JPS60211828A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPS60211828A JPS60211828A JP59067563A JP6756384A JPS60211828A JP S60211828 A JPS60211828 A JP S60211828A JP 59067563 A JP59067563 A JP 59067563A JP 6756384 A JP6756384 A JP 6756384A JP S60211828 A JPS60211828 A JP S60211828A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- monomolecular
- film
- base
- pattern
- gamma rays
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
- H01L21/02285—Langmuir-Blodgett techniques
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は新規なパターン形成方法に関する。更に具体的
には、単分子膜又は単分子累積膜のパターンを、下地上
に形成する方法に関する。
には、単分子膜又は単分子累積膜のパターンを、下地上
に形成する方法に関する。
［背景技術］
従来、半導体技術分野並びに光学技術分野に於ける素材
利用はもっばら比較的取扱いが容易な無機物を対象にし
て進められてきた。これは有機化学分野の技術進展が無
機材料分野のそれに比べて著しく遅れていたことが一因
している。
利用はもっばら比較的取扱いが容易な無機物を対象にし
て進められてきた。これは有機化学分野の技術進展が無
機材料分野のそれに比べて著しく遅れていたことが一因
している。
しかしながら、最近の有機化学分野の技術進歩には目を
みはるものがあり、又、無機物対象の素材開発もほぼ限
界に近づいてきたといわれている。そこで無機物を凌ぐ
新しい機能素材としての機能性有機材料の開発が要望さ
れている。有機材料の利点は安価かつ製造容易であるこ
と、機能性に富むこと等である０反面、これまで劣ると
されてきた耐熱性１機械的強度に対しても、最近これを
克服した有機材料が次々に生まれている。このような技
術的背景のもとで、論理素子、メモリー素子、光電変換
素子等の集積回路デバイスやマイクロレンズ・アレイ、
光導波路等の光学デバイスの機能を荷う部分（主として
薄膜部分）の一部又は全部を従来の無機薄膜に代えて、
有機薄膜で構成しようという提案から、はては１個の有
機分子に論理素子やメモリ素子等の機能を持たせた分子
電子デバイスや生体関連物質からなる論理素子（例えば
バイオ・チップス）を作ろうという提案が最近、いくつ
かの研究機関により発表された。
みはるものがあり、又、無機物対象の素材開発もほぼ限
界に近づいてきたといわれている。そこで無機物を凌ぐ
新しい機能素材としての機能性有機材料の開発が要望さ
れている。有機材料の利点は安価かつ製造容易であるこ
と、機能性に富むこと等である０反面、これまで劣ると
されてきた耐熱性１機械的強度に対しても、最近これを
克服した有機材料が次々に生まれている。このような技
術的背景のもとで、論理素子、メモリー素子、光電変換
素子等の集積回路デバイスやマイクロレンズ・アレイ、
光導波路等の光学デバイスの機能を荷う部分（主として
薄膜部分）の一部又は全部を従来の無機薄膜に代えて、
有機薄膜で構成しようという提案から、はては１個の有
機分子に論理素子やメモリ素子等の機能を持たせた分子
電子デバイスや生体関連物質からなる論理素子（例えば
バイオ・チップス）を作ろうという提案が最近、いくつ
かの研究機関により発表された。
かかる有機材料を用いて上記の各種デバイス等を作成す
る際の薄膜は公知の単分子累積法、すなわちラングミュ
ア・プロジェット法（ＬＢ法）（新実験化学講座 １８
巻 ４９８頁〜５０７頁 丸首）によって形成すること
ができる。
る際の薄膜は公知の単分子累積法、すなわちラングミュ
ア・プロジェット法（ＬＢ法）（新実験化学講座 １８
巻 ４９８頁〜５０７頁 丸首）によって形成すること
ができる。
ＬＢ法は、例えば分子内に親木基と疎水基を有する構造
の分子において、両者のバランス（両親媒性のバランス
）が適度に保たれているとき、分子は水面で親水基を下
に向けて単分子の層になることを利用して単分子膜また
は単分子層の累積膜を作成する方法である。
の分子において、両者のバランス（両親媒性のバランス
）が適度に保たれているとき、分子は水面で親水基を下
に向けて単分子の層になることを利用して単分子膜また
は単分子層の累積膜を作成する方法である。
ところで、このような単分子膜又は単分子累積膜に光導
電性等の各種の機能を持たせ、前述の如き各種デバイス
等を作成するためには、単分子膜又は単分子累積膜の二
次元的な配置を制御する必要がある。しかしながら、上
記の方法では単分子膜又は単分子累積膜が基体全面に形
成されるため、単分子膜又は単分子累積膜の二次元的な
パターニングは、特殊な光重合性を利用したリングラフ
ィ応用のフォトレジストの場合を除いて、すなわち単分
子膜又は単分子累積膜を構成する分子がフォトレジスト
としての性状を有する場合を除いて制御できない欠点が
あった。
電性等の各種の機能を持たせ、前述の如き各種デバイス
等を作成するためには、単分子膜又は単分子累積膜の二
次元的な配置を制御する必要がある。しかしながら、上
記の方法では単分子膜又は単分子累積膜が基体全面に形
成されるため、単分子膜又は単分子累積膜の二次元的な
パターニングは、特殊な光重合性を利用したリングラフ
ィ応用のフォトレジストの場合を除いて、すなわち単分
子膜又は単分子累積膜を構成する分子がフォトレジスト
としての性状を有する場合を除いて制御できない欠点が
あった。
［発明の開示］
本発明の目的は、単分子膜又は単分子層８１膜の二次元
的な配置を制御することが６ｆ能な新規なパターン形成
方法を提供することにある。
的な配置を制御することが６ｆ能な新規なパターン形成
方法を提供することにある。
本発明の目的は、以下のパターン形成方法によって達成
される。
される。
すなわち、少なくとも下地表面を雰囲気ガス不存在下ｔ
’ｈ゛ンマー線を走査した後、単分子膜又は単分子累積
膜を形成しパターンを形成することを特徴とするパター
ン形成方法によって達成される。
’ｈ゛ンマー線を走査した後、単分子膜又は単分子累積
膜を形成しパターンを形成することを特徴とするパター
ン形成方法によって達成される。
本発明では、下地表面をガンマ−線を走査させることに
より改質する。ここで、下地とは、単分子膜または単分
子層８Ｉ膜が所定のパターンに従って積層される部材を
相称する。そのような部材としては、例えば、前述した
各種の半導体デバイス等に用いられるカラス、５ｉ０２
等の無機物からなる基板、ポリエチレン、ポリエチレン
テレフタレート、ポリイミド等の有機物からなる基板、
ＡＩ、Ｔａ、 Ｗ、Ｉｎ、 Ｃｕ等の金属やこれらの合
金等からなる基板、これ等の基板上に設けられた各種の
層（所定のパターンに従って形成されている）、例えば
Ａ１、Ｔａ、Ｗ、 Ｉｎ、 Ｃｕ等の蒸着メタル膜、シ
リコン、ゲルマニウム等のアモルファス、多結晶あるい
は単結晶半導体膜、５ｎ０２ 、 Ｉ Ｔ Ｏ（Ｉｎ２
０３＋５ｎ０２）等の導電性酸化物ガラス膜、等の分子
性アモルファス半導体膜等が挙げられる。また、このよ
うな基板、膜、あるいは膜が積層されている基板上に、
更に単分子膜又は単分子累積膜等が積層されている部位
等も利用し得るものとして挙げられる。
より改質する。ここで、下地とは、単分子膜または単分
子層８Ｉ膜が所定のパターンに従って積層される部材を
相称する。そのような部材としては、例えば、前述した
各種の半導体デバイス等に用いられるカラス、５ｉ０２
等の無機物からなる基板、ポリエチレン、ポリエチレン
テレフタレート、ポリイミド等の有機物からなる基板、
ＡＩ、Ｔａ、 Ｗ、Ｉｎ、 Ｃｕ等の金属やこれらの合
金等からなる基板、これ等の基板上に設けられた各種の
層（所定のパターンに従って形成されている）、例えば
Ａ１、Ｔａ、Ｗ、 Ｉｎ、 Ｃｕ等の蒸着メタル膜、シ
リコン、ゲルマニウム等のアモルファス、多結晶あるい
は単結晶半導体膜、５ｎ０２ 、 Ｉ Ｔ Ｏ（Ｉｎ２
０３＋５ｎ０２）等の導電性酸化物ガラス膜、等の分子
性アモルファス半導体膜等が挙げられる。また、このよ
うな基板、膜、あるいは膜が積層されている基板上に、
更に単分子膜又は単分子累積膜等が積層されている部位
等も利用し得るものとして挙げられる。
特に好ましくは、ガラス、ポリイミド、ＡＩ、シリコン
のアモルファス、多結晶あるいは単結晶半導体膜、単分
子膜又は単分子累積膜等が積層されている下地などが挙
げられる。
のアモルファス、多結晶あるいは単結晶半導体膜、単分
子膜又は単分子累積膜等が積層されている下地などが挙
げられる。
カンマ−線は集束して用い、波長が短いので、マスクを
用いることにより１００八〜１００ＯＡの密度でパター
ン形成が可能である。ガンマ−線による表面の改質を行
なうためには、１０ジユール／ ｃｍ２〜５ ｘ １０
’ジユール／ ｃｍ２のエネルギーが必要である。
用いることにより１００八〜１００ＯＡの密度でパター
ン形成が可能である。ガンマ−線による表面の改質を行
なうためには、１０ジユール／ ｃｍ２〜５ ｘ １０
’ジユール／ ｃｍ２のエネルギーが必要である。
ガンマ−線による表面の改質は、例えば、以下のように
して行われる。シリコン等の場合には、ガンマ−線で走
査すると、表面が疎水性であったのが親水性に変化する
。また、ポリイミドの場合には、ガンマ−線で走査する
と、表面が親木性であったのが疎水性に変化する。ある
いは脂肪酸の単分子膜又は単分子累積膜の場合には両親
媒性が反転しないまでも親水性がより強くなったり、疎
水性がより強くなったりする。上記の様に下地表面を改
質することによってパターニングを行い、形成されたパ
ターンに従って単分子膜又は単分子累積膜が下地上に形
成される。
して行われる。シリコン等の場合には、ガンマ−線で走
査すると、表面が疎水性であったのが親水性に変化する
。また、ポリイミドの場合には、ガンマ−線で走査する
と、表面が親木性であったのが疎水性に変化する。ある
いは脂肪酸の単分子膜又は単分子累積膜の場合には両親
媒性が反転しないまでも親水性がより強くなったり、疎
水性がより強くなったりする。上記の様に下地表面を改
質することによってパターニングを行い、形成されたパ
ターンに従って単分子膜又は単分子累積膜が下地上に形
成される。
本発明における単分子膜又は単分子累積膜を構成する分
子は、その分子内に疎水性部分及び親木性部分を有する
分子であれば広く使用可能である。
子は、その分子内に疎水性部分及び親木性部分を有する
分子であれば広く使用可能である。
このような分子の疎水性部分の構成要素として最も代表
的なものはアルキル基であって、炭素数５〜３０、好ま
しくは、炭素数１０〜２５の直鎖状あるいは分枝状のも
のが使用しうる。疎水性部分を構成する基としては、上
記アルキル基の他、例えばビニレン、ビニリデン、ア・
セチレン等のオレフィン系炭化水素基、フェニル、ナフ
チル、アントラニル等の如き縮合多環フェニル基、ビフ
ェニル、ターフェニル等の鎖状多環フェニル基等の疎水
基等が挙げられる。これらは各々単独であるいは組合さ
れて上記分子の疎水性部分を構成し、分子の末端や中間
に位置する。
的なものはアルキル基であって、炭素数５〜３０、好ま
しくは、炭素数１０〜２５の直鎖状あるいは分枝状のも
のが使用しうる。疎水性部分を構成する基としては、上
記アルキル基の他、例えばビニレン、ビニリデン、ア・
セチレン等のオレフィン系炭化水素基、フェニル、ナフ
チル、アントラニル等の如き縮合多環フェニル基、ビフ
ェニル、ターフェニル等の鎖状多環フェニル基等の疎水
基等が挙げられる。これらは各々単独であるいは組合さ
れて上記分子の疎水性部分を構成し、分子の末端や中間
に位置する。
一方、親水性部分の構成要素として最も代表的なものは
、例えばカルボキシル基及びその金属塩並びにアミン塩
、スルホン酸基及びその金属塩並びにアミン塩、スルホ
ンアミド基、アミド基、アミン基、イミノ基、ヒドロキ
シル基、４級アミノ基、オキシアミノ基、オキシイミノ
基、ジアゾニウム基、グアニジン基、ヒドラジン基、リ
ン酸基、ケイ酸基、アルミン酸基等が挙げられる。これ
らも各々単独であるいは組合されて上記分子の親木性部
分を構成し、分子の末端や中間に位置する。
、例えばカルボキシル基及びその金属塩並びにアミン塩
、スルホン酸基及びその金属塩並びにアミン塩、スルホ
ンアミド基、アミド基、アミン基、イミノ基、ヒドロキ
シル基、４級アミノ基、オキシアミノ基、オキシイミノ
基、ジアゾニウム基、グアニジン基、ヒドラジン基、リ
ン酸基、ケイ酸基、アルミン酸基等が挙げられる。これ
らも各々単独であるいは組合されて上記分子の親木性部
分を構成し、分子の末端や中間に位置する。
ここで、分子内に親水性部分及び疎水性部分を有すると
は１例えば分子が上記のような親木基及び疎水基の両者
を分子内に一つずつ有するか、又は分子内に一つ以上の
親木性基及び疎水基を有する場合には、分子全体の構成
においである部分が他の部分との関係において親木性で
あり、一方後者の部分は前者の部分との関係において疎
水性の関係を有することをいう。
は１例えば分子が上記のような親木基及び疎水基の両者
を分子内に一つずつ有するか、又は分子内に一つ以上の
親木性基及び疎水基を有する場合には、分子全体の構成
においである部分が他の部分との関係において親木性で
あり、一方後者の部分は前者の部分との関係において疎
水性の関係を有することをいう。
本発明における単分子膜又は単分子累積膜を構成する分
子としては、下記の如き機能性を有することが所望され
る。
子としては、下記の如き機能性を有することが所望され
る。
■所望の機能性を荷う部位、即ち機能性部分（例えばπ
電子系）が同時に強い親木性（又は強い疎水性）として
の性質を併有する分子、あるいは■機能性部分が特に親
木性、疎水性を有さず、上記の如き親木基、疎水基等を
導入することで１分子内に親木性部分と疎水性部位を構
成する分子、例えば、 イ０機能性部分が親木性部分の側にあるもの、例えば、
光導電性を有する長鎖アルキル置換のメロシアニン色素
等、 口０機能性部分が疎水性部分の側にあるもの、例えば、
ピレンに長鎖アルキルカルボン酸を結合したもの等、 ハ１機能性部分が中央付近、即ち疎水性部分と親木性部
分の中間にあるもの１例えば、アントラセン誘導体、ジ
アゾ色素の誘導体等、こ０機能性部分がなく、疎水性部
分と親木性部分のみでできているもの１例えば、長鎖飽
和脂肪酸であるステアリン酸、アラキシン酸等が具体的
なものとして挙げられる。
電子系）が同時に強い親木性（又は強い疎水性）として
の性質を併有する分子、あるいは■機能性部分が特に親
木性、疎水性を有さず、上記の如き親木基、疎水基等を
導入することで１分子内に親木性部分と疎水性部位を構
成する分子、例えば、 イ０機能性部分が親木性部分の側にあるもの、例えば、
光導電性を有する長鎖アルキル置換のメロシアニン色素
等、 口０機能性部分が疎水性部分の側にあるもの、例えば、
ピレンに長鎖アルキルカルボン酸を結合したもの等、 ハ１機能性部分が中央付近、即ち疎水性部分と親木性部
分の中間にあるもの１例えば、アントラセン誘導体、ジ
アゾ色素の誘導体等、こ０機能性部分がなく、疎水性部
分と親木性部分のみでできているもの１例えば、長鎖飽
和脂肪酸であるステアリン酸、アラキシン酸等が具体的
なものとして挙げられる。
特に好ましくは、長鎖アルキル置換のメロシアニン色素
、アントラセン誘導体、アラキシン酸などが挙げられる
。
、アントラセン誘導体、アラキシン酸などが挙げられる
。
なお、本発明においては、前記下地上に前記構成分子を
用いて単分子膜又は単分子累積膜を形成した後、超音波
振動を加えることを要しないがパターンを更に鮮明にす
るなどの目的で超音波振動を加えることを妨げるもので
はない。
用いて単分子膜又は単分子累積膜を形成した後、超音波
振動を加えることを要しないがパターンを更に鮮明にす
るなどの目的で超音波振動を加えることを妨げるもので
はない。
本発明を更に具体的に説明するために、以下に実施例を
示す。
示す。
実施例１
第１図に示す方法にてパターンを形成した。
Ｓｉ（１００）基板１−１の表面にＬＢ法で７ラキジン
酸の単分子累積膜１−２を形成し、下地を作成した。ア
ラキシン酸の単分子累積膜は、表面圧３０ｄｙｎｅ／ｃ
ｍ、引き上げ速度５ ｃｍ／ｗｉｎの形成条件で１層積
層した。
酸の単分子累積膜１−２を形成し、下地を作成した。ア
ラキシン酸の単分子累積膜は、表面圧３０ｄｙｎｅ／ｃ
ｍ、引き上げ速度５ ｃｍ／ｗｉｎの形成条件で１層積
層した。
次に、前記下地を真空中に置き５波長０．０１Ａのガン
マ−線をマスクを用い、 １００Ｊ／ｃ層２で下地表面
を走査した。走査部分１−４のアラキシン酸の疎水基部
分が変質し、第１図（ｃ）に示す様にパターンが形成さ
れた。
マ−線をマスクを用い、 １００Ｊ／ｃ層２で下地表面
を走査した。走査部分１−４のアラキシン酸の疎水基部
分が変質し、第１図（ｃ）に示す様にパターンが形成さ
れた。
次に、ＬＢ法で７ラキジン酸とメロシアニンの誘導体の
単分子累積膜を形成した。アラキシン酸とメロシアこン
の誘導体（Ｉ）をｌ：ｌのｍｏｌ比で混合し、前記混合
物を１ ｘ １０’ ｍｏｌ／ｌ となるようクロロホ
ルムに溶かした溶液を水面に展開した後、表面圧 ３０
ｄｙｎｅ／濡ｉｎ 、引き上げ速度８ａｍ／ｓｉｎに
て１０層積層した。単分子累積＠１−５は、１−４の部
分には形成されず、１−３の部分のみに第１図（ｄ）に
示す様にパターンに従って形成された。
単分子累積膜を形成した。アラキシン酸とメロシアこン
の誘導体（Ｉ）をｌ：ｌのｍｏｌ比で混合し、前記混合
物を１ ｘ １０’ ｍｏｌ／ｌ となるようクロロホ
ルムに溶かした溶液を水面に展開した後、表面圧 ３０
ｄｙｎｅ／濡ｉｎ 、引き上げ速度８ａｍ／ｓｉｎに
て１０層積層した。単分子累積＠１−５は、１−４の部
分には形成されず、１−３の部分のみに第１図（ｄ）に
示す様にパターンに従って形成された。
以上のように、下地をガンマ−線で改質することにより
、下゛地表面にパターン状に単分子膜又は単分子累積膜
を形成することが可能である。
、下゛地表面にパターン状に単分子膜又は単分子累積膜
を形成することが可能である。
マスクを用いることによりガンマ−線で微細なパターン
形成が可能である。従ってＳｉ集積回路への応用も可能
である。また、ガンマ−線の強さを変化させ、下地表面
への単分子膜又は単分子累積膜の付着力を変えたり、同
時に単分子膜又は単分子累積膜の構成分子として親木部
分、疎水部分の強さの異なる分子を用いることによって
、種種の分子による二次元配置も可能である。また、こ
れらの組合わせにより複雑な三次元構造のデバイースの
製造も可能である。
形成が可能である。従ってＳｉ集積回路への応用も可能
である。また、ガンマ−線の強さを変化させ、下地表面
への単分子膜又は単分子累積膜の付着力を変えたり、同
時に単分子膜又は単分子累積膜の構成分子として親木部
分、疎水部分の強さの異なる分子を用いることによって
、種種の分子による二次元配置も可能である。また、こ
れらの組合わせにより複雑な三次元構造のデバイースの
製造も可能である。
第１図は、本発明のパターン形成方法の実施態様を示す
。 １−１・・・Ｓｉ （１００）基板 １−４・・・下地弗改質部分 −４ 第１図 手続補正量（自発） 昭和５８年 ７月 ６日 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５９年 特許願 第０６７５８３
号２、発明の名称 パターン形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （＋００）キャノン株式会社 ４、代 理 人 住所 東京都港区赤坂１丁目９番２０号第１６興和ビル
８階 ド６ム。 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ８、補正の内容 明細書第１１頁第４行一般式（Ｉ） １ ［＋ａ １（３７ＣＨ２Ｃ００）Ｉ Ｊを−Ｇ＋８ Ｈ
３７ＣＨ２Ｃ０ＯＨ］ に補正する。
。 １−１・・・Ｓｉ （１００）基板 １−４・・・下地弗改質部分 −４ 第１図 手続補正量（自発） 昭和５８年 ７月 ６日 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５９年 特許願 第０６７５８３
号２、発明の名称 パターン形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （＋００）キャノン株式会社 ４、代 理 人 住所 東京都港区赤坂１丁目９番２０号第１６興和ビル
８階 ド６ム。 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ８、補正の内容 明細書第１１頁第４行一般式（Ｉ） １ ［＋ａ １（３７ＣＨ２Ｃ００）Ｉ Ｊを−Ｇ＋８ Ｈ
３７ＣＨ２Ｃ０ＯＨ］ に補正する。
Claims (1)
- 少なくとも下地表面を雰囲気ガス不存在下７ガンマー線
を走査した後、単分子膜又は単分子累積膜を形成しパタ
ーンを形成することを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59067563A JPS60211828A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59067563A JPS60211828A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211828A true JPS60211828A (ja) | 1985-10-24 |
Family
ID=13348549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59067563A Pending JPS60211828A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211828A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5512328A (en) * | 1992-08-07 | 1996-04-30 | Hitachi, Ltd. | Method for forming a pattern and forming a thin film used in pattern formation |
-
1984
- 1984-04-06 JP JP59067563A patent/JPS60211828A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5512328A (en) * | 1992-08-07 | 1996-04-30 | Hitachi, Ltd. | Method for forming a pattern and forming a thin film used in pattern formation |
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