CN101246810A - 粘附和剥离压敏粘合片的方法、所述片的粘附与剥离装置 - Google Patents

粘附和剥离压敏粘合片的方法、所述片的粘附与剥离装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101246810A
CN101246810A CNA2007101966137A CN200710196613A CN101246810A CN 101246810 A CN101246810 A CN 101246810A CN A2007101966137 A CNA2007101966137 A CN A2007101966137A CN 200710196613 A CN200710196613 A CN 200710196613A CN 101246810 A CN101246810 A CN 101246810A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pressure sensitive
adhesion sheet
sensitive adhesion
semiconductor wafer
sensitive adhesive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2007101966137A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101246810B (zh
Inventor
木内一之
西尾昭德
庄司晃
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of CN101246810A publication Critical patent/CN101246810A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101246810B publication Critical patent/CN101246810B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/18—Handling of layers or the laminate
    • B32B2038/1891—Using a robot for handling the layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • H01L2221/6839—Separation by peeling using peeling wedge or knife or bar
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/17—Surface bonding means and/or assemblymeans with work feeding or handling means
    • Y10T156/1702—For plural parts or plural areas of single part
    • Y10T156/1744—Means bringing discrete articles into assembled relationship

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本发明涉及一种粘附和剥离压敏粘合片的方法，包括：在半导体晶片上粘附压敏粘合片，该压敏粘合片包括以此顺序层压的至少在单轴方向上具有热收缩性的可热收缩材料、具有抗所述可热收缩材料的收缩变形特性的限制层、以及能量束可固化的压敏粘合剂层；将所述压敏粘合片粘附其上的所述半导体晶片进行预处理，之后用能量束辐照所述半导体晶片，从而固化所述压敏粘合剂层；在所述压敏粘合剂层的所述固化之后加热所述压敏粘合片，从而将所述压敏粘合片从所述半导体晶片上剥离，其中在所述粘附操作中，所述压敏粘合片以这样的方式被粘附在所述半导体晶片上，使得所述半导体晶片的凹口部分位于所述可热收缩材料所述热收缩方向上的末端。本发明还涉及压敏粘合片的粘附装置以及压敏粘合片的剥离装置。

Description

粘附和剥离压敏粘合片的方法、所述片的粘附与剥离装置
发明领域
本发明涉及在半导体晶片上粘附和从半导体晶片剥离压敏粘合片的方法，以及压敏粘合片的粘附装置和压敏粘合片的剥离装置。更特别地，它涉及粘附和剥离具有热收缩性的压敏粘合片的技术。
背景技术
近年来，半导体晶片的直径已经增加至约300mm的大小。相反地，其厚度逐渐减小到100μm或更小。大且薄的半导体晶片非常容易破裂。因此，在对晶片的后侧进行研磨加工前，用于表面保护和加强的压敏粘合片被粘附在晶片表面以支撑晶片，在进行后侧研磨后，压敏粘合片从晶片被剥离并被收集。
粘附在晶片表面上的压敏粘合片通常在其内包括能量束(即紫外线)可固化压敏粘合剂层。压敏粘合片被粘附在晶片上，并且暂时地固定其上。得到的晶片随后经受抛光处理，接着用能量束辐照以固化所述压敏粘合剂层。这样，粘性已经减小的压敏粘合片从晶片被剥离。但是，经过能量束辐照后粘度已经减小的压敏粘合片在空气压力下仍然粘在晶片表面上。这就使得接下来将压敏粘合片从晶片上剥离的操作非常必要。在压敏粘合片上再粘附一个剥离层。接着，压敏粘合片就和剥离层整体地从晶片上被卷起。在这样的剥离操作中，不利的是过多的力作用于晶片上，以致晶片的末端破碎或晶片破裂。
在这样的情形下，已经发展了一些技术，各自使用其层结构中包括能量束固化的压敏粘合剂层和可热收缩膜的压敏粘合片(如JP-A-2003-261842，JP-A-2000-129227，JP-A-2001-72327和JP-A-2001-7179)。根据这些技术，使用能量束辐照晶片以固化压敏粘合剂层。接着，晶片被加热以收缩可热收缩的膜。得到的压敏粘合片的变形使得压敏粘合片可从晶片上剥离。
但是，在使用压敏粘合片的常规技术中，因为可热收缩膜的收缩从多个方向上发生，就产生了这样的问题：加热后在晶片表面上压敏粘合片的各部分彼此重叠，从而剥离反而变得更困难。此外，通常地，甚至对于市场可买到的产品如单轴可收缩的膜，由于生产时的残余应力或由于制造过程中施加于压敏粘合片的应力热变形或其它类似原因，二次收缩也不利地在不同轴向上发生。特别是当压敏粘合片粘附在较大的半导体晶片上时，二次收缩也增加，这限制了主收缩轴方向上的收缩，从而压敏粘合片趋于更难剥离。因此，在剥离后，部分压敏粘合片粘附于晶片并且保持在其上；半导体晶片由于收缩产生的不均匀压力而破碎；固化的压敏剂从压敏粘合片上脱落从而污染晶片；或产生其它问题。
发明内容
考虑到这些情形，就产生了本发明。因此本发明的目的在于提供一种粘附和剥离压敏粘合片的方法，可通过加热容易地将粘附在半导体晶片上的压敏粘合片剥离；以及压敏粘合片的粘附装置和压敏粘合片的剥离装置。
附图说明
图1表示根据本发明的实施方式1粘附和剥离压敏粘合片的方法的步骤顺序流程图。
图2表示用于实施方式1的压敏粘合片的横截面图。
图3表示半导体晶片W与将被粘附于其表面上的压敏粘合片之间的位置关系图。
图4表示用于实施方式1的粘附工艺的压敏粘合片的粘附装置的构造的透视图。
图5表示根据实施方式1的压敏粘合片的粘附装置的操作说明图。
图6表示根据实施方式1的压敏粘合片的粘附装置的操作说明图。
图7表示根据实施方式1的压敏粘合片的粘附装置的操作说明图。
图8表示根据实施方式1的压敏粘合片的粘附装置的操作说明图。
图9表示实施方式1的能量束辐照过程的说明图。
图10A-10D表示实施方式1的剥离过程图。
图11A-11D表示实施方式2的剥离过程的构造简图。
图12A-12E表示实施方式3的剥离过程的构造简图。
图13A-13D表示实施方式4的粘合片收集的构造简图。
图14E-14H表示实施方式4的粘合片收集的构造简图。
附图标记
W    半导体晶片
S    压敏粘合片
S’  压敏粘合片的管状主体
1    可热收缩材料
2    限制层
3    压敏粘合剂层
具体实施方式
为实现这样的目的，本发明提供了如下(1)-(8)。
(1)一种粘附和剥离压敏粘合片的方法，包括：
在半导体晶片上粘附压敏粘合片，该压敏粘合片包括以此顺序层压的至少在单轴方向上具有热收缩性的可热收缩材料、具有抗所述可热收缩材料的收缩变形特性的限制层、以及能量束可固化的压敏粘合剂层；
将所述压敏粘合片粘附其上的所述半导体晶片进行预处理，之后用能量束辐照所述半导体晶片，从而固化所述压敏粘合剂层；并且
在所述压敏粘合剂层的所述固化之后加热所述压敏粘合片，从而将所述压敏粘合片从所述半导体晶片上剥离，
其中在所述粘附中，所述压敏粘合片以这样的方式被粘附在所述半导体晶片上，即使得所述半导体晶片的凹口部分位于所述可热收缩材料所述热收缩方向上的末端。
(2)一种粘附和剥离压敏粘合片的方法，包括：
在半导体晶片上粘附压敏粘合片，该压敏粘合片包括以此顺序层压的至少在单轴方向上具有热收缩性的可热收缩材料、具有抗所述可热收缩材料的收缩变形特性的限制层、以及能量束可固化的压敏粘合剂层；
将所述压敏粘合片粘附其上的所述半导体晶片进行预处理，之后用能量束辐照所述半导体晶片从而固化所述压敏粘合剂层；并且
在所述压敏粘合剂层的所述固化之后加热所述压敏粘合片，从而将所述压敏粘合片从所述半导体晶片上剥离，
其中在所述剥离中，在对粘附在所述半导体晶片上的所述压敏粘合片周边的特定点施加机械力之后或施加期间，所述压敏粘合片被加热从而从所述半导体晶片上剥离。
(3)一种粘附和剥离压敏粘合片的方法，包括：
在半导体晶片上粘附压敏粘合片，该压敏粘合片包括以此顺序层压的至少在单轴方向上具有热收缩性的可热收缩材料、具有抗所述可热收缩材料的收缩变形特性的限制层、以及能量束可固化的压敏粘合剂层；
将所述压敏粘合片粘附其上的所述半导体晶片进行预处理，之后用能量束辐照所述半导体晶片从而固化所述压敏粘合剂层；并且
在所述压敏粘合剂层的所述固化之后加热所述压敏粘合片，从而将所述压敏粘合片从半导体晶片上剥离，
其中在所述剥离中，用给定的温度梯度对所述压敏粘合片进行加热，从而所述压敏粘合片从所述半导体晶片上被剥离。
(4)一种进行上述(1)所述方法中所述粘附的压敏粘合片的粘附装置，
该装置包括调节所述压敏粘合片与所述半导体晶片之间位置关系的对准部件，从而所述半导体晶片的所述凹口部分位于所述可热收缩材料所述热收缩方向上的末端。
(5)一种进行上述(2)所述方法中所述剥离的压敏粘合片的剥离装置，
该装置包括对粘附在所述半导体晶片上的所述压敏粘合片周边的特定点施加机械力的机械力施加部件。
(6)一种进行上述(3)所述方法中所述剥离的压敏粘合片剥离装置，
该装置包括用给定的温度梯度加热所述压敏粘合片的加热部件。
(7)根据(5)所述的压敏粘合片剥离装置，
该装置包括收集通过所述加热已经从所述半导体晶片上剥离形成管状的所述压敏粘合片的收集部件。
(8)根据(6)所述的压敏粘合片剥离装置，
该装置包括收集通过所述加热已经从所述半导体晶片上剥离形成管状的所述压敏粘合片的收集部件。
根据上述(1)，通过在可热收缩材料和能量束可固化压敏粘合剂层之间提供具有抗所述可热收缩材料的收缩变形特性的限制层，在通过加热收缩可热收缩材料时，在与压敏粘合片表面垂直的方向上产生收缩梯度。因此，压敏粘合片的外缘部分从半导体晶片的表面隆起，同时从一个方向卷起形成管状而被剥离。这可避免对剥离施加应力导致的半导体晶片断碎的问题，不完全剥离引起的半导体晶片的污染或其它问题。因此，容易地剥离压敏粘合片是可能的。同时，在粘附过程中，压敏粘合片被粘附在半导体晶片上，因此半导体晶片的凹口被置于可热收缩材料的热收缩方向上的末端。因此，压敏粘合片的外缘部分开始从在热收缩期间应力趋于集中于此的半导体晶片的凹口部分卷起。换句话说，因为压敏粘合片开始从半导体晶片的凹口部分自然剥离，剥离期间的应力可进一步被减小。
根据上述(2)，在剥离过程中，在对粘附在所述半导体晶片上的所述压敏粘合片周边的特定点施加机械力之后或施加期间，所述压敏粘合片被加热从而从所述半导体晶片上剥离。因此，压敏粘合片的外缘部分开始从施加机械力的特定点卷起。换句话说，因为压敏粘合片开始从压敏粘合片周边的特定点被自然剥离，剥离期间的应力可被进一步减小。
根据上述(3)，在剥离过程中，用给定的温度梯度对所述压敏粘合片进行加热，从而所述压敏粘合片从所述半导体晶片上被剥离。因此，压敏粘合片从热收缩变形最大和温度最高的位点开始卷起。换句话说，因为压敏粘合片开始从压敏粘合片周边的特定点自然剥离，剥离期间的应力可被进一步减小。
根据上述(4)，可优选实施根据上述(1)的粘附和剥离压敏粘合片的方法。
根据上述(5)，可优选实施根据上述(2)的粘附和剥离压敏粘合片的方法。
根据上述(6)，可优选实施根据上述(3)的粘附和剥离压敏粘合片的方法。
根据上述(7)和(8)，所述装置包括收集已经从所述半导体晶片上剥离形成管状的所述压敏粘合片的收集部件。因此，剥离的压敏粘合片不会阻碍接下来的剥离步骤，这就使得可连续地顺利剥离压敏粘合片。
根据本发明的粘附和剥离压敏粘合片的方法，当可热收缩材料通过加热收缩时，压敏粘合片从压敏粘合片周边的特定点隆起，并且同时朝一个方向卷起形成管状而剥离。这可避免对剥离施加压力导致的半导体晶片断碎的问题，以及不完全剥离引起的半导体晶片的污染或其它问题。因此，可能轻易地剥离压敏粘合片。此外，根据本发明的压敏粘合片的粘附装置和压敏粘合片的剥离装置，可优选实施根据本发明的粘附和剥离压敏粘合片的方法。
实施方式1
下面，将参照附图描述本发明的实施方式1。
图1为表示根据实施方式1的粘附和剥离压敏粘合片的方法的步骤顺序的流程图。
首先，在步骤S1的粘附过程中，通过以此顺序层压的至少在单轴方向上具有热收缩性的可热收缩材料、具有抗所述可热收缩材料的收缩变形特性的限制层、以及能量束可固化的压敏粘合剂层而形成的压敏粘合片被粘附在半导体晶片上。在此步骤中，压敏粘合片被粘附于半导体晶片上从而半导体晶片的凹口部分位于可热收缩部件的所述热收缩方向上的末端。
图2为用于该实施方式的压敏粘合片的截面图。
在单轴方向上具有热收缩性的可热收缩材料1可由可热收缩膜形成。仅在所述可热收缩膜具有主要热收缩轴方向是必要的，而收缩在一个方向上发生还是在包括纵向和横向的两个方向上发生是无关紧要的。特别地，为最小化二次收缩，优选单轴拉伸的膜。在可热收缩膜的主收缩方向上的收缩率例如在5-90％之间，优选20-85％之间，在70-180℃之间(如，95℃或140℃)的预定温度下。在除了可热收缩膜的主收缩方向外的其它方向上的收缩率优选10％或更低，更优选5％或更低，特别优选3％或更低。因为可热收缩膜组成可热收缩材料1，考虑到压敏粘合剂等的优良涂敷可加工性能，优选用聚酯，聚乙烯，聚丙烯，聚降冰片烯，聚氨酯等形成拉伸膜。可热收缩材料1的厚度通常在5-300μm之间，优选10-100μm。
限制层2是用于限制可热收缩材料1的收缩的层。限制层2以与可热收缩材料1的主收缩方向不同的方向抑制二次收缩。尽管可热收缩材料1是单轴可收缩的，可热收缩材料1的不需要是一致的收缩方向会聚在一个方向。为此原因，可以想到，当诱导可热收缩材料1的收缩的热刺激被施加于压敏粘合片上时，限制层2内抵抗可热收缩材料1的收缩力的排斥力被认为作用为驱动力。因此，压敏粘合片的外缘部分(一个边缘，或相对的两个边缘)抬高，同时在一个方向或在中央方向(一般地，在可热收缩材料的主收缩轴方向)上卷起并且可热收缩材料1侧面向内，导致形成管状卷形物。此外，限制层2可防止可热收缩材料1的收缩变形产生的剪切力被传至压敏粘合剂层3或晶片W。这可防止由于再次剥离粘性强度被减小的压敏粘合剂层(如，固化的压敏粘合剂层)断碎，晶片断裂，晶片被破损的压敏粘合剂层所污染，等等。
限制层2具有弹性和与可热收缩材料1的粘性(包括压敏粘合性)，从而实现限制可热收缩材料1收缩的功能。此外，限制层2优选具有一定程度的粗糙度或坚硬度从而使得管状卷形物的形成更为顺利。限制层2可由单层构成，或者可由均摊所述功能的多层构成。
限制层2例如由弹性层和坚硬膜层形成。弹性层一侧结合至可热收缩材料1上，并且压敏粘合剂层3在坚硬膜层一侧形成。优选在可热收缩材料1收缩期间的温度下，弹性层趋于变形即处于橡胶态。弹性层优选被三维交联等限制流动性。例如对于弹性层可使用树脂膜(包括薄片)如聚氨酯泡沫或丙烯酸泡沫的泡沫材料(发泡薄膜)，其表面(至少可热收缩材料1侧的表面)进行粘合处理，或使用橡胶、热塑性弹性体等作为材料。此外，弹性层也可使用自身具有粘性的树脂组合物如可交联丙烯酸压敏粘合剂形成。对于弹性层的组分，也可添加如玻璃珠或树脂珠的珠材。珠材的添加促进了对粘性特征或剪切弹性模量的控制，这是非常有利的。
坚硬层具有赋予限制层2硬度和粗糙度的功能。提供坚硬层防止了当对可热收缩材料1施加热刺激时压敏粘合片停在半路或偏离方向。因此，压敏粘合片同时顺利地自动卷起以形成均一形状的管状卷形物。作为形成坚硬层的坚硬膜，考虑到压敏粘合剂等的优良涂敷可加工性能，优选用聚酯型树脂膜，聚丙烯膜，聚酰胺膜等。绝缘层可为单层，或包括层压在其内的两层或多层。构成坚硬层的膜是不可收缩的。收缩率例如为5％或更低，优选3％或更低，特别优选1％或更低。
限制层2的厚度一般在1-200μm之间，优选25-120μm。当厚度太小时，可能发生不均匀涂敷，或由于收缩应力过于集中导致界面断裂。另一方面，当限制层2的厚度过大时，由于收缩应力过于消弱导致剥离能力降低，或引发处理性能以及成本效率降低。因此，这些情形都不是优选的。同时，当限制层2由经过粘合处理的树脂基材层形成时，其整体厚度优选在上述数值范围内。
能量束可固化的压敏粘合剂层3在起始阶段具有压敏粘合性，并且由形成三维网状结构的材料经过能量束如红外线、可见光、紫外线、X射线或电子束的辐照而形成。特别地，例如包含能量束可固化化合物的组合物被引入基材(压敏粘合剂)，并且优选使用引入包含紫外线(UV)可固化化合物的UV可固化压敏粘合剂的丙烯酸压敏粘合剂。压敏粘合剂层3的厚度通常在1-100μm之间，并且优选10-60μm。当厚度过小时，不可能吸收晶片模式的不均一性或很难固定或暂时固定半导体晶片，这可引发晶片的断裂。另一方面，压敏粘合剂层3的厚度过大是不经济的，并且导致处理性能过低并且因此是不利的。
图3表示半导体晶片W与将被粘附于其表面上的压敏粘合片之间的位置关系。通常地，半导体晶片W包括凹口部分N如V形凹口或其内形成的定向平面。在实施方式1中，压敏粘合片S被粘附在半导体晶片W上，从而凹口N被置于可热收缩材料的热收缩方向H(即，主收缩轴方向)的末端上。
图4为表示用于粘附步骤S1的压敏粘合片的粘附装置的示意性构造的透视图。
压敏粘合片的粘附装置10包括晶片供给部件14(左手侧)，其中安装有包括在其内贮藏晶片W的盒子C1，以及用于收集在其表面粘附有压敏粘合片S1的晶片W的晶片收集部件16(右手侧)，在基体12的左和右前方。在晶片供给部件14与晶片收集部件16之间，设置有包括机械臂18的晶片传输装置20。同时，对准台22位于基体12的右手后方。此外，在其上方设置了用于给晶片W供给压敏粘合片S1的粘合片供给部件24。同时，在粘合片供给部件24的对角右侧，设置了用于仅收集来自其上各自均具有自粘合片供给部件24供给的隔离物的压敏粘合片S1的隔离物的隔离物收集部件26。在对准台22的左侧，设置有用于吸附和固定晶片W的工作盘28，用于将压敏粘合片S1粘附于被固定在工作盘28上的晶片W的粘合片粘附装置30，以及用于在压敏粘合片S1粘附在晶片W上后剥离不需要的粘合片S2的粘合片剥离装置32。在其上部为用于切割沿晶片W的外部形状粘附在晶片W上的压敏粘合片S1的切割装置34。此外，在基体12左上方，设置有用于收集不需要的粘合片的粘合片收集部件36。同时，对准台22对应于根据本发明的压敏粘合片的粘附装置内的对准装置(对准部件)。
接着，将描述粘附装置10的操作。
当在其内存储多层晶片W的盒子C1被安装在晶片供给部件14的盒台上时，盒台向上移动，并且在晶片W将被机械臂18取出的位置停止。
晶片输送装置20转向使得机械臂18的晶片夹持部件插入盒子C1内晶片W之间的间隙。机械臂18从晶片夹持部件的后侧吸附并固定晶片W，并且将晶片W输送至对准台22上。
对于安装在对准台22上的晶片W，基于凹口部分如定向平面或凹口进行晶片W的对准。特别地，当晶片W被置于工作盘28上时，晶片W被对准从而晶片W的凹口部分N位于压敏粘合片S1的主收缩轴方向(在该实施方式中，为带状压敏粘合片S1的纵轴方向)的末端。对准后，晶片W被机械臂5从后侧吸附并夹持，从而被输送至工作盘28。
位于工作盘28上的晶片W被吸附和夹持。在此步骤中，如图5所示，粘合片粘附装置30和粘合片剥离装置32位于左侧的初始位置，并且切割部件34位于上部的等待位置。
当晶片W被吸附和夹持，如图6所示，粘合片吸附装置30的粘附辊31以摇摆方式向下移动。这样，粘附辊31以与晶片W上粘合片的运动方向相反的方向旋转(图6中从左到右的方向)同时挤压压敏粘合片S1。因此，它将压敏粘合片S1均匀地粘附在晶片W的整个表面上。当粘合片粘附装置30到达完成位置，粘附辊31向上移动。
接着，如图7所示，切割装置34向下移至切割作用位置，并且切割边缘35刺入并穿过压敏粘合片S1。停在预定位置的切割边缘35沿工作盘28内未示出的沟槽移动。换句话说，它沿晶片W的外形连续切割压敏粘合片S1。
在切割压敏粘合片S1后，如图8所示，切割装置34向上移动，并且回复至等待位置。
接着，如图8所示，粘合片剥离装置32卷起并且借助剥离辊33剥离在晶片W上切割的不需要的粘合片S2，同时以与粘合片在晶片W上移动方向的相反方向移动。
当粘合片剥离装置32到达剥离操作的完成位置时，粘合片剥离装置32和粘合片粘附装置30以粘合片的运动方向移动，并且回复至图5所示的初始位置。在此步骤，不需要的粘合片S2被卷到粘合片收集部件36，并且给定量的压敏粘合片S1从片供给部件24被送出。此时在晶片W的表面上粘附压敏粘合片S1的一轮操作完成。
工序返回图1。在前述的方式中，压敏粘合片S被粘附于半导体晶片W上，从而半导体晶片W的凹口部分N位于压敏粘合片S的主收缩方向的末端。接着，工序进行下一步S2。在该步骤中，半导体晶片W的后侧与粘附于半导体晶片W表面上的压敏粘合片S接面(groundwith)。因此，半导体晶片W被加工为预定厚度。
后侧接面的半导体晶片W的后侧被粘附于另一个压敏粘合片。因此，半导体晶片W通过压敏粘合片被固定在环状框架上。接着，工序进入图1的步骤3。用能量束(在该实施方式中为紫外线)辐照粘附压敏粘合片S的半导体晶片W的表面，以固化压敏粘合片S的压敏粘合剂层3(参见图9)。同时，在图9中，附图标记F指的是通过压敏粘合片T固定晶片W的环状框架；附图标记38是台，安装在框架F上的晶片W安装在其上；以及附图标记40是用于用紫外线辐照晶片W上的压敏粘合片S的紫外线辐照部件。
工序回到图1。当能量束辐照过程(S3)完成时，工序进入步骤S4的剥离工序，其中压敏粘合片S被加热并且从半导体晶片W上剥离。特别地，如图10A-10D所示，安装在框架F上的晶片W被安装在加热板42上(参见图10A)。因此，粘附于晶片W上的压敏粘合片S被加热，因此压敏粘合片S的可热收缩材料1在主收缩轴方向收缩。在该步骤，压敏粘合剂层3已被固化，并且其压敏粘合性已被弱化。接着，在可热收缩材料1和位于其和固化的压敏粘合剂层3之间的限制层2中，在垂直于压敏粘合片S的表面的方向上产生收缩梯度。因此，压敏粘合片S在主收缩轴方向上弯曲以便从晶片W的表面上卷起。
在粘附步骤中，压敏粘合片S被粘附于半导体晶片W上，从而半导体晶片W的凹口部分N位于可热收缩材料的热收缩方向的末端。因此，压敏粘合片S的周边部分开始从半导体晶片W的热收缩期间应力区域集中的凹口部分N位置卷起(参见图10B)。
已经开始从半导体晶片W的凹口部分N卷起的压敏粘合片S，如图10C和10D所示，当以远离凹口部分N的方向自动卷起形成管状(卷曲为管)时自由运动，并且因此从晶片W的表面被剥离。因此，压敏粘合片S开始从半导体晶片W的凹口部分N自然剥离。因此，它被自身的收缩力从晶片表面剥离，并且自由地运动为卷曲形。因此，在剥离期间施加于晶片表面的应力非常小，这可防止晶片W的边缘断裂或晶片W破裂。
实施方式2
粘附于半导体晶片W上的压敏粘合片S从特定点卷起的这种构型在剥离的压敏粘合片S被收集的情形下或自动剥离工序中是优选的。为此目的，在实施方式1中，在粘附工序中，压敏粘合片S被粘附于半导体晶片W上，从而半导体晶片W的凹口部分N位于可热收缩材料的热收缩方向的末端。相反地，在实施方式2中，在剥离工序中，在对粘附于半导体晶片W上的压敏粘合片的外缘的特定点施加机械力之后或施加期间，压敏粘合片S被加热。因此，压敏粘合片S从施加机械力的位点被剥离。在本实施方式的情形下，在粘附工序中，不一定要求压敏粘合片S被这样粘附于半导体晶片W上，从而使得半导体晶片W的凹口部分N位于可热收缩材料的热收缩方向的末端。但是，压敏粘合片S以此方式被粘附也是可以接受的。同时，粘附压敏粘合片S(S2)后的半导体晶片的加工工序以及能量辐照工序(S3)与实施方式1中相同。因此，省略这些解释。
下面，参照附图11A-11D，将描述用于对压敏粘合片S的外缘的特定点施加机械力的装置(机械力施加部件)。
参照图11A，具有压敏粘合性的剥离带46被缠绕在导向部件44的表面。剥离带46与粘附于半导体晶片W的压敏粘合片S的外缘的特定点轻微接触，并且接着被抬高。这就产生了压敏粘合片S的卷起(剥离的原因)。
参照图11B，如实施方式1一样，在粘附工序中，压敏粘合片S被粘附于半导体晶片W上，从而半导体晶片W的凹口部分N位于可热收缩材料的热收缩方向的末端。此外，在剥离工序中，剥离带46与压敏粘合片S在凹口部分N处轻微接触，并且接着被抬高。这就产生了压敏粘合片S的剥离。
参照图11C，在剥离工序中，刺入部件48如细钉从半导体晶片W的凹口部分N下刺入。因此，凹口部分N处的压敏粘合片S被抬高。这就产生了压敏粘合片S的剥离。
参照图11D，在剥离工序中，插入部件50如细钉被插入半导体晶片W与压敏粘合片S之间。因此，压敏粘合片S的外缘的特定点被抬高。这就产生了压敏粘合片S的剥离。
除此之外，对压敏粘合片S的外缘的特定点施加机械力的方法可以多种改进方式进行。例如，下面的方法也可接受。从细小喷嘴喷出的纯净气体如压缩空气或氮气被喷洒在半导体晶片W与压敏粘合片S之间的粘附表面，从而产生压敏粘合片S的剥离。
实施方式3
也可通过使用给定的温度梯度对压敏粘合片S进行加热来实现压敏粘合片S的剥离，而不使用实施方式1和2描述的上述方法。当用给定的温度梯度对压敏粘合片S加热时，压敏粘合片S开始从热收缩变形最大和温度最高的位点开始卷起。下面，参照图12A-12E，描述用给定的温度梯度加热压敏粘合片S的装置的实施方式(加热部件)。同时，在粘附压敏粘合片S(S2)后半导体晶片的加工工序以及能量辐照工序(S3)与实施方式1相同。因此，此处省略这些描述。
参照图12A，通过使被安装在其上的框架F上的晶片W的加热板52具有温度梯度，压敏粘合片S在高温位点的部分的热收缩被促进，从而产生在该位点压敏粘合片的剥离。在该实施方式中，加热板52的温度T1、T2和T3被设定为满足下面的关系：T1＞T2＞T3。因此，压敏粘合片S开始从设定在最高温度T1的位点剥离。
参照图12B，具有均匀的温度分布的加热板54与晶片W的后侧变时(shifted timings)接触，从而产生压敏粘合片S内的温度梯度。这就在加热板54早期接触的位点处产生了压敏粘合片S的剥离。
参照图12C，温热空气从喷嘴56朝向晶片W的外缘的特定点喷射，接着喷嘴56以一个方向移动从而热空气被喷在整个晶片W上，从而产生晶片W上的温度梯度。这就产生了热空气早期吹过的位点处压敏粘合片S的剥离。
参照图12D，包括加热器的辊子58与晶片W的后侧接触并且以一个方向旋转，从而产生晶片W内的温度梯度。这就产生了辊子早期接触的位点处压敏粘合片S的剥离。
参照图12E，其内包括加热器的剥离棒59水平移动从而与自身粘性的条带S上的剥离带46接触，从而产生晶片W内的温度梯度。这就产生了在晶片的外缘部分处压敏粘合片S的剥离。
除此之外，用给定的温度梯度对压敏粘合片S进行加热的方法可以多种改进方式进行。例如，下面的方法也可接受。半导体晶片W的表面侧暴露于狭缝型红外线中并且沿晶片表面以一个方向扫描。这就产生了半导体晶片W的温度梯度。
实施方式4
在该实施方式中，描述用于用实施方式1-3所述方法在压敏粘合片的剥离装置中收集剥离的压敏粘合片S的装置的实施方式(收集部件)。如上所述，压敏粘合片S具有在晶片表面以一个方向自由运动的特性，从而通过加热压敏粘合片S使其螺旋地卷起形成管状。因此，可容易地用不同方法收集被剥离的压敏粘合片S。
参照图13A，纯净气体如压缩空气或氮气从喷嘴60被喷在压敏粘合片S上，其在晶片表面以一个方向自由运动同时通过螺旋地卷起形成管状。因此，卷起的压敏粘合片的管状体S’被装载并收集在收集容器(除尘槽)62内。
参照图13B，在晶片表面以一个方向自由运动同时通过螺旋地卷起形成管状的压敏粘合片S被吸尘管64吸入和收集。
参照图13C，纯净气体如压缩空气或氮气从喷嘴60被喷在压敏粘合片S上，其在晶片表面以一个方向自由运动同时通过螺旋地卷起形成管状。因此，压敏粘合片的管状体S’沿导轨面66旋转并被收集。
参照图13D，具有压敏粘合性的剥离带70被缠绕在收集辊68的表面。剥离带70与粘附于半导体晶片W上的压敏粘合片S的外缘的特定点轻微接触并且被抬高。最终，当水平移动收集辊68时，促进了压敏粘合片W从晶片W的剥离。因此，压敏粘合片S与剥离带70一同被收集。
参照图14E，在晶片表面以一个方向自由运动同时通过螺旋地卷起形成管状的压敏粘合片S在晶片W的一个末端被部件72终止。压敏粘合片的停止的管状体S’被缠绕在导辊74上的收集压敏粘合带76所固定。因此，压敏粘合片的管状体S’与收集压敏粘合带76一同被收集。
参照图14F，在晶片表面以一个方向自由运动同时通过螺旋地卷起形成管状的压敏粘合片S在晶片W的一个末端被部件72终止。压敏粘合片的停止的管状体S’可通过使用机械臂78被固定和收集。
参照图14G，使用实施方式1-3的方法，可在晶片W的外缘的特定点产生剥离。此外，该位点与收集压敏粘合带76轻微接触并被抬高。最终，当水平移动收集辊68时，可促进从晶片W剥离压敏粘合片S。因此，压敏粘合片S与剥离带70一同被收集。
参照图14H，在剥离工序中，带状中间层80被置于晶片W上并且压敏粘合片S粘附在其上。因此，被加热的压敏粘合片S在晶片表面以一个方向自由运动同时通过螺旋缠绕中间层80以形成管状。接着，从管状体S’延伸出的中间层80的一个末端被固定，从而压敏粘合片S与中间层80一同被收集。
除此之外，收集压敏粘合片S的装置可以多种改进方式进行，而不受到上述实施方式的限定。
虽然本发明已被详述并参照了具体的实施方式，本领域技术人员应当明白，可不偏离本发明的范围而做出不同变化和改进。
本申请基于2006年11月29日申请的日本专利2006-322212，其全部内容在此引入作为参考。
此外，所有参考文献都全文引入。

Claims (8)

1. 一种粘附和剥离压敏粘合片的方法，包括：
在半导体晶片上粘附压敏粘合片，该压敏粘合片包括以此顺序层压的至少在单轴方向上具有热收缩性的可热收缩材料、具有抗所述可热收缩材料的收缩变形特性的限制层、以及能量束可固化的压敏粘合剂层；
将所述压敏粘合片粘附其上的所述半导体晶片进行预处理，之后用能量束辐照所述半导体晶片，从而固化所述压敏粘合剂层；并且
在所述压敏粘合剂层的所述固化之后加热所述压敏粘合片，从而将所述压敏粘合片从所述半导体晶片上剥离，
其中在所述粘附中，所述压敏粘合片以这样的方式被粘附在所述半导体晶片上，所述方式使得所述半导体晶片的凹口部分位于所述可热收缩材料所述热收缩方向上的末端。
2. 一种粘附和剥离压敏粘合片的方法，包括：
在半导体晶片上粘附压敏粘合片，该压敏粘合片包括以此顺序层压的至少在单轴方向上具有热收缩性的可热收缩材料、具有抗所述可热收缩材料的收缩变形特性的限制层、以及能量束可固化的压敏粘合剂层；
将所述压敏粘合片粘附其上的所述半导体晶片进行预处理，之后用能量束辐照所述半导体晶片从而固化所述压敏粘合剂层；并且
在所述压敏粘合剂层的所述固化之后加热所述压敏粘合片，从而将所述压敏粘合片从所述半导体晶片上剥离，
其中在所述剥离中，在对粘附在所述半导体晶片上的所述压敏粘合片周边的特定点施加机械力之后或施加期间，所述压敏粘合片被加热从而从所述半导体晶片上剥离。
3. 一种粘附和剥离压敏粘合片的方法，包括：
在半导体晶片上粘附压敏粘合片，该压敏粘合片包括以此顺序层压的至少在单轴方向上具有热收缩性的可热收缩材料、具有抗所述可热收缩材料的收缩变形特性的限制层、以及能量束可固化的压敏粘合剂层；
将所述压敏粘合片粘附其上的所述半导体晶片进行预处理，之后用能量束辐照所述半导体晶片从而固化所述压敏粘合剂层；并且
在所述压敏粘合剂层的所述固化之后加热所述压敏粘合片，从而将所述压敏粘合片从半导体晶片上剥离，
其中在所述剥离中，用给定的温度梯度对所述压敏粘合片进行加热，从而所述压敏粘合片从所述半导体晶片上被剥离。
4. 一种进行权利要求1所述方法中所述粘附的压敏粘合片的粘附装置，
该装置包括调节所述压敏粘合片与所述半导体晶片之间位置关系，使得所述半导体晶片的所述凹口部分位于所述可热收缩材料所述热收缩方向上的末端的对准部件。
5. 一种进行权利要求2所述方法中所述剥离的压敏粘合片的剥离装置，
该装置包括对粘附在所述半导体晶片上的所述压敏粘合片周边的特定点施加机械力的机械力施加部件。
6. 一种进行权利要求3所述方法中所述剥离的压敏粘合片剥离装置，
该装置包括用给定的温度梯度加热所述压敏粘合片的加热部件。
7. 根据权利要求5所述的压敏粘合片剥离装置，
该装置包括收集通过所述加热已经从所述半导体晶片上剥离形成管状的所述压敏粘合片的收集部件。
8. 根据权利要求6所述的压敏粘合片剥离装置，
该装置包括收集通过所述加热已经从所述半导体晶片上剥离形成管状的所述压敏粘合片的收集部件。
CN2007101966137A 2006-11-29 2007-11-29 粘附和剥离压敏粘合片的方法、所述片的粘附与剥离装置 Expired - Fee Related CN101246810B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006322212 2006-11-29
JP2006322212A JP4353975B2 (ja) 2006-11-29 2006-11-29 粘着シートの貼付・剥離方法及び粘着シートの貼付装置並びに粘着シートの剥離装置
JP2006-322212 2006-11-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101246810A true CN101246810A (zh) 2008-08-20
CN101246810B CN101246810B (zh) 2012-04-04

Family

ID=39126142

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007101966137A Expired - Fee Related CN101246810B (zh) 2006-11-29 2007-11-29 粘附和剥离压敏粘合片的方法、所述片的粘附与剥离装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20080121335A1 (zh)
EP (1) EP1928018A3 (zh)
JP (1) JP4353975B2 (zh)
KR (1) KR101066510B1 (zh)
CN (1) CN101246810B (zh)
MY (1) MY142775A (zh)
TW (1) TW200830355A (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101857779A (zh) * 2009-04-07 2010-10-13 日东电工株式会社 剥离性压敏粘合片及使用其加工被粘物的方法
CN102005365A (zh) * 2009-08-31 2011-04-06 日东电工株式会社 保护带剥离方法及其装置
CN102224575A (zh) * 2008-11-25 2011-10-19 日本电工株式会社 切割用表面保护带及切割用表面保护带的剥离去除方法
CN102218865A (zh) * 2010-04-19 2011-10-19 日东电工株式会社 薄膜及粘合粘接片
CN102306633A (zh) * 2011-09-06 2012-01-04 友达光电（苏州）有限公司 热敏感缓冲材料
CN107068591A (zh) * 2016-02-11 2017-08-18 米尔鲍尔有限两合公司 一种借助辐射源松开刚性基板上电子元件的工装和方法
CN107180781A (zh) * 2016-03-10 2017-09-19 东芝存储器株式会社 半导体装置的制造方法
CN113471623A (zh) * 2021-05-25 2021-10-01 张裕台 一种锂电池隔膜热定型后修边处理方法

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100886732B1 (ko) * 2006-11-10 2009-03-04 닛토덴코 가부시키가이샤 자동 롤링 적층 시트 및 자동 롤링 감압성 접착제 시트
JP5087372B2 (ja) * 2007-11-19 2012-12-05 日東電工株式会社 樹脂積層体、粘着シート、該粘着シートを用いた被着体の加工方法、及びその剥離装置
US9376600B2 (en) 2008-06-27 2016-06-28 Liberman Disbributing and Manufacturing Co. Extendable self-supporting material
JP5159649B2 (ja) * 2009-01-16 2013-03-06 リンテック株式会社 シート貼付装置および貼付方法
JP5451107B2 (ja) * 2009-02-24 2014-03-26 日東電工株式会社 自発巻回性積層シート及び自発巻回性粘着シート
JP5412226B2 (ja) * 2009-10-01 2014-02-12 日東電工株式会社 粘着テープ貼付け装置
JP5547954B2 (ja) * 2009-12-14 2014-07-16 日東電工株式会社 粘着テープ剥離方法およびその装置
JP5381821B2 (ja) 2010-03-10 2014-01-08 三菱電機株式会社 保護テープ剥離方法および保護テープ剥離装置
CN103002941B (zh) 2010-07-02 2016-02-03 利伯曼分配及制造公司 用于鼻扩张器的方法和结构
JP5601071B2 (ja) * 2010-07-30 2014-10-08 トヨタ自動車株式会社 保護テープの剥離方法
JP5833959B2 (ja) 2011-09-28 2015-12-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US10077207B2 (en) 2011-11-30 2018-09-18 Corning Incorporated Optical coating method, apparatus and product
US9957609B2 (en) 2011-11-30 2018-05-01 Corning Incorporated Process for making of glass articles with optical and easy-to-clean coatings
US9427945B2 (en) 2011-12-30 2016-08-30 Liberman Distributing And Manufacturing Co. Extendable self-supporting material composites and manufacture thereof
KR20150038203A (ko) * 2012-07-26 2015-04-08 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 열 접합해제성 접착제 물품
EP2877883B1 (en) 2012-07-26 2017-08-23 3M Innovative Properties Company Heat de-bondable optical articles
JP6037738B2 (ja) * 2012-09-12 2016-12-07 株式会社ディスコ 環状凸部除去装置
JP2015167206A (ja) * 2014-03-04 2015-09-24 株式会社ディスコ 保護テープ剥離方法及び保護テープ剥離装置
JP6301685B2 (ja) * 2014-03-04 2018-03-28 株式会社ディスコ 保護テープ剥離装置及び保護テープ剥離方法
DE112018005482T5 (de) * 2017-09-28 2020-10-15 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung
JP7022560B2 (ja) * 2017-10-18 2022-02-18 リンテック株式会社 接着シート処理方法および接着シート処理装置
JP7320932B2 (ja) * 2017-11-10 2023-08-04 芝浦メカトロニクス株式会社 成膜装置及び部品剥離装置
KR102352495B1 (ko) * 2020-08-12 2022-01-18 정라파엘 기판의 밀봉 방법

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3620896A (en) * 1968-07-31 1971-11-16 Glasgow Products Inc Clamping tape
JPS6461208A (en) * 1987-09-01 1989-03-08 Fsk Kk Cutting method of wafer
US5292566A (en) * 1990-05-22 1994-03-08 National Label Company Battery label with non-shrinkable top layer
JPH11138665A (ja) * 1997-11-12 1999-05-25 Fuji Photo Film Co Ltd ラベル剥離方法及び装置
JPH11224869A (ja) * 1998-02-05 1999-08-17 Mitsui Chem Inc 半導体ウエハ製造時における表面保護用粘着フィルムの剥離方法
JP2000061785A (ja) * 1998-08-24 2000-02-29 Nitto Denko Corp 保護シート貼付半導体ウエハ及び半導体ウエハの研削方法
JP2000071170A (ja) * 1998-08-28 2000-03-07 Nitta Ind Corp 研磨用ウエハ保持部材及びそのウエハ保持部材の研磨機定盤への脱着方法
JP2000077366A (ja) * 1998-08-28 2000-03-14 Nitta Ind Corp 研磨布及びその研磨布の研磨機定盤への脱着方法
JP2000129227A (ja) * 1998-10-29 2000-05-09 Lintec Corp 半導体ウエハ保護用粘着シートおよびその使用方法
WO2000062273A1 (de) * 1999-04-14 2000-10-19 Steinbeis Ppl Gmbh Leicht entfernbares etikett für mehrwegbehälter
JP4275254B2 (ja) 1999-06-17 2009-06-10 リンテック株式会社 両面粘着シートに固定された物品の剥離方法および剥離装置
JP4137310B2 (ja) 1999-09-06 2008-08-20 リンテック株式会社 両面粘着シートに固定された物品の剥離方法および剥離装置
JP4497737B2 (ja) * 2001-03-12 2010-07-07 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JP4883852B2 (ja) * 2001-07-30 2012-02-22 日東電工株式会社 加熱剥離型粘着シートからのチップ切断片の加熱剥離方法
SE525649C2 (sv) * 2001-11-07 2005-03-29 Micromuscle Ab Mikroaktuator innefattande ett bärsubstrat, ett volymändrande skikt och en förstärkande struktur
JP4219605B2 (ja) 2002-03-12 2009-02-04 リンテック株式会社 半導体ウエハ加工用粘着シートおよびその使用方法
JP2004311576A (ja) * 2003-04-03 2004-11-04 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP4787538B2 (ja) 2005-05-19 2011-10-05 株式会社ブリヂストン 制振構造
KR100886732B1 (ko) * 2006-11-10 2009-03-04 닛토덴코 가부시키가이샤 자동 롤링 적층 시트 및 자동 롤링 감압성 접착제 시트
JP5087372B2 (ja) * 2007-11-19 2012-12-05 日東電工株式会社 樹脂積層体、粘着シート、該粘着シートを用いた被着体の加工方法、及びその剥離装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102224575A (zh) * 2008-11-25 2011-10-19 日本电工株式会社 切割用表面保护带及切割用表面保护带的剥离去除方法
CN101857779A (zh) * 2009-04-07 2010-10-13 日东电工株式会社 剥离性压敏粘合片及使用其加工被粘物的方法
CN102005365A (zh) * 2009-08-31 2011-04-06 日东电工株式会社 保护带剥离方法及其装置
CN102005365B (zh) * 2009-08-31 2015-11-25 日东电工株式会社 保护带剥离方法及其装置
CN102218865A (zh) * 2010-04-19 2011-10-19 日东电工株式会社 薄膜及粘合粘接片
CN102306633A (zh) * 2011-09-06 2012-01-04 友达光电（苏州）有限公司 热敏感缓冲材料
CN102306633B (zh) * 2011-09-06 2014-07-09 友达光电（苏州）有限公司 热敏感缓冲材料
CN107068591A (zh) * 2016-02-11 2017-08-18 米尔鲍尔有限两合公司 一种借助辐射源松开刚性基板上电子元件的工装和方法
CN107180781A (zh) * 2016-03-10 2017-09-19 东芝存储器株式会社 半导体装置的制造方法
CN107180781B (zh) * 2016-03-10 2020-10-20 东芝存储器株式会社 半导体装置的制造方法
CN113471623A (zh) * 2021-05-25 2021-10-01 张裕台 一种锂电池隔膜热定型后修边处理方法
CN113471623B (zh) * 2021-05-25 2023-08-01 湖南诺邦新能源科技有限公司 一种锂电池隔膜热定型后修边处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008135662A (ja) 2008-06-12
TW200830355A (en) 2008-07-16
EP1928018A3 (en) 2012-09-19
EP1928018A2 (en) 2008-06-04
US20080121335A1 (en) 2008-05-29
KR20080048944A (ko) 2008-06-03
KR101066510B1 (ko) 2011-09-21
CN101246810B (zh) 2012-04-04
JP4353975B2 (ja) 2009-10-28
MY142775A (en) 2010-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101246810B (zh) 粘附和剥离压敏粘合片的方法、所述片的粘附与剥离装置
CN102005364B (zh) 从被切断物剥离除去切割表面保护胶带的方法
EP1921120B1 (en) Self-rolling laminated sheet and self-rolling pressure-sensitive adhesive sheet
US6601629B2 (en) Three-dimensional structure transfer method and apparatus
JP4973783B2 (ja) フィルム貼着装置及びフィルム貼着方法及び電子ペーパの製造方法
KR100915259B1 (ko) 보호테이프 접착방법 및 박리방법
CN102005365B (zh) 保护带剥离方法及其装置
EP2634228A2 (en) Self-rolling adhesive film
KR20110087302A (ko) 다이싱용 표면 보호 테이프 및 다이싱용 표면 보호 테이프의 박리 제거 방법
EP2377681A1 (en) Film and Adhesive/Bonding Sheet
CN101857779A (zh) 剥离性压敏粘合片及使用其加工被粘物的方法
KR100717670B1 (ko) 시트 접착 장치 및 접착 필름 도포 방법
TWI271311B (en) Laminate sheet and producing methods therefor
JP2001192246A (ja) 接合ガラスとその製造方法及び製造装置
EP0999025B2 (en) Method for manufacturing contoured and laminated materials
JP2008311513A (ja) 表面保護用シートの支持構造および半導体ウエハの研削方法
JP5597356B2 (ja) シート製造装置および製造方法
JP2006041160A (ja) シート剥離装置及び剥離方法
JP2007227559A (ja) カバーレイ及びフレキシブルプリント配線板の製造方法
WO2017150330A1 (ja) ウエハ加工用テープ
JP2011052413A (ja) コンクリートの養生用シート及び養生方法
JP2005243700A (ja) 粘着シート貼付け方法およびこれを用いた装置
JP2006341564A (ja) 多層接着性フィルムの貼着方法及びこの方法により製作された多層接着性フィルム貼着板ガラス
JP2024110668A (ja) コーティング層の除去方法及びコーティング層の除去装置
JPH10157320A (ja) 転写シート及びそれを用いた化粧板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120404

Termination date: 20131129