KR940004732A - 패턴 형성 방법 및 패턴 형성에 사용하는 박막 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

반도체 리도그래피 기술에 사용되는 패턴 형성 방법 및 패턴 형성에 사용하는 박막 형성 방법으로서, 레지스트내 문자의 배향 또는 순서를 도입하는 것에 의해 패턴의 위면 또는 측면에서 표면 요철을 억제하여 극미세 패턴을 형성하기 위하여, 먼저 기판상에 시드 재료막을 형성한 후, 예를 들면 전자 빔 리도그래피를 사용하여, 패틴의 형상으로 노출시켜, 잠상을 제거하고, 서로 친수성이 다른 시드 재료와 기판중의 하나에 배향성 재료를 퇴적하여 패턴을 형성한다.
이러한 패턴 형성 방법 및 패턴 형성에 사용하는 박막 형성 방법에 의해, 패턴의 표면 요철 문제를 피할 수 있고 약 100nm 이하의 극미세 패턴을 형성할 수 있고, 높은 균일성 및 높은 배향을 갖는 LB법에 의한 막의 형성이막 형성 재료, 특히 고해상 레지스트로서 사용되는 p-크레졸 노볼락 및 m-크레졸 노볼락의 성분 비율을 제어하는 것에 의해 가능하게 된다.

Description

패턴 형성 방법 및 패턴 형성에 사용하는 박막 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도(a)∼제1도(d)는 본 발명을 설명하는 도면,
제2도는 본 발명의 설명도,
제3도(a)∼제3도(d)는 본 발명을 설명하는 도면,
제4도는 본 발명의 설명도.

Claims (27)

  1. 기판의 표면에 코팅된 시드 재료의 박막상에 패턴을 형성하는 스텝과 상기 시드 재료와 상기 기판 표면중의 하나에 배향성 재료를 퇴적하는 스텝을 포함하며, 상기 시드 재료의 표면 친수성 특징은 상기 기판 표면의 친수성 특징과 다른 패턴 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 시드 재료는 저분자량 재료이고, 싱기 패턴은 상기 코팅 부분이 선택적으로 기화하여 제거되는 것에 의해 패턴이 형성되도록 에너지 빔으로 박막면을 노출시키는 것에 의해 형성되는 패턴 형성 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 저분자량 재료는 HMDS인 패턴 형성 방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 기판의 표면은 친수성이고, 상기 코팅의 표면은 소수성이며, 상기 배향성 재료는 코팅이 제거된 영역에 형성되는 패턴 형성 방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 HMDS는 1nm두깨로 형성되는 패턴 형성 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 시드 재료는 실란 커플러인 패턴 형성 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 에너지 빔은 자외선, 딥 UV선, X선, 이온 빔, 전자 빔 및 감마선중의 하나인 패턴 형성 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 배향성 재료는 곧은 사슬 지방산, 트리코센산등의 이중 결합을 포함하는 지방산, 폴리이미드등의 폴리머 재료의 LB막, p-아족시에틸 벤조아트 및 p-아족시에틸 신나마트등의 액정, 염화 은, 염화나트륨등의 이온성 결정 및 셀렌화 은, 셀렌 및 텔루르등의 공유 결합성 결정중의 하나인 패턴 형성 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 배향성 재료막은 m-크레졸 노볼락 수지에 대한 p-크레졸 노볼락 수지의 비율이 20%인 크레졸 노볼락 수지의 LB막인 패턴 형성 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, GaAs, InP, A1 및 SiO2중의 하나인 패턴 형성 방법.
  11. 반도체 리도그래피에 사용되는 패턴 형성 방법에 있어서, 시드 재료로 기판을 코팅하는 스텝, 상기 시드재료의 제거 및 비제거 부분을 형성하기 위해 상기 시드 재료의 일부를 제거하여 패턴을 형성하는 스텝과, 다른 친수성 특징에 따라 상기 제거 및 비제거 부분중의 하나에 배향성 재료를 퇴적하는 스텝을 포함하며, 상기 기판은 상기 시드 재료와는 다른 친수성 특징을 갖는 패턴 형성 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 패턴은 전자 리도그래피에 의해 형성되고, 전자 빔은 상기 기판이 노출되도록 상기 제거 부분에서 상기 시드 재료 박막을 기화시키는 패턴 형성 방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 시드 재료는 HMDS인 패턴 형성 방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 패턴은 자외선, 딥 UV선, X선, 이온 빔, 전자 빔 및 감마선 중의 하나에 상기 시드 재료 박막을 노출시키는 것에 의해 형성되는 패턴 형성 방법.
  15. 제11항에 있어서, 상기 배향성 재료는 m-크레졸 노볼락에 대한 p-크레졸 노볼락의 비율이 적어도 20%인 크레졸 노볼락 수지의 LB막인 패턴 형성 방법.
  16. 반도체 리도그래피에 사용되는 패턴 형성 방법에 있어서, 시드 재료로 기판상에 패턴을 형성하는 스텝과 상기 기판과 상기 시드 재료상에 배향성 재료를 퇴적하는 스텝을 포함하며, 상기 기판은 상기 시드 재료와는 다른 친수성 특징을 갖고, 상기 시드 재료는 에너지 빔에 의해 분해되고 기판상에 퇴적되어 패턴을 형성하는 재료에 직면하여 진공중에서 기판 표면에 에너지 빔을 인가하는 것에 의해 상기 기판상에 퇴적되는 패턴 형성 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 에너지 빔은 전자 빔이고, 상기 기판은 친수성인 표면 산화층을 갖는 실리콘이고, 상기 패턴은 소수성인 기판상에 탄소층으로 패턴을 형성하는 혼합물을 포함하는 탄소의 퇴적에 의해 형성되는 패턴 형성 방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 배향성 재료는 곧은 사슬 지방산, 트리코센산등의 이중 결합을 포함하는 지방산, 폴러이미드등의 폴리머 재료의 LB막, p-아족시에틸 벤조아트 및 p-아족시에틸 신나마트등의 액정, 염화 은, 염화 나트륨등이 이온성 결정 및 셀렌화 은, 셀렌 및 텔루르등의 공유 결합성 결정중의 하나인 패턴 형성 방법.
  19. 제16항에 있어서, 상기 퇴적 스텝에서 LB막이 제1의 친수 또는 소수 배향으로 제1층에 퇴적된 후, 기판 및 LB막이 자외선에 노출되거나 또는 충분히 가열되어 LB막 및 기판에 대하여 선택성이 이루어지고, 다음 퇴적 스텝에서 제2의 친수 또는 소수 배향을 갖는 LB막의 제2층이 기판상에 퇴적되지 않고 제1층상에 퇴적되는 패턴 형성 방법.
  20. 제16항에 있어서, 상기 퇴적 스텝에서 LB막이 제1의 친수 또는 소수 배향으로 제1층에 퇴적된 후, 동일한 친수 또는 소수 배향을 갖는 LB막의 제2층이 기판상에 퇴적되는 일없이 상기 제1층상에 퇴적되는 패턴 형성 방법.
  21. 제16항에 있어서, 상기 배향성 재료는 m-크레졸 노볼락 수지에 대한 p-크레졸 노볼락 수지의 비율이 적어도 20%인 크레졸 노볼락 수지의 LB막인 패턴 형성 방법.
  22. 제16항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, GaAs, InP, A1 및 SiO2중의 하나이고, 상기 시드 재료는 탄소인 패턴 형성 방법.
  23. 반도체 리도그래피 프로세스에서 기판상에 박막을 형성하는 박막 형성 방법에 있어서, m-크레졸 노볼락에 대하여 소정 비율의 P-크레졸 노볼락을 갖는 크레졸 노볼락 수지를 사용하는 LB막 형성 방법에 의해 박막을 형성하는 스텝을 포함하는 박막 형성 방법.
  24. 제23항에 있어서. 상기 비율은 적어도 20% p-크레졸 노볼락인 박막 형성 방법.
  25. 제23항에 있어서, 상기 비율은 적어도 50% p-크레졸 노볼락인 박막 형성 방법.
  26. 제23항에 있어서, 상기 비율은 60%와 80% p-크레졸 노볼락 사이인 박막 형성 방법.
  27. 제23항에 있어서, 상기 비율은 70% p-크레졸 노볼락인 박막 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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