TW202003736A

TW202003736A - 黏著片

Info

Publication number: TW202003736A
Application number: TW107139279A
Authority: TW
Inventors: 渡邉旭平; 荒井隆行
Original assignee: 日商琳得科股份有限公司
Priority date: 2018-02-07
Filing date: 2018-11-06
Publication date: 2020-01-16
Also published as: CN110117468B; CN110117468A; KR102603841B1; TWI798285B; JP6646083B2; JP2019137741A; KR20190095869A

Abstract

提供黏著片1，其係包括基材11和積層於基材11的一側的表面的黏著劑層12之黏著片1，基材11積層了黏著劑層12的表面的算術平均粗糙度（Ra）為25nm以下，黏著劑層12係由1分子中含有至少2個烯基的第1聚二甲基矽氧烷及1分子中含有至少2個氫化矽烷基的第2聚二甲基矽氧烷所得到的加成反應型聚矽氧樹脂、含有鉑催化劑的聚矽氧黏著劑、以及含有矽烷偶合劑的聚矽氧類黏著劑組合物所構成。上述黏著片1具有良好的去除性且對高光滑度的基材也具有優異的附著性。

Description

黏著片

本發明係有關於適合作為用來保護裝置（device）的保護片使用之黏著片（sheet）。

以往，光學構件和電子構件等的裝置，為了防止在加工、組裝、檢查等的過程中出現表面刮傷，會在此裝置的表面上貼附由基材及黏著劑層所構成的黏著片作為保護片。在不再需要保護時，會將此保護片從裝置剝離。

近年來，作為光學構件，從採用液晶裝置積極地發展為採用有機發光二極體（OLED）裝置。而且，積極地對具有可撓（flexible）性的OLED裝置（以下有時稱為「可撓式OLED裝置」）進行研究。此可撓式OLED裝置，與液晶裝置和一般的OLED裝置不同，其為可撓的，因此當使用傳統的保護片時，會產生難以從可撓式OLED裝置剝離的問題。再者，在OLED裝置的檢查過程中，可能會有暴露於高溫條件下的情形，因此保護片需要具有耐熱性。在這種情況下，作為形成黏著劑層的黏著劑，以聚矽氧（silicone）類黏著劑為佳。

專利文獻1及專利文獻2公開了聚矽氧類黏著劑或其使用範例。專利文獻1公開了一種與空氣中的水分反應而硬化之室溫硬化性的聚矽氧類黏著劑。特別是，在專利文獻1的實施例中，將含有預定的聚有機矽氧烷（polyorganosiloxane）及有機矽化合物的部分水解產物的組合物倒入模具中，並在23℃、50％RH的條件下固化7天，藉此形成由聚矽氧類黏著劑所構成的片材。

再者，專利文獻2公開了一種表面保護膜，其係包括基材、和積層於此基材的一側的表面上由聚矽氧類黏著劑所構成的黏著劑層之表面保護膜，其中此基材的上述黏著劑層側設置有抗靜電層。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 日本專利特開第2007-321122號公報 [專利文獻2] 日本專利特開第2013-107998號公報

[發明所欲解決的課題]

上述專利文獻1所公開的聚矽氧類黏著劑，係預設用於密封（sealing）、貼合及塗佈（coating）的用途之黏著劑，對於被黏著物無法展現充分的去除性。因此，包括由此聚矽氧類黏著劑所構成的黏著劑層之黏著片不適合作為裝置的保護片使用。

再者，OLED裝置的發光檢測相較於液晶裝置的發光檢測係以更嚴格的程度進行檢查，因此保護片需要具有高透明度。然而，在專利文獻2的實施例中，由於使用表面粗糙度相對較高的基材，因此上述基材所包括的表面保護膜具有相對較低的基材表面光滑度。基於前述理由，此表面保護膜無法充分地獲得在OLED裝置的發光檢測時所要求的高透明度。

進一步而言，由於傳統的聚矽氧類黏著劑對基材的附著性低，因此由聚矽氧類黏著劑所構成的黏著劑層容易發生從基材剝離的問題。特別是，基材設置黏著劑層的表面的光滑度越高，黏著劑層對基材的附著性越低，進而容易發生上述剝離。

本發明係有鑑於上述情況而完成的，目的在於提供一種去除性良好且對於具有高光滑度的基材也具有優異的附著性之黏著片。 [用於解決課題的手段]

為了達成上述目的，第一，本發明提供一種黏著片，其係包括基材和積層於前述基材的一側的表面的黏著劑層之黏著片，其特徵在於：前述基材積層了前述黏著劑層的表面的算術平均粗糙度（Ra）為25nm以下，前述黏著劑層係由1分子中含有至少2個烯基的第1聚二甲基矽氧烷及1分子中含有至少2個氫化矽烷基的第2聚二甲基矽氧烷所得到的加成反應型聚矽氧樹脂、含有鉑催化劑的聚矽氧黏著劑、以及含有矽烷偶合劑的聚矽氧類黏著劑組合物所構成（發明1）。

根據上述發明（發明1）的黏著片，藉由黏著劑層由含有如以上所述的加成反應型聚矽氧樹脂的聚矽氧黏著劑所構成，能夠得到良好的去除性。再者，此黏著片，藉由黏著劑層由含有矽烷偶合劑的聚矽氧黏著劑所構成，對具有高光滑度的基材也能夠具有優異的附著性。

在上述發明（發明1）中，相對於100質量份的前述加成反應型聚矽氧樹脂，前述矽烷偶合劑的含量以0.001質量份以上、3.0質量份以下為佳（發明2）。

在上述發明（發明1、2）中，前述聚矽氧黏著劑以含有聚矽氧樹脂為佳（發明3）。

在上述發明（發明1~3）中，相對於100質量份的前述加成反應型聚矽氧樹脂，前述聚矽氧樹脂的含量以1質量份以上、40質量份以下為佳（發明4）。

在上述發明（發明1~4）中，前述基材的霧度值以3.5％以下為佳（發明5）。

在上述發明（發明1~5）中，以作為用來保護裝置的保護片使用為佳（發明6）。

在上述發明（發明6）中，前述裝置以可撓性裝置為佳（發明7）。 [發明效果]

根據本發明的黏著片具有良好的去除性和對具有高光滑度的基材的優異黏著性。

以下，將說明本發明的實施形態。 [黏著片] 如圖1所示，根據本實施形態的黏著片1，由基材11、積層於基材11的一側（圖1中的下側）的表面之黏著劑層12、積層於黏著劑層12上與基材11為相反側（圖1中的下側）的表面之剝離片13所構成。此剝離片13，用於在使用黏著片1之前保護黏著劑層12，且在使用黏著片1時被剝離而去除。根據本實施形態的黏著片1，也可以省略剝離片13。

1. 各部材（1）基材在本實施形態的基材11中，積層了黏著劑層的表面的算術平均粗糙度（Ra）為25nm以下。藉此，根據本實施形態的黏著片1具有高透明度，適合作為會進行發光檢測的裝置（例如液晶裝置或OLED裝置）的保護片。從此觀點來看，上述算術平均粗糙度（Ra）以15nm以下為佳，以9nm以下為特佳，且以4.5nm以下為更佳。再者，上述算術平均粗糙度（Ra）的下限值並沒有特別限定，但以0.1nm以上為佳，以0.5nm以上為特佳，且以1.0nm以上為更佳。上述算術平均粗糙度（Ra）的測量方法的細節，如後續描述的試驗例所記載。

在本實施形態的基材11中，積層了黏著劑層的表面的均方根高度（Rq）以45nm以下為佳，以20nm以下為較佳，以10nm以下為特佳，且以6nm以下為更佳。藉由使此均方根高度（Rq）介於上述範圍內，根據本實施形態的黏著片1的透明度變得更高。上述均方根高度（Rq）的下限值並沒有特別限定，但以0.5nm以上為佳，以1.0nm以上為特佳，且以2.0nm以上為更佳。上述均方根高度（Rq）的測量方法的細節，如後續描述的試驗例所記載。

在本實施形態的基材11中，積層了黏著劑層的表面的最大高度（Rz）以400nm以下為佳，以300nm以下為較佳，以200nm以下為特佳，且以130nm以下為更佳。藉由使此最大高度（Rz）介於上述範圍內，根據本實施形態的黏著片1的透明度變得更高。上述最大高度（Rz）的下限值並沒有特別限定，但以10nm以上為佳，以20nm以上為特佳，且以30nm以上為更佳。上述最大高度（Rz）的測量方法的細節，如後續描述的試驗例所記載。

在本實施形態的基材11中，積層了黏著劑層的表面的最大截面高度（Rt）以500nm以下為佳，以400nm以下為特佳，且以300nm以下為更佳。藉由使此最大截面高度（Rt）介於上述範圍內，根據本實施形態的黏著片1的透明度變得更高。上述最大截面高度（Rt）的下限值並沒有特別限定，但以10nm以上為佳，以30nm以上為特佳，且以50nm以上為更佳。上述最大截面高度（Rt）的測量方法的細節，如後續描述的試驗例所記載。

本實施形態的基材11的總透光率以80％以上為佳，以85％以上為特佳，且以88％以上為更佳。藉由使總透光率為80％以上，根據本實施形態的黏著片1的透明度變得更高。上述總透光率的上限值並沒有特別限定，但以100％以下為佳，以98％以下為特佳，且以93％以下為更佳。另外，基材11的總透光率，係根據JIS K7361-1：1997及ASTM D 1003所測量，其詳細的測量方法，如後續描述的試驗例所記載。

本實施形態的基材11，霧度值以3.5％以下為佳，以2.5％以下為較佳，以2.0％以下為特佳，且以1.3％以下為更佳。藉由使霧度值為3.5％以下，根據本實施形態的黏著片1的透明度變得更高，例如能夠毫無問題地進行OLED裝置的發光檢測。對於上述霧度值的下限值，並沒有特別限定，但以0.1％以上為佳，以0.2％以上為特佳，且以0.3％以上為更佳。另外，基材11的霧度值，係根據JIS K7136：2000及ASTM D 1003所測量，其詳細的測量方法，如後續描述的試驗例所記載。

作為基材11，只要能夠實現上述算術平均粗糙度（Ra）且同時能夠積層出黏著劑層12即可，並沒有特別限定。在將根據本實施形態的黏著片1作為裝置的保護片使用的情況下，基材11以採用對於裝置的發光檢測時所使用的波長之光線具有透光性的基材為佳。再者，基材11以採用在對為保護對象的裝置進行檢查時所施加的高溫（例如，90～150℃）具有耐熱性的基材為佳。

作為基材11的具體範例，以聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate）、聚萘二甲酸乙二酯（polyethylene naphthalate）、聚對苯二甲酸丁二酯（polybutylene terephthalate）等的聚酯、二乙醯纖維素（diacetyl cellulose）、三乙醯纖維素（triacetyl cellulose）、乙醯纖維素丁酸酯（acetyl cellulose butyrate）等的纖維素、聚醯亞胺（polyimide）、聚醚醯亞胺（polyether imide）、聚碳酸酯（polycarbonate）、聚甲基戊烯（polymethylpentene）、聚苯硫醚（polyphenylene sulfide）、液晶聚合物（liquid crystal polymer）等的樹脂所構成的塑膠薄膜（plastic film）為佳。上述塑膠薄膜可以是單層所構成的薄膜，也可以是將相同種類或不同種類的多層積層所得到的薄膜。在上述之中，從透明度及成本的觀點來看，以聚酯薄膜或纖維素薄膜為佳，而進一步從耐熱性的觀點來看，以聚酯薄膜為佳，且以聚對苯二甲酸乙二酯薄膜為特佳。

另外，上述塑膠薄膜，也可以含有抗靜電劑、耐熱性增強劑、紫外線吸收劑等的添加劑，而在要求高透明度的情況下，以不含填料（filler）為佳。

本實施形態的基材11，只要能夠實現上述算術平均粗糙度（Ra），其一側的表面或兩側的表面上也可以包括所需的功能性層。作為此功能性層，例如可以列舉出抗靜電層、硬塗（hard coat）層、抗反射層、防眩層、潤滑層、顏色校正層等。在上述之中，以基材11包括有抗靜電層為佳。藉由使基材11包括有抗靜電層，本實施形態的黏著片1變得具有所需的抗靜電性。由此，可以抑制在將剝離片13從黏著片1剝離時或是在將黏著片1從被黏著物剝離時的剝離靜電，進而能夠有效地抑制碎屑或灰塵附著於黏著片1或被黏著物。

上述抗靜電層，以例如由含有導電高分子和黏結（binder）樹脂的抗靜電層用組合物所構成的膜層為佳。導電高分子及黏結樹脂可以使用傳統已知的材料。

在基材11的一側表面或兩側表面包括有抗靜電層的情況下，抗靜電層的厚度（在兩側表面的情況下，係指其中一側的抗靜電層的厚度），從易於表現出良好的抗靜電性的觀點來看，以10nm以上為佳，以20nm以上為特佳，且以30nm以上為更佳。再者，上述厚度，從基材11的強度及成本的觀點來看，以200nm以下為佳，以150nm以下為特佳，且以100nm以下為更佳。

再者，在基材11具有抗靜電性的情況下，其表面電阻率以1×10¹⁰ Ω/sq以下為佳，以1×10⁹ Ω/sq以下為特佳，且以1×10⁸ Ω/sq以下為更佳。當表面電阻率為1×10¹⁰ Ω/sq以下時，容易將黏著片1的剝離靜電電壓抑制為0.2 kV以下，能夠易於防止由於靜電效應造成碎屑的附著或對裝置的電性造成不良的影響。另外，上述表面電阻率的下限值並沒有特別限定，但以1×10⁵ /sq以上的程度為佳。再者，上述表面電阻率及上述剝離靜電電壓的測量方法的細節，如後續描述的試驗例所記載。

再者，基材11只要能夠實現上述算術平均粗糙度（Ra），也可以根據所需以氧化法或粗化法等進行表面處理、或進行表面處理劑（primer）處理，以達到提高與黏著劑層12的附著性之目的。作為上述氧化法，可列舉出電暈（corona）放電處理、電漿（plasma）放電處理、鉻（chromium）氧化處理（濕式）、火焰處理、熱空氣處理、臭氧、紫外線照射處理等。再者，作為粗化法，可列舉出噴砂（sand blast）法、熱噴塗法等。這些表面處理方法可根據基材的種類適當選擇。

基材11的厚度，以10μm以上為佳，以25μm以上為特佳，且以38μm以上為更佳。再者，基材11的厚度，以200μm以下為佳，以175μm以下為特佳，且以150μm以下為更佳。藉由使基材11的厚度介於上述範圍內，根據本實施形態的黏著片1的透明度、耐熱性及貼附/剝離的加工性變得更加優異。

（2）黏著劑層黏著劑層12，由1分子中含有至少2個烯基的第1聚二甲基矽氧烷（polydimethylsiloxane）及1分子中含有至少2個氫化矽烷(hydrosilyl)基的第2聚二甲基矽氧烷所得到的加成反應型聚矽氧樹脂、含有鉑催化劑的聚矽氧黏著劑、以及含有矽烷偶合（silane coupling）劑的聚矽氧類黏著劑組合物所構成。

根據本實施形態的黏著片1，藉由黏著劑層12由含有如以上所述的加成反應型聚矽氧樹脂的聚矽氧黏著劑所構成，能夠實現對被黏著物具有良好的去除性。進一步而言，藉由黏著劑層12由含有矽烷偶合劑的聚矽氧類黏著劑組合物所構成，因此能夠實現對基材11具有優異的附著性。特別是，即使在基材11積層了黏著劑層的表面的算術平均粗糙度（Ra）介於前述範圍內的情況下，也能夠確保與基材11和黏著劑層12之間具有優異的附著性。因此，根據本實施形態的黏著片1適合作為裝置的保護片，特別是非常適合作為需要高透明度的保護片，例如OLED裝置用的保護片。

（2-1）聚矽氧黏著劑聚矽氧黏著劑，只要含有上述加成反應型聚矽氧樹脂及鉑催化劑，而且能夠將根據本實施形態的黏著片1黏貼於被黏著物以及將其從被黏著物剝離即可，並沒有特別限制。根據本實施形態的黏著片1，在作為保護在檢查或使用時會暴露於高溫（例如，90～150℃）的被黏著物之保護片的情況下，聚矽氧黏著劑係以即使在這樣的高溫下也可以表現出穩定的黏著力之黏著材料為佳。特別是，在被黏著物為可撓式OLED裝置等的可撓性裝置的情況下，為了易於將根據本實施形態的黏著片1從可撓式裝置剝離，以選擇去除性優異的微黏著性之聚矽氧黏著劑為佳。另外，相較於丙烯酸黏著劑，聚矽氧黏著劑即使在高溫下也表現出穩定的黏著力，且耐熱性優異。

本實施形態的加成反應型聚矽氧樹脂，係由1分子中含有至少2個烯基的第1聚二甲基矽氧烷及1分子中含有至少2個氫化矽烷基的第2聚二甲基矽氧烷所得到。

作為上述第1聚二甲基矽氧烷中所含的烯基，可列舉出乙烯基、烯丙基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基等的1價烴基，其中以乙烯基為特佳。

第1聚二甲基矽氧烷中烯基的含量（相對於與矽原子鍵結的甲基的數量之烯基的數量的比例），以0.005莫耳％以上為佳，且以0.01莫耳％以上為特佳。再者，此含量，以0.1莫耳％以下為佳，且以0.05莫耳％以下為特佳。第1聚二甲基矽氧烷，以在分子鏈的兩端具有烯基為佳，也可以在側鏈上具有烯基。藉由使第1聚二甲基矽氧烷的1分子中含有至少2個烯基，且烯基的含量介於上述範圍內，可形成具有高交聯密度的交聯結構，且能夠得到去除性優異的黏著劑層。

第1聚二甲基矽氧烷的聚合度（矽氧烷鍵的數量）以200以上為佳，且以500以上為特佳。再者，此聚合度，以5000以下為佳，且以3000以下為特佳。

第2聚二甲基矽氧烷中氫化矽烷基的含量，以1分子中含有2個以上為佳，且以4個以上為特佳。再者，此含量，以1分子中含有300個以下為佳，且以200個以下為特佳。

第2聚二甲基矽氧烷的聚合度，以50以上為佳，且以100以上為特佳。此聚合度，以2000以下為佳，且以1500以下為特佳。

進一步而言，相對於100質量份的第1聚二甲基矽氧烷，第2聚二甲基矽氧烷的調配比例以0.01質量份以上為佳，且以0.1質量份以上為特佳。再者，此調配比例，以20質量份以下為佳，且以10質量份以下為特佳。

如上所述，藉由使各官能基的含量及第1聚二甲基矽氧烷之第2聚二甲基矽氧烷的調配比例介於上述範圍內，第1聚二甲基矽氧烷與第2聚二甲基矽氧烷發生良好的加成反應，進而容易獲得加成反應型聚矽氧樹脂。

另外，第1聚二甲基矽氧烷以不含有氫化矽烷基為佳，而第2聚二甲基矽氧烷以不含有烯基為佳。

第1聚二甲基矽氧烷的重量平均分子量，以2萬以上為佳，且以30萬以上為特佳。此重量平均分子量，以130萬以下為佳，且以120萬以下為特佳。再者，第2聚二甲基矽氧烷的重量平均分子量，以300以上為佳，且以500以上為特佳。再者，此重量平均分子量，以1400以下為佳，且以1200以下為特佳。另外，在本說明書中，重量平均分子量為藉由凝膠滲透層析（gel permeation chromatography，GPC）法所測量的標準聚苯乙烯換算的值。

鉑催化劑，只要能夠使得加成反應型聚矽氧樹脂硬化（第1聚二甲基矽氧烷和第2聚二甲基矽氧烷之間的加成反應）即可，並沒有特別限定。作為鉑催化劑的優選範例，以微粒狀鉑、吸附於碳粉載體的微粒狀鉑、氯鉑酸、醇改質氯鉑酸、氯鉑酸的烯烴錯合物、鈀和銠等的鉑族金屬類化合物為佳。

相對於100質量份的上述加成反應型聚矽氧樹脂之催化劑的調配量，以鉑含量為0.01質量份以上為佳，且以0.05質量份以上為特佳。再者，此調配量，以鉑含量為3質量份以下為佳，且以2質量份以下為特佳。

聚矽氧黏著劑，以近一步含有聚矽氧樹脂為佳。藉由使聚矽氧黏著劑含有聚矽氧樹脂，所得到的黏著劑層12變得對基材具有更優異的附著性。由此，即使使用高度光滑的基材，也能夠表現出優異的基材附著性。作為聚矽氧樹脂，例如，以使用為單官能矽氧烷單元[（CH₃ ）₃ SiO_1/2 ]之M單元、和為四官能矽氧烷單元[SiO_4/2 ]之Q單元所構成的MQ樹脂為佳。在此情況下，M單位/Q單位的莫耳比以0.6以上、1.7以下為佳。

在聚矽氧黏著劑含有聚矽氧樹脂的情況下，相對於100質量份的加成反應型聚矽氧樹脂之聚矽氧樹脂的調配量，以1質量份以上為佳，以3質量份以上為特佳，且以5質量份以上為更佳。再者，上述調配量，以40質量份以下為佳，以30質量份以下為特佳，且以20質量份以下為更佳。藉由使聚矽氧樹脂的調配量介於上述範圍內，能夠更高程度地兼顧基材的黏著性和作為黏著片的去除性。

（2-2）矽烷偶合劑矽烷偶合劑，以分子中含有至少1個與矽原子鍵結的烷氧基，且同時含有至少1個與有機化合物具有反應性的官能基之有機矽化合物為佳。

作為上述與有機化合物具有反應性的官能基的範例，可列舉出選自縮水甘油基、胺基、乙烯基、異氰酸酯基、巰基、（甲基）丙烯醯基、苯乙烯基、脲基等的其中至少一者。在上述之中，從易於在黏著劑層12與基材11之間實現優異的附著性的觀點來看，矽烷偶合劑以具有縮水甘油基和胺基的其中至少一者為佳，且以具有胺基為特佳。再者，從改善上述官能基的反應性且同時改善與聚矽氧類黏著劑組合物中的其他成分之間的相溶性的觀點來看，以上述官能基以及與烷氧基鍵結的矽原子之間插入由通式C_n H_2n （n表示正整數）所表示的烴鏈作為間隔基（spacer）為佳。在此情況下，上述通式C_n H_2n 中n的值，以1以上為佳，且以2以上為特佳。再者，n的值以10以下為佳，且以8以下為特佳。

作為具有縮水甘油基的矽烷偶合劑的範例，可列舉出3-縮水甘油基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油基丙基甲基二乙氧基矽烷、2-（3,4-環氧環己基）乙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-縮水甘油基丙基三乙氧基矽烷、8-縮水甘油基丙基三甲氧基矽烷等。在上述之中，從易於在黏著劑層12與基材11之間實現優異的附著性的觀點來看，以使用3-縮水甘油基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油基丙基甲基二乙氧基矽烷、2-（3,4-環氧環己基）乙基三甲氧基矽烷、以及8-縮水甘油基丙基三甲氧基矽烷的至少1種為佳。

再者，具有縮水甘油基的矽烷偶合劑，也可以是含有上述材料作為構成單體（monomer）的低聚物（oligomer）。在此情況下，此低聚物的環氧當量，以100g/mol以上為佳，且以150g/mol以上為特佳。再者，此環氧當量，以1000g/mol以下為佳，且以900g/mol以下為特佳。進一步而言，上述低聚物的烷氧基含量，以20質量％以上為佳，且以30質量％以上為特佳。再者，此烷氧基含量，以80質量％以下為佳，且以70質量％以下為特佳。藉由使用這種低聚物，易於在黏著劑層12與基材11之間實現優異的附著性。

作為具有胺基的矽烷偶合劑的範例，可列舉出3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-2-（胺基乙基）-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-2-（胺基乙基）-8-辛基三甲氧基矽烷、N-2-（胺基乙基）-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-三乙氧基甲矽烷基-N-（1,3-二甲基-亞丁基）丙胺、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-（乙烯基芐基）-2-胺基乙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷的鹽酸鹽等。在上述之中，從易於在黏著劑層12與基材11之間實現優異的附著性的觀點來看，以使用3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-2-（胺基乙基）-3-胺基丙基三甲氧基以及N-2-（胺基乙基）-8-胺基辛基三甲氧基矽烷的至少1種為佳。

另外，上述矽烷偶合劑，可以單獨使用1種，也可以組合2種以上使用。

在聚矽氧類黏著劑組合物中，相對於100質量份的加成反應型聚矽氧樹脂，矽烷偶合劑的含量，以0.001質量份以上為佳，以0.005質量份以上為特佳，且以0.01質量份以上為更佳。再者，相對於100質量份的加成反應型聚矽氧樹脂，矽烷偶合劑的含量，以3.0質量份以下為佳，以2.0質量份以下為較佳，以1.0質量份以下為特佳，且以0.5質量份以下為更佳。藉由使矽烷偶合劑的含量為0.001質量份以上，易於在黏著劑層12與基材11之間實現優異的附著性。再者，藉由矽烷偶合劑的含量為3.0質量份以下，可抑制根據本實施形態的黏著片1與被黏著物之間的黏著力變得過高，能夠確保黏著片1具有良好的去除性。

（2-3）其他成分本實施形態的聚矽氧類黏著劑組合物，除了上述成分以外，也可以含有抗靜電劑、分散劑、交聯劑、反應抑制劑、擴散填料、顏料、染料、紫外線吸收劑等的各種添加劑。

（2-4）黏著劑層的厚度黏著劑層12的厚度，以5μm以上為佳，以10μm以上為特佳，且以15μm以上為更佳。再者，黏著劑層12的厚度，以100μm以下為佳，以75μm以下為特佳，且以50μm以下為更佳。藉由使黏著劑層12的厚度介於上述範圍內，根據本實施形態的黏著片1變得易於對被黏著物展現出適當的黏著力。結果，能夠有效地抑制黏著片1意外地從被黏著物剝離，且同時變得易於實現黏著片1的良好去除性。

（3）剝離片作為剝離片13，只要不會對黏著劑層12產生不利的影響，並沒有特別限定，例如可使用聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚對苯二甲酸丁二酯膜、聚氨酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯膜、離聚物樹脂膜、乙烯-（甲基）丙烯酸共聚物膜、乙烯-（甲基）丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚醯亞胺膜、氟樹脂膜等。再者，也可以使用上述材料的交聯膜。進一步而言，也可以使用上述材料的積層膜。在上述之中，以處理（handling）性優異的聚對苯二甲酸乙二酯膜為佳。

也可以對上述剝離片13中與黏著劑層12接觸的表面施加剝離處理。作為用於剝離處理的剝離劑，例如可列舉出氟類、醇酸類、聚矽氧類、不飽和聚酯類、聚烯烴類、蠟類的剝離劑。

上述剝離片13也可以在其一側的表面或兩側的表面設置抗靜電層。另外，也可以對剝離片13的同一側的表面進行上述剝離處理以及設置抗靜電層，在此情況下，在設置抗靜電層之後，在此抗靜電層上進行剝離處理。此抗靜電層可以是已知的抗靜電層，例如，能夠由與用於在基材11上形成抗靜電層之抗靜電層組合物相同的抗靜電層組合物來形成。再者，剝離片13的抗靜電層的厚度，並沒有特別限定，也可以具有與在基材11上的抗靜電層相同的厚度。

再者，剝離片13，也以透過以上所述之方法對其提供抗靜電性為佳。藉此，變得易於降低黏著片1的剝離靜電電壓，且在將剝離片13剝離之後將黏著片1的靜電抑制為最小化。從這樣的觀點來看，剝離片13中與黏著劑層接觸的一側的表面之表面電阻率，以1×10¹² Ω/sq以下為佳，以1×10¹¹ Ω/sq以下為特佳，且以1×10¹⁰ Ω/sq以下為更佳另外，上述表面電阻率的下限值並沒有特別限制，但以大約1×10⁷ Ω/sq以上為佳。再者，上述表面電阻率及上述剝離靜電電壓的測量方法的細節，如後續描述的試驗例所記載。

對於剝離片13的厚度並沒有特別限制，通常以15μm以上為佳，且以25μm以上為特佳。再者，此厚度，通常以100μm以下為佳，且以75μm以下為特佳。

2. 黏著片的物性（1）總透光率本實施形態的黏著片1，總透光率（在黏著片1包括剝離片13的情況下，將此剝離片13剝離去除而得到的積層體之總透光率）以80％以上為佳，以85％以上為特佳，且以90％以上為更佳。藉由使上述總透光率為80％以上，根據本實施形態的黏著片1變得易於實現優異的透明度，且非常適合作為需要高透明度的保護片，例如OLED裝置用的保護片。上述總透光率的上限值並沒有特別限制，以100％以下為佳，以98％以下為特佳，且以94％以下為更佳。另外，上述總透光率，係根據JIS K7361-1：1997及ASTM D 1003所測量，其詳細的測量方法，如後續描述的試驗例所記載。

（2）霧度（Haze）值本實施形態的黏著片1，霧度值（在黏著片1包括剝離片13的情況下，將此剝離片13剝離去除而得到的積層體之霧度值）以4％以下為佳，以3％以下為較佳，以2％以下為特佳，且以1.5％以下為更佳。藉由使上述霧度值為4％以下，根據本實施形態的黏著片1能夠實現優異的透明度，且變得非常適合作為需要高透明度的保護片，例如OLED裝置用的保護片。上述霧度值的下限值並沒有特別限制，以0.1％以上為佳，以0.2％以上為特佳，且以0.3％以上為更佳。另外，上述霧度值，係根據JIS K7136：2000及ASTM D 1003所測量，其詳細的測量方法，如後續描述的試驗例所記載。

（3）黏著力根據本實施形態的黏著片1，黏著劑層12上與基材11為相反側的表面（以下有時稱為「黏著表面」）貼附於鈉鈣玻璃（soda-lime glass）之後，以0.3m/min的剝離速度將黏著片從上述鈉鈣玻璃剝離時所測量到的黏著力，以10mN/25mm以上為佳，以20mN/25mm以上為特佳，且以25mN/25mm以上為更佳。藉由使此黏著力為10mN/25mm以上，能夠抑制黏著片1從被黏著物上意外地剝離。再者，上述黏接力，以300mN/25mm以下為佳，以200mN/25mm以下為較佳，以100mN/25mm以下為特佳，且以50mN/25mm以下為更佳。藉由使此黏著力為300mN/25mm以下，黏著片1變得易於實現優異的去除性。

再者，根據本實施形態的黏著片1，在將黏著表面貼附於鈉鈣玻璃上之後，以2.0m/min的剝離速度將黏著片從上述鈉鈣玻璃剝離時所測量到的黏著力，以20mN/25mm以上為佳，以30mN/25mm以上為特佳，且以40mN/25mm以上為更佳。再者，上述黏著力，以400mN/25mm以下為佳，以300mN/25mm以下為較佳，以200mN/25mm以下為特佳，且以100mN/25mm以下為更佳。在使用根據本申請實施形態的黏著片1作為這種保護片的情況下，藉由以2.0m/min的剝離速度進行剝離時的黏著力介於上述範圍內，變得易於實現特別優異的去除性。

另外，上述黏著力，係根據JIS Z0237：2009所測量，其詳細的測量方法，如後續描述的試驗例所記載。

根據本實施形態的黏著片1，以用0.3m/min的剝離速度進行剝離時所測量到的黏著力與用2.0m/min的剝離速度進行剝離時所測量到的黏著力之間的差異小為佳。具體而言，剝離速度為2.0m/min時的黏著力與剝離速度為0.3m/min時的黏著力之間的差異的絕對值，以200mN/25mm以下為佳，以100mN/25mm以下為特佳，且以50mN/25mm以下為更佳。藉由黏著力的差異介於這樣的範圍內，使得黏著片1在使用時容易牢固地固定於被黏著物上而在使用後容易剝除。另外，上述絕對值的下限值並沒有特別限定，例如，以1mN/25mm以上為佳，特別且以10mN/25mm以上為特佳。

（4）剝離力根據本實施形態的黏著片1，在將黏著表面貼附於聚對苯二甲酸乙二酯膜上之後，以0.3m/min的剝離速度將黏著片從上述聚對苯二甲酸乙二酯膜剝離時所測量到的剝離力，以100mN/25mm以下為佳，以70mN/25mm以下為特佳，且以50mN/25mm以下為更佳。藉由使此剝離力為100mN/25mm以下，變得可以更容易地將黏著片1從被黏著物剝離，且易於實現優異的去除性。再者，上述剝離力，以5mN/25mm以上為佳，以10mN/25mm以上為特佳，且以15mN/25mm以上為更佳。藉由此剝離力為5mN/25mm以上，能夠使得隧道（tunneling）難以發生。

再者，根據本實施形態的黏著片1，在將黏著表面貼附於聚對苯二甲酸乙二酯膜上之後，以2.0m/min的剝離速度將黏著片從上述聚對苯二甲酸乙二酯膜剝離時所測量到的剝離力，以200mN/25mm以下為佳，以150mN/25mm以下為特佳，且以100mN/25mm以下為更佳。再者，上述剝離力，以10mN/25mm以上為佳，以20mN/25mm以上為特佳，且以30mN/25mm以上為更佳。藉由此剝離力為10mN/25mm以上，能夠使得隧道難以發生。藉由以2.0m/min的剝離速度進行剝離時的剝離力為上述上限值以下，在將本申請實施形態的黏著片1作為從被黏著物剝離時，需要快速而不需要很大的力量進行剝離之保護片（例如，可撓性裝置用保護片）的情況下，變得容易實現特別優異的去除性。

另外，以上所述的剝離力，係根據JIS Z0237：2009所測量，其詳細的測量方法，如後續描述的試驗例所記載。

再者，在將黏著片1用於特別容易受到靜電影響的被黏著物的情況下、或者用於存在灰塵等的環境下時，黏著片1以能抑制剝離靜電性者為佳。從這種觀點來看，黏著片1的剝離靜電電壓，以0.2kV以下為佳，且以0.1kV以下為特佳。另外，上述剝離靜電電壓的測量方法的細節，如後續描述的試驗例所記載。

3. 黏著片的製造方法根據本實施形態的黏著片1的製造方法並沒有特別限定。例如，在基材11的一側的表面上塗佈含有上述聚矽氧類黏著劑組合物以及根據所需的稀釋劑之塗佈溶液之後，將所得到的塗膜乾燥並熱硬化，以形成黏著劑層12，藉此可以製造出黏著片1。

上述稀釋劑並沒有特別限制，可以使用各種稀釋劑。例如，以甲苯、己烷、庚烷等的烴化合物為首，還可以使用丙酮、乙酸乙酯、甲基乙基酮、甲基異丁基酮以及上述的混合物等。

上述聚矽氧類黏著劑組合物的塗佈溶液之塗佈，可以藉由常用的方法進行，例如，可以使用棒塗（bar coating）法、刀塗（knife coating）法、輥塗（roll coating）法、刮刀塗佈（blade coating）法、模具塗佈（die coating）法、凹版塗佈（gravure coating）法。塗佈了上述塗佈溶液之後，對塗膜加熱並乾燥為佳。

作為上述熱硬化的條件，加熱溫度以80℃以上、180℃以下為佳，且加熱時間以10秒以上、150秒以下為佳。

在如以上所述形成黏著劑層12之後，可以將剝離片13貼合至此黏著劑層12，進而得到黏著片1。

另外，在上述製造方法中，黏著劑層12形成在基材11上，然而也可以黏著劑層12形成在剝離片13上，然後將基材11貼合至黏著劑層12上。

4. 黏著片的用途根據本實施形態的黏著片1的用途，並沒有特別限定，適合作為在裝置的加工、組裝、檢查等的過程中用於防止裝置的表面出現傷痕之保護片使用。再者，根據本實施形態的黏著片1，也適合作為終端使用者（End-user）用來貼附到智慧型手機（smartphone）等的電子設備的顯示器（display）之保護片。

根據本實施形態的黏著片1，黏著劑層由聚矽氧黏著劑所構成，能夠實現良好的去除性。因此，在將已經完成保護作用的黏著片1從裝置剝離時，在基材11與黏著劑層12之間的界面處發生剝離，可以抑制黏著劑層12的一部分殘留在裝置上。而且，將黏著片1從裝置剝離時，可以抑制裝置發生損壞或損傷。

在將黏著片1作為裝置之保護片使用的情況下，作為此裝置的範例，可列舉出光學構件、電子構件等。特別是，根據本實施形態的黏著片1，作為保護對象的裝置以可撓性裝置為佳。再者，根據本實施形態的黏著片1，作為保護對象的裝置，以在貼附了黏著片1的狀態下需要發光檢測或高溫條件的裝置為佳。因此，藉由根據本實施形態的黏著片1所保護的裝置，以OLED裝置為佳，且以可撓式OLED裝置為特佳。

根據本實施形態的黏著片1，藉由基材11中積層了黏著劑層12的表面的算術平均粗糙度（Ra）介於前述範圍內，黏著片1整體具有優異的透明度。因此，可以在貼附了黏著片1的狀態下良好地進行裝置的發光檢測等。特別是，即使是對於以比一般更嚴格的程度進行發光檢測的裝置（例如OLED裝置），也能夠良好地抑制對發光檢測的不利影響。

再者，如以上所述，根據本實施形態的黏著片1，基材11中積層了黏著劑層12的表面，具有前述算術平均粗糙度（Ra），變成具有高光滑度的表面。儘管如此，藉由黏著劑層12由含有矽烷偶合劑的聚矽氧類黏著劑組合物所形成，因此在基材11與黏著劑層12之間的界面處變得具有優異的附著性。因此，根據本實施形態的黏著片1，能夠抑制在基材11與黏著劑層12之間的界面處發生意外的剝離，且在將黏著片1從被黏著物剝離時，可抑制只有黏著劑層12殘留於被黏著物上的現象。再者，即使在將本實施形態的黏著片1捲繞成捲狀物(roll)的情況下，也能夠抑制造成基材11與黏著劑層12之間的界面處出現剝離之隧道的發生。

[附保護片的可撓式裝置] 根據本實施形態的附保護片的可撓式裝置，根據本實施形態的黏著片1作為保護片貼附於可撓性裝置的至少一側表面。作為本實施形態的可撓式裝置，可列舉出具有可撓性的光學構件和電子構件等，以可撓式OLED裝置為特佳。

以上所說明的實施形態係為了易於理解本發明所記載的內容，並不是為了限定本發明而記載。因此，在上述實施形態中公開的各個元件也涵蓋屬於本發明的技術範圍之所有設計變化和均等物。

例如，也可以在黏著片1中的基材11與黏著劑層12之間插入其他層（例如抗靜電層），或者也可以在基材11上與黏著劑層12為相反側的表面積層其他層（例如抗靜電層）。 [實施例]

以下，將透過實施例等更具體地說明本發明，然而本發明的範圍不限定於這些實施例等。

[實施例1] 1. 聚矽氧類黏著劑組合物的塗佈溶液的製備將100質量份的加成反應型聚矽氧樹脂（信越化學工業公司所製造，產品名為「KS-847H」）作為聚矽氧黏著劑的主要成分、2質量份的鉑催化劑（道康寧東麗（Dow Corning Toray）公司所製造，產品名為「SRX 212 CATALYST」）、0.25質量份的3-縮水甘油基丙基三甲氧基矽烷（3-glycidoxypropyltrimethoxysilane）作為矽烷偶合劑、和15質量份的聚矽氧樹脂（道康寧東麗公司所製造，產品名為「SD-4584」）混合，並利用甲基乙基酮稀釋，以將其作為聚矽氧類黏著劑組合物的塗佈溶液。

2. 黏著片的製造利用刀塗法，在表1所示的基材A的一側的表面上塗佈在上述步驟中所得到的聚矽氧類黏著劑組合物的塗佈溶液，然後在130℃下進行2分鐘的熱處理，以形成厚度為25μm的黏著劑層。接著，將作為剝離片的聚對苯二甲酸乙二酯（PET）膜（東麗公司所製造，產品名為「Lumirror T60」，無剝離劑層，厚度：50μm）貼附於上述黏著劑層，以得到黏著片。

[實施例2～14，比較例1~5] 除了將矽烷偶合劑的種類及調配量、基材的種類、和剝離片的種類如表2所示進行變更之外，以與實施例1相同的方式製造黏著片。另外，在使用僅單一側的表面存在易黏著層之基材C或基材E的情況下，在存在易黏著層的表面上形成黏著劑層。

另外，關於所使用的基材A～基材E以及作為參考的2種基材（產品名為「T100F38」及「T100J」），各種基材所包括的塗佈層的種類、以及根據後續描述的試驗例所測量到的各種物性係顯示於表1。

再者，表2所記載的縮寫等的細節如以下所示。 [剝離片] Lumirror T-60：聚對苯二甲酸乙二酯膜（東麗公司所製造，產品名為「Lumirror T60」，無剝離劑層，厚度：50μm） PET25T-100（WJ）：聚對苯二甲酸乙二酯膜（三菱樹脂公司所製造，產品名為「PET25T-100（WJ）」，厚度：25μm，根據後續描述的試驗例所測量到的表面電阻率：2.4×10⁹ Ω/sq）

[試驗例1]（基材的表面粗糙度的測量）對表1所示之基材，測量各種表面粗糙度。具體而言，對於存在易黏著層或抗靜電層的基材之具有上述層的一側的表面、和對於不存在易黏著層及抗靜電層的基材之一側的表面，根據JIS B601：2001，使用光干涉顯微鏡（Veeco公司所製造，產品名為「表面形狀測量裝置WYKO NT110」），測量其算術平均表面粗糙度（Ra；單位為nm）、均方根高度（Rq；單位為nm）、最大高度（Rz；單位為nm）以及最大截面高度（Rt；單位為nm）。此時，將測量條件PSI，放大倍數設為50倍，並將測量點5處的平均值作為表面粗糙度的值。結果如表1所示。

[試驗例2]（基材等的表面電阻率的測量）對表1所示之基材、及上述產品名為「PET25T-100（WJ）」的剝離片，測量表面電阻率（Ω/sq）。具體而言，對於存在易黏著層或抗靜電層的基材之具有上述層的一側的表面、和對於不存在易黏著層及抗靜電層的基材之一側的表面，在23℃、相對濕度為50％的環境下，使用電阻率測量器（三菱化學分析儀公司所製造，產品名為「Hiresta UP MCP-HT450型」），根據JIS K6911：2006，測量對基材及剝離片施加100V的電壓10秒之後的表面電阻率（Ω/sq）。對於基材的測量結果如表1所示。再者，對於剝離片的測量結果如以上所述。

[試驗例3]（基材的總透光率及霧度值的測量）對於表1所示之基材，使用霧度計（日本電色工業公司所製造，NDH7000），根據JIS K 7361-1：1997及ASTM D 1003，測量總透光率（％），且同時根據JIS K7136：2000及ASTM D 1003，測量霧度值（％）。上述結果如表1所示。

[試驗例4]（基材附著性的評價）將實施例及比較例中所製造的黏著片，在23℃及50％RH的條件下靜置1天之後，將剝離片剝離。接著，對露出的黏著劑層使用切割刀具（cutter knife）刻入十字刻痕（50mm×50mm）。之後，用手指的指腹摩擦刻入刻痕處的黏著劑層，確認黏著劑層的脫落程度，並根據以下標準評價基材附著性。結果如表3所示。 ○：黏著劑層沒有從基材脫離，且可以保持良好的附著性。 △：黏著劑層的一部分從基材脫離，但可以保持一定程度的附著性。 ×：黏著劑層整個從基材脫離，表示附著性不足。

再者，將實施例及比較例中所製造的黏著片在85℃及85％RH的條件下靜置7天，且將實施例及比較例中所製造的黏著片在60℃及90％RH的條件下靜置7天，然後也以與上述相同的方式評價各自的基材附著性。上述的結果亦如表3所示。

[試驗例5]（黏著片的總透光率及霧度值的測量）將剝離片從實施例及比較例中所製造的黏著片剝離，使用霧度計（日本電色工業公司所製造，NDH7000），根據JIS K 7361-1：1997及ASTM D 1003，測量總透光率（％），且同時根據JIS K7136：2000及ASTM D 1003，測量霧度值（％）。上述的結果如表3所示。

另外，作為基材，分別使用產品名為「T100F38」及「T100J」的儀器，以與實施例1相同的方式製造2種黏著片，並測量其霧度值（％），結果任一者都超過4％。

[試驗例6]（黏著力的測量）將實施例及比較例中所製造的黏著片，裁切成長度為100mm、寬度為25mm。接著，將剝離片從上述黏著片剝離，露出的黏著劑層的露出表面，相對於鈉鈣玻璃以0.5MPa、50℃加壓20分鐘進而貼附於鈉鈣玻璃。之後，藉由在標準環境（23℃，50％RH）下靜置24小時，以得到黏著力測量用樣品。

對於上述黏著力測量用樣品，根據JIS Z0237：2009，在標準環境（23℃，50％RH）下，使用拉伸試驗機（Orientech公司所製造，產品名為「TENSILON UTM-4-100」），測量以180°的剝離角度及0.3m/min的剝離速度將黏著片從鈉鈣玻璃剝離時的力，並將其設為黏著力（mN/25mm）。結果如表3所示。

再者，對於以與上述相同的方式所得到的黏著力測量用樣品，根據JIS Z0237：2009，在標準環境（23℃，50％RH）下，使用拉伸試驗機（Orientech公司所製造，產品名為「TENSILON UTM-4-100」），測量以180°的剝離角度及2.0m/min的剝離速度將黏著片從鈉鈣玻璃剝離時的力，並將其設為黏著力（mN/25mm）。結果如表3所示。

[試驗例7]（剝離力的測量）將實施例及比較例中所製造的黏著片，切割成長度為100mm、寬度為25mm。之後，藉由將此黏著片之基材側的表面固定於不銹鋼（stainless steel）板上，以得到剝離力測量用樣品。

對於上述剝離力測量用樣品，根據JIS Z0237：2009，在標準環境（23℃，50％RH）下，使用拉伸試驗機（Orientech公司所製造，產品名為「TENSILON UTM-4-100」），測量以180°的剝離角度及0.3m/min的剝離速度將剝離片從黏著片剝離時的力，並將其設為剝離力（mN/25mm）。結果如表3所示。

再者，對於以與上述相同的方式所得到的剝離力測量用樣品，根據JIS Z0237：2009，在標準環境（23℃，50％RH）下，使用拉伸試驗機（Orientech公司所製造，產品名為「TENSILON UTM-4-100」），測量以180°的剝離角度及2.0m/min的剝離速度將剝離片從黏著片剝離時的力，並將其設為剝離力（mN/25mm）。此結果亦如表3所示。

[試驗例8]（隧道的評價）將實施例及比較例中所製造的黏著片，捲繞在直徑為7.62cm的圓筒狀塑膠管上，以得到黏著片捲狀物。此時，將黏著片捲繞成黏著片之基材側的表面位於內側且所得到的黏著片捲狀物的直徑變成50cm為止。

將如以上所述得到的黏著片捲狀物，在黏著片不接觸地面的狀態下，在23℃及65％RH的條件下放置1週。之後，確認黏著劑層與剝離片之間的界面處的狀態，並根據以下標準評價隧道。結果如表3所示。 ○：在黏著劑層與剝離片之間的界面處沒有發生剝離。 ×：在黏著劑層與剝離片之間的界面處發生剝離。

[試驗例9]（剝離靜電性的評價）將實施例及比較例中所製造的黏著片裁切成25mm×100mm，以作為樣品。在23℃及50％RH的環境下，用手以2.0m/min的剝離速度將剝離片從樣品剝離，在剝離之後5秒鐘，使用靜電測量器（日本錫姆科公司所製造，產品名為「FMX-003」），測量距離黏著劑層的露出表面2.0cm的位置之處的靜電電位（剝離靜電電壓；V）。從測量結果，根據以下標準評價黏著劑層表面的剝離靜電電壓。結果如表3所示。 ○：剝離靜電電壓為0.1kV以下。 △：剝離靜電電壓超過0.1kV且為0.2kV以下。 ×：剝離靜電電壓超過0.2kV。

[表1]

[表2]

[表3]

從表3中可以明顯看出，實施例中製造的黏著片，具有良好的去除性且黏著劑層也對基材具有優異的附著性。 [產業上的可利用性]

根據本發明的黏著片，適合作為具有可撓性的OLED裝置在加工、組裝、檢查等的過程中所使用的保護片。

1‧‧‧黏著片 11‧‧‧基材 12‧‧‧黏著劑層 13‧‧‧剝離片

[圖1]係根據本發明的一實施形態的黏著片的剖面圖。

1‧‧‧黏著片

11‧‧‧基材

12‧‧‧黏著劑層

13‧‧‧剝離片

Claims

一種黏著片，其係包括基材和積層於前述基材的一側的表面的黏著劑層之黏著片，其特徵在於：前述基材積層了前述黏著劑層的表面的算術平均粗糙度（Ra）為25nm以下，前述黏著劑層係由1分子中含有至少2個烯基的第1聚二甲基矽氧烷及1分子中含有至少2個氫化矽烷基的第2聚二甲基矽氧烷所得到的加成反應型聚矽氧樹脂、含有鉑催化劑的聚矽氧黏著劑、以及含有矽烷偶合劑的聚矽氧類黏著劑組合物所構成。
如申請專利範圍第1項所述之黏著片，其中相對於100質量份的前述加成反應型聚矽氧樹脂，前述矽烷偶合劑的含量為0.001質量份以上3.0質量份以下。
如申請專利範圍第1項所述之黏著片，其中前述聚矽氧黏著劑含有聚矽氧樹脂。
如申請專利範圍第1項所述之黏著片，其中相對於100質量份的前述加成反應型聚矽氧樹脂，前述聚矽氧樹脂的含量為1質量份以上40質量份以下。
如申請專利範圍第1項所述之黏著片，其中前述基材的霧度值為3.5％以下。
如申請專利範圍第1項所述之黏著片，其作為用來保護裝置的保護片使用。
如申請專利範圍第6項所述之黏著片，其中前述裝置為可撓性裝置。