JPS60121442A - 感光性記録メモリ−媒体および記録再生方法 - Google Patents
感光性記録メモリ−媒体および記録再生方法Info
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- JPS60121442A JPS60121442A JP58229118A JP22911883A JPS60121442A JP S60121442 A JPS60121442 A JP S60121442A JP 58229118 A JP58229118 A JP 58229118A JP 22911883 A JP22911883 A JP 22911883A JP S60121442 A JPS60121442 A JP S60121442A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 18
- 150000001989 diazonium salts Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 abstract description 4
- NYMZTUXALKPTGU-UHFFFAOYSA-M 4-icosylbenzenediazonium;chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC1=CC=C([N+]#N)C=C1 NYMZTUXALKPTGU-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 3
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 abstract description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 3
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 abstract 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O diazynium Chemical compound [NH+]#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 46
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- -1 salt p-decylbenzenediazonium salt Chemical class 0.000 description 8
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 6
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 5
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DYLIWHYUXAJDOJ-OWOJBTEDSA-N (e)-4-(6-aminopurin-9-yl)but-2-en-1-ol Chemical compound NC1=NC=NC2=C1N=CN2C\C=C\CO DYLIWHYUXAJDOJ-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 1
- 150000005207 1,3-dihydroxybenzenes Chemical class 0.000 description 1
- ADVGKWPZRIDURE-UHFFFAOYSA-N 2'-Hydroxyacetanilide Chemical compound CC(=O)NC1=CC=CC=C1O ADVGKWPZRIDURE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPSJGADGUYYRKE-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran-2-one Chemical class O=C1C=CC=CO1 ZPSJGADGUYYRKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZMZJYAMZGWBLB-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxynaphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC(S(O)(=O)=O)=C21 RZMZJYAMZGWBLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPCCNXGZCOXPMG-UHFFFAOYSA-N 4-bromobenzene-1,3-diol Chemical compound OC1=CC=C(Br)C(O)=C1 MPCCNXGZCOXPMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWHSVOVSYMXGEH-UHFFFAOYSA-N 5-decoxy-2-ethoxy-4-(4-methylphenyl)sulfanylbenzenediazonium Chemical class CCCCCCCCCCOC1=CC([N+]#N)=C(OCC)C=C1SC1=CC=C(C)C=C1 CWHSVOVSYMXGEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NROFPJRBKHILJM-UHFFFAOYSA-N 6-methylpyran-2-one Chemical compound CC1=CC=CC(=O)O1 NROFPJRBKHILJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 108010077544 Chromatin Proteins 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 241000357437 Mola Species 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPYHHZQJCSQRJY-UHFFFAOYSA-N Phloroglucinol Natural products CCC=CCC=CCC=CCC=CCCCCC(=O)C1=C(O)C=C(O)C=C1O JPYHHZQJCSQRJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004280 Sodium formate Substances 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VKJYOYFWKIINLS-UHFFFAOYSA-L [Cl-].[Zn+].[Cl-].C(CCCCCCCCCCCCCCCCCCC)C1=CC=C(C=C1)[N+]#N Chemical compound [Cl-].[Zn+].[Cl-].C(CCCCCCCCCCCCCCCCCCC)C1=CC=C(C=C1)[N+]#N VKJYOYFWKIINLS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZVQOOHYFBIDMTQ-UHFFFAOYSA-N [methyl(oxido){1-[6-(trifluoromethyl)pyridin-3-yl]ethyl}-lambda(6)-sulfanylidene]cyanamide Chemical compound N#CN=S(C)(=O)C(C)C1=CC=C(C(F)(F)F)N=C1 ZVQOOHYFBIDMTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001786 chalcogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 210000003483 chromatin Anatomy 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 210000000744 eyelid Anatomy 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000009878 intermolecular interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004780 naphthols Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N phloroglucinol Chemical compound OC1=CC(O)=CC(O)=C1 QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001553 phloroglucinol Drugs 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- UBQKCCHYAOITMY-UHFFFAOYSA-N pyridin-2-ol Chemical class OC1=CC=CC=N1 UBQKCCHYAOITMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- HLBBKKJFGFRGMU-UHFFFAOYSA-M sodium formate Chemical compound [Na+].[O-]C=O HLBBKKJFGFRGMU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000019254 sodium formate Nutrition 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
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- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
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- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、感光性有機化合物よりなる記録層を有する感
光性記録メモリー媒体および感光性有機化合物の光分解
反応とカップリング反応による情報記録と光により再生
する記録再生方法に関する。
光性記録メモリー媒体および感光性有機化合物の光分解
反応とカップリング反応による情報記録と光により再生
する記録再生方法に関する。
従来、光により記録再生を行なう記録メモリー媒体には
、光ディスク、光磁気ディスクなどがある。これらの被
記録媒体としては、希土類−遷移金属の合金薄膜、非晶
質から結晶質への相転移を利用したカルコゲ゛ン化合物
の還元性酸化物薄膜、ヒートモード記録媒体、サーモプ
ラスチック記録媒体などが知られている。これらの媒体
は、塗布法、スパッタリング法、蒸着法などにより、基
板上に形成される。記録層の膜厚はできる限り薄いこと
が、記録の高密度化のために要請される。しかしながら
、従来は600X程度が限界で成膜分子の厚さの数倍な
いし数十倍であった。また、従来のように膜内の分子分
布、配向が乱雑であると、光による書き込みを行左う際
に、光照射部と非照射部の境界面が不明瞭になる。これ
は読み出しのために光を照射したとき、光のスポットが
ぼけてSハ比が低下する原因となる。従って感度の点か
らは、膜内の分子分布、配向が一様であることが好捷し
い。
、光ディスク、光磁気ディスクなどがある。これらの被
記録媒体としては、希土類−遷移金属の合金薄膜、非晶
質から結晶質への相転移を利用したカルコゲ゛ン化合物
の還元性酸化物薄膜、ヒートモード記録媒体、サーモプ
ラスチック記録媒体などが知られている。これらの媒体
は、塗布法、スパッタリング法、蒸着法などにより、基
板上に形成される。記録層の膜厚はできる限り薄いこと
が、記録の高密度化のために要請される。しかしながら
、従来は600X程度が限界で成膜分子の厚さの数倍な
いし数十倍であった。また、従来のように膜内の分子分
布、配向が乱雑であると、光による書き込みを行左う際
に、光照射部と非照射部の境界面が不明瞭になる。これ
は読み出しのために光を照射したとき、光のスポットが
ぼけてSハ比が低下する原因となる。従って感度の点か
らは、膜内の分子分布、配向が一様であることが好捷し
い。
本発明の目的は高感度高密度記録用の記録メモリー媒体
を提供することにある。
を提供することにある。
他の目的(d、高感度、高密度の記録を可能ならしめる
記録再生方法を提供することにある。
記録再生方法を提供することにある。
本発明の目的は、次の感光性記録メモリー媒体によって
達成される。
達成される。
すなわち、基板上に親水部分と疎水部分とを有し、光分
解反応およびカップリング反応し得る感光性有機化合物
より成る単分子膜又は単分子層累積膜を記録層とするこ
とを特徴とする記録メモリー媒体によって達成される。
解反応およびカップリング反応し得る感光性有機化合物
より成る単分子膜又は単分子層累積膜を記録層とするこ
とを特徴とする記録メモリー媒体によって達成される。
前記感光性有機化合物としてはジアゾニウム化合物であ
ることが好捷しい。
ることが好捷しい。
本発明の他の目的は、次の記録再生方法によって達成さ
れる。
れる。
すなわち、基板上の親水部分と疎水部分とを有する感光
性有機化合物より成る単分子層又は単分子層累積膜に、
前記感光性有機化合物の光分解反応とカップリング反応
とに情報を記録し、光により読み出す記録再生方法によ
って達成される。
性有機化合物より成る単分子層又は単分子層累積膜に、
前記感光性有機化合物の光分解反応とカップリング反応
とに情報を記録し、光により読み出す記録再生方法によ
って達成される。
本発明の記録メモリー媒体の作製に用いる感光性有機化
合物は、分子内に親水部分と疎水部分を有するものであ
れば広く使用することができる。
合物は、分子内に親水部分と疎水部分を有するものであ
れば広く使用することができる。
特に好せしい化合物はジアゾニウム化合物である。
更に好捷しくけ以下の特性を有する化合物が選択される
。
。
(1)感光度が高い
(2)%定p■−■域でカップリング速度が速い(3)
濃度の高い安定なアゾ化合物を生成する(4)熱安定性
が高い (5)光分解生成物は無色であり、光や空気に対し安定
で経時的に変色しない (6)適当な有機溶剤に溶けやすい 本発明の記録メモリー媒体の作製に用いることのできる
感光性有機化合物の具体的な例としては次の化合物があ
げられる。
濃度の高い安定なアゾ化合物を生成する(4)熱安定性
が高い (5)光分解生成物は無色であり、光や空気に対し安定
で経時的に変色しない (6)適当な有機溶剤に溶けやすい 本発明の記録メモリー媒体の作製に用いることのできる
感光性有機化合物の具体的な例としては次の化合物があ
げられる。
4−エイコシルベンゼンジアゾニウム塩化物2−エイコ
シル−4−N−ベンジル−N−メチルアミン−5−p−
クロロフェノキシベン6− ゼンジアゾニウム塩化物 2−エトキシ−5−デシルオキシ−4−p−%トリルメ
ルカプトベンゼンジアゾニウム塩p−デシルベンゼンジ
アゾニウム塩 p−(1−n−オクタデシル−モルホリノ)−2,5−
ジ−n−ブトキシベンゼンジアゾニウム塩 p−(18−ノナデセニル)−ベンゼンジアゾニウム塩 本発明の記録メモリー媒体は、前記のよう左感光性有機
化合物を、例えばラングミュア・プロジェット法により
、基板上に単分子膜は単分子層積膜として製膜して作製
する。
シル−4−N−ベンジル−N−メチルアミン−5−p−
クロロフェノキシベン6− ゼンジアゾニウム塩化物 2−エトキシ−5−デシルオキシ−4−p−%トリルメ
ルカプトベンゼンジアゾニウム塩p−デシルベンゼンジ
アゾニウム塩 p−(1−n−オクタデシル−モルホリノ)−2,5−
ジ−n−ブトキシベンゼンジアゾニウム塩 p−(18−ノナデセニル)−ベンゼンジアゾニウム塩 本発明の記録メモリー媒体は、前記のよう左感光性有機
化合物を、例えばラングミュア・プロジェット法により
、基板上に単分子膜は単分子層積膜として製膜して作製
する。
ラングミュア・プロジェット法は、分子内に親水基と疎
水基を有する構造の分子において、両者のバランス(両
親媒性のバランス)が適度に保たれているとき、分子は
水面上で親水基を下に向けて単分子の層になることを利
用して単分子膜または単分子層の累積膜を作成する方法
である。水面上の単分子層は二次元系の特徴をもつ。分
子がま4− ばらに散開しているときは、一分子当り面積Aと表面圧
Hとの間に二次元理想気体の式、HA=kT が成り立ち、゛気体膜′”と々る。ここに、1(はボル
ツマン定数、Tは絶対温度である。Aを十分小さくすれ
ば分子間相互作用が強1り二次元固体のパ凝縮膜″(ま
たは固体膜)″になる。凝縮膜はガラスなどの基板の表
面へ一層ずつ移すことができる。この方法を用いて、単
分子膜または単分子層累積膜は例えば次のようにして製
造する。
水基を有する構造の分子において、両者のバランス(両
親媒性のバランス)が適度に保たれているとき、分子は
水面上で親水基を下に向けて単分子の層になることを利
用して単分子膜または単分子層の累積膜を作成する方法
である。水面上の単分子層は二次元系の特徴をもつ。分
子がま4− ばらに散開しているときは、一分子当り面積Aと表面圧
Hとの間に二次元理想気体の式、HA=kT が成り立ち、゛気体膜′”と々る。ここに、1(はボル
ツマン定数、Tは絶対温度である。Aを十分小さくすれ
ば分子間相互作用が強1り二次元固体のパ凝縮膜″(ま
たは固体膜)″になる。凝縮膜はガラスなどの基板の表
面へ一層ずつ移すことができる。この方法を用いて、単
分子膜または単分子層累積膜は例えば次のようにして製
造する。
まず感光性有機化合物を溶剤に溶解し、これを水相中に
展開し感光性有機化合物を膜状に析出させる。次にこの
析出物が水相上を自由に拡散して拡がりすぎないように
仕切板(または浮子)を設けて展開面積を制限して膜物
質の集合状態を制御し、その集合状態に比例した表面圧
Hを得る。この仕切板を動かし、展開面積を縮少して膜
物質の集合状態を制御し、表面圧を徐々に上昇させ、累
積膜の製造に適する表面圧Hを設定することができる。
展開し感光性有機化合物を膜状に析出させる。次にこの
析出物が水相上を自由に拡散して拡がりすぎないように
仕切板(または浮子)を設けて展開面積を制限して膜物
質の集合状態を制御し、その集合状態に比例した表面圧
Hを得る。この仕切板を動かし、展開面積を縮少して膜
物質の集合状態を制御し、表面圧を徐々に上昇させ、累
積膜の製造に適する表面圧Hを設定することができる。
この表面圧を維持しながら静かに清浄な基板を垂直に上
下させることにより単分子膜が基板上に移しとられる。
下させることにより単分子膜が基板上に移しとられる。
単分子膜は以上で製造されるが、単分子層累積膜は、前
記の操作を繰り返すことにより所望の累積度の単分子層
累積膜が形成される。
記の操作を繰り返すことにより所望の累積度の単分子層
累積膜が形成される。
単分子層を基板上に移すには、上述した垂直浸せき法の
他、水平付着法、回転円筒法などの方法による。水平付
着法は基板を水面に水平に接触させて移しとる方法で、
回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させて単分
子層を基体表面に移しとる方法である。前述した垂直浸
せき法では、水面を横切る方向に基板をおろすと一層め
は親水基が基板側に向いた単分子層が基板上に形成され
る。前述のように基板を上下させると、各行程ごとに1
枚ずつ単分子層が重なっていく。成膜分子の向きが引上
げ行程と浸せき行程で逆になるので、この方法によると
、各層間は親水基と親水基、疎水基と疎水基が向かい合
うY型膜が形成される。
他、水平付着法、回転円筒法などの方法による。水平付
着法は基板を水面に水平に接触させて移しとる方法で、
回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させて単分
子層を基体表面に移しとる方法である。前述した垂直浸
せき法では、水面を横切る方向に基板をおろすと一層め
は親水基が基板側に向いた単分子層が基板上に形成され
る。前述のように基板を上下させると、各行程ごとに1
枚ずつ単分子層が重なっていく。成膜分子の向きが引上
げ行程と浸せき行程で逆になるので、この方法によると
、各層間は親水基と親水基、疎水基と疎水基が向かい合
うY型膜が形成される。
それに対し、水平付着法は、基板を水面に水平に接触さ
せて移しとる方法で、疎水基が基板側に向いた単分子層
が基板上に形成される。この方法では、累積しても、成
膜分子の向きの交代はなく全ての層において、疎水基が
基板側に向いたX型膜が形成される。反対に全ての層に
おいて親水基が基板側に向いた累積膜はZ型膜と呼ばれ
る。
せて移しとる方法で、疎水基が基板側に向いた単分子層
が基板上に形成される。この方法では、累積しても、成
膜分子の向きの交代はなく全ての層において、疎水基が
基板側に向いたX型膜が形成される。反対に全ての層に
おいて親水基が基板側に向いた累積膜はZ型膜と呼ばれ
る。
回転円筒法は、円筒型の基体を水面」−を回転させて単
分子層を基体表面に移しとる方法である。
分子層を基体表面に移しとる方法である。
単分子層を基板上に移す方法は、これらに限定されるわ
けではなく、大面積基板を用いる時には、基板ロールか
ら水相中に基板を押し出していく方法などもとり得る。
けではなく、大面積基板を用いる時には、基板ロールか
ら水相中に基板を押し出していく方法などもとり得る。
捷だ、前述した親水基、疎水基の基板への向きは原則で
あり、基板の表面処理等によって変えることもできる。
あり、基板の表面処理等によって変えることもできる。
本発明の記録メモリー媒体の記録層としての単分子膜又
は単分子層累積膜の膜厚は4〜10000 Xが適して
いる。特に15〜100Xが望ましい。
は単分子層累積膜の膜厚は4〜10000 Xが適して
いる。特に15〜100Xが望ましい。
基板は特に限定されないが、基板表面に界面活性物質が
付着していると、単分子層を水面から移しとる時に、単
分子膜が乱れ、良好な単分子膜または単分子層累積膜が
でき々いので基板表面が清7− 浄なものを使用する必要がある。使用することのできる
基板の例としては、ガラス、アルミニウムなどの金属、
プラスチック、セラミツ久シリコン、テフロンなどが挙
げられる。
付着していると、単分子層を水面から移しとる時に、単
分子膜が乱れ、良好な単分子膜または単分子層累積膜が
でき々いので基板表面が清7− 浄なものを使用する必要がある。使用することのできる
基板の例としては、ガラス、アルミニウムなどの金属、
プラスチック、セラミツ久シリコン、テフロンなどが挙
げられる。
基板上の単分子膜または単分子層累積膜は、十分に強く
固定されており基板からの剥離、剥落を生じることはほ
とんど々いが、接着力を強化する目的で、基板と単分子
膜または単分子層累積膜の間に接着層を設けることもで
きる。さらに単分子層形成条件、例えば水相の水素イオ
ン濃度、イオン種、あるいは表面圧の選択等によっても
接着ガを強化することもできる。
固定されており基板からの剥離、剥落を生じることはほ
とんど々いが、接着力を強化する目的で、基板と単分子
膜または単分子層累積膜の間に接着層を設けることもで
きる。さらに単分子層形成条件、例えば水相の水素イオ
ン濃度、イオン種、あるいは表面圧の選択等によっても
接着ガを強化することもできる。
単分子膜または単分子層累積膜の上に保護膜を設けるこ
とは、単分子膜または単分子層累積膜の化学的安定性を
向上させるためには、好ましいことであるが、成膜分子
の選択によって保護膜は設けても設けなくてもよい。
とは、単分子膜または単分子層累積膜の化学的安定性を
向上させるためには、好ましいことであるが、成膜分子
の選択によって保護膜は設けても設けなくてもよい。
以上のように作製した記録メモリー媒体における記録再
生の方法を次に説明する。
生の方法を次に説明する。
説明の簡単のために、感光性有機化合物として、8−
芳香族ジアゾニウム塩の4−エイコシルベンゼンジアゾ
ニウム塩化物(I)を用いた場合につき、具体的に説明
する。
ニウム塩化物(I)を用いた場合につき、具体的に説明
する。
情報の記録は、この有機化合物の二つの化学的性質、す
なわち光分解反応(1)とカップリング反応(2)を利
用して行なう。
なわち光分解反応(1)とカップリング反応(2)を利
用して行なう。
まず、記録情報のパターンに従って光照射すると、光照
射部位では工の光分解反応が次式のようにおこる。
射部位では工の光分解反応が次式のようにおこる。
(It)
次に非照射部位に残っているIを適尚なカップ。
リング成分(現像剤)とカップリング反応させ、アゾ化
合物を得る。カップリング成分として、2゜6−ジヒド
ロキシナフタレン−6−メルホン酸ナトリウムを用いる
と1式のアゾ化合瞼が得られる。
合物を得る。カップリング成分として、2゜6−ジヒド
ロキシナフタレン−6−メルホン酸ナトリウムを用いる
と1式のアゾ化合瞼が得られる。
(I)
記録の再生は光の照射部、非照射部における生成物の差
(■およびI)を可視光、紫外線、レーザー光などを照
射したときの吸収スはクトルの差を測定して行なう。ア
ゾ化合物は一般的にtrans体で存在するが、紫外線
照射によt) cia体になる。
(■およびI)を可視光、紫外線、レーザー光などを照
射したときの吸収スはクトルの差を測定して行なう。ア
ゾ化合物は一般的にtrans体で存在するが、紫外線
照射によt) cia体になる。
cis体はtrans体に比べ吸収スペクトルが長波長
側にシフトするので、光分解生成物の吸収スはクトルと
の差が大きくなり、高感度の再生がさらに可能となる。
側にシフトするので、光分解生成物の吸収スはクトルと
の差が大きくなり、高感度の再生がさらに可能となる。
吸収スペクトルの測定のほか、記録層に隣接して、例え
ばCd8 、8e 、アモルファスSi。
ばCd8 、8e 、アモルファスSi。
アモルファスSeなどの光導電層およびCu、AJ、F
e。
e。
Ni外どの導電層を設け、アゾ化合物では光電流が増感
されることを利用し、光電流の測定によって、情報を読
み出すことも可能である。
されることを利用し、光電流の測定によって、情報を読
み出すことも可能である。
カップリング成分としては、次の特性を有する化合物が
好捷しい。
好捷しい。
(1) %定pI@にてカップリング速度がはやい(2
)無色であり、アルカリ性において、または経時的に変
色しない (3) ジアゾニウム塩の光分解を妨げるような吸収が
ない (4)水、または適当な有機溶剤に溶けやすい以上の特
性をもつものとしてフェノール類、レゾルシン類、フロ
ログルシン類、ナフトール類、ピリドン類、ピラノン類
の種々の化合物があげられる。具体的には、例えば、2
,6−ジヒドロキシナフタレン−6−スルホン酸ナトリ
ウム、6−メチルピラノン、6−アセトアミドフェノー
ル、4−ブロムレゾルシノール、2−ヒドロキシナフタ
リン−4−スルホン酸々どである。
)無色であり、アルカリ性において、または経時的に変
色しない (3) ジアゾニウム塩の光分解を妨げるような吸収が
ない (4)水、または適当な有機溶剤に溶けやすい以上の特
性をもつものとしてフェノール類、レゾルシン類、フロ
ログルシン類、ナフトール類、ピリドン類、ピラノン類
の種々の化合物があげられる。具体的には、例えば、2
,6−ジヒドロキシナフタレン−6−スルホン酸ナトリ
ウム、6−メチルピラノン、6−アセトアミドフェノー
ル、4−ブロムレゾルシノール、2−ヒドロキシナフタ
リン−4−スルホン酸々どである。
以上のように本発明の記録メモリー媒体は、分子単位で
の情報の記録が可能であり、本発明の記11− 録再生方法によれば分子単位での記録再生が可能である
。従って従来に比べ高感度、高密度の記録再生を達成し
うるものである。
の情報の記録が可能であり、本発明の記11− 録再生方法によれば分子単位での記録再生が可能である
。従って従来に比べ高感度、高密度の記録再生を達成し
うるものである。
本発明をさらに具体的に説明するために、以下に実施例
を示す。
を示す。
実施例1
4−エイコシルベンゼンジアゾニウム塩化物塩化亜鉛複
塩を10”moA/7のクロロホルム溶液とし、水相中
に展開し、表面圧を一定に保ちながら表面が十分に清浄
で親水性となっているガラス基板を水相中に静かに上下
させて単分子膜を基板上に移しとり、35X厚に累積さ
せ、この単分子層累積膜を記録層とする記録メモリー媒
体を作製した。
塩を10”moA/7のクロロホルム溶液とし、水相中
に展開し、表面圧を一定に保ちながら表面が十分に清浄
で親水性となっているガラス基板を水相中に静かに上下
させて単分子膜を基板上に移しとり、35X厚に累積さ
せ、この単分子層累積膜を記録層とする記録メモリー媒
体を作製した。
作成した記録メモリー媒体にパターンに従って白色光を
照射し、2,6−ジヒドロキシナフタレン−6−スルフ
ォン酸ナトリウムにより現像し記録した。
照射し、2,6−ジヒドロキシナフタレン−6−スルフ
ォン酸ナトリウムにより現像し記録した。
紫外線を照射して記録を再生したところ、8/N比よく
再生が可能であった。
再生が可能であった。
実施例2
12−
2−エイコシル−4−N−ベンジル−N−メチルアミノ
−5−p−クロロフェノキシばンゼンジアゾニウム塩化
物塩化亜鉛複塩を10−2molAのクロロホルム溶液
とし、実施例1と同様にして65大厚の単分子層累積膜
の記録層を形成した。次に基板裏面に光導電層としてC
dS層を塩化ビニルと酢酸ビニルの共重合体をバインダ
ーとしたコーティングにて40〜50μm厚に形成し、
次いで光導電層の上に導電層としてC0層を真空蒸着法
にて10oO〜2000 A厚に形成して記録メモリー
媒体を作製した。
−5−p−クロロフェノキシばンゼンジアゾニウム塩化
物塩化亜鉛複塩を10−2molAのクロロホルム溶液
とし、実施例1と同様にして65大厚の単分子層累積膜
の記録層を形成した。次に基板裏面に光導電層としてC
dS層を塩化ビニルと酢酸ビニルの共重合体をバインダ
ーとしたコーティングにて40〜50μm厚に形成し、
次いで光導電層の上に導電層としてC0層を真空蒸着法
にて10oO〜2000 A厚に形成して記録メモリー
媒体を作製した。
作製した記録メモリー媒体にパターンに従って白色光を
照射し、溶液Bにより現像し記録した。
照射し、溶液Bにより現像し記録した。
レーザー光を照射して、光電流の測定により記録を再生
したところ、S/N比よく再生が可能である。
したところ、S/N比よく再生が可能である。
溶液B:フロログルシノール0.8 g、 安息香酸0
.25g、ギ酸ナトリウム16.0g、チオ尿素1.5
gに水を加えて100CCとする。
.25g、ギ酸ナトリウム16.0g、チオ尿素1.5
gに水を加えて100CCとする。
実施例6
感光性有機化合物として2−エトキシ−5−デシルオキ
シ−4−p−トリルメルカプトベンゼンジアゾニウム塩
を用い、実施例1と同様にして記録メモリー媒体を作製
した。
シ−4−p−トリルメルカプトベンゼンジアゾニウム塩
を用い、実施例1と同様にして記録メモリー媒体を作製
した。
作製した記録メモリー媒体にパターンに従って白色光を
照射し、2,6−ジヒドロキシナフタレン−6−スルフ
ォン酸ナトリウムにより現像し記録した。
照射し、2,6−ジヒドロキシナフタレン−6−スルフ
ォン酸ナトリウムにより現像し記録した。
紫外線を照射して記録を再生したところ、Sハ比よく再
生が可能であった。
生が可能であった。
特許出願人 キャノン株式会社
=15−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 基板上に親水部分と疎水部分とを有し光分解反応
およびカップリング反応し得る感光性有機化合物より成
る単分子膜又は単分子層累積膜を記録層とすることを特
徴とする記録メモリー媒体。 2、 前記感光性有機化合物がジアゾニウム化合物であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の記録メ
モリー媒体。 6、 基板上の親水部分と疎水部分とを有する感光性有
機化合物より成る単分子層又は単分子層累積膜に、前記
感光性有機化合物の光分解反応とカップリング反応とに
より情報を記録し、光により読み出す記録再生方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58229118A JPS60121442A (ja) | 1983-12-06 | 1983-12-06 | 感光性記録メモリ−媒体および記録再生方法 |
US06/676,254 US4618561A (en) | 1983-12-06 | 1984-11-29 | Monomolecular record memory medium with photosensitive diazonium salt |
GB08430610A GB2152224B (en) | 1983-12-06 | 1984-12-04 | A monomolecular layer of photosensitive material |
DE19843444556 DE3444556A1 (de) | 1983-12-06 | 1984-12-06 | Aufzeichnungsspeichermaterial und aufzeichnungs- und ausleseverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58229118A JPS60121442A (ja) | 1983-12-06 | 1983-12-06 | 感光性記録メモリ−媒体および記録再生方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60121442A true JPS60121442A (ja) | 1985-06-28 |
Family
ID=16887023
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58229118A Pending JPS60121442A (ja) | 1983-12-06 | 1983-12-06 | 感光性記録メモリ−媒体および記録再生方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4618561A (ja) |
JP (1) | JPS60121442A (ja) |
DE (1) | DE3444556A1 (ja) |
GB (1) | GB2152224B (ja) |
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---|---|---|---|---|
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JPS61215381A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-25 | Ube Ind Ltd | ベンゾオキサジン誘導体および除草剤 |
DE3685470D1 (de) * | 1985-10-11 | 1992-07-02 | Sony Corp | Laserinformationsaufzeichnungsmedium mit aufzeichnungsschicht. |
EP0249457B1 (en) * | 1986-06-12 | 1991-08-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for formation of patterns |
US5120603A (en) * | 1989-06-22 | 1992-06-09 | Digital Equipment Corporation | Magneto-optic recording medium with oriented langmuir-blodgett protective layer |
JP2599513B2 (ja) * | 1990-06-25 | 1997-04-09 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | アブレーション・マスク |
US5512328A (en) * | 1992-08-07 | 1996-04-30 | Hitachi, Ltd. | Method for forming a pattern and forming a thin film used in pattern formation |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR956666A (ja) * | 1941-05-29 | 1950-02-02 | ||
US3723121A (en) * | 1970-11-03 | 1973-03-27 | Du Pont | Process for recording images with laser beams |
DE2221378A1 (de) * | 1972-05-02 | 1974-05-02 | Hitachi Ltd | Verfahren zur elektronenstrahlsignalspeicherung |
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FR2310586A1 (fr) * | 1975-05-07 | 1976-12-03 | Thomson Brandt | Procede de fabrication de supports d'informations lisibles optiquement par variation d'absorption et support ainsi obtenu |
FR2375623A1 (fr) * | 1976-06-23 | 1978-07-21 | Commissariat Energie Atomique | Nouveaux films photosensibles utilisables en microgravure |
GB1582860A (en) * | 1977-02-23 | 1981-01-14 | Ici Ltd | Device |
US4248959A (en) * | 1978-12-07 | 1981-02-03 | American Hoechst Corporation | Preparation of diazo printing plates using laser exposure |
DE2952486A1 (de) * | 1978-12-26 | 1980-07-17 | Canon Kk | Elektrophotographisches verfahren und einrichtung zu dessen durchfuehrung |
DE2902959C2 (de) * | 1979-01-26 | 1984-11-29 | Battelle-Institut E.V., 6000 Frankfurt | Verfahren zur Oberflächenmodifizierung von Kunststoffen, Azido- bzw. Diazoderivate und deren Herstellung |
IL60116A (en) * | 1979-06-25 | 1984-04-30 | University Patents Inc | Coating process and articles coated thereby |
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JPS58162961A (ja) * | 1982-03-24 | 1983-09-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平板印刷板の製造方法 |
JPS5991438A (ja) * | 1982-11-17 | 1984-05-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光感熱記録材料 |
US4499170A (en) * | 1983-06-17 | 1985-02-12 | Richardson Graphics Company | Lithographic plates and photoresists having stabilized photosensitive diazo resin with theophylline derivative |
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US4521503A (en) * | 1984-05-11 | 1985-06-04 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Highly photosensitive aqueous solvent-developable printing assembly |
-
1983
- 1983-12-06 JP JP58229118A patent/JPS60121442A/ja active Pending
-
1984
- 1984-11-29 US US06/676,254 patent/US4618561A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-12-04 GB GB08430610A patent/GB2152224B/en not_active Expired
- 1984-12-06 DE DE19843444556 patent/DE3444556A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4618561A (en) | 1986-10-21 |
GB2152224A (en) | 1985-07-31 |
GB2152224B (en) | 1987-03-11 |
GB8430610D0 (en) | 1985-01-09 |
DE3444556A1 (de) | 1985-06-13 |
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