KR20090082497A - 고전력 백색 ｌｅｄ 및 그 제조 방법 - Google Patents

고전력 백색 ｌｅｄ 및 그 제조 방법 Download PDF

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나다라자 나렌드란
위민 구
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렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트
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Abstract

발광 장치는 단파장 광을 방출하기 위한 광원을 갖는다. 다운 컨버팅 재료는 상기 광원에 의해 방출된 단파장 광의 적어도 일부를 수신하여 다운컨버팅하고, 다시 수신되어 다운컨버팅된 광의 일부를 스캐터링한다. 상기 다운 컨버팅 재료 근처의 광학 소자는 상기 광원을 적어도 부분적으로 둘러싼다. 상기 광학 소자는 상기 다시 스캐터링된 광의 적어도 일부를 추출하도록 구성된다. 실런트가 상기 광원과 상기 광학 소자 사이의 공간을 실질적으로 실링한다.

Description

고전력 백색 ＬＥＤ 및 그 제조 방법{HIGH-POWER WHITE LEDs AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 출원은 미국 가출원 번호 60/859,633, 출원일 2006년 11월 17일의 우선권을 향유하고, 상기 출원은 본 명세서에 일체화된다.
발광 다이오드 및 공진 공동 발광 다이오드를 갖는 고체 램프를 포함하는 고체 발광 소자는 매우 유용한데, 그 이유는 이들은 잠재적으로 제조 비용이 낮고, 종래 백열등 및 형광등에 비해 오랜 지속시간을 갖기 때문이다. 오랜 동작(연소) 시간 및 낮은 전력 소모 때문에, 종래 램프 보다 초기 비용이 비싸더라도 고체 발광 소자는 종종 기능적 비용 장점을 제공한다. 대형 반도체 제조 기술들이 사용될 수 있기 때문에, 많은 고체 램프들은 매우 저가로 생산될 수 있다.
가정의 표시등, 전자 제품, 오디오 비주얼 장비, 통신 장치 및 자동 계기 마킹(automotive instrument marking)과 같은 응용분야 외에도, LED는 실내 및 옥외 정보 디스플레이에서 상당한 응용분야를 갖는다.
단파장(예컨대, 블루 또는 자외선(UV)) 방사광을 방출하는 효율적인 LED의 개발과 함께, LED의 주 방사관의 일부를 더 긴 파장으로 다운 컨버젼(즉, 형광물질 변환(phosphor conversion))함으로써 백색광을 생성하는 LED를 생산하는 것이 가능 하게 되었다. LED의 주 방사광을 더 긴 파장으로 변환하는 것을 통상적으로 주 방사광의 다운 컨버젼이라 한다. 주 방사광의 다운 커버젼되지 않은 부분은 더 긴 파장의 광과 결합되어 백색광을 생성한다.
LED의 주 방사광의 일부의 형광물질 변환은 형광 레이어를 LED를 LED 램프에 하우징하는 리플렉터 컵을 채우는데 사용되는 에폭시에 둠으로써 수행된다. 형광물질은 에폭시를 경화시키기 전에 에폭시에 혼합되는 파우더 형태이다. 형광물질 파우더를 포함하는 경화되지 않은 에폭시 슬러리는 LED 상에 증착되고, 그리고 나서 경화된다.
경화된 에폭시 내의 형광물질 파티클은 일반적으로 무작위 방향성을 갖고, 에폭시 전체에 대해 산재된다. LED가 발광한 주광의 일부는 형광물질 파티클에 충돌하지 않고 에폭시를 관통하고, LED 칩이 발광한 주광의 다른 일부는 형광물질 파티클에 충돌하여 형광물질 파티클이 더 긴 파장의 방사광을 방출하도록 한다. 주 단파장 방사광과 형광물질에 의해 방사된 방사광은 백색광을 생성한다.
현재 기술의 형광물질 변환된 LED (pc-LED : phosphor-converted LED) 기술은 가시스펙트럼에서 비효율적이다. 단일 pc-백색 LED에 대한 광 출력은 가시 스펙트럼에서 대략 10 퍼센트의 효율을 갖는 통상적인 가정용 형광 램프보다 낮다. 통상적인 형광 램프의 파워 농도에 상당한 광 출력을 갖는 LED 소자는 더 큰 LED 칩 또는 다수의 LED 칩을 갖는 설계 구조를 필요로 한다. 또한, LED 소자 내에서 발생하는 온도 문제를 해결하기 위해서는 직접 에너지 흡수 쿨링 방식이 필요하다. 보다 구체적으로, LED 소자는 100℃ 이상의 온도까지 가열되면 효율이 떨어지게 되 어, 가시 스펙트럼이 감소하게 된다. 일부 형광물질에 대해서는, 온도가 약 90℃ 임계값 이상으로 증가하면 고유 형광물질 변환 효율이 급격히 떨어진다.
통상적인 LED 칩은 돔 또는 에폭시 돔이라 불리는 에폭시로 인캡슐레이션된다. 인캡슐레이션된 LED로부터의 광은 돔의 인캡슐레이션 물질을 관통한 다음 공기와 같은 전송매질을 통과하게 된다. 돔의 인캡슐레이션 물질은 적어도 두가지 기능을 수행한다. 첫째, 빔 제어를 가능케 하는데 즉, LED 칩에서 목적으로 향하는 광선의 방향을 제어하는데 도움이 된다. 둘째, LED와 공기 사이의 광 전송의 효율을 증가시킨다. 인캡슐레이션 매질의 굴절률 값이 LED 칩의 굴절률과 공기의 굴절률 중간이기 때문에, 돔의 인캡슐레이션 물질은 이러한 두가지 기능들을 적어도 부분적으로는 수행한다. 통상적인 LED 칩에 있어서, 돔의 높이는 2 mm 내지 10 mm 사이의 범위일 수 있다.
본 발명의 일 실시예는 단파장 방사광을 방출하는 방사광원을 갖는 발광 장치이다. 다운 컨버젼 재료는 상기 방사광원에 의해 방출된 단파장 방사광 중 적어도 일부를 수신하여 다운 컨버팅하고, 수신되어 다운 컨버팅된 방사광의 일부를 후방으로 전달한다. 다운 컨버젼 재료 근처의 광학 소자는 방사광원을 적어도 부분적으로 둘러싼다. 광학 소자는 후방으로 전달된 방사광의 적어도 일부를 추출하도록 구성된다. 실런트는 방사광원과 광학 소자 사이의 공간을 실질적으로 실링한다.
본 발명의 또 다른 실시예는 단파장 방사광을 방출하는 복수의 방사광원을 갖는 발광 장치이다. 다운 컨버젼 재료는 복수의 방사광원 중 적어도 하나로부터의 단파장 방사광 중 적어도 일부를 수신하여 다운 컨버팅하고, 수신하여 다운 컨버팅된 방사광의 일부를 후방으로 전달한다. 다운 컨버젼 재료 근처의 광학 소자는 복수의 방사광원을 적어도 부분적으로 둘러싸고, 다운 컨버젼 재료로부터 후방으로 전달된 방사광의 적어도 일부를 추출하도록 구성된다. 실런트가 상기 복수의 방사광원과 상기 광학 소자 사이의 공간을 실질적으로 실링한다.
본 발명의 또 다른 실시예는 단파장 방사광을 방출하는 복수의 방사광원을 갖는 발광 장치이다. 복수의 다운 컨버젼 재료층은 각각 상기 방사광원들 각각에 의해 방출된 단파장 방사광 중 적어도 일부를 수신하여 다운 컨버팅하고, 수신 및 다운 컨버팅된 방사광의 각 부분들을 후방으로 전달한다. 복수 개의 광학 소자가 있다. 각 광학 소자는 각 다운 컨버젼 재료층 근처에 있다. 광학 소자들 각각은 방사광원 각각을 적어도 부분적으로 둘러싼다. 각 광학 소자들은 각 다운 컨버젼 재료층으로부터 후방으로 전달된 방사광 또는 각 방사광원으로부터의 방사광 중 적어도 일부를 추출하도록 구성된다. 복수의 실런트들이 각 방사광원과 각 광학 소자 사이의 각 공간들을 실질적으로 실링한다.
본 발명의 또 다른 실시예는 발광 장치를 제조하는 방법이다. 다운 컨버젼 재료가 상기 다운 컨버젼 재료로부터 후방으로 전달된 방사광 또는 단파장 방사광원으로부터 방출된 방사광 중 적어도 하나를 추출하도록 구성된 광학 소자의 제1 부분 상에 배치된다. 광학 소자의 제2 부분에 개구부가 형성된다. 실런트가 상기 광학 소자의 제2 부분의 표면 상에 배치된다. 방사광원은 개구부 내에 삽입되고, 방사광원의 적어도 일면은 상기 실런트와 접촉된다. 광학 소자는 지지부 상에 배치된다.
본 발명의 또 다른 실시예는 발광 장치를 제조하는 또 다른 방법이다. 다운 컨버젼 재료가 다운 컨버젼 재료로부터 후방으로 전달된 방사광 또는 단파장 방사광원으로부터 방출된 방사광 중 저겅도 하나를 추출하도록 구성된 광학 소자 상에 배치된다. 광학 소자의 제2 부분에 개구부가 형성된다. 상기 개구부 내의 광학 소자의 제2 부분의 표면 상에 실런트가 배치된다. 방사광원은 지지부 상에 배치된다. 광학 소자는 방사광원을 적어도 부분적으로 둘러싸도록 지지부 상과 방사광원 위에 배치된다.
본 발명의 또 다른 실시예는 단파장 방사광을 방출하는 방사광원을 갖는 발광 장치이다. 다운 컨버젼 재료가 상기 방사광원에 의해 방출된 단파장 방사광의 적어도 일부를 수신하여 다운 컨버팅하고, 상기 수신 및 다운 컨버팅된 방사광의 일부를 후방으로 전달한다. 상기 다운 컨버젼 재료와 방사광원 근처의 광학 소자는 상기 광학 소자로부터, 후방으로 전달된 방사광 또는 방사광원으로부터의 방사광 중 적어도 하나를 추출하도록 구성된다. 광학 소자로부터 추출된 광의 적어도 일부를 반사하는 제1 반사면이 광학 소자를 적어도 부분적으로 둘러싼다. 상기 방사광원에 의해 방출된 방사광 중 적어도 일부를 반사하는 제2 반사면이 상기 방사광원을 적어도 부분적으로 둘러싼다.
본 발명의 또 다른 실시예는 단파장 방사광을 방출하는 복수의 방사광원들을 갖는 발광 장치이다. 다운 컨버젼 재료는 상기 복수의 방사광원들 중 적어도 하나로부터의 단파장 방사광원을 수신하여 다운 컨버팅하고, 수신 및 다운 컨버팅된 방사광의 일부를 후방으로 전달한다. 상기 다운 컨버젼 재료 근처의 광학 소자는 상기 복수의 방사광원들을 부분적으로 둘러싸고, 상기 다운 컨버젼 재료로부터 후방으로 전달된 방사광의 적어도 일부를 추출하도록 구성된다. 실런트가 상기 복수의 방사광원과 상기 광학 소자 사이의 공간을 실질적으로 실링한다.
본 발명의 또 다른 실시예는 제1 반사컵과 제2 반사컵을 갖는 발광 장치를 제조하는 또 다른 방법이다. 다운 컨버젼 재료가 다운 컨버젼 재료로부터 후방으로 전달된 방사광과 단파장 방사광원으로부터 방출된 방사광 중 하나를 추출하도로 구성된 광학 소자의 제1 부분에 상에 배치된다. 상기 방사광원의 제1면은 사익 제2 반사컵에 의해 형성된 우물의 제1면 상에 배치된다. 상기 방사광원의 적어도 제2면과 상기 우물의 제2면 사이에 제1 실런트가 배치된다. 상기 방사광원의 적어도 제3면에는 제2 실런트가 배치된다. 상기 광학 소자는 상기 제1 반사컵 내에 배치되어 제2 실러트와 접촉된다.
도면들은 스케일링되지 않은 상태이고, 일부 특징부들의 상대적인 크기는 설명을 위해 과장될 수 있음이 이해될 것이다.
도 1은 LED 칩과 같은 단파장 방사광원으로부터의 예시적인 방사광선이 다운 컨버젼 물질의 층에 충돌할 때 발생할 수 있는 예시적인 방사광선을 나타내는 다이어그램이다.
도 2는 단파장 방사광원으로부터 멀리 떨어진 다운 컨벼전 물질을 이용하는 광학 소자의 부분 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 광 방출 장치의 부분 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 개구부를 갖는 도 3에 도시된 광학 소자의 부분 단면도이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 개구부를 갖는 도 3에 도시된 광학 소자의 부분 단면도이다.
도 6은 다운 컨버젼 물질 근처의 일 실시예에 따른 렌즈를 갖는 본 발명의 일 실시예의 부분 단면도이다.
도 7은 다운 컨버젼 물질 근처의 렌즈를 갖지 않는 본 발명의 다른 실시예의 부분 단면도이다.
도 8은 다운 컨버젼 물질 근처의 다른 실시예에 따른 렌즈를 갖는 본 발명의 일 실시예의 부분 단면도이다.
도 9는 다운 컨버젼 물질 근처의 또 다른 실시예에 따른 렌즈를 갖는 본 발명의 일 실시예의 부분 단면도이다.
도 10은 다수의 단파장 방사 광원이 사용된 본 발명의 다른 실시예이다.
도 11은 다수의 단파장 방사 광원이 사용된 본 발명의 다른 실시예이다.
도 12는 다수의 단파장 방사 광원이 사용된 본 발명의 또 다른 실시예이다.
도 13은 방사 광원 및 광학 소자 근처에 다수의 반사 표면을 갖는 본 발명의 또 다른 실시예이다.
도 14는 도 3 내지 도 12에 설명된 본 발명의 실시예 중 하나를 제조하는데 사용될 수 있는 방법의 일 실시예이다.
도 15는 도 3 내지 도 12에 설명된 본 발명의 실시예 중 하나를 제조하는데 사용될 수 있는 방법의 다른 실시예이다.
도 16은 도 13에 설명된 본 발명의 실시예를 제조하는데 사용될 수 있는 방법의 일 실시예이다.
도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광학 소자의 부분 단면도이다.
도 18은 도 17에 도시된 실시예의 또 다른 부분 단면도이다.
도 19는 본 발명의 또 다른 실시예의 부분 단면도이다.
도 20은 도 19에 도시된 실시예의 또 다른 부분 단면도이다.
도 21은 도 17 내지 20에 도시된 실시예들 중 하나의 제조 방법의 실시예이다.
도 22는 도 17 내지 20에 도시된 실시예들 중 하나의 제조 방법의 다른 실시예이다.
도 1은 LED 칩(2002)와 같은 단파장 방사 광원에서 방사된 예시적인 방사 광선(2000)이 다운 컨버젼 물질(2004)의 층에 충돌할 때 발생할 수 있는 예시적인 방사 광선을 나타내는 다이어그램이다. LED 칩(2002)과 같은 단파장 광원에서 다운 컨버젼 물질 층(2004)으로의 단파장 방사광선(2000)의 충돌은 다음 네가지 컴포넌트를 갖는 방사광을 생성한다. 다운 컨버젼 물질층(2004)에서 반사되어 후방으로 전달된 단파장 방사광(2006), 다운 컨버젼 물질층(2004)을 통해 전달된 전방으로 전달된 단파장 방사광(2008), 다운 컨버젼 물질(2004)을 통과한 전방으로 전달된 다운 컨버젼된 방사광(2010), 및 다운 컨버젼 물질(2004)로부터 반사되어 역방향으로 전달된 다운 컨버젼된 방사광(2012). 이들 네가지 컴포넌트는 결합되어 백색광을 생성할 수 있다.
4가지 컴포넌트 중 2개(2010, 2012)는 각각 2개의 서브 컴포넌트로 구성될 수 있다. 전방으로 전달된 다운 컨버팅된 방사광의 서브 컴포넌트 중 하나는 방출된 방사광(2014), 즉 다운 컨버젼 재료층(2004)에 충돌한 단파장 방사관보다 더 긴 파장을 갖는 다운 컨버팅된 방사광일 수 있다. 상기 전방으로 전달된 다운 컨버팅된 방사광의 방출된 방사광 서브 컴포넌트(2014)는 다운 컨버전 재료(2004)를 통해 전송될 때, 다운 컨버젼 재료(2004)의 파티클 상에 충돌하는 단파장 방사광(200)에 의해 생성될 수 있다. 전방으로 전달된 다운컨버팅된 방사광의 제2 서브 컴포넌트는 전방으로 스캐터링된 방출된 방사광(2016), 즉 상기 다운 컨버젼 재료층(2004)에 충돌한 단파장 방사광(200) 보다 긴 파장을 갖는 다른 다운 컨버팅된 방사광이다. 전방으로 전달되어 다운컨버팅된 방사광(2010)의 전방으로 스캐터링된 방출된 방사광 서브 컴포넌트(2016)는 다운 컨버젼 재료(2004)의 파티클에 충돌하는 단파장 방사광(200)에 의해 생성될 수 있으며, 이것은 또한 다운 컨버젼 재료(2004)의 파티클에서 앞뒤로 반사된 다음, 다운 컨버젼 재료(2004)를 통해 전송된다.
후방으로 전달된 다운 컨버팅된 방사광(2012)의 서브 컴포넌트 중 하나는 방출된 방사광(2020), 즉 다운 컨버젼 재료층(2004)에 충돌하는 단파장 방사광(2000) 보다 긴 파장을 갖는 다운 컨버팅된 방사광일 수 있다. 후방으로 전달된 다운 컨버팅된 방사광(2012)의 방출된 방사광 서브 컴포넌트(2018)는 다운 컨버젼 재료(2004)로부터 반사될 때 다운 컨버젼 재료(2004)의 파티클에 충돌하는 단파장 방사광(2000)에 의해 생성될 수 있다. 후방으로 전달된 다운 컨버팅된 방사광(2012)의 제2 컴포넌트는 후방으로 스캐터링된 방출된 방사광(2020), 즉 다운 컨버젼 재료층(2004)에 충돌한 단파장 방사광(200) 보다 긴 파장을 갖는 다운 컨버팅된 방사광일 수 있다. 후방으로 전달된 다운 컨버팅된 방사광(2012)의 후방으로 스캐터링된 방출된 방사광 서브 컴포넌트(2020)는 다운 컨버젼 재료(2004)의 파티클에 충돌하는 단파장 방사광(200)에 의해 생성될 수 있고, 이것은 또한 다운 컨버젼 재료(2004)의 파티클에서 앞뒤로 반사된 다음, 다운 컨버젼 재료(2004)로부터 반사된다.
백색광은 전술한 다양한 컴포넌트들의 조합에 의해 생성될 수 있다. 전방 전달 방향(즉, 다운 컨버젼 재료층을 통해 전송된 방사광(2008,2014,2016,2010)에서), 백색광은 전방으로 전달된 단파장 방사광(2008)과 전방으로 전달될 다운 컨버팅된 방사광(2010)의 서브 컴포넌트(2014,2016) 중 하나 또는 둘다의 조합에 의해 생성될 수 있다. 즉, 백색광은 전방 전달 방향에서, 전방으로 전달된 단파장 광(2008)과, 전송된 방출된 방사광(2014) 및/또는 전송된 전방으로 스캐터링된 방출된 방사광(2016)의 조합에 의해 생성될 수 있다.
후방 전달 방향(즉, 다운 컨버젼 재료층에 의해 반사된 방사광(2006,2018,2020,2012))에서, 백새광은 후방으로 전달된 단파장 방사광(2006)과, 후방으로 전달된 다운 컨버팅된 방사광(2012)의 서브 컴포넌트(2018,2020) 중 하나 또는 둘다의 조합에 의해 생성될 수 있다. 즉, 백색광은 후방 전달 방향에서, 후방으로 전달된 단파장 광(2006)과, 반사된 방출된 방사광(2018) 및/또는 반사된 후방으로 스캐터링된 방출된 방사광(2020)의 조합에 의해 생성될 수 있다.
전방으로 전달된 단파장 방사광(2008)의 파장은 LED 칩(2002)와 같은 방사광 소스에 의해 방출된 방사광(2000)의 파장과 거의 동일할 수 있다. 후방으로 전달된 단파장 방사광(2006)의 파장은 방사광 소스(200)에 의해 방출된 방사광(2000)의 파장과 거의 동일할 수 있다. 전방으로 전달된 단파장 방사광(2008)의 파장은 후방으로 전달된 단파장 방사광(2006)의 파장과 거의 동일할 수 있다. 일 실시예에서, 방사광 소스(2002)는 550nm이하, 보다 구체적으로는 약 200nm 내지 550nm 이하 범위의 파장을 나타내는 방사광을 방출할 수 있다. 따라서, 전방으로 전달된 단파장 방사광(2008)의 파장과, 후방으로 전달된 단파장 방사광(2006)의 파장은 550nm 이하, 보다 구체적으로는 약 200nm 내지 550nm 이하 범위일 수 있다.
전방으로 전달된 다운 컨버팅된 방사광(2010)(그 서브 컴포넌트(2014,2016) 포함)의 파장 및 후방으로 전달된 다운 컨버팅된 방사광(2012)(그 서브 컴포넌트(2018,2020) 포함)의 파장은 다운 컨버젼 재료(2004)의 여기 스펙트럼 보다 긴 임의의 파장일 수 있다. 일 실시예에서, 다운 컨버젼 재료(2004)의 여기 스펙트럼은 약 300nm 내지 550nm의 범위일 수 있다. 선택적인 실시예에서, 약 300nm 내지 550nm의 범위 이외의 여기 스펙트럼을 갖는 다른 다운 컨버젼 재료가 사용될 수 있다. 다운 컨버젼 재료(2004)의 여기 스펙트럼은 단파장 방출 방사광 소스(2002)에 의해 생성된 방사광의 파장보다 긴 파장을 갖는 방사광을 생성하여야 한다. 일 실시예에서, 다운 컨버젼 재료(2004)는 약 490nm 내지 약 750nm 범위의 방사광을 생성할 수 있다.
본 출원의 발명자는 다운 컨버젼 형광물질을 LED 다이에 가까이 놓으면, 형광물질 변환된 LED의 성능은 부정적인 영향을 받는다는 사실을 발견하였다. 나쁜 성능은 주로 다이를 둘러싸는 형광물질 매질이 등방성 방출물질과 같이 동작한다는 사실과, 다이를 향해 후방으로 전달된 방사광의 일부가 형광층, 다이 및 반사기 컵 사이에서 순환한다는 사실 때문이다. 결과적으로, 후방으로 전달된 방사광은 접합부 온도를 상승시키고, 이것은 시스템 효율을 감소시키며, 인캡슐런트의 황화(yellowing)를 증가시킨다. 이 모든 팩터들은 시간에 따른 광 출력을 감소시킨다.
공지된 문헌에 따르면, 형광층에 충돌하는 빛의 60 퍼센트는 후방으로 전달되어, 전술한 효과들에 기여한다(Yamada et al. 2003). 8개의 YAG:Ce 형광 플레이트의 실험실 측정치는 방사 에너지의 거의 60 퍼센트가 청색 LED 소스 방향의 후방으로 전달된다는 사실을 증명했다. 반사되는 방사 에너지의 절대값은 여러 팩터들 중에서도, 형광 코팅의 농도에 따라 달라진다.
그러한 효과들은 RCLED의 경우에는 그 광 출력이 훨씬 더 콜리메이트되므로, RCLED에서 더 큰 값을 가질 것으로 기대된다. 결과적으로, 패키징은 전송되고, 방출되고, 반사된 컴포넌트들을 포획하여 시스템 효율을 개선하고자 한다. 또한, 본 출원의 발명자들은 형광층이 다이에서 제거되어, LED 및 RCLED로의 방사 피드백을 방지할 수 있는 패키징을 만들어 냈다. 결과적으로, 패키징은 형광층에 의해 반사되고, 방출된 방사광 출 더 많은 부분이 장치를 빠져나갈 수 있도록 함으로써 장치의 효율을 증가시킨다. 동시에, RCLED로부터의 방사광은 형광층에 일정하게 충돌하여 일정한 백색광원을 획득한다. 또한, LED 및 RCLED의 수명이 개선된다.
통상적인 형광물질 변환된 백색 LED에서는, 형광체가 다이에 근접하게 배치되고, 형광체에 의해 생성된 광 중 65 퍼센트 이상이 후방으로 스캐터링되어 LED 패키지 내에서 소실된다. 이러한 발견을 기반으로, SPETM(Scatter Photon ExtractionTM)이라는 기술이 개발되었다. 상기 기술의 일 실시예는 출원중인 국제 출원 번호 PCT/US2005/015736, 출원일 2005년 5월 5일, 공개번호 WO2005/1047420, 공개일 2005년 11월 17일에 개시되어 있다.
형광물질 변환된 백색 LED(pc-LED)로부터의 광 출력을 증가시키고, 더 높은 광 효율을 달성하기 위해, 다운 컨버젼 재료(예컨대, 형광체 또는 양자점(quantum dots))가 먼 위치로 제거되고, 적절하기 제조된 광학 소자가 LED 칩과 다운 컨버젼 재료층 사이에 배치된다. 그리고 나서, 후방으로 전달된 광은 추출되어 전체 광 출력 및 효율을 증가시킬 수 있다. 이 기술은 형광체에서 방출되고, 후방으로 스캐터링된 반사된 방사광과, 종전에는 소실되었을 반사된 단파장 방사광을 추출함으로써 pc-백색 LED의 전체 광 출력 및 광 효율을 상당히 증가시킨다. 본 명세서에 기재된 발명은 예컨대 LED 칩 어레이를 사용하여 150 lm/W에서 1500lumen 패키지를 달성한다. 일 실시예에서, 상기 LED 칩 어레이는 질화물 기반이다. 선택적인 실 시예에서, 상기 LED 칩 어레이는 AlInN 기반이거나 또는 임의의 다른 단파장 방출물질 기반일 수 있다.
도 2는 SPETM 기술을 사용한 소자를 나타낸다. 도 2는 하나 이상의 고체 방출물질 및 다운 컨버젼 재료를 사용할 수 있는 고효율 광원을 나타낸다. 도 2는 단파장 방사광원에서 멀리 떨어진 다운 컨버젼 재료를 이용한 광학 소자를 나타낸다. 다운 컨버젼 재료는 형광체 또는 양자점일 수 있다. 도시된 바와 같이, 상기 소자는 단파장 방사광을 방출하는 방사광원(202)을 포함할 수 있다. 방사광원(202)는 실질적으로 광 투과성일 수 있는 실질적으로 투명한 매질로 구성될 수 있는 광학 소자(250)에 의해 형광층(204)으로부터 분리된다. 실질적으로 투명한 매질은 예컨대, 공기, 유리 또는 아크릴일 수 있다. 광학 소자(25) 및 본 명세서에 개시된 모든 실시예들은 형태가 원통형이거나 또 다른 곡선형 또는 선형일 수 있다. 설명을 위해, 광학 소자(250)는 벽(252,254)을 갖는 것으로 도시되어 있으며, 상기 벽(252,254)은 실질적으로 투명하고 실질적으로 광 투과성의 벽일 수 있다. 형광체 층(204)은 광학 소자(250)의 근처 또는 일부분(206)에 배치될 수 있다.
형광체 또는 양자점층(204)은 서로 다른 파장의 혼합광을 개선하기 위해 추가적인 스캐터링 파티클(예를 들어, 마이크로 구면체)을 더 포함할 수 있다. 또한, 형광체 또는 양자점층(204)은 수개의 서로 다른 스펙트럼 영역에 존재할 수 있는 서로 다른 색체의 다운 컨버팅된 방사광을 생성하기 위해, 단일 형광체(또는 양 자점) 또는 복수의 형광체(또는 양자점들)일 수 있다. 선택적으로, 스캐터링 파티클을 갖는 층은 색체 혼합을 개선하기 위해 다운 컨버젼 재료층(204)의 위, 또는 아래 또는 위와 아래에만 배치될 수 있다.
형광층(204)이 증착된 광학 소자(205)의 일부(206)는 광학 소자(250)의 끝단일 수 있다. 방사광원(202)은 광학 소자(250)의 또 다른 부분에 위치할 수 있다. 예를 들어, 방사광원(202)은 광학 소자(250)의 또 다른 끝단(208)에 위치할 수 있다. 광학 소자(250)는 베이스(256) 상에 위치할 수도 있다.
단파장 방사광원(202)은 벽들(252,254) 사이에 위치할 수 있다. 단파장 방사광원(202) 및 광학 소자 모두는 베이스(256) 상에 배치될 수 있다.
예시적인 방사광선(214)은 형광체층(204)을 통해 전송된 방사광을 포함할 수 있으며, 상기 전송된 방사광은, 형광체층(204)을 통해 전송된 전방으로 전달된 단파장 방사광과 형광체층(204)을 통해 전송된 전방으로 다운 컨버팅된 방사광을 포함할 수 있다.
예시적인 방사광선(215)은 형광체층(204)에 의해 방출되거나 및/또는 후방으로 스캐터링될 수 있는 후방으로 전달된 단파장 방사광과 후방으로 전달된 다운 컨버팅된 반사된 방사광을 포함할 수 있다. 예시적인 방사광선(216)은 형광체층(204)에 의해 후방으로 스캐터링된 방사광을 포함할 수 있다. 예시적인 방사광선(216)은 실질적으로 투명한, 실질적으로 광 투과성인 벽들(252,254)을 통해 전송될 수 있는 방사광선(215)을 포함할 수 있다. 예시적인 화살표(215)가 후방으로 전달된 방사광이 측면 벽들(252,254)의 중간 부위를 돌아 전달되는 것으로 나타내 었으나, 후방으로 전달된 방사광은 측면 벽들(252,254)를 따라 다수의 위치들에서 측면 벽들(252,254)을 통과하여 전달될 수 있음이 이해될 것이다. 광학 소자(250)의 외부로의 방사광의 전달은 광의 추출이라 할 수 있다. 따라서, 방사광선(215) 및 방사광선(216) 모두는 형광체층(204)으로부터 반사된 단파장 방사광과, 형광체층(204)로부터 방출 및/또는 스캐터링될 수 있는 다운 컨버팅된 방사광을 포함할 수 있다. 방사광선(215,216)의 일부 또는 전부는 가시광선으로 보일 수 있다.
광학 소자(250)가 실질적으로 투명하고, 실질적으로 투과성의 벽들(252,254)로 구성 및 설계되어 광학 소자(250)의 내부에서 광학 소자(250)의 외부로 방사광을 추출하기 때문에, 측면 벽들(252,254)을 통한 방사광의 전달(추출)이 발생할 수 있다. 또한, 광학 소자(250)으로부터 필요한 양의 방사광을 추출하기 위해, 광학 소자(250)의 다양한 폭들은 변형될 수 있다. 변형될 수 있는 폭들은 끝단(206)에서의 폭과 끝단(208)에서의 폭이다. 마찬가지로, 끝단들(206,208) 사이의 폭들도 변형될 수 있다. 끝단들(206,208) 사이의 폭에 따라 벽들(252,254)은 실질적으로 직선이 될 수도, 곡선이 될 수도 있으며, 직선 부분과 곡선 부분을 모두 가질 수도 있다.
전술한 광학 소자(250)의 특징부들의 치수는 광학 소자(250)가 사용될 수 있는 응용 분야에 따라 변형될 수 있다. 광학 소자(250)의 특징부들의 치수는 변형될 수 있으며, 광선 추적의 원리와 내부 전반사(TIR:total internal reflection)의 원리를 사용하여 설정될 수 있다. TIR의 원래가 적용되면, 벽들(252,254) 중 하나 또는 둘다의 방사광의 반사도는 99.9%를 초과할 수 있다. TIR의 원리는 본 명세서 에 기재된 모든 실시예들에 적용될 수 있다.
광학 소자(250)의 치수는 광학 소자가 사용될 수 있는 사용예에 따라 설정될 수 있다. 예를 들어, 광학 소자의 치수는 광학 소자(250)에 들어가는 방사광원(202)으로부터의 방사량을 최대화하도록 설정될 수 있다. 선택적으로, 광학 소자(250)의 치수는 다운 컨버젼 재료(2004)에 충돌하는 방사광원(202)으로부터의 방사량을 최대화하도록 설정될 수 있다. 또한, 선택적으로, 광학 소자(250)의 치수는 다운 컨버젼 재료(2004)로부터 후방으로 전달되는 방사량을 최대화하도록 설정될 수도 있다. 또한, 선택적으로, 광학 소자(250)의 치수는 벽들(252,254)를 통해 추출되는 방사량을 최대화하도록 설정될 수도 있다. 또한, 선택적으로, 광학 소자(250)의 치수는 가능한 범위까지, 전술한 방사 특징들 각각을, 즉 광학 소자(250)으로 들어가는 방사량, 다운 컨버젼 재료(2004)에 충돌하는 방사량, 다운 컨버젼 재료(2004)로부터 후방으로 전달되는 방사량, 및 벽들(252,254)을 통해 추출된 방사량을 동시에 최대화하는 장치를 제공하도록 설정될 수 있다. 또한, 광학 소자(250)의 치수는 전술한 특징들 중 일부 또는 모두가 최대화되지 않도록 설정될 수도 있다. 이러한 실시예들을 구현하기 위해 광선 추적의 원리 및 TIR의 원리가 사용될 수 있다.
변형될 수 있는 치수들 중 일부는 광학 소자 끝단(206)의 직경, 광학 소자 끝단(208)의 직경, 끝단(208)에 대한 벽들(252 및/또는 254)의 각, 벽들(252 및/또는 254)의 형태이다. 예를 들어, 벽들(252 및/또는 254)은 직선, 곡선 또는 직선과 곡선의 조합일 수 있다. 광학 소자(250)의 높이(260)는 30mm 이하일 수 있다.
광학 소자(250)의 굴절률은 약 1.4 내지 약 1.7의 범위일 수 있다. 방사광원(202)은 약 1.7 내지 약 2.6 범위의 굴절률을 가질 수 있다. 방사광원(202)은 방사 투과성 에폭시(220)와 같은 재료에 의해 인캡슐레이트될 수 있다. 인캡슐레이션 재료는 돔(220)이라 할 수 있다. 돔(22)의 높이는 약 2mm 내지 약 10mm일 수 있다. 돔(220)은 예를 들어, 방사광원(202)가 LED인 경우에, 빔 콘트롤과 방사광원의 효율을 개선하는데 사용될 수 있다. 이러한 효과들을 제공하기 위해, 돔(220)의 굴절률은 약 1.4 내지 약 1.7의 범위일 수 있다. 돔(220)의 굴절률은 방사광원(202)의 굴절률과 광학 소자(250)의 굴절률 사이가 되도록 선택될 수 있으며, 그에 따라 돔(220)은 방사광원(202) 및 광학 소자(250)의 출력 사이의 방사에 대한 변이를 제공할 수 있다.
광학 소자(250)의 끝단(208)에는 개구부가 제공된다. 개구부는 인캡슐레이트된 방사광원(202)을 따라 돔(220)을 수용할 수 있는 크기 및 형태를 가질 수 있다. 따라서, 돔(220)을 완전히 수용하기 위한 개구부의 높이는 약 2mm 내지 15mm일 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 광 방출 장치의 부분 단면도이다. 도 3은 발광 다이오드(LED), 레이저 다이오드(LD) 또는 공진 공동 발광 다이오드(RCLED)일 수 있는 단파장 방사광원(302)을 나타낸다. 방사광원(302)은 돔으로 인캡슐레이트되지 않는다. 방사광원(302)은 통상적인 돔 없이 제조될 수도 있고, 돔을 갖도록 제조될 수도 있으며, 필요에 따라 제거될 수도 있다. 방사광원(302)은 단파장 방사광을 방출할 수 있다. 방사광원(302)의 일 측면은 방열판(304) 상 에 배치될 수 있으며, 방열판(304)은 방사광원(302)에서 열을 제거할 수 있다. 방열판(304)의 내면(306)은 반사면으로 구성되어 반사컵을 형성할 수 있다. 일 실시예에서, 반사면(306)의 형태는 설명을 위해 포물선일 수 있으나, 볼록형상, 타원형 또는 평면형과 같은 임의의 기하학적 구조를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 방열판(304)의 길이(370)는 약 5mm일 수 있다. 반사면(306)은 광학 소자로부터 추출된 광의 일부를 다운 컨버젼 재료(310)로 향하게 할 수도 있고, 추출된 광의 일부를 다운 컨버젼 재료(310)에 충돌하지 않고 렌즈(340)로 향하게 할 수도 있다.
광학 소자(308)는 방열판(304) 상에 그리고 방사광원(302) 위에 위치할 수 있다. 광학 소자(308)로는 방사광원(302)으로부터 멀리 떨어진 광학 소자의 일부(316) 상에 위치한 다운 컨버젼 재료(310)를 이용할 수 있다. 다운 컨버젼 재료(310)는 형광체 또는 양자점일 수 있다. 방사광원(302)은 광학 소자(308)에 의해 형광체층(310)으로부터 분리되며, 상기 형광체층(310)은 실질적으로 광투과성인 실질적으로 투명한 매질로 구성될 수 있다. 상기 실질ㅈ거으로 투명한 매질은 예를 들어, 공기, 유리 또는 아크릴일 수 있다. 광학 소자(308)는 실질적으로 투명하고 실질적으로 광 투광성인 벽들(312,314)을 가질 수 있다.
형광체 또는 양자점 층(310)은 서로 다른 파장의 혼합 광을 개선하기 위해 추가적인 스캐터링 파티클(예를 들어 마이크로 구면체)을 더 포함할 수 있다. 또한, 형광체 또는 양자점층(310)은 수개의 서로 다른 스펙트럼 영역에 존재하는 서로 다른 색체의 다운 컨버팅된 방사광을 생성하기 위해 단일 형광체(또는 양자점) 또는 복수의 형광체(또는 양자점들)로 구성될 수 있다. 선택적으로, 스캐터링 파 티클을 갖는 층은 색체 혼합을 위해 다운 컨버젼 재료(310)의 위, 또는 아래 또는 위 및 아래에만 배치될 수 있다.
형광체층(310)이 증착될 수 있는 광학 소자(308)의 부분(316)은 광학 소자(308)의 끝단일 수 있다. 방사광원(302)은 광학 소자(308)의 또 다른 부분에 배치될 수 있다. 예를 들어, 방사광원(302)은 광학 소자(308)의 또 다른 끝단(318)에 배치될 수 있다. 표시된 바와 같이, 광학 소자(308)는 방열판(304)인 베이스 위에 배치될 수도 있다.
단파장 방사광원(302)은 광학 소자(308)의 벽들(312,314) 사이에 배치될 수 있다. 단파장 방사광원(302) 및 광학 소자(308) 모두는 방열판(304) 상에 배치될 수 있다.
방사광원(302),광학 소자(308) 및 다운 컨버젼 재료(310)의 동작 및 그 상호관계는 도 1 및 도 2를 참조하여 앞서 설명한 실시예의 해당 엘리먼트들 간의 동작 및 상호관계와 동일할 수 있다. 방사광원(310)에 의해 방출된 단파장 방사광은 형광체층(310)을 통해 전송되는 전방으로 전달된 단파장 방사광, 및 형광체층(310)을 통해 전송되는 전방으로 다운 컨버팅된 방사광; 및 후방으로 전달된 단파장 방사광, 및 형광체층(310)에 의해 후방으로 방출 및/또는 스캐터링될 수 있는, 후방으로 전달된 다운 컨버팅된 반사된 방사광을 포함하는 형광체층(310)을 통해 전송되는 방사광이 될 수 있다. 후방으로 전달된 방사광이 측면 벽들(312,314)을 따라 복수의 위치들에서 측면 벽들(312,314)를 통해 전달될 수 있음이 이해될 것이다. 광학 소자(308) 외부로의 방사광의 전달은 광의 추출이라 할 수 있다. 따라서, 광 학 소자(308)로부터 추출될 수 있는 방사광선은 형광체층(310)으로부터 반사된 단파장 방사광과 형광체층(310)으로부터 방출 및/또는 스캐터링될 수 있는 다운 컨버팅된 반사된 방사광을 포함할 수 있다. 방사광원(302)의 상부 및 측면으로부터 방출된 일부 단파장 방사광은 다운 컨버젼 재료(310)에 충돌하지 않고 광학 소자(308)를 떠날 수 있다. 추출된 단파장 반사된 방사광 및 추출된 다운 컨버팅된 반사된 방사광의 일부 또는 전부는 가시광선으로 보일 수 있다.
광학 소자(308)가 실질적으로 투명하고, 실질적으로 투과성의 벽들(312,314)로 구성 및 설계되어, 광학 소자(308)의 내부에서 광학 소자(308)의 외부로 방사광을 추출하기 때문에, 측면 벽들(312,314)을 통한 방사광의 전달(추출)이 발생할 수 있다. 또한, 광학 소자(308)의 다양한 폭들은 광학 소자(308)의 외부로 필요한 양의 방사광을 추출하기 위해 변형될 수 있다. 변형될 수 있는 폭들은 끝단(316)에서의 폭 및 끝단(318)에서의 폭이다. 마찬가지로, 끝단들(316,318) 사이의 폭들도 변형될 수 있다. 끝단들(316,318) 사이의 벽들(312,314)의 폭의 변형은 벽들(312,314)의 형태를 변형함으로써 발생할 수 있다. 벽들(312,314)은 실질적으로 직선, 곡선이거나 또는 직선 부분 및 곡선 부분을 모두 가질 수도 있다.
전술한 광학 소자(308)의 특징부들의 치수는 광학 소자(308)가 사용될 수 있는 응용분야에 따라 변형될 수 있다. 광학 소자(308)의 특징부들의 치수는 변형될 수 있고, 광선 추적의 원리 및 내부 전반사(TIR:total internal reflection)의 원리를 사용하여 설정될 수 있다. TIR 원리가 적용되면, 벽들(312,314) 중 하나 또는 둘다의 방사광의 반사도는 99.9%를 초과할 수 있다. TIR의 원리는 본 출원에 기재된 모든 실시예들에 적용될 수 있다.
다운 컨버젼 재료(310)의 특징부들을 따라 광학 소자(308)의 치수는 광학 소자의 사용예에 따라 설정 또는 조절될 수 있다. 예를 들어, 광학 소자의 치수는 광학 소자(308)로 들어가는 방사광원(302)으로부터의 방사광 양을 최대화하도록 설정될 수 있다. 선택적으로, 광학 소자(308)의 치수는 다운 컨버젼 재료(310)에 충돌하는 방사광원(302)으로부터의 방사광의 양을 최대화하도록 설정될 수 있다. 또한, 선택적으로, 광학 소자(302)의 치수는 다운 컨버젼 재료(310)로부터 후방으로 전달된 방사광의 양을 최대화하도록 설정될 수 있다. 또한, 선택적으로, 광학 소자(308)의 치수는 벽들(312,314)을 통해 추출되는 방사광의 양을 최대화하도록 설정될 수 있다.
광학 소자의 다른 실시예들의 치수 및 다운 컨버젼 재료(310)의 특징들은 최대화되지 않은 방사광 특징을 생성하기 위해 설정 또는 조절될 수 있음이 이해될 것이다. 이런 다른 실시예들에서, 광학 소자(308)에 들어가는 방사광;다운 컨버젼 재료(310)에 충돌하는 방사광;다운 컨버젼 재료(310)에서 후방으로 전달되는 방사광; 및 벽들(312,314)을 통해 추출된 방사광 중 하나 이상의 방사광의 양은 광학 소자가 사용되는 실시예에 따라 각각의 최대 레벨보다 작을 수 있는 하나 이상의 다양한 레벨들로 조절될 수 있다. 광학 소자(308)의 치수는 또한, 광학 소자의 특정 사용예에 대해 상대적인 비용 대 광 추출의 필요한 효율에 따라 변형될 수 있다.
이러한 실시예들 중 하나를 구현하기 위해 광선 추적의 원리 및 TIR의 원리 가 사용될 수 있다.
변형될 수 있는 치수들 중 일부는 광학 소자의 끝단(316)의 직경;광학 소자의 끝단(318)의 직경;끝단(318)에 상대적인 벽들(312 및/또는 314)의 각도일 수 있다. 예를 들어, 벽들(312 및/또는 314)은 직선, 곡선, 또는 직선 및 곡선의 조합일 수 있다. 일 실시예에서, 광학 소자(308)의 높이(360)는 약 3mm일 수 있다.
도 4는 일 실시예에 따른 개구부를 갖는 도 3에 도시된 광학 소자의 부분 단면도이다. 보다 구체적으로, 도 4는 일 실시예에 따른 개구부(320)를 갖는 광학 소자(308)의 부분 단면도이다. 도 4는 광학 소자(308) 및 광학 소자(308)의 끝단(316) 상의 다운 컨버젼 재료(310)를 나타낸다. 도 4는 광학 소자(308)의 끝단(318)의 개구부(320)를 나타낸다. 방사광원(302)의 실질적인 양이 개구부(320) 이내이기 때문에, 개구부(320)는 방사광원(302)을 수용하여 광학 소자(308)가 적어도 부분적으로 방사광원(302)을 둘러싸도록 크기 및 형태가 구성될 수 있다. 도 3 및 도 4에 도시된 실시예에 도시된 바와 같이, 방사광원(302)이 개구부(320) 내에 있는 경우에, 실질적으로 방사광원(302)의 전부는 광학 소자(308)에 둘러싸일 수 있다. 광학 소자(308)에 의해 둘러싸이지 않는 방사광원(302)의 유일한 부분은 방열판(304) 상의 부분이다. 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 방사광원(302)이 광학 소자(308)의 개구부(320) 내에 위치하면, 방사광원(302)은 광학 소자(308) 내에 완전히 잠겨있다고 말할 수 있다. 일 실시예에서, 방사광원(302)의 치수는 약 1mm X 약 1mm X 약 0.3mm일 수 있고, 개구부(320)의 직경은 약 2mm일 수 있다. 돔이 없는 방사광원을 사용함으로써, 광학 소자(308)의 높이(360)는 예를 들어 도 2에 도시된 광학 소자(250)의 높이(260) 보다 작을 수 있다.
광학 소자의 개구부가 다양한 형태를 가질 수 있음이 이해될 것이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 예를 들어, 개구부(320)는 곡선 형태를 가질 수 있다. 도 5는 개구부의 선택적인 실시예를 갖는 도 3에 도시된 광학 소자의 부분 단면도이다. 도 5에 도시된 선택적인 실시예에서, 개구부(322)는 방사광원(3020)의 형태와 거의 유사한 형태일 수 있다. 예를 들어, 도 5에 도시된 바와 같이, 광학 소자(302)의 개구부(322)의 형태는 사다리꼴일 수 있다. 일 실시예에서, 개구부(322)의 치수는 방사광원(302)의 직경과 동일하거나, 약간 더 클 수 있다. 도 5의 화살표(50)로 표시되는 바와 같이, 사다리꼴 형태의 개구부(322)를 갖는 광학 소자(308)는 방사광원(302)의 상부에 높이며 실질적으로 방사광원(302)을 둘러쌀 수 있다. 개구부(322)와 같은 개구부가 사용되고, 광학 소자(308)가 방사광원(302)의 상부에 배치되면, 도 3은 광학 소자(308)의 개구부(322) 내의 방사광원(302)을 나타낼 수 있다. 도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 광학 소자(308)의 개구부는 방사광원(302)의 형태와 거의 일치하는 형태를 가질 수 있다. 어떤 형태의 개구부가 사용되는지에 관계없이, 방사광원(302)은 광학 소자(308) 내에 완전히 잠길 수 있고, 방열판(304) 상에 또는 선택적인 실시예에서 방열판이 사용되지 않는 경우에는 다른 지지 베이스 상에 놓일 수 있는 방사광원(302)의 측면을 제외하고는 광학 소자(308)에 의해 실질적으로 둘러싸일 수 있다.
광학 소자(308)의 굴절률은 약 1.4 내지 약 1.7의 범위일 수 있다. 방사광원(302)은 약 1.7 내지 약 2.6 범위의 굴절률을 가질 수 있다. 도 4를 참조하면, 방사광원(302)과 광학 소자(308) 내부 사이에 공간들(324,326,328)과 같은 에어 공간이 있다. 도 4를 참조하면, 방사광원(302)의 코너(330) 및 개구부(320) 내의 광학 소자(308)의 근접 포인트의 코너(302) 사이와, 방사광원(302)의 코너(332) 및 개구부(320) 내의 광학 소자(308)의 근접 포인트 사이에도 에어 공간(미도시)이 존재할 수 있다. 도 3 및 5를 참조하면, 방사광원(302)의 내부와 개구부(322) 내의 광학 소자(308)의 내부 사이에도 에어 공간이 존재할 수 있다. 방사광원(302)과 개구의 형태와 관계없이, 방사광원(302)과 개구부 내의 광학 소자(308)의 내부 사이에도 에어 공간이 존재할 수 있다. 방사광원(302)에서 광학 소자(308)로 통과하는 방사광을 위한 전이(transition)를 제공하기 위해, 방사광원(302)과 광학 소자(308) 사이의 공간을 채우기 위한 실런트가 배치될 수 있다. 따라서, 실런트는 광학 소자 내에 임의의 형태의 방사광원(302)과 임의의 형태의 개구부에 대한 공간에 위치할 수 있다. 실런트는 각 방사광원에서 광학 소자로 통과하는 방사광에 대한 전이를 제공할 수 있다.
일 실시예에서, 실런트는 방사광원(302)에서 광학 소자(308)로 방사광 전달의 최대 효율을 획득하기 위해 각 공간들을 가능한한 많이 채울 수 있다. 각 공간들이 완전히 채워지지 않으면, 방사광원(302)에서 광학 소자(308)로 방사광을 전달하는 효율은 감소할 수 있다. 실런트는 광학 소자(308)를 방사광원(302)에 접착하는 접착 물질로 사용될 수 있다. 광학 소자(308) 및 방사광원(302) 간의 접착이 양호할수록 방사광원(302)에서 광학 소자(308)로의 방사광 전달의 효율은 더 개선될 수 있다.
일 실시예에서, 실런트 재료는 실리콘 젤, 에폭시, 폴리머 또는 광투과성이고 필요한 굴절률을 가지며, 공간을 실질적으로 실링할 수 있을 정도로 충분히 유연한 임의의 다른 실런트일 수 있다. 실런트 재료는 방사광원(302)과 광학 소자(308) 사이의 굴절률을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 실런트의 굴절률은 방사광원(302)과 광학 소자(308) 사이의 굴절률 범위에 있을 수 있다. 예를 들어, 실런트의 굴절률은 약 1.5 내지 약 2.3의 범위일 수 있다. 일 실시예에서, 공간(320,324,326)을 포함하는 모든 공간을 실질적으로 채울 수 있는 충분한 실런트가 사용되어야 한다. 돔이 없는 방사광원과 방사광원과 광학 소자 사이의 인터페이스로서 젤과 같은 실런트를 사용함으로서 돔으로 인캡슐레이트된 방사광원을 사용하는 광학 소자 보다 실질적으로 더 짧은 광학 소자를 설계할 수 있다. 예를 들어, 도 2를 참조하면, 장치(200)의 높이(260)는 약 20mm일 수 있다. 반면에, 도 3을 참조하면 장치(300)의 높이(360)는 약 3mm일 수 있다. 따라서 돔 대신에 실런트를 사용함으로써 사용자는 SPETM 기술의 특징을 갖는 발광 장치의 설계 및 제조에 있어서 훨씬 많은 유연성을 가질 수 있다. 예를 들어, 다소간의 실런트를 사용함으로써, 약 2mm 내지 약 10mm 범위의 높이를 갖는 발광 장치를 제조할 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 렌즈(340)는 광학 소자(308) 및 다운 컨버젼 재료(310)의 상부 및 위에 배치될 수 있다. 렌즈(340)는 다운 컨버젼 재료(310)로부터 전방으로 전달된 빛과 반사기(306)에서 반사된 빛을 포커싱하는데 사용될 수 있다. 렌즈(340)는 또한 렌즈(340)가 광학 소자(308)와 다운 컨버젼 재료(310) 상에 배치될 때 형성되는 공간(342)에 포함되는 공기의 굴절률을 보상할 수 있는 굴절률을 가질 수 있다. 렌즈(340)는 구형 렌즈이거나 또는 필요한 대로 빛의 방향을 좌우할 수 있는 임의의 다른 형태일 수 있다. 렌즈(340)는 접착 재료를 사용하여 다운 컨버젼 재료에 부착될 수 있다. 선택적인 실시예에서, 렌즈(340)는 방열판(304)에 부착될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 렌즈(340)는 다운 컨버젼 재료(310) 및 반사컵(306) 모두에 부착될 수 있다.
도 6 내지 도 9는 도 3-5에 도시된 장치의 선택적인 실시예들을 나타낸다. 각 실시예에서, 광학 소자(308), 다운 컨버젼 재료(310), 방사광원(302) 및 개구부(도 6-9에는 미도시)는 도 3-5를 참조하여 설명된 것과 동일할 수 있다. 도 6은 광학 소자(308)와 다운 컨버젼 재료(310)의 상부에 마이크로렌즈 어레이(342)를 포함하는 박막을 갖는 장치를 나타낸다. 이 실시예에서, 렌즈 어레이(342)는 다운 컨버젼 재료(310)에만 부착될 수도 있고, 방열판(304)에만 부착될 수도 있으며, 다운 컨버젼 재료(310)와 방열판(304) 모두에 부착될 수도 있다. 도 7은 광학 소자(308)와 다운 컨버젼층(310) 상에 아무런 렌즈도 없는 장치를 나타낸다. 도 8은 다운 컨버젼층(310)에만 장착될 수 있는 렌즈(344)를 나타낸다. 이 실시예의 렌즈(344)는 도 3-5 및 7을 참조하여 설명된 임의의 렌즈일 수 있다. 도 9는 본 출원에서 설명된 임의의 렌즈일 수 있는 렌즈(346)와 반사면(350,352)을 갖는 방열판(348)을 나타낸다. 방열판(348)의 반사면은 포물선 또는 타원형상을 갖지 않을 수도 있다. 대신, 반사면(350,352) 중 하나 또는 둘다는 선형일 수 있다.
도 10은 본 발명의 또다른 실시예를 나타낸다. 이 실시예는 복수의 단파장 방사광원들을 나타낸다. 도 10은 도 5에 도시된 바와 같은 다운 컨버젼 재료(310)와 개구부(322)를 갖는 광학 소자(308)를 나타낸다. 이 엘리먼트들은 도 5에 도시된 해당 엘리먼트들과 동일한 사이즈를 가질 수 있다. 그러나, 도 5에 도시된 단일 단파장 방사광원(302) 대신에, 도 10의 실시예는 방열판(304) 상의 3개의 단파장 방사광원(400,402,404)을 가질 수 있다. 이들 단파장 방사광원(400,402,404) 중 아무것도 돔으로 인캡슐레이트되지 않을 수 있다. 도 10의 개구부의 크기가 도 5의 개구부의 크기와 동일하기 때문에, 방사광원(400,402,404) 중 하나 이상의 크기는 도 5에 도시된 방사광원(302)의 크기보다 작을 수 있다. 일 실시예에서, 방사광원(400,402,404)중 하나 이상의 크기는 약 0.3mm X 약 0.3mm X 약 0.3mm일 수 있다. 도 10은 방열판(304)에 배치된 3개의 방사광원을 나타내고 있지만, 2개의 방사광원이 사용될 수도 있고, 개구부(322) 내에 맞기만 하면 3개 이상의 방사광원도 사용될 수 있다. 방사광원들 중 적어도 하나와 개구부(322) 내의 표면 사이에는 실런트가 사용될 수 있다. 이 실시예 및 모든 실시예에 대한 실런트는 도 3-5를 참조하여 설명된 것과 동일한 실런트일 수 있다.
도 11은 복수의 단파장 방사광원을 갖는 본 발명의 또 다른 실시예를 나타낸다. 도 11에서, 단파장 방사광원(302A,302B,302C)은 각각 도 5에 도시된 단파장 방사광원(302)과 동일한 크기일 수 있다. 방사광원(302A,302B,302C)은 돔으로 인캡슐레이트되지 않을 수도 있다. 이러한 3개의 방사광원을 수용하기 위해서, 광학 소자(408)의 끝단일 수 있는 부분(416) 상에 다운 컨버젼 재료(410)를 갖는 광학 소자(408)는 도 3,5 및 10에 도시된 광학 소자(308)의 더 큰 버전일 수 있다. 일 실시예에서, 도 11에 도시된 개구부(422)의 크기는 약 6mm일 수 있다. 또한, 방열판(412)의 크기는 도 3,5 및 10에 도시된 것의 더 큰 버전일 수 있다. 일 실시예에서, 방열판(412)의 길이(470)는 약 10mm일 수 있다. 도 11이 방열판(412) 상에 배치된 3개의 단파장 방사광원(302A,302B,302C)을 나타내고 이지만, 2개의 단파장 방사광원이 사용될 수도 있고, 또한 3개 이상의 단파장 방사광원이 사용될 수도 있다. 방사광원의 수가 도 11의 실시예와 다르면, 개구부(422) 크기 및 방열판(412)의 크기는 그것을 수용하기 위해 변경될 수 있다. 본 출원의 다른 실시예와 마찬가지로, 광학 소자(302A,302B,302C) 각각과 개구부(422) 내의 광학 소자(408)의 표면 사이의 모든 공간(미도시)를 실링하기 위해 실런트가 사용될 수 있다.
도 12는 복수의 단파장 방사광원을 갖는 본 발명의 또다른 실시예를 나타낸다. 도 12에서, 3개의 별개의 방열판 섹션(502,504,506)을 갖는 방열판(500)이 도시되어 있다. 방열판 섹션들 각각은 반사컴(508,510,512) 및 단파장 방사광원(514,516,520)으로 식별되는 각각의 단파장 방사광원을 형성하는 반사면을 가질 수 있다. 이 실시예에서, 각각의 다운 컨버젼 재료(528,530,532) 및 각각의 개구부(534,536,538)를 갖는 각각의 광학 소자(522,524,526)가 사용될 수 있다. 본 명세서의 다른 모든 실시예들과 마찬가지로, 방사광원(514,516,520)은 돔을 갖지 않을 수 있다. 대신, 각각의 방사광원과 광학 소자(522,524,526)의 각 개구부(534,536,538)의 각 내부 표면 사이의 공간들(미도시)에는 실런트가 사용될 수 있다. 도 12는 3개의 방사광원과 다른 해당 엘리먼트들을 나타내고 있지만, 2개의 방사광원이 사용될 수도 있고, 3개 이상의 방사광원이 사용될 수도 있음이 이해될 것이다. 방사광원의 수가 도 12에 도시된 실시예와 다르면, 방사광원들의 수와 맞추기 위해 광학 소자의 수도 달라질 수 있다.
또한, 본 명세서의 모든 실시예들에 대해서 다양한 구성의 렌즈들 및 그 ㅎ렌즈의 부착물들은 도 6-9를 참조하여 설명된 실시예들에 대한 설명과 동일할 수 있다.
도 14는 도 3-12를 참조하여 설명된 본 발명의 실시예 중 임의의 하나를 제조하는데 사용될 수 있는 방법의 실시예를 나타낸다. 이 방법은 단파장 방사광을 방출하기 위한 방사광원, 상기 방사광원에 의해 방출된 단파장 방사광 중 적어도 일부를 수신하는 다운 컨버젼 재료 및 다운 컨버젼 재료로부터 후방으로 전달된 방사광 및/또는 단파장 방사광원으로부터 방출된 방사광을 추출하도록 구성된 광학 소자를 갖는 발광 장치를 제조하는데 사용될 수 있다. 블록(700)에 나타낸 바와 같이, 다운 컨버젼 재료는 광학 소자의 제1 부분에 배치된다. 전술한 바와 같이 광학 소자의 제1 부분은 광학 소자의 제1 끝단일 수 있다. 블록(720)에 나타낸 바와 같이, 광학 소자의 제2 부분에는 개구부가 형성된다. 광학 소자의 제2 부분은 광학 소자의 제2 끝단일 수 있다. 블록(702)에 나타낸 개구부를 형성하는 단계는 블록(700)에 나타낸 다운 컨버젼 재료를 배치하는 단계 전에 수행될 수 있음이 이해될 것이다. 블록(704)은 광학 소자의 제2 부분의 표면에 실런트가 배치된 경우를 나타내고, 이 때 상기 표면은 개구부 내부이다. 실런트가 개구부의 내면에 배치된 후에, 블록(706)은 방사광원이 개구부 내부에 배치될 수 있음을 나타낸다. 방사광원이 개구부 내부에 배치되면, 방사광원의 적어도 한 표면은 실런트와 접촉 할 수 있다.
블록(708 및 710)에 나타낸 바와 같이, 방사광원이 개구부 내부에 배치된 후에, 광학 소자 및 방사광원 사이의 적어도 제1 및 제2 공간들은 실링될 수 있다. 방사광원과 개구부의 내부 간의 공간들이 실링된 후에, 개구부 내부에 방사광원을 갖는 광학 소자는 블록(712)에 표시된 바와 같이 지지부 상에 배치될 수 있다. 지지부는 방열판일 수 있다. 블록(708 및 710)에 도시된 단계들은 블록(712)에 도시된 단계 후에 수행될 수 있다. 방사광원과 개구부의 내부 사이의 공간이 실링되고, 상기 소자가 지지부 상에 배치된 후에, 블록(714)에 표시된 바와 같이 렌즈는 다운 컨버젼 재료 근처에 배치될 수 있다.
도 15는 도 3-12를 참조하여 설명된 본 발명의 실시예 중 하나를 제조하는 또 다른 방법을 나타낸다. 이 방법에서, 블록(800,802,804)에 나타낸 단계들은 블록들(700,702,704)에 나타낸 단계들과 동일하다. 실런트가 개구부의 내면에 놓이게 되면, 방사광원은 지지부 상에 놓일 수 있으며, 지지부는 블록(806)에 나타낸 바와 같이 방열판일 수 있다. 블록(806)에 나타낸 바와 같이 방사광원을 지지부 상에 배치하는 단계는 블록(800,802,804)에 도시된 단계들 전에 수행될 수 있음은 이해될 것이다. 블록(808)에 나타낸 바와 같이, 방사광원이 지지부 상에 배치된 후에, 개구부 내면에 실런트를 갖는 광학 소자는 지지부 및 방사광원 위에 배치된다. 이 단계가 완료되면, 블록(808)에 도시된 바와 같이, 광학 소자는 방사광원을 실질적으로 둘러쌀 수 있다. 여기서, 광학 소자와 방사광원 사이의 다수의 공간은 블록(810)에 나타낸 바와 같이 실링될 수 있다. 그리고 나서, 블록(812)에 나타낸 바와 같이, 렌즈가 다운 컨버젼 재료 근처에 배치될 수 있다. 블록(812)에 나타낸 단계와 블록(714)에 나타낸 단계는 예를 들어, 렌즈가 사용되지 않는 도 7에 도시된 실시예를 제조하는 경우에는 수행되지 않을 수 있다.
도 13은 복수의 반사면들이 방사광원 및 광학 소자 근처에 있는 본 발명의 또 다른 실시예를 나타낸다. 발광 장치(600)는 도 13에 도시된다. 발광 장치(600)는 광학 소자(608)의 끝단일 수 있는 광학 소자(608)의 일부 상에 다운 컨버젼 재료(610)를 갖는 광학 소자(608)를 포함한다. 장치(600)는 또한 방열판(640) 상에 배치된 단파장 방사광원(6020을 가질 수도 있다. 본 출원의 다른 모든 실시예와 마찬가지로, 단파장 방사광원(602)은 돔으로 인캡슐레이트되지 않을 수 있다. 방열판(604)은 반사면(612,614)를 갖는 2개의 반사컵을 형성할 수 있다. 제1 반사컵 및 표면(612)은 제2 반사컵 및 표면(614)의 근처일 수 있다. 반사면(612)의 반경은 반사면(614)의 반지름과 동일할 수도 있고 다를 수도 있다. 또한, 반사면(612)은 서로 다른 반지름을 갖는 다수의 면들로 구성될 수 있다. 반사면(612)을 포함하는 반지름의 수는 광학 소자(608)의 높이에 따라 달라질 수 있다.
제1 반사면(612)은 광학 소자 및 다운 컨버젼 재료(610)를 부분적으로 둘러쌀 수 있다. 본 발명의 다른 실시예들에 대해 설명한 바와 같이, 반사면(612)은 광학 소자(608)로부터 추출된 광을 다운 컨버젼 재료(610) 방향과 렌즈(64) 방향으로 향하게 할 수 있다.
방사광원(602)은 방열판(604)의 하부에 배치되어 방사광원(602)이 반사면(614)에 의해 부분적으로 둘러싸이도록 할 수 있다. 제1 반사면(612)은 포인 트(613,615)로 표시된 포인트에서 제2 반사면(614)에 연결될 수 있다. 방열판(614)의 하부(605)에서 포인트(613,615)까지의 거리는 방사광원(602)의 높이와 동일하거나 그보다 클 수 있다. 광학 소자(608)의 끝단 부분(618)의 직경은 포인트(613)와 포인트(615) 간의 거리와 실질적으로 동일할 수 있다.
실제에 있어서, 방사광원(602)은 방열판(604)의 하부(605)와 반사면(614)에 의해 형성된 반사컵에 의해 형성된 우물(well)에 배치될 수 있다. 반사면은 방사광원(602)의 측면에서 방출된 방사광을 광학 소자(608)로 향하게 할 수 있다. 반사면(614)에 의해 반사된 방사광 중 일부는 광학 소자(608)에 전송되어 다운 컨버젼 재료(610)에 충돌할 수 있다. 반사면(614)에 의해 반사된 방사광의 일부는 광학 소자(608)로 전송되어 다운 컨버젼 재료(610)에 충돌하지 않고, 벽들(620,622)을 통해 광학 소자(608)를 떠날 수 있다. 반사면(614)에 의해 반사된 방사광 중 일부는 다운 컨버젼 재료(610)에 충돌하지 않고 렌즈(64)로 향할 수 있다.
이 실시예에서, 광학 소자(608)는 그 끝단(618)에 개구부를 갖지 않는다. 광학 소자(608)의 끝단(618)은 방사광원(602)의 상부면(603) 상에 배치될 수 있다. 방사광원(602)과 반사면(614) 사이의 공간(642,644)과 방사광원(602)과 광학 소자(608)의 끝단(618) 사이의 공간(614)에는 실런트(미도시)가 배치될 수 있다. 실런트는 본 발명의 다른 실시예에서 설명된 특징들과 동일한 특징을 갖고, 동일한 용도로 사용될 수 있다.
이하에서는 도 13에 도시된 장치를 제조하는 방법을 설명한다. 도 16은 도 13을 참조하여 설명된 본 발명의 실시예를 제조하는데 사용될 수 있는 방법의 일 실시예를 나타낸다.
발광 장치를 제조하는 본 방법에 대해서, 단파장 방사광을 방출하는 방사광원, 방사광원에 의해 방출된 단파장 방사광의 적어도 일부를 수신하는 다운 컨버젼 재료, 다운 컨버젼 재료로부터 후방으로 전달된 방사광 및/또는 단파장 방사광원으로부터 방출된 방사광을 추출하도록 구성된 광학 소자가 있다. 또한, 제1 반사컵 및 제2 반사컵이 있다. 제2 반사컵은 제1 반사컵의 근처에 존재하고, 우물(well)을 형성한다.
블록(900)에 나타낸 바와 같이, 다운 컨버젼 재료는 광학 소자의 제1 부분에 배치된다. 블록(902)에 나타낸 바와 같이, 방사광원의 제1 표면은 우물의 제1 표면에 배치된다. 이 단계가 완료된 후에, 방사광원은 우물을 형성하는 반사컵에 의해 부분적으로 둘러싸일 수 있다. 그리고 나서, 블록(904)에 나타낸 바와 같이, 제1 실런트가 방사광원의 적어도 제2 표면과 우물의 제2 표면 사이에 배치될 수 있다. 그리고 나서, 블록(906)에 나타낸 바와 같이, 제2 시런트가 방사광원의 적어도 제3 표면 상에 배치될 수 있다. 제1 및 제2 실런트에 대해 각각 동일한 재료가 사용될 수도 있고, 다른 재료가 사용될 수도 있다. 그리고 나서, 블록(908)에 나타낸 바와 같이, 광학 소자는 광학 소자가 제1 반사컵에 의해 부분적으로 둘러싸이고, 제2 실런트와 접촉하도록 제1 반사컵 내에 배치될 수 있다. 그리고 나서, 블록(910)에 나타낸 바와 같이, 다운 컨버젼 재료 근처에 렌즈가 배치될 수 있다.
본 발명의 또다른 실시예가 도 17 및 18에 도시되어 있다. 도 17은 방사광원 위와 반사기 상에 실장될 수 있는 광학 소자의 선택적인 실시예의 부분 단면도 이다. 도 17은 광학 소자(1008)의 끝단(1016) 상의 광학 소자(1008) 및 다운 컨버젼 재료를 나타낸다. 도 17은 광학 소자(1008)의 끝단의 개구부(1020)를 나타낸다. 개구부(1020)가 컵 형태를 갖는 것으로 도시되어 있으나, 개구부(1020)는 방사광원의 형태와 더 유사한 다른 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 개구부(1020)는 사다리꼴 형태를 가질 수 있다. 도 17은 또한 반사컵을 형성하는 반사면(1036)을 갖는 방열판(1034) 상에 실장된 반사면(1032)을 나타낸다. 광학 소자(1008), 개구부(1020), 다운 컨버젼 재료(1010), 방사광원(1032), 방열판(1034) 및 반사면(1036)의 치수 및 특징들은 본 발명의 다른 실시예들에 대한 설명에서의 치수 및 특징들과 동일할 수 있다. 방사광원(1032)은 높이(1033)를 갖는다. 광학 소자는 본 발명의 다른 실시예들을 참조하여 설명한 바와 동일한 방식으로 방사광원(1032) 위와 방열판 상에 실장될 수 있다. 도 18은 광학 소자(1008)가 방사광원(1032) 위와 방열판(1034) 상에 실장된 후의 광학 소자(1008)를 나타낸다.
도 17 및 18을 참조하면, 광학 소자(1008)는 끝단(1016 및 1018) 사이의 측면 벽들(1040 및 1042)을 가질 수 있다. 측면 벽들(1040,1042)의 제1 부분은 실질적으로 광 투과성일 수 있고, 측면 벽들(1040,1042)의 제2 부분은 실질적으로 광 투과성이 아닐 수 있다. 반사재료(1046A)는 벽(1040)의 일부에 적용될 수 있고, 반사재료(1046B)는 벽(1042)의 일부에 적용될 수 있다. 반사재료(1046A 및 1046B)는 고 반사성 페인트일 수 있다. 일 실시예에서, 페인트는 황산바륨 기반의 페인트일 수 있고, 약 97%의 반사도를 나타낼 수 있다. 선택적인 실시예에서, 페인트 대신에 증기화된 알루미늄 코팅, 또는 파장 선택적 코팅이 사용될 수 있다.
도 18에 도시된 바와 같이, 단파장 방사광은 방사광원(1032)의 상부로부터 뿐만 아니라, 방사광원(1032)의 측면(1052,1054)으로부터도 방출될 수 있다. 화살표(1056,1058)는 단파장 방사광원(1032)의 측면들(1052,1054) 각가으로부터 방사되는 예시적인 단파장 방사광선을 나타낸다. 예시적인 방사광선(1056,1058)에 추가로 단파장 방사광선이 측면(1052,1054)으로부터 방출될 수 있음이 이해될 것이다. 반사재료(1046A,1046B)가 없는 경우에는, 측면(1052,1054)으로부터의 방사광선은 광학 소자(1008)의 벽들(1040,1042)을 통해 추출되어, 반사면(1036)에서 반사될 수 있다. 반사면들(1036)로부터 반사된 방사광의 일부는 다운 컨버젼 재료(1010)에 충돌하는 방향을 향할 수 있다. 반사면(1036)으로부터 반사된 다른 방사광은 방향이 결정되지 않을 수 있다. 대신에, 예를 들어, 반사된 방사광의 일부는 다운 컨버젼 재료(1010)와 반사면(1036) 사이의 공간들(1060,1062)을 향하고, 그들을 통과하는 방향을 향할 수 있다. 반사되어 공간들(1060,1062)을 향하고, 그것을 통과하는 임의의 방사광은 다운 컨버젼 재료(1010)에 의해 백색광으로 변환되지 않을 것이다.
반사 재료(1046)가 광학 소자(1008)의 하부에 배치되면, 방사광원(1032)의 측면들(1052,1054)에서 방출된 방사광은 반사재료(1046)에 의해 다운 컨버젼 재료로 향하여 충돌할 수 있다. 도 18은 예시적인 방사광선(1056,1058)이 반사재료(1046A,1046B)에 충돌할 때 반사 재료(1046A,1046B)에 의해 반사될 수 있는 예시적인 방사광선들(1070,1072)을 나타낸다. 예시적인 반사된 방사광선(1070,1072)에 추가로, 다른 단파장 방사광선이 측면들(1052,1054)로부터 방출되어, 반사재 료(1046A,1046B)에 의해 다운 컨버젼 재료(1010) 쪽으로 반사될 수 있다.
설명을 위해 반사재료(1046A,1046B)의 두께는 과장될 수 있다. 일 실시예에서, 반사재료(1046A,1046B)의 두께는 도 17 및 18에 도시된 다른 엘리먼트들에 비해 훨씬 얇을 수 있다. 일 실시예에서, 도 17 및 18에 도시된 바와 같이, 반사재료(1046A,1046B)는 각각 벽들(1040,1042)의 외부를 따라 배치될 수 있다. 선택적인 실시예에서, 반사재료(1046A,1046B)는 각각 벽들(1040,1042) 내에 내장될 수 있다. 또 다른 선택적인 실시예에서, 반사재료(1046A,1046B)는 각각 벽들(1040,1042)의 내면을 따라 배치될 수 있다.
도 17 및 18을 참조하면, 반사재료(1046A,1046B)의 길이(1047)는 각각 벽들(1040,1042)의 길이의 90%까지일 수 있다. 도 18에 도시된 바와 같이, 반사재료(1046A,1046B)의 일 실시예는 방사광원(1032)의 하부(1051) 근처 포인트에서, 방사광원(1032)의 상부(1050) 너머와, 광학 소자(1008)의 끝단(1016) 아래에 있는 반사재료(1046A,1046B)의 각 엔드 포인트들(1049A,1049B)로 확장될 수 있다. 선택적인 실시예에서, 반사재료(1046)의 길이(1047)는 반사재료(1046A,1046B) 중 하나 또는 둘다의 엔드 포인트(1049A,1049B)가 방사광원(1032)의 높이(1033)와 동일하거나, 그 이상이거나, 또는 그 이하가 되어, 측면들(1052,1054)로부터 방출된 서로 다른 양의 방사광이 길이(1047)에 따라 다운 컨버젼 재료(1010)에 충돌하게 된다. 즉, 반사재료(1046A,1046B)의 길이는 동일할 수도 있고, 서로 다를 수도 있으며, 반사재료(1046A,1046B)의 각 길이는 대칭일 수도 있고, 비대칭일 수도 있다.
본 실시예에서, 반사재료(1046A,1046B)의 엔드 포인트(1049A,1049B)와 광학 장치(1008)의 끝단(1016) 사이의 벽들(1040,1042)의 제1 부분은 실질적으로 광 투과성일 수 있다. 반사재료(1046A,1046B)의 존재 때문에, 방사광원(1032)의 하부(1051)와 엔드 포인트(1049A,1049B) 사이의 벽들(1040,1042)의 제2 부분은 실질적으로 광 투과성이 아닐 수 있다. 대신, 벽들(1040,1042)의 제2 부분은 실질적으로 반사성일 수 있다.
반사재료(1046A,1046B)를 사용하는 경우의 또다른 효과는 광학 소자(1008)와 같은 광학 소자를 제조하는데 소요되는 비용을 감소시킬 수 있다. 광학 소자(1008)의 벽들(1040,1042)이 전체 길이에 대해 실질적으로 광 투과성인 경우에, 벽들(1040,1042)는 TIR의 원리를 사용하기 위해 전체 길이를 따라 고도로 연마되어야(polished)할 수 있다. 반사재료(1046A,1046B)가 광학 소자의 하부에 적용되면, 전체 길이를 따라 반사 벽들(1040,1042)을 고도로 연마할 필요가 없기 때문에, 광학 소자의 제조 비용은 감소될 수 있다. 대신, 반사재료(1046A,1046B)를 갖는 반사 벽들(1040,1042)의 부분들만 고도로 연마할 필요가 있을 수 있다. 도 18을 참조하면, 반사재료(1046A,1046B)가 반사벽들(1040,1042) 상에 또는 내에 배치되면, 반사재료(1046A,1046B)의 엔드 포인트(1049A,1049B)에서 광학 소자(1008)의 끝단(1016)까지만 벽들(1040,1042)을 고도로 연마할 필요가 있을 수 있다. 반사재료(1046A,1046B)의 길이(1047)와 일치하는 벽들(1040,1042)의 나머지는 엔드 포인트(1049A,1049B)와 광학 소자(1008)의 엔드(1016) 사이의 면보다 더 거친 면들을 가질 수 있다. 광학 소자(1008) 사에서 수행될 수 있는 연마의 양을 감소시킴으로써 광학 소자(1008)의 제조 비용을 실질적으로 감소시킬 수 있다.
도 19 및 도 20에는 본 발명의 또 다른 실시예가 도시되어 있다. 도 19는 본 발명의 실시예의 부분 단면도이다. 도 20은 상기 실시예의 다른 엘레먼트들에 연결된 광학 소자를 나타내는 본 실시예의 또 다른 부분 단면도이다. 도 19 및 20에 도시된 실시예는 도 17 및 18에 도시된 실시예와 실질적으로 동일하다.
도 19 및 20은 방열판(1034)의 선택적인 실시예를 가질 수 있다. 도 19 및 20에서, 개구부(1022)의 선택적인 형태가 도시되어 있다. 전술한 바와 같이, 개구부의 선택적인 형태가 사용될 수 있다. 본 실시예에서, 방열판(1034)은 올려진 부분(1035)을 갖는다. 올려진 부분(1035)의 높이(1085)는 방열판(1034)의 높이(1087)의 50% 까지일 수 있다. 방사광원(1032)은 올려진 부분(1035)의 상부에 배치될 수 있다. 도 20은 방사광원(1032)의 측면에서 방출되어 반사재료(1046A,1046B)에 의해 예시적인 반사광선(1070,1072)과 같이, 다운 컨버젼 재료(1010)로 반사되는 예시적인 방사광선(1056,1058)의 예를 나타낸다. 전술한 바와 같이, 방사광원(1032)의 측면으로부터 더 많은 또는 더 적은 광선들이 방출되어 반사재료(1046A,1046B)에 다운 컨버젼 재료(1010)로 반사될 수 있다.
도 20에 도시된 실시예에서, 개구부는 방사광원(1032) 및 방열판(1034)의 올려진 부분(1035)의 실질적으로 전부를 커버할 수 있다. 또한, 올려진 부분(1035)의 측면들(1080,1082)은 반사면을 가질 수 있다. 개구부는 또한 표면(1080,1082)을 커버할 수 있다. 즉, 방사광원(1032)은 개구부 내에 완전히 잠길 수 있고, 올려진 부분(1035)은 적어도 부분적으로 개구부에 잠길 수 있다.
도 20에 도시된 실시예의 효과는 방사광원(1034)의 측면과 반사재 료(1046A,1046B) 사이에 더 큰 공간이 있기 때문에 반사광원(1034)으로 후방으로 반사될 수 있는 방사광의 양을 감소시킬 수 있다는 것이다.
도 21 및 22는 도 17-20에 도시된 실시예를 제조하는데 사용될 수 있는 방법의 선택적인 실시예를 나타낸다. 도 21에 도시된 방법은 도 14에 도시된 방법에 블록(701)에 나타낸 추가적인 단계를 포함시킨 것이다. 블록(701)에 나타낸 단계는 광학 소자의 하나 이상의 벽들을 따라, 또는 내장된 반사재료를 배치하는 것을 포함한다. 도시된 바와 같이, 블록(701)의 단계는 블록(700)에 나타낸 단계 이후 및 블록(702)에 나타낸 단계 이전에 수행될 수 있다. 그러나, 블록(700,701,702)에 도시된 단계들은 임의의 순서로 수행될 수 있음이 이해될 것이다.
도 22에 도시된 방법은 도 15에 도시된 방법에 블록(801)에 나타낸 추가적인 단계를 포함시킨 것이다. 블록(801)에 나타낸 단계는 광학 소자의 하나 이상의 벽들을 따라 또는 내장된 반사 재료를 배치하는 것을 포함한다. 도시된 바와 같이, 블록(801)의 단계는 블록(800)에 나타낸 단계 이후, 및 블록(802)에 나타낸 단계 이전에 수행될 수 있다. 그러나, 블록들(800,801,802)에 도시된 단계들은 임의의 순서로 수행될 수 있음이 이해될 것이다.
본 명세서에 기재된 모든 제조 방법에서, 다양한 제조 과정 각각에 사용된 단파장 방사광원은 돔을 갖지 않음이 이해될 수 있다. 돔이 없는 단파장 방사광원을 획득하기 위해, 사용자는 돔이 없는 것을 구매할 수도 있고, 돔이 있는 것을 구매하여, 제조 과정에서 추가적인 단계에서 그 돔을 제거할 수도 있다.
이상에서 본 발명을 구체적인 실시예들을 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 설명된 실시예로 한정되지 않는다. 본 발명의 범위를 벗어나지 않고, 설명된 실시예들에 다양한 변형이 가능하다.

Claims (47)

  1. 단파장 방사광을 방출하는 방사광원;
    상기 방사광원에 의해 방출된 상기 단파장 방사광 중 적어도 일부를 수신 및 다운컨버팅하고, 상기 수신되어 다운컨버팅된 방사광의 일부를 후방으로 전달하는 다운 컨버젼 재료;
    상기 다운 컨버젼 재료로부터 후방으로 전달된 방사광의 적어도 일부를 추출하도록 구성된, 상기 방사광원을 적어도 부분적으로 둘러싸는 상기 다운 컨버젼 재료 근처의 광학 소자; 및
    상기 방사광원 및 상기 광학 소자 사이의 공간을 실질적으로 실링(sealing)하는 적어도 하나의 실런트를 포함하는 발광 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 광학 소자는 개구부를 갖고, 상기 방사광원의 적어도 일부는 상기 개구부 내에 배치된 발광 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 개구부 내에 배치된, 단파장 방사광을 방출하는 복수의 방사광원을 더 포함하고, 상기 저겅도 하나의 실런트는 각 방사광원과 상기 광학 소자 사이의 실들(seals)을 실질적으로 실링하는 발광 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 실런트 재료는 실리콘, 폴리머, 에폭 시, 또는 다른 방사광 투과성 재료 중 하나인 발광 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 광학 소자는 유리, 아크릴, 또는 다른 실질적으로 방사광 투과성 재료인 발광 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 다운 컨버젼 재료로부터 전방으로 전달된 방사광을 수신하는, 상기 다운 컨버젼 재료 근처의 렌즈를 더 포함하는 발광 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 방사광원은 발광다이오드(LED), 레이저 다이오드(LD), 또는 공진 공동 발광다이오드(RCLED) 중 적어도 하나를 포함하는 발광 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 방사광원은 돔이 없는 발광 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 방사광원은 상기 광학 소자의 바로 근처인 발광 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 다운 컨버젼 재료는 한 스펙트럼 영역의 방사광은 흡수하고, 또다르 스펙트럼 영역의 방사광을 방출하는 형광체 또는 양자점들 중 적어도 하나를 포함하는 발광 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 광학 소자로부터 추출된 방사광 중 적어도 일부를 소 정 방향으로 향하게 하는, 상기 광학 소자를 적어도 부분적으로 둘러싸는 반사기를 더 포함하는 발광 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 반사기의 형태는 포물선 또는 타원형 중 하나인 발광 장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 반사기는 열을 상기 방사광원으로부터 멀게 하는 발광 장치.
  14. 제11항에 있어서, 상기 다운 컨버젼 재료로부터 전방으로 전달된 방사광과 상기 반사기에 의해 방향이 정해진 방사광을 수신하기 위한, 상기 다운 컨버젼 재료 근처의 렌즈를 더 포함하는 발광 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 렌즈는 상기 다운 컨버젼 재료에 연결되는 발광 장치.
  16. 제14항에 있어서, 상기 렌즈는 상기 반사기에 연결되는 발광 장치.
  17. 제1항에 있어서, 상기 방사광원 근처의 광학 소자 근처에 배치된 적어도 하나의 반사면을 더 포함하는 발광 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 적어도 하나의 반사면은 상기 광학 소자의 벽의 외부를 따라, 상기 광학 소자의 벽의 내부를 따라, 또는 상기 광학 소자의 벽에 내장 중 적어도 하나의 방식으로 배치되는 발광 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 적어도 하나의 반사면의 길이는 상기 광학 소자의 벽의 길이보다 작은 발광 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 방사광원은 방열판 상에 배치되는 발광 장치.
  21. 제20항에 있어서, 상기 광학 소자는 개구부를 갖고,
    상기 방사광원 및 상기 방열판의 적어도 일부는 상기 개구부 내에 배치되는 발광 장치.
  22. 제21항에 있어서,
    a. 상기 광학 소자로부터 추출된 방사광의 적어도 일부를 미리 결정된 방향으로 향하게 하는, 상기 광학 소자를 적어도 부분적으로 둘러싸는, 방열판 상의 제2 반사면; 및
    b. 상기 광학 소자의 개구부 내에 배치된 상기 방열판 상의 제3 반사면을 더 포함하는 발광 장치.
  23. 단파장 방사광을 방출하는 복수의 방사광원;
    상기 방사광원들 각각에 의해 방출된 단파장 방사광 중 적어도 일부를 수신하여 다운 컨버팅하고, 상기 각각 수신되어 다운 컨버팅된 방사광의 각 부분들을 후방으로 전달하는 복수의 다운 컨버젼 재료층;
    각각 다운 컨버젼 재료층 근처에 배치되고, 각각 상기 방사광원들 각각을 적어도 부분적으로 둘러싸며, 각각 상기 다운 컨버젼 재료층으로부터 후방으로 전달된 방사광의 적어도 일부 또는 상기 방사광원으로부터의 방사광을 추출하도록 구성된 복수의 광학 소자; 및
    각 방사광원 및 각 광학 소자들 간의 각 공간들을 실질적으로 실링하는 적어도 하나의 실런트를 포함하는 발광 장치.
  24. 단파장 방사광을 방출하는 방사광원, 상기 방사광원에 의해 방출된 단파장 방사광 중 적어도 일부를 수신하는 다운 컨버젼 재료, 및 상기 다운 컨버젼 재료로부터 후방으로 전달된 방사광 및/또는 상기 단파장 방사광원으로부터 방출된 방사광 중 적어도 하나를 추출하도록 구성된 광학 소자를 포함하는 발광 장치를 제조하는 방법에 있어서,
    (a) 상기 다운 컨버젼 재료을 상기 광학 소자의 제1 부분 상에 배치하는 단계;
    (b) 상기 광학 소자의 제2 부분에 개구부를 형성하는 단계;
    (c) 상기 개구부 내의 상기 광학 소자의 제2 부분의 표면에 실런트를 배치하는 단계; 및
    (d) 상기 광학 소자를 지지부에 배치하는 단계를 포함하는 발광 장치 제조 방법.
  25. 제24항에 있어서, 상기 단계(d)는 상기 광학 소자를 방열판 상에 배치하는 단계를 포함하는 발광 장치 제조 방법.
  26. 제25항에 있어서, 상기 광학 소자와 상기 방사광원 사이의 제1 공간을 실질적으로 실링하는 단계를 더 포함하는 발광 장치 제조 방법.
  27. 제26항에 있어서, 상기 광학 소자와 상기 방사광원 사이의 제2 공간을 실질적으로 실링하는 단계를 더 포함하는 발광 장치 제조 방법.
  28. 제26항에 있어서, 상기 다운 컨버젼 재료 근처에 렌즈를 배치하는 단계를 더 포함하는 발광 장치 제조 방법.
  29. 제24항에 있어서, 상기 광학 소자의 적어도 하나의 벽을 따라 또는 상기 광학 소자의 적어도 하나의 벽에 내장 중 하나의 방식으로 적어도 하나의 반사 재료를 배치하는 단계를 더 포함하는 발광 장치 제조 방법.
  30. 단파장 방사광을 방출하는 방사광원, 상기 방사광원에 의해 방출된 단파장 방사광 중 적어도 일부를 수신하는 다운 컨버젼 재료, 및 상기 다운 컨버젼 재료로부터 후방으로 전달된 방사광 및/또는 상기 단파장 방사광원으로부터 방출된 방사광 중 적어도 하나를 추출하도록 구성된 광학 소자를 포함하는 발광 장치를 제조하는 방법에 있어서,
    c. 상기 광학 소자의 제1 부분 상에 상기 다운 컨버젼 재료를 배치하는 단계;
    d. 상기 광학 소자의 제2 부분에 개구부를 형성하는 단계;
    e. 상기 개구부 내에 상기 광학 소자의 제2 부분의 표면 상에 실런트를 배치하는 단계;
    f. 상기 방사광원을 지지부 상에 배치하는 단계; 및
    g. 상기 광학 소자가 상기 방사광원을 적어도 부분적으로 둘러싸도록 상기 지지부 상과 상기 방사광원 위에 상기 광학 소자를 배치하는 단계를 포함하는 발광 장치 제조 방법.
  31. 제30항에 있어서, 상기 광학 소자의 적어도 하나의 벽을 따라, 또는 상기 광학 소자의 적어도 하나의 벽에 내장하는 방식 중 하나로 적어도 하나의 반사 재료를 배치하는 단계를 더 포함하는 발광 장치 제조 방법.
  32. 단파장 방사광을 방출하는 방사광원;
    상기 방사광원에 의해 방출된 단파장 방사광의 적어도 일부를 수신 및 다운 컨버팅하고, 상기 수신 및 다운 컨버팅된 방사광의 일부를 후방으로 전달하는 다운 컨버젼 재료;
    후방으로 전달된 방사광 또는 상기 방사광원으로부터의 방사광 중 적어도 하나를 추출하도록 구성된 상기 다운 컨버젼 재료 및 상기 방사광원 근처의 광학 소자;
    상기 광학 소자로부터 추출된 광의 적어도 일부를 반사하는, 상기 광학 소자를 적어도 부분적으로 둘러싸는 제1 반사면; 및
    상기 방사광원에 의해 방출된 방사광의 적어도 일부를 반사하는, 상기 방사광원을 적어도 부분적으로 둘러싸는 제2 반사면을 포함하는 발광 장치.
  33. 제32항에 있어서, 상기 광학 소자 근처의 우물을 더 포함하고, 상기 방사광은 상기 우물 내에 배치되는 발광 장치.
  34. 제33항에 있어서, 상기 제2 반사면은 상기 우물의 일부를 형성하는 발광 장치.
  35. 제32항에 있어서, 상기 제2 반사면은 상기 제1 반사면 근처인 발광 장치.
  36. 제32항에 있어서, 상기 제1 반사면과 상기 제2 반사면은 지지 구조 상에 형성되는 발광 장치.
  37. 제36항에 있어서, 상기 방사광원은 상기 지지구조 상에 배치되는 발광 장치.
  38. 제37항에 있어서, 상기 지지구조는 방열판인 발광 장치.
  39. 제32항에 있어서, 적어도 상기 방사광원과 상기 광학 소자 사이의 공간에 배치된 실런트를 더 포함하는 발광 장치.
  40. 제32항에 있어서, 적어도 상기 제2 반사면과 상기 방사광원 사이의 공간에 배치된 실런트를 더 포함하는 발광 장치.
  41. 제32항에 있어서, 상기 제1 반사면은 적어도 하나의 곡률(curvature) 반지름을 갖는 반사컵을 포함하는 발광 장치.
  42. 제32항에 있어서, 상기 제1 반사면은 적어도 제1 곡률 반지름 및 제2 곡률 반지를 갖는 반사컵을 포함하는 발광 장치.
  43. 단파장 방사광을 발광하는 복수의 방사광원;
    상기 복수의 방사광원 중 적어도 하나로부터의 단파장 방사광 중 적어도 일부를 수신 및 다운 컨버팅하고, 상기 수신되어 다운 컨버팅된 방사광의 일부를 후방으로 전달하는 다운 컨버젼 재료;
    상기 다운 컨버젼 재료로부터 후방으로 전달된 방사광의 적어도 일부를 추출하도록 구성된, 상기 복수의 방사과원을 적어도 부분적으로 둘러싸는 다운 컨버젼 재료 근처의 광학 소자; 및
    상기 복수의 방사광원 및 광학 소자 각각 사이의 적어도 하나의 공간을 실질적으로 실링하는 적어도 하나의 실런트를 포함하는 발광 장치.
  44. 제43항에 있어서, 상기 적어도 하나의 실런트는 상기 복수의 방사광원 및 상기 광학 소자 사이의 각 공간들을 실질적으로 실링하는 발광 장치.
  45. 제43항에 있어서, 상기 광학 소자는 개구부를 갖고, 상기 복수의 방사광원 각각은 상기 개구부 내에 배치되는 발광 장치.
  46. 단파장 방사광을 방출하는 방사광원, 상기 방사광원에 의해 방출된 단파장 방사광 중 적어도 일부를 수신하는 다운 컨버젼 재료, 상기 다운 컨버젼 재료로부터 후방으로 전달된 방사광 또는 상기 단파장 방사광원으로부터 방출된 방사광 중 적어도 하나를 추출하도록 구성된 광학 소자, 제1 반사컵 및 우물을 형성하는 상기 제1 반사컵 근처의 제2 반사컵을 포함하는 발광 장치를 제조하는 방법에 있어서,
    h. 상기 광학 소자의 제1면 상에 상기 방사광원의 제1면을 배치하는 단계;
    i. 상기 우물의 제1면 상에 상기 방사광원의 제1면을 배치하는 단계;
    j. 상기 방사광원의 제2면과 상기 우물의 제2면 사이에 제1 실런트를 배치하는 단계;
    k. 상기 방사광원의 적어도 제3면에 제2 실런트를 배치하는 단계; 및
    l. 상기 광학 소자를 상기 제1 반사컵 내에 상기 제2 실런트와 접촉되도록 배치하는 단계를 포함하는 발광 장치 제조 방법.
  47. 제46항에 있어서, 상기 다운 컨버젼 재료 근처에 렌즈를 배치하는 단계를 더 포함하는 발광 장치 제조 방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012128551A2 (en) * 2011-03-22 2012-09-27 Lg Innotek Co., Ltd. Display device and light conversion member
WO2012128552A3 (en) * 2011-03-22 2013-01-03 Lg Innotek Co., Ltd. Light conversion member and display device having the same
WO2012128554A3 (en) * 2011-03-22 2013-03-14 Lg Innotek Co., Ltd. Display device

Families Citing this family (192)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090009772A (ko) * 2005-12-22 2009-01-23 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치
US8441179B2 (en) 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
WO2007084640A2 (en) * 2006-01-20 2007-07-26 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Shifting spectral content in solid state light emitters by spatially separating lumiphor films
US9951438B2 (en) 2006-03-07 2018-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
TWI321857B (en) * 2006-07-21 2010-03-11 Epistar Corp A light emitting device
US7889421B2 (en) * 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
US7768693B2 (en) * 2007-01-24 2010-08-03 Ravenbrick Llc Thermally switched optical downconverting filter
US7983373B2 (en) * 2007-02-07 2011-07-19 Vintomie Networks B.V., Llc Clock distribution for 10GBase-T analog front end
US20080198572A1 (en) 2007-02-21 2008-08-21 Medendorp Nicholas W LED lighting systems including luminescent layers on remote reflectors
US7936500B2 (en) * 2007-03-02 2011-05-03 Ravenbrick Llc Wavelength-specific optical switch
US20100091118A1 (en) * 2007-04-17 2010-04-15 Nikon Corporation Illuminating device, projector and camera
WO2009003176A1 (en) 2007-06-27 2008-12-31 The Regents Of The University Of California Optical designs for high-efficacy white-light emitting diodes
KR100880638B1 (ko) * 2007-07-06 2009-01-30 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지
CA2970259C (en) * 2007-07-11 2018-11-06 Ravenbrick, Llc Thermally switched reflective optical shutter
US8791631B2 (en) 2007-07-19 2014-07-29 Quarkstar Llc Light emitting device
DE102007036226A1 (de) * 2007-08-02 2009-02-05 Perkinelmer Elcos Gmbh Anbringungsstruktur für LEDs, LED-Baugruppe, LED-Baugruppensockel, Verfahren zum Ausbilden einer Anbringungsstruktur
WO2009039423A1 (en) * 2007-09-19 2009-03-26 Ravenbrick, Llc Low-emissivity window films and coatings incoporating nanoscale wire grids
US8169685B2 (en) * 2007-12-20 2012-05-01 Ravenbrick, Llc Thermally switched absorptive window shutter
US9151884B2 (en) * 2008-02-01 2015-10-06 3M Innovative Properties Company Fluorescent volume light source with active chromphore
US7810965B2 (en) 2008-03-02 2010-10-12 Lumenetix, Inc. Heat removal system and method for light emitting diode lighting apparatus
US9102857B2 (en) * 2008-03-02 2015-08-11 Lumenetix, Inc. Methods of selecting one or more phase change materials to match a working temperature of a light-emitting diode to be cooled
JP5216384B2 (ja) * 2008-03-19 2013-06-19 株式会社東芝 発光装置
US8634137B2 (en) 2008-04-23 2014-01-21 Ravenbrick Llc Glare management of reflective and thermoreflective surfaces
EP2297762B1 (en) 2008-05-06 2017-03-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
US7845825B2 (en) * 2009-12-02 2010-12-07 Abl Ip Holding Llc Light fixture using near UV solid state device and remote semiconductor nanophosphors to produce white light
US9116302B2 (en) * 2008-06-19 2015-08-25 Ravenbrick Llc Optical metapolarizer device
EP2324386A4 (en) 2008-08-20 2013-03-27 Ravenbrick Llc METHODS OF MANUFACTURING THERMOCHROMIC FILTERS
US20100059771A1 (en) * 2008-09-10 2010-03-11 Chris Lowery Multi-layer led phosphors
US20100067240A1 (en) * 2008-09-16 2010-03-18 John Selverian Optical Cup For Lighting Module
US8058664B2 (en) 2008-09-26 2011-11-15 Bridgelux, Inc. Transparent solder mask LED assembly
US7887384B2 (en) * 2008-09-26 2011-02-15 Bridgelux, Inc. Transparent ring LED assembly
US8049236B2 (en) * 2008-09-26 2011-11-01 Bridgelux, Inc. Non-global solder mask LED assembly
US9252336B2 (en) 2008-09-26 2016-02-02 Bridgelux, Inc. Multi-cup LED assembly
US20100078661A1 (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Wei Shi Machined surface led assembly
DE102008057140A1 (de) * 2008-11-13 2010-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US8853712B2 (en) 2008-11-18 2014-10-07 Cree, Inc. High efficacy semiconductor light emitting devices employing remote phosphor configurations
US8004172B2 (en) 2008-11-18 2011-08-23 Cree, Inc. Semiconductor light emitting apparatus including elongated hollow wavelength conversion tubes and methods of assembling same
US9052416B2 (en) 2008-11-18 2015-06-09 Cree, Inc. Ultra-high efficacy semiconductor light emitting devices
US8083364B2 (en) * 2008-12-29 2011-12-27 Osram Sylvania Inc. Remote phosphor LED illumination system
US8272770B2 (en) 2009-01-02 2012-09-25 Rambus International Ltd. TIR switched flat panel display
US8152352B2 (en) 2009-01-02 2012-04-10 Rambus International Ltd. Optic system for light guide with controlled output
KR101562022B1 (ko) * 2009-02-02 2015-10-21 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 유닛, 이를 포함하는 표시 장치 및 발광 다이오드 유닛 제조 방법
US8547010B2 (en) * 2009-03-19 2013-10-01 Koninklijke Philips N.V. Color adjusting arrangement
US8332365B2 (en) 2009-03-31 2012-12-11 Amazon Technologies, Inc. Cloning and recovery of data volumes
ES2616252T3 (es) 2009-04-10 2017-06-12 Ravenbrick, Llc Filtro óptico conmutado térmicamente que incorpora una arquitectura de huésped-hospedador
US8643795B2 (en) * 2009-04-10 2014-02-04 Ravenbrick Llc Thermally switched optical filter incorporating a refractive optical structure
US8337030B2 (en) 2009-05-13 2012-12-25 Cree, Inc. Solid state lighting devices having remote luminescent material-containing element, and lighting methods
US8152318B2 (en) 2009-06-11 2012-04-10 Rambus International Ltd. Optical system for a light emitting diode with collection, conduction, phosphor directing, and output means
US8297818B2 (en) 2009-06-11 2012-10-30 Rambus International Ltd. Optical system with reflectors and light pipes
US8217567B2 (en) 2009-06-11 2012-07-10 Cree, Inc. Hot light emitting diode (LED) lighting systems
CN105713599B (zh) 2009-08-14 2018-09-11 三星电子株式会社 发光器件、用于发光器件的光学元件、以及方法
US9293667B2 (en) 2010-08-19 2016-03-22 Soraa, Inc. System and method for selected pump LEDs with multiple phosphors
US8901845B2 (en) 2009-09-24 2014-12-02 Cree, Inc. Temperature responsive control for lighting apparatus including light emitting devices providing different chromaticities and related methods
US9713211B2 (en) 2009-09-24 2017-07-18 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus with controllable bypass circuits and methods of operation thereof
US10264637B2 (en) 2009-09-24 2019-04-16 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus with compensation bypass circuits and methods of operation thereof
US9068719B2 (en) * 2009-09-25 2015-06-30 Cree, Inc. Light engines for lighting devices
US9285103B2 (en) * 2009-09-25 2016-03-15 Cree, Inc. Light engines for lighting devices
US8602579B2 (en) * 2009-09-25 2013-12-10 Cree, Inc. Lighting devices including thermally conductive housings and related structures
US8777449B2 (en) 2009-09-25 2014-07-15 Cree, Inc. Lighting devices comprising solid state light emitters
KR20120094477A (ko) 2009-09-25 2012-08-24 크리, 인코포레이티드 낮은 눈부심 및 높은 광도 균일성을 갖는 조명 장치
WO2011050267A2 (en) * 2009-10-22 2011-04-28 Waqidi Falicoff Solid-state light bulb
WO2011053853A2 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Ravenbrick Llc Thermochromic filters and stopband filters for use with same
JP2013511811A (ja) 2009-11-18 2013-04-04 ランバス・インターナショナル・リミテッド Ｌｅｄ用の内部集光反射器光学部品
US9163802B2 (en) * 2009-12-02 2015-10-20 Abl Ip Holding Llc Lighting fixtures using solid state device and remote phosphors to produce white light
US8118454B2 (en) 2009-12-02 2012-02-21 Abl Ip Holding Llc Solid state lighting system with optic providing occluded remote phosphor
US8466611B2 (en) 2009-12-14 2013-06-18 Cree, Inc. Lighting device with shaped remote phosphor
JP4991001B2 (ja) * 2009-12-28 2012-08-01 シャープ株式会社 照明装置
US20120305973A1 (en) * 2010-02-08 2012-12-06 Yoshihiko Chosa Light-emitting device and surface light source device using the same
US8123389B2 (en) 2010-02-12 2012-02-28 Lumenetix, Inc. LED lamp assembly with thermal management system
US8517550B2 (en) * 2010-02-15 2013-08-27 Abl Ip Holding Llc Phosphor-centric control of color of light
US8330373B2 (en) * 2010-02-15 2012-12-11 Abl Ip Holding Llc Phosphor-centric control of color characteristic of white light
US8646949B2 (en) * 2010-03-03 2014-02-11 LumenFlow Corp. Constrained folded path resonant white light scintillator
ES2748829T3 (es) * 2010-03-29 2020-03-18 Ravenbrick Llc Dispositivo de cristal líquido termotrópico estabilizado por polímero
DE102010028246A1 (de) * 2010-04-27 2011-10-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
US8476836B2 (en) 2010-05-07 2013-07-02 Cree, Inc. AC driven solid state lighting apparatus with LED string including switched segments
KR101641860B1 (ko) * 2010-05-12 2016-07-29 엘지이노텍 주식회사 발광소자 어레이, 조명장치 및 백라이트 장치
EP2576934A4 (en) 2010-06-01 2014-01-01 Ravenbrick Llc MULTIFUNCTIONAL CONSTRUCTION PART
US8198109B2 (en) * 2010-08-27 2012-06-12 Quarkstar Llc Manufacturing methods for solid state light sheet or strip with LEDs connected in series for general illumination
US8338199B2 (en) * 2010-08-27 2012-12-25 Quarkstar Llc Solid state light sheet for general illumination
US8461602B2 (en) * 2010-08-27 2013-06-11 Quarkstar Llc Solid state light sheet using thin LEDs for general illumination
US8803452B2 (en) 2010-10-08 2014-08-12 Soraa, Inc. High intensity light source
US9140429B2 (en) * 2010-10-14 2015-09-22 Cree, Inc. Optical element edge treatment for lighting device
KR101240328B1 (ko) 2010-10-15 2013-03-11 심현섭 엘이디 조명 램프
DE102010061972A1 (de) * 2010-10-15 2012-04-19 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED-Strahler mit Reflektor
DE102010048561A1 (de) * 2010-10-18 2012-04-19 ATMOS Medizin Technik GmbH & Co. KG LED-Anordnung mit verbesserter Lichtausbeute und Verfahren zum Betrieb einer LED-Anordnung mit verbesserter Lichtausbeute
TWI447969B (zh) * 2010-10-20 2014-08-01 Interlight Optotech Corp 發光二極體封裝結構
CN102456810B (zh) * 2010-10-26 2014-12-10 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
US8362507B2 (en) 2010-11-01 2013-01-29 Tyco Electronics Corporation Optic assembly utilizing quantum dots
US9648673B2 (en) 2010-11-05 2017-05-09 Cree, Inc. Lighting device with spatially segregated primary and secondary emitters
EP2450625B1 (en) * 2010-11-08 2016-08-17 LG Innotek Co., Ltd. Lighting device comprising photoluminescent plate
US8552454B2 (en) * 2010-11-29 2013-10-08 Epistar Corporation Light-emitting device and light mixing device
CN103384794B (zh) * 2010-12-23 2018-05-29 三星电子株式会社 包含量子点的光学元件
US8829774B1 (en) 2011-02-11 2014-09-09 Soraa, Inc. Illumination source with direct die placement
US10036544B1 (en) 2011-02-11 2018-07-31 Soraa, Inc. Illumination source with reduced weight
DE102011003969B4 (de) * 2011-02-11 2023-03-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
FI122809B (fi) * 2011-02-15 2012-07-13 Marimils Oy Valolähde ja valolähdenauha
TWI408307B (zh) * 2011-03-08 2013-09-11 Sunonwealth Electr Mach Ind Co Ｌｅｄ燈具
TW201300702A (zh) 2011-05-13 2013-01-01 Rambus Inc 照明組件
US8436386B2 (en) * 2011-06-03 2013-05-07 Micron Technology, Inc. Solid state lighting devices having side reflectivity and associated methods of manufacture
US9839083B2 (en) 2011-06-03 2017-12-05 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus and circuits including LED segments configured for targeted spectral power distribution and methods of operating the same
US9228710B2 (en) * 2011-06-13 2016-01-05 Sharp Kabushiki Kaisha Light projection apparatus, light condensing unit, and light emitting apparatus
US8742671B2 (en) 2011-07-28 2014-06-03 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus and methods using integrated driver circuitry
KR101859653B1 (ko) * 2011-08-30 2018-05-18 삼성전자주식회사 액정 디스플레이 장치용 발광 유닛 및 그를 구비한 액정 디스플레이 장치
CA2847185A1 (en) 2011-09-01 2013-03-07 Ravenbrick, Llc Thermotropic optical shutter incorporating coatable polarizers
US9488324B2 (en) 2011-09-02 2016-11-08 Soraa, Inc. Accessories for LED lamp systems
US20130058099A1 (en) * 2011-09-02 2013-03-07 Soraa, Inc. High Intensity Light Source with Interchangeable Optics
US9109760B2 (en) 2011-09-02 2015-08-18 Soraa, Inc. Accessories for LED lamps
TWI441362B (zh) * 2011-10-05 2014-06-11 Delta Electronics Inc 發光模組及其發光裝置
FR2981295B1 (fr) * 2011-10-14 2020-02-21 Saint-Gobain Glass France Fabrication d'un vitrage feuillete
US8884517B1 (en) 2011-10-17 2014-11-11 Soraa, Inc. Illumination sources with thermally-isolated electronics
WO2013078463A1 (en) 2011-11-23 2013-05-30 Quarkstar Llc Light-emitting devices providing asymmetrical propagation of light
WO2013088296A1 (en) * 2011-12-16 2013-06-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optical arrangement with diffractive optics
WO2013106553A1 (en) 2012-01-13 2013-07-18 Qd Vision, Inc. Light mixing chamber for use with light guide plate
CN103296146A (zh) * 2012-02-22 2013-09-11 太极光光电股份有限公司 无边框的led芯片封装方法及以该方法制成的发光装置
JP2013175531A (ja) * 2012-02-24 2013-09-05 Stanley Electric Co Ltd 発光装置
KR20130104628A (ko) * 2012-03-14 2013-09-25 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 조명 모듈
US20150233536A1 (en) * 2012-04-17 2015-08-20 Soraa, Inc. Phosphor-coated element in a lamp cavity
US8985794B1 (en) 2012-04-17 2015-03-24 Soraa, Inc. Providing remote blue phosphors in an LED lamp
US9995439B1 (en) 2012-05-14 2018-06-12 Soraa, Inc. Glare reduced compact lens for high intensity light source
US9360190B1 (en) 2012-05-14 2016-06-07 Soraa, Inc. Compact lens for high intensity light source
US9310052B1 (en) 2012-09-28 2016-04-12 Soraa, Inc. Compact lens for high intensity light source
US10436422B1 (en) 2012-05-14 2019-10-08 Soraa, Inc. Multi-function active accessories for LED lamps
US9634201B2 (en) 2012-05-14 2017-04-25 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device with nanostructured phosphor
US9450152B2 (en) 2012-05-29 2016-09-20 Micron Technology, Inc. Solid state transducer dies having reflective features over contacts and associated systems and methods
US9929325B2 (en) 2012-06-05 2018-03-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting device including quantum dots
US9388947B2 (en) 2012-08-28 2016-07-12 Cree, Inc. Lighting device including spatially segregated lumiphor and reflector arrangement
WO2014138591A1 (en) 2013-03-07 2014-09-12 Quarkstar Llc Illumination device with multi-color light-emitting elements
WO2014043410A1 (en) 2012-09-13 2014-03-20 Quarkstar Llc Light-emitting devices with reflective elements
WO2014043384A1 (en) 2012-09-13 2014-03-20 Quarkstar Llc Light-emitting device with remote scattering element and total internal reflection extractor element
US9215764B1 (en) 2012-11-09 2015-12-15 Soraa, Inc. High-temperature ultra-low ripple multi-stage LED driver and LED control circuits
WO2014080398A1 (en) * 2012-11-26 2014-05-30 Magic Lighting Optics Outdoor lighting device
WO2014118856A1 (ja) * 2013-01-31 2014-08-07 パナソニック株式会社 電子回路装置および電子回路装置の製造方法
US9565782B2 (en) 2013-02-15 2017-02-07 Ecosense Lighting Inc. Field replaceable power supply cartridge
US9267661B1 (en) 2013-03-01 2016-02-23 Soraa, Inc. Apportioning optical projection paths in an LED lamp
US9752757B2 (en) 2013-03-07 2017-09-05 Quarkstar Llc Light-emitting device with light guide for two way illumination
US9435525B1 (en) 2013-03-08 2016-09-06 Soraa, Inc. Multi-part heat exchanger for LED lamps
WO2014144706A2 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Quarkstar Llc Color tuning of light-emitting devices
US9587790B2 (en) 2013-03-15 2017-03-07 Cree, Inc. Remote lumiphor solid state lighting devices with enhanced light extraction
EP2979022B1 (en) 2013-03-26 2021-09-08 Lumileds LLC Method for manufacturing hermetically sealed illumination device with luminescent material
KR102114607B1 (ko) 2013-04-01 2020-05-25 엘지전자 주식회사 레이저 광원장치
JP5479634B1 (ja) * 2013-05-08 2014-04-23 久豊技研株式会社 発光装置
US9318649B2 (en) * 2013-09-25 2016-04-19 Phoseon Technology, Inc. Multi-wavelength LED curing lamp
US9291340B2 (en) 2013-10-23 2016-03-22 Rambus Delaware Llc Lighting assembly having n-fold rotational symmetry
KR102304741B1 (ko) 2013-11-07 2021-09-24 루미리즈 홀딩 비.브이. Ｌｅｄ를 둘러싸는 내부 전반사 층을 갖는 ｌｅｄ를 위한 기판
KR102125450B1 (ko) 2013-12-05 2020-06-22 엘지이노텍 주식회사 광변환부재 및 이를 포함하는 조명장치
CN103943753A (zh) * 2014-03-06 2014-07-23 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管光源及其制作方法、背光源及显示装置
JP6252302B2 (ja) * 2014-03-28 2017-12-27 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
KR101555954B1 (ko) * 2014-04-01 2015-09-30 코닝정밀소재 주식회사 발광 다이오드의 색변환용 기판 및 그 제조방법
US20170047487A1 (en) * 2014-04-17 2017-02-16 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optoelectronic modules having features for reducing the visual impact of interior components
KR101549407B1 (ko) * 2014-04-17 2015-09-03 코닝정밀소재 주식회사 발광 다이오드의 색변환용 기판 및 그 제조방법
US10439111B2 (en) 2014-05-14 2019-10-08 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
US9997676B2 (en) 2014-05-14 2018-06-12 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
US9263653B2 (en) * 2014-05-15 2016-02-16 Empire Technology Development Llc Light-emissive devices and light-emissive displays
DE102014107960A1 (de) * 2014-06-05 2015-12-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
TWI557952B (zh) 2014-06-12 2016-11-11 新世紀光電股份有限公司 發光元件
US10338452B2 (en) * 2014-08-08 2019-07-02 Transcend Lighting Inc. Electromagnetic wavelength conversion device
TWM498990U (zh) * 2014-10-21 2015-04-11 Lustrous Technology Ltd 具突波保護功能的ac led模組
US10477636B1 (en) 2014-10-28 2019-11-12 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems having multiple light sources
US10801696B2 (en) 2015-02-09 2020-10-13 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems generating partially-collimated light emissions
US11306897B2 (en) 2015-02-09 2022-04-19 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems generating partially-collimated light emissions
US9869450B2 (en) 2015-02-09 2018-01-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems having a truncated parabolic- or hyperbolic-conical light reflector, or a total internal reflection lens; and having another light reflector
TWI583019B (zh) * 2015-02-17 2017-05-11 新世紀光電股份有限公司 Light emitting diode and manufacturing method thereof
US9651216B2 (en) 2015-03-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems including asymmetric lens modules for selectable light distribution
US9651227B2 (en) 2015-03-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Low-profile lighting system having pivotable lighting enclosure
US9568665B2 (en) 2015-03-03 2017-02-14 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems including lens modules for selectable light distribution
US9746159B1 (en) 2015-03-03 2017-08-29 Ecosense Lighting Inc. Lighting system having a sealing system
TWI657597B (zh) 2015-03-18 2019-04-21 新世紀光電股份有限公司 側照式發光二極體結構及其製造方法
CN105990507B (zh) 2015-03-18 2019-09-17 新世纪光电股份有限公司 侧照式发光二极管结构及其制造方法
USD785218S1 (en) 2015-07-06 2017-04-25 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
KR102409180B1 (ko) * 2015-07-15 2022-06-15 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지 및 조명 장치
USD782093S1 (en) 2015-07-20 2017-03-21 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
USD782094S1 (en) 2015-07-20 2017-03-21 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
US9651232B1 (en) 2015-08-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting system having a mounting device
CN111211206A (zh) 2015-09-18 2020-05-29 新世纪光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
US10862014B2 (en) * 2015-11-12 2020-12-08 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Optical device package and method of manufacturing the same
US10501025B2 (en) * 2016-03-04 2019-12-10 Ford Global Technologies, Llc Vehicle badge
KR20170124682A (ko) * 2016-05-02 2017-11-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP6493348B2 (ja) * 2016-09-30 2019-04-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6955135B2 (ja) * 2016-10-19 2021-10-27 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
CN107968142A (zh) 2016-10-19 2018-04-27 新世纪光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
KR20180071027A (ko) * 2016-12-19 2018-06-27 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
US10224358B2 (en) * 2017-05-09 2019-03-05 Lumileds Llc Light emitting device with reflective sidewall
CN111987212A (zh) 2017-06-27 2020-11-24 亿光电子工业股份有限公司 一种封装支架结构及包含该封装支架机构的发光装置
TWI778167B (zh) 2017-11-05 2022-09-21 新世紀光電股份有限公司 發光裝置及其製作方法
US10784423B2 (en) 2017-11-05 2020-09-22 Genesis Photonics Inc. Light emitting device
TW201929290A (zh) * 2017-11-29 2019-07-16 美商康寧公司 用於led顯示器之量子點led背光模組
DE102018103748A1 (de) * 2018-02-20 2019-08-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes bauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden bauteils
KR102555238B1 (ko) * 2018-09-13 2023-07-14 주식회사 루멘스 퀀텀닷 엘이디 패키지 및 이를 포함하는 퀀텀닷 엘이디 모듈
TW202024553A (zh) * 2018-12-27 2020-07-01 圓剛科技股份有限公司 散熱裝置
CN111463652A (zh) * 2019-01-22 2020-07-28 隆达电子股份有限公司 发光装置

Family Cites Families (175)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3581137A (en) 1967-07-31 1971-05-25 Westinghouse Electric Corp Electric lamp having an envelope composed of photoresistant soda-lime silicate glass
US3555337A (en) 1968-09-17 1971-01-12 Sylvania Electric Prod Electric discharge device with dysprosium activated yttrium vanadate phosphors
US3593055A (en) 1969-04-16 1971-07-13 Bell Telephone Labor Inc Electro-luminescent device
JPS5026433B1 (ko) 1970-12-21 1975-09-01
JPS48102585A (ko) 1972-04-04 1973-12-22
US3760237A (en) 1972-06-21 1973-09-18 Gen Electric Solid state lamp assembly having conical light director
JPS5921412Y2 (ja) * 1978-01-09 1984-06-23 株式会社東芝 発光表示装置
DE3480294D1 (en) 1984-11-15 1989-11-30 Japan Traffic Manage Tech Ass Signal light unit having heat dissipating function
DE3632743A1 (de) 1986-09-26 1988-03-31 Standard Elektrik Lorenz Ag Lichtwellenleiter mit endseitiger mikrolinse
US5097175A (en) 1990-06-04 1992-03-17 Itt Corporation Thin film phosphor screen structure
US5187765A (en) 1991-07-23 1993-02-16 Fostec, Inc. Backlighted panel
US5208462A (en) 1991-12-19 1993-05-04 Allied-Signal Inc. Wide bandwidth solid state optical source
US5499138A (en) 1992-05-26 1996-03-12 Olympus Optical Co., Ltd. Image display apparatus
US5461547A (en) 1993-07-20 1995-10-24 Precision Lamp, Inc. Flat panel display lighting system
US5644193A (en) 1993-12-17 1997-07-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Phosphor, cathode-ray tube, fluorescent lamp and radiation intensifying screen
JP2596709B2 (ja) 1994-04-06 1997-04-02 都築 省吾 半導体レーザ素子を用いた照明用光源装置
JP3329573B2 (ja) * 1994-04-18 2002-09-30 日亜化学工業株式会社 Ｌｅｄディスプレイ
US5711594A (en) 1994-11-22 1998-01-27 Durel Corporation Tubular EL lamp
US5477430A (en) 1995-03-14 1995-12-19 Delco Electronics Corporation Fluorescing keypad
KR0134353Y1 (ko) 1995-10-09 1999-01-15 이항복 교통신호봉
US6600175B1 (en) 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
KR100537349B1 (ko) 1996-06-26 2006-02-28 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US5777433A (en) 1996-07-11 1998-07-07 Hewlett-Packard Company High refractive index package material and a light emitting device encapsulated with such material
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US6608332B2 (en) 1996-07-29 2003-08-19 Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Light emitting device and display
DE59814117D1 (de) 1997-03-03 2007-12-20 Philips Intellectual Property Weisse lumineszenzdiode
US6007209A (en) 1997-03-19 1999-12-28 Teledyne Industries, Inc. Light source for backlighting
US5813752A (en) 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue LED-phosphor device with short wave pass, long wave pass band pass and peroit filters
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
US6096496A (en) 1997-06-19 2000-08-01 Frankel; Robert D. Supports incorporating vertical cavity emitting lasers and tracking apparatus for use in combinatorial synthesis
US5847507A (en) 1997-07-14 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens
US5962971A (en) 1997-08-29 1999-10-05 Chen; Hsing LED structure with ultraviolet-light emission chip and multilayered resins to generate various colored lights
US6294800B1 (en) 1998-02-06 2001-09-25 General Electric Company Phosphors for white light generation from UV emitting diodes
US6469322B1 (en) 1998-02-06 2002-10-22 General Electric Company Green emitting phosphor for use in UV light emitting diodes
US6580097B1 (en) 1998-02-06 2003-06-17 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6252254B1 (en) 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6068383A (en) 1998-03-02 2000-05-30 Robertson; Roger Phosphorous fluorescent light assembly excited by light emitting diodes
TW539143U (en) 1998-03-27 2003-06-21 Koninkl Philips Electronics Nv Backlight system and display device comprising such a system
US6385855B1 (en) 1998-07-10 2002-05-14 Nanoptics, Inc. Sighting device for projectile type weapons for operation in day and night
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6793374B2 (en) 1998-09-17 2004-09-21 Simon H. A. Begemann LED lamp
US6404125B1 (en) * 1998-10-21 2002-06-11 Sarnoff Corporation Method and apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
US6429583B1 (en) 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
US6155699A (en) 1999-03-15 2000-12-05 Agilent Technologies, Inc. Efficient phosphor-conversion led structure
US6385355B1 (en) * 1999-03-15 2002-05-07 Fuji Xerox Co., Ltd. Optical deflection element
DE19918370B4 (de) * 1999-04-22 2006-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit Linse
US6686691B1 (en) 1999-09-27 2004-02-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Tri-color, white light LED lamps
US6630691B1 (en) 1999-09-27 2003-10-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diode device comprising a luminescent substrate that performs phosphor conversion
US6696703B2 (en) 1999-09-27 2004-02-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Thin film phosphor-converted light emitting diode device
KR100683364B1 (ko) 1999-09-27 2007-02-15 필립스 루미리즈 라이팅 캄파니 엘엘씨 완전한 형광 물질 변환에 의해 백색광을 생성하는 발광다이오드 소자
US6491412B1 (en) 1999-09-30 2002-12-10 Everbrite, Inc. LED display
DE19952932C1 (de) 1999-11-03 2001-05-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit breitbandiger Anregung
US20020176259A1 (en) 1999-11-18 2002-11-28 Ducharme Alfred D. Systems and methods for converting illumination
US6357889B1 (en) 1999-12-01 2002-03-19 General Electric Company Color tunable light source
US6513949B1 (en) 1999-12-02 2003-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED/phosphor-LED hybrid lighting systems
US6350041B1 (en) 1999-12-03 2002-02-26 Cree Lighting Company High output radial dispersing lamp using a solid state light source
JP4527230B2 (ja) 2000-02-28 2010-08-18 三菱電機照明株式会社 面発光ｌｅｄ光源
JP2001243807A (ja) 2000-02-28 2001-09-07 Mitsubishi Electric Lighting Corp Ｌｅｄ電球
US6867542B1 (en) 2000-03-29 2005-03-15 General Electric Company Floating chip photonic device and method of manufacture
US6483196B1 (en) 2000-04-03 2002-11-19 General Electric Company Flip chip led apparatus
US6653765B1 (en) 2000-04-17 2003-11-25 General Electric Company Uniform angular light distribution from LEDs
US6603258B1 (en) 2000-04-24 2003-08-05 Lumileds Lighting, U.S. Llc Light emitting diode device that emits white light
DE10026435A1 (de) 2000-05-29 2002-04-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kalzium-Magnesium-Chlorosilikat-Leuchtstoff und seine Anwendung bei Lumineszenz-Konversions-LED
US6577073B2 (en) 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
US6580224B2 (en) 2000-06-05 2003-06-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Backlight for color liquid crystal, color liquid crystal display device, and EL element for backlight of color liquid crystal device
US6452217B1 (en) 2000-06-30 2002-09-17 General Electric Company High power LED lamp structure using phase change cooling enhancements for LED lighting products
JP4635304B2 (ja) 2000-07-12 2011-02-23 富士電機システムズ株式会社 双方向超接合半導体素子およびその製造方法
WO2002011173A1 (en) 2000-07-28 2002-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Luminescence conversion based light emitting diode and phosphors for wavelength conversion
US6747406B1 (en) 2000-08-07 2004-06-08 General Electric Company LED cross-linkable phospor coating
US6635363B1 (en) 2000-08-21 2003-10-21 General Electric Company Phosphor coating with self-adjusting distance from LED chip
US6635987B1 (en) 2000-09-26 2003-10-21 General Electric Company High power white LED lamp structure using unique phosphor application for LED lighting products
US6583550B2 (en) 2000-10-24 2003-06-24 Toyoda Gosei Co., Ltd. Fluorescent tube with light emitting diodes
US20020084745A1 (en) 2000-12-29 2002-07-04 Airma Optoelectronics Corporation Light emitting diode with light conversion by dielectric phosphor powder
JP2002299694A (ja) 2001-03-29 2002-10-11 Mitsubishi Electric Lighting Corp 照明用ｌｅｄ光源デバイス及び照明器具
US6686676B2 (en) 2001-04-30 2004-02-03 General Electric Company UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same
US6616862B2 (en) 2001-05-21 2003-09-09 General Electric Company Yellow light-emitting halophosphate phosphors and light sources incorporating the same
TW591990B (en) 2001-07-25 2004-06-11 Sanyo Electric Co Method for making an illumination device
DE10137042A1 (de) 2001-07-31 2003-02-20 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Planare Lichtquelle auf LED-Basis
JP2003051622A (ja) 2001-08-07 2003-02-21 Rohm Co Ltd 白色系半導体発光装置
TW567619B (en) 2001-08-09 2003-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd LED lighting apparatus and card-type LED light source
US6926435B2 (en) 2001-08-23 2005-08-09 Wavien, Inc. Led illumination engine using a reflector
US6921920B2 (en) 2001-08-31 2005-07-26 Smith & Nephew, Inc. Solid-state light source
JP3948650B2 (ja) 2001-10-09 2007-07-25 アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 発光ダイオード及びその製造方法
US7192161B1 (en) 2001-10-18 2007-03-20 Ilight Technologies, Inc. Fluorescent illumination device
CN1417868A (zh) * 2001-10-29 2003-05-14 银河光电股份有限公司 发光二极管芯片的多芯片封装结构
US7153015B2 (en) 2001-12-31 2006-12-26 Innovations In Optics, Inc. Led white light optical system
US6924514B2 (en) * 2002-02-19 2005-08-02 Nichia Corporation Light-emitting device and process for producing thereof
US6796690B2 (en) 2002-03-14 2004-09-28 The Boeing Company LED light source
JP4172196B2 (ja) 2002-04-05 2008-10-29 豊田合成株式会社 発光ダイオード
JP3707688B2 (ja) * 2002-05-31 2005-10-19 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
US7364315B2 (en) 2002-06-14 2008-04-29 Tseng-Lu Chien Tubular electro-luminescent panel(s) light device
JP4061479B2 (ja) 2002-07-16 2008-03-19 三菱電機照明株式会社 Ｌｅｄ光源装置
JP2004055229A (ja) 2002-07-17 2004-02-19 Mitsubishi Electric Lighting Corp Ｌｅｄ光源装置及び照明器具
JP4289027B2 (ja) 2002-07-25 2009-07-01 豊田合成株式会社 発光装置
AU2003276867A1 (en) 2002-09-19 2004-04-08 Cree, Inc. Phosphor-coated light emitting diodes including tapered sidewalls, and fabrication methods therefor
DE10245933B4 (de) 2002-09-30 2013-10-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Einrichtung zur Erzeugung eines gebündelten Lichtstroms
JP4280050B2 (ja) * 2002-10-07 2009-06-17 シチズン電子株式会社 白色発光装置
US7929214B2 (en) 2002-11-07 2011-04-19 Sony Deutschland Gmbh Illumination arrangement for a projection system
CN100352069C (zh) * 2002-11-25 2007-11-28 松下电器产业株式会社 Led照明光源
TW569479B (en) 2002-12-20 2004-01-01 Ind Tech Res Inst White-light LED applying omnidirectional reflector
CN2598151Y (zh) * 2003-01-09 2004-01-07 一诠精密工业股份有限公司 高功率的发光二极管结构
JP4397394B2 (ja) 2003-01-24 2010-01-13 ディジタル・オプティクス・インターナショナル・コーポレイション 高密度照明システム
US7118438B2 (en) 2003-01-27 2006-10-10 3M Innovative Properties Company Methods of making phosphor based light sources having an interference reflector
US6936857B2 (en) 2003-02-18 2005-08-30 Gelcore, Llc White light LED device
CN1777999B (zh) * 2003-02-26 2010-05-26 美商克立股份有限公司 复合式白色光源及其制造方法
CN101740560B (zh) 2003-04-01 2012-11-21 夏普株式会社 发光装置、背侧光照射装置、显示装置
US7184111B2 (en) * 2003-04-28 2007-02-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Phosphor for use in white semiconductor light sources and a white light source utilizing the same
KR101148332B1 (ko) 2003-04-30 2012-05-25 크리, 인코포레이티드 콤팩트 광학 특성을 지닌 높은 전력의 발광 소자 패키지
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US7040774B2 (en) 2003-05-23 2006-05-09 Goldeneye, Inc. Illumination systems utilizing multiple wavelength light recycling
CN100511732C (zh) * 2003-06-18 2009-07-08 丰田合成株式会社 发光器件
US7075225B2 (en) 2003-06-27 2006-07-11 Tajul Arosh Baroky White light emitting device
US7462983B2 (en) 2003-06-27 2008-12-09 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. White light emitting device
US7009213B2 (en) 2003-07-31 2006-03-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting devices with improved light extraction efficiency
US7052152B2 (en) 2003-10-03 2006-05-30 Philips Lumileds Lighting Company, Llc LCD backlight using two-dimensional array LEDs
CN100472823C (zh) * 2003-10-15 2009-03-25 日亚化学工业株式会社 发光装置
TWI245436B (en) * 2003-10-30 2005-12-11 Kyocera Corp Package for housing light-emitting element, light-emitting apparatus and illumination apparatus
US7144121B2 (en) 2003-11-14 2006-12-05 Light Prescriptions Innovators, Llc Dichroic beam combiner utilizing blue LED with green phosphor
DE602004028648D1 (de) 2003-11-25 2010-09-23 Panasonic Elec Works Co Ltd Lichtemittierendes bauelement mit einem leuchtdiodenchip
US20050116635A1 (en) 2003-12-02 2005-06-02 Walson James E. Multiple LED source and method for assembling same
US7403680B2 (en) 2003-12-02 2008-07-22 3M Innovative Properties Company Reflective light coupler
US7223005B2 (en) 2003-12-23 2007-05-29 Lamb David J Hybrid lightguide backlight
JP2005191420A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Stanley Electric Co Ltd 波長変換層を有する半導体発光装置およびその製造方法
US7080932B2 (en) 2004-01-26 2006-07-25 Philips Lumileds Lighting Company, Llc LED with an optical system to increase luminance by recycling emitted light
WO2005073621A1 (ja) * 2004-01-29 2005-08-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Ｌｅｄ照明光源
US7427146B2 (en) 2004-02-11 2008-09-23 3M Innovative Properties Company Light-collecting illumination system
JP4504056B2 (ja) * 2004-03-22 2010-07-14 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置の製造方法
US20050211991A1 (en) * 2004-03-26 2005-09-29 Kyocera Corporation Light-emitting apparatus and illuminating apparatus
US7355284B2 (en) * 2004-03-29 2008-04-08 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element
US7025464B2 (en) 2004-03-30 2006-04-11 Goldeneye, Inc. Projection display systems utilizing light emitting diodes and light recycling
US7517728B2 (en) * 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
JP4229447B2 (ja) * 2004-03-31 2009-02-25 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び製造方法
US7326583B2 (en) * 2004-03-31 2008-02-05 Cree, Inc. Methods for packaging of a semiconductor light emitting device
JP3983793B2 (ja) * 2004-04-19 2007-09-26 松下電器産業株式会社 Ｌｅｄ照明光源の製造方法およびｌｅｄ照明光源
JP4616577B2 (ja) 2004-04-22 2011-01-19 株式会社日立製作所 映像表示装置
CA2565339C (en) * 2004-05-05 2012-11-06 Rensselaer Polytechnic Institute High efficiency light source using solid-state emitter and down-conversion material
US7837348B2 (en) * 2004-05-05 2010-11-23 Rensselaer Polytechnic Institute Lighting system using multiple colored light emitting sources and diffuser element
TWI242893B (en) 2004-05-07 2005-11-01 Lite On Technology Corp White light-emitting apparatus
US7997771B2 (en) 2004-06-01 2011-08-16 3M Innovative Properties Company LED array systems
US7048385B2 (en) 2004-06-16 2006-05-23 Goldeneye, Inc. Projection display systems utilizing color scrolling and light emitting diodes
DE102005030128B4 (de) 2004-06-28 2011-02-03 Kyocera Corp. Lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
US20050285926A1 (en) 2004-06-29 2005-12-29 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light source assembly, method of producing light source assembly, and color thermal printer
JP2006049857A (ja) * 2004-06-29 2006-02-16 Fuji Photo Film Co Ltd 光源、および光源の作製方法、並びにカラー感熱プリンタ
US7213958B2 (en) 2004-06-30 2007-05-08 3M Innovative Properties Company Phosphor based illumination system having light guide and an interference reflector
KR100638611B1 (ko) 2004-08-12 2006-10-26 삼성전기주식회사 다중 렌즈 발광 다이오드
GB2417824A (en) 2004-09-02 2006-03-08 Custom Interconnect Ltd LED light source
JP4747726B2 (ja) * 2004-09-09 2011-08-17 豊田合成株式会社 発光装置
US7370993B2 (en) 2004-09-28 2008-05-13 Goldeneye, Inc. Light recycling illumination systems having restricted angular output
US7352006B2 (en) 2004-09-28 2008-04-01 Goldeneye, Inc. Light emitting diodes exhibiting both high reflectivity and high light extraction
US7352124B2 (en) 2004-09-28 2008-04-01 Goldeneye, Inc. Light recycling illumination systems utilizing light emitting diodes
US7144131B2 (en) 2004-09-29 2006-12-05 Advanced Optical Technologies, Llc Optical system using LED coupled with phosphor-doped reflective materials
CN2729906Y (zh) * 2004-10-13 2005-09-28 上海金桥大晨光电科技有限公司 一种大功率发光二极管混色发光器件
US20060097385A1 (en) 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US8134292B2 (en) 2004-10-29 2012-03-13 Ledengin, Inc. Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material
US7220040B2 (en) 2004-11-12 2007-05-22 Harris Corporation LED light engine for backlighting a liquid crystal display
US7858408B2 (en) * 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
US8106584B2 (en) * 2004-12-24 2012-01-31 Kyocera Corporation Light emitting device and illumination apparatus
US20060171152A1 (en) * 2005-01-20 2006-08-03 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and method of making the same
EP1686630A3 (en) 2005-01-31 2009-03-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Led device having diffuse reflective surface
KR101139891B1 (ko) 2005-01-31 2012-04-27 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 확산 반사면을 구비한 발광 다이오드 소자
WO2006087651A2 (en) 2005-02-16 2006-08-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device comprising inorganic light emitting diode(s)
KR101204115B1 (ko) * 2005-02-18 2012-11-22 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 배광 특성을 제어하기 위한 렌즈를 구비한 발광 장치
US7405433B2 (en) 2005-02-22 2008-07-29 Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd Semiconductor light emitting device
CN1684279A (zh) 2005-02-25 2005-10-19 炬鑫科技股份有限公司 发光元件
JP2006253298A (ja) 2005-03-09 2006-09-21 Toshiba Corp 半導体発光素子及び半導体発光装置
US8269410B2 (en) * 2005-03-18 2012-09-18 Mitsubishi Chemical Corporation Light-emitting device, white light-emitting device, illuminator, and image display
CN2821871Y (zh) * 2005-03-28 2006-09-27 优佰利股份有限公司 具有发光二极管的光源模板
KR101142519B1 (ko) * 2005-03-31 2012-05-08 서울반도체 주식회사 적색 형광체 및 녹색 형광체를 갖는 백색 발광다이오드를채택한 백라이트 패널
JP5066333B2 (ja) * 2005-11-02 2012-11-07 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置。
US7528422B2 (en) * 2006-01-20 2009-05-05 Hymite A/S Package for a light emitting element with integrated electrostatic discharge protection
US7804147B2 (en) * 2006-07-31 2010-09-28 Cree, Inc. Light emitting diode package element with internal meniscus for bubble free lens placement
US7943952B2 (en) * 2006-07-31 2011-05-17 Cree, Inc. Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method
US7703942B2 (en) * 2006-08-31 2010-04-27 Rensselaer Polytechnic Institute High-efficient light engines using light emitting diodes
US7889421B2 (en) * 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012128551A2 (en) * 2011-03-22 2012-09-27 Lg Innotek Co., Ltd. Display device and light conversion member
WO2012128552A3 (en) * 2011-03-22 2013-01-03 Lg Innotek Co., Ltd. Light conversion member and display device having the same
KR101241511B1 (ko) * 2011-03-22 2013-03-11 엘지이노텍 주식회사 광 변환 부재 및 이를 포함하는 표시장치
WO2012128551A3 (en) * 2011-03-22 2013-03-14 Lg Innotek Co., Ltd. Display device and light conversion member
WO2012128554A3 (en) * 2011-03-22 2013-03-14 Lg Innotek Co., Ltd. Display device
US9201189B2 (en) 2011-03-22 2015-12-01 Lg Innotek Co., Ltd. Display device
US9322972B2 (en) 2011-03-22 2016-04-26 Lg Innotek Co., Ltd. Display device
US9448461B2 (en) 2011-03-22 2016-09-20 Lg Innotek Co., Ltd. Light conversion member and display device having the same
US9551822B2 (en) 2011-03-22 2017-01-24 Lg Innotek Co., Ltd. Display device
US9976722B2 (en) 2011-03-22 2018-05-22 Lg Innotek Co., Ltd. Display device and light conversion member
US10107949B2 (en) 2011-03-22 2018-10-23 Lg Innotek Co., Ltd. Display device

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JP2014170975A (ja) 2014-09-18
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US20080117500A1 (en) 2008-05-22
WO2008060335A1 (en) 2008-05-22

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