KR20080112689A - 반도체 메모리소자의 스토리지전극 형성방법 - Google Patents
반도체 메모리소자의 스토리지전극 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (16)
- 비트라인이 형성된 반도체기판 상에 층간절연막을 형성하는 단계;상기 층간절연막을 패터닝하여 상기 반도체기판을 노출시키는 컨택홀을 형성하는 단계;상기 컨택홀이 형성된 반도체기판 상에 폴리실리콘막을 형성하는 단계;폴리실리콘 식각가스를 사용하여 상기 폴리실리콘막을 일정 두께 식각하는 제1 식각공정과, 상기 폴리실리콘막에 대해 오버에치(over etch)를 수행하는 제2 식각공정, 및 상기 폴리실리콘막의 표면을 평탄화하기 위하여 수행하는 제3 식각공정을 차례로 진행하여 상기 컨택홀 내에 표면이 평탄화된 스토리지노드 컨택을 형성하는 단계;상기 스토리지노드 컨택이 형성된 결과물 상에, 상기 스토리지노드 컨택이 형성된 영역을 노출시키는 몰드 절연막을 형성하는 단계; 및상기 스토리지노드 컨택과 접속된 스토리지전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 스토리지전극 형성방법.
- 제1항에 있어서,상기 층간절연막을 형성하는 단계는,상기 반도체기판 상에 절연막을 증착하는 단계와,상기 비트라인 상에 절연막이 400 ∼ 700Å이 잔류하도록 상기 절연막에 대 해 식각을 수행하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 스토리지전극 형성방법.
- 제2항에 있어서,상기 층간절연막은 고밀도 플라즈마(HDP) 산화막 또는 SOD(Spin On Dielectric)로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 스토리지전극 형성방법.
- 제2항에 있어서,상기 절연막에 대해 식각을 수행하는 단계는 화학기계적연마(CMP)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 스토리지전극 형성방법.
- 제1항에 있어서,상기 비트라인을 형성하기 전에,상기 반도체기판 상에 게이트스택을 형성하는 단계와,상기 게이트스택 사이의 반도체기판과 접속된 컨택 플러그를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 스토리지전극 형성방법.
- 제1항에 있어서,상기 폴리실리콘막에 대한 제1 식각공정은 염소가스(Cl2)를 식각가스로 사용하여 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 스토리지전극 형성방법.
- 제6항에 있어서,상기 제1 식각공정은 5mTorr의 압력에서 56초간 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 스토리지전극 형성방법.
- 제1항에 있어서,상기 제2 식각공정은 육불화탄소(C2F6) 가스를 식각가스로 사용하여 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 스토리지전극 형성방법.
- 제1항에 있어서,상기 제3 식각공정은 폴리실리콘막 및 산화막에 대해 반응성이 없는 가스를 식각가스로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 스토리지전극 형성방법.
- 제9항에 있어서,상기 제3 식각공정은 헬륨(He)과 산소가스(O2)가 혼합된 가스를 식각가스로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 스토리지전극 형성방법.
- 제9항에 있어서,상기 제3 식각공정을 진행할 때, 헬륨(He)과 산소(O2)의 혼합가스에 아르곤(Ar) 가스를 첨가하여 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 스토리지전극 형성방법.
- 제9항에 있어서,상기 제3 식각공정은 7mTorr의 압력에서 100초간 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 스토리지전극 형성방법.
- 제1항에 있어서,상기 제1 식각공정을 진행하기 전에,상기 폴리실리콘막 상에 형성된 자연산화막을 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 스토리지전극 형성방법.
- 제13항에 있어서,상기 자연산화막을 제거하는 공정은 육불화탄소(C2F6) 가스를 식각가스로 사용하여 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 스토리지전극 형성방법.
- 제1항에 있어서,상기 스토리지전극은 폴리실리콘막 또는 금속막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 스토리지전극 형성방법.
- 제1항에 있어서,상기 스토리지전극을 형성하는 단계 후,상기 몰드 절연막을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 스토리지전극 형성방법.
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