KR20090046965A - 향상된 메모리 밀도 저항 가변 메모리 셀, 그것을 포함하는어레이, 디바이스 및 시스템, 및 제조 방법 - Google Patents

향상된 메모리 밀도 저항 가변 메모리 셀, 그것을 포함하는어레이, 디바이스 및 시스템, 및 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20090046965A
KR20090046965A KR1020097006441A KR20097006441A KR20090046965A KR 20090046965 A KR20090046965 A KR 20090046965A KR 1020097006441 A KR1020097006441 A KR 1020097006441A KR 20097006441 A KR20097006441 A KR 20097006441A KR 20090046965 A KR20090046965 A KR 20090046965A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
layer
contact
phase change
memory cell
Prior art date
Application number
KR1020097006441A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101169500B1 (ko
Inventor
준 리우
Original Assignee
마이크론 테크놀로지, 인크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 마이크론 테크놀로지, 인크 filed Critical 마이크론 테크놀로지, 인크
Publication of KR20090046965A publication Critical patent/KR20090046965A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101169500B1 publication Critical patent/KR101169500B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
    • H10N70/061—Shaping switching materials
    • H10N70/068—Shaping switching materials by processes specially adapted for achieving sub-lithographic dimensions, e.g. using spacers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
    • H10N70/231—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/821—Device geometry
    • H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/821—Device geometry
    • H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
    • H10N70/8265—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices on sidewalls of dielectric structures, e.g. mesa-shaped or cup-shaped devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/841—Electrodes
    • H10N70/8418—Electrodes adapted for focusing electric field or current, e.g. tip-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
    • H10N70/8825—Selenides, e.g. GeSe
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
    • H10N70/8828—Tellurides, e.g. GeSbTe
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H10N70/884—Switching materials based on at least one element of group IIIA, IVA or VA, e.g. elemental or compound semiconductors
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
    • G11C13/0004—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising amorphous/crystalline phase transition cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

본 발명은 저항 가변 메모리 셀 및 그 형성 방법에 관한 것이다. 메모리 셀은 제1 전극 및 제1 전극과 접촉하는 저항 가변 재료의 적어도 하나의 층을 포함한다. 제1의 제2 전극이 저항 가변 재료의 적어도 하나의 층의 제1 부분에 접촉하고 있고, 제2의 제2 전극이 저항 가변 재료의 적어도 하나의 층의 제2 부분에 접촉하고 있다.

Description

향상된 메모리 밀도 저항 가변 메모리 셀, 그것을 포함하는 어레이, 디바이스 및 시스템, 및 제조 방법{ENHANCED MEMORY DENSITY RESISTANCE VARIABLE MEMORY CELLS, ARRAYS, DEVICES AND SYSTEMS INCLUDING THE SAME, AND METHODS OF FABRICATION}
본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 상변화 메모리 소자 및 그것을 형성하고 사용하는 방법에 관한 것이다.
비휘발성 메모리는 전원 없이 데이터를 유지시키는 그 능력으로 인해 집적 회로의 유용한 소자이다. 재료들이 비휘발성 메모리 셀에 사용하기 위해 조사되어 왔다. 프로그램 가능한 저항 재료의 한 분류가 비결정과 결정상 사이에서 안정적으로 전이할 수 있는 칼코게나이드 합금과 같은 상변화 재료이다. 각 상은 메모리 소자의 논리값을 구별하는 특정 저항 상태 및 저항 상태들을 나타낸다. 구체적으로는, 비결정 상태는 비교적 높은 저항을 나타내고, 결정 상태는 비교적 낮은 저항을 나타낸다.
도 1A 및 도 1B에 도시된 종래의 상변화 메모리 소자(1)는 유전체 재료(6)에 의해 지지되는 제1 및 제2 전극(2, 4) 사이에 상변화 재료의 층(8)을 갖는다. 상변화 재료(8)는 제1 및 제2 전극(2, 4) 사이에 인가되는 전류량에 따라 특정 저항 상태로 설정된다. 비결정 상태(도 1B)를 얻기 위해, 비교적 높은 기록 전류 펄스(리셋 펄스)가 종래의 상변화 메모리 소자(1)를 통해 인가되어, 제1 시간 동안 제1 전극(2)을 덮는 상변화 재료(8)의 적어도 일부분(9)을 용해한다. 전류가 제거되고, 상변화 재료(8)가 결정 온도보다 낮은 온도로 급속히 냉각한 결과, 상변화 재료(8)의 부분(9)이 비결정 상태를 갖는 제1 전극(2)을 덮는다. 결정 상태(도 1A)를 얻기 위해, 더 낮은 전류 기록 펄스(설정 펄스)가 제2 시간(일반적으로 비결정 상변화 재료의 결정화 시간보다 지속기간이 더 길다) 동안 종래의 상변화 메모리 소자(1)에 인가되어, 상변화 재료(8)의 비결정 부분(9)을 그 용해 온도보다 낮지만 그 결정화 온도보다 높은 온도로 가열한다. 이로 인해, 상변화 재료(8)의 비결정 부분(9)은, 전류가 제거되어 종래의 상변화 메모리 소자(1)가 냉각되면, 유지되는 결정 상태로 재결정화된다. 상변화 메모리 소자(1)는 상변화 재료(8)의 상 상태를 변화시키지 않는 판독 전압을 인가함으로써 판독된다.
상변화 메모리의 하나의 결점은 상변화를 달성하는 데 필요한 큰 프로그래밍 전류이다. 이 요건은 약 16F2 내지 40F2의 사이즈 범위의 일반적인 메모리 셀을 갖는 대형의 액세스 트랜지스터 설계 및 대형의 회로 레이아웃을 유발한다. 따라서, 감소된 프로그래밍 전류 요건 및 증가된 비트 밀도를 갖는 상변화 메모리 디바이스를 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 이점 및 특징들은 첨부하는 도면을 참조하여 아래에 제공되는 실시예의 상세한 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다.
도 1A 및 도 1B는 종래의 상변화 메모리 소자를 도시하는 도면이다.
도 2A ∼ 도 2B는 각각, 본 발명의 일 실시예에 따르는 상변화 메모리 디바이스의 부분 횡단면도 및 부분 평면도를 도시하는 도면이다.
도 3A ∼ 도 3D는 도 2A 및 도 2B의 상변화 메모리 디바이스를 제조하는 방법의 부분적인 횡단면도이다.
도 4A ∼ 도 4B는 본 발명의 다른 실시예에 따르는 상변화 메모리 디바이스의 부분적인 횡단면도이다.
도 5A ∼ 도 5B는 본 발명의 다른 실시예에 따르는 상변화 메모리 디바이스의 부분적인 횡단면도이다.
도 6 ∼ 도 9는 본 발명의 부가적인 실시예에 따르는 상변화 메모리 디바이스의 부분적인 횡단면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따르는 상변화 메모리 디바이스의 평면도이다.
도 11A ∼ 도 11C는 본 발명의 다른 실시예에 따르는 상변화 메모리 디바이스의 부분적인 횡단면도 및 부분적인 평면도이다.
도 12A ∼ 도 12E는 도 11A ∼ 도 11C의 상변화 메모리 디바이스를 제조하는 방법의 부분적인 횡단면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따라 구성되는 상변화 메모리 소자를 내장한 메모리 디바이스를 갖는 프로세서 시스템의 블록도이다.
이하의 상세한 설명에서, 본 발명의 다양한 특정 실시예를 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있도록 충분히 상세히 설명된다. 다른 실시예들이 이용될 수도 있고, 그 다양한 구조적, 논리적 및 전기적인 변경이 발명의 사상 또는 범위로부터 벗어남 없이 이루어질 수 있음을 이해해야 한다.
아래의 설명에서 사용되는 용어 "기판"은 노출된 기판 표면을 갖는 반도체 기판을 포함하지만 이에 한정되는 것은 아닌 집적 회로를 지지하는 데 적합한 어떤 구조를 포함할 수 있다. 반도체 기판은 실리콘, 실리콘-온-인슐레이터(SOI), 실리콘-온-사파이어(SOS), 도핑 및 도핑되지 않은 반도체, 베이스 반도체 파운데이션에 의해 지지되는 에피택셜 층, 및 다른 반도체 구조를 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 아래의 설명에서 반도체 기판 또는 웨이퍼를 참조할 때, 이전의 프로세스 단계들은 베이스 반도체 또는 파운데이션 내 또는 위에 영역 또는 접합을 형성하기 위해 이용되어 왔을 수 있다. 상기 언급한 바와 같이, 기판은 반도체 베이스일 필요는 없지만, 금속, 합금, 유리, 폴리머, 세라믹 및 당업계에 알려져 있는 바와 같은 어떤 다른 지지성 물질과 같은 집적 회로를 지지하는 데 적합한 어떤 지지 구조일 수 있다.
본 발명의 실시예들은 종래의 디바이스와 비교할 때 증가된 비트 밀도를 가능하게 하는 상변화 메모리 디바이스를 제공한다.
본 발명은 이제, 실시예들을 예시하고, 전체적으로 같은 참조 번호가 같은 특징을 나타내는 도면을 참조하여 설명한다.
도 2A 및 2B는 본 발명에 따라 구성되는 저항 가변 메모리 디바이스(201)의 일부분의 일 실시예를 도시한다. 도 2A는 메모리 디바이스(201)의 일부분의 평면도이고, 도 2B는 라인 2B-2B'를 따라 절단한 도 2A 디바이스의 횡단면도이다.
메모리 디바이스(201)는 상변화 메모리 디바이스로서 도시되어 있고, 각각 적어도 1 비트 즉, 논리 1 또는 0을 저장하기 위한 복수의 상변화 메모리 소자(200a, 200b, 200c)를 포함한다. 메모리 소자(200a, 200b, 200c)는 기판(10)에 의해 지지된다. 제1 유전체층(12)이 기판 상에 형성되고, 제1 전극(14)이 제1 유전체층(12) 내에 형성된다. 상변화 메모리 디바이스(201)는 또한 제1 전극(14) 위에 형성되어 그와 전기 통신하는 상변화 재료층(16)을 더 포함한다. 도 2B에 도시된 실시예에서는, 상변화 재료층(16)은 유전체 재료(19)의 표면을 따라 제2 유전체층(20) 내에 형성된다. 도 2A에 도시된 바와 같이, 유전체 재료(19)는 평면 사시도에서 원 형상을 갖고, 상변화 재료(16)는 평면 사시도에서 고리 형상을 갖는다. 유전체 재료(19)가 상이한 형상 특히 예컨대, 타원형, 사각형을 갖도록 형성될 수 있으며, 그에 따라, 상변화 재료(16)도 상이한 형상을 갖고 형성될 수 있음을 이해해야 한다. 상변화 재료층(16)은 하부 전극(14)에 접촉한다.
제3 유전체층(21)이 상변화 재료층(16), 제2 유전체층(20) 및 유전체 재료(19) 위에 형성된다. 제2 전극(22)은 제3 유전체층(21) 내에 형성된다.
메모리 소자(200a, 200b, 200c)는 제1 및 제2 전극과 상변화 재료층(16)의 일부분이 전기적으로 교차하는 위치에 대응한다. 각 제1 전극(14)은 2개의 메모리 소자(200a, 200b)를 포함하는 단일 메모리 셀(202)에 대응한다. 따라서, 각 제1 전극(14)은 2개의 메모리 소자(200a, 200b)와 관련된다. 메모리 소자(200a)는 제1의 제2 전극(22a)과 관련되고, 메모리 소자(200b)는 제2의 제2 전극(22b)과 관련된다. 따라서, 각 메모리 셀(202)은 2개의 상이한 제2 전극(22a, 22b)과 관련된다.
예시된 실시예에서는, 각 제2 전극(22)은 또한 2개의 메모리 소자와 관련된다. 예를 들면, 제2 전극(22b)은 메모리 소자(200b 및 200c)와 관련된다. 바람직하게는, 각 제2 전극은 상이한 메모리 셀(202)의 메모리 소자(200b, 200c)와 관련된다. 달리 말하면, 특정 제1 전극(14) 및 특정 제2 전극(22)은 바람직하게는 동일한 2개의 메모리 소자(200a, 200b, 200c)와 관련되지 않는다. 이것이 각 개별 메모리 소자(200a, 200b, 200c)가 특정 소자(200a, 200b, 200c)에 대응하는 제1 및 제2 전극(14, 22)을 선택함으로써 선택될 수 있게 한다.
도 2A 및 도 2B에 도시된 바와 같이, 제2 전극(22)은 하부 전극(14)과 각 상변화 재료층(16)으로부터 오프셋된다. 따라서, 상변화 재료층(16)의 각 메모리 소자(200a, 200b, 200c)에 대한 전극(14, 22)으로의 접촉 영역이 최소화된다. 메모리 소자(200a, 200b, 200c)의 프로그래밍 볼륨(volume) 및 메모리 소자(200a, 200b, 200c)에 대한 상변화를 달성하는 데 필요한 전압도 또한 최소화된다. 또한, 전극(14, 22) 및 상변화 재료층(16)과 같은 구조들이 메모리 소자(200a, 200b, 200c) 간에 공유됨에 따라, 디바이스(201)의 비트 밀도는 종래 기술의 디바이스 예컨대, 메모리 소자(1)(도 1)를 포함하는 디바이스 보다 증가될 수 있다. 특히, 각 제1 전극(14)이 2개의 메모리 소자(200a, 200b)와 관련되기 때문에, 디바이스(201)의 비트 밀도는 메모리 소자(1)(도 1)를 포함하는 종래의 메모리 디바이스에 비해 2배로 될 수 있다.
부가적인 유전체층 및 컨택트 및 금속 라인들도 디바이스(201)에 포함될 수 있다. 예를 들어, 도 2A에 도시된 바와 같이, 워드 라인(250), 디지트(digit) 라인 컨택트(251), 및 제2 전극(22)을 접속하기 위한 금속 라인(252)가 디바이스(201)에 포함된다.
도 3A ∼ 도 3D는 도 2A 및 도 2B에 도시된 상변화 메모리 디바이스(201)를 제조하는 방법의 일 실시예를 도시한다. 논리적으로 이전의 동작의 결과를 필요로 하는 경우를 제외하고는, 여기에서 설명된 동작의 어느 것에 대해서도 특별한 순서는 불필요하다. 따라서, 아래의 동작들은 특정 순서로 실행되는 것으로서 설명되지만, 그 순서는 필요한 경우 변경될 수 있다.
도 3A에 도시된 바와 같이, 제1 유전체층(12)이 기판(10) 위에 형성된다. 제1 유전체층(12)은 비아(24)를 생성하도록 에칭되고, 그 내부에 제1 전극(14)이 형성된다. 제1 전극(14)은 특히 티타늄-니트라이드(TiN), 티타늄-알루미늄-니트라이드(TiAlN), 티타늄-텅스텐(TiW), 플래티늄(Pt)이나 텅스텐(W)과 같은 어떤 적절한 도전성 재료로 형성된다. 예시된 실시예에서는, 제1 전극(14)은 거의 원형의 평면 형상(도 2A)을 갖고 형성되어 있지만, 제1 전극은 직사각형, 원형, 사각형 또는 다른 형성과 같은 어떠한 형상을 가져도 된다.
도 3B에 도시된 바와 같이, 제2 절연층(20)이 제1 전극(14) 및 제1 절연층(12) 위에 형성된다. 개구(305)가 어떤 적절한 기술에 의해 각 제1 전극(14) 위에 형성되어 그와 정렬된다. 개구(305)는 바람직하게는 이후 논의되는 상변화 재 료 증착의 스텝 커버리지(step coverage)를 개선하기 위해 경사진 측벽(316)을 갖고 형성된다. 경사진 측벽(316)은 선택적일 뿐이고, 측벽(316)은 그 대신에 제1 전극(14)의 최상면에 대해 수직, 직선, 비직선, 곡선, 또는 어떤 다른 원하는 형상일 수도 있음을 유의해야 한다.
도 2A ∼ 도 2B 실시예에서는, 개구(305)가 거의 원형의 평면 형상을 갖고 형성되지만, 개구(305)는 어떠한 형상을 가져도 된다.
도 3C는 개구(305)의 측벽(316) 상으로의 등각의 또는 부분적으로 등각의 상변화 재료층(16)의 증착을 도시한다. 어떤 적절한 기술이 상변화 재료층(16)을 형성하는 데 사용되어도 된다. 예시된 실시예에서는, 증착된 상변화 재료는 예컨대, 게르마늄-안티모니-텔루라이드와 같은 칼고게나이드 재료이고, 예컨대, 약 100Å의 두께를 갖는다. 상변화 재료는 또한 예컨대, In-Se, Sb2Te3, GaSb, InSb, As-Te, Al-Te, GeTe, Te-Ge-As, In-Sb-Te, Te-Sn-Se, Ge-Se-Ga, Bi-Se-Sb, Ga-Se-Te, Sn-Sb-Te, In-Sb-Ge, Te-Ge-Sb-S, Te-Ge-Sn-O, Te-Ge-Sn-Au, Pd-Te-Ge-Sn, In-Se-Ti-Co, Ge-Sb-Te-Pd, Ge-Sb-Te-Co, Sb-Te-Bi-Se, Ag-In-Sb-Te, Ge-Sb-Se-Te, Ge-Sn-Sb-Te, Ge-Te-Sn-Ni, Ge-Te-Sn-Pd, 및 Ge-Te-Sn-Pt와 같은 하나 이상의 다른 상변화 재료이거나 이들을 포함할 수도 있다.
개구(305)의 측벽 상의 상변화 재료층(16)의 두께가 균일한 것으로 도시되어 있지만, 그러한 구성은 본 발명의 일 실시의 일례일 뿐 그것에 제한되는 것은 아니다. 또한, 상변화 재료층(16)은 각 개구(305)의 측벽(316)을 완전히 덮을 필요는 없음을 유의해야 한다. 예를 들어, 상변화 재료층(16)은 특정 소자(200a, 200b, 200c)에 대한 상변화 재료층(16)의 볼륨을 더욱 감소시키도록 측벽(316)을 단지 부분적으로만 덮을 수 있어, 상변화 재료층(16)의 상태를 전환하는 데 필요한 전류를 더욱 감소시킬 수 있다.
도 3D는 상변화 재료층 위의 유전체 재료(19)의 형성 및 개구(305) 충전을 도시한다. 예시된 실시예에서는, 유전체 재료는 옥사이드이다. 유전체 재료(19)는 또한 예컨대, 실리콘 니트라이드; 알루미나 옥사이드; 고온 폴리머; 저유전체 재료; 절연성 유리; 또는 절연성 폴리머일 수 있다.
유전체 재료(19), 상변화 재료층(16) 및 제2 절연층(20)이 이어서 평탄화된다. 그 후, 제2 전극(22)이 상변화 재료층(16) 및 제2 절연층(20) 위에 형성된다. 제2 전극(22)은 티타늄-니트라이드(TiN), 티타늄-알루미늄-니트라이드(TiAlN), 티타늄-텅스텐(TiW), 플래티늄(Pt)이나 텅스텐(W)과 같은 어떤 적절한 도전성 재료로 형성된다. 예시된 실시예에서는, 각 제2 전극(22)은 적어도 2개의 제1 전극(14)의 부분들 위에 및 적어도 2개의 개구(305)의 측벽의 일부분 상에 형성된 상변화 재료층(16)과 접촉하여 형성된다. 예시된 실시예에서는, 제2 전극(22)은 거의 타원형의 평면 형상(도 2A)을 갖고 형성되어 있지만, 제2 전극(22)은 직사각형, 원형, 사각형 또는 다른 형성과 같은 어떠한 형상을 가져도 된다.
도 4A 및 도 4B는 본 발명의 다른 실시예에 따르는 상변화 메모리 디바이스(401)를 도시한다. 디바이스(401)는 2개의 메모리 소자(400a, 400b)를 포함하는 메모리 셀(404)을 포함한다. 상변화 메모리 디바이스(401)는, 제2 전극(22)이 상변화 재료층(16) 및 유전체층(19)과 정렬되어 있고 하부 전극(14)이 2개의 상변화 재료층(16) 및 유전체층(19)의 아래의 부분인 것을 제외하고는, 상변화 메모리 디바이스(201)(도 2A∼2B)와 유사하다. 또한, 상변화 재료층(16)은 유전체 메사(19')의 측벽 상에 형성된다. 따라서, 상변화 재료층(16)은 메모리 디바이스(201)(도 2A∼2B)와 반대 방향으로 기울어진다.
도 4B는 본 발명의 실시예에 따른 메모리 디바이스(401)의 형성을 도시한다. 논리적으로 이전의 동작의 결과를 필요로 하는 경우를 제외하고는, 여기에서 설명된 동작의 어느 것에 대해서도 특별한 순서는 불필요하다. 따라서, 아래의 동작들은 특정 순서로 실행되는 것으로서 설명되지만, 그 순서는 필요한 경우 변경될 수 있다.
제1 전극(14)은 상기 도 3A와 관련하여 설명한 바와 같이 형성될 수 있다. 도 4B에 도시된 바와 같이, 유전체 재료(19')의 메사가 제1 유전체층(12) 위에 형성된다. 유전체 메사(19')는 2개의 제1 전극(14)의 부분을 덮도록 형성된다. 상변화 재료의 층(16)이 유전체 메사(19')의 측벽 상에 형성된다. 도 4B에 도시된 구조를 얻기 위해, 유전체 메사(19')는 공지된 포토리소그래피 및 에칭 기술을 사용하여 메사를 형성하도록 예컨대, 유전체층을 패터닝 및 에칭함으로써 형성된다.
디바이스(201)(도 2A∼2B)에서와 같이, 유전체 메사(19')는 평면 사시도에서 거의 원형이다. 따라서, 상변화 재료층(16)은 평면 사시도에서 고리 형상이다. 그러나, 메사(19') 및 상변화 재료층(16)은 다른 형상을 가질 수 있다.
도 5A 및 도 5B는 본 발명의 다른 실시예에 따르는 상변화 메모리 디바이스(501)를 도시한다. 디바이스(501)는 2개의 메모리 소자(500a, 500b)를 포함하는 메모리 셀(505)을 포함한다. 상변화 메모리 디바이스(501)는, 제2 전극(22)이 유전체 메사(19')를 갖는 메사 구조(555)의 부분으로서 형성되는 것을 제외하고는 상변화 메모리 디바이스(401)(도 4A)와 유사하다. 상변화 재료층(16)은 메사 구조(555)의 측벽 상에 형성된다.
도 5B는 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 디바이스(501)의 형성을 도시한다. 논리적으로 이전의 동작의 결과를 필요로 하는 경우를 제외하고는, 여기에서 설명된 동작의 어느 것에 대해서도 특별한 순서는 불필요하다. 따라서, 아래의 동작들은 특정 순서로 실행되는 것으로서 설명되지만, 그 순서는 필요한 경우 변경될 수 있다.
제1 전극(14)은 상기 도 3A와 관련하여 설명한 바와 같이 형성된다. 도 5B에 도시된 바와 같이, 유전체층(19') 및 제2 전극(22)을 각각 포함하는 메사 구조(555)가 형성된다. 제2 전극(22)은 메사 구조(555)의 하나의 층으로서 형성된다. 메사 구조(555)는 2개의 제1 전극(14)의 부분들을 덮도록 형성된다. 상변화 재료의 층(16)이 메사 구조(555)의 측벽 상에 형성된다. 메사 구조(555)는 공지된 포토리소그래피 및 에칭 기술을 사용하여 메사를 형성하도록 예컨대, 유전체층을 패터닝 및 에칭함으로써 형성될 수 있다. 상변화 재료층(16)은 도 5A에 도시된 구조를 얻기 위해 메사 구조(555)의 측벽 상에 형성된다.
디바이스(201)(도 2A∼2B)와 유사하게, 예시된 실시예의 메사 구조(들)(555)는 평면 사시도에서 거의 원형이다. 따라서, 상변화 재료층(16)은 평면 사시도에서 고리 형상이다. 그러나, 메사 구조(555) 및 상변화 재료층(16)은 상기 논의된 바와 같이, 다른 형상을 가져도 된다.
도 6∼도 9는 본 발명의 부가적인 실시예들을 도시한다. 도 6∼도 9에 도시된 실시예들은 도 2A∼도 5의 실시예들과 유사하다. 도 6∼도 9 실시예에서는, 그러나, 각 제1 및 제2 전극이 2개의 메모리 소자와 관련된다. 바람직하게는, 특정 제1 전극 및 특정 제2 전극이 동작 중에 각 메모리 소자의 개별 선택을 허용하도록 동일한 2개의 메모리 소자와 관련하지 않는다. 도 6∼도 9 실시예에서는, 개구(도 2A∼3D에서와 같이)나 메사 구조(도 4A∼5B에서와 같이)의 측벽 상에 상변화 재료층을 형성하는 대신에, 제1 전극이 후술하는 바와 같이 개구나 메사 구조의 측벽 상에 형성된다.
도 6은 본 발명에 따르는 메모리 소자(600a, 600b)를 포함하는 메모리 셀(606)을 갖는 상변화 메모리 디바이스(601)를 도시한다. 상변화 메모리 디바이스(601)는 제1 전극(45)에 접촉하는 도전성 플러그(44)를 포함한다. 도전성 플러그(44)는 상기 도 3A와 관련하여 설명한 바와 같이 제1 전극(14)과 동일한 방식으로 형성된다.
제1 전극(45)은 유전체 재료층(19)의 측벽 상에 있다. 제1 전극(45) 및 유전체 재료층(19)은 상기 도 3B∼3D에서 설명한 바와 같이 상변화 재료층(16) 및 유전체 재료층(19)와 유사한 방식으로 형성된다. 따라서, 전극(45)용의 도전성 재료가 절연층(20) 내의 개구의 측벽 상에 형성된다. 그 후, 유전체 재료층(19)이 제1 전극(45) 사이의 개구 내에 형성된다. 평면 사시도에서, 유전체 재료층(19)은 거의 원형이다. 따라서, 제1 전극(45)은 평면 사시도에서 고리 형상이다. 유전체 재료층(19) 및 제1 전극(45)은 그러나, 다른 형상을 가질 수 있다.
선택적으로, 제1 전극은 유전체 재료층(19)의 측벽을 완전히 덮을 필요는 없고, 단일 메모리 소자(600a, 600b)에 대한 상변화 재료층(116)과 각각의 도전성 플러그(44) 사이의 전기 통신을 제공하기 위해 형성되는 것만 필요하다. 또한, 제1 전극(45)의 두께가 균일하게 도시되어 있지만, 본 발명은 거기에 제한되는 것은 아니다.
상변화 재료층(116) 및 제2 전극(22)은 절연층(21) 내 및 제1 전극(45) 위에 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 상변화 재료층(16) 및 제2 전극은 제1 전극(45) 및 도전성 플러그(44)로부터 오프셋된다. 따라서, 상변화 재료층(16)은 2개의 인접한 제1 전극(45)과 접촉하고 있다. 또한, 각 상부 전극(22)은 2개의 메모리 소자(600a, 600c)에 서비스한다. 도 7의 실시예에서는, 2개의 메모리 소자(700a, 700c)에 서비스하는 제2 전극(22)은 그들 2개의 메모리 소자(700a, 700c)에 대한 상변화 재료층(116) 사이에서 연장한다. 따라서, 제2 전극(22)은 상변화 재료층(113)의 상면(716) 및 측면(717)과 접촉하고 있다. 도 7에 도시된 상부 전극(22) 구조를 얻기 위해, 상변화 재료층(116)은 상부 전극(22)의 형성 전에 패터닝 및 에칭된다.
도 8은 본 발명에 따르는 메모리 소자(800a, 800b)를 포함하는 메모리 셀(808)을 갖는 메모리 디바이스(801)를 도시한다. 메모리 디바이스(801)는 제1 전극(45)이 유전체 메사(19')의 측벽 상에 형성되는 것을 제외하고는, 메모리 디바이스(601)(도 6)와 유사하다. 유전체 메사(19') 및 제1 전극(45)은 상기 도 3B∼ 도 3D에서 설명한 바와 같이 상변화 재료층(16) 및 유전체 재료층(19)과 유사한 방식으로 형성된다.
도 9는 본 발명에 따르는 메모리 소자(900a, 900b)를 포함하는 메모리 셀(909)을 갖는 메모리 디바이스(901)를 도시한다. 메모리 디바이스(901)는 제1 전극(45)이 유전체 메사(19')의 측벽 상에 형성되는 것을 제외하고는, 메모리 디바이스(701)(도 7)와 유사하다. 유전체 메사(19') 및 제1 전극(45)은 상기 도 3B∼도 3D에서 설명한 바와 같이 상변화 재료층(16) 및 유전체 재료층(19)과 유사한 방식으로 형성된다.
도 2A∼도 9에 도시된 실시예들이 2개의 메모리 소자를 포함하는 메모리 셀을 도시하고 있지만, 본 발명은 그것에 제한되는 것은 아니다. 본 발명에 따르는 메모리 셀은 2 이상의 메모리 소자를 포함할 수 있다. 예를 들면, 도 10에 도시된 바와 같이, 메모리 디바이스(1001)는 메모리 소자(1000a, 1000b, 1000c, 1000d)를 포함하는 메모리 셀(1010)을 포함한다. 각각의 메모리 소자(1000a, 1000b, 1000c, 1000d)는 동일한 제1 전극(14)과 관련된다. 메모리 소자(1000a)는 제1의 제2 전극(22a)과 관련되고; 메모리 소자(1000b)는 제2의 제2 전극(22b)과 관련되며; 메모리 소자(1000c)는 제3의 제2 전극(22c)과 관련되고; 메모리 소자(1000d)는 제4의 제2 전극(22d)과 관련된다. 따라서, 각 메모리 셀(1010)은 4개의 상이한 제2 전극(22)과 관련된다.
예시된 실시예에서, 제2 전극(22)은 4개의 메모리 소자(1000a, 1000e, 1000f, 1000g)에 의해 공유된다. 각 메모리 소자(1000a, 1000b, 1000c, 1000d, 1000e, 1000f, 1000g)가 개별적으로 어드레스될 수 있게 하기 위해, 하나의 메모리 소자만 예컨대, 소자(1000a)만이 특정 제1 및 제2 전극(14, 22) 세트에 의해 어드레스 가능해진다.
메모리 디바이스(1001) 메모리 소자(1000a, 1000b, 1000c, 1000d, 1000e, 1000f, 1000g)는 도 2B∼도 9와 관련하여 상술한 것 중 어느 것과 유사한 구조를 갖고, 각 메모리 셀이 4개의 메모리 소자(1000a, 1000b, 1000c, 1000d)를 포함하도록 구성되는 것을 제외하고는, 유사한 방식으로 형성된다. 이를 위해, 메모리 셀(1010)의 제1 전극(14)은 메모리 소자(1000a, 1000b, 1000c, 1000d)와 관련되도록 구성된다. 도 10 실시예에서는, 제1 및 제2 전극(14, 22)은 대략 플러스-부호("+") 형상을 갖지만, 특히 크로스, x, 다이아몬드, 사각형과 같은 다른 형상도 가능하다.
도 11A∼도 11C는 본 발명에 따라 구성되는 저항 가변 메모리 디바이스(1101)의 일부분의 일 실시예를 도시한다. 도 11A는 메모리 디바이스(1101)의 일부분의 평면도이고, 도 11B는 라인 11B-11B'를 따라 절단한 도 11A 디바이스(1101)의 횡단면도이다. 도 11C는 도 11B에 도시된 라인 11C-11C'를 따라 절단한 디바이스(1101)의 횡단면도이다.
메모리 디바이스(1101)는 상변화 메모리 디바이스로서 예시되고, 적어도 1 비트 즉, 논리 1 또는 0을 각각 저장하는 복수의 상변화 메모리 소자(1100a, 1100b)를 각각 포함하는 메모리 셀(1111)을 포함한다. 메모리 소자(1100a, 1100b)는 기판(10)에 의해 지지된다. 제1 유전체층(12)이 기판(10) 상에 형성되고, 도전 성 플러그(44)가 제1 유전체층(12) 내에 형성된다. 제1 전극(1114)이 제2 유전체층(20) 내에 형성된다. 각 제1 전극(1114)은 도전성 플러그(44) 위에 형성되어 그와 접촉하고 있다.
제3 유전체층(1121)(도 11C)가 제1 전극(1114) 및 제2 유전체층(20) 위에 있다. 제2 전극(1122)이 제3 유전체층(1121) 위에 있다. 제3 유전체층(1121) 및 제2 전극(1122)은 x 방향으로 행으로 배향된 메사(1133)로서 형성된다. 제4 유전체층(1131)이 메사(1133) 위에 형성된다. 도 11A의 실시예에서는, 평면 사시도에서, 메사(1133)는 직사각형 형상을 갖지만, 사각형이나 원형과 같은 다른 형상도 가능하다. 제2 전극(1122)은 인접한 제1 전극들(1114) 사이에 형성되어, 제2 전극(1122)의 측면 에지(1123)가 제1 전극(1114)의 측면 에지(1115) 바로 위에 있게 된다.
각 상변화 재료층(1116)은 각각의 제2 전극(1122) 및 제3 유전체층(1121)의 측벽 상에 있고, 각각의 제1 전극(1114)와 접촉하고 있다. 도 11A 및 도 11B에 도시된 실시예에서는, 상변화 재료층(1116)은 제1 전극(1114) 바로 위에 있는 제3 유전체층 라인(1121) 및 제2 전극(1122)의 부분들 상에만 있다.
메모리 소자(1100a, 1100b)는 제1 및 제2 전극과 상변화 재료층(1116)의 일부분이 전기적으로 교차하는 장소에 대응한다. 각 제1 전극(1114)은 2개의 메모리 소자(1100a, 1100b)와 관련된다. 예시된 실시예에서는, 각 제2 전극(1122)도 또한 2개의 메모리 소자(1100a, 1100b)와 관련된다. 각 메모리 소자(1100a, 1100b)가 개별적으로 어드레스 가능하게 되도록 하기 위해, 특정 제1 전극(1114) 및 특정 제 2 전극(1122)은 바람직하게는 하나 이상의 동일한 메모리 소자(1100a, 1100b)와 관련되지 않는다. 도시된 실시예에서는, 메모리 소자(1100a)는 제1의 제2 전극(1122a)과 관련되고, 메모리 소자(1100b)는 제2의 제2 전극(1122b)과 관련된다.
각 메모리 소자(1100a, 1100b)에 대한 상변화 재료층(1116)이 제2 전극(1122)의 측벽 상에만 형성되기 때문에, 각 메모리 소자(1100a, 1100b)에 대한 상변화 재료층(1116)의 접촉 면적은 최소화된다. 메모리 소자(1100a, 1100b)의 프로그래밍 볼륨 및 메모리 소자(1100a, 1100b)에 대한 상변화를 달성하는 데 필요한 전압도 또한 최소화된다. 또한, 전극(1114, 1122)이 메모리 소자(1100a, 1100b) 간에 공유되기 때문에, 디바이스(1101)의 비트 밀도는 종래 기술의 디바이스 예컨대, 메모리 소자(1)(도 1)를 포함하는 디바이스 보다 증가될 수 있다. 더욱이, 프로그래밍 볼륨은 각 메모리 소자에 대해 고정되고, 프로그래밍 펄스에 의존하지 않으며, 디바이스 스위칭 균일성도 또한 향상된다.
부가적인 유전체층, 컨택트 및 금속 라인도 디바이스(1101)에 포함될 수 있다. 예를 들면, 금속 라인과 제1 전극(1114)로의 컨택트(1151)가 포함될 수 있다.
도 12A∼도 12E는 도 11A 및 도 11B에 도시된 상변화 메모리 디바이스(1101)를 제조하는 방법의 일 실시예를 도시한다. 논리적으로 이전의 동작의 결과를 필요로 하는 경우를 제외하고는, 여기에서 설명된 동작의 어느 것에 대해서도 특별한 순서는 불필요하다. 따라서, 아래의 동작들은 특정 순서로 실행되는 것으로서 설명되지만, 그 순서는 필요한 경우 변경될 수 있다.
도 12A에 도시된 바와 같이, 제1 유전체층(12)이 기판(10) 위에 형성된다. 제1 유전체층(12)은 비아(24)를 생성하도록 에칭되고, 그 내부에 도전성 플러그(44)가 형성된다. 도전성 플러그(44)는 특히 티타늄-니트라이드(TiN), 티타늄-알루미늄-니트라이드(TiAlN), 티타늄-텅스텐(TiW), 플래티늄(Pt)이나 텅스텐(W)과 같은 어떤 적절한 도전성 재료로 형성된다.
도 12B에 도시된 바와 같이, 제2 절연층(20)이 도전성 플러그(44) 및 제1 절연층(12) 위에 형성된다. 개구(1205)가 어떤 적절한 기술에 의해 각 도전성 플러그(44) 위에 형성되어 그와 정렬된다. 예시된 실시예에서는, 개구(1205)는 거의 사각형 평면 형상을 갖고 형성되지만, 개구(1205)는 예컨대, 직사각형, 사각형 또는 다른 형상과 같은 어떠한 형상을 가져도 된다. 제1 전극은 특히 티타늄-니트라이드(TiN), 티타늄-알루미늄-니트라이드(TiAlN), 티타늄-텅스텐(TiW), 플래티늄(Pt)이나 텅스텐(W)과 같은 어떤 적절한 도전성 재료로 형성된다.
도 12C는 제2 전극(1122)을 형성하기 위한 도전성 재료층 및 제3 유전체층(1121)의 증착을 도시한다. 제3 유전체층(1121) 및 도전성 재료층은 제3 유전체층(1121) 및 제2 전극(1122)을 형성하도록 라인으로 패터닝된다. 제3 유전체층(1121)의 측면 에지(1132)(도 11C)는 제1 전극(1114)과 접촉하여 형성된다. 이것이 제2 전극(1122)의 측면 에지(1123)(도 11A 및 도 11C)가 제1 전극(1114)의 측면 에지(1115) 바로 위에 있도록 허용한다. 제2 전극은 어떤 적절한 도전성 재료로 형성되고, 도전성 플러그(44) 및/또는 제1 전극(1114)과 동일한 재료일 수 있다.
도 12D에 도시된 바와 같이, 상변화 재료의 층(1116) 예컨대, 약 100Å의 두 께를 갖는 얇은 층이 제2 전극(1122) 위 및 제1 전극(1114) 위에 형성된다. 선택적으로, 제2 전극(1122) 및 제3 유전체층(1121)의 측벽들은 도 11C에 도시된 바와 같이 상변화 재료층(1116)으로의 측벽들의 커버리지를 촉진하도록 기울어져 있다. 상변화 재료는 도 3C와 관련하여 상술한 것과 같은 어떤 적절한 상변화 재료이다.
스페이서 에치가 제2 전극 라인들(1122) 사이의 및 제2 전극(1122)의 상면 상의 상변화 재료를 제거하고, 제2 전극(1122)의 측벽 상에 상변화 재료의 얇은 층(1116)을 남기도록 사용된다. 메모리 소자(1100a, 1100b)의 프로그램 가능 볼륨은 상변화 재료층(1116)의 두께를 조정함으로써 조정될 수 있다. 원하는 경우, 상변화 재료층(1116)이 각 제2 전극(1122)의 측벽의 길이를 따라 남겨질 수 있다. 도 12E는 각 제2 전극(1122)의 측벽의 길이를 따라 상변화 재료층(1116)을 갖는 메모리 디바이스(1101)의 평면 사시도이다.
제2 전극 라인(1122) 및 상변화 재료(1116)는 그 후, 개별적인 메사(1133)(도 11B 및 도 11C)를 형성하도록 에칭된다. 이를 위해, 포토레지스트의 층(도시 생략)이 제1 전극(1114)과 접촉하는 상변화 재료층(1116)의 부분을 보호하도록 형성된다. 건식 에치가 상변화 재료층(1116), 제3 유전체층(1121) 및 제2 전극 라인(1122)의 보호되지 않은 부분을 제거하도록 실행된다. 개별적인 메사(1133)를 절연시키기 위해, 제4 유전체층(1131)이 도 11B에 도시된 구조를 얻도록 메사(1133) 위에 형성된다. 각 제1 전극(1114)과 관련된 상변화 재료층(1116)을 절연시킴으로써, 메모리 소자(1100a, 1100b) 간의 크로스토크(cross talk)가 감소될 수 있다.
실시예들을 프로그램 가능한 저항 재료로서 상변화 재료를 채용한 것으로서 설명해왔다. 실시예들은 또한 상변화 재료층 대신에 다른 프로그램 가능한 저항 재료의 하나 이상의 층을 채용해도 된다. 다른 프로그램 가능한 저항 재료의 예들은, 참고로 그 개시내용이 본 명세서에 통합되어 있는 아래의 마이크론 테크놀로지 인코포레이티드에 양도된 여러 개의 특허 및 특허출원에 개시된 금속 도핑된 칼코게나이드 유리 및 그들 프로그램 가능한 저항 재료와 같은 것을 포함하지만, 그것에 제한되는 것은 아니다: 미국 특허출원 제10/765,393; 미국 특허출원 제09/853,233호; 미국 특허출원 제10/022,722호; 미국 특허출원 제10/663,741호; 미국 특허출원 제09/988,984호; 미국 특허출원 제10/121,790호; 미국 특허출원 제09/941,544호; 미국 특허출원 제10/193,529호; 미국 특허출원 제10/100,450호; 미국 특허출원 제10/231,779호; 미국 특허출원 제10/893,299호; 미국 특허 제10/077,872호; 미국 특허출원 제10/865,903호; 미국 특허출원 제10/230,327호; 미국 특허출원 제09/943,190호; 미국 특허출원 제10/622,482호; 미국 특허출원 제10/081,594호; 미국 특허출원 제10/819,315호; 미국 특허출원 제11/062,436호; 미국 특허출원 제10/899,010호; 및 미국 특허출원 제10/796,000호.
도 13은 본 발명에 따라 구성되는 저항 가변 메모리 디바이스(201)를 갖는 적어도 하나의 메모리 회로(1326)를 포함하는 간략화된 프로세서 시스템(1300)을 도시한다. 메모리 회로는 대신에, 본 발명에 따라 구성되는 어떤 다른 저항 가변 메모리 디바이스 예컨대, 디바이스(401, 501, 601, 701, 801, 901, 1001, 1101)를 포함할 수 있다.
하나 이상의 프로세서, 예컨대, 컴퓨터, 전화기, PDA, 또는 다른 제어 시스템을 포함하는 어떤 시스템일 수 있는 도 13 프로세서 시스템(1300)은 통상적으로, 마이크로프로세서, 디지털 신호 프로세서, 또는 버스(1321)를 통해 입/출력(I/O) w장치(1325)와 통신하는 다른 프로그램 가능한 디지털 논리 장치와 같은 중앙 처리 장치(CPU)(1322)를 포함한다. 메모리 회로(1326)는 일반적으로 메모리 제어기를 통하여 버스(1321)를 통해 CPU(1322)와 통신한다.
컴퓨터 시스템의 경우에는, 프로세서 시스템(1300)은 버스(1321)를 통해 CPU(1322) 및 하드 드라이브(1324)와 또한 통신하는 컴팩트 디스크(CD) ROM 드라이브(1323)와 같은 주변 장치를 포함해도 된다. 원하는 경우, 메모리 회로(1326)는 단일 집적 회로에 프로세서 예컨대, CPU(1322)와 결합되어도 된다.
상기 설명 및 도면들은 본 발명의 특징 및 이점을 달성하는 예시적인 실시예의 설명으로만 간주된다. 특정 프로세스 상태 및 구조에 대한 변형 및 치환이 본 발명의 사상 및 범위를 벗어남 없이 이루어질 수 있다. 따라서, 본 발명은 이상의 설명 및 도면들에 의해 한정되는 것으로 보지 않고, 첨부되는 청구항들의 범위에 의해서만 제한된다.

Claims (64)

  1. 복수의 메모리 셀을 포함하는 메모리 디바이스로서, 적어도 하나의 메모리 셀은:
    제1 전극;
    상기 제1 전극과 접촉하는 저항 가변 재료;
    상기 저항 가변 재료와 접촉하고, 상기 제1 전극과 관련하여 제1 메모리 소자를 정의하는 제1의 제2 전극; 및
    상기 저항 가변 재료와 접촉하고, 상기 제1 전극과 관련하여 제2 메모리 소자를 정의하는 제2의 제2 전극을 포함하는, 메모리 디바이스.
  2. 청구항 1에 있어서, 복수의 메모리 셀을 더 포함하고, 상기 제2의 제2 전극은 적어도 2개의 메모리 셀과 관련되는, 메모리 디바이스.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 제2 전극들은 도전성 메사(mesa)인, 메모리 디바이스.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 전극들은 평면 사시도에서 원 형상을 갖는, 메모리 디바이스.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 전극들은 평면 사시도에서 고리 형상을 갖는, 메모리 디바이스.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 메모리 셀은 상기 저항 가변 재료와 접촉하고, 상기 제1 전극과 관련하여 제3 메모리 소자를 정의하는 제3의 제2 전극; 및
    상기 저항 가변 재료와 접촉하고, 상기 제1 전극과 관련하여 제4 메모리 소자를 정의하는 제4의 제2 전극을 더 포함하는, 메모리 디바이스.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 제1 전극들 및 상기 제2 전극들은 평면 사시도에서 대략 "+" 형상을 갖는, 메모리 디바이스.
  8. 청구항 6에 있어서, 복수의 메모리 셀을 더 포함하고, 각 제2 전극은 4개의 메모리 셀과 관련되는, 메모리 디바이스.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 저항 가변 재료는 상변화 재료를 포함하는, 메모리 디바이스.
  10. 프로세서; 및
    상기 프로세서에 연결되어 메모리 어레이를 포함하는 메모리 디바이스를 포함하는 프로세서 시스템으로서, 상기 메모리 어레이는,
    복수의 메모리 셀을 포함하고, 적어도 하나의 메모리 셀은,
    제1 전극, 상기 제1 전극과 접촉하는 저항 가변 재료의 제1 부분, 및 상기 저항 가변 재료의 제1 부분과 접촉하는 제1의 제2 전극을 포함하는 제1 메모리 소자; 및
    제1 전극, 상기 제1 전극과 접촉하는 저항 가변 재료의 제2 부분, 및 상기 저항 가변 재료의 제2 부분과 접촉하는 제2의 제2 전극을 포함하는 제2 메모리 소자를 포함하는, 프로세서 시스템.
  11. 청구항 10에 있어서, 상기 제2의 제2 전극은 적어도 2개의 메모리 셀과 관련되는, 프로세서 시스템.
  12. 청구항 10에 있어서, 상기 저항 가변 재료의 제1 및 제2 부분들은 인접하는, 프로세서 시스템.
  13. 청구항 10에 있어서, 상기 적어도 하나의 메모리 셀은,
    제1 전극, 상기 제1 전극과 접촉하는 저항 가변 재료의 제3 부분, 및 상변화 재료의 제3 부분과 접촉하는 제3의 제2 전극을 포함하는 제3 메모리 소자; 및
    제1 전극, 상기 제1 전극과 접촉하는 저항 가변 재료의 제4 부분, 및 상변화 재료의 제4 부분과 접촉하는 제4의 제2 전극을 포함하는 제4 메모리 소자를 더 포함하는, 프로세서 시스템.
  14. 청구항 13에 있어서, 각 제2 전극들은 4개의 메모리 셀과 관련되는, 프로세서 시스템.
  15. 제1 전극;
    상기 제1 전극과 접촉하는 저항 가변 재료의 적어도 하나의 층;
    저항 가변 재료의 상기 적어도 하나의 층의 제1 부분과 접촉하는 제1의 제2 전극;
    저항 가변 재료의 상기 적어도 하나의 층의 제2 부분과 접촉하는 제2의 제2 전극을 포함하는, 메모리 셀.
  16. 청구항 15에 있어서, 상기 제1 전극은 제1 절연층 내에 있는, 메모리 셀.
  17. 청구항 16에 있어서, 상기 제1 전극은 평면 사시도에서 원 형상을 갖는, 메모리 셀.
  18. 청구항 16에 있어서, 상기 적어도 하나의 저항 가변 재료층은 유전체 재료의 메사의 측벽 상에 있는, 메모리 셀.
  19. 청구항 16에 있어서, 상기 적어도 하나의 상변화 재료층은 제1 유전체층 내 의 개구의 측벽 상에 있는, 메모리 셀.
  20. 청구항 15에 있어서, 상기 제1 전극은 유전체 재료의 메사의 측벽 상에 있는, 메모리 셀.
  21. 청구항 20에 있어서, 상기 제1 전극은 평면 사시도에서 고리 형상을 갖는, 메모리 셀.
  22. 청구항 20에 있어서, 제1 및 제2 저항 가변 재료층을 더 포함하고, 상기 제1 저항 가변 재료층은 상기 제1 전극의 제1 부분과 접촉하며, 상기 제2 저항 가변 재료층은 상기 제1 전극의 제2 부분과 접촉하는, 메모리 셀.
  23. 청구항 22에 있어서, 상기 제1의 제2 전극은 상기 제1 저항 가변 재료층의 상면 및 측면을 따라 상기 제1 저항 가변 재료층과 접촉하는, 메모리 셀.
  24. 청구항 15에 있어서, 상기 제1 전극은 제1 유전체층 내의 개구의 측벽 상에 있는, 메모리 셀.
  25. 청구항 24에 있어서, 상기 제1 전극은 평면 사시도에서 고리 형상을 갖는, 메모리 셀.
  26. 청구항 24에 있어서, 제1 및 제2 저항 가변 재료층을 더 포함하고, 상기 제1 저항 가변 재료층은 상기 제1 전극의 제1 부분과 접촉하며, 상기 제2 저항 가변 재료층은 상기 제1 전극의 제2 부분과 접촉하는, 메모리 셀.
  27. 청구항 26에 있어서, 상기 제1의 제2 전극은 상기 제1 저항 가변 재료층의 상면 및 측면을 따라 상기 제1 저항 가변 재료층과 접촉하는, 메모리 셀.
  28. 청구항 15에 있어서, 제1 및 제2 저항 가변 재료층을 더 포함하고, 상기 제1 및 제2의 제2 전극들은 도전성 메사이고, 상기 제1 저항 가변 재료층은 상기 제1의 제2 전극의 측벽 상에 있으며, 상기 제2 저항 가변 재료층은 상기 제2의 제2 전극의 측벽 상에 있는, 메모리 셀.
  29. 청구항 15에 있어서, 상기 저항 가변 재료의 적어도 하나의 층의 제3 부분과 접촉하는 제3의 제2 전극 및 상기 저항 가변 재료의 적어도 하나의 층의 제4 부분과 접촉하는 제4의 제2 전극을 더 포함하는, 메모리 셀.
  30. 청구항 29에 있어서, 상기 제1 전극은 평면 사시도에서 대략 "+" 형상을 갖는, 메모리 셀.
  31. 청구항 15에 있어서, 상기 저항 가변 재료는 상변화 재료인, 메모리 셀.
  32. 제1 유전체층 내의 제1 전극;
    상기 제1 전극 및 제1 유전체층 위의 제2 유전체층;
    상기 제2 유전체층 내의 개구로서, 경사진 측벽을 갖는 개구;
    상기 측벽의 적어도 일부분 상의 상변화 재료;
    상기 개구를 충전하는 제3 유전체층;
    상기 상변화 재료의 제1 부분과 접촉하는 제1의 제2 전극; 및
    상기 상변화 재료의 제2 부분과 접촉하는 제2의 제2 전극을 포함하는, 메모리 셀.
  33. 청구항 32에 있어서, 상기 상변화 재료는 상기 개구의 상기 측벽의 전체를 덮는, 메모리 셀.
  34. 청구항 32에 있어서, 상기 제1 전극은 평면 사시도에서 원 형상을 갖는, 메모리 셀.
  35. 제1 유전체층 내의 제1 전극;
    상기 제1 전극 위의 유전체 메사로서, 경사진 측벽을 갖는 유전체 메사;
    상기 측벽의 적어도 일부분 상의 상변화 재료;
    상기 상변화 재료의 제1 부분과 접촉하는 제1의 제2 전극; 및
    상기 상변화 재료의 제2 부분과 접촉하는 제2의 제2 전극을 포함하는, 메모리 셀.
  36. 청구항 35에 있어서, 상기 상변화 재료는 상기 메사의 상기 측벽의 전체를 덮는, 메모리 셀.
  37. 청구항 35에 있어서, 상기 제1 전극은 평면 사시도에서 원 형상을 갖는, 메모리 셀.
  38. 제1 유전체층 내의 도전성 플러그;
    상기 도전성 플러그 및 제1 유전체층 위의 제2 유전체층;
    상기 제2 유전체층 내의 개구로서, 경사진 측벽을 갖는 개구;
    상기 측벽의 적어도 일부분 상의 도전성 재료로서, 제1 전극으로서의 역할을 하는 도전성 재료;
    상기 개구를 충전시키는 제3 유전체층;
    상기 제1 전극의 제1 부분과 접촉하는 상변화 재료의 제1 층;
    상기 제1 전극의 제2 부분과 접촉하는 상변화 재료의 제2 층;
    상기 상변화 재료의 제1 층 위의 제1의 제2 전극; 및
    상기 상변화 재료의 제2 층 위의 제2의 제2 전극을 포함하는, 메모리 셀.
  39. 청구항 38에 있어서, 상기 도전성 재료는 상기 개구의 상기 측벽의 전체를 덮는, 메모리 셀.
  40. 청구항 38에 있어서, 상기 개구는 평면 사시도에서 원 형상을 갖는, 메모리 셀.
  41. 제1 유전체층 내의 제1 도전성 플러그;
    제1 전극 위의 유전체 메사로서, 경사진 측벽을 갖는 유전체 메사;
    상기 측벽의 적어도 일부분 상의 도전성 재료로서, 제1 전극으로서의 역할을 하는 도전성 재료;
    상기 제1 전극 및 상기 유전체 메사 위의 제3 유전체층;
    상기 제1 전극의 제1 부분과 접촉하는 상변화 재료의 제1 층;
    상기 제1 전극의 제2 부분과 접촉하는 상변화 재료의 제2 층;
    상기 상변화 재료의 제1 층 위의 제1의 제2 전극; 및
    상기 상변화 재료의 제2 층 위의 제2의 제2 전극을 포함하는, 메모리 셀.
  42. 청구항 41에 있어서, 상기 상변화 재료는 상기 메사의 상기 측벽의 전체를 덮는, 메모리 셀.
  43. 청구항 41에 있어서, 상기 메사는 평면 사시도에서 원 형상을 갖는, 메모리 셀.
  44. 제1 유전체층 내의 제1 전극;
    상기 제1 전극의 제1 부분 위의 유전체 재료의 제1 층;
    상기 제1 유전체층 위의 제1의 제2 전극;
    상기 제1 전극의 제2 부분 위의 유전체 재료의 제2 층;
    상기 제2 유전체층 위의 제2의 제2 전극;
    상기 제1 유전체층 및 상기 제1의 제2 전극의 측벽의 적어도 일부분 상의 상변화 재료의 제1 층으로서, 상기 제1 전극과 접촉하는 상변화 재료의 제1 층; 및
    상기 제2 유전체층 및 상기 제2의 제2 전극의 측벽의 적어도 일부분 상의 상변화 재료의 제2 층으로서, 상기 제1 전극과 접촉하는 상변화 재료의 제2 층을 포함하는, 메모리 셀.
  45. 청구항 44에 있어서, 상기 제1의 제2 전극 및 상기 제2의 제2 전극의 적어도 하나의 상기 측벽은 경사져 있는, 메모리 셀.
  46. 청구항 44에 있어서, 상기 제1의 제2 전극 및 제1 유전체층은 제1 메사로서 구성되고, 상기 제2의 제2 전극 및 제2 유전체층은 제2 메사로서 구성되는, 메모리 셀.
  47. 청구항 46에 있어서, 상기 제1 및 제2 메사는 평면 사시도에서 직사각형 형상을 갖는, 메모리 셀.
  48. 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극과 접촉하는 저항 가변 재료의 적어도 하나의 층을 형성하는 단계;
    상기 저항 가변 재료의 적어도 하나의 층의 제1 부분과 접촉하는 제1의 제2 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 저항 가변 재료의 적어도 하나의 층의 제2 부분과 접촉하는 제2의 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 메모리 셀의 형성 방법.
  49. 청구항 48에 있어서, 기판 위에 제1 유전체층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 전극을 형성하는 단계는 제1 절연층 내에 상기 제1 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 메모리 셀의 형성 방법.
  50. 청구항 49에 있어서, 상기 제1 전극은 평면 사시도에서 원 형상을 갖고 형성되는, 메모리 셀의 형성 방법.
  51. 청구항 49에 있어서, 상기 제1 전극 위에 유전체 메사를 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 적어도 하나의 저항 가변 재료층은 상기 유전체 메사의 측벽 상에 형성되는, 메모리 셀의 형성 방법.
  52. 청구항 48에 있어서,
    상기 제1 전극 및 제1 유전체층 위에 제2 유전체층을 형성하는 단계, 및
    상기 제2 유전체층 내에 경사진 측벽을 갖는 개구를 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 적어도 하나의 저항 가변 재료층은 상기 개구의 측벽 상에 형성되는, 메모리 셀의 형성 방법.
  53. 청구항 48에 있어서,
    기판 위에 제1 유전체층을 형성하는 단계;
    상기 제1 유전체층 내에 제1 도전성 플러그를 형성하는 단계; 및
    상기 제1 도전성 플러그 위에 유전체 메사를 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 유전체 메사의 측벽 상에 형성되는, 메모리 셀의 형성 방법.
  54. 청구항 53에 있어서, 제1 및 제2 저항 가변 재료층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 저항 가변 재료층은 상기 제1 전극의 제1 부분과 접촉하여 형성되며, 상기 제2 저항 가변 재료층은 상기 제1 전극의 제2 부분과 접촉하여 형성되는, 메모리 셀의 형성 방법.
  55. 청구항 54에 있어서, 상기 제1의 제2 전극은 상기 제1 저항 가변 재료층의 상면 및 측면을 따라 상기 제1 저항 가변 재료층과 접촉하여 형성되는, 메모리 셀의 형성 방법.
  56. 청구항 53에 있어서, 상기 제1 전극은 평면 사시도에서 고리 형상을 갖고 형성되는, 메모리 셀의 형성 방법.
  57. 청구항 48에 있어서,
    기판 위에 제1 유전체층을 형성하는 단계;
    상기 제1 유전체층 내에 제1 도전성 플러그를 형성하는 단계;
    상기 제1 도전성 플러그 및 상기 제1 유전체층 위에 제2 유전체층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 유전체층 내에 개구를 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 개구는 경사진 측벽을 갖고, 상기 제1 전극은 상기 개구의 측벽 상에 형성되는, 메모리 셀의 형성 방법.
  58. 청구항 57에 있어서, 제1 및 제2 저항 가변 재료층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 저항 가변 재료층은 상기 제1 전극의 제1 부분과 접촉하여 형성되며, 상기 제2 저항 가변 재료층은 상기 제1 전극의 제2 부분과 접촉하여 형성되는, 메모리 셀의 형성 방법.
  59. 청구항 58에 있어서, 상기 제1의 제2 전극은 상기 제1 저항 가변 재료층의 상면 및 측면을 따라 상기 제1 저항 가변 재료층과 접촉하여 형성되는, 메모리 셀의 형성 방법.
  60. 청구항 57에 있어서, 상기 제1 전극은 평면 사시도에서 고리 형상을 갖고 형성되는, 메모리 셀의 형성 방법.
  61. 청구항 48에 있어서, 제1 및 제2 상변화 재료층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 및 제2의 제2 전극을 형성하는 단계는 제1 및 제2 전극 라인을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제1 저항 가변 재료층은 상기 제1의 제2 전극의 측벽 상에 형성되며, 상기 제2 저항 가변 재료층은 상기 제2의 제2 전극의 측벽 상에 형성되는, 메모리 셀의 형성 방법.
  62. 청구항 48에 있어서,
    상기 저항 가변 재료 위에, 상기 제1 전극과 관련되어 제3 메모리 소자를 정의하는 제3의 제2 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 저항 가변 재료 위에, 상기 제1 전극과 관련되어 제4 메모리 소자를 정의하는 제4의 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는, 메모리 셀의 형성 방법.
  63. 청구항 62에 있어서, 상기 제1 전극은 평면 사시도에서 대략 "+" 형상을 갖고 형성되는, 메모리 셀의 형성 방법.
  64. 청구항 48에 있어서, 상기 저항 가변 재료는 상변화 재료를 포함하는, 메모리 셀의 형성 방법.
KR1020097006441A 2006-08-29 2007-08-06 향상된 메모리 밀도 저항 가변 메모리 셀, 그것을 포함하는어레이, 디바이스 및 시스템, 및 제조 방법 KR101169500B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/511,311 US7560723B2 (en) 2006-08-29 2006-08-29 Enhanced memory density resistance variable memory cells, arrays, devices and systems including the same, and methods of fabrication
US11/511,311 2006-08-29
PCT/US2007/017481 WO2008027163A2 (en) 2006-08-29 2007-08-06 Enhanced memory density resistance variable memory cells, arrays, devices and systems including the same, and methods of fabrication

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117011801A Division KR101159488B1 (ko) 2006-08-29 2007-08-06 향상된 메모리 밀도 저항 가변 메모리 셀, 그것을 포함하는 어레이, 디바이스 및 시스템, 및 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090046965A true KR20090046965A (ko) 2009-05-11
KR101169500B1 KR101169500B1 (ko) 2012-07-30

Family

ID=38982722

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097006441A KR101169500B1 (ko) 2006-08-29 2007-08-06 향상된 메모리 밀도 저항 가변 메모리 셀, 그것을 포함하는어레이, 디바이스 및 시스템, 및 제조 방법
KR1020117011801A KR101159488B1 (ko) 2006-08-29 2007-08-06 향상된 메모리 밀도 저항 가변 메모리 셀, 그것을 포함하는 어레이, 디바이스 및 시스템, 및 제조 방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117011801A KR101159488B1 (ko) 2006-08-29 2007-08-06 향상된 메모리 밀도 저항 가변 메모리 셀, 그것을 포함하는 어레이, 디바이스 및 시스템, 및 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (3) US7560723B2 (ko)
EP (5) EP2062305B1 (ko)
KR (2) KR101169500B1 (ko)
CN (1) CN101523629B (ko)
WO (1) WO2008027163A2 (ko)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7952087B2 (en) * 1999-03-25 2011-05-31 Ovonyx, Inc. Phase change device with offset contact
US7427770B2 (en) 2005-04-22 2008-09-23 Micron Technology, Inc. Memory array for increased bit density
US9178141B2 (en) 2006-04-04 2015-11-03 Micron Technology, Inc. Memory elements using self-aligned phase change material layers and methods of manufacturing same
US7812334B2 (en) * 2006-04-04 2010-10-12 Micron Technology, Inc. Phase change memory elements using self-aligned phase change material layers and methods of making and using same
US7560723B2 (en) 2006-08-29 2009-07-14 Micron Technology, Inc. Enhanced memory density resistance variable memory cells, arrays, devices and systems including the same, and methods of fabrication
FR2913523B1 (fr) * 2007-03-09 2009-06-05 Commissariat Energie Atomique Disposistif de memorisation de donnees multi-niveaux a materiau a changement de phase
TWI343642B (en) * 2007-04-24 2011-06-11 Ind Tech Res Inst Phase-change memory devices and methods for fabricating the same
US7964861B2 (en) * 2007-11-06 2011-06-21 Ovonyx, Inc. Method and apparatus for reducing programmed volume of phase change memory
KR100929639B1 (ko) * 2008-01-18 2009-12-03 주식회사 하이닉스반도체 상변화 기억 소자 및 그의 제조방법
US7961506B2 (en) 2008-02-05 2011-06-14 Micron Technology, Inc. Multiple memory cells with rectifying device
KR20100076274A (ko) * 2008-12-26 2010-07-06 주식회사 하이닉스반도체 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법
JP5446393B2 (ja) * 2009-04-02 2014-03-19 ソニー株式会社 記憶素子とその製造方法および半導体記憶装置
US8058095B2 (en) 2009-06-23 2011-11-15 Micron Technology, Inc. Encapsulated phase change cell structures and methods
US8541765B2 (en) * 2010-05-25 2013-09-24 Micron Technology, Inc. Resistance variable memory cell structures and methods
JP5380481B2 (ja) * 2011-03-07 2014-01-08 株式会社東芝 記憶装置およびその製造方法
US8962384B2 (en) * 2012-01-20 2015-02-24 Micron Technology, Inc. Memory cells having heaters with angled sidewalls
US8536562B2 (en) * 2012-02-22 2013-09-17 Micron Technology, Inc. Methods of forming memory structures and methods of forming memory arrays
US8877628B2 (en) 2012-07-12 2014-11-04 Micron Technologies, Inc. Methods of forming nano-scale pores, nano-scale electrical contacts, and memory devices including nano-scale electrical contacts, and related structures and devices
US8853665B2 (en) 2012-07-18 2014-10-07 Micron Technology, Inc. Semiconductor constructions, memory cells, memory arrays and methods of forming memory cells
US8686394B2 (en) 2012-07-18 2014-04-01 Micron Technology, Inc. Semiconductor constructions and memory arrays
US9166159B2 (en) 2013-05-23 2015-10-20 Micron Technology, Inc. Semiconductor constructions and methods of forming memory cells
US9865811B2 (en) 2015-02-10 2018-01-09 Eugeniy Troyan Semiconductor memory devices for use in electrically alterable read only memory (ROM) and semiconductor thin film devices (spintrons and spin-orbitrons)
US20160233420A1 (en) * 2015-02-10 2016-08-11 Eugeniy Troyan SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES FOR USE IN ELECTRICALLY ALTERABLE READ ONLY MEMORY (ROM) AND SEMICONDUCTOR THIN FILM DEVICES (SPINTRONS and SPIN-ORBITRONS)
US9564585B1 (en) * 2015-09-03 2017-02-07 HGST Netherlands B.V. Multi-level phase change device
CN108123033B (zh) * 2016-11-29 2021-06-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 阻变随机存储器存储单元及其制作方法、电子装置
US11158788B2 (en) * 2018-10-30 2021-10-26 International Business Machines Corporation Atomic layer deposition and physical vapor deposition bilayer for additive patterning
US11177436B2 (en) * 2019-04-25 2021-11-16 International Business Machines Corporation Resistive memory with embedded metal oxide fin for gradual switching
US11600664B2 (en) 2020-01-16 2023-03-07 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Memory devices and methods of forming memory devices
US11502250B2 (en) * 2020-05-26 2022-11-15 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Memory devices and methods of forming memory devices

Family Cites Families (228)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US765393A (en) 1904-03-14 1904-07-19 William A Moeller Thill-support.
US853233A (en) 1907-02-11 1907-05-14 Alois Flad Propeller.
US2272201A (en) 1939-07-28 1942-02-10 Cons Eng Corp Method and apparatus for signaling
US3271591A (en) 1963-09-20 1966-09-06 Energy Conversion Devices Inc Symmetrical current controlling device
US3622319A (en) 1966-10-20 1971-11-23 Western Electric Co Nonreflecting photomasks and methods of making same
US3868651A (en) 1970-08-13 1975-02-25 Energy Conversion Devices Inc Method and apparatus for storing and reading data in a memory having catalytic material to initiate amorphous to crystalline change in memory structure
US3743847A (en) 1971-06-01 1973-07-03 Motorola Inc Amorphous silicon film as a uv filter
US4267261A (en) 1971-07-15 1981-05-12 Energy Conversion Devices, Inc. Method for full format imaging
US3961314A (en) 1974-03-05 1976-06-01 Energy Conversion Devices, Inc. Structure and method for producing an image
US3966317A (en) 1974-04-08 1976-06-29 Energy Conversion Devices, Inc. Dry process production of archival microform records from hard copy
US4177474A (en) 1977-05-18 1979-12-04 Energy Conversion Devices, Inc. High temperature amorphous semiconductor member and method of making the same
JPS5565365A (en) 1978-11-07 1980-05-16 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Pattern forming method
DE2901303C2 (de) 1979-01-15 1984-04-19 Max Planck Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V., 3400 Goettingen Festes Ionenleitermaterial, seine Verwendung und Verfahren zu dessen Herstellung
US4312938A (en) 1979-07-06 1982-01-26 Drexler Technology Corporation Method for making a broadband reflective laser recording and data storage medium with absorptive underlayer
US4269935A (en) 1979-07-13 1981-05-26 Ionomet Company, Inc. Process of doping silver image in chalcogenide layer
US4316946A (en) 1979-12-03 1982-02-23 Ionomet Company, Inc. Surface sensitized chalcogenide product and process for making and using the same
US4499557A (en) 1980-10-28 1985-02-12 Energy Conversion Devices, Inc. Programmable cell for use in programmable electronic arrays
US4405710A (en) 1981-06-22 1983-09-20 Cornell Research Foundation, Inc. Ion beam exposure of (g-Gex -Se1-x) inorganic resists
US4737379A (en) 1982-09-24 1988-04-12 Energy Conversion Devices, Inc. Plasma deposited coatings, and low temperature plasma method of making same
US4545111A (en) 1983-01-18 1985-10-08 Energy Conversion Devices, Inc. Method for making, parallel preprogramming or field programming of electronic matrix arrays
US4608296A (en) 1983-12-06 1986-08-26 Energy Conversion Devices, Inc. Superconducting films and devices exhibiting AC to DC conversion
US4795657A (en) 1984-04-13 1989-01-03 Energy Conversion Devices, Inc. Method of fabricating a programmable array
US4769338A (en) 1984-05-14 1988-09-06 Energy Conversion Devices, Inc. Thin film field effect transistor and method of making same
US4673957A (en) 1984-05-14 1987-06-16 Energy Conversion Devices, Inc. Integrated circuit compatible thin film field effect transistor and method of making same
US4670763A (en) 1984-05-14 1987-06-02 Energy Conversion Devices, Inc. Thin film field effect transistor
US4668968A (en) 1984-05-14 1987-05-26 Energy Conversion Devices, Inc. Integrated circuit compatible thin film field effect transistor and method of making same
US4843443A (en) 1984-05-14 1989-06-27 Energy Conversion Devices, Inc. Thin film field effect transistor and method of making same
US4678679A (en) 1984-06-25 1987-07-07 Energy Conversion Devices, Inc. Continuous deposition of activated process gases
US4646266A (en) 1984-09-28 1987-02-24 Energy Conversion Devices, Inc. Programmable semiconductor structures and methods for using the same
US4664939A (en) 1985-04-01 1987-05-12 Energy Conversion Devices, Inc. Vertical semiconductor processor
US4637895A (en) 1985-04-01 1987-01-20 Energy Conversion Devices, Inc. Gas mixtures for the vapor deposition of semiconductor material
US4710899A (en) 1985-06-10 1987-12-01 Energy Conversion Devices, Inc. Data storage medium incorporating a transition metal for increased switching speed
US4671618A (en) 1986-05-22 1987-06-09 Wu Bao Gang Liquid crystalline-plastic material having submillisecond switch times and extended memory
US4766471A (en) 1986-01-23 1988-08-23 Energy Conversion Devices, Inc. Thin film electro-optical devices
US4818717A (en) 1986-06-27 1989-04-04 Energy Conversion Devices, Inc. Method for making electronic matrix arrays
US4728406A (en) 1986-08-18 1988-03-01 Energy Conversion Devices, Inc. Method for plasma - coating a semiconductor body
US4845533A (en) 1986-08-22 1989-07-04 Energy Conversion Devices, Inc. Thin film electrical devices with amorphous carbon electrodes and method of making same
US4809044A (en) 1986-08-22 1989-02-28 Energy Conversion Devices, Inc. Thin film overvoltage protection devices
US4853785A (en) 1986-10-15 1989-08-01 Energy Conversion Devices, Inc. Electronic camera including electronic signal storage cartridge
US4788594A (en) 1986-10-15 1988-11-29 Energy Conversion Devices, Inc. Solid state electronic camera including thin film matrix of photosensors
US4847674A (en) 1987-03-10 1989-07-11 Advanced Micro Devices, Inc. High speed interconnect system with refractory non-dogbone contacts and an active electromigration suppression mechanism
US4800526A (en) 1987-05-08 1989-01-24 Gaf Corporation Memory element for information storage and retrieval system and associated process
US4891330A (en) 1987-07-27 1990-01-02 Energy Conversion Devices, Inc. Method of fabricating n-type and p-type microcrystalline semiconductor alloy material including band gap widening elements
US4775425A (en) 1987-07-27 1988-10-04 Energy Conversion Devices, Inc. P and n-type microcrystalline semiconductor alloy material including band gap widening elements, devices utilizing same
US5272359A (en) 1988-04-07 1993-12-21 California Institute Of Technology Reversible non-volatile switch based on a TCNQ charge transfer complex
GB8910854D0 (en) 1989-05-11 1989-06-28 British Petroleum Co Plc Semiconductor device
US5159661A (en) 1990-10-05 1992-10-27 Energy Conversion Devices, Inc. Vertically interconnected parallel distributed processor
US5314772A (en) 1990-10-09 1994-05-24 Arizona Board Of Regents High resolution, multi-layer resist for microlithography and method therefor
JPH0770731B2 (ja) 1990-11-22 1995-07-31 松下電器産業株式会社 電気可塑性素子
US5536947A (en) 1991-01-18 1996-07-16 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory element and arrays fabricated therefrom
US5534711A (en) 1991-01-18 1996-07-09 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom
US5166758A (en) 1991-01-18 1992-11-24 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable phase change memory
US5296716A (en) 1991-01-18 1994-03-22 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom
US5534712A (en) 1991-01-18 1996-07-09 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable memory elements characterized by reduced current and improved thermal stability
US5341328A (en) 1991-01-18 1994-08-23 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable memory elements having reduced switching current requirements and increased write/erase cycle life
US5406509A (en) 1991-01-18 1995-04-11 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom
US5414271A (en) 1991-01-18 1995-05-09 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable memory elements having improved set resistance stability
US5335219A (en) 1991-01-18 1994-08-02 Ovshinsky Stanford R Homogeneous composition of microcrystalline semiconductor material, semiconductor devices and directly overwritable memory elements fabricated therefrom, and arrays fabricated from the memory elements
US5596522A (en) 1991-01-18 1997-01-21 Energy Conversion Devices, Inc. Homogeneous compositions of microcrystalline semiconductor material, semiconductor devices and directly overwritable memory elements fabricated therefrom, and arrays fabricated from the memory elements
US5128099A (en) 1991-02-15 1992-07-07 Energy Conversion Devices, Inc. Congruent state changeable optical memory material and device
US5219788A (en) 1991-02-25 1993-06-15 Ibm Corporation Bilayer metallization cap for photolithography
US5177567A (en) 1991-07-19 1993-01-05 Energy Conversion Devices, Inc. Thin-film structure for chalcogenide electrical switching devices and process therefor
US5359205A (en) 1991-11-07 1994-10-25 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable memory elements characterized by reduced current and improved thermal stability
US5238862A (en) 1992-03-18 1993-08-24 Micron Technology, Inc. Method of forming a stacked capacitor with striated electrode
US5512328A (en) 1992-08-07 1996-04-30 Hitachi, Ltd. Method for forming a pattern and forming a thin film used in pattern formation
US5350484A (en) 1992-09-08 1994-09-27 Intel Corporation Method for the anisotropic etching of metal films in the fabrication of interconnects
US5818749A (en) 1993-08-20 1998-10-06 Micron Technology, Inc. Integrated circuit memory device
BE1007902A3 (nl) 1993-12-23 1995-11-14 Philips Electronics Nv Schakelelement met geheugen voorzien van schottky tunnelbarriere.
US5500532A (en) 1994-08-18 1996-03-19 Arizona Board Of Regents Personal electronic dosimeter
JP2643870B2 (ja) 1994-11-29 1997-08-20 日本電気株式会社 半導体記憶装置の製造方法
US5543737A (en) 1995-02-10 1996-08-06 Energy Conversion Devices, Inc. Logical operation circuit employing two-terminal chalcogenide switches
US5686761A (en) * 1995-06-06 1997-11-11 Advanced Micro Devices, Inc. Production worthy interconnect process for deep sub-half micrometer back-end-of-line technology
US5751012A (en) 1995-06-07 1998-05-12 Micron Technology, Inc. Polysilicon pillar diode for use in a non-volatile memory cell
US5789758A (en) 1995-06-07 1998-08-04 Micron Technology, Inc. Chalcogenide memory cell with a plurality of chalcogenide electrodes
US5879955A (en) 1995-06-07 1999-03-09 Micron Technology, Inc. Method for fabricating an array of ultra-small pores for chalcogenide memory cells
US6420725B1 (en) 1995-06-07 2002-07-16 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for forming an integrated circuit electrode having a reduced contact area
EP0835527B1 (en) 1995-06-07 2001-08-16 Micron Technology, Inc. A stack/trench diode for use with a multi-state material in a non-volatile memory cell
US5869843A (en) 1995-06-07 1999-02-09 Micron Technology, Inc. Memory array having a multi-state element and method for forming such array or cells thereof
US5714768A (en) 1995-10-24 1998-02-03 Energy Conversion Devices, Inc. Second-layer phase change memory array on top of a logic device
US5694054A (en) 1995-11-28 1997-12-02 Energy Conversion Devices, Inc. Integrated drivers for flat panel displays employing chalcogenide logic elements
US5591501A (en) 1995-12-20 1997-01-07 Energy Conversion Devices, Inc. Optical recording medium having a plurality of discrete phase change data recording points
US6653733B1 (en) 1996-02-23 2003-11-25 Micron Technology, Inc. Conductors in semiconductor devices
US5687112A (en) 1996-04-19 1997-11-11 Energy Conversion Devices, Inc. Multibit single cell memory element having tapered contact
US5852870A (en) 1996-04-24 1998-12-29 Amkor Technology, Inc. Method of making grid array assembly
US5851882A (en) 1996-05-06 1998-12-22 Micron Technology, Inc. ZPROM manufacture and design and methods for forming thin structures using spacers as an etching mask
US5761115A (en) 1996-05-30 1998-06-02 Axon Technologies Corporation Programmable metallization cell structure and method of making same
US5814527A (en) 1996-07-22 1998-09-29 Micron Technology, Inc. Method of making small pores defined by a disposable internal spacer for use in chalcogenide memories
US5789277A (en) 1996-07-22 1998-08-04 Micron Technology, Inc. Method of making chalogenide memory device
US5998244A (en) 1996-08-22 1999-12-07 Micron Technology, Inc. Memory cell incorporating a chalcogenide element and method of making same
US6087674A (en) 1996-10-28 2000-07-11 Energy Conversion Devices, Inc. Memory element with memory material comprising phase-change material and dielectric material
US5825046A (en) 1996-10-28 1998-10-20 Energy Conversion Devices, Inc. Composite memory material comprising a mixture of phase-change memory material and dielectric material
US5846889A (en) 1997-03-14 1998-12-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Infrared transparent selenide glasses
US5998066A (en) 1997-05-16 1999-12-07 Aerial Imaging Corporation Gray scale mask and depth pattern transfer technique using inorganic chalcogenide glass
US6031287A (en) 1997-06-18 2000-02-29 Micron Technology, Inc. Contact structure and memory element incorporating the same
US5933365A (en) 1997-06-19 1999-08-03 Energy Conversion Devices, Inc. Memory element with energy control mechanism
US6051511A (en) 1997-07-31 2000-04-18 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for reducing isolation stress in integrated circuits
US6617192B1 (en) * 1997-10-01 2003-09-09 Ovonyx, Inc. Electrically programmable memory element with multi-regioned contact
ATE235093T1 (de) 1997-12-04 2003-04-15 Axon Technologies Corp Programmierbare metallisierungsstruktur mit oberflächennaher verfestigung undherstellungsverfahren dafür
US6011757A (en) 1998-01-27 2000-01-04 Ovshinsky; Stanford R. Optical recording media having increased erasability
US6243605B1 (en) 1998-05-06 2001-06-05 Cardiac Pacemakers, Inc. Cardiac rhythm management system having multi-capacitor module
US6297170B1 (en) 1998-06-23 2001-10-02 Vlsi Technology, Inc. Sacrificial multilayer anti-reflective coating for mos gate formation
US5912839A (en) 1998-06-23 1999-06-15 Energy Conversion Devices, Inc. Universal memory element and method of programming same
US6141241A (en) 1998-06-23 2000-10-31 Energy Conversion Devices, Inc. Universal memory element with systems employing same and apparatus and method for reading, writing and programming same
US6469364B1 (en) 1998-08-31 2002-10-22 Arizona Board Of Regents Programmable interconnection system for electrical circuits
US6388324B2 (en) 1998-08-31 2002-05-14 Arizona Board Of Regents Self-repairing interconnections for electrical circuits
US6635914B2 (en) 2000-09-08 2003-10-21 Axon Technologies Corp. Microelectronic programmable device and methods of forming and programming the same
US6825489B2 (en) 2001-04-06 2004-11-30 Axon Technologies Corporation Microelectronic device, structure, and system, including a memory structure having a variable programmable property and method of forming the same
US6487106B1 (en) 1999-01-12 2002-11-26 Arizona Board Of Regents Programmable microelectronic devices and method of forming and programming same
US6177338B1 (en) 1999-02-08 2001-01-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Two step barrier process
US6072716A (en) 1999-04-14 2000-06-06 Massachusetts Institute Of Technology Memory structures and methods of making same
US6143604A (en) 1999-06-04 2000-11-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for fabricating small-size two-step contacts for word-line strapping on dynamic random access memory (DRAM)
US6350679B1 (en) 1999-08-03 2002-02-26 Micron Technology, Inc. Methods of providing an interlevel dielectric layer intermediate different elevation conductive metal layers in the fabrication of integrated circuitry
US6423628B1 (en) 1999-10-22 2002-07-23 Lsi Logic Corporation Method of forming integrated circuit structure having low dielectric constant material and having silicon oxynitride caps over closely spaced apart metal lines
US6927411B2 (en) 2000-02-11 2005-08-09 Axon Technologies Corporation Programmable structure, an array including the structure, and methods of forming the same
US6914802B2 (en) 2000-02-11 2005-07-05 Axon Technologies Corporation Microelectronic photonic structure and device and method of forming the same
US6865117B2 (en) 2000-02-11 2005-03-08 Axon Technologies Corporation Programming circuit for a programmable microelectronic device, system including the circuit, and method of forming the same
US6373751B1 (en) * 2000-05-15 2002-04-16 Enhanced Memory Systems, Inc. Packet-based integrated circuit dynamic random access memory device incorporating an on-chip row register cache to reduce data access latencies
US7247876B2 (en) 2000-06-30 2007-07-24 Intel Corporation Three dimensional programmable device and method for fabricating the same
US6501111B1 (en) 2000-06-30 2002-12-31 Intel Corporation Three-dimensional (3D) programmable device
US6563156B2 (en) 2001-03-15 2003-05-13 Micron Technology, Inc. Memory elements and methods for making same
US6440837B1 (en) 2000-07-14 2002-08-27 Micron Technology, Inc. Method of forming a contact structure in a semiconductor device
US6625914B1 (en) * 2000-09-15 2003-09-30 Alexander M. Sud Three-dimensional decoration with raised image and filler
US6555860B2 (en) 2000-09-29 2003-04-29 Intel Corporation Compositionally modified resistive electrode
US6563164B2 (en) 2000-09-29 2003-05-13 Ovonyx, Inc. Compositionally modified resistive electrode
US6339544B1 (en) 2000-09-29 2002-01-15 Intel Corporation Method to enhance performance of thermal resistor device
US6567293B1 (en) 2000-09-29 2003-05-20 Ovonyx, Inc. Single level metal memory cell using chalcogenide cladding
US6404665B1 (en) 2000-09-29 2002-06-11 Intel Corporation Compositionally modified resistive electrode
US6429064B1 (en) 2000-09-29 2002-08-06 Intel Corporation Reduced contact area of sidewall conductor
US6653193B2 (en) 2000-12-08 2003-11-25 Micron Technology, Inc. Resistance variable device
US6649928B2 (en) 2000-12-13 2003-11-18 Intel Corporation Method to selectively remove one side of a conductive bottom electrode of a phase-change memory cell and structure obtained thereby
US6696355B2 (en) 2000-12-14 2004-02-24 Ovonyx, Inc. Method to selectively increase the top resistance of the lower programming electrode in a phase-change memory
US6437383B1 (en) 2000-12-21 2002-08-20 Intel Corporation Dual trench isolation for a phase-change memory cell and method of making same
US6569705B2 (en) 2000-12-21 2003-05-27 Intel Corporation Metal structure for a phase-change memory device
US6534781B2 (en) 2000-12-26 2003-03-18 Ovonyx, Inc. Phase-change memory bipolar array utilizing a single shallow trench isolation for creating an individual active area region for two memory array elements and one bipolar base contact
US6646297B2 (en) 2000-12-26 2003-11-11 Ovonyx, Inc. Lower electrode isolation in a double-wide trench
US6531373B2 (en) 2000-12-27 2003-03-11 Ovonyx, Inc. Method of forming a phase-change memory cell using silicon on insulator low electrode in charcogenide elements
US6687427B2 (en) 2000-12-29 2004-02-03 Intel Corporation Optic switch
US6638820B2 (en) 2001-02-08 2003-10-28 Micron Technology, Inc. Method of forming chalcogenide comprising devices, method of precluding diffusion of a metal into adjacent chalcogenide material, and chalcogenide comprising devices
US6727192B2 (en) 2001-03-01 2004-04-27 Micron Technology, Inc. Methods of metal doping a chalcogenide material
US6348365B1 (en) 2001-03-02 2002-02-19 Micron Technology, Inc. PCRAM cell manufacturing
US6818481B2 (en) 2001-03-07 2004-11-16 Micron Technology, Inc. Method to manufacture a buried electrode PCRAM cell
US6734455B2 (en) 2001-03-15 2004-05-11 Micron Technology, Inc. Agglomeration elimination for metal sputter deposition of chalcogenides
US6473332B1 (en) 2001-04-04 2002-10-29 The University Of Houston System Electrically variable multi-state resistance computing
EP1397809B1 (en) 2001-05-07 2007-06-27 Advanced Micro Devices, Inc. A memory device with a self-assembled polymer film and method of making the same
US7102150B2 (en) 2001-05-11 2006-09-05 Harshfield Steven T PCRAM memory cell and method of making same
US6480438B1 (en) 2001-06-12 2002-11-12 Ovonyx, Inc. Providing equal cell programming conditions across a large and high density array of phase-change memory cells
US6589714B2 (en) 2001-06-26 2003-07-08 Ovonyx, Inc. Method for making programmable resistance memory element using silylated photoresist
US6613604B2 (en) 2001-08-02 2003-09-02 Ovonyx, Inc. Method for making small pore for use in programmable resistance memory element
US6462984B1 (en) 2001-06-29 2002-10-08 Intel Corporation Biasing scheme of floating unselected wordlines and bitlines of a diode-based memory array
US6487113B1 (en) 2001-06-29 2002-11-26 Ovonyx, Inc. Programming a phase-change memory with slow quench time
US6570784B2 (en) 2001-06-29 2003-05-27 Ovonyx, Inc. Programming a phase-change material memory
US6511862B2 (en) 2001-06-30 2003-01-28 Ovonyx, Inc. Modified contact for programmable devices
US6514805B2 (en) 2001-06-30 2003-02-04 Intel Corporation Trench sidewall profile for device isolation
US6605527B2 (en) 2001-06-30 2003-08-12 Intel Corporation Reduced area intersection between electrode and programming element
US6642102B2 (en) 2001-06-30 2003-11-04 Intel Corporation Barrier material encapsulation of programmable material
US6673700B2 (en) 2001-06-30 2004-01-06 Ovonyx, Inc. Reduced area intersection between electrode and programming element
US6511867B2 (en) 2001-06-30 2003-01-28 Ovonyx, Inc. Utilizing atomic layer deposition for programmable device
US6951805B2 (en) 2001-08-01 2005-10-04 Micron Technology, Inc. Method of forming integrated circuitry, method of forming memory circuitry, and method of forming random access memory circuitry
US6590807B2 (en) 2001-08-02 2003-07-08 Intel Corporation Method for reading a structural phase-change memory
US6737312B2 (en) 2001-08-27 2004-05-18 Micron Technology, Inc. Method of fabricating dual PCRAM cells sharing a common electrode
US6955940B2 (en) 2001-08-29 2005-10-18 Micron Technology, Inc. Method of forming chalcogenide comprising devices
US6881623B2 (en) 2001-08-29 2005-04-19 Micron Technology, Inc. Method of forming chalcogenide comprising devices, method of forming a programmable memory cell of memory circuitry, and a chalcogenide comprising device
US6784018B2 (en) 2001-08-29 2004-08-31 Micron Technology, Inc. Method of forming chalcogenide comprising devices and method of forming a programmable memory cell of memory circuitry
US6709958B2 (en) 2001-08-30 2004-03-23 Micron Technology, Inc. Integrated circuit device and fabrication using metal-doped chalcogenide materials
US6646902B2 (en) 2001-08-30 2003-11-11 Micron Technology, Inc. Method of retaining memory state in a programmable conductor RAM
US20030047765A1 (en) 2001-08-30 2003-03-13 Campbell Kristy A. Stoichiometry for chalcogenide glasses useful for memory devices and method of formation
US6507061B1 (en) 2001-08-31 2003-01-14 Intel Corporation Multiple layer phase-change memory
EP2112659A1 (en) 2001-09-01 2009-10-28 Energy Convertion Devices, Inc. Increased data storage in optical data storage and retrieval systems using blue lasers and/or plasmon lenses
US6545287B2 (en) 2001-09-07 2003-04-08 Intel Corporation Using selective deposition to form phase-change memory cells
US6586761B2 (en) 2001-09-07 2003-07-01 Intel Corporation Phase change material memory device
WO2003028098A2 (en) 2001-09-26 2003-04-03 Axon Technologies Corporation Programmable chip-to-substrate interconnect structure and device and method of forming same
US6690026B2 (en) 2001-09-28 2004-02-10 Intel Corporation Method of fabricating a three-dimensional array of active media
AU2002362662A1 (en) 2001-10-09 2003-04-22 Axon Technologies Corporation Programmable microelectronic device, structure, and system, and method of forming the same
US6566700B2 (en) 2001-10-11 2003-05-20 Ovonyx, Inc. Carbon-containing interfacial layer for phase-change memory
AU2002340314A1 (en) 2001-10-26 2003-05-06 Axon Technologies Corp. Tunable cantilever apparatus and method for making same
US7319057B2 (en) 2001-10-30 2008-01-15 Ovonyx, Inc. Phase change material memory device
US6545907B1 (en) 2001-10-30 2003-04-08 Ovonyx, Inc. Technique and apparatus for performing write operations to a phase change material memory device
US6576921B2 (en) 2001-11-08 2003-06-10 Intel Corporation Isolating phase change material memory cells
US6815818B2 (en) 2001-11-19 2004-11-09 Micron Technology, Inc. Electrode structure for use in an integrated circuit
US6791859B2 (en) 2001-11-20 2004-09-14 Micron Technology, Inc. Complementary bit PCRAM sense amplifier and method of operation
US6873538B2 (en) 2001-12-20 2005-03-29 Micron Technology, Inc. Programmable conductor random access memory and a method for writing thereto
US6625054B2 (en) 2001-12-28 2003-09-23 Intel Corporation Method and apparatus to program a phase change memory
US6667900B2 (en) 2001-12-28 2003-12-23 Ovonyx, Inc. Method and apparatus to operate a memory cell
US6512241B1 (en) 2001-12-31 2003-01-28 Intel Corporation Phase change material memory device
US6909656B2 (en) 2002-01-04 2005-06-21 Micron Technology, Inc. PCRAM rewrite prevention
US20030143782A1 (en) 2002-01-31 2003-07-31 Gilton Terry L. Methods of forming germanium selenide comprising devices and methods of forming silver selenide comprising structures
US6867064B2 (en) 2002-02-15 2005-03-15 Micron Technology, Inc. Method to alter chalcogenide glass for improved switching characteristics
US6791885B2 (en) 2002-02-19 2004-09-14 Micron Technology, Inc. Programmable conductor random access memory and method for sensing same
US7151273B2 (en) 2002-02-20 2006-12-19 Micron Technology, Inc. Silver-selenide/chalcogenide glass stack for resistance variable memory
US6809362B2 (en) 2002-02-20 2004-10-26 Micron Technology, Inc. Multiple data state memory cell
US20030183868A1 (en) 2002-04-02 2003-10-02 Peter Fricke Memory structures
US6855975B2 (en) 2002-04-10 2005-02-15 Micron Technology, Inc. Thin film diode integrated with chalcogenide memory cell
US6750482B2 (en) 2002-04-30 2004-06-15 Rf Micro Devices, Inc. Highly conductive semiconductor layer having two or more impurities
US6671710B2 (en) 2002-05-10 2003-12-30 Energy Conversion Devices, Inc. Methods of computing with digital multistate phase change materials
US6605821B1 (en) * 2002-05-10 2003-08-12 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Phase change material electronic memory structure and method for forming
US6918382B2 (en) 2002-08-26 2005-07-19 Energy Conversion Devices, Inc. Hydrogen powered scooter
US6867996B2 (en) 2002-08-29 2005-03-15 Micron Technology, Inc. Single-polarity programmable resistance-variable memory element
US6867114B2 (en) 2002-08-29 2005-03-15 Micron Technology Inc. Methods to form a memory cell with metal-rich metal chalcogenide
JP4190238B2 (ja) 2002-09-13 2008-12-03 株式会社ルネサステクノロジ 不揮発性半導体記憶装置
US6870751B2 (en) 2002-11-07 2005-03-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Low-energy writing in cross-point array memory devices
US7314776B2 (en) * 2002-12-13 2008-01-01 Ovonyx, Inc. Method to manufacture a phase change memory
JP4634014B2 (ja) 2003-05-22 2011-02-16 株式会社日立製作所 半導体記憶装置
US20050049390A1 (en) * 2003-08-25 2005-03-03 General Electric Company Phase transfer catalyzed method for preparation of polyetherimides
US7050319B2 (en) 2003-12-03 2006-05-23 Micron Technology, Inc. Memory architecture and method of manufacture and operation thereof
US7057923B2 (en) 2003-12-10 2006-06-06 International Buisness Machines Corp. Field emission phase change diode memory
DE102004007633B4 (de) 2004-02-17 2010-10-14 Qimonda Ag Speicherzelle, Halbleiter-Speicherbauelement und Verfahren zur Herstellung einer Speicherzelle
DE102004026003B3 (de) * 2004-05-27 2006-01-19 Infineon Technologies Ag Resistive Speicherzellen-Anordnung
US20050287698A1 (en) 2004-06-28 2005-12-29 Zhiyong Li Use of chalcogen plasma to form chalcogenide switching materials for nanoscale electronic devices
KR101052861B1 (ko) * 2004-06-30 2011-07-29 주식회사 하이닉스반도체 상변환 기억 소자 및 그 제조방법
DE102004040751B4 (de) 2004-08-23 2009-03-12 Qimonda Ag Resistiv schaltende nicht-flüchtige Speicherzelle auf der Basis von Alkali-Ionendrift, Verfahren zur Herstellung und Verwendung einer Verbindung zur Herstellung
US7608503B2 (en) * 2004-11-22 2009-10-27 Macronix International Co., Ltd. Side wall active pin memory and manufacturing method
DE102004059428A1 (de) * 2004-12-09 2006-06-22 Infineon Technologies Ag Herstellungsverfahren für eine mikroelektronische Elektrodenstruktur, insbesondere für ein PCM-Speicherelement, und entsprechende mikroelektronische Elektrodenstruktur
KR100612913B1 (ko) * 2004-12-16 2006-08-16 한국과학기술연구원 ＡＩＮ 열방출층 및 ＴｉＮ 전극이 적용된 상변화 메모리
DE102005001253A1 (de) 2005-01-11 2006-07-20 Infineon Technologies Ag Speicherzellenanordnung, Verfahren zu deren Herstellung und Halbleiterspeichereinrichtung
US7214958B2 (en) 2005-02-10 2007-05-08 Infineon Technologies Ag Phase change memory cell with high read margin at low power operation
US7709289B2 (en) 2005-04-22 2010-05-04 Micron Technology, Inc. Memory elements having patterned electrodes and method of forming the same
US7427770B2 (en) 2005-04-22 2008-09-23 Micron Technology, Inc. Memory array for increased bit density
US7514288B2 (en) * 2005-06-17 2009-04-07 Macronix International Co., Ltd. Manufacturing methods for thin film fuse phase change ram
KR100689831B1 (ko) * 2005-06-20 2007-03-08 삼성전자주식회사 서로 자기정렬된 셀 다이오드 및 하부전극을 갖는 상변이기억 셀들 및 그 제조방법들
US20070110878A1 (en) * 2005-11-14 2007-05-17 Tropicana Products, Inc. All-natural fruit product and method of making the same
US7812334B2 (en) * 2006-04-04 2010-10-12 Micron Technology, Inc. Phase change memory elements using self-aligned phase change material layers and methods of making and using same
US20070232015A1 (en) * 2006-04-04 2007-10-04 Jun Liu Contact for memory cell
US7787202B2 (en) 2006-07-10 2010-08-31 Broadcom Corporation Guided target search for hard disk drive applications
US7560723B2 (en) 2006-08-29 2009-07-14 Micron Technology, Inc. Enhanced memory density resistance variable memory cells, arrays, devices and systems including the same, and methods of fabrication
US7541288B2 (en) * 2007-03-08 2009-06-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of forming integrated circuit structures using insulator deposition and insulator gap filling techniques
US8159402B2 (en) 2009-05-19 2012-04-17 Motorola Mobility, Inc. Hands free cellular communication device having a deployable antenna
WO2015088057A1 (ko) 2013-12-10 2015-06-18 엘지전자 주식회사 3d 카메라 모듈
JP6365477B2 (ja) 2015-09-16 2018-08-01 トヨタ自動車株式会社 物体認識装置及び汚れ検出方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2439800B1 (en) 2013-07-24
WO2008027163A3 (en) 2008-05-02
KR20110080171A (ko) 2011-07-12
EP2439801A1 (en) 2012-04-11
CN101523629A (zh) 2009-09-02
EP2442377B1 (en) 2015-05-06
WO2008027163A2 (en) 2008-03-06
EP2442377A1 (en) 2012-04-18
EP2062305A2 (en) 2009-05-27
US7791058B2 (en) 2010-09-07
EP2437324B1 (en) 2014-12-31
US20080123397A1 (en) 2008-05-29
EP2437324A1 (en) 2012-04-04
CN101523629B (zh) 2012-02-08
EP2062305B1 (en) 2016-01-13
KR101169500B1 (ko) 2012-07-30
EP2439800A1 (en) 2012-04-11
US20100295011A1 (en) 2010-11-25
US8030636B2 (en) 2011-10-04
US20090261316A1 (en) 2009-10-22
US7560723B2 (en) 2009-07-14
KR101159488B1 (ko) 2012-06-22
EP2439801B1 (en) 2013-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101169500B1 (ko) 향상된 메모리 밀도 저항 가변 메모리 셀, 그것을 포함하는어레이, 디바이스 및 시스템, 및 제조 방법
US8592797B2 (en) Variable resistance memory device having reduced bottom contact area and method of forming the same
US8525145B2 (en) Self-aligned, planar phase change memory elements and devices, systems employing the same and methods of forming the same
US7960813B2 (en) Programmable resistance memory devices and systems using the same and methods of forming the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
A107 Divisional application of patent
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150618

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160617

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170616

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180717

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190716

Year of fee payment: 8