KR20080048944A - 감압성 접착 시트의 부착 및 박리 방법, 및 감압성 접착시트의 부착 장치, 및 감압성 접착 시트의 박리 장치 - Google Patents

감압성 접착 시트의 부착 및 박리 방법, 및 감압성 접착시트의 부착 장치, 및 감압성 접착 시트의 박리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20080048944A
KR20080048944A KR1020070121413A KR20070121413A KR20080048944A KR 20080048944 A KR20080048944 A KR 20080048944A KR 1020070121413 A KR1020070121413 A KR 1020070121413A KR 20070121413 A KR20070121413 A KR 20070121413A KR 20080048944 A KR20080048944 A KR 20080048944A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pressure
sensitive adhesive
adhesive sheet
semiconductor wafer
peeling
Prior art date
Application number
KR1020070121413A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101066510B1 (ko
Inventor
카즈유키 키우치
아키노리 니시오
아키라 쇼지
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20080048944A publication Critical patent/KR20080048944A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101066510B1 publication Critical patent/KR101066510B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/18—Handling of layers or the laminate
    • B32B2038/1891—Using a robot for handling the layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • H01L2221/6839—Separation by peeling using peeling wedge or knife or bar
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/17—Surface bonding means and/or assemblymeans with work feeding or handling means
    • Y10T156/1702—For plural parts or plural areas of single part
    • Y10T156/1744—Means bringing discrete articles into assembled relationship

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

본 발명은 적어도 단축 방향으로 열 수축성을 갖는 열 수축 가능한 재료, 열 수축 가능한 재료의 수축 변형을 방해하는 성질을 갖는 억제층 및 에너지 빔 경화 가능한 감압성 접착층을 이 적층 순서로 포함하는 감압성 접착 시트를 반도체 웨이퍼 상에 부착하는 단계, 감압성 접착 시트가 부착된 반도체 웨이퍼에 대해 소정의 처리를 시행한 후 에너지 빔으로 반도체 웨이퍼를 조사하여 감압성 접착층을 경화하는 단계, 및 감압성 접착층의 상기 경화 후 감압성 접착 시트를 가열하여 반도체 웨이퍼로부터 감압성 접착 시트를 박리하는 단계를 포함하는 감압성 접착 시트의 부착 및 박리 방법에 관한 것이고, 여기서 부착 단계에서, 반도체 웨이퍼의 노치부(notch portion)가 열 수축 가능한 재료의 열 수축의 방향의 말단에 위치하도록 감압성 접착 시트를 반도체 웨이퍼 상에 부착한다. 반도체 웨이퍼를 가열함으로써, 감압성 접착 시트가 노치부의 지점으로부터 상승하고, 다음으로 자발적으로 한 방향으로 롤업하여 관상을 형성함으로써 박리하고, 이로써 박리 동안 응력이 감소될 수 있다.
감압성 접착 시트, 부착, 박리

Description

감압성 접착 시트의 부착 및 박리 방법, 및 감압성 접착 시트의 부착 장치, 및 감압성 접착 시트의 박리 장치{METHOD FOR ATTACHING AND PEELING PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE SHEET, AND ATTACHING APPARATUS OF PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE SHEET AND PEELING APPARATUS OF PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE SHEET}
본 발명은 감압성 접착 시트를 반도체 웨이퍼 상에 부착하고, 반도체 웨이퍼로부터 감압성 접착 시트를 박리하는 방법, 감압성 접착 시트의 부착 장치 및 감압성 잡착 시트의 박리 장치에 관한 것이다. 더 특히, 열 수축성을 갖는 감압성 접착 시트를 부착하고 박리하는 기술에 관한 것이다.
최근 몇 년 동안, 반도체 웨이퍼는 그 크기가 약 300 ㎜의 직경까지 증가하였다. 이와는 반대로, 그 두께는 100 ㎛ 이하까지 점진적으로 감소하였다. 크고 얇은 반도체 웨이퍼는 매우 파손되기 쉽다. 그러므로 웨이퍼의 배면 측(rear side)의 연마 공정 전에 표면 보호 및 강화를 위한 감압성 접착 시트를 웨이퍼 표면상에 부착하여 웨이퍼를 유지하고, 배면 측 연마를 수행한 후 웨이퍼로부터 감압성 접착 시트를 박리하고 수집한다.
웨이퍼 표면상에 부착되는 감압성 접착 시트는 일반적으로 그 내부에 형성되 어 있는 에너지 빔(예를 들어, 자외선) 경화 가능한 감압성 접착층을 포함한다. 감압성 접착 시트를 웨이퍼 상에 부착하고, 그 위에 일시적으로 고정한다. 얻은 웨이퍼를 후속적으로 연마 공정으로 처리하고, 다음으로 에너지 빔으로 조사하여 감압성 접착층을 경화한다. 이리하여 접착력이 감소한 감압성 접착 시트를 웨이퍼로부터 박리한다. 그러나, 에너지 빔 조사를 통해 접착력이 감소한 감압성 접착 시트가 대기압 하에서 여전히 웨이퍼 표면에 접착되어 있다. 이는 웨이퍼로부터 감압성 접착 시트를 박리하기 위한 후속 공정을 필요로 한다. 이형 시트(release sheet)를 감압성 접착 시트 상에 더 부착한다. 그 다음, 감압성 접착 시트는 이형 시트와 통합되어 웨이퍼로부터 위로 구부러진다(turn up). 이러한 박리 공정 동안, 불리하게는 과도한 힘이 웨이퍼 상에 작용하게 되어 웨이퍼의 말단이 파손되거나 또는 웨이퍼에 금이 간다.
이러한 사정 하에서, 각각 에너지 빔 경화 가능한 감압성 접착층 및 이의 층 구조 내 열 수축 가능한 필름을 포함하는 감압성 접착 시트를 이용하는 기술이 제안되어 왔다(예를 들어, 일본 특허 공개 제2003-261842호, 일본 특허 공개 제2000-129227호, 일본 특허 공개 제2001-72327호 및 일본 특허 공개 제2001-7179호). 이 기술에 따르면, 웨이퍼를 에너지 빔으로 조사하여 감압성 접착층을 경화한다. 그 다음, 웨이퍼를 가열하여 열 수축 가능한 필름을 수축시킨다. 감압성 접착 시트의 얻어진 변형은 웨이퍼로부터 감압성 접착 시트를 박리할 수 있게 한다.
그러나, 감압성 접착 시트를 이용하는 종래의 기술에서는, 열 수축 가능한 필름의 수축이 복수의 방향으로 발생하기 때문에, 가열 후 감압성 접착 시트가 웨 이퍼 표면상에서 서로 부분 중첩됨으로써, 박리를 어렵게 하는 불리한 문제가 발생한다. 또한, 일반적으로, 단축으로 수축 가능한 필름으로서 상업적으로 입수 가능한 제품의 경우에도, 2차 수축이 생산 시의 잔류 응력 또는 제조 과정 동안 감압성 접착 시트에 적용되는 응력 또는 열 변형 등에 의해 상이한 축 방향으로 불리하게 발생한다. 특히, 감압성 접착 시트가 대형 반도체 웨이퍼 상에 부착되는 경우, 주 수축 축 방향으로의 수축을 억제함으로써 감압성 접착 시트의 박리를 어렵게 하는 경향이 있는 2차 수축 또한 증가한다. 그 결과, 박리 후 감압성 접착 시트의 일부가 웨이퍼에 접착되어 그 위에서 잔존하는 문제, 수축 시 불균일한 응력에 의해 반도체 웨이퍼가 파손되는 문제, 경화된 감압성 접착제가 감압성 접착 시트로부터 떨어져서 웨이퍼를 오염시키는 문제 또는 기타 문제가 발생한다.
발명의 개요
이러한 사정에서, 본 발명을 달성하였다. 그러므로 본 발명의 목적은 반도체 웨이퍼 상에 부착된 감압성 접착 시트를 가열에 의해 즉시 박리할 수 있는, 감압성 접착 시트의 부착 및 박리 방법, 감압성 접착 시트의 부착 장치 및 감압성 접착 시트의 박리 장치를 제공하는 것이다.
발명의 자세한 설명
이러한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 하기 (1) 내지 (8)을 제공한다.
(1) 감압성 접착 시트의 부착 및 박리 방법으로서,
적어도 단축 방향으로 열 수축성을 갖는 열 수축 가능한 재료, 열 수축 가능한 재료의 수축 변형을 방해하는 성질을 갖는 억제층 및 에너지 빔 경화 가능한 감압성 접착층을 이 적층 순서로 포함하는 감압성 접착 시트를 반도체 웨이퍼 상에 부착하는 단계,
감압성 접착 시트가 부착된 반도체 웨이퍼에 대해 소정의 처리를 시행한 후 에너지 빔으로 반도체 웨이퍼를 조사하여 감압성 접착층을 경화하는 단계, 및
감압성 접착층의 상기 경화 후 감압성 접착 시트를 가열하여 반도체 웨이퍼로부터 감압성 접착 시트를 박리하는 단계
를 포함하고, 상기 부착 단계에서, 반도체 웨이퍼의 노치부(notch portion) 가 열 수축 가능한 재료의 열 수축의 방향의 말단에 위치하도록 감압성 접착 시트를 반도체 웨이퍼 상에 부착하는 방법.
(2) 감압성 접착 시트의 부착 및 박리 방법으로서,
적어도 단축 방향으로 열 수축성을 갖는 열 수축 가능한 재료, 열 수축 가능한 재료의 수축 변형을 방해하는 성질을 갖는 억제층 및 에너지 빔 경화 가능한 감압성 접착층을 이 적층 순서로 포함하는 감압성 접착 시트를 반도체 웨이퍼 상에 부착하는 단계,
감압성 접착 시트가 부착된 반도체 웨이퍼에 대해 소정의 처리를 시행한 후 에너지 빔으로 반도체 웨이퍼를 조사하여 감압성 접착층을 경화하는 단계, 및
감압성 접착층의 상기 경화 후 감압성 접착 시트를 가열하여 반도체 웨이퍼로부터 감압성 접착 시트를 박리하는 단계
를 포함하고, 상기 박리 단계에서, 반도체 웨이퍼 상에 부착된 감압성 접착 시트의 주변 단부(peripheral edge)의 특정 지점에 기계적 힘을 적용한 후 또는 적용하면서 감압성 접착 시트를 가열하여 반도체 웨이퍼로부터 박리하는 방법.
(3) 감압성 접착 시트의 부착 및 박리 방법으로서,
적어도 단축 방향으로 열 수축성을 갖는 열 수축 가능한 재료, 열 수축 가능한 재료의 수축 변형을 방해하는 성질을 갖는 억제층 및 에너지 빔 경화 가능한 감압성 접착층을 이 적층 순서로 포함하는 감압성 접착 시트를 반도체 웨이퍼 상에 부착하는 단계,
감압성 접착 시트가 부착된 반도체 웨이퍼에 대해 소정의 처리를 시행한 후 에너지 빔으로 반도체 웨이퍼를 조사하여 감압성 접착층을 경화하는 단계, 및
감압성 접착층의 상기 경화 후 감압성 접착 시트를 가열하여 반도체 웨이퍼로부터 감압성 접착 시트를 박리하는 단계
를 포함하고, 상기 박리 단계에서, 감압성 접착 시트를 이에 제공되는 온도 구배로 가열함으로써 감압성 접착 시트를 반도체 웨이퍼로부터 박리하는 방법.
(4) 위 (1)에 따른 방법의 상기 부착을 수행하기 위한 감압성 접착 시트의 부착 장치로서, 감압성 접착 시트와 반도체 웨이퍼 사이의 위치 관계를 조정하여 반도체 웨이퍼의 노치부가 열 수축 가능한 재료의 열 수축의 방향의 말단에 위치하도록 하는 정렬 유닛을 포함하는 장치.
(5) 위 (2)에 따른 방법의 상기 박리를 수행하기 위한 감압성 접착 시트의 박리 장치로서, 반도체 웨이퍼 상에 부착된 감압성 접착 시트의 주변 단부의 특정 지점에 기계적 힘을 적용하는 기계적 힘 적용 유닛을 포함하는 장치.
(6) 위 (3)에 따른 방법의 상기 박리를 수행하기 위한 감압성 접착 시트의 박리 장치로서, 감압성 접착 시트를 이에 제공되는 온도 구배로 가열하는 가열 유닛을 포함하는 장치.
(7) 위 (5)에 따른 감압성 접착 시트의 박리 장치에서, 상기 가열에 의해 반도체 웨이퍼로부터 박리되어 관상을 형성하는 감압성 접착 시트를 수집하는 수집 유닛을 포함하는 장치.
(8) 위 (6)에 따른 감압성 접착 시트의 박리 장치에서, 상기 가열에 의해 반도체 웨이퍼로부터 박리되어 관상을 형성하는 감압성 접착 시트를 수집하는 수집 유닛을 포함하는 장치.
위 (1)에 따르면, 열 수축 가능한 재료와 에너지 빔 경화 가능한 감압성 접착층 사이에 열 수축 가능한 재료의 수축 변형을 방해하는 성질을 갖는 억제층을 제공함으로써, 가열에 의한 열 수축 가능한 재료의 수축 시에 수축 구배가 감압성 접착 시트의 표면에 대해 수직 방향으로 발생한다. 그 결과, 감압성 접착 시트의 최외각 단부가 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 상승하고, 한 방향으로 자발적으로 롤업(roll up)하여 관상을 형성하면서 박리된다. 이는 박리 시 응력에 의한 반도체 웨이퍼의 파손, 불완전한 박리에 의한 반도체 웨이퍼의 오염 등의 문제를 회피할 수 있다. 따라서 감압성 접착층을 용이하게 박리하는 것이 가능하다. 한편, 부착 공정에서, 반도체 웨이퍼의 노치부가 열 수축 가능한 재료의 열 수축의 방향의 말단에 위치하도록 감압성 접착 시트를 반도체 웨이퍼 상에 부착한다. 그러므로 열 수축 동안 응력이 집중되는 경향이 있는 반도체 웨이퍼의 노치부로부터 감압성 접착 시트의 최외각 단부가 위로 구부러지기 시작한다. 다시 말해서, 감압성 접착 시트가 반도체 웨이퍼의 노치부로부터 자연스럽게 박리되기 시작하기 때문에, 박리 동안 응력이 더 감소될 수 있다.
위 (2)에 따르면, 박리 공정에서, 반도체 웨이퍼 상에 부착된 감압성 접착 시트의 주변 단부의 특정 지점에 기계적 힘을 적용한 후 또는 적용하면서 감압성 접착 시트를 가열하여 반도체 웨이퍼로부터 박리한다. 따라서 감압성 접착 시트의 최외각 단부가 기계적 힘이 적용된 특정 지점으로부터 위로 구부러지기 시작한다. 다시 말해서, 감압성 접착 시트가 감압성 접착 시트의 주변 단부의 특정 지점으로 부터 자연스럽게 박리되기 시작하기 때문에, 박리 동안 응력이 더 감소될 수 있다.
위 (3)에 따르면, 박리 공정에서, 감압성 접착 시트를 이에 제공되는 온도 구배로 가열하여 반도체 웨이퍼로부터 박리한다. 따라서, 감압성 접착 시트는 열 수축 변형이 최대이고, 온도가 최대인 지점으로부터 위로 구부러지기 시작한다. 다시 말해서, 감압성 접착 시트가 감압성 접착 시트의 주변 단부의 특정 지점으로부터 자연스럽게 박리되기 시작하기 때문에, 박리 동안 응력이 더 감소될 수 있다.
위 (4)에 따르면, 바람직하게는 위 (1)에 따른 감압성 접착 시트의 부착 및 박리 방법을 수행하는 것이 가능하다.
위 (5)에 따르면, 바람직하게는 위 (2)에 따른 감압성 접착 시트를 부착 및 박리하는 방법을 수행하는 것이 가능하다.
위 (6)에 따르면, 바람직하게는 위 (3)에 따른 감압성 접착 시트의 부착 및 박리 방법을 수행하는 것이 가능하다.
위 (7) 및 (8)에 따르면, 장치는 반도체 웨이퍼로부터 박리되어 관상을 형성하는 감압성 접착 시트를 수집하는 수집 유닛을 포함한다. 그러므로 박리된 감압성 접착 시트는 후속 박리 공정을 방해하지 않고, 이는 감압성 접착 시트의 연속적이고 매끄러운 박리를 가능케 한다.
본 발명에 따른 감압성 접착 시트의 부착 및 박리 방법에 따르면, 열 수축 가능한 재료가 가열에 의해 수축하는 경우, 감압성 접착 시트는 감압성 접착 시트의 주변 단부의 특정 지점으로부터 상승하고, 한 방향으로 자발적으로 롤업하여 관 상을 형성하면서 박리된다. 이는 박리 시 응력에 의한 반도체 웨이퍼의 파손, 불완전한 박리에 의한 반도체 웨이퍼의 오염 등의 문제를 회피할 수 있다. 따라서 감압성 접착층을 용이하게 박리하는 것이 가능하다. 또한, 본 발명에 따른 감압성 접착 시트의 박리 장치 및 감압성 접착 시트의 부착 장치에 따르면, 바람직하게는 본 발명에 따른 감압성 접착 시트의 부착 및 박리 방법을 수행하는 것이 가능하다.
구체예 1
다음으로, 첨부 도면을 참조함으로써 본 발명의 구체예 1을 설명할 것이다.
도 1은 구체예 1에 따른 감압성 접착 시트의 부착 및 박리 방법의 공정 순서를 나타내는 순서도이다.
먼저, 단계 S1의 부착 공정에서, 단축 방향으로 열 수축성을 갖는 열 수축 가능한 재료, 열 수축 가능한 재료의 수축 변형을 방해하는 성질을 갖는 억제층 및 에너지 빔 경화 가능한 감압성 접착층을 이 순서로 적층함으로써 형성되는 감압성 접착 시트를 반도체 웨이퍼 상에 부착한다. 이 단계에서, 반도체 웨이퍼의 노치부(notch portion)가 열 수축 가능한 부재의 열 수축의 방향의 말단에 위치하도록 감압성 접착 시트를 반도체 웨이퍼 상에 부착한다.
도 2는 이 구체예에서의 이용을 위한 감압성 접착 시트의 횡단면도이다.
단축 방향으로 열 수축성을 갖는 열 수축 가능한 재료(1)는 열 수축 가능한 필름으로 형성될 수 있다. 열 수축 가능한 필름이 주 수축 축 방향을 가지는 것만이 필수적이고, 수축이 한 방향으로 발생하는지 여부 또는 세로와 가로 방향으로 발생하는지 여부는 중요하지 않다. 특히, 2차 수축을 최소화하는 목적을 위해, 단축 연신된 필름이 바람직하다. 열 수축 가능한 필름의 주 수축 방향에서의 수축률은 70 내지 180℃의 범위 내 규정된 온도(예를 들어, 95℃ 또는 140℃)에서 예를 들어, 5 내지 90%, 바람직하게는 20 내지 85%이다. 열 수축 가능한 필름의 주 수축 방향이 아닌 다른 방향에서 수축률은 바람직하게는 10% 이하, 더 바람직하게는 5% 이하, 특히 바람직하게는 3% 이하이다. 열 수축 가능한 재료(1)를 구성하는 열 수축 가능한 필름으로서, 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리노보넨, 폴리우레탄 등으로 형성된 연신된 필름이 감압성 접착 시트의 우수한 코팅 작업성 등의 면에서 바람직하다. 열 수축 가능한 재료(1)의 두께는 일반적으로 5 내지 300 ㎛, 바람직하게는 10 내지 100 ㎛이다.
억제층(2)은 열 수축 가능한 재료(1)의 수축을 제한하기 위한 층이다. 억제층(2)은 열 수축 가능한 재료(1)의 주 수축 방향이 아닌 다른 방향으로 2차 수축을 억제한다. 열 수축 가능한 재료(1)가 단축으로 수축 가능하더라도, 반드시 균일하다고 할 수 없는 열 수축 가능한 재료(1)의 수축 방향을 한 방향으로 모은다. 이러한 이유로, 아마도, 열 수축 가능한 재료(1)의 수축을 일으키는 열 자극을 감압성 접착 시트에 적용하는 경우, 열 수축 가능한 재료(1)의 수축력을 방해하는 억제층(2) 내 척력이 구동력으로서 작용하는 것으로 여겨진다. 따라서 감압성 접착 시트의 최외각 단부(하나의 단 또는 마주보는 2개의 단)가 들어 올려지고, 자발적으로 하나의 방향 또는 중심 방향으로(일반적으로, 열 수축 가능한 재료의 주 수축 축 방향으로) 단으로부터 열 수축 가능한 재료(1) 측이 안쪽으로 향하면서 롤업하 고, 관상 롤이 형성되게 한다. 또한, 억제층(2)은 열 수축 가능한 재료(1)의 수축 변형에 의해 발생하는 전단력이 감압성 접착층(3) 또는 웨이퍼(W)로 전송되는 것을 방지할 수 있다. 이는 재박리 시 접착 강도가 감소된 감압성 접착층(예를 들어, 경화된 감압성 접착층)의 파손, 웨이퍼의 파손, 파손된 감압성 접착층에 의한 웨이퍼의 오염 등을 방지할 수 있다.
억제층(2)은 열 수축 가능한 재료(1)의 수축을 억제하는 기능을 나타내기 위해 열 수축 가능한 재료(1)와 접착성(감압성 접착성을 포함) 및 탄성을 가진다. 또한, 억제층(2)은 바람직하게는 관형 롤을 매끄럽게 형성하게 하기 위해 특정한 수준의 인성 또는 강성을 가진다. 억제층(2)은 단일 층으로 구성될 수 있거나, 또는 복수의 층이 기능을 공유하는 복수의 층으로 구성될 수도 있다.
억제층(2)은 예를 들어, 탄성 층 및 견고한 필름 층으로 형성될 수 있다. 탄성 층 측은 열 수축 가능한 재료(1) 상에 결합하고, 감압성 접착층(3)은 견고한 필름 층 측에 형성된다. 바람직하게는, 탄성 층은 열 수축 가능한 재료(1)의 수축 동안의 온도 하에서 변형되는 경향이 있고, 즉, 이는 고무 상태이다. 탄성 층은 바람직하게는 3차원 가교 등에 의해 유동성이 억압된다. 탄성 층의 경우, 재료로서 예를 들어, 우레탄 폼 또는 아크릴 폼의 폼 재료(확장 필름)와 같은 수지 필름(시트 포함)(이의 표면(적어도 열 수축 가능한 재료(1) 측 상 표면)은 접착 처리됨), 또는 고무, 열가소성 탄성중합체 등을 이용하는 비확장 수지 필름을 이용할 수 있다. 추가적으로, 탄성 층은 또한 가교 가능한 아크릴 감압성 접착제와 같은 그 자체로서 접착성을 갖는 수지 조성물로 형성될 수 있다. 탄성 층의 구성 성분에, 유리 비 드(bead) 또는 수지 비드와 같은 비드 또한 첨가할 수 있다. 비드의 첨가는 접착 특성 또는 전단 탄성 계수의 유리한 제어를 용이하게 한다.
견고한 층은 억제층(2)에 강성 또는 인성을 부여하는 기능을 가진다. 견고한 층의 제공은 열 수축 가능한 재료(1)에 대해 열 자극이 가해졌을 때, 감압성 접착 시트가 도중에 멈추거나, 또는 방향을 일탈하는 것을 방지할 수 있다. 따라서 감압성 접착 시트는 자발적으로 매끄럽게 롤업하여 균형잡힌 형상의 관형 롤을 형성한다. 견고한 층을 형성하기 위한 견고한 필름으로서, 폴리에스테르 유형 수지 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리아마이드 필름 등이 감압성 접착 시트의 우수한 코팅 작업성 등의 면에서 바람직하다. 견고한 층은 단일 층일 수 있거나, 또는 내부에 적층된 2 이상의 층을 포함하는 다중 층일 수 있다. 견고한 층을 구성하는 필름은 비수축성이다. 수축률은 예를 들어, 5% 이하, 바람직하게는 3% 이하, 그리고 더 바람직하게는 1% 이하이다.
억제층(2)의 두께는 일반적으로 1 내지 200 ㎛, 바람직하게는 25 내지 120 ㎛이다. 두께가 너무 얇은 경우에는, 불균일한 코팅이 발생할 수 있거나 또는 수축 응력의 과도한 집중에 의한 경계면 파손이 발생할 수 있다. 반면, 억제층(2)의 두께가 너무 두꺼운 경우에는, 수축 응력의 과도한 이완에 의한 박리성의 감소 또는 취급성 및 비용 효율의 감소가 발생한다. 따라서 이 경우들은 바람직하지 않다. 부수적으로, 억제층(2)이 접착 처리로 처리된 수지계 재료 층으로 형성되는 경우, 이의 전체적인 두께는 바람직하게는 전술한 수치 값 범위 내에 속한다.
에너지 빔 경화 가능한 감압성 접착 층(3)은 초기 단계에서 감압성 접착성을 가지고, 이는 적외선, 가시광선, 자외선, X선 또는 전자 빔과 같은 에너지 빔의 조사를 통해 3차원 망 구조를 형성하는 재료로 형성된다. 구체적으로는, 예를 들어, 베이스 재료(감압성 접착제)에 혼입된 에너지 빔 경화 가능한 화합물을 함유하는 조성물 및 바람직하게는 아크릴 감압성 접착제에 혼입된 자외선(UV) 경화 가능한 화합물을 함유하는 UV 경화 가능한 감압성 접착제가 이용된다. 감압성 접착층(3)의 두께는 일반적으로 1 내지 100 ㎛이고, 바람직하게는 10 내지 60 ㎛이다. 두께가 너무 얇은 경우, 웨이퍼 패턴의 불균일성을 흡수하는 것이 불가능하게 되거나, 또는 반도체 웨이퍼를 유지 또는 일시적으로 고정하는 것이 어렵게 되고, 이는 웨이퍼 파손을 초래할 수 있다. 한편, 너무 두꺼운 감압성 접착층(3)의 두께는 비경제적이고, 이는 취급성을 열등하게 하므로 바람직하지 못하다.
도 3은 반도체 웨이퍼 W와 이의 표면상에 부착될 감압성 접착 시트 사이의 위치 관계를 도시한다. 일반적으로, 반도체 웨이퍼(W)는 내부에 형성되는 V 노치 또는 오리엔테이션 플랫(orientation flat)과 같은 노치부(N)를 포함한다. 이 구체예 1에서, 노치부(N)가 열 수축 가능한 재료의 열 수축 방향(H)(즉, 주 수축 축 방향)의 말단에 위치하도록 감압성 접착 시트(S)를 반도체 웨이퍼(W) 상에 부착한다.
도 4는 단계 S1의 부착 공정에서의 이용을 위한 감압성 접착 시트의 부착 장치의 개략적인 구성을 나타내는 사시도이다.
감압성 접착 시트의 부착 장치(10)는 베이스(12)의 왼쪽 및 오른쪽 정면상에, 웨이퍼 공급 유닛(14)(좌측)(여기서, 웨이퍼(W)가 저장된 카세트(C1)가 장착됨) 및 표면상에 감압성 접착 시트(S1)가 부착된 웨이퍼(W)를 수집하는 웨이퍼 수 집 유닛(16)(우측)을 포함한다. 웨이퍼 공급 유닛(14)과 웨이퍼 수집 유닛(16) 사이에 로봇 팔(18)을 포함하는 웨이퍼 수송 메커니즘(20)이 배치된다. 한편, 정렬 단(22)이 베이스(12)의 오른쪽 후면에 배치된다. 또한, 이 위에, 웨이퍼(W)를 향해 감압성 접착 시트(S1)를 공급하기 위한 시트 공급 유닛(24)이 배치된다. 한편, 시트 공급 유닛(24) 아래 우측 대각선 상에, 시트 공급 유닛(24)으로부터 공급된 분리기를 각각 갖는 감압성 접착 시트(S1)로부터 분리기만을 수집하는 분리기 수집 유닛(26)이 배치된다. 정렬 단(22)의 좌측에는, 웨이퍼(W)를 흡착하고 유지하기 위한 척 테이블(chuck table)(28), 척 테이블(28) 상에 유지된 웨이퍼(W) 상에 감압성 접착 시트(S1)를 부착하기 위한 시트 부착 메커니즘(30) 및 웨이퍼(W) 상에 감압성 접착 시트(S1)를 부착한 후 불필요한 시트(S2)를 박리하기 위한 시트 박리 메커니즘(32)이 배치된다. 그 위에, 웨이퍼(W) 상에 부착된 감압성 접착 시트(S1)를 웨이퍼(W)의 외부 형상을 따라 절단하기 위한 절단기 메커니즘(34)이 배치된다. 또한, 베이스(12) 위 좌측에는, 불필요한 시트를 수집하기 위한 시트 수집 유닛(36)이 배치된다. 부수적으로, 정렬 단(22)은 본 발명에 따른 감압성 접착 시트의 부착 장치 내에서 정렬 수단(정렬 유닛)에 해당한다.
다음으로, 부착 장치(10)의 작동을 기술할 것이다.
내부에 다단계로 저장된 웨이퍼(W)를 포함하는 카세트(C1)가 웨이퍼 공급 유닛(14)의 카세트 단에 장착되는 경우, 카세트 단은 위를 향해 이동하고, 적출될 웨이퍼(W)가 로봇 팔(18)에 의해 적출될 수 있는 위치에서 정지한다.
웨이퍼 수송 메커니즘(20)이 전향하여, 로봇 팔(18)의 웨이퍼 유지부가 카세 트(C1) 내 웨이퍼(W)들 사이의 틈에 삽입되도록 한다. 로봇 팔(18)은 웨이퍼 유지부 상 배면 측으로부터 웨이퍼(W)를 흡착 및 유지하고, 웨이퍼(W)를 정렬 단(22)으로 수송한다.
정렬 단(22) 상에 장착된 웨이퍼(W)의 경우, 웨이퍼(W)의 정렬은 오리엔테이션 플랫 또는 노치와 같은 노치부를 기준으로 수행한다. 구체적으로, 웨이퍼(W)가 척 테이즐(28) 상에 장착되는 경우, 웨이퍼(W)는 웨이퍼(W)의 노치부(N)가 감압성 접착 시트(S1)의 주 수축 축의 방향(이 구체예에서, 밴드형 감압성 접착 시트(S1)의 세로 방향)의 말단에 위치하도록 정렬된다. 정렬 후, 웨이퍼(W)는 배면 측으로부터 로봇 팔(5)에 의해 흡착 및 유지되어 척 테이블(28) 상으로 수송된다.
척 테이블(28) 상에 장착된 웨이퍼(W)가 흡착 및 유지된다. 도 5에서 도시한 바와 같이, 이 단계에서, 시트 부착 메커니즘(30) 및 시트 박리 메커니즘(32)이 좌측의 초기 위치에 위치하고, 절단기 유닛(34)이 상측의 대기 위치에 위치한다.
웨이퍼(W)가 흡착 및 유지되는 경우, 도 6에 도시한 바와 같이, 시트 부착 메커니즘(30)의 부착 롤러(31)가 스윙 방식으로 아래로 이동한다. 따라서 부착 롤러(31)는 감압성 접착 시트(S1)를 누르면서 웨이퍼(W) 상에서 시트의 이동 방향과 반대 방향(도 6에서 왼쪽에서 오른쪽 방향)으로 회전한다. 그 결과, 이는 감압성 접착 시트(S1)를 웨이퍼(W)의 전체 표면에 균일하게 부착한다. 시트 부착 메커니즘(30)이 완료 위치에 도달하는 경우, 부착 롤러(31)가 위를 향해 이동한다.
다음으로, 도 7에 도시한 바와 같이, 절단기 메커니즘(34)이 절단 작동 위치로 아래를 향해 이동하고, 절단 에지(35)가 감압성 접착 시트(S1)를 관통하고 지나 간다. 소정의 위치에서 정지한 절단 에지(35)가 척 테이블(28)에서 제공되는 미도시한 그루브를 따라 이동한다. 다시 말해서, 이는 감압성 접착 시트(S1)를 웨이퍼(W)의 외부 형상을 따라 절단을 계속한다.
도 8에 도시한 바와 같이, 감압성 접착 시트(S1)의 절단 후, 절단기 메커니즘(34)이 위를 향해 이동하여 대기 위치로 되돌아간다.
다음, 도 8에 도시한 바와 같이, 시트 박리 메커니즘(32)이 롤업하고, 웨이퍼(W) 상 시트 이동 방향과 반대 방향으로 이동하면서 박리 롤러(33)에 의해 웨이퍼(W) 상에 절단된 불필요한 시트(S2)를 박리한다.
시트 박리 메커니즘(32)이 박리 공정의 완료 위치에 도달하는 경우, 시트 박리 메커니즘(32) 및 시트 부착 메커니즘(30)이 시트의 이동 방향으로 이동하여, 도 5에 도시한 초기 위치로 되돌아간다. 이 단계에서, 불필요한 시트(S2)가 시트 수집 유닛(36)으로 롤업하고, 일정량의 감압성 접착 시트(S1)가 시트 공급 유닛(24)으로부터 방출된다. 이 시점까지, 웨이퍼(W)의 표면상에 감압성 접착 시트(S1)를 부착하는 공정의 1라운드가 완료된다.
공정은 도 1로 되돌아간다. 전술한 방식으로, 반도체 웨이퍼(W)의 노치부(N)가 감압성 접착 시트(S)의 주 수축 방향의 말단에 위치하도록 감압성 접착 시트(S)를 반도체 웨이퍼(W) 상에 부착한다. 다음으로, 공정은 후속 단계(S2)로 이어진다. 이 단계에서, 반도체 웨이퍼(W)의 배면 측은 반도체 웨이퍼(W)의 표면상에 부착된 감압성 접착 시트(S)와 연마된다. 따라서 반도체 웨이퍼(W)는 소정의 두께로 처리된다.
배면 측 연마된 반도체 웨이퍼(W)의 배면 측은 또 다른 감압성 접착 시트에 부착된다. 따라서 웨이퍼(W)가 감압성 접착 시트를 통해 고리형 프레임 상에서 유지된다. 다음, 공정은 도 1의 단계(S3)로 이어진다. 감압성 접착 시트(S)가 부착된 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 에너지 빔(이 구체예에서는 자외선임)을 조사하여 감압성 접착 시트(S)의 감압성 접착층(3)을 경화한다(도 9 참조). 부수적으로, 도 9에서, 참조 기호(F)는 감압성 접착 시트(T)를 통해 웨이퍼(W)를 유지하는 고리형 프레임을 나타내고, 참조 번호(38)는 프레임(F) 상에 장착된 웨이퍼(W)가 장착된 테이블을 나타내고, 참조 번호(40)는 웨이퍼(W) 상의 감압성 접착 시트(S)에 자외선을 조사하기 위한 자외선 조사 유닛을 나타낸다.
공정은 도 1로 되돌아간다. 에너지 빔 조사 공정(S3)이 완료되는 경우, 공정은 단계(S4)의 박리 공정으로 향하고, 여기서 감압성 접착 시트(S)가 가열되고, 반도체 웨이퍼(W)로부터 박리된다. 구체적으로, 도 10a 내지 10d에 도시한 바와 같이, 프레임(F) 상에 장착된 웨이퍼(W)가 가열 플레이트(42) 상에 장착된다(도 10A 참조). 그 결과, 웨이퍼(W) 상에 부착된 감압성 접착 시트(S)가 가열되어 감압성 접착 시트(S)의 열 수축 가능한 재료(1)가 주 수축 축 방향으로 수축한다
이 단계에서, 감압성 접착층(3)은 이미 경화되었고, 이의 감압성 접착성이 약화되었다. 다음으로, 열 수축 가능한 재료(1)에서, 그리고 이와 경화된 감압성 접착 층(3) 사이에 삽입된 억제층(2)에서, 수축 구배가 감압성 접착 시트(S)의 표면에 수직 방향으로 발생한다. 그 결과, 감압성 접착 시트(S)가 주 수축 축 방향으로 구부려져 웨이퍼(W)의 표면으로부터 위로 구부러진다.
부착 공정에서, 감압성 접착 시트(S)는 반도체 웨이퍼(W)의 노치부(N)가 열 수축 가능한 재료의 열 수축 방향의 말단에 위치하도록 반도체 웨이퍼(W) 상에 부착되었다. 따라서, 감압성 접착 시트(S)의 주변 단부가 열 수축 동안 응력이 집중되는 경향이 있는 반도체 웨이퍼(W)의 노치부(N)의 지점에서부터 위로 구부러지기 시작한다(도 10b 참조).
도 10c 및 10d에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(W)의 노치부(N)로부터 위를 향하기 시작한 감압성 접착 시트(S)는 롤업하면서 자유롭게 이동하여 노치부(N)로부터 이격되는 방향으로 스스로 관상(관으로 컬링)을 형성하면서 웨이퍼(W)의 표면으로부터 박리된다. 따라서, 감압성 접착 시트(S)는 반도체 웨이퍼(W)의 노치부(N)로부터 자연스럽게 박리되기 시작한다. 따라서, 그 자체의 수축력에 의해 웨이퍼 표면으로부터 박리되고, 구부러진 형태로 자유롭게 이동한다.
그러므로, 박리 동안 웨이퍼 표면상에 가해지는 응력은 매우 작고, 이는 웨이퍼(W)의 에지의 파손 또는 웨이퍼(W)에 금이 감을 방지할 수 있다.
구체예 2
반도체 웨이퍼(W) 상에 부착된 감압성 접착 시트(S)가 특정 지점으로부터 위로 구부러지는 구성은 박리된 감압성 접착 시트(S)가 수집되는 경우에서 또는 박리 공정의 자동화를 위해 바람직하다. 이 목적을 위해, 구체예 1의 부착 공정에서, 반도체 웨이퍼(W)의 노치부(N)가 열 수축 가능한 재료의 열 수축 방향의 말단에 위치하도록 감압성 접착 시트(S)를 반도체 웨이퍼(W) 상에 부착한다. 대조적으로, 구체예 2의 박리 공정에서, 반도체 웨이퍼(W) 상에 부착된 감압성 접착 시트(S)의 주변 단부의 특정 지점에 기계적 힘을 적용한 후 또는 적용하면서 감압성 접착 시트(S)를 가열한다. 그 결과, 감압성 접착 시트(S)는 기계적 힘이 가해진 지점으로부터 박리된다. 이 구체예의 경우에서, 박리 공정에서는 반도체 웨이퍼(W)의 노치부(N)가 열 수축 가능한 재료의 열 수축 방향의 말단에 위치하도록 감압성 접착 시트(S)를 반도체 웨이퍼(W) 상에 부착할 것을 필수적으로 요구하지 않는다. 그러나, 감압성 접착 시트(S)를 이러한 방식으로 부착하는 것도 허용될 수 있다. 부수적으로, 감압성 접착 시트(S)의 부착 후 반도체 웨이퍼의 처리 공정(S2) 및 에너지 조사 공정(S3)은 구체예 1과 동일하다. 그러므로, 이에 대한 설명은 여기서 생략한다.
다음으로, 도 11a 내지 11d를 참조함으로써, 감압성 접착 시트(S)의 주변 단부의 특정 지점에 기계적 힘을 적용하는 구성(기계적 힘 적용 유닛)에 대해 설명할 것이다.
도 11a를 참조하면, 감압성 접착성을 갖는 박리 테이프(46)가 가이드 부재(44)의 표면을 둘러싼다. 박리 테이프(46)를 반도체 웨이퍼(W) 상에 부착된 감압성 접착 시트(S)의 주변 단부의 특정 지점과 가볍게 접촉시키고, 들어올린다. 이는 감압성 접착 시트(S)가 위로 구부러짐(박리의 원인)을 생성한다.
도 11b를 참조하면, 구체예 1에서와 같이, 부착 공정에서, 반도체 웨이퍼(W)의 노치부(N)가 열 수축 가능한 재료의 열 수축 방향의 말단에 위치하도록 감압성 접착 시트(S)를 반도체 웨이퍼(W) 상에 부착한다. 또한 박리 공정에서, 박리 테이프(46)를 감압성 접착 시트(S)와 노치부(N)에서 가볍게 접촉시키고, 들어올린다. 이는 감압성 접착 시트(S)의 박리의 원인을 생성한다.
도 11c를 참조하면, 박리 공정에서, 얇은 핀과 같은 돌출(thrust) 부재(48)가 반도체 웨이퍼(W)의 노치부(N) 아래로부터 돌출한다. 따라서, 노치부(N)에서 감압성 접착 시트(S)가 들어 올려진다. 이는 감압성 접착 시트(S)의 박리의 원인을 생성한다.
도 11d를 참조하면, 박리 공정에서, 얇은 핀과 같은 삽입 부재(50)를 반도체 웨이퍼(W)와 감압성 접착 시트(S) 사이로 밀어 넣는다. 따라서, 감압성 접착 시트(S)의 주변 단부의 특정 지점이 들어 올려진다. 이는 감압성 접착 시트(S)의 박리의 원인을 생성한다.
이들 외에도, 감압성 접착 시트(S)의 주변 단부의 특정 지점에 기계적 힘을 적용하기 위한 기술은 다양한 변경으로 수행될 수 있다. 예를 들어, 다음의 기술 또한 허용할 수 있다. 얇은 노즐로부터, 압축 공기 또는 질소 가스와 같은 청정 가스를 반도체 웨이퍼(W)와 감압성 접착 시트(S) 사이의 결합 표면 위에 분무하여 감압성 접착 시트(S)의 박리 원인을 생성한다.
구체예 3
감압성 접착 시트(S)의 박리 원인은 상술된 구체예 1 및 2의 기술 이외에도, 감압성 접착 시트(S)를 이에 제공되는 온도 구배로 가열함으로써 구현할 수도 있다. 감압성 접착 시트(S)를 이에 제공되는 온도 구배로 가열하는 경우, 감압성 접착 시트(S)는 열 수축 변형이 최대이고, 온도가 최대인 지점으로부터 위로 구부러지기 시작한다. 다음으로, 도 12a 내지 12e를 참조함으로써, 감압성 접착 시트(S)를 이에 제공되는 온도 구배로 가열하는 구성의 예(가열 유닛)를 기술할 것이다. 부수적으로, 감압성 접착 시트(S)의 부착 후 반도체 웨이퍼(W)의 처리 공정(S2) 및 에너지 조사 공정(S3)은 구체예 1에서와 동일하다. 그러므로, 이에 대한 설명은 여기서 생략한다.
도 12a를 참조하면, 프레임(F) 상에 장착된 웨이퍼(W)가 장착된 가열 플레이트(52)가 온도 구배를 가지게 함으로써, 고온 지점에서의 감압성 접착 시트(S)의 부분의 열 수축을 촉진하여 이 지점에서 감압성 접착 시트(S)의 박리의 원인을 생성한다. 이 구체예에서, 가열 플레이트(52)의 온도 T1, T2 및 T3가 다음 관계를 만족시키도록 설정된다: T1 ＞ T2 ＞ T3. 그러므로, 감압성 접착 시트(S)는 온도가 가장 높은 T1으로 설정된 지점으로부터 박리되기 시작한다.
도 12b를 참조하면, 균일한 온도 분포를 갖는 가열 플레이트(54)를 웨이퍼(W)의 배면 측과 상이한 타이밍(shifted timing)으로 접촉시킴으로써 감압성 접착 시트(S)의 온도 구배가 발생한다. 이는 가열 플레이트(54)가 조기에 접촉된 지점에서 감압성 접착 시트(S)의 박리의 원인을 생성한다.
도 12c를 참조하면, 노즐(56)로부터 따뜻한 공기를 웨이퍼(W)의 주변 단부의 특정 지점을 향해 분무하고, 다음으로 노즐(56)을 한 방향으로 이동시켜 따뜻한 공기가 전체 웨이퍼(W)에 분무 되도록 함으로써 웨이퍼(W) 내 온도 구배를 발생시킨다. 이는 따뜻한 공기가 조기에 분무된 지점에서 감압성 접착 시트(S)의 박리의 원인을 생성한다.
도 12d를 참조하면, 내부에 히터를 포함하는 롤러(58)를 웨이퍼(W)의 배면 측과 접촉시켜 한 방향으로 회전시킴으로써 웨이퍼(W) 내 온도 구배를 발생시킨다. 이는 롤러가 최초로 접촉하는 지점에서 감압성 접착 시트(S)의 박리의 원인을 생성한다.
도 12e를 참조하면, 내부에 히터를 포함하는 박리 막대(59)가 수평으로 이동하여 자가 접착성 테이프(S) 상에 박리 테이프(46)를 부착함으로써 웨이퍼(W) 내 온도 구배를 발생시킨다. 이는 웨이퍼의 최외각 주변부에서 감압성 접착 시트(S)의 박리의 원인을 생성한다.
이들 외에도, 감압성 접착 시트(S)를 이에 제공되는 온도 구배로 가열하기 위한 기술은 다양한 변경으로 수행될 수 있다. 예를 들어, 다음의 기술도 허용할 수 있다. 슬릿형 적외선이 반도체 웨이퍼(W)의 표면 측으로부터 노출되어, 웨이퍼 표면을 따라 한 방향으로 스캔하도록 한다. 이는 반도체 웨이퍼(W) 내 온도 구배의 발생 원인이 된다.
구체예 4
이 구체예에서, 감압성 접착 시트의 박리 장치 내에서 구체예 1 내지 3의 기술로 박리된 감압성 접착 시트(S)를 수집하기 위한 구성(수집 유닛)의 예를 설명할 것이다. 상술한 바와 같이, 감압성 접착 시트(S)는 감압성 접착 시트(S)의 가열에 의해 나선형으로 롤업하여 관상을 형성하면서, 웨이퍼 표면상에서 한 방향으로 자유롭게 이동하는 성질을 가진다. 그러므로, 박리된 감압성 접착 시트(S)는 다양한 기술로 용이하게 수집될 수 있다.
도 13a를 참조하면, 나선형으로 롤업하여 관상을 형성하면서 웨이퍼 표면상 에서 한 방향으로 자유롭게 이동해 온 감압성 접착 시트(S)에 압축 공기 또는 질소 가스와 같은 청정 가스를 노즐(60)로부터 분무한다. 따라서 롤업된 감압성 접착 시트의 관상 체(S')를 공격하여, 수집 용기(더스터 슛)(62) 내로 수집된다.
도 13b를 참조하면, 나선형으로 롤업하여 관상을 형성하면서 웨이퍼 표면상에서 한 방향으로 자유롭게 이동해 온 감압성 접착 시트(S)를 흡입관(64)으로 흡입하여 수집한다.
도 13c를 참조하면, 나선형으로 롤업하여 관상을 형성하면서 웨이퍼 표면상에서 한 방향으로 자유롭게 이동해 온 감압성 접착 시트(S)에 압축 공기 또는 질소 가스와 같은 청정 가스를 노즐(60)로부터 분무한다. 따라서 감압성 접착 시트의 관상 체(S')가 가이드 통로(66)를 따라 회전하여 수집된다.
도 13d를 참조하면, 감압성 접착성을 갖는 박리 테이프(70)가 수집 롤(68)의 표면을 감싼다. 박리 테이프(70)를 반도체 웨이퍼(W) 상에 부착된 감압성 접착 시트(S)의 주변 단부의 특정 지점과 가볍게 접촉시키고, 들어올린다. 다음으로, 수집 롤(68)을 수평으로 이동하면서, 웨이퍼(W)로부터 감압성 접착 시트(S)의 박리를 촉진시킨다. 따라서 감압성 접착 시트(S)는 박리 테이프(70)와 함께 수집된다.
도 14e를 참조하면, 나선형으로 롤업하여 관상을 형성하면서 웨이퍼 표면상에서 한 방향으로 자유롭게 이동해 온 감압성 접착 시트(S)는 웨이퍼(W)의 한쪽 말단에서 부재(72)에 의해 정지한다. 정지된 감압성 접착 시트의 관상 체(S')는 가이드 롤(74)을 감싼 수집용 감압성 접착 테이프(76)에 의해 유지된다. 따라서 감압성 접착 시트의 관상 체(S')는 수집용 감압성 접착 테이프(76)와 함께 수집된다.
도 14f를 참조하면, 나선형으로 롤업하여 관상을 형성하면서 웨이퍼 표면상에서 한 방향으로 자유롭게 이동해 온 감압성 접착 시트(S)는 웨이퍼(W)의 한쪽 말단에서 부재(72)에 의해 정지한다. 정지된 감압성 접착 시트의 관상 체(S')는 로봇 팔(78)을 이용함으로써 유지되고, 수집된다.
구체예 1 내지 3과 도 14g를 함께 참조하면, 박리의 원인은 웨이퍼(W)의 주변 단부의 특정 지점에서 생성된다. 또한, 그 지점은 수집용 감압성 접착 테이프(76)와 가볍게 접촉되고, 들어 올려진다. 다음으로, 수집 롤(68)을 수평으로 이동하면서, 웨이퍼(W)로부터의 감압성 접착 시트(S)의 박리를 촉진시킨다. 따라서 감압성 접착 시트(S)는 박리 테이프(70)와 함께 수집된다.
도 14h를 참조하면, 박리 공정에서, 스트립유사 인터리프(80)를 그 위에 부착된 감압성 접착 시트(S)를 갖는 웨이퍼(W) 상에 위치시킨다. 따라서 가열된 감압성 접착 시트(S)는 웨이퍼 표면상에서 자유롭게 한 방향으로 이동하고, 인터리프(80)를 나선형으로 감으면서 관상을 형성한다. 다음, 관상 체(S')로부터 연장된 인터리프(80)의 한쪽 말단이 유지되어 감압성 접착 시트(S)가 인터리프(80)와 함께 수집되도록 한다.
이들 외에도, 감압성 접착 시트(S)를 수집하기 위한 구성은 다양한 변경으로 수행될 수 있고, 그리고 전술한 예에 제한되지는 않는다.
발명의 상세한 설명과 이의 특정한 구체예를 참조함으로써 본 발명을 기술하였지만, 본 발명의 범위에 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 이루어질 수 있음은 당업자에게 명백할 것이다.
이 출원은 2006년 11월 29일 출원된 일본 특허 출원 제2006-322212호를 기초로 하고, 이의 전체 내용은 본 명세서에서 참조에 의해 편입된다.
또한, 본 명세서에서 인용된 모든 참고 문헌은 전체적으로 편입된다.
도 1은 본 발명의 구체예 1에 따른 감압성 접착 시트의 부착 및 박리 방법의 단계 순서를 나타내는 순서도를 도시한다.
도 2는 구체예 1에서의 이용을 위한 감압성 접착 시트의 횡단면도를 도시한다.
도 3은 반도체 웨이퍼 W와 이의 표면상에 부착되어 있는 감압성 접착 시트 사이의 위치 관계를 나타내는 도면을 도시한다.
도 4는 구체예 1의 부착 공정에서의 이용을 위한 감압성 접착 시트의 부착 장치의 개략적인 배치를 나타내는 사시도를 도시한다.
도 5는 구체예 1에 따른 감압성 접착 시트의 부착 장치의 작동의 예시도를 도시한다.
도 6은 구체예 1에 따른 감압성 접착 시트의 부착 장치의 작동의 예시도를 도시한다.
도 7은 구체예 1에 따른 감압성 접착 시트의 부착 장치의 작동의 예시도를 도시한다.
도 8은 구체예 1에 따른 감압성 접착 시트의 부착 장치의 작동의 예시도를 도시한다.
도 9는 구체예 1의 에너지 빔 조사 공정의 예시도를 도시한다.
도 10a 내지 10d는 구체예 1의 박리 공정을 예시하는 도면을 도시한다.
도 11a 내지 11d는 구체예 2의 박리 공정의 구성의 예를 설명하는 도면을 도 시한다.
도 12a 내지 12e는 구체예 3의 박리 공정의 구성의 예를 설명하는 도면을 도시한다.
도 13a 내지 13d는 구체예 4에서 접착 시트 수집을 위한 구성의 예를 예시하는 도면을 도시한다.
도 14e 내지 14h는 구체예 4에서 접착 시트 수집을 위한 구성의 예를 예시하는 도면을 도시한다.
도면 부호의 설명
W 반도체 웨이퍼
S 감압성 접착 시트
S' 감압성 접착 시트의 관상 체
1 열 수축 가능한 재료
2 억제층
3 감압성 접착층

Claims (8)

  1. 감압성 접착 시트의 부착 및 박리 방법으로서,
    적어도 단축 방향으로 열 수축성을 갖는 열 수축 가능한 재료, 열 수축 가능한 재료의 수축 변형을 방해하는 성질을 갖는 억제층 및 에너지 빔 경화 가능한 감압성 접착층을 이 적층 순서로 포함하는 감압성 접착 시트를 반도체 웨이퍼 상에 부착하는 단계,
    감압성 접착 시트가 부착된 반도체 웨이퍼에 대해 소정의 처리를 시행한 후 에너지 빔으로 반도체 웨이퍼를 조사하여 감압성 접착층을 경화하는 단계, 및
    감압성 접착층의 상기 경화 후 감압성 접착 시트를 가열하여 반도체 웨이퍼로부터 감압성 접착 시트를 박리하는 단계
    를 포함하고, 상기 부착 단계에서, 반도체 웨이퍼의 노치부(notch portion)가 열 수축 가능한 재료의 열 수축의 방향의 말단에 위치하도록 감압성 접착 시트를 반도체 웨이퍼 상에 부착하는 방법.
  2. 감압성 접착 시트의 부착 및 박리 방법으로서,
    적어도 단축 방향으로 열 수축성을 갖는 열 수축 가능한 재료, 열 수축 가능한 재료의 수축 변형을 방해하는 성질을 갖는 억제층 및 에너지 빔 경화 가능한 감압성 접착층을 이 적층 순서로 포함하는 감압성 접착 시트를 반도체 웨이퍼 상에 부착하는 단계,
    감압성 접착 시트가 부착된 반도체 웨이퍼에 대해 소정의 처리를 시행한 후 에너지 빔으로 반도체 웨이퍼를 조사하여 감압성 접착층을 경화하는 단계, 및
    감압성 접착층의 상기 경화 후 감압성 접착 시트를 가열하여 반도체 웨이퍼로부터 감압성 접착 시트를 박리하는 단계
    를 포함하고, 상기 박리 단계에서, 반도체 웨이퍼 상에 부착된 감압성 접착 시트의 주변 단부의 특정 지점에 기계적 힘을 적용한 후 또는 적용하면서 감압성 접착 시트를 가열하여 반도체 웨이퍼로부터 박리하는 방법.
  3. 감압성 접착 시트의 부착 및 박리 방법으로서,
    적어도 단축 방향으로 열 수축성을 갖는 열 수축 가능한 재료, 열 수축 가능한 재료의 수축 변형을 방해하는 성질을 갖는 억제층 및 에너지 빔 경화 가능한 감압성 접착층을 이 적층 순서로 포함하는 감압성 접착 시트를 반도체 웨이퍼 상에 부착하는 단계,
    감압성 접착 시트가 부착된 반도체 웨이퍼에 대해 소정의 처리를 시행한 후 에너지 빔으로 반도체 웨이퍼를 조사하여 감압성 접착층을 경화하는 단계, 및
    감압성 접착층의 상기 경화 후 감압성 접착 시트를 가열하여 반도체 웨이퍼로부터 감압성 접착 시트를 박리하는 단계
    를 포함하고, 상기 박리 단계에서, 감압성 접착 시트를 이에 제공되는 온도 구배로 가열함으로써 감압성 접착 시트를 반도체 웨이퍼로부터 박리하는 방법.
  4. 제1항에 따른 방법의 상기 부착을 수행하기 위한 감압성 접착 시트의 부착 장치로서, 감압성 접착 시트와 반도체 웨이퍼 사이의 위치 관계를 조정하여 반도체 웨이퍼의 노치부가 열 수축 가능한 재료의 열 수축의 방향의 말단에 위치하도록 하는 정렬 유닛을 포함하는 장치.
  5. 제2항에 따른 방법의 상기 박리를 수행하기 위한 감압성 접착 시트의 박리 장치로서, 반도체 웨이퍼 상에 부착된 감압성 접착 시트의 주변 단부의 특정 지점에 기계적 힘을 적용하는 기계적 힘 적용 유닛을 포함하는 장치.
  6. 제3항에 따른 방법의 상기 박리를 수행하기 위한 감압성 접착 시트의 박리 장치로서, 감압성 접착 시트를 이에 제공되는 온도 구배로 가열하는 가열 유닛을 포함하는 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 가열에 의해 반도체 웨이퍼로부터 박리되어 관상을 형성하는 감압성 접착 시트를 수집하는 수집 유닛을 포함하는 감압성 접착 시트의 박리 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 가열에 의해 반도체 웨이퍼로부터 박리되어 관상을 형성하는 감압성 접착 시트를 수집하는 수집 유닛을 포함하는 감압성 접착 시트의 박리 장치.
KR1020070121413A 2006-11-29 2007-11-27 감압성 접착 시트의 부착 및 박리 방법, 및 감압성 접착시트의 부착 장치, 및 감압성 접착 시트의 박리 장치 KR101066510B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006322212A JP4353975B2 (ja) 2006-11-29 2006-11-29 粘着シートの貼付・剥離方法及び粘着シートの貼付装置並びに粘着シートの剥離装置
JPJP-P-2006-00322212 2006-11-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080048944A true KR20080048944A (ko) 2008-06-03
KR101066510B1 KR101066510B1 (ko) 2011-09-21

Family

ID=39126142

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070121413A KR101066510B1 (ko) 2006-11-29 2007-11-27 감압성 접착 시트의 부착 및 박리 방법, 및 감압성 접착시트의 부착 장치, 및 감압성 접착 시트의 박리 장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20080121335A1 (ko)
EP (1) EP1928018A3 (ko)
JP (1) JP4353975B2 (ko)
KR (1) KR101066510B1 (ko)
CN (1) CN101246810B (ko)
MY (1) MY142775A (ko)
TW (1) TW200830355A (ko)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100886732B1 (ko) * 2006-11-10 2009-03-04 닛토덴코 가부시키가이샤 자동 롤링 적층 시트 및 자동 롤링 감압성 접착제 시트
JP5087372B2 (ja) * 2007-11-19 2012-12-05 日東電工株式会社 樹脂積層体、粘着シート、該粘着シートを用いた被着体の加工方法、及びその剥離装置
US9376600B2 (en) 2008-06-27 2016-06-28 Liberman Disbributing and Manufacturing Co. Extendable self-supporting material
JP2010129607A (ja) * 2008-11-25 2010-06-10 Nitto Denko Corp ダイシング用表面保護テープ及びダイシング用表面保護テープの剥離除去方法
JP5159649B2 (ja) * 2009-01-16 2013-03-06 リンテック株式会社 シート貼付装置および貼付方法
JP5451107B2 (ja) * 2009-02-24 2014-03-26 日東電工株式会社 自発巻回性積層シート及び自発巻回性粘着シート
JP2010241967A (ja) * 2009-04-07 2010-10-28 Nitto Denko Corp 再剥離性粘着シート及びこれを用いた被着体の加工方法
JP5412214B2 (ja) * 2009-08-31 2014-02-12 日東電工株式会社 保護テープ剥離方法およびその装置
JP5412226B2 (ja) * 2009-10-01 2014-02-12 日東電工株式会社 粘着テープ貼付け装置
JP5547954B2 (ja) * 2009-12-14 2014-07-16 日東電工株式会社 粘着テープ剥離方法およびその装置
JP5381821B2 (ja) * 2010-03-10 2014-01-08 三菱電機株式会社 保護テープ剥離方法および保護テープ剥離装置
JP2011224853A (ja) * 2010-04-19 2011-11-10 Nitto Denko Corp フィルム及び粘接着シート
US9095422B2 (en) 2010-07-02 2015-08-04 Liberman Distributing And Manufacturing Co. Method and structure for nasal dilator
JP5601071B2 (ja) * 2010-07-30 2014-10-08 トヨタ自動車株式会社 保護テープの剥離方法
CN102306633B (zh) * 2011-09-06 2014-07-09 友达光电（苏州）有限公司 热敏感缓冲材料
JP5833959B2 (ja) * 2011-09-28 2015-12-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US10077207B2 (en) * 2011-11-30 2018-09-18 Corning Incorporated Optical coating method, apparatus and product
US9957609B2 (en) 2011-11-30 2018-05-01 Corning Incorporated Process for making of glass articles with optical and easy-to-clean coatings
US9427945B2 (en) 2011-12-30 2016-08-30 Liberman Distributing And Manufacturing Co. Extendable self-supporting material composites and manufacture thereof
EP2877547A4 (en) * 2012-07-26 2016-01-27 3M Innovative Properties Co HEAT-SOAKING ADHESIVE ARTICLES
EP2877883B1 (en) 2012-07-26 2017-08-23 3M Innovative Properties Company Heat de-bondable optical articles
JP6037738B2 (ja) * 2012-09-12 2016-12-07 株式会社ディスコ 環状凸部除去装置
JP2015167206A (ja) * 2014-03-04 2015-09-24 株式会社ディスコ 保護テープ剥離方法及び保護テープ剥離装置
JP6301685B2 (ja) * 2014-03-04 2018-03-28 株式会社ディスコ 保護テープ剥離装置及び保護テープ剥離方法
DE102016001602A1 (de) * 2016-02-11 2017-08-17 Mühlbauer Gmbh & Co. Kg Vorrichtung und Verfahren zum Lösen auf einem Substral bereitgestellter elektronischer Bauteile mittels einer Strahlenquelle
JP2017163009A (ja) * 2016-03-10 2017-09-14 東芝メモリ株式会社 半導体装置の製造方法
JPWO2019064906A1 (ja) * 2017-09-28 2020-04-02 日立オートモティブシステムズ株式会社 半導体デバイスの製造方法
JP7022560B2 (ja) * 2017-10-18 2022-02-18 リンテック株式会社 接着シート処理方法および接着シート処理装置
JP7320932B2 (ja) * 2017-11-10 2023-08-04 芝浦メカトロニクス株式会社 成膜装置及び部品剥離装置
KR102352495B1 (ko) * 2020-08-12 2022-01-18 정라파엘 기판의 밀봉 방법
CN113471623B (zh) * 2021-05-25 2023-08-01 湖南诺邦新能源科技有限公司 一种锂电池隔膜热定型后修边处理方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3620896A (en) * 1968-07-31 1971-11-16 Glasgow Products Inc Clamping tape
JPS6461208A (en) * 1987-09-01 1989-03-08 Fsk Kk Cutting method of wafer
US5292566A (en) * 1990-05-22 1994-03-08 National Label Company Battery label with non-shrinkable top layer
JPH11138665A (ja) * 1997-11-12 1999-05-25 Fuji Photo Film Co Ltd ラベル剥離方法及び装置
JPH11224869A (ja) * 1998-02-05 1999-08-17 Mitsui Chem Inc 半導体ウエハ製造時における表面保護用粘着フィルムの剥離方法
JP2000061785A (ja) * 1998-08-24 2000-02-29 Nitto Denko Corp 保護シート貼付半導体ウエハ及び半導体ウエハの研削方法
JP2000077366A (ja) * 1998-08-28 2000-03-14 Nitta Ind Corp 研磨布及びその研磨布の研磨機定盤への脱着方法
JP2000071170A (ja) * 1998-08-28 2000-03-07 Nitta Ind Corp 研磨用ウエハ保持部材及びそのウエハ保持部材の研磨機定盤への脱着方法
JP2000129227A (ja) * 1998-10-29 2000-05-09 Lintec Corp 半導体ウエハ保護用粘着シートおよびその使用方法
CA2370038C (en) * 1999-04-14 2008-06-17 Steinbeis Ppl Gmbh Easily removable label for reusable containers
JP4275254B2 (ja) 1999-06-17 2009-06-10 リンテック株式会社 両面粘着シートに固定された物品の剥離方法および剥離装置
JP4137310B2 (ja) 1999-09-06 2008-08-20 リンテック株式会社 両面粘着シートに固定された物品の剥離方法および剥離装置
JP4497737B2 (ja) * 2001-03-12 2010-07-07 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JP4883852B2 (ja) * 2001-07-30 2012-02-22 日東電工株式会社 加熱剥離型粘着シートからのチップ切断片の加熱剥離方法
SE525649C2 (sv) * 2001-11-07 2005-03-29 Micromuscle Ab Mikroaktuator innefattande ett bärsubstrat, ett volymändrande skikt och en förstärkande struktur
JP4219605B2 (ja) 2002-03-12 2009-02-04 リンテック株式会社 半導体ウエハ加工用粘着シートおよびその使用方法
JP2004311576A (ja) * 2003-04-03 2004-11-04 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP4787538B2 (ja) 2005-05-19 2011-10-05 株式会社ブリヂストン 制振構造
KR100886732B1 (ko) * 2006-11-10 2009-03-04 닛토덴코 가부시키가이샤 자동 롤링 적층 시트 및 자동 롤링 감압성 접착제 시트
JP5087372B2 (ja) * 2007-11-19 2012-12-05 日東電工株式会社 樹脂積層体、粘着シート、該粘着シートを用いた被着体の加工方法、及びその剥離装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4353975B2 (ja) 2009-10-28
MY142775A (en) 2010-12-31
EP1928018A2 (en) 2008-06-04
JP2008135662A (ja) 2008-06-12
CN101246810A (zh) 2008-08-20
US20080121335A1 (en) 2008-05-29
KR101066510B1 (ko) 2011-09-21
TW200830355A (en) 2008-07-16
EP1928018A3 (en) 2012-09-19
CN101246810B (zh) 2012-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101066510B1 (ko) 감압성 접착 시트의 부착 및 박리 방법, 및 감압성 접착시트의 부착 장치, 및 감압성 접착 시트의 박리 장치
TWI438086B (zh) A resin laminate, an adhesive sheet, a processing method using the adhesive sheet, and a peeling device
EP1921120B1 (en) Self-rolling laminated sheet and self-rolling pressure-sensitive adhesive sheet
TWI423320B (zh) Method for removing peeling from surface protection tape for crystal cutting and surface protection tape for crystal cutting
JP3955659B2 (ja) 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置
KR101250149B1 (ko) 피절단체로부터의 다이싱 표면 보호 테이프의 박리 제거 방법
CN102208366A (zh) 晶片的加工方法
WO1997008745A1 (fr) Procede et appareil de decollage de la bande de protection adhesive d'une tranche de semi-conducteurs
JP2003115469A (ja) 保護テープの貼付け方法および剥離方法
KR20080108026A (ko) 취성재료의 처리방법
JP2013181063A (ja) 自発巻回性粘着フィルム
TW200402784A (en) Protective tape applying and separating method
JPH07123109B2 (ja) 半導体ウェーハ用の乾燥膜レジスト搬送・積層システム
JP4381860B2 (ja) 補強半導体ウエハに固定された補強板の分離方法およびその装置
JP2003338474A (ja) 脆質部材の加工方法
JP2008311513A (ja) 表面保護用シートの支持構造および半導体ウエハの研削方法
TW201234470A (en) Mounted wafer manufacturing method
US7246646B2 (en) Method for production and apparatus for production of adhesive wafer
JP2012182313A (ja) チップ状部品のピックアップ方法
JP2005243700A (ja) 粘着シート貼付け方法およびこれを用いた装置
JP3981243B2 (ja) クリーニング機能付き搬送部材、及びこれに用いるクリーニング用ラベルシ―ト
JP2010106106A (ja) 自発巻回性粘着シート及び自発巻回性粘着シートを使用した被着体の加工方法
JP4221124B2 (ja) レジストマスクの除去方法と除去装置
JP2002239476A (ja) クリーニングシート、およびこれを用いた基板処理装置のクリーニング方法
TW202330291A (zh) 剝離夾具、使用剝離夾具之片剝離方法及片剝離裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee