KR20070109751A - 발광 다이오드 및 파장 전환 물질 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 124
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000013543 active substance Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000012190 activator Substances 0.000 claims description 61
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 47
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 36
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 36
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 26
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 25
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 20
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 238000009739 binding Methods 0.000 claims description 19
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000975 dye Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- -1 phosphors Substances 0.000 claims description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
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- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
- Y10T428/2991—Coated
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
- Y10T428/2991—Coated
- Y10T428/2993—Silicic or refractory material containing [e.g., tungsten oxide, glass, cement, etc.]
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
- Y10T428/2991—Coated
- Y10T428/2993—Silicic or refractory material containing [e.g., tungsten oxide, glass, cement, etc.]
- Y10T428/2996—Glass particles or spheres
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
Description
Claims (33)
- 파장 전환 물질로서:파장 λ2를 가진 빛을 방출하기 위해 파장 λ1을 가진 빛으로 활성화되기에 적합한 파장 전환 활성제; 및상기 파장 전환 활성제 위에 배치된 산란제로서, 상기 산란제의 표면에 조사된 빛을 산란시키기에 적합한 산란제를 포함하는 파장전환 물질.
- 제 1 항에 있어서, 상기 파장 전환 활성제가 형광 물질, 인광 물질, 염료들, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 파장 전환 물질.
- 제 2 항에 있어서, 상기 파장 전환 활성제의 조성이 (A)2x(B)2y(C)2z(D)3x + sy + tz:(E)로 표현되는 것으로서: 여기서 0≤x≤15, 0≤y≤9, 0≤z≤4이고; s는 성분 B의 원자가 수이고; t는 성분 C의 원자가 수이고; A는 Y, Ce, Tb, Gd, Sc, Sm, Eu, Al, Ga, Tl, In, B, Lu, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되고; B는 Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cu, Ni, Li, Na, K, Ag, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되고; C는 Mo, W, P, V, Si, Ti, Zr, Nb, Ta, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되고; D는 O, S, Se, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되고; E는 Ce, Eu, Tb, Mn, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 파장 전환 물질.
- 제 1 항에 있어서, 상기 산란제 물질이 Al2O3, ZnO, SiO2, TiO2, 또는 (A)2x'(B)2y'(C)2z'(D)3x' + s'y' + t'z':(E)의 조성을 갖는 물질로부터 선택되는 것으로서, 여기서 0≤x'≤15, 0≤y'≤9, 0≤z'≤4이고; s'는 성분 B의 원자가 수이고 ; t'는 성분 C의 원자가 수이고; A는 Y, Ce, Tb, Gd, Sc, Sm, Eu, Al, Ga, Tl, In, B, Lu,및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되고; B는 Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cu, Ni, Li, Na, K, Ag, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되고; C는 Mo, W, P, V, Si, Ti, Zr, Nb, Ta, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되고; D는 O, S, Se, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되고; E는 Ce, Eu, Tb, Mn, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 파장 전환 물질.
- 제 1 항에 있어서, 상기 산란제가 파장 λ3을 가진 빛을 방출하기 위해 파장 λ1을 가진 빛으로 활성화되기에 적합한 산란제인 것을 특징으로 하는 파장 전환 물질.
- 제 1 항에 있어서, 상기 산란제가 파장 λ3을 가진 빛을 방출하기 위해 파장 λ2를 가진 빛으로 활성화되기에 적합한 산란제인 것을 특징으로 하는 파장 전환 물 질.
- 제 1 항에 있어서, 상기 파장 전환 물질이 상기 파장 전환 활성제 및 상기 산란제 사이에 위치하는 결합 화합물을 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 파장 전환 물질.
- 제 7 항에 있어서, 상기 결합 화합물이 M2sTitOsu +2t 또는 M2xAl2yOxu +3y, 또는 상기 산란제 및 상기 파장 전환 활성제가 결합할 때 생성되는 임의의 화합물로서, 여기서 M은 Al, Y, Ce, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Ni, Li, Na, K, 및 Ag로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 파장 전환 물질.
- 제 7 항에 있어서, 상기 결합 화합물이 파장 λ4를 가진 빛을 방출하기 위해 파장 λ1을 가진 빛으로 활성화되기에 적합한 것을 특징으로 하는 파장 전환 물질.
- 제 1 항에 있어서, 상기 파장 전환 활성제가:파장 λ2를 가진 빛을 방출하기 위해 파장 λ1을 가진 빛으로 활성화되기에 적합한 코어 및상기 코어을 피복(clad)하는 첫번째 투명 코팅을포함하는 것을 특징으로 하는 파장 전환 물질.
- 제 10 항에 있어서, 상기 코어가 형광 물질, 인광 물질, 스테인(stain), 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 파장 전환 물질.
- 제 10 항에 있어서, 상기 코어의 조성이 (A)2x(B)2y(C)2z(D)3x + sy + tz로 표현되는 것으로서: 여기서 0≤x≤15, 0≤y≤9, 0≤z≤4이고; s는 성분 B의 원자가 수이고; t는 성분 C의 원자가 수이고; A는 Y, Ce, Tb, Gd, Sc, Sm, Eu, Al, Ga, Tl, In, B, Lu, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되고; B는 Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cu, Ni, Li, Na, K, Ag, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되고; C는 Mo, W, P, V, Si, Ti, Zr, Nb, Ta, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되고; D는 O, S, Se, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되고; E는 Ce, Eu, Tb, Mn, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 파장 전환 물질.
- 제 10 항에 있어서, 상기 첫번째 투명 코팅이 SiO2인 것을 특징으로 하는 파장 전환 물질.
- 제 1 항에 있어서, 상기 파장 전환 물질이 상기 파장 전환 활성제 및 상기 산란제를 피복(clad)하는 두번째 투명 코팅을 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 파장 전환 물질.
- 제 14 항에 있어서, 상기 두번째 투명 코팅이 SiO2인 것을 특징으로 하는 파장 전환 물질.
- 제 1 항에 있어서, 투명 물질을 추가적으로 포함하는 파장 전환 물질로서, 상기 파장 전환 활성제 및 상기 산란제가 상기 투명 물질에 분포되어 있는 것을 특징으로 하는 파장 전환 물질.
- 발광 다이오드 (LED)로서:캐리어;상기 캐리어 위에 배치되어 있고 상기 캐리어에 전기적으로 연결된 LED 칩으로서, 파장 λ1을 가진 빛을 방출하기에 적합한 LED 칩; 및상기 LED 칩 주위에 배치된 파장 전환 물질로서, 상기 파장 전환 물질이:파장 λ2를 가진 빛을 방출하기 위해 파장 λ1을 가진 빛으로 활성화되기에 적합한 파장 전환 활성제; 및산란제로서, 상기 파장 전환 활성제 위에 배치되어 있고 그것의 표면에 조사된 빛을 산란시키기에 적합한 산란제를 포함하는 파장 전환 물질을 포함하는 발광 다이오드 (LED).
- 제 17 항에 있어서, 상기 파장 전환 활성제가 형광 물질, 인광 물질, 염료들, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 LED.
- 제 18 항에 있어서, 상기 파장 전환 활성제의 조성이: (A)2x(B)2y(C)2z(D)3x + sy + tz로 표현되는 것으로서, 여기서 0≤x≤15, 0≤y≤9, 0≤z≤4이고; s는 성분 B의 원자가 수이고; t는 성분 C의 원자가 수이고 ; A는 Y, Ce, Tb, Gd, Sc, Sm, Eu, Al, Ga, Tl, In, B, Lu, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되고; B는 Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cu, Ni, Li, Na, K, Ag, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되고; C는 Mo, W, P, V, Si, Ti, Zr, Nb, Ta, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되고; D는 O, S, Se, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되고; E는 Ce, Eu, Tb, Mn, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 LED.
- 제 17 항에 있어서, 상기 산란제 물질이 Al2O3, ZnO, SiO2, TiO2, 또는 (A)2x'(B)2y'(C)2z'(D)3x' + s'y' + t'z':(E)의 조성을 갖는 물질로부터 선택되는 LED로서, 여기서 0≤x'≤15, 0≤y'≤9, 0≤z'≤4이고; s'는 성분 B의 원자가 수이고 ; t'는 성분 C의 원자가 수이고; A는 Y, Ce, Tb, Gd, Sc, Sm, Eu, Al, Ga, Tl, In, B, Lu, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되고; B는 Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cu, Ni, Li, Na, K, Ag, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되고; C는 Mo, W, P, V, Si, Ti, Zr, Nb, Ta, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되고; D는 O, S, Se, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되고; E는 Ce, Eu, Tb, Mn, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 LED.
- 제 17 항에 있어서, 상기 산란제가 파장 λ3을 가진 빛을 방출하기 위해 파장 λ1을 가진 빛으로 활성화되기에 적합한 것을 특징으로 하는 LED.
- 제 17 항에 있어서, 상기 산란제가 파장 λ3을 가진 빛을 방출하기 위해 파장 λ2를 가진 빛으로 활성화되기에 적합한 것을 특징으로 하는 LED.
- 제 17 항에 있어서, 상기 LED가 상기 파장 전환 활성제 및 상기 산란제 사이에 위치한 결합 화합물을 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 LED.
- 제 23 항에 있어서, 상기 결합 화합물이 파장 λ4를 가진 빛을 방출하기 위해 파장 λ1을 가진 빛으로 활성화되기에 적합한 것을 특징으로 하는 LED.
- 제 23 항에 있어서, 상기 결합 화합물이 M2sTitOsu +2t, M2xAl2yOxu +3y, 또는 상기 산란제 및 상기 파장 전환 활성제가 결합할 때 생성되는 임으의 화합물로서, 여기서 M은 Al, Y, Ce, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Ni, Li, Na, K, 및 Ag로부터 선택되는 것 을 특징으로 하는 LED.
- 제 17 항에 있어서, 상기 파장 전환 활성제가:파장 λ2를 가진 빛을 방출하기 위해 파장 λ1을 가진 빛으로 활성화되기에 적합한 코어 및상기 코어를 피복하는(clad) 첫번째 투명 코팅을포함하는 것을 특징으로 하는 LED.
- 제 26 항에 있어서, 상기 코어가 형광 물질, 인광 물질, 염료들, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 LED.
- 제 26 항에 있어서, 상기 코어의 조성이: (A)2x(B)2y(C)2z(D)3x + sy + tz:(E)로 표현되는 것으로서, 여기서 0≤x≤15, 0≤y≤9, 0≤z≤4이고; s는 성분 B의 원자가 수이고; t는 성분 C의 원자가 수이고; A는 Y, Ce, Tb, Gd, Sc, Sm, Eu, Al, Ga, Tl, In, B, Lu, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되고; B는 Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cu, Ni, Li, Na, K, Ag, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되고; C는 Mo, W, P, V, Si, Ti, Zr, Nb, Ta, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되고; D는 O, S, Se, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되고; E는 Ce, Eu, Tb, Mn, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 LED.
- 제 17 항에 있어서, 상기 파장 전환 물질이 투명 물질을 추가로 포함하며, 상기 파장 전환 활성제 및 상기 산란제가 상기 투명 물질 내에 분포되어 있는 것을 특징으로 하는 LED.
- 제 29 항에 있어서, 상기 첫번째 투명 코팅으로부터 상기 투명 물질 내부로 빛이 조사될 때 상기 첫번째 투명 코팅 및 상기 투명 물질의 접합 부분에서 전반사 및 프레넬(Fresnel) 손실을 피하기 위해, 상기 투명 물질의 광굴절률이 상기 첫번째 투명 코팅의 광굴절률과 근사한 것을 특징으로 하는 LED.
- 제 26 항에 있어서, 상기 첫번째 투명 코팅이 SiO2인 것을 특징으로 하는 LED.
- 제 17 항에 있어서, 상기 파장 전환 물질이 상기 파장 전환 활성제 및 상기 산란제를 피복하는 두번째 투명 코팅을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 LED.
- 제 32 항에 있어서, 상기 두번째 투명 코팅이 SiO2인 것을 특징으로 하는 LED.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW095116888A TWI357435B (en) | 2006-05-12 | 2006-05-12 | Light emitting diode and wavelength converting mat |
TW95116888 | 2006-05-12 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070109751A true KR20070109751A (ko) | 2007-11-15 |
KR100913372B1 KR100913372B1 (ko) | 2009-08-20 |
Family
ID=38580161
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060061007A KR100913372B1 (ko) | 2006-05-12 | 2006-06-30 | 발광 다이오드 및 파장 전환 물질 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7718088B2 (ko) |
JP (1) | JP4803439B2 (ko) |
KR (1) | KR100913372B1 (ko) |
DE (1) | DE102006028259B4 (ko) |
TW (1) | TWI357435B (ko) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080029774A1 (en) * | 2006-08-04 | 2008-02-07 | Acol Technologies S.A. | Semiconductor light source packages with broadband and angular uniformity support |
JP5104621B2 (ja) * | 2008-07-28 | 2012-12-19 | 三菱化学株式会社 | 植物育成用の照明装置 |
KR101726807B1 (ko) | 2010-11-01 | 2017-04-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
KR101227030B1 (ko) | 2011-03-09 | 2013-01-28 | 희성금속 주식회사 | 형광체 원료용 합금 조성물 및 그의 제조 방법 |
CN102250616B (zh) * | 2011-05-06 | 2014-01-01 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种双钙钛矿结构红色荧光粉、制备方法及应用 |
DE102012206646B4 (de) | 2012-04-23 | 2024-01-25 | Osram Gmbh | Leuchtvorrichtung mit LED-Chip und Vergussmasse und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtvorrichtung |
JP6068473B2 (ja) * | 2012-08-01 | 2017-01-25 | パナソニック株式会社 | 波長変換粒子、波長変換部材及び発光装置 |
CN103773367B (zh) * | 2014-01-09 | 2015-06-03 | 延边大学 | 用于白光led的荧光材料及制备方法 |
JP2017218574A (ja) * | 2016-06-07 | 2017-12-14 | シャープ株式会社 | ナノ粒子蛍光体素子および発光素子 |
CN114149262B (zh) * | 2021-11-23 | 2023-05-12 | 松山湖材料实验室 | 可逆光致变色透明陶瓷及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4024298A (en) * | 1974-04-08 | 1977-05-17 | Tektronix, Inc. | Method of providing storage dielectric of phosphor particles coated with secondary emissive material |
JP2525656B2 (ja) * | 1988-12-08 | 1996-08-21 | 化成オプトニクス株式会社 | 蛍光体および蛍光体の表面処理方法 |
DE19638667C2 (de) | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
DE19626219A1 (de) * | 1996-06-29 | 1998-01-02 | Philips Patentverwaltung | Leuchtstoffzubereitung mit SiO¶2¶-Partikel-Beschichtung |
TW383508B (en) | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
US6252254B1 (en) * | 1998-02-06 | 2001-06-26 | General Electric Company | Light emitting device with phosphor composition |
JP2000044942A (ja) | 1998-07-27 | 2000-02-15 | Mitsubishi Electric Corp | 蛍光体及びその表面処理方法と、カラー陰極線管の形成方法 |
JP2002055637A (ja) * | 2000-08-11 | 2002-02-20 | Nemoto & Co Ltd | 表示体および時計 |
JP2002076434A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP3784651B2 (ja) * | 2001-02-06 | 2006-06-14 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体とその製造方法 |
TW511303B (en) | 2001-08-21 | 2002-11-21 | Wen-Jr He | A light mixing layer and method |
JP2003243727A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-08-29 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2004107572A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Sharp Corp | 蛍光体およびそれを含む照明装置と表示装置 |
ATE454718T1 (de) * | 2002-11-08 | 2010-01-15 | Nichia Corp | Lichtemissionsbauelement, leuchtstoff und verfahren zur herstellung eines leuchtstoffs |
JP4529349B2 (ja) * | 2002-11-08 | 2010-08-25 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物系蛍光体および発光装置 |
JP2004182907A (ja) | 2002-12-04 | 2004-07-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 赤色蛍光体およびこれを用いた蛍光ランプ |
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DE20308495U1 (de) | 2003-05-28 | 2004-09-30 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Konversions-LED |
US7075225B2 (en) * | 2003-06-27 | 2006-07-11 | Tajul Arosh Baroky | White light emitting device |
JP2005029724A (ja) | 2003-07-09 | 2005-02-03 | Futaba Corp | 白色発光蛍光体及び蛍光表示管 |
JP2005097599A (ja) | 2003-09-02 | 2005-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蛍光体とその製造方法、および当該蛍光体を用いたプラズマディスプレイパネル |
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TWI241034B (en) | 2004-05-20 | 2005-10-01 | Lighthouse Technology Co Ltd | Light emitting diode package |
JP4150362B2 (ja) | 2004-07-21 | 2008-09-17 | 松下電器産業株式会社 | ランプ用蛍光体の製造方法 |
TWI249861B (en) * | 2005-01-12 | 2006-02-21 | Lighthouse Technology Co Ltd | Wavelength converting substance and light emitting device and encapsulating material comprising the same |
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DE202005010225U1 (de) | 2005-06-29 | 2005-11-24 | Lighthouse Technology Co., Ltd | Lichtemittierende Dioden-Baugruppenanordnung, Kaltkathoden-Fluoreszenzlampe und photolumineszentes Material davon |
-
2006
- 2006-05-12 TW TW095116888A patent/TWI357435B/zh active
- 2006-05-29 US US11/420,766 patent/US7718088B2/en active Active
- 2006-06-20 DE DE102006028259A patent/DE102006028259B4/de active Active
- 2006-06-30 KR KR1020060061007A patent/KR100913372B1/ko active IP Right Grant
- 2006-07-12 JP JP2006191853A patent/JP4803439B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100913372B1 (ko) | 2009-08-20 |
JP2007305951A (ja) | 2007-11-22 |
DE102006028259A1 (de) | 2007-11-15 |
US20070262325A1 (en) | 2007-11-15 |
TW200742760A (en) | 2007-11-16 |
DE102006028259B4 (de) | 2013-01-17 |
US7718088B2 (en) | 2010-05-18 |
TWI357435B (en) | 2012-02-01 |
JP4803439B2 (ja) | 2011-10-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
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E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130806 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140721 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150810 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160720 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190805 Year of fee payment: 11 |