JP2002064220A - 発光ダイオードランプ及びそれに用いられる蛍光体 - Google Patents

発光ダイオードランプ及びそれに用いられる蛍光体

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light emitting
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 より広い範囲の白色の光を発することができ
る発光ダイオードランプとする。 【構成】 発光スペクトルの主ピークが420〜480
nmである発光ダイオードチップ100Aと、この発光
ダイオードチップ100Aからの光を受けて600〜6
50nmの範囲でスペクトルを有する蛍光を放出する第
1の蛍光体210Aと、前記発光ダイオードチップ10
0Aからの光を受けて530〜580nmの範囲でスペ
クトルを有する蛍光を放出する第2の蛍光体220Aと
を有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオードラ
ンプとそれに用いられる蛍光体とに関する。
【0002】
【従来の技術】白色の発光ダイオードランプとしては、
特開平10−242513号公報に記載されたものがあ
る。この白色の発光ダイオードランプは、窒化ガリウム
系化合物半導体からなる発光ダイオードチップと、(R
1-X SmX 3 (AlY Ga 1-Y )O12:Ce(但
し、0≦x<1、0≦x≦1、REはY、Gdから選択
される少なくとも一種)である蛍光体とを有し、発光ダ
イオードチップからの光と、発光ダイオードチップから
の光を受けた蛍光体から発せられる光とを混色すること
で白色光を発するようになっている。
【0003】この特開平10−242513号公報で
は、蛍光体として、上記のもの以外に、Y3 Al
5 12:Ce、Y3 (Al0.6 Ga0.4 5 12:C
e、Y3 (Al 0.5 Ga0.5 5 12:Ce、(Y0.8
Gd0.2 3 Al5 12:Ce、(Y0. 6 Gd0.4 3
Al5 12:Ce、(Y0.4 Gd0.6 3 Al5 12
Ce、(Y0.2 Gd0.8 3 Al5 12:Ce等が挙げ
られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の白色の発光ダイオードランプには以下のよう
な問題点がある。すなわち、従来の白色の発光ダイオー
ドランプは、図6に示すような範囲でのみ発光してい
た。すなわち、発することができる白色の範囲は狭いも
のである。この従来の発光ダイオードランプの発光可能
な白色の範囲は、特開平10−242513号の発明者
である清水義則氏及び阪野顕正氏と、坂東完治氏、野口
泰延氏の4氏の論文『白色LEDの開発と応用』(第2
64回蛍光体学会予講集(1996年11月29日発
行))の図7に記載されている。
【0005】本発明は上記事情に鑑みて創案されたもの
であって、より広い範囲の白色の光を発することができ
る発光ダイオードランプを提供することを目的としてい
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明に係る発光ダイオ
ードランプは、発光スペクトルの主ピークが420〜4
80nmである発光ダイオードチップと、この発光ダイ
オードチップからの光を受けて600〜650nmの範
囲でスペクトルを有する蛍光を発する第1の蛍光体と、
前記発光ダイオードチップからの光を受けて530〜5
80nmの範囲でスペクトルを有する蛍光を発する第2
の蛍光体とを備えている。
【0007】
【発明の実施の形態】図1は本発明の第1の実施の形態
に係る発光ダイオードランプの概略的断面図、図2は本
発明の第2の実施の形態に係る発光ダイオードランプの
要部の概略的断面図、図3は本発明の第3の実施の形態
に係る発光ダイオードランプの要部の概略的断面図、図
4は本発明の第4の実施の形態に係る発光ダイオードラ
ンプの要部の概略的断面図、図5は本発明の第5の実施
の形態に係る発光ダイオードランプの要部の概略的断面
図、図6は本発明の実施の形態に係る発光ダイオードラ
ンプの発光が可能な範囲を示すCIE表色系、図7は本
発明の実施の形態に係る発光ダイオードランプに用いら
れる第2の蛍光体の発光スペクトル図、図8は本発明の
実施の形態に係る発光ダイオードランプの発光のCIE
表色系、図9は本発明の実施の形態に係る発光ダイオー
ドランプに用いられる第1の蛍光体の発光スペクトル
図、図10は本発明の実施の形態に係る発光ダイオード
ランプの発光のCIE表色系、図11は本発明に係る発
光ダイオードランプに用いられる赤色の光を発する蛍光
体の励起スペクトル図である。
【0008】本発明の第1の実施の形態に係る発光ダイ
オードランプAは、発光スペクトルの主ピークが420
〜480nmである発光ダイオードチップ100Aと、
この発光ダイオードチップ100Aからの光を受けて6
00〜650nmの範囲でスペクトルを有する蛍光を放
出する第1の蛍光体210Aと、前記発光ダイオードチ
ップ100Aからの光を受けて540nmのスペクトル
を有する蛍光を放出する第2の蛍光体220Aとを有し
ている。
【0009】前記発光ダイオードチップ100Aとして
は、青色の光を発する窒化ガリウム系半導体からなるも
のを用いる。なお、この発光ダイオードチップ100A
は、上述した構造のものに限定されるものではなく、発
光スペクトルの主ピークが420〜480nmであるも
のであればよい。
【0010】一方、図1において小さな白丸で示す前記
第1の蛍光体210Aは、母剤が(Y,Ce)3 Al5
12で、付活剤にPrを用いたものである。この第1の
蛍光体210Aは、前記発光ダイオードチップ100A
からの光を受けて600〜650nmの範囲でスペクト
ルを有する赤色の蛍光を発する。
【0011】また、図1において小さな黒丸で示す前記
第2の蛍光体220Aは、母剤が(Y,Ce)3 Al5
12で、付活剤にTbを用いたものである。この第2の
蛍光体220Aは、前記発光ダイオードチップ100A
からの光を受けて530〜580nmの範囲でスペクト
ルを有する緑色の蛍光を発する。
【0012】これらの第1の蛍光体210A及び第2の
蛍光体220Aは、発光ダイオードランプ100Aを構
成するモールド樹脂300Aに混入されている。モール
ド樹脂300Aは、透光性を有する合成樹脂、例えばエ
ポキシ樹脂であって、発光ダイオードチップ100Aが
ダイボンディングされたダイボンディングリード410
Aと、このダイボンディングリード410Aに隣接され
ており、金線等のボンディングワイヤ430Aによって
前記発光ダイオードチップ100Aに接続されたワイヤ
ボンディング用リード420Aとをモールドするもので
ある。
【0013】このようにモールド樹脂300Aに、第1
の蛍光体210Aと第2の蛍光体220Aとが混入され
ていると、発光ダイオードチップ100Aから発せられ
た光は、一部が両蛍光体210A、220Aに入射され
ることなく直接外部に出る青色の光L1になり、また一
部が第1の蛍光体210Aに入射されて赤色の蛍光とな
って外部に出る光L2となり、また一部が第2の蛍光体
220Aに入射されて緑色の蛍光となって外部に出る光
L3となる。これらの3種類の光、すなわち青色の光L
1と、赤色の光L2と、緑色の光L3とが混合されるこ
とで白色の光となるのである(図6参照)。
【0014】また、第1の蛍光体210Aと第2の蛍光
体220Aとをモールド樹脂300Aに混入する代わり
に、図2に示すように、第1の蛍光体210Aと第2の
蛍光体220Aとを混入した樹脂510A、例えばエポ
キシ樹脂を発光ダイオードチップ100Aの上面に塗布
するという手法を採用することも可能である(第2の実
施の形態)。ただし、この場合には、発光ダイオードチ
ップ100Aの上面に形成されているN型電極191
A、P型電極192A、すなわちボンディングワイヤ4
30Aの一端が接続される部分には前記樹脂510Aを
塗布しないようにする。
【0015】この場合も、発光ダイオードチップ100
Aから発せられた光は、一部が両蛍光体210A、22
0Aに入射されることなく直接外部に出る青色の光L1
になり、また一部が第1の蛍光体210Aに入射されて
赤色の蛍光となって外部に出る光L2となり、また一部
が第2の蛍光体220Aに入射されて緑色の蛍光となっ
て外部に出る光L3となる。これらの3種類の光、すな
わち青色の光L1と、赤色の光L2と、緑色の光L3と
が混合されることで白色の光となるのである。
【0016】さらに、図3に示すように、第1の蛍光体
(図示省略)と第2の蛍光体(図示省略)とが混入され
た透光性フィルム500Aをモールド樹脂300Aに入
れ込むという手法の採用も可能である(第3の実施の形
態)。
【0017】ところで、図4に示すように、発光ダイオ
ードチップ100Aの下面に第1の蛍光体(図示省略)
及び第2の蛍光体(図示省略)を含んだ蛍光体層130
Aを形成することも可能である(第4の実施の形態)。
この場合には、発光ダイオードチップ100Aの上面か
ら直接外部に放出される青色の光L1と、下面に向かっ
て放射され、蛍光体層130Aの第1の蛍光体に入射さ
れ、赤色の蛍光となり、ダイボンディング用リード41
0Aに形成されたカップ部411Aの底面412Aで反
射されて外部に放出される光L2と、蛍光体層130A
の第2の蛍光体に入射され、緑色の蛍光となり、ダイボ
ンディング用リード410Aに形成されたカップ部41
1Aの底面412Aで反射されて外部に放出される光L
3とが混合されることによって白色の光となる。なお、
図4においては、作図の都合上、ボンディングワイヤ4
30Aを省略している。
【0018】また、図5に示すように、発光ダイオード
チップ100Aのサファイア基板110Aに穴111A
を開設し、この穴151Aに第1の蛍光体210A(図
5では小さな白丸で示している。)と第2の蛍光体22
0A(図5では小さな黒丸で示している。)とが混入さ
れた樹脂520Aを埋め込むという手法もある(第5の
実施の形態)。この場合も、発光ダイオードチップ10
0Aの上面から直接外部に放出される青色の光L1と、
下面に向かって放射され、穴111Aに埋め込まれた樹
脂520A中の第1の蛍光体210Aに入射され、赤色
の蛍光となり、ダイボンディング用リード410Aに形
成されたカップ部411Aの底面412Aで反射されて
外部に1出される光L2と、穴151Aに埋め込まれた
第2の蛍光体220Aに入射され、緑色の蛍光となり、
ダイボンディング用リード410Aに形成されたカップ
部411Aの底面412Aで反射されて外部に放出され
る光L3とが混合されることによって白色の光となる。
【0019】なお、この場合は、発光ダイオードチップ
100Aの下面に反射膜を形成しておけば、カップ部4
11Aの底面412Aでの反射より効率よく光L1、L
2、L3を外部に放出することが可能となる。
【0020】また、上述した第1〜第5の実施の形態に
係る発光ダイオードランプAでは、第1の蛍光体210
Aと、第2の蛍光体220Aとの両方を用いたが、いず
れか一方の蛍光体のみを用いるようにしてもよい。ただ
し、この場合には、白色の発光は不可能で、中間色、例
えば第1の蛍光体210Aのみを用いた場合には紫色、
第2の蛍光体220Aのみを用いた場合には青緑色の発
光が可能となる。
【0021】さらに、上述した実施の形態では、赤色の
光を発する第2の蛍光体210Aは、母剤が(Y,C
e)3 Al5 12で、付活剤にTbを用いたものである
としたが、母材が(Y1-x-y ,Cex 3 (Al1-z
Ga)5 12 で付活剤にTb y を用いた赤色の光を発
する蛍光体を用いることも可能である。なお、0<x<
0.1、0<y≦0.4、0<z≦1である。
【0022】この蛍光体(Y1-x-y ,Cex 3 (Al
1-z ,Ga)5 12:Tby は、以下のようにして製造
される。まず、Y2 3 、Ga2 3 、Ce2 3 、T
23 を原料として、化学量論比でY:Tb:Ce=
0.798:0.2:0.002、Al:Ga=0.
2:0.8の割合で混合した。この混合物をるつぼ中で
1600℃で2時間焼結し、数回洗浄した後に、ふるい
を用いて分級することによって得た。このようにして得
られた蛍光体の発光スペクトルは図8に示す。
【0023】かかる蛍光体をエポキシ樹脂と混合してス
ラリーとしてのち、440nmにピーク波長を有する青
色の光を発する窒化ガリウム系半導体からなる発光ダイ
オードチップ100Aをモールドした発光ダイオードラ
ンプAを製造した。なお、第2の蛍光体220Aとして
は、母剤が(Y,Ce)3 Al5 12で、付活剤がTb
である蛍光体、すなわち(Y,Ce)3 Al5 12:T
bを用いた。
【0024】かかる発光ダイオードランプAから発せら
れる光の色度座標は、図9に示すようになった。
【0025】また、上述した実施の形態では、赤色の光
を発する第1の蛍光体220Aは、、母材が
(Y1-x-y ,Eux 3 (Al1-z ,Ga)5 12で付
活剤にPry を用いた赤色の光を発する蛍光体を用いる
ことも可能である。なお、0≦x≦0.4、0<y≦
0.1、0≦z≦1である。
【0026】この蛍光体(Y1-x-y ,Eux 3 (Al
1-z ,Ga)5 12:Pry は、以下のようにして製造
される。まず、Y2 3 、Al2 3 、Eu2 3 、P
23 を原料として、化学量論比でY:Pr:Eu=
0.993:0.006:0.001の割合で混合し
た。この混合物をるつぼ中で1600℃で2時間焼結
し、ふるいを用いて分級した。この蛍光体の発光スペク
トルは図11に示す。
【0027】かかる蛍光体をエポキシ樹脂と混合してス
ラリーとしてのち、440nmにピーク波長を有する青
色の光を発する窒化ガリウム系半導体からなる発光ダイ
オードチップ100Aをモールドした発光ダイオードラ
ンプAを製造した。なお、第1の蛍光体210Aとして
は、第1の蛍光体210Aは、母剤が(Y,Ce)3
5 12で、付活剤にPrがである蛍光体、すなわち
(Y,Ce)3 Al5 12:Prを用いた。
【0028】かかる発光ダイオードランプAから発せら
れる光の色度座標は、図12に示すようになった。
【0029】
【発明の効果】本発明に係る発光ダイオードランプは、
発光スペクトルの主ピークが420〜480nmである
発光ダイオードチップと、この発光ダイオードチップか
らの光を受けて600〜650nmのスペクトルを有す
る蛍光を発する第1の蛍光体と、前記発光ダイオードチ
ップからの光を受けて530〜580nmの範囲でスペ
クトルを有する蛍光を発する第2の蛍光体とを備えてい
る。
【0030】このため、この発光ダイオードランプで
は、図6に示すように、第1の蛍光体と第2の蛍光体の
混合の割合を変化させることで、従来のものより広い範
囲での発光が可能となる。
【0031】そして、前記第1の蛍光体は、母剤が
(Y,Ce)3 Al5 12で、付活剤にPrを用いたも
のであり、前記第2の蛍光体は、母剤が(Y,Ce)3
Al5 12で、付活剤にTbを用いたものであればよ
い。
【0032】また、発光スペクトルの主ピークが420
〜480nmである発光ダイオードチップと、この発光
ダイオードチップからの光を受けて600〜650nm
のスペクトルを有する蛍光を発する第1の蛍光体と、前
記発光ダイオードチップからの光を受けて530〜58
0nmの範囲でスペクトルを有する蛍光を発する第2の
蛍光体とのうち、いずれか一方の蛍光体とを備える発光
ダイオードランプでは、中間色の発光が可能になる。
【0033】一方、母剤が(Y,Ce)3 Al5 12
付活剤にPrを用いており、赤色発光する蛍光体や、母
剤が(Y,Ce)3 Al5 12で付活剤にTbを用いて
おり、緑色発光する蛍光体は、発光スペクトルの主ピー
クが420〜480nmである発光ダイオードチップと
組み合わせることによって、白色の発光や中間色の発光
等が可能になる。
【0034】また、前記第2の蛍光体としては母剤が
(Y1-x-y ,Cex 3 (Al1-z ,Ga)5 12で、
付活剤にTby を用いたものを、前記第1の蛍光体とし
ては母剤が(Y1-x-y ,Eux 3 (Al1-z ,Ga)
5 12で、付活剤にPry を用いたものをそれぞれ使用
すると、従来の発光ダイオードランプでは表現できなか
った中間色表示が可能になるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る発光ダイオー
ドランプの概略的断面図である。
【図2】本発明の第2の実施の形態に係る発光ダイオー
ドランプの要部の概略的断面図である。
【図3】本発明の第3の実施の形態に係る発光ダイオー
ドランプの要部の概略的断面図である。
【図4】本発明の第4の実施の形態に係る発光ダイオー
ドランプの要部の概略的断面図である。
【図5】本発明の第5の実施の形態に係る発光ダイオー
ドランプの要部の概略的断面図である。
【図6】本発明の実施の形態に係る発光ダイオードラン
プの発光が可能な範囲を示すCIE表色系である。
【図7】本発明の形態に係る発光ダイオードランプに用
いられる第2の蛍光体の発光スペクトル図である。
【図8】本発明の実施の形態に係る発光ダイオードラン
プの発光のCIE表色系である。
【図9】本発明の実施の形態に係る発光ダイオードラン
プに用いられる第1の蛍光体の発光スペクトル図であ
る。
【図10】本発明の実施の形態に係る発光ダイオードラ
ンプの発光のCIE表色系である。
【図11】本発明に係る発光ダイオードランプに用いら
れる赤色の光を発する蛍光体の励起スペクトル図であ
る。
【符号の説明】
100A 発光ダイオードチップ 210A 第1の蛍光体 220A 第2の蛍光体

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発光スペクトルの主ピークが420〜4
    80nmである発光ダイオードチップと、この発光ダイ
    オードチップからの光を受けて600〜650nmの範
    囲でスペクトルを有する蛍光を発する第1の蛍光体と、
    前記発光ダイオードチップからの光を受けて530〜5
    80nmの範囲でスペクトルを有する蛍光を発する第2
    の蛍光体とを具備したことを特徴とする発光ダイオード
    ランプ。
  2. 【請求項2】 発光スペクトルの主ピークが420〜4
    80nmである発光ダイオードチップと、この発光ダイ
    オードチップからの光を受けて600〜650nmの範
    囲でスペクトルを有する蛍光を発する第1の蛍光体と、
    前記発光ダイオードチップからの光を受けて530〜5
    80nmの範囲でスペクトルを有する蛍光を発する第2
    の蛍光体とのうち、いずれか一方の蛍光体とを具備した
    ことを特徴とする発光ダイオードランプ。
  3. 【請求項3】 前記第1の蛍光体は、母剤が(Y,C
    e)3 Al5 12で、付活剤にPrを用いたものであ
    り、前記第2の蛍光体は、母剤が(Y,Ce)3Al5
    12で、付活剤にTbを用いたものであることを特徴と
    する請求項1又は2記載の発光ダイオードランプ。
  4. 【請求項4】 前記第2の蛍光体は、母剤が
    (Y1-x-y ,Cex 3 (Al 1-z ,Ga)5 12で、
    付活剤にTby を用いたものであり、前記第1の蛍光体
    は、母剤が(Y1-x-y ,Eux 3 (Al1-z ,Ga)
    5 12で、付活剤にPr y を用いたものであることを特
    徴とする請求項1又は2記載の発光ダイオードランプ。
    ただし、第2の蛍光体では、0<x<0.1、0<y≦
    0.4、0<z≦1、第1の蛍光体では、0≦x≦0.
    4、0<y≦0.1、0≦z≦1である。
  5. 【請求項5】 母剤が(Y,Ce)3 Al5 12で付活
    剤にPrを用いており、赤色発光する蛍光体。
  6. 【請求項6】 母剤が(Y,Ce)3 Al5 12で付活
    剤にTbを用いており、緑色発光する蛍光体。
  7. 【請求項7】 母材が(Y1-x-y ,Cex 3 (Al
    1-z ,Ga)5 12で付活剤にTby を用いた蛍光体。
    ただし、0<x<0.1、0<y≦0.4、0<z≦1
    である。
  8. 【請求項8】 母材が(Y1-x-y ,Eux 3 (Al
    1-z ,Ga)5 12で付活剤にPry を用いた蛍光体。
    ただし、0≦x≦0.4、0<y≦0.1、0≦z≦1
    である。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004096113A (ja) * 2002-09-02 2004-03-25 Samsung Electro Mech Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
US7176612B2 (en) 2003-04-21 2007-02-13 Sharp Kabushiki Kaisha LED device and portable telephone, digital camera and LCD apparatus using the same
JP2009130360A (ja) * 2007-11-19 2009-06-11 Iljin Semiconductor Co Ltd 白色発光ダイオードチップおよびその製造方法
US7659658B2 (en) * 2006-05-19 2010-02-09 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. White phosphor, and white light-emitting equipment or device
WO2010048766A1 (zh) * 2008-10-31 2010-05-06 杭州艾欧易迪光能科技有限公司 一种led照明灯
US7906892B2 (en) 2006-12-26 2011-03-15 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
SG173925A1 (en) * 2002-03-22 2011-09-29 Nichia Corp Nitride phosphor and production process thereof, and light emitting device
US8946728B2 (en) 2010-11-01 2015-02-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102605585B1 (ko) 2016-08-11 2023-11-24 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 제조방법

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60144381A (ja) * 1983-10-17 1985-07-30 アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− 可視表示装置
JPS63182393A (ja) * 1987-01-23 1988-07-27 Toshiba Corp 緑色発光蛍光面
JPH01108295A (ja) * 1987-10-19 1989-04-25 Nichia Chem Ind Ltd 投写管用緑色発光螢光体
JPH10163535A (ja) * 1996-11-27 1998-06-19 Kasei Optonix Co Ltd 白色発光素子
JPH11243232A (ja) * 1998-11-25 1999-09-07 Nichia Chem Ind Ltd Led表示装置
WO2000033390A1 (en) * 1998-11-30 2000-06-08 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
JP2000244021A (ja) * 1999-02-18 2000-09-08 Agilent Technol Inc 赤の不足を補償する蛍光体を使用したled
JP2001192655A (ja) * 1999-10-27 2001-07-17 Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh 光源用の発光物質及び該発光物質を含む光源
JP2001240858A (ja) * 2000-02-29 2001-09-04 Nemoto & Co Ltd 蛍光体
JP2003505583A (ja) * 1999-07-23 2003-02-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 発光物質装置、波長変換注入成形材および光源
JP2003532299A (ja) * 2000-04-26 2003-10-28 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ルミネセンス変換エレメントを備えた光放出半導体素子

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60144381A (ja) * 1983-10-17 1985-07-30 アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− 可視表示装置
JPS63182393A (ja) * 1987-01-23 1988-07-27 Toshiba Corp 緑色発光蛍光面
JPH01108295A (ja) * 1987-10-19 1989-04-25 Nichia Chem Ind Ltd 投写管用緑色発光螢光体
JPH10163535A (ja) * 1996-11-27 1998-06-19 Kasei Optonix Co Ltd 白色発光素子
JPH11243232A (ja) * 1998-11-25 1999-09-07 Nichia Chem Ind Ltd Led表示装置
WO2000033390A1 (en) * 1998-11-30 2000-06-08 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
JP2000244021A (ja) * 1999-02-18 2000-09-08 Agilent Technol Inc 赤の不足を補償する蛍光体を使用したled
JP2003505583A (ja) * 1999-07-23 2003-02-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 発光物質装置、波長変換注入成形材および光源
JP2001192655A (ja) * 1999-10-27 2001-07-17 Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh 光源用の発光物質及び該発光物質を含む光源
JP2001240858A (ja) * 2000-02-29 2001-09-04 Nemoto & Co Ltd 蛍光体
JP2003532299A (ja) * 2000-04-26 2003-10-28 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ルミネセンス変換エレメントを備えた光放出半導体素子

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG173925A1 (en) * 2002-03-22 2011-09-29 Nichia Corp Nitride phosphor and production process thereof, and light emitting device
US8076847B2 (en) 2002-03-22 2011-12-13 Nichia Corporation Nitride phosphor and production process thereof, and light emitting device
US8399944B2 (en) 2002-09-02 2013-03-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode and method for fabricating the same
US9887315B2 (en) 2002-09-02 2018-02-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode and method for fabricating the same
JP2004096113A (ja) * 2002-09-02 2004-03-25 Samsung Electro Mech Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
US8952389B2 (en) 2002-09-02 2015-02-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode and method for fabricating the same
US8536604B2 (en) 2002-09-02 2013-09-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode and method for fabricating the same
US7176612B2 (en) 2003-04-21 2007-02-13 Sharp Kabushiki Kaisha LED device and portable telephone, digital camera and LCD apparatus using the same
US7659658B2 (en) * 2006-05-19 2010-02-09 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. White phosphor, and white light-emitting equipment or device
US8405304B2 (en) 2006-12-26 2013-03-26 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emtting device
US7906892B2 (en) 2006-12-26 2011-03-15 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
US8569944B2 (en) 2006-12-26 2013-10-29 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
JP2009130360A (ja) * 2007-11-19 2009-06-11 Iljin Semiconductor Co Ltd 白色発光ダイオードチップおよびその製造方法
WO2010048766A1 (zh) * 2008-10-31 2010-05-06 杭州艾欧易迪光能科技有限公司 一种led照明灯
US8946728B2 (en) 2010-11-01 2015-02-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device

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