TWI844675B

TWI844675B - 真空製程用黏著膠帶

Info

Publication number: TWI844675B
Application number: TW109115175A
Authority: TW
Inventors: 楫山健司; 橋本彩加; 芹田健一
Original assignee: 日商麥克賽爾股份有限公司
Priority date: 2019-05-08
Filing date: 2020-05-07
Publication date: 2024-06-11

Abstract

本發明的課題為提供作為成膜後的機能性薄膜之外觀不良的原因之出氣的產生量經減低之使用於真空成膜製程之黏著膠帶。其解決手段為一種真空製程用黏著膠帶，其具備聚矽氧膠(G)與聚矽氧樹脂(R)之質量比(G)/(R)=35/65~100/0、烯基之含量1.0×10^-5 ~1.0×10^-3 mol/g、於He環境下所測定的200℃之儲存模數1.0×10⁵ ~1.0×10⁷ Pa之黏著劑層，且於真空度1.0×10^-4 Torr以下之環境下，以昇溫速度10℃/分鐘由23℃昇溫至200℃後，進一步於200℃維持30分鐘時，由黏著膠帶所產生的出氣之總量為180mg/m² 以下。

Description

真空製程用黏著膠帶

本發明係關於真空製程用黏著膠帶。

於智慧型手機、行動電話、行動資訊終端PDA、數位相機等之平面面板顯示器裝置或觸控式面板顯示器裝置中，為了提高顯示器之保護、美觀及設計性，係將薄的板狀之護罩玻璃配置於顯示器之前面，使較影像顯示部分成為更廣區域，該護罩玻璃係使用化學強化玻璃。

近年來，特別是智慧型手機等中，較殼體更突出於前面，且對端部施以曲面加工的稱為2.5D型或擬3D型、3D型等之形狀的護罩玻璃係有上市。該護罩玻璃不僅平坦部，位於其外周緣之側面部亦露出於表面，因此側面部亦與平坦部同樣地必需經強化處理。經如此的曲面加工之護罩玻璃的強化處理方法，已知有藉由後反應濺鍍法，或伴隨前處理之濺鍍法，由護罩玻璃之平坦部整面與設於平坦部之外周緣的側面部之表面側起至背面側連續地層合無機膜之處理方法(參照專利文獻1)。

而作為用以對如上述之護罩玻璃效率良好地形成強化用無機膜或抗反射膜等之機能性薄膜的濺鍍裝置，已知有旋轉料架(carousel)型濺鍍裝置(參照專利文獻2)。旋轉料架型濺鍍裝置，為旋轉/批式型之濺鍍裝置，其具有於腔室內配置多角柱形之基板支架(旋轉鼓)，並且於腔室壁內側設置保持矩形靶材之磁控管的構造。一邊使安裝有基板之基板支架旋轉一邊對磁控管投入電力，於靶材上側面產生電漿，並且將特定之反應氣體導入於腔室內，藉以進行成膜。

此時，一般而言係將護罩玻璃各自安裝於複數支架來進行成膜，但最近亦探討以藉由一次批式處理可成膜於更多枚數之護罩玻璃的方式，又，為了減低護罩玻璃對支架之安裝/由支架取下時所產生的損傷等，而將複數枚護罩玻璃以黏著膠帶臨時固定於載體玻璃基板等，將該載體玻璃基板安裝於支架進行成膜，並於成膜後將黏著膠帶剝離/去除之方法。以此方法成膜時，支架並未直接接觸於護罩玻璃，因此例如可於亦包含2.5D~3D型之護罩玻璃之側面部的表面整面，使機能性薄膜成膜。成膜時之護罩玻璃之溫度，就機能性薄膜之密合性提高的觀點，有設定為150~200℃之高溫的情況。又，雖亦依賴於機能性薄膜之層合數或材質，但成膜時間多為30~60分鐘左右。又，上述成膜時之真空度，通常為1.0×10^-4 Torr以下。因此，對於上述黏著膠帶，係要求於濺鍍步驟中，(1)護罩玻璃不會脫落的臨時固定力、(2)出氣(outgas)產生量被抑制、控制到對成膜後之機能性薄膜之外觀、特性不產生影響的等級、(3)成膜後，可由載體玻璃基板等不產生破損、黏著劑殘留地剝離護罩玻璃。

作為於真空環境下或高溫使用之膠帶或層合體，已知有一種真空製程用黏著膠帶，其具備基材與配置於基材之至少單側的黏著劑層，黏著劑層係由含有基底聚合物與光聚合起始劑之活性能量線硬化型黏著劑所構成，且光聚合起始劑之於TGA(熱重量解析)之5%重量減少溫度為160℃以上(參照專利文獻3)；或一種層合體，其係具備基材與層合於基材之一面上的黏著劑層之層合體，其特徵為黏著劑層係由聚矽氧系黏著劑組成物所形成者，聚矽氧系黏著劑組成物，含有包含以矽氧烷鍵為主骨架且含有烯基之加成型有機聚矽氧烷作為構成成分之聚矽氧橡膠、相對於聚矽氧橡膠100質量份為0.01質量份以上3質量份以下之鉑觸媒與相對於聚矽氧橡膠100質量份為15質量份以上100質量份以下之聚矽氧樹脂，且將黏著劑層於空氣環境內以5℃/分鐘由23℃加熱到200℃時，相對於40℃之質量而言，於200℃之質量的減少率為0.20質量%以下(參照專利文獻4)等。

專利文獻3中，具體而言，作為真空製程之一例係例示有為了補強/保護覆晶構裝時之半導體晶片的凸塊，將作為底膠材之黏著膠帶貼附於該半導體晶片之製程，該製程中，係在於半導體晶片上方(凸塊形成面)配置有黏著膠帶的狀態下，於黏著膠帶之上方及下方形成各自的氣密空間，將上方之氣密空間及下方之氣密空間一併減壓，之後藉由僅將上方之氣密空間回到大氣壓，利用差壓於被黏著體貼附黏著膠帶。其記載上方之氣密空間及下方之氣密空間一併減壓的製程，係相當於真空製程，實施例中，記載於加溫減壓環境下(100℃、1000Pa=7.5Torr)放置1小時時之來自黏著薄片的出氣量為100~400μg/黏著薄片1g之範圍。

專利文獻4中，記載將具備由聚矽氧系黏著劑組成物所形成之黏著劑層的黏著薄片之輕剝脫模剝離薄片予以剝離，將黏著劑層之面貼附於由無鹼之玻璃基板所成的基材之一方的主面上，接著，將重剝脫模剝離薄片剝離，製作具備由無鹼之玻璃基板所成的基材與黏著劑組成物層之層合體，將該層合體投入溫度保持為240℃之空氣環境的烘箱內，放置於該環境內60分鐘後由烘箱取出，於23℃、相對濕度50%之空氣環境內進行放冷至23℃之退火處理，賦予耐質量減少性。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2017-171556號公報 [專利文獻2]日本特開2006-265739號公報 [專利文獻3]日本特開2017-214528號公報 [專利文獻4]日本特開2014-195922號公報

[發明所欲解決之課題]

但是，專利文獻3記載之黏著膠帶，於1.0× 10^-4 Torr以下之高真空下使用時，無充分抑制來自黏著膠帶之出氣產生，例如對護罩玻璃使強化用無機膜或抗反射膜等之機能性薄膜藉由濺鍍成膜時，有對機能性薄膜之外觀、特性造成不良影響之虞。

又，專利文獻4中，由於在薄片狀之層合體的製作/準備之後，在投入於240℃以上之烘箱內，於該環境內放置60分鐘後，必需有於23℃、相對濕度50%空氣環境內放冷的長時間退火處理步驟，因此於作業性/生產性係有改善的餘地。又，將聚矽氧系黏著劑組成物例如於350℃進行60分鐘以上退火處理時，黏著劑可能變性或分解，有於被黏著體殘留黏著劑(黏著劑殘留)之虞。

如此地，為了於護罩玻璃等之耐熱基板使機能性薄膜成膜，當採用濺鍍、蒸鍍等之真空成膜製程時，應用以往之活性能量線硬化型丙烯酸系黏著劑或聚矽氧系黏著劑之黏著膠帶不一定可說是最適宜，就性能面或生產性而言，尚有改善的餘地。

本發明係有鑑於上述課題而為者，其目的為提供對玻璃或薄膜等之薄膜基板藉由濺鍍、蒸鍍等之真空成膜製程形成機能性薄膜時，可將來自黏著膠帶之出氣產生，抑制到對機能性薄膜之外觀、特性不會造成不良影響的等級，進而以輥對輥方式亦可生產之真空製程用黏著膠帶。 [用以解決課題之手段]

本發明者等人，基於該目的，針對真空製程用黏著膠帶之黏著劑層進行深入探討的結果，發現若使用(1)以將含有鍵結於矽原子之烯基之聚矽氧膠(silicone gum)(G)與不含有鍵結於矽原子之烯基之聚矽氧樹脂(R)，摻合為該質量比(G)/(R)中成為(G)/(R)=35/65~100/0的範圍，且將鍵結於矽原子之烯基的含量設為1.0×10^-5 ~1.0×10^-3 mol/g之範圍的加成反應型聚矽氧系樹脂為主成分，且將該加成反應型聚矽氧系樹脂，(2)藉由具有鍵結於矽原子之氫原子(SiH)之有機聚矽氧烷及鉑族金屬系觸媒而交聯，藉此設計為於He環境下所測定的200℃之儲存模數成為1.0×10⁵ ~1.0×10⁷ Pa之範圍的黏著劑組成物，來作為黏著劑層，且針對具備該黏著劑層之黏著膠帶，於真空度1.0×10^-4 Torr以下之環境下，以昇溫速度10℃/分鐘由23℃昇溫至200℃後，將於200℃維持30分鐘時所產生的出氣總量調整為180mg/m² 以下，則若將該黏著膠帶使用作為藉由濺鍍、蒸鍍等之真空成膜製程而於耐熱基板上形成機能性薄膜時的臨時固定用黏著膠帶時，可抑制成膜製程中所產生的來自黏著膠帶之出氣產生，對所得機能性薄膜之外觀、特性不會造成不良影響，且再剝離性(無對加工被黏著體之黏著劑殘留、剝離時不使加工被黏著體破損)優良，進而以輥對輥方式亦可生產，而完成本發明。

於使用了即使置於以往的高溫環境下亦不易產生出氣之聚矽氧系黏著劑組成物的層合體中，係採用將層合體藉由退火處理而於200℃以上加熱60分鐘以上，將該層合體之黏著劑層的內部所殘留的揮發性成分(溶劑或低分子矽氧烷成分)由黏著劑組成物層去除之方法。但是，以此方法，如一般的黏著膠帶般以輥對輥方式生產係極為困難，作業性亦不良。又，依處理溫度或處理時間不同，亦有黏著劑分解、劣化，或作為出氣要因之分解物反而增加之虞。

本發明者等人，就減低由黏著膠帶產生之出氣量的方法，針對高溫、長時間之退火處理以外的手法進行各種探討後，著眼於黏著膠帶之使用環境並非空氣中而是高真空下的這點。亦即，黏著膠帶之使用環境非於空氣中之高溫下，而是特殊的高真空下、即密閉下之高溫下，聚矽氧系黏著劑中之聚矽氧膠，雖不易引起氧化分解，但另一方面主鏈骨架中之矽原子與別的主鏈骨架中之氧原子之間相互作用強時，於主鏈骨架之一部分會進行裂解，可能引起低分子量化。又，聚矽氧樹脂亦同樣地，雖不易引起氧化分解，但特別是末端具有矽醇的情況等，末端矽醇於同一主鏈骨架內之矽原子與氧原子之間相互作用強，而形成環狀時，可能產生直鏈狀低分子矽氧烷或環狀矽氧烷等之低分子量成分。其結果，於高真空、高溫下使用黏著膠帶時，可認為仍容易由黏著劑層產生出氣。由此等實情，認為若藉由使聚矽氧膠之烯基含量最佳化，謀求黏著劑層之高度的交聯構造化，而使高真空、高溫下之聚矽氧系黏著劑的儲存模數大，則聚矽氧膠及聚矽氧樹脂之分子鏈的運動受到限制，可抑制主鏈骨架彼此的相互作用或於同一骨架內之相互作用，因此即使為以通常之輥對輥方式所製造的黏著膠帶，亦可抑制如上述之低分子量成分的新產生，其結果，於真空成膜製程中可抑制來自黏著劑之出氣產生。

本發明包含如下構成。亦即，本發明之真空製程用黏著膠帶，其特徵為具備基材，與基材之至少一面上的黏著劑層，上述黏著劑層包含樹脂組成物，該樹脂組成物含有：作為主成分之加成反應型聚矽氧系樹脂、作為交聯劑之1分子中具有至少2個以上的鍵結於矽原子之氫原子(SiH)之有機聚矽氧烷，及作為觸媒之鉑族金屬系觸媒，上述加成反應型聚矽氧系樹脂，為包含含有鍵結於矽原子之烯基的有機聚矽氧烷之聚矽氧膠(G)與包含不含有鍵結於矽原子之烯基的有機聚矽氧烷之聚矽氧樹脂(R)，以成為該質量比(G)/(R)=35/65~100/0之範圍的方式摻合者，且鍵結於矽原子之烯基的含量為1.0×10^-5 ~1.0×10^-3 mol/g之範圍，上述黏著劑層，於He環境下所測定的200℃之儲存模數為1.0×10⁵ ~1.0×10⁷ Pa之範圍，上述黏著膠帶，於真空度1.0×10^-4 Torr以下之環境下，以昇溫速度10℃/分鐘由23℃昇溫至200℃後，進一步於200℃維持30分鐘時，所產生的出氣之總量為180mg/m² 以下。

上述態樣中，上述基材較佳為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜。

又，上述黏著膠帶，為應用於在耐熱基板上形成選自抗反射膜、防眩膜、防污膜、著色膜之群的一種機能性薄膜之真空製程用黏著膠帶。 [發明之效果]

依照本發明，可提供對玻璃或薄膜等之薄膜基板藉由濺鍍、蒸鍍等之真空成膜製程形成機能性薄膜時，可將來自黏著膠帶之出氣產生抑制到對機能性膜之外觀、特性不會造成不良影響之等級，進而以輥對輥方式亦可生產的真空製程用黏著膠帶。

以下參照所附圖式，詳細說明本發明之實施形態。 (黏著膠帶之構成) 圖1為顯示應用本實施形態的真空製程用黏著膠帶之一例的單面黏著膠帶10(以下有僅稱為黏著膠帶10者)之構成的圖。又，圖2為顯示應用本實施形態的真空製程用黏著膠帶之別的一例之兩面黏著膠帶20(以下有僅稱為黏著膠帶20者)之構成的圖。本實施形態之黏著膠帶10、20，具體而言，例如係於在護罩玻璃表面形成抗反射膜之真空製程中，使用於將保持於真空裝置內之載體基板(玻璃、SUS等)上經單片化的護罩玻璃予以臨時固定。

如圖1所示，黏著膠帶10，具有於基材1之一面上層合有作為以加成反應型聚矽氧系樹脂為主成分之黏著劑層之一例的黏著劑層2之單面黏著膠帶的構成。又，如圖2所示，黏著膠帶20，具有於基材1之兩面上分別層合有作為以加成反應型聚矽氧系樹脂為主成分之黏著劑層之一例的黏著劑層2及黏著劑層3之兩面黏著膠帶的構成。此處，黏著劑層2與黏著劑層3，可相同亦可相異。再者，雖省略圖示，但黏著膠帶10、20，於基材1與黏著劑層2之間、基材1與黏著劑層3之間，亦可依需要，具備用以提高基材1與黏著劑層2之密合性、基材1與黏著劑層3之密合性的增黏塗層(anchor coat layer)。又，於黏著劑層2之表面(與對向於基材1之面相反側之面)、黏著劑層3之表面(與對向於基材1之面相反側之面)，亦可具備剝離薄膜。又，單面黏著膠帶10之構成的情況，於基材1之表面(與黏著劑層2相反側之面)，亦可實施剝離性改良處理等之表面處理。

＜基材＞本實施形態之基材1，並無特殊限定，例如，可使用聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚苯硫醚、二軸延伸聚丙烯、聚醯亞胺、脂肪族聚醯亞胺(透明性聚醯亞胺)、聚環烯烴、氟系樹脂、聚烯烴樹脂等之樹脂薄膜。又，依用途不同，於基材2，例如亦可使用層合有聚對苯二甲酸乙二酯與聚烯烴樹脂薄膜之複合薄膜，及將此等之複合薄膜進一步與樹脂薄膜層合之複合薄膜、以共擠出而成為複層的樹脂薄膜等。其中，作為基材1，就通用性之觀點，尤以使用以聚對苯二甲酸乙二酯為主成分之材料為佳。上述基材之厚度，較佳為12~200μm之範圍、更佳為25~100μm之範圍。

＜黏著劑層＞本實施形態之黏著劑層2、3，含有加成反應型聚矽氧系樹脂作為主成分。具體而言，上述加成反應型聚矽氧系樹脂，包含將包含具有鍵結於矽原子之烯基的有機聚矽氧烷之聚矽氧膠(G)與包含不具有鍵結於矽原子之烯基的有機聚矽氧烷之聚矽氧樹脂(R)，摻合為該質量比(G)/(R)成為35/65~100/0之範圍而得的樹脂。以下，詳細說明構成黏著劑層2、3之各成分。

[加成反應型聚矽氧系樹脂] 加成反應型聚矽氧系樹脂，包含將包含含有鍵結於矽原子之烯基的聚二甲基矽氧烷等之有機聚矽氧烷之聚矽氧膠(G)，與包含不含有鍵結於矽原子之烯基的聚二甲基矽氧烷等之有機聚矽氧烷之聚矽氧樹脂(R)，摻合為該質量比(G)/(R)成為35/65~100/0之範圍而得的樹脂。又，上述加成反應型聚矽氧系樹脂，係設計為鍵結於矽原子之烯基之含量成為1.0×10^-5 ~1.0×10^-3 mol/g之範圍。

上述鍵結於矽原子之烯基之含量未達1.0×10^-5 mol/g時，黏著劑層2、3之交聯/硬化容易變得不充分，又，交聯密度亦變低。其結果，黏著劑層2、3於He環境下之200℃的儲存模數會降低，因此有出氣之產生量變多，經成膜之機能性薄膜的外觀變差之虞。又，黏著劑層2、3之凝集力亦會降低，因此於成膜後剝離黏著膠帶10、20時有於薄膜基板產生黏著劑殘留之虞。另一方面，上述鍵結於矽原子之烯基之含量超過1.0×10^-3 mol/g時，黏著劑層2、3之交聯/硬化容易過度進行，交聯密度亦過度地增高。其結果，黏著劑層2、3之黏著力極端地降低，因此有薄膜基板之臨時固定力不充分，於成膜中薄膜基板脫落之虞。

以下，更詳細說明加成反應型聚矽氧系樹脂中所含有的包含含有鍵結於矽原子之烯基的聚二甲基矽氧烷等之有機聚矽氧烷之聚矽氧膠(G)，與包含不含有鍵結於矽原子之烯基的聚二甲基矽氧烷等之有機聚矽氧烷之聚矽氧樹脂(R)。再者，以下說明中，包含含有鍵結於矽原子之烯基的聚二甲基矽氧烷等之有機聚矽氧烷之聚矽氧膠(G)，有表述為含有鍵結於矽原子之烯基之聚矽氧膠(G)，或僅表述為聚矽氧膠(G)的情況。同樣地，包含不含有鍵結於矽原子之烯基的聚二甲基矽氧烷等之有機聚矽氧烷之聚矽氧樹脂(R)，有表述為包含聚二甲基矽氧烷等之有機聚矽氧烷之聚矽氧樹脂(R)，或僅表述為聚矽氧樹脂(R)的情況。

[包含含有鍵結於矽原子之烯基的聚二甲基矽氧烷等之有機聚矽氧烷之聚矽氧膠(G)] 本實施形態中之包含含有鍵結於矽原子之烯基的聚二甲基矽氧烷等之有機聚矽氧烷之聚矽氧膠(G)，只要係使用於加成反應型聚矽氧系黏著劑或加成反應型聚矽氧系剝離劑者，亦即平均1分子中含有至少2個鍵結於矽原子之烯基者即可，並無特殊限定。具體而言，上述聚矽氧膠(G)，可使用鍵結於矽原子之烯基之含量為1.0×10^-6 ~1.0×10^-1 mol/g之範圍者，就黏著劑層2、3之儲存模數控制的觀點，較佳使用2.0×10^-6 ~1.0×10^-2 mol/g之範圍者。上述聚矽氧膠(G)，以上述加成反應型聚矽氧系樹脂中之烯基之含量成為1.0×10^-5 ~1.0×10^-3 mol/g之範圍的方式，可1種單獨使用、亦可合併使用2種以上。

上述含有鍵結於矽原子之烯基的聚二甲基矽氧烷等之有機聚矽氧烷的分子構造，例如，可列舉主鏈部分包含重複的二有機矽氧烷單位之直鏈狀構造、該分子構造之一部分包含分支鏈之構造、分支鏈狀構造，或環狀體構造。其中就黏著劑之機械強度等物性的觀點，尤以直鏈狀構造之有機聚矽氧烷為佳。

上述包含含有鍵結於矽原子之烯基的有機聚矽氧烷之聚矽氧膠(G)，可為油狀或生橡膠狀，較佳為生橡膠狀。上述聚矽氧膠(G)為油狀時，包含有機聚矽氧烷之聚矽氧膠(G)之黏度，於25℃較佳為1,000mPa･s以上。上述黏度未達1000mPa･s時，黏著劑層2、3有無法展現所期望之黏著特性或物性之虞，或有黏著劑層2、3與基材1之密合性不良之虞。上述聚矽氧膠(G)為生橡膠狀時，將包含有機聚矽氧烷之聚矽氧膠(G)以成為30質量%濃度的方式以甲苯溶解時之黏度，於25℃較佳為100,000mPa･s以下。上述黏度超過100,000mPa･s時，有調製黏著劑組成物時之攪拌變得困難之虞，或均勻塗覆變得困難之虞。再者，上述黏度可使用BM型旋轉黏度計測定。

包含含有鍵結於矽原子之烯基的有機聚矽氧烷之聚矽氧膠(G)，例如可列舉下述通式(1)或通式(2)所示者，但不限定於此等。

此處，上述通式(1)、通式(2)中，R¹ 係彼此獨立地為不具有脂肪族不飽和鍵之1價烴基，X為含烯基之有機基。a為0~3之整數、m為0以上之整數、n為100以上之整數，惟a與m不同時為0。m+n係使上述有機聚矽氧烷於25℃之黏度成為1,000mPa･s以上之值。

上述R¹ 較佳為碳數1~10、較佳為碳數1~7之不具有脂肪族不飽和鍵之1價烴基。例如可列舉甲基、乙基、丙基，及丁基等之烷基；環己基等之環烷基；及苯基，及甲苯基等之芳基等，特佳為甲基或苯基。

上述X較佳為碳數2~10之含烯基之有機基。例如可列舉乙烯基、烯丙基、己烯基、辛烯基、丙烯醯基丙基、丙烯醯基甲基、甲基丙烯醯基丙基、丙烯醯氧基丙基、丙烯醯氧基甲基、甲基丙烯醯氧基丙基、甲基丙烯醯氧基甲基、環己烯基乙基，及乙烯氧基丙基等。其中尤以乙烯基、烯丙基、己烯基等之低級烯基為佳，就工業上的觀點，特佳為乙烯基，就交聯性的觀點，特佳為己烯基。上述烯基之鍵結位置並無特殊限定，可為分子鏈末端、分子鏈側鏈或分子鏈末端與分子鏈側鏈雙方。

上述烯基之數目，依著與加成反應型聚矽氧系黏著劑中所含的包含聚二甲基矽氧烷等之有機聚矽氧烷之聚矽氧樹脂(R)的含量或交聯劑的添加量或其他添加成分之均衡，其適當範圍會變化，故無法一概而論，但例如相對於有機聚矽氧烷之有機基100個而言，通常以0.02~3.0個之範圍為佳。此外，較佳為於該比率之範圍中，調整分子量使得成為上述黏度之範圍，且調整為有機聚矽氧烷1分子中之上述烯基的數目平均為至少2個。

上述烯基之數目，相對於有機聚矽氧烷之有機基100個而言未達0.02個時，黏著劑層2、3之交聯/硬化容易變得不充分，又，交聯密度亦變低。其結果，黏著劑層2、3於He環境下之200℃之儲存模數會降低，因此出氣之產生量增多，凝集力亦降低。此時，係有經成膜之機能性薄膜的外觀變差之虞，或成膜後剝離黏著膠帶10、20時於薄膜基板產生黏著劑殘留之虞。另一方面，上述烯基之數目相對於有機聚矽氧烷之有機基100個而言超過3.0個時，黏著劑層2、3之交聯/硬化會過度地進行，交聯密度亦過度地增高。其結果，黏著劑層2、3之黏著力有極端地降低之虞。此時，有薄膜基板之臨時固定力不充分，於成膜中薄膜基板脫落之虞。

上述含有鍵結於矽原子之烯基之聚矽氧膠(G)之具體例子，可列舉分子鏈兩末端經二甲基乙烯基矽烷氧基封端之二甲基聚矽氧烷、分子鏈兩末端經二甲基乙烯基矽烷氧基封端之二甲基矽氧烷/甲基乙烯基矽氧烷共聚物、分子鏈兩末端經二甲基乙烯基矽烷氧基封端之二甲基矽氧烷/甲基苯基矽氧烷共聚物、分子鏈兩末端經二甲基乙烯基矽烷氧基封端之甲基苯基聚矽氧烷、分子鏈兩末端經三甲基矽烷氧基封端之二甲基矽氧烷/甲基乙烯基矽氧烷共聚物、分子鏈兩末端經三甲基矽烷氧基封端之二甲基矽氧烷/甲基乙烯基矽氧烷/甲基苯基矽氧烷共聚物、分子鏈兩末端經三甲基矽烷氧基封端之二甲基矽氧烷/甲基己烯基矽氧烷共聚物、分子鏈兩末端經二甲基乙烯基矽烷氧基封端之二甲基矽氧烷/甲基己烯基矽氧烷共聚物、分子鏈兩末端經二甲基己烯基矽烷氧基封端之二甲基矽氧烷/甲基己烯基矽氧烷共聚物等。

[包含聚二甲基矽氧烷等之有機聚矽氧烷之聚矽氧樹脂(R)] 本實施形態中之包含聚二甲基矽氧烷等之有機聚矽氧烷之聚矽氧樹脂(R)，為具有R² ₃ SiO_0.5 單位(M單位)及SiO₂ 單位(Q單位)之有機聚矽氧烷，其係稱為所謂的MQ樹脂者。該包含聚二甲基矽氧烷等之有機聚矽氧烷之聚矽氧樹脂(R)，基本上於分子內不具有烯基，可使用以往公知者。R² 為碳數1~10之1價烴基，可列舉作為上述之R¹ 所例示者。上述有機聚矽氧烷，較佳以R² ₃ SiO_0.5 單位/SiO₂ 單位之莫耳比成為0.5以上1.7以下之範圍的方式含有R² ₃ SiO_0.5 單位及SiO₂ 單位。R² ₃ SiO_0.5 單位/SiO₂ 單位之莫耳比未達0.5時，有所得之黏著劑層2、3之黏著力或黏性(tack)降低的情況，有薄膜基板之臨時固定力不充分，於成膜中薄膜基板脫落之虞。另一方面，R² ₃ SiO_0.5 單位/SiO₂ 單位之莫耳比超過1.7時，有所得黏著劑層2之黏著力或保持力降低的情況，有薄膜基板之臨時固定力不充分，於成膜中薄膜基板脫落之虞。再者，上述有機聚矽氧烷亦可具有OH基，此時，OH基之含量，相對於上述有機聚矽氧烷之總質量而言，較佳為4.0質量%以下。OH基之含量超過4.0質量%時，容易產生低分子矽醇或環狀矽氧烷等之低分子量成分，因此出氣之產生量增多，有經成膜之機能性薄膜的外觀變差之虞。

上述包含聚二甲基矽氧烷等之有機聚矽氧烷之聚矽氧樹脂(R)，可單獨使用、亦可合併使用2種以上。又，上述有機聚矽氧烷，在不損及本發明之特性的範圍，亦可具有R² SiO_1.5 單位(T單位)及/或R² ₂ SiO單位(D單位)。

上述之包含含有鍵結於矽原子之烯基的聚二甲基矽氧烷等之有機聚矽氧烷之聚矽氧膠(G)與包含聚二甲基矽氧烷等之有機聚矽氧烷之聚矽氧樹脂(R)亦可單純地混合來使用。又，包含含有鍵結於矽原子之烯基的聚二甲基矽氧烷等之有機聚矽氧烷之聚矽氧膠(G)，當含有上述通式(2)表示之有機聚矽氧烷時，只要不損及本發明之特性，亦能夠以使包含含有鍵結於矽原子之烯基的聚二甲基矽氧烷等之有機聚矽氧烷之聚矽氧膠(G)與包含聚二甲基矽氧烷等之有機聚矽氧烷之聚矽氧樹脂(R)預先反應而得到的(部分)縮合反應物之形態來使用。

[本實施形態之黏著劑層中所含有的聚矽氧膠(G)與聚矽氧樹脂(R)之質量比(G)/(R)] 本實施形態之黏著劑層2、3中所含有的加成反應型聚矽氧系樹脂中之聚矽氧膠(G)與聚矽氧樹脂(R)之質量比(G)/(R)，為35/65~100/0之範圍，較佳為50/50~70/30之範圍。此處，合併使用2種以上之聚矽氧膠(G)時，各自的聚矽氧膠之合計量，係視為加成反應型聚矽氧系樹脂中之聚矽氧膠(G)的質量。同樣地，合併使用2種以上之聚矽氧樹脂(R)時，亦將各自的聚矽氧樹脂之合計量，視為加成反應型聚矽氧系樹脂中之聚矽氧樹脂(R)的質量。

本實施形態之黏著劑層2、3中所含有的聚矽氧膠(G)與聚矽氧樹脂(R)之質量比(G)/(R)未達上述範圍之下限值時，亦即聚矽氧膠(G)之含有比率小時，特別是當聚矽氧膠(G)的鍵結於矽原子之烯基之含量少的情況，黏著劑層2、3之交聯/硬化容易變得不充分，又，交聯密度亦會變低。其結果，黏著劑層2、3之於He環境下的200℃之儲存模數會降低，因此出氣之產生量增多，配合聚矽氧樹脂(R)之量多，凝集力亦降低。此時，有經成膜之機能性薄膜的外觀變差之虞，或於成膜後剝離黏著膠帶10、20時於薄膜基板產生黏著劑殘留之虞。又，即使聚矽氧膠(G)的鍵結於矽原子之烯基之含量在本發明之較佳範圍內，聚矽氧樹脂(R)之量仍變多，因此黏著力變得過大，於成膜後剝離黏著膠帶10、20時，係有薄膜基板破損之虞，或於薄膜基板產生黏著劑殘留之虞。

相對於此，使本實施形態之黏著劑層2、3中所含有的加成反應型聚矽氧系樹脂中之聚矽氧膠(G)與聚矽氧樹脂(R)之質量比(G)/(R)成為上述範圍，且使加成反應型聚矽氧系樹脂的鍵結於矽原子之烯基之含量成為上述1.0×10^-5 ~1.0×10^-3 mol/g之範圍時，可於黏著劑層中，將於He環境下所測定的200℃之儲存模數設計為1.0×10⁵ ~1.0×10⁷ Pa之範圍，於黏著膠帶10、20中，真空度1.0×10^-4 Torr以下之環境下，以昇溫速度10℃/分鐘由23℃昇溫至200℃後，進一步於200℃維持30分鐘時，容易將所產生之出氣總量抑制、控制於180mg/m² 以下。其結果，可實現以下之效果。亦即，第一效果為於機能性薄膜之成膜中可確保護罩玻璃等之薄膜基板不會脫落的臨時固定力，於高真空/高溫下亦可抑制黏著力之增大。第二效果為可抑制出氣之影響，使經成膜之機能性薄膜例如抗反射膜之外觀、特性成為良好。第三效果為可在不產生破損、黏著劑殘留之下，將成膜後之薄膜基板由載體玻璃基板等剝離。

又，本發明之加成反應型聚矽氧系樹脂，亦可使用經混合大部分之聚矽氧膠(G)與聚矽氧樹脂(R)的市售之加成反應型聚矽氧系樹脂或市售之聚矽氧膠(G)。市售之加成反應型聚矽氧系樹脂，例如可列舉信越化學工業股份有限公司製之KR-3700、KR-3701、KR-3704、X-40-3237-1、X-40-3240、X-40-3291-1、X-40-3270、X-40-3306、KSN-320A、KSN-3002、KS-776L、KS-841、KS-3601、KS-830E、X-62-2825、X-62-2829、X-92-128(均為商品名)，或Momentive Performance Materials公司製之TSR1512、TSR1516、XR37-B9204、TSE-201、XE-25-511、SL6210、SL6510、SL6562、SL6962、SL6062、SL6162(均為商品名)，或東麗道康寧股份有限公司製之SD4580、SD4584、SD4585、SD4586、SD4587L、SD4560、SD4570、SD4600FC、SD4593、DC7651ADHESIVE、SRX357、BY23-749、SRX211、SD7320、BY24-312、LTC-310、LTC-450A、LTC-750A、SD7292、BY-15-701A(商品名)等。此等只要係以加成反應型聚矽氧系樹脂中的聚矽氧膠(G)與聚矽氧樹脂(R)之質量比(G)/(R)及鍵結於矽原子之烯基之含量成為上述本發明之範圍的方式，1種單獨，或合併使用2種以上即可。再者，就東麗道康寧公司製之SD4600FC等之型號等之未內部添加後述交聯劑之形態的加成反應型聚矽氧系樹脂而言，只要於黏著劑層中，在其後添加交聯劑來使用，使於He環境下所測定的200℃之儲存模數成為1.0×10⁵ ~1.0×10⁷ Pa之範圍即可。

[交聯劑] 本實施形態中之交聯劑，係使用於使加成反應型聚矽氧系樹脂中所含有的聚矽氧膠(G)的鍵結於矽原子之烯基交聯。交聯劑係使用1分子中具有至少2個、較佳為3個以上的鍵結於矽原子之氫原子(SiH)的有機聚矽氧烷(有機氫聚矽氧烷)。再者，以下之說明中，有將具有鍵結於矽原子之氫原子(SiH)的有機聚矽氧烷僅表述為有機氫聚矽氧烷的情況。

作為上述交聯劑使用的有機氫聚矽氧烷之分子構造，例如例示有直鏈狀；一部分具有分支之直鏈狀、分支鏈狀、網狀。有機氫聚矽氧烷，於25℃之黏度較佳為1~5,000mPa･s之範圍。再者，上述黏度可使用BM型旋轉黏度計測定。

作為上述交聯劑使用的有機氫聚矽氧烷，可使用以往公知者。例如，該有機氫聚矽氧烷，可列舉下述通式(3)或通式(4)所示者，但不限定於此等。

此處，通式(3)、通式(4)中，R³ 為碳數1~10之1價烴基，b為0或1，p及q為整數，係使該有機氫聚矽氧烷之於25℃之黏度成為1~5,000mPa･s之值。r為2以上之整數，s為0以上之整數，且r+s≧3、較佳為8≧r+s≧3。有機氫聚矽氧烷亦可為2種以上之混合物。

上述R³ 為碳數1~10、較佳為碳數1~7之1價烴基。例如可列舉甲基、乙基、丙基及丁基等之烷基；環己基等之環烷基；及苯基及甲苯基等之芳基；乙烯基及烯丙基等之烯基。特佳為甲基或苯基。

作為上述交聯劑使用的有機氫聚矽氧烷之含量，依著與聚矽氧膠(G)的鍵結於矽原子之烯基之含量及有機氫聚矽氧烷所具有的鍵結於矽原子之氫原子之含量的均衡，其適當的範圍會變動，故無法一概而論，但通常，例如相對於包含含有鍵結於矽原子之烯基的聚二甲基矽氧烷等之有機聚矽氧烷之聚矽氧膠(G)中的烯基總量而言，較佳係使有機氫聚矽氧烷中的鍵結於矽原子之氫原子(SiH)總量之莫耳比(SiH基/烯基)成為0.15~15.0之範圍之量，更佳成為0.5~10.0之範圍之量，最佳成為1.5~5.0之範圍之量。

有機氫聚矽氧烷之含量未達上述下限值時，黏著劑層2、3之交聯/硬化不充分，於He環境下之200℃的儲存模數會降低，因此出氣之產生量增多，凝集力亦會降低。此時，係有經成膜之機能性薄膜的外觀變差之虞，或於成膜後剝離黏著膠帶10、20時於薄膜基板產生黏著劑殘留之虞。另一方面，有機氫聚矽氧烷之含量超過上述上限值時，有殘存的鍵結於矽原子之氫原子(SiH)矽醇化(Si-OH)，於成膜中進行脫水縮合反應時所生成之水分變成出氣，經成膜之機能性薄膜的外觀變差之虞。又，係有與薄膜基板之密合力變大，於成膜後剝離黏著膠帶10、20時，有薄膜基板破損之虞，或於薄膜基板產生黏著劑殘留之虞。

本實施形態之黏著劑層2、3中的交聯劑之含量，如上所述，只要以相對於包含含有鍵結於矽原子之烯基的聚二甲基矽氧烷等之有機聚矽氧烷之聚矽氧膠(G)中的烯基總量而言，有機氫聚矽氧烷中的鍵結於矽原子之氫原子(SiH)之總量成為上述0.15~15.0mol當量之範圍內的方式來進行調整即可。若將滿足該範圍之交聯劑的較佳含量以添加質量份來表示，係依著交聯劑所具有的鍵結於矽原子之氫原子(SiH)之數目等之均衡，其適當的範圍會變動，故無法一概而論，但通常例如相對於加成反應型聚矽氧系樹脂之固體成分100質量份而言，只要添加交聯劑，使得以固體成分計成為0.1~15.0質量份之範圍即可。

相對於加成反應型聚矽氧系樹脂而言，藉由使交聯劑之含量成為上述0.15~15.0mol當量之範圍，於聚矽氧膠(G)的烯基與交聯劑的SiH基之間，矽氫化反應亦即黏著劑層2、3之交聯/硬化會充分進行，可使凝集力、於He環境下之200℃的儲存模數成為適當。又，可成為多餘之殘存SiH基量對黏著劑層2、3不會造成如上述之不良影響的等級。

較佳的一形態中，黏著劑層中所含有的鍵結於矽原子之氫原子之個數係調節為多於鍵結於矽原子之烯基之個數。此時，鍵結於矽原子之烯基之含量係對應於交聯的量，因此容易適當地調節儲存模數。

因此，將具備包含如此地經交聯/硬化的加成反應型聚矽氧系樹脂之黏著劑層2、3的黏著膠帶10、20，使用作為藉由濺鍍、蒸鍍等之真空成膜製程於薄膜基板形成機能性薄膜時的薄膜基板之臨時固定用膠帶時，可減低來自黏著膠帶10、20之出氣的產生量，因此可使經成膜之機能性薄膜的外觀成為良好。又，於成膜後剝離黏著膠帶10、20時，可大幅地抑制薄膜基板之破損或黏著劑對薄膜基板之殘留的產生。

作為交聯劑，只要係作為加成反應型聚矽氧系樹脂之交聯劑所使用者，亦即1分子中具有至少2個的鍵結於矽原子之氫原子(SiH)之有機聚矽氧烷(有機氫聚矽氧烷)即可，並無特殊限定。具體而言，例如可列舉信越化學股份有限公司製之X-92-122(商品名)、東麗道康寧股份有限公司製之BY24-741(商品名)等。

[觸媒] 為了於加成反應型聚矽氧系樹脂中之聚矽氧膠(G)的烯基與交聯劑的SiH基之間進行矽氫化反應，鉑族金屬系之觸媒係必要的。觸媒之中心金屬，例如可列舉鉑、鈀、銥、銠、鋨、釕等，此等之中尤適合使用鉑。鉑系觸媒並無特殊限定，例如可列舉氯化鉑酸、氯化鉑酸之醇溶液、氯化鉑酸與醇之反應物、氯化鉑酸與烯烴化合物之反應物、氯化鉑酸與含乙烯基之矽氧烷之反應物等。上述鉑系觸媒，亦可使用市售之觸媒。市售之觸媒，例如可列舉信越化學工業股份有限公司製CAT-PL-50T，或東麗道康寧股份有限公司製之SRX-212Cat、NC-25等。上述鉑族金屬系之觸媒之含量並無特殊限定，相對於聚矽氧膠(G)之質量而言，較佳為使金屬質量成為1~500ppm之範圍的量。金屬質量未達1ppm時，反應慢，黏著劑層2、3之交聯/硬化不充分，於He環境下之200℃的儲存模數會降低，因此出氣之產生量增多，凝集力亦會降低。此時，有經成膜之機能性薄膜的外觀變差之虞，或於成膜後剝離黏著膠帶10時於薄膜基板產生黏著劑殘留之虞。另一方面，金屬質量超過500ppm時，有含有加成反應型聚矽氧系樹脂之樹脂組成物的溶液產生增黏或凝膠化之虞。又，成本變高而不經濟。

[反應延遲劑] 本實施形態之含有加成反應型聚矽氧系樹脂之樹脂組成物中，可任意添加反應延遲劑。反應延遲劑，為在調合上述樹脂組成物之溶液或塗覆於基材時，為了不於加熱硬化以前開始加成反應而使溶液產生增黏或凝膠化所任意添加的成分，於樹脂組成物之溶液中，配位於加成反應觸媒之鉑族金屬，抑制加成反應，當為了使所塗覆的黏著劑層硬化而加熱時，該配位移除而展現觸媒活性，使上述矽氫化反應進行。上述反應延遲劑，可使用於加成反應型聚矽氧系黏著劑中自以往即被使用的1-乙炔基環己醇等之反應延遲劑。上述延遲劑，亦可使用市售之反應延遲劑。市售之反應延遲劑，例如可列舉信越化學工業股份有限公司製CAT PLR-2、東麗道康寧股份有限公司製BY24-808等。上述反應延遲劑之含量並無特殊限定，相對於聚矽氧膠(G)100質量份而言較佳為0.01~5質量份之範圍。反應延遲劑之添加量未達0.01質量份時，無法抑制反應，含有加成反應型聚矽氧系樹脂之樹脂組成物的溶液有產生增黏或凝膠化之虞。另一方面，反應延遲劑之添加量超過5質量份時，有反應變慢，交聯/硬化不充分之虞。

[厚度] 黏著劑層2、3之厚度並無特殊限定，但黏著劑層2、3之厚度增厚時，當然於高真空、高溫下之出氣的產生量有增大的傾向。因此，於真空度1.0×10^-4 Torr以下之環境下，將黏著膠帶10、20以昇溫速度10℃/分鐘由23℃昇溫至200℃後，進一步於200℃維持30分鐘時，所產生的出氣之總量必需設定為180mg/m² 以下。依著黏著劑層2、3之於He環境下之200℃的儲存模數等之均衡，黏著劑層2、3之厚度之適當的範圍會變動，故無法一概而論，但例如，通常上述厚度之下限值，就臨時固定力確保之觀點，較佳為3μm以上、更佳為10μm以上。另一方面，上述厚度之上限值，就出氣總量之抑制、黏著劑層之均勻塗覆性及殘存溶劑量之抑制、以及黏著膠帶10、20之易剝離性的觀點，較佳為200μm以下、更佳為100μm以下。

(黏著膠帶) 本實施形態之黏著膠帶，於在基材1之單面具備黏著劑層2的單面黏著膠帶10、於基材1之兩面分別具備黏著劑層2、黏著劑層3的兩面黏著膠帶20之任意形態，均在真空度1.0×10^-4 Torr以下之環境下以昇溫速度10℃/分鐘由23℃昇溫至200℃後，進一步於200℃維持30分鐘時，所產生的出氣之總量為180mg/m² 以下、更佳為100mg/m² 以下。上述出氣總量超過180mg/m² 時，該出氣的存在，於自成膜材料之靶材跳出的原子被輸送或被堆積至成膜用薄膜基板之過程中，阻礙原子本來的移動，對機能性薄膜之沉積造成影響，因此有藉由真空製程被成膜於薄膜基板之機能性薄膜的外觀或特性變差之虞。

(黏著膠帶之製造方法) 接著舉圖1中所說明的單面黏著膠帶10之構成為例，說明其製造方法之一例。單面黏著膠帶10，與製造以往之聚矽氧系黏著膠帶例如日本特開2012-107125號公報等記載的塑膠透鏡成型用聚矽氧系黏著膠帶之方法同樣地，可製造為滾筒狀，其係藉由於基材1之一面層合黏著劑層2，捲繞為滾筒狀之原膜來製造。

＜黏著劑層之形成＞對基材1之一面首先塗佈用以提高對黏著劑層2之密合性的增黏塗劑並乾燥而形成增黏塗層，接著於該增黏塗層之上塗佈以加成反應型聚矽氧系樹脂為主成分之黏著劑層2用之樹脂組成物(黏著劑組成物)溶液並乾燥，形成黏著劑層2。接著對基材1之另一面，塗佈對黏著劑層2之剝離性改良處理劑並乾燥而形成剝離處理層，捲繞為滾筒狀之黏著膠帶原膜。再者，亦可不形成上述剝離處理層，即於黏著劑層2貼合剝離薄膜，捲繞為滾筒狀之黏著膠帶原膜。稍微更具體說明黏著劑層2之形成，首先，於將以含有烯基之聚矽氧膠(G)與不含有鍵結於矽原子之烯基之聚矽氧樹脂(R)為主成分的黏著劑溶解於甲苯、二甲苯等之有機溶劑而得的溶液中，添加交聯劑、觸媒等，製作並準備黏著劑層2用之樹脂組成物溶液。接著，將該樹脂組成物溶液對基材1之增黏塗層以缺角輪塗佈器(Comma coater，註冊商標)或唇口塗佈器等進行塗佈，使乾燥後之厚度成為均勻。之後，藉由將所塗佈之黏著劑組成物以特定溫度加熱/乾燥，於基材1上隔著增黏塗層而形成黏著劑層2。藉由以上步驟，得到圖1所示之單面黏著膠帶10。再者，圖1中未圖示增黏塗層及剝離處理層。

上述黏著劑組成物之加熱/乾燥之條件，例如可參照上述日本特開2012-107125號公報等所揭示的條件。具體而言，例如於基材1上隔著增黏塗層塗佈黏著劑層2用之樹脂組成物溶液，於乾燥爐之前半區域部，於40~90℃之溫度階段性地提高溫度進行初期乾燥後，於乾燥爐之後半區域部，於130~200℃之溫度範圍，進行1~5分鐘之加熱乾燥，捲繞為滾筒狀之原膜即可。特別是藉由於乾燥爐之後半區域部的加熱乾燥之處理，於加成反應型聚矽氧系樹脂之材料中自最初起即含有的低分子量之二甲基聚矽氧烷，依乾燥之處理條件而自黏著劑層2揮發、減低，並且促進加成反應型聚矽氧系樹脂中之聚矽氧膠(G)的矽氫化反應，使黏著劑層2交聯/硬化。此處，本實施形態之單面黏著膠帶10之黏著劑層2，如上所述，作為真空製程用，而實現加成反應型聚矽氧系樹脂中之聚矽氧膠(G)的烯基及聚矽氧膠(G)之含量的最佳化，因此藉由上述加熱乾燥，相較於以往之一般的聚矽氧系黏著膠帶，可使黏著劑層2高度地交聯構造化，可使高真空、高溫下之黏著劑層2之儲存模數，換言之即於He環境下所測定的200℃之儲存模數，增大到1.0×10⁵ ~1.0×10⁷ Pa之範圍。亦即，如上所述，聚矽氧膠(G)及聚矽氧樹脂(R)之分子鏈的運動，藉由高度的交聯構造而被限制，可抑制主鏈骨架彼此的相互作用或於同一骨架內之相互作用，因此可大幅地抑制於真空成膜製程中作為出氣的要因之低分子量成分新產生的現象。其結果，即使不如以往技術般進行黏著薄片之薄片的高溫、長時間退火處理步驟，亦可容易地藉由輥對輥方式，設計為將單面黏著膠帶10於真空度1.0×10^-4 Torr以下之環境下以昇溫速度10℃/分鐘由23℃昇溫至200℃後，進一步於200℃維持30分鐘時，使所產生之出氣總量成為180mg/m² 以下，將該黏著膠帶10使用作為藉由濺鍍、蒸鍍等之真空成膜製程於耐熱基板上形成機能性薄膜時的臨時固定用黏著膠帶時，可抑制真空成膜製程中所產生的來自黏著膠帶10之出氣產生，可使所得機能性薄膜之外觀成為良好。又，可在確保真空成膜中薄膜基板不會脫落的臨時固定力之下，於成膜後剝離黏著膠帶10時，大幅地抑制薄膜基板之破損或黏著劑對薄膜基板之殘留的產生。

接著，舉圖2中所說明的兩面黏著膠帶20之構成為例，說明其製造方法之一例。對基材1之一面(1面側)，塗佈用以提高對黏著劑層3之密合性的增黏塗劑並乾燥而形成增黏塗層，接著於該增黏塗層上，塗佈以加成反應型聚矽氧系樹脂為主成分之黏著劑層3用之樹脂組成物溶液並乾燥，形成黏著劑層3。接著，於黏著劑層3之面貼合第一剝離薄膜，捲繞為滾筒狀之原膜。進一步地，與上述方法同樣地，對形成有黏著劑層3的基材1之另一面(2面側)，形成增黏塗層、黏著劑層2，於黏著劑層2之面貼合第二剝離薄膜，捲繞為滾筒狀之原膜。藉由以上之步驟，得到圖2所示的兩面黏著膠帶20。塗佈、乾燥之條件，只要與上述條件同樣地設定即可。再者，圖2中，未圖示第一及第二剝離薄膜。

(薄膜基板以黏著膠帶對載體基板之臨時固定方法) 如上所述，本實施形態之黏著膠帶10、20，例如在藉由使用旋轉料架型濺鍍裝置等的真空成膜製程，於以智慧型手機之護罩玻璃為代表的薄膜基板上以批式處理使抗反射膜等之機能性薄膜成膜而形成時，如圖3、4所示般，係使用於在由玻璃、SUS等所成之載體基板11上臨時固定複數枚的護罩玻璃等之薄膜基板12。機能性薄膜之成膜時，係將臨時固定有該複數枚薄膜基板12的載體基板11安裝於旋轉料架型濺鍍裝置之旋轉支架，於各薄膜基板12之表面上一次成膜而形成抗反射膜等之機能性薄膜。接著，說明使用本實施形態之單面黏著膠帶10的薄膜基板11之臨時固定方法之一例。

＜以單面黏著膠帶10之臨時固定方法＞圖5為顯示使用本實施之一形態的單面黏著膠帶10之載體基板11的臨時固定方法之一例的概要50之圖。首先，於載體基板11之上，剝離單面黏著膠帶10之剝離薄膜，以黏著劑層2成為上側面側的方式載置單面黏著膠帶10，將該單面黏著膠帶10之兩端部，使用本實施形態之條狀的單面黏著膠帶10’(可與單面黏著膠帶10相同亦可相異)貼附於載體基板11，將載體基板11與單面黏著膠帶10固定。接著，於單面黏著膠帶10之黏著劑層2之面上，等間隔載置並貼附複數枚之薄膜基板12(臨時固定)，進行真空製程之成膜。

圖6為顯示使用本實施之一形態的單面黏著膠帶10之薄膜基板的臨時固定方法之別的一例之概要60的圖。首先，剝離黏著劑層3側之第二剝離薄膜，於載體基板11之上，並行貼附本實施形態之2條的條狀之兩面黏著膠帶20。接著，剝離兩面黏著膠帶20之黏著劑層2側的第一剝離薄膜，於該兩面黏著膠帶20之黏著劑層2的面上，以單面黏著膠帶10(附剝離薄膜)之黏著劑層2成為上側的方式貼附單面黏著膠帶10。接著，剝離單面黏著膠帶10之黏著劑層2側的剝離薄膜，於該單面黏著膠帶10之黏著劑層2之面上，等間隔載置並貼附複數枚薄膜基板12(臨時固定)，進行真空製程之成膜。

＜以兩面黏著膠帶20之臨時固定方法＞圖7為顯示使用本實施之別的一形態之兩面黏著膠帶20的薄膜基板11之臨時固定方法之一例的概要70之圖。首先，剝離黏著劑層3側之第一剝離薄膜，於載體基板11之上，貼附兩面黏著膠帶20。接著，剝離兩面黏著膠帶20之黏著劑層2側的第二剝離薄膜，於該兩面膠帶20之黏著劑層2之面上，等間隔載置並貼附複數枚薄膜基板12(臨時固定)，進行真空製程之成膜。

圖8為顯示使用本實施之別的一形態之兩面黏著膠帶20的薄膜基板11之臨時固定方法之別的一例之概要80的圖。首先，將兩面黏著膠帶20衝壓加工為與薄膜基板11相同大小。接著，剝離黏著劑層3側之第二剝離薄膜，於載體基板11之上，等間隔貼附經衝壓加工之兩面黏著膠帶20。接著，剝離兩面黏著膠帶20之黏著劑層2側的第一剝離薄膜，於該兩面黏著膠帶20之黏著劑層2之面上，分別貼附複數枚薄膜基板12(臨時固定)，進行真空製程之成膜。

(以真空製程之機能性薄膜的成膜) 以真空製程之抗反射膜等之機能性薄膜的成膜方法，並無特殊限制，例如可列舉真空蒸鍍法、離子束輔助蒸鍍法、離子鍍法、濺鍍法等。此等之中就所得機能性薄膜之硬度或密合性的觀點，尤適合使用濺鍍法。於使用旋轉料架型濺鍍裝置等之濺鍍法中，係將如圖5~8例示之臨時固定有複數枚薄膜基板12的載體基板11，以如圖3、4所示之縱置姿勢30、40安裝/載置於配置在旋轉料架型濺鍍裝置之旋轉鼓上的基板支架後，將載體基板11(薄膜基板12)加熱至例如150~200℃之溫度，同時使腔室內成為10^-5 ~10^-6 Torr左右的壓力。接著，將腔室內朝向保持沿著圓軌道旋轉之縱置姿勢的薄膜基板12，由配置於圓軌道外側之靶材，藉由濺鍍使機能性薄膜之材料(構成靶材之原子)飛散，於面對圓軌道外側之薄膜基板12之表面及側面使作為機能性薄膜之材料堆積，使所期望之機能性薄膜成膜。上述機能性薄膜，於抗反射膜以外，可列舉防眩膜、防污膜、著色膜、耐摩耗性賦予膜、耐腐蝕性賦予膜、導電性賦予膜、強化膜、紅外線反射膜等可藉由真空製程形成之薄膜。

(成膜後之黏著膠帶之剝離方法) 接著，說明成膜後之黏著膠帶之剝離方法。將腔室內放冷，使壓力回到大氣壓後，由基板支架，取下臨時固定有經成膜處理之薄膜基板12的載體基板11。如圖5般將薄膜基板12藉由單面黏著膠帶10而臨時固定的情況時，首先，剝離單面黏著膠帶10兩端之單面黏著膠帶10’，在臨時固定有經成膜處理之薄膜基板12的狀態下，將單面黏著膠帶10由載體基板11取下。最後，在一邊注意不使薄膜基板12破損下，將該單面黏著膠帶10由經成膜處理之薄膜基板12剝離。此時，亦可使薄膜基板12之成膜處理面真空吸附於清潔的平台，將該單面黏著膠帶10由經成膜處理之薄膜基板12剝離。藉由以上，而得到成膜有機能性薄膜的薄膜基板12。

如圖6般將薄膜基板12藉由單面黏著膠帶10而臨時固定時，首先，係在臨時固定有經成膜處理之薄膜基板12的狀態下，將單面黏著膠帶10由兩面黏著膠帶20慢慢地剝離。最後，在一邊注意不使薄膜基板12破損下，將該單面黏著膠帶10由經成膜處理之薄膜基板12剝離。此時，亦可使薄膜基板12之成膜處理面真空吸附於清潔的平台，將該單面黏著膠帶10由經成膜處理之薄膜基板12剝離。藉由以上，而得到成膜有機能性薄膜的薄膜基板12。

如圖7、8般，將薄膜基板12藉由兩面黏著膠帶20而臨時固定時，係於使載體基板11真空吸附於清潔的平台的狀態下，於經成膜處理之薄膜基板12的角落部與兩面黏著膠帶20的黏著劑層2之間，慢慢插入銳利之不鏽鋼製刀具，對薄膜基板12與黏著劑層2之間賦予剝離的動力。接著，使用真空吸附墊，自薄膜基板12之角落部慢慢地拉起，將經成膜處理之薄膜基板12由黏著劑層2剝離。即使不賦予剝離的動力，亦可僅使用真空吸附墊進行剝離的情況則不限於此。藉由以上，而得到成膜有機能性薄膜的薄膜基板12。 [實施例]

接著，使用實施例及比較例以更具體說明本發明。再者，本發明不限定於以下實施例。以下，詳細說明各實施例及各比較例。

為了調製本實施例及比較例所使用的各種黏著劑，係使用作為黏著劑之主成分的下述聚矽氧系樹脂(A)~(D)、作為交聯劑的下述具有鍵結於矽原子之氫原子(SiH)的有機聚矽氧烷(有機氫聚矽氧烷)。聚矽氧樹脂(A)及(B)，為聚矽氧膠(G)與聚矽氧樹脂(R)之混合物[(G)/(R)質量比=40/60]，該聚矽氧膠(G)係使用聚合平均分子量(Mw)約50萬之分子鏈兩末端經二甲基乙烯基矽烷氧基封端之二甲基矽氧烷/甲基乙烯基矽氧烷共聚物；該聚矽氧樹脂(R)係使用聚合平均分子量(Mw)約5000之具有R² ₃ SiO_0.5 單位(M單位)及SiO₂ 單位(Q單位)的有機聚矽氧烷(MQ樹脂)。又，聚矽氧系樹脂(C)及(D)，為聚矽氧膠(G)單獨的樹脂，聚矽氧系樹脂(C)之聚矽氧膠(G)，係使用聚合平均分子量(Mw)約20萬之分子鏈兩末端經二甲基己烯基矽烷氧基封端之二甲基矽氧烷/甲基己烯基矽氧烷共聚物；聚矽氧系樹脂(D)之聚矽氧膠(G)，係使用聚合平均分子量(Mw)約60萬之分子鏈兩末端經二甲基己烯基矽烷氧基封端之二甲基矽氧烷/甲基己烯基矽氧烷共聚物。再進一步地，聚矽氧系樹脂(E)，為聚矽氧樹脂(R)單獨的樹脂，該聚矽氧樹脂(R)，係使用聚合平均分子量(Mw)約5000之具有R² ₃ SiO_0.5 單位(M單位)及SiO₂ 單位(Q單位)的有機聚矽氧烷(MQ樹脂)。

・聚矽氧系樹脂(A) 聚矽氧膠(G)/聚矽氧樹脂(R)=40質量%/60質量%之混合物烯基(乙烯基)含量：2.0×10^-5 mol/g

・聚矽氧系樹脂(B) 聚矽氧膠(G)/聚矽氧樹脂(R)=40質量%/60質量%之混合物烯基(乙烯基)含量：2.0×10^-6 mol/g

・聚矽氧系樹脂(C) 聚矽氧膠(G) 烯基(己烯基)含量：2.0×10^-4 mol/g

・聚矽氧系樹脂(D) 聚矽氧膠(G) 烯基(己烯基)含量：1.0×10^-2 mol/g

・聚矽氧系樹脂(E) 聚矽氧樹脂(R)

・交聯劑(A) 有機氫聚矽氧烷 SiH基含量：1.0×10^-2 mol/g

・交聯劑(B) 有機氫聚矽氧烷 SiH基含量：4.0×10^-2 mol/g

1.黏著膠帶之製作及機能性薄膜(抗反射膜)對薄膜基板12上之成膜 (實施例1) 將使聚矽氧系樹脂(A)與聚矽氧系樹脂(C)混合成為該質量比(A)/(C)為83/17而得的加成反應型聚矽氧系樹脂(S1)以甲苯稀釋並攪拌，調製加成反應型聚矽氧樹脂溶液(固體成分濃度30質量%)。該加成反應型聚矽氧系樹脂(S1)，聚矽氧膠(G)與聚矽氧樹脂(R)之質量比(G)/(R)為50/50，烯基含量為5.0×10^-5 mol/g。附帶一提，上述聚矽氧膠(G)中之烯基含量，為1.0×10^-4 mol/g。

接著，對該加成反應型聚矽氧系樹脂溶液333質量份(以固體成分換算係100質量份)，以分散機摻合交聯劑(A)1.01質量份(SiH基/烯基之莫耳比=2.02)，均勻攪拌/混合。接著，以分散機摻合東麗道康寧股份有限公司製之鉑系觸媒“NC-25”(商品名)1.0質量份，均勻攪拌/混合，製成塗覆用黏著劑溶液。

接著，將該塗覆用黏著劑溶液，以黏著劑層2之乾燥厚度成為20μm的方式，塗覆於東麗股份有限公司製聚酯薄膜基材1(厚度75μm)，於乾燥爐之前半部，於40~90℃之溫度階段性地初期乾燥。之後，藉由於設於乾燥爐後半部之熱處理的最高溫度為180℃之區域乾燥2分鐘，將黏著劑層2加熱/硬化，貼合剝離薄膜，得到總厚度95μm之單面黏著膠帶10。又，亦同樣地製作僅將基材1之厚度變更為38μm的總厚度58μm之單面黏著膠帶10’。

該單面黏著膠帶10之黏著劑層2，於He環境下所測定的200℃之儲存模數為2.2×10⁵ Pa。又，該單面黏著膠帶10，於真空度1.0×10^-4 Torr以下之環境下，以昇溫速度10℃/分鐘由23℃昇溫至200℃後，進一步於200℃維持30分鐘時，所產生之出氣總量為72.5mg/m² 。

接著，使用該單面黏著膠帶10(大小310 mm ×340mm)及單面黏著膠帶10’(大小20mm×360mm)，如圖4所示般，首先，將經剝離剝離薄膜之單面黏著膠帶10，以黏著劑層2成為上側面側的方式，藉由單面黏著膠帶10’固定於載體基板11(SUS、大小370mm×380mm、厚度2mm)上。接著，將薄膜基板12(護罩玻璃、大小140mm×70mm、厚度0.4mm)6枚，於單面黏著膠帶10之黏著劑層2上，等間隔地載置，進行臨時固定。如此地，準備共8組之將6枚薄膜基板12藉由單面黏著膠帶10而臨時固定的載體基板11(薄膜基板12：共48枚/1批)，供機能性薄膜(抗反射膜)之成膜。

接著，將上述載體基板分別以縱置姿勢安裝於配置在旋轉料架型自由基輔助濺鍍裝置之旋轉鼓上的基板支架，一邊將載體基板(薄膜基板)加熱至200℃一邊藉由真空泵排氣，使裝置內部成為10^-6 Torr之壓力。接著，以矽(Si)為靶材，一邊使旋轉鼓旋轉一邊由以下條件藉由後反應濺鍍法，於薄膜基板12(護罩玻璃)之表面成膜而形成包含高折射率層(氮化矽：SiNx)與低折射率層(氧化矽：SiO₂ )之交互層合之共6層的抗反射層。

・濺鍍條件高折射率層(氮化矽：SiNx) N₂ 氣體：10sccm Ar氣體：10sccm 濺鍍功率：2.0KW 低折射率層(氧化矽：SiO₂ ) O₂ 氣體：10sccm Ar氣體：10sccm 濺鍍功率：1.5KW

・抗反射膜(//薄膜基板) SiO₂ (110nm)/SiNx(60nm)/SiO₂ (43nm)/SiNx(33nm)/SiO₂ (50nm) /SiNx(140nm)(//薄膜基板)

(實施例2) 除了使用將聚矽氧系樹脂(A)與聚矽氧系樹脂(C)混合為該質量比(A)/(C)成為50/50的加成反應型聚矽氧系樹脂(S2)，以取代加成反應型聚矽氧系樹脂(S1)，且將交聯劑(A)之摻合量變更為2.20質量份(SiH基/烯基之莫耳比=2.00)以外，係與實施例1同樣地，製成塗覆用黏著劑溶液。該加成反應型聚矽氧系樹脂(S2)，聚矽氧膠(G)與聚矽氧樹脂(R)之質量比(G)/(R)為70/30，烯基含量為1.1×10^-4 mol/g。附帶一提，上述聚矽氧膠(G)中之烯基含量為1.5×10^-4 mol/g。

接著，將該塗覆用黏著劑溶液，以黏著劑層2之乾燥厚度成為50μm的方式，塗覆於東麗股份有限公司製聚酯薄膜基材1(厚度75μm)，於乾燥爐之前半部，係於40~90℃之溫度階段性地初期乾燥。之後，藉由於設於乾燥爐之後半部的熱處理之最高溫度成為160℃的區域乾燥1分鐘，使黏著劑層2加熱/硬化，將剝離薄膜貼合於黏著劑層2，得到總厚度125μm之單面黏著膠帶10。

該單面黏著膠帶10之黏著劑層2，於He環境下所測定的200℃之儲存模數為5.9×10⁵ Pa。又，該單面黏著膠帶10，於真空度1.0×10^-4 Torr以下之環境下，以昇溫速度10℃/分鐘由23℃昇溫至200℃後，進一步於200℃維持30分鐘時，所產生之出氣總量為65.1mg/m² 。

接著，使用該單面黏著膠帶10及實施例1所製作之單面黏著膠帶10’，與實施例1同樣地，於薄膜基板12(護罩玻璃)之表面成膜而形成抗反射膜。

(實施例3) 除了使用將聚矽氧系樹脂(A)、聚矽氧系樹脂(B)及聚矽氧系樹脂(E)混合為該質量比(A)/(B)/(E)成為50/42/8的加成反應型聚矽氧系樹脂(S3)，以取代加成反應型聚矽氧系樹脂(S1)，且將交聯劑(A)之摻合量變更為0.22質量份(SiH基/烯基之莫耳比=2.17)，將鉑系觸媒“NC-25”之摻合量變更為0.5質量份以外，係與實施例1同樣地，製成塗覆用黏著劑溶液。該加成反應型聚矽氧系樹脂(S2)，聚矽氧膠(G)與聚矽氧樹脂(R)之質量比(G)/(R)為35/65，烯基含量為1.0×10^-5 mol/g。附帶一提，上述聚矽氧膠(G)中之烯基含量為2.9×10^-5 mol/g。

接著，將該塗覆用黏著劑溶液，以黏著劑層2之乾燥厚度成為30μm的方式，塗覆於東麗股份有限公司製聚酯薄膜基材1(厚度75μm)，於乾燥爐之前半部，係於40~90℃之溫度階段性地初期乾燥。之後，藉由於設於乾燥爐之後半部的熱處理之最高溫度成為180℃的區域乾燥1分鐘，使黏著劑層2加熱/硬化，將剝離薄膜貼合於黏著劑層2，得到總厚度105μm之單面黏著膠帶10。

該單面黏著膠帶10之黏著劑層2，於He環境下所測定的200℃之儲存模數為1.0×10⁵ Pa。又，該單面黏著膠帶10，於真空度1.0×10^-4 Torr以下之環境下，以昇溫速度10℃/分鐘由23℃昇溫至200℃後，進一步於200℃維持30分鐘時，所產生之出氣總量為159.8mg/m² 。

(實施例4) 除了使用混合聚矽氧系樹脂(C)與聚矽氧系樹脂(D)為該質量比(C)/(D)成為92/8的加成反應型聚矽氧系樹脂(S4)，以取代加成反應型聚矽氧系樹脂(S1)，且將交聯劑(A)1.01質量份變更為交聯劑(B)4.90質量份(SiH基/烯基之莫耳比=1.97)，將鉑系觸媒“NC-25”之摻合量變更為3.0質量份以外，係與實施例1同樣地，製成塗覆用黏著劑溶液。該加成反應型聚矽氧系樹脂(S2)，聚矽氧膠(G)與聚矽氧樹脂(R)之質量比(G)/(R)為100/0，烯基含量為1.0×10^-3 mol/g。

接著，將該塗覆用黏著劑溶液，以黏著劑層2之乾燥厚度成為75μm的方式，塗覆於東麗股份有限公司製聚酯薄膜基材1(厚度75μm)，於乾燥爐之前半部，係於40~90℃之溫度階段性地初期乾燥。之後，藉由於設於乾燥爐之後半部的熱處理之最高溫度成為200℃的區域乾燥3分鐘，使黏著劑層2加熱/硬化，將剝離薄膜貼合於黏著劑層2，得到總厚150μm之單面黏著膠帶10。

該單面黏著膠帶10之黏著劑層2，於He環境下所測定的200℃之儲存模數為7.2×10⁶ Pa。又，該單面黏著膠帶10，於真空度1.0×10^-4 Torr以下之環境下，以昇溫速度10℃/分鐘由23℃昇溫至200℃後，進一步於200℃維持30分鐘時，所產生之出氣總量為31.2mg/m² 。

(實施例5) 除了將交聯劑(A)之摻合量變更為0.55質量份(SiH基/烯基之莫耳比=0.50)以外，係與實施例2同樣地得到總厚度125μm之單面黏著膠帶10。

該單面黏著膠帶10之黏著劑層2，於He環境下所測定的200℃之儲存模數為1.5×10⁵ Pa。又，該單面黏著膠帶10，於真空度1.0×10^-4 Torr以下之環境下，以昇溫速度10℃/分鐘由23℃昇溫至200℃後，進一步於200℃維持30分鐘時，所產生之出氣總量為122.3mg/m² 。

(實施例6) 除了將將交聯劑(A)之摻合量變更為1.65質量份(SiH基/烯基之莫耳比=1.50)以外，係與實施例2同樣地、得到總厚度125μm之單面黏著膠帶10。

該單面黏著膠帶10之黏著劑層2，於He環境下所測定的200℃之儲存模數為4.7×10⁵ Pa。又，該單面黏著膠帶10，於真空度1.0×10^-4 Torr以下之環境下，以昇溫速度10℃/分鐘由23℃昇溫至200℃後，進一步於200℃維持30分鐘時，所產生之出氣總量為70.3mg/m² 。

(實施例7) 除了將將交聯劑(A)之摻合量變更為5.55質量份(SiH基/烯基之莫耳比=5.00)以外，係與實施例2同樣地、得到總厚度125μm之單面黏著膠帶10。

該單面黏著膠帶10之黏著劑層2，於He環境下所測定的200℃之儲存模數為6.0×10⁵ Pa。又，該單面黏著膠帶10，於真空度1.0×10^-4 Torr以下之環境下，以昇溫速度10℃/分鐘由23℃昇溫至200℃後，進一步於200℃維持30分鐘時，所產生之出氣總量為84.2mg/m² 。

(實施例8) 除了將交聯劑(A)5.55質量份，變更為交聯劑(B)2.80質量份(SiH基/烯基之莫耳比=10.00)以外，係與實施例2同樣地，得到總厚度125μm之單面黏著膠帶10。

該單面黏著膠帶10之黏著劑層2，於He環境下所測定的200℃之儲存模數為6.7×10⁵ Pa。又，該單面黏著膠帶10，於真空度1.0×10^-4 Torr以下之環境下，以昇溫速度10℃/分鐘由23℃昇溫至200℃後，進一步於200℃維持30分鐘時，所產生之出氣總量為105.7mg/m² 。

(實施例9) 首先，作為黏著劑層3用之塗覆用黏著劑溶液，係準備包含與實施例1同一組成(使用加成反應型聚矽氧系樹脂(S1))之塗覆用黏著劑溶液。接著，將該塗覆用黏著劑溶液，以黏著劑層3之乾燥厚度成為30μm的方式，塗覆於東麗股份有限公司製聚酯薄膜基材1(厚度75μm)之1面側，於乾燥爐之前半部，係於40~90℃之溫度階段性地初期乾燥。之後，藉由於設於乾燥爐之後半部的熱處理之最高溫度成為180℃的區域乾燥2分鐘，使黏著劑層3加熱/硬化，將第一剝離薄膜貼合於黏著劑層3，得到總厚度105μm之中間層合體。

接著，作為黏著劑層2用之塗覆用黏著劑溶液，係準備包含與實施例2同一組成(使用加成反應型聚矽氧系樹脂(S2))之塗覆用黏著劑溶液。接著，將該塗覆用黏著劑溶液，以黏著劑層2之乾燥厚度成為30μm的方式，塗覆於與形成有上述中間層合體之黏著劑層3之面相反側之面(基材之2面側)，於乾燥爐之前半部，係於40~90℃之溫度階段性地初期乾燥。之後，藉由於設於乾燥爐之後半部的熱處理之最高溫度成為160℃的區域乾燥1分鐘，使黏著劑層2加熱/硬化，將第二剝離薄膜貼合於黏著劑層2，得到總厚度135μm之兩面黏著膠帶20。

該兩面黏著膠帶20之黏著劑層2及黏著劑層3，於He環境下所測定的200℃之儲存模數分別為5.9× 10⁵ Pa、2.5×10⁵ Pa。又，該兩面黏著膠帶10，於真空度1.0 ×10^-4 Torr以下之環境下，以昇溫速度10℃/分鐘由23℃昇溫至200℃後，進一步於200℃維持30分鐘時，所產生之出氣總量為128.3mg/m² 。

接著，使用該兩面黏著膠帶20(大小310mm ×340mm)，如圖6所示般，首先，剝離兩面黏著膠帶20之黏著劑層3側之第一剝離薄膜，將黏著劑層3側貼附於載體基板11(SUS、大小370mm×380mm、厚度2mm)，固定兩面黏著膠帶20。接著，剝離兩面黏著膠帶20之黏著劑層2側之第二剝離薄膜，將薄膜基板12(護罩玻璃、大小140 mm×70mm、厚度0.4mm)6枚，等間隔載置而臨時固定於兩面黏著膠帶20之黏著劑層2之上。如此地，準備共8組之將6枚薄膜基板12藉由兩面黏著膠帶20而臨時固定的載體基板11(薄膜基板12：計48枚/1批)，供機能性薄膜(抗反射膜)之成膜。

接著，與實施例1同樣地，於薄膜基板12(護罩玻璃)之表面成膜而形成抗反射膜。

(比較例1) 除了使用將聚矽氧系樹脂(A)與聚矽氧系樹脂(B)混合為該質量比(A)/(B)成為40/60的加成反應型聚矽氧系樹脂(S5)，以取代加成反應型聚矽氧系樹脂(S1)，且將交聯劑(A)之摻合量變更為0.18質量份(SiH基/烯基之莫耳比=2.00)以外，係與實施例1同樣地，製成塗覆用黏著劑溶液。該加成反應型聚矽氧系樹脂(S5)，聚矽氧膠(G)與聚矽氧樹脂(R)之質量比(G)/(R)為40/60，烯基含量為9.2×10^-6 mol/g。附帶一提，上述聚矽氧膠(G)中之烯基含量為2.3×10^-5 mol/g。

接著，將該塗覆用黏著劑溶液，以黏著劑層2之乾燥厚度成為20μm的方式，塗覆於東麗股份有限公司製聚酯薄膜基材1(厚度75μm)，於乾燥爐之前半部，係於40~90℃之溫度階段性地初期乾燥。之後，藉由於設於乾燥爐之後半部的熱處理之最高溫度成為180℃的區域乾燥2分鐘，使黏著劑層2加熱/硬化，將剝離薄膜貼合於黏著劑層2，得到總厚度95μm之單面黏著膠帶10。

該單面黏著膠帶10之黏著劑層2，於He環境下所測定的200℃之儲存模數為7.4×10⁴ Pa。又，該單面黏著膠帶10，於真空度1.0×10^-4 Torr以下之環境下，以昇溫速度10℃/分鐘由23℃昇溫至200℃後，進一步於200℃維持30分鐘時，所產生之出氣總量為193.3mg/m² 。

(比較例2) 除了使用混合聚矽氧系樹脂(C)與聚矽氧系樹脂(D)為該質量比(C)/(D)成為70/30的加成反應型聚矽氧系樹脂(S6)，以取代加成反應型聚矽氧系樹脂(S1)，且將交聯劑(A)1.01質量份變更為交聯劑(B)15.7質量份(SiH基/烯基之莫耳比=2.09)以外，係與實施例1同樣地，製成塗覆用黏著劑溶液。該加成反應型聚矽氧系樹脂(S6)，聚矽氧膠(G)與聚矽氧樹脂(R)之質量比(G)/(R)為100/0，烯基含量為3.0×10^-3 mol/g。

接著，將該塗覆用黏著劑溶液，以黏著劑層2之乾燥厚度成為40μm的方式，塗覆於東麗股份有限公司製聚酯薄膜基材1(厚度75μm)，於乾燥爐之前半部，係於40~90℃之溫度階段性地初期乾燥。之後，藉由於設於乾燥爐之後半部的熱處理之最高溫度成為180℃的區域乾燥1分鐘，使黏著劑層2加熱/硬化，將剝離薄膜貼合於黏著劑層2，得到總厚度115μm之單面黏著膠帶10。

該單面黏著膠帶10之黏著劑層2，於He環境下所測定的200℃之儲存模數為1.9×10⁷ Pa。又，該單面黏著膠帶10，於真空度1.0×10^-4 Torr以下之環境下，以昇溫速度10℃/分鐘由23℃昇溫至200℃後，進一步於200℃維持30分鐘時，所產生之出氣總量為33.6mg/m² 。

(比較例3) 除了使用混合聚矽氧系樹脂(A)、聚矽氧系樹脂(C)及聚矽氧系樹脂(E)為該質量比(A)/(C)/(E)成為63/5/32的加成反應型聚矽氧系樹脂(S7)，以取代加成反應型聚矽氧系樹脂(S1)，且將交聯劑(A)之摻合量變更為0.45質量份(SiH基/烯基之莫耳比=1.97)以外，係與實施例1同樣地，製成塗覆用黏著劑溶液。該加成反應型聚矽氧系樹脂(S6)，聚矽氧膠(G)與聚矽氧樹脂(R)之質量比(G)/(R)為30/70，烯基含量為2.3×10^-5 mol/g。附帶一提，上述聚矽氧膠(G)中之烯基含量為7.3×10^-5 mol/g。

接著，將該塗覆用黏著劑溶液，以黏著劑層2之乾燥厚度成為15μm的方式，塗覆於東麗股份有限公司製聚酯薄膜基材1(厚度75μm)，於乾燥爐之前半部，係於40~90℃之溫度階段性地初期乾燥。之後，藉由於設於乾燥爐之後半部的熱處理之最高溫度成為180℃的區域乾燥1分鐘，使黏著劑層2加熱/硬化，將剝離薄膜貼合於黏著劑層2，得到總厚度90μm之單面黏著膠帶10。

該單面黏著膠帶10之黏著劑層2，於He環境下所測定的200℃之儲存模數為1.5×10⁵ Pa。又，該單面黏著膠帶10，於真空度1.0×10^-4 Torr以下之環境下，以昇溫速度10℃/分鐘由23℃昇溫至200℃後，進一步於200℃維持30分鐘時，所產生之出氣總量為135.7mg/m² 。

(比較例4) 除了不添加交聯劑(A)以外，係與實施例2同樣地，製成塗覆用黏著劑溶液。該加成反應型聚矽氧系樹脂(S2)，聚矽氧膠(G)與聚矽氧樹脂(R)之質量比(G)/(R)為70/30，烯基含量為1.1×10^-4 mol/g。

接著，將該塗覆用黏著劑溶液，以黏著劑層2之乾燥厚度成為50μm的方式，塗覆於東麗股份有限公司製聚酯薄膜基材1(厚度75μm)，於乾燥爐之前半部，係於40~90℃之溫度階段性地初期乾燥。之後，藉由於設於乾燥爐之後半部的熱處理之最高溫度成為200℃的區域乾燥2分鐘，使黏著劑層2加熱/乾燥，欲得到總厚度125μm之單面黏著膠帶10，但黏著劑層2之黏性大，產生貼附於搬送輥等之不良狀況，因此無法製造良好之單面黏著膠帶10。

與上述乾燥條件同樣地，對於以薄片所製作之單面黏著膠帶10，評估黏著劑層2於He環境下之200℃的儲存模數後，隨著溫度上昇，可見彈性率急遽降低，無法確認到於200℃附近之儲存模數。又，該單面黏著膠帶10，於真空度1.0×10^-4 Torr以下之環境下，以昇溫速度10℃/分鐘由23℃昇溫至200℃後，進一步於200℃維持30分鐘時之出氣產生量為251.1mg/m² 。

(比較例5) 首先，作為黏著劑層3用之塗覆用黏著劑溶液，係準備包含與實施例3同一組成(使用加成反應型聚矽氧系樹脂(S3))之塗覆用黏著劑溶液。接著，將該塗覆用黏著劑溶液，以黏著劑層3之乾燥厚度成為30μm的方式，塗覆於東麗股份有限公司製聚酯薄膜基材1(厚度75μm)之1面側，於乾燥爐之前半部，係於40~90℃之溫度階段性地初期乾燥。之後，藉由於設於乾燥爐之後半部的熱處理之最高溫度成為180℃的區域乾燥1分鐘，使黏著劑層3加熱/硬化，將第一剝離薄膜貼合於黏著劑層3，得到總厚度105μm之中間層合體。

接著，作為黏著劑層2用之塗覆用黏著劑溶液，係準備包含與實施例1同一組成(使用加成反應型聚矽氧系樹脂(S1))之塗覆用黏著劑溶液。接著，將該塗覆用黏著劑溶液，以黏著劑層2之乾燥厚度成為20μm的方式，塗覆於與形成有上述中間層合體之黏著劑層3的面相反側之面(基材之2面側)，於乾燥爐之前半部，係於40~90℃之溫度階段性地初期乾燥。之後，藉由於設於乾燥爐之後半部的熱處理之最高溫度成為180℃的區域乾燥2分鐘，使黏著劑層2加熱/硬化，將第二剝離薄膜貼合於黏著劑層2，得到總厚度125μm之兩面黏著膠帶20。

該兩面黏著膠帶20之黏著劑層2及黏著劑層3，於He環境下所測定的200℃之儲存模數分別為2.2× 10⁵ Pa、1.3×10⁵ Pa。又，該兩面黏著膠帶20，於真空度1.0×10^-4 Torr以下之環境下，以昇溫速度10℃/分鐘由23℃昇溫至200℃後，進一步於200℃維持30分鐘時，所產生之出氣總量為201.2mg/m² 。

接著，使用該兩面黏著膠帶20(大小310mm×340mm)，與實施例9同樣地，於臨時固定於黏著劑層2上的薄膜基板12(護罩玻璃)之表面成膜而形成抗反射膜。

2.評估方法 (1)聚矽氧系樹脂之烯基含量及交聯劑之SiH基含量的定量本發明之包含含有鍵結於矽原子之烯基的有機聚矽氧烷之聚矽氧膠(G)與包含不含有鍵結於矽原子之烯基的有機聚矽氧烷之聚矽氧樹脂(R)，摻合為該質量比(G)/(R)=35/65~100/0之範圍的加成反應型聚矽氧系樹脂中，其烯基含量係藉由測定500MHz之¹ H-NMR光譜算出。具體而言，係將上述加成反應型聚矽氧系樹脂之不揮發成分，充分溶解於含作為內部標準試樣之二甲基亞碸的重氫氯仿中，使用日本電子股份有限公司製NMR裝置“JNM･ECA500”(製品名)測定¹ H-NMR光譜。接著，求得測定光譜中之內部標準試樣之二甲基亞碸的共振訊號面積(積分值)與烯基的共振訊號面積(積分值)，由其比率算出每1g加成反應型聚矽氧系樹脂之烯基之含量。又，就包含有機氫聚矽氧烷之交聯劑而言亦相同地，測定¹ H-NMR光譜，求得測定光譜中之內部標準試樣之二甲基亞碸的共振訊號面積(積分值)與SiH基的共振訊號面積(積分值)，由其比率算出每1g交聯劑之SiH基之含量。再者，交聯劑自最初起即內部添加於加成反應型聚矽氧系樹脂時，只要由其¹ H-NMR光譜同時算出烯基與SiH基之含量即可。

(2)黏著劑層之儲存模數對於實施例1~9及比較例1~5之黏著膠帶10、20，由以下方法測定黏著劑層2、3之儲存模數。首先，將各實施例及比較例調製的塗覆用黏著劑溶液，分別塗覆於第一剝離薄膜上，以與各實施例及比較例相同條件乾燥、硬化，貼合第二剝離薄膜，得到黏著膠帶(無基材)。接著，將所得之各自的黏著膠帶切斷為小片，剝離剝離薄膜，以成為約500μm之厚度的方式，準備僅疊合有黏著劑層之試樣。對於此等之試樣，使用Hitachi High-Tech Science股份有限公司製之黏彈性測定裝置“DMA6100”(製品名)，測定動態黏彈性，求得黏著劑層之儲存模數。測定條件係於He環境下，一邊賦予頻率1Hz之剪切應變，一邊以昇溫速度2℃/分鐘使溫度由30℃變化至280℃，測定動態黏彈性光譜。將所得光譜於200℃之儲存模數之值，作為該黏著劑層於He環境下所測定的200℃之儲存模數。

(3)由黏著膠帶產生之出氣總量對於實施例1~9及比較例1~5之黏著膠帶10、20，使用程序昇溫脫附氣相質譜分析(TPD-MS)測定由黏著膠帶10、20產生之出氣總量。首先，準備將黏著膠帶10、20切斷為4mm×20mm大小之試樣(剝離薄膜除外)。接著，將各自的黏著膠帶試樣，置入Rigaku股份有限公司製之附紅外線加熱爐之水平差動型示差熱天平“MB6”(製品名)之石英試樣管內，以真空泵排氣，將試樣管內調整為1.0×10^-5 ~1.0×10^-6 Torr之壓力。接著，將試樣管由室溫以昇溫速度10℃/min加熱至200℃，進一步於200℃保持30min，對於此時由試樣產生之氣體成分，使用Hewlett Packard公司製之質譜分析裝置“Q-MS5973A”(製品名)進行質譜分析，得到MS總離子流(TIC)層析圖。再者，作為標準試樣，係使用加熱草酸鈣時產生的CO₂ (碳酸氣)，由調整濃度與波峰面積製成檢量線，由該檢量線與自黏著膠帶試樣產生之氣體成分的TIC之波峰總面積，以CO₂ 換算來求得將黏著膠帶於真空度1.0×10^-4 Torr以下之環境下，以昇溫速度10℃/分鐘由23℃昇溫至200℃後，進一步於200℃維持30分鐘時，由黏著膠帶產生之出氣總量。

(4)真空成膜製程中之評估就實施例1~9及比較例1~5之黏著膠帶10、20而言，對各自的黏著膠帶10、20之黏著劑層2上所臨時固定的薄膜基板12(護罩玻璃)之表面，使用旋轉料架型自由基輔助濺鍍裝置，藉由後反應濺鍍法使抗反射膜成膜時，就以下4個項目而言以A~C之3階段的基準來評估。

＜對薄膜基板之臨時固定力＞抗反射膜之成膜結束後，對於縱置姿勢之48枚薄膜基板確認有無脫落。 A：脫落之薄膜基板為0枚。 B：脫落之薄膜基板為1枚。 C：脫落之薄膜基板為2枚以上。

＜薄膜基板之再剝離性＞抗反射膜之成膜結束後，評估以上述方法由薄膜基板剝離黏著膠帶時，或由黏著膠帶剝離薄膜基板時，可否在薄膜基板不破損之下進行再剝離。 A：剝離時破損的薄膜基板為0枚，全部可再剝離。 B：剝離時破損的薄膜基板為1枚，其他均可再剝離。 C：剝離時破損的薄膜基板為2枚以上。

＜黏著劑殘留之產生＞抗反射膜之成膜結束後，以目視確認以上述方法由薄膜基板剝離黏著膠帶時，或由黏著膠帶剝離薄膜基板時，對薄膜基板之黏著劑殘留的平均狀態。 A：未觀察到明確的黏著劑殘留。 B：有觀察到少許黏著劑殘留，但為可容易藉由洗淨而去除的等級。 C：觀察到明確的黏著劑殘留。

＜抗反射膜之外觀＞以目視觀察成膜於薄膜基板之抗反射膜之外觀的平均狀態。 A：未觀察到明確的成膜不均。 B：依視野角度不同，有觀察到少許的成膜不均，但為不明顯的等級。 C：觀察到明確的成膜不均。所有的項目中，A或B的評估係判定為實用上並無問題的等級。

3.試驗結果實施例1~9及比較例1~5之黏著膠帶10、20的構成及評估結果係如表1~4所示。

如表1~3所示，以輥對輥方式所製造的實施例1~8之單面黏著膠帶10、實施例9之兩面黏著膠帶20，於He環境下所測定的於200℃之黏著劑層之儲存模數為1.0×10⁵ ~1.0×10⁷ Pa之範圍，於真空度1.0×10^-4 Torr以下之環境下，以昇溫速度10℃/分鐘由23℃昇溫至200℃後，進一步於200℃維持30分鐘時，所產生的出氣之總量為180mg/m² 以下，因此可知將此等之黏著膠帶應用作為藉由使用旋轉料架型濺鍍裝置之真空成膜製程，於薄膜基板上形成抗反射膜時的臨時固定用黏著膠帶時，即使於縱置姿勢，薄膜基板之臨時固定力亦為充分，可抑制於成膜製程中所產生的來自黏著膠帶之出氣產生，對所得之抗反射膜之外觀不會造成不良影響，且成膜後薄膜基板與黏著膠帶之再剝離性(無對薄膜基板之黏著劑殘留、剝離時薄膜基板不破損)優良。又，作為抗反射膜之特性所必要的可見光反射率亦為1.0%以下，實用上無特別問題。

就薄膜基板上之抗反射膜之外觀而言，由黏著膠帶所產生之出氣總量越少，越有得到良好結果之傾向，其中尤以使用出氣總量為100mg/m² 以下之實施例1~2、實施例4、實施例6~7之單面黏著膠帶10時特別良好。

又，使用除了交聯劑之SiH基與加成反應型聚矽氧系樹脂之烯基的莫耳比以外均為相同之黏著劑層的實施例2、實施例5~8之比較中，使用SiH基/烯基之莫耳比為1.5~5.0之範圍的實施例2、實施例6~7之單面黏著膠帶10時，於薄膜基板之臨時固定力、薄膜基板之再剝離性、對薄膜基板之黏著劑殘留、薄膜基板上之抗反射膜之外觀的全部評估中得到良好的結果。使用SiH基/烯基之莫耳比為0.5之實施例5之單面黏著膠帶10時，黏著劑層之交聯/硬化稍不充分，儲存模數稍小，因此出氣總量稍多，薄膜基板上之抗反射膜之外觀稍為不良。又，黏著劑層之黏著力稍大，薄膜基板之再剝離性亦稍為不良。但是，均為實用上無問題的等級。又，使用SiH基/烯基之莫耳比為10.0之實施例8之單面黏著膠帶10時，殘存之SiH基的量稍多，該SiH矽醇化而成為SiOH，於加熱/成膜中進行脫水縮合反應時所生成之水分成為出氣，因此出氣之總量稍增加，薄膜基板上之抗反射膜之外觀稍為不良。又，黏著劑層之黏著力稍大，薄膜基板之再剝離性亦稍為不良。但是，均為實用上無問題的等級。

進一步地，使用聚矽氧膠(G)與聚矽氧樹脂(R)之質量比(G)/(R)為本發明之下限之35/65的實施例3之單面黏著膠帶10時，黏著劑層之儲存模數亦成為本發明之下限值，出氣總量稍多，因此薄膜基板上之抗反射膜之外觀稍為不良。又，聚矽氧樹脂(R)之比率係較多的65質量%，黏著劑層之黏著力亦稍大，因此薄膜基板之再剝離性、對薄膜基板之黏著劑殘留亦稍為不良。但是，均為實用上無問題的等級。

又進一步地，使用聚矽氧膠(G)與聚矽氧樹脂(R)之質量比(G)/(R)為本發明之上限之100/0的實施例4之單面黏著膠帶10時，黏著劑層之儲存模數亦成為本發明之上限值，黏著劑層稍硬，黏著力稍小，因此僅薄膜基板之臨時固定力稍為不良。但是，為實用上無問題的等級。

又進一步地，使用於基材之1面側設置有實施例1之黏著劑層、於基材之2面側設置有實施例2之黏著劑層的實施例9之兩面黏著膠帶20時，黏著劑層之總厚度變厚，作為兩面黏著膠帶20之出氣總量稍增加相應的份量，因此薄膜基板上的抗反射膜之外觀雖為稍為不良的結果，但其他評估為良好，均為實用上無問題的等級。

藉此，確認到使用「將使含有烯基之聚矽氧膠(G)與不含有烯基之聚矽氧樹脂(R)摻合成為質量比(G)/(R)=35/65~100/0之範圍，且使烯基之含量成為1.0×10^-5 ~1.0×10^-3 mol/g之範圍的加成反應型聚矽氧系樹脂，藉由具有SiH基之有機聚矽氧烷及鉑族金屬系觸媒加熱/硬化而得的樹脂組成物」作為黏著劑層，且設計為「於He環境下所測定的200℃之黏著劑層之儲存模數為1.0×10⁵ ~ 1.0×10⁷ Pa之範圍，且於真空度1.0×10^-4 Torr以下之環境下，以昇溫速度10℃/分鐘由23℃昇溫至200℃後，進一步於200℃維持30分鐘時，使由黏著膠帶所產生之出氣總量成為180mg/m² 以下」的實施例1~8之單面黏著膠帶10、實施例9之兩面黏著膠帶20，適合作為真空製程用黏著膠帶。

相對於此，如表3~4所示，可知使用比較例1~4之單面黏著膠帶、比較例5之兩面黏著膠帶20時，由於不滿足本發明之構成，因此薄膜基板之臨時固定力、薄膜基板之再剝離性、對薄膜基板之黏著劑殘留、薄膜基板上之抗反射膜之外觀的至少任一種評估結果，較實施例1~9為不良。

具體而言，比較例1之單面黏著膠帶10，由於加成反應型聚矽氧系樹脂之烯基之含量少，交聯/硬化後之黏著劑層之儲存模數小，因此出氣總量為多，薄膜基板上之抗反射膜之外觀較實施例為不良。又，黏著劑層之黏著力亦大，故薄膜基板之再剝離性亦較實施例為不良。

又，比較例2之單面黏著膠帶10，由於加成反應型聚矽氧系樹脂之烯基之含量多，交聯/硬化後之黏著劑層之儲存模數過大，因此黏著劑層之黏著力變得過小，無法將薄膜基板充分地臨時固定，於成膜製程之時薄膜基板脫落，無法成膜而形成抗反射膜。

進一步地，比較例3之單面黏著膠帶10，由於聚矽氧膠(G)與聚矽氧樹脂(R)之質量比(G)/(R)為30/70，聚矽氧樹脂(R)之比率多，黏著劑層之黏著力變得過大，因此薄膜基板之再剝離性、對薄膜基板之黏著劑殘留較實施例為不良。

又進一步地，比較例4之單面黏著膠帶10，由於未摻合交聯劑，黏著劑層之交聯/硬化未進行，因此凝集力小，無法以輥對輥方式製作良好之黏著膠帶。再者，以薄片所製作之黏著膠帶的出氣量仍多。

又進一步地，比較例5之兩面黏著膠帶20，雖為於基材之1面側設置有實施例3之黏著劑層，於基材之2面側設置有實施例1之黏著劑層的兩面黏著膠帶，但由於來自基材之1面側之黏著劑層的出氣量稍多，因此與基材之2面側之黏著劑層的出氣量相加之作為兩面黏著膠帶20之出氣總量為多，故薄膜基板上之抗反射膜之外觀較實施例為不良。

1:基材 2,3:黏著劑層 10,10’:單面黏著膠帶 11:載體基板 12:薄膜基板 20:兩面黏著膠帶 30,40:臨時固定有薄膜基板的載體基板之縱置姿勢的概要圖 50,60,70,80:臨時固定有薄膜基板的載體基板之概要圖

[圖1]顯示應用本實施形態的單面黏著膠帶之構成的一例之圖。 [圖2]顯示應用本實施形態的兩面黏著膠帶之構成的一例之圖。 [圖3]顯示藉由應用本實施形態的兩面黏著膠帶將複數枚之薄膜基板臨時固定於載體基板之縱置姿勢的狀態之一例之圖。 [圖4]顯示藉由應用本實施形態的兩面黏著膠帶將複數枚之薄膜基板臨時固定於載體基板之縱置姿勢的狀態之別的一例之圖。 [圖5]顯示應用本實施形態的單面黏著膠帶所進行之薄膜基板對載體基板之臨時固定方法的一例之圖。 [圖6]顯示應用本實施形態的單面黏著膠帶所進行之薄膜基板對載體基板之臨時固定方法之別的一例之圖。 [圖7]顯示應用本實施形態的兩面黏著膠帶所進行之薄膜基板對載體基板之臨時固定方法的一例之圖。 [圖8]顯示應用本實施形態的兩面黏著膠帶所進行之薄膜基板對載體基板之臨時固定方法之別的一例之圖。

1:基材

2:黏著劑層

10:單面黏著膠帶

Claims

一種真空製程用黏著膠帶，其係具備基材，與基材之至少一面上的黏著劑層的真空製程用黏著膠帶，其中前述黏著劑層包含樹脂組成物，該樹脂組成物含有：作為主成分之加成反應型聚矽氧系樹脂、作為交聯劑之1分子中具有至少2個以上的鍵結於矽原子之氫原子(SiH)之有機聚矽氧烷，及作為觸媒之鉑族金屬系觸媒，前述加成反應型聚矽氧系樹脂，為包含含有鍵結於矽原子之烯基的有機聚矽氧烷之聚矽氧膠(G)與包含不含有鍵結於矽原子之烯基的有機聚矽氧烷之聚矽氧樹脂(R)，以成為該質量比(G)/(R)中，(G)/(R)=50/50~70/30之範圍的方式摻合者，且鍵結於矽原子之烯基的含量為1.0×10^-5~1.0×10^-3mol/g之範圍，前述黏著劑層，於He環境下所測定的200℃之儲存模數為1.0×10⁵~1.0×10⁷Pa之範圍，前述黏著膠帶，於真空度1.0×10^-4Torr以下之環境下，以昇溫速度10℃/分鐘由23℃昇溫至200℃後，進一步於200℃維持30分鐘時，所產生的出氣之總量為180mg/m²以下。
如請求項1之真空製程用黏著膠帶，其中前述基材為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜。
如請求項1或2之真空製程用黏著膠帶，其係應用於在耐熱基板上形成選自抗反射膜、防眩膜、防污膜、著色膜之群的一種機能性薄膜。
如請求項1之真空製程用黏著膠帶，其中上述包含不含有鍵結於矽原子之烯基的有機聚矽氧烷之聚矽氧樹脂(R)，為具有R² ₃SiO_0.5單位(M單位)及SiO₂單位(Q單位)之有機聚矽氧烷(R²為碳數1~10之1價烴基)。