JPS60211929A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS60211929A JPS60211929A JP59067586A JP6758684A JPS60211929A JP S60211929 A JPS60211929 A JP S60211929A JP 59067586 A JP59067586 A JP 59067586A JP 6758684 A JP6758684 A JP 6758684A JP S60211929 A JPS60211929 A JP S60211929A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- monomolecular
- film
- pattern
- group
- hydrophobic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
- H01L21/02285—Langmuir-Blodgett techniques
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は新規なパターン形成方法に関する。更に具体的
には、単分子膜又は単分子累積膜のパターンを、下地上
に形成する方法に関する。
には、単分子膜又は単分子累積膜のパターンを、下地上
に形成する方法に関する。
［背景技術］
従来、半導体技術分野並びに光学技術分野に於ける素材
利用はもっばら比較的取扱いが容易な無機物を対象にし
て進められてきた。これは有機化学分野の技術進展が無
機材料分野のそれに比べて著しく遅れていたことが一因
している。
利用はもっばら比較的取扱いが容易な無機物を対象にし
て進められてきた。これは有機化学分野の技術進展が無
機材料分野のそれに比べて著しく遅れていたことが一因
している。
Ｃ７かしながら、最近の有機化学分野の技術進歩には目
をみはるものがあり、又、無機物対象の素材開発もほぼ
限界に近づいてきたといわれている。そこで無機物を凌
ぐ２新しい機能素材としての機能性有機材料の開発が要
望されている。有機材料の利点は安価かつ製造容易であ
ること、機能性に富むこと等である０反面、これまで劣
るとされてきた耐熱性１機械的強度に対しても、最近こ
れを克服した有機材料が次々に生まれている。このよう
な技術的背景のもとで、論理素子、メモリー素子、光電
変換素子等の集積回路デバイスやマイクロレンズ・アレ
イ、光導波路等の光学デバイスの機能を荷う部分（主と
して薄膜部分）の一部又は全部を従来の無機薄膜に代え
て、有機薄膜で構成しようという提案から、はては１個
の有機分子に論理素子やメモリ素子等の機能を持たせた
分子電子デバイスや生体関連物質からなる論理素子（例
えばバイオ・チップス）を作ろうという提案が最近、い
くつかの研究機関により発表された。
をみはるものがあり、又、無機物対象の素材開発もほぼ
限界に近づいてきたといわれている。そこで無機物を凌
ぐ２新しい機能素材としての機能性有機材料の開発が要
望されている。有機材料の利点は安価かつ製造容易であ
ること、機能性に富むこと等である０反面、これまで劣
るとされてきた耐熱性１機械的強度に対しても、最近こ
れを克服した有機材料が次々に生まれている。このよう
な技術的背景のもとで、論理素子、メモリー素子、光電
変換素子等の集積回路デバイスやマイクロレンズ・アレ
イ、光導波路等の光学デバイスの機能を荷う部分（主と
して薄膜部分）の一部又は全部を従来の無機薄膜に代え
て、有機薄膜で構成しようという提案から、はては１個
の有機分子に論理素子やメモリ素子等の機能を持たせた
分子電子デバイスや生体関連物質からなる論理素子（例
えばバイオ・チップス）を作ろうという提案が最近、い
くつかの研究機関により発表された。
かかる有機材料を用いて上記の各種デバイス等を作成す
る際の薄膜は公知の単分子累積法、ナなわちラングミュ
ア・プロジェット法（ＬＢ法）（新実験化学講座 １８
巻 ４９８頁〜５０７頁 丸首）によって形成すること
ができる。
る際の薄膜は公知の単分子累積法、ナなわちラングミュ
ア・プロジェット法（ＬＢ法）（新実験化学講座 １８
巻 ４９８頁〜５０７頁 丸首）によって形成すること
ができる。
ＬＢ法は１例えば分子内に親木基と疎水基を有する構造
の分子において、両者のバランス（両親媒性のバランス
）が適度に保たれているとき、分子は水面で親木基を下
に向けて単分子の層になることを利用して単分子膜また
は単分子層の累積膜を作成する方法である。
の分子において、両者のバランス（両親媒性のバランス
）が適度に保たれているとき、分子は水面で親木基を下
に向けて単分子の層になることを利用して単分子膜また
は単分子層の累積膜を作成する方法である。
ところで、このような単分子膜又は単分子累積膜に光導
電性等の各種の機能を持たせ、前述の如き各種デバイス
等を作成するためには、単分子膜又は単分子累積膜の二
次元的な配置を制御する必要がある。しかしながら、上
記の方法では単分子膜又は単分子累積膜が基体全面に形
成されるため、単分子膜又は単分子累積膜の二次元的な
パターニングは、特殊な光重合性を利用したリングラフ
ィ応用のフォトレジストの場合を除いて、すなわち単分
子膜又は単分子累積膜を構成する分子がフォトレジスト
としての性状を有する場合な除いて制御できない欠点が
あった。
電性等の各種の機能を持たせ、前述の如き各種デバイス
等を作成するためには、単分子膜又は単分子累積膜の二
次元的な配置を制御する必要がある。しかしながら、上
記の方法では単分子膜又は単分子累積膜が基体全面に形
成されるため、単分子膜又は単分子累積膜の二次元的な
パターニングは、特殊な光重合性を利用したリングラフ
ィ応用のフォトレジストの場合を除いて、すなわち単分
子膜又は単分子累積膜を構成する分子がフォトレジスト
としての性状を有する場合な除いて制御できない欠点が
あった。
［発明の開示］
本発明の目的は、単分子膜又は単分子累積膜の二次元的
な配置を制御することが可能な新規なパターン形成方法
を提供することにある。
な配置を制御することが可能な新規なパターン形成方法
を提供することにある。
本発明の目的は、以下のパターン形成方法によって達成
される。
される。
すなわち、少なくとも下地表面を雰囲気ガス不存在下で
Ｘ線を走査し、単分子膜又は単分子累積膜のパターンを
形成後、超音波振動を加えることを特徴とするパターン
形成方法によって達成される。
Ｘ線を走査し、単分子膜又は単分子累積膜のパターンを
形成後、超音波振動を加えることを特徴とするパターン
形成方法によって達成される。
本発明では、下地表面をＸ線を走査させることにより改
質する。ここで、下地とは、単分子膜または単分子累積
膜が所定のパターンに従って積層される部材を相称する
。そのような部材としては、例えば、前述した各種の半
導体デバイス等に用いられるガラス、５ｉ０２等の無機
物からなる基板、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリイミド等の有機物からなる基板、ＡＩ、Ｔ
ａ、 Ｗ、Ｉｎ、Ｃｕ等の金属やこれらの合金等からな
る基板、これ等の基板上に設けられた各種の層（所定の
パターンに従って形成されている）、例えばＡ１．Ｔａ
、Ｗ、Ｉｎ、 Ｃｕ等の蒸着メタル膜、シリコン、ゲル
マニウム等のアモルファス、多結晶あるいは単結晶半導
体膜、５ｎ０２ 、 Ｉ Ｔ Ｏ（Ｉｎ２０３十５ｎ０
２）等の導電性酸化物ガラス膜、等の分子性アモルファ
ス半導体膜等が挙げられる。また、このような基板、膜
、あるいは膜が積層されている基板上に、更に単分子膜
又は単分子累積膜等が積層されている部位等も利用し得
るものとして挙げられる。
質する。ここで、下地とは、単分子膜または単分子累積
膜が所定のパターンに従って積層される部材を相称する
。そのような部材としては、例えば、前述した各種の半
導体デバイス等に用いられるガラス、５ｉ０２等の無機
物からなる基板、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリイミド等の有機物からなる基板、ＡＩ、Ｔ
ａ、 Ｗ、Ｉｎ、Ｃｕ等の金属やこれらの合金等からな
る基板、これ等の基板上に設けられた各種の層（所定の
パターンに従って形成されている）、例えばＡ１．Ｔａ
、Ｗ、Ｉｎ、 Ｃｕ等の蒸着メタル膜、シリコン、ゲル
マニウム等のアモルファス、多結晶あるいは単結晶半導
体膜、５ｎ０２ 、 Ｉ Ｔ Ｏ（Ｉｎ２０３十５ｎ０
２）等の導電性酸化物ガラス膜、等の分子性アモルファ
ス半導体膜等が挙げられる。また、このような基板、膜
、あるいは膜が積層されている基板上に、更に単分子膜
又は単分子累積膜等が積層されている部位等も利用し得
るものとして挙げられる。
特に好ましくは、ガラス、ポリイミド、ＡＩ、シリコン
のアモルファス、多結晶あるいは単結晶半導体膜、単分
子膜又は単分子累積膜等が積層されている下地などが挙
げられる。
のアモルファス、多結晶あるいは単結晶半導体膜、単分
子膜又は単分子累積膜等が積層されている下地などが挙
げられる。
Ｘ線は波長が短いので、マスクを用いることにより１（
ｔｏ八へ１（１００人の密度でパターン形成が可能であ
る。Ｘ線による表面の改質を行なうためには、１０ジユ
ール／Ｃ１１２〜５ｘ１０４ジユール／Ｃ＠２のエネル
ギーが必要である。
ｔｏ八へ１（１００人の密度でパターン形成が可能であ
る。Ｘ線による表面の改質を行なうためには、１０ジユ
ール／Ｃ１１２〜５ｘ１０４ジユール／Ｃ＠２のエネル
ギーが必要である。
Ｘ線による表面の改質は、例えば、以下のようにして行
われる。シリコン等の場合には、Ｘ線で走査すると、表
面が疎水性であったのが親水性に変化する。また、ポリ
イミドの場合には、Ｘ線で走査すると、表面が親水性で
あったのが疎水性に変化する。あるいは脂肪酸の単分子
膜又は単分子累積膜の場合には両親媒性が反転しないま
でも親木性がより強くなったり、疎水性がより強くなっ
たりする。上記の様に下地表面を改質することによって
パターニングを行い、形成された。＜ターンに従って単
分子膜又は単分子累積膜が下地上に形成される。
われる。シリコン等の場合には、Ｘ線で走査すると、表
面が疎水性であったのが親水性に変化する。また、ポリ
イミドの場合には、Ｘ線で走査すると、表面が親水性で
あったのが疎水性に変化する。あるいは脂肪酸の単分子
膜又は単分子累積膜の場合には両親媒性が反転しないま
でも親木性がより強くなったり、疎水性がより強くなっ
たりする。上記の様に下地表面を改質することによって
パターニングを行い、形成された。＜ターンに従って単
分子膜又は単分子累積膜が下地上に形成される。
単分子膜又は単分子累積膜が下地上に形成された後、超
音波振動を加えることは、分子間力が大きく膜が固体膜
に近いとき、あるいは膜が薄いときに特に有効である。
音波振動を加えることは、分子間力が大きく膜が固体膜
に近いとき、あるいは膜が薄いときに特に有効である。
すなわち、超音波振動を加えることにより微細なパター
ニングが可能となる。また、明瞭なパターンの形成が可
能となる。
ニングが可能となる。また、明瞭なパターンの形成が可
能となる。
超音波振動を加えることは、エツチング工程な別に設け
るよりも時間の短縮も可能であるばかりではなく、エツ
チングが不完全なことも生じない長所を有する。更に材
料選択の範囲もほとんど制限を受けない。
るよりも時間の短縮も可能であるばかりではなく、エツ
チングが不完全なことも生じない長所を有する。更に材
料選択の範囲もほとんど制限を受けない。
なお、本発明における単分子膜又は単分子累積膜を構成
する分子は、その分子内に疎水性部分及び親水性部分を
有する分子であれば広く使用可能である。
する分子は、その分子内に疎水性部分及び親水性部分を
有する分子であれば広く使用可能である。
このような分子の疎水性部分の構成要素として最も代表
的なものはアルキル基であって、炭素数５〜３０、好ま
しくは、炭素数１０〜２５の直鎖状あるいは分枝状のも
のが使用しうる。疎水性部分を構成する基としては、上
記アルキル基の他、例えばビニレン、ビニリデン、アセ
チレン等のオレフィン系炭化水素基、フェニル、ナフチ
ル、アントラニル等の如き縮合多環フェニル基、ビフェ
ニル、ターフェニル等の鎖状多環フェニル基等の疎水基
等が挙げられる。これらは各々単独であるいは組合され
て上記分子の疎水性部分を構成し、分子の末端や中間に
位置する。
的なものはアルキル基であって、炭素数５〜３０、好ま
しくは、炭素数１０〜２５の直鎖状あるいは分枝状のも
のが使用しうる。疎水性部分を構成する基としては、上
記アルキル基の他、例えばビニレン、ビニリデン、アセ
チレン等のオレフィン系炭化水素基、フェニル、ナフチ
ル、アントラニル等の如き縮合多環フェニル基、ビフェ
ニル、ターフェニル等の鎖状多環フェニル基等の疎水基
等が挙げられる。これらは各々単独であるいは組合され
て上記分子の疎水性部分を構成し、分子の末端や中間に
位置する。
一方、親水性部分の構成要素として最も代表的なものは
、例えばカルボキシル基及びその金属塩並びにアミン塩
、スルホン酸基及びその金属塩並びにアミン塩、スルホ
ンアミド基、アミド基、アミノ基、イミノ基、ヒドロキ
シル基、４級アミン基、オキシアミノ基、オキシイミノ
基、ジアゾニウム基、グアニジン基、ヒドラジン基、リ
ン酸基、ケイ酸基、アルミン酸基等が挙げられる。これ
らも各々単独であるいは組合されて上記分子の親水性部
分を構成し、分子の末端や中間に位置する。
、例えばカルボキシル基及びその金属塩並びにアミン塩
、スルホン酸基及びその金属塩並びにアミン塩、スルホ
ンアミド基、アミド基、アミノ基、イミノ基、ヒドロキ
シル基、４級アミン基、オキシアミノ基、オキシイミノ
基、ジアゾニウム基、グアニジン基、ヒドラジン基、リ
ン酸基、ケイ酸基、アルミン酸基等が挙げられる。これ
らも各々単独であるいは組合されて上記分子の親水性部
分を構成し、分子の末端や中間に位置する。
ここで、分子内に親水性部分及び疎水性部分を有すると
は、例えば分子が上記のような親木基及び疎水基の両者
を分子内に一つずつ有するか、又は分子内に一つ以上の
親水性基及び疎水基を有する場合には、分子全体の構成
においである部分が他の部分との関係において親木性で
あり、一方後者の部分は前者の部分との関係において疎
水性の関係を有することをいう。
は、例えば分子が上記のような親木基及び疎水基の両者
を分子内に一つずつ有するか、又は分子内に一つ以上の
親水性基及び疎水基を有する場合には、分子全体の構成
においである部分が他の部分との関係において親木性で
あり、一方後者の部分は前者の部分との関係において疎
水性の関係を有することをいう。
本発明における単分子膜又は単分子累積膜を構成する分
子としては、下記の如き機能性を有することが所望され
る。
子としては、下記の如き機能性を有することが所望され
る。
■所望の機能性を荷う部位、即ち機能性部分（例えばπ
電子系）が同時に強い親木性（又は強い疎水性）として
の性質を併有する分子、あるいは■機能性部分が特に親
水性、疎水性を有さす、上記の如き親木基、疎水基等を
導入することで、分子内に親木性部分と疎水性部位を構
成する分子、例えば、 イ０機能性部分が親水性部分の側にあるもの、例えば、
光導電性を有する長鎖アルキル置換のメロシアニン色素
等、 口９機能性部分が疎水性部分の側にあるもの、例えば、
ピレンに長鎖アルキルカルボン酸を結合したもの等、 ハ１機能性部分が中央付近、即ち疎水性部分と親水性部
分の中間にあるもの、例えば、アントラセン誘導体、ジ
アゾ色素の誘導体等、二９機能性部分がなく、疎水性部
分と親水性部分のみでできているもの、例えば、長鎖飽
和脂肪酸であるステアリン酸、アラキシン酸等が具体的
なものとして挙げられる。
電子系）が同時に強い親木性（又は強い疎水性）として
の性質を併有する分子、あるいは■機能性部分が特に親
水性、疎水性を有さす、上記の如き親木基、疎水基等を
導入することで、分子内に親木性部分と疎水性部位を構
成する分子、例えば、 イ０機能性部分が親水性部分の側にあるもの、例えば、
光導電性を有する長鎖アルキル置換のメロシアニン色素
等、 口９機能性部分が疎水性部分の側にあるもの、例えば、
ピレンに長鎖アルキルカルボン酸を結合したもの等、 ハ１機能性部分が中央付近、即ち疎水性部分と親水性部
分の中間にあるもの、例えば、アントラセン誘導体、ジ
アゾ色素の誘導体等、二９機能性部分がなく、疎水性部
分と親水性部分のみでできているもの、例えば、長鎖飽
和脂肪酸であるステアリン酸、アラキシン酸等が具体的
なものとして挙げられる。
特に好ましくは、長鎖アルキル置換のメロシアニン色素
、アントラセン誘導体、アラキシン酸などが挙げられる
。
、アントラセン誘導体、アラキシン酸などが挙げられる
。
本発明を更に具体的に説明するために、以下に実施例を
示す。
示す。
実施例１
第１図に示す方法にてパターンを形成した。
Ｓｉ（１００）基板１−１の表面にＬＢ法でアラキシン
酸の単分子累積膜１−２を形成し、下地を作成した。ア
ラキシン酸の単分子累積膜は、表面圧３０ｄｙｎｅ／ｃ
ｍ、引き上げ速度５ ｃｍ／ｓｉｎの形成条件で１層積
層した。
酸の単分子累積膜１−２を形成し、下地を作成した。ア
ラキシン酸の単分子累積膜は、表面圧３０ｄｙｎｅ／ｃ
ｍ、引き上げ速度５ ｃｍ／ｓｉｎの形成条件で１層積
層した。
次に、前記下地を真空中に置き、波長ＩＡのＸ線をマス
クを用い、 １００Ｊ ／ｃｍ ２で下地表面を走査し
た。走査部分１−４のアラキシン酸の疎水基部分が変質
し、第１図（Ｃ）に示す様にパターンが形成された。
クを用い、 １００Ｊ ／ｃｍ ２で下地表面を走査し
た。走査部分１−４のアラキシン酸の疎水基部分が変質
し、第１図（Ｃ）に示す様にパターンが形成された。
次に、ＬＢ法でアラキシン酸とメロシアニンの誘導体の
単分子累積膜を形成した。アラキシン酸とメロシアニン
の誘導体（Ｉ）をｌ：ｌのｍｏｌ比で混合し、前記混合
物をｌ ｘ １０−” ｍｏｌ／ｌ となるようクロロ
ホルムに溶かした溶液を水面に展開した後、表面圧 ４
０ ｄｙｎｅ／ｗｉｎ 、引き上げ速度３Ｃ１ｌ／ｗｉ
ｎにて４層積層した。
単分子累積膜を形成した。アラキシン酸とメロシアニン
の誘導体（Ｉ）をｌ：ｌのｍｏｌ比で混合し、前記混合
物をｌ ｘ １０−” ｍｏｌ／ｌ となるようクロロ
ホルムに溶かした溶液を水面に展開した後、表面圧 ４
０ ｄｙｎｅ／ｗｉｎ 、引き上げ速度３Ｃ１ｌ／ｗｉ
ｎにて４層積層した。
次に出力 １００Ｗの超音波発生装置を用いて水中で約
５分超音波を加えると１ ’−４の部分の単分子累積膜
は剥離して、ｌ−３の部分のみに単分子累積膜１−５が
第１図（ｄ）に示す様にパターンに従って形成された。
５分超音波を加えると１ ’−４の部分の単分子累積膜
は剥離して、ｌ−３の部分のみに単分子累積膜１−５が
第１図（ｄ）に示す様にパターンに従って形成された。
以上のように、下地をＸ線で改質することにより、下地
表面にパターン状に単分子膜又は単分子累積膜を形成す
ることが可能である。
表面にパターン状に単分子膜又は単分子累積膜を形成す
ることが可能である。
マスクを用いることによりＸ線で微細なノくターン形成
が可能である。従ってＳｉ集積回路への応用も可能であ
る。また、Ｘ線の強さを変化させ、下地表面への単分子
膜又は単分子累積膜の付着力を変えたり、同時に単分子
膜又は単分子累積膜の構成分子として親木部分、疎水部
分の強さの異なる分子を用いることによって、植種の分
子による二次元配置も可能である。また、これらの組合
わせにより複雑な三次元構造のデバイスの製造も可能で
ある。
が可能である。従ってＳｉ集積回路への応用も可能であ
る。また、Ｘ線の強さを変化させ、下地表面への単分子
膜又は単分子累積膜の付着力を変えたり、同時に単分子
膜又は単分子累積膜の構成分子として親木部分、疎水部
分の強さの異なる分子を用いることによって、植種の分
子による二次元配置も可能である。また、これらの組合
わせにより複雑な三次元構造のデバイスの製造も可能で
ある。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明のパターン形成方法の実施態様を示す
。 １−１・・・Ｓｉ （１００）基板 １−２、ｌ−５・・・単分子膜又は単分子累積膜１−３
・・・下地非改質部分 １−４・・・下地改質部分 特許出願人 キャノン株式会社 −４ 第１図 手続補正書（自発） 昭和５８年７月 ６日 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５９年 特許願 第０６７５８６
号２、発明の名称 パターン形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （１００）キャノン株式会社 ４、代 理 人 住所 東京都港区赤坂１丁目９番２０号第１６興和ビル
８階 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書第１１貞節１２行一般式（Ｉ） １ ＣＨ８Ｈ３７ＣＨ２ＧＯＯＨＪを に補正する。
。 １−１・・・Ｓｉ （１００）基板 １−２、ｌ−５・・・単分子膜又は単分子累積膜１−３
・・・下地非改質部分 １−４・・・下地改質部分 特許出願人 キャノン株式会社 −４ 第１図 手続補正書（自発） 昭和５８年７月 ６日 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５９年 特許願 第０６７５８６
号２、発明の名称 パターン形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （１００）キャノン株式会社 ４、代 理 人 住所 東京都港区赤坂１丁目９番２０号第１６興和ビル
８階 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書第１１貞節１２行一般式（Ｉ） １ ＣＨ８Ｈ３７ＣＨ２ＧＯＯＨＪを に補正する。
Claims (1)
- 少なくとも下地表面を雰囲気ガス不存在下でＸ線を走査
し、単分子膜又は単分子累積膜のパターンを形成後、超
音波振動を加えることを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59067586A JPS60211929A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59067586A JPS60211929A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211929A true JPS60211929A (ja) | 1985-10-24 |
Family
ID=13349167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59067586A Pending JPS60211929A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211929A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5512328A (en) * | 1992-08-07 | 1996-04-30 | Hitachi, Ltd. | Method for forming a pattern and forming a thin film used in pattern formation |
-
1984
- 1984-04-06 JP JP59067586A patent/JPS60211929A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5512328A (en) * | 1992-08-07 | 1996-04-30 | Hitachi, Ltd. | Method for forming a pattern and forming a thin film used in pattern formation |
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