JPS60211928A - パタ−ン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は新規なパターン形成方法に関する。更に具体的
には、単分子膜又は単分子累積膜のパターンを、下地上
に形成する方法に関する。

［背景技術］ 従来、半導体技術分野並びに光学技術分野に於ける素材
利用はもっばら比較的取扱いが容易な無機物を対象にし
て進められてきた。これは有機化学分野の技術進展が無
機材料分野のそれに比さて著しく遅れていたことが一因
している。

しかしながら、最近の有機化学分野の技術進歩には目を
みはるものがあり、又、無機物対象の素材開発もほぼ限
界に近づいてきたといわれている。そこで無機物を凌゛
ぐ新しい機能素材としての機能性有機材料の開発が要望
されている。有機材料の利点は安価かつ製造容易である
こと、機能性に富むこと等である０反面、これまで劣る
とされてきた耐熱性、機械的強度に対しても、最近これ
を克服した有機材料が次々に生まれている。このような
技術的背景のもとで、論理素子、メモリー素子、光電変
換素子等の集積回路デバイスやマイクロレンズ拳アレイ
、光導波路等の光学デバイスの機能を荷う部分（主とし
て薄膜部分）の一部又は全部を従来の無機薄膜に代えて
、有機薄膜で構成しようという提案から、はては１個の
有機分子に論理素子やメモリ素子等の機能を持たせた分
子電子デバイスや生体関連物質からなる論理素子（例え
ばバイオ会チップス）を作ろうという提案が最近、いく
つかの研究機関により発表された。

かかる有機材料を用いて上記の各種デバイス等を作成す
る際の薄膜は公知の単分子累積法、すなわちラングミュ
ア・プロジーシト法（ＬＢ法）（新実験化学講座　１８
巻　４９８頁〜５０７頁　丸首）によって形成すること
がＳきる。

ＬＢ法は、例えば分子内に親木基と疎水基を有する構造
の分子において、両者のバランス（両親媒性のバランス
）が適度に保たれているとき、分子は水面で親木基な下
に向けて単分子の層になることを利用して単分子膜また
は単分子層の累積膜を作成する方法である。

ところで、このような単分子膜又は単分子累積膜に光導
電性等の各種の機能を持たせ、前述の如き各種デバイス
等を作成するためには、単分子膜又は単分子累積膜の二
次元的な配置を制御する必要がある。しかしながら、上
記の方法では単分子膜又は単分子累積膜が基体全面に形
成されるため、単分子膜又は単分子累積膜の二次元的な
パターニングは、特殊な光重合性を利用したりソグラフ
ィ応用のフォトレジストの場合を除いて、すなわち単分
子膜又は単分子累積膜を構成する分子がフォトレジスト
としての性状を有する場合を除いて制御できない欠点が
あった。

［発明の開示］ 本発明の目的は、単分子膜又は単分子累積膜の二次元的
な配置を制御することが可能な新規なパターン形成方法
を提供することにある。

本発明の目的は、以下のパターン形成方法によって達成
される。

すなわち、少なくとも下地表面を還元性ガス雰囲気下で
Ｘ線を走査した後、単分子膜又は単分子累積膜を形成し
パターンを形成することを特徴とするパターン形成方法
によって達成される。

本発明では、下地表面を還元性ガス雰囲気下でＸ線を走
査させることにより改質する。ここで、下地とは、単分
子膜または単分子累積膜が所定のパターンに従って積層
される部材を相称する。そのような部材としては、例え
ば、前述した各種の半導体デバイス等に用いられるガラ
ス、　５１０２等の無機物からなる基板、ポリエチレン
、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等の有機物
からなる基板、Ａ１．　Ｔａ、　Ｗ、Ｉｎ、　Ｃｕ等の
金属やこれらの合金等からなる基板、これ等の基板上に
設けられた各種の層（所定のパターンに従って形成され
ている）１例えばＡ１．　Ｔａ、　Ｗ、Ｉｎ、　Ｃｕ等
の蒸着メタル膜、シリコン、ゲルマニウム等のアモルフ
ァス、多結晶あるいは単結晶半導体膜、５ｎ０２　。

Ｉ　Ｔ　Ｏ（Ｉｎ２０３　＋　５ｎ０２）等の導電性酸
化物ガラス膜、等の分子性アモルファス半導体膜等が挙
げられる。また、このような基板、膜、あるいは膜が積
層されている基板上に、更に単分子膜又は単分子累積膜
等が積層されている部位等も利用し得るものとして挙げ
られる。

特に好ましくは、カラス、５ｉ０２　、ポリイミド、Ｉ
ＴＯ１単分子膜又は単分子累積膜等が積層されている下
地などが挙げられる。

Ｘ線は波長が短いので、マスクを用いることにより１０
０八〜１００ＯＡの密度でパターン形成が可能である。

Ｘ線による表面の改質を行なうためには、１０ジユール
／　ｃｍ２〜５　ｘ　１０４ジユール／ｃ１１２のエネ
ルギーが必要である。

Ｘ線による表面の改質は、例えば、以下のようにして行
われる。ポリイミドの場合には水素を流しながらＸ線で
走査すると、表面かの親木性がより弱くなる。また、ガ
ラス、石英の場合には、水素を流しながらＸ線で走査す
ると、５ｉ−０結合の一部が水素で置換され、表面が親
水性であったのが疎水性に変化する。ＩＴＯの場合にも
同様に表面が親水性であったのが疎水性に変化する。上
記の様にド地表面を改質することによってパターニング
を行い、形成されたパターンに従って単分子膜又は単分
子累積膜が下地上に形成される。

本発明における単分子膜又は単分子累積膜を構成する分
子は、その分子内に疎水性部分及び親木性部分を有する
分子であれば広く使用可能である。

このような分子の疎水性部分の構成要素として最も代表
的なものはアルキル基であって、炭素数５〜３０、好ま
しくは、炭素数１０〜２５の直鎖状あるいは分校状のも
のが使用しうる。疎水性部分を構成する基としては、上
記アルキル基の他、例えばビニレン、ビニリデン、アセ
チレン等のオレフイン系炭化水素基、フェニル、ナフチ
ル、アントラニル等の如き縮合多環フェニル基、ビフェ
こル、ターフェニル等の鎖状多環フェニル基等の疎水基
等が挙げられる。これらは各々単独であるいは組合され
て上記分子の疎水性部分を構成し、分子の末端や中間に
位置する。

一方、親木性部分の構成要素として最も代表的なものは
、例えばカルボキシル基及びその金属塩並びにアミン塩
、スルホン酸基及びその金属塩並びにアミン塩、スルホ
ンアミド基、アミド基、アミノ基、イミノ基、ヒドロキ
シル基、４級アミ７基、オキシアミノ基、オキシイミツ
基、ジアゾニウム基、グアニジン基、ヒドラジン基、リ
ン酸基、ケイ酸基、アルミン酸基等が挙げられる。これ
らも各々単独であるいは組合されて上記分子の親水性部
分を構成し、分子の末端や中間に位置する。

ここで１分子内に親木性部分及び疎水性部分を有すると
は、例えば分子が上記のような親木基及び疎水基の両者
を分子内に一つずつ有するか、又は分子内に一つ以上の
親木性基及び疎水基を有する場合には、分子全体の構成
においである部分が他の部分との関係において親木性で
あり、−劣後者の部分は前者の部分との関係において疎
水性の関係を有することをいう。

本発明における単分子膜又は単分子累積膜を構成する分
子としては、下記の如き機能性を有することが所望され
る。

■所望の機能性を荷う部位、即ち機能性部分（例えばπ
電子系）が同時に強い親水性（又は強い疎水性）として
の性質を併有する分子、あるいは０機能性部分が特に親
木性、疎水性を有さす、上記の如き親木基、疎水基等を
導入することで、分子内に親水性部分と疎水性部位を構
成する分子、例えば、 イ９９機能性分が親木性部分の側にあるもの、例えば、
光導電性を有する長鎖アルキル置換のメロシアニン色素
等、 口１機能性部分が疎水性部分の側にあるもの。

例えば、ピレンに長鎖アルキルカルボン酸を結合したも
の等、 ハ、ａ能性部分が中央付近、即ち疎水性部分と親水性部
分の中間にあるもの、例えば、アントラセン誘導体、ジ
アゾ色素の誘導体等、二６機能性部分がなく、疎水性部
分と親木性部分のみでできているもの、例えば、長鎖飽
和脂肪酸であるステアリン酸、アラキシン酸等が具体的
なものとして挙げられる。

特に好ましくは、長鎖アルキル置換のメロシアニン色素
、アントラセン誘導体、アラキシン酸などが挙げられる
。

なお、本発明においては、前記下地上に前記構成分子を
用いて単分子膜又は単分子累積膜を形成した後、超音波
振動を加えることを要しないがパターンを更に鮮明にす
るなどの目的で超音波振動を加えることを妨げるもので
はない。

本発明を更に具体的に説明するために、以下に実施例を
示す。

実施例１ 第１図に示す方法にてパターンを形成した。

ＩＴＯｌ−２が５００Ａの厚さで堆積しているガラス基
板１−１を下地とした。前記下地を真空中に置き、水素
を下地表面部分に流入し、波長ＩＡのＸ線をマスクを用
いて１００Ｊ　／　ｃ＋ａ”で下地表面を走査し、深さ
３００人の変質層１−３を持つ下地を作成した。

次に、アラキシン酸のクロロホルム溶液５ｘ１０’　ｍ
ａｔ／ｌを用いて、ＬＢ法によりアラキシン酸の単分子
累積膜を形成した。アラキシン酸の単分子累積膜は、表
面圧　２５　ｄｙｎｅ／ｃｍ、引き上げ速度は、２　ｃ
ｍ／ｍｉｎにて下地を上下し２１重積層した。

単分子累積膜１−５は、ｌ−３の部分には形成されず、
１−４の部分のみに第１図（ｅ）に示す様にパターンに
従って形成された。

以上のように、下地を還元性ガス雰囲気下でＸ線走査に
より改質することにより、下地表面にパターン状に単分
子膜又は単分子累積膜を形成することが０丁能である。

マスクを用いることによりＸ線で微細なパターン形成が
可能である。従ってＳｉ集積回路への応用変えたり、同
時に単分子膜又は単分子累積膜の構成分子として親木部
分、疎水部分の強さの異なる分子を用いることによって
、植種の分子による二次元配置も可能である・また・０
れらの組合わ１（ｂ）により複雑な三次元構造のデバイ
スの製造も可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明のパターン形成方法の実施態様を示す
・　（Ｃ） １−１・・・ガラス基板 １−２・・・ＩＴＯ １−３・・・下地改質部分 １−４・・・下地非改質部分 １−５・・・単分子膜又は単分子累積膜特許出願人　キ
ャノン株式会社 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 少なくとも下地表面を還元性ガス雰囲気下でＸ線を走査
   した後、単分子膜又は単分子累積膜を形成しパターンを
   形成することを特徴とするパターン形成方法。