KR20090086630A - 전자기파 차폐 필름 및 그 제조방법 - Google Patents

전자기파 차폐 필름 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전자기파 차단 필름 및 그 제조방법에 관한 것이다. 전자기파 차단 필름은 지지체 및 그 위에 필라멘트 그리드를 포함하는 전도성 박막이고, 상기 필라멘트 그리드는 금속 은 및 상기 금속 은에 도금된 금속 구리로 형성되며, 상기 금속 구리의 양이 상기 은 및 구리의 전체 질량의 55-90 질량%이고, 상기 그리드의 라인 폭이 5-25㎛이고 개기공률이 85%-95%이며, 표면 저항이 0 이상 5Ω/sq 이하이다. 상기 방법은 은 염-함유 층 및 그의 보호층을 지지체상에 도포하는 단계, 상기 층을 그리드 패턴으로 노광시키는 단계, 노광된 부분이 금속 은 부분을 형성하고 노광되지 않은 부분이 투광성 부분을 형성하도록 현상 처리를 수행하는 단계, 금속 은 부분을 비후화하는 단계, 비후화된 금속 은 부분을 활성화시키는 단계, 그리고나서 활성화된 금속 은 부분을 금속으로 도금하여 전도성 금속 부분을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명의 필름은 낮은 표면 저항성 및 우수한 차폐 효과를 갖고, 필름을 제조하는 방법이 간단하여 산업적 제조에 적합하다.

Description

전자기파 차폐 필름 및 그 제조방법{Electromagnetic shielding film and method for producing same}
본 발명은 차폐 필름에 관한 것이고, 보다 구체적으로 전자기파 차폐 필름 및 그 제조방법에 관한 것이다.
근래에 사회의 정보화가 빠르게 발달함과 더불의 정보와 관련된 장비가 빠르게 발달하여 점차 대중화되었다. 다양한 전자 장비, 통신 장치 및 CRT, LCD, EL, PDP, FED와 같은 디스플레이 장치가 다양한 정보를 제공하기 위해 텔레비젼, 개인용 컴퓨터 및 역과 공항에서 안내(guiding) 디스플레이 장치에 널리 사용된다. 그러므로 상기 전자 장비들, 전자적으로 제어되는 게임기(파칭코(즉, 일종의 도박용 핀볼 기계) 및 자동 도박용 기계와 같은 것) 뿐만 아니라 휴대 전화와 같은 통신 장치에 의해 발생되는 전자기 방해(electromagnetic interference, EMI)는 점점 더 심각한 문제를 일으킨다.
전자기 방해는 인접한 전자 장비의 작동의 정확성에 영향을 미치고, 오작동을 일으킬 뿐만 아니라 인체 건강에 악영향을 나타낸다. 그러므로 전자기파 차폐 물질의 필요 조건은 점점 더 엄격해졌다. 그러한 필요 조건을 만족시키기 위해, 다양한 투명 전도성 필름(전자기파 차폐 필름)이 개발되어 왔다. 예를 들어, 다양 한 차폐 필름이 일본 공개 특허 JP9-53030, JP11-126024, JP2000-294980, JP-2000-357414, JP2000-329934, JP2001-38843, JP2001-47549, JP2001-51610, JP2001-57110 및 JP2001-60416에 개시되어 있다. 그러나 이들 모든 차폐 필름에는 일반적으로 차폐 효율 결함이 존재한다.
이들 전자기파 차폐 필름 물질 제조방법에 있어서, 스퍼터링(sputtering)법, 에칭법 및 은 염 확산 전달법과 같은 방법이 일반적으로 채용된다. 스퍼터링법은 금속 은 및 인듐 주석 산화물(ITO)과 같이 높은 굴절률을 갖는 층을 형성하는데 사용되는 물질이 유리 기재 또는 이후에 유리 기재와 결합되는 PET 막으로 직접 스퍼터링되는 방법을 말한다. 스퍼터링법에 따라 제조된 전자기파 차폐 필름의 적용은, 상기 필름의 낮은 투과율 및 상대적으로 높은 표면 저항 때문에 제한적이고 널리 사용되지 않는다. 에칭법은 구리 호일을 투명하고 얇은 PET 필름으로 라미네이트하고 이어서 상기 호일을 포토리소그래피 공정을 거쳐 필라멘트에 의해 형성된 메쉬로 이루어진 구리 그리드를 얻는 방법을 말한다. 에칭법의 공정은 복잡하고 비용이 많이 든다. 은 염 확산 전달법은 팔라듐 및 로듐과 같은 촉매 핵(catalytic nuclei)을 투명하고 얇은 PET 필름에 도포하고 그 위에 할로겐화 은 에멀젼을 도포하고 물리적 현상(physical development)을 수행하고, 그리고나서 구리나 니켈을 도금하여 금속 필름을 형성하는 방법을 말한다. 촉매 핵의 잔기는 빛을 흡수하기 때문에 은 염 확산 전달법에 의해 형성된 필름은 낮은 투과율과 같은 문제를 갖는다.
본 발명의 요약
본 발명의 목적은 낮은 표면 저항 및 높은 차폐 효율을 갖는 전자기파 차폐 필름을 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 본 발명의 상기 전자기파 차폐 필름을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해서 본 발명은 다음의 기술적 해결방법을 제공한다.
본 발명은 전자기파 차폐 필름을 제공하는데, 이는 지지체 및 지지체상의 필라멘트 그리드로 이루어진 전도성 박막이고, 상기 필라멘트 그리드는 금속 은 및 상기 금속 은에 도금된 금속 구리로 형성되며, 상기 금속 구리의 양이 상기 은 및 구리의 전체 질량의 55-90 질량%이고, 상기 그리드의 라인 폭이 5-25㎛이고 개기공률(open porosity)이 85%-95%이며, 표면 저항이 0 이상 5Ω/sq 이하인 것을 특징으로 한다.
상기 전자기파 차폐 필름의 필라멘트 그리드는 두께가 2.5-8㎛이다.
본 발명은 또한 전자기파 차폐 필름을 제조하는 방법을 제공하는데, 이는 은 염-함유 층 및 그의 보호층을 지지체상에 도포하는 단계, 상기 층을 그리드 패턴으로 노광시키는 단계, 노광된 부분이 금속 은 부분을 형성하고, 노광되지 않은 부분이 투광성(light-transmitting) 부분을 형성하도록 현상 처리를 수행하는 단계, 금속 은 부분을 비후화하는(thickening) 단계, 비후화된 금속 은 부분을 활성화시키는 단계, 그리고나서 활성화된 금속 은 부분을 금속으로 도금하여 전도성 금속 부분을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 방법에 따르면 금속 은 부분을 비후화하는 단계는 은이나 구리로 수행된다.
상기 방법에 따르면 활성화 단계는 중금속 이온의 수용액을 사용하여 수행된다.
상기 방법에 따르면 활성화 단계는 팔라듐 이온, 금 이온 또는 은 이온의 수용액을 사용하여 수행된다.
상기 방법에 따르면 금속으로 도금하는 단계는 화학적 도금 공정에 의해 수행된다.
본 발명에 적용할 수 있는 지지체는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 수지, 디아세테이트 수지, 트리아세테이트 수지, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리비닐 클로라이드 수지, 폴리(에테르-케톤), 폴리설폰, 폴리(에테르-설폰), 폴리카보네이트, 폴리아미드, 아크릴 수지, 셀룰로스 트리아세테이트 등으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질로부터 형성된 단일-층 또는 다중-층의 박막일 수 있다. 빛 투과율, 내열성 및 비용과 같은 모든 요인을 고려하여, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름이 지지체("기재"로도 불린다)를 형성하기 위해 사용되기에 가장 바람직하다.
본 발명에 유용한 할로겐화 은 에멀전은 감광성 사진 물질 분야에서 할로겐화 은 에멀전을 제조하는 방법 중 임의의 방법에 따라서 제조될 수 있다. 일반적으로 할로겐화 은 에멀전은 젤라틴 존재하에 질산은 수용액을, 염화 나트륨이나 브롬화 칼륨 같은 할로겐화물의 수용액과 혼합하고 유화하여 제조된다.
본 발명에 적용가능한 할로겐화 은 조성물에 있어서, 염화은이 바람직하다, 즉, 상기 조성물은 50% 이상의 염화물 이온을 함유할 수 있고 이는 요오드 이온 및 브롬 이온 또한 함유할 수 있다. 할로겐화 은의 입자 크기는 0.1-1000nm가 바람직하고, 1-200nm가 더욱 바람직하다. 할로겐화 은 결정의 모양은 특별히 제한되지 않고 입방체, 8면체 또는 구형일수 있고 또는 평평한 과립형이며; 또는 염화은은 편상(flacky shape)을 갖는 쌍정(twin crystal)이다.
더 높은 콘트라스트(contrast)를 얻기 위해, 금속 이온, 특히 로듐 및 이리듐과 같은 전이 금속 이온은 할로겐화 은 에멀전 내에서 도핑될 필요가 있다. 로듐 및 이리듐 이온은 시아니드 이온, 할로겐 이온, 티오시아네이트 이온, 니트로실 이온, 물 및 히드록시드 이온을 포함하는 서로 다른 리간드와 배위 화합물을 형성할 수 있다. 금속 이온의 함량은 은 1 몰당 10-10-10-2 몰이 바람직하고, 은 1 몰당 10-9-10-3이 보다 바람직하다.
본 발명에서 은 염-함유 층 및 보호층은 침지 코팅, 압출 코팅, 슬라이드 코팅, 커튼 코팅, 로드(rod) 코팅, 에어 나이프 코팅, 롤러 코팅, 포토그라비어(photogravure) 코팅 또는 스프레이 코팅 등과 같은 임의의 코팅 수단에 의해 형성될 수 있다. 본 발명에서 연속적이고 균일한 코팅은 상기 코팅 수단을 채용하여 얻어진다.
본 발명에 적용가능한 노광용 광원은 UV 램프 또는 고압 수은 램프 등일 수 있다. 그리드 패턴은 광원 수단에 의해 할로겐화 은 필름으로 이동될 수 있거나, 그리드 패턴은 레이저 스캐닝 방법에 의해 할로겐화 은 필름으로 이동될 수 있다.
본 발명에서, 할로겐화 은 에멀전 층은 노광 후에 현상될 필요가 있다. 전통적인 사진 물질에 사용된 일반적인 현상 기술이 사용될 수 있다. 현상제는 특별히 제한되지 않으나, 구입가능한 D-19, D-72, D-11, D-8 및 G-48과 같이 높은 콘트라스트를 갖는 현상제가 바람직하다. 노광 및 현상 후에 금속 은 부분 및 투광성 부분이 형성된다.
그리고나서 본 발명의 금속 은 부분은 비후화하는 공정 및 활성화 공정을 거친 후 금속으로 도금되어 전도성 금속 부분을 형성한다. 전도성 금속 부분을 형성하기 위한 금속 입자는 구리, 알루미늄, 니켈, 철, 금, 코발트, 팔라듐 등의 입자일 수 있다. 그러나 전도성 및 비용을 종합적으로 고려하여, 전도성 금속 부분은 구리로 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명에 적용된 비후화하는 공정은 은을 비후화하는 공정 또는 구리를 비후화하는 공정일 수 있다. 은을 비후화하는 공정은 용해가능한 은 염 용액에서 금속 은 이온이 환원제에 의해 금속 은으로 환원되어 미세한 은 입자가 얻어지고, 그 사이에 얻어진 금속 은이 적당한 위치에 천천히 침적되는 공정이다. 그러한 금속 은의 침적율은 은이 아닌 투명한 부분에서 보다 금속 부분에서 훨씬 더 높고, 기본적으로 한 위치에 침적되는 은의 양은 그 위치에 이미 존재했던 은의 양과 비례한다. 그러므로 은을 비후화하는 공정에서 금속 은은 실질적으로 지지체의 투명한 부분에 침적되지 않고, 은-필라멘트 패턴화된 부분에 도금되거나 침적될 수 있다. 구리를 비후화하는 공정의 목적은 은을 비후화하는 공정의 목적과 동일한데, 이는 은-필라멘트 패턴화된 부분을 비후화하는 것이다. 구리를 비후화하는 공정에 사용되는 비후화 용액은 2가 구리 이온(Cu2+); 설페이트 이온, 나이트레이트 이온, 아세테이트 이온 등과 같은 산 라디칼 이온; 염소 이온, 브롬 이온 및 요오드 이온과 같은 할로겐 이온을 포함한다. 은을 비후화하는 공정 또는 구리를 비후화하는 공정은 일반적으로 실온에서 10초 내지 30분 동안, 바람직하게는 1분 내지 20분 동안 수행된다.
활성화 공정의 목적은 화학적 구리 도금의 속도를 가속화하기 위해, 투명한 지지체상의 패턴화된 은 필라멘트의 표면에, 화학적 구리 도금에 알맞은 활성점을 발생시키는 것이다. 활성화 공정은 증감-활성화의 2 단계 처리 방법 및 콜로이드성 팔라듐 활성화 방법과 같이 당업계에 잘 알려진 방법에 의해 수행될 수 있다. 증감-활성화의 2 단계 처리 방법은 다음의 2 단계를 포함하는 방법이다: 먼저 염화 제1 주석 수용액은 증감 처리를 수행하는데 사용되고, 그리고나서 염화 팔라듐, 염화 금 또는 질산은 수용액이 활성화 처리를 위해 사용된다. 본 발명에서는, 은을 비후화하거나 구리를 비후화하는 이전의 공정에서 금속 은 부분이 비후화되었기 때문에 활성화 공정은 중금속 이온, 즉, 염화 팔라듐, 염화 금 또는 질산은으로 직접 수행될 수 있다.
본 발명에서, 화학적 도금은 전도성 금속 부분을 형성하기 위해 금속을 침적하는데 채용된다. 인쇄 회로 기판(printed circuit board)용 도금 기술과 같은 전통적인 화학적 도금 기술이 사용될 수 있다. 가장 바람직하게는 화학적 도금은 화학적 구리 도금이고, 이는 구리 도금조(plating bath)에 투명한 지지체를 놓고 도금을 수행하는 공정이고, 은 필라멘트가 상기의 후속 처리를 거쳤기 때문에, 상기 투명한 지지체는 패턴화된 은 필라멘트에 충분히 활성화된 점을 갖는다. 화학적 구리 도금을 위한 상기 구리 도금조는 일반적으로 구리 염, 착화제, 환원제 및 다른 첨가제를 포함한다. 상기 구리 염은 침적될 구리 이온을 제공하고, 황산 구리, 아세트산 구리 또는 염화 구리와 같이 용해가능한 구리 염이 사용될 수 있다. 상기 환원제는 도금조에서 용해가능한 구리 이온을 금속 구리로 환원시키고, 금속 구리는 투명한 지지체에 은 필라멘트 패턴으로 침적되어 금속 구리 도금을 형성한다. 포름알데히드, 수소화붕소 나트륨(sodium borohydride), 차아인산 나트륨(sodium hypophosphite)과 같은 물질은 환원제로 사용될 수 있다. 착화제는 구리 이온을 착이온 상태로 변형시켜 알칼리 조건하에서 수산화 제2 구리(cupric hydroxide)의 발생 및 침전을 막기 위해 사용된다. 착이온의 형성은 금속 그레인(metal grain)을 제련하고 침적율을 증가시킬 뿐 아니라 용액의 안정성 및 화학적 도금의 성능을 향상시키기에 알맞다. 착화제는 일반적으로 타르트레이트, EDTA, 시트레이트, 트리에탄올아민, 시클로헥산디아민테트라아세트산 및 에틸렌 디아민 등을 포함한다. 한 가지 종류의 착화제가 일반적으로 사용되나 착화제의 혼합물 또한 사용될 수 있다. 화학적 구리 도금조의 주된 단점은 불안정성이고, 그 결과 일반적으로 α,α'-바이피리딘, 트리피리딘, 티오우레아 또는 메르캅토벤조티아졸과 같은 안정화제가 상기 도금조에 도입된다. 또한 비이온성 계면활성제 또는 음이온성 계면활성제(폴리에틸렌 글리콜(M=1000), 폴리옥시에틸렌 알킬페놀 에테르와 같은 것)이 상기 도금의 성능을 향상시키기 위해 첨가될 수 있다.
포름알데히드는 일반적으로 화학적 구리 도금을 위해 종래 공정에서 환원제로서 사용된다; 그러나 이는 독성이 있고 휘발성이어서 환경에 오염을 일으키고 인간의 건강에 해로울 것이다.
포름알데히드 및 차아인산 나트륨 모두 본 발명에서 사용되는 환원제로 연구되었다. 그리고 그 결과, 차아인산 나트륨의 산화 반응은 단순히 촉매 표면에서만 일어나고 상기 반응은 침적된 구리에 의해 촉진되지 않아서, 자가촉매 반응을 계속하게 하기 위해 소량의 니켈 이온이 자가촉매로서 도금조로 첨가될 필요가 있다.
본 발명에서 현상 공정 후의 금속 부분 및 도금 처리 후의 전도성 금속 부분은 추가적으로 산화 처리를 진행할 필요가 있다. 산화 처리는, 예를 들어 투명한 부분에 침적된 소량의 금속을 제거하는 효과를 가지므로 투명한 부분은 거의 100%의 투과율을 가질 수 있다.
전도성 금속 부분의 콘트라스트를 증진시키고 동시에 변색을 막기 위해서 구리 표면은 흑화 공정(blackening process)을 거칠 필요가 있다. 흑화 공정은 인쇄 회로 기판 분야에서 사용되는 방법의 이점을 가질 수 있다. 예를 들어 구리 표면은 95℃에서 2분 동안 수용액에서 처리될 수 있고, 수용액은 염화 나트륨(31g/L), 수산화 나트륨(15g/L) 및 인산 3나트륨(trisodium phosphate, 12g/L)을 포함한다.
상기 방법에 따라 제조된 전자기파 차폐 필름에서, 필라멘트 패턴의 필라멘트 폭이 감소되고 개기공율이 증가하면 빛 투과율은 증가하는 반면에 전도성은 감소할 것이다; 반대로 만약 필라멘트 폭이 증가하면 빛 투과율은 감소하는 반면에 전도성은 증가할 것이다. 그러므로 필라멘트 폭은 바람직하게는 5-25㎛이고, 필라멘트는 그리드 패턴으로 정렬되는 것이 바람직하며, 상기 필라멘트는 서로 수평이거나 수직으로 교차한다.
도금한 후에 전도성 금속 부분은 주로 금속 구리 및 금속 은으로 구성되고 나머지는 소량의 금속 팔라듐 및/또는 금속 니켈이다. 금속 구리의 함량은 금속 전체량에 대해 50-90 질량%에 달한다.
도금하고 나서 바로, 필라멘트 패턴의 두께는 원하는 특징에 따라 조정될 수 있으나 바람직하게는 2.5-8.0㎛이다. 만약 두께가 2.5㎛ 보다 더 작으면 때때로 원하는 표면 저항이 얻어지지 않을 것이다; 그리고 두께가 8.0㎛ 보다 더 크면 허용되긴 하지만 표면 저항을 낮추는 효과를 얻기는 어렵고 나아가 도금 공정의 효율이 감소할 것이다.
추가적으로 본 발명에 따른 전자기파 차폐 필름으로 30MHz-1000MHz의 넓은 범위에서 30dB 이상의 차폐 효과를 얻을 수 있거나, 1000MHz 이상의 범위의 주파수대에서 우수한 차폐 효과를 얻을 수 있다.
기술적 효과
본 발명에 따른 전자기파 차폐 필름의 장점은 낮은 표면 저항, 우수한 차폐 효과를 포함한다. 전자기파 차폐 필름을 제조하는 방법은 단순하여 산업적으로 제조하는데 적합하다.
본 발명은 그 특정 실시예를 나타내는 것에 의해 이하에 보다 구체적으로 예시된다. 그러나 본 발명의 범주는 다음의 실시예로 제한되어 해석되는 것은 아니다.
실시예 1
1. 할로겐화 은 에멀전의 제조
할로겐화 은 에멀전은 감광성 사진 물질 분야에서 채용된 방법에 따라 제조하였다. 할로겐화 은 에멀전은 은 브로모아이오다이드(silver bromoiodide)를 포함하고, 브롬화 은의 함량은 98 몰%이고 요오드화 은의 함량은 2 몰%이다. 에멀전의 평균 입자 크기는 0.09㎛이고, 상기 에멀전은 K2IrCl6 및 K3RhBr6로 도핑하였다. 에멀전의 금-황 증감은 4염화 금산 칼륨(potassium tetrachloroaurate) 및 티오황산 나트륨(sodium thiosulfate)으로 추가로 수행하였다. 그리고나서 상기 에멀전은 4.0g/m2 의 은 도포량으로 PET 필름위에 도포하고 나서 건조하였다.
2. 노광, 현상
코팅 및 건조한 후에 샘플은 285㎛/15㎛의 라인 폭/간격을 갖는 그리드 주형으로 자외선에 노광시켰다. 다음의 사진 현상제는 이후의 현상에 사용하고, F-5 고정화제는 추가 고정에 사용한다. 고정한 후 샘플들을 탈이온수로 린스하여 15㎛/285㎛의 라인 폭/간격을 갖는 은 그리드 상(grid image)을 수득하였다.
현상 용액의 조성:
무수 아황산 나트륨 100g
히드로퀴논 30.0g
페니돈 1.5g
수산화 나트륨 25.0g
브롬화 칼륨 3.5g
벤조트리아졸 1.0g
물 전체 부피가 1.0ℓ가 되도록 첨가됨
3. 비후화 처리
제1 저장 용액:
질산은 91.5g
물 전체 부피가 1.0ℓ가 되도록 첨가됨
제2 저장 용액:
티오시안산 암모늄 160.0g
티오황산 나트륨 160.0g
물 전체 부피가 1.0ℓ가 되도록 첨가됨
100㎖의 제1 저장 용액을 100㎖의 제2 저장 용액에 천천히 저으면서 첨가했다. 그리고나서 5-10% 아황산 나트륨 및 50㎖의 10% 암모니아를 함유하는 10% 피로갈롤 용액 25㎖를 첨가하여 비후화 용액을 얻었다. 전술한 노광 및 현상 공정 후에 얻어진 은 그리드 샘플을 비후화 용액에 5.0분 동안 침지하고 물로 린스했다.
4. 활성화 처리
비후화한 후에, 샘플을 0.5% 염화 팔라듐 수용액에서 0.5분 동안 활성화시키 고, 그리고나서 물로 린스하여 화학적 구리 도금을 거치도록 했다.
5. 화학적 구리 도금
활성화 후에 수산화 나트륨으로 pH를 12.5로 조정한 하기 도금조에서, 샘플을 화학적 구리 도금시켰다. 상기 도금은 25℃에서 5분 동안 수행하고 물로 세정하고, 그리고나서 건조시켜, 본 발명에 따른 차폐 필름 샘플을 얻었다. 결과는 표 1에 나타내었다.
화학적 구리 도금용 도금조의 조성:
성분 함량(mM/L)
황산 구리 60
트리에탄올아민 180
페로시안화 칼륨 0.002
바이피리딘 0.013
포름알데히드 용액 235
메탄올 210
실시예 2
1. 할로겐화 은 에멀전의 제조
감광성 사진 물질 분야에서 채용된 방법에 따라 할로겐화 은 에멀전을 제조했다. 할로겐화 은 에멀전은 은 클로로브로마이드(silver chlorobromide)를 포함하고, 염화은의 함량은 70 몰%이고 브롬화 은의 함량은 30 몰%이다. 에멀전의 평균 입자 크기는 0.23㎛이고 상기 에멀전은 K2IrCl6 및 K3RhBr6 로 도핑하였다. 에멀전의 금-황 증감은 4염화 금산 칼륨 및 티오황산 나트륨으로 추가로 수행하였다. 그리고나서 상기 에멀전은 상기 에멀전은 3.0g/m2의 은 도포량으로 PET 필름에 도포하고 나서 건조하였다.
2. 노광, 현상
코팅 및 건조한 후에 샘플은 200㎛/12㎛의 라인 폭/간격을 갖는 그리드 주형으로 자외선에 노광시켰다. 다음의 사진 현상제는 이후의 현상에 사용하고, F-5 고정화제는 추가 고정에 사용한다. 고정한 후 샘플들을 탈이온수로 린스하여 12㎛/200㎛의 라인 폭/간격을 갖는 은 그리드 상을 수득하였다.
현상 용액 조성물:
무수 아황산 나트륨 100g
히드로퀴논 12.0g
메톨 2.0g
탄산나트륨 75g
브롬화 칼륨 4.0g
요오드화 칼륨 0.02g
물 1.0ℓ로 첨가됨
3. 비후화 처리
(1) 황산 구리 45g
염화 나트륨 10g
물 1.0ℓ
황산 구리 45g 및 염화 나트륨 10g을 물 1.0ℓ에 첨가하고, 상기 혼합물을 저어 비후화 용액을 얻었다. 상기 노광 및 현상 공정 후에 얻어진 은 그리드 샘플을 비후화 용액에 3.0분 동안 침지하고 물로 린스했다.
(2) 다음 용액은 혼합 직후 사용되어야 한다.
용액 A:
염화 제1 주석 28g
물 250㎖
용액 B:
수산화 나트륨 22g
물 750㎖
용액 B는 사용 바로 직전에 용액 A에 첨가하고 구리 용액으로 상기 처리를 한 후 얻어진 샘플은 용액 A 및 용액 B의 혼합물에 3.0분 동안 침지하고 물로 린스했다.
4. 활성화 처리
비후화한 후에, 샘플을 2% 질산은 수용액에서 2분 동안 활성화시키고, 그리고나서 물로 린스하여 화학적 구리 도금을 거치도록 했다.
5. 화학적 구리 도금
상기 공정은 실시예 1과 동일한 과정에 따라 수행된다. 결과는 표 1에 나타내었다.
실시예 3
1. 할로겐화 은 에멀전의 제조
제조 공정은 실시예 2와 동일한 과정에 따라 수행했다.
2. 노광, 현상
건조한 후에 샘플은 320㎛/25㎛의 라인 폭/간격을 갖는 그리드 주형으로 자외선에 노광시켰다. 실시예 1에 기재된 현상제를 이후의 현상에 사용하고, F-5 고정화제는 추가 고정에 사용한다. 고정한 후 샘플들을 탈이온수로 린스하여 25㎛/320㎛의 라인 폭/간격을 갖는 은 그리드 상을 수득하였다.
3. 비후화 처리
비후화하는 공정은 실시예 2와 동일한 과정에 따라 수행된다.
4. 활성화 처리
비후화한 후에, 샘플을 0.1% 염화 팔라듐 수용액에서 3분 동안 활성화시키고, 그리고나서 물로 린스하여 화학적 구리 도금을 거치도록 했다.
5. 화학적 구리 도금
활성화 후에 수산화 나트륨으로 pH를 9.0으로 조정한 하기 도금조에서 샘플을 화학적 구리 도금시켰다. 상기 도금은 35℃에서 30분 동안 수행하고 물로 세정하고, 그리고나서 건조시켜 본 발명에 따른 필름 샘플을 얻었다. 결과는 표 1에 나타내었다.
화학적 구리 도금용 도금조의 조성
성분 함량(mM/L)
황산 구리 24
시트르산 나트륨 67
차아인산 나트륨 270
붕산 300
황산 니켈 2
실시예 4
1. 할로겐화 은 에멀전의 제조
제조 공정은 실시예 2와 동일한 과정에 따라 수행하였다.
2. 노광, 현상
코팅 및 건조한 후에 샘플은 200㎛/5㎛의 라인 폭/간격을 갖는 그리드 주형으로 자외선에 노광시켰다. 실시예 1에 기재된 현상제를 이후의 현상에 사용하고, F-5 고정화제는 추가 고정에 사용한다. 고정한 후 샘플들을 탈이온수로 린스하여 5㎛/200㎛의 라인 폭/간격을 갖는 은 그리드 상을 수득하였다.
3. 비후화 처리
비후화하는 공정은 실시예 1과 동일한 과정에 따라 수행된다.
4. 활성화 처리
비후화한 후에, 샘플을 1% 질산은 수용액에서 3분 동안 활성화시키고, 그리고나서 물로 린스하여 샘플을 화학적 구리 도금을 거치도록 했다.
5. 화학적 구리 도금
활성화 후에 수산화 나트륨으로 pH를 9.5로 조정한 하기 도금조에서 샘플을 화학적 구리 도금시켰다. 상기 도금은 40℃에서 30분 동안 수행하고 물로 린스하고, 그리고나서 건조시켜 본 발명에 따른 필름 샘플을 얻었다. 결과는 표 1에 나타내었다.
화학적 구리 도금용 도금조의 조성
성분 함량(mM/L)
황산 구리 50
시트르산 나트륨 67
차아인산 나트륨 270
붕산 400
황산 니켈 2
바이피리딘 0.128
표 1: 샘플의 성능
실시예 구리의 함량 (질량%) 라인 폭(㎛) 개기공률(%) 표면 저항 (Ω/sq) 그리드의 두께 (㎛)
실시예 1 89.5 15 90 0.8 7.9
실시예 2 69 12 88 1.2 5.2
실시예 3 72 25 86 1.0 4.1
실시예 4 55 5 95 4.1 2.5
성능 테스트 방법
1. 표면 저항은 저항 테스터로 측정한다;
2. 샘플의 전도성 금속 그리드의 라인 폭은 광학 현미경 및 주사 전자 현미경으로 측정하고, 그리고나서 그에 따라 개기공률을 계산하였다.

Claims (10)

  1. 지지체 및 지지체상의 필라멘트 그리드로 이루어진 전도성 박막이고, 상기 필라멘트 그리드는 금속 은 및 상기 금속 은에 도금된 금속 구리로 형성되며, 상기 금속 구리의 양이 상기 은 및 구리의 전체 질량의 55-90 질량%이고, 상기 그리드의 라인 폭이 5-25㎛이고 개기공률이 85%-95%이며, 표면 저항이 0 이상 5Ω/sq 이하인 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐 필름.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 전자기파 차폐 필름의 필라멘트 그리드는 두께가 2.5-8㎛인 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐 필름.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 지지체는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 수지, 디아세테이트 수지, 트리아세테이트 수지, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리비닐 클로라이드 수지, 폴리(에테르-케톤), 폴리설폰, 폴리(에테르-설폰), 폴리카보네이트, 폴리아미드, 아크릴 수지 또는 셀룰로스 트리아세테이트 중 하나 이상의 물질로부터 형성된 단일-층 박막 또는 다중-층 박막인 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐 필름.
  4. 은 염-함유 층 및 그의 보호층을 지지체상에 도포하는 단계, 상기 층을 그리 드 패턴으로 노광시키는 단계, 노광된 부분이 금속 은 부분을 형성하고, 노광되지 않은 부분이 투광성 부분을 형성하도록 현상 처리를 수행하는 단계, 금속 은 부분을 비후화하는 단계, 비후화된 금속 은 부분을 활성화시키는 단계, 그리고나서 활성화된 금속 은 부분을 금속으로 도금하여 전도성 금속 부분을 형성하는 단계를 포함하는 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항의 전자기파 차폐 필름 제조방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    금속 은 부분을 비후화하는 단계는 은 또는 구리로 수행되는 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐 필름 제조방법.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 활성화는 중금속 이온의 수용액을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐 필름 제조방법.
  7. 청구항 4에 있어서,
    상기 활성화 단계는 팔라듐 이온, 금 이온 또는 은 이온의 수용액을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐 필름 제조방법.
  8. 청구항 4에 있어서,
    금속으로 도금하는 단계는 화학적 도금 공정에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐 필름 제조방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 화학적 도금은 화학적 구리 도금인 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐 필름 제조방법.
  10. 청구항 4에 있어서,
    상기 은 염-함유 층 및 보호층은 침지 코팅, 압출 코팅, 슬라이드 코팅, 커튼 코팅, 로드(rod) 코팅, 에어 나이프 코팅, 롤러 코팅, 포토그라비어(photogravure) 코팅 및 스프레이 코팅으로 이루어진 군으로부터 선택되는 코팅 수단에 의해 형성될 수 있는 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐 필름 제조방법.
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