KR20070104634A - 반도체 제조 장치, 반도체 제조 장치의 유량 보정 방법,프로그램 - Google Patents

반도체 제조 장치, 반도체 제조 장치의 유량 보정 방법,프로그램 Download PDF

Info

Publication number
KR20070104634A
KR20070104634A KR1020077019504A KR20077019504A KR20070104634A KR 20070104634 A KR20070104634 A KR 20070104634A KR 1020077019504 A KR1020077019504 A KR 1020077019504A KR 20077019504 A KR20077019504 A KR 20077019504A KR 20070104634 A KR20070104634 A KR 20070104634A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
flow rate
zero point
point shift
controller
Prior art date
Application number
KR1020077019504A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100915723B1 (ko
Inventor
슈지 모리야
츠네유키 오카베
히로유키 에비
데츠오 시미즈
히토시 기타가와
Original Assignee
동경 엘렉트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동경 엘렉트론 주식회사 filed Critical 동경 엘렉트론 주식회사
Publication of KR20070104634A publication Critical patent/KR20070104634A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100915723B1 publication Critical patent/KR100915723B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D7/00—Control of flow
    • G05D7/06—Control of flow characterised by the use of electric means
    • G05D7/0617—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
    • G05D7/0629—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
    • G05D7/0635—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means
    • G05D7/0641—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means using a plurality of throttling means
    • G05D7/0658—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means using a plurality of throttling means the plurality of throttling means being arranged for the control of a single flow from a plurality of converging flows
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D7/00—Control of flow
    • G05D7/06—Control of flow characterised by the use of electric means

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Flow Control (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Measuring Volume Flow (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

기판 처리시에 실제로 발생할 수 있는 열 사이폰 현상에 의거하는 제로점 시프트량을 정확하게 검출하여 적확한 보정을 한다.
열처리부(110)내에 가스를 공급하는 가스 공급로(210)와, 가스 공급로의 가스유량을 검출하는 검출부로부터의 출력 전압과 미리 설정된 설정유량에 대응하는 설정 전압을 비교하여, 가스 공급로의 가스유량이 설정유량이 되도록 제어하는 MFC(240)와, 제어부(300)를 구비하고, 제어부는 기판 처리를 실행하기 전에 미리, MFC 내를 적어도 기판 처리시에 사용하는 가스에 의해 치환하고 MFC의 상류측과 하류측에 마련되는 차단밸브(230, 250)를 닫은 상태에서 MFC로부터의 출력 전압을 검출해서 기억 수단에 기억해 두며, 기판 처리를 실행할 때에는 기판 처리시에 사용하는 가스의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 기억 수단에 기억된 MFC의 출력 전압에 의거하여 보정하고, 보정한 설정 전압을 MFC에 설정한다.

Description

반도체 제조 장치, 반도체 제조 장치의 유량 보정 방법, 프로그램{SEMICONDUCTOR FABRICATION SYSTEM, AND FLOW RATE CORRECTION METHOD AND PROGRAM FOR SEMICONDUCTOR FABRICATION SYSTEM}
본 발명은 매스플로 콘트롤러 등의 유량 제어기에 의해서 가스나 액체의 유량을 제어하고 기판에 대해 소정의 처리를 실행하는 반도체 제조 장치, 유량 보정 방법, 프로그램에 관한 것이다.
종래부터 반도체 디바이스 등을 제조하기 위한 공정, 예를 들면 성막 가스를 이용한 성막공정, 에칭가스를 이용한 에칭공정 등에서는 각종의 가스나 액체를 반도체 제조 장치에 공급하는 경우 그들의 공급유로에 유량 제어기 예를 들면 매스플로 콘트롤러(MFC)를 마련하고, 이것에 의해서 유량을 제어하고 있다.
이 매스플로 콘트롤러(MFC)는 일반적으로, 공급유로를 유량센서로서 발열 저항선으로 이루어지는 상류측 센서와 하류측 센서를 마련한 측유로와 이것에 병행한 본유로로 분류하도록 구성된다. 상류측 센서에서는 유체가 흐르면 열이 빼앗겨 온도가 하강하고, 반대로 하류측 센서에서는 열이 가해져 온도가 상승한다. 그 결 과, 상류측 센서와 하류측 센서에서는 온도차가 발생하고, 이 온도차를 검출하는 것에 의해 공급유로의 유량을 검출할 수 있다. 매스플로 콘트롤러(MFC)는 이러한 유량센서로부터의 출력에 따라서 유량조정밸브의 개방도를 제어하는 것에 의해서 공급유로의 유량을 설정유량으로 조정하도록 되어 있다.
그런데, 이러한 매스플로 콘트롤러(MFC)는 사용하고 있는 중에, 유량센서가 감겨져 있는 관로의 오염(부식이나 생성물부착 등) 등에 의해서, 실유량(매스플로 콘트롤러를 실제로 통과하는 가스의 유량)이 설정유량으로부터 어긋나는 경우가 있다. 예를 들면 실제유량이 제로(0)인 경우에도, 유량센서에 의해서 검출되는 유량에 상당하는 검출 전압값은 제로(0)가 아니고, 약간 어긋나 오차가 발생하는 경우가 많다(예를 들면 특허문헌 1 참조). 이러한 제로점(영점)의 어긋남(제로점 시프트)에서는 예를 들면 사용 시간에 따라서 서서히 커지는 경향의 것과, 유량에 대한 출력 전압의 변화비율(기울기)이 변동하는 것(스팬 시프트)이 있다. 본 명세서에 있어서는 이러한 제로점 시프트(zero point shift)를 사용에 의거하는 제로점 시프트(제 1 제로점 시프트)라 칭한다.
또한, 매스플로 콘트롤러(MFC)는 그 설치 자세에 따라서도 가스분자량이나 압력 등에 따른 제로점의 어긋남(제로점 시프트)이 발생하는 경우가 있다. 반도체 제조 장치의 소형화나, 배관 계통의 구성상 또는 설치스페이스 등의 관계상, 매스플로 콘트롤러(MFC)의 유량센서가 감겨 마련된 측류부(본유로와 평행한 부분)가 수직인 상태(수직자세)로 되도록 설치하지 않으면 안 되는 경우가 있다.
그런데, 수직자세로 되도록 설치하면, 공급유로에 유체를 흘리지 않아도, 매 스플로 콘트롤러(MFC)내에서 예를 들면 측류부와 본유로의 사이에서 그 온도차에 의해 가스의 분자량이나 압력에 따른 흐름이 생기고, 제로점의 어긋남(제로점 시프트)이 발생하는 경우가 있다. 이 현상은 일반적으로 열 사이폰(thermal siphon)현상이라 불리고 있다(예를 들면 특허문헌 2 참조). 본 명세서에 있어서는 이러한 제로점 시프트를 설치 자세에 의거하는 제로점 시프트(제 2 제로점 시프트)로 칭하여, 상술한 사용에 의거하는 제로점 시프트(제 1 제로점 시프트)와 구별한다. 이 제 2 제로점 시프트가 발생하는 경우에는 그 제 2 제로점 시프트량에 제 1 제로점 시프트량을 가한 것이, 실제로 발생할 수 있는 제로점 시프트량으로 된다. 이와 같이, 매스플로 콘트롤러(MFC)의 제로점 시프트에는 제 1 제로점 시프트 뿐만 아니라, 제 2 제로점 시프트도 포함되는 경우가 있다.
(특허문헌 1) 일본국 특허공개공보 제 2005-38058호
(특허문헌 2) 일본국 특허공개공보 제 11-64060호
이러한 매스플로 콘트롤러(MFC)에 대해, 상술한 제 1 제로점 시프트, 제 2 제로점 시프트 등의 제로점 시프트가 발생하면, 공급유로에 있어서의 가스나 액체의 유량이 설정유량과 실유량에서 어긋나기 때문에, 그 제로점 시프트량이 클수록, 가스나 액체 등의 공급유량 제어의 정밀도가 저하하고, 웨이퍼 W의 처리에 주는 영향도 무시할 수 없게 된다고 하는 문제가 있다.
특히, 반도체 디바이스 등의 패턴이 점점 미세화되고, 각 막의 막두께도 더욱 얇게 되기 때문에, 성막공정, 에칭공정 등의 반도체 제조공정에서는 가스나 액체 등의 공급유량을 더욱 높은 정밀도로 제어할 수 있는 것이 요망되고 있다. 이 때문에, 상기 제로점 시프트에 대한 대책의 중요성도 증대하고 있다.
이 점에서, 예를 들면 특허문헌 1에는 매스플로 콘트롤러(MFC)의 상류측 및 하류측에 마련한 차단밸브를 닫은 상태에서, 즉 실가스(매스플로 콘트롤러를 실제로 통과하는 가스)가 흐르지 않는 상태에서 매스플로 콘트롤러(MFC)의 출력 전압(MFC 출력 전압)을 검출하고, 이것을 보정하는 것에 의해, 가스 공급유량을 더욱 높은 정밀도로 제어하는 기술이 기재되어 있다. 이것에 의하면, 예를 들면 매스플로 콘트롤러(MFC)가 수평자세로 설치되어 있는 경우 등 열 사이폰 현상에 의한 제 2 제로점 시프트가 발생하지 않는 경우에는 제 1 제로점 시프트량을 정확하게 검출할 수 있다. 그런데, 예를 들면 매스플로 콘트롤러(MFC)가 수직자세로 설치되어 있는 경우 등 조건에 따라서는 열 사이폰 현상에 의한 제 2 제로점 시프트가 발생하므로, 충분한 제로점 보정을 할 수 없는 경우가 있다.
즉, 특허문헌 1에서는 제로점 시프트를 검출할 때에 매스플로 콘트롤러(MFC)의 상류측 및 하류측에 마련한 차단밸브를 닫은 상태로 하고 있지만, 이와 같이 실가스가 흐르지 않는 상태로 하고 있어도, 열 사이폰 현상이 발생하는 경우에는 제 2 제로점 시프트가 발생한다. 또한, 그 제 2 제로점 시프트량은 매스플로 콘트롤러(MFC)내에 잔류하는 유체의 유무, 잔류하는 유체종류(분자량)나 압력에 따라서 다르다. 이 때문에, 단지 차단밸브를 닫은 상태에서 제로점 시프트를 검출했다고 해도, 예를 들면 기판 처리시에 사용하는 가스와 다른 가스가 잔류한 상태에서 제로점 시프트를 검출한 경우에는 그 제로점 시프트량에 포함되는 제 2 제로점 시프트량은 기판 처리시에 실제로 발생할 수 있는 제 2 제로점 시프트량과는 다르므로, 기판 처리시에 실제로 발생할 수 있는 제로점 시프트를 정확하게 검출할 수 없어, 충분한 제로점 보정을 할 수 없는 경우가 있다.
또, 특허문헌 2에는 매스플로 콘트롤러(MFC)의 측류부와 본유로 이외에, 측류부와 평행한 평행유로를 마련하고, 이 평행유로를 히터에 의해 가열하는 것에 의해서, 열 사이폰 현상에 의한 매스플로 콘트롤러(MFC) 내부의 흐름을 방지하는 기술이 기재되어 있다. 그런데, 매스플로 콘트롤러(MFC)는 각종 제조회사(메이커)로부터 발매되어 있으며, 임의의 특정한 제조회사의 매스플로 콘트롤러(MFC)를 적용해서 생산라인을 구성한 경우, 매스플로 콘트롤러(MFC)를 타사의 것으로 교환한 경우에는 그 조정을 실행할 수 없는 결점이 있다. 또한 매스플로 콘트롤러(MFC)의 측류부와 평행한 평행유로를 마련하고, 히터를 마련하는 것은 내부의 구성이 복잡하게 되는 동시에, 매스플로 콘트롤러(MFC)의 설치환경이나 사용상황에 의해서는 그것에 따른 히터의 온도 제어가 필요하게 되는 등 매스플로 콘트롤러(MFC) 자체의 제어가 복잡하게 될 우려도 있다.
그래서, 본 발명은 이러한 문제를 감안해서 이루어진 것으로서, 그 목적으로 하는 것은 기판 처리시에 실제로 발생할 수 있는 열 사이폰 현상에 의거하는 제로점 시프트량을 정확하게 검출하여 적확한 보정을 하는 것에 의해, 유량 제어기의 설치 자세에 관계없이, 유량 제어의 정밀도를 더욱 향상시킬 수 있는 반도체 제조 장치, 반도체 제조 장치의 유량 보정 방법, 프로그램을 제공하는 것에 있다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 임의의 관점에 의하면, 기판에 대해 반도체 장치를 제조하기 위한 처리를 실시하는 처리부와, 상기 처리부내에 가스를 공급하는 가스 공급로와, 상기 가스 공급로에 마련되고, 상기 가스 공급로의 가스유량을 검출하는 검출부로부터의 출력 전압과 미리 설정된 설정유량에 대응하는 설정 전압을 비교하여, 상기 가스 공급로의 가스유량이 설정유량이 되도록 제어하는 유량 제어기와, 상기 유량 제어기의 상류측과 하류측에 각각 마련되는 차단밸브와, 상기 가스 공급로에 의해 공급하는 가스의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 유량 제어기에 설정하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는 기판 처리를 실행하기 전에 미리, 상기 유량 제어기내를 적어도 기판 처리시에 사용하는 가스에 의해 치환하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기부터의 출력 전압을 검출하고, 이 출력 전압을 기억 수단에 기억해 두고, 기판 처리를 실행할 때에는 기판 처리시에 사용하는 가스의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 기억 수단에 기억된 상기 유량 제어기의 출력 전압에 의거하여 보정하고, 보정한 가스유량의 설정 전압을 상기 유량 제어기에 설정하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치가 제공된다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 별도의 관점에 의하면, 가스 공급로의 가스유량을 검출하는 검출부로부터의 출력 전압과 미리 설정된 설정유량에 대응하는 설정 전압을 비교하여, 상기 가스 공급로의 가스유량이 설정유량이 되도록 제어하는 유량 제어기를 이용해서 처리부에 가스를 공급하고, 이 처리부내의 기판에 대해 반도체 장치를 제조하기 위한 처리를 실행하는 반도체 제조 장치의 유량 보정 방법으로서, 기판 처리를 실행하기 전에 미리, 상기 유량 제어기내를 적어도 기판 처리시에 사용하는 가스에 의해 치환하고 상기 유량 제어기의 상류측 및 하류측에 마련된 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기로부터의 출력 전압을 검출하고, 이 출력 전압을 제로점 시프트량으로서 기억 수단에 기억하는 제로점 시프트 검출공정과, 기판 처리를 실행할 때에, 기판 처리시에 사용하는 가스의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 기억 수단에 기억된 상기 유량 제어기의 제로점 시프트량에 의거하여 보정하고, 보정한 가스유량의 설정 전압을 상기 유량 제어기에 설정하는 제로점 시프트 보정공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 유량 보정 방법이 제공된다.
이러한 장치 또는 방법에 따르면, 실제의 기판 처리시에 발생할 수 있는 열 사이폰 현상에 의거하는 제로점 시프트량(제 2 제로점 시프트량)을 정확하게 검출할 수 있다. 즉, 열 사이폰 현상에 의거하는 제로점 시프트량의 크기는 가스종(가스의 분자량)에 따라서 다르기 때문에, 기판 처리시에 사용하는 가스를 이용하여 열 사이폰 현상에 의거하는 제로점 시프트량(제 2 제로점 시프트량)을 검출하는 것에 의해서, 실제의 기판 처리시에 발생할 수 있는 제로점 시프트량을 정확하게 검출할 수 있다.
또한, 검출한 열 사이폰 현상에 의거하는 제로점 시프트량(제 2 제로점 시프트량)을 기억해 두고, 기판 처리를 실행할 때에, 기판 처리시에 사용하는 가스유량에 대응하는 설정 전압을 보정하는 것에 의해서, 제 2 제로점 시프트량을 적확하게 보정할 수 있다. 이것에 의해, 유량 제어기의 설치 자세에 관계없이, 유량 제어의 정밀도를 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 유량 제어기의 구성에 관계없이, 열 사이폰 현상에 의거하는 제로점 시프트량을 정확하게 검출하여 보정할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 별도의 관점에 의하면, 기판에 대해 반도체 장치를 제조하기 위한 처리를 실시하는 처리부와, 상기 처리부내에 복수종의 가스를 각각 공급하는 복수의 가스 공급로와, 상기 각 가스 공급로에 각각 마련되고, 상기 가스 공급로의 가스유량을 검출하는 검출부로부터의 출력 전압과 미리 설정된 설정유량에 대응하는 설정 전압을 비교하여, 상기 가스 공급로의 가스유량이 설정유량이 되도록 제어하는 복수의 유량 제어기와, 상기 각 유량 제어기의 상류측과 하류측에 각각 마련되는 차단밸브와, 상기 각 가스 공급로에 의해 공급하는 가스의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 각 유량 제어기에 설정하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는 기판 처리를 실행하기 전에 미리, 상기 각 유량 제어기마다 상기 각 유량 제어기내를 적어도 기판 처리시에 사용하는 가스에 의해 치환하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기로부터의 출력 전압을 검출하고, 각 유량 제어기마다의 출력 전압을 기억 수단에 기억해 두고, 기판 처리를 실행할 때에는 상기 각 유량 제어기마다 기판 처리시에 사용하는 가스종의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 기억 수단에 상기 각 유량 제어기마다 기억된 출력 전압에 의거하여 각각 보정하고, 보정한 가스유량의 설정 전압을 상기 각 유량 제어기마다 각각 설정하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치가 제공된다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 별도의 관점에 의하면, 가스 공급로의 가스유량을 검출하는 검출부로부터의 출력 전압과 미리 설정된 설정유량에 대응하는 설정 전압을 비교하여, 상기 가스 공급로의 가스유량이 설정유량이 되도록 제어하는 유량 제어기를 이용해서 처리부에 가스를 공급하고, 이 처리부내의 기판에 대해 반도체 장치를 제조하기 위한 처리를 실행하는 반도체 제조 장치의 유량 보정 방법으로서, 기판 처리를 실행하기 전에 미리, 상기 유량 제어기내를 적어도 기판 처리시에 사용하는 가스에 의해 치환하고 상기 유량 제어기의 상류측 및 하류측에 마련된 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기부터의 출력 전압을 검출하고, 이 출력 전압을 제로점 시프트량으로서 기억 수단에 기억하는 제로점 시프트 검출공정과, 기판 처리를 실행할 때에, 기판 처리시에 사용하는 가스의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 기억 수단에 기억된 상기 유량 제어기의 제로점 시프트량에 의거하여 보정하고, 보정한 가스유량의 설정 전압을 상기 유량 제어기에 설정하는 제로점 시프트 보정공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 유량 보정 방법이 제공된다.
이러한 장치 또는 방법에 의하면, 복수의 유량 제어기를 사용해서 처리부에 복수의 가스종을 공급하여 기판 처리를 실행하는 경우에도, 각 유량 제어기에 대해 기판 처리시에 실제로 발생할 수 있는 열 사이폰 현상에 의거하는 제로점 시프트량을 정확하게 검출하여 적확한 보정을 할 수 있다. 이것에 의해, 각 유량 제어기의 설치 자세에 관계없이, 유량 제어의 정밀도를 더욱 향상시킬 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 별도의 관점에 의하면, 기판에 대해 반도체 장치를 제조하기 위한 처리를 실시하는 처리부와, 상기 처리부내에 복수종의 가스를 각각 공급하는 복수의 가스 공급로와, 상기 각 가스 공급로가 합류하는 합류로에 마련되고, 상기 가스 공급로의 가스유량을 검출하는 검출부로부터의 출력 전압과 미리 설정된 설정유량에 대응하는 설정 전압을 비교하여, 상기 가스 공급로의 가스유량이 설정유량이 되도록 제어하는 공통의 유량 제어기와, 상기 유량 제어기의 하류측의 상기 각 가스 공급로에 각각 마련되는 하류측 차단밸브와, 상기 유량 제어기의 상류측에 마련되는 상류측 차단밸브와, 상기 각 가스 공급로에 의해 공급하는 각 가스종의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 유량 제어기에 각각 설정하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는 기판 처리를 실행하기 전에 미리, 기판 처리시에 사용하는 각 가스종마다 상기 각 유량 제어기내를 적어도 상기 가스에 의해 치환해서 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기로부터의 출력 전압을 검출하여, 각 가스종마다의 출력 전압을 기억 수단에 기억해 두고, 기판 처리를 실행할 때에는 기판 처리에 사용하는 각 가스종의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 기억 수단에 기억된 각 가스종에 대한 상기 유량 제어기의 출력 전압에 의거하여 각각 보정하고, 보정한 가스유량의 설정 전압을 상기 유량 제어기에 각각 설정하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치가 제공된다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 별도의 관점에 의하면, 가스 공급로의 가스유량을 검출하는 검출부로부터의 출력 전압과 미리 설정된 설정유량에 대응하는 설정 전압을 비교하여, 상기 가스 공급로의 가스유량이 설정유량이 되도록 제어하는 유량 제어기를 이용해서 처리부에 복수종의 가스를 공급하고, 이 처리부내의 기판에 대해 반도체 장치를 제조하기 위한 처리를 실행하는 반도체 제조 장치의 유량 보정 방법으로서, 기판 처리를 실행하기 전에 미리, 기판 처리시에 사용하는 각 가스종마다 상기 각 유량 제어기내를 적어도 상기 가스에 의해 치환해서 상기 유량 제어기의 상류측과 하류측에 마련된 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기로부터의 출력 전압을 검출하고, 각 가스종마다의 출력 전압을 제로점 시프트량으로서 기억 수단에 기억하는 제로점 시프트 검출공정과, 기판 처리를 실행할 때에, 기판 처리에 사용하는 각 가스종의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 기억 수단에 기억된 각 가스종에 대한 제로점 시프트량에 의거하여 각각 보정하고, 보정한 가스유량의 설정 전압을 상기 유량 제어기에 각각 설정하는 제로점 시프트 보정공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 유량 보정 방법이 제공된다.
이러한 장치 또는 방법에 따르면, 공통의 유량 제어기를 사용하여 처리부에 복수의 가스종을 각각 공급하여 기판 처리를 하는 경우에도, 기판 처리시에 각 가스종을 사용할 때에 실제로 발생할 수 있는 열 사이폰 현상에 의거하는 제로점 시프트량을 정확하게 검출하여 적확한 보정을 할 수 있다. 이것에 의해, 유량 제어기의 설치 자세에 관계없이, 유량 제어의 정밀도를 더욱 향상시킬 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 별도의 관점에 의하면, 기판에 대해 반도체 장치를 제조하기 위한 처리를 실시하는 처리부와, 상기 처리부내에 가스를 공급하는 가스 공급로와, 상기 가스 공급로에 마련되고, 상기 가스 공급로의 가스유량을 검출하는 검출부로부터의 출력 전압과 미리 설정된 설정유량에 대응하는 설정 전압을 비교하여, 상기 가스 공급로의 가스유량이 설정유량이 되도록 제어하는 유량 제어기와, 상기 유량 제어기의 상류측과 하류측에 각각 마련되는 차단밸브와, 상기 유량 제어기내를 진공배기 가능한 진공배기 수단과, 상기 가스 공급로에 의해 공급하는 가스의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 유량 제어기에 설정하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는 기판 처리를 실행하기 전에 미리, 상기 유량 제어기내를 상기 진공배기 수단에 의해 진공배기하여 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기의 출력 전압을 제 1 제로점 시프트량으로서 검출하고, 이 제 1 제로점 시프트량에 의거하여 제로점보정을 실행한 후에, 상기 유량 제어기내를 적어도 기판 처리시와 마찬가지의 가스에 의해 치환해서 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기로부터의 출력 전압을 검출하고, 이 출력 전압을 제 2 제로점 시프트량으로서 기억 수단에 기억해 두고, 기판 처리를 실행할 때에는 상기 유량 제어기내를 상기 진공배기 수단에 의해 진공배기하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기의 출력 전압을 제 1 제로점 시프트량으로서 검출하고, 이 제 1 제로점 시프트량에 의거하여 제로점보정을 한 후에, 기판 처리에 사용하는 가스의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 기억 수단에 기억된 상기 제 2 제로점 시프트량에 의거하여 보정하고, 보정한 가스유량의 설정 전압을 상기 유량 제어기에 설정하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치가 제공된다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 별도의 관점에 의하면, 가스 공급로의 가스유량을 검출하는 검출부로부터의 출력 전압과 미리 설정된 설정유량에 대응하는 설정 전압을 비교하여, 상기 가스 공급로의 가스유량이 설정유량이 되도록 제어하는 유량 제어기를 이용해서 처리부에 가스를 공급하고, 이 처리부내의 기판에 대해 반도체 장치를 제조하기 위한 처리를 실행하는 반도체 제조 장치의 유량 보정 방법으로서, 기판 처리를 실행하기 전에 미리, 상기 유량 제어기내를 진공배기 수단에 의해 진공배기하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기의 출력 전압을 제 1 제로점 시프트량으로서 검출하고, 이 제 1 제로점 시프트량에 의거하여 제로점 보정을 실행한 후에, 상기 유량 제어기내를 적어도 기판 처리시와 마찬가지의 가스에 의해 치환하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기로부터의 출력 전압을 검출하고, 이 출력 전압을 제 2 제로점 시프트량으로서 기억 수단에 기억하는 제 2 제로점 시프트 검출공정과, 기판 처리를 실행할 때에, 상기 유량 제어기내를 진공배기 수단에 의해 진공배기하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기의 출력 전압을 제 1 제로점 시프트량으로서 검출하고, 이 제 1 제로점 시프트량에 의거하여 제로점보정을 실행한 후에, 기판 처리에 사용하는 가스의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 기억 수단에 기억된 상기 제 2 제로점 시프트량에 의거하여 보정하고, 보정한 가스유량의 설정 전압을 상기 유량 제어기에 설정하는 제 2 제로점 시프트 보정공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 유량 보정 방법이 제공된다.
이러한 장치 또는 방법에 따르면, 열 사이폰 현상에 의거하는 제 2 제로점 시프트량을 검출하기 전에, 유량 제어기의 사용에 의거하는 제 1 제로점 시프트량을 검출하여 보정하므로, 제 1 제로점 시프트에 영향받는 일 없이, 열 사이폰 현상에 의거하는 제 2 제로점 시프트량을 정확하게 검출할 수 있다. 또한, 제 1 제로점 시프트량을 검출할 때에는 유량 제어기의 각 차단밸브를 닫고 실가스가 흐르지 않는 상태로 할 뿐만 아니라, 유량 제어기내를 진공배기하므로 유량 제어기내에는 흐름을 발생할 수 있는 유체 자체가 없는 진공 상태가 된다. 이 때문에, 열 사이폰 현상이 발생하지 않으므로, 이 열 사이폰 현상에 의거하는 제 2 제로점 시프트도 없는 상태에서 제 1 제로점 시프트량을 검출할 수 있다. 이것에 의해, 정확하게 제 1 제로점 시프트량을 검출할 수 있다.
또한, 기판 처리를 실행할 때에도, 열 사이폰 현상에 의거하는 제 2 제로점 시프트량을 보정하기 전에, 유량 제어기의 사용에 의거하는 제 1 제로점 시프트를 검출하여 보정하므로, 제 1 제로점 시프트에 영향되는 일 없이, 열 사이폰 현상에 의거하는 제 2 제로점 시프트량을 적확하게 보정할 수 있다. 이것에 의해, 유량 제어기의 설치 자세에 관계없이, 유량 제어의 정밀도를 더욱 향상시킬 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 별도의 관점에 의하면, 기판에 대해 반도체 장치를 제조하기 위한 처리를 실시하는 처리부와, 상기 처리부내에 가스를 공급하는 가스 공급로와, 상기 가스 공급로에 마련되고, 상기 가스 공급로의 가스유량을 검출하는 검출부로부터의 출력 전압과 미리 설정된 설정유량에 대응하는 설정 전압을 비교하여, 상기 가스 공급로의 가스유량이 설정유량이 되도록 제어하는 유량 제어기와, 상기 유량 제어기의 상류측과 하류측에 각각 마련되는 차단밸브와, 상기 유량 제어기내를 진공배기 가능한 진공배기 수단과, 상기 가스 공급로에 의해 공급하는 가스의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 유량 제어기에 설정하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는 기판 처리를 실행하기 전에 미리, 상기 유량 제어기내를 상기 진공배기 수단에 의해 진공배기하여 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기의 출력 전압을 제 1 제로점 시프트량으로서 검출하고, 이 제 1 제로점 시프트량에 의거하여 제로점보정을 실행한 후에, 상기 유량 제어기내를 적어도 기판 처리시와 마찬가지의 가스에 의해 치환하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기로부터의 출력 전압을 검출하고, 이 출력 전압을 제 2 제로점 시프트량으로서 기억 수단에 기억해 두며, 기판 처리를 실행할 때는 상기 유량 제어기내를 진공배기 수단에 의해 진공배기하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기의 출력 전압을 제 1 제로점 시프트량으로서 검출하고, 기판 처리에 사용하는 가스의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 기억 수단에 기억된 상기 제 2 제로점 시프트량 및 기판 처리를 실행할 때에 검출한 상기 제 1 제로점 시프트량에 의거하여 보정하고, 보정한 가스유량의 설정 전압을 상기 유량 제어기에 설정하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치가 제공된다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 별도의 관점에 의하면, 가스 공급로의 가스유량을 검출하는 검출부로부터의 출력 전압과 미리 설정된 설정유량에 대응하는 설정 전압을 비교하여, 상기 가스 공급로의 가스유량이 설정유량이 되도록 제어하는 유량 제어기를 이용해서 처리부에 가스를 공급하고, 이 처리부내의 기판에 대해 반도체 장치를 제조하기 위한 처리를 실행하는 반도체 제조 장치의 유량 보정 방법으로서, 기판 처리를 실행하기 전에 미리, 상기 유량 제어기내를 진공배기 수단에 의해 진공배기하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기의 출력 전압을 제 1 제로점 시프트량으로서 검출하고, 이 제 1 제로점 시프트량에 의거하여 제로점보정을 실행한 후에, 상기 유량 제어기내를 적어도 기판 처리시와 마찬가지의 가스에 의해 치환하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기로부터의 출력 전압을 검출하고, 이 출력 전압을 제 2 제로점 시프트량으로서 기억 수단에 기억하는 제 2 제로점 시프트 검출공정과, 기판 처리를 실행할 때에, 상기 유량 제어기내를 진공배기 수단에 의해 진공배기하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기의 출력 전압을 제 1 제로점 시프트량으로서 검출하고, 기판 처리에 사용하는 가스의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 기억 수단에 기억된 상기 제 2 제로점 시프트량 및 기판 처리를 실행할 때에 검출한 상기 제 1 제로점 시프트량에 의거하여 보정하고, 보정한 가스유량의 설정 전압을 상기 유량 제어기에 설정하는 제 2 제로점 시프트 보정공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 유량 보정 방법이 제공된다.
이러한 장치 또는 방법에 따르면, 기판 처리를 실행할 때에, 제 1 제로점 시프트량과 제 2 제로점 시프트량을 검출하고, 제 1 제로점 시프트량과 제 2 제로점 시프트량의 양쪽에 의거하여 기판 처리시에 사용하는 가스유량에 대응하는 설정 전압을 보정하기 때문에, 제 1 제로점 시프트량과 제 2 제로점 시프트량을 동시에 보정할 수 있다. 이것에 의해, 유량 제어기의 설치 자세에 관계없이, 유량 제어의 정밀도를 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 기억 수단에, 제 1 제로점 시프트량을 검출할 때마다 누적한 제 1 제로점 시프트량에 대해서도 기억하며, 상기 제 1 제로점 시프트량을 검출했을 때에, 그 제 1 제로점 시프트량을 전회까지 누적된 제 1 제로점 시프트량에 가한 값이, 미리 정한 임계값을 어긋난 경우에 알림 처리를 실행하도록 해도 좋다. 이것에 의해, 유량 제어기의 고장이나 교환시기 등을 알릴 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 별도의 관점에 의하면, 가스 공급로의 가스유량을 검출하는 검출부로부터의 출력 전압과 미리 설정된 설정유량에 대응하는 설정 전압을 비교하여, 상기 가스 공급로의 가스유량이 설정유량이 되도록 제어하는 유량 제어기를 이용하여 처리부에 가스를 공급하고, 이 처리부내의 기판에 대해 반도체 장치를 제조하기 위한 처리를 실행하는 반도체 제조 장치의 유량 보정 처리를 실행하기 위한 프로그램으로서, 컴퓨터에, 기판 처리를 실행하기 전에 미리, 상기 유량 제어기내를 적어도 기판 처리시에 사용하는 가스에 의해 치환하고 상기 유량 제어기의 상류측 및 하류측에 마련된 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기로부터의 출력 전압을 검출하고, 이 출력 전압을 제로점 시프트량으로서 기억 수단에 기억하는 제로점 시프트 검출 처리와, 기판 처리를 실행할 때에, 기판 처리시에 사용하는 가스의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 기억 수단에 기억된 상기 유량 제어기의 제로점 시프트량에 의거하여 보정하고, 보정한 가스유량의 설정 전압을 상기 유량 제어기에 설정하는 제로점 시프트 보정 처리를 실행시키기 위한 프로그램이 제공된다.
이러한 프로그램에 따르면, 실제의 기판 처리시에 발생할 수 있는 열 사이폰 현상에 의거하는 제로점 시프트량(제 2 제로점 시프트량)을 정확하게 검출할 수 있고, 적확하게 보정할 수 있는 유량 제어 처리를 실행시킬 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 별도의 관점에 의하면, 가스 공급로의 가스유량을 검출하는 검출부로부터의 출력 전압과 미리 설정된 설정유량에 대응하는 설정 전압을 비교하여, 상기 가스 공급로의 가스유량이 설정유량이 되도록 제어하는 유량 제어기를 이용해서 처리부에 가스를 공급하고, 이 처리부내의 기판에 대해 반도체 장치를 제조하기 위한 처리를 실행하는 반도체 제조 장치의 유량 보정 처리를 실행하기 위한 프로그램으로서, 컴퓨터에, 기판 처리를 실행하기 전에 미리, 상기 유량 제어기내를 진공배기 수단에 의해 진공배기하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기의 출력 전압을 제 1 제로점 시프트량으로서 검출하고, 이 제 1 제로점 시프트량에 의거하여 제로점보정을 한 후에, 상기 유량 제어기내를 적어도 기판 처리시와 마찬가지의 가스에 의해 치환하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기부터의 출력 전압을 검출하고, 이 출력 전압을 제 2 제로점 시프트량으로서 기억 수단에 기억하는 제 2 제로점 시프트 검출 처리와, 기판 처리를 실행할 때에, 상기 유량 제어기내를 진공배기 수단에 의해 진공배기하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기의 출력 전압을 제 1 제로점 시프트량으로서 검출하고, 이 제 1 제로점 시프트량에 의거하여 제로점보정을 한 후에, 기판 처리에 사용하는 가스의 가스유량에 대응하는 보정 전압을 상기 기억 수단에 기억된 상기 제 2 제로점 시프트량에 의거하여 보정하고, 보정한 가스유량의 설정 전압을 상기 유량 제어기에 설정하는 제 2 제로점 시프트 보정 처리를 실행시키기 위한 프로그램이 제공된다.
이러한 프로그램에 따르면, 유량 제어기의 사용에 의거하는 제 1 제로점 시프트량을 제 2 제로점 시프트량의 영향이 없는 상태에서 정확하게 검출하여 보정할 수 있음과 동시에, 열 사이폰 현상에 의거하는 제 2 제로점 시프트량을 제 1 제로점 시프트량의 영향이 없는 상태에서 정확하게 검출하여 보정할 수 있는 유량 제어 처리를 실행시킬 수 있다.
본 발명에 의하면, 기판 처리시에 실제로 발생할 수 있는 열 사이폰 현상에 의거하는 제로점 시프트량을 정확하게 검출하여 적확한 보정을 할 수 있다. 이것에 의해, 유량 제어기의 설치 자세에 관계없이, 유량 제어의 정밀도를 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 유량 제어기의 구성에 관계없이, 열 사이폰 현상에 의거하는 제로점 시프트량을 정확하게 검출하여 보정할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 관한 반도체 제조 장치의 구성예를 나타내는 블럭도,
도 2는 도 1에 나타내는 매스플로 콘트롤러의 구성예를 나타내는 도면,
도 3은 제 2 제로점 시프트량과 가스종의 관계를 나타내는 도면,
도 4는 도 1에 나타내는 제어부의 구성예를 나타내는 블럭도,
도 5는 동 실시형태에 있어서의 제 1 제로점 시프트 정보의 구체예를 나타내는 도면,
도 6은 동 실시형태에 있어서의 제 2 제로점 시프트 정보의 구체예를 나타내는 도면,
도 7은 유량 보정 처리를 나타내는 흐름도,
도 8은 제 1 제로점 시프트 검출 처리를 나타내는 흐름도,
도 9는 제 1 제로점 시프트 보정 처리를 나타내는 흐름도,
도 10은 제 2 제로점 시프트 검출 처리를 나타내는 흐름도,
도 11은 제 2 제로점 시프트 보정 처리를 나타내는 흐름도,
도 12는 본 발명의 제 2 실시형태에 관한 반도체 제조 장치의 구성예를 나타내는 블럭도,
도 13은 동 실시형태에 있어서의 제 1 제로점 시프트 정보의 구체예를 나타내는 도면,
도 14는 동 실시형태에 있어서의 제 2 제로점 시프트 정보의 구체예를 나타내는 도면.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
100 열처리 장치
110 열처리부
112 반응튜브
114 유지기구
120 배기계
122 배기관
124 진공배기 수단
130 바이패스라인
132 바이패스관
134 배기측 바이패스 차단밸브
136 공급측 바이패스 차단밸브
200 가스 공급계
202 가스 공급관
204 주밸브
210(210A∼210D) 가스 공급로
212(212A∼212D) 가스 공급관
220(220A∼220D) 가스공급원
222(222A∼222D) 레귤레이터
224(224A∼224D) 압력계
230(230A∼230D) 제 1 차단밸브(상류측 차단밸브)
240(240A∼240C) 매스플로 콘트롤러(MFC)
241 본유로
242 측유로
243 상류측 센서
244 하류측 센서
245 바이패스로
246 제어 밸브(유량조정밸브)
247 MFC 제어 회로
250(250A∼250C) 제 2 차단밸브(하류측 차단밸브)
260(260A∼260D) 역류방지밸브
262(262A∼262C) 차단밸브
300 제어부
310 CPU
320 RAM
330 표시 수단
340 입출력 수단
350 알림 수단
360 각 부 콘트롤러
370 프로그램 데이터 기억 수단
371 프로세스 처리 프로그램
372 유량 보정 처리 프로그램
373 제 1 제로점 시프트 검출 처리 프로그램
374 제 1 제로점 시프트 보정 처리 프로그램
375 제 2 제로점 시프트 검출 처리 프로그램
376 제 2 제로점 시프트 보정 처리 프로그램
380 처리 데이터 기억 수단
381 프로세스 처리 정보
382 유량 보정 정보
W 웨이퍼
이하에 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해서 상세하게 설명한다. 또, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능구성을 갖는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 붙이는 것에 의해 중복설명을 생략한다.
(제 1 실시형태에 관한 반도체 제조 장치의 구성예)
우선, 본 발명을 제 1 실시형태에 관한 반도체 제조 장치에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 여기서는 반도체 제조 장치로서, 기판 예를 들면 반도체 웨이퍼(이하, 단지 「웨이퍼」라고도 함)에 대해 소정의 열처리를 실행하는 열처리 장치를 예로 들어 설명한다. 도 1은 제 1 실시형태에 관한 열처리 장치의 구성예를 나타내는 도면이다. 열처리 장치(100)는 웨이퍼 W에 대해 처리(예를 들면 열처리)를 실행하는 처리부로서의 열처리부(110)를 구비한다. 열처리부(110)는 예를 들면 도 1에 나타내는 바와 같이 반응용기(처리용기) 또는 반응실(처리실)을 구성하는 종형의 반응튜브(112)로 구성된다. 이 반응튜브(112)내에는 웨이퍼 W를 복수개 탑재한 유지기구(114)를 반입할 수 있도록 되어 있다. 열처리부(110)에는 반응튜브(112)내의 배기를 실행하는 배기계(120)와, 반응튜브(112)내에 소정의 가스를 공급하기 위한 가스 공급계(200)와, 반응튜브(112)의 외측에 배치된 도시하지 않은 가열 수단(예를 들면 히터)을 구비한다.
열처리부(110)는 반응튜브(112)내에 웨이퍼 W를 복수개 탑재한 유지기 구(114)를 반입한 상태에서, 가스 공급계(200)에 의해 반응튜브(112)내에 소정의 가스를 공급함과 동시에 배기계(120)에 의해 반응튜브(112)내의 배기를 실행하면서, 가열 수단에 의해 반응튜브(112)의 외측으로부터 가열하는 것에 의해 웨이퍼 W에 대해 소정의 열처리를 실행하도록 되어 있다.
배기계(120)는 예를 들면 진공 펌프 등으로 구성되는 진공배기 수단(124)을 반응튜브(112)의 천장에 배기관(122)을 거쳐서 접속하여 구성된다. 가스 공급계(200)는 예를 들면 가스 공급관(202)에 복수 종의 가스를 각각 공급하기 위한 각 가스 공급로(210A∼210D)를 접속하여 구성된다. 가스 공급관(202)은 주밸브(204)를 거쳐서 반응튜브(112)의 아래쪽 측면에 접속하고 있다.
또한, 배기계(120)의 배기관(122)은 바이패스라인(130)을 거쳐서 가스 공급계(200)의 가스 공급관(202)에 우회하여 접속하고 있다. 바이패스라인(130)은 가스 공급관(202)에 있어서의 각 가스 공급로(210A∼210D)의 접속부보다 하류측이고 주밸브(204)보다 상류측의 부위에 바이패스관(132)을 접속하여 구성된다. 바이패스관(132)의 배기계(120)측에는 배기측 바이패스 차단밸브(134)가 접속되어 있고, 바이패스관(132)의 가스 공급계(200)측에는 공급측 바이패스 차단밸브(136)가 접속되어 있다.
여기서, 가스 공급계(200)의 각 가스 공급로(210A∼210D)에 대해 설명한다. 도 1에 나타내는 열처리 장치(100)에서는 반응튜브(112)에 4종의 가스(SiH4 가스, Si2H6 가스, SiH2C12 가스, N2 가스)를 공급 가능하게 구성한 경우를 예로 들고 있 다. 이들 가스 중, SiH4 가스, Si2H6 가스, SiH2Cl2 가스는 주로 반응 가스로서 사용되며, N2 가스는 주로 각 가스 공급로(210A∼210D) 또는 반응튜브(110)를 퍼지하기 위한 퍼지 가스로서 사용된다.
이와 같이 반응 가스로서 사용되는 SiH4 가스, Si2H6 가스, SiH2C12 가스의 가스공급로(210A∼210C)에 대해서는 마찬가지로 구성된다. 즉, 각 가스 공급로(210A∼210C)는 각각 SiH4 가스, Si2H6 가스, SiH2Cl2 가스에 대한 가스 공급원(222A∼220C)을 구비하고, 각 가스 공급원(220A∼220C)은 각각 가스 공급관(212A∼212C)을 거쳐서 가스 공급관(202)에 합류하도록 접속하고 있다.
각 가스 공급로(210A∼210C)의 가스 공급관(212A∼212C)에는 가스 공급원(220A∼220C)으로부터의 가스의 유량을 조정하기 위한 유량 제어기의 일예로서 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A∼240C)가 마련되어 있다. 여기서의 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A∼240C)는 각각 용량이 다른 것을 사용해도 좋다. 예를 들면 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A∼240C)를 각각 500cc, 3000cc, 2000cc의 용량의 것을 사용한다.
각 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A∼240C)의 상류측 및 하류측에는 각각 제 1 차단밸브(상류측 차단밸브)(230A∼230C), 제 2 차단밸브(하류측 차단밸브)(250A∼250C)가 마련되어 있다. 제 1 차단밸브(230A∼230C), 제 2 차단밸브(250A∼250C)의 쌍방을 닫음으로써, 각 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A∼240C)에 있어서의 유체의 흐름(본 구체예에서는 가스의 흐름)을 차단할 수 있다. 즉 각 매스플로 콘트롤 러(MFC)(240A∼240C)를 실제로 통과하는 가스의 유량을 0으로 할 수 있도록 되어 있다.
또, 도 1에 나타내는 바와 같이 가스 공급원(220A∼220C)과 제 1 차단밸브(상류측 차단밸브)(230A∼230C)의 사이에는 레귤레이터(222A∼222C)와 압력계(PT)(224A∼224C)를 마련하도록 해도 좋다.
한편, 퍼지 가스로서 사용되는 N2 가스의 가스 공급로(210D)는 N2 가스의 가스공급원(210D)을 구비하고, 이 가스 공급원(210D)으로부터의 N2 가스를 다른 각 가스 공급로(210A∼210C)의 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A∼240C), 제 2 차단밸브(250A∼250C)를 거쳐서 반응튜브(112)에 공급할 수 있도록 되어 있다. 이것에 의해, N2 가스에 대해서는 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A∼240C)를 이용할 수 있기 때문에, 개별적으로 매스플로 콘트롤러(MFC)를 마련할 필요가 없어진다.
구체적으로는 N2 가스의 가스 공급원(220D)은 가스 공급관(212D)에 의해 역류방지밸브(260A∼260C), 차단밸브(262A∼262C)를 각각 거쳐서 각 가스 공급로(210A∼210C)의 제 1 차단밸브(230A∼230C)와 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A∼240C)의 사이에 접속하고 있다. 또한, 가스 공급로(210D)의 가스 공급관(212D)에는 다른 가스 공급로(210A∼210C)와 마찬가지로, 레귤레이터(222D), 압력계(PT)(224D), 제 1 차단밸브(상류측 차단밸브)(230D)가 접속하고 있다. 또, N2 가스의 유량을 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A∼240C)에서 제어하는 경우에는 상기 차 단밸브(262A∼262C)를 매스플로 콘트롤러(MFC)의 상류측에 마련되는 제 1 차단밸브(상류측 차단밸브)로서 제어하도록 해도 좋다.
여기서, 매스플로 콘트롤러(MFC)에 대해 도면을 참조하면서 설명한다. 도 2는 본 실시형태에 관한 매스플로 콘트롤러(MFC)의 구성예를 나타내는 도면이다. 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A∼240C)는 마찬가지의 구성이기 때문에, 각 구성요소를 나타내는 부호에서 A∼C를 생략하여 대표적으로 설명한다. 따라서, 예를 들면 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)라는 경우는 각 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A∼240C)를 나타낸다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)는 그 내부에서 가스 공급관(212)을 분류하는 본유로(241)와 측류부(242)를 구비한다. 구체적으로는 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)내에 있어서, 가스도입구로부터 도입되는 가스 공급관(212)으로부터의 가스는 본유로(241)와 측류부(242)에 의해서 일단 분류되고, 재차 합류하고 나서, 유량조정부인 제어 밸브(유량조정밸브)(246)를 거쳐서 가스도출구로부터 가스 공급관(212)으로 도출된다.
측류부(242)에는 가스 공급관(212)내에 있어서의 유량을 계측하기 위한 유량센서가 마련되어 있다. 유량센서는 측류부(242)의 상류측에 마련되는 상류측 센서(243)와, 측류부(242)의 하류측에 마련되는 하류측 센서(244)로 이루어진다. 상류측 센서(243)와 하류측 센서(244)는 예를 들면 발열 저항선에 의해 구성된다.
본유로(241)에는 바이패스로(245)가 마련되어 있다. 이 바이패스로(245)는 본유로(241)에 있어서의 유량, 온도, 압력 등을 측유로(242)와 마찬가지의 특성으 로 되도록 구성되어 있다. 이것에 의해, 유량센서(상류측 센서(243), 하류측 센서(244))에 있어서의 측정오차를 방지할 수 있다.
이러한 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)의 유량 검출원리는 다음과 같다. 즉, 상류측 센서(243)에서는 유체가 흐르면 열이 빼앗겨 온도가 하강하고, 반대로 하류측 센서(244)에서는 열이 가해져 온도가 상승한다. 이 결과, 상류측 센서(243)와 하류측 센서(244)에서는 온도차가 발생하고, 이 온도차에 따른 출력 전압(MFC 출력 전압)을 검출하는 것에 의해서 유량을 검출할 수 있도록 되어 있다.
매스플로 콘트롤러(MFC)(240)에는 유량센서(상류측 센서(243), 하류측 센서(244))로부터의 출력에 따라서 제어 밸브(유량조정밸브)(246)의 개방도를 제어하는 것에 의해서 가스 공급관(212)의 유량을 설정유량으로 조정하는 MFC 제어 회로(247)가 마련되어 있다. MFC 제어 회로(247)는 도시는 하지 않지만, 예를 들면 상류측 센서(243)와 하류측 센서(244)의 저항값의 차를 전압 신호로서 검출하는 브리지 회로 및 그 전압 신호를 증폭하는 증폭 회로로 이루어지는 유량 검출부의 이외에, 설정유량으로서 수신하는 설정 신호(설정 전압)와 증폭 회로(37)로부터의 전압을 비교하고, 그 비교 결과(편차)에 따라서 제어 밸브(246)의 개방도를 조정하기 위한 조작 신호를 제어 밸브(246)에 출력하는 비교부 등을 구비한다.
MFC 제어 회로(247)는 예를 들면 신호 변환부(도시하지 않음)를 거쳐서 열처리 장치(100)의 제어부(300)에 접속하고 있다. 이 신호 변환부는 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)로부터의 아날로그 신호를 디지탈 신호로 변환하고, 제어부(300)로부터의 디지탈 신호를 아날로그 신호로 변환하기 위한 것이다.
이러한 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)에 의해 유량 제어를 실행하는 경우, 열처리 장치(100)의 제어부(300)는 설정 유량(설정 전압)을 유량 설정 지령으로서 MFC 제어 회로(247)에 송신한다. 그러면, MFC 제어 회로(247)는 상기 설정 신호(설정 전압)로 되도록 가스 공급관(212)의 유량을 제어하도록 되어 있다. 또한, MFC 제어 회로(247)는 열처리 장치(100)의 제어부(300)로부터 제로점 설정지령을 수신하면, 현재의 상태를 유량제로로 설정하도록 되어 있다. 또한, MFC 제어 회로(247)는 열처리 장치(100)의 제어부(300)로부터의 유량 검출 지령을 수신하면, 유량 검출을 실행하고 그 결과를 유량에 따른 MFC 출력 전압(예를 들면 5V를 풀스케일(FS)로 하는 전압 검출값)으로서 제어부(300)에 송신하도록 되어 있다. 예를 들면 열처리 장치(100)의 제어부(300)는 MFC 제어 회로(247)부터의 MFC 출력 전압에 의거하여 제 1 제로점 시프트 및 제 2 제로점 시프트를 검출한다.
이러한 MFC 제어 회로(247)와 열처리 장치(100)의 제어부(300)의 사이의 데이터의 수수는 예를 들면 GHOST 네트워크를 거쳐서 실행된다. GHOST 네트워크는 제어부(300)에 마련되는 GHOST(General High-Speed Optimum Scalable Transceiver)라 불리는 LSI에 의해서 실현되는 네트워크이다. GHOST라 불리우는 LSI는 구체적으로는 예를 들면 후술하는 각 부 콘트롤러(360)로서 구성되는 MC(모듈 콘트롤러)의 MC 보드에 탑재된다. GHOST 네트워크에는 복수의 I/O 모듈을 접속할 수 있다. 이 I/O모듈의 I/O부에 각 MFC 제어 회로를 접속하는 것에 의해서, GHOST 네트워크가 구축된다.
그런데, 일반적으로, 매스플로 콘트롤러(MFC)는 이미 설명한 바와 같이, 사 용하고 있는 중에 실유량이 설정유량으로부터 어긋나는 경우가 있다. 예를 들면 실유량이 제로(0)인 경우에도, 유량센서(예를 들면 상류측 센서(243), 하류측 센서(244))에 의해서 검출되는 유량에 상당하는 검출 전압값은 제로(0)가 아니고, 약간 어긋나 오차가 발생하는 경우가 많다. 이러한 제로점의 어긋남(제로점 시프트)은 예를 들면 사용 시간에 따라서 서서히 커지는 경향의 것과, 유량에 대한 출력 전압의 변화비율(기울기)이 변동하는 것(스팬 시프트)이 있다. 여기서는 이러한 제로점 시프트를 사용에 의거하는 제로점 시프트(제 1 제로점 시프트)로 칭한다.
제 1 제로점 시프트가 발생하는 요인으로서는 예를 들면 메이커(제조회사) 출하시의 환경온도와 사용자측의 환경온도에 의해 오차가 발생하는 것, 브리지 회로의 요소인 코일형상의 발열 저항선(센서)의 코팅재의 시간 경과 열화나 박리, 발열 저항선의 코일의 느슨함, 회로 부분의 불량, 전원 전압의 변동, 센서가 감겨져 있는 관로의 오염(부식이나 생성물부착 등) 등이 고려된다.
이러한 제 1 제로점 시프트가 발생하면, 가스의 유량이 설정유량과 실유량에서 어긋남이 발생하게 되므로, 제 1 제로점 시프트의 시프트량이 클수록, 웨이퍼 W의 처리에 주는 영향도 크다. 이 때문에, 본 실시형태에서는 이러한 제 1 제로점 시프트를 정기적으로 검출하여 보정하는 처리를 실행하도록 되어 있다.
또한, 매스플로 콘트롤러(MFC)는 일반적으로, 그 설치 자세에 따라서도 가스분자량이나 압력 등에 따른 제로점의 어긋남(제로점 시프트)이 발생하는 경우가 있다. 이 경우의 제로점 시프트는 수평으로 설치(예를 들면 횡배치)되어 있는 경우에는 발생하는 일은 없다. 그런데, 수평 이외의 자세, 예를 들면 수직으로 설치 (예를 들면 종배치, L자배치)되면 발생할 우려가 있다. 본 명세서에 있어서는 이러한 제로점 시프트를 설치 자세에 의거하는 제로점 시프트(제 2 제로점 시프트)로 칭하며, 상술한 사용에 의거하는 제로점 시프트(제 1 제로점 시프트)와 구별한다.
반도체 제조 장치의 소형화나, 배관 계통의 구성상 또는 설치 스페이스 등의 관계로, 예를 들면 도 2에 나타내는 바와 같이 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)의 상류측 센서(243), 하류측 센서(244)가 감겨 마련된 측류부(242)(본유로(241)와 평행한 부분)가 수직인 상태(수직자세)로 되도록 설치하지 않으면 안 되면 경우가 있다. 그런데, 수직자세로 되도록 설치하면, 가스의 분자량이나 압력에 따라서 제 2 제로점 시프트가 발생하는 경우가 있다. 이 현상은 일반적으로 열 사이폰 현상이라 불리고 있다.
여기서, 열 사이폰 현상이 발생하는 원인을 도 2를 참조하면서 설명한다. 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)의 측류부(242)를 통과하는 가스가 상류측 센서(243), 하류측 센서(244)에 의해서 따뜻해지면, 따뜻해진 가스는 측류부(242)내를 상승하고, 다음에, 본유로(241)의 바이패스로(245)에서 냉각되어 강하하고, 다시 측류부(242)로 되돌아간다. 이 때문에, 측류부(242)와 본유로(241)의 사이에서 가스의 순환류가 발생한다. 따라서, 예를 들면 도 2에 나타내는 바와 같이 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)가 그 가스도입구가 아래쪽으로 되도록 설치되어 있는 경우에는 상류측 센서(243), 하류측 센서(244)가 감겨 마련된 측류부(242)내를 가스가 순방향으로 흘러 플러스의 출력이 발생하고, 반대로 가스도입구가 위쪽으로 되어 있는 경우에는 마이너스의 출력이 발생하는 경우로 된다. 여기서는 매스플로 콘트롤 러(MFC)(240)가 종배치로 설치되어 있는 경우에 열 사이폰 현상이 발생하는 예를 들어 설명했지만, 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)가 횡배치로 설치되어 있는 경우에도, 예를 들면 부착 오차 등에 의해 수평에서 기울어져 설치되어 있는 경우에는 열 사이폰 현상이 발생할 수 있다.
이러한 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)의 설치 자세에 의거하는 제로점 시프트(제 2 제로점 시프트)는 상술한 매스플로 콘트롤러(MFC)의 사용에 의거하는 제로점 시프트(제 1 제로점 시프트)와는 달리, 사용에 의해서 시프트량이 변동하는 것이 아니라, 예를 들면 도 3에 나타내는 바와 같이 주로 설치 자세, 가스종(가스의 분자량), 압력에 의해서 결정되는 고유의 값이다.
도 3은 예를 들면 도 2에 나타내는 바와 같이 종배치로 설치한 매스플로 콘트롤러(MFC)에 있어서의 가스종과 제 2 제로점 시프트량의 관계를 나타내는 그래프이다. 여기서는 다음과 같은 실험에 의해, 도 3에 나타내는 그래프에 의한 실험 결과가 얻어졌다. 우선 매스플로 콘트롤러(MFC)내에 흐름을 발생할 수 있는 유체 자체가 없는 진공 상태, 즉 열 사이폰 현상에 의한 제 2 제로점 시프트가 발생하지 않는 상태로 해서 제로점위치의 출력 전압을 확인하였다. 다음에, 매스플로 콘트롤러(MFC)내에 분자량이 다른 가스(예를 들면 SF6 가스, SiH2Cl2 가스, F2 가스, NH3 가스)를 각각 공급한 후, 제 2 제로점 시프트량을 상기 출력 전압의 증가량으로서 측정하였다. 도 3은 풀스케일(FS: 5V)에 대한 출력 전압의 비율을 백분율로 나타낸 것이다. 따라서, 막대그래프의 막대가 길수록 제 2 제로점 시프트량이 큰 것을 나타내고 있다.
도 3에 의하면, NH3 가스, F2 가스, SiH2Cl2 가스, SF6 가스의 순으로, 즉 분자량이 커짐에 따라서, 설치 자세에 의거하는 제로점 시프트(제 2 제로점 시프트)도 커지는 것을 알 수 있다. 또한, 이들의 설치 자세에 의거하는 제로점 시프트(제 2 제로점 시프트)는 매스플로 콘트롤러(MFC)의 사용에 의해 변동하는 것은 아니다.
이와 같이, 설치 자세에 의거하는 제로점 시프트(제 2 제로점 시프트)는 가스종(가스의 분자량)이나 압력에 의해서 결정되므로, 예를 들면 열처리 장치(100)를 공장에 최초로 설치했을 때나 압력 조건 등을 변경할 때에 시프트량을 검출하면, 그 후에 열처리 장치(100)를 가동할 때에, 그 시프트량을 고려하여 가스의 유량을 결정하면 충분하다.
이와 같이 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)의 설치 자세에 따라서는 제 2 제로점 시프트가 발생하기 때문에, 가령 적절한 타이밍에서 제 1 제로점 시프트 보정을 해도, 제 2 제로점 시프트가 원인으로 가스의 유량의 설정유량과 실유량의 어긋남이 생길 우려가 있다. 또한, 혹시 제로점 시프트를 검출할 때에, 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)의 상류측 및 하류측에 마련한 차단밸브(230, 250)를 닫은 상태, 즉 실가스가 흐르지 않은 상태로 하고 있었다고 해도, 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)내를 진공배기하고 있지 않는 경우에는 열 사이폰 현상이 생기는 경우가 있다.
이 경우, 상술한 바와 같이 매스플로 콘트롤러(MFC)내에 잔류하는 유체의 종 류(분자량)나 압력에 따라서는 제 2 제로점 시프트량도 다르다. 따라서, 단지 차단밸브(230, 250)를 닫은 상태에서 제로점 시프트를 검출했다고 해도, 예를 들면 웨이퍼 처리시에 사용하는 가스와 다른 가스가 잔류한 상태에서 제로점 시프트를 검출한 경우에는 웨이퍼 처리시에 실제로 발생할수 있는 제로점 시프트를 정확하게 검출할 수 없어, 충분한 제로점 보정을 할 수 없는 경우가 있다.
그래서, 본 발명에서는 후술하는 유량 보정 처리에 의해서 웨이퍼 처리시에 실제로 발생할 수 있는 열 사이폰 현상에 의거하는 제로점 시프트량(제 2 제로점 시프트량)을 정확하게 검출하고 적확한 보정을 하는 것에 의해, 유량 제어기의 설치 자세에 관계없이, 유량 제어의 정밀도를 더욱 향상시킬 수 있는 것이다.
본 실시형태에 관한 열처리 장치(100)는 이러한 제 1 제로점 시프트 및 제 2 제로점 시프트에 대한 검출 처리 및 보정 처리를 포함하는 유량 보정 처리를 실행하도록 되어 있다. 상기 유량 보정 처리는 예를 들면 열처리 장치(100)의 각 부를 제어하는 제어부(300)에 의해서 소정의 프로그램에 의거하여 실행된다.
(제어부의 구성예)
상기 유량 보정 처리를 실행하는 제어부(300)의 구성예를 도 4에 나타낸다. 도 4는 제어부(300)의 구체적인 구성예를 나타내는 블럭도이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 제어부(300)는 제어부 본체를 구성하는 CPU(중앙 처리 장치)(310), CPU(310)가 실행하는 각종 데이터 처리를 위해 사용되는 메모리 에리어 등을 마련하는 RAM(random access memory)(320),조작 화면이나 선택 화면 등을 표시하는 액 정 디스플레이 등으로 구성되는 표시 수단(330), 오퍼레이터에 의한 프로세스 레시피의 입력이나 편집 등 각종 데이터의 입력 및 소정의 기억 매체에의 프로세스 레시피나 프로세스·로그의 출력 등 각종 데이터의 출력 등을 할 수 있는 입출력 수단(340), 열처리 장치(100)에 이상 등이 발생했을 때에 알리는 경보기(예를 들면 부저) 등의 알림 수단(350), CPU(310)로부터의 지령에 의거하여 열처리 장치(100)의 각 부를 제어하기 위한 각 부 콘트롤러(360)를 구비한다. 각 부 콘트롤러(360)는 예를 들면 CPU(310)의 지령에 의거하여 각 매스플로 콘트롤러(240) 등의 유량 제어기에 예를 들면 설정유량의 설정지령, 제로점 설정지령 등의 제어 신호를 송신하는 유량 제어기 콘트롤러를 구비한다. 설정유량에 대해서는 예를 들면 0∼5V(FS: 풀스케일)의 설정 전압에 의해 매스플로 콘트롤러(240)의 유량을 0%∼100%로 설정할 수 있도록 되어 있다.
또한, 제어부(300)는 열처리 장치(100)의 각종 처리를 실행하기 위한 처리 프로그램을 기억하는 프로그램 데이터 기억 수단(370), 처리 프로그램을 실행하기 위해 필요한 정보(데이터)가 기억되는 처리 데이터 기억 수단(380)을 구비한다. 프로그램 데이터 기억 수단(370), 처리 데이터 기억 수단(380)은 예를 들면 하드디스크(HDD) 등의 기억 영역에 구축된다. CPU(310)는 필요에 따라서 프로그램 데이터 기억 수단(370), 처리 데이터 기억 수단(380)으로부터 필요한 프로그램, 데이터 등을 리드해서, 각종의 처리 프로그램을 실행한다.
프로그램 데이터 기억 수단(370)은 예를 들면 웨이퍼 W에 대한 프로세스 처리를 실행하기 위한 프로세스 처리 프로그램(371), 예를 들면 반응튜브(112)내에 도입하는 가스유량의 보정 처리를 실행하기 위한 유량 보정 처리 프로그램(372) 등을 구비한다. 프로세스 처리 프로그램(371)은 예를 들면 후술하는 프로세스 처리 정보(381)로서 기억되는 가스유량, 압력 등의 프로세스 레시피에 의거하여 각 부를 제어하면서, 반응튜브(112)내에 가스를 도입하면서, 프로세스 처리로서 예를 들면 열처리를 웨이퍼 W에 실시하는 것이다.
유량 보정 처리 프로그램(372)은 주로 제 1 제로점 시프트 검출 처리 프로그램(373), 제 1 제로점 시프트 보정 처리 프로그램(374), 제 2 제로점 시프트 검출 처리 프로그램(375), 제 2 제로점 시프트 보정 처리 프로그램(376)을 갖는다. 제 1 제로점 시프트 검출 처리 프로그램(373)은 각 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)의 사용에 의거하는 제로점 시프트량(제 1 제로점 시프트량)을 검출하고 기억하기 위한 프로그램이다. 제 1 제로점 시프트 보정 처리 프로그램(374)은 제 1 제로점 시프트량에 의거하여 제 1 제로점 시프트 보정을 실행하기 위한 프로그램이다. 제 2 제로점 시프트 검출 처리 프로그램(375)은 각 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)의 설치 자세에 의거하는 제로점 시프트량(제 2 제로점 시프트량)을 검출하고 기억하기 위한 프로그램이다. 제 2 제로점 시프트 보정 처리 프로그램(376)은 제 2 제로점 시프트량에 의거하여 제 2 제로점 시프트 보정을 실행하기 위한 프로그램이다.
이들 제 1 제로점 시프트 검출 처리 프로그램(373), 제 1 제로점 시프트 보정 처리 프로그램(374), 제 2 제로점 시프트 검출 처리 프로그램(375),제 2 제로점 시프트 보정 처리 프로그램(376)은 예를 들면 유량 보정 처리 프로그램의 서브루틴으로서 구성하도록 해도 좋고, 또한 단독의 프로그램으로서 구성하도록 해도 좋다. 또한, 제 1 제로점 시프트 검출 처리 프로그램(373), 제 1 제로점 시프트 보정 처리 프로그램(374), 제 2 제로점 시프트 보정 처리 프로그램(376)은 프로세스 처리 프로그램(371)에서 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)에 대해 가스유량을 설정할 때에 실행하도록 해도 좋다.
처리 데이터 기억 수단(380)은 예를 들면 웨이퍼에 대한 프로세스 처리를 실행하는 데 필요한 정보를 기억하는 프로세스 처리 정보(381), 반응튜브(112)에 도입하는 가스의 유량 보정 처리를 실행하는데 필요한 데이터를 기억하는 유량 보정 정보(382) 등을 구비한다. 프로세스 처리 정보(381)는 웨이퍼에 대한 프로세스 처리의 프로세스 레시피(예를 들면 가스유량, 압력 등)를 기억한다.
유량 보정 정보(382)는 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)의 사용에 의거하는 제 1 제로점 시프트의 시프트량을 기억하는 제 1 제로점 시프트 정보(383), 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)의 설치 자세에 의거하는 제로점 시프트의 시프트량을 기억하는 제 2 제로점 시프트 정보(384)를 갖는다.
(제 1 제로점 시프트 정보의 구체예)
여기서, 우선 제 1 제로점 시프트 정보(383)의 구체예를 도 5를 참조하면서 설명한다. 도 5는 제 1 제로점 시프트 정보(383)의 데이터 테이블의 구체예를 나타내는 도면이다. 제 1 제로점 시프트 정보(383)는 예를 들면 MFC(k), 제 1 제로점 시프트량(Ek)의 항목을 갖는다.
MFC(k)의 항목에는 제 1 제로점 시프트의 검출 및 보정을 실행하는 매스플로 콘트롤러(MFC)의 종별을 기억한다. 첨자 k는 매스플로 콘트롤러(MFC)를 특정하기 위한 것이다. 제 1 제로점 시프트량(Ek)의 항목에는 예를 들면 후술하는 제 1 제로점 시프트 검출 처리에 의해서 검출된 제 1 제로점 시프트량을 누적한 제 1 제로점 시프트량 Ek을 기억한다.
또한, 제 1 제로점 시프트의 검출 및 보정을 실행하는 매스플로 콘트롤러(MFC)가 복수 있는 경우, 제 1 제로점 시프트 정보(383)에는 각 매스플로 콘트롤러(MFC)마다의 제 1 제로점 시프트량(Ek)을 기억한다. 예를 들면, 도 1에 나타내는 바와 같은 구성의 열처리 장치(100)에서는 제 1∼제 3 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A∼240C)를 구비하므로, 제 1 제로점 시프트 정보(383)에 대해서도 각 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A∼240C)마다 제 1 제로점 시프트량 E1∼E3을 기억한다. 또, 제 1 제로점 시프트 정보(383)의 항목은 도 5에 나타내는 것에 한정되는 것은 아니다.
제 1 제로점 시프트량은 상술한 바와 같이 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)의 사용 시간에 따라서 커지므로, 예를 들면 상기 제 1 제로점 시프트량 Ek의 항목에는 제 1 제로점 시프트량의 누적값을 기억해 둔다. 즉, 제 1 제로점 시프트량을 검출할 때마다 그 제 1 제로점 시프트량을 전회까지의 제 1 제로점 시프트량의 누적값에 부가한 값을 새로이 누적값으로서 갱신해서 기억한다. 이러한 제 1 제로점 시프트량의 누적값은 예를 들면 각 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A, 240B, 240C)의 이상 판단에 사용한다. 예를 들면 제 1 시프트량의 누적값이 미리 설정한 임계값을 어긋나면 이상으로서 알림 처리를 실행한다.
(제 2 제로점 시프트 정보의 구체예)
다음에, 상기 제 2 제로점 시프트 정보(384)의 구체예를 도 6을 참조하면서 설명한다. 도 6은 제 2 제로점 시프트 정보(384)의 데이터 테이블의 구체예를 나타내는 도면이다. 제 2 제로점 시프트 정보(384)는 예를 들면 MFC(k), 가스종(Gk), 압력(Pk), 제 2 제로점 시프트량(Vk)의 항목을 갖는다.
MFC(k)의 항목에는 제 2 제로점 시프트의 검출 및 보정을 실행하는 매스플로 콘트롤러(MFC)의 종별을 기억한다. 첨자 k는 매스플로 콘트롤러(MFC)를 특정하기 위한 것이다. 가스종(Gk)의 항목에는 매스플로 콘트롤러(MFC)에 의해 유량 제어되는 운용 가스(웨이퍼 처리시에 사용하는 가스)를 기억한다. 압력(Pk)의 항목에는 매스플로 콘트롤러(MFC)에 의해 유량 제어되는 운용 가스의 운용 압력(웨이퍼 처리시의 압력)을 기억한다. 제 2 제로점 시프트량(Vk)의 항목에는 예를 들면 후술하는 제 2 제로점 시프트 검출 처리에 의해서 검출된 제 2 제로점 시프트량을 기억한다.
또한, 제 2 제로점 시프트의 검출 및 보정을 실행하는 매스플로 콘트롤러(MFC)가 복수 있는 경우, 제 2 제로점 시프트 정보(384)에는 각 매스플로 콘트롤러(MFC)마다의 가스종(Gk), 압력(Pk), 제 2 제로점 시프트량(Vk)을 기억한다. 예를 들면 도 1에 나타내는 바와 같은 구성의 열처리 장치(100)에서는 제 1∼제 3 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A∼240C)를 구비하므로, 제 2 제로점 시프트 정보(384)에 대해서도 제 1 제로점 시프트 정보(383)의 경우와 마찬가지로 각 매스플로 콘트롤 러(MFC)(240A∼240C)마다 제 2 제로점 시프트량 V1∼V3을 기억한다. 또, 제 2 제로점 시프트 정보(384)의 항목은 도 6에 나타내는 것에 한정되는 것은 아니다.
이러한 제 2 제로점 시프트량은 상술한 바와 같이 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)의 설치 자세, 운용 가스종(가스의 분자량), 운용 압력에 따라서 결정되는 고유의 값으로 된다. 따라서, 상기 제 2 제로점 시프트량(Vk)의 항목에는 예를 들면 열처리 장치(100)를 공장에 최초로 설치한 초기 도입시에 제 2 제로점 시프트 검출 처리에 의해서 검출된 값을 기억한다. 또한, 그 후에 예를 들면 운용 가스종, 운용 압력 등의 변경이 있던 경우에는 그 때마다 제 2 제로점 시프트 검출 처리를 실행하고 검출된 값을 기억하는 것이 바람직하다. 이러한 제 2 제로점 시프트량의 고유값은 예를 들면 반응튜브(112)내에 가스를 도입하는 경우에, 각 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A, 240B, 240C)에 대해 설정유량의 설정 지령을 실행할 때에 사용한다. 즉, 프로세스 처리 정보(381)의 프로세스 레시피로서 기억되어 있는 설정유량을 제 2 제로점 시프트량의 분만큼 보정한 유량을 설정유량으로서 설정 지령한다. 이것에 의해, 열처리부(110)에 공급되는 실가스유량에 제 2 제로점 시프트량의 영향을 주지 않도록 할 수 있다.
(유량 보정 처리의 구체예)
다음에, 매스플로 콘트롤러(MFC)를 이용해서 유량 제어를 실행하는 경우에 있어서의 유량 보정 처리의 구체예에 대해서 설명한다. 도 7은 본 실시형태에 관한 유량 보정 처리의 메인 흐름을 나타내는 흐름도이다. 본 실시형태에 관한 유량 보정 처리에서는 매스플로 콘트롤러(MFC)의 사용에 의거하는 제 1 제로점 시프트 및 설치 자세에 의거하는 제 2 제로점 시프트의 양쪽에 기인하는 설정유량과 실유량의 어긋남을 보정한다. 이 유량 보정 처리는 유량 보정 처리 프로그램(372)에 의거하여 각 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A∼240C)마다 실행된다. 여기서는 도 1에 나타내는 가스 공급계(200)의 각 구성요소를 나타내는 부호에서 A∼C를 생략하여 대표적으로 설명한다. 따라서, 예를 들면 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)라는 경우는 각 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A∼240C)를 나타낸다.
도 7에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 관한 유량 보정 처리는 열처리 장치(100)가 가동되면, 우선 스텝 S110에 있어서 열처리 장치(100)를 공장에 최초로 설치한 초기도입시인지의 여부를 판단한다. 스텝 S110에 있어서 열처리 장치(100)의 초기도입시라고 판단한 경우에는 제로점 시프트 검출 처리, 즉 제 1 제로점 시프트 검출 처리(스텝 S200), 제 1 제로점 시프트 보정 처리(스텝 S300), 제 2 제로점 시프트 검출 처리(스텝 S400)를 실행한다.
여기서, 제 2 제로점 시프트 검출 처리(스텝 S400)에 앞서, 제 1 제로점 시프트 검출 처리(스텝 S200) 및 제 1 제로점 시프트 보정 처리(스텝 S300)를 실행하는 것은 제 2 제로점 시프트의 시프트량만을 검출하기 위해서이다. 즉 제 1 제로점 시프트가 발생하고 있어도 그것이 유량제로로 보정된 상태에서 제 2 제로점 시프트를 검출하기 위함이다. 이것에 의해, 제 2 제로점 시프트를 정확하게 검출할 수 있다.
스텝 S110에 있어서 열처리 장치(100)의 초기도입시가 아니라고 판단한 경우 는 스텝 S120에 있어서 MFC 운용 조건에 변경이 있었는지의 여부를 판단한다. 여기서의 MFC 운용 조건의 변경은 제 2 제로점 시프트 정보(384)에 이미 기억되어 있는 제 2 제로점 시프트량을 제 2 제로점 시프트 보정 처리에서 그대로 이용할 수 없는 바와 같은 조건으로 변경한 경우이며, 예를 들면, 운용 가스종의 변경, 운용 압력의 변경, 매스플로 콘트롤러(MFC) 자체의 교환 등을 들 수 있다. 스텝 S120에 있어서 MFC 운용 조건에 변경이 있던 경우에는 스텝 S200∼스텝 S400의 처리를 실행하는 것에 의해, 변경된 MFC 운용 조건에 의거하여 제 2 제로점 시프트를 새로이 검출하고 제 2 제로점 시프트 정보(384)에 기억한다.
스텝 S120에 있어서 MFC 운용 조건에 변경이 없다고 판단한 경우는 스텝 S130에 있어서 웨이퍼 처리를 실행할지의 여부를 판단한다. 웨이퍼의 처리를 실행할 때마다 그 웨이퍼 처리전에 제 1 제로점 시프트 및 제 2 제로점 시프트를 보정하기 위함이다. 스텝 S130에 있어서 웨이퍼 처리를 실행한다고 판단한 경우는 제로점 시프트 보정 처리, 즉 제 1 제로점 시프트 검출 처리(스텝 S200), 제 1 제로점 시프트 보정 처리(스텝 S300), 제 2 제로점 시프트 보정 처리(스텝 S 500)를 실행하고 스텝 S120의 처리로 되돌린다.
여기서, 제 2 제로점 시프트 보정 처리(스텝 S500)에 앞서, 제 1 제로점 시프트 검출 처리(스텝 S200) 및 제 1 제로점 시프트 보정 처리(스텝 S300)를 실행하는 것은 제 2 제로점 시프트의 시프트량만을 보정하기 위함이다. 즉 제 1 제로점 시프트가 발생하고 있어도 그것이 유량제로로 보정된 상태에서 제 2 제로점 시프트를 보정하기 위함이다. 이것에 의해, 제 1 제로점 시프트의 영향이 없는 상태에 서, 제 2 제로점 시프트를 보정할 수 있으므로, 제 2 제로점 시프트의 보정도 정확하게 실행할 수 있다.
스텝 S130에 있어서 웨이퍼 처리를 실행하지 않는다고 판단한 경우에는 스텝 S140에 있어서 열처리 장치(100)의 가동정지인지의 여부를 판단하고, 열처리 장치(100)의 가동 정지라고 판단한 경우에는 스텝 S120의 처리로 되돌리고, 열처리 장치(100)의 가동정지가 아니라고 판단한 경우는 일련의 유량 보정 처리를 종료한다.
도 7에 나타내는 제 1 제로점 시프트 검출 처리(스텝 S 200), 제 1 제로점 시프트 보정 처리(스텝 S300), 제 2 제로점 시프트 검출 처리(스텝 S400), 제 2 제로점 시프트 보정 처리(스텝 S500)는 각각, 제 1 제로점 시프트 검출 처리 프로그램(373), 제 1 제로점 시프트 보정 처리 프로그램(374), 제 2 제로점 시프트 검출 처리 프로그램(375), 제 2 제로점 시프트 보정 처리 프로그램(376)에 의거하여 실행된다.
또, 제 1 제로점 시프트 검출 처리(스텝 S200) 및 제 1 제로점 시프트 보정 처리(스텝 S300)는 제 2 제로점 시프트 검출 처리(스텝 S400)의 사전 처리에 상당하므로, 이들 제 1 제로점 시프트 검출 처리(스텝 S200), 제 1 제로점 시프트 보정 처리(스텝 S300), 제 2 제로점 시프트 검출 처리(스텝 S400)를 일련의 제 2 제로점 시프트 검출 처리로서 생각해도 좋다. 마찬가지로, 제 1 제로점 시프트 검출 처리(스텝 S200) 및 제 1 제로점 시프트 보정 처리(스텝 S300)는 제 2 제로점 시프트 보정 처리(스텝 S500)의 사전 처리에 상당하므로, 이들 제 1 제로점 시프트 검출 처리(스텝 S200), 제 1 제로점 시프트 보정 처리(스텝 S300), 제 2 제로점 시프트 보정 처리(스텝 S500)를 일련의 제 2 제로점 시프트 보정 처리로서 생각해도 좋다.
또한, 제 2 제로점 시프트 검출 처리(스텝 S400) 또는 제 2 제로점 시프트 보정 처리(스텝 S500)를 실행할 때에, 제 1 제로점 시프트에 대해 다른 방법 등으로 보상되어 있으면, 반드시 제 1 제로점 시프트 검출 처리(스텝 S200) 및 제 1 제로점 시프트 보정 처리(스텝 S300)를 사전 처리로서 실행할 필요는 없다.
또한, 도 7에 나타내는 유량 보정 처리의 구체예에서는 제 1 제로점 시프트 검출 처리(스텝 S200), 제 1 제로점 시프트 보정 처리(스텝 S300), 제 2 제로점 시프트 보정 처리(스텝 S500)에 대해서는 웨이퍼 처리시마다 실행하는 경우에 대해서 설명했지만, 반드시 이것에 한정되는 것은 아니며, 소정 시간경과마다 실행하도록 해도 좋다. 이하에, 도 7에 나타내는 스텝 S300∼S500의 처리에 대해 상세하게 설명한다.
(제 1 제로점 시프트 검출 처리의 구체예)
우선 제 1 제로점 시프트 검출 처리(스텝 S200)의 구체예를 도 8에 나타내는 서브루틴을 참조하면서 설명한다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 제어부(300)는 우선 스텝 S210∼S240에 의해서, 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)내를 진공 상태로 한다. 즉, 스텝 S210에 있어서 제 1 차단밸브(상류측 차단밸브)(230)를 닫고, 스텝 S220에 있어서 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)의 제어 밸브(246)를 강제 개방한다. 이 상태에서, 스텝 S230에 있어서 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)내의 진공배기 처리 를 실행한다. 예를 들면 배기측 바이패스 차단밸브(134) 및 공급측 바이패스 차단밸브(136)를 개방하는 것에 의해 바이패스 라인(130)을 거쳐서 진공배기 수단(124)에 의해서 진공배기 처리를 실행한다. 다음에, 스텝 S240에 있어서 제 2 차단밸브(하류측 차단밸브)(250)를 닫는다.
이러한 스텝 S210∼S240에 의해서, 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)내는 흐름을 발생하는 유체 자체가 없는 진공 상태가 되므로, 열 사이폰 현상에 의한 제 2 제로점 시프트가 발생하는 일은 없다.
이 경우, 혹시 가령 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)내를 진공 배기하지 않는 경우에는 가령 제 1 차단밸브(상류측 차단밸브)(230)와 제 2 차단밸브(하류측 차단밸브)(250)를 닫았다고 해도, 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)내에 유체가 존재하고 있는 한, 열 사이폰 현상에 의해 유체의 흐름이 발생할 수 있다. 따라서, 이러한 상태에서 MFC 출력 전압을 검출해도, 그 출력 전압에는 제 1 제로점 시프트량 뿐만 아니라 제 2 제로점 시프트량도 포함한 것으로 된다. 이것에서는 제 1 제로점 시프트를 정확하게 검출할 수 없다.
이 점으로부터 본 실시형태에서는 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)내를 제 2 제로점 시프트가 발생하지 않는 진공 상태로 한 후에, 다음의 스텝 S250 이후에서 MFC 출력 전압을 검출하므로, 제 2 제로점 시프트량을 포함하지 않는 상태에서 제 1 제로점 시프트량을 검출할 수 있다. 이것에 의해, 제 1 제로점 시프트량을 정확하게 검출할 수 있다.
이 상태에서 MFC 출력 전압의 출력이 안정될 때까지 기다린다. 그리고, MFC 출력 전압의 출력이 안정되면, 스텝 S250에 있어서 MFC 출력 전압을 금회의 제 1 제로점 시프트량 E0으로서 검출한다. 구체적으로는 MFC 제어 회로(247)에 유량 검출 지령을 송신하고 MFC 출력 전압을 수신한다. 이 경우, 제 1 제로점 시프트가 발생하고 있지 않으면 MFC 출력 전압은 제로로 되고, 제 1 제로점 시프트가 발생하고 있으면 MFC 출력 전압은 제로로 되지 않는다.
다음에, 스텝 S260에 있어서 전회까지 누적된 제 1 제로점 시프트량 Ek를 Ek= Ek+E0에 의해 갱신해서 기억한다. 즉, 제 1 제로점 시프트 정보(383)의 제 1 제로점 시프트량 Ek의 항목에 기억되어 있는 전회까지 누적된 제 1 제로점 시프트량 Ek에 금회의 제 1 제로점 시프트량 E0을 부가한 것을 새로운 제 1 제로점 시프트량 Ek로서 기억한다. 예를 들면 도 5에 나타내는 제 1 제로점 시프트 정보(383)에 있어서 제 1 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A)의 전회까지 누적된 제 1 제로점 시프트량이 E1이라고 하면, 제 1 제로점 시프트량 E1을 E1= E1+E0에 의해 갱신해서 기억한다.
다음에 스텝 S270에 있어서 상기한 바와 같이 갱신된 제 1 제로점 시프트량 Ek가 미리 설정된 임계값을 넘고 있는지의 여부를 판단하고, 임계값을 넘고 있다고 판단한 경우는 스텝 S280에 있어서 알림 처리를 실행한다. 알림 처리로서는 예를 들면 알람 등의 알림 수단(350)에 의해서 경고음을 발생시키거나, 액정 패널 등의 표시 수단(330)에 경고 표시를 시행한다. 이것에 의해, 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)의 고장이나 교환시기 등을 알릴 수 있다. 상기 임계값으로서는 예를 들면 기준값으로 되는 전압값의 ±0.3 V(300mV)를 임계값으로 하고, 제 1 제로점 시프트량의 누적값 Ek가 이 임계값보다 더 벗어나 있는 경우에 알림 처리를 실행한다. 이러한 경우에는 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)의 불량이 고려되기 때문이다. 스텝 S270에 있어서 제 1 제로점 시프트량의 누적값 Ek가 미리 설정된 임계값을 넘고 있지 않다고 판단한 경우는 제 1 제로점 시프트 검출 처리를 종료한다.
또, 제 1 제로점 시프트 검출 처리를 실행하는 경우에는 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)의 제 1 제로점 시프트를 적확하게 검출할 수 있도록, 최초에 사전체크 처리를 실행하도록 해도 좋다. 사전체크 처리로서는 예를 들면 반도체 제조 장치의 전원 투입후이면 소정 시간(예를 들면 4시간 이상)의 난기운전, 가스 공급계(200)를 배치하는 용기(가스박스)내의 통상배기(예를 들면 2시간 이상), 히터에 의해 온도조정하는 경우에는 그 온도의 안정대기, 제 1 차단밸브(상류측 차단밸브)(230) 및 제 2 차단밸브(하류측 차단밸브)(250) 등의 리크(누설)체크 등을 들 수 있다. 이러한 사전체크에서 이상이 없는 것을 확인하고 나서 제 1 제로점 시프트 검출 처리를 실행하는 것이 바람직하다.
(제 1 제로점 시프트 보정 처리의 구체예)
다음에, 제 1 제로점 시프트 보정 처리(스텝 S300)의 구체예를 도 9에 나타내는 서브루틴을 참조하면서 설명한다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 제어부(300)는 우선 스텝 S310에 있어서 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)에 대해 제로점 설정 지령을 실행한다. 구체적으로는 제어부(300)는 제로점 설정 지령을 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)에 송신하고 현재의 상태를 유량제로로 설정시킨다. 예를 들면 스텝 S200에서 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)내에 유체가 없는 진공 상태에서 검출된 제 1 제로점 시프트량 Ek가 제로가 아닌 경우, 그 상태가 유량제로로 설정된다.
계속해서 스텝 S320에 있어서 MFC 출력 전압을 검출하여 제로점 설정되어 있는 것을 확인한다. 즉, MFC 출력 전압이 제로로 되어 있는 것을 확인한다. 이렇게 해서, 제 1 제로점 시프트 보정 처리가 종료하면, 도 7에 나타내는 유량 보정 처리로 되돌리고, 계속해서 제 2 제로점 시프트 검출 처리(스텝 S400)를 실행하고 제 1 제로점 시프트 보정 처리를 종료한다.
(제 2 제로점 시프트 검출 처리의 구체예)
다음에, 제 2 제로점 시프트 검출 처리(스텝 S400)의 구체예를 도 10에 나타내는 서브루틴을 참조하면서 설명한다. 도 10에 나타내는 바와 같이, 제어부(300)는 우선 스텝 S410에 있어서 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)내를 운용 가스(예를 들면 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A)이면 SiH4 가스)로 치환한다. 구체적으로는 예를 들면 제 1 차단밸브(상류측 차단밸브)(230) 및 제 2 차단밸브(하류측 차단밸브)(250)를 개방하여 운용 가스를 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)내에 도입함과 동시에, 배기측 바이패스 차단밸브(134) 및 공급측 바이패스 차단밸브(136)를 개방하는 것에 의해 바이패스라인(130)을 거쳐서 진공배기 수단(124)에 의해 진공배기 처리를 실행한다. 이 때 운용 가스의 도입과 진공배기 처리를 교대로 반복하는 사이클 퍼지에 의해서 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)내를 운용 가스로 치환하도록 해도 좋 다.
다음에, 스텝 S420∼스텝 S440에 의해서 운용 가스를 운용 압력으로 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)내에 봉입한다. 즉, 스텝 S420에 있어서 제 2 차단밸브(하류측 차단밸브)(250)를 닫고, 스텝 S430에 있어서 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)의 제어 밸브(246)를 강제 개방하고, 스텝 S440에 있어서 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)내를 운용 압력으로 한다. 구체적으로는 제 2 차단밸브(하류측 차단밸브)(250)를 닫은 채, 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)내가 운용 압력이 될 때까지 운용 가스를 도입한다. 그리고, 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)내가 운용 압력이 되면, 스텝 S450에 있어서 제 1 차단밸브(상류측 차단밸브)(230)를 닫고, 운용 가스의 도입을 정지한다. 이것에 의해, 운용 가스가 운용 압력으로 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)내에 봉입된다.
이 상태에서 MFC 출력 전압의 출력이 안정될 때까지 기다린다. 그리고, MFC 출력 전압의 출력이 안정되면, 스텝 S460에 있어서 MFC 출력 전압 V를 검출한다. 구체적으로는 MFC 제어 회로(247)에 유량 검출 지령을 송신하고 MFC 출력 전압을 제 2 제로점 시프트량 V로서 수신한다. 이 경우, 제 2 제로점 시프트가 발생하고 있지 않으면 MFC 출력 전압은 제로로 되고, 제 2 제로점 시프트가 발생하고 있으면 MFC 출력 전압은 제로로 되지 않는다. 또한, 본 실시형태에서는 이미 제 1 제로점 시프트의 검출(스텝 S200) 및 보정(스텝 S300)으로 되어 있기 때문에, 제 1 제로점 시프트량을 포함하지 않은 상태에서 제 2 제로점 시프트량을 검출할 수 있다. 이것에 의해, 제 2 제로점 시프트량을 정확하게 검출할 수 있다.
다음에, 스텝 S470에 있어서 제 2 제로점 시프트량 V를 그대로 기억한다. 즉, 제 2 제로점 시프트 정보(384)의 제 2 제로점 시프트량 Vk의 항목에 제 2 제로점 시프트량 V를 그대로 기억한다. 예를 들면 도 6에 나타내는 제 2 제로점 시프트 정보(384)에 있어서 제 1 매스플로 콘트롤러(MFC)(240) A의 SiH4 가스에 대해, 검출된 제 2 제로점 시프트량 V를 제 2 제로점 시프트량은 V1SiH4로서 기억한다.
다음에 스텝 S480에 있어서 모든 운용 가스 및 운용 압력에서의 체크가 종료했는지의 여부를 판단한다. 상술한 바와 같이 제 2 제로점 시프트량은 가스종(가스의 분자량)과 압력에 따라서도 다르기 때문에, 하나의 매스플로 콘트롤러(MFC)에 대해 운용 가스와 운용 압력이 복수 있는 경우에는 각 운용 가스에 대해 각 운용 압력으로 각각 제 2 제로점 시프트를 검출할 필요가 있기 때문이다.
예를 들면 도 1에 나타내는 구성예에서는 제 1 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A)에 대한 운용 가스는 SiH4 가스와 N2 가스이기 때문에, 각 운용 가스마다 제 2 제로점 시프트를 검출한다. 이 때, 1종류의 가스에 복수의 운용압력이 있는 경우에는 각 운용 가스마다 제 2 제로점 시프트를 검출한다.
스텝 S480에 있어서 모든 운용 가스 및 운용 압력에서의 체크가 종료하고 있지 않는다고 판단한 경우에는 스텝 S410의 처리로 되돌리고, 모든 운용 가스 및 운용 압력에서의 체크가 종료했다고 판단한 경우는 제 2 제로점 시프트 검출 처리를 종료한다.
또, 제 2 제로점 시프트 검출 처리를 실행하는 경우에는 상술한 제 1 제로점 시프트 검출 처리의 경우와 마찬가지로, 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)의 제 2 제로점 시프트를 적확하게 검출할 수 있도록, 최초에 사전체크 처리를 실행하도록 해도 좋다. 여기서의 사전체크 처리의 구체예는 상술한 제 1 제로점 시프트 검출 처리에 대한 사전체크 처리의 경우와 마찬가지이다.
(제 2 제로점 시프트 보정 처리의 구체예)
다음에, 제 2 제로점 시프트 보정 처리(스텝 S500)의 구체예를 도 11에 나타내는 서브루틴을 참조하면서 설명한다. 도 11에 나타내는 바와 같이, 제어부(300)는 우선 스텝 S510에 있어서 지금부터 웨이퍼 처리를 실행하는 운용 가스, 운용 압력, 운용 가스 유량 V를 예를 들면 처리 데이터 기억 수단(380)의 프로세스 처리 정보(381)에 의거하여 취득한다. 또, 운용 가스, 운용 압력, 운용 가스 유량 V는 터치패널 등의 입출력 수단(340)의 조작에 의해서 오퍼레이터가 입력하도록 해도 좋다.
계속해서 스텝 S520에 있어서 취득한 운용 가스 및 운용 압력에 있어서의 제 2 제로점 시프트량을 처리 데이터 기억 수단(380)의 제 2 제로점 시프트 정보(394)에 의거하여 취득한다. 이 경우, 웨이퍼 처리를 실행할 때에 복수의 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)에 의해 가스유량을 제어하는 경우에는 각 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)마다 제 2 제로점 시프트 정보(394)를 취득한다.
다음에, 스텝 S530에 있어서 취득한 운용 가스 유량 V에 제 2 제로점 시프트량 Vk을 부가한 유량(V= V+Vk)을 보정후의 설정유량 V로서 매스플로 콘트롤 러(MFC)(240)에 설정한다. 구체적으로는 제어부(300)는 설정유량 V의 설정지령을 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)의 MFC 제어 회로(247)에 송신한다. 그러면, MFC 제어 회로(247)는 제 2 제로점 시프트 보정이 된 유량 V로 유량 설정을 시행한다.
이것에 의해, 웨이퍼 처리시에는 제 1 제로점 시프트와 제 2 제로점 시프트의 양쪽이 보정된 유량 V에 의해 유량 제어된다. 따라서, 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)의 제 1 제로점 시프트 및 제 2 제로점 시프트의 양쪽의 영향을 받는 일 없이, 더욱 정밀도가 높은 유량 제어를 실행할 수 있다.
또, 도 7에 나타내는 유량 보정 처리에서는 웨이퍼 처리를 실행할 때에는 스텝 S200에 있어서 제 1 제로점 시프트량을 검출하고, 스텝 S300에 있어서 제 1 제로점 시프트량을 보정한 후에, 스텝 S500에 있어서 제 2 제로점 시프트량을 보정하는 경우를 예로 들고 있지만, 반드시 이것에 한정되는 것은 아니며, 제 1 제로점 시프트량의 보정과 제 2 제로점 시프트량의 보정은 동시에 실행하도록 해도 좋다.
즉, 웨이퍼 처리시에 사용하는 가스의 가스 유량에 대응하는 설정 전압을 제 2 제로점 시프트 정보(384)에 기억된 제 2 제로점 시프트량 및 웨이퍼 처리를 실행할 때에 검출한 제 1 제로점 시프트량에 의거하여 보정하고, 보정한 가스유량의 설정 전압을 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)에 설정하도록 해도 좋다. 구체적으로는 제 1 제로점 시프트 보정 처리(스텝 S300)를 생략하고, 즉 제로점 설정 지령을 실행하는 일 없이, 제 2 제로점 보정 처리(스텝 S500)에 있어서 제 1 제로점 시프트량도 고려한 보정을 실행한다. 예를 들면 도 11에 나타내는 스텝 S530에 있어서 취득한 운용 가스 유량 V에 제 2 제로점 시프트량 Vk 및 직전에 검출한 제 1 제로 점 시프트량 E를 가한 유량(V= V+ Vk+ E)을 보정후의 설정 유량 V로서 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)에 설정하도록 해도 좋다. 이것에 의해, 제 1 제로점 시프트량의 보정과 제 2 제로점 시프트량의 보정을 동시에 실행할 수 있다.
이러한 구성의 제 1 실시형태에 관한 열처리 장치(100)에서는 실제의 웨이퍼 처리시에 발생할 수 있는 열 사이폰 현상에 의거하는 제로점 시프트량(제 2 제로점 시프트량)을 정확하게 검출할 수 있다. 즉, 열 사이폰 현상에 의거하는 제로점 시프트량의 크기는 가스종(가스의 분자량)에 따라서 다르기 때문에, 웨이퍼 처리시에 사용하는 가스를 이용하여 열 사이폰 현상에 의거하는 제로점 시프트량(제 2 제로점 시프트량)을 검출하는 것에 의해서, 실제의 웨이퍼 처리시에 발생할 수 있는 제로점 시프트량을 정확하게 검출할 수 있다.
또한, 검출한 열 사이폰 현상에 의거하는 제로점 시프트량(제 2 제로점 시프트량)을 기억해 두고, 웨이퍼 처리를 실행할 때에, 웨이퍼 처리시에 사용하는 가스유량에 대응하는 설정 전압을 보정하는 것에 의해서, 제 2 제로점 시프트량을 적확하게 보정할 수 있다. 이것에 의해, 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)의 설치 자세에 관계없이, 유량 제어의 정밀도를 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)의 구성에 관계없이, 열 사이폰 현상에 의거하는 제로점 시프트량을 정확하게 검출하여 보정할 수 있다.
또한, 제 1 실시형태에 관한 열처리 장치(100)가 구비하는 각 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A∼240C)에 대해 상술한 바와 같은 유량 보정 처리를 실행하기 때문에, 각 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A∼240C)의 설치 자세에 관계없이, 유량 제어의 정밀도를 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 열 사이폰 현상에 의거하는 제 2 제로점 시프트량을 검출하기 전에, 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)의 사용에 의거하는 제 1 제로점 시프트량을 검출하여 보정하므로, 제 1 제로점 시프트에 영향되는 일 없이, 열 사이폰 현상에 의거하는 제 2 제로점 시프트량을 정확하게 검출할 수 있다. 또한, 제 1 제로점 시프트량을 검출할 때에는 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)의 각 차단밸브(230, 250)를 닫고 실가스가 흐르지 않는 상태로 할 뿐만 아니라, 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)내를 진공배기하므로 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)내에는 흐름을 발생할 수 있는 유체자체가 없는 진공 상태로 된다. 이 때문에, 열 사이폰 현상이 발생하지 않으므로, 이 열 사이폰 현상에 의거하는 제 2 제로점 시프트도 없는 상태에서 제 1 제로점 시프트량을 검출할 수 있다. 이것에 의해, 정확하게 제 1 제로점 시프트량을 검출할 수 있다.
또한, 웨이퍼 처리를 실행할 때에도, 열 사이폰 현상에 의거하는 제 2 제로점 시프트량을 보정하기 전에, 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)의 사용에 의거하는 제 1 제로점 시프트를 검출하여 보정하므로, 제 1 제로점 시프트에 영향되는 일 없이, 열 사이폰 현상에 의거하는 제 2 제로점 시프트량을 적확하게 보정할 수 있다. 이것에 의해, 매스플로 콘트롤러(MFC)(240)의 설치 자세에 관계없이, 유량 제어의 정밀도를 더욱 향상시킬 수 있다.
(제 2 실시형태에 관한 반도체 제조 장치의 구성예)
다음에, 본 발명을 제 2 실시형태에 관한 반도체 제조 장치에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 여기서는 제 1 실시형태의 경우와 마찬가지로, 반도체 제조 장치로서, 웨이퍼에 대해 소정의 열처리를 실행하는 열처리 장치를 예로 들어 설명한다. 도 12는 제 2 실시형태에 관한 열처리 장치의 구성예를 나타내는 도면이다. 제 2 실시형태에 관한 열처리 장치(100)는 가스 공급계(200)의 구성이 제 1 실시형태에 관한 열처리 장치(100)와 다르다. 즉, 제 1 실시형태에 관한 열처리 장치(100)는 운용 가스인 각 SiH4 가스, Si2H6 가스, SiH2Cl2 가스에 대해 각각 제 1∼제 3 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A∼240C)에서 유량 제어를 실행하도록 구성되어 있는데 반해, 제 2 실시형태에 관한 열처리 장치(100)는 운용 가스인 각 SiH4 가스, Si2H6 가스, SiH2C12 가스를 공통의 하나의 제 1 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A)에서 유량 제어를 실행하도록 구성되어 있는 점에서 다르다.
구체적으로는 SiH4 가스, Si2H6 가스, SiH2Cl2 가스의 가스 공급로(210A∼210C)는 각각 제 1 차단밸브(상류측 차단밸브)(230A∼230C)의 하류측에서 합류하고, 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A)의 가스도입구에 접속하고 있다. 또한, 예를 들면 퍼지 가스로서 사용되는 N2 가스의 가스 공급로(210D)는 역류방지밸브(260D), 제 1 차단밸브(상류측 차단밸브)(230D)를 거쳐서 제 1 차단밸브(상류측 차단밸브)(230A∼230C)의 하류측에서 합류하고, 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A)의 가스도입구에 접속하고 있다.
제 2 실시형태에 관한 제 1 제로점 시프트 정보(383)는 도 13에 나타내는 바와 같이 공통의 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A)만의 제 1 제로점 시프트량(Ek)를 기억하면 충분하다. 또한 제 2 실시형태에 관한 제 2 제로점 시프트 정보(384)는 도 14에 나타내는 바와 같이 공통의 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A)만의 가스종(Gk), 압력(Pk), 제 2 제로점 시프트량(Vk)을 기억한다.
이러한 제 2 실시형태에 관한 열처리 장치(100)에 있어서도, 제 1 실시형태에 관한 열처리 장치(100)와 마찬가지로 도 7∼도 11에 나타내는 바와 같은 유량 보정 처리를 적용할 수 있다. 예를 들면 도 12에 나타내는 열처리 장치(100)에서는 하나의 공통의 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A)에서 복수의 운용 가스(SiH4 가스, Si2H6 가스, SiH2Cl2 가스, N2 가스)의 유량을 제어한다. 이 때문에, 제 2 실시형태에 관한 제 2 제로점 시프트 검출 처리(스텝 S400)에서는 각 운용 가스마다 제 2 제로점 시프트량을 검출하고, 각 운용 가스의 제 2 제로점 시프트량을 도 14에 나타내는 바와 같은 제 2 제로점 시프트 정보(384)에 미리 기억해 둔다.
그리고, 웨이퍼 처리시에는 제 1 제로점 시프트 검출 처리(스텝 S2 00) 및 제 1 제로점 시프트 보정 처리(스텝 S300)를 실행한 후에, 제 2 제로점 시프트 보정 처리(스텝 S500)에 의해서 제 2 제로점 시프트 정보(384)에 의거하여 각 운용 가스에 대한 설정유량을 보정한다. 이것에 의해, 웨이퍼 처리시에는 제 1 제로점 시프트와 제 2 제로점 시프트의 양쪽이 보정된 유량 V에 의해 유량 제어된다.
이러한 제 2 실시형태에 관한 열처리 장치(100)에 의하면, 공통의 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A)를 사용하여 열처리부(110)에 복수의 가스종을 각각 공급하여 웨이퍼 처리를 실행한다. 이러한 경우에도, 제 1 실시형태와 마찬가지의 유량 보정 처리를 실행하는 것에 의해, 웨이퍼 처리시에 각 가스종을 사용할 때에 실제로 발생할 수 있는 열 사이폰 현상에 의거하는 제로점 시프트량을 정확하게 검출하여 적확한 보정을 할 수 있다. 이것에 의해, 매스플로 콘트롤러(MFC)(240A)의 설치 자세에 관계없이, 유량 제어의 정밀도를 더욱 향상시킬 수 있다.
또, 상기 실시형태에 의해 상세하게 기술한 본 발명에 대해서는 복수의 기기로 구성되는 시스템에 적용해도, 1개의 기기로 이루어지는 장치에 적용해도 좋다. 상술한 실시형태의 기능을 실현하는 소프트웨어의 프로그램을 기억한 기억 매체 등의 매체를 시스템 혹은 장치에 공급하고, 그 시스템 혹은 장치의 컴퓨터(또는 CPU나 MPU)가 기억 매체 등의 매체에 저장된 프로그램을 리드해서 실행하는 것에 의해서도, 본 발명이 달성되는 것은 물론이다.
이 경우, 기억 매체 등의 매체로부터 리드된 프로그램 자체가 상술한 실시형태의 기능을 실현하는 것으로 되고, 그 프로그램을 기억한 기억 매체 등의 매체는 본 발명을 구성하게 된다. 프로그램을 공급하기 위한 기억 매체 등의 매체로서는 예를 들면, 플로피(등록상표)디스크, 하드디스크, 광디스크, 광자기디스크, CD-ROM, CD-R, CD-RW, DVD-ROM, DVD-RAM, DVD-RW, DVD+RW, 자기테이프, 비휘발성의 메모리 카드, ROM, 혹은 네트워크를 거친 다운로드 등을 이용할 수 있다.
또, 컴퓨터가 리드한 프로그램을 실행하는 것에 의해, 상술한 실시형태의 기능이 실현될 뿐만 아니라, 그 프로그램의 지시에 의거하여, 컴퓨터상에서 가동하고 있는 OS 등이 실제의 처리의 일부 또는 전부를 실행하고, 그 처리에 의해서 상술한 실시형태의 기능이 실현되는 경우에도, 본 발명에 포함된다.
또한, 기억 매체 등의 매체로부터 리드된 프로그램이, 컴퓨터에 삽입된 기능확장 보드나 컴퓨터에 접속된 기능확장 유닛에 구비되는 메모리에 라이트된 후, 그 프로그램의 지시에 의거하여, 그 기능확장 보드나 기능확장 유닛에 구비되는 CPU 등이 실제의 처리의 일부 또는 전부를 실행하고, 그 처리에 의해서 상술한 실시형태의 기능이 실현되는 경우도, 본 발명에 포함된다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는 것은 물론이다. 당업자라면, 특허청구범위에 기재된 범주내에 있어서, 각종의 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명백하고, 그들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 양해된다.
예를 들면 상기 제 1 및 제 2 실시형태에서는 반도체 제조 장치로서 열처리 장치를 예로 들어 설명했지만, 반드시 이것에 한정되는 것은 아니며, 매스플로 콘트롤러 등의 유량 제어기에 의해서 가스나 액체의 유량을 제어하여 기판에 대해 소정의 처리를 실행하는 반도체 제조 장치이면, 여러가지 종류의 반도체 제조 장치에 적용할 수 있다. 예를 들면 반도체 제조 장치로서 열처리 장치 이외에, 에칭장치나 성막 장치 등에 적용해도 좋다.
본 발명은 매스플로 콘트롤러 등의 유량 제어기에 의해서 가스나 액체의 유량을 제어하고 기판에 대해 소정의 처리를 실행하는 반도체 제조 장치, 반도체 제조 장치의 유량 보정 방법, 프로그램에 적용 가능하다.

Claims (13)

  1. 기판에 대해 반도체 장치를 제조하기 위한 처리를 실시하는 처리부와,
    상기 처리부내에 가스를 공급하는 가스 공급로와,
    상기 가스 공급로에 마련되고, 상기 가스 공급로의 가스유량을 검출하는 검출부로부터의 출력 전압과 미리 설정된 설정유량에 대응하는 설정 전압을 비교하여, 상기 가스 공급로의 가스유량이 설정유량이 되도록 제어하는 유량 제어기와,
    상기 유량 제어기의 상류측과 하류측에 각각 마련되는 차단밸브와,
    상기 가스 공급로에 의해 공급하는 가스의 가스유량에 대응하는 설정전압을 상기 유량 제어기에 설정하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는 기판 처리를 실행하기 전에 미리, 상기 유량 제어기내를 적어도 기판 처리시에 사용하는 가스에 의해 치환하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기로부터의 출력 전압을 검출하고, 이 출력 전압을 기억 수단에 기억해 두고,
    기판 처리를 실행할 때에는 기판 처리시에 사용하는 가스의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 기억 수단에 기억된 상기 유량 제어기의 출력 전압에 의거하여 보정하고, 보정한 가스유량의 설정 전압을 상기 유량 제어기에 설정하는 것을 특징으로 하는
    반도체 제조 장치.
  2. 기판에 대해 반도체 장치를 제조하기 위한 처리를 실시하는 처리부와,
    상기 처리부내에 복수 종의 가스를 각각 공급하는 복수의 가스 공급로와,
    상기 각 가스 공급로에 각각 마련되고, 상기 가스 공급로의 가스유량을 검출하는 검출부로부터의 출력 전압과 미리 설정된 설정유량에 대응하는 설정 전압을 비교하여, 상기 가스 공급로의 가스유량이 설정유량이 되도록 제어하는 복수의 유량 제어기와, 상기 각 유량 제어기의 상류측과 하류측에 각각 마련되는 차단밸브와,
    상기 각 가스 공급로에 의해 공급하는 가스의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 각 유량 제어기에 설정하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는 기판 처리를 실행하기 전에 미리, 상기 각 유량 제어기마다 상기 각 유량 제어기내를 적어도 기판 처리시에 사용하는 가스에 의해 치환하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기로부터의 출력 전압을 검출하고, 각 유량 제어기마다의 출력 전압을 기억 수단에 기억해 두고,
    기판 처리를 실행할 때에는 상기 각 유량 제어기마다 기판 처리시에 사용하는 가스종의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 기억 수단에 상기 각 유량 제어기마다 기억된 출력 전압에 의거하여 각각 보정하고, 보정한 가스유량의 설정 전압을 상기 각 유량 제어기마다 각각 설정하는 것을 특징으로 하는
    반도체 제조 장치.
  3. 기판에 대해 반도체 장치를 제조하기 위한 처리를 실시하는 처리부와,
    상기 처리부내에 복수종의 가스를 각각 공급하는 복수의 가스 공급로와,
    상기 각 가스 공급로가 합류하는 합류로에 마련되고, 상기 가스 공급로의 가스유량을 검출하는 검출부로부터의 출력 전압과 미리 설정된 설정유량에 대응하는 설정 전압을 비교하여, 상기 가스 공급로의 가스유량이 설정유량이 되도록 제어하는 공통의 유량 제어기와,
    상기 유량 제어기의 하류측의 상기 각 가스 공급로에 각각 마련되는 하류측 차단밸브와,
    상기 유량 제어기의 상류측에 마련되는 상류측 차단밸브와,
    상기 각 가스 공급로에 의해 공급하는 각 가스종의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 유량 제어기에 각각 설정하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는 기판 처리를 실행하기 전에 미리, 기판 처리시에 사용하는 각 가스종마다 상기 각 유량 제어기내를 적어도 상기 가스에 의해 치환하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기로부터의 출력 전압을 검출하고, 각 가스종마다의 출력 전압을 기억 수단에 기억해 두고,
    기판 처리를 실행할 때에는 기판 처리에 사용하는 각 가스종의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 기억 수단에 기억된 각 가스종에 대한 상기 유량 제어기의 출력 전압에 의거하여 각각 보정하고, 보정한 가스유량의 설정 전압을 상기 유량 제어기에 각각 설정하는 것을 특징으로 하는
    반도체 제조 장치.
  4. 기판에 대해 반도체 장치를 제조하기 위한 처리를 실시하는 처리부와,
    상기 처리부내에 가스를 공급하는 가스 공급로와,
    상기 가스 공급로에 마련되고, 상기 가스 공급로의 가스유량을 검출하는 검출부로부터의 출력 전압과 미리 설정된 설정유량에 대응하는 설정 전압을 비교하여, 상기 가스 공급로의 가스유량이 설정유량이 되도록 제어하는 유량 제어기와,
    상기 유량 제어기의 상류측과 하류측에 각각 마련되는 차단밸브와,
    상기 유량 제어기내를 진공배기 가능한 진공배기 수단과,
    상기 가스 공급로에 의해 공급하는 가스의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 유량 제어기에 설정하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는 기판 처리를 실행하기 전에 미리, 상기 유량 제어기내를 상기 진공배기 수단에 의해 진공배기하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기의 출력 전압을 제 1 제로점 시프트량으로서 검출하고,이 제 1 제로점 시프트량에 의거하여 제로점보정을 실행한 후에, 상기 유량 제어기내를 적어도 기판 처리시와 마찬가지의 가스에 의해 치환하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기로부터의 출력 전압을 검출하고, 이 출력 전압을 제 2 제로점 시프트량으로서 기억 수단에 기억해 두고,
    기판 처리를 실행할 때에는 상기 유량 제어기내를 상기 진공배기 수단에 의 해 진공배기하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기의 출력 전압을 제 1 제로점 시프트량으로서 검출하고, 이 제 1 제로점 시프트량에 의거하여 제로점보정을 실행한 후에, 기판 처리에 사용하는 가스의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 기억 수단에 기억된 상기 제 2 제로점 시프트량에 의거하여 보정하고, 보정한 가스유량의 설정 전압을 상기 유량 제어기에 설정하는 것을 특징으로 하는
    반도체 제조 장치.
  5. 기판에 대해 반도체 장치를 제조하기 위한 처리를 실시하는 처리부와,
    상기 처리부내에 가스를 공급하는 가스 공급로와,
    상기 가스 공급로에 마련되고, 상기 가스 공급로의 가스유량을 검출하는 검출부로부터의 출력 전압과 미리 설정된 설정유량에 대응하는 설정 전압을 비교하여, 상기 가스 공급로의 가스유량이 설정유량이 되도록 제어하는 유량 제어기와,
    상기 유량 제어기의 상류측과 하류측에 각각 마련되는 차단밸브와,
    상기 유량 제어기내를 진공배기 가능한 진공배기 수단과,
    상기 가스 공급로에 의해 공급하는 가스의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 유량 제어기에 설정하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는 기판 처리를 실행하기 전에 미리, 상기 유량 제어기내를 상기 진공배기 수단에 의해 진공배기하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기의 출력 전압을 제 1 제로점 시프트량으로서 검출하고,이 제 1 제로점 시프 트량에 의거하여 제로점보정을 실행한 후에, 상기 유량 제어기내를 적어도 기판 처리시와 마찬가지의 가스에 의해 치환하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기로부터의 출력 전압을 검출하고, 이 출력 전압을 제 2 제로점 시프트량으로서 기억 수단에 기억해 두고,
    기판 처리를 실행할 때에는 상기 유량 제어기내를 진공배기 수단에 의해 진공배기하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기의 출력 전압을 제 1 제로점 시프트량으로서 검출하고, 기판 처리에 사용하는 가스의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 기억 수단에 기억된 상기 제 2 제로점 시프트량 및 기판 처리를 실행할 때에 검출한 상기 제 1 제로점 시프트량에 의거하여 보정하고, 보정한 가스유량의 설정 전압을 상기 유량 제어기에 설정하는 것을 특징으로 하는
    반도체 제조 장치.
  6. 가스 공급로의 가스유량을 검출하는 검출부로부터의 출력 전압과 미리 설정된 설정유량에 대응하는 설정 전압을 비교하여, 상기 가스 공급로의 가스유량이 설정유량이 되도록 제어하는 유량 제어기를 이용해서 처리부에 가스를 공급하고, 이 처리부내의 기판에 대해 반도체 장치를 제조하기 위한 처리를 실행하는 반도체 제조 장치의 유량 보정 방법으로서,
    기판 처리를 실행하기 전에 미리, 상기 유량 제어기내를 적어도 기판 처리시에 사용하는 가스에 의해 치환하고 상기 유량 제어기의 상류측 및 하류측에 마련된 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기로부터의 출력 전압을 검출하고, 이 출력 전압을 제로점 시프트량으로서 기억 수단에 기억하는 제로점 시프트 검출공정과,
    기판 처리를 실행할 때에, 기판 처리시에 사용하는 가스의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 기억 수단에 기억된 상기 유량 제어기의 제로점 시프트량에 의거하여 보정하고, 보정한 가스유량의 설정 전압을 상기 유량 제어기에 설정하는 제로점 시프트 보정공정을 갖는 것을 특징으로 하는
    반도체 제조 장치의 유량 보정 방법.
  7. 가스 공급로의 가스유량을 검출하는 검출부로부터의 출력 전압과 미리 설정된 설정유량에 대응하는 설정 전압을 비교하여, 상기 가스 공급로의 가스유량이 설정유량이 되도록 제어하는 복수의 유량 제어기를 이용해서 처리부에 복수종의 가스를 공급하고, 이 처리부내의 기판에 대해 반도체 장치를 제조하기 위한 처리를 실행하는 반도체 제조 장치의 유량 보정 방법으로서,
    기판 처리를 실행하기 전에 미리, 상기 각 유량 제어기마다 상기 각 유량 제어기내를 적어도 기판 처리시에 사용하는 가스에 의해 치환하고 상기 유량 제어기의 상류측 및 하류측에 마련된 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기부터의 출력 전압을 검출하고, 이들 각 유량 제어기마다의 출력 전압을 제로점 시프트량으로서 기억 수단에 기억하는 제로점 시프트 검출공정과,
    기판 처리를 실행할 때에, 상기 각 유량 제어기마다 기판 처리시에 사용하는 가스종의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 기억 수단에 상기 각 유량 제어기마다 기억된 출력 전압에 의거하여 각각 보정하고, 보정한 가스유량의 설정 전압을 상기 각 유량 제어기마다 각각 설정하는 제로점 시프트 보정공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 유량 보정 방법.
  8. 가스 공급로의 가스유량을 검출하는 검출부로부터의 출력 전압과 미리 설정된 설정유량에 대응하는 설정 전압을 비교하여, 상기 가스 공급로의 가스유량이 설정유량이 되도록 제어하는 유량 제어기를 이용해서 처리부에 복수 종의 가스를 공급하고, 이 처리부내의 기판에 대해 반도체 장치를 제조하기 위한 처리를 실행하는 반도체 제조 장치의 유량 보정 방법으로서,
    기판 처리를 실행하기 전에 미리, 기판 처리시에 사용하는 각 가스종마다 상기 각 유량 제어기내를 적어도 상기 가스에 의해 치환하고 상기 유량 제어기의 상류측과 하류측에 마련된 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기로부터의 출력 전압을 검출하고, 각 가스종마다의 출력 전압을 제로점 시프트량으로서 기억 수단에 기억하는 제로점 시프트 검출공정과, 기판 처리를 실행할 때에, 기판 처리에 사용하는 각 가스종의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 기억 수단에 기억된 각 가스종에 대한 제로점 시프트량에 의거하여 각각 보정하고, 보정한 가스유량의 설정 전압을 상기 유량 제어기에 각각 설정하는 제로점 시프트 보정공정을 갖는 것을 특징으로 하는
    반도체 제조 장치의 유량 보정 방법.
  9. 가스 공급로의 가스유량을 검출하는 검출부로부터의 출력 전압과 미리 설정된 설정유량에 대응하는 설정 전압을 비교하여, 상기 가스 공급로의 가스유량이 설정유량이 되도록 제어하는 유량 제어기를 이용해서 처리부에 가스를 공급하고, 이 처리부내의 기판에 대해 반도체 장치를 제조하기 위한 처리를 실행하는 반도체 제조 장치의 유량 보정 방법으로서,
    기판 처리를 실행하기 전에 미리, 상기 유량 제어기내를 진공배기 수단에 의해 진공배기하고 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기의 출력 전압을 제 1 제로점 시프트량으로서 검출하고, 이 제 1 제로점 시프트량에 의거하여 제로점보정을 실행한 후에, 상기 유량 제어기내를 적어도 기판 처리시와 마찬가지의 가스에 의해 치환하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기로부터의 출력 전압을 검출하고, 이 출력 전압을 제 2 제로점 시프트량으로서 기억 수단에 기억하는 제 2 제로점 시프트 검출공정과,
    기판 처리를 실행할 때에, 상기 유량 제어기내를 진공배기 수단에 의해 진공배기하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기의 출력 전압을 제 1 제로점 시프트량으로서 검출하고, 이 제 1 제로점 시프트량에 의거하여 제로점보정을 실행한 후에, 기판 처리에 사용하는 가스의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 기억 수단에 기억된 상기 제 2 제로점 시프트량에 의거하여 보정하고, 보정한 가스유량의 설정 전압을 상기 유량 제어기에 설정하는 제 2 제로점 시프트 보정공정을 갖는 것을 특징으로 하는
    반도체 제조 장치의 유량 보정 방법.
  10. 가스 공급로의 가스유량을 검출하는 검출부로부터의 출력 전압과 미리 설정된 설정유량에 대응하는 설정 전압을 비교하여, 상기 가스 공급로의 가스유량이 설정유량이 되도록 제어하는 유량 제어기를 이용해서 처리부에 가스를 공급하고, 이 처리부내의 기판에 대해 반도체 장치를 제조하기 위한 처리를 실행하는 반도체 제조 장치의 유량 보정 방법으로서,
    기판 처리를 실행하기 전에 미리, 상기 유량 제어기내를 진공배기 수단에 의해 진공배기하고 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기의 출력 전압을 제 1 제로점 시프트량으로서 검출하고, 이 제 1 제로점 시프트량에 의거하여 제로점보정을 실행한 후에, 상기 유량 제어기내를 적어도 기판 처리시와 마찬가지의 가스에 의해 치환하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기로부터의 출력 전압을 검출하고, 이 출력 전압을 제 2 제로점 시프트량으로서 기억 수단에 기억하는 제 2 제로점 시프트 검출공정과,
    기판 처리를 실행할 때에, 상기 유량 제어기내를 진공배기 수단에 의해 진공배기하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기의 출력 전압을 제 1 제로점 시프트량으로서 검출하고, 기판 처리에 사용하는 가스의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 기억 수단에 기억된 상기 제 2 제로점 시프트량 및 기판 처리를 실행할 때에 검출한 상기 제 1 제로점 시프트량에 의거하여 보정하고, 보정한 가스유량의 설정 전압을 상기 유량 제어기에 설정하는 제 2 제로점 시프트 보정공정을 갖는 것을 특징으로 하는
    반도체 제조 장치의 유량 보정 방법.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 기억 수단에, 상기 제 1 제로점 시프트량을 검출할 때마다 누적한 제 1 제로점 시프트량에 대해서도 기억하고,
    상기 제 1 제로점 시프트량을 검출했을 때에, 그 제 1 제로점 시프트량을 전회까지 누적된 제 1 제로점 시프트량에 가한 값이, 미리 정한 임계값을 어긋난 경우에 알림 처리를 실행하는 것을 특징으로 하는
    반도체 제조 장치의 유량 보정 방법.
  12. 가스 공급로의 가스유량을 검출하는 검출부로부터의 출력 전압과 미리 설정된 설정유량에 대응하는 설정 전압을 비교하여, 상기 가스 공급로의 가스유량이 설정유량이 되도록 제어하는 유량 제어기를 이용해서 처리부에 가스를 공급하고, 이 처리부내의 기판에 대하여 반도체 장치를 제조하기 위한 처리를 실행하는 반도체 제조 장치의 유량 보정 처리를 실행하기 위한 프로그램으로서,
    컴퓨터에,
    기판 처리를 실행하기 전에 미리, 상기 유량 제어기내를 적어도 기판 처리시에 사용하는 가스에 의해 치환하고 상기 유량 제어기의 상류측 및 하류측에 마련된 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기로부터의 출력 전압을 검출하고, 이 출력 전압을 제로점 시프트량으로서 기억 수단에 기억하는 제로점 시프트 검출 처리와,
    기판 처리를 실행할 때에, 기판 처리시에 사용하는 가스의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 기억 수단에 기억된 상기 유량 제어기의 제로점 시프트량에 의거하여 보정하고, 보정한 가스유량의 설정 전압을 상기 유량 제어기에 설정하는 제로점 시프트 보정 처리를 실행시키기 위한
    프로그램.
  13. 가스 공급로의 가스유량을 검출하는 검출부로부터의 출력 전압과 미리 설정된 설정유량에 대응하는 설정 전압을 비교하여, 상기 가스 공급로의 가스유량이 설정유량이 되도록 제어하는 유량 제어기를 이용해서 처리부에 가스를 공급하고, 이 처리부내의 기판에 대해 반도체 장치를 제조하기 위한 처리를 실행하는 반도체 제조 장치의 유량 보정 처리를 실행하기 위한 프로그램으로서,
    컴퓨터에,
    기판 처리를 실행하기 전에 미리, 상기 유량 제어기내를 진공배기 수단에 의해 진공배기하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기의 출력 전압을 제 1 제로점 시프트량으로서 검출하고, 이 제 1 제로점 시프트량에 의거하여 제로점보정을 한 후에, 상기 유량 제어기내를 적어도 기판 처리시와 마찬가지의 가스에 의해 치환하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기로부터의 출력 전압을 검출하고, 이 출력 전압을 제 2 제로점 시프트량으로서 기억 수단에 기억하는 제 2 제로점 시프트 검출 처리와,
    기판 처리를 실행할 때에, 상기 유량 제어기내를 진공배기 수단에 의해 진공배기하고 상기 각 차단밸브를 닫은 상태에서 상기 유량 제어기의 출력 전압을 제 1 제로점 시프트량으로서 검출하고, 이 제 1 제로점 시프트량에 의거하여 제로점보정을 실행한 후에, 기판 처리에 사용하는 가스의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 상기 기억 수단에 기억된 상기 제 2 제로점 시프트량에 의거하여 보정하고, 보정한 가스유량의 설정 전압을 상기 유량 제어기에 설정하는 제 2 제로점 시프트 보정 처리를 실행시키기 위한
    프로그램.
KR1020077019504A 2005-08-25 2006-06-28 반도체 제조 장치, 반도체 제조 장치의 유량 보정 방법,프로그램 KR100915723B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2005-00243970 2005-08-25
JP2005243970A JP4718274B2 (ja) 2005-08-25 2005-08-25 半導体製造装置，半導体製造装置の流量補正方法，プログラム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070104634A true KR20070104634A (ko) 2007-10-26
KR100915723B1 KR100915723B1 (ko) 2009-09-04

Family

ID=37771366

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020077019504A KR100915723B1 (ko) 2005-08-25 2006-06-28 반도체 제조 장치, 반도체 제조 장치의 유량 보정 방법,프로그램

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7682843B2 (ko)
JP (1) JP4718274B2 (ko)
KR (1) KR100915723B1 (ko)
CN (1) CN100495659C (ko)
TW (1) TWI404115B (ko)
WO (1) WO2007023614A1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101235998B1 (ko) * 2011-03-15 2013-02-21 지이센싱코리아(주) 초소형 절대압용 압력센서의 제조 방법
KR20190068815A (ko) * 2017-12-11 2019-06-19 임용일 질량 유량 제어기 최적화 통합 시스템
KR20190068817A (ko) * 2017-12-11 2019-06-19 조북룡 외부 제어기기와 통신할 수 있는 질량 유량 최적화 제어 시스템

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4718274B2 (ja) * 2005-08-25 2011-07-06 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置，半導体製造装置の流量補正方法，プログラム
JP2009004479A (ja) * 2007-06-20 2009-01-08 Panasonic Corp 装置状態監視方法および装置状態監視装置
WO2010011013A1 (en) * 2008-07-23 2010-01-28 New Power Plasma Co., Ltd. Multi-workpiece processing chamber and workpiece processing system including the same
JP4705140B2 (ja) * 2008-10-06 2011-06-22 株式会社堀場エステック 質量流量計及びマスフローコントローラ
JP2010169657A (ja) 2008-12-25 2010-08-05 Horiba Stec Co Ltd 質量流量計及びマスフローコントローラ
KR20130051013A (ko) 2010-06-09 2013-05-16 솔렉셀, 인크. 고생산성 박막 증착 방법 및 시스템
EP2659504A4 (en) * 2010-12-31 2014-05-07 Solexel Inc SYSTEMS AND METHODS OF DEPOSIT
JP5723678B2 (ja) * 2011-05-31 2015-05-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びそのガス供給方法
KR101427726B1 (ko) * 2011-12-27 2014-08-07 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP5887201B2 (ja) * 2012-05-14 2016-03-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、基板処理プログラム、及び記憶媒体
JP6047308B2 (ja) * 2012-05-28 2016-12-21 日精エー・エス・ビー機械株式会社 樹脂容器用コーティング装置
US9090972B2 (en) * 2012-12-31 2015-07-28 Lam Research Corporation Gas supply systems for substrate processing chambers and methods therefor
US10108205B2 (en) 2013-06-28 2018-10-23 Applied Materials, Inc. Method and system for controlling a flow ratio controller using feed-forward adjustment
US10114389B2 (en) * 2013-06-28 2018-10-30 Applied Materials, Inc. Method and system for controlling a flow ratio controller using feedback
US10128087B2 (en) * 2014-04-07 2018-11-13 Lam Research Corporation Configuration independent gas delivery system
KR20160012302A (ko) * 2014-07-23 2016-02-03 삼성전자주식회사 기판 제조 방법 및 그에 사용되는 기판 제조 장치
US10557197B2 (en) 2014-10-17 2020-02-11 Lam Research Corporation Monolithic gas distribution manifold and various construction techniques and use cases therefor
JP6460911B2 (ja) * 2015-05-18 2019-01-30 アズビル株式会社 熱式マスフローコントローラ及びその傾斜誤差改善方法
US10215317B2 (en) 2016-01-15 2019-02-26 Lam Research Corporation Additively manufactured gas distribution manifold
JP6573559B2 (ja) * 2016-03-03 2019-09-11 東京エレクトロン株式会社 気化原料供給装置及びこれを用いた基板処理装置
KR102326377B1 (ko) * 2016-06-07 2021-11-15 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램
JP6960278B2 (ja) * 2017-08-31 2021-11-05 東京エレクトロン株式会社 流量測定システムを検査する方法
US10947621B2 (en) * 2017-10-23 2021-03-16 Applied Materials, Inc. Low vapor pressure chemical delivery
US10725484B2 (en) * 2018-09-07 2020-07-28 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for pulse gas delivery using an external pressure trigger
JP7130524B2 (ja) * 2018-10-26 2022-09-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の制御装置および基板処理装置の制御方法
JP7215366B2 (ja) * 2019-07-17 2023-01-31 株式会社島津製作所 非対称流流動場分画装置
CN115735100A (zh) * 2020-07-02 2023-03-03 株式会社堀场Stec 热式流量计、流量控制装置、热式流量测定方法、及热式流量计用程序
CN112899663B (zh) * 2021-01-15 2022-12-02 长鑫存储技术有限公司 气体传输设备的检测方法、检测装置与气体传输设备

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6340739A (ja) * 1986-08-06 1988-02-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 質量流量制御器の校正方法及びその装置
JP4078982B2 (ja) * 2002-04-22 2008-04-23 東京エレクトロン株式会社 処理システム及び流量測定方法
JP3872776B2 (ja) * 2003-07-16 2007-01-24 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置及び半導体製造方法
WO2006107044A1 (ja) * 2005-04-04 2006-10-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. プラズマ処理方法及び装置
JP4718274B2 (ja) * 2005-08-25 2011-07-06 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置，半導体製造装置の流量補正方法，プログラム
JP5054500B2 (ja) * 2007-12-11 2012-10-24 株式会社フジキン 圧力制御式流量基準器

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101235998B1 (ko) * 2011-03-15 2013-02-21 지이센싱코리아(주) 초소형 절대압용 압력센서의 제조 방법
KR20190068815A (ko) * 2017-12-11 2019-06-19 임용일 질량 유량 제어기 최적화 통합 시스템
KR20190068817A (ko) * 2017-12-11 2019-06-19 조북룡 외부 제어기기와 통신할 수 있는 질량 유량 최적화 제어 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
CN101032008A (zh) 2007-09-05
CN100495659C (zh) 2009-06-03
JP4718274B2 (ja) 2011-07-06
TW200725685A (en) 2007-07-01
JP2007058635A (ja) 2007-03-08
US7682843B2 (en) 2010-03-23
KR100915723B1 (ko) 2009-09-04
WO2007023614A1 (ja) 2007-03-01
TWI404115B (zh) 2013-08-01
US20090061541A1 (en) 2009-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100915723B1 (ko) 반도체 제조 장치, 반도체 제조 장치의 유량 보정 방법,프로그램
US7658204B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus enabling inspection of mass flow controller maintaining connection thereto
CN101990707B (zh) 基板的异常载置状态的检测方法、基板处理方法、计算机可读取的存储介质以及基板处理装置
KR100725098B1 (ko) 반도체 제조설비의 유량조절기 오동작 감지장치 및 그 방법
KR101076833B1 (ko) 인-시츄 흐름 검증 및 교정을 위한 시스템 및 방법
US8606412B2 (en) Method for detecting malfunction of valve on the downstream side of throttle mechanism of pressure type flow control apparatus
JP6037707B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の診断方法
KR101443493B1 (ko) 처리 장치 및 프로세스 상태의 확인 방법
JP2013037614A (ja) ガス流量検定システム及びガス流量検定ユニット
JP2005106821A (ja) バイパス・ループの気体の流れ校正システムおよび校正方法
CN100462887C (zh) 半导体制造装置和半导体制造方法
TWI434325B (zh) 資訊處理裝置、半導體製造系統、資訊處理方法、程式產品及儲存媒體
JP2635929B2 (ja) マスフローコントローラ絶対流量検定システム
CN114184333B (zh) 气体泄漏检测装置、气体泄漏检测的设定方法、气体泄漏检测方法、以及存储介质
US20230144886A1 (en) Method of manufacturing semiconductor device, method of managing parts, and recording medium
JP2007214406A (ja) 流量検定機能付質量流量制御装置を搭載した半導体製造装置
US8112183B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN116018672A (zh) 用于使用多个特殊传感器和算法的半导体处理配备的抗脆弱系统
TW202217483A (zh) 用以偵測和校正實時產品基板的強化處理和硬體架構
TWI780625B (zh) 液體供應系統及液量輔助判斷方法
US11535931B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device, method of managing parts, and recording medium
KR102670546B1 (ko) 기판 처리 시스템에서 액체 유량계의 에러를 판단하는 장치 및 방법
JP2010283211A (ja) プラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120802

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130801

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140808

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150730

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160727

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170804

Year of fee payment: 9