KR20090009874A - 얼라인먼트방법, 임프린트방법, 얼라인먼트장치, 및 위치계측방법 - Google Patents
얼라인먼트방법, 임프린트방법, 얼라인먼트장치, 및 위치계측방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20090009874A KR20090009874A KR1020087028097A KR20087028097A KR20090009874A KR 20090009874 A KR20090009874 A KR 20090009874A KR 1020087028097 A KR1020087028097 A KR 1020087028097A KR 20087028097 A KR20087028097 A KR 20087028097A KR 20090009874 A KR20090009874 A KR 20090009874A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- alignment
- plate
- substrate
- mold
- mark
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
- B29C59/022—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing characterised by the disposition or the configuration, e.g. dimensions, of the embossments or the shaping tools therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/703—Gap setting, e.g. in proximity printer
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
Description
Claims (14)
- 광원 및 촬상소자를 사용해서 2개의 판형상 물체의 얼라인먼트를 행하는 얼라인먼트방법으로서,제 1 얼라인먼트마크를 가지는 제 1 판형상 물체 및 제 2 얼라인먼트마크를 가지는 제 2 판형상 물체를 서로 대향시켜 배치하는 공정;촬상소자에 의해 관측되는 촬상영역 내의 서로 중첩되지 않는 위치에 제 1 영역 및 제 2 영역을 형성하는 공정;상기 제 1 및 제 2 상기 판형상 물체의 면내방향과 대략 수직인 방향으로부터 상기 제 1 및 제 2 얼라인먼트마크를 상기 촬상소자에 의해 촬상하는 공정;상기 제 1 영역 내의 미리 정해진 위치로부터의 상기 제 1 얼라인먼트마크의 어긋남에 관한 제 1 정보와 상기 제 2 영역 내의 미리 정해진 위치로부터의 상기 제 2 얼라인먼트마크의 어긋남에 관한 제 2 정보를 사용하여 상기 제 1 및 제 2 판형상 물체의 면내방향의 위치를 서로 얼라인먼트하기 위한 얼라인먼트제어를 행하는 공정; 및상기 얼라인먼트제어를 행하면서 갭을 감소시킴으로써 상기 갭이 3 ㎛ 이하가 되도록 상기 제 1 및 제 2 판형상 물체 사이의 갭을 조정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 촬상소자에 의해 촬상되는 상기 제 1 및 제 2 얼라인먼트마크의 상은 각각 콘트라스트가 조정되어 있는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 영역 및 제 2 영역은 동일한 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 판형상 물체의 높이에 기인한 배율 변화에 따라서 상기 제 1 및 제 2 영역에서 관찰되는 상의 배율 보정을 실시하는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 광원으로부터의 제 1 광량으로 상기 제 1 영역을 촬상하고, 상기 광원으로부터의 제 1 광량과는 제 2 광량으로 상기 제 2 영역을 촬상하는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트방법.
- 제 1 항에 기재된 얼라인먼트방법을 행하기 위한 얼라인먼트장치로서,상기 제 1 및 제 2 판형상 물체의 적어도 한쪽을 면내방향으로 움직이기 위한 제 1 가동수단; 및상기 제 1 및 제 2 판형상 물체의 적어도 한쪽을 면내방향과 수직방향으로 이동시키기 위한 제 2 가동수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트장치.
- 광원과 촬상소자를 사용하여 2개의 판형상 물체의 얼라인먼트를 행하여 상기 2개의 판형상 물체 중 한쪽의 판형상 물체가 가지는 임프린트 패턴을 다른쪽의 판형상 물체 또는 다른쪽의 판형상 물체 상의 패턴 형성층에 임프린트하는 임프린트방법으로서,제 1 얼라인먼트마크를 가지는 제 1 판형상 물체인 몰드와 제 2 얼라이먼트 마크를 가지는 제 2 판형상 물체인 기판을 대향시켜 배치하는 공정;촬상소자에 의해 관측되는 촬상영역 내의 서로 중첩되지 않는 위치에 제 1 및 제 2 영역을 형성하는 공정;상기 제 1 및 제 2 판형상 물체의 면내방향과 대략 수직인 방향으로부터 상기 제 1 및 제 2 얼라인먼트마크를 상기 촬상소자에 의해 검출하는 공정;상기 제 1 영역 내의 미리 정해진 위치로부터의 상기 제 1 얼라인먼트마크의 어긋남에 관한 제 1 정보와 상기 제 2 영역 내의 미리 정해진 위치로부터의 상기 제 2 얼라인먼트마크의 어긋남에 관한 제 2 정보를 사용하여 상기 제 1 판형상 물체와 상기 제 2 판형상물체의 면내방향의 위치를 서로 얼라인먼트하기 위한 얼라인먼트제어를 실시하는 공정;상기 제 2 판형상 물체인 기판 또는 그 위에 형성되어 있는 패턴 형성층에 상기 제 1 판형상 물체인 몰드가 가지는 임프린트 패턴을 임프린트하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트방법.
- 제 7 항에 기재된 얼라인먼트방법을 행하는 임프린트장치로서,상기 제 1 및 제 2 판형상 물체의 적어도 한쪽을 면내방향으로 이동시키기 위한 제 1 가동수단; 및상기 제 1 및 제 2 판형상 물체의 적어도 한쪽을 면내방향과 수직인 방향으로 이동시키기 위한 제 2 가동수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 임프린트장치.
- 촬상소자를 사용하여 2개의 판형상 물체의 얼라인먼트를 행하는 얼라인먼트방법으로서,얼라인먼트마크로서 피치(P1)로 형성되는 제 1 주기구조를 가지는 제 1 판형상 물체와 얼라인먼트마크로서 피치(P2)로 형성되는 제 2 주기구조를 가지는 제 2 판형상 물체를 서로 대향시켜 배치하는 공정;촬상소자에 의해 관측되는 촬상영역 내의 서로 중첩되지 않는 위치에 제 1 및 제 2 영역을 형성하는 공정;상기 촬상소자에 의해 제 1 및 제 2 판형상 물체의 면내 방향과 대략 수직인 방향으로부터 상기 제 1 및 제 2 주기구조를 각각 상기 제 1 및 제 2 영역 내에서 촬상하는 공정;촬상된 상의 정보로부터 상기 제 1 및 제 2 주기구조에 각각 대응한 기본주파수를 추출하고, 상기 기본주파수들을 연산해서 모아레줄무늬 성분을 추출하고, 해당 모아레줄무늬 성분으로부터 얻어지는 상기 제 1 및 제 2 판형상 물체의 면내 방향의 위치 어긋남에 관한 정보를 사용하여 상기 제 1 판형상 물체와 상기 제 2 판형상 물체의 면내 방향의 얼라인먼트를 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트방법.
- 촬상소자를 사용하여 2개의 물체의 위치를 계측하는 위치계측방법으로서,얼라인먼트마크로서 피치(P1)로 형성되는 제 1 주기구조를 가지는 제 1 물체와 얼라인먼트마크로서 피치(P2)로 형성되는 제 2 주기구조를 가지는 제 2 물체를 서로 대향시켜 배치하는 공정;촬상소자에 의해 관측되는 촬상영역 내의 서로 중첩되지 않는 위치에 제 1 및 제 2 영역을 형성하는 공정;상기 촬상소자에 의해 제 1 및 제 2 물체의 면내 방향과 대략 수직인 방향으로부터 상기 제 1 및 제 2 주기구조를 각각 상기 제 1 및 제 2 영역 내에서 촬상하는 공정;촬상된 상의 정보로부터 상기 제 1 및 제 2 주기구조에 각각 대응한 기본주파수를 추출하고, 상기 기본주파수들을 연산해서 모아레줄무늬 성분을 추출해서, 상기 제 1 물체와 상기 제 2 물체의 면내 방향의 위치계측을 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 위치계측방법.
- 수지재료를 경화시킴으로써 몰드의 가공면에 형성된 패턴을 기판의 표면에 형성된 수지재료 상에 전사하는 임프린트방법으로서,상기 몰드에 형성되어 있는 얼라인먼트마크를 촬상소자에 의해 관찰할 때에, 해당 촬상소자에 입사하는 광의 파장이 해당몰드와 기판 사이의 갭 또는 해당 얼라인먼트마크를 구성하는 부재의 두께에 따르는 것을 특징으로 하는 임프린트방법.
- 촬상소자를 사용하여 2개의 부재의 얼라인먼트를 행하는 얼라인먼트방법으로서,제 1 얼라인먼트마크를 가지는 제 1 부재와 제 2 얼라인먼트마크를 가지는제 2 부재를 서로 대향시켜 배치하는 공정;촬상소자에 의해 관측되는 촬상영역 내의 제 1 영역의 제 1 얼라인먼트마크에 관한 제 1 상정보를 얻는 공정;촬상소자에 의해 관측되는 촬상영역 내의 제 1 영역과는 다른 제 2 영역의 제 2 얼라인먼트마크에 관한 제 2 상정보를 얻는 공정;상기 제 1 상정보 및 제 2 상정보의 연산을 행하는 공정; 및상기 제 1 상정보 및 제 2 상정보를 사용하여 상기 2개의 부재의 얼라인먼트를 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 연산은, 상기 제 1 영역과 제 2 영역이 서로 중첩되지 않은 부분에서 얻어진 제 1 상정보 및 제 2 상정보를 사용하여 행하여지는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트방법.
- 촬상소자를 사용하여 2개의 판형상 물체의 얼라인먼트를 행하는 얼라인먼트방법으로서,얼라인먼트마크로서 피치(P1)로 형성되는 제 1 주기구조를 가지는 제 1 판형상 물체와 얼라인먼트마크로서 피치(P2)로 형성되는 제 2 주기구조를 가지는 제 2 판형상 물체를 서로 대향시켜 배치하는 공정;촬상소자에 의해 관측되는 촬상영역 내의 서로 중첩되지 않는 위치에 제 1 및 제 2 영역을 형성하는 공정;상기 촬상소자에 의해 제 1 및 제 2 판형상 물체의 면내 방향과 대략 수직인 방향으로부터 상기 제 1 및 제 2 주기구조를 각각 상기 제 1 및 제 2 영역 내에서 촬상하는 공정;상기 촬상소자에 의해 촬상된 상으로부터 얻어진 상의 정보를 연산해서 제 1 및 제 2 판형상 물체 사이의 상대위치에 관한 위치정보를 얻는 공정; 및상기 위치정보를 사용하여 면내 방향의 제 1 및 제 2 판형상 물체의 얼라인먼트를 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트방법.
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006114093 | 2006-04-18 | ||
JPJP-P-2006-114093 | 2006-04-18 | ||
JP2006305239 | 2006-11-10 | ||
JPJP-P-2006-305239 | 2006-11-10 | ||
JP2007036598 | 2007-02-16 | ||
JPJP-P-2007-036598 | 2007-02-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090009874A true KR20090009874A (ko) | 2009-01-23 |
KR101045434B1 KR101045434B1 (ko) | 2011-06-30 |
Family
ID=38226383
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020087028097A KR101045434B1 (ko) | 2006-04-18 | 2007-04-18 | 얼라인먼트방법, 임프린트방법, 얼라인먼트장치, 및 위치계측방법 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8845317B2 (ko) |
EP (1) | EP2010966B1 (ko) |
JP (2) | JP4795300B2 (ko) |
KR (1) | KR101045434B1 (ko) |
CN (1) | CN102053490B (ko) |
WO (1) | WO2007123249A2 (ko) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140027281A (ko) * | 2011-04-25 | 2014-03-06 | 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 | 정렬 표시를 위한 광 흡수 재료 |
US8703035B2 (en) | 2010-05-14 | 2014-04-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus and method of manufacturing article |
KR20140107517A (ko) * | 2012-01-27 | 2014-09-04 | 캐논 가부시끼가이샤 | 임프린트 장치 및 이를 이용한 물품의 제조 방법 |
KR20150018866A (ko) * | 2011-05-17 | 2015-02-24 | 캐논 가부시끼가이샤 | 임프린트 장치 |
KR20160078440A (ko) * | 2013-11-05 | 2016-07-04 | 캐논 가부시끼가이샤 | 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법 |
KR20190044004A (ko) * | 2017-10-19 | 2019-04-29 | 캐논 가부시끼가이샤 | 평가 방법, 결정 방법, 리소그래피 장치, 및 비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체 |
KR20200001997A (ko) * | 2018-06-28 | 2020-01-07 | 캐논 가부시끼가이샤 | 임프린트재에 패턴을 형성하는 방법 및 장치 |
Families Citing this family (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0622691D0 (en) * | 2006-11-14 | 2006-12-27 | Airbus Uk Ltd | Method and apparatus for controlling the geometry of a composite component |
US7837907B2 (en) * | 2007-07-20 | 2010-11-23 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment system and method for a substrate in a nano-imprint process |
US8237133B2 (en) * | 2008-10-10 | 2012-08-07 | Molecular Imprints, Inc. | Energy sources for curing in an imprint lithography system |
US8628712B2 (en) * | 2008-10-27 | 2014-01-14 | Molecular Imprints, Inc. | Misalignment management |
US8345242B2 (en) | 2008-10-28 | 2013-01-01 | Molecular Imprints, Inc. | Optical system for use in stage control |
NL2003871A (en) * | 2009-02-04 | 2010-08-05 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography. |
NL2004932A (en) | 2009-07-27 | 2011-01-31 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography template. |
JP5800456B2 (ja) * | 2009-12-16 | 2015-10-28 | キヤノン株式会社 | 検出器、インプリント装置及び物品の製造方法 |
NL2005975A (en) | 2010-03-03 | 2011-09-06 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography. |
JP2011209959A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 組付受部品の認識構造及びこれを用いた組立情報認識装置並びに組立処理装置 |
JP2011209064A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 物品認識装置及びこれを用いた物品処理装置 |
US9864279B2 (en) * | 2010-08-05 | 2018-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
JP5850717B2 (ja) | 2010-12-02 | 2016-02-03 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、及びそれを用いた物品の製造方法 |
JP5776266B2 (ja) * | 2011-03-29 | 2015-09-09 | 大日本印刷株式会社 | インプリント方法およびそれを実施するためのインプリント装置 |
JP5689952B2 (ja) * | 2011-04-11 | 2015-03-25 | エンジニアリングシステム株式会社 | 観察用光学系付き液体吐出装置 |
JP5864929B2 (ja) | 2011-07-15 | 2016-02-17 | キヤノン株式会社 | インプリント装置および物品の製造方法 |
US9213227B2 (en) * | 2011-08-18 | 2015-12-15 | Nikon Corporation | Custom color or polarization sensitive CCD for separating multiple signals in autofocus projection system |
KR101414830B1 (ko) * | 2011-11-30 | 2014-07-03 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 얼라이먼트 방법, 전사 방법 및 전사장치 |
JP6159072B2 (ja) | 2011-11-30 | 2017-07-05 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 |
JP5901655B2 (ja) * | 2011-12-22 | 2016-04-13 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及びデバイス製造方法 |
JP5832345B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2015-12-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 検査装置および検査方法 |
JP5793457B2 (ja) * | 2012-03-26 | 2015-10-14 | 株式会社Screenホールディングス | 転写方法および転写装置 |
JP2013222791A (ja) * | 2012-04-16 | 2013-10-28 | Fujifilm Corp | ナノインプリント方法およびナノインプリント用基板並びにそれらを用いたパターン化基板の製造方法 |
US9190100B2 (en) * | 2012-04-25 | 2015-11-17 | Seagate Technology | Determining at least one of alignment and bond line thickness between an optical component and a mounting surface |
JP6039917B2 (ja) * | 2012-05-22 | 2016-12-07 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 |
NL2010971A (en) | 2012-07-10 | 2014-01-13 | Asml Netherlands Bv | Lithographic cluster system, method for calibrating a positioning device of a lithographic apparatus and measurement apparatus. |
JP2014203917A (ja) * | 2013-04-03 | 2014-10-27 | 株式会社ディスコ | 板状物 |
JP5909210B2 (ja) * | 2013-07-11 | 2016-04-26 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及び物品の製造方法 |
JP6097704B2 (ja) * | 2014-01-06 | 2017-03-15 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 |
JP6294680B2 (ja) | 2014-01-24 | 2018-03-14 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、および物品の製造方法 |
KR102574171B1 (ko) | 2014-08-29 | 2023-09-06 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 메트롤로지 방법, 타겟 및 기판 |
JP5800977B2 (ja) * | 2014-10-23 | 2015-10-28 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法およびデバイス製造方法 |
JP6552521B2 (ja) * | 2014-12-12 | 2019-07-31 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 |
JP6537277B2 (ja) * | 2015-01-23 | 2019-07-03 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、物品製造方法 |
US10248018B2 (en) * | 2015-03-30 | 2019-04-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus and method of manufacturing article |
JP6138189B2 (ja) | 2015-04-08 | 2017-05-31 | キヤノン株式会社 | インプリント装置および物品の製造方法 |
JP2016225433A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | キヤノン株式会社 | モールド、インプリント方法、インプリント装置および物品の製造方法 |
JP6039770B2 (ja) * | 2015-08-27 | 2016-12-07 | キヤノン株式会社 | インプリント装置およびデバイス製造方法 |
JP6685821B2 (ja) * | 2016-04-25 | 2020-04-22 | キヤノン株式会社 | 計測装置、インプリント装置、物品の製造方法、光量決定方法、及び、光量調整方法 |
JP6758967B2 (ja) * | 2016-07-12 | 2020-09-23 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、及び物品の製造方法 |
JP6971567B2 (ja) * | 2016-12-16 | 2021-11-24 | キヤノン株式会社 | 位置合わせ装置、位置合わせ方法、リソグラフィ装置、および物品製造方法 |
EP3339959A1 (en) * | 2016-12-23 | 2018-06-27 | ASML Netherlands B.V. | Method of determining a position of a feature |
JP7025132B2 (ja) * | 2017-06-05 | 2022-02-24 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及び物品の製造方法 |
KR101943880B1 (ko) * | 2017-06-13 | 2019-04-18 | 주식회사 에이치비테크놀러지 | 표면과 하면에 형성된 패턴간의 상대위치를 결정하는 검사장치 |
JP6863836B2 (ja) * | 2017-06-28 | 2021-04-21 | キオクシア株式会社 | ナノインプリント用テンプレート及び集積回路装置の製造方法 |
US11175598B2 (en) * | 2017-06-30 | 2021-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus and method of manufacturing article |
JP7030533B2 (ja) * | 2018-01-15 | 2022-03-07 | キオクシア株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、及び半導体装置の製造方法 |
CN115066591A (zh) * | 2020-02-06 | 2022-09-16 | 大日本印刷株式会社 | 标记、标记的制造方法以及检测对象物 |
US11815811B2 (en) | 2021-03-23 | 2023-11-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnification ramp scheme to mitigate template slippage |
CN113910502B (zh) * | 2021-09-15 | 2024-03-26 | 明阳智慧能源集团股份公司 | 一种基于激光跟踪仪的风电叶片模具安装方法 |
EP4390540A1 (en) * | 2022-12-19 | 2024-06-26 | Koninklijke Philips N.V. | Alignment method |
Family Cites Families (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59172724A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-09-29 | Canon Inc | マーク検出装置 |
DE3372673D1 (en) * | 1983-09-23 | 1987-08-27 | Ibm Deutschland | Process and device for mutually aligning objects |
US4883359A (en) * | 1984-02-28 | 1989-11-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment method and pattern forming method using the same |
JPS62208630A (ja) * | 1986-03-10 | 1987-09-12 | Canon Inc | 露光装置 |
JPS62262426A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-14 | Canon Inc | 露光装置 |
JPH0650714B2 (ja) * | 1986-07-17 | 1994-06-29 | キヤノン株式会社 | 露光方法 |
JPH02292813A (ja) * | 1989-05-02 | 1990-12-04 | Canon Inc | 自動焦点合せ装置 |
US5585923A (en) * | 1992-11-14 | 1996-12-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for measuring positional deviation while correcting an error on the basis of the error detection by an error detecting means |
JP3428705B2 (ja) * | 1993-10-20 | 2003-07-22 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
GB9323978D0 (en) | 1993-11-22 | 1994-01-12 | Dek Printing Machines Ltd | Alignment systems |
JP3292022B2 (ja) * | 1996-01-17 | 2002-06-17 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
JPH1012530A (ja) * | 1996-06-26 | 1998-01-16 | Nikon Corp | アライメント装置 |
JPH1022213A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Canon Inc | 位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP3445100B2 (ja) * | 1997-06-02 | 2003-09-08 | キヤノン株式会社 | 位置検出方法及び位置検出装置 |
JP4208277B2 (ja) * | 1997-11-26 | 2009-01-14 | キヤノン株式会社 | 露光方法及び露光装置 |
JPH11241908A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-09-07 | Canon Inc | 位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP3336955B2 (ja) | 1998-05-26 | 2002-10-21 | ウシオ電機株式会社 | 裏面アライメント機能を備えた露光装置 |
JP4323636B2 (ja) * | 1999-09-21 | 2009-09-02 | キヤノン株式会社 | 位置計測方法及び位置計測装置 |
JP2001345250A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Canon Inc | 位置合せ方法、位置合せ装置、プロファイラ、露光装置、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場、および露光装置の保守方法 |
US6921615B2 (en) * | 2000-07-16 | 2005-07-26 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High-resolution overlay alignment methods for imprint lithography |
WO2002006902A2 (en) * | 2000-07-17 | 2002-01-24 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method and system of automatic fluid dispensing for imprint lithography processes |
US7317531B2 (en) * | 2002-12-05 | 2008-01-08 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
KR101031528B1 (ko) * | 2000-10-12 | 2011-04-27 | 더 보드 오브 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 | 실온 저압 마이크로- 및 나노- 임프린트 리소그래피용템플릿 |
US6607527B1 (en) * | 2000-10-17 | 2003-08-19 | Luis Antonio Ruiz | Method and apparatus for precision laser surgery |
US6955767B2 (en) * | 2001-03-22 | 2005-10-18 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Scanning probe based lithographic alignment |
JP4803901B2 (ja) * | 2001-05-22 | 2011-10-26 | キヤノン株式会社 | 位置合わせ方法、露光装置、および半導体デバイス製造方法 |
JP2002353099A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-12-06 | Canon Inc | 位置検出方法及び装置及び露光装置及びデバイス製造方法 |
US20050064344A1 (en) * | 2003-09-18 | 2005-03-24 | University Of Texas System Board Of Regents | Imprint lithography templates having alignment marks |
JP4006217B2 (ja) * | 2001-10-30 | 2007-11-14 | キヤノン株式会社 | 露光方法、露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP3603880B2 (ja) * | 2002-05-20 | 2004-12-22 | 株式会社日立製作所 | 重ね露光方法 |
MY144124A (en) * | 2002-07-11 | 2011-08-15 | Molecular Imprints Inc | Step and repeat imprint lithography systems |
JP2006516065A (ja) * | 2002-08-01 | 2006-06-15 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | インプリント・リソグラフィの散乱計測アラインメント |
JP4072408B2 (ja) * | 2002-09-24 | 2008-04-09 | キヤノン株式会社 | 位置検出方法 |
JP4095391B2 (ja) * | 2002-09-24 | 2008-06-04 | キヤノン株式会社 | 位置検出方法 |
JP3448826B2 (ja) | 2002-12-12 | 2003-09-22 | 株式会社ニコン | 位置合わせ方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
KR100495428B1 (ko) * | 2003-06-27 | 2005-06-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판의 정렬 검사방법 |
US7136150B2 (en) * | 2003-09-25 | 2006-11-14 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography template having opaque alignment marks |
JP2005116978A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ナノインプリント装置及び方法 |
JP4677183B2 (ja) * | 2003-12-05 | 2011-04-27 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置、および露光装置 |
JP4538782B2 (ja) * | 2004-01-09 | 2010-09-08 | 株式会社ニコン | 撮像装置 |
JP4574240B2 (ja) * | 2004-06-11 | 2010-11-04 | キヤノン株式会社 | 加工装置、加工方法、デバイス製造方法 |
WO2006024908A2 (en) * | 2004-08-10 | 2006-03-09 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7309225B2 (en) * | 2004-08-13 | 2007-12-18 | Molecular Imprints, Inc. | Moat system for an imprint lithography template |
US7609858B2 (en) * | 2004-08-31 | 2009-10-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Displacement measurements using phase changes |
JP2007299909A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Nsk Ltd | 半導体ウェハ撮像装置 |
US7612882B2 (en) * | 2006-10-20 | 2009-11-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical gratings, lithography tools including such optical gratings and methods for using same for alignment |
US9573319B2 (en) * | 2007-02-06 | 2017-02-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprinting method and process for producing a member in which a mold contacts a pattern forming layer |
-
2007
- 2007-04-17 JP JP2007108341A patent/JP4795300B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-04-18 US US11/719,878 patent/US8845317B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-04-18 EP EP07742333A patent/EP2010966B1/en not_active Not-in-force
- 2007-04-18 WO PCT/JP2007/058898 patent/WO2007123249A2/en active Application Filing
- 2007-04-18 KR KR1020087028097A patent/KR101045434B1/ko active IP Right Grant
- 2007-04-18 CN CN201010539354.5A patent/CN102053490B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-04-18 JP JP2011092154A patent/JP5591173B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8703035B2 (en) | 2010-05-14 | 2014-04-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus and method of manufacturing article |
KR101395440B1 (ko) * | 2010-05-14 | 2014-05-14 | 캐논 가부시끼가이샤 | 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 |
KR20140027281A (ko) * | 2011-04-25 | 2014-03-06 | 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 | 정렬 표시를 위한 광 흡수 재료 |
KR20150018866A (ko) * | 2011-05-17 | 2015-02-24 | 캐논 가부시끼가이샤 | 임프린트 장치 |
US9188855B2 (en) | 2011-05-17 | 2015-11-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus, imprint method, and device manufacturing method |
US9645514B2 (en) | 2011-05-17 | 2017-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus, imprint method, and device manufacturing method |
KR20140107517A (ko) * | 2012-01-27 | 2014-09-04 | 캐논 가부시끼가이샤 | 임프린트 장치 및 이를 이용한 물품의 제조 방법 |
US9851634B2 (en) | 2012-01-27 | 2017-12-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus |
KR20160078440A (ko) * | 2013-11-05 | 2016-07-04 | 캐논 가부시끼가이샤 | 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법 |
US10241424B2 (en) | 2013-11-05 | 2019-03-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method |
KR20190044004A (ko) * | 2017-10-19 | 2019-04-29 | 캐논 가부시끼가이샤 | 평가 방법, 결정 방법, 리소그래피 장치, 및 비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체 |
KR20200001997A (ko) * | 2018-06-28 | 2020-01-07 | 캐논 가부시끼가이샤 | 임프린트재에 패턴을 형성하는 방법 및 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4795300B2 (ja) | 2011-10-19 |
EP2010966B1 (en) | 2012-08-01 |
JP2008221822A (ja) | 2008-09-25 |
US8845317B2 (en) | 2014-09-30 |
JP5591173B2 (ja) | 2014-09-17 |
CN102053490B (zh) | 2014-02-05 |
CN102053490A (zh) | 2011-05-11 |
JP2011181944A (ja) | 2011-09-15 |
KR101045434B1 (ko) | 2011-06-30 |
EP2010966A2 (en) | 2009-01-07 |
WO2007123249A3 (en) | 2008-05-22 |
WO2007123249A2 (en) | 2007-11-01 |
US20090108483A1 (en) | 2009-04-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101045434B1 (ko) | 얼라인먼트방법, 임프린트방법, 얼라인먼트장치, 및 위치계측방법 | |
KR100848983B1 (ko) | 패턴전사장치, 임프린트 장치 및 패턴전사방법 | |
KR100743289B1 (ko) | 몰드, 패턴형성방법 및 패턴형성장치 | |
KR101768749B1 (ko) | 리소그래피 장치, 정렬 방법 그리고 물품을 제조하는 방법 | |
CN101427185B (zh) | 对准方法、压印方法、对准设备和压印设备 | |
TWI567486B (zh) | 圖案形成方法、微影裝置、微影系統、及製造物品的方法 | |
KR100840799B1 (ko) | 몰드, 임프린트 방법 및 칩의 제조방법 | |
JP6071221B2 (ja) | インプリント装置、モールド、インプリント方法及び物品の製造方法 | |
CN100503265C (zh) | 模子、图案形成方法以及图案形成设备 | |
JP4926881B2 (ja) | インプリント装置およびアライメント方法 | |
JP2013175684A (ja) | 検出器、インプリント装置及び物品を製造する方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140527 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150527 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160525 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170526 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180525 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190619 Year of fee payment: 9 |