bar)")를 이용한다는 점이다. 단자(703 및 704)는 (영역(701)을 클로즈업한 도 7b 에서 볼 수 있는) 부동태화된 프레임(705)에 의해 둘러싸인다. 컨택(703 및 704)이 점유하는 영역은 활성화 영역(702)(예를 들어, 태양 에너지를 전기로 변환할 수 있는 영역)의 부분이 아니다. 이 실시예의 하나의 이점은 컨택(703 및 704)이 전지(730)의 2개의 측면만을 점유하므로 전체 표면 영역의 대부분이 활성화 영역(702)이라는 점이다.
전지(730)의 전체 치수는 약 11.18 ㎜(치수(710)) × 10.075 ㎜(치수(714))이다. 전지(730)는 약 0.185 ㎜ 두께(치수(718))이다. 활성 영역(702)은 약 10 ㎜(치수(712)) × 10.075 ㎜(치수(714))이다.
단자(703 및 704)는 약 9.905 ㎜ 폭(치수(715)) × 0.505 ㎜ 높이(치수(717))이고, 전지(730)의 에지로부터 약 0.085 ㎜(치수(713 및 719)) 떨어져 위치한다. 따라서, 단자(703)의 외부 에지로부터 단자(704)의 외부 에지까지의 거리는 약 11.01 ㎜(치수(711))이다. 단자(703 및 704) 주변의 부동태화된 프레임(705)은 약 0.01 ㎜ 두께(치수(720))이다. 공정 중의 변화(예를 들어, 소컬프(saw curf)를 설명하기 위하여, 일부 실시예는 실질적으로 피쳐가 없는 전체 전지(730) 주변의 얇은 보더(예를 들어, 0.035 ㎜, 치수(716))를 사용한다.
전지(730)의 바닥(즉, p-극 측면)은 도 6에 예시된 전지의 바닥과 실질적으로 유사하다.
Ⅵ. 태양 전지 수신기의 또 다른 실시예
도 8은 태양 전지(830) 및 그와 연관된 다이오드(814)를 포함하는 태양 전지 수신기(812)의 또 다른 실시예를 예시한다. 태양 전지 수신기(812)는 실질적으로 도 4의 수신기(12)와 동일한 방식으로 어플리케이션에 이용될 수 있다. 태양 전지(830)는 다이오드(814)에 전기적으로 접속된다. 태양 전지(830)의 상부면은 이러한 실시예에서 태양 전지(830)의 2개의 에지를 점유하는 컨택 영역(801)을 포함한다. 일부 실시예에서, 컨택 영역(801)은 태양 에너지를 전기로 변환하는 영역을 최대화할 수 있을 만큼 작게 이루어지지만, 전기 접속을 여전히 허용한다. 태양 전지(830)의 특정 치수가 어플리케이션에 따라 달라질 것이지만, 표준 치수는 약 1 ㎝의 정사각형이다. 예를 들어, 치수의 규격은 전체가 약 12.58 ㎜ × 12.58 ㎜이고, 두께가 약 0.160 ㎜이며, 약 108 ㎟의 총 활성 영역을 가질 수 있다. 예를 들어, 대략 12.58 ㎜ × 12.58 ㎜인 태양 전지(830)에서, 컨택 영역(801)은 폭이 약 0.98 ㎜이고, 개구 면적은 약 10 ㎜ × 10 ㎜이다. 컨택 영역(801)은 다양한 도전성 재료로 이루어질 수 있다. 이러한 실시예에서, 컨택 영역(801)은 광을 받는 태양 전지(830)의 n-도전성 측면이고, 그에 따라 컨택 영역(801)은 태양 전지(830)의 n-도전성 측면에 배치된다.
반사방지 코팅은 태양 전지(830)의 n-도전성 측면(또는 태양 에너지를 받는 임의의 측면) 상에 배치될 수 있다.
컨택(801)은 보드(809) 상에 배치된 도체 트레이스(802)에 연결된다. 이러한 실시예에서, 컨택(801)은 복수의 와이어 본드(804)에 의해 도체 트레이스(802)에 연결된다.
도체 트레이스(802)(그에 따라, 태양 전지(830))는 도체 트레이스(802)와 도 체 트레이스(845) 사이의 전기적 접속으로서 다이오드(814)의 단자(811)에 연결한다.
다이오드(814)의 다른 단자(813)는 트레이스(846)에 연결된다. 태양 전지(830)와 다이오드(814) 사이의 병렬 접속을 완료하기 위하여, 단자(813)는 태양 전지(830)의 밑면에 연결된다. 이 접속 타입의 예는 도 5 및 도 6과 관련하여 설명한다.
다이오드(814)는 트레이스(845 및 846)로서 소켓(843 및 844)에 각각 전기적으로 연결된다. 소켓(843 및 844)은 커넥터(840)에 의해 서로 전기적으로 절연된다. 커넥터(840)는 각 소켓에 대하여 개구를 포함한다. 개구는 서로 전기적으로 절연된다. 소켓(843 및 844)은 커넥터(40)의 바디에 의해 가려져 있으므로, 점선으로 도시된다. 소켓은 전기적 도전성 재료를 포함하고, 장치를 회로에 전기적으로 연결하기 위하여 제공된다. 일부 실시예에서, 소켓은 애노드 및 캐소드 단자와 대응하고, 예를 들어 도 3을 참조로 설명된 바와 같이 인접한 수신기로의 접속을 위하여 리셉터클 플러그(예를 들어, 도 4의 341 및 342)를 수용하도록 설계된다. 일부 실시예에서, 커넥터(840)는 보드(809)에 안전하게 부착되고, 절연 재료(예를 들어, 플라스틱)로 구성될 수 있다.
비교적 큰 커넥터(840)는 그 하우징된 플러그/소켓 전기적 접속 각각에 우수한 절연을 제공하는 절연된 개구로 인하여, 인접한 수신기를 이끄는 단자에서 전기적 방전의 결과인 태양 전지의 고장을 막는 것을 돕는다.
다이오드(814)는 글로브탑 유전체 코팅(816)으로 코팅된다. 또한, 유전체 언 더필은 단자(811 및 813) 사이의 다이오드(814)의 바로 아래에 위치한다. 이러한 재료의 이용은 도 5(예를 들어, 아이템(15 및 16))와 관련하여 설명한다.
Ⅶ. 그 외의 결과
제어되지 않은 방전의 문제점을 해결할 뿐 아니라, 언더필 및/또는 글로브탑(예를 들어, 컨포멀 코팅)의 이용이 부가적, 예상치 못한 이점을 발생시킨다.
언더필 및/또는 글로브탑을 이용하는 것은 실질적으로 열 소산을 관리하는 수신기의 능력을 실질적으로 향상시킬 수 있다. 언더필 및 글로브탑 유전체 재료(예를 들어, 15 및 16)는 공기보다 더 높은 열 전도율을 가진다. 그 결과, 언더필 및 글로브탑 유전체 재료는 열 경로의 단면을 증가시킴으로써 시스템의 구성요소로부터 대기로의 열 소산을 향상시킨다. 또한, 일부 실시예에서, 언더필 및 글로브탑 유전체 재료(예를 들어, 15 및 16)가 보드 또는 기판과 접해 있으므로, 다이오드로부터 보드로의 열 전달을 용이하게 한다. 예를 들어, 언더필(15) 및 글로브탑(16)은 다이오드(14)의 열 소산을 실질적으로 향상시킨다. 전술한 바와 같이, 태양 전지(30)를 바이패스할 경우, 다이오드(14)는 전력의 수 천(예를 들어, 10,000) 와트를 운반하고 있을 수 있다. 다이오드는 완전히 효율적인 전기 도체가 아니므로, 그 전력의 일부는 열 에너지로서 소산된다. 과도한 열 에너지는 다이오드를 파괴시킬 수 있고, 적어도 그 사용 기간을 감소시킬 수 있다. 그 결과로서, 언더필 및/또는 글로브탑을 사용하는 수신기는 특히, 전력 레벨이 증가함에 따라 증가된 사용 기간을 가질 수 있을 것이다. 또한, 언더필 및/또는 글로브탑은 열 관리를 향상시키기 위한 많은 다른 방법(예를 들어, 금속 히트 싱크(metal heat sink)를 이용한 수동 냉각(passive cooling) 또는 능동 냉각(active cooling))보다 비용에 있어서 훨씬 효과적이고, 효율적이며, 더 수월한 해결책이다. 또한, 이 다른 방법은 제어되지 않은 방전의 문제점을 해결하지 않는다.
또한, 언더필 및/또는 글로브탑 재료는 오염 물질로부터 발생하는 단락(short circuit)으로부터 보호할 수 있다. 일부 실시예에서, 도체 트레이스(예를 들어, 아이템(45 및 46))은 단지 대략 1 ㎜ 만큼 분리된다. 트레이스가 이렇게 서로 근접한 경우, 물방울 같은 많은 오염 물질은 2개의 인접한 도체 트레이스에 접촉할 만큼 충분히 크다. 또한, 다이오드(14) 자체가 비교적 작으므로, 하나 이상의 물방울이 단자(11 및 13)를 브리징(bridge)하는 것이 가능하다. 태양 수신기(예를 들어, 12)는 집 밖에서 종종 사용되므로, 태양 수신기는 예를 들어, 응결 및/또는 비로부터의 습기에 노출된다. 언더필 및/또는 글로브탑의 이용은 다이오드(14)의 단자 또는 도체 트레이스(45 및 46) 상에서의 응축으로부터 습기를 방지하여, 단락의 가능성을 감소시킨다.
또한, 언더필 및/또는 유전체 글로브탑(또는 컨포멀 코팅) 재료(15 및 16)는 다이오드(14)의 단자 상으로, 도체 트레이스(45 및 46) 상으로 및 보드(9) 상의 임의의 전기적 트레이스 상으로 떨어지는 이물질을 방지하여, 동작 중에 단락의 가능성을 더 감소시킨다.
또 다른 예상치 못한 이점은 언더필 및/또는 글로브탑 유전체 재료(예를 들어, 15 및 16)가 그들이 부착된 다이오드와 보드 사이의 계면(interface)에 기계적 인 무결성을 부가한다는 점이다. 그 결과, 수송, 설치 및 취급 운송중, 분리되는(또는 전기적으로 결합이 해제되는) 다이오드의 가능성이 감소된다.
Ⅷ. 대표적 성능 데이터
상이한 태양광 집중도(solar concentration)에서 태양 전지 수신기(예를 들어, 아이템(12))의 실시예를 테스트하는 것은 다음의 데이터를 결과로 하였다. 470 Suns 및 1150 Suns에서의 테스팅은 태양 전지 모듈 어셈블리(예를 들어, 아이템(20))의 일부로서 태양 전지 수신기(12)의 이용을 수반하였다.
1 Sun 470 Suns 1150 Suns
효율 31.23 % 36.23 % 33.07 %
Voc (개방회로 전압) 2.583 V 3.051 V 3.078 V
Jsc (단락 전류) 13.9 ㎃／㎠ 6.49 A／㎠ 15.92 A／㎠
Vmp (최대 전력점에서의 전압) 2.32 V 2.704 V 2.523 V
Jmp (최대 전력점에서의 전류) 13.46 ㎃／㎠ 6.27 A／㎠ 15.04 A／㎠
Pmp (최대 전력점) 31.23 ㎽／㎠ 17.03 W／㎠ 38.03 W／㎠
표시된 바와 같이, 테스트는 470 Suns 집중도에서 효율이 가장 높았다고 나타낸다. 1150 Suns는 보다 큰 전체 출력을 생산하였지만, 더 큰 집중도는 태양 전지의 수명에 손상을 입히거나, 태양 전지의 수명을 실질적으로 단축시킬 수 있는 보다 큰 양의 열에 태양 전지를 노출시킨다.
전술한 장치에 변경이 이루어질 수 있다는 점이 명백해질 것이다. 보다 구체적으로, 유전체 재료는 패널 상의 다이오드 뿐만 아니라, 모든 단자, 리드(lead) 및 도체 트레이스에도 적용될 수 있다. 또한, 태양 전지 모듈 하우징은 예를 들어, (1) 상이한 초점 거리를 가진 렌즈를 조절하기 위해, 또는 (2) 초점으로부터 떨어지거나 초점을 향하도록 태양 전지를 이동시킴으로써 집중도(예를 들어, Suns)를 증가 또는 감소시키기 위하여 조절 가능하게 이루어질 수 있다. 또한, 다수의 렌즈는 예를 들어, 태양 전지 상으로 입사광을 정확히 집광하도록 배열될 수 있다.
다수의 실시예들이 설명되었다. 그럼에도 불구하고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고, 다양한 변경이 이루어질 수 있다는 것이 이해될 것이다. 따라서, 다른 실시예들은 청구 범위 내에 속한다.
도 1은 태양 에너지로부터 전기를 생성시키기 위한 장치를 포함하는 솔라 패널의 실시예에 대한 사시도이다.
도 2a는 태양 전지 모듈의 실시예에 대한 사시도이다.
도 2b는 제2차 광학적 구성요소의 실시예에 대한 사시도이다.
도 3은 도 4의 태양 전지 수신기의 회로도이다.
도 4는 도 2a의 태양 전지 모듈의 일부를 형성하는 태양 전지 수신기의 실시예에 대한 사시도이다.
도 5는 도 4의 A-A 라인에 따른 단면도이다.
도 6은 태양 전지 수신기의 바닥의 실시예에 대한 도면이다.
도 7a 7b 및 7c는 태양 전지의 또 다른 실시예를 도시한다.
도 8은 태양 전지 수신기의 또 다른 실시예를 도시한다.

Claims (12)

  1. 태양 에너지를 전기로 변환하기 위한 태양 전지 모듈로,
    제1 측 및 상기 제1 측의 반대편의 제2 측을 포함하는 하우징;
    상기 하우징의 제1 측에 연결된 프레넬 렌즈의 집적 어레이; 및
    상기 하우징의 제2 측에 배치된 복수의 태양 전지 수신기
    를 포함하고,
    상기 태양 전지 수신기의 각각은,
    하나 이상의 Ⅲ－Ⅴ 화합물 반도체층을 포함하는 태양 전지;
    바디, 애노드 단자 및 캐소드 단자를 갖고, 상기 태양 전지와 평행하게 연결된 다이오드; 및
    상기 태양 전지 및 상기 다이오드와 평행하게 연결되고, 하나 이상의 이격된 태양 전지 수신기에 전기적 접속을 제공하도록 구성된 제1 및 제2 전기 단자
    를 포함하고,
    상기 태양 전지 각각은 각 렌즈의 광학적 경로에 배치되고,
    상기 렌즈는 400 이상의 팩터에 의해 각 태양 전지 상으로 태양 에너지를 집중시키고, 14와트의 피크 DC 전력(peak DC power)을 초과하여 생성할 수 있는
    태양 전지 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 프레넬 렌즈의 집적 어레이의 각 렌즈는 약 38.1 ㎝와 약 50.8 ㎝ 사이의 초점 거리를 가지는
    태양 전지 모듈.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 태양 전지 수신기 각각의 태양 전지는 약 1 ㎝ × 약 1 ㎝의 치수를 갖는
    태양 전지 모듈.
  4. 제 1 항에 있어서,
    복수의 2차 광학적 구성요소는 상기 렌즈 각각의 광학적 경로에 배치되고,
    상기 2차 광학적 구성요소 각각은 복수의 반사벽을 갖는 각각의 테이퍼링된 광학적 채널을 정의하고,
    상기 태양 전지 각각은 상기 광학적 채널 각각의 광학적 경로에 배치되는
    태양 전지 모듈.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 태양 전지 수신기 각각은,
    상기 태양 전지 및 상기 다이오드를 지지하기 위한 기판;
    상기 다이오드의 바디는 상부 및 상기 상부보다 상기 기판에 더 근접하게 배치된 하부
    를 포함하고,
    상기 다이오드 바디의 상부에 배치되고, 상기 기판으로 연장되며, 상기 다이오드 바디, 애노드 단자 및 캐소드 단자를 실질적으로 캡슐화하는 코팅; 및
    상기 다이오드 바디의 하부와 상기 기판 사이의 모든 공간을 실질적으로 점유하는 언더코팅(undercoating)을 포함하는
    태양 전지 모듈.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 언더코팅은 상기 다이오드와 상기 기판 사이에 공기갭이 없도록 배치되는
    태양 전지 모듈.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 프레넬 렌즈의 집적 어레이는 상기 하우징에서의 정렬 구성요소와 연결하도록 구성된 정렬 구성요소를 갖는 아크릴 시트(acrylic sheet)인
    태양 전지 모듈.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 집적 어레이의 각 렌즈의 초점 거리는 약 45 ㎝인
    태양 전지 모듈.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 태양 전지는 적어도 3 영역을 포함하는 다중접합 전지이고,
    상기 영역은 게르마늄 함유 기판, 상기 기판에 배치된 InGaAs 또는 GaAs를 함유한 층, 상기 InGaAs 또는 GaAs를 함유한 층에 배치된 InGaP의 층을 각각 포함하는
    태양 전지 모듈.
  10. 제 4 항에 있어서,
    상기 2차 광학적 구성요소는 일반적으로 고반사율 내면을 갖는 사다리꼴 솔리드인
    태양 전지 모듈.
  11. 제 4 항에 있어서,
    상기 광학적 채널은
    광학적 출구 및 상기 광학적 출구보다 더 큰 광학적 입구에 의해 정의되는
    태양 전지 모듈.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 광학적 출구는 상기 태양 전지와 대략 동일한 치수를 갖도록 만들어진
    태양 전지 모듈.
KR1020090003929A 2008-02-11 2009-01-16 Ⅲ－ⅴ 반도체 태양 전지를 이용한 집중식 태양광 시스템 모듈 KR101224923B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/069,642 2008-02-11
US12/069,642 US8093492B2 (en) 2008-02-11 2008-02-11 Solar cell receiver for concentrated photovoltaic system for III-V semiconductor solar cell

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090086906A true KR20090086906A (ko) 2009-08-14
KR101224923B1 KR101224923B1 (ko) 2013-01-23

Family

ID=40937850

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090003929A KR101224923B1 (ko) 2008-02-11 2009-01-16 Ⅲ－ⅴ 반도체 태양 전지를 이용한 집중식 태양광 시스템 모듈

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8093492B2 (ko)
JP (1) JP5150879B2 (ko)
KR (1) KR101224923B1 (ko)
CN (1) CN101510571B (ko)
DE (1) DE102009006286A1 (ko)
ES (1) ES2378392A1 (ko)
TW (1) TW200941749A (ko)

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7622666B2 (en) * 2005-06-16 2009-11-24 Soliant Energy Inc. Photovoltaic concentrator modules and systems having a heat dissipating element located within a volume in which light rays converge from an optical concentrating element towards a photovoltaic receiver
US8148628B2 (en) * 2007-07-30 2012-04-03 Emcore Solar Power, Inc. Solar cell receiver for concentrator modules
US7671270B2 (en) * 2007-07-30 2010-03-02 Emcore Solar Power, Inc. Solar cell receiver having an insulated bypass diode
US9141413B1 (en) 2007-11-01 2015-09-22 Sandia Corporation Optimized microsystems-enabled photovoltaics
US9093586B2 (en) 2007-11-01 2015-07-28 Sandia Corporation Photovoltaic power generation system free of bypass diodes
US8759138B2 (en) 2008-02-11 2014-06-24 Suncore Photovoltaics, Inc. Concentrated photovoltaic system modules using III-V semiconductor solar cells
US9331228B2 (en) * 2008-02-11 2016-05-03 Suncore Photovoltaics, Inc. Concentrated photovoltaic system modules using III-V semiconductor solar cells
US8242350B2 (en) 2008-05-16 2012-08-14 Cashion Steven A Concentrating photovoltaic solar panel
US20100101630A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Emcore Solar Power, Inc. Terrestrial Solar Tracking Photovoltaic Array with Slew Speed Reducer
US8378281B2 (en) 2008-10-24 2013-02-19 Suncore Photovoltaics, Inc. Terrestrial solar tracking photovoltaic array with offset solar cell modules
US8536504B2 (en) 2008-10-24 2013-09-17 Suncore Photovoltaics, Inc. Terrestrial solar tracking photovoltaic array with chain drive
US10416425B2 (en) * 2009-02-09 2019-09-17 X-Celeprint Limited Concentrator-type photovoltaic (CPV) modules, receiver and sub-receivers and methods of forming same
WO2010132312A1 (en) * 2009-05-12 2010-11-18 Entech Solar, Inc. Solar photovoltaic concentrator panel
US20110203638A1 (en) * 2009-07-16 2011-08-25 Entech Solar, Inc. Concentrating linear photovoltaic receiver and method for manufacturing same
US9012771B1 (en) 2009-09-03 2015-04-21 Suncore Photovoltaics, Inc. Solar cell receiver subassembly with a heat shield for use in a concentrating solar system
US9806215B2 (en) * 2009-09-03 2017-10-31 Suncore Photovoltaics, Inc. Encapsulated concentrated photovoltaic system subassembly for III-V semiconductor solar cells
US20110073183A1 (en) * 2009-09-25 2011-03-31 Electronics And Telecommunication Research Institute Reflect-array lens for solar cell and solar cell module having reflect-array lens
CN101841267A (zh) * 2009-12-31 2010-09-22 袁长胜 一种太阳能发电集热装置的高能模组
TW201135950A (en) * 2010-04-12 2011-10-16 Foxsemicon Integrated Tech Inc Solar cell
US8453328B2 (en) 2010-06-01 2013-06-04 Suncore Photovoltaics, Inc. Methods and devices for assembling a terrestrial solar tracking photovoltaic array
WO2012003311A1 (en) * 2010-06-30 2012-01-05 Intellectual Property, Llc Solar cell with photon collecting means
US8592738B1 (en) 2010-07-01 2013-11-26 Suncore Photovoltaics, Inc. Alignment device for use with a solar tracking photovoltaic array
US20120012155A1 (en) * 2010-09-27 2012-01-19 Skyline Solar, Inc. Solar receiver with front and rear heat sinks
US9190546B1 (en) * 2010-09-30 2015-11-17 Sandia Corporation Solar photovoltaic reflective trough collection structure
CN102456760A (zh) * 2010-10-19 2012-05-16 聚阳光能股份有限公司 集光系统的模块化结构及其实施方法
CN102169917A (zh) * 2011-03-17 2011-08-31 浙江蓝特光学股份有限公司 一种用于聚光光伏太阳能系统的多面锥体棱镜
FR2977010B1 (fr) * 2011-06-27 2013-07-12 Sunpartner Sas Concentrateur solaire comprenant un heliostat et une lentille de fresnel
RU2475888C1 (ru) * 2011-08-02 2013-02-20 Российская Федерация, От Имени Которой Выступает Министерство Промышленности И Торговли Российской Федерации Конструкция фотоэлектрического модуля
US20130037080A1 (en) * 2011-08-10 2013-02-14 Ron HELFAN Transportable solar harvester system and method
DE102011119467A1 (de) * 2011-11-25 2013-05-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Solarzellenmodul und Konzentratormodul sowie deren Verwendung
JP5948899B2 (ja) * 2012-01-25 2016-07-06 住友電気工業株式会社 集光型太陽光発電モジュール及び集光型太陽光発電パネル
US20130213473A1 (en) * 2012-02-21 2013-08-22 Atomic Energy Council - Institute Of Nuclear Energy Research Composite substrate with high thermal conductivity
WO2013173212A1 (en) * 2012-05-14 2013-11-21 Light Prescriptions Innovators, Llc Bubble riddance apparatus
WO2013179287A1 (en) 2012-05-29 2013-12-05 Essence Solar Solutions Ltd. Photovoltaic module assembly
EP2693494B1 (de) 2012-07-31 2020-06-17 AZURSPACE Solar Power GmbH Solarzelleneinheit
EP2693492B1 (de) 2012-07-31 2017-02-15 AZUR SPACE Solar Power GmbH Solarzelleneinheit
EP2693493B1 (de) 2012-07-31 2020-12-02 AZUR SPACE Solar Power GmbH Solarzelleneinheit
ES2835739T3 (es) 2012-07-31 2021-06-23 Azurspace Solar Power Gmbh Unidad de célula solar
US9412891B2 (en) 2012-12-17 2016-08-09 International Business Machines Corporation Thermal receiver for high power solar concentrators and method of assembly
DE102013201938A1 (de) * 2013-02-06 2014-08-07 Sunoyster Systems Gmbh Receiver für Solaranlagen und Solaranlage
ES2514891B1 (es) * 2013-04-26 2015-08-05 Fº JAVIER PORRAS VILA Placa foto-termovoltáica con lupas y solenoides, de efecto invernadero
GB2516011A (en) * 2013-07-02 2015-01-14 Ibm Absorber device
US9831369B2 (en) 2013-10-24 2017-11-28 National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc Photovoltaic power generation system with photovoltaic cells as bypass diodes
US20150280025A1 (en) * 2014-04-01 2015-10-01 Sharp Kabushiki Kaisha Highly efficient photovoltaic energy harvesting device
US20150349180A1 (en) * 2014-05-30 2015-12-03 David D. Smith Relative dopant concentration levels in solar cells
EP2950353B1 (de) 2014-05-30 2018-10-10 AZUR SPACE Solar Power GmbH Solarzelleneinheit
CN104659130A (zh) * 2014-12-15 2015-05-27 苏州矩阵光电有限公司 一种ⅲ-ⅴ半导体太阳能电池模组
CN104617870B (zh) * 2014-12-31 2017-08-22 天津蓝天太阳科技有限公司 一种超薄型iii‑v族太阳电池聚光光伏组件
WO2016198704A1 (es) * 2015-06-12 2016-12-15 Ariza López Ïñigo Antonio Panel concentrador solar
US10418501B2 (en) 2015-10-02 2019-09-17 X-Celeprint Limited Wafer-integrated, ultra-low profile concentrated photovoltaics (CPV) for space applications
DE102016011320B3 (de) 2016-09-21 2017-08-24 Azur Space Solar Power Gmbh Linse, Solarzelleneinheit und Fügeverfahren für eine Solarzelleneinheit
DE102016012645A1 (de) * 2016-10-24 2018-04-26 Azur Space Solar Power Gmbh Halbzeuganordnung auf einer Folie und ein Herstellungsverfahren für eine Halbzeuganordnung auf einer Folie
DE102016012644A1 (de) * 2016-10-24 2018-04-26 Azur Space Solar Power Gmbh Nutzen von Solarzelleneinheiten und Herstellungsverfahren
DE102018003272B3 (de) 2018-04-23 2019-04-25 Azur Space Solar Power Gmbh Aufnahmevorrichtung für einen Solarzelleneinheiten-Nutzen und Herstellungsverfahren für einen Solarzelleneinheiten-Nutzen

Family Cites Families (118)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3589946A (en) 1968-09-06 1971-06-29 Westinghouse Electric Corp Solar cell with electrical contact grid arrangement
BE789331A (fr) 1971-09-28 1973-01-15 Communications Satellite Corp Cellule solaire a geometrie fine
US3966499A (en) 1972-10-11 1976-06-29 The United States Of America As Represented By The Administrator, National Aeronautics And Space Administration Solar cell grid patterns
IL48996A (en) 1975-02-27 1977-08-31 Varian Associates Photovoltaic cells
US4017332A (en) 1975-02-27 1977-04-12 Varian Associates Solar cells employing stacked opposite conductivity layers
US3999283A (en) 1975-06-11 1976-12-28 Rca Corporation Method of fabricating a photovoltaic device
DE2607509A1 (de) 1976-02-25 1977-09-01 Johann Prof Dr I Kleinwaechter Solarkonzentratoren mit vorgebbarer energiedichteverteilung
US4109640A (en) 1976-04-12 1978-08-29 Smith Lynwood L Solar heating system
US4168696A (en) 1976-09-30 1979-09-25 Kelly Donald A Four quadrant, two dimensional, linear solar concentration panels
FR2404307A1 (fr) 1977-09-27 1979-04-20 Centre Nat Etd Spatiales Cellules solaires a double heterojonction et dispositif de montage
US4329535A (en) 1978-05-03 1982-05-11 Owens-Illinois, Inc. Solar cells and collector structures
US4268709A (en) 1978-07-03 1981-05-19 Owens-Illinois, Inc. Generation of electrical energy from sunlight, and apparatus
US4188238A (en) 1978-07-03 1980-02-12 Owens-Illinois, Inc. Generation of electrical energy from sunlight, and apparatus
US4164432A (en) 1978-08-09 1979-08-14 Owens-Illinois, Inc. Luminescent solar collector structure
US4186033A (en) 1978-11-01 1980-01-29 Owens-Illinois, Inc. Structure for conversion of solar radiation to electricity and heat
DE2924510A1 (de) 1979-06-18 1981-01-08 Imchemie Kunststoff Gmbh Konzentrator fuer solarzellen
US4292959A (en) 1980-02-25 1981-10-06 Exxon Research & Engineering Co. Solar energy collection system
DE3131612A1 (de) 1981-08-10 1983-02-24 Zahnräderfabrik Renk AG, 8900 Augsburg Getriebe zur positionierung von sonnenenergie-kollektoren
DE3371689D1 (en) 1983-01-14 1987-06-25 Seifert Dieter Tracking device
JPS61168656U (ko) * 1986-03-20 1986-10-20
US4834805A (en) 1987-09-24 1989-05-30 Wattsun, Inc. Photovoltaic power modules and methods for making same
US5255666A (en) 1988-10-13 1993-10-26 Curchod Donald B Solar electric conversion unit and system
US5091018A (en) 1989-04-17 1992-02-25 The Boeing Company Tandem photovoltaic solar cell with III-V diffused junction booster cell
US5217539A (en) 1991-09-05 1993-06-08 The Boeing Company III-V solar cells and doping processes
US5118361A (en) 1990-05-21 1992-06-02 The Boeing Company Terrestrial concentrator solar cell module
US5096505A (en) 1990-05-21 1992-03-17 The Boeing Company Panel for solar concentrators and tandem cell units
US5374317A (en) 1990-09-26 1994-12-20 Energy Systems Solar, Incorporated Multiple reflector concentrator solar electric power system
DK170125B1 (da) 1991-01-22 1995-05-29 Yakov Safir Solcellemodul
US5167724A (en) 1991-05-16 1992-12-01 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Planar photovoltaic solar concentrator module
US5153780A (en) 1991-06-10 1992-10-06 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method and apparatus for uniformly concentrating solar flux for photovoltaic applications
US5617508A (en) * 1992-10-05 1997-04-01 Panasonic Technologies Inc. Speech detection device for the detection of speech end points based on variance of frequency band limited energy
US5460659A (en) 1993-12-10 1995-10-24 Spectrolab, Inc. Concentrating photovoltaic module and fabrication method
WO1996008683A1 (en) 1994-09-15 1996-03-21 Colin Francis Johnson Solar concentrator for heat and electricity
US5959787A (en) 1995-06-06 1999-09-28 The Boeing Company Concentrating coverglass for photovoltaic cells
US5660644A (en) 1995-06-19 1997-08-26 Rockwell International Corporation Photovoltaic concentrator system
US5622078A (en) 1995-08-21 1997-04-22 Mattson; Brad A. Linear/helix movement support/solar tracker
US5616185A (en) * 1995-10-10 1997-04-01 Hughes Aircraft Company Solar cell with integrated bypass diode and method
DE19609283A1 (de) 1996-03-09 1997-09-11 Hans Kleinwaechter Multi-Solarzellen-Konzentrator
US5936777A (en) 1996-10-31 1999-08-10 Lightpath Technologies, Inc. Axially-graded index-based couplers for solar concentrators
JPH10221528A (ja) 1996-12-05 1998-08-21 Toyota Motor Corp 太陽電池装置
JPH10256574A (ja) * 1997-03-14 1998-09-25 Toko Inc ダイオード装置
US6020555A (en) 1997-05-01 2000-02-01 Amonix, Inc. System for protecting series connected solar panels against failure due to mechanical damage of individual solar cells while maintaining full output of the remaining cells
US6031179A (en) 1997-05-09 2000-02-29 Entech, Inc. Color-mixing lens for solar concentrator system and methods of manufacture and operation thereof
US6057505A (en) 1997-11-21 2000-05-02 Ortabasi; Ugur Space concentrator for advanced solar cells
US6700054B2 (en) 1998-07-27 2004-03-02 Sunbear Technologies, Llc Solar collector for solar energy systems
US6103970A (en) * 1998-08-20 2000-08-15 Tecstar Power Systems, Inc. Solar cell having a front-mounted bypass diode
US6043425A (en) 1998-10-02 2000-03-28 Hughes Electronics Corporation Solar power source with textured solar concentrator
JP2000228529A (ja) 1998-11-30 2000-08-15 Canon Inc 過電圧防止素子を有する太陽電池モジュール及びこれを用いた太陽光発電システム
JP2000196127A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Honda Motor Co Ltd 集光追尾式発電システムの故障診断装置及び故障診断方法
JP2001036120A (ja) * 1999-07-21 2001-02-09 Honda Motor Co Ltd ソーラーセルアセンブリ及びその製造方法
JP3266198B2 (ja) * 1999-10-25 2002-03-18 オムロン株式会社 センサシステム
JP4270689B2 (ja) 1999-11-24 2009-06-03 本田技研工業株式会社 太陽光発電装置
US20040194820A1 (en) 2000-01-20 2004-10-07 Steven Barone Self tracking, wide angle solar concentrators
AU2001260971A1 (en) 2000-01-20 2001-08-07 Bd Systems, Llc Self tracking, wide angle, solar concentrators
DE10017610C2 (de) 2000-03-30 2002-10-31 Hahn Meitner Inst Berlin Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Solarmoduls mit integriert serienverschalteten Dünnschicht-Solarzellen und Verwendung davon
ES2160555B2 (es) 2000-04-27 2006-04-16 Universidad Politecnica De Madrid Convertidor fotovoltaico de alta eficiencia para intensidades luminosas elevadas fabricado con tecnologia optoelectronica.
JP2001345469A (ja) 2000-06-01 2001-12-14 Canon Inc 光起電力素子および光起電力素子の製造方法
JP3797871B2 (ja) 2000-12-05 2006-07-19 シャープ株式会社 宇宙用ソーラーパネルおよびその修理方法
US6399874B1 (en) 2001-01-11 2002-06-04 Charles Dennehy, Jr. Solar energy module and fresnel lens for use in same
US6815736B2 (en) 2001-02-09 2004-11-09 Midwest Research Institute Isoelectronic co-doping
JP2002289900A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Canon Inc 集光型太陽電池モジュール及び集光型太陽光発電システム
EP1261039A1 (en) 2001-05-23 2002-11-27 Université de Liège Solar concentrator
US6469241B1 (en) 2001-06-21 2002-10-22 The Aerospace Corporation High concentration spectrum splitting solar collector
ITTO20010692A1 (it) 2001-07-13 2003-01-13 Consiglio Nazionale Ricerche Dispositivo elettroluminescente organico basato sull'emissione di ecciplessi od elettroplessi e sua realizzazione.
AU2001277778B2 (en) 2001-08-13 2005-04-07 Sphelar Power Corporation Light-emitting or light-receiving semiconductor module and method of its manufacture
US7208674B2 (en) 2001-09-11 2007-04-24 Eric Aylaian Solar cell having photovoltaic cells inclined at acute angle to each other
US6603069B1 (en) 2001-09-18 2003-08-05 Ut-Battelle, Llc Adaptive, full-spectrum solar energy system
US6804062B2 (en) 2001-10-09 2004-10-12 California Institute Of Technology Nonimaging concentrator lens arrays and microfabrication of the same
US7119271B2 (en) 2001-10-12 2006-10-10 The Boeing Company Wide-bandgap, lattice-mismatched window layer for a solar conversion device
US6680432B2 (en) 2001-10-24 2004-01-20 Emcore Corporation Apparatus and method for optimizing the efficiency of a bypass diode in multijunction solar cells
US6818818B2 (en) 2002-08-13 2004-11-16 Esmond T. Goei Concentrating solar energy receiver
US20040112424A1 (en) 2002-10-03 2004-06-17 Daido Steel Co., Ltd. Solar cell assembly, and photovoltaic solar electric generator of concentrator type
EP2360097A2 (en) 2002-11-26 2011-08-24 Solaren Corporation Space-based power system
US20050081908A1 (en) 2003-03-19 2005-04-21 Stewart Roger G. Method and apparatus for generation of electrical power from solar energy
JP3493422B1 (ja) * 2003-04-07 2004-02-03 エンゼル工業株式会社 半被覆ダイオードと太陽電池モジュール用端子ボックス
US7812249B2 (en) 2003-04-14 2010-10-12 The Boeing Company Multijunction photovoltaic cell grown on high-miscut-angle substrate
US20040261838A1 (en) 2003-06-25 2004-12-30 Hector Cotal Solar cell with an electrically insulating layer under the busbar
US6959993B2 (en) 2003-07-10 2005-11-01 Energy Innovations, Inc. Solar concentrator array with individually adjustable elements
US7192146B2 (en) 2003-07-28 2007-03-20 Energy Innovations, Inc. Solar concentrator array with grouped adjustable elements
US8334451B2 (en) 2003-10-03 2012-12-18 Ixys Corporation Discrete and integrated photo voltaic solar cells
US20050081909A1 (en) 2003-10-20 2005-04-21 Paull James B. Concentrating solar roofing shingle
US20050092360A1 (en) 2003-10-30 2005-05-05 Roy Clark Optical concentrator for solar cell electrical power generation
US20050109386A1 (en) 2003-11-10 2005-05-26 Practical Technology, Inc. System and method for enhanced thermophotovoltaic generation
JP4681806B2 (ja) 2003-12-19 2011-05-11 キヤノン株式会社 太陽電池モジュール
US7325554B2 (en) 2004-03-22 2008-02-05 Johnson & Johnson Consumer Companies, Inc. Dental device with improved retention of a flavor and/or chemotherapeutic agent composition
JP2005285948A (ja) 2004-03-29 2005-10-13 Sharp Corp 太陽電池モジュールおよびその製造方法
JP2006064203A (ja) 2004-08-24 2006-03-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 太陽電池モジュール
US7442871B2 (en) 2004-09-13 2008-10-28 General Electric Company Photovoltaic modules for solar concentrator
DE102004050638B3 (de) 2004-10-18 2006-02-16 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zur photovoltaischen Erzeugung von Wasserstoff
KR100645807B1 (ko) 2004-12-06 2007-02-28 엘지전자 주식회사 모터 기동 제어장치 및 그 방법
DE102005000767A1 (de) 2005-01-04 2006-07-20 Rwe Space Solar Power Gmbh Monolithische Mehrfach-Solarzelle
US20060249198A1 (en) 2005-05-09 2006-11-09 Jin-Geun Rhee Photovoltaic power generating unit having radiating fins
JP2006313810A (ja) 2005-05-09 2006-11-16 Daido Steel Co Ltd 集光型太陽光発電装置
JP4732015B2 (ja) * 2005-06-07 2011-07-27 シャープ株式会社 集光型太陽光発電ユニットおよび集光型太陽光発電装置
US7622666B2 (en) 2005-06-16 2009-11-24 Soliant Energy Inc. Photovoltaic concentrator modules and systems having a heat dissipating element located within a volume in which light rays converge from an optical concentrating element towards a photovoltaic receiver
US7902453B2 (en) 2005-07-27 2011-03-08 Rensselaer Polytechnic Institute Edge illumination photovoltaic devices and methods of making same
TWI296700B (en) 2005-08-24 2008-05-11 Atomic Energy Council Solar energy collector and array of the same
DE102005047132A1 (de) 2005-09-30 2007-04-12 Solartec Ag Konzentrator-Photovoltaik-Vorrichtung; Photovoltaik-Einrichtung zur Verwendung darin sowie Herstellverfahren hierfür
US20070089777A1 (en) 2005-10-04 2007-04-26 Johnson Richard L Jr Heatsink for concentrating or focusing optical/electrical energy conversion systems
TWI277772B (en) 2005-10-28 2007-04-01 Atomic Energy Council Photovoltaic concentrator apparatus
US7687707B2 (en) * 2005-11-16 2010-03-30 Emcore Solar Power, Inc. Via structures in solar cells with bypass diode
EP1989492A2 (en) 2006-01-17 2008-11-12 Soliant Energy, Inc. Concentrating solar panel and related systems and methods
EP1994336A2 (en) 2006-01-17 2008-11-26 Soliant Energy, Inc. A hybrid primary optical component for optical concentrators
US20070199563A1 (en) 2006-02-16 2007-08-30 Fox Martin D Apparatus for concentration and conversion of solar energy
JP2007227468A (ja) * 2006-02-21 2007-09-06 Fujikura Ltd パッケージ基板及びアンダーフィル充填方法
US20070227581A1 (en) 2006-03-28 2007-10-04 Zupei Chen Concentrator solar cell module
US20070246040A1 (en) 2006-04-25 2007-10-25 Applied Optical Materials Wide angle solar concentrator
JP4884907B2 (ja) * 2006-09-28 2012-02-29 シャープ株式会社 太陽電池、および太陽電池製造方法
JP4794402B2 (ja) * 2006-09-29 2011-10-19 シャープ株式会社 太陽電池および集光型太陽光発電ユニット
WO2008048478A2 (en) 2006-10-13 2008-04-24 Soliant Energy, Inc. Sun sensor assembly and related method of using
WO2008112180A2 (en) 2007-03-11 2008-09-18 Soliant Energy, Inc. Heat transfer and wiring considerations for a photo voltaic receiver for solar concentrator applications
WO2008153892A1 (en) 2007-06-06 2008-12-18 Green Volts Inc. Reflective secondary optic for concentrated photovoltaic systems
US7381886B1 (en) * 2007-07-30 2008-06-03 Emcore Corporation Terrestrial solar array
US8148628B2 (en) 2007-07-30 2012-04-03 Emcore Solar Power, Inc. Solar cell receiver for concentrator modules
US7671270B2 (en) * 2007-07-30 2010-03-02 Emcore Solar Power, Inc. Solar cell receiver having an insulated bypass diode
EP2073280A1 (de) * 2007-12-20 2009-06-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Reflektive Sekundäroptik und Halbleiterbaugruppe sowie Verfahren zu dessen Herstellung
US9331228B2 (en) * 2008-02-11 2016-05-03 Suncore Photovoltaics, Inc. Concentrated photovoltaic system modules using III-V semiconductor solar cells
US8242350B2 (en) 2008-05-16 2012-08-14 Cashion Steven A Concentrating photovoltaic solar panel

Also Published As

Publication number Publication date
ES2378392A1 (es) 2012-04-12
KR101224923B1 (ko) 2013-01-23
CN101510571B (zh) 2014-03-26
US20090199891A1 (en) 2009-08-13
US8093492B2 (en) 2012-01-10
US20090199890A1 (en) 2009-08-13
JP2009188410A (ja) 2009-08-20
CN101510571A (zh) 2009-08-19
TW200941749A (en) 2009-10-01
DE102009006286A1 (de) 2009-10-01
JP5150879B2 (ja) 2013-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101224923B1 (ko) Ⅲ－ⅴ 반도체 태양 전지를 이용한 집중식 태양광 시스템 모듈
US7671270B2 (en) Solar cell receiver having an insulated bypass diode
US9331228B2 (en) Concentrated photovoltaic system modules using III-V semiconductor solar cells
US9923112B2 (en) Concentrated photovoltaic system modules using III-V semiconductor solar cells
US9806215B2 (en) Encapsulated concentrated photovoltaic system subassembly for III-V semiconductor solar cells
US20100313954A1 (en) Concentrated Photovoltaic System Receiver for III-V Semiconductor Solar Cells
US5118361A (en) Terrestrial concentrator solar cell module
ES2400634B2 (es) Módulos de sistema fotovoltaico de concentración usando células solares de semiconductores iii-v.
US10804420B2 (en) Solar cell arrays for concentrator photovoltaic modules
KR20180012868A (ko) 태양 전지용 1차원 금속화
US9012771B1 (en) Solar cell receiver subassembly with a heat shield for use in a concentrating solar system
US20220416106A1 (en) Concentrator photovoltaic module

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
N231 Notification of change of applicant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141215

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170116

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee