JP2002064220A - 発光ダイオードランプ及びそれに用いられる蛍光体 - Google Patents
発光ダイオードランプ及びそれに用いられる蛍光体Info
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Abstract
る発光ダイオードランプとする。 【構成】 発光スペクトルの主ピークが420〜480
nmである発光ダイオードチップ100Aと、この発光
ダイオードチップ100Aからの光を受けて600〜6
50nmの範囲でスペクトルを有する蛍光を放出する第
1の蛍光体210Aと、前記発光ダイオードチップ10
0Aからの光を受けて530〜580nmの範囲でスペ
クトルを有する蛍光を放出する第2の蛍光体220Aと
を有している。
Description
ンプとそれに用いられる蛍光体とに関する。
特開平10−242513号公報に記載されたものがあ
る。この白色の発光ダイオードランプは、窒化ガリウム
系化合物半導体からなる発光ダイオードチップと、(R
E1-X SmX )3 (AlY Ga 1-Y )O12:Ce(但
し、0≦x<1、0≦x≦1、REはY、Gdから選択
される少なくとも一種)である蛍光体とを有し、発光ダ
イオードチップからの光と、発光ダイオードチップから
の光を受けた蛍光体から発せられる光とを混色すること
で白色光を発するようになっている。
は、蛍光体として、上記のもの以外に、Y3 Al
5 O12:Ce、Y3 (Al0.6 Ga0.4 )5 O12:C
e、Y3 (Al 0.5 Ga0.5 )5 O12:Ce、(Y0.8
Gd0.2 )3 Al5 O12:Ce、(Y0. 6 Gd0.4 )3
Al5 O12:Ce、(Y0.4 Gd0.6 )3 Al5 O12:
Ce、(Y0.2 Gd0.8 )3 Al5 O12:Ce等が挙げ
られている。
うな従来の白色の発光ダイオードランプには以下のよう
な問題点がある。すなわち、従来の白色の発光ダイオー
ドランプは、図6に示すような範囲でのみ発光してい
た。すなわち、発することができる白色の範囲は狭いも
のである。この従来の発光ダイオードランプの発光可能
な白色の範囲は、特開平10−242513号の発明者
である清水義則氏及び阪野顕正氏と、坂東完治氏、野口
泰延氏の4氏の論文『白色LEDの開発と応用』(第2
64回蛍光体学会予講集(1996年11月29日発
行))の図7に記載されている。
であって、より広い範囲の白色の光を発することができ
る発光ダイオードランプを提供することを目的としてい
る。
ードランプは、発光スペクトルの主ピークが420〜4
80nmである発光ダイオードチップと、この発光ダイ
オードチップからの光を受けて600〜650nmの範
囲でスペクトルを有する蛍光を発する第1の蛍光体と、
前記発光ダイオードチップからの光を受けて530〜5
80nmの範囲でスペクトルを有する蛍光を発する第2
の蛍光体とを備えている。
に係る発光ダイオードランプの概略的断面図、図2は本
発明の第2の実施の形態に係る発光ダイオードランプの
要部の概略的断面図、図3は本発明の第3の実施の形態
に係る発光ダイオードランプの要部の概略的断面図、図
4は本発明の第4の実施の形態に係る発光ダイオードラ
ンプの要部の概略的断面図、図5は本発明の第5の実施
の形態に係る発光ダイオードランプの要部の概略的断面
図、図6は本発明の実施の形態に係る発光ダイオードラ
ンプの発光が可能な範囲を示すCIE表色系、図7は本
発明の実施の形態に係る発光ダイオードランプに用いら
れる第2の蛍光体の発光スペクトル図、図8は本発明の
実施の形態に係る発光ダイオードランプの発光のCIE
表色系、図9は本発明の実施の形態に係る発光ダイオー
ドランプに用いられる第1の蛍光体の発光スペクトル
図、図10は本発明の実施の形態に係る発光ダイオード
ランプの発光のCIE表色系、図11は本発明に係る発
光ダイオードランプに用いられる赤色の光を発する蛍光
体の励起スペクトル図である。
オードランプAは、発光スペクトルの主ピークが420
〜480nmである発光ダイオードチップ100Aと、
この発光ダイオードチップ100Aからの光を受けて6
00〜650nmの範囲でスペクトルを有する蛍光を放
出する第1の蛍光体210Aと、前記発光ダイオードチ
ップ100Aからの光を受けて540nmのスペクトル
を有する蛍光を放出する第2の蛍光体220Aとを有し
ている。
は、青色の光を発する窒化ガリウム系半導体からなるも
のを用いる。なお、この発光ダイオードチップ100A
は、上述した構造のものに限定されるものではなく、発
光スペクトルの主ピークが420〜480nmであるも
のであればよい。
第1の蛍光体210Aは、母剤が(Y,Ce)3 Al5
O12で、付活剤にPrを用いたものである。この第1の
蛍光体210Aは、前記発光ダイオードチップ100A
からの光を受けて600〜650nmの範囲でスペクト
ルを有する赤色の蛍光を発する。
第2の蛍光体220Aは、母剤が(Y,Ce)3 Al5
O12で、付活剤にTbを用いたものである。この第2の
蛍光体220Aは、前記発光ダイオードチップ100A
からの光を受けて530〜580nmの範囲でスペクト
ルを有する緑色の蛍光を発する。
蛍光体220Aは、発光ダイオードランプ100Aを構
成するモールド樹脂300Aに混入されている。モール
ド樹脂300Aは、透光性を有する合成樹脂、例えばエ
ポキシ樹脂であって、発光ダイオードチップ100Aが
ダイボンディングされたダイボンディングリード410
Aと、このダイボンディングリード410Aに隣接され
ており、金線等のボンディングワイヤ430Aによって
前記発光ダイオードチップ100Aに接続されたワイヤ
ボンディング用リード420Aとをモールドするもので
ある。
の蛍光体210Aと第2の蛍光体220Aとが混入され
ていると、発光ダイオードチップ100Aから発せられ
た光は、一部が両蛍光体210A、220Aに入射され
ることなく直接外部に出る青色の光L1になり、また一
部が第1の蛍光体210Aに入射されて赤色の蛍光とな
って外部に出る光L2となり、また一部が第2の蛍光体
220Aに入射されて緑色の蛍光となって外部に出る光
L3となる。これらの3種類の光、すなわち青色の光L
1と、赤色の光L2と、緑色の光L3とが混合されるこ
とで白色の光となるのである(図6参照)。
体220Aとをモールド樹脂300Aに混入する代わり
に、図2に示すように、第1の蛍光体210Aと第2の
蛍光体220Aとを混入した樹脂510A、例えばエポ
キシ樹脂を発光ダイオードチップ100Aの上面に塗布
するという手法を採用することも可能である(第2の実
施の形態)。ただし、この場合には、発光ダイオードチ
ップ100Aの上面に形成されているN型電極191
A、P型電極192A、すなわちボンディングワイヤ4
30Aの一端が接続される部分には前記樹脂510Aを
塗布しないようにする。
Aから発せられた光は、一部が両蛍光体210A、22
0Aに入射されることなく直接外部に出る青色の光L1
になり、また一部が第1の蛍光体210Aに入射されて
赤色の蛍光となって外部に出る光L2となり、また一部
が第2の蛍光体220Aに入射されて緑色の蛍光となっ
て外部に出る光L3となる。これらの3種類の光、すな
わち青色の光L1と、赤色の光L2と、緑色の光L3と
が混合されることで白色の光となるのである。
(図示省略)と第2の蛍光体(図示省略)とが混入され
た透光性フィルム500Aをモールド樹脂300Aに入
れ込むという手法の採用も可能である(第3の実施の形
態)。
ードチップ100Aの下面に第1の蛍光体(図示省略)
及び第2の蛍光体(図示省略)を含んだ蛍光体層130
Aを形成することも可能である(第4の実施の形態)。
この場合には、発光ダイオードチップ100Aの上面か
ら直接外部に放出される青色の光L1と、下面に向かっ
て放射され、蛍光体層130Aの第1の蛍光体に入射さ
れ、赤色の蛍光となり、ダイボンディング用リード41
0Aに形成されたカップ部411Aの底面412Aで反
射されて外部に放出される光L2と、蛍光体層130A
の第2の蛍光体に入射され、緑色の蛍光となり、ダイボ
ンディング用リード410Aに形成されたカップ部41
1Aの底面412Aで反射されて外部に放出される光L
3とが混合されることによって白色の光となる。なお、
図4においては、作図の都合上、ボンディングワイヤ4
30Aを省略している。
チップ100Aのサファイア基板110Aに穴111A
を開設し、この穴151Aに第1の蛍光体210A(図
5では小さな白丸で示している。)と第2の蛍光体22
0A(図5では小さな黒丸で示している。)とが混入さ
れた樹脂520Aを埋め込むという手法もある(第5の
実施の形態)。この場合も、発光ダイオードチップ10
0Aの上面から直接外部に放出される青色の光L1と、
下面に向かって放射され、穴111Aに埋め込まれた樹
脂520A中の第1の蛍光体210Aに入射され、赤色
の蛍光となり、ダイボンディング用リード410Aに形
成されたカップ部411Aの底面412Aで反射されて
外部に1出される光L2と、穴151Aに埋め込まれた
第2の蛍光体220Aに入射され、緑色の蛍光となり、
ダイボンディング用リード410Aに形成されたカップ
部411Aの底面412Aで反射されて外部に放出され
る光L3とが混合されることによって白色の光となる。
100Aの下面に反射膜を形成しておけば、カップ部4
11Aの底面412Aでの反射より効率よく光L1、L
2、L3を外部に放出することが可能となる。
係る発光ダイオードランプAでは、第1の蛍光体210
Aと、第2の蛍光体220Aとの両方を用いたが、いず
れか一方の蛍光体のみを用いるようにしてもよい。ただ
し、この場合には、白色の発光は不可能で、中間色、例
えば第1の蛍光体210Aのみを用いた場合には紫色、
第2の蛍光体220Aのみを用いた場合には青緑色の発
光が可能となる。
光を発する第2の蛍光体210Aは、母剤が(Y,C
e)3 Al5 O12で、付活剤にTbを用いたものである
としたが、母材が(Y1-x-y ,Cex )3 (Al1-z ,
Ga)5 O12 で付活剤にTb y を用いた赤色の光を発
する蛍光体を用いることも可能である。なお、0<x<
0.1、0<y≦0.4、0<z≦1である。
1-z ,Ga)5 O12:Tby は、以下のようにして製造
される。まず、Y2 O3 、Ga2 O3 、Ce2 O3 、T
b2O3 を原料として、化学量論比でY:Tb:Ce=
0.798:0.2:0.002、Al:Ga=0.
2:0.8の割合で混合した。この混合物をるつぼ中で
1600℃で2時間焼結し、数回洗浄した後に、ふるい
を用いて分級することによって得た。このようにして得
られた蛍光体の発光スペクトルは図8に示す。
ラリーとしてのち、440nmにピーク波長を有する青
色の光を発する窒化ガリウム系半導体からなる発光ダイ
オードチップ100Aをモールドした発光ダイオードラ
ンプAを製造した。なお、第2の蛍光体220Aとして
は、母剤が(Y,Ce)3 Al5 O12で、付活剤がTb
である蛍光体、すなわち(Y,Ce)3 Al5 O12:T
bを用いた。
れる光の色度座標は、図9に示すようになった。
を発する第1の蛍光体220Aは、、母材が
(Y1-x-y ,Eux )3 (Al1-z ,Ga)5 O12で付
活剤にPry を用いた赤色の光を発する蛍光体を用いる
ことも可能である。なお、0≦x≦0.4、0<y≦
0.1、0≦z≦1である。
1-z ,Ga)5 O12:Pry は、以下のようにして製造
される。まず、Y2 O3 、Al2 O3 、Eu2 O3 、P
r2O3 を原料として、化学量論比でY:Pr:Eu=
0.993:0.006:0.001の割合で混合し
た。この混合物をるつぼ中で1600℃で2時間焼結
し、ふるいを用いて分級した。この蛍光体の発光スペク
トルは図11に示す。
ラリーとしてのち、440nmにピーク波長を有する青
色の光を発する窒化ガリウム系半導体からなる発光ダイ
オードチップ100Aをモールドした発光ダイオードラ
ンプAを製造した。なお、第1の蛍光体210Aとして
は、第1の蛍光体210Aは、母剤が(Y,Ce)3A
l5 O12で、付活剤にPrがである蛍光体、すなわち
(Y,Ce)3 Al5 O 12:Prを用いた。
れる光の色度座標は、図12に示すようになった。
発光スペクトルの主ピークが420〜480nmである
発光ダイオードチップと、この発光ダイオードチップか
らの光を受けて600〜650nmのスペクトルを有す
る蛍光を発する第1の蛍光体と、前記発光ダイオードチ
ップからの光を受けて530〜580nmの範囲でスペ
クトルを有する蛍光を発する第2の蛍光体とを備えてい
る。
は、図6に示すように、第1の蛍光体と第2の蛍光体の
混合の割合を変化させることで、従来のものより広い範
囲での発光が可能となる。
(Y,Ce)3 Al5 O12で、付活剤にPrを用いたも
のであり、前記第2の蛍光体は、母剤が(Y,Ce)3
Al5 O 12で、付活剤にTbを用いたものであればよ
い。
〜480nmである発光ダイオードチップと、この発光
ダイオードチップからの光を受けて600〜650nm
のスペクトルを有する蛍光を発する第1の蛍光体と、前
記発光ダイオードチップからの光を受けて530〜58
0nmの範囲でスペクトルを有する蛍光を発する第2の
蛍光体とのうち、いずれか一方の蛍光体とを備える発光
ダイオードランプでは、中間色の発光が可能になる。
付活剤にPrを用いており、赤色発光する蛍光体や、母
剤が(Y,Ce)3 Al5 O12で付活剤にTbを用いて
おり、緑色発光する蛍光体は、発光スペクトルの主ピー
クが420〜480nmである発光ダイオードチップと
組み合わせることによって、白色の発光や中間色の発光
等が可能になる。
(Y1-x-y ,Cex )3 (Al1-z ,Ga)5 O12で、
付活剤にTby を用いたものを、前記第1の蛍光体とし
ては母剤が(Y1-x-y ,Eux )3 (Al1-z ,Ga)
5 O12で、付活剤にPry を用いたものをそれぞれ使用
すると、従来の発光ダイオードランプでは表現できなか
った中間色表示が可能になるという効果がある。
ドランプの概略的断面図である。
ドランプの要部の概略的断面図である。
ドランプの要部の概略的断面図である。
ドランプの要部の概略的断面図である。
ドランプの要部の概略的断面図である。
プの発光が可能な範囲を示すCIE表色系である。
いられる第2の蛍光体の発光スペクトル図である。
プの発光のCIE表色系である。
プに用いられる第1の蛍光体の発光スペクトル図であ
る。
ンプの発光のCIE表色系である。
れる赤色の光を発する蛍光体の励起スペクトル図であ
る。
Claims (8)
- 【請求項1】 発光スペクトルの主ピークが420〜4
80nmである発光ダイオードチップと、この発光ダイ
オードチップからの光を受けて600〜650nmの範
囲でスペクトルを有する蛍光を発する第1の蛍光体と、
前記発光ダイオードチップからの光を受けて530〜5
80nmの範囲でスペクトルを有する蛍光を発する第2
の蛍光体とを具備したことを特徴とする発光ダイオード
ランプ。 - 【請求項2】 発光スペクトルの主ピークが420〜4
80nmである発光ダイオードチップと、この発光ダイ
オードチップからの光を受けて600〜650nmの範
囲でスペクトルを有する蛍光を発する第1の蛍光体と、
前記発光ダイオードチップからの光を受けて530〜5
80nmの範囲でスペクトルを有する蛍光を発する第2
の蛍光体とのうち、いずれか一方の蛍光体とを具備した
ことを特徴とする発光ダイオードランプ。 - 【請求項3】 前記第1の蛍光体は、母剤が(Y,C
e)3 Al5 O12で、付活剤にPrを用いたものであ
り、前記第2の蛍光体は、母剤が(Y,Ce)3Al5
O12で、付活剤にTbを用いたものであることを特徴と
する請求項1又は2記載の発光ダイオードランプ。 - 【請求項4】 前記第2の蛍光体は、母剤が
(Y1-x-y ,Cex )3 (Al 1-z ,Ga)5 O12で、
付活剤にTby を用いたものであり、前記第1の蛍光体
は、母剤が(Y1-x-y ,Eux )3 (Al1-z ,Ga)
5 O12で、付活剤にPr y を用いたものであることを特
徴とする請求項1又は2記載の発光ダイオードランプ。
ただし、第2の蛍光体では、0<x<0.1、0<y≦
0.4、0<z≦1、第1の蛍光体では、0≦x≦0.
4、0<y≦0.1、0≦z≦1である。 - 【請求項5】 母剤が(Y,Ce)3 Al5 O12で付活
剤にPrを用いており、赤色発光する蛍光体。 - 【請求項6】 母剤が(Y,Ce)3 Al5 O12で付活
剤にTbを用いており、緑色発光する蛍光体。 - 【請求項7】 母材が(Y1-x-y ,Cex )3 (Al
1-z ,Ga)5 O12で付活剤にTby を用いた蛍光体。
ただし、0<x<0.1、0<y≦0.4、0<z≦1
である。 - 【請求項8】 母材が(Y1-x-y ,Eux )3 (Al
1-z ,Ga)5 O12で付活剤にPry を用いた蛍光体。
ただし、0≦x≦0.4、0<y≦0.1、0≦z≦1
である。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001167396A JP4817534B2 (ja) | 2000-06-09 | 2001-06-01 | 発光ダイオードランプ |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000-173675 | 2000-06-09 | ||
JP2000173675 | 2000-06-09 | ||
JP2000173675 | 2000-06-09 | ||
JP2001167396A JP4817534B2 (ja) | 2000-06-09 | 2001-06-01 | 発光ダイオードランプ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002064220A true JP2002064220A (ja) | 2002-02-28 |
JP4817534B2 JP4817534B2 (ja) | 2011-11-16 |
Family
ID=26593642
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001167396A Expired - Fee Related JP4817534B2 (ja) | 2000-06-09 | 2001-06-01 | 発光ダイオードランプ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4817534B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070601 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101208 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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