KR20090039492A - 5-히드록시-1-아다만틸 (메타)아크릴레이트 유도체를포함하는 화학증폭형 포토레지스트용 공중합체 및 이를포함하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물 - Google Patents
5-히드록시-1-아다만틸 (메타)아크릴레이트 유도체를포함하는 화학증폭형 포토레지스트용 공중합체 및 이를포함하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물 Download PDFInfo
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Abstract
Description
수지 (100중량부) | *PAG (중량부) | *Base (중량부) | 감도 (mJ/cm2) | 해상도 (nm) | LER | |
실시예2 | 화학식2a | 3.0 | 0.5 | 14 | 90 | 4 |
실시예3 | 화학식2e | 3.0 | 0.5 | 14 | 90 | 2 |
실시예4 | 화학식2g | 3.0 | 0.5 | 14 | 110 | 3 |
실시예5 | 화학식2a | 4.0 | 0.5 | 13 | 90 | 5 |
실시예6 | 화학식2e | 4.0 | 0.5 | 13 | 80 | 3 |
실시예7 | 화학식2g | 4.0 | 0.5 | 13 | 100 | 4 |
실시예8 | 화학식2a | 4.0 | 0.8 | 14 | 90 | 2 |
실시예9 | 화학식2e | 4.0 | 0.8 | 14 | 90 | 2 |
실시예10 | 화학식2g | 4.0 | 0.8 | 14 | 100 | 1 |
비교예1 | 화학식6 | 3.0 | 0.5 | 13 | 100 | 1 |
비교예2 | 화학식6 | 4.0 | 0.5 | 12 | 110 | 1 |
비교예3 | 화학식6 | 4.0 | 0.8 | 14 | 110 | 1 |
화학식 | 화학식 2a | 화학식 2e | 화학식 2b | 화학식 2c | 화학식 2f | 화학식 2g |
Tg(oC) | 133 | 124 | 136 | 95 | 106 | 118 |
화학식 | 화학식 2h | 화학식 2i | 화학식 2k | 화학식 2l | 화학식 6 | |
Tg(oC) | 145 | 108 | 141 | 143 | 181 |
Claims (12)
- 다음 화학식 1로 표시되는 화학증폭형 포토레지스트용 공중합체.화학식 1상기 식에서 R1, R2, R3 , R4 , R5, R6, 및 R7은 서로 독립적인 것으로써 R1 ,, R2 , R3는 수소원자, 에테르기, 에스테르기, 카르보닐기, 아세탈기, 에폭시기, 나이트릴기, 또는 알데하이드기를 포함하거나 포함하지 않은 탄소원자가 1에서 30개 까지의 알킬기를 나타낸다. R5, R6, R7은 각각 독립적인 것으로써 수소 또는 메틸기이고, R4는 아세틸기 혹은 트리할로 아세틸기이다. l, m, n, o는 각각 주쇄내에 반복단위를 나타내는 수로서 l+m+n+o=1이고 0.1≤l/(l+m+n+o)≤0.5, 0.1≤m/(l+m+n+o)≤0.7, 0.1≤n/(l+m+n+o)≤0.7, 0<o/(l+m+n+o)≤0.5의 값을 가진다.
- 제1항 또는 제 2항에 있어서,l로 표시되는 반복단위는 전체 단량체중 20몰%~40몰%로 포함되는 것임을 특징으로 하는 화학증폭형 포토레지스트용 공중합체.
- 제1항 또는 제 2항에 있어서,o로 표시되는 반복단위는 전체 단량체중 10몰%~40몰%로 포함되는 것임을 특징으로 하는 화학증폭형 포토레지스트용 공중합체.
- 제1항 또는 제 2항에 있어서, 중량평균분자량이 2,000내지 1,000,000인 것임을 특징으로 하는 화학증폭형 포토레지스트용 공중합체.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 중량평균분자량이 3,000내지 50,000인 것임을 특징으로 하는 화학증폭형 포토레지스트용 공중합체.
- 다음 화학식 1로 표시되는 공중합체 중 선택된 적어도 1종 이상의 중합체, 산발생제, 첨가제 및 용제를 포함하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물.화학식 1상기 식에서 R1, R2, R3 , R4 , R5, R6, 및 R7은 서로 독립적인 것으로써 R1 ,, R2 , R3는 수소원자, 에테르기, 에스테르기, 카르보닐기, 아세탈기, 에폭시기, 나이트릴기, 또는 알데하이드기를 포함하거나 포함하지 않은 탄소원자가 1에서 30개 까지의 알킬기를 나타낸다. R5, R6, R7은 각각 독립적인 것으로써 수소 또는 메틸기이고, R4는 아세틸기 혹은 트리할로 아세틸기이다. l, m, n, o는 각각 주쇄내에 반복단위를 나타내는 수로서 l+m+n+o=1이고 0.1<l/(l+m+n+o)<0.5, 0.1≤m/(l+m+n+o)<0.7, 0.1≤n/(l+m+n+o)<0.7, 0<o/(l+m+n+o)<0.5의 값을 가진다.
- 제 7항에 있어서, 산발생제로 다음 화학식 3및 화학식 4로 표시되는 화합물 중에서 선택된 1종 이상의 화합물인 것임을 특징으로하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물.상기 화학식 3 및 4에서 R1과 R2는 각각 독립적인 것으로서, 알킬기, 알릴기, 퍼플루오로알킬기, 벤질기, 또는 아릴기를 나타내며, R3, R4 및R5는 수소, 알킬기, 할로겐기, 알콕시기, 아릴기, 사이오펜옥시기(thiophenoxy), 사이오알콕시기 (thioalkoxy), 또는 알콕시카르보닐메톡시기 (alkoxycarbonylmethoxy)를 나타내며,음이온 부분의 A는 OSO2CF3, OSO2C4F9 , OSO2C8F17 , N(CF3)2, N(C2F5)2, N(C4F9)2, C(CF3)3, C(C2F5)3, C(C4F9)3, 하기 화학식 5a, 화학식 5b, 화학식 5c, 화학식 5d로 표시되는 화합물 또는 화학식 5e로 표시되는 화합물 중에서 선택된 것이다.
- 제 7항에 있어서, 산발생제는 중합체 고형분 함량 100 중량부에 대해 0.3 중량부 내지 10 중량부로 포함되는 것임을 특징으로하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물.
- 제 7항에 있어서, 화학식 1로 표시되는 공중합체 중에서 선택된 1종 이상의 중합체를 레지스트 전체 조성물에 대해 3% 내지 20% 포함되는 것임을 특징으로하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물.
- 청구항 7에 기재된 화학증폭형 포토레지스트 조성물을 기판에 도포하여 포토 레지스트막을 형성하는 단계;상기 포토레지스트막을 소정 패턴으로 노광하는 단계; 및노광된 포토레지스트 패턴을 현상하는 단계를 포함하는 포토레지스트 패턴 형성방법.
- 제10항에 있어서, 상기 노광단계의 노광원은 KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저, X-레이, e-빔 중에서 선택된 것임을 특징으로하는 포토레지스트 패턴 형성방법.
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