KR20080059042A - 노광 데이터 작성 장치 - Google Patents

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Abstract

노광 데이터 작성을 고속화하는 노광 데이터 작성 장치를 제공한다.
노광 장치(1)의 노광 데이터 작성 장치(제어부(10))는 노광을 위하여 사용되는 묘화 데이터를 비트맵 형식으로 제1 데이터로서 기록하는 묘화 데이터 메모리(11)를 구비한다. 제1 데이터가, 칼럼 방향의 데이터 단위를, 셀마다의 정보의 분해능 단위(셀의 1/n 단위)로 변환된 상태의 제2 데이터를 기록하는 셀 사이즈 메모리(13)를 구비한다. 제2 데이터가, 셀마다 칼럼 방향의 정렬을 로우 방향으로 재정렬한 제3 데이터가, 칼럼마다 버스트 전송되어 얻어진 제4 데이터를 래스터 데이터인 노광 데이터로서 기록하는 노광 데이터 메모리(17)를 구비한다. 셀은 노광 데이터에 기초하여 노광을 행하는 DMD(33)의 셀이다.
Figure P1020070126754
노광 데이터, 셀, 메모리, 비트맵, DMD, 묘화 데이, 묘화 데이터 메모리, 정보의 분해능, 셀 사이즈 메모리, 래스터 데이터, 노광 데이터 메모리, 노광 데이터 작성 장치

Description

노광 데이터 작성 장치{EXPOSURE DATA GENERATING APPARATUS}
본 발명은 노광 데이터의 작성 장치에 관한 것으로서, 특히 DMD(Digital Micromirror Device) 등의 이차원 표시 소자를 구동하기 위한 노광 데이터의 작성 장치에 관한 것이다.
종래 DMD 등의 이차원 표시 소자를 사용한 다중 노광 장치가 제안된 바 있다.
DMD 등의 이차원 표시 소자를 사용한 다중 노광 장치에서, 이차원 표시 소자를 구동하기 위한 노광 데이터는, 비트맵 등의 묘화 데이터와 이차원 표시 소자를 구성하는 셀의 번호에 대응하는 셀 좌표에 기초하여 작성된다(예컨대 특허 문헌 1).
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 2003-50469호 공보
특허 문헌 1의 장치 등 DMD 등의 이차원 표시 소자를 사용한 다중 노광 장치에서의 노광 데이터의 작성 시 셀 좌표는 셀 좌표 테이블로부터 독출되는데, 이 독출은 셀마다 행해지기 때문에 셀 좌표 테이블과의 액세스 횟수가 노광 데이터 작성의 고속화를 방해하는 원인이 되었다.
따라서 본 발명의 목적은, 노광 데이터 작성을 고속화하는 노광 데이터 작성 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 노광 장치에서의 노광 데이터 작성 장치는, 노광을 위하여 사용되는 묘화 데이터를 비트맵 형식으로 제1 데이터로서 기록하는 묘화 데이터 메모리와, 제1 데이터가, 칼럼 방향의 데이터 단위를, 셀마다의 정보의 분해능 단위로 변환된 상태의 제2 데이터를 기록하는 셀 사이즈 메모리와, 제2 데이터가, 셀마다 칼럼 방향의 정렬을 로우 방향으로 재정렬한 제3 데이터가, 칼럼마다 버스트 전송되어 얻어진 제4 데이터를 래스터 데이터인 노광 데이터로서 기록하는 노광 데이터 메모리를 구비하며, 셀은 노광 데이터에 기초하여 노광을 행하는 DMD의 셀이다.
바람직하게는, 셀의 번호에 대응한 셀 좌표의 변환 테이블을 기록하는 셀 좌표 테이블을 더 구비하며, 제3 데이터의 칼럼마다의 버스트 전송 시, 제3 데이터는 셀 좌표 테이블에 액세스하여 얻어지는 버스트 전송되는 칼럼의 선두 셀의 셀 좌표의 정보에 기초하여 상기 칼럼마다 독출된다.
더욱 바람직하게는, 셀 좌표 테이블은 SRAM이다.
또한, 바람직하게는, 상기 제3 데이터를 기록하는 DRAM을 더 구비한다.
이상과 같이 본 발명에 따르면, 노광 데이터 작성을 고속화하는 노광 데이터 작성 장치를 제공할 수 있다.
이하, 본 실시 형태에 대하여 도면을 이용하여 설명한다. 본 실시 형태에 있어서, 다중 노광 장치(1)는 제어부(10) 및 장치 헤드부(30)를 구비한다. 제어부(10)는 묘화 데이터(벡터 데이터, CAD 데이터)에 기초하여 노광 데이터(래스터 데이터)를 작성하는 묘화 데이터 처리를 행한다. 장치 헤드부(30)는 DMD(33)와 노광 데이터에 기초하여 DMD(33)를 구동하는 디바이스 제어부(31)를 갖는다(도 1, 도 2 참조).
제어부(10)는 제1∼제5 단계의 순서로 묘화 데이터를 DMD(33)를 구동하기 위한 노광 데이터로 변환하여 노광 데이터 메모리(17)에 기록한다.
제어부(10)는 묘화 데이터 메모리(11), 셀 사이즈 메모리(13), 셀 좌표 테이블(15), 전환 메모리(16) 및 노광 데이터 메모리(17)의 4개의 메모리를 갖는다.
묘화 데이터 메모리(11)는 CAD 데이터인 묘화 데이터를 비트맵 데이터로 변환한 상태에서 기록한다(제1 데이터). 셀 사이즈 메모리(13)는 비트맵 데이터(제1 데이터)를 칼럼 방향의 데이터 단위가 1/n 셀 단위로 변환된 상태(제2 데이터)에서 기록한다. 셀 좌표 테이블(15)은 셀 번호에 대응한 셀 좌표(버스트 전송의 대상이 되는 열(칼럼)의 선두 셀에 대응하는 선두 비트의 로우 어드레스)의 변환 테이블을 기록하는 SRAM이다.
전환 메모리(16)는 칼럼 방향의 데이터 단위가 1/n 셀 단위로 변환된 데이터(제2 데이터)를 재정렬한 전환 데이터(제3 데이터)를 기록하는 DRAM이다.
노광 데이터 메모리(17)는 비트맵 형식의 노광 데이터(제4 데이터)를 기록한다.
제1 단계에서, DMD(33)에 의해 조사되는 묘화 영역에 대응하는 묘화 데이터(DMD(33)의 크기만큼의 묘화 데이터)가 묘화 데이터의 표현 단위(예컨대 1μm 단위)인 비트맵 데이터(제1 데이터)로 변환되어 묘화 데이터 메모리(11)에 저장된다.
제2 단계에서, 묘화 데이터 메모리(11)에 저장된 비트맵 데이터(제1 데이터)의 칼럼 방향의 데이터 단위가 묘화 데이터 단위에서 DMD(33)의 표시 소자를 구성하는 셀의 1/n 단위(셀마다의 정보의 분해능 단위)로 변환되어 셀 사이즈 메모리(13)에 기록된다(제2 데이터, 도 3, 도 5 참조). 분해능(n)은 셀 사이즈(Lc)보다 큰 정수로서, 셀 사이즈 메모리(13)의 칼럼 사이즈(통상 바이트 단위)의 정수배이다. 셀 분할수(n)가 셀 사이즈(Lc)보다 큰 것은 색 정보를 잃지 않기 위함이며, 정수배로 하는 것은 재정렬 후의 셀 피치의 정보가 칼럼 방향으로 정렬되도록 하기 위함이다. 도 5에 셀 사이즈가 10이고(Lc=10), 셀 분할수가 16인(n=16) 경우의 예를 도시하였다.
구체적으로 설명하면, DMD(33)의 표시 소자를 구성하는 셀의 칼럼 방향의 수(C)(1024개 또는 이보다 조금 많은 수)와 셀 분할수(n)의 곱의 개수만큼의 데이 터가 칼럼 방향으로 정렬되고, 제1 데이터에 대응하는 제2 데이터가 작성된다. 예컨대, 제1 데이터가 1μm 단위, 셀 사이즈가 10μm, n=16인 경우, 칼럼 방향으로 정렬된 10개의 제1 데이터는 제2 데이터에서 16개의 칼럼 방향으로 정렬된 데이터로서 확장된다.
제2 단계에서는 전술한 칼럼 단위의 변환 처리가 모든 열(칼럼)에 대하여 행해진다. 단, 로우 방향의 데이터 단위에 대해서는 묘화 데이터 단위인 채 변환되지 않는다. 제2 데이터는 로우 방향으로 DMD(33)의 표시 소자를 구성하는 셀의 로우 방향의 수 R개(768개, 또는 이보다 조금 많은 수), 칼럼 방향으로 C×n개만큼 정렬되는 배열을 갖는다(도 6 참조).
셀 사이즈 변환 전의 제1 데이터에서 칼럼 방향의 좌표(y 좌표)(y1)에 대응하는, 셀 사이즈 변환 후의 제2 데이터에서의 칼럼 방향의 좌표(y 좌표)(y2)는 y2=y1÷Lc×n으로 표시된다.
제3 단계에서, 셀 사이즈 메모리(13)에 저장되며, 칼럼 방향에 대해서는 1/n 셀 단위로 정렬된 비트맵 데이터(제2 데이터)를 순차적으로 1열(1칼럼)분의 셀 수(C)의 데이터가 독출되고, 셀 분할수(n)마다(셀 단위로) 칼럼 방향의 정렬이 로우 방향으로 재정렬된 전환 데이터(제3 데이터)가 작성된다(도 4, 도 7 참조). 즉, 하나의 셀 내의 비트가 로우 방향으로 정렬되고, 각 셀의 k번째의 비트가 동일한 열로 정렬된다(k는 1 이상 n 이하의 정수). 도 4는 n=4인 경우의 셀 재정렬을 나타낸다.
이 재정렬된 제3 데이터는 전환 메모리(16)에 기입된다. 제3 데이터는 1칼 럼분의 데이터로서 로우 방향으로 n개, 칼럼 방향으로 C개 정렬되는 배열을 가지며, 모든 칼럼분의 데이터로서 로우 방향으로 n×R개, 칼럼 방향으로 C개 정렬되는 배열을 갖는다(도 7 참조).
DMD(33)의 첫 번째 열의 셀 좌표(x)에 대응하는 비트(로우 방향으로 n개의 비트를 갖는 블록의 선두 비트)의 로우 어드레스(Arx1)는 Arx1=x×n으로 표시되며, 셀 좌표(y)에 대응하는 비트의 로우 어드레스(Ary1)는 Ary1=Arx1+y2=(x+y÷Lc)×n으로 표시된다.
DMD(33)의 m번째 열의 셀 좌표(x)에 대응하는 비트(로우 방향으로 n개의 비트를 갖는 블록의 선두 비트)의 로우 어드레스(Arxm)는 Arxm={x+Lc×(m-1)}×n으로 표시되며, 셀 좌표(y)에 대응하는 비트의 로우 어드레스(Arym)는 Arym=Arxm+y2={x+y÷Lc+Lc×(m-1)}×n으로 표시된다. m은 1 이상 R 이하의 정수이다.
제4 단계에서, 셀 좌표 테이블(15)에 액세스되며, 버스트 전송의 대상이 되는 열(칼럼)의 선두 셀에 대응하는 선두 비트의 로우 어드레스가 셀 좌표 테이블(15)로부터 독출된다.
제5 단계에서, 독출된 로우 어드레스에 기초하여 선두 셀에 대응한 선두 비트의 로우 어드레스를 포함하는 1열(1칼럼)분의 비트맵 데이터가 노광 데이터 메모리(17)로 버스트 전송되어 기록된다.
예컨대, m번째 열의 데이터(제3 데이터)를 버스터 전송하는 경우에는, 선두 셀에 대응한 선두 비트의 로우 어드레스에 대응하여 로우 어드레스(Arxm)가 셀 좌표 테이블(15)로부터 독출되고, 제3 데이터 중에서 로우 어드레스(Arxm)에 대응한 선두 비트의 선두 셀을 포함하는 열의 비트맵 데이터(m번째 열의 데이터)가 노광 데이터 메모리(17)로 버스트 전송된다.
제3∼제5 단계는 모든 열(로우: 768열)에 대하여 반복 수행되며, 이에 따라 DMD(33)를 통하여 표시되는 1화면분의 노광 데이터(DMD(33)를 구성하는 셀 각각에 대응한 비트맵 데이터를 갖는 제4 데이터)가 작성되어 노광 데이터 메모리(17)에 기록된다. 따라서, 제4 단계에서 행해지는 셀 좌표 테이블(15)에의 액세스는 열의 수(768열)만으로 충분하므로 노광 데이터 작성 시에 셀마다 비트 독출을 행하는 경우의 액세스 횟수(1024×768회)에 비하여 대폭으로 감소시킬 수 있다. 이 액세스 횟수의 삭감은 노광 데이터 작성 처리를 고속화할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태의 다중 노광 장치를 도시한 사시도이다.
도 2는 다중 노광 장치의 구성도이다.
도 3은 본 실시 형태의 셀 사이즈 변환을 보인 도면이다.
도 4는 본 실시 형태의 셀 재정렬을 보인 도면이다.
도 5는 셀 사이즈 변환(제1 데이터에서 제2 데이터로)을 구체적으로 보인 도면이다.
도 6은 제2 데이터를 도시한 도면이다.
도 7은 제3 데이터를 도시한 도면이다.
<부호의 설명>
1…다중 노광 장치, 10…제어부,
11…묘화 데이터 메모리, 13…셀 사이즈 메모리,
15…셀 좌표 테이블, 16…전환 메모리,
17…노광 데이터 메모리, 30…장치 헤드부,
31…디바이스 제어부, 33…DMD

Claims (4)

  1. 노광을 위하여 사용되는 묘화 데이터를 비트맵 형식으로 제1 데이터로서 기록하는 묘화 데이터 메모리와,
    상기 제1 데이터가, 칼럼 방향의 데이터 단위를, 셀마다의 정보의 분해능 단위로 변환된 상태의 제2 데이터를 기록하는 셀 사이즈 메모리와,
    상기 제2 데이터가, 상기 셀마다 상기 칼럼 방향의 정렬을 로우 방향으로 재정렬한 제3 데이터가, 칼럼마다 버스트 전송되어 얻어진 제4 데이터를 래스터 데이터인 노광 데이터로서 기록하는 노광 데이터 메모리를 구비하며,
    상기 셀은 상기 노광 데이터에 기초하여 노광을 행하는 DMD의 셀인 것을 특징으로 하는 노광 장치에서의 노광 데이터 작성 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 셀의 번호에 대응한 셀 좌표의 변환 테이블을 기록하는 셀 좌표 테이블을 더 구비하며,
    상기 제3 데이터의 상기 칼럼마다의 버스트 전송 시, 상기 제3 데이터는 상기 셀 좌표 테이블에 액세스하여 얻어지는 상기 버스트 전송되는 칼럼의 선두 셀의 셀 좌표의 정보에 기초하여 상기 칼럼마다 독출되는 것을 특징으로 하는 노광 데이터 작성 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 셀 좌표 테이블은 SRAM인 것을 특징으로 하는 노광 데이터 작성 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제3 데이터를 기록하는 DRAM을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 노광 데이터 작성 장치.
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