KR20080012201A - 액정표시장치의 제조방법 - Google Patents

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KR20080012201A
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Abstract

액정표시장치의 제조방법이, 외주 시일 부재에 의하여 두 유리 기판들 사이의 외주부를 밀봉함으로써 다수의 완성된 액정표시장치들을 형성하기 위한 적어도 하나의 조립체를 형성하는 공정, 에칭조의 에칭액에 조립체를 침적시켜 상기 두 유리 기판들의 외면들을 에칭하는 공정, 및 유리 기판들의 상기 외면들을 연마함으로써 유리 기판들의 에칭된 외면들을 평탄화하는 공정을 포함한다. 상기 에칭 공정은 상기 에칭조의 에칭액의 온도와 농도를 일정한 온도 및 농도에 유지하는 공정을 포함한다.
액정표시장치, 조립체, 유리기판, 에칭액, 플루오르화수소산, 농도, 온도

Description

액정표시장치의 제조방법{METHOD OF MANUFACTURING A LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS}
본 발명은 액정표시장치의 제조방법에 대한 것이다.
종래의 액정표시장치 제조방법에서는, 표시 소자가 형성된 영역을 각각 둘러싸는 단일 소자로 된 복수의 시일 부재들이 제공된 하나의 기판 및 다른 기판이 단일 소자로 된 시일 부재들에 의하여 서로 접합되고, 이어서, 에칭조의 에칭액 속에 이상태로 두 개의 유리 기판들이 침적되어 에칭되며, 이로써 두 유리 기판들의 두께는 감소되는 것이 개시되었다(예컨대, 미국 특허 제6, 197, 209호).
상기 종래의 제조방법에서는, 에칭조의 에칭액의 온도는 유리 기판의 에칭이 진행되는 정도에 따라 증가하였는 데, 즉, 유리 기판들의 에칭 두께가 증가함에 따라 증가하였다. 따라서, 에칭의 종료 시간은 유리 기판들의 두께를 소망하는 두께로 변경하기 위하여 에칭조의 에칭액의 온도를 검출한 결과에 기초하여 결정된다.
이 경우, 에칭 속도는 에칭조의 에칭액의 온도 및 농도에 의존한다. 따라서, 에칭액의 초기 온도 및 초기 농도가 변하면, 유리 기판들이 소정 두께를 가진 에칭 종료 시점에서 에칭액의 온도가 변한다.
또한, 액정표시장치의 일반적인 제조방법들은, 생산성을 증대시키기 위하여 복수의 단일 소자 시일 부재들로 복수의 완성된 액정표시장치가 형성될 수 있으며 복수의 조립체들에 대해 배치 처리가 이루어지는 면적을 가지는 두 개의 유리 기판들을 접합시킴으로써 조립체가 제조되는 공정을 채택한다. 이 배치 처리(batch pro -cessing)는 에칭조의 에칭액 속에 조립체들을 침적시켜 동시에 복수의 조립체들을 에칭하는 것을 나타낸다.
이러한 배치 처리에서, 에칭의 진행에 따른 에칭조의 에칭액의 온도 증가는는 에칭액에 침적된 배치 조립체들의 숫자에 따라 변하며, 따라서 에칭액의 온도는 유리 기판들이 소망하는 두께를 가진 에칭 종료 시점에서 변한다.
상기 설명한 바와 같이, 유리 기판들이 소망하는 두께를 가진 에칭 종료 시점에서의 에칭조의 에칭액의 온도는 에칭액의 초기 온도 및 초기 농도와 배치 조립체들의 숫자에 따라 변한다. 따라서, 이들 인자(parameter)들에 따라 예비 실험들이 수행되며, 에칭 종료 시점에서의 에칭액의 온도는 예비 실험들의 결과에 기초하여 결정된다.
에칭액의 초기 온도 및 초기 농도와 배치 조립체들의 숫자와 같은 전체 인자같은 전체 인자들의 숫자는 개별독립적인 인자들의 숫자들의 곱과 같다. 따라서, 기술이 수행되면, 많은 수의 예비 실험들을 수행하는 것이 필요하며, 많은 작업량이 필요하다. 또한, 사용될 에칭조의 부피의 변화와 예비 실험들의 양으로부터 사용될 에칭액의 양의 변화에 따라 에칭액의 온도와 유리 기판들의 에칭 두께 사이의 관계는 변한다. 이와 같이, 각각의 에칭 장치에 대해 상기와 같이 많은 수의 예비 실험들을 수행하는 것이 필요하며, 작업량은 더욱 거대해진다.
초기의 유리 기판들의 표면들은 1㎛ 이하 크기의 돌출부들 및 오목부들을 가진다. 따라서, 에칭에 의해 두 유리 기판들의 두께를 감소시키는 것만이 유리 기판들의 표면들 위에 처음에 존재하였던 1㎛ 이하 크기의 돌출부들 및 오목부들을 비교적 큰 수 ㎛ 크기의 돌출부들 및 오목부들로 증가시킨다. 따라서, 유리 기판들의 두께를 감소시키면 비교적 큰 수 ㎛ 크기의 돌출부들 및 오목부들에 기인하여 균열(cracking)을 야기하며, 따라서 유리기판들이 용이하게 균열을 발생한다.
본 발명의 목적은 서로 접합된 두 유리 기판들의 두께를 감소시키기 위하여 에칭 종료 시점을 결정하는 데 필요한 인자들의 수를 감소시키며 두 유리 기판들의 표면들을 더욱 평탄화할 수 있는 액정표시장치의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는, 액정표시장치의 제조방법으로서:
외주 시일 부재에 의하여 두 유리 기판들 사이의 외주부를 밀봉함으로써 다수의 완성된 액정표시장치들을 형성하기 위한 적어도 하나의 조립체를 형성하는 공정;
에칭조의 에칭액에 조립체를 침적시켜 상기 두 유리 기판들의 외면들을 에칭하는 공정;
유리 기판들의 상기 외면들을 연마함으로써 유리 기판들의 에칭된 외면들을 평탄화하는 공정을 포함하며;
상기 에칭 공정은 상기 에칭조의 에칭액의 온도와 농도를 일정한 온도 및 농도에 유지하는 공정을 포함하는 액정표시장치의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명의 제2 측면에 따른 액정표시장치의 제조방법으로서:
적어도 한 쌍의 유리 기판들을 준비하는 공정;
외주 시일 부재에 의하여 쌍을 이루는 유리 기판들의 외주부를 밀봉함으로써 적어도 하나의 조립체를 형성하는 공정;
에칭조의 에칭액에 조립체를 침적시켜 상기 쌍을 이루는 유리 기판들의 외면들을 에칭하는 공정;
쌍을 이루는 유리 기판들의 상기 외면들을 연마함으로써 상기 유리 기판들의 에칭된 외면들을 평탄화하는 공정을 포함하며;
상기 에칭 공정은 상기 에칭조의 에칭액의 온도와 농도를 일정한 온도 및 농도에 유지하며, 상기 쌍을 이루는 유리 기판들의 요구되는 에칭 두께에 상응하는 시간 동안 상기 에칭액에 상기 쌍을 이루는 유리 기판들을 침적시켜 상기 쌍을 이루는 유리 기판들의 두께를 감소시키는 공정을 포함하며, 및
상기 연마 공정은 기계 연마와 화학적 기계 연마의 적어도 하나를 수행하는 공정을 포함하는 액정표시장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 에칭조의 에칭액의 온도와 농도가 고정 값으로 유지되고 조립체의 유리 기판들의 에칭 두께가 에칭 시간에 의하여 조절되므로 에칭 시간만이 인자들로 사용되며, 이로써 조립체의 유리 기판들의 두께를 감소시키기 위한 에칭 종료 시점을 결정하기 위해 필요한 인자들의 수를 감소시키며 이로써 예비 실험들의 횟수를 감소시킨다.
도 1A는 본 발명의 일 실시예의 제조방법에 의해 제조된 액정표시장치의 평면도이며. 도 1B는 도 1A의 ⅠB-ⅠB 선을 따라 취한 액정표시장치의 단면도이다. 액정표시장치에서, 두 개의 유리 기판들(1 및 2)은 거의 사각형 프레임 형상을 가지는 단일 소자로 된 시일 부재(3)에 의하여 접합된다. 단일 소자 시일 부재(3)에 형성된 액정 주입 포트(5)를 통하여 액정(4)이 유리 기판들(1 및 2) 사이 및 단일 소자로 된 시일 부재(3)의 내부로 충진되며, 실링 소재(6)에 의하여 액정 주입 포트(5)는 밀봉된다. 이러한 구조에서, 도 1B 도시와 같이, 하부 유리 기판(1)의 일 측부는 상부 유리 기판(2)으로부터 돌출한다. 또한, 유리 기판들(1 및 2)의 두께는 예컨대, 0.3㎜로서 비교적 작다.
다음에, 도 2의 제조 공정도와 관련하여 액정표시장치의 제조 공정의 일 예가 설명된다. 우선, 도 2의 단계(S1)에서, 두 매의 유리 기판들(1 및 2)이 준비된다. 유리 기판들(1 및 2)은 복수의(예컨대, 4x4=16) 완성된 액정표시장치들이 형성될 수 있는 크기의 영역을 가진다(도 2 참조). 이 경우, 유리 기판들(1 및 2)의 두께는 비교적 커서, 예컨대, 0.5㎜이다.
다음에, 도 2의 단계(S2)에서, 각각 거의 사각형 형상을 가지고 하부 유리 기판(1)의 상면에 각각의 액정표시장치들을 형성하기 위하여 각각의 영역들에 스크린 인쇄에 의하여 에폭시계 수지가 형성된 복수의 단일 소자의 시일 부재들(3)이 형성된다. 동시에, 거의 사각형 형상을 가지고 하부 유리 기판(1)의 상면의 외주부에 에폭시계의 수지가 형성된 외주 시일 부재(7)가 형성된다. 이 경우, 이하에 설명되는 바와 같이 두 매의 유리 기판들(1 및 2) 사이에 액정을 주입하기 위한 유입구로 작용하는 액정 주입 포트(5)가 각 단일 소자의 시일 부재들(3)의 일부에 형성된다. 또한, 이하에 설명되는 바와 같이 두 매의 유리 기판들(1 및 2)이 서로 접합되면 공기의 일부를 외부로 배출하는 공기 배출구들(8)이 외주 시일 부재(7)의 네 부분들에 형성된다.
다음에, 도 2의 단계(S3)에서, 두 매의 유리 기판들(1 및 2)이 겹쳐지며, 단일 소자의 시일 부재들(3)과 외주 시일 부재(7)가 가열을 통해 연화되고 이후에 경화된다. 이로써, 두 매의 유리 기판들(1 및 2)은 시일 부재들(3, 7)에 의하여 서로 접합된다. 이 단계에서, 유리 기판들(1 및 2) 사이 및 외주 시일 부재(7) 사이에 존재하는 공기는 열에 의하여 팽창한다. 열팽창된 공기의 일부는 외주 시일 부재(7)의 공기 배출구(8)를 통해 외부로 배출되어 외주 시일 부재(7)의 파손이 방지된다.
도 2의 단계(S4)에서, 외주 시일 부재(7)의 공기 배출구들(8)은 자외선 경화형 에폭시 변성 아크릴 수지 등으로 형성된 시일재(9)에 의하여 밀봉된다. 공기 배출구들을 밀봉하는 단계(S4)를 거친 도 3 도시 제품을 이하에서는 조립체(제1 조립체)(10)로 언급한다.
다음에, 도 2의 단계(S5)에서 수행되는 에칭을 위해 에칭 장치(11)가 준비된다. 도 4는 에칭 장치(11)의 예의 개략적인 구조를 도시한다. 에칭 장치(11)는 에칭조(etching bath)(12)를 가진다. 에칭조(12)는 플루오르화수소산(hydrofluoric acid), 물 및 다른 성분(에칭 작용을 증진시키는 촉매)으로 구성되는 플루오르화수소산계 수용액과 같은 에칭제(이하에서는 에칭액이라 함)를 유리 에칭액으로서 포함한다.
히터 혹은 히터들(14)과, 열전쌍으로 구성된 하나 이상의 온도 센서(15), 및 코일 형상을 가지는 적어도 하나의 냉각 파이프(16)가 에칭조(12)에 구비된다. 냉각 파이프(16)의 유입측 및 유출측은 에칭조(12)의 외부로 연장하는 유입 파이프(17)와 유출 파이프(18)에 각각 연결된다. 에칭조(12) 외측의 유입 파이프(17)에는 냉각수 펌프(19)가 구비된다.
에칭조(12) 외측에는 전도율 계측기(conductivity meter)(20)가 구비된다. 전도율 계측기(20)의 구조의 일 예가 이하에서 설명된다. 에칭액(13)의 전도율과 에칭액(13) 중의 플루오르산의 농도 사이에는 상관 관계가 존재하므로 에칭액(13) 중의 플루오르산의 농도는 에칭액(13)의 전도율을 측정하여 산출될 수 있다.
샘플링 파이프(21)의 일 단부는 전도율 계측기(20)의 상류 부에 연결된다. 샘플링 파이프(21)의 타 단부는 에칭조(12)의 하부에 연결된다. 샘플링 펌프(22)는 샘플링 파이프(21) 내부에 구비된다. 에칭액 회수 파이프(23)의 일 단부는 전도율 계측기(20)의 하류 단부에 연결된다. 회수 파이프(23)의 타 단부는 에칭조(12)의 상부에 연결된다.
공급 탱크(24)는 에칭조(12) 외측에 구비된다. 공급 탱크(24)는 플루오르산(25)이 수용된다. 공급 탱크(24)의 플루오르화수소산(hydrofluoric acid)(25)은 공급 펌프(26)를 구동함으로써 공급 펌프(26)를 포함한 공급 파이프(25)를 통해 에칭조(12)에 적시에 공급된다.
온도 센서(15)는 에칭조(12)의 에칭액(13)의 온도를 검출하여, 온도 검출 신호를 제어부(28)에 보낸다. 전도율 계측기(20)는 에칭조(12)로부터 공급된 에칭액(13)의 전도율을 검출하여 전도율(농도) 검출 신호를 제어부(28)로 보낸다. 제어부(28)는 검출 신호들에 기초하여 이하에 설명되는 연산을 수행하며, 히터들(14) 및 각 펌프들(19, 22 및 26)의 구동을 제어한다.
도 5는 전도율 계측기(20)의 일 예인 회로의 일부를 도시한다. 이 회로는 휘스톤 브리지를 구현한 저항 측정 회로이다. 이 회로는 브리지 구조로서 검류계(galvanometer)에 측정 대상, 즉 에칭액(13)의 저항(Rx), 내부 가변 저항(R0) 및내부 고정 저항들(R1 및 R2)이 연결되는 구조를 가진다. 이러한 구조에서 저항(R1)은 저항(R2)과 같다.
전도율 계측기(20)에서, 우선 예비 실험들로서, 알려진 저항값(Rx)을 가지는 실험용 에칭액이 공급되는 상태에서 검류계(G)를 흐르는 전류가 0이 되도록 내부 가변 저항(R0)이 조정되어, R0 = Rx인 상태를 얻는다. 다음에, 측정될 에칭액(13)이 R0 = Rx인 상태에서 공급되면, 검류계(G)를 흐르는 전류가 I로변화되어, 동일한 크기의 전류(i)가 저항들(R1 및 R2)에 공급된다. I/i가 1 보다 충분히 작으면, Rx의 저항 변화(△R)는 I에 비례한다. 따라서, 측정될 에칭액(13)의 저항은 Rx = R0 + △R"의 식으로부터 결정되며, 저항율과 저항율의 역수인 전도율은 이하와 같이 얻어진다.
도 6은 상기 설명한 저항(Rx)을 측정하기 위한 수단의 일 예를 도시하는 전도율 계측기의 다른 예의 일부의 사시도이다. 전도율 계측기(20)는 전극들(32, 33)이 서로 떨어져 대향하는 상태에서, 불소 수지 등으로 형성된 원통형 케이스(31) 내에 한 쌍의 백금, 탄소 등으로 형성된 스트립 전극들(32, 33)이 구비되는 구조를 가진다. 에칭액(13)이 케이스(31) 내로 공급되는 상태에서 전극들(32, 33) 사이로 전류가 흐르면, 전극들(32, 33) 사이에 개재되는 에칭액(13)의 저항은 옴의 법칙에 따라 결정된다. 이 경우 전도율(κ)은 다음 식(1)으로부터 결정된다. 이식에서 ρ는 에칭액(13)의 비저항이며, R은 에칭액(13)의 측정된 저항이며, D는 전극들(32, 33) 사이의 거리이며, S는 전극들(32, 33)의 대향 면적이다.
κ = 1/ρ = D/(RS)
다음에, 도 4에 도시된 에칭장치(11)의 에칭조(12)의 에칭액(13)의 온도 조절이 설명된다. 에칭조(12)의 에칭액(13)의 온도는 온도 센서(15)에 의하여 검출되며, 온도 검출 신호는 제어부(280에 보내진다. 제어부(28)는 온도 센서(15)로부터 보내진 온도 검출 신호에 기초하여 에칭조(12)의 에칭액(13)의 온도가 정해진 온도(60±1℃) 보다 작은 여부를 결정한다. 온도가 정해진 온도보다 낮으면, 제어부(28)는 히터들(14)을 구동시켜 에칭조(12)의 에칭액(13)을 정해진 온도로 가열한다.
한편, 에칭조(12)의 에칭액(13)의 온도가 에칭의 진행에 따라 증가하고 정해진 온도보다 높게 되면, 제어부(28)는 에칭조(12)의 에칭액(13) 온도가 정해진 온도보다 높은 것으로 판단한다. 이어서, 제어부(28)는 냉각수 펌프(19)를 구동하며 이로써 유입 파이프(17)를 통해 에칭조(12)의 에칭액(13)을 정해진 온도로 냉각하도록 냉각 파이프(16)로 냉각수를 공급한다.
특히, 히터들(14)의 구동 제어는 비례적분미분(PID: Proportional Integral Differential) 제어법에 의하여 수행될 수 있다. PID 제어는 비례제어, 적분 제어 및 미분 제어의 결합을 이용하는 제어 방법이며, 이로써 미세하고 원활한 제어를 실현한다. 특히, 에칭조(12)의 에칭액(13)의 온도가 일정 온도로 유지되는 상태에서 이하 설명하는 바와 같이 조립체(10)의 침적 및 플루오르화수소산(25)의 공급과 같은 외란(disturbance)에 기인하여 에칭액(13)의 온도가 급격히 낮아지면, 단시간 내에 정해진 온도로 온도를 복귀시킬 수 있다.
다음에, 에칭조(12)의 에칭액(13)의 농도 조절이 설명된다. 샘플링 펌프(22)가 구동되면, 에칭조(12)의 에칭액(13)의 일부가 샘플링 파이프(21)를 통해 전도율 계측기(20)로 공급된다. 이 경우, 샘플링 펌프(22)가 구동되는 동안, 에칭액(13)은 거의 일정한 속도로 전도율 계측기(20)를 통해 흐르며, 에칭액 회수 파이프(23)를 통해 에칭조(12)로 회수된다.
상기 단계 동안, 전도율 계측기(20)는 전도율 계측기(20)로 공급된 에칭액(13)의 전도율을 검출하며, 전도율 검출 결과 혹은 신호를 제어부(28)에 공급한다. 제어부(28)는 전도율 계측기(20)로부터 공급된 전도율 검출 결과에 기초하여 에칭액(13) 중의 플루오르화수소산의 농도가 정해진 농도보다 작은 여부를 판단한다. 농도가 정해진 농도보다 작으면 제어부(28)는 공급 펌프(26)를 구동시켜 에칭조(12)의 플루오르화수소산의 농도를 증가시키기 위하여 공급 탱크(24)의 플루오르화수소산(25)을 공급 파이프(27)를 통해 에칭조(12)에 공급한다.
예컨대, 에칭액(13)이 80% 플루오르화수소산, 15%의 물, 및 5%의 다른 성분 혹은 성분들(에칭 작용을 향상시키는 촉매)로 구성되는 플루호르화수소산계 수용액이면, 에칭액(13)의 플루오르화수소산의 농도는 80%이며, 정해진 농도는 80±4%이다. 실험 데이터에 기초하여 결정된 플루오르화수소산(25)의 정해진 양이 에칭조(12)에 공급된 경우 공급 펌프(26)가 자동으로 정지된다.
다음에, 도 4 도시 에칭 장치의 작동이 설명된다. 에칭조(12)의 에칭액(13)의 온도와 농도가 각각 정해진 온도 및 정해진 농도로 설정된 상태에서, 조립체(10(이 예에서는 하나의 조립체)가 에칭조(12)의 에칭액(13)에 침적된다. 이로써, 조립체(10)의 두 유리 기판들(1 및 2)의 외부 측면들이 에칭되며, 유리 기판들(1 및 2)의 두께는 점차로 감소된다.
이하에서 예비 실험들의 결과들이 설명된다. 에칭조(12) 내부의 에칭액(13)중의 플루오르화수소산의 농도는 80±4%로 유지되었으며, 에칭조(12) 내의 에칭액(13)의 온도는 60, 40, 및 25℃(각 경우에 ±1°)의 고정 온도로 유지되었다. 이 상태에서, 조립체(10)의 유리 기판들(1 및 2)은 유리 기판들의 두께와 에칭 시간과의 관계를 조사하기 위하여 에칭되었다. 결과로서, 도 7에 도시된 결과들이 얻어졌다. 실험들에서, 유리 기판들(1 및 2)의 초기 두께는 약 0.5㎜로 설정되었다.
이 경우 에칭 속도 혹은 비율이 복수의 조립체들(10)이 동시에 처리되어도, 즉, 배치 처리가 수행되어도, 에칭액(13)의 온도와 농도에 의존하므로, 각 조립체(10)의 에칭 속도는 하나의 조립체(10)의 상기 에칭 속도와 같다.
도 7로부터 명확한 바와 같이, 에칭조(12) 내부의 에칭액(13) 중의 플루오르화수소산의 농도가 80±4%의 고정된 농도로 유지되는 상태에서 에칭조(12)의 에칭액(13)의 온도가 60, 40, 및 25℃로 유지되는 경우, 에칭 속도는 에칭액(13)의 온도가 증가함에 따라 증가한다. 각각의 상기 온도 조건 하에서, 유리 기판들(1 및 2)의 두께는 에칭 시간 혹은 기간에 의하여 독특하게 결정된다.
그 결과, 일 조립체(10)의 약 0.5㎜ 초기 두께를 가지는 유리 기판들(1 및 2)의 두께를 약 0.3㎜로 감소시키는 것이 필요하면, 에칭조(12) 내부의 에칭액(13)으로부터 꺼내져 60, 40, 및 25℃의 각각의 에칭액(13)의 온도 아래서 약 210초, 약 400초, 및 약 600초의 에칭시간으로 단부 에칭하는 것이 필요하다. 따라서, 유리 기판들(1 및 2)의 두께는 각각의 상기 온도 조건들에서 약 0.3㎜로 감소될 수 있다.
이 경우, 에칭조(12)의 에칭액(13)의 온도 및 농도가 고정값으로 유지되고, 조립체(10)의 유리 기판들(1 및 20의 에칭 두께가 에칭 시간에 의하여 제어되므로 에칭 시간만이 인자로서 사용된다. 이는 조립체(10)의 유리 기판들(1 및 2)의 두께를 감소시키기 위해 에칭 종료 시간을 결정하는 데 필요한 인자들의 수를 감소시키며, 따라서 예비 실험들의 회수를 감소시킨다.
특히, 에칭조(12)의 에칭액(13)의 설정 온도가 60±1℃로 설정되면, 에칭 조(12) 내부의 에칭액(13) 중의 플루오르화수소산의 설정 농도가 80±4%로 설정된 상태에서 예비 실험은 한번 만 수행되어야 한다. 이로써, 도 7 도시의 60℃ 온도에서의 결과가 얻어지며, 예비 실험은 단 한 번의 실험을 수행함으로써 종료된다. 설정 온도가 또한 40±1℃, 25±1℃이면, 두 번의 예비 실험들을 수행하면 충분하다.
상기 설명한 바와 같이, 복수의 조립체들(10)이 동시에 배치 처리되어도, 각각의 조립체(10)의 에칭 속도는 하나의 조립체(10)의 에칭 속도와 동일하다. 따라서, 이 경우에도 예비 실험 회수는 감소된다.
또한, 에칭조(12)의 부피가 변하고 처리를 위해 사용된 에칭액(13)의 양이 예비 실험들의 경우와 상이하여도, 조립체(10)의 유리 기판들(1 및 2)의 에칭 두께는 에칭 시간에 의하여 조절될 수 있다. 그러므로, 각 에칭조(12)에 대해 예비 실험들을 수행할 필요는 없다.
도 2의 단계(S5)에서, 조립체(10)의 유리 기판들(1 및 2)이 에칭되고 유리 기판들(1 및 2)의 두께가 상기 설명한 바와 같이 감소되면, 조립체(10)는 에칭조(12) 내의 에칭액(13)으로부터 꺼내지고, 에칭이 종료된다.
상기 설명한 바와 같이, 조립체(10)의 유리 기판들(1 및 2)의 표면들은 본래 1㎛ 이하 크기의 돌출부 및 오목부들을 가진다. 그러므로, 두께를 감소시키기 위하여 유리 기판들(1 및 2)을 에칭하는 것만이 유리 기판들(1 및 2)의 표면들 위에 원래 존재하는 돌출부들 및 오목부들을 증가시키며, 수㎛ 크기의 비교적 큰 돌출부들 및 오목부들로 만든다.
이와 같이, 다음에, 도 2의 단계(S6)에서 조립체(10)를 연마하기 위하여 연 마 장치(31)가 준비된다. 도 8은 연마장치(31)의 일부의 수직 단면도이다. 도 9는 도 8의 Ⅸ - Ⅸ 선을 따라 취한 단면도이다. 연마 장치(31)는 유성 기어 기구를 사용하는 수직의 두 면들을 가지는 연마 장치이며, 하우징(도시 생략) 내에 고정 배치된 하부 연마 테이블 유닛(32)을 가진다.
하부 연마 테이블 유닛(32)은, 평탄한 원 형상을 가지는 중공의 하부 연마 테이블(34)이 고정된 원통형 샤프트부(33)의 둘레면의 상부 둘레에 동축으로 고정되며, 유입 파이프(35)가 하부 연마 테이블(34)의 둘레 측면 위에 구비되며, 복수의 배출구들(36)이 하부 연마 테이블(34)의 상부 벽에 구비되는 구조이다. 유입 파이프(35)는 공급 파이프(도시 생략)와 연결된다. 연마재를 포함하는 순수가 공급 파이프와 유입 파이프(35)를 통해 하부 연마 테이블(34) 내측으로 공급되면, 공급된 연마재를 포함하는 순수는 배출구들(36)을 통해 하부 연마 테이블(34)의 상면으로 흐른다.
회전 샤프트(37)가 회전가능하고 축 방향으로 이동하지 않도록 하부 연마 테이블 유닛(32)의 중심부(원통형 샤프트부(33))를 관통해 회전가능한 샤프트(37)가 삽입된다. 하부 연마 테이블(34)의 상면으로부터 다소 떨어진 상태로, 하부 연마 테이블 유닛(32)의 위의 회전 샤프트(37)의 일부 둘레로 태양기어(sun gear)(38)가 고정된다. 내부 기어(39)는 태양 기어(38)와 동축으로 그 둘레에 멀리 고정된다. 네 개의 유성 기어들(40)이 기어들(38, 39)로부터 분리가능한 상태로, 태양 기어(38)와 내부 기어(39) 사이에 배치된다. 조립체의 외부 측면과 거의 동일한 크기들의 내부 측면을 가지는 사각형 개구부(41)가 조립체(10)를 수용하도록 각 유성 기어(40)의 중심부에 구비된다. 유성 기어(40)의 두께는 조립체(10)의 두께보다 작으므로, 각각의 개구부(41)에 수용된 조립체들(10)의 상면들과 하면들은 유성 기어들(40)의 상측 및 하측으로 돌출한다.
상부 연마 테이블 유닛(42)은 태양 기어(38) 위로 회전 샤프트(37)의 일부 둘레에 구비된다. 상부 연마 테이블 유닛(42)은 회전 샤프트(37)로부터 분리가능하며 회전하지 않는다. 상부 연마 테이블 유닛(42)은, 원통형 샤프트 부분(43)의 상부 외주면 둘레로 평평한 원형 형상을 가지는 중공 상부 연마 테이블(44)이 구비되고, 디스크 형상을 가지는 중공의 하부 연마 테이블(44)의 둘레 측면에 유입 파이프(45)가 설치되며, 복수의 배출구들(46)이 상부 연마 테이블(44)의 바닥 벽에 설치되는 구조이다. 공급 파이프(미도시)는 유입 파이프(45)에 연결된다. 연마재를 포함하는 순수가 공급 파이프와 유입 파이프(45)를 통해 상부 연마 테이블(44) 내측으로 공급되면, 공급된 연마재를 포함하는 순수는 배출구들(46)을 통해 상부 연마 테이블(44)의 바닥면으로 유출된다.
다음에, 연마 장치(31)의 작동이 설명된다. 먼저, 유성 기어들(40)의 각각의 개구부들(41)에 수용된 조립체들(10)의 상면들 및 하면들은 유성 기어들(40)의 상측 및 하측으로 돌출하며, 각각 상부 연마 테이블(44)의 바닥면 및 하부 연마 테이블(34)의 상면에 접한다. 이 상태에서, 도 9에서 a에서 c로의 화살표로 표시한 바와 같이, 회전 샤프트(37)가 태양 기어(38)와 같이 시계 방향(화살표 a)으로 회전하면, 유성 기어들(40)은 조립체들(10)과 같이 반시계 방향(화살표 b)으로 축 둘레로 회전하며, 태양 기어 둘레로 시계 방향(화살표 c)으로 전동한다.
이 상태에서, 연마재를 포함하는 순수가 하부 및 상부 연마 테이블들(33, 44)의 배출구들(36, 46)로부터 유출되어 유성 기어들(40)과 같이 자전하고 공전하는 조립체들(10)의 두 유리 기판들(1 및 2)의 표면들이 연마된다. 네 개의 유성 기어들(40)이 이 예에서 구비되므로, 네 개의 조립체들(10)의 동시 연마용 배치 처리가 수행된다.
연마재로서 SiC, Al2O3, SiO2 혹은 C가 사용되면 이 공정에서 기계적 연마가 수행되며, 연마제로서 CeO2가 사용되면 화학적 기계적인 연마가 이 공정에서 수행된다. 화학적 기계적인 연마에서, CeO2는 물과 반응하여 유리 기판들의 Si와 O 사이의 결합의 분리를 증진시키며, 이로써 유리 기판들의 표면들의 기계적인 연마보다 더 미세하게 연마된다. 연마 공정은 기계 연마 혹은 화학적 기계 연마일 수 있다. 또한, 기계적 연마 혹은 화학적 기계 연마에서 연마재의 크기에 따라 거친 절단 단계 이후에 마무리(finishing) 공정이 수행될 수 있다. 또한, 기계 연마에 의하여 거친 절단 공정을 수행할 수도 있으며, 화학적 기계 연마에 의하여 마무리 공정을 수행할 수 있다.
상기 설명한 바와 같이, 도 2의 공정(S2)에서 조립체들(10)이 연마되므로, 즉 기계 연마 혹은 화학적 기계 연마가 수행되므로, 유리 기판들(1, 2)의 표면들 위에 원래 존재하는 1㎛ 이하의 크기의 돌출부들과 오목부들이 에칭에 의하여 비교적 큰 수㎛ 크기의 돌출부들 및 오목부들로 확장되어도, 각 조립체(10)의 두 유리 기판들(1, 2)의 표면들 위의 돌출부와 오목부들이 0.1㎛ 크기의 비교적 작은 돌출 부들 및 오목부들로 변화된다. 이와 같이, 두 유리 기판들(1, 2)의 표면들이 더욱 평탄화되고, 돌출부들 및 오목부들에 의해 야기되는 손상이 억제된다.
다음에, 도 2의 단계(S7)에서, 조립체(10)의 두 유리 기판들(1, 2)이 유리 커터와 같은 절단 수단을 사용하여 시일재(9)가 구비되는 외주 시일 부재(7)의 좌우측 내부 및 그를 따라 연장하는 절단선(51)(도 10의 일점 쇄선으로 표시)을 따라 절단된다. 이로써, 시일재(9)가 구비된 좌우측 부분들이 제거된다.
다음에, 두 유리 기판들(1, 2)이 이점 쇄선들로 표시된 절단선(52) 및 절단선(53)을 따라 유리 커터와 같은 절단 수단을 사용하여 절단된다. 절단선들(52)은 단일 소자 시일 부재들(3)의 액정 주입 포트들(5)의 선단부들을 따라 연장한다. 절단선들(53)은 액정 주입 포트들(5)의 반대측에 위치되는 단일 소자 시일 부재들(3)의 하측 부분들의 외측의 인접한 부분을 따라 연장한다.
이로써, 네 개의 길다란 제2 조립체들(10)이 얻어진다. 도 1 도시와 같이, 각각의 제2 조립체들(10a)은 서로 평행으로 배치된 네 개의 단일 소자 시일 부재들(3)에 의하여 접합된 유리 기판들(1, 2)로 형성되며, 네 개의 스트립 형상의 종료된 액정표시장치들이 형성될 수 있는 스트립 형상을 가진다. 이 경우, 스트립 형상을 가지는 조립체들(10a)은 대칭 형상을 가진다.
도 2의 단계들(S3, S4)에서 설명된 바와 같이, 시일재(9)는 단일 소자 시일 부재들(3)에 의하여 유리 기판들(1, 2)이 접합된 후에 공기 배출구들(8)을 밀봉하도록 형성된다. 그러므로, 도 3 도시와 같이, 시일재(9)의 일부는 유리 기판들(1, 2)의 단부면들로부터 돌출한다. 이와 같이, 일점쇄선으로 표시된 절단선들(51)을 따라 절단함이 없이 직접 이점쇄선들로 표시된 절단선들(52, 53)을 따라 절단이 수행되면, 두 유리 기판들(1, 2)의 단부들(시일재(9)가 존재하는 부분)은 유리 커터의 블레이드가 시일재(9)와 부딪치면 절단되지 않는다. 이로써 균열과 같은 절단 불량이 유리 기판들(1, 2)에 발생할 수 있다. 이와 비교하여, 상기 제1 절단 공정에서, 시일재(9)가 구비된 두 유리 기판들(1, 2)의 우측 및 좌측 부분들을 제거하기 위하여 일점쇄선으로 표시된 절단선들(51)을 따라 절단이 우선 도 10에서 수행된다. 이어서, 이점쇄선들로 표시된 절단선들(52, 53)을 따라 스트립 형상을 가지는 제 2 조립체들(10a)을 얻기 위하여 절단이 수행된다. 이는 유리 기판들(1, 2)의 균열과 같은 절단 불량을 용이하게 방지한다.
다음에, 도 2의 단계(S8)에서, 단일 소자 시일 부재들(3)의 액정 주입 포트들(5)을 통해 도 11 도시의 스트립 형상의 제2 조립체(10a)의 네 개의 단일 소자 시일 부재들(3)의 내측 및 유리 기판들(1, 2)의 사이에 위치되는 부분들로 액정이 주입된다. 다음에, 도 2의 단계(S9)에서, 제2 조립체(10a)의 네 개의 단일 소자 시일 부재들(3)의 액정 주입 포트들(5)은 도 12 도시와 같이 시일재(6)에 의하여 밀봉된다.
이후에, 도 2 도시 단계(S10)에서, 두 유리 기판들(1, 2)은 도 13의 일점 쇄선에 의하여 표시되고 단일 소자 시일 부재(3) 좌측의 근접한 선을 따라 연장하는 절단선들(54)을 따라 유리 커터와 같은 절단 수단을 사용하여 두 유리 기판들(1, 2)이 절단된다. 또한, 단지 상부 유리 기판(2)만이 도 13의 이점 쇄선으로 표시되고 단일 소자 시일 부재(3)의 우측의 근접한 선을 따라 연장하는 절단선들(55)을 따라 유리 커터와 같은 절단 수단을 사용하여 절단된다. 이로써, 도 1A 및 도 1B에 도시된 액정표시장치들이 얻어진다.
상기 액정표시장치의 제조방법에서, 제2 조립체(10a)로의 액정의 주입(S8) 이후에 유리 기판들(1, 2)의 절단이 종료된다(S10). 그러나, 도 14 도시와 같이, 액정의 주입에 앞서 절단이 종료될 수 있다. 이 공정에서, 도 14의 단계들(S1a - S6a)은 도 2의 단계들(S1 - S6)과 같을 것이다.
우선, 도 14의 단계(S7a)에서, 제1 조립체(10)의 우측 부분이 도 15 도시와 같이, 일점쇄선으로 표시된 우측 절단선(51)(도 10의 우측 절단선과 같은 위치에 위치)를 따라 절단된다. 또한, 조립체(10)의 좌측 부분은 최좌측 단일 소자 시일 부재들(3)의 좌측에 인접한 선을 따라 연장하는 절단선(51B)(도 10의 좌측 절단선(51) 보다 더욱 내측에 위치)을 따라 절단된다. 이로써, 도 16 도시의 절단된 조립체(10)가 얻어진다. 다음에, 두 유리 기판들(1, 2)이 도 16의 수평 실선에 의하여 표시된 절단선들(56) 및 절단선들(57)을 따라 절단된다. 절단선들(56)은 단일 소자 시일 부재들(3)의 액정 주입 포트들(5)의 선단 부분들을 따라 연장한다. 절단선들(57)은 액정 주입 포트들(5)의 반대측에 위치되는 단일 소자 시일 부재들(3)의 하부측에 인접한 선을 따라 연장한다. 이로써, 도 1 도시의 스트립 제2 조립체(10a)와 같은 형상을 가지는 제2 조립체들이 얻어진다.
다음에, 도 14의 단계(S8a)에서, 두 유리 기판들(1, 2)이 도 16의 수직 실선으로 표시되고 단일 소자 시일 부재들(3)의 최좌측 외의 단일 소자 시일 부재들(3)의 좌측에서 인접한 선을 따라 연장하는 절단선들(58)을 따라 절단된다. 또한, 도 16의 일점쇄선으로 표시되고 단일 소자 시일 부재들(3) 우측의 인접한 선을 따라 연장하는 절단선들(59)을 따라 단지 상부 유리 기판(2)만이 절단되어, 조립체는 단일품으로 즉, 제3 조립체들로 절단된다. 이후에, 단계(S9a)에서 제3 조립체들의 두 유리 기판들(1, 2) 사이로 액정이 주입되며, 단계(S10a)에서 액정 주입 포트들(5)이 밀봉된다. 이로써, 도 1A 및 도 1B 도시의 액정 표시장치들이 얻어진다.
도 17은 에칭 장치(11)의 다른 실시에를 도시한 개략적인 블럭도이다. 에칭 장치(11)는 에칭조(12) 내의 에칭액(13)에 전도율 계측기(20)가 설치되며, 샘플링 파이프(21), 샘플링 펌프(22), 및 에칭액 회수 파이프(23)가 생략되는 점에서 도 14의 에칭 장치(11)와 다르다. 이러한 구조를 채용함으로써, 샘플링 파이프(21), 샘플링 펌프(22), 및 에칭액 회수 파이프(23)가 필요하지 않게 되어 간단한 구조를 달성한다.
한편, 도 18 도시와 같이, 도 4 및 17 도시의 에칭 장치(11)는 요동 수단(50) 위에 에칭조(12)가 고정 배치되고, 에칭조(12)가 수직으로 및/혹은 수평으로 흔들릴 때 에칭이 수행되는 구조를 가질 수 있다. 이러한 구조를 채용하면, 또한 에칭조(12)의 에칭액(13)의 온도 및 농도를 더욱 균일화한다.
또한, 도 19 도시와 같이, 도 4 및 17 도시의 에칭 장치는, 초음파 진동 수단(51)을 사용하여 초음파 파동들에 의하여 에칭조(12)의 에칭액(13)이 진동되면서 에칭이 수행되는 구조를 가질 수 있다. 이러한 구조에서, 제어부(28)는 초음파 진동 수단(51)의 작동을 제어한다. 에칭에 의하여 에칭조(12)에서 발생한 공기 거품들이 유리 기판들(1, 2)의 표면들에 부착함으로써 에칭이 국부적으로 지연되는 경 우들이 있다. 그러나, 이러한 구조를 채용하면, 유리 기판들(1, 2)의 표면들에 부착한 공기 거품들이 초음파 진동에 의하여 제거되며, 공기 거품들의 부착이 방지된다. 또한, 상기 구조에 의하여 유리 기판들(1, 2)의 표면들에 부착한 유기물을 용이하게 제거할 수 있다.
도 1A는 본 발명의 일 실시예의 제조방법에 의해 제조된 액정표시장치의 평면도이며; 도 1B는 도 1A의 ⅠB-ⅠB 선을 따라 취한 액정표시장치의 단면도이다.
도 2는 도 1 도시의 액정표시장치의 제조 공정의 블럭도이다.
도 3은 도 2의 단계들(S1 - S4)을 설명하는 일부가 절단된 조립체의 평면도이다.
도 4는 에칭 장치의 일 예의 개략적인 블럭도이다.
도 5는 도전율 측정기의 일 예인 회로부를 도시하는 도면이다.
도 6은 상기 도전율 측정기의 다른 예의 일부의 사시도이다.
도 7은 유리 기판들의 두께와 에칭 시간 사이의 관계를 도시하는 도면이다.
도 8은 연마장치의 일 예의 일부의 수직 단면도이다.
도 9는 도 8의 Ⅸ - Ⅸ 선을 따라 취한 단면도이다.
도 10은 도 2의 단계(S2)를 설명하기 위한 조립체의 평면도이다.
도 11은 도 2의 단계(S7)에 의하여 얻어진 스트립 형상의 조립체의 평면도이다.
도 12는 도 2의 단계(S9)에 의하여 얻어진 스트립 형상의 조립체의 평면도이다.
도 13은 도 2의 단계(S10)에 의하여 얻어진 스트립 형상의 조립체의 평면도이다.
도 14는 도 1 도시 액정표시장치의 다른 제조 공정을 도시하는 도면이다.
도 15는 절단 단계의 다른 예를 설명하기 위한 조립체의 평면도이다.
도 16은 절단 단계의 다른 예를 설명하기 위한 조립체의 평면도이다.
도 17은 에칭 장치의 다른 예의 개략적인 블럭도이다.
도 18은 요동 수단을 가진 에칭장치의 일 예의 개략적인 블럭도이다.
도 19는 초음파진동수단을 가진 에칭 장치의 일 예의 개략적인 블럭도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1, 2:유리 기판 3, 7:시일 부재
4: 액정 5:액정 주입 포트
6:시일재 8:공기 배출구
10:조립체 12:에칭조
13:에칭액 14:히터
20:전도율 계측기 28:제어부

Claims (20)

  1. 액정표시장치의 제조방법으로서:
    외주 시일 부재에 의하여 두 유리 기판들 사이의 외주부를 밀봉함으로써 다수의 완성된 액정표시장치들을 형성하기 위한 적어도 하나의 조립체를 형성하는 공정;
    에칭조의 에칭액에 조립체를 침적시켜 상기 두 유리 기판들의 외면들을 에칭하는 공정;
    유리 기판들의 상기 외면들을 연마함으로써 유리 기판들의 에칭된 외면들을 평탄화하는 공정을 포함하며;
    상기 에칭 공정은 상기 에칭조의 에칭액의 온도와 농도를 일정한 온도 및 농도에 유지하는 공정을 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 연마 공정은 기계 연마와 화학적 기계 연마의 적어도 하나를 수행하는 공정을 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 에칭 공정은 상기 두 유리 기판들의 요구되는 에칭 두께에 상응하는 시간 동안 상기 에칭액에 상기 두 유리 기판들을 침적시켜 두 유리 기판들의 두께를 감소시키는 공정을 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 에칭조의 에칭액의 온도를 일정 온도로 유지시키는 공정은 온도검출수단에 의하여 상기 에칭조의 에칭액의 온도를 검출하며, 온도 검출 결과에 기초하여 상기 에칭액을 가열수단으로 가열하거나 냉각수단으로 냉각하는 공정을 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 에칭액은 플루오르수소화산계 수용액을 포함하며, 상기 에칭조의 에칭액의 농도를 일정한 농도로 유지시키는 공정은 농도검출수단에 의하여 상기 에칭조의 에칭액의 플루오르화수소산의 농도를 검출하며, 농도 검출 결과에 기초하여 상기 에칭조에 플루오르화수소산을 공급하는 공정을 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 두 유리 기판들은 상기 다수의 완성된 액정표시장치들을 그 안에서 형성하기에 충분한 면적을 가지며, 다수의 단일 소자 시일 부재들 및 외주 시일 부재에 의하여 서로 접합되며, 상기 단일 소자 시일 부재들은 두 유리 기판들 사이 및 완성된 액정표시장치들의 각 표시 영역 둘레로 개재되는 액정표시장치의 제조방법.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 두 유리 기판들의 상기 외주부를 밀봉하는 공정은 상기 외주 시일 부재의 내측과 외측을 연결하는 적어도 하나의 개구부가 제공된 상태에서 상기 외주 시일 부재에 의하여 상기 두 유리 기판들을 서로 접합시키며, 이후 에 시일재로 상기 개구부를 밀봉하는 공정을 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서, 연마 후에, 상기 시일재가 제공된 두 유리 기판들의 상기 외주부의 일부를 절단함으로써 상기 두 유리 기판들 사이에 개재된 상기 시일재를 제거하는 공정을 더 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 절단 공정은 많은 완성된 액정표시장치들을 형성하기 위하여 스트립 형상의 다수의 제2 조립체들을 얻도록 상기 조립체를 절단하며, 및 각 완성된 액정표시장치들의 단일품들로 상기 각각의 제2 조립체들을 절단하는 공정을 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 두 유리 기판들은 상기 다수의 완성된 액정표시장치들을 그 안에서 형성하기에 충분한 면적을 가지며, 상기 두 유리 기판들 사이에 개재되며 각각 완성된 액정표시장치들의 표시 영역들을 둘러싸는 다수의 단일 소자 시일 부재들에 의하여 서로 접합되며, 및
    상기 두 유리 기판들은 상기 절단 공정에 의하여 완성된 액정표시장치로 절단되는 액정표시장치의 제조방법.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 각각의 단일 소자 시일 부재들에는 상기 외주 시일부재의 외측과 내측을 연결하기 위한 액정 주입 포트가 구비되며, 및
    상기 방법은, 상기 제2 조립체들을 얻은 이후로서 각각의 상기 제2 조립체들을 단일품들로 절단하기 앞서 상기 액정 주입 포트들을 통하여 상기 단일소자 시일 부재들에 액정을 주입하며, 이어서 상기 액정 주입 포트들을 밀봉하는 공정을 더 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 각각의 단일 소자 시일 부재들에는 상기 외주 시일 부재의 외측과 내측을 연결하기 위한 액정 주입 포트가 구비되며, 및
    상기 방법은, 상기 각각의 제2 조립체들을 단일품들로 절단한 후에 상기 액정 주입 포트들을 통하여 상기 단일소자 시일 부재들에 액정을 주입하며, 이어서 상기 액정 주입 포트들을 밀봉하는 공정을 더 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
  13. 제 1항에 있어서, 상기 에칭 공정은 상기 에칭조를 흔드는 공정을 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
  14. 제 1항에 있어서, 상기 에칭 공정은 초음파 파동에 의하여 상기 에칭조의 에칭액을 진동시키는 공정을 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
  15. 제 4항에 있어서, 상기 상기 가열 공정 혹은 상기 냉각 공정은 비례적분미분 (PID)에 의하여 제어되는 액정표시장치의 제조방법.
  16. 제 1항에 있어서, 상기 둘 혹은 그 이상의 조립체들이 형성되고, 상기 조립체들은 동시에 에칭되는 액정표시장치의 제조방법.
  17. 액정표시장치의 제조방법으로서:
    적어도 한 쌍의 유리 기판들을 준비하는 공정;
    외주 시일 부재에 의하여 쌍을 이루는 유리 기판들의 외주부를 밀봉함으로써 적어도 하나의 조립체를 형성하는 공정;
    에칭조의 에칭액에 조립체를 침적시켜 상기 쌍을 이루는 유리 기판들의 외면들을 에칭하는 공정;
    쌍을 이루는 유리 기판들의 상기 외면들을 연마함으로써 상기 유리 기판들의 에칭된 외면들을 평탄화하는 공정을 포함하며;
    상기 에칭 공정은 상기 에칭조의 에칭액의 온도와 농도를 일정한 온도 및 농도에 유지하며, 상기 쌍을 이루는 유리 기판들의 요구되는 에칭 두께에 상응하는 시간 동안 상기 에칭액에 상기 쌍을 이루는 유리 기판들을 침적시켜 상기 쌍을 이루는 유리 기판들의 두께를 감소시키는 공정을 포함하며, 및
    상기 연마 공정은 기계 연마와 화학적 기계 연마의 적어도 하나를 수행하는 공정을 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
  18. 제 17항에 있어서, 상기 상기 에칭조의 에칭액의 온도를 일정 온도로 유지시 키는 공정은 온도검출수단에 의하여 상기 에칭조의 에칭액의 온도를 검출하며, 온도 검출 결과에 기초하여 상기 에칭액을 가열수단으로 가열하거나 냉각수단으로 냉각하는 공정을 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
  19. 제 17항에 있어서, 상기 에칭액은 플루오르화수소산계 수용액을 포함하며, 상기 에칭조의 에칭액의 농도를 일정한 농도로 유지시키는 공정은 농도검출수단에 의하여 상기 에칭조의 에칭액의 플루오르화수소산의 농도를 검출하며, 농도 검출 결과에 기초하여 상기 에칭조에 플루오르화수소산을 공급하는 공정을 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
  20. 제 17항에 있어서, 상기 쌍을 이루는 유리 기판들은 상기 다수의 완성된 액정표시장치들을 그 안에서 형성하기에 충분한 면적을 가지며, 상기 두 유리 기판들 사이 및 완성된 액정표시장치들의 각 표시 영역 둘레로 개재되는 다수의 단일 소자 시일 부재들에 의하여 서로 접합되며, 및
    상기 쌍을 이루는 유리 기판들은 상기 절단 공정에 의하여 완성된 액정표시장치들로 절단되는 액정표시장치의 제조방법.
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