JP4803439B2 - 発光ダイオードおよび波長変換材料 - Google Patents
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Description
(A)2x(B)2y(C)2z(D)3x+sy+tz:(E)(ただし、0≦x≦15、0≦y≦9、0≦z≦4で、sは成分Bの原子価数で、tは成分Cの原子価数で、Aは、Y,Ce,Tb,Gd,Sc,Sm,Eu,Al,Ga,Tl,In,B,Lu、およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Bは、Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cu,Ni,Li,Na,K,Ag,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Cは、Mo,W,P,V,Si,Ti,Zr,Nb,Ta,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Dは、O,S,Se,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Eは、Ce,Eu,Tb,Mn,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択される。)によって表される。
(A)2x’(B)2y’(C)2z’(D)3x’+s’y’+t’z’:(E)(ただし、0≦x’≦15、0≦y’≦9、0≦z’≦4で、s’は成分Bの原子価数、t’は成分Cの原子価数、AはY,Ce,Tb,Gd,Sc,Sm,Eu,Al,Ga,Tl,In,B,Lu、およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、BはMg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cu,Ni,Li,Na,K,Ag,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、CはMo,W,P,V,Si,Ti,Zr,Nb,Ta,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Dは、O,S,Se,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Eは、Ce,Eu,Tb,Mn,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択される。)の組成をもった物質の中から選択される。
(A)2x’(B)2y’(C)2z’(D)3x’+s’y’+t’z’:(E)(ただし、0≦x’≦15、0≦y’≦9、0≦z’≦4で、s’は成分Bの原子価数、t’は成分Cの原子価数、AはY,Ce,Tb,Gd,Sc,Sm,Eu,Al,Ga,Tl,In,B,Lu、およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、BはMg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cu,Ni,Li,Na,K,Ag,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、CはMo,W,P,V,Si,Ti,Zr,Nb,Ta,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Dは、O,S,Se,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Eは、Ce,Eu,Tb,Mn,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択される。)の組成をもった物質の中から選択される。
(A)2x’(B)2y’(C)2z’(D)3x’+s’y’+t’z’:(E)
(ただし、0≦x’≦15、0≦y’≦9、0≦z’≦4で、s’は成分Bの原子価数、t’は成分Cの原子価数、AはY,Ce,Tb,Gd,Sc,Sm,Eu,Al,Ga,Tl,In,B,Lu、およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、BはMg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cu,Ni,Li,Na,K,Ag,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、CはMo,W,P,V,Si,Ti,Zr,Nb,Ta,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Dは、O,S,Se,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Eは、Ce,Eu,Tb,Mn,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択される。)の組成をもった物質の中から選択される。ここで、x’とx、y’とy、z’とz、s’とs、t’とt、のうちの少なくとも一組の数値は異なっていることに注意する。つまり、2つの機能を備えた散乱体320の構成要素は、波長変換活性剤310の構成要素と同様とすることができるが、それらの組成の比は異なっている。
(A)2x(B)2y(C)2z(D)3x+sy+tz:(E)(ただし、0≦x≦15、0≦y≦9、0≦z≦4で、sは成分Bの原子価数、tは成分Cの原子価数、Aは、Y,Ce,Tb,Gd,Sc,Sm,Eu,Al,Ga,Tl,In,B,Lu、およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Bは、Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cu,Ni,Li,Na,K,Ag,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Cは、Mo,W,P,V,Si,Ti,Zr,Nb,Ta,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Dは、O,S,Se,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Eは、Ce,Eu,Tb,Mn,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択される。)によって表される。第1透明被膜314はコア312上に被覆されており、第1透明被膜314は、例えばSiO2や他の透明材料である。散乱体320は物理的あるいは化学的に第1透明被膜314と結合している。
Claims (29)
- 波長λ1の光によって励起され波長λ2の光を放射するのに適した粒子の形状である波長変換活性剤と、
前記波長変換活性剤上に配置され、その表面に照射された光を散乱させるのに適した粒子の形状である散乱体と、
前記波長変換活性剤および前記散乱体を被覆する透明被膜と、
を備え、
さらに、前記波長変換活性剤と前記散乱体との間に位置する結合化合物を含む
ことを特徴とする波長変換材料。 - 請求項1に記載の波長変換材料であって、
前記波長変換活性剤の材料は、蛍光体、リン系材料、色素、およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選ばれる。 - 請求項2に記載の波長変換材料であって、
前記波長変換活性剤の組成は、(A)2x(B)2y(C)2z(D)3x+sy+tz:(E)(ただし、0≦x≦15、0≦y≦9、0≦z≦4で、sは成分Bの原子価数で、tは成分Cの原子価数で、Aは、Y,Ce,Tb,Gd,Sc,Sm,Eu,Al,Ga,Tl,In,B,Lu、およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Bは、Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cu,Ni,Li,Na,K,Ag,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Cは、Mo,W,P,V,Si,Ti,Zr,Nb,Ta,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Dは、O,S,Se,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Eは、Ce,Eu,Tb,Mn,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択される。)によって表される。 - 請求項1に記載の波長変換材料であって、
前記散乱体の材料は、Al2O3,ZnO,SiO2,TiO2、あるいは、(A)2x’(B)2y’(C)2z’(D)3x’+s’y’+t’z’:(E)(ただし、0≦x’≦15、0≦y’≦9、0≦z’≦4で、s’は成分Bの原子価数、t’は成分Cの原子価数、AはY,Ce,Tb,Gd,Sc,Sm,Eu,Al,Ga,Tl,In,B,Lu、およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、BはMg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cu,Ni,Li,Na,K,Ag,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、CはMo,W,P,V,Si,Ti,Zr,Nb,Ta,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Dは、O,S,Se,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Eは、Ce,Eu,Tb,Mn,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択される。)の組成をもった物質の中から選択される。 - 請求項1に記載の波長変換材料であって、
前記散乱体は、波長λ1の光によって励起されて波長λ3の光を放射するのに適している。 - 請求項1に記載の波長変換材料であって、
前記散乱体は、波長λ2の光によって励起されて波長λ3の光を放射するのに適している。 - 請求項1に記載の波長変換材料であって、
前記結合化合物の材料は、M 2s Ti t O su+2t ,M 2x Al 2y O xz+3y (ただし、MはAl,Y,Ce,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Ni,Li,Na、K,およびAgから選択される)、あるいは前記散乱体と前記波長変換活性剤とが結合したときに生じるあらゆる化合物のいずれかである。 - 請求項1に記載の波長変換材料であって、
前記結合化合物は波長λ 1 の光によって励起され、波長λ 4 の光を放射するのに適している。 - 請求項1に記載の波長変換材料であって、
前記波長変換活性剤は、波長λ 1 の光によって励起されて波長λ 2 の光を放射するのに適したコアと、前記コアを被覆する透明被膜とを含む。 - 請求項9に記載の波長変換材料であって、
前記コアの材料は、蛍光体やリン系材料、色素、およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選ばれる。 - 請求項9に記載の波長変換材料であって、
前記コアの組成は、(A) 2x (B) 2y (C) 2z (D) 3x+sy+tz :(E)(ただし、0≦x≦15、0≦y≦9、0≦z≦4で、sは成分Bの原子価数、tは成分Cの原子価数、Aは、Y,Ce,Tb,Gd,Sc,Sm,Eu,Al,Ga,Tl,In,B,Lu、およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Bは、Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cu,Ni,Li,Na,K,Ag,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Cは、Mo,W,P,V,Si,Ti,Zr,Nb,Ta,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Dは、O,S,Se,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Eは、Ce,Eu,Tb,Mn,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択される)によって表される。 - 請求項9に記載の波長変換材料であって、
前記コアを被覆する前記透明被膜は、SiO 2 である。 - 請求項1に記載の波長変換材料であって、
前記波長変換活性剤および前記散乱体を被覆する前記透明被膜は、SiO 2 である。 - 請求項1に記載の波長変換材料であって、
さらに透明材料を含み、
前記波長変換活性剤および前記散乱体は、前記透明材料の中に分散される。 - キャリアーと、
前記キャリアー上に配置され前記キャリアーと電気的に接続され、波長λ 1 の光を放射するのに適したLEDチップと、
前記LEDチップの周囲に配置された波長変換材料とを備え、
前記波長変換材料は、
波長λ 1 の光によって励起され波長λ 2 の光を放射するのに適した粒子の形状である波長変換活性剤と、
前記波長変換活性剤上に配置され、その表面に照射された光を散乱させるのに適した粒子の形状である散乱体と、
前記波長変換活性剤および前記散乱体を被覆する透明被膜とを備え、
さらに、前記波長変換活性剤と前記散乱体との間に位置する結合化合物を含む
ことを特徴とする発光ダイオード。 - 請求項15に記載の発光ダイオードであって、
前記波長変換活性剤の材料は、蛍光体、リン系材料、色素、およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選ばれる。 - 請求項16に記載の発光ダイオードであって、
前記波長変換活性剤の組成は、(A) 2x (B) 2y (C) 2z (D) 3x+sy+tz :(E)(ただし、0≦x≦15、0≦y≦9、0≦z≦4で、sは成分Bの原子価数で、tは成分Cの原子価数で、Aは、Y,Ce,Tb,Gd,Sc,Sm,Eu,Al,Ga,Tl,In,B,Lu、およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Bは、Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cu,Ni,Li,Na,K,Ag,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Cは、Mo,W,P,V,Si,Ti,Zr,Nb,Ta,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Dは、O,S,Se,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Eは、Ce,Eu,Tb,Mn,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択される。)によって表される。 - 請求項15に記載の発光ダイオードであって、
前記散乱体の材料は、Al 2 O 3 ,ZnO,SiO 2 ,TiO 2 、あるいは、(A) 2x’ (B) 2y’ (C) 2z’ (D) 3x’+s’y’+t’z’ :(E)(ただし、0≦x’≦15、0≦y’≦9、0≦z’≦4で、s’は成分Bの原子価数、t’は成分Cの原子価数、AはY,Ce,Tb,Gd,Sc,Sm,Eu,Al,Ga,Tl,In,B,Lu、およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、BはMg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cu,Ni,Li,Na,K,Ag,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、CはMo,W,P,V,Si,Ti,Zr,Nb,Ta,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Dは、O,S,Se,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Eは、Ce,Eu,Tb,Mn,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択される。)の組成をもった物質の中から選択される。 - 請求項15に記載の発光ダイオードであって、
前記散乱体は、波長λ 1 の光によって励起されて波長λ 3 の光を放射するのに適している。 - 請求項15に記載の発光ダイオードであって、
前記散乱体は、波長λ 2 の光によって励起されて波長λ 3 の光を放射するのに適している。 - 請求項15に記載の発光ダイオードであって、
前記結合化合物は波長λ 1 の光によって励起され、波長λ 4 の光を放射するのに適している。 - 請求項15に記載の発光ダイオードであって、
前記結合化合物の材料は、M 2s Ti t O su+2t ,M 2x Al 2y O xz+3y (ただし、MはAl,Y,Ce,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Ni,Li,Na、K,およびAgから選択される)、あるいは前記散乱体と前記波長変換活性剤とが結合したときに生じるあらゆる化合物のいずれかである。 - 請求項15に記載の発光ダイオードであって、
前記波長変換活性剤は、波長λ 1 の光によって励起されて波長λ 2 の光を放射するのに適したコアと、前記コアを被覆する透明被膜とを含む。 - 請求項23に記載の発光ダイオードであって、
前記コアの材料は、蛍光体やリン系材料、色素、およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選ばれる。 - 請求項23に記載の発光ダイオードであって、
前記コアの組成は、(A) 2x (B) 2y (C) 2z (D) 3x+sy+tz :(E)(ただし、0≦x≦15、0≦y≦9、0≦z≦4で、sは成分Bの原子価数、tは成分Cの原子価数、Aは、Y,Ce,Tb,Gd,Sc,Sm,Eu,Al,Ga,Tl,In,B,Lu、およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Bは、Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cu,Ni,Li,Na,K,Ag,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Cは、Mo,W,P,V,Si,Ti,Zr,Nb,Ta,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Dは、O,S,Se,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択され、Eは、Ce,Eu,Tb,Mn,およびそれらのいずれかの組み合わせの中から選択される)によって表される。 - 請求項23に記載の発光ダイオードであって、
前記波長変換材料はさらに透明材料を含み、
前記波長変換活性剤および前記散乱体は、前記透明材料の中に分散される。 - 請求項26に記載の発光ダイオードであって、
前記透明材料の光屈折率は、光が前記コアを被覆する前記透明被膜から前記透明材料の中に照射されたときに、前記コアを被覆する前記透明被膜と前記透明材料との接合点における全反射やフレネルロスを避けるために、前記コアを被覆する前記透明被膜の光屈折率に近似している。 - 請求項23に記載の発光ダイオードであって、
前記コアを被覆する前記透明被膜はSiO 2 である。 - 請求項15に記載の発光ダイオードであって、
前記波長変換活性剤および前記散乱体を被覆する前記透明被膜は、SiO 2 である。
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JP2525656B2 (ja) * | 1988-12-08 | 1996-08-21 | 化成オプトニクス株式会社 | 蛍光体および蛍光体の表面処理方法 |
DE19638667C2 (de) | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
DE19626219A1 (de) * | 1996-06-29 | 1998-01-02 | Philips Patentverwaltung | Leuchtstoffzubereitung mit SiO¶2¶-Partikel-Beschichtung |
TW383508B (en) | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
US6252254B1 (en) * | 1998-02-06 | 2001-06-26 | General Electric Company | Light emitting device with phosphor composition |
JP2000044942A (ja) | 1998-07-27 | 2000-02-15 | Mitsubishi Electric Corp | 蛍光体及びその表面処理方法と、カラー陰極線管の形成方法 |
JP2002055637A (ja) * | 2000-08-11 | 2002-02-20 | Nemoto & Co Ltd | 表示体および時計 |
JP2002076434A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP3784651B2 (ja) * | 2001-02-06 | 2006-06-14 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体とその製造方法 |
TW511303B (en) * | 2001-08-21 | 2002-11-21 | Wen-Jr He | A light mixing layer and method |
JP2003243727A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-08-29 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2004107572A (ja) | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Sharp Corp | 蛍光体およびそれを含む照明装置と表示装置 |
EP1560274B1 (en) | 2002-11-08 | 2010-01-06 | Nichia Corporation | Light emitting device, phosphor and method for preparing phosphor |
JP4529349B2 (ja) * | 2002-11-08 | 2010-08-25 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物系蛍光体および発光装置 |
JP2004182907A (ja) | 2002-12-04 | 2004-07-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 赤色蛍光体およびこれを用いた蛍光ランプ |
DE10307281A1 (de) * | 2003-02-20 | 2004-09-02 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Beschichteter Leuchtstoff, lichtemittierende Vorrichtung mit derartigem Leuchtstoff und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE20308495U1 (de) | 2003-05-28 | 2004-09-30 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Konversions-LED |
US7075225B2 (en) * | 2003-06-27 | 2006-07-11 | Tajul Arosh Baroky | White light emitting device |
JP2005029724A (ja) | 2003-07-09 | 2005-02-03 | Futaba Corp | 白色発光蛍光体及び蛍光表示管 |
JP2005097599A (ja) | 2003-09-02 | 2005-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蛍光体とその製造方法、および当該蛍光体を用いたプラズマディスプレイパネル |
US6982046B2 (en) * | 2003-10-01 | 2006-01-03 | General Electric Company | Light sources with nanometer-sized VUV radiation-absorbing phosphors |
TWI241034B (en) | 2004-05-20 | 2005-10-01 | Lighthouse Technology Co Ltd | Light emitting diode package |
JP4150362B2 (ja) | 2004-07-21 | 2008-09-17 | 松下電器産業株式会社 | ランプ用蛍光体の製造方法 |
TWI249861B (en) * | 2005-01-12 | 2006-02-21 | Lighthouse Technology Co Ltd | Wavelength converting substance and light emitting device and encapsulating material comprising the same |
US20060222757A1 (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-05 | General Electric Company | Method for making phosphors |
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