JPH07123109B2 - 半導体ウェーハ用の乾燥膜レジスト搬送・積層システム - Google Patents
半導体ウェーハ用の乾燥膜レジスト搬送・積層システムInfo
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- JPH07123109B2 JPH07123109B2 JP3508573A JP50857391A JPH07123109B2 JP H07123109 B2 JPH07123109 B2 JP H07123109B2 JP 3508573 A JP3508573 A JP 3508573A JP 50857391 A JP50857391 A JP 50857391A JP H07123109 B2 JPH07123109 B2 JP H07123109B2
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- B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［従来分野］ 本発明は、半導体製造装置に関し、より詳細には、半導
体ウェーハに乾燥膜レジスタを付着するための装置に関
している。
体ウェーハに乾燥膜レジスタを付着するための装置に関
している。
［背景技術］ 集積回路製造のリソグラフィ工程で使用するためのフォ
トレジスト乾燥膜が開発されている。乾燥膜を使用する
ことは、大規模集積回路（LSI）デバイスおよび超大規
模集積回路（VLSI）デバイスの製造で特に重要になって
きている。市販されているこの形式の膜は、ダイナケム
（Dynachem）社やデュポン（DuPont）社などの会社製で
あるが、汚染されやすく、タックがあり、柔軟性がある
という特徴がある。これらの膜は、粘着性があるが、
「剥離可能」であり、したがってマイラー（Myla
rTM）、ポリエチレン、ポリオレフィンなどの保護被覆
膜でパッケージングすることにより、操作中のフォトレ
ジスト膜の完全性を確保できる。マイラーは、デュポン
（E.I.Dupont de Nemours）社の商標である。たとえ
ば、ダイナケム社製のフォトレジストは、ポリエチレン
層の間にパッケージングして、スプールに巻き付けてあ
る。また、デュポン社製のフォトレジストは、マイラー
上部層とポリオレフィン下部層の間にフォトレジストが
サンドイッチ状にはさまれた多層ロールとしてパッケー
ジングされている。
トレジスト乾燥膜が開発されている。乾燥膜を使用する
ことは、大規模集積回路（LSI）デバイスおよび超大規
模集積回路（VLSI）デバイスの製造で特に重要になって
きている。市販されているこの形式の膜は、ダイナケム
（Dynachem）社やデュポン（DuPont）社などの会社製で
あるが、汚染されやすく、タックがあり、柔軟性がある
という特徴がある。これらの膜は、粘着性があるが、
「剥離可能」であり、したがってマイラー（Myla
rTM）、ポリエチレン、ポリオレフィンなどの保護被覆
膜でパッケージングすることにより、操作中のフォトレ
ジスト膜の完全性を確保できる。マイラーは、デュポン
（E.I.Dupont de Nemours）社の商標である。たとえ
ば、ダイナケム社製のフォトレジストは、ポリエチレン
層の間にパッケージングして、スプールに巻き付けてあ
る。また、デュポン社製のフォトレジストは、マイラー
上部層とポリオレフィン下部層の間にフォトレジストが
サンドイッチ状にはさまれた多層ロールとしてパッケー
ジングされている。
リソグラフィ工程に使用するには、製造中に乾燥膜レジ
ストを基板に一様に積層しなければならない。これは通
常、積層工程によって行うが、前述の巻いた乾燥膜レジ
スト製品を使用するには、レジスト材料を保護層から分
離して、基板に積層しなければならない。半導体ウェー
ハは円形であり、一方レジストは広げると長方形の連続
シートになるので、積層工程は、さらに複雑になる。
ストを基板に一様に積層しなければならない。これは通
常、積層工程によって行うが、前述の巻いた乾燥膜レジ
スト製品を使用するには、レジスト材料を保護層から分
離して、基板に積層しなければならない。半導体ウェー
ハは円形であり、一方レジストは広げると長方形の連続
シートになるので、積層工程は、さらに複雑になる。
フォトレジストを基板に付着するために使用される従来
の技術は、米国特許第4495014号に開示されている。米
国特許第4495014号では、支持されているフォトレジス
ト材料の１区間を加圧下で移動するシート基板に積層
し、積層圧力を解除し、積層体から支持体を取り外した
後、フォトレジスト層をトリミングして、シート基板の
プロファイルに適合させるという工程が開示されてい
る。
の技術は、米国特許第4495014号に開示されている。米
国特許第4495014号では、支持されているフォトレジス
ト材料の１区間を加圧下で移動するシート基板に積層
し、積層圧力を解除し、積層体から支持体を取り外した
後、フォトレジスト層をトリミングして、シート基板の
プロファイルに適合させるという工程が開示されてい
る。
米国特許第4495014号に開示された工程は、半導体ウェ
ーハには受け入れられない。というのは、トリミング工
程が、フォトレジスト材料を長方形の基板の外側プロフ
ァイルに合わせてトリミングすることだけに制限される
からである。半導体ウェーハ処理では、ウェーハの操作
のために、ウェーハの外径内にフォトレジストを被覆し
ない領域（通常3mm）が必要である。すなわち、レジス
ト材料をウェーハの外径内で円形パターンにトリミング
しなければならない。
ーハには受け入れられない。というのは、トリミング工
程が、フォトレジスト材料を長方形の基板の外側プロフ
ァイルに合わせてトリミングすることだけに制限される
からである。半導体ウェーハ処理では、ウェーハの操作
のために、ウェーハの外径内にフォトレジストを被覆し
ない領域（通常3mm）が必要である。すなわち、レジス
ト材料をウェーハの外径内で円形パターンにトリミング
しなければならない。
円形のウェーハ上に乾燥膜レジストを配置するための従
来の技術は、ウェーハにレジストを積層した後、レジス
トをウェーハの外径内で円形パターンにトリミングする
ものであった。このトリミング工程には、レーザによる
トリミングやナイフなどの鋭いエッジによるトリミング
が含まれていた。レーザ切断は、この工程で発熱する熱
のためにプラスチック保護層がウェーハに接着する傾向
があるので受け入れられない。同様に、ナイフ切断工程
は、ウェーハ構造の損傷が大きく、形成されるパターン
の寸法が正確でなくなるので受け入れられない。
来の技術は、ウェーハにレジストを積層した後、レジス
トをウェーハの外径内で円形パターンにトリミングする
ものであった。このトリミング工程には、レーザによる
トリミングやナイフなどの鋭いエッジによるトリミング
が含まれていた。レーザ切断は、この工程で発熱する熱
のためにプラスチック保護層がウェーハに接着する傾向
があるので受け入れられない。同様に、ナイフ切断工程
は、ウェーハ構造の損傷が大きく、形成されるパターン
の寸法が正確でなくなるので受け入れられない。
したがって、円形乾燥膜レジスト・パターンを半導体ウ
ェーハに自動的かつ正確に積層する装置が切望されてい
る。
ェーハに自動的かつ正確に積層する装置が切望されてい
る。
［発明の開示］ 本発明の目的は、トリミングされた乾燥膜レジスト材料
を半導体ウェーハ上にきわめて一様にかつ正確に自動的
に積層する装置を提供することである。
を半導体ウェーハ上にきわめて一様にかつ正確に自動的
に積層する装置を提供することである。
本発明によれば、２つの保護層の間にサンドイッチ状に
挟まれた巻いた乾燥膜レジスト材料を広げて円形パター
ンに押し抜き、搬送テープ上に付着する。次に、剥離用
ローラ・アセンブリによって、レジスト・パターンの搬
送テープに接着されていない側から保護被膜を除去す
る。次いで、レジスト・パターンを半導体基板上に積層
する。
挟まれた巻いた乾燥膜レジスト材料を広げて円形パター
ンに押し抜き、搬送テープ上に付着する。次に、剥離用
ローラ・アセンブリによって、レジスト・パターンの搬
送テープに接着されていない側から保護被膜を除去す
る。次いで、レジスト・パターンを半導体基板上に積層
する。
本発明では、単一の製造段階で半導体基板を積層するこ
とができる。乾燥膜レジストは泡を生じずにきわめて一
様に塗布される。また、レジスト材料は、きわめて正確
にかつボイドを形成せずに切断され、ウェーハ上に配置
される。この装置は１つもしくは２つの保護層を付けて
製造された乾燥膜レジストに容易に適合できる。したが
って、本発明は、高品質の乾燥膜積層体を提供する非常
に生産的な製造工具である。
とができる。乾燥膜レジストは泡を生じずにきわめて一
様に塗布される。また、レジスト材料は、きわめて正確
にかつボイドを形成せずに切断され、ウェーハ上に配置
される。この装置は１つもしくは２つの保護層を付けて
製造された乾燥膜レジストに容易に適合できる。したが
って、本発明は、高品質の乾燥膜積層体を提供する非常
に生産的な製造工具である。
本発明の上記その他の目的、特徴、および利点は、図面
に示す本発明の実施例の詳細な説明に照らせばさらに明
らかになろう。
に示す本発明の実施例の詳細な説明に照らせばさらに明
らかになろう。
［図面の簡単な説明］ 第１図は、本発明の積層装置の側面図である。
第２図は、本発明の乾燥膜レジスト材料の断面図であ
る。
る。
第３図は、本発明のマイラー剥離用加圧ローラの側面図
である。
である。
第４図は、本発明のポリオレフィン・ピーラ・アセンブ
リの側面図である。
リの側面図である。
第5A図は、引っ込んだ位置にある、本発明のパンチおよ
びダイ・アセンブリの断面図である。
びダイ・アセンブリの断面図である。
第5B図は、延びた位置にある、本発明のパンチおよびダ
イ・アセンブリの断面図である。
イ・アセンブリの断面図である。
［発明の好ましい実施例］ 第１図を参照すると、本発明の乾燥膜レジスト・ラミネ
ータは、乾燥膜レジスト材料14の供給スプール12を備え
ている。本実施例で好ましい乾燥膜レジスト材料はリス
トン（RistonTM）である。リストンは、デュポン（E.I.
DuPont de Nemours）社の商標であり、マイラー上部保
護層とポリオレフィン下部キャリア層の間に配設された
感光性乾燥膜レジストから構成されている。好ましい実
施例ではリストンを使用するが、保護層に接着しスプー
ルに巻き付けたどんな乾燥膜レジスト材料も使用でき
る。
ータは、乾燥膜レジスト材料14の供給スプール12を備え
ている。本実施例で好ましい乾燥膜レジスト材料はリス
トン（RistonTM）である。リストンは、デュポン（E.I.
DuPont de Nemours）社の商標であり、マイラー上部保
護層とポリオレフィン下部キャリア層の間に配設された
感光性乾燥膜レジストから構成されている。好ましい実
施例ではリストンを使用するが、保護層に接着しスプー
ルに巻き付けたどんな乾燥膜レジスト材料も使用でき
る。
第２図を参照すると、乾燥膜レジスト材料14は、マイラ
ー・プラスチック膜から成る上部保護層16と、乾燥膜レ
ジスト材料の層18と、ポリオレフィンから成る下部層20
から構成されている。
ー・プラスチック膜から成る上部保護層16と、乾燥膜レ
ジスト材料の層18と、ポリオレフィンから成る下部層20
から構成されている。
ここで第１図を参照すると、スプール12から繰り出され
た、乾燥膜レジスト材料14は、ローラ22の周囲を回り、
パンチ・プレス・アセンブリ24の上を通り、別のローラ
26の周りを回って、巻取りロール28によって回収され
る。
た、乾燥膜レジスト材料14は、ローラ22の周囲を回り、
パンチ・プレス・アセンブリ24の上を通り、別のローラ
26の周りを回って、巻取りロール28によって回収され
る。
乾燥膜レジスト材料14は、ヒッチ送り前進機構30によっ
て正確に６インチずつ前進する。これらの機構は、従来
技術で周知であり、乾燥膜レジスト材料14を把持して正
確に６インチずつ前進させる、可動グリッパ32から構成
されている。次に、静止グリッパ34が、可動グリッパ32
が乾燥膜レジスタ材料14を解放するまでテープを把持
し、その後元の位置に戻って、乾燥膜レジスタ材料14を
再び把持する。本発明では、乾燥膜レジスタ材料14を各
段階の後に順次前進させて一連の製造段階を実行する。
トルク・モータ（図示せず）が巻取りスプール28にトル
クを付与して、乾燥膜レジスタ材料14のテープを順方向
に緊張させ、別のトルク・モーター（図示せず）が供給
スプール12にトルクを付与して、乾燥膜レジスタ材料14
のテープを逆方向に緊張させる。
て正確に６インチずつ前進する。これらの機構は、従来
技術で周知であり、乾燥膜レジスト材料14を把持して正
確に６インチずつ前進させる、可動グリッパ32から構成
されている。次に、静止グリッパ34が、可動グリッパ32
が乾燥膜レジスタ材料14を解放するまでテープを把持
し、その後元の位置に戻って、乾燥膜レジスタ材料14を
再び把持する。本発明では、乾燥膜レジスタ材料14を各
段階の後に順次前進させて一連の製造段階を実行する。
トルク・モータ（図示せず）が巻取りスプール28にトル
クを付与して、乾燥膜レジスタ材料14のテープを順方向
に緊張させ、別のトルク・モーター（図示せず）が供給
スプール12にトルクを付与して、乾燥膜レジスタ材料14
のテープを逆方向に緊張させる。
乾燥膜レジスト材料14がヒッチ送り前進機構30によって
前進した後、パンチ・プレス・アセンブリ24が垂直上方
に移動して、乾燥膜レジスト材料14を強制的に円形ダイ
25を通過させ、それによってテープの円形「デカル」が
押し抜かれる。パンチ工程中、乾燥膜レジスト材料14を
パンチに固定する必要がある。乾燥膜レジスト材料14を
固定するための好ましい方法は、パンチ・プレス・アセ
ンブリ24の上部内面を真空チャックとして構成すること
により、レジスト材料をこの表面にぴったりと保持する
ものである。真空チャックは、従来技術で周知であり、
通常は、半導体技術でシリコン・ウェーハを固定するた
めに使用されている。
前進した後、パンチ・プレス・アセンブリ24が垂直上方
に移動して、乾燥膜レジスト材料14を強制的に円形ダイ
25を通過させ、それによってテープの円形「デカル」が
押し抜かれる。パンチ工程中、乾燥膜レジスト材料14を
パンチに固定する必要がある。乾燥膜レジスト材料14を
固定するための好ましい方法は、パンチ・プレス・アセ
ンブリ24の上部内面を真空チャックとして構成すること
により、レジスト材料をこの表面にぴったりと保持する
ものである。真空チャックは、従来技術で周知であり、
通常は、半導体技術でシリコン・ウェーハを固定するた
めに使用されている。
次に、搬送テープ・ラミネータ・アセンブリ44が垂直に
下がって、ジンバル式積層ローラ46に、搬送テープ40と
レジスト・デカルの前縁を接触させる。搬送テープ40
は、スプール42から供給され、本発明のラミネータ中を
通ってレジスタ・デカルを搬送するのに使用される。搬
送テープ40は、3M製の部品番号336のような、粘着性が
あり、応力が低く、低タックのテープでなければならな
い。搬送テープ40は、スプール42から離れて、ローラ43
の周囲を回り、パンチ・プレス・アセンブリ24に入っ
て、ダイ25、パンチ24、およびレジスト・デカルの上を
通過する。積層ローラ46の接触点と、レジスト・デカル
の残りの部分との間は、搬送テープがレジスト・デカル
に早期に接触しないように、角度で約10度程度離れてい
る。
下がって、ジンバル式積層ローラ46に、搬送テープ40と
レジスト・デカルの前縁を接触させる。搬送テープ40
は、スプール42から供給され、本発明のラミネータ中を
通ってレジスタ・デカルを搬送するのに使用される。搬
送テープ40は、3M製の部品番号336のような、粘着性が
あり、応力が低く、低タックのテープでなければならな
い。搬送テープ40は、スプール42から離れて、ローラ43
の周囲を回り、パンチ・プレス・アセンブリ24に入っ
て、ダイ25、パンチ24、およびレジスト・デカルの上を
通過する。積層ローラ46の接触点と、レジスト・デカル
の残りの部分との間は、搬送テープがレジスト・デカル
に早期に接触しないように、角度で約10度程度離れてい
る。
次に、積層ローラ46がデカルの後縁に向かって転動し、
それによって、レジスト・デカルが搬送テープ40に一様
に積層される。泡を生じずに一様に搬送テープ40に接着
するには、約0.45kg（１ポンド）の下向きの圧力および
約毎秒50mmの積層ローラ速度で十分である。
それによって、レジスト・デカルが搬送テープ40に一様
に積層される。泡を生じずに一様に搬送テープ40に接着
するには、約0.45kg（１ポンド）の下向きの圧力および
約毎秒50mmの積層ローラ速度で十分である。
次に、パンチ・プレス・アセンブリ24上部内面の真空を
解除し、わずかに正の圧力にし、レジスト・デカルをパ
ンチから分離する。分離後、レジスト・デカルは、マイ
ラー上部保護層16によって搬送テープ40から宙づりにな
る。次に、パンチ・プレス・アセンブリ24が下がって、
搬送テープ40が移動できる隙間があき、ヒッチ送り前進
機構30と同じ搬送テープ前進機構50が搬送テープ40を次
のステーションまで正確に６インチ前進させる。搬送テ
ープ前進機構50の動作は、ヒッチ送り前進機構30と同じ
であり、２本のテープは同時に前進する。乾燥膜レジス
タ材料14のテープと搬送テープ40が前進するたびに、新
しいレジスト・デカルが押し抜かれる。
解除し、わずかに正の圧力にし、レジスト・デカルをパ
ンチから分離する。分離後、レジスト・デカルは、マイ
ラー上部保護層16によって搬送テープ40から宙づりにな
る。次に、パンチ・プレス・アセンブリ24が下がって、
搬送テープ40が移動できる隙間があき、ヒッチ送り前進
機構30と同じ搬送テープ前進機構50が搬送テープ40を次
のステーションまで正確に６インチ前進させる。搬送テ
ープ前進機構50の動作は、ヒッチ送り前進機構30と同じ
であり、２本のテープは同時に前進する。乾燥膜レジス
タ材料14のテープと搬送テープ40が前進するたびに、新
しいレジスト・デカルが押し抜かれる。
レジスト・デカルを搬送テープ40に接着した後、テープ
が前進して、ポリオレフィン・ピーラ・アセンブリ54中
でデカルを位置決めする。ポロオレフィン・ピーラ・ア
センブリ54は、このとき露出しているポリオレフィン下
部層20を取り除く。3M社製の部品番号800のような、幅
約25mm（１インチ）のハイ・タック・テープ57が供給ス
プールから繰り出されて、ガイド・ローラ55、加圧ロー
ラ60、分離ローラ58、およびガイド・ローラ62の周囲を
回り、巻取りスプール64上に回収される。巻取りスプー
ル64は、ギア・モータ（図示せず）によって駆動され、
ハイ・タック・テープ57を前進させる。スプール12およ
び42を駆動するトルク・モータと同様のトルク・モータ
（すべて図示せず）によって、供給スプール56に、巻取
りスプール64と反対の方向にトルクが付与される。
が前進して、ポリオレフィン・ピーラ・アセンブリ54中
でデカルを位置決めする。ポロオレフィン・ピーラ・ア
センブリ54は、このとき露出しているポリオレフィン下
部層20を取り除く。3M社製の部品番号800のような、幅
約25mm（１インチ）のハイ・タック・テープ57が供給ス
プールから繰り出されて、ガイド・ローラ55、加圧ロー
ラ60、分離ローラ58、およびガイド・ローラ62の周囲を
回り、巻取りスプール64上に回収される。巻取りスプー
ル64は、ギア・モータ（図示せず）によって駆動され、
ハイ・タック・テープ57を前進させる。スプール12およ
び42を駆動するトルク・モータと同様のトルク・モータ
（すべて図示せず）によって、供給スプール56に、巻取
りスプール64と反対の方向にトルクが付与される。
圧力板／チャック・アセンブリ70が下方に動き、それに
よって、加圧ローラ60がレジスト・デカルの前縁でハイ
・タック・テープ57とポリオレフィン下部層20を接触さ
せる。次に、分離ローラ58と加圧ローラ60とガイド・ロ
ーラ55が、レジスト・デカルの下部に沿って、デカルの
後縁に向かって直線的に移動し、それによって、ハイ・
タック・テープ57がポリオレフィン下部層20に接着し、
この層をレジスト・デカルからはぎ取る。レジスト・デ
カルのポリオレフィン下部層20はさらに、ピーラ・トラ
ックに沿って移動し、巻取りスプール64に巻き取られ
る。ポリオレフィン下部層20をレジスト・デカルから除
去するには、加圧ローラ60が付与する約50gの力で十分
である。圧力板／チャック・アセンブリ70は搬送テープ
40を支持するために使用され、ポリオレフィン・ピーラ
・アセンブリ54はポリオレフィン下部層20を引きはが
す。圧力板／チャック・アセンブリ70は、搬送テープ40
の上方に位置し、剥離工程中、垂直下方向に移動し、テ
ープと接触する。
よって、加圧ローラ60がレジスト・デカルの前縁でハイ
・タック・テープ57とポリオレフィン下部層20を接触さ
せる。次に、分離ローラ58と加圧ローラ60とガイド・ロ
ーラ55が、レジスト・デカルの下部に沿って、デカルの
後縁に向かって直線的に移動し、それによって、ハイ・
タック・テープ57がポリオレフィン下部層20に接着し、
この層をレジスト・デカルからはぎ取る。レジスト・デ
カルのポリオレフィン下部層20はさらに、ピーラ・トラ
ックに沿って移動し、巻取りスプール64に巻き取られ
る。ポリオレフィン下部層20をレジスト・デカルから除
去するには、加圧ローラ60が付与する約50gの力で十分
である。圧力板／チャック・アセンブリ70は搬送テープ
40を支持するために使用され、ポリオレフィン・ピーラ
・アセンブリ54はポリオレフィン下部層20を引きはが
す。圧力板／チャック・アセンブリ70は、搬送テープ40
の上方に位置し、剥離工程中、垂直下方向に移動し、テ
ープと接触する。
レジスト・デカルからポリオレフィン層を引きはがした
後、搬送テープ前進機構50が搬送テープ40（およびポリ
オレフィンのないレジスト・デカル）を積層アセンブリ
71まで前進させる。半導体ウェーハ72が、加熱された真
空チャック・アセンブリ74上に配置され、積層上方に積
層レベルまで持ち上げられる。搬送テープ40の上方の位
置にあるジンバル式積層ローラ76が下がってきて、レジ
スト・デカルを半導体ウェーハ72の前縁と強制的に接触
させる。半導体ウェーハ72とレジスト・デカルの間は角
度で約10度程度離れていて、デカルと半導体ウェーハ72
が積層ローラ76の後部で早期に接触しないようになって
いる。積層ローラ76はガーニ75に取り付けられ、ガーニ
75は積層ローラ76を後方へ半導体ウェーハ72の後縁に向
かって直線的に移動させる。積層ローラ76の圧力によっ
て、レジスト・デカルが半導体ウェーハ72表面上に積層
される。レジスト・デカルを半導体ウェーハ72に一様に
かつ泡を生じずに接着するには、約0.45kg（１ポンド）
の積層ローラの力と毎秒約50mmの転動速度で十分であ
る。また、加熱された真空チャックを使ってウェーハを
約85℃まで加熱すると、レジスト・デカルのウェーハへ
の接着力が向上する。
後、搬送テープ前進機構50が搬送テープ40（およびポリ
オレフィンのないレジスト・デカル）を積層アセンブリ
71まで前進させる。半導体ウェーハ72が、加熱された真
空チャック・アセンブリ74上に配置され、積層上方に積
層レベルまで持ち上げられる。搬送テープ40の上方の位
置にあるジンバル式積層ローラ76が下がってきて、レジ
スト・デカルを半導体ウェーハ72の前縁と強制的に接触
させる。半導体ウェーハ72とレジスト・デカルの間は角
度で約10度程度離れていて、デカルと半導体ウェーハ72
が積層ローラ76の後部で早期に接触しないようになって
いる。積層ローラ76はガーニ75に取り付けられ、ガーニ
75は積層ローラ76を後方へ半導体ウェーハ72の後縁に向
かって直線的に移動させる。積層ローラ76の圧力によっ
て、レジスト・デカルが半導体ウェーハ72表面上に積層
される。レジスト・デカルを半導体ウェーハ72に一様に
かつ泡を生じずに接着するには、約0.45kg（１ポンド）
の積層ローラの力と毎秒約50mmの転動速度で十分であ
る。また、加熱された真空チャックを使ってウェーハを
約85℃まで加熱すると、レジスト・デカルのウェーハへ
の接着力が向上する。
レジスト・デカルを半導体ウェーハ72に積層した後、真
空チャック・アセンブリ74の圧力が解除され、真空チャ
ック・アセンブリ74が下がり、半導体ウェーハ72は搬送
テープ40によって宙づりのままとなる。次に、搬送テー
プ前進機構50が半導体ウェーハ72をマイラー・ピーラ・
アセンブリ82まで前進させる。
空チャック・アセンブリ74の圧力が解除され、真空チャ
ック・アセンブリ74が下がり、半導体ウェーハ72は搬送
テープ40によって宙づりのままとなる。次に、搬送テー
プ前進機構50が半導体ウェーハ72をマイラー・ピーラ・
アセンブリ82まで前進させる。
マイラー・ピーラ・アセンブリ82は、マイラー・ピーラ
分離ローラ86とマイラー・ピーラ加圧ローラ84を備えて
いる。これらのローラは、搬送テープが、マイラー・ピ
ーラ分離ローラ86の下、マイラー・ピーラ加圧ローラ84
上を通過する時に約90度曲がるように配置されている。
ローラ84、86はジンバル式で、ガーニ75に取り付けられ
ている。
分離ローラ86とマイラー・ピーラ加圧ローラ84を備えて
いる。これらのローラは、搬送テープが、マイラー・ピ
ーラ分離ローラ86の下、マイラー・ピーラ加圧ローラ84
上を通過する時に約90度曲がるように配置されている。
ローラ84、86はジンバル式で、ガーニ75に取り付けられ
ている。
マイラー・ピーラ・アセンブリ82はまた、垂直上方に移
動して半導体ウェーハ72を固定する、真空チャック・ア
センブリ80を備えている。この固定の後、ガーニ75が、
後方へ、半導体ウェーハ72の後縁に向かって直線的に移
動する。ガーニ75が移動し、マイラー上部保護層16が半
導体ウェーハ72から引きはがされると、マイラー・ピー
ラ分離ローラ86およびマイラー・ピーラ加圧ローラ84は
搬送テープ40に垂直方向の剥離力を付与する。この時点
まで工程に柔軟性があり、レジスト・デカルからマイラ
ー上部保護層16を除去しても、マイラー上部保護層16か
ら搬送テープ40を分離して、マイラー上部保護層16をレ
ジスト・デカルで被覆された半導体ウェーハ90に接着さ
れたままにしてもよい。この柔軟性は、搬送テープ40の
接着特性および真空チャック・アセンブリ80の温度を適
切に選択することによって得られる。マイラー上部保護
層16は、半導体ウェーハ90から除去される場合、搬送テ
ープ40に接着されたままになり、搬送テープ回収スプー
ル92によって回収される。マイラー上部保護層16は、3M
の部品番号800などのハイ・タックの搬送テープ40を使
用し、かつ真空チャック・アセンブリ80（したがって、
半導体ウェーハ72）の温度を室温に保つことによって除
去できる。マイラー上部保護層16を除去しない場合は、
3Mの部品番号336のような、よりロー・タックの搬送テ
ープ40を使用する必要があり、真空チャック・アセンブ
リ80の温度を約45℃まで上げる必要がある。
動して半導体ウェーハ72を固定する、真空チャック・ア
センブリ80を備えている。この固定の後、ガーニ75が、
後方へ、半導体ウェーハ72の後縁に向かって直線的に移
動する。ガーニ75が移動し、マイラー上部保護層16が半
導体ウェーハ72から引きはがされると、マイラー・ピー
ラ分離ローラ86およびマイラー・ピーラ加圧ローラ84は
搬送テープ40に垂直方向の剥離力を付与する。この時点
まで工程に柔軟性があり、レジスト・デカルからマイラ
ー上部保護層16を除去しても、マイラー上部保護層16か
ら搬送テープ40を分離して、マイラー上部保護層16をレ
ジスト・デカルで被覆された半導体ウェーハ90に接着さ
れたままにしてもよい。この柔軟性は、搬送テープ40の
接着特性および真空チャック・アセンブリ80の温度を適
切に選択することによって得られる。マイラー上部保護
層16は、半導体ウェーハ90から除去される場合、搬送テ
ープ40に接着されたままになり、搬送テープ回収スプー
ル92によって回収される。マイラー上部保護層16は、3M
の部品番号800などのハイ・タックの搬送テープ40を使
用し、かつ真空チャック・アセンブリ80（したがって、
半導体ウェーハ72）の温度を室温に保つことによって除
去できる。マイラー上部保護層16を除去しない場合は、
3Mの部品番号336のような、よりロー・タックの搬送テ
ープ40を使用する必要があり、真空チャック・アセンブ
リ80の温度を約45℃まで上げる必要がある。
マイラー保護層16を除去した後、ウェーハ90が、真空チ
ャック・アセンブリ80によって下げられ、装置から取り
外される。ガーニ75の１回のストロークで、第１のウェ
ーハが積層されるとともに、第２のウェーハからマイラ
ー上部保護層16が引きはがされることに留意されたい。
ャック・アセンブリ80によって下げられ、装置から取り
外される。ガーニ75の１回のストロークで、第１のウェ
ーハが積層されるとともに、第２のウェーハからマイラ
ー上部保護層16が引きはがされることに留意されたい。
新しいウェーハを装填し、積層し、取り外すたびに、上
述のシーケンスが繰り返される。搬送テープ前進機構50
が、レジスト・デカルを搬送テープの移動方向にきわめ
て正確に位置決めする。搬送テープの横方向の移動は、
マイラー・ピーラ分離ローラ86と案内ローラ88によって
制御される。案内ローラ88はマイラー・ピーラ分離ロー
ラ86と搬送テープ回収スプール92の間の位置にある。ロ
ーラ86、88は共に、フランジ付きであり、自動調整表面
をもつように加工されているので、搬送テープ40が横方
向に動かないようになる。これは、クラウニングやスパ
イラリングなど、従来技術で周知の多くの方法で実施で
きる。本実施例では、これらのローラ86、88はシェブロ
ン・ラップを備えるように加工されている。これについ
ては、下記の第３図でより詳細に示す。
述のシーケンスが繰り返される。搬送テープ前進機構50
が、レジスト・デカルを搬送テープの移動方向にきわめ
て正確に位置決めする。搬送テープの横方向の移動は、
マイラー・ピーラ分離ローラ86と案内ローラ88によって
制御される。案内ローラ88はマイラー・ピーラ分離ロー
ラ86と搬送テープ回収スプール92の間の位置にある。ロ
ーラ86、88は共に、フランジ付きであり、自動調整表面
をもつように加工されているので、搬送テープ40が横方
向に動かないようになる。これは、クラウニングやスパ
イラリングなど、従来技術で周知の多くの方法で実施で
きる。本実施例では、これらのローラ86、88はシェブロ
ン・ラップを備えるように加工されている。これについ
ては、下記の第３図でより詳細に示す。
前述のすべてのローラの転動面は、シリコーン・ゴムな
どの柔らかい曲がりやすい材料で構成されており、転動
する表面が従順性をもつことに留意さたい。
どの柔らかい曲がりやすい材料で構成されており、転動
する表面が従順性をもつことに留意さたい。
第３図を参照すると、マイラー・ピーラ分離ローラ86
は、シリコーン・ゴム転動面にシェブロン型のラップを
備えている。この種のラップは、搬送テープ40に、ロー
ラの中心から外縁に向かう外向きの力を付与して、搬送
テープが横方向に動かないようにする。
は、シリコーン・ゴム転動面にシェブロン型のラップを
備えている。この種のラップは、搬送テープ40に、ロー
ラの中心から外縁に向かう外向きの力を付与して、搬送
テープが横方向に動かないようにする。
第４図を参照すると、ポリオレフィン・ピーラ・アセン
ブリ54は、ハイ・タック・テープ57を供給する供給スプ
ール56を備えている。ハイ・タック・テープ57は、案内
ローラ55、加圧ローラ60、分離ローラ58、および別の案
内ローラ62上を通り、巻取りスプール64に再び巻き取ら
れる。案内ローラ55、加圧ローラ60、および分離ローラ
58は、ローラ・アセンブリ100の一部である。圧力板／
チャック・アセンブリ70が、垂直下方に移動して、ハイ
・タック・テープ57をレジスト・デカルの前縁に強制的
に接触させる。ローラ・アセンブリ100が、レジスト・
デカルの後縁に向かって直線的に移動して、加圧ローラ
60がハイ・タック・テープ57をレジスト・デカルのポリ
オレフィン下部層20の長さ全体に圧着する。ポリオレフ
ィン下部層20が除去されると、圧力板／チャック・アセ
ンブリ70が垂直下方に引っ込み、レジスト・デカルはい
つでも半導体ウェーハ72に積層できる状態になる。加圧
ローラ60がレジスト・デカルの下部に約50gの力を付与
することが好ましい。
ブリ54は、ハイ・タック・テープ57を供給する供給スプ
ール56を備えている。ハイ・タック・テープ57は、案内
ローラ55、加圧ローラ60、分離ローラ58、および別の案
内ローラ62上を通り、巻取りスプール64に再び巻き取ら
れる。案内ローラ55、加圧ローラ60、および分離ローラ
58は、ローラ・アセンブリ100の一部である。圧力板／
チャック・アセンブリ70が、垂直下方に移動して、ハイ
・タック・テープ57をレジスト・デカルの前縁に強制的
に接触させる。ローラ・アセンブリ100が、レジスト・
デカルの後縁に向かって直線的に移動して、加圧ローラ
60がハイ・タック・テープ57をレジスト・デカルのポリ
オレフィン下部層20の長さ全体に圧着する。ポリオレフ
ィン下部層20が除去されると、圧力板／チャック・アセ
ンブリ70が垂直下方に引っ込み、レジスト・デカルはい
つでも半導体ウェーハ72に積層できる状態になる。加圧
ローラ60がレジスト・デカルの下部に約50gの力を付与
することが好ましい。
第5A図を参照すると、引っ込んだ位置にあるパンチ／ダ
イ・アセンブリ24は、円形パンチ102、円形ダイ25、ロ
ーラ46、および搬送テープ・ラミネータ・アセンブリ44
を備えている。
イ・アセンブリ24は、円形パンチ102、円形ダイ25、ロ
ーラ46、および搬送テープ・ラミネータ・アセンブリ44
を備えている。
第5B図を参照すると、円形パンチ102が垂直下方に移動
し、乾燥膜レジスト材料14を円形ダイ25中を通って押し
出して、円形の乾燥膜レジスト・デカルを形成する。円
形パンチ102の上面110は、多孔質であり、乾燥膜レジス
ト・デカルを押し抜く際にそれを固定する真空を確立す
る。真空固定は、半導体業界で、特に半導体ウェーハを
保持するために幅広く使用されており、従来技術で周知
である。ポリオレフィン層を下方に引っ張り、レジスト
・デカルから引きはがすために、角度Ｂが必要である。
し、乾燥膜レジスト材料14を円形ダイ25中を通って押し
出して、円形の乾燥膜レジスト・デカルを形成する。円
形パンチ102の上面110は、多孔質であり、乾燥膜レジス
ト・デカルを押し抜く際にそれを固定する真空を確立す
る。真空固定は、半導体業界で、特に半導体ウェーハを
保持するために幅広く使用されており、従来技術で周知
である。ポリオレフィン層を下方に引っ張り、レジスト
・デカルから引きはがすために、角度Ｂが必要である。
円形パンチ102が最大垂直位置にくると、搬送テープ・
ラミネータ・アセンブリ44によって積層ローラ46が直線
的に駆動され、積層ローラ46が搬送テープ40を乾燥膜レ
ジスト・デカルの表面の長さ全体に圧着する。後部ロー
ラ43および前部ローラ112は、搬送テープ40を、現在は
真空110表面上に保持されているレジスト・デカルに対
して適切な角度に維持する。これで、乾燥膜レジスト・
デカルが搬送テープ40に接着され、円形パンチ102が垂
直下方に移動し、レジスト・デカルはいつでもポリオレ
フィン・ピーラ・アセンブリ54に搬送できる状態にな
る。積層ローラ46が約0.45kg（１ポンド）の下向きの力
を付与し、搬送テープ40と乾燥膜レジスト・デカル間の
角度を約10度とすることが好ましい。また、搬送テープ
・ラミネータ・アセンブリ44の速度は毎秒約50mmとする
ことが好ましい。
ラミネータ・アセンブリ44によって積層ローラ46が直線
的に駆動され、積層ローラ46が搬送テープ40を乾燥膜レ
ジスト・デカルの表面の長さ全体に圧着する。後部ロー
ラ43および前部ローラ112は、搬送テープ40を、現在は
真空110表面上に保持されているレジスト・デカルに対
して適切な角度に維持する。これで、乾燥膜レジスト・
デカルが搬送テープ40に接着され、円形パンチ102が垂
直下方に移動し、レジスト・デカルはいつでもポリオレ
フィン・ピーラ・アセンブリ54に搬送できる状態にな
る。積層ローラ46が約0.45kg（１ポンド）の下向きの力
を付与し、搬送テープ40と乾燥膜レジスト・デカル間の
角度を約10度とすることが好ましい。また、搬送テープ
・ラミネータ・アセンブリ44の速度は毎秒約50mmとする
ことが好ましい。
本発明をその実施例によって例示し説明したが、本発明
の趣旨および範囲を逸脱することなく、本発明に前記そ
の他様々な変更、省略、および追加を加えることが可能
なことが当業者には理解されよう。
の趣旨および範囲を逸脱することなく、本発明に前記そ
の他様々な変更、省略、および追加を加えることが可能
なことが当業者には理解されよう。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−25035（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−98654（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−244465（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−170163（ＪＰ，Ａ)
Claims (26)
- 【請求項１】下部保護層と、積層材料から成る中間層
と、上部保護層とを有する積層材料を押し抜いて、デカ
ルを形成する押抜き手段と、 粘着性搬送テープを第１の場所、第２の場所、第３の場
所および第４の場所を通して増分的に給送する給送手段
と、 前記第１の場所において、前記デカルを保持し、該デカ
ルの上部層を粘着性搬送テープに圧着することにより、
前記デカルを前記粘着性搬送テープに転移させるための
転移手段と、 前記第２の場所において、前記搬送テープに転移された
前記デカルから下部保護層を除去するための第１の除去
手段と、 前記第３の場所において、半導体ウエーハを保持し、前
記搬送テープに転移された前記デカルの中間層を半導体
ウェーハに積層するための積層手段と、 前記第４の場所において、前記粘着性搬送テープを前記
半導体ウエーハに積層された前記中間層から除去するた
めの第２の除去手段と を備える、下部保護シートと上部保護シートの間にシー
ト状にパッケージングされた積層材料を一連の半導体ウ
ェーハ上に積層するための自動ラミネータ。 - 【請求項２】前記転移手段が、 デカルを保持するための第１の真空チャック手段と、前
記粘着性搬送テープの上方に配設されており、前記粘着
性搬送テープを前記デカルの上部属上に圧着するための
第１の圧着手段と を備えることを特徴とする、請求項１に記載の自動ラミ
ネータ。 - 【請求項３】前記第１の除去手段が、 前記搬送テープを支持するための支持手段と、 前記デカルの下部保護層に接着するのに十分なタックを
持つ粘着性ピーラ・テープと、 下部保護層を前記粘着性ピーラ・テープ上に圧着し、そ
れによって積層材料と上部保護層を有する積層デカルを
形成するための第２の圧着手段と を備えることを特徴とする、請求項１に記載の自動ラミ
ネータ。 - 【請求項４】前記積層手段が、 半導体ウェーハを保持するための第１の加熱真空チャッ
ク手段と、 前記粘着性搬送テープの上方に配設されており、前記積
層デカル積層材料を半導体ウェーハ上に圧着するための
第３の圧着手段と を備えることを特徴とする、請求項１に記載の自動ラミ
ネータ。 - 【請求項５】前記第２の除去手段が、 半導体を保持するための第２の加熱真空チャック手段
と、前記搬送テープを半導体ウェーハにほぼ垂直な角度
に曲げるための分離ローラと、半導体ウェーハから前記
搬送テープを引き離すための加圧ローラとを有する、半
導体ウェーハから前記搬送テープを引きはがすための剥
離手段と を備えることを特徴とする、請求項１に記載の自動ラミ
ネータ。 - 【請求項６】下部保護層と、積層材料から成る中間層
と、上部保護層とを有する積層材料を押し抜いて、デカ
ルを形成する押抜き手段と、 粘着性搬送テープを第１の場所、第２の場所、第３の場
所および第４の場所を通して増分的に給送する給送手段
と、 前記第１の場所において、前記デカルを保護し、該デカ
ルの上部層を粘着性搬送テープに圧着することにより、
前記デカルを前記粘着性搬送テープに転移させるための
転移手段と、 前記第２の場所において、前記搬送テープに転移された
前記デカルから下部保護層を除去するための第１の除去
手段と、 前記第３の場所において、半導体ウェーハを保持し、前
記搬送テープに転移された前記デカルの中間層を半導体
ウェーハに積層するための積層手段と、 前記第４の場所において、前記粘着性搬送テープと上部
保護層を前記半導体ウエーハに積層された前記中間層か
ら除去するための第２の除去手段と を備える、下部保護シートと上部保護シートの間にシー
ト状にパッケージングされた積層材料を一連の半導体ウ
ェーハ上に積層するための自動ラミネータ。 - 【請求項７】前記第２の除去手段が、 半導体を保護するための第２の加熱真空チャック手段
と、前記搬送テープを曲げて半導体ウェーハからほぼ分
離するための分離ローラと、前記搬送テープと前記上部
保護層を半導体ウェーハから引き離すための加圧ローラ
とを有する、半導体ウェーハから前記搬送テープおよび
前記デカルの前記上部保護層を引きはがすための剥離手
段と を備えることを特徴とする、請求項６に記載の自動ラミ
ネータ。 - 【請求項８】積層材料を増分的に前進させるための第１
の駆動手段と、 前記の各増分的前進により、パッケージングされた材料
を押し抜いて、それぞれ半導体ウェーハの形状に適合し
た形状を有し、下部保護層と積層材料から成る中間層と
上部保護層とから構成される連続するデカルを形成する
ためのパンチおよびダイ手段と、 前記デカルから排除された余分な材料を回収するための
第１の巻取り手段と、 前記デカルを固定するための第１のチャック手段と、前
記デカルの上方に配設されており、上部保護層に接着す
るのに十分なタックを持つ粘着性搬送テープと、 前記搬送テープを、積層材料の前記増分前進と協調して
増分的に前進させるための第２の駆動手段と、 前記第１のチャック手段および前記粘着性搬送テープの
上方に．配設されており、前記デカルを前記搬送テープ
に接着するのに十分なカで、前記搬送テープを前記デカ
ルから成る前記上部保護層上に一様に圧着するための第
１のローラ手段と、 ａ）前記搬送テープを支持するための支持手段と、ｂ）
前記デカルの前記下部保護層に接着するのに十分なタッ
クを持つ粘着性ストリッピング・テープと、ｃ）まず、
前記デカルの前記下部層に前記ストリッピング・テープ
を接着し、次に、前記ストリッピング・テープに前記デ
カルの前記下部保護層を前記積層材料からはぎ取らせる
のに十分な力で、前記デカルから前記ストリッピング・
テープを引きはがして前記下部保護層を除去することに
より、積層デカルを形成するための第２のローラ手段と
を有する、前記下部保護層をデカルからはぎ取るための
第１のストリッピング手段と、 ａ）前記積層デカルの下方で半導体ウェーハを固定する
ための第１の加熱チャック手段と、ｂ）前記積層デカル
の上方に配設されており、前記積層デカルを半導体ウェ
ーハに一様に積層するのに十分な力で、前記積層デカル
を半導体ウェーハ上に圧着することにより積層半導体ウ
ェーハを形成するための第３のローラ手段とを有する、
前記積層デカルを半導体ウェーハに積層するための積層
手段と、 ａ）前記積層半導体ウェーハを固定するための第２のチ
ャック手段と、ｂ）前記搬送テープと前記上部保護層を
前記積層半導体ウェーハから引きはがすための第４のロ
ーラ手段とを有する、前記搬送テープと前記上部保護層
を前記積層半導体ウェーハからはぎ取るための第２のス
トリッピング手段と を備える、下部保護シートと上部保護シートの間にシー
ト状にパッケージングされた積層材料を一連の半導体ウ
ェーハ上に積層するための自動ラミネータ。 - 【請求項９】前記第２のチャックが加熱され、前記第２
のストリッピング手段が、前記積層半導体ウェーハから
前記搬送テープだけをはぎ取ることを特徴とする、請求
項８に記載の自動ラミネータ。 - 【請求項１０】前記第１の加熱チャックが、約85℃の温
度まで加熱されることを特徴とする、請求項８に記載の
自動ラミネータ。 - 【請求項１１】前記第１のローラ手段が、 前記搬送テープを圧下して、前記デカルと接触させるた
めの、たわみやすい転動面を持つ第１のジンバル式ロー
ラと、 前記第１のジンバル式ローラを前記デカルの長さ全体に
わたって駆動するための第１のローラ駆動手段と を備えることを特徴とする、請求項８に記載の自動ラミ
ネータ。 - 【請求項１２】前記第２のローラ手段が、 たわみやすい転動面を有し、ストリッピング・テープを
下部保護層に接着させるのに十分な力で、前記ストリッ
ピングープを圧下して、前記下部保護層と接触させるた
めの第１の加圧ローラと、 第１の加圧ローラの転動方向で後方に配設されており、
前記ストリッピング・テープを前記搬送テープから引き
はがすための第１の分離ローラと、 前記第１の加圧ローラ、案内ローラ、および分離ローラ
を前記デカルの下部表面の長さ全体にわたって駆動する
ための第２のローラ駆動手段と を備えることを特徴とする、請求項８に記載の自動ラミ
ネータ。 - 【請求項１３】前記第３のローラ手段が、 たわみやすい転動面を持つ第２のジンバル式ローラと、 前記第２のジンバル式ローラを半導体ウェーハの長さ全
体にわたって駆動するための第３のローラ駆動手段と を備えることを特徴とする、請求項８に記載の自動ラミ
ネータ - 【請求項１４】前記第４のローラ手段が、 前記搬送テープを曲げて、前記積層半導体ウェーハから
離すための第２の分離ローラと、 前記第２の案内ローラの転動方向で後方に配設されてお
り、前記搬送テープを前記積層半導体ウェーハから引き
はがすための第２の加圧ローラと を備えることを特徴とする、請求項８に記載の自動ラミ
ネータ。 - 【請求項１５】前記第２の加圧ローラが、中心および２
つの端部を有し、前記搬送テープに前記中心から前記端
部へと引っ張り圧力を与えるパターンを持つ、柔かくた
わみやすい転動面を持つローラを備えることを特徴とす
る、請求項14に記載の自動ラミネータ。 - 【請求項１６】前記ローラ手段が、シリコーン・ゴム転
動面を有することを特徴とする、請求項８に記載の自動
ラミネータ。 - 【請求項１７】前記第１の前進機構が、 まず、開始位置で積層材料を把持し、次に所定の増分で
積層材料を引っ張り、第３に積層材料を解放し、第４に
前記の開始位置に戻るという動作を繰り返すための第１
の可動グリッパ手段と、 前記可動クリッパ手段が積層材料を解放している間、積
層材料を把持するための第１の静止クリッパ手段と を備えることを特徴とする、請求項８に記載の自動ラミ
ネータ。 - 【請求項１８】前記第２の前進機構が、開始位置で前記
搬送テープを把持し、所定の増分で前記搬送テープを引
っ張り、前記搬送テープを解放し、前記開始位置に戻る
というシーケンスを繰り返すための第２の可動クリッパ
手段と、 前記可動クリッパ手段が前記搬送テープを解放している
間、前記搬送テープを把持するための第２の静止クリッ
パ手段と を備えることを特徴とする、請求項８に記載の自動ラミ
ネータ。 - 【請求項１９】前記チャック手段が、真空チャックから
成ることを特徴とする、請求項８に記載の自動ラミネー
タ。 - 【請求項２０】下部保護層と、積層材料から成る中間層
と、上部保護層とを有する積層材料を押し抜いて、デカ
ルを形成する段階と、 粘着性搬送テープを第１の場所、第２の場所、第３の場
所および第４の場所を通して増分的に給送する段階と、 前記第１の場所において、前記デカルを保持し、該デカ
ルの上部層を粘着性搬送テープに圧着することにより、
前記デカルを前記粘着性搬送テープに転送させる段階
と、 前記第２の場所において、前記搬送テープに転送された
前記デカルから下部保護層を除去する段階と、 前記第３の場所において、半導体ウエーハを保持し、前
記テープに転移された前記デカルの中間層を半導体ウェ
ーハに積層する段階と、 前記第４の場合において、前記粘着性搬送テープを前記
半導体ウエーハに積層された前記中間層から除去する段
階と を備える、下部保護シートと上部保護シートの間にシー
ト状にパッケージングされた積層材料を半導体ウェーハ
上に積層する方法。 - 【請求項２１】前記第１のデカルを前記粘着性搬送テー
プに転移させる段階が、 前記デカルを真空チャックによって保持する段階と、 前記粘着性搬送テープを前記デカルの上部層上に圧着す
る段階と を含むことを特徴とする、請求項20に記載の、材料を半
導体ウェーハ上に積層する方法。 - 【請求項２２】下部保護層を前記デカルから除去する段
階が、 前記搬送テープの転送面を提供する段階と、 前記転動面を利用して、下部保護層を粘着性ピーラ・テ
ープ上に圧着する段階と を含むことを特徴とする、請求項20に記載の、半導体ウ
ェーハ上に材料を積層する方法。 - 【請求項２３】前記デカルの中間層を半導体ウェーハに
積層する段階が、 加熱真空チャックによって半導体ウェーハを保持する段
階と、 デカルを半導体ウェーハ上に圧着する段階と を含むことを特徴とする、請求項20に記載の、半導体ウ
ェーハ上に材料を積層する方法。 - 【請求項２４】前記粘着性搬送テープを除去する段階
が、 加熱真空チャックによって半導体ウェーハを保持する段
階と、 分離ローラを使って前記搬送テープを半導体ウェーハか
らはぎ取り、前記搬送テープを曲げて半導体ウェーハと
加圧ローラから離し、前記搬送テープを半導体ウェーハ
から引きはがす段階と を含むことを特徴とする、請求項20に記載の、半導体ウ
ェーハ上に材料を積層する方法。 - 【請求項２５】下部保護層と、積層材料から成る中間層
と、上部保護層とを有する積層材料を押し抜いて、デカ
ルを形成する段階と、 粘着性搬送テープを第１の場所、第２の場所、第３の場
所および第４の場所を通して増分的に給送する段階と、 前記第１の場所において、前記デカルを保持し、該デカ
ルの上部層を粘着性搬送テープに圧着することにより、
前記デカルを前記粘着性搬送テープに転移させる段階
と、 前記第２の場所において、前記搬送テープに転移された
前記デカルから下部保護層を除去する段階と、 前記第３の場所において、半導体ウエーハを保持し、前
記搬送テープに転移された前記デカルの中間層を半導体
ウェーハに積層する段階と、 前記第４の場所において、前記粘着性搬送テープおよび
上部保護層を前記半導体ウェーハに積層された前記中間
層から除去する段階と を備える、下部保護シートと上部保護シートの間にシー
ト状にパッケージングされた積層材料を半導体ウェーハ
上に積層する方法。 - 【請求項２６】前記粘着性搬送テープおよび上部保護層
を除去する段階が、 真空チャックによって半導体ウェーハを保持する段階
と、分離ローラを使って前記搬送テープを半導体ウェー
ハからはぎ取り、前記搬送テープを曲げて半導体ウェー
ハと加圧ローラから離し、前記搬送テープを半導体ウェ
ーハから引きはがす段階と を含むことを特徴とする、請求項25に記載の、半導体ウ
ェーハ上に材料を積層する方法。
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