KR20090026792A - 기판에 경질 캐리어를 일시 부착시키는 방법 - Google Patents

기판에 경질 캐리어를 일시 부착시키는 방법

Info

Publication number
KR20090026792A
KR20090026792A KR1020097000021A KR20097000021A KR20090026792A KR 20090026792 A KR20090026792 A KR 20090026792A KR 1020097000021 A KR1020097000021 A KR 1020097000021A KR 20097000021 A KR20097000021 A KR 20097000021A KR 20090026792 A KR20090026792 A KR 20090026792A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
poly
substrate
flexible substrate
transient
carrier
Prior art date
Application number
KR1020097000021A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101095159B1 (ko
Inventor
숀 오로우르크
Original Assignee
아리조나 보드 오브 리전트스, 아리조나주의 아리조나 주립대 대행법인
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아리조나 보드 오브 리전트스, 아리조나주의 아리조나 주립대 대행법인 filed Critical 아리조나 보드 오브 리전트스, 아리조나주의 아리조나 주립대 대행법인
Publication of KR20090026792A publication Critical patent/KR20090026792A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101095159B1 publication Critical patent/KR101095159B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
    • C09J5/06—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers involving heating of the applied adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/89—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using at least one connector not provided for in any of the groups H01L24/81 - H01L24/86
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/4985—Flexible insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/007—Manufacture or processing of a substrate for a printed circuit board supported by a temporary or sacrificial carrier
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/386—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/50—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features
    • C09J2301/502—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features process for debonding adherents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2469/00—Presence of polycarbonate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68345—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during the manufacture of self supporting substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6835—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during build up manufacturing of active devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/80007—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding involving a permanent auxiliary member being left in the finished device, e.g. aids for protecting the bonding area during or after the bonding process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/80009—Pre-treatment of the bonding area
    • H01L2224/8003—Reshaping the bonding area in the bonding apparatus, e.g. flattening the bonding area
    • H01L2224/80047—Reshaping the bonding area in the bonding apparatus, e.g. flattening the bonding area by mechanical means, e.g. severing, pressing, stamping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/808—Bonding techniques
    • H01L2224/8085—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/80909—Post-treatment of the bonding area
    • H01L2224/80948—Thermal treatments, e.g. annealing, controlled cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0393—Flexible materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
    • H05K2203/0147—Carriers and holders
    • H05K2203/016—Temporary inorganic, non-metallic carrier, e.g. for processing or transferring
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/08—Treatments involving gases
    • H05K2203/083—Evaporation or sublimation of a compound, e.g. gas bubble generating agent
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/08—Treatments involving gases
    • H05K2203/085—Using vacuum or low pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
    • H05K2203/1105—Heating or thermal processing not related to soldering, firing, curing or laminating, e.g. for shaping the substrate or during finish plating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49156—Manufacturing circuit on or in base with selective destruction of conductive paths

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

본 발명은 열분해 가능한 중합체, 예를 들어, 폴리(알킬렌 카르보네이트)의 희생 층을 형성하고, 그들 사이에 위치한 희생 층으로 경질 캐리어에 가요성 기판을 결합시키는 것을 포함하는 경질 캐리어에 기판을 일시 부착시키는 방법을 기재한다. 이어서, 전자 부품 및/또는 회로를 부착된 기판 위에 제조하거나 또는 부착된 기판 위에서 다른 반도체 가공 단계(예를 들어, 백그라인딩)를 사용할 수 있다. 제조를 완료한 후, 조립체를 가열하여 희생 층을 떼어냄으로써 기판을 경질 캐리어로부터 탈착시킬 수 있다.
경질 캐리어, 가요성 기판, 반도체, 일과성 물질막

Description

기판에 경질 캐리어를 일시 부착시키는 방법{METHOD OF TEMPORARILY ATTACHING A RIGID CARRIER TO A SUBSTRATE}
관련 출원에 대한 교차 참조
본원은 그 전체 내용이 본원에 참고로 포함되는, 2006년 7월 5일자 출원된 미국 특허 가출원 60/818,631호의 이점을 청구한다.
정부 소유권 선언서
이 연구는 미군 연구소(ARL) 인가 번호 W911NF-04-2-005에 의해 적어도 부분적으로 지원된다. 미국 정부는 본 발명의 특정 권리를 갖는다.
본 발명은 일반적으로 가요성 기판의 가공, 더 구체적으로 추가 가공을 위해 가요성 기판에 경질 캐리어를 일시 부착시키는 방법에 관한 것이다.
전자 산업에서, 더 얇고/얇거나 더 가요성인 기판은 전자 회로용 기판으로서 빠르게 일반화되고 있다. 가요성 기판은 스테인리스강과 같은 금속, 임의의 무수한 플라스틱 등의 매우 얇은 층을 비롯한 광범위한 물질을 포함할 수 있다. 목적하는 전자 부품, 회로 또는 회로들은 가요성 기판의 표면 위에 형성된 후, 회로는 최종 제품에 부착되거나, 또는 추가 구조물로 혼입될 수 있다. 이러한 제품 또는 구조물의 통상적인 예는 평판 디스플레이 상의 액티브 매트릭스, 소매 상점에서 파 는 각종 상업 제품의 RFID 태그(tag), 각종 센서 등이다.
발생하는 한 주요한 문제점은 가공하는 동안 더 얇고/얇거나 더 가요성인 기판을 안정화시키는 것이다. 예를 들어 기판 위에 박막 트랜지스터 또는 박막 트랜지스터 회로를 제조하는 공정에서, 다수의 공정 단계는 수행되는 동안 기판이 몇몇 기계, 오븐, 세정 단계 등을 거쳐 이동될 수 있다. 이러한 공정에서 가요성 기판을 이동시키기 위해, 가요성 기판은 몇몇 유형의 캐리어에 일시 장착되어야 하거나, 또는 경질 캐리어가 제거가능하도록 부착되어 굽히는 일 없이 공정 단계 사이에서 가요성 캐리어를 이동시킬 수 있어야 하고, 공정 단계가 완료되었을 때 캐리어를 제거할 수 있어야 한다. 별법으로, 더 두꺼운 반도체 기판을 백그라인딩(backgrinding)하여 제조된 박판화된 기판은 배면 그라인딩 공정 도중 그리고 리소그래피, 침착 등과 같은 후속 공정에 걸쳐 지지될 필요가 있다.
<발명의 개요>
제1 측면에서, 본 발명은 경질 캐리어에 가요성 기판을 일시 부착시키고; 가요성 기판의 노출면 위에 전자 부품 및/또는 회로를 제조하는 것을 포함하는, 가요성 기판 위에 전자 부품 및/또는 회로를 제조하는 방법을 제공한다.
제2 측면에서, 본 발명은 제1 면, 제2 면 및 두께로 구성되며 제1 면이 1개 이상의 전자 부품 및/또는 회로를 포함하는 반도체 기판을 일과성 물질막(fugitive material film)으로 경질 캐리어에 일시 부착시키는 것을 포함하고, 여기서 일과성 물질막은 반도체 기판의 제1 면과 경질 캐리어 사이에 있고, 일과성 물질은 폴리(알킬렌 카르보네이트)를 포함하는, 반도체 기판 위에 전자 부품 및/또는 회로를 제조하는 방법을 제공한다.
도 1은 본 발명에 따라 가요성 기판에 경질 캐리어를 일시 부착시키는 방법의 초기 절차를 도시하는 단순화된 단면도이다.
도 2는 가요성 기판에 경질 캐리어를 일시 부착시키기 위한 추가 절차를 도시하는 단순화된 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따라 가요성 기판에 경질 캐리어를 일시 부착시키는 다른 방법을 도시하는 단순화된 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따라 일과성 물질층의 열분해 또는 연소 분해시의 화학 반응에 대한 다이어그램을 도시한다.
정의
본원에 사용되는 용어 "일과성 물질"은 열분해 가능한 물질을 의미한다. 이러한 물질은 본원에서 정의된 바와 같이, 임계 분해 온도를 초과하는 가열에 의해 더 작고/작거나 더 휘발성인 분자로 분해된다. 열분해 가능한 물질의 비제한적 예로는 폴리(알킬렌 카르보네이트), 니트로셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 폴리(메틸 메타크릴레이트) (PMMA), 폴리(비닐 알코올), 폴리(비닐 부티릴), 폴리(이소부틸렌), 폴리(비닐 피롤리돈), 미소결정질 셀룰로오스, 왁스, 폴리(락트산), 폴리(디옥사논), 폴리(히드록시부티레이트), 폴리(아크릴레이트) 및 폴리(벤조시클로부텐)을 들 수 있다.
본원에 사용되는 용어 "예비형성된 가요성 기판"은 본원에 정의된 가요성 기판이 경질 캐리어와 결합되기 전의 자립 기판임을 의미한다.
본원에 사용되는 용어 "양면 접착 테이프"는 그의 두 대향면 각각에 접착 물질을 갖는 지지 배킹(backing)을 포함하는 임의의 테이프를 의미한다. 대향면 위의 접착제는 동일하거나 상이할 수 있고, 예를 들어 엘라스토머, 열가소성, 열경화성, 감압성 및/또는 광경화성 접착제(예를 들어, 가시광선 또는 UV)를 비제한적으로 포함한다.
본원에 사용되는 용어 "가요성 기판"은 그 형상에 용이하게 순응하는 가요성 물질을 포함하는 자립 기판을 의미한다. 가요성 기판의 비제한적 예는 금속 및 중합체의 막, 예를 들어 금속 호일, 예컨대 알루미늄 및 스테인리스강 호일, 및 중합체 시트, 예컨대 폴리이미드, 폴리에틸렌, 폴리카르보네이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에테르술폰(PES), 및 전체 스택 조립체가 가요성을 유지한다는 조건으로 2종 이상의 금속 및/또는 중합체 물질을 포함하는 다층 스택을 비제한적으로 포함한다. 이러한 기판은 바람직하게는 박판이고, 예를 들어 두께 2 mm 미만, 바람직하게는 1 mm 미만이고; 더더욱 바람직하게는, 기판의 두께는 500 ㎛ 미만, 바람직하게는 약 50 내지 200 ㎛이다.
본원에 사용되는 용어 "연화 상태"는 물질이 그의 유리 전이 온도를 초과하지만 본원에 정의된 그의 분해 온도에는 미치지 못하는 온도에 있는 것을 의미한다.
용어 "분해 온도"는 1종 이상의 열분해 가능한 물질을 포함하는 조성물이 더 작고/작거나 더 휘발성인 분자로 분해되기 시작하는 온도를 의미한다.
본원에 사용되는 용어 "알킬렌"은 탄소수 2 내지 10의 선형 또는 분지형 이중 라디칼 탄화수소를 의미한다. 알킬렌의 예는 에틸렌, 부틸렌, 헥사메틸렌 및 유사물을 비제한적으로 포함한다.
본원에 사용되는 용어 "평평한" 또는 "평판"은 표면의 각 점이 기판 중심에 의해 한정된 선으로부터 약 100 ㎛ 미만에 있고, 바람직하게는 표면의 각 점이 기판 중심에 의해 한정된 선으로부터 약 75 ㎛ 미만에 있고; 더더욱 바람직하게는 표면의 각 점이 기판 중심에 의해 한정된 선으로부터 약 60 ㎛ 미만에 있는 것을 의미한다.
제1 측면에서, 본 발명은 경질 캐리어에 가요성 기판을 일시 부착시키고, 기판의 노출면 위에 전자 부품 및/또는 회로를 제조하는 것을 포함하는, 가요성 기판 위에 전자 부품 및/또는 회로를 제조하는 방법을 제공한다.
제1 측면의 한 실시양태에서, 본 발명은 경질 캐리어 위에 가요성 기판을 일시 부착시키는 것이 일과성 물질을 포함하는 막을 경질 캐리어 또는 가요성 기판 위에 형성하고; 가요성 기판과 경질 캐리어 사이에 위치한 막으로 경질 캐리어에 가요성 기판을 결합시키는 것을 포함하는 것인 방법을 제공한다.
제1 측면의 바람직한 실시양태에서, 본 발명은 경질 지지체 또는 가요성 기판 위에 일과성 물질의 막을 형성하는 것이 용매 중에 일과성 물질을 포함하는 용액의 층을 경질 캐리어 또는 가요성 기판 위에 형성하고; 이 층을 건조시켜 막을 형성하는 단계를 포함하는 것인 방법을 제공한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 한 실시양태에서, 경질 캐리어 (10)는 본 발명의 일과성 물질의 막(12)으로 코팅된다. 일과성 물질의 용액은 적절한 용매에 용해시킨 일과성 물질, 예컨대 폴리(알킬렌 카르보네이트)를 포함한다. 일과성 물질 및 용매는 일괄하여, 연장된 기간 동안 롤링하거나 그렇지 않으면 교반 (또는 혼합)하면서 용해시킨다. 온도가 일과성 물질의 임계 분해 온도 미만으로 유지된다는 조건으로 열을 가하여 일과성 물질을 용해시킬 수 있다. 일과성 물질의 용액은 일과성 물질막의 분해 온도를 조절하기 위해 첨가제, 예컨대 니트로셀룰로오스 또는 에틸셀룰로오스를 더 포함할 수 있다 (하기함).
용액으로부터 막을 제조하기 위한 당업자에게 공지된 임의의 방법에 따라 일과성 물질의 용액을 사용하여 경질 캐리어 또는 가요성 기판 위에 일과성 물질의 막을 제조할 수 있다. 예를 들어, 용액은 분무 코팅, 드랍 캐스트(drop cast), 회전 코팅, 웹코팅(webcoating), 닥터 블레이딩(doctor blading) 또는 침지 코팅되어 캐리어 또는 기판 위에 용액의 층을 제조할 수 있다. 층을 경질 캐리어 위에 형성하는 경우, 바람직하게는 용액은 용액을 경질 캐리어의 표면 위에 분배하고 용액이 고르게 분포되도록 캐리어를 회전시킴으로써 회전 코팅된다. 당업자는 회전 코팅에 의해 제조된 층 및 궁극적으로 막의 두께가 용매 중 일과성 물질의 농도, 용액의 점도, 회전율 및 회전 속도의 선택에 의해 조절될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
용액 층을 가요성 기판 또는 경질 캐리어에 결합시키기 전에 건조시켜 임의의 잔류 용매를 본질적으로 제거하고 일과성 물질막을 제조할 수 있다. 상기 건조는 방법이 기판, 캐리어 및/또는 일과성 물질의 열화를 초래하지 않는다는 조건으로, 당업자에게 공지된 임의의 방법에 따를 수 있다. 예를 들어, 층은 대략 80℃ 내지 180℃, 바람직하게는 약 100℃ 내지 130℃ 범위의 온도에서 층을 가열함으로써 건조될 수 있다. 다른 예에서, 층은 대략 100℃ 내지 180℃ 범위의 온도에서 진공하에 층을 가열함으로써 건조될 수 있다. 또 다른 예에서, 층은 대략 80℃ 내지 180℃ 범위의 온도에서 층을 가열하고, 이어서 대략 100℃ 내지 180℃ 범위의 온도에서 진공(예를 들어, 약 1 torr 미만)하에 층을 가열함으로써 건조될 수 있다. 어느 하나의 가열 공정에서, 층은 실질적으로 모든 용매가 제거될 때까지 약 10 내지 120분간 가열될 수 있다. 당업자는 일과성 물질이 가열시 안정적으로 유지된다는 조건으로 임의의 가열 단계에 더 높은 온도(예를 들어, 300℃ 이하)를 사용할 수 있다는 것을 인지할 것이다.
궁극적으로, 일과성 물질막 (12)의 두께는 1 ㎛ 내지 40 ㎛, 더욱 바람직하게는 2 ㎛ 내지 20 ㎛인 것이 바람직하다.
별법으로, 일과성 물질 용액의 층은 가요성 기판 (14)의 배면 위로 코팅되고, 이어서 상기 논의된 바와 같이 건조 및/또는 진공 건조 공정을 행하여 가요성 기판 (14) 위에 일과성 물질막 (12)을 제조할 수 있다. 바람직하게는, 일과성 물질의 막을 가요성 기판 위에 형성하는 경우, 용액의 층은 상기 논의된 바와 같이 용액을 회전 코팅한 후 층을 건조시켜 막을 형성함으로써 제조된다.
도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 본 방법에서, 자립 가요성 기판 (14)은 일과성 물질막 (12)의 상면에 결합된다. 몇몇 상이한 절차를 사용하여 일과성 물질막 (12) 위에 가요성 기판 (14)을 결합시킬 수 있다.
한 실시양태에서, 가요성 기판의 결합은 (가요성 기판 또는 경질 캐리어 중 어느 하나 위의) 일과성 물질막을 연화 상태로, 즉 일과성 물질의 유리 전이 온도(Tg)를 초과하여 가열하고, 기판을 캐리어에 직접 부착시키는 것을 포함한다. 본 발명에 사용되는 구체적인 연화 온도는 본원의 교시에 기초하여 경험적으로 결정될 수 있고, 일과성 물질막 (12)에 사용되는 구체적 물질에 좌우된다. 예를 들어, Tg는 예로써 열중량 분석법(TGA), 열기계 분석법(TMA), 시차주사열량법(DSC) 및/또는 동적 기계적 분석법(DMA)을 비제한적으로 포함하는 기술을 사용하여 측정될 수 있다. 따라서, 본 실시양태에서 일과성 물질막 (12)은 접착 물질뿐만 아니라 일과성 물질로서 작용한다.
도 3에 도시한 바와 같이, 또 다른 실시양태에서, 가요성 기판의 결합은 경질 캐리어 위의 일과성 물질막 위에 금속층 또는 절연층 (15)을 침착시키고; 양면 접착제 (17)를 층 (15) 위에 위치시키고; 기판 (14)을 양면 접착제 위에 위치시키는 것을 포함한다. 바람직한 금속은 스퍼터링에 의해 침착될 수 있는 금속, 예를 들어 알루미늄, 금 및 은을 비제한적으로 포함한다. 바람직한 절연층으로는 플라즈마 강화 화학 증착(PECVD)에 의해 침착될 수 있는 것, 예컨대 SiN 및 SiO2를 들 수 있다. 바람직한 양면 접착제는 양면 분말 코팅된 실리콘 접착제(아르곤(Argon) PC500 계열), 또는 고성능 실리콘 접착제(어드히시브 리서치 아르케어(Adehesive Research Arcare) 7876) 또는 유사물을 비제한적으로 포함한다.
경질 캐리어 (10)에 일시 부착된 가요성 기판 (14)에 의해, 목적하는 모든 가공 단계를 가요성 기판 (14) 위에서 수행하여 전자 회로를 제조할 수 있다. 제1 측면에 따라 제조된 최종 시스템이 반도체 웨이퍼와 대략 동일한 크기일 수 있기 때문에, 표준 가공 기구를 사용하여 제조를 수행할 수 있다. 목적하는 전자적 제조 또는 가공 단계를 완료한 후, 일과성 물질막의 제거는 경질 캐리어로부터 가요성 기판의 탈착을 수행한다.
제1 측면의 추가의 실시양태에서, 본 발명은 제조 후, 가요성 기판을 경질 캐리어로부터 탈착시키고; 바람직하게는, 일과성 물질막을 가열함으로써 가요성 기판을 탈착시키는 방법을 제공한다. 바람직하게는, 일과성 물질을 일과성 물질막이 분해되는 온도로 가열하고 그 온도에서 유지시킨다. 상기 가열은 바람직하게는 공기 중 또는 불활성 분위기(예를 들어 질소) 중에서 행해진다. 더욱 바람직하게는, 상기 가열은 공기 중에서 행해진다.
본 발명의 일과성 물질 및 그의 막의 분해 온도 및 가열 시간은 본원의 교시에 기초하여 당업자에게 공지된 방법, 예를 들어 열중량 분석법(TGA)을 이용하여 쉽게 결정될 수 있다. 상술한 바와 같이, 분해 온도를 조절하기 위해 다른 물질을 일과성 물질막 (12)에 사용할 수 있다. 즉, 일과성 물질막이 제거되는 온도는 가요성 기판의 물질의 안정성 및/또는 각종 전자적 가공 단계 및 재료와의 상용성을 유지시키기 위해 요구되는 바와 따라 높이거나 낮출 수 있다.
다른 공정을 사용하여 일과성 물질막의 제거를 수행할 수 있다. 예를 들어, 섬광등, 할로겐 램프 또는 레이저를 사용하는 RTA(고속 열처리(Rapid Thermal Anneal)) 공정을 사용하여 일과성 물질막 (12)을 연소시킬 수 있다.
폴리(알킬렌 카르보네이트), 바람직하게는 폴리(프로필렌 카르보네이트)를 일과성 물질막 (12)에 사용하는 경우, 이러한 물질은 도 4의 다이어그램에 도시한 바와 같이 공기 또는 불활성 분위기 중에서 초청정 및 고속 분해를 나타낸다. 분해는 열분해 또는 연소일 수 있다. 예를 들어, 폴리(알킬렌 카르보네이트), 특히 폴리(프로필렌 카르보네이트)를 일과성 물질막 (12)에 사용하는 경우, 일과성 물질막은 240℃ 이상, 바람직하게는 240℃ 내지 300℃; 더욱 바람직하게는 240℃ 내지 260℃의 온도에서 제거될 수 있다.
상술한 각각의 실시양태에서, 일과성 물질막은 바람직하게는 열분해 가능한 중합체를 포함한다. 더욱 바람직하게는, 일과성 물질막은 폴리(알킬렌 카르보네이트), 니트로셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 폴리(메틸 메타크릴레이트), 폴리(비닐 알코올), 폴리(비닐 부티릴), 폴리(이소부틸렌), 폴리(비닐 피롤리돈), 미소결정질 셀룰로오스, 왁스, 폴리(락트산), 폴리(디옥사논), 폴리(히드록시부티레이트), 폴리(아크릴레이트), 폴리(벤조시클로부텐) 및 그의 혼합물로 이루어지는 군 중에서 선택되는 1종 이상의 물질을 포함한다. 더더욱 바람직하게는, 일과성 물질막은 폴리(알킬렌 카르보네이트), 예를 들어 폴리(에틸렌 카르보네이트) [QPAC(등록상표)25], 폴리(프로필렌 카르보네이트) [QPAC(등록상표)40], 폴리(부틸렌 카르보네이트) 또는 그의 혼합물을 포함한다. 더더욱 바람직하게는, 일과성 물질막은 폴리(프로필렌 카르보네이트)를 포함한다. 폴리(알킬렌 카르보네이트)는 초청정 분해되기 때문에, 상기 물질은 반도체 장치에 대한 오염 위험도를 감소시킬 수 있어 본 발명에 유리하다.
상기 각각의 실시양태에서, 가요성 기판은 바람직하게는 예비형성된 가요성 기판이다. 더욱 바람직하게는, 가요성 기판은 예비형성된 가요성 플라스틱 기판 또는 예비형성된 가요성 금속 기판이다. 바람직한 가요성 금속 기판으로는 FeNi 합금(예를 들어, 인바르(INVAR; 상표명), FeNi 또는 FeNi36; 인바르(상표명)는 약간의 탄소 및 크롬을 갖는 철(64%)과 니켈(36%) (중량 기준)의 합금임), FeNiCo 합금(예를 들어, 코바르(KOVAR; 상표명), 코바르(상표명)는 통상 니켈 29%, 코발트 17%, 규소 0.2%, 망간 0.3% 및 철 53.5% (중량 기준)로 이루어짐), 티타늄, 탄탈, 몰리브덴, 알루크롬(aluchrome), 알루미늄 및 스테인리스강을 들 수 있다. 바람직한 가요성 플라스틱 기판으로는 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에테르술폰(PES), 폴리이미드, 폴리카르보네이트 및 시클릭 올레핀 공중합체를 들 수 있다. 상기 가요성 기판은 바람직하게는 박판이고; 바람직하게는 약 1 ㎛ 내지 1 mm 두께이다. 더욱 바람직하게는, 가요성 기판의 두께는 약 50 ㎛ 내지 500 ㎛; 더더욱 바람직하게는 약 50 ㎛ 내지 250 ㎛이다.
상기 각각의 실시양태에서, 경질 캐리어는 전자 부품 또는 회로를 제조하기 위해 사용되는 가공을 견딜 수 있는 임의의 물질을 포함한다. 바람직하게는, 경질 캐리어는 반도체 물질을 포함한다. 다른 바람직한 측면 및 실시양태에서, 경질 캐리어는 바람직하게는 1개 이상의 실질적으로 평평한 표면을 갖는다. 더욱 바람직하게는, 경질 캐리어는 반도체 웨이퍼이다. 더더욱 바람직하게는, 경질 캐리어는 (바람직하게는, 평평한 표면을 갖는) 실리콘 웨이퍼이다.
제2 측면에서, 본 발명은
제1 면, 제2 면 및 두께로 구성되며, 제 1면이 1개 이상의 전자 부품 및/또는 회로를 포함하는 반도체 기판을 일과성 물질막으로 경질 캐리어에 일시 부착시키고,
여기서 일과성 물질막은 반도체 기판의 제1 면과 경질 캐리어 사이에 있고,
일과성 물질은 폴리(알킬렌 카르보네이트)를 포함하는, 반도체 기판 위에 전자 부품 및/또는 회로를 제조하는 방법을 제공한다.
제2 측면의 실시양태에서, 본 방법은 반도체 기판의 제2 면을 백그라인딩하여 반도체 기판의 두께를 감소시키는 것을 더 포함한다. 바람직하게는, 백그라인딩은 기계적 그라인딩 및/또는 습식 에칭을 포함한다.
제2 측면의 다른 실시양태에서, 본 방법은 반도체 기판의 제2 면을 백그라인딩하여 반도체 기판의 두께를 감소시키고; 일과성 층을 가열하여 반도체 기판을 경질 캐리어로부터 탈착시키는 것을 더 포함한다. 일과성 층은 바람직하게는 본 발명의 제1 측면과 관련하여 논의된 임의의 조건에 따라 가열된다.
제2 측면의 임의의 실시양태에서, 일과성 물질은 반도체 기판의 제1 면 또는 경질 캐리어 위에 위치되고, 본 발명의 제1 측면과 관련하여 위에서 논의된 임의의 방법에 따라 제조될 수 있다.
또한, 제2 측면의 임의의 실시양태에서, 경질 캐리어는 반도체 기판 또는 유리를 포함할 수 있고; 바람직하게는, 경질 캐리어는 Si 또는 Si(100)을 포함한다. 제2 측면의 방법에 이용된 임의의 반도체 기판은 독립적으로 Si, SiGe, Ge, SiGeSn, GeSn, GaAs, InP 및 유사물을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 본 방법에 이용된 임의의 반도체 기판은 독립적으로 Si 또는 Si(100)을 포함할 수 있다. 일과성 물질은 바람직하게는 폴리(프로필렌 카르보네이트) 또는 폴리(에틸렌 카르보네이트)를 포함하고, 더욱 바람직하게는 일과성 물질은 폴리(프로필렌 카르보네이트)이다. 일과성 물질막은 일과성 물질막의 분해 온도를 조절하기 위해 첨가제, 예컨대 니트로셀룰로오스 또는 에틸셀룰로오스를 포함할 수 있다 (상기함).
일과성 물질막에 이용되는 폴리(알킬렌 카르보네이트)는 공기 중 또는 불활성 분위기 중에서 초청정 및 고속 분해를 나타낸다. 폴리(알킬렌 카르보네이트) 일과성 물질의 청정 및 고속 분해가 특히 유리하다. 또한, 일과성 물질막은 240℃ 이상, 바람직하게는 240℃ 내지 300℃; 더욱 바람직하게는 240℃ 내지 260℃의 온도에서 제거될 수 있다. 대기 중 일과성 물질의 300℃ 미만에서의 분해 및 청정 고속 분해는 반도체 장치의 취급 및 제조에 예상치 못한 이점을 제공한다.
<실시예 1-경질 캐리어 위의 폴리(프로필렌 카르보네이트) 막의 제조>
폴리(프로필렌 카르보네이트) (QPAC(등록상표)40) 72 g을 에틸 아세테이트 150 g 및 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트(이스트먼(Eastman) DE 아세테이트) 528 g으로 혼합하였다. 물질을 일괄하여 온건히 롤링하면서 24시간 동안 용해시켰다. 용액 제조 후, 20 mL를 실리콘 웨이퍼의 상면에 분배하고, 400 rpm으로 20초간 회전시켰다. 그 후, 스펀-온(spun-on) 물질을 120℃에서 40분간 건조시켜 실리콘 웨이퍼의 상면에 폴리(프로필렌 카르보네이트) 막을 형성하였다. 용매 의 폴리(프로필렌 카르보네이트) 막으로부터의 실질적으로 완전한 제거를 확립하기 위해, 시스템을 100℃에서 16시간 동안 진공 베이킹한 후, 180℃에서 최종 시간 진공 베이킹하였다.
<실시예 2-경질 캐리어 위의 가요성 스테인리스강 기판의 조립체>
실리콘 웨이퍼 경질 지지체 위의 폴리(프로필렌 카르보네이트) 막을 실시예 1에 따라 제조하였다. 가요성 스테인리스강 기판을 실리콘 웨이퍼와 정렬되도록 폴리(프로필렌 카르보네이트) 막의 표면에 위치시켰다. 그 후, 조립체를 폴리(프로필렌 카르보네이트) 층이 약간 연화될 때까지, 대략 120℃ 내지 140℃로 가열하여, 스테인리스강 기판과 경질 캐리어 사이를 일시 결합시켰다.
<실시예 3- 경질 캐리어 위의 가요성 스테인리스강 기판의 대안 조립체>
실리콘 웨이퍼 경질 지지체 위의 폴리(프로필렌 카르보네이트) 막을 실시예 1에 따라 제조하였다. 알루미늄 층(두께: 대략 5000 Å)을 폴리(프로필렌 카르보네이트) 막의 표면 위로 스퍼터링하였다. 이어서, 양면 접착제 층을 알루미늄 층의 상면 위에 위치시키고, 스테인리스강 호일(스미토모(Sumitomo), 유형 304; 두께: 125 ㎛)을 양면 접착제 층의 상면에 위치시켰다.
당업자는 예시를 목적으로 선택된 본원의 방법 및 실시양태의 여러 변경 및 변형을 쉽게 생각해 낼 것이다. 상기 변형 및 변경이 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도에서, 이들은 하기 청구범위의 온당한 이해에 의해서만 평가되는 범위 내에 포함되는 것으로 의도된다.

Claims (34)

  1. 경질 캐리어에 가요성 기판을 일시 부착하고;
    가요성 기판의 노출면 위에 전자 부품 및/또는 회로를 제조하는 것을 포함하는, 가요성 기판 위에 전자 부품 및/또는 회로를 제조하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 경질 캐리어에 가요성 기판을 일시 부착하는 것이
    경질 캐리어 또는 가요성 기판 위에 일과성 물질(fugitive material)을 포함하는 막을 형성하고;
    가요성 기판과 경질 캐리어 사이에 위치한 막으로 경질 캐리어에 가요성 기판을 결합하는 것을 포함하는 것인 방법.
  3. 제2항에 있어서, 일과성 물질을 포함하는 막을 형성하는 것이
    용매 중에 일과성 물질을 포함하는 용액의 층을 경질 캐리어 또는 가요성 기판 위에 형성하고;
    용액 층을 건조하여 막을 형성하는 것을 포함하는 것인 방법.
  4. 제2항에 있어서, 일과성 물질이 열분해 가능한 중합체인 방법.
  5. 제4항에 있어서, 일과성 물질이 폴리(알킬렌 카르보네이트), 니트로셀룰로오 스, 에틸셀룰로오스, 폴리(메틸 메타크릴레이트), 폴리(비닐 알코올), 폴리(비닐 부티릴), 폴리(이소부틸렌), 폴리(비닐 피롤리돈), 미소결정질 셀룰로오스, 왁스, 폴리(락트산), 폴리(디옥사논), 폴리(히드록시부티레이트), 폴리(아크릴레이트), 폴리(벤조시클로부텐) 및 그의 혼합물로 이루어지는 군 중에서 선택되는 것인 방법.
  6. 제5항에 있어서, 일과성 물질이 폴리(알킬렌 카르보네이트) 또는 그의 혼합물인 방법.
  7. 제6항에 있어서, 일과성 물질이 폴리(프로필렌 카르보네이트)인 방법.
  8. 제2항에 있어서, 가요성 기판이 플라스틱 기판 또는 금속 기판인 방법.
  9. 제8항에 있어서, 플라스틱 기판이 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에테르술폰 (PES), 폴리이미드, 폴리카르보네이트, 시클릭 올레핀 공중합체 또는 그의 혼합물을 포함하는 것인 방법.
  10. 제8항에 있어서, 금속 기판이 인바르(INVAR), 코바르(KOVAR), 티타늄, 탄탈, 몰리브덴, 알루크롬, 알루미늄 및 스테인리스강을 포함하는 것인 방법.
  11. 제2항에 있어서, 경질 캐리어가 반도체 웨이퍼인 방법.
  12. 제3항에 있어서, 용매 중 일과성 물질의 층을 경질 캐리어 위에 형성하는 것이
    용액을 경질 캐리어의 표면 위에 분배하고;
    용액이 고르게 분포되도록 캐리어를 회전(spinning)시키는 것을 포함하는 것인 방법.
  13. 제3항에 있어서, 용액의 층을 건조시키는 것이 대략 80℃ 내지 180℃ 범위의 온도에서 건조시키는 것을 포함하는 것인 방법.
  14. 제13항에 있어서, 용액의 층을 건조시키는 것이 대략 100℃ 내지 180℃ 범위의 온도에서의 진공 베이킹을 더 포함하는 것인 방법.
  15. 제2항에 있어서, 경질 캐리어에 가요성 기판을 결합하는 것이
    일과성 물질의 층을 연화 상태로 가열하고;
    가요성 기판을 경질 캐리어에 직접 부착시키는 것을 포함하는 것인 방법.
  16. 제3항에 있어서, 용액이 니트로셀룰로오스 또는 에틸셀룰로오스를 더 포함하는 것인 방법.
  17. 제2항에 있어서, 경질 캐리어에 가요성 기판을 결합하는 것이
    금속층 또는 절연층을 막 위에 침착시키고;
    알루미늄 층 위에 양면 접착제를 위치시키고;
    양면 접착제 위에 가요성 기판을 위치시키는 것을 포함하는 것인 방법.
  18. 제15항에 있어서, 금속층이 알루미늄을 포함하는 것인 방법.
  19. 제15항에 있어서, 절연층이 SiN 또는 SiO2를 포함하는 것인 방법.
  20. 제1항에 있어서, 제조 후 가요성 기판을 경질 캐리어로부터 탈착시키는 것을 더 포함하는 방법.
  21. 제20항에 있어서, 기판을 탈착시키는 것이 일과성 물질을 일과성 물질의 분해 온도 이상의 온도로 가열하는 것을 포함하는 것인 방법.
  22. 제21항에 있어서, 일과성 물질을 약 240℃ 내지 300℃의 온도로 가열하는 것인 방법.
  23. 제21항에 있어서, 일과성 물질을 공기 중에서 가열하는 것인 방법.
  24. 제1 면, 제2 면 및 두께로 구성되며, 제1 면이 1개 이상의 전자 부품 및/또는 회로를 포함하는 반도체 기판을 일과성 물질막으로 경질 캐리어에 일시 부착시키는 것을 포함하고,
    일과성 물질막은 반도체 기판의 제1 면과 경질 캐리어 사이에 있으며;
    일과성 물질은 폴리(알킬렌 카르보네이트)를 포함하는, 반도체 기판 위에 전자 부품 및/또는 회로를 제조하는 방법.
  25. 제24항에 있어서, 반도체 기판의 제2 면을 백그라인딩하여 반도체 기판의 두께를 감소시키는 것을 더 포함하는 방법.
  26. 제25항에 있어서, 백그라인딩이 기계적 그라인딩 또는 습식 에칭을 포함하는 것인 방법.
  27. 제25항에 있어서, 일과성 층을 가열하여 반도체 기판을 경질 캐리어로부터 탈착시키는 것을 더 포함하는 방법.
  28. 제27항에 있어서, 일과성 물질을 약 240℃ 내지 300℃의 온도로 가열하는 것인 방법.
  29. 제27항에 있어서, 일과성 물질을 공기의 존재하에 가열하는 것인 방법.
  30. 제24항에 있어서, 경질 캐리어에 반도체 기판을 일시 부착시키는 것이
    일과성 물질을 포함하는 막을 경질 캐리어 또는 반도체 기판 위에 형성하고;
    가요성 기판과 경질 캐리어 사이에 위치한 막으로 경질 캐리어에 반도체 기판을 결합시키는 것을 포함하는 것인 방법.
  31. 제30항에 있어서, 일과성 물질을 포함하는 막을 형성하는 것이
    용매 중에 일과성 물질을 포함하는 용액의 층을 경질 캐리어 또는 반도체 기판 위에 형성하고;
    용액 층을 건조시켜 막을 형성하는 것을 포함하는 것인 방법.
  32. 제24항에 있어서, 폴리(알킬렌 카르보네이트)가 폴리(프로필렌 카르보네이트) 또는 폴리(에틸렌 카르보네이트)인 방법.
  33. 제24항에 있어서, 폴리(알킬렌 카르보네이트)가 폴리(프로필렌 카르보네이트)인 방법.
  34. 제24항에 있어서, 경질 캐리어가 반도체 기판 또는 유리인 방법.
KR1020097000021A 2006-07-05 2007-07-03 기판에 경질 캐리어를 일시 부착시키는 방법 KR101095159B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US81863106P 2006-07-05 2006-07-05
US60/818,631 2006-07-05
PCT/US2007/072737 WO2008005979A1 (en) 2006-07-05 2007-07-03 Method of temporarily attaching a rigid carrier to a substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090026792A true KR20090026792A (ko) 2009-03-13
KR101095159B1 KR101095159B1 (ko) 2011-12-16

Family

ID=38894902

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097000021A KR101095159B1 (ko) 2006-07-05 2007-07-03 기판에 경질 캐리어를 일시 부착시키는 방법

Country Status (7)

Country Link
US (2) US20100297829A1 (ko)
EP (1) EP2041782A4 (ko)
JP (1) JP4897882B2 (ko)
KR (1) KR101095159B1 (ko)
CN (1) CN101484988B (ko)
SG (1) SG172621A1 (ko)
WO (1) WO2008005979A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120027103A (ko) * 2009-06-15 2012-03-21 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 반도체 웨이퍼의 가고정제 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5555226B2 (ja) 2008-04-08 2014-07-23 アリゾナ ボード オブ リージェンツ ア ボディー コーポレート アクティング オン ビハーフ オブ アリゾナ ステイト ユニバーシティ 半導体加工中のフレキシブル基板のｗａｒｐおよびｂｏｗを減少させるアセンブリおよび方法
US20110311789A1 (en) * 2008-09-12 2011-12-22 Arizona Board of Regents, a body corporate acting for and on behalf of Arizona State University Methods for Attaching Flexible Substrates to Rigid Carriers and Resulting Devices
TW201026805A (en) * 2008-11-23 2010-07-16 Novomer Inc Polycarbonates as adhesives in electronics manufacturing
US9601530B2 (en) 2008-12-02 2017-03-21 Arizona Board Of Regents, A Body Corporated Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Dual active layer semiconductor device and method of manufacturing the same
US9721825B2 (en) 2008-12-02 2017-08-01 Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Method of providing a flexible semiconductor device and flexible semiconductor device thereof
JP5583140B2 (ja) * 2008-12-02 2014-09-03 アリゾナ・ボード・オブ・リージェンツ，フォー・アンド・オン・ビハーフ・オブ・アリゾナ・ステート・ユニバーシティ フレキシブル基板アセンブリを準備する方法およびその方法により準備されたフレキシブル基板アセンブリ
US9991311B2 (en) 2008-12-02 2018-06-05 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Dual active layer semiconductor device and method of manufacturing the same
US8575245B2 (en) 2008-12-23 2013-11-05 Novomer, Inc. Tunable polymer compositions
US20100264566A1 (en) * 2009-03-17 2010-10-21 Suss Microtec Inc Rapid fabrication of a microelectronic temporary support for inorganic substrates
TW201117262A (en) 2009-05-29 2011-05-16 Univ Arizona Method of providing a flexible semiconductor device at high temperatures and flexible semiconductor device thereof
TW201043658A (en) * 2009-06-15 2010-12-16 Sumitomo Bakelite Co Temporarily fixing agent for semiconductor wafer and method for producing semiconductor device using the same
KR101055473B1 (ko) * 2009-12-15 2011-08-08 삼성전기주식회사 기판 제조용 캐리어 부재 및 이를 이용한 기판의 제조방법
WO2012021197A2 (en) 2010-05-21 2012-02-16 Arizona Board Of Regents, For And On Behalf Of Arizona State University Method of manufacturing electronic devices on both sides of a carrier substrate and electronic devices thereof
WO2012021196A2 (en) 2010-05-21 2012-02-16 Arizona Board Of Regents, For And On Behalf Of Arizona State University Method for manufacturing electronic devices and electronic devices thereof
GB2481187B (en) 2010-06-04 2014-10-29 Plastic Logic Ltd Processing substrates
JP2012072367A (ja) * 2010-08-30 2012-04-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd 熱分解性の樹脂組成物および基板
JP5355618B2 (ja) * 2011-03-10 2013-11-27 三星ディスプレイ株式會社 可撓性表示装置及びこの製造方法
EP2717307A1 (en) 2012-10-04 2014-04-09 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Releasable substrate on a carrier
US11272621B2 (en) * 2012-12-28 2022-03-08 Shenzhen Royole Technologies Co., Ltd. Substrate and method for fabricating flexible electronic device and rigid substrate
US20140342148A1 (en) * 2013-05-15 2014-11-20 Corning Incorporated Glass structures and methods of creating and processing glass structures
CN103531442B (zh) * 2013-10-25 2015-03-11 京东方科技集团股份有限公司 柔性基板制备方法
WO2015156891A2 (en) 2014-01-23 2015-10-15 Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Method of providing a flexible semiconductor device and flexible semiconductor device thereof
US10381224B2 (en) 2014-01-23 2019-08-13 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Method of providing an electronic device and electronic device thereof
WO2017034644A2 (en) 2015-06-09 2017-03-02 ARIZONA BOARD OF REGENTS a body corporate for THE STATE OF ARIZONA for and on behalf of ARIZONA STATE UNIVERSITY Method of providing an electronic device and electronic device thereof
KR102466741B1 (ko) 2014-05-13 2022-11-15 아리조나 보드 오브 리젠츠 온 비하프 오브 아리조나 스테이트 유니버시티 전자 디바이스를 제공하는 방법
EP3149096B1 (en) * 2014-05-30 2020-06-24 Henkel AG & Co. KGaA A process and apparatus for detaching a display module bonded by a liquid optically clear adhesive
JP6193813B2 (ja) * 2014-06-10 2017-09-06 信越化学工業株式会社 ウエハ加工用仮接着材料、ウエハ加工体及びこれらを使用する薄型ウエハの製造方法
US9741742B2 (en) 2014-12-22 2017-08-22 Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Deformable electronic device and methods of providing and using deformable electronic device
US10446582B2 (en) 2014-12-22 2019-10-15 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Method of providing an imaging system and imaging system thereof
KR102573207B1 (ko) 2015-05-19 2023-08-31 코닝 인코포레이티드 시트와 캐리어의 결합을 위한 물품 및 방법
CN105355591B (zh) * 2015-10-12 2019-04-30 武汉华星光电技术有限公司 柔性显示基板的制造方法
JP6709040B2 (ja) * 2015-11-18 2020-06-10 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
JP6463664B2 (ja) * 2015-11-27 2019-02-06 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体及びウエハ加工方法
WO2017115225A2 (en) * 2015-12-28 2017-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Flexible device, display device, and manufacturing methods thereof
TWI821867B (zh) 2016-08-31 2023-11-11 美商康寧公司 具以可控制式黏結的薄片之製品及製作其之方法
CN108346612B (zh) 2017-01-25 2022-01-25 元太科技工业股份有限公司 柔性电子器件的制造方法
WO2019036710A1 (en) 2017-08-18 2019-02-21 Corning Incorporated TEMPORARY BINDING USING POLYCATIONIC POLYMERS
FR3085230B1 (fr) * 2018-08-27 2023-01-13 Ommic Separation d’une plaque en composants individuels
JP7370229B2 (ja) * 2018-12-28 2023-10-27 旭化成株式会社 半導体装置、及びその製造方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6027958A (en) * 1996-07-11 2000-02-22 Kopin Corporation Transferred flexible integrated circuit
JP3587451B2 (ja) * 2000-03-31 2004-11-10 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 多層相互接続構造および電子パッケージ
US6934001B2 (en) * 2001-08-13 2005-08-23 Sharp Laboratories Of America, Inc. Structure and method for supporting a flexible substrate
WO2003035279A1 (en) * 2001-10-19 2003-05-01 Superior Micropowders Llc Tape compositions for the deposition of electronic features
US6826830B2 (en) 2002-02-05 2004-12-07 International Business Machines Corporation Multi-layered interconnect structure using liquid crystalline polymer dielectric
US7101729B2 (en) * 2002-03-28 2006-09-05 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing a semiconductor device having adjoining substrates
US7223672B2 (en) * 2002-04-24 2007-05-29 E Ink Corporation Processes for forming backplanes for electro-optic displays
US7422911B2 (en) 2002-10-31 2008-09-09 Agilent Technologies, Inc. Composite flexible array substrate having flexible support
JP2004256788A (ja) * 2002-11-29 2004-09-16 Sekisui Chem Co Ltd 加熱消滅性材料
JP2004300231A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Nitto Denko Corp 熱剥離性両面粘着シート、被着体の加工方法および電子部品
KR20050116844A (ko) * 2003-04-02 2005-12-13 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 유연한 전자 디바이스와 유연한 디바이스의 제조방법
US20060207967A1 (en) * 2003-07-03 2006-09-21 Bocko Peter L Porous processing carrier for flexible substrates
JP4566527B2 (ja) * 2003-08-08 2010-10-20 日東電工株式会社 再剥離型粘着シート
EP1508907B1 (en) * 2003-08-18 2015-05-06 Greatbatch Ltd. Pad printing method for a capacitor electrode
US6940181B2 (en) 2003-10-21 2005-09-06 Micron Technology, Inc. Thinned, strengthened semiconductor substrates and packages including same
JP4851704B2 (ja) * 2003-10-24 2012-01-11 太陽ホールディングス株式会社 カーボンナノチューブのパターン形成方法およびそのパターン形成物
US7566640B2 (en) * 2003-12-15 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing thin film integrated circuit device, noncontact thin film integrated circuit device and method for manufacturing the same, and idtag and coin including the noncontact thin film integrated circuit device
US20070169813A1 (en) * 2004-02-19 2007-07-26 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of semiconductor precursor layer from microflake particles
JP2006049800A (ja) * 2004-03-10 2006-02-16 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの供給体、薄膜デバイスの供給体の製造方法、転写方法、半導体装置の製造方法及び電子機器
CN1737964A (zh) * 2004-08-18 2006-02-22 威森格瑞巴奇技术股份有限公司 衬印法在电容器制造中的应用
US7459406B2 (en) * 2004-09-01 2008-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing unit, laser processing method, and method for manufacturing semiconductor device
US7259106B2 (en) * 2004-09-10 2007-08-21 Versatilis Llc Method of making a microelectronic and/or optoelectronic circuitry sheet
US20070000595A1 (en) * 2005-06-29 2007-01-04 Intel Corporation Adhesive substrate and method for using
US7300824B2 (en) * 2005-08-18 2007-11-27 James Sheats Method of packaging and interconnection of integrated circuits

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120027103A (ko) * 2009-06-15 2012-03-21 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 반도체 웨이퍼의 가고정제 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP2041782A1 (en) 2009-04-01
WO2008005979A1 (en) 2008-01-10
US20150348935A1 (en) 2015-12-03
KR101095159B1 (ko) 2011-12-16
CN101484988B (zh) 2012-08-08
JP2009542035A (ja) 2009-11-26
CN101484988A (zh) 2009-07-15
EP2041782A4 (en) 2014-03-26
JP4897882B2 (ja) 2012-03-14
SG172621A1 (en) 2011-07-28
US20100297829A1 (en) 2010-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101095159B1 (ko) 기판에 경질 캐리어를 일시 부착시키는 방법
CN105273643B (zh) 晶片加工用暂时粘着材料、晶片加工体及使用这些的薄型晶片的制造方法
EP2274162A1 (en) Assemblies and methods for reducing warp and bow of a flexible substrate during semiconductor processing
KR101772498B1 (ko) 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 부재, 웨이퍼 가공용 가접착재, 및 박형 웨이퍼의 제조 방법
CN100368498C (zh) 用于半导体晶片加工的压敏粘合片
JP5983519B2 (ja) ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
CN101104781B (zh) 被加工物的加工方法
TWI660854B (zh) Wafer processed body, temporary bonding material for wafer processing, and manufacturing method of thin wafer
TWI779232B (zh) 薄型晶圓的製造方法
US20160152008A1 (en) Composite layer material, method for manufacturing membrane, and method for manufacturing layered body
KR20140018174A (ko) 점착 시트 및 전자 디바이스
TWI676607B (zh) 樹脂基板積層體及電子元件之製造方法
TW201936858A (zh) 黏著劑組成物與包括其的黏著膜及其生產方法
TWI844675B (zh) 真空製程用黏著膠帶
KR101538447B1 (ko) 이형 시트
TW202136419A (zh) 剝離層形成用組成物及剝離層
JP2004276294A (ja) 高ガスバリア性を有する粘着性フィルム
JP6586546B2 (ja) 高分子薄膜、フィルム状積層体、および、高分子薄膜の製造方法
TW202332747A (zh) 背板膜、有機發光顯示器以及行動電話
WO2015141551A1 (ja) 剥離剤組成物、剥離フィルム、剥離フィルムの巻取体および当該巻取体の製造方法
TW202140698A (zh) 鹼玻璃用剝離層形成用組成物及剝離層
JP2024074146A (ja) 接着シート及び積層体

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141124

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151124

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161125

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190220

Year of fee payment: 8