KR100959841B1 - 화학증폭형 포토레지스트용 공중합체 및 이를 포함하는포토레지스트 조성물 - Google Patents
화학증폭형 포토레지스트용 공중합체 및 이를 포함하는포토레지스트 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100959841B1 KR100959841B1 KR1020080034293A KR20080034293A KR100959841B1 KR 100959841 B1 KR100959841 B1 KR 100959841B1 KR 1020080034293 A KR1020080034293 A KR 1020080034293A KR 20080034293 A KR20080034293 A KR 20080034293A KR 100959841 B1 KR100959841 B1 KR 100959841B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- group
- copolymer
- formula
- chemically amplified
- amplified photoresist
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
Description
화학식 | 화학식 2a-1 |
화학식 2a-3 |
화학식 2a-4 |
화학식 2b-1 |
화학식 2c-1 |
Tg(oC) | 147 | 146 | 120 | 180 | ND(1) |
화학식 | 화학식 2e-1 |
화학식 2e-2 |
화학식 2f-1 |
화학식 6 | |
Tg(oC) | 135 | 113 | 149 | 181 |
Claims (10)
- 하기 화학식 1로 표시되는 화학증폭형 포토레지스트용 공중합체.화학식 1상기 식에서 R1은 아실기 또는 트리할로 아실기이며, R2, R3, R4는 각각 독립적인 것으로써 수소원자, 에테르기, 에스테르기, 카르보닐기, 아세탈기, 에폭시기, 나이트릴기, 또는 알데하이드기를 포함하거나 포함하지 않은 탄소원자가 3 내지 30인 시클로알킬기이고, R5는 수소 또는 메틸기이고, l, m, n, o는 각각 주쇄내에 반복단위를 나타내는 수로서 l+m+n+o=1이고, 0≤l/(l+m+n+o)≤0.7, 0.1≤m/(l+m+n+o)≤0.7, 0.1≤n/(l+m+n+o)≤0.7, 0.05≤o/(l+m+n+o) ≤0.5의 값을 가진다.
- 제 1항에 있어서,상기 공중합체는, 하기 화학식 2a 내지 2l로 이루어지는 군으로부터 선택된 것임을 특징으로 하는 화학증폭형 포토레지스트용 공중합체.상기 화학식 2a 내지 2l에서 l, m, n, o는 각각 주쇄내에 반복단위를 나타내는 수로서 l+m+n+o=1이고, 0≤l/(l+m+n+o)≤0.7, 0.1≤m/(l+m+n+o)≤0.7, 0.1≤n/(l+m+n+o)≤0.7, 0.05≤o/(l+m+n+o) ≤0.5의 값을 가진다. p는 1 내지 10 의 값을 가진다. 상기 점선은 수소 및 메틸기로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나이다.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 공중합체는, 중량평균분자량(Mw)이 2,000 내지 1,000,000인 것을 특징으로 하는 화학증폭형 포토레지스트용 공중합체.
- 제1항에 기재된 상기 화학식 1로 표시되는 1종 이상의 공중합체, 산발생제, 첨가제 및 용매를 포함하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물.
- 제 4항에 있어서,상기 산발생제는 하기 화학식 3 및 화학식 4로 표시되는 화합물 중에서 선택된 1종 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물.화학식 3화학식 4상기 화학식 3 및 4에서 R1과 R2는 각각 독립적인 것으로서 알킬기, 알릴기, 퍼플루오로알킬기, 벤질기, 또는 아릴기를 나타내며, R3, R4 및R5는 수소, 알킬기, 할로겐기, 알콕시기, 아릴기, 티오페녹시기(thiophenoxy), 티오알콕시기(thioalkoxy), 또는 알콕시카르보닐메톡시기 (alkoxycarbonylmethoxy)를 나타내며,음이온 부분의 A는 OSO2CF3, OSO2C4F9, OSO2C8F17, N(CF3)2, N(C2F5)2, N(C4F9)2, C(CF3)3, C(C2F5)3, C(C4F9)3 이다.
- 제 4항에 있어서,상기 공중합체는, 전체 조성물 중에서 3 내지 20중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물.
- 제 4항에 있어서, 상기 산발생제는 상기 공중합체의 고형분 함량 100 중량부에 대하여 0.3 내지 10 중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물.
- 제 4항에 있어서, 상기 첨가제는 염기성 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물.
- 제 4항에 기재된 화학증폭형 포토레지스트 조성물을 기판에 도포하여 포토레지스트막을 형성하는 도포 단계;포토레지스트막을 소정 패턴으로 노광하는 노광 단계; 및노광된 포토레지스트 패턴을 현상하는 현상단계를 포함하는 포토레지스트 패턴 형성방법.
- 제 9항에 있어서,상기 노광단계는, 광원이 KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저, X-ray 및 e-beam 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080034293A KR100959841B1 (ko) | 2008-04-14 | 2008-04-14 | 화학증폭형 포토레지스트용 공중합체 및 이를 포함하는포토레지스트 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080034293A KR100959841B1 (ko) | 2008-04-14 | 2008-04-14 | 화학증폭형 포토레지스트용 공중합체 및 이를 포함하는포토레지스트 조성물 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090108935A KR20090108935A (ko) | 2009-10-19 |
KR100959841B1 true KR100959841B1 (ko) | 2010-05-27 |
Family
ID=41552285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080034293A KR100959841B1 (ko) | 2008-04-14 | 2008-04-14 | 화학증폭형 포토레지스트용 공중합체 및 이를 포함하는포토레지스트 조성물 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100959841B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140028587A (ko) * | 2012-08-29 | 2014-03-10 | 금호석유화학 주식회사 | 신규 아크릴계 단량체, 중합체 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5655855B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2015-01-21 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、重合体及び化合物 |
JP5763463B2 (ja) * | 2010-08-03 | 2015-08-12 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
KR101633657B1 (ko) | 2011-12-28 | 2016-06-28 | 금호석유화학 주식회사 | 레지스트용 첨가제 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
KR101658066B1 (ko) * | 2014-07-24 | 2016-09-20 | 금호석유화학 주식회사 | 미세 패턴 형성용 코팅 조성물 및 이를 이용한 미세 패턴 형성 방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20070093885A (ko) * | 2006-03-14 | 2007-09-19 | 후지필름 가부시키가이샤 | 포지티브 레지스트 조성물 및 이를 사용한 패턴형성방법 |
KR20070093892A (ko) * | 2006-03-14 | 2007-09-19 | 후지필름 가부시키가이샤 | 포지티브 레지스트 조성물 및 이것을 사용한 패턴형성방법 |
KR20070094547A (ko) * | 2006-03-17 | 2007-09-20 | 후지필름 가부시키가이샤 | 포지티브 레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성법 |
KR20080009511A (ko) * | 2006-07-24 | 2008-01-29 | 주식회사 동진쎄미켐 | 알킬 글리콜기를 포함하는 포토레지스트 단량체, 공중합체및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 |
-
2008
- 2008-04-14 KR KR1020080034293A patent/KR100959841B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20070093885A (ko) * | 2006-03-14 | 2007-09-19 | 후지필름 가부시키가이샤 | 포지티브 레지스트 조성물 및 이를 사용한 패턴형성방법 |
KR20070093892A (ko) * | 2006-03-14 | 2007-09-19 | 후지필름 가부시키가이샤 | 포지티브 레지스트 조성물 및 이것을 사용한 패턴형성방법 |
KR20070094547A (ko) * | 2006-03-17 | 2007-09-20 | 후지필름 가부시키가이샤 | 포지티브 레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성법 |
KR20080009511A (ko) * | 2006-07-24 | 2008-01-29 | 주식회사 동진쎄미켐 | 알킬 글리콜기를 포함하는 포토레지스트 단량체, 공중합체및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140028587A (ko) * | 2012-08-29 | 2014-03-10 | 금호석유화학 주식회사 | 신규 아크릴계 단량체, 중합체 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
KR101659915B1 (ko) * | 2012-08-29 | 2016-09-26 | 금호석유화학 주식회사 | 신규 아크릴계 단량체, 중합체 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090108935A (ko) | 2009-10-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101054485B1 (ko) | 오늄염 화합물, 이를 포함하는 고분자 화합물, 상기 고분자화합물을 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물 및 상기 조성물을 이용한 패턴 형성 방법 | |
KR101111491B1 (ko) | 신규 공중합체 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 | |
KR100274119B1 (ko) | 감방사선성 레지스트 제조용 중합체 및 이를 함유하는 레지스트조성물 | |
KR100271420B1 (ko) | 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물 | |
KR100931924B1 (ko) | 5-히드록시-1-아다만틸 (메타)아크릴레이트 유도체를포함하는 화학증폭형 포토레지스트용 공중합체 및 이를포함하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물 | |
JP2002363225A (ja) | 化学増幅型レジスト用重合体及びこれを含有した化学増幅型レジスト組成物 | |
JP3793453B2 (ja) | 新規な感酸性重合体及びこれを含有するレジスト組成物 | |
JP3554532B2 (ja) | ノルボルナン系低分子化合物添加剤を含む化学増幅型レジスト組成物 | |
KR101659915B1 (ko) | 신규 아크릴계 단량체, 중합체 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 | |
KR101837950B1 (ko) | 신규 아크릴계 모노머를 포함하는 레지스트용 공중합체 및 이를 포함하는 레지스트용 수지 조성물 | |
KR100562205B1 (ko) | 2차 히드록실기를 갖는 알킬 환상 올레핀과 아크릴화합물의 중합체 및 이를 포함하는 화학증폭형 레지스트조성물 | |
KR100591007B1 (ko) | 신규한 중합체 및 이를 함유한 화학 증폭형 레지스트 | |
KR100959841B1 (ko) | 화학증폭형 포토레지스트용 공중합체 및 이를 포함하는포토레지스트 조성물 | |
KR20100036827A (ko) | 레지스트용 중합체 및 이를 이용하여 제조된 레지스트 조성물 | |
JP2001228613A (ja) | 低分子化合物添加剤を含む化学増幅型レジスト組成物 | |
TWI519518B (zh) | 丙烯酸單體、聚合物、含有其的抗蝕劑組成物及形成抗蝕劑圖案的方法 | |
KR20130076425A (ko) | 레지스트용 첨가제 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 | |
KR101731036B1 (ko) | 레지스트용 첨가제 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 | |
KR101761897B1 (ko) | 레지스트용 첨가제 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 | |
KR101507826B1 (ko) | 신규 단량체, 중합체 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 | |
KR101552559B1 (ko) | 레지스트용 중합체 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 | |
KR100823058B1 (ko) | 화학증폭형 레지스트용 공중합체, 이를 포함하는화학증폭형 포토레지스트 조성물, 및 상기 조성물을 이용한화학증폭형 포토레지스트의 패터닝 방법 | |
KR100669038B1 (ko) | 락톤기와 2차 히드록실기를 갖는 노보넨 유도체를반복단위로 포함하는 중합체 및 이를 포함하는 화학증폭형레지스트 조성물 | |
KR100830599B1 (ko) | 두개의 (메트)아크릴 결합을 가지는 가교제를 단량체로포함하는 포토레지스트용 공중합체 및 이를 포함하는화학증폭형 포토레지스트 조성물 | |
KR20080064430A (ko) | 말레익언하이드라이드 유도체와 (메트)아크릴 화합물의중합체 및 이를 포함하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130422 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140423 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150518 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160513 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180313 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190502 Year of fee payment: 10 |