JPH026046B2 - - Google Patents
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- JPH026046B2 JPH026046B2 JP56144090A JP14409081A JPH026046B2 JP H026046 B2 JPH026046 B2 JP H026046B2 JP 56144090 A JP56144090 A JP 56144090A JP 14409081 A JP14409081 A JP 14409081A JP H026046 B2 JPH026046 B2 JP H026046B2
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- tetrathiafulvalene
- carbo
- tetraselenafulvalene
- tetraheterofulvalene
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ビデオ記憶デイスクに係る。
今日、放射線又は熱に対して感応する材料の薄
いフイルムの層中に記憶され得る光学的に伝達さ
れた情報を受取るために、ビデオ記憶デイスクが
用いられている。その記憶された情報は光学的技
術によつて読取られ得る。
いフイルムの層中に記憶され得る光学的に伝達さ
れた情報を受取るために、ビデオ記憶デイスクが
用いられている。その記憶された情報は光学的技
術によつて読取られ得る。
典型的には、それらのデイスクは、カルコゲン
化物ガラス又は染料を埋込まれた重合体フイルム
の如き、放射線に感応する材料を表面上に有して
いる基板から成つている。（光学的記憶媒体につ
いては、Optical Engineering、第15巻、第２号、
1976年、第99頁乃至第108頁に於けるR.A.
Bartorini等による“Review and Analysis of
Optical Recording Media”と題する文献に概
説されている。）それらのデイスクに於ては、活
性線の吸収により、開孔又は亀裂が放射領域中に
形成される。それらの変形が光学的に読取られ
る。ビデオ記憶デイスクに用いられている他の材
料は、活性線にさらされたときにフオトクロミズ
ムを生じる。例えば、重合体マトリツクス中に於
けるアゾを基材とする染料が基板上に被覆され
る。活性線にさらされたときに、それらの染料
は、光学的パターン情報を与える様に固定され得
る吸収スペクトルの変化を生じる。今日のビデオ
記憶材料は一応適当なのではあるが、ビデオ記憶
デイスクに用いられるために必要とされる特性条
件のすべてを満たしているとはいえない。例え
ば、ビデオ記憶デイスクの像形成媒体として有用
であるためには、その様な材料は以下の特性を有
していなければならない。
化物ガラス又は染料を埋込まれた重合体フイルム
の如き、放射線に感応する材料を表面上に有して
いる基板から成つている。（光学的記憶媒体につ
いては、Optical Engineering、第15巻、第２号、
1976年、第99頁乃至第108頁に於けるR.A.
Bartorini等による“Review and Analysis of
Optical Recording Media”と題する文献に概
説されている。）それらのデイスクに於ては、活
性線の吸収により、開孔又は亀裂が放射領域中に
形成される。それらの変形が光学的に読取られ
る。ビデオ記憶デイスクに用いられている他の材
料は、活性線にさらされたときにフオトクロミズ
ムを生じる。例えば、重合体マトリツクス中に於
けるアゾを基材とする染料が基板上に被覆され
る。活性線にさらされたときに、それらの染料
は、光学的パターン情報を与える様に固定され得
る吸収スペクトルの変化を生じる。今日のビデオ
記憶材料は一応適当なのではあるが、ビデオ記憶
デイスクに用いられるために必要とされる特性条
件のすべてを満たしているとはいえない。例え
ば、ビデオ記憶デイスクの像形成媒体として有用
であるためには、その様な材料は以下の特性を有
していなければならない。
１ ビデオ情報を光学的に受取り得ること。
２ その情報を例えば1μｍの像オーダーの高密
度で記憶し得ること。
度で記憶し得ること。
３ データ像と背景との間に大きな光学的コント
ラストを与えること。
ラストを与えること。
４ 記憶された情報を検出するための適当な波長
を吸収し得ること。
を吸収し得ること。
５ 基板に強力に付着し得ること及び均一なフイ
ルムを形成する特性を有すること等の如き、適
当な機械的特性を有していること。
ルムを形成する特性を有すること等の如き、適
当な機械的特性を有していること。
６ 記憶されたビデオ情報の長期間に亘る安定性
を有すること。
を有すること。
本発明に於て、上記条件のすべてを満たす類の
材料が発見された。それらの材料は、変性された
テトラヘテロフルバレン誘導体である。本明細書
に開示された材料は、高解像度のビデオ記憶即ち
1μｍ程度の光学的に検出可能な像を生じること
が解つた。
材料が発見された。それらの材料は、変性された
テトラヘテロフルバレン誘導体である。本明細書
に開示された材料は、高解像度のビデオ記憶即ち
1μｍ程度の光学的に検出可能な像を生じること
が解つた。
本発明は新規な高解像度のビデオ記憶媒体を提
供する。上記媒体は一官能基で置換されたテトラ
ヘテロフルバレン及びハロカーボンのフイルムの
層で表面を被覆された基板から成る。
供する。上記媒体は一官能基で置換されたテトラ
ヘテロフルバレン及びハロカーボンのフイルムの
層で表面を被覆された基板から成る。
テトラヘテロフルバレン及び同様なドナー組成
物は周知である。それらが、米国特許第4036648
号及び第4082552号の明細書に開示されている如
く、ハロカーボンの存在に於て光学的に活性であ
ることも知られている。これらの特許明細書は、
それらの材料の或るもの及びプリント技術に於け
るそれらの有用性について記載している。しかし
ながら、これらの米国特許に開示された材料は最
大の解像度でも30μｍ〜50μｍ程度の大きな像し
か形成できず、高解像度のビデオ情報を高密度で
記録することはできなかつた。本出願人による特
願昭55−140689号の明細書は、テトラヘテロフル
バレン材料を高解像度のリソグラフイーに於てレ
ジスト材料として用いることを開示している。し
かしながら、本明細書に開示されている特定の組
成物及びそれらをビデオ記憶媒体として用いるこ
とについては何ら開示していない。
物は周知である。それらが、米国特許第4036648
号及び第4082552号の明細書に開示されている如
く、ハロカーボンの存在に於て光学的に活性であ
ることも知られている。これらの特許明細書は、
それらの材料の或るもの及びプリント技術に於け
るそれらの有用性について記載している。しかし
ながら、これらの米国特許に開示された材料は最
大の解像度でも30μｍ〜50μｍ程度の大きな像し
か形成できず、高解像度のビデオ情報を高密度で
記録することはできなかつた。本出願人による特
願昭55−140689号の明細書は、テトラヘテロフル
バレン材料を高解像度のリソグラフイーに於てレ
ジスト材料として用いることを開示している。し
かしながら、本明細書に開示されている特定の組
成物及びそれらをビデオ記憶媒体として用いるこ
とについては何ら開示していない。
本発明に於て用いられる材料は、ハロカーボン
と組合わされた一官能基の置換基を有するテトラ
ヘテロフルバレンを含む。それらの材料はガラス
の如きフイルム形成特性を有し、又広範囲の溶媒
中に可溶であつて回転被覆に適している。
と組合わされた一官能基の置換基を有するテトラ
ヘテロフルバレンを含む。それらの材料はガラス
の如きフイルム形成特性を有し、又広範囲の溶媒
中に可溶であつて回転被覆に適している。
本発明に於て用いられるテトラヘテロフルバレ
ン誘導体は次の分子構造式を有する。
ン誘導体は次の分子構造式を有する。
上記式に於て、ＸはＳ及び／若しくはSeから
選択され、Ｒは約１乃至８個のＣ原子を有するア
ルキル基、又はベンジル基であり得る。ベンジル
基は重合体の鎖の一部であり得る。Ｙはエーテル
又はエステルの基から選択され得る。
選択され、Ｒは約１乃至８個のＣ原子を有するア
ルキル基、又はベンジル基であり得る。ベンジル
基は重合体の鎖の一部であり得る。Ｙはエーテル
又はエステルの基から選択され得る。
本発明に於て効果的に用いられ得る一官能基で
置換されたテトラヘテロフルバレンの特定の組成
物には、以下のものが含まれる。
置換されたテトラヘテロフルバレンの特定の組成
物には、以下のものが含まれる。
ｐ−メトキシ・フエニル・テトラチアフルバレ
ン ｐ−エトキシ・フエニル・テトラチアフルバレ
ン ｐ−プロポキシ・フエニル・テトラチアフルバ
レン ｐ−ブトキシ・フエニル・テトラチアフルバレ
ン ｐ−ペントキシ・フエニル・テトラチアフルバ
レン ｐ−ヘクソキシ・フエニル・テトラチアフルバ
レン ｐ−ヘプトキシ・フエニル・テトラチアフルバ
レン ｐ−オクトキシ・フエニル・テトラチアフルバ
レン ポリ（ｐ−メチレンオキシ−（p′−フエニル・
テトラチアフルバレン）スチレン） ｐ−メトキシ・フエニル・テトラセレナフルバ
レン ｐ−エトキシ・フエニル・テトラセノナフルバ
レン ｐ−プロポキシ・フエニル・テトラセレナフル
バレン ｐ−ブトキシ・フエニル・テトラセレナフルバ
レン ｐ−ペントキシ・フエニル・テトラセレナフル
バレン ｐ−ヘクソキシ・フエニル・テトラセレナフル
バレン ｐ−ヘプトキシ・フエニル・テトラセレナフル
バレン ｐ−オクトキシ・フエニル・テトラセレナフル
バレン ポリ（ｐ−メチレンオキシ−（p′−フエニル・
テトラセレナフルバレン）スチレン） ｐ−カルボ・メトキシ・フエニル・テトラチア
フルバレン ｐ−カルボ・エトキシ・フエニル・テトラチア
フルバレン ｐ−カルボ・プロポキシ・フエニル・テトラチ
アフルバレン ｐ−カルボ・ブトキシ・フエニル・テトラチア
フルバレン ｐ−カルボ・ペントキシ・フエニル・テトラチ
アフルバレン ｐ−カルボ・ヘクソキシ・フエニル・テトラチ
アフルバレン ｐ−カルボ・ヘプトキシ・フエニル・テトラチ
アフルバレン ｐ−カルボ・オクトキシ・フエニル・テトラチ
アフルバレン ポリ（ｐ−カルボキシ−（p′フエニル・テトラ
チアフルバレン）スチレン） ｐ−カルボ・メトキシ・フエニル・テトラセレ
ナフルバレン ｐ−カルボ・エトキシ・フエニル・テトラセレ
ナフルバレン ｐ−カルボ・プロポキシ・フエニル・テトラセ
レナフルバレン ｐ−カルボ・ブトキシ・フエニル・テトラセレ
ナフルバレン ｐ−カルボ・ペントキシ・フエニル・テトラセ
レナフルバレン ｐ−カルボ・ヘクソキシ・フエニル・テトラセ
レナフルバレン ｐ−カルボ・ヘプトキシ・フエニル・テトラセ
レナフルバレン ｐ−カルボ・オクトキシ・フエニル・テトラセ
レナフルバレン ポリ（ｐ−カルボキシ−（p′−フエニル・テト
ラセレナフルバレン）スチレン） 本発明に於て用いられるために選択されるハロ
カーボンには、上記テトラヘテロフルバレン誘導
体との光学的反応のために大きな電子親和性を有
するものが含まれる。典型的には、それらは
CCl4、CBr4、C2Cl6、C2Cl2Br4、C3Br4H4、
C2Br2Cl4、C2H2Cl4、C2Br6、C3Cl8、CHBr3及び
同種のものから選択される。
ン ｐ−エトキシ・フエニル・テトラチアフルバレ
ン ｐ−プロポキシ・フエニル・テトラチアフルバ
レン ｐ−ブトキシ・フエニル・テトラチアフルバレ
ン ｐ−ペントキシ・フエニル・テトラチアフルバ
レン ｐ−ヘクソキシ・フエニル・テトラチアフルバ
レン ｐ−ヘプトキシ・フエニル・テトラチアフルバ
レン ｐ−オクトキシ・フエニル・テトラチアフルバ
レン ポリ（ｐ−メチレンオキシ−（p′−フエニル・
テトラチアフルバレン）スチレン） ｐ−メトキシ・フエニル・テトラセレナフルバ
レン ｐ−エトキシ・フエニル・テトラセノナフルバ
レン ｐ−プロポキシ・フエニル・テトラセレナフル
バレン ｐ−ブトキシ・フエニル・テトラセレナフルバ
レン ｐ−ペントキシ・フエニル・テトラセレナフル
バレン ｐ−ヘクソキシ・フエニル・テトラセレナフル
バレン ｐ−ヘプトキシ・フエニル・テトラセレナフル
バレン ｐ−オクトキシ・フエニル・テトラセレナフル
バレン ポリ（ｐ−メチレンオキシ−（p′−フエニル・
テトラセレナフルバレン）スチレン） ｐ−カルボ・メトキシ・フエニル・テトラチア
フルバレン ｐ−カルボ・エトキシ・フエニル・テトラチア
フルバレン ｐ−カルボ・プロポキシ・フエニル・テトラチ
アフルバレン ｐ−カルボ・ブトキシ・フエニル・テトラチア
フルバレン ｐ−カルボ・ペントキシ・フエニル・テトラチ
アフルバレン ｐ−カルボ・ヘクソキシ・フエニル・テトラチ
アフルバレン ｐ−カルボ・ヘプトキシ・フエニル・テトラチ
アフルバレン ｐ−カルボ・オクトキシ・フエニル・テトラチ
アフルバレン ポリ（ｐ−カルボキシ−（p′フエニル・テトラ
チアフルバレン）スチレン） ｐ−カルボ・メトキシ・フエニル・テトラセレ
ナフルバレン ｐ−カルボ・エトキシ・フエニル・テトラセレ
ナフルバレン ｐ−カルボ・プロポキシ・フエニル・テトラセ
レナフルバレン ｐ−カルボ・ブトキシ・フエニル・テトラセレ
ナフルバレン ｐ−カルボ・ペントキシ・フエニル・テトラセ
レナフルバレン ｐ−カルボ・ヘクソキシ・フエニル・テトラセ
レナフルバレン ｐ−カルボ・ヘプトキシ・フエニル・テトラセ
レナフルバレン ｐ−カルボ・オクトキシ・フエニル・テトラセ
レナフルバレン ポリ（ｐ−カルボキシ−（p′−フエニル・テト
ラセレナフルバレン）スチレン） 本発明に於て用いられるために選択されるハロ
カーボンには、上記テトラヘテロフルバレン誘導
体との光学的反応のために大きな電子親和性を有
するものが含まれる。典型的には、それらは
CCl4、CBr4、C2Cl6、C2Cl2Br4、C3Br4H4、
C2Br2Cl4、C2H2Cl4、C2Br6、C3Cl8、CHBr3及び
同種のものから選択される。
ハロカーボンはテトラヘテロフルバレンの濃度
の0.05乃至0.5倍の範囲の量で組成物中に含まれ
る。
の0.05乃至0.5倍の範囲の量で組成物中に含まれ
る。
像の現像に於ける感度及び解像度は組成物の構
成成分の純度及びテトラヘテロフルバレンに対す
るハロカーボンのモル比に大きく依存する。典型
的には、上記モル比は約0.1乃至約0.2の範囲に維
持される。
成成分の純度及びテトラヘテロフルバレンに対す
るハロカーボンのモル比に大きく依存する。典型
的には、上記モル比は約0.1乃至約0.2の範囲に維
持される。
用いられ得る溶媒には、トルエン、クロロホル
ム、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、メチル
エチルケトン及び同種のものが含まれる。用いら
れる特定の溶媒は、特定のテトラヘテロフルバレ
ンの溶解度特性及び所望のフイルムの厚さに依存
する。
ム、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、メチル
エチルケトン及び同種のものが含まれる。用いら
れる特定の溶媒は、特定のテトラヘテロフルバレ
ンの溶解度特性及び所望のフイルムの厚さに依存
する。
フイルムは概して周知の回転注型技術によつて
形成される。しかしながら、浸漬被覆技術も同様
に用いられ得る。
形成される。しかしながら、浸漬被覆技術も同様
に用いられ得る。
上記テトラヘテロフルバレン誘導体は知られて
いる合成方法によつて形成され得る。それらの典
型的な方法が、Synthesis 489（1979）に於ける
M.Narita等による“Preparation of
Tetrathiafulvalenes（TTF）and Their
Selenium Analog：Tetraselenafulvalenes
（TSeF）”と題する文献及び米国特許第4142783
号の明細書に記載されており、本明細書に於ても
引用されている。
いる合成方法によつて形成され得る。それらの典
型的な方法が、Synthesis 489（1979）に於ける
M.Narita等による“Preparation of
Tetrathiafulvalenes（TTF）and Their
Selenium Analog：Tetraselenafulvalenes
（TSeF）”と題する文献及び米国特許第4142783
号の明細書に記載されており、本明細書に於ても
引用されている。
組成物が表面上に注型され得る適当な基板に
は、ガラス、プラスチツク、石英、マイラ及び同
種のものが含まれる。
は、ガラス、プラスチツク、石英、マイラ及び同
種のものが含まれる。
ビデオ記憶デイスクの露光は、200ワツトの水
銀灯を密着プリンタとともに用いることによつて
行われた。上記水銀灯の出力はウエーハの平面に
於て400ｍｗ／cm2であつた。露光中に赤外線を吸
収するために２色性の鏡が用いられた。上記水銀
灯は3000乃至5000Åの範囲に於ける放射線を与え
た。デイスクは約10秒乃至約120秒の時間の間露
光された。
銀灯を密着プリンタとともに用いることによつて
行われた。上記水銀灯の出力はウエーハの平面に
於て400ｍｗ／cm2であつた。露光中に赤外線を吸
収するために２色性の鏡が用いられた。上記水銀
灯は3000乃至5000Åの範囲に於ける放射線を与え
た。デイスクは約10秒乃至約120秒の時間の間露
光された。
マスクの存在の下でビデオ記憶デイスクが露光
された後、無極性溶媒を用いて非露光領域を除去
することによつて像が現像された。適当な現像液
には、テトラヒドロフラン、クロロホルム、トル
エン、メチルエチルケトン、塩化メチレン及び同
種のものが含まれる。
された後、無極性溶媒を用いて非露光領域を除去
することによつて像が現像された。適当な現像液
には、テトラヒドロフラン、クロロホルム、トル
エン、メチルエチルケトン、塩化メチレン及び同
種のものが含まれる。
現像された像は溶媒により生じる歪み又は解像
度の減少の形跡を何ら示さなかつた。これは、溶
媒により生じる歪みが重大な問題である従来技術
によるビデオ記憶デイスク材料とは異なつてい
る。
度の減少の形跡を何ら示さなかつた。これは、溶
媒により生じる歪みが重大な問題である従来技術
によるビデオ記憶デイスク材料とは異なつてい
る。
形成されたフイルムはスペクトルの可視及び紫
外領域即ち約9000乃至約2000Åに於て強い吸収を
示した。それらの吸収は、露光されたデイスク上
の書込まれたビデオ情報を読取るための手段とし
てレーザ読取装置を用いることによつて検出され
得る。
外領域即ち約9000乃至約2000Åに於て強い吸収を
示した。それらの吸収は、露光されたデイスク上
の書込まれたビデオ情報を読取るための手段とし
てレーザ読取装置を用いることによつて検出され
得る。
次に、本発明をその好実施例について説明する
が、それらは単に説明のためになされたものであ
つて、何ら本発明の範囲を限定するものではな
い。
が、それらは単に説明のためになされたものであ
つて、何ら本発明の範囲を限定するものではな
い。
実施例 １
フイルムが、約50μの水を含まないテトラヒ
ドロフラン中に15mgのｐ−メトキシ・フエニル・
テトラチアフルバレン及び１mgのCBr4を含む溶
液から、基板上に回転注型された。約1μｍの厚
さのフイルムがこの様にして付着された。
ドロフラン中に15mgのｐ−メトキシ・フエニル・
テトラチアフルバレン及び１mgのCBr4を含む溶
液から、基板上に回転注型された。約1μｍの厚
さのフイルムがこの様にして付着された。
上記フイルムがマスクを経て200ワツトの水銀
灯で約20秒間露光された。露光後、上記フイルム
をテトラヒドロフラン中に約30秒間浸漬すること
によつて、像が現像された。現像された像は6500
Åに極大を有する光学的吸収を生じ、0.8の光学
密度の差を有した。8000Å及び18000Åに於ける
他の吸収も観察された。
灯で約20秒間露光された。露光後、上記フイルム
をテトラヒドロフラン中に約30秒間浸漬すること
によつて、像が現像された。現像された像は6500
Åに極大を有する光学的吸収を生じ、0.8の光学
密度の差を有した。8000Å及び18000Åに於ける
他の吸収も観察された。
実施例 ２
100μの水を含まないテトラヒドロフラン中
に溶解された約50mgのポリ（ｐ−メチレンオキシ
−（p′−フエニル・テトラチアフルバレン）スチ
レン）及び５mgのC2Br2Cl4が適当な基板上に回
転注型された以外は、実施例１に開示された方法
と同じ方法が繰り返された。露光されたフイルム
をメチルエチルケトン中に浸漬することによつ
て、像が現像された。6500Å、8000Å及び18000
Åに極大を有する光学的吸収が観察された。
に溶解された約50mgのポリ（ｐ−メチレンオキシ
−（p′−フエニル・テトラチアフルバレン）スチ
レン）及び５mgのC2Br2Cl4が適当な基板上に回
転注型された以外は、実施例１に開示された方法
と同じ方法が繰り返された。露光されたフイルム
をメチルエチルケトン中に浸漬することによつ
て、像が現像された。6500Å、8000Å及び18000
Åに極大を有する光学的吸収が観察された。
実施例 ３
100μのトルエン中に溶解された約25mgのｐ
−カルボ・メトキシ・フエニル・テトラチアフル
バレン及び2.0mgのCBr4が適当な基板上に回転注
型された以外は、実施例１の方法が繰返された。
露光された像を塩化メチレン中に浸漬することに
よつて、像が現像された。6800Å、8000Å及び
18500Åに極大を有する光学的吸収が観察された。
−カルボ・メトキシ・フエニル・テトラチアフル
バレン及び2.0mgのCBr4が適当な基板上に回転注
型された以外は、実施例１の方法が繰返された。
露光された像を塩化メチレン中に浸漬することに
よつて、像が現像された。6800Å、8000Å及び
18500Åに極大を有する光学的吸収が観察された。
実施例 ４
50μのテトラヒドロフラン中に溶解された10
mgのｐ−メトキシ・フエニル・テトラセレナフル
バレン及び１mgのC2Br2Cl4が用いられた以外は、
実施例１の方法が繰返された。露光されたフイル
ムをメチルエチルケトン中に浸漬することによつ
て、像が現像された。7400Å、9000Å及び18000
Åに極大を有する光学的吸収が観察された。
mgのｐ−メトキシ・フエニル・テトラセレナフル
バレン及び１mgのC2Br2Cl4が用いられた以外は、
実施例１の方法が繰返された。露光されたフイル
ムをメチルエチルケトン中に浸漬することによつ
て、像が現像された。7400Å、9000Å及び18000
Åに極大を有する光学的吸収が観察された。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Ｘは各々Ｓ及びSeより成る群から選択され、
Ｒは１乃至８個の炭素原子を有するアルキル基及
び重合体の鎖の一部であり得るベンジル基より成
る群から選択され、Ｙはエステル又はエーテルの
基より成る群から選択されているとき、 で表わされるテトラヘテロフルバレン誘導体及び
ハロカーボンを表面上に有する基板から成る、高
解像度のビデオ記憶デイスク。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/216,341 US4360583A (en) | 1980-12-15 | 1980-12-15 | High resolution video storage disk |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57102621A JPS57102621A (en) | 1982-06-25 |
| JPH026046B2 true JPH026046B2 (ja) | 1990-02-07 |
Family
ID=22806664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56144090A Granted JPS57102621A (en) | 1980-12-15 | 1981-09-14 | Video memory disc |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4360583A (ja) |
| EP (1) | EP0054109B1 (ja) |
| JP (1) | JPS57102621A (ja) |
| DE (1) | DE3171036D1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4538252A (en) * | 1981-08-24 | 1985-08-27 | International Business Machines Corporation | Light induced capacitance changes in donor polymers (or small molecules) films and its use for information storage in video disks and the like |
| US4501876A (en) * | 1983-07-18 | 1985-02-26 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Film-forming poly(conjugated polymethine-type)dye |
| US4681834A (en) * | 1984-03-01 | 1987-07-21 | Simmons Iii Howard E | Optical recording element |
| US4581317A (en) * | 1984-03-01 | 1986-04-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Optical recording element |
| CH662567A5 (de) * | 1984-03-23 | 1987-10-15 | Ciba Geigy Ag | In 2-stellung substituiertes 5,6,11,12-tetrathio- und 5,6,11,12-tetraselenotetracene, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung. |
| US4634657A (en) * | 1984-08-23 | 1987-01-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoimaging compositions containing substituted 1,2-dibromoethanes |
| US4873178A (en) * | 1984-12-18 | 1989-10-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical recording medium and method for conducting recording on said medium |
| DE3764073D1 (de) * | 1986-12-23 | 1990-09-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | Verfahren zur herstellung eines datenaufzeichnungstraegers. |
| US5350627A (en) * | 1993-06-11 | 1994-09-27 | Camelot Technologies, Inc. | Coated webs |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4036648A (en) * | 1975-06-30 | 1977-07-19 | International Business Machines Corporation | Highly conductive printing medium containing a halogenated hydrocarbon photoactivator and a tetrathiafulvalene or a related compound thereof |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4142783A (en) * | 1977-05-31 | 1979-03-06 | International Business Machines Corporation | Reversible electrochromic display device having memory |
| US4312991A (en) * | 1979-05-10 | 1982-01-26 | International Business Machines Corporation | Dithiobenzoate 4,5-dicyano-1,3-(dithiolidene-2-yl)methylene |
-
1980
- 1980-12-15 US US06/216,341 patent/US4360583A/en not_active Expired - Fee Related
-
1981
- 1981-09-14 JP JP56144090A patent/JPS57102621A/ja active Granted
- 1981-09-16 DE DE8181107291T patent/DE3171036D1/de not_active Expired
- 1981-09-16 EP EP81107291A patent/EP0054109B1/en not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4036648A (en) * | 1975-06-30 | 1977-07-19 | International Business Machines Corporation | Highly conductive printing medium containing a halogenated hydrocarbon photoactivator and a tetrathiafulvalene or a related compound thereof |
| US4082552A (en) * | 1975-06-30 | 1978-04-04 | International Business Machines Corporation | Process of optically printing highly conductive character utilizing a medium containing a halogenated hydrocarbon photoactivator and a tetrathiafulvalene or a related compound thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0054109B1 (en) | 1985-06-19 |
| DE3171036D1 (en) | 1985-07-25 |
| JPS57102621A (en) | 1982-06-25 |
| US4360583A (en) | 1982-11-23 |
| EP0054109A2 (en) | 1982-06-23 |
| EP0054109A3 (en) | 1983-02-09 |
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