KR20080022163A - 기판처리장치 - Google Patents

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KR20080022163A
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다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
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Abstract

이 기판처리장치는, 처리 대상의 기판을 지지하는 기판지지기구와, 상기 기판지지기구에 지지된 기판의 표면에 액적(液滴)을 공급하는 이류체노즐을 포함한다. 이류체노즐은, 케이싱, 처리액을 토출하는 액체토출구 및 기체를 토출하는 기체토출구를 갖고, 상기 케이싱내에 처리액 및 기체를 도입하고, 상기 케이싱 밖으로 상기 액체토출구로부터 토출되는 처리액과 상기 기체토출구로부터 토출되는 기체를 혼합해서 상기 처리액 액적을 형성하고, 이 액적을 기판에 공급한다. 이류체노즐로부터 공급되는 액적의 상기 기판표면에서의 밀도는, 매분 108 개 / 평방 밀리미터 이상이다.
기판, 기판처리, 세정, 이류체노즐

Description

기판처리장치{Substrate Treatment Aapparatus}
도 1은 본 발명의 하나의 실시형태에 관련된 기판처리장치의 구조를 도시하는 도해적인 측면도이다.
도 2a는 이류체노즐의 구조를 도시하는 도해적인 단면도이며, 도 2b는 그 저면도이다.
도 3a 및 도 3b는 각각 내통의 도해적인 부분 측면도 및 저면도이다.
도 4은 이류체노즐의 기체토출구로부터 토출되는 질소가스의 진행 방향을 도시하는 도해적인 사시도이다.
도 5는 이류체노즐의 기체토출구로부터 토출되는 질소가스의 진행 방향을 도시하는 도해적인 사시도이다.
도 6a 및 도 6b는 액적 밀도와 웨이퍼 상의 패턴 데미지수의 관계를 나타낸다.
도 7a 및 도 7b는 비교예의 이류체노즐에서의 노즐 높이와 웨이퍼의 패턴 데미지수와의 관계를 도시한다.
도 8a 및 도 8b는 각각 제1실시예 및 제2실시예의 이류체노즐에서의 노즐 높이와 웨이퍼상의 패턴 데미지수와의 관계를 도시한다.
도 9는 종래의 기판처리장치에 구비된 이류체노즐의 구조를 도시하는 도해적 인 단면도이다.
발명이 속하는 기술분야
본 발명은, 기판의 표면의 세정처리 등을 행하기 위한 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다. 처리의 대상이 되는 기판에는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼, 액정표시장치용 기판, 평면 디스플레이용 기판, FED(Field Emission Display)용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판 등이 포함된다.
관련 기술
반도체장치의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼 (이하, 「웨이퍼」라고 한다.)의 표면의 이물(파티클 등)을 제거하기 위한 세정처리가 불가결하다. 웨이퍼 표면을 세정하기 위한 기판처리장치에는, 처리액(세정액)과 기체를 혼합하는 것에 의해 처리액 액적을 생성해서 분사하는 이류(二流)체 노즐을 갖춘 것이 있다(예를 들면, US2002/0059947 A1).
도 9는 이류체노즐의 구조 예를 도시하는 도해적인 단면도이다. 이 이류체노즐(51)은, 케이싱을 구성하는 외통(52)과, 그 내부에 끼워 넣어진 내통(53)을 포함하고 있다. 외통(52) 및 내통(53)은 대략 원통 형상을 갖고 있으며, 중심축을 공유하고 있다. 내통(53)의 내부공간은 처리액유로(56)로 되어 있으며, 내통(53)의 상 단부로부터 처리액유로(56)에, 처리액(세정액)인 순수(탈이온수: DeIonized Water)을 도입할 수 있도록 되어 있다. 처리액유로(56)의 하단은, 처리액토출구(57)로서 아래쪽을 향해서 열려 있다.
한편, 내통(53)과 외통(52) 사이에는, 대략 원통 형상의 틈인 기체유로(54)가 형성되어 있다. 기체유로(54)의 하단은, 처리액토출구(57)의 주변에 고리 형태의 기체토출구(58)로서 열려 있다. 기체유로(54)는, 외통(52)을 관통한 기체도입관(55)에 연통하고 있고, 이 기체도입관(55)을 통하여 고압의 질소가스가 도입되게 되어 있다.
처리액유로(56)에 순수(純水)를 도입하고, 동시에, 기체유로(54)에 질소가스를 도입하면, 처리액토출구(57)로부터 순수(純水)가 토출되는 동시에, 기체토출구(58)로부터 질소가스가 토출된다. 이들 순수(純水) 및 질소가스는, 각각 처리액토출구(57)와 기체토출구(58)로부터 토출되어, 그 근방에서 충돌(혼합)하는 것에 의해, 순수(純水) 액적이 형성된다. 이 액적은, 분류(噴流)가 되어, 그 아래쪽으로 배치된 웨이퍼(W)의 표면에 충돌한다. 이때, 웨이퍼(W) 표면에 부착하고 있는 파티클 등의 이물은, 순수(純水) 액적의 운동 에너지에 의해, 물리적으로 제거된다.
이류체노즐에 의한 스프레이세정은, 브러시세정이나 초음파세정 등의 다른 물리세정처리에 비교하여, 기판에 대한 데미지(특히 기판표면에 형성된 패턴에 대한 데미지)가 적다. 그 때문에, 미세 패턴이 형성된 기판표면의 낮은 데미지 세정을 위한 유력한 선택이다.
그러나, 이류체노즐에 의한 스프레이세정이라고 할지라도, 기판에 대한 데미 지가 전혀 없지 않고, 기판표면에 형성되는 패턴이 더욱 미세화되는 것에 따라서, 더욱 낮은 데미지화가 요청되고 있다.
본 발명은 기판의 처리에 사용되는 기판처리장치 및 그 처리방법에 있어서, 기판 표면에 형성된 패턴이 한층 미세화한 것이어도 그에 대한 데미지를 최소화할 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제안하는 것이 그 기술적 과제이다. 그 구체적인 방법으로서, 실험을 통하여 최적의 세정액의 밀도를 결정하고, 최적화된 기판처리장치를 제안하며, 그 장치를 이용하여 기판처리를 하는 방법을 제안하는 것을 그 목표로 한다.
발명의 개요
본 발명의 목적은, 이류체노즐을 채용한 기판처리에서의, 더욱 낮은 데미지화를 실현한 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것이다.
기판표면의 패턴에 대한 데미지를 적게 하기 위해서, 이류체노즐에 투입하는 기체유량을 적게 하여, 이류체노즐로부터 분사되는 액적의 속도를 감소시키는 것이 우선 생각된다. 그러나, 투입 기체유량을 적게 하면, 형성되는 액적의 입자의 직경이 커지고, 그에 따라 액적의 밀도가 작아진다. 그 때문에, 기판표면의 패턴에 대한 데미지 저감에 효과가 없을 뿐만 아니라, 이물 제거 능력도 악화된다. 이것은, 액적 밀도가 낮으면, 액적이 기판상의 이물에 충돌하는 확률이 낮아지기 때문이다.
본 발명의 발명자들은, 이류체노즐에 의한 기판세정의 연구를 거듭한 결과, 이물제거능력에 깊게 관련된 것은, 액적의 밀도인 것을 밝혀내어, 본 발명의 완성에 이른 것이다.
다시 말해, 본 발명의 하나의 특징에 따른 기판처리장치는, 처리 대상 기판을 지지하는 기판지지기구와, 이류체노즐을 포함한다. 이류체노즐은, 케이싱, 처리액을 토출하는 액체토출구 및 기체를 토출하는 기체토출구를 갖고, 상기 케이싱 내에 처리액 및 기체를 도입하고, 상기 케이싱 밖(단, 액체토출구의 근방)에서 상기 액체토출구로부터 토출되는 처리액과 상기 기체토출구로부터 토출되는 기체를 혼합해서(액체에 기체를 불어 넣어) 상기 처리액 액적을 형성하고, 이 액적을 상기 기판지지기구에 지지된 기판의 표면에 공급한다. 상기 이류체노즐로부터 공급되는 액적의 상기 기판표면에서의 밀도(액적 밀도)는, 매분 108개/평방 밀리미터 이상 (더 바람직하게는, 매분 1 .2×108 개/평방 밀리미터 이상. 더욱 바람직하게는, 매분 5×108개/평방 밀리미터 이상 8×108 개/평방 밀리미터 이하)이다.
이 구성에 따르면, 케이싱 밖에서 기체 및 액체를 혼합해서 액적 분류를 형성하는 외부혼합형 노즐에 의해, 미소(微小) 액적을 형성할 수 있다. 그리고, 기판지지기구에 지지된 기판표면에서의 액적의 밀도가, 매분 108 개/평방 밀리미터(1분 간에 1평방 밀리미터의 단위영역에 108 개의 액적이 도달하는 밀도)이상으로 되는 것에 의해, 후술하는 실험결과에 나타나는 것 같이, 뛰어난 이물제거성능을 얻을 수 있다. 다시 말해, 기판표면의 패턴에 대한 데미지를 저감하기 위해서 기체유량 을 적게 했을 경우라도, 액적 밀도를 상기의 범위로 제어함으로써, 필요한 이물제거성능을 실현할 수 있다. 이렇게 하여, 낮은 데미지로 이물제거성능에 뛰어난 세정처리를 달성할 수 있고, 지극히 미세 패턴이 형성된 기판의 세정처리를 양호하게 행할 수 있다.
기판표면에서의 액적 밀도의 상한은, 예를 들면, 매분 109 개/평방 밀리미터다. 이 상한치는, 주로, 외부혼합형 이류체노즐의 구성상의 한계에 의하여 결정된다.
처리액은, 예를 들면, 순수(純水)(탈이온수)여도 되고, 암모니아, 과산화수소수, 및 물의 혼합 용액과 같은 약액이여도 좋다.
상기 기체토출구는, 상기 액체토출구를 둘러싸는 원형 고리 형상으로 형성되어 있어도 좋다. 이 경우, 그 원형 고리 형상의 기체토출구의 외경이 2 밀리미터 이상 3 .5 밀리미터 이하이며, 해당 원형 고리 형상의 기체토출구의 폭이 0.05 밀리미터 이상 0.2 밀리미터 이하 (더 바람직하게는 0.05 밀리미터 이상 0.15 밀리미터 이하)인 것이 바람직하다.
상기 기판처리장치는, 상기 케이싱에 매분 17 리터 이하의 유량으로 상기 기체를 공급하는 기체공급 기구를 더욱 포함하는 것이 바람직하다. 이러한 작은 유량의 기체를 공급하는 것에 의해, 기판에 충돌할 때의 액적의 속도를 억제할 수 있고, 기판표면의 패턴에 대한 데미지를 저감할 수 있다. 게다가, 액적 밀도가 높으므로, 충분한 이물제거성능을 실현할 수 있다. 이렇게 해서, 높은 이물제거능력 및 데미지의 저감을 양립하면서, 기판표면의 이물제거 처리를 행할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 특징에 따른 기판처리장치는, 처리 대상의 기판을 지지하는 기판지지기구와, 이류체노즐을 포함한다. 이류체노즐은, 케이싱, 처리액을 토출하는 액체토출구 및 기체를 토출하는 기체토출구를 갖고, 상기 케이싱 내에 처리액 및 기체를 도입하고, 상기 케이싱 밖에서 상기 액체토출구로부터 토출되는 처리액과 상기 기체토출구로부터 토출되는 기체를 혼합해서 (액체에 기체를 불어 넣어) 상기 처리액 액적을 형성하고, 이 액적을 상기 기판지지기구에 지지된 기판의 표면에 공급한다. 상기 기체토출구는, 상기 액체토출구를 둘러싸는 원형 고리 형상으로 형성되어 있고, 이 원형 고리 형상의 기체토출구의 외경이 2 밀리미터 이상 3.5 밀리미터 이하이며, 그 원형 고리 형상의 기체토출구의 폭이 0.05 밀리미터 이상 0.2 밀리미터 이하 (더 바람직하게는 0.05 밀리미터 이상 0.15 밀리미터 이하)이다.
본 발명의 양수인이 본원의 출원 전부터 제안해 온 외부혼합형 이류체노즐에서는, 중앙의 액체토출구를 둘러싸는 원형 고리 형상의 기체토출구는, 예를 들면, 그 외경이 3.5 밀리미터, 폭이 0.3 밀리미터로 형성되어 있다. 이러한 구성의 이류체노즐에 대한 실험결과에 따르면, 필요한 이물제거성능 (예를 들면 50％의 제거율)을 얻기 위해서 필요한 액적 밀도는 8×107 정도이지만, 이 경우의 기체유량이 크기 때문에, 기판표면의 패턴에 대한 데미지가 비교적 크다. 기체유량을 작게 하면, 데미지는 저감되지만, 액적이 커지고, 필요한 액적 밀도를 얻을 수 없다.
이것에 대하여, 기체토출구를 전술과 같이 설계한 이류체노즐에서는, 비교적 작은 유량의 기체투입으로, 작은 직경의 액적을 형성할 수 있고, 필요한 제거성능을 얻기 위해서 필요한 액적 밀도(예를 들면, 108개/분·평방 밀리미터 이상)를 용이하게 달성할 수 있다. 다시 말해, 이류체노즐 자체를 작게 하는 것에 의해, 기체유량을 적게 해도 작은 직경의 액적을 형성할 수 있고, 필요한 액적 밀도가 실현된다. 이로 인해, 기판상의 패턴에 대한 데미지를 경감하면서, 기판표면의 이물을 효과적으로 제거할 수 있다.
상기 이류체노즐은, 상기 처리액 액적을 기판에 공급할 때에, 상기 기판지지기구에 지지된 기판의 표면으로부터 20 밀리미터 미만의 거리를 두고 배치되는 것이 바람직하다. 이 구성에 따르면, 이류체노즐과 기판표면과의 사이의 거리를 20 밀리미터 미만으로 하는 것에 의해, 기판표면에서의 액적 밀도를 높게 유지할 수 있다. 더 구체적으로는, 이류체노즐로부터 기판표면에 이르기까지 액적끼리 접촉해서 일체화하며, 보다 큰 액적이 되는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 또한, 액적 흐름이 확산하여 세정면적이 커지고, 결과적으로 액적 밀도가 낮아지는 것을 동시에 억제 또는 방지할 수 있다. 이로 인해, 작은 직경의 액적을 기판표면의 작은 면적의 영역에 도달시킬 수 있으므로, 기판표면에서의 액적 밀도를 높게 할 수 있다. 한편, 이류체노즐과 기판표면과의 사이의 거리는, 액체토출구로부터 토출되는 처리액과 기체토출구로부터 토출되는 기체의 혼합점과 기판표면과의 사이의 거리를 말한다.
상기 기판처리장치는, 상기 케이싱에 공급되는 처리액 및 기체의 유량 및 상기 이류체노즐과 상기 기판표면과의 사이의 거리(더 구체적으로는, 액체토출구로부터 토출되는 처리액과 기체토출구로부터 토출되는 기체와의 혼합점과 기판표면과의 거리)를 제어하는 콘트롤러를 더욱 포함하는 것이 바람직하다. 이 콘트롤러는, 상기 이류체노즐로부터 공급되는 액적의 상기 기판표면에서의 밀도(액적 밀도)가, 매분 108 개/평방 밀리미터 이상 (더 바람직하게는, 매분 1.2×108 개/평방 밀리미터 이상. 예를 들면, 상한치는 109개/평방 밀리미터)가 되도록, 처리액 및 기체의 유량 및 이류체노즐과 기판표면의 사이의 거리를 제어하는 것이 바람직하다.
이 구성에 의해, 적은 기체투입량으로 기판표면에서의 액적 밀도를 매분 108 개/평방 밀리미터 이상으로 제어할 수 있고, 기판표면의 패턴에 대한 데미지가 적은 기판세정처리를 실현할 수 있다.
상기 콘트롤러는, 예를 들면, 상기 케이싱에 투입되는 처리액의 유량을 매분 100 밀리리터의 범위로 제어하고, 상기 케이싱에 투입되는 기체의 유량을 매분 10∼20 리터 (바람직하게는, 매분 13∼17리터. 더 바람직하게는 매분 약16리터)의 범위에 제어하는 것이 바람직하다. 더욱, 상기 콘트롤러는, 이류체노즐과 기판표면과의 사이의 거리를 2∼15 밀리미터 (더 바람직하게는 3∼10 밀리미터. 더욱 바람직하게는 3∼7 밀리미터)의 범위로 제어하는 것이 바람직하다.
상기 이류체노즐로부터 공급되는 액적의 볼륨 미디언 직경은, 25 마이크로미터 이하(바람직하게는 20 마이크로미터 이하)인 것이 바람직하다.
볼륨 미디언 직경은, 스프레이된 액체의 체적으로 액적의 입자 직경을 의미하는 척도이다. 구체적으로는, 어떤 입자의 직경보다도 큰 액적의 체적의 합계가, 관측된 모든 액적 체적의 50％인(따라서, 그 입자의 직경보다도 작은 액적의 체적의 합계가 관측된 전체 액적의 체적의 50％이다) 경우에, 그 입자의 직경을 볼륨 미디언 직경이라고 한다.
볼륨 미디언 직경을 전술의 범위로 하는 것에 의해, 기판표면에 형성된 패턴에 대한 데미지를 억제하면서, 기판표면에서의 액적 밀도를 충분히 높게 할 수 있고, 뛰어난 이물제거성능을 얻을 수 있다.
상기 이류체노즐로부터 공급되는 액적의 기판표면에서의 도달영역(세정 영역)의 지름은, 5 밀리미터 이상 15 밀리미터 이하 (더 바람직하게는, 6 밀리미터 이상 13 밀리미터 이하. 더욱 바람직하게는, 6 밀리미터 이상 8 밀리미터 이하)인 것이 바람직하다. 원형 세정 영역의 면적은, 그 지름이 5 밀리미터의 경우에는 19.6 평방 밀리미터, 그 지름이 6 밀리미터의 경우에는 28.3 평방 밀리미터, 그 지름이 8밀리미터의 경우에는 50.2 평방 밀리미터, 그 지름이 13 밀리미터의 경우에는 132.7 평방 밀리미터, 그 지름이 15 밀리미터의 경우에는 176.6 평방 밀리미터다.
이 구성에 의해, 액적의 도달영역을 충분히 작게 해서, 기판표면에서의 액적 밀도를 향상시킬 수 있다. 이로 인해, 이물제거성능을 향상시킬 수 있다.
상기 이류체노즐은, 상기 케이싱 내에서의 기체도입구로부터 상기 기체토출구에 이르는 기체유로 중에 개재되어 상기 처리액토출구로부터 처리액토출방향을 따라 토출되는 처리액 흐름을 둘러싸는 소용돌이기류를 형성하기 위한 소용돌이기류형성부를 갖고 있는 것이 바람직하다. 이 구성에 따르면, 기체토출구로부터 토출된 기체의 확대를 억제할 수 있으므로, 처리액 및 기체를 효율적으로 혼합하여, 미소한 액적을 효율적으로 형성할 수 있다. 이로 인해, 기판에의 데미지를 더욱 경감할 수 있다.
본 발명의 기판처리방법은, 이류체노즐의 케이싱에 처리액을 도입하는 단계와, 상기 이류체노즐의 케이싱에 기체를 도입하는 단계와, 상기 이류체노즐의 액체토출구로부터 상기 액체를 토출시키는 한편, 상기 이류체노즐의 기체토출구로부터 상기 기체를 토출시켜, 이것들을 혼합함으로써, 상기 처리액 액적을 생성하는 단계와, 상기 생성된 액적을 기판표면에 공급하고, 이 기판표면에서의 액적 밀도를 매분 108 개/평방 밀리미터 이상(더 바람직하게는, 매분 1.2×108 개/평방 밀리미터 이상. 예를 들면, 상한치는 109 개/평방 밀리미터)으로 하는 단계를 포함한다. 이 방법에 의해, 낮은 데미지이면서 이물제거성능이 뛰어난 세정처리를 달성할 수 있고, 지극히 미세 패턴이 형성된 기판의 세정처리를 양호하게 행할 수 있다.
상기 이류체노즐의 케이싱에 기체를 도입하는 스텝은, 상기 케이싱에 매분 17 리터 이하의 유량으로 상기 기체를 공급하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.이 방법에 의해, 기판에 충돌할 때의 액적의 속도를 억제할 수 있고, 기판표면의 패턴에 대한 데미지를 저감할 수 있다. 게다가, 액적 밀도가 높으므로, 충분한 이물제거성능을 실현할 수 있다. 이렇게 해서, 높은 이물제거능력 및 데미지의 저감 을 양립하면서, 기판표면의 이물제거 처리를 행할 수 있다.
본 발명에서의 상술한, 또는 더욱 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도면을 참조해서 다음에 진술하는 실시형태의 설명에 의해 밝혀진다.
발명의 상세한 설명
도 1은 본 발명의 하나의 실시형태에 따른 기판처리장치의 구조를 도시하는 도해적인 측면도이다. 이 기판처리장치(1)는, 기판의 하나의 예로서의 반도체 웨이퍼(이하, 단지 「웨이퍼」라고 한다)(W)의 표면을 세정하기 위한 것이고, 웨이퍼(W)를 대략 수평하게 지지하여 회전하는 기판지지기구로서의 스핀척(10)과, 스핀척(10)에 지지된 웨이퍼(W)에, 세정액인 순수(純水)(탈이온수 : Deionzied Water) 액적을 공급하는 이류체노즐(2)을 구비하고 있다.
스핀척(10)은 연직방향을 따라 배치된 회전축(11)과, 그 상단에 대략 수평으로 장착된 원판 형태의 스핀베이스(12)를 구비하고 있다. 스핀베이스(12)의 상면 주연(周緣)부에는, 스핀베이스(12)의 둘레방향으로 적당한 간격을 두고, 복수개의 척핀(13)이 세워져 설치되어 있다. 척핀(13)은, 웨이퍼(W)의 하면 주연부를 지지하면서, 웨이퍼(W)의 단면(端面)에 접하고, 다른 척핀(13)과 협동하여 웨이퍼(W)를 협지할 수 있도록 되어 있다. 웨이퍼(W)는, 스핀척(10)에 의해, 그 중심이 회전축(11)의 중심축 상에 위치하도록, 대략 수평하게 지지된다.
회전축(11)에는 회전구동기구(14)가 결합되어 있어, 회전축(11)을 그 중심축의 둘레로 회전시킬 수 있다. 이것에 의해 스핀척(10)에 지지된 웨이퍼(W)를 회전시킬 수 있다.
이류체노즐(2)에는, 처리액배관(24)을 통하여 순수(純水) 공급원으로부터 처리액의 하나의 예로서의 순수(純水)를 공급할 수 있다. 처리액배관(24)에는, 열린 정도를 조정할 수 있는 밸브(24V)가 장착되어 있어, 이류체노즐(2)에 공급되는 순수(純水)의 유로의 개폐, 및 순수(純水)의 유량의 조절을 행할 수 있게 되어 있다.
또한, 이류체노즐(2)에는, 질소가스배관(25)을 사이에 두고, 질소가스 공급원으로부터 고압의 질소가스(기체의 하나의 예)를 공급할 수 있다. 질소가스배관(25)에는 열린 정도가 조정이 가능한 밸브(25V)가 사이에 끼워져 있어, 이류체노즐(2)에 공급되는 질소가스의 유로의 개폐, 및 질소가스의 유량의 조절을 행할 수 있게 된다. 질소가스배관(25)에 있어서, 밸브(25V)보다 하류측(밸브(25V)와 이류체노즐(2)의 사이에는, 압력계(25P)가 장착되어 있어, 이류체노즐(2)에 도입되는 질소가스의 압력을 측정할 수 있도록 되어 있다.
이류체노즐(2)은, 암(21)을 통하여 노즐이동기구(23)에 결합되어 있다. 노즐이동기구(23)는, 연직방향에 따른 요동축의 둘레로 암(21)을 요동시키는 것에 의해, 암(21)에 결합된 이류체노즐(2)을 웨이퍼(W) 상에서 이동시킬 수 있고, 또한, 암(21)을 상승시키는 것에 의해 이류체노즐(2)과 웨이퍼(W)와의 사이의 거리(웨이퍼(W) 상면에 대한 이류체노즐(2)의 높이)를 변경할 수 있다. 이로 인해, 이류체노즐(2)에 의한 처리 위치를, 스핀척(10)에 지지된 웨이퍼(W)의 중심부에서 주연부에 이르는 각부로 이동할 수 있음과 동시에, 이류체노즐(2)과 웨이퍼(W)와의 사이의 거리를 조정할 수 있다.
밸브(24V, 25V)를 동시에 열기, 이류체노즐(2)에 순수(純水) 및 질소가스를 동시에 도입하기와, 이류체노즐(2)에 의해 순수(純水) 액적 분류가 생성되어, 스핀척(10)에 지지된 웨이퍼(W)의 상면을 향해서 아래쪽으로 분사된다.
밸브(24V, 25V)의 개폐, 및 회전구동기구(14) 및 노즐이동기구(23)의 동작은, 콘트롤러(20)에 의해 제어할 수 있게 된다.
웨이퍼(W)의 표면을 세정할 때는, 회전구동기구(14)에 의해 스핀척(10)에 지지된 웨이퍼(W)를 회전시켜, 노즐이동기구(23)에 의해 이류체노즐(2)을 웨이퍼(W) 위에서 수평방향(웨이퍼(W)의 회전 반지름 방향)으로 이동시키면서, 이류체노즐(2)로부터 웨이퍼(W)의 상면을 향해서 순수(純水) 액적을 분사시킨다. 그 사이, 이류체노즐(2)은, 웨이퍼(W)의 표면으로부터의 높이를 일정하게 지지한 상태로, 웨이퍼(W)의 중심으로 대향하는 위치와 웨이퍼(W)의 주연부에 대향하는 위치와의 사이에서 수평이동된다. 이로 인해, 웨이퍼(W)의 표면 전체가 균일하게 처리된다.
이류체노즐(2)에 고압의 질소가스를 도입하는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 상면에 큰 운동 에너지를 갖는 순수(純水) 액적을 충돌시킬 수 있다. 이 때, 순수(純水) 액적의 운동 에너지에 의해, 웨이퍼(W)의 상면에 부착된 파티클이 물리적으로 제거된다.
밸브(25V)의 열린 정도를 변경하여, 이류체노즐(2)에 도입되는 질소가스의 압력(유량)을 변하게 하는 것에 의해, 이류체노즐(2)에 의해 생성되는 순수(純水) 액적의 입자의 직경을 변화시킬 수 있고, 이에 따라 웨이퍼(W) 표면에서의 액적 밀도(단위시간당 단위면적영역에 도달하는 액적 수)를 변화시킬 수 있다. 이로 인해, 순수(純水) 액적에 의한 웨이퍼(W)의 처리 특성을 변화시킬 수 있다.
더욱, 웨이퍼(W) 표면에 대한 이류체노즐(2)의 높이를 변경함으로써, 이류체노즐(2)로부터 확산하면서 웨이퍼(W) 표면으로 유도되는 액적분류가 웨이퍼(W)에 도달할 때의 도달영역(처리영역. 이 실시형태에서는 대략 원형의 세정 영역)의 크기(면적)을 변경할 수 있다. 이로 인해, 웨이퍼(W) 표면에서의 액적 밀도를 조절할 수 있다.
도 2a는 이류체노즐(2)의 구조를 도시하는 도해적인 단면도이며, 도 2b는 이류체노즐(2)을 스핀척(10) 측에서 본 저면도이다. 이류체노즐(2)은, 소위, 외부혼합형으로 된 것이고, 케이싱 밖에서 순수(純水)에 질소가스를 충돌시켜서 처리액 액적을 생성할 수 있다. 이류체노즐(2)은, 케이싱을 구성하는 외통(34)과, 그 내부에 끼워 넣어진 내통(39)을 포함하고 있어, 대략 원주 형태의 외형을 갖고 있다. 내통(39)과 외통(34)은, 중심축(Q)을 공유하는 동축상(同軸狀)으로 배치되어 있다.
내통(39)의 내부공간은, 처리액유로(40)로 되어 있다. 처리액유로(40)는, 내통(39)의 한 쪽의 단부(端部)에서, 처리액도입구(30)로서 열려 있다. 이 내통(39)의 한 쪽의 단부에는, 처리액배관(24)이 접속되고 있어, 처리액배관(24)으로부터 처리액도입구(30)를 통하여 처리액유로(40)에 순수(純水)를 도입할 수 있게 된다. 처리액유로(40)는, 내통(39)의 다른 쪽 단부(처리액배관(24)이 접속되어 있는 측과 반대측)에서, 처리액토출구(41)로서 열려 있다.
내통(39)에 의해, 순수(純水)의 유로는 중심축(Q)에 따르는 직선 형태로 규제되어, 처리액토출구(41)로부터, 이 직선(중심축(Q))에 따르는 방향으로 순수(純水)가 토출된다. 웨이퍼(W)의 처리시에는, 중심축(Q)이 웨이퍼(W)의 표면에 수직하 도록, 이류체노즐(2)이 배치된다.
외통(34)은, 대략 일정한 내경을 갖고 있다. 한편, 내통(39)은, 중심축(Q) 방향에 따르는 각부에서 외경이 변화한다. 내통(39)의 중간부(39A)는, 외통(34)의 내경보다 작은 외경을 갖고 있다.
내통(39)의 한 쪽 및 다른 쪽의 단부 근방에는, 내통(39)의 외주면으로부터 연장되어 나오도록, 내통(39)과 일체적으로 형성된 플렌지(39B, 39C)가 각각 마련되어 있다. 플렌지(39B, 39C)는, 외통(34)의 내경과 대략 동일한 외경을 갖고 있다. 이 때문에, 내통(39)은, 플렌지(39B, 39C)의 외주부에서 외통(34)의 내벽에 밀접하고 있는 동시에, 내통(39)의 중간부(39A)와 외통(34)의 내벽과의 사이에는, 중심축(Q)를 중심으로 한 대략 원통 형상의 간격인 원통유로(35)가 형성되어 있다.
외통(34)의 길이 방향 중간부에는, 원통유로(35)에 연통한 기체도입구(31)가 형성되어 있다. 외통(34)의 측면에 있어서, 기체도입구(31)가 형성된 부분에는, 질소가스배관(25)이 접속되어 있다. 질소가스배관(25)의 내부공간과 원통유로(35)는 연통되어 있어, 질소가스배관(25)으로부터 기체도입구(31)를 통하여, 원통유로(35)에 질소가스를 도입할 수 있도록 되어 있다.
내통(39)의 처리액토출구(41) 측에 마련되어진 플렌지(39B)에는, 중심축(Q)방향으로 플렌지(39B)를 관통하는 기류방향변환유로(43)가 형성되어 있다.
외통(34)의 처리액토출구(41)측의 단부는, 선단으로 향해감에 따라서 내경이 작아지는 테이퍼(tapered) 형상 내벽면을 갖는 차폐부(34A)로 되어 있다. 중심축(Q)방향에 관해서, 플렌지(39B)의 단부로부터는 단통부(短筒部)(39D)가 돌출하고 있다. 단통부(39D)는 차폐부(34A)의 대략 중심에 배치되어 있다. 차폐부(34A)의 내경은 단통부(39D)의 외경보다 크다. 이 때문에, 차폐부(34A)와 단통부(39D)와의 사이에, 중심축(Q)을 둘러싸는 대략 원통 형상의 간격인 선회류형성유로(38)가 형성되어 있다.
원통유로(35), 기류방향변환유로(43) 및 선회류형성유로(38)는, 서로 연통하고 있고, 기체유로(44)를 형성하고 있다. 선회류형성유로(38)는, 처리액토출구(41)의 주변에 고리 형상의 기체토출구(36)로서 열려 있다. 이러한 구성에 의해, 질소가스배관(25)을 통하여 원통유로(35)에 도입된 질소가스는, 기체토출구(36)로부터 토출된다. 기류방향변환유로(43)는, 기체토출구(36)의 근방에 형성되어 있다.
웨이퍼(W) 세정시의 기판처리장치(1)에 있어서, 이류체노즐(2)은, 처리액토출구(41) 및 기체토출구(36)가 스핀척(10)에 지지된 웨이퍼(W)측(아래 쪽)에 향하도록 되어 있다. 처리액토출구(41)와 기체토출구(36)는, 근접해서 형성되어 있다. 더 구체적으로는, 처리액토출구(41)는 원형으로 열려 있고, 기체토출구(36)은, 처리액토출구(41)를 둘러싸는 원형 고리 형태로 열려 있다.
원형 고리 형태의 기체토출구(36)는, 그 외경(a)이 2㎜∼3.5㎜ 로 되어 있고, 그 폭(c)은 0,05㎜∼0.2㎜로 되어 있다. 또한, 원형의 처리액토출구(41)는 그 지름(b)(=a-2c.기체토출구(36)의 내경과 다름없다)이 1.6㎜∼3.4㎜으로 되어 있다. 더 바람직하게는, a=2.10㎜∼2.65㎜, b=2.00㎜∼2.35㎜, c=0.05㎜∼0.15㎜의 각각의 수치범위에서 각각의 사이즈를 설정하면 좋다. 구체적으로는, 후술하는 바와 같이, 본건 발명자가 시작(試作) 실험을 행한 제1실시예에서는 a=2.20㎜, b=2.10㎜ , c=0.05 ㎜ 로 하였다. 또한, 제2실시예에서는 a=2.50㎜, b=2.30㎜, c=0.10㎜로 하였다.
도 3a는 내통(39)의 도해적인 부분 측면도이며, 도 3b는 내통(39)의 도해적인 저면도이다. 도 3a에는, 플렌지(39B) 근방의 부분만을 도시하고 있다.
플렌지(39B)는, 우산 형태의 형상을 갖고 있고, 중심축(Q)에 대하여 측방향으로 대략 수직하게 돌출하고 있다. 플렌지(39B)에는, 6개의 홈(42)이 형성되어 있다. 각각의 홈(42)은 플렌지(39B)의 외주면으로부터 플렌지(39B)의 안쪽을 향하여, 중심축(Q)에 대략 평행, 즉, 중심축(Q)를 포함하지 않는 평면에 나란하도록, 서로 대략 등각도 간격으로 형성되어 있다.
어느 쪽의 홈(42)도, 중심축(Q)에 따르는 방향에서 볼 때, 플렌지(39B)의 외주에서의 열린 위치와 중심축(Q)를 연결하는 직경 방향에 대하여, 대략 같은 각도로 경사져 교차하고 있고, 단통부(39D) 외주의 접선에 따르도록 형성되어 있다 (도 3b 참조). 따라서, 이류체노즐(2)에 있어서, 홈(42)은, 중심축(Q)에 따르는 방향에서 볼 때, 기체토출구(36)(선회류형성유로(38))의 접선방향에 따르도록 형성되어 있다.
이류체노즐(2)에 있어서, 홈(42)의 외주측은 외통(34)의 내벽으로 막혀 있고, 이로 인해, 6개의 기류방향변환유로(43)가 형성되어 있다. 또한, 플렌지(39B)의 단통부(39D) 측 주연부에 있어서, 홈(42)의 개구부는 차폐부(34A)로 덮여 있다 (도 2 참조). 한편, 홈(42)의 내부측 부분은, 중심축(Q)에 따르는 방향에 볼 때, 기체토출구(36)와 중첩되도록 위치하고 있다.
이렇게, 내부에 기류방향변환유로(43)가 형성된 이류체노즐(2)은, 외통(34)안에, 주위에 홈(42)이 형성된 내통(39)을 끼워 넣는 것만으로 얻을 수 있다.
질소가스배관(25)으로부터 원통유로(35)에 질소가스를 도입하면, 질소가스는, 원통유로(35)를 그 모선방향을 따라 기류방향변환유로(43) 측으로 흐르고, 기류방향변환유로(43)로 안내된다. 기류방향변환유로(43) 안을 흐르는 질소가스 중, 플렌지(39B)의 외주측을 흐르는 것은, 선회류형성유로(38)측에서, 차폐부(34A)의 내벽에 따라, 플렌지(39B)의 내부측을 향해서 흐른다 (질소가스가 흐르는 방향을 도 3b에 화살표 K로 표시한다.). 이때, 질소가스가 흐르는 방향은, 기체유로(44)의 모선방향에서, 기체유로(44)(선회류형성유로(38))의 원주방향에 따르는 성분을 갖는 방향으로 변환된다.
선회류형성유로(38) 안에서는, 질소가스는 선회류형성유로(38)의 원주방향을 따라 자유롭게 흐를 수 있다. 이 때문에, 기류방향변환유로(43)로부터 선회류형성유로(38)로 안내된 질소가스는, 중심축(Q)(처리액유로(40))의 주변을, 도 3b에 있어서 반시계방향으로 선회하도록 흘러, 기체토출구(36)에 유도된다.
6개의 기류방향변환유로(43)가 형성되어 있는 것에 의해, 대략 원통 형상의 기체유로(44)의 원주상에 있어서 간격을 띄어서 배치된 6개의 장소로부터, 방향이 변환된 기류가 선회류형성유로(38)(기체토출구(36)측)에 인도된다. 이로 인해, 선회류형성유로(38)의 원주방향(선회 방향)에 관해서 균일한 선회류가 형성된다.
도 4는, 이류체노즐(2)의 기체토출구(36)로부터 토출되는 질소가스의 진행 방향을 도시하는 도해적인 사시도이다. 도 4에 있어서, 질소가스의 진행 방향을 화 살표 N으로 표시한다. 선회류형성유로(38)에 있어서, 질소가스가 처리액유로(40)의 주변에 선회하도록 흐름으로써, 기체토출구(36)로부터 토출되는 질소가스는, 기체토출구(36) 부근에서 소용돌이쳐 기류를 형성한다. 질소가스는, 선회류형성유로(38)에서 선회류가 형성된 후, 기체토출구(36)로부터 토출되므로, 이 소용돌이기류는 둘레방향에 관해서 균일하게 된다. 질소가스의 소용돌이기류는, 처리액토출구(41)로부터 중심축(Q)에 따라 토출되는 순수(純水)를 둘러싸도록 형성된다.
중심축(Q)에 따르는 방향에서 볼 때, 홈(42)이 기체토출구(36)의 접선방향에 따르도록 형성되어 있는 것에 의해, 기체토출구(36)로부터 토출되는 질소가스는, 기체토출구(36)의 접선방향의 성분을 갖는 방향으로 나아간다. 이 때문에, 이류체노즐(2)로부터 질소가스와 함께 웨이퍼(W) 위로 운반되는 순수(純水) 액적 흐름의 윤곽은, 처리액토출구(41)의 근방에 형성되는 조임부(L1)와, 조임부(L1)로부터 스핀척(10)에 지지된 웨이퍼(W)의 표면을 향함에 따라 확대 개방되는 확산부(M1)를 갖는다.
조임부(L1)는 순수(純水)의 토출방향에 직교하는 횡단면의 면적(대략 원형단면의 직경)이, 순수(純水)의 토출방향에 따르는 각부에서, 스핀척(10)에 지지된 웨이퍼(W)에 근접할 만큼 감소하는 형상(대략 역원추형상)을 갖고 있다. 확산부(M1)은, 조임부(L1)의 스핀척(10)측의 단부에 연설되고, 순수(純水)의 토출방향에 직교하는 횡단면의 면적(대략 원형단면의 직경)이 스핀척(10)을 향함에 따라 증대하는 형상(대략 원추형상)을 갖고 있다. 따라서, 조임부(L1)와 확산부(M1)에 의해, 북형의 형상이 형성되어 있다.
이류체노즐(2)로부터 분사되는 순수(純水) 액적의 주된 진행 방향(소용돌이기류의 중심축 방향)은, 웨이퍼(W)에 대하여 대략 수직하다.
도 5는, 이류체노즐(2)의 기체토출구(36)로부터 토출되는 질소가스의 진행 방향의 다른 예를 도시하는 도해적인 사시도이다. 도 5에 있어서, 질소가스의 진행 방향을 화살표 N으로 도시한다. 이류체노즐(2)로부터 질소가스와 함께 웨이퍼(W) 위로 운반되는 순수(純水) 액적 흐름의 윤곽은, 처리액토출구(41)의 근방에 형성되는 조임부(L2)와, 조임부(L2)로부터 스핀척(10)에 지지된 웨이퍼(W)의 표면을 향함에 따라 확개하는 확산부(M2)를 갖는다.
이 예에서는, 조임부(L2)는, 순수(純水)의 토출방향에 직교하는 횡단면의 면적(대략 원형단면의 직경)이, 순수(純水)의 토출방향에 따는 각부에서 대략 똑같은 형상(대략 원기둥형상)을 갖고 있다. 확산부(M2)는 조임부(L2)의 스핀척(10)측의 단부에 연결되어, 순수(純水)의 토출방향에 직교하는 횡단면의 면적(대략 원형단면의 직경)이 스핀척(10)을 향함에 따라 증대하는 형상(대략 원추형상)을 갖고 있다.
이렇게, 기체토출구(36)로부터 웨이퍼(W)를 향해서 흐르는 질소가스는, 조임부(L1, L2)에서는, 측방향으로 넓혀지도록 흐르지 않는다. 이로 인해, 처리액토출구(41)로부터 토출되는 순수(純水)는, 좁은 영역에 가둘 수 있으므로, 순수(純水)와 질소가스는 효율적으로 혼합되어 (충돌해), 작은 직경을 갖는 순수(純水) 액적이 효율적으로 생성된다.
또한, 이렇게 도중부가 조여서 흐르는 질소가스는, 기체토출구(36)로부터 토출되는 질소가스에 뒤로부터 효과적으로 밀려져 흐르므로, 크게 감속되지 않고 웨 이퍼(W)에 도달할 수 있다. 순수(純水) 액적은, 기체토출구(36)로부터 토출되는 질소가스와 함께 운반되어 진행되므로, 순수(純水) 액적도 크게 감속되지 않고, 웨이퍼(W)에 도달할 수 있다.
다시 말해, 순수(純水) 액적은, 이류체노즐(2)과 웨이퍼(W) 표면과의 사이의 거리에 그다지 의존하지 않고, 이류체노즐(2)에 투입되는 질소가스의 유량에 대응하는 운동 에너지를 갖고 웨이퍼(W)에 충돌할 수 있다. 이로 인해, 웨이퍼(W) 표면에 부착하고 있는 파티클에 운동 에너지가 주어져서, 파티클이 제거되므로, 웨이퍼(W) 표면은 효율적으로 세정된다.
더욱, 이 실시형태의 이류체노즐(2)에서는, 분사되는 순수(純水) 액적의 방향이 안정하므로, 스핀척(10)에 지지된 웨이퍼(W)서의 세정 영역이 안정하다. 따라서, 균일하게 웨이퍼(W)를 세정할 수 있다.
다음 표 1은, 본건 발명자가 전술과 같은 구성의 이류체노즐(2)의 사이즈 등을 다르게 해서 세정실험을 행한 결과를 나타낸다.
「비교예」는, 기체토출구(36)의 외경(a)=3.5㎜으로, 그 폭(c)=0.3㎜로 하고, 처리액토출구(41)의 지름(b)=2.9㎜으로 한 것이다. 또한, 「제1실시예」는, a=2.2㎜, b=2.1㎜, c=0.05㎜으로 한 것이다. 또한, 「제2실시예」는, a=2.5㎜, b= 2.3㎜, c=0.1㎜으로 한 것이다.
Figure 112008011790639-PAT00001
비교예에 대해서는, 이류체노즐(2)의 웨이퍼(W) 표면으로부터의 높이를, 3㎜, 6㎜, 10㎜ 및 20㎜로 각각 설정하는 동시에, 50％의 제거율을 얻을 수 있도록 질소가스유량을 각각 조절해서 실험을 행하였다. 순수 유량은, 어느 쪽의 경우도, 매분 100밀리리터로 했다. 제1실시예에 대해서는, 이류체노즐(2)의 웨이퍼(W) 표면으로부터의 높이를, 3㎜ 및 10㎜로 각각 설정하는 동시에, 50％의 제거율을 얻을 수 있도록 질소가스유량을 각각 조절해서 실험을 행하였다. 순수류량은, 어느 쪽의 경우도, 매분 100밀리리터로 했다. 제2실시예에 대해서는, 이류체노즐(2)의 웨이퍼(W) 표면에서의 높이를, 3㎜, 6㎜, 10㎜ 및 20㎜로 각각 설정하는 동시에, 50％의 제거율을 얻을 수 있도록 질소가스유량을 각각 조절해서 실험을 행하였다. 순수류량은 어느 쪽의 경우도, 매분 100밀리리터로 했다. 이렇게, 동일한 제거율을 얻을 수 있는 조건으로, 웨이퍼(W) 상의 세정면적, 액적 지름, 및 액적 밀도 및 웨이퍼(W) 위의 패턴의 데미지수를 조사하였다.
여기에서, 「제거율」은, 미리 미립자를 부착시킨 웨이퍼(W)로부터 제거된 그 미립자의 비율을 말한다. 구체적으로는, 웨이퍼(W) 표면의 입자수 N0를 계측하고, 그 후에 웨이퍼(W)의 표면에 파티클(Si3N4입자)를 부착시켜 웨이퍼(W) 표면의 입자수 N1을 계측하고, 또한, 세정 후에 웨이퍼(W) 표면의 입자수N2을 계측한다. 이 경우의 제거율은, 다음 식에 의해 계산된다.
제거율（％）＝100× (N1-N2)/ (N1-N0)
또한, 이류체노즐(2)의 웨이퍼(W) 표면으로부터의 「높이」는, 웨이퍼(W) 표면으로부터 이류체노즐(2)의 기액 혼합점까지의 높이를 말한다. 기액 혼합점은, 엄밀히, 이류체노즐(2)의 하단으로부터 약 2㎜ 정도 아래 쪽의 위치이지만, 이류체노즐(2)의 하단위치(즉, 기체토출구(36) 및 처리액토출구(41)의 위치)와 실질적으로 동일하다고 보아도 상관없다.
기액 혼합점이 웨이퍼(W)의 표면보다도 위에 존재해야 하므로, 이것에 의해 「높이」의 하한이 정해진다. 상한을 규정하는 물리적 요인은 없다.
「질소가스유량」은 노즐 구조에 의해 상한이 정해진다. 다시 말해, 제1 및 제2실시예의 노즐에서는, 비교예의 노즐보다도, 유량의 상한이 작다. 질소가스유량은, 전술한 바와 같이 소정의 제거율 (예를 들면 50％）을 얻도록 제어된다.
「세정면적」은 이류체노즐(2)에 의해 생성되는 액적 분류가 웨이퍼(W)의 표면에 도달하는 영역(도달영역. 세정영역)의 크기다. 이 도달영역은 원형의 영역이 되므로, 그 지름을 계측함으로써 세정면적을 구할 수 있다. 도달영역의 지름은, 자(기준)으로 직접 측정해도 좋고, 웨이퍼(W)를 회전하면서 이류체노즐(2)로부터의 액적 분류에 따라서 웨이퍼(W) 위의 고리 형상(띠 형상) 영역을 세정하고, 이 고리 형상 영역의 폭을 자로 계측함으로써 간접적으로 측정해도 좋다. 세정면적은, 이류체노즐(2)의 「높이」에 의해 조정할 수 있다. 다시 말해, 높이가 높을 만큼, 액적 분류가 확산하므로, 세정면적이 커진다.
「액적 직경」은 액적의 평균 입자 직경이며, 여기에서는 볼륨 미디언 직경(체적평균 직경)이다. 볼륨 미디언 직경은, 이류체노즐(2)로부터 스프레이된 액체의 체적으로 액적의 입자 직경을 나타내는 척도이며, 어떤 입자의 직경보다도 큰 액적의 체적의 합계가, 관측된 전체 액적의 체적의 50％인(따라서, 그 입자의 직경보다도 작은 액적의 체적의 합계가 관측된 전체 액적의 체적의 50％이다) 경우에, 그 입자의 직경을 볼륨 미디언 직경이라고 한다. 볼륨 미디언 직경은, 레이저 회절식 입자 직경 분포 측정 장치등을 이용해서 측정할 수 있다.
액적 직경은, 비교예의 노즐에서는 질소가스유량의 증가와 함께 작아졌다. 이에 대하여, 제1 및 제2실시예의 노즐에서는, 액적 직경이 질소가스유량에 대부분 의존하지 않는다. 따라서, 제1 및 제2실시예의 노즐에는, 질소가스유량에 다소의 오차가 생겨도 액적 직경을 유지할 수 있다는 이점이 있다.
「액적 밀도」는, 단위시간 (여기서는 1분간)에, 웨이퍼(W) 표면의 단위면적 (여기서는 1 평방 밀리미터)에 도달하는 액적 수를 말한다. 이 액적 밀도는, 세정면적 및 볼륨 미디언 직경의 측정 결과 및 이류체노즐(2)에 투입되는 순수 유량에 근거하고, 계산에 의해 구할 수 있다. 제1 및 제2실시예의 노즐의 경우, 액적 직경이 질소가스유량에 대부분 의존하지 않는 것으로부터, 액적 밀도는 노즐의 「높이」의 영향을 받고 있다고 판단된다. 다시 말해, 노즐의 높이가 낮으면, 그것에 대응하여 액적 밀도가 높아진다.
실험은, 제1의 레지스트 패턴을 표면에 형성한 제1웨이퍼와, 제2의 레지스트 패턴을 표면에 형성한 제2웨이퍼를 사용하여 행하였다. 제2의 레지스트 패턴은 제1의 레지스트 패턴에 비교해서 약한 것이다. 제1 및 제2의 레지스트 패턴은, 모두, 선폭 180nm의 라인(선)을 동폭인 180nm의 스페이스(간격)로 형성한 패턴이다.
「데미지수」는 웨이퍼 상에서의 패턴 무너짐 및 패턴 떨어져나감의 총수다. 데미지수에 관해서는, 제1웨이퍼에 관해서는 100 이하인 것, 제2웨이퍼에 관해서는 1000 이하인 것을 합격 여부의 판정 기준으로 했다.
도 4 및 도 5의 설명으로부터 이해되는 것처럼, 이류체노즐(2)의 높이가 높은만큼 세정면적이 커지고, 거기에 대응해서 웨이퍼(W) 표면에서의 액적 밀도가 낮아진다. 또한, 소정의 제거율을 달성하기 위한 질소가스유량이 많아진다. 제2실시예의 노즐에 있어서 노즐의 「높이」를 20㎜이라고 했을 경우에 대하여 상기의 합격 여부판정 기준을 적용시키면, 불합격의 결과가 된다(표 1 참조). 이것은, 노즐의 높이를 높게 했기 때문에 액적 밀도가 작아져서 이물제거 효과가 부족하게 되고, 이것을 보충하기 위해서 질소가스유량을 많게 한 결과, 데미지가 커진 것이라고 추측된다. 따라서, 노즐의 높이는 20㎜이하로 하는 것이 바람직하고, 10 ㎜ 이하로 하는 것이 더 바람직하다고 말할 수 있다. 또한, 질소가스유량은, 매분 17리터 이하로 하는 것이, 데미지의 저감에 효과적이라고 말할 수 있다.
비교예에서는, 이류체노즐(2)의 높이를 6㎜까지 내렸을 경우라도, 50％의 제거율을 달성하는데도 필요한 질소가스유량은 33 리터/분이며, 이 때의 액적 직경은 33㎛이며, 액적 밀도는 8.06×107개 /분·㎜2이다. 이 경우, 제1웨이퍼의 데미지수는 103개, 제2웨이퍼의 데미지수는 1115개가 되고, 웨이퍼(W) 표면의 패턴에 대하여 허용할 수 없는 데미지를 남긴다.
한편, 제1실시예 및 제2실시예의 이류체노즐(2)의 경우에는, 이류체노즐(2)의 높이를 10㎜까지 올렸을 경우라도, 50％의 제거율을 달성하는데 필요한 질소가스유량은 14∼17리터/분 정도이며, 이 때의 액적 직경는 각각 20㎛, 23㎛이며, 액적 밀도는 각각 18.42×107개/분·㎜2, 17.08×107개/분·㎜2이다. 다시 말해, 적은 기체유량으로 20μm정도의 미소액적 직경를 얻을 수 있기 위해서, 유량을 올릴 필요가 없다. 이에 따라, 데미지수는, 제1실시예의 경우에 제2웨이퍼에 대하여 631개, 제2실시예의 경우에 제1웨이퍼에 대하여 77개가 되어 있어서, 모두 허용 범위이다.
이렇게 제1 및 제2실시예의 이류체노즐을 사용하는 것에 의해, 질소가스유량을 작은 유량으로 억제하고, 또한, 작은 직경의 액적을 고밀도로 웨이퍼(W) 표면에 공급할 수 있어, 그 결과, 웨이퍼(W) 표면의 패턴에 대한 데미지를 저감할 수 있다. 물론, 질소가스의 사용량도 삭감할 수 있다.
도 6a에는, 액적 밀도와 제1웨이퍼상의 패턴 데미지수의 관계를 도시하고, 도 6b에는 액적 밀도와 제2웨이퍼상의 패턴 데미지수의 관계를 도시한다. 이들로부터, 액적 밀도가 108 개 / 분·㎜2 이상의 경우에 데미지수가 적어지고 있다는 것을 알 수 있다. 더욱, 액적 밀도가 108 개 / 분·㎜2 미만의 영역 (더 구체적으로는 1.2× 108 개 / 분·㎜2미만의 영역)에서는, 데미지수가 액적 밀도에 크게 의존하고 있는 것에 대해서, 액적 밀도가 108 개 / 분·㎜2이상의 영역 (특히 1.2× 108 개 / 분·㎜2 이상의 영역)에서는, 액적 밀도가 크면 데미지수가 감소하는 경향이 보여지지만, 큰 액적 밀도의존성이 보여지지 않는다. 바꾸어 말하면, 액적 밀도가 108 개 / 분·㎜2 이상의 영역 (특히 1.2 × 108 개 / 분·㎜2 이상의 영역)은, 데미지수의 액적 밀도의존성이 비교적 적어지는 영역이라고 할 수 있다. 도 6b에 도시된 참조 직선 L1, L2로부터 이해되는 바와 같이, 액적 밀도가 1.2× 108 개 / 분·㎜2 미만의 영역에서는 데미지수의 액적 밀도 의존성이 크고, 액적 밀도가 108 개 / 분·㎜2 이상의 영역에서는 데미지수의 액적 밀도의존성이 작아진다. 따라서, 액적 밀도가 1.2× 108 개 / 분·㎜2 이상이 되는 조건으로 이물제거 처리를 행하는 것이 바람직하다.
도 7a는 상기 비교예에서의 노즐 높이와 제1웨이퍼의 패턴 데미지수의 관계를 나타내고, 도 7b는 상기 비교예에서의 노즐 높이와 제2웨이퍼의 패턴 데미지수의 관계를 나타낸다. 더욱, 도 8a에는 상기 제1실시예에서의 노즐 높이와 제2웨이퍼상의 패턴 데미지수의 관계를 나타내고, 도 8b는 상기 제2실시예에서의 노즐 높이와 제1웨이퍼상의 패턴 데미지수의 관계를 나타낸다. 이들 도면으로부터, 노즐 높이를 높게 하면, 세정면적이 넓어지고, 그에 따라, 이에 따라 액적 밀도가 작아지는 결과, 세정 능력을 보충하기 위해서 질소가스유량을 증가시키면 데미지수가 커지는 관계가 파악된다.
이상, 본 발명의 하나의 실시형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 더욱 다른 형태로도 실시할 수 있다. 예를 들면, 전술한 실시형태에서는, 기체토출구(36)로부터 소용돌이 형상으로 질소가스를 토출하는 구성의 이류체노즐을 예로 들었지만, 기체토출구로부터 토출되는 기체는 반드시 소용돌이 형상의 기류를 형성할 필요는 없다. 다시 말해, 기체토출구로부터 토출되는 기체가 처리액토출구으로부터 토출되는 처리액에 대하여 방사 방향으로부터 기체를 불어내는 구조의 이류체노즐 (예를 들면, 도 9참조)을 채용한 기판처리장치에 대하여도, 본 발명을 적용하는 것이 가능하다.
또한, 탈이온수 대신에, 증류수 등 이온 교환 이외의 방법에 의해 얻을 수 있는 순수(純水)를 사용할 수 있고, 목적에 따라 불순물의 종류 및 함유량이 적당한 것을 사용할 수 있다.
이류체노즐(2)로부터 토출되는 처리액은, 순수(純水)(세정액)에 한정되지 않고, 예를 들면, 에칭액이여도 좋다. 이 경우, 이류체노즐(2)에 의해, 에칭 액과 질소가스가 효율적으로 혼합되어서, 입자 직경의 작은 에칭 액의 액적이 생성된다. 이로 인해, 웨이퍼(W)에 데미지를 주지 않고 웨이퍼(W)의 표면을 에칭할 수 있다.
또한, 기체토출구(36)로부터 토출된 질소가스가 측쪽으로 크게 확대되어 나아가지 않기 때문에, 큰 운동 에너지를 갖는 에칭 액의 액적을 웨이퍼(W)의 표면에 충돌시켜서, 웨이퍼(W)의 표면을 효율적으로 에칭할 수 있다.
이류체노즐(2)로부터 분사되는 순수(純水) 액적의 주된 진행 방향(소용돌이기류의 중심축 방향)이, 웨이퍼(W)에 대하여 비스듬해지도록, 이류체노즐(2)의 중심축(Q)와 웨이퍼(W)의 법선이 경사지게 교차하는 것 같은 자세로 이류체노즐(2)이 배치되어 있어도 좋다.
본 발명의 실시형태에 대해서 상세하게 설명해 왔지만, 이것들은 본 발명의 기술적 내용을 밝히기 위하여 기술할 수 있었던 구체적인 예에 지나치지 않고, 본 발명은 이들의 구체적인 예에 한정되어 해석되어서는 안되고, 본 발명의 정신 및 범위는 첨부의 청구의 범위에 의해서만 한정된다.
이 출원은, 2006년1월26일에 일본국특허청에 제출된 특허출원2006-17967호 및 2006년10월30일에 일본국특허청에 제출된 특허출원2006-294470호에 대응하고 있어, 이들 출원의 전 개시(開示)는 본 인용에 의해 본 명세서에 포함되는 것으로 한다.
본 발명에 따르는 기판처리장치 및 기판처리방법에 의하면 이류체노즐을 채용한 기판처리장치 및 기판처리방법에 있어서, 기판표면에 형성된 패턴이 미세화한 것이어도 그 기판에 가해지는 데미지를 더욱 낮출 수 있다.

Claims (7)

  1. 처리 대상의 기판을 지지하는 기판지지기구와,
    케이싱, 처리액을 토출하는 액체토출구 및 기체를 토출하는 기체토출구를 갖고, 상기 케이싱내에 처리액 및 기체를 도입하고, 상기 케이싱 밖에서 상기 액체토출구로부터 토출되는 처리액과 상기 기체토출구로부터 토출되는 기체를 혼합해서 상기 처리액 액적을 형성하고, 이 액적을 상기 기판지지기구에 지지된 기판의 표면에 공급하는 이류체노즐을 포함하고,
    상기 기체토출구는, 상기 액체토출구를 둘러싸는 원형 고리 형상으로 형성되고 있어, 이 원형고리 형상의 기체토출구의 외경이 2 밀리미터 이상 3.5 밀리미터 이하이며, 그 원형고리 형상의 기체토출구의 폭이 O.05 밀리미터 이상 0.2 밀리미터 이하인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 이류체노즐이, 상기 처리액 액적을 기판에 공급할 때에, 상기 기판지지기구에 지지된 기판의 표면으로부터 20밀리미터 미만의 거리를 두고 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 이류체노즐로부터 공급되는 액적의 상기 기판표면에서의 밀도가 매분 108 개/평방 밀리미터 이상이 되도록, 상기 케이싱에 공급되는 처리액 및 기체의 유량 및 상기 이류체노즐과 상기 기판표면과의 사이의 거리를 제어하는 콘트롤러를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 콘트롤러는, 상기 이류체노즐로부터 공급되는 액적의 상기 기판표면에서의 밀도가, 매분 1.2× 108 개 /평방 밀리미터 이상이 되도록, 상기 케이싱에 공급되는 처리액 및 기체의 유량 및 상기 이류체노즐과 상기 기판표면과의 사이의 거리를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 이류체노즐로부터 공급되는 액적의 볼륨 미디언 직경이 25 마이크로미터 이하인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 이류체노즐로부터 공급되는 액적의 기판표면에서의 도달영역의 지름이 5밀리미터 이상 15밀리미터 이하인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 이류체노즐은, 상기 케이싱 내에서의 기체도입구로부터 상기 기체토출구에 이르는 기체유로 중에 설치되어 상기 처리액토출구로부터 처리액토출방향을 따라 토출되는 처리액 흐름를 둘러싸는 소용돌이기류를 형성하기 위한 소용돌이기류형성부를 갖는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100942588B1 (ko) * 2008-04-18 2010-02-16 주식회사 에이앤디코퍼레이션 기판에 작용하는 충격을 감지하기 위한 기판처리장치와 기판처리방법

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5261077B2 (ja) 2008-08-29 2013-08-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄装置
CN102078866A (zh) * 2009-11-26 2011-06-01 昆山厚声电子工业有限公司 薄膜片状基板的掩膜清洗烘干工艺
CN102463227A (zh) * 2010-11-03 2012-05-23 北京中电科电子装备有限公司 一种清洗装置及清洗方法
KR101398759B1 (ko) 2011-03-01 2014-05-27 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 노즐, 기판처리장치, 및 기판처리방법
JP5732376B2 (ja) * 2011-06-21 2015-06-10 東京エレクトロン株式会社 ２流体ノズル及び基板液処理装置並びに基板液処理方法
DE102012103330A1 (de) * 2012-03-29 2013-10-02 solar-semi GmbH Vorrichtung zum Entfernen einer Beschichtung von einem Substrat und Verfahren
JP5787182B2 (ja) * 2012-09-05 2015-09-30 株式会社デンソー 洗浄方法、およびこれに用いる洗浄装置
US20140261572A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Dainippon Screen Mfg.Co., Ltd. Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
SG10201407598VA (en) 2013-11-19 2015-06-29 Ebara Corp Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus
US9776216B2 (en) * 2013-11-27 2017-10-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Dispensing apparatus and dispensing method
KR102285832B1 (ko) * 2014-07-25 2021-08-05 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6512554B2 (ja) * 2014-09-29 2019-05-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN104874500B (zh) * 2015-06-04 2017-02-01 北京七星华创电子股份有限公司 一种二相流雾化清洗装置
KR102432858B1 (ko) * 2015-09-01 2022-08-16 삼성전자주식회사 약액 공급 장치 및 이를 구비하는 반도체 처리 장치
JP6624609B2 (ja) * 2016-02-15 2019-12-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6915498B2 (ja) * 2017-10-23 2021-08-04 東京エレクトロン株式会社 ノズル待機装置、液処理装置及び液処理装置の運転方法並びに記憶媒体
JP7273660B2 (ja) * 2019-08-30 2023-05-15 キオクシア株式会社 半導体製造装置、および半導体装置の製造方法
JP2021048336A (ja) * 2019-09-20 2021-03-25 三菱電機株式会社 処理液生成方法、処理液生成機構、半導体製造装置及び半導体製造方法
KR102389224B1 (ko) * 2020-03-09 2022-04-21 주식회사 에이치에스하이테크 기판 세정용 2류체 노즐

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0831435B2 (ja) * 1986-09-29 1996-03-27 東京エレクトロン株式会社 基板の洗浄方法
JP3504023B2 (ja) * 1995-05-26 2004-03-08 株式会社ルネサステクノロジ 洗浄装置および洗浄方法
KR0176734B1 (ko) * 1995-12-20 1999-04-15 조장연 고압분사식 에칭법 및 그 장치
JP4074814B2 (ja) * 2002-01-30 2008-04-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4222876B2 (ja) * 2003-05-28 2009-02-12 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US20040235308A1 (en) * 2003-05-22 2004-11-25 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment method and sustrate treatment apparatus
JP2005005469A (ja) * 2003-06-11 2005-01-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2005166792A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
TWI251857B (en) * 2004-03-09 2006-03-21 Tokyo Electron Ltd Two-fluid nozzle for cleaning substrate and substrate cleaning device
JP4464850B2 (ja) * 2004-03-09 2010-05-19 株式会社ルネサステクノロジ 基板洗浄用２流体ノズル及び基板洗浄装置
JP2005288390A (ja) * 2004-04-02 2005-10-20 Kyoritsu Gokin Co Ltd 二流体ノズル及び噴霧方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100942588B1 (ko) * 2008-04-18 2010-02-16 주식회사 에이앤디코퍼레이션 기판에 작용하는 충격을 감지하기 위한 기판처리장치와 기판처리방법

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