DE2901303C2 - Festes Ionenleitermaterial, seine Verwendung und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents
Festes Ionenleitermaterial, seine Verwendung und Verfahren zu dessen HerstellungInfo
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein festes Ionenleitermaterial, neue Verbindungen, aus welchen das Ionenleitermaterial besteht, seine Herstellung und seine Verwendung im Rahmen einer galvanischen Zelle (primaere und sekundaere Batterien, elektrochrome Anzeigen, Memory-Elemente, Timer). Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ionenleitende Lithiumverbindungen zu finden bzw. zu schaffen, welche insbesondere hohe thermodynamische Stabilitaet gegenueber Lithium, hohe thermodynamische Zersetzungsspannung und hohe thermodynamische Stabilitaet gegenueber Elektrodenmaterialien aufweisen, gegenueber Verunreinigungen wenig empfindlich sind und deren Ionenleitfaehigkeit nicht auf zwei Raumrichtungen des Kristalls beschraenkt ist. Geloest wird diese Aufgabe erfindungsgemaess durch ein festes Ionenleitermaterial, welches dadurch gekennzeichnet ist, dass es aus einer Verbindung der angegebenen allgemeinen Formel besteht. Das erfindungsgemaesse Ionenleitermaterial liegt vorzugsweise in Form von Kristallen vor, welche eine defekte Anti-CAF tief 2-Struktur aufweisen. Die Verbindungen, aus denen das erfindungsgemaesse Ionenleitermaterial besteht, sind ueberwiegend neu. ...U.S.W
Description
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß man bei einem Druck von 90 bis
120 MPa verpreßt.
5. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß man innerhalb von 3 bis
8 Minuten auf 480 bis 520°C erhitzt.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß man 2 bis 25 Stunden
bei Außendruck und 425 bis 445°C tempert.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß man 5 bis 120 Minuten
unter mechanischem Druck und 200 bis 430°C tempert.
8. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß man die Mischung von Lithiumhologenid
und Lithiummetall auf eine Temperatur von 180 bis 23O0C erhitzt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß man in einem Gefäß
aus Molybdän, Wolfram oder Edelstahl erhitzt.
JO
45
Die Erfindung betrifft ein festes Ionenleitermaterial, neue Verbindungen, aus welchen das Ionenleitermaterial
besteht, seine Herstellung und seine Verwendung im Rahmen einer galvanischen Zelle (primäre und sekundäre
Batterien, elektrochrome Anzeigen, Memory-Elemente, Timer).
Wegen des geringen Äquivalentgewichts und des starken elektropositiven Charakters von Lithium sowie t>o
des ausreichenden Vorkommens von lithiumhaltigen Rohstoffen sind ionenleitende Lithiumverbindungen
anderen ionenleitenden Verbindungen für eine technologische Nutzung vorzuziehen. Gesucht werden daher
ionenleitende Lithiumverbindungen, die folgende Bc- tv>
dingungen möglichst ideal erfüllen:
I. hohe ionische, bei vergleichsweise geringer elektronischer Leitfähigkeit,
2. thermodynamische Stabilitä; gegenüber Lithium,
3. hohe thermodynamische Zersetzungsspannung,
4. thermodynamische Stabilität gegenüber Elektrodenmaterialien, die in galvanischen Zellen verwendet
werden,
5. kostengünstige Herstellung des Elektrolyten.
Bekannt sind bereits ionenleitende Lithiumverbindungen, die gleiche oder ähnliche Kristallstrukturen wie
die bekannten Na+ -Ionenleiter, wie Na-^-Al2O3 und
Na3Zr2PSi2Oi2, besitzen und durch offene Strukturen für
die Li+ -Ionen gekennzeichnet sind. Diese Verbindungen weisen zwar teilweise eine beachtliche lonenleitfähigkeit
auf, die Möglichkeiten zu einer Anwendung bleiben jedoch gering, da diese Elektrolyte nicht gegen
Lithium, Lithiumlegierungen oder metallische Lithiumphasen mit für eine Verwendung ausreichender
Lithiumaktivität beständig sind (Superionic Conductors, herausg. von G. D. Mahan und W. L Roth, Plenum
Press, New York und London, 1976).
Als einzige Lithiumverbindung mit hoher Ionenleitfähigkeit und thermodynamischer Stabilität gegen Lithium
ist bisher nur Lithiumnitrid (Li3N) bekanntgeworden. Lithiumnitrid zeichnet sich durch ein geordnetes
Kristallgitter aus, das nur eine geringe Zahl von Lithiumdefekten aufweist. Die hohe lonenleitfähigkeit
ist auf zwei Raumrichtungen des Kristalls beschränkt. Als besonders nachteilig für die Li+ -Ionenleitung haben
sich Verunreinigungen durch Fremdatome herausgestellt, die in das Lithiumnitrid gelangen, wenn zur
Herstellung handelsübliches Lithium verwendet wird. Ein weiterer Nachteil von Lithiumnitrid liegt in seiner
niedrigen thermodynamischen Zersetzungsspannung von 0,44 V. Es können zwar Energiezellen mit einer
Zellspannung über 0,44 V aufgrund einer kinetischen Hemmung oder Passivierung der Elektrolytoberfläche
gebaut werden, die aber weder für eine Anwendung bei höheren Temperaturen noch für lange Betriebszeiten
geeignet sind.
Lithiumverbindungen mit perfekter Anti-CaF2-Struktur
zeigen nur geringe lonenleitfähigkeiten:
Oiomsih von Li2O und Li2S kleiner 10~8 Ω~' cm-1 bei
Raumtemperatur.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ionenleitende Lithiumverbindungen zu finden bzw. zu
schaffen, welche die oben aufgeführten fünf Bedingungen für ideale Ionenleiter besser als die bisher
bekannten Ionenleiter auf Lithiumbasis erfüllen, insbesondere hohe thermodynamische Stabilität gegenüber
Lithium, hohe thermodynamische Zersetzungsspannung und hohe thermodynamische Stabilität gegenüber
Elektrodenmaterialien aufweisen, gegenüber Verunreinigungen wenig empfindlich sind und deren lonenleitfähigkeit
nicht auf zwei Raumrichtungen des Kristalls beschränkt ist.
Gelöst wird diese Aufgabe Rrfindungsgemäß durch ein festes Ionenleitermaterial, welches dadurch gekennzeichnet
ist, daß es aus einer Verbindung der allgemeinen Formel
Li2. 2>N„.,. ,Hai,,.-, . ,
worin Hai Brom, Chlor. Fluor oder Jod und ν eine Zahl
von 0 bis 0.2 bedeuten, besteht.
Das erfindungsgemäße Ionenleitermaterial liegt vorzugsweise
in Form von Kristallen vor. welche eine
defekte Anti-CaFr-Struktur aufweisen.
29 Ol
Das erfindungsgemäße feste lonenleitermaterial (auch als fester Elektrolyt zu bezeichnen), weist eine
hohe ionische Leitfähigkeit auf und besitzt im Gegensatz zu bekannten Lithiumverbindungen mit
ähnlichen elektrolytischen Eigenschaften auch eine hohe thermodynamische Stabilität. Außerdem ist es
durch einfache Verfahren zugänglich.
Aus Z. anorg. allg. Chem. 379.293 (1970) ist berei's die
Verbindung UqN2CIj, ihre Herstellung und Kristallstruktur
bekannt. Diese Verbindung stellt eine der zwei in
Phasen dar, die in dem ternären System Lithium-Stickstoff-Chlor neben den binären Lithiumverbindungen
L13N und LiCI bekannt wurden und die auf dem quasi binären Schnitt zwischen Li3N und LiCl liegen. Die
physikalischen Eigenschaften, insbesondere die ionische 1 ■
und elektronische Leitfähigkeit, waren bisher nicht bekannt. Ebenso gab es keine Hinweise, wonach diese
Verbindung zur Verwendung als fester Elektrolyt geeignet sein könnte.
Als Halogenid v-ird im Rahmen der Erfindung das 21:
Chlorid bevorzugt. Im Rahmen der Erfindung liegen auch Gemische der angegebenen Halogenide, also
Verbindungen, in denen Hai aus zwei, drei oder vier der genannten Halogenide besteht.
Ein weiterer Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen
Verbindungen bzw. des erfindungsgemäßen Ionenleitermaterials, welches dadurch gekennzeichnet ist, daß man
entweder
S(I
a) Lithiumnitrid und Lithiumhalogenid in der gewünschten Zusammensetzung entsprechenden molaren
Anteilen unter Inertgas innig vermischt, das Gemisch unter einem Druck von mindestens
50 MPa verpreßt, den Preßling in Stickstoffatmo- r> Sphäre rasch auf 460 bis 5500C erhitzt und danach
bei 350 bis 45O0C tempert, bis die Reaktion beendet ist. oder
b) Lithiumhalogenid und Lithiummetall im gewünschten molaren Verhältnis mischt und unter Stickstoff ■">
erhitzt, bis der Stickstoffdruck konstant bleib;.
Als Lithiumhalogenid kann im Rahmen der Erfinuung auch eine Mischung verschiedener Lithiumhalogenide
aus der Gruppe Lithiumfluorid, Lithiumchlorid, Lithium- ■»">
bromid und Lithiumiodid verwendet werden. Der zum Verpressen des Gemisches von Lithiui.initrid und
Lithiumhalogenid angewendete Druck kann jeden technisch sinnvollen Wert über dem angegebenen
unteren Grenzwert ausmachen, vorzugsweise erfolgt '·'
das Verpressen jedoch bei Drücken zwischen etwa 90 und etwa 120 MPa.
Die so hergestellten Preßlinge werden anschließend
rasch auf eine Temperatur, die etwas über der beabsichtigten Temperungstemperatur liegt, erhitzt. ">'.
Unter »rasch« wird hierbei ein Zeitraum zwischen etwa 2 und etwa 15 Minuten, vorzugsweise zwischen etwa 3
und etwa 8 Minuten verstanden. Vorzugsweise erfolgt das Erhitzen auf eine Temperatur /wischen 480 und
520 C. «1
Die Dauer und Temperatur der daran anschließenden T e^peiung^bchaniUVig hangt \om ,!iigew endeten
Dnick ah Irttsprici·1 de: SückMotldruck dem Außen-Jriii
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42") ;:h! Mrt { I),is I ;;i!i- ,I1-: ! ;nsct/ung laßt sich
d,Kill! ^iI !cMSiclle':. :.:i( '.'..:*■ K ·. V k ' Ii uispn uiukt t'oniL'C·
nographisch als phasenrein identifiziert wird. Die hierfür anzuwendende Dauer der Temperungsbehandlung
bei den verschiedenen anwendbaren Temperaturen läßt sich durch einfache Vorversuche leiciit
feststellen.
Bei erhöhtem Druck läßt sich die Dauer oder/und Temperatur der Temperungsbehandlung herabsetzen.
Im allgemeinen ist daher die Umsetzung bei erhöhten Drucken in einem Zeitraum zwischen 5 und 120 Minuten
durchführbar, wobei Temperaturen zwischen etwa 200 und 43O0C zur Anwendung kommen. Diese
Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens läßt sich beispielsweise in einer Drucksinterpresse
durchführen.
Diese Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens kann mit Preßlingen beliebiger Form durchgeführt
werden, beispielsweise mit Tabletten, Tiegeln. Rohren, Platten u. ä.
Die zweite Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens, bei welcher ein Gemisch von metallischem Lithium
und Lithiumhalogenid verwendet wird, welches man mit Stickstoff erhitzt, läßt sich bei Temperaturen im Bereich
von etwa 150 bis 500°C durchführen. Bevorzugt wird ein
Bereich von 180 bis 230°C. Der Stickstoffpartialdruck
sollte zwischen 1 und 100 kPa liegen. Der Stickstoff kann in reiner Form oder im Gemisch mit anderen
Inertgasen zur Anwendung kommen. Das Ende der Umsetzung läßt sich dadurch erkennen, daß kein
weiterer Stickstoff mehr aufgenommen wird, der Stickstoffdruck also konstant bleibt.
Es ist zwar ein Charakteristikum des erfindungsgemäßen Verfahrens, daß keine besonders reinen Ausgangsmaterialien
eingesetzt werden müssen, zweckmäßig werden jedoch unnötige Verunreinigungen trotzdem
vermieden. Daher wird das erfindungsgemäße Verfahren auch vorzugsweise unter Verwendung von Gefäßmaterialien
durchgeführt, die von Lithiummetall nicht angegriffen werden. Jedoch mindern, wie bereits
erwähnt. Verunreinigungen, wie z. B. Lithiumoxid, die
Leitfähigkeit des erfindungsgemäßen Elektrolyten nicht, da sie unter Mischkristallbildung vom Lithiumnitridhalogenid
aufgenommen werden.
Die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten,
im Anti-CaF2-Typ kri allisierenden Lithiumnitridhalogenide sind je nach Zusammensetzung durch
unterschiedliche Anteile von Li-1 -Defekten gekennzeichnet.
Nach den Befunden an anderen lonenleitern ist anzunehmen, daß diese Gitterdefekte für die
festgestellte hohe lonenleitfähigkeit wesentlich sind. So sind beispielsweise in Lii.KN'mCln.t, etwa 10% der
Gitterplätze für Lh unbesetzt. An erfindungsgemäßen lonenleitern in dieser Zusammensetzung in Tablettenform
wurden die Leitfähigkeiten im Temperaturbereich von 25 bis 400cC gemessen. Die Ergebnisse sind in
Fig. 1 der Zeichnung wiedergegeben, ionische Leitfähigkeit
α in Ω ' CiIi^1 bei 25' C wurde zu 1.4 ■ \0-*. bei
25O"C zu 2,4 · 10 > bestimmt. Die elektronische
Leitfähigkeit ist im gesamten Temperaturbereich um mehr als den Faktor IO4 geringer. Die Aktivierungsenthalpie
für »„,„„,/,Tbetrug 0,49 eV. Zwischen logo und
der inversen Temperatur (1/77 wurde eine lineare Abhängigkeit festgestellt. Die thermodynamische 7er1
set/ungsspannung in Inertgas ist größer als 2.5 V. Bei
höheren Stickstoff- und Halogenpanialdrücken erfolgt
die Zersetzung bei höheren Spannungen.
Der nach dem erlindiingsgemaßen Verführen hergestellte
lonenleiter zeichne! sich mich durch eine !lohe
Phasenreinigung aus. Lediglich an den Kontaktsteilen
zum Material der Vorrichtung, in dem die Temperaturbehandlung
durehgelührt wird, treten oberflächliche Veränderungen auf, die leicht entfernt werden können
und keinen Einfluß auf die Lcitfähigkcitseigcnschaftcn besitzen. Die erfindungsgemäß hergestellten Elektrolyten
sind gegen festes und geschmolzenes Lithium beständig.
Das erlindungsgemäße feste lonenlcitermaicrial
eignet sich besonders zur Verwendung als Elektrolyt in galvanischen Zellen, beispielsweise in primären oder
sekundären Batterien, elektrochramcn Anzeigen (Display-Systeme),
Timern und Memory-Elementen. Es wurde eine galvanische Zelle hergestellt, die wenigstens
ein zwischen Elektroden angeordnetes lonenleitermaterial aufweist und dadurch gekennzeichnet ist, daß sie
eine Verbindung der allgemeinen Formel
Li2- 2λΝο.ί- (Haln.5 + ,
worin Hai Brom, Chlor, Fluor oder Jod und χ eine Zahl
von 0 bis 0,2 bedeuten, als lonenleitermaterial enthält. Eine derartige galvanische Zelle weist wenigstens eine
lithiumabgebende Elektrode auf, beispielsweise metallisches Lithium oder Lithiumlegierung, sowie wenigstens
eine weitere, positive Elektrode, die beispielsweise aus sulfidiertem Titan oder Molybdän bestehen kann.
Die folgenden Beispiele erläutern die Erfindung weiter.
40 Mol-% Li3N und 60 Mol-% LiCI wurden unter
Inertgas innig vermengt unter Bildung eines Gemisches der summarischen Zusammensetzung Lii.sNo/iClo.e· Das
Gemisch wurde bei einem Druck von 100 MPa zu Tabletten von 10 mm Durchmesser und 2 bis 5 mm
Dicke verpreßt. Die Tabletten wurden in einen Molybdänbehälter gebracht und in einer .Stickstoffatmosphäre
getempert. Hierzu wurde zunächst rasch (innerhalb ca. 5 Minuten) auf 5000C aufgeheizt und
danach 20 Stunden bei 435°C unter Beibehaltung der Stickstoffatmosphäre getempert. Danach wurden die
Proben abkühlen gelassen. Nach dem Abkühlen werden harte gesinterte Tabletten erhalten, die sich ohne
Veränderung an trockener Luft aufbewahren lassen.
In analoger Weise wurden auch die Verbindungen Lii.bNojClo.7 und Li6NBr3 hergestellt, indem die Ausgangsverbindungen
und die eingesetzten Mengen entsprechend abgeändert wurden.
Aus einer gemäß Beispiel 1 hergestellten Tablette aus Lii,8No.4Clo,t, wurde eine Energiezelle hergestellt, indem
auf die eine Seite Lithiummetall und auf die andere Seite eine TiS2-Tablette gepreßt wurde. Die so erhaltene
Zelle wurde dann auf beiden Seiten mit Molybdänblechen kontaktiert, so daß sich die in F i g. 2 der Zeichnung
dargestellte Anordnung ergibt.
Die so erhaltene Energiezelle liefert eine Spannung von 2,9 V, was dem thermodynamisch errechneten Wert
entspricht. Die Zelle konnte im Temperaturbereich von 25 bis 130°C zufriedenstellend betrieben und über
verschiedene Widerstände entladen werden. Die dabei gemessenen Werte für die Stromstärke entsprachen
denjenigen, die aufgrund der Leitfähigkeitsmessungen bestimmt wurden.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (3)
1. Festes Ionenleitermaterial, dadurch gekennzeichnet,
daß es aus einer Verbindung der allgemeinen Formel
Li2 _ 2>No.5 - iHalo.5 + ,
worin Hai Brom, Chlor, Fluor oder Jod und χ eine
Zahl von 0 bis 0,2 bedeuten, besteht.
2. Verwendung eines lonenleitermaterials nach Anspruch 1 in einer galvanischen Zelle.
3. Verfahren zur Herstellung einer Verbindung der allgemeinen Formel nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß man entweder
15
a) Lithiumnitrid und Lithi'imhalogenid in der gewünschten Zusammensetzung entsprechenden
molaren Anteilen unter Inertgas innig vermischt, das Gemisch unter einem Druck von
mindestens 20 MPa verpreßt, den Preßling in Stickstoffatmosphäre auf 460 bis 5500C erhitzt
und danach bei 350 bis 45O0C tempert, bis die Reaktion beendet ist, oder
b) Lithiumhalogenid und Lithiummctall im gewünschten molaren Verhältnis und unter
Stickstoff erhitzt, bis der Stickstoffdruck konstantbleibt.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2901303A DE2901303C2 (de) | 1979-01-15 | 1979-01-15 | Festes Ionenleitermaterial, seine Verwendung und Verfahren zu dessen Herstellung |
GB8000361A GB2039864B (en) | 1979-01-15 | 1980-01-07 | Solid ion conductor material |
JP220580A JPS5596568A (en) | 1979-01-15 | 1980-01-14 | Novel ion conductivity lithium compound*solid ion conductive material made of same* process for producing same compound and battery containing same ion conductive material |
US06/313,870 US4419421A (en) | 1979-01-15 | 1981-10-22 | Ion conductor material |
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---|---|---|---|
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Families Citing this family (97)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3039900C2 (de) * | 1979-10-29 | 1983-11-03 | Hitachi, Ltd., Tokyo | Trockenelektrolyt |
JPS56128580A (en) * | 1980-03-14 | 1981-10-08 | Hitachi Ltd | Solid electrolyte |
JPS57179005A (en) * | 1981-04-27 | 1982-11-04 | Hitachi Maxell Ltd | Lithium compound |
FR2513817B1 (fr) * | 1981-09-30 | 1987-02-06 | Europ Agence Spatiale | Perfectionnements apportes aux piles et batteries |
DE3200757C1 (de) * | 1982-01-13 | 1983-07-21 | Fa. Carl Freudenberg, 6940 Weinheim | Flexible elektrolytische Zelle |
DE3205919C1 (de) * | 1982-02-19 | 1983-07-21 | Freudenberg, Carl, 6940 Weinheim | Verfahren zur Herstellung von Festelektrolytschichten fuer galvanische Zellen |
JPS63164916A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-08 | 松下電器産業株式会社 | 電気湯沸し器 |
US4826743A (en) * | 1987-12-16 | 1989-05-02 | General Motors Corporation | Solid-state lithium battery |
US5338625A (en) * | 1992-07-29 | 1994-08-16 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Thin film battery and method for making same |
WO2002021542A1 (en) * | 2000-09-08 | 2002-03-14 | Axon Technologies Corporation | Microelectronic programmable device and methods of forming and programming the same |
US6653193B2 (en) | 2000-12-08 | 2003-11-25 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable device |
US6638820B2 (en) | 2001-02-08 | 2003-10-28 | Micron Technology, Inc. | Method of forming chalcogenide comprising devices, method of precluding diffusion of a metal into adjacent chalcogenide material, and chalcogenide comprising devices |
US6727192B2 (en) | 2001-03-01 | 2004-04-27 | Micron Technology, Inc. | Methods of metal doping a chalcogenide material |
US6818481B2 (en) | 2001-03-07 | 2004-11-16 | Micron Technology, Inc. | Method to manufacture a buried electrode PCRAM cell |
US6734455B2 (en) | 2001-03-15 | 2004-05-11 | Micron Technology, Inc. | Agglomeration elimination for metal sputter deposition of chalcogenides |
US7102150B2 (en) | 2001-05-11 | 2006-09-05 | Harshfield Steven T | PCRAM memory cell and method of making same |
US6951805B2 (en) | 2001-08-01 | 2005-10-04 | Micron Technology, Inc. | Method of forming integrated circuitry, method of forming memory circuitry, and method of forming random access memory circuitry |
US6737312B2 (en) | 2001-08-27 | 2004-05-18 | Micron Technology, Inc. | Method of fabricating dual PCRAM cells sharing a common electrode |
US6955940B2 (en) | 2001-08-29 | 2005-10-18 | Micron Technology, Inc. | Method of forming chalcogenide comprising devices |
US6881623B2 (en) | 2001-08-29 | 2005-04-19 | Micron Technology, Inc. | Method of forming chalcogenide comprising devices, method of forming a programmable memory cell of memory circuitry, and a chalcogenide comprising device |
US6784018B2 (en) | 2001-08-29 | 2004-08-31 | Micron Technology, Inc. | Method of forming chalcogenide comprising devices and method of forming a programmable memory cell of memory circuitry |
US6646902B2 (en) | 2001-08-30 | 2003-11-11 | Micron Technology, Inc. | Method of retaining memory state in a programmable conductor RAM |
US6709958B2 (en) | 2001-08-30 | 2004-03-23 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit device and fabrication using metal-doped chalcogenide materials |
US6815818B2 (en) | 2001-11-19 | 2004-11-09 | Micron Technology, Inc. | Electrode structure for use in an integrated circuit |
US6791859B2 (en) | 2001-11-20 | 2004-09-14 | Micron Technology, Inc. | Complementary bit PCRAM sense amplifier and method of operation |
US6873538B2 (en) | 2001-12-20 | 2005-03-29 | Micron Technology, Inc. | Programmable conductor random access memory and a method for writing thereto |
US6909656B2 (en) | 2002-01-04 | 2005-06-21 | Micron Technology, Inc. | PCRAM rewrite prevention |
US20030143782A1 (en) | 2002-01-31 | 2003-07-31 | Gilton Terry L. | Methods of forming germanium selenide comprising devices and methods of forming silver selenide comprising structures |
US6867064B2 (en) | 2002-02-15 | 2005-03-15 | Micron Technology, Inc. | Method to alter chalcogenide glass for improved switching characteristics |
US6791885B2 (en) | 2002-02-19 | 2004-09-14 | Micron Technology, Inc. | Programmable conductor random access memory and method for sensing same |
US6809362B2 (en) | 2002-02-20 | 2004-10-26 | Micron Technology, Inc. | Multiple data state memory cell |
US6891749B2 (en) | 2002-02-20 | 2005-05-10 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable ‘on ’ memory |
US7087919B2 (en) | 2002-02-20 | 2006-08-08 | Micron Technology, Inc. | Layered resistance variable memory device and method of fabrication |
US6847535B2 (en) | 2002-02-20 | 2005-01-25 | Micron Technology, Inc. | Removable programmable conductor memory card and associated read/write device and method of operation |
US7151273B2 (en) | 2002-02-20 | 2006-12-19 | Micron Technology, Inc. | Silver-selenide/chalcogenide glass stack for resistance variable memory |
US6937528B2 (en) | 2002-03-05 | 2005-08-30 | Micron Technology, Inc. | Variable resistance memory and method for sensing same |
US6849868B2 (en) | 2002-03-14 | 2005-02-01 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for resistance variable material cells |
US6751114B2 (en) * | 2002-03-28 | 2004-06-15 | Micron Technology, Inc. | Method for programming a memory cell |
US6858482B2 (en) | 2002-04-10 | 2005-02-22 | Micron Technology, Inc. | Method of manufacture of programmable switching circuits and memory cells employing a glass layer |
US6855975B2 (en) | 2002-04-10 | 2005-02-15 | Micron Technology, Inc. | Thin film diode integrated with chalcogenide memory cell |
US6864500B2 (en) | 2002-04-10 | 2005-03-08 | Micron Technology, Inc. | Programmable conductor memory cell structure |
US6731528B2 (en) * | 2002-05-03 | 2004-05-04 | Micron Technology, Inc. | Dual write cycle programmable conductor memory system and method of operation |
US6890790B2 (en) | 2002-06-06 | 2005-05-10 | Micron Technology, Inc. | Co-sputter deposition of metal-doped chalcogenides |
US6825135B2 (en) | 2002-06-06 | 2004-11-30 | Micron Technology, Inc. | Elimination of dendrite formation during metal/chalcogenide glass deposition |
US7015494B2 (en) | 2002-07-10 | 2006-03-21 | Micron Technology, Inc. | Assemblies displaying differential negative resistance |
US7209378B2 (en) | 2002-08-08 | 2007-04-24 | Micron Technology, Inc. | Columnar 1T-N memory cell structure |
US7018863B2 (en) | 2002-08-22 | 2006-03-28 | Micron Technology, Inc. | Method of manufacture of a resistance variable memory cell |
US6831019B1 (en) | 2002-08-29 | 2004-12-14 | Micron Technology, Inc. | Plasma etching methods and methods of forming memory devices comprising a chalcogenide comprising layer received operably proximate conductive electrodes |
US6867996B2 (en) * | 2002-08-29 | 2005-03-15 | Micron Technology, Inc. | Single-polarity programmable resistance-variable memory element |
US7010644B2 (en) | 2002-08-29 | 2006-03-07 | Micron Technology, Inc. | Software refreshed memory device and method |
US7163837B2 (en) | 2002-08-29 | 2007-01-16 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a resistance variable memory element |
US7364644B2 (en) | 2002-08-29 | 2008-04-29 | Micron Technology, Inc. | Silver selenide film stoichiometry and morphology control in sputter deposition |
US6867114B2 (en) | 2002-08-29 | 2005-03-15 | Micron Technology Inc. | Methods to form a memory cell with metal-rich metal chalcogenide |
US6864521B2 (en) | 2002-08-29 | 2005-03-08 | Micron Technology, Inc. | Method to control silver concentration in a resistance variable memory element |
US7294527B2 (en) | 2002-08-29 | 2007-11-13 | Micron Technology Inc. | Method of forming a memory cell |
US6903394B2 (en) * | 2002-11-27 | 2005-06-07 | Micron Technology, Inc. | CMOS imager with improved color response |
US6813178B2 (en) * | 2003-03-12 | 2004-11-02 | Micron Technology, Inc. | Chalcogenide glass constant current device, and its method of fabrication and operation |
US7022579B2 (en) | 2003-03-14 | 2006-04-04 | Micron Technology, Inc. | Method for filling via with metal |
US7050327B2 (en) | 2003-04-10 | 2006-05-23 | Micron Technology, Inc. | Differential negative resistance memory |
US6930909B2 (en) | 2003-06-25 | 2005-08-16 | Micron Technology, Inc. | Memory device and methods of controlling resistance variation and resistance profile drift |
US6961277B2 (en) | 2003-07-08 | 2005-11-01 | Micron Technology, Inc. | Method of refreshing a PCRAM memory device |
US7061004B2 (en) | 2003-07-21 | 2006-06-13 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable memory elements and methods of formation |
US6903361B2 (en) | 2003-09-17 | 2005-06-07 | Micron Technology, Inc. | Non-volatile memory structure |
US7098068B2 (en) | 2004-03-10 | 2006-08-29 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a chalcogenide material containing device |
US7583551B2 (en) | 2004-03-10 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Power management control and controlling memory refresh operations |
US7326950B2 (en) | 2004-07-19 | 2008-02-05 | Micron Technology, Inc. | Memory device with switching glass layer |
US7354793B2 (en) | 2004-08-12 | 2008-04-08 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a PCRAM device incorporating a resistance-variable chalocogenide element |
US7190048B2 (en) | 2004-07-19 | 2007-03-13 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable memory device and method of fabrication |
US7365411B2 (en) | 2004-08-12 | 2008-04-29 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable memory with temperature tolerant materials |
US7151688B2 (en) | 2004-09-01 | 2006-12-19 | Micron Technology, Inc. | Sensing of resistance variable memory devices |
US20060131555A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable devices with controllable channels |
US7374174B2 (en) | 2004-12-22 | 2008-05-20 | Micron Technology, Inc. | Small electrode for resistance variable devices |
US7317200B2 (en) | 2005-02-23 | 2008-01-08 | Micron Technology, Inc. | SnSe-based limited reprogrammable cell |
US7709289B2 (en) | 2005-04-22 | 2010-05-04 | Micron Technology, Inc. | Memory elements having patterned electrodes and method of forming the same |
US7427770B2 (en) | 2005-04-22 | 2008-09-23 | Micron Technology, Inc. | Memory array for increased bit density |
US7269044B2 (en) | 2005-04-22 | 2007-09-11 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for accessing a memory array |
US7269079B2 (en) | 2005-05-16 | 2007-09-11 | Micron Technology, Inc. | Power circuits for reducing a number of power supply voltage taps required for sensing a resistive memory |
US7233520B2 (en) | 2005-07-08 | 2007-06-19 | Micron Technology, Inc. | Process for erasing chalcogenide variable resistance memory bits |
US7274034B2 (en) | 2005-08-01 | 2007-09-25 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable memory device with sputtered metal-chalcogenide region and method of fabrication |
US7317567B2 (en) | 2005-08-02 | 2008-01-08 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for providing color changing thin film material |
US7332735B2 (en) | 2005-08-02 | 2008-02-19 | Micron Technology, Inc. | Phase change memory cell and method of formation |
US7579615B2 (en) | 2005-08-09 | 2009-08-25 | Micron Technology, Inc. | Access transistor for memory device |
US7304368B2 (en) | 2005-08-11 | 2007-12-04 | Micron Technology, Inc. | Chalcogenide-based electrokinetic memory element and method of forming the same |
US7251154B2 (en) | 2005-08-15 | 2007-07-31 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus providing a cross-point memory array using a variable resistance memory cell and capacitance |
US7277313B2 (en) | 2005-08-31 | 2007-10-02 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable memory element with threshold device and method of forming the same |
US7560723B2 (en) | 2006-08-29 | 2009-07-14 | Micron Technology, Inc. | Enhanced memory density resistance variable memory cells, arrays, devices and systems including the same, and methods of fabrication |
US8467236B2 (en) | 2008-08-01 | 2013-06-18 | Boise State University | Continuously variable resistor |
WO2013131005A2 (en) | 2012-03-01 | 2013-09-06 | Excellatron Solid State, Llc | High capacity solid state composite cathode, solid state composite separator, solid-state rechargeable lithium battery and methods of making same |
US10084168B2 (en) | 2012-10-09 | 2018-09-25 | Johnson Battery Technologies, Inc. | Solid-state battery separators and methods of fabrication |
EP3394918A1 (de) | 2015-12-21 | 2018-10-31 | Johnson IP Holding, LLC | Feststoffbatterien, separatoren, elektroden und verfahren zu herstellung |
US10218044B2 (en) | 2016-01-22 | 2019-02-26 | Johnson Ip Holding, Llc | Johnson lithium oxygen electrochemical engine |
JP6878059B2 (ja) | 2017-03-15 | 2021-05-26 | トヨタ自動車株式会社 | 硫化物固体電解質及びその製造方法 |
CN111900501A (zh) * | 2020-08-11 | 2020-11-06 | 珠海冠宇电池股份有限公司 | 一种补锂添加剂及其制备方法和应用 |
CN113735192B (zh) * | 2021-01-05 | 2023-06-16 | 厦门厦钨新能源材料股份有限公司 | 一种低容量损失的锂离子电池 |
WO2022264707A1 (ja) * | 2021-06-17 | 2022-12-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体電解質材料およびそれを用いた電池 |
CN117594866B (zh) * | 2023-10-25 | 2024-06-04 | 浙江大学 | 一种硫氮化物固态电解质及其制备方法和应用 |
CN117334997B (zh) * | 2023-10-25 | 2024-06-04 | 浙江大学 | 一种无机氮化物与有机硅烷复合固态电解质及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4007122A (en) * | 1974-04-29 | 1977-02-08 | Gould Inc. | Solid electrolytes for use in solid state electrochemical devices |
-
1979
- 1979-01-15 DE DE2901303A patent/DE2901303C2/de not_active Expired
-
1980
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Also Published As
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