TWI434325B - 資訊處理裝置、半導體製造系統、資訊處理方法、程式產品及儲存媒體 - Google Patents

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Description

資訊處理裝置、半導體製造系統、資訊處理方法、程式產品及儲存媒體
本發明係關於處理自半導體製造裝置獲取之值的資訊處理裝置及其類似物。
舉例而言，作為用於製造半導體元件之半導體製造裝置，存在一熱處理裝置，其用於對一包括諸如半導體晶圓之半導體的處理目標執行一熱處理，諸如成膜製程、氧化製程或擴散製程。
在熱處理裝置及其類似物中，通常，藉由控制諸如處理溫度、處理壓力或氣體流率之項目以便匹配一被稱作配方之設定值(其為一用於設定處理條件的值)來執行熱處理。
舉例而言，關於此熱處理裝置，存在一使用藉由以下步驟而獲得之估計值控制加熱器之電功率的技術；在反應爐中配置多個溫度感應器：及使用一熱模型(數學模型)，基於諸如來自溫度感應器之輸出及供應至加熱器之電功率的因素依序估計半導體晶圓之溫度(例如，見JP 2002－25997A(例如，第1頁，圖1))。根據此技術，可相對準確地估計非接觸狀態下的半導體晶圓之溫度，且因此可精確地控制處理溫度。
在如上所述之一熱處理裝置中，藉由在實際執行一處理時獲取表示處理期間之狀態的值(諸如，處理溫度、處理壓力及加熱器之電功率)且監視此等值，判斷裝置是否正適當地操作，或者是否適當地執行了所望處理。舉例而言，當在一單一裝置中時，將使用相同配方執行多次之處理的結果隨時間繪示於一曲線圖中，可調整熱處理裝置之功能的時間序列退化(time－series deterioration)或其類似者。
然而，關於使用不同設定值執行的處理之結果，自熱處理裝置獲取之值通常相互不同，且因此使用(例如)不同控制圖管理獲得之關於各別設定值之值。因此，不可能同時監視該等處理結果。為了監視該等處理結果，有必要切換控制圖之顯示。因此，存在一問題：此等操作需要過量工作，且監視之操作複雜。
此外，由於對不同控制圖執行管理，難以同時相互比較處理結果之值。即使使用不同設定值獲得之值顯示於一座標系統中，使用不同設定值獲得之值的曲線圖亦繪示於相互遠離之位置處，且因此存在一問題：難以相互比較此等值。
此外，通常，藉由預先為自一熱處理裝置或其類似物獲取之值設定一臨限值或其類似值，判斷一裝置或由一裝置執行之處理是否正適當地操作，且判斷自該熱處理裝置或其類似物獲取之值是否等於或大於該臨限值，或小於該臨限值。當設定值相互不同時，自熱處理裝置或其類似物獲取之值亦相互不同。因此，有必要預先為各別設定值設定臨限值。因此，存在一問題：設定臨限值之過程花費工作及時間。
此外，在習知資訊處理裝置中，難以按疊加的方式顯示自半導體製造裝置獲取之不同值單位或值範圍下的值，或者相互比較此等值。舉例而言，即使將自半導體製造裝置獲取之內部溫度值及該半導體製造裝置內的加熱器之電功率值按簡單的疊加方式繪示於一曲線圖上，仍難以準確地相互比較該等值，因為其單位及其類似物相互不同。
此外，不藉由任何處理，大體上不可能對不同單位或其類似物下之此等值應用多變量分析，因為即使應用了，獲得之值亦視採用單位之方式而變化。
因此，對自半導體製造裝置獲取之值執行所謂的標準化係可以想像的。標準化指藉由轉換該等值之單位使得(例如)將平均值及標準差設定為指定值而將該等值轉換為不受採用單位之方式影響的值之處理。藉由執行此標準化，可將以不同單位表達之資訊相互比較，且可使用多變量分析對其分析。通常，執行標準化使得平均值為0且標準差為1。更具體言之，藉由計算式"(表示狀態之值－平均值)/標準差"，對自該半導體製造裝置獲取之表示半導體製造裝置之狀態的每一值執行標準化。
在資料係正常分布之情況下，此習知標準化係有效的，但存在一問題：該標準化不適合作為在資料並非正常分布之情況下執行之處理。
舉例而言，描述對不同量測單位下之狀態值執行多變量分析之情況。通常，在多變量分析中，將標準化作為一預備過程執行，使得不存在單位或其類似物之影響。在彼時，可能存在一情況：其中多數狀態值集中於一特定值之附近，且僅一個值顯著地遠離該特定值。在此情況下，存在一問題：即使一個值作為自半導體製造裝置獲取之值處於正常值之範圍中，當執行使用標準差之上述標準化時，作為多變量分析之結果，亦可將該值判斷為與其他值顯著不同之值。
此外，在將藉由以此方式對不同量測單位下之值執行標準化而獲得之值按疊加方式繪示於一曲線圖或其類似物上或者將其相互比較之情況下，對不同量測單位下之值自身執行標準化，使得不存在量測單位之影響。然而，當為各別值設定臨限值及其類似值時，即使在對該等臨限值及其類似值執行標準化時，亦獲得不同的臨限值。因此，有必要使用不同臨限值評估藉由對不同量測單位下之值執行標準化而獲得之值。因此，不能說狀態值之間的比較及其類似操作十分容易，且存在一問題：不能達成標準化之效果。
如上所述，習知地，存在一問題：不能將不同單位或其類似物下之值轉換為不視量測單位而定且適合於諸如多變量分析或該等值之間的比較之資料分析之適當值。
一種根據本發明之資訊處理裝置為一用於處理一狀態值之資訊處理裝置，該狀態值為一關於一處理期間之一狀態之值，該處理由一用於根據一設定值對一含有一半導體之處理目標執行一處理的半導體製造裝置執行，該設定值為一用於設定一處理之一條件之值，該資訊處理裝置包含：一設定值接收部分，其接收該設定值；一狀態值接收部分，其接收該狀態值；一校正量計算部分，其使用一校正函數來計算該狀態值之一校正量，該校正函數為一表示該設定值與該校正量之間的一關係之函數；一校正部分，其使用由該校正量計算部分計算之該校正量來校正由該狀態值接收部分接收之該狀態值；及一輸出部分，其輸出由該校正部分校正之該狀態值。
藉由此組態，分別關於使用不同設定值執行之處理的自半導體製造裝置或其類似物獲取之狀態值可經準確地疊加，使得經預測為對於該等各別設定值而經理想地獲得之預測狀態值得以疊加。因此，可易於監視該等狀態值。此外，可易於將該等狀態值相互比較。結果，可易於發現半導體製造裝置或其類似物中之異常。
此外，在本發明之資訊處理裝置中，校正函數為一表示該設定值之改變量與該校正量之間的關係之函數，校正量為狀態值的基於設定值之改變量而預測之改變量，且該校正量計算部分使用校正函數來計算對應於由該設定值接收部分接收之設定值相對於一預定值之一改變量之校正量。
藉由此組態，根據使用不同設定值執行之處理的狀態值可經準確地疊加，使得經預測為對於該等各別設定值而經理想地獲得之狀態值得以疊加。因此，可易於監視該等狀態值。此外，可易於將該等狀態值相互比較。
此外，在本發明之資訊處理裝置中，校正函數為一具有作為一係數之用於設定該校正函數之校正矩陣之函數，該校正矩陣為每一行中之值為狀態值之改變量之一值的矩陣，該狀態值之該改變量的該值係矩陣中表示所望設定值之每一元素之值經依序改變一單位量而使該半導體製造裝置執行一處理之情況下獲得者。
藉由此組態，一校正函數根據實際量測的值而設定。因此，可設定一考慮諸如半導體製造裝置之配置狀態的實際狀態的校正函數。因此，可準確地疊加根據不同設定值而獲得之狀態值。
此外，在本發明之資訊處理裝置中，校正函數為具有作為一係數之半導體製造裝置之轉移函數的穩態增益之一函數。
藉由此組態，獲得校正函數之係數的過程並非必要。因此，在並不使半導體製造裝置執行一所望處理之情況下，可設定校正函數。因此，可簡化校正函數之設定。
此外，在本發明之資訊處理裝置中，校正函數為一表示設定值與校正量之間的關係之函數，校正量為基於該設定值而預測之狀態值，且該校正量計算部分使用該校正函數來計算對應於由該設定值接收部分接收之設定值的校正量。
藉由此組態，根據使用不同設定值執行之處理的狀態值可經準確地疊加，使得經預測為對於該等各別設定值而經理想地獲得之狀態值得以疊加。因此，可易於監視該等狀態值。此外，可易於將該等狀態值相互比較。結果，可易於發現半導體製造裝置或其類似物中之異常。
此外，在本發明之資訊處理裝置中，校正函數為一使用多組設定值及對應於設定值之狀態值而獲得之函數。
藉由此組態，一校正函數根據實際量測的值而設定。因此，可設定一考慮半導體製造裝置之實際狀態的校正函數。因此，可準確地疊加根據不同設定值而獲得之狀態值。
此外，本發明之資訊處理裝置進一步包含一校正函數產生部分，其使用多組設定值及對應於設定值之狀態值產生該校正函數。
藉由此組態，一校正函數根據實際量測的值而設定。因此，可設定一考慮半導體製造裝置之實際狀態的校正函數。因此，可準確地疊加根據不同設定值而獲得之狀態值。
此外，在本發明之資訊處理裝置中，校正函數為一經表達為使用多組設定值及對應於設定值之狀態值而獲得的一近似式之函數。
藉由此組態，一校正函數根據實際量測的值而設定。因此，可設定一考慮半導體製造裝置之實際狀態的校正函數。因此，可準確地疊加根據不同設定值而獲得之狀態值。
此外，在本發明之資訊處理裝置中，設定值為用於設定關於半導體製造裝置內之處理目標之處理條件的值，且該狀態值為表示在該處理目標經安置於該半導體製造裝置中之位置以外的位置之處理期間的狀態之值。
藉由此組態，基於處理期間在與處理目標經安置於半導體製造裝置中之位置不同的一位置處之狀態，可監視半導體製造裝置之狀態及其類似物。
此外，在本發明之資訊處理裝置中，設定值接收部分接收多個設定值，狀態值接收部分接收分別對應於該多個設定值之多個狀態值，校正量計算部分使用校正函數來計算分別對應於該多個狀態值之多個校正量，校正部分以該多個校正量來校正分別對應於由該校正量計算部分計算之該多個校正量之該多個狀態值，且輸出部分輸出由該校正部分校正之該多個狀態值。
藉由此組態，可準確地疊加根據多個設定值之狀態值。
此外，在本發明之資訊處理裝置中，設定值接收部分接收每一者充當設定值之一第一設定值及一第二設定值，狀態值接收部分接收分別對應於該第一設定值及該第二設定值之一第一狀態值及一第二狀態值，校正量計算部分使用校正函數基於該第二設定值相對於充當一預定值之該第一設定值的一改變量而計算該第二狀態值之一校正量，校正部分以該校正量校正該第二狀態值，且輸出部分輸出由該校正部分校正之該第二狀態值及該第一狀態值。
藉由此組態，足以僅校正該第二狀態值。因此，可減少過程時間。
此外，在本發明之資訊處理裝置中，設定值為半導體製造裝置內的溫度之設定值，且狀態值為半導體製造裝置內的溫度之量測值。
藉由此組態，藉由使半導體製造裝置根據不同溫度設定執行處理而獲得之溫度的量測值可經準確地疊加以用於監視或比較。
此外，在本發明之資訊處理裝置中，設定值為在半導體製造裝置內之預定位置處的溫度之設定值，且狀態值為加熱該半導體製造裝置之一內部的一加熱器之功率值。
藉由此組態，藉由使半導體製造裝置根據不同溫度設定執行處理而獲得之加熱器的功率值可經準確地疊加以用於監視或比較。
此外，根據本發明之一資訊處理裝置為一用於處理一狀態值之資訊處理裝置，該狀態值為一關於一處理期間之一狀態之值，該處理由一用於對一含有一半導體之處理目標執行一處理的半導體製造裝置執行，該資訊處理裝置包含：一狀態值接收部分，其接收該狀態值；一標準值儲存部分，為充當該等狀態值之標準的一值之一標準值可儲存於其中；一臨限值儲存部分，為用於判斷該狀態值是否為一所望值之一值的一臨限值可儲存於其中；一計算部分，其計算一關於由該狀態值接收部分接收之該狀態值與該標準值之間的一差之值與一關於該臨限值與該標準值之間的一差之值之間的一比率；及一輸出部分，其輸出由該計算部分計算之該比率。
藉由此組態，使用臨限值及標準值，可將狀態值轉換為比率。因此，可將該等狀態值轉換為不視量測單位而定且適合於分析及其類似操作之值。此外，由於將該等狀態值轉換為考慮了條件值與臨限值之間的關係之比率，所以可使用相同的臨限值評估該等狀態值，而並不視量測單位而定。因此，例如，可易於分析該等狀態值。
此外，在本發明之資訊處理裝置中，狀態值接收部分接收不同量測單位下之多個狀態值，計算部分計算對應於不同量測單位下之該多個狀態值中之每一者的比率，且輸出部分輸出由該計算部分計算之該多個比率。
藉由此組態，使用臨限值及標準值，可將諸如單位之量測單位相互不同之狀態值轉換為比率。因此，可將該等狀態值轉換為不視量測單位而定且適合於分析及其類似操作之值。此外，由於將該等狀態值轉換為考慮了條件值與臨限值之間的關係之比率，所以可使用相同的臨限值評估不同量測單位下之值。因此，例如，可易於分析不同量測單位下之狀態值。
此外，根據本發明之一資訊處理裝置為一用於處理一狀態值之資訊處理裝置，該狀態值為一關於一處理期間之一狀態之值，該處理由一用於對一含有一半導體之處理目標執行一處理的半導體製造裝置執行，該資訊處理裝置包含：一狀態值接收部分，其接收不同量測單位下之多個狀態值；一標準值儲存部分，為充當該等狀態值之標準的一值之一標準值可儲存於其中；一臨限值儲存部分，為用於判斷該狀態值是否為一所望值之一值的一臨限值可儲存於其中；一計算部分，對於不同量測單位下之該多個狀態值中之每一者，其計算一關於由該狀態值接收部分接收之該狀態值與該標準值之間的一差之值與一關於該臨限值與該標準值之間的一差之值之間的一比率；一多變量分析部分，其使用由該計算部分計算之該多個比率執行多變量分析；及一輸出部分，其輸出由該多變量分析部分執行之分析的結果。
藉由此組態，使用臨限值及標準值，可將諸如單位之量測單位相互不同之狀態值轉換為比率。因此，可將該等狀態值轉換為不視量測單位而定且適合於分析及其類似操作之值。當使用經轉換的狀態值執行多變量分析時，可獲得考慮臨限值之適當的分析結果，而不管該等狀態值是否經正常分布。
此外，在本發明之資訊處理裝置中，由計算部分用於計算一比率之臨限值係在由該標準值分為兩個子範圍的該狀態值之可能範圍中之該狀態值所屬之子範圍中之值。
藉由此組態，在不視量測單位而定的情況下，可使用共同的臨限值評估該等狀態值，且可執行考慮臨限值之適當的多變量分析。
此外，在本發明之資訊處理裝置中，狀態值為半導體製造裝置內的溫度之量測值或藉由在統計上處理該量測值而獲得之一值。
藉由此組態，例如，可易於分析該等狀態值。
此外，在本發明之資訊處理裝置中，狀態值為半導體製造裝置內的壓力之量測值或藉由在統計上處理該量測值而獲得之一值。
藉由此組態，例如，可易於分析該等狀態值。
此外，在本發明之資訊處理裝置中，狀態值為引入至半導體製造裝置內的氣體之流率之量測值或藉由在統計上處理該量測值而獲得之一值。
藉由此組態，例如，可易於分析該等狀態值。
此外，在本發明之資訊處理裝置中，不同量測單位下之多個狀態值為半導體製造裝置內的溫度之量測值及半導體製造裝置內的壓力之量測值，或藉由在統計上處理該等量測值而獲得之值。
藉由此組態，例如，可易於分析該等狀態值。
此外，在本發明之資訊處理裝置中，不同量測單位下之多個狀態值進一步包括引入至半導體製造裝置內的氣體之流率之量測值或藉由在統計上處理該量測值而獲得之一值。
藉由此組態，例如，達成可易於分析該等狀態值之效果。
此外，根據本發明之一半導體製造系統為包含一用於對一含有一半導體之處理目標執行一處理之半導體製造裝置及上述資訊處理裝置之一半導體製造系統，其中該半導體製造裝置包含：一處理狀態值獲取部分，其獲取該狀態值；及一處理輸出部分，其輸出該狀態值。
藉由此組態，例如，可易於分析該等狀態值。
此外，在本發明之半導體製造系統中，該半導體製造裝置進一步包含：一處理容器，在其中對該處理目標執行一處理；及至少一溫度偵測部分，其偵測該處理容器內之溫度，且該處理狀態值獲取部分獲取一狀態值該狀態值為由該溫度偵測部分偵測之一溫度值或藉由在統計上處理該值而獲得之一值。
藉由此組態，例如，可易於分析該半導體製造裝置之溫度。
此外，在本發明之半導體製造系統中，該半導體製造裝置進一步包含：一處理容器，在其中對該處理目標執行一處理；及一壓力偵測部分，其偵測該處理容器內之壓力，且該處理狀態值獲取部分獲取一狀態值，該狀態值為由該壓力偵測部分偵測之一壓力值或藉由在統計上處理該值而獲得之一值。
藉由此組態，例如，可易於分析壓力。
此外，在本發明之半導體製造系統中，該半導體製造裝置進一步包含：一處理容器，在其中對該處理目標執行一處理；及一氣體流率偵測部分，其偵測引入至該處理容器內的氣體之流率，且該處理狀態值獲取部分獲取一狀態值，該狀態值為由該氣體流率偵測部分偵測之一氣體流率值或藉由在統計上處理該值而獲得之一值。
藉由此組態，例如，可易於分析該氣體流率。
根據本發明之資訊處理裝置及其類似物，可易於監視自半導體製造裝置或其類似物獲取之分別關於使用不同設定值執行之處理的值。
此外，例如，根據本發明之資訊處理裝置及其類似物，可將諸如單位之量測單位相互不同之值轉換為不視量測單位而定且適合於分析之值。
在下文中，參看圖式描述資訊處理裝置及其類似物之實施例。在實施例中由相同參考數字表示之組件執行類似操作，且因此可不重複其描述。
(實施例1)
圖1為說明此實施例中之半導體製造系統之組態的方塊圖。該半導體製造系統具備一資訊處理裝置100及一半導體製造裝置200。本文中，描述一實例，其中半導體製造裝置200為用於執行包括熱處理之處理的熱處理裝置且其中處理目標為半導體晶圓。然而，半導體製造裝置200可為任何形式，只要其對含有一半導體之處理目標執行處理，且該處理可為任何處理。更具體言之，本發明之組態亦可適用於半導體製造裝置200呈不同於熱處理裝置之形式的情況，或者處理目標為不同於半導體晶圓之含有一半導體之材料的情況。本文中，資訊處理裝置100及半導體製造裝置200經相互連接，使得(例如)可經由一網路(諸如，網際網路或LAN)或一專用信號線交換資訊。
資訊處理裝置100具備一設定值接收部分101、一狀態值接收部分102、一校正量計算部分103、一校正部分104、一輸出部分105、一校正函數儲存部分106及一指定值儲存部分107。
設定值接收部分101接收一設定值，該設定值為用於設定該半導體製造裝置之處理條件之值。舉例而言，本文中假定由設定值接收部分101接收之設定值為用於設定關於半導體製造裝置200內之處理目標的處理條件之值。設定值之特定實例包括用於設定半導體製造裝置200之處理溫度、處理壓力、氣體流率、加熱器電功率的值。本文中，特定地描述設定值為用於設定半導體製造裝置200內之一或多個半導體晶圓之溫度的值之一實例。在待在半導體製造裝置200中之多個點處設定處理條件之情況下，設定值接收部分101可接收用於在該多個點之部分或全部處設定條件的一或多個設定值。舉例而言，在可在半導體製造裝置200內之多個區域處控制溫度之情況下，可接收對於各別區域之用於設定溫度之設定值。此外，在諸如用於執行批次處理(batch process)之熱處理裝置之半導體製造裝置中，設定值接收部分101可接收逐批不同之設定值。由設定值接收部分101執行之接收的實例包括自一輸入單元之接收、自另一設備或其類似物傳輸的輸入信號之接收及自一儲存媒體或其類似物的資訊之讀出。本文中，描述設定值接收部分101接收自半導體製造裝置200(稍後加以描述)輸出之一設定值的一實例，但不存在對設定值接收部分101接收該設定值之方式的限制。至設定值接收部分101的設定值之輸入單元可呈任何形式，諸如，數字小鍵盤、鍵盤、滑鼠、選單螢幕或諸如網路卡之通信設備。設定值接收部分101可或可不具備用於自通信設備或儲存媒體讀出資訊的設備。舉例而言，藉由諸如數字小鍵盤或鍵盤的輸入單元之設備驅動器、用於選單螢幕之控制軟體或通信設備之驅動器，可實施設定值接收部分101。
狀態值接收部分102接收一狀態值，其為獲取的關於在半導體製造裝置200之一處理期間的狀態之值。"狀態值"在本文中指當半導體製造裝置200正根據設定值執行處理時所獲取之值。"獲取的關於一處理期間的狀態之值"可為任何值，只要其可加以獲取且可表示半導體製造裝置200之一處理期間的狀態便可。其特定實例包括在處理期間自半導體製造裝置200自身或半導體製造裝置200之內部環境獲取之量測值、使用此量測值計算的計算值及在處理期間由半導體製造裝置200內部控制之值。狀態值之實例包括藉由使用溫度感應器或其類似物在半導體製造裝置200中之處理容器211內之一所望的位置處量測處理期間之溫度而獲得之值、藉由使用壓力計或其類似物量測處理壓力而獲得之值、由瓦特計量測的加熱器之功率值及量測值之平均值、最大值、最小值及標準差。此外，狀態值可為基於(例如)在處理期間自半導體製造裝置供應至加熱器之電壓或電流而計算的內部加熱器之功率值。應注意，較佳地，在由設定值接收部分101接收之上述設定值與由狀態值接收部分102接收之狀態值之間存在相關性。舉例而言，若設定值為在半導體製造裝置200中之處理容器211內之一所望位置處的設定溫度，則將在半導體製造裝置200中之處理容器211內之一預定位置處的溫度或在處理期間自加熱器之輸出作為由狀態值接收部分102接收之狀態值。狀態值可為一個值、可為多個值(諸如，隨時間獲取之多個值)或可為半導體製造裝置每次執行批次處理時獲取之值。不存在對狀態值接收部分102接收狀態值之方式的限制。舉例而言，狀態值接收部分102可經由一通信線接收自另一設備或其類似物傳輸之狀態值，或可讀出儲存於一儲存媒體或其類似物中之狀態值。此外，狀態值接收部分102可接收自一輸入單元(諸如，數字小鍵盤、鍵盤、滑鼠或選單螢幕)輸入之狀態值。舉例而言，藉由諸如數字小鍵盤或鍵盤的輸入單元之設備驅動器、用於選單螢幕之控制軟體、通信設備之驅動器或用於自儲存媒體讀出資訊之設備(諸如，記憶卡讀取器或CD驅動機)的驅動器，可實施狀態值接收部分102。
校正量計算部分103使用一校正函數來計算校正量，該校正函數為一表示該設定值與狀態值之校正量之間的關係之函數。校正量指用於校正之一值。舉例而言，校正函數為表示由設定值接收部分101接收之設定值之改變量與校正量之間的關係之函數，該校正量為狀態值之基於設定值之改變量而預測的改變量。本文中，使用校正函數，校正量計算部分103計算對應於由設定值接收部分101接收之設定值相對於一預定值的一改變量之校正量。本文中，預定值被稱為指定值。指定值稍後加以描述。在此實施例中，更具體言之，藉由將由設定值接收部分101接收之設定值相對於一預設指定值的一改變量指派至上述校正函數，校正量計算部分103計算校正量。應注意，預測的狀態值特定地指經預測為在半導體製造裝置中根據設定值執行理想控制之情況下加以獲得之一理想狀態值。本文中描述之改變量通常指藉由自諸如改變後的設定值或狀態值之一值減去諸如改變前的設定值或狀態值之一值而獲得之一值。改變量亦可為藉由此減法而獲得之值的絕對值。此外，校正量亦可為絕對值。稍後對校正函數詳細描述。舉例而言，將校正函數預先儲存於諸如記憶體之儲存媒體中，且當計算校正量時將其讀出。本文中，假定校正函數儲存於校正函數儲存部分106中。指定值為用於指定由設定值接收部分101接收之設定值待轉換至的一值之預設值。舉例而言，指定值可由使用者任意設定，或可由資訊處理裝置100根據由資訊處理裝置100接收之設定值或狀態值設定。舉例而言，當接收到多個設定值時，可將設定值中之一者作為指定值，或可將該等設定值之間的任何值(諸如，中間值)作為指定值。使用校正函數獲得之校正量為在將設定值轉換為指定值之情況下每一狀態值所需之校正量。更具體言之，當使用校正量校正由狀態值接收部分102接收之狀態值時，由狀態值接收部分102接收之狀態值經校正為在設定值為指定值之情況下獲得之狀態值。可將指定值預先儲存於諸如記憶體之儲存媒體中，或可適當地自諸如上述設定值接收部分101之接收部分將其接收。本文中，描述預先儲存於指定值儲存部分107中之指定值由校正量計算部分103讀出之情況。舉例而言，校正量計算部分103通常可實施為一MPU(微處理單元)或一記憶體。通常，校正量計算部分103之處理程序由軟體加以實施，且軟體儲存於諸如ROM之儲存媒體中。注意，處理程序亦可由硬體(專用電路)加以實施。
校正部分104使用由校正量計算部分103計算之校正量來校正由狀態值接收部分102接收之狀態值，藉此獲取一新的狀態值。舉例而言，校正部分104執行自狀態值接收部分102所接收之狀態值減去校正量之校正。應注意，在校正量為絕對值之情況下，校正部分104執行最終提供與在校正量不為絕對值之情況下獲得之校正結果相同的校正結果之校正。舉例而言，校正部分104通常可實施為一MPU或一記憶體。通常，校正部分之處理程序由軟體加以實施，且軟體儲存於諸如ROM(唯讀記憶體)之儲存媒體中。注意，處理程序亦可由硬體(專用電路)加以實施。
輸出部分105輸出由校正部分104校正之狀態值。本文中，術語"輸出"為包括在顯示螢幕上顯示、使用印表機在紙或其類似物上列印、在諸如記憶體之儲存媒體中累積及傳輸至外部裝置之概念。輸出部分105可或可不包括諸如顯示螢幕或印表機之輸出設備。舉例而言，輸出部分105可由輸出設備之驅動器軟體實施或由輸出設備之驅動器軟體與該輸出設備之組合實施。
校正函數儲存於校正函數儲存部分106中。片語"儲存校正函數"指儲存表示校正函數之資訊的狀態。對校正函數儲存部分106不存在限制，只要校正函數可儲存於其中便可。通常，校正函數儲存部分106較佳為非揮發性儲存媒體，但亦可實施為揮發性儲存媒體。
指定值儲存於指定值儲存部分107中。對指定值儲存部分107不存在限制，只要指定值可儲存於其中便可。通常，指定值儲存部分107較佳為非揮發性儲存媒體，但亦可實施為揮發性儲存媒體。
接下來，描述半導體製造裝置200之組態。應注意，例如，半導體製造裝置200具有用於根據各種設定對處理目標執行所望處理之組態。然而，此說明書僅描述用於根據上述設定值對處理目標執行所望處理之主要組態及用於在對處理目標執行所望處理之狀態下獲取上述狀態值之主要組態。其他組態及其類似內容為已知技術，且因此省略其描述。
半導體製造裝置200具備處理容器211。舉例而言，處理容器211亦被稱為反應器容器或反應爐。在處理容器211中，含有充當處理目標之半導體晶圓250，且其經受預定的熱處理，諸如，CVD(化學氣相沈積)製程。處理容器211由耐熱且抗腐蝕材料(諸如，石英玻璃)製成。處理容器211具有單一管結構，其中上端及下端為打開的。使上端變窄為小的直徑且其形成排氣部分212。舉例而言，排氣部分212經由一排氣管(未圖示)連接至一真空泵(未圖示)。
將用於將處理氣體或惰性氣體引入至處理容器211中之氣體引入部分213安置於處理容器211之下部中。將與氣源連通之多個氣體供應管214插入至氣體引入部分213中。自氣體引入部分213引入之處理氣體經由處理容器211上升、被供應至半導體晶圓250上之預定熱處理且接著自排氣部分212被排出。
處理容器211之凸緣形下端部分215由蓋221(由諸如不銹鋼之耐熱且抗腐蝕材料製成)打開或關閉。蓋221藉由一升降機(未圖示)而垂直移動，藉此在提昇位置處緊閉處理容器211之下端部分215，且在降低位置處打開處理容器211之下端部分215。
用於緊固氣密性之一O形環222安置於處理容器211之下端部分215與蓋221之間。
在蓋221之中心部分處豎直可旋轉地提供一旋轉支撐柱223，且一旋轉台224緊固至旋轉支撐柱223之上端。
此外，用於驅動以旋轉該旋轉支撐柱223之驅動部分225提供於蓋221下方。
在旋轉台224上，置放由石英玻璃製成之舟226(所謂的半導體晶舟)，可在高度方向上以預定間隔將(例如)60個半導體晶圓250安裝於其中。在已降低蓋221之狀態下，將舟226置放於旋轉台224上，當蓋221經提昇以緊閉處理容器211之下端部分215時，將其完全裝載至處理容器211內，且當在已完成處理後降低蓋221時，將其卸載。此外，在一製程期間，當旋轉台224由驅動部分225旋轉時，舟226旋轉，且因此對半導體晶圓250執行均勻的熱處理。
處理容器211由具備一或多個加熱器231之加熱爐230包圍，加熱器231為用於自半導體晶圓250之周邊部分加熱包含於處理容器211中的半導體晶圓250之加熱單元。沿著處理容器211之周邊配置加熱器231。舉例而言，加熱器231具有電阻熱產生部件，且當供應電力時產生熱。作為電阻熱產生部件，較佳地使用在溫度上升及下降特性上優越之碳線或其類似物。然而，不存在對加熱器231之結構或其類似物之限制。本文中，展示由五個加熱器231a至231e組成一或多個加熱器231之實例，但不存在對加熱器數目的限制。沿著對準半導體晶圓250之方向配置加熱器231a至231e。然而，不存在對配置加熱器231a至231e之點的限制。
沿著處理容器211之外圓周面提供一或多個溫度偵測部分241。本文中，描述由五個溫度偵測部分241a至241e組成一或多個溫度偵測部分241之實例，但不存在對溫度偵測部分241之數目的限制。本文中，在垂直方向上將五個溫度偵測部分241a至241e配置成一列，但不存在對配置溫度偵測部分241之點的限制。溫度偵測部分241a至241e偵測溫度，且輸出對應於所偵測溫度的電信號。溫度偵測部分241a至241e特定地為溫度感應器，且可具有任何結構(諸如，熱電偶)，只要藉此可偵測溫度便可。應注意，不存在對溫度偵測部分241a至241e之配置的限制。如稍後加以描述，溫度偵測部分241a至241e之輸出用於預測配置於舟226中之半導體晶圓250之表面溫度。
半導體製造裝置200進一步具備一處理設定值接收部分201、一控制部分202、一處理狀態值獲取部分203及一處理輸出部分204。
處理設定值接收部分201接收用於設定關於處理目標之處理條件之設定值。更具體言之，由處理設定值接收部分201接收之設定值為由設定值接收部分101接收之上述設定值。在待在半導體製造裝置200中之多個點處設定處理條件之情況下，處理設定值接收部分201可接收用於在該多個點之部分或全部處設定條件的一或多個設定值。舉例而言，在可在半導體製造裝置200內之多個區域處控制溫度之情況下，可接收對於各別區域之用於設定溫度之設定值。此外，在用於執行批次處理之半導體製造裝置(諸如分批式熱處理裝置)中，處理設定值接收部分201可接收逐批不同之設定值。本文中，如上所述，假定設定值為處理容器211內之一或多個半導體晶圓之溫度的設定值。當設定多個半導體晶圓250之溫度時，處理設定值接收部分201接收用於半導體晶圓250之各別位置的設定值。不存在對處理設定值接收部分201接收狀態值之方式的限制。舉例而言，處理設定值接收部分201可經由一通信線接收自另一設備或其類似物傳輸之狀態值，或可讀出儲存於一儲存媒體或其類似物中之狀態值。此外，處理設定值接收部分201可接收自一輸入單元(諸如，數字小鍵盤、鍵盤、滑鼠或選單螢幕)輸入之狀態值。本文中，描述已由處理設定值接收部分201接收之設定值由處理輸出部分204輸出至資訊處理裝置100中之設定值接收部分101且此設定值由設定值接收部分101接收之實例。舉例而言，藉由諸如數字小鍵盤或鍵盤的輸入單元之設備驅動器、用於選單螢幕之控制軟體、通信設備之驅動器或用於自儲存媒體讀出資訊之設備(諸如，記憶卡讀取器或CD驅動機)的驅動器，可實施處理設定值接收部分201。
控制部分202根據由處理設定值接收部分201接收之設定值控制半導體製造裝置200之操作。舉例而言，在設定值為用於設定溫度之值的情況下，控制部分202藉由根據由一或多個溫度偵測部分241偵測之溫度控制加熱器231之輸出來執行控制，使得處理容器211內之溫度匹配由設定值設定之溫度。不存在對控制部分202根據設定值控制處理容器211內之狀態的方式之限制。舉例而言，可應用所謂的回饋控制，其中充當控制目標之狀態由感應器或其類似物在控制目標點處偵測，且半導體製造裝置200經控制使得偵測結果匹配設定值。本文中，描述控制部分202執行控制使得待設定設定值之一位置(諸如，處理容器211內之處理目標或特定區)處之溫度匹配由設定值設定之溫度的實例。本文中，特定地描述一實例，其中如上述JP 2002－25997A中所揭示，控制部分202基於由溫度偵測部分241偵測之溫度，使用用於估計處理目標或區之溫度且儲存於一儲存部分或其類似物(未圖示)中的模型來估計處理容器211內之預定處理目標或區之溫度，且根據此估計個別地控制一或多個加熱器231，使得處理目標或區之溫度匹配由設定值設定之溫度。控制部分202執行不同於上述的整個半導體製造裝置200之控制，諸如，氣體流率之控制、閥之打開/關閉控制及舟提昇之控制，但此控制為已知技術，且因此省略其描述。舉例而言，控制部分202通常可實施為一MPU或一記憶體。通常，控制部分202之處理程序由軟體加以實施，且軟體儲存於諸如ROM之儲存媒體中。注意，處理程序亦可由硬體(專用電路)加以實施。
處理狀態值獲取部分203獲取一狀態值，其為關於在半導體製造裝置200之一處理期間的狀態之值。通常，此狀態值與上述由狀態值接收部分102接收之狀態值相同。狀態值之實例包括由溫度偵測部分241偵測之溫度值(亦即，量測值)及加熱器231之功率值。舉例而言，在基於作為藉由溫度偵測部分偵測溫度之結果而輸出的信號對處理目標執行預定處理之狀態下，處理狀態值獲取部分203獲取為對應於彼信號之溫度值的狀態值。此外，處理狀態值獲取部分203可獲取為由控制部分202控制的加熱器231之功率值的狀態值，或可獲取為基於由瓦特計(未圖示)偵測之功率值的加熱器231之功率值的狀態值。本文中，描述溫度偵測部分241之輸出經一次輸入至控制部分202且溫度偵測部分241之輸出自控制部分202輸出至處理狀態值獲取部分203之情況。然而，溫度偵測部分241之輸出可直接由處理狀態值獲取部分203接收。此外，在此情況下，由處理狀態值獲取部分203接收之輸入可由處理狀態值獲取部分203適當地輸出至控制部分202。舉例而言，處理狀態值獲取部分203通常可實施為一MPU或一記憶體。通常，處理狀態值獲取部分203之處理程序由軟體加以實施，且軟體儲存於諸如ROM之儲存媒體中。注意，處理程序亦可由硬體(專用電路)加以實施。
處理輸出部分204輸出由處理狀態值獲取部分203獲取之狀態值。本文中，描述處理輸出部分204將由處理狀態值獲取部分203獲取之狀態值傳輸至資訊處理裝置100中之狀態值接收部分102之實例。不存在對自處理輸出部分204輸出狀態值至狀態值接收部分102之時序、觸發或其類似物之限制。舉例而言，處理輸出部分204並無必要在每次處理狀態值獲取部分203獲取一關於處理期間的狀態之值時輸出一狀態值。處理輸出部分204亦可在將多個值臨時累積於一記憶體或其類似物中後輸出多個值。此外，由處理輸出部分204輸出之狀態值可累積於資訊處理裝置100內之儲存媒體(諸如，記憶體(未圖示))中。此外，處理輸出部分204可將由處理設定值接收部分201接收之設定值輸出至設定值接收部分101。此外，處理輸出部分204可經由可移動儲存媒體或其類似物與資訊處理裝置100交換關於處理或其類似操作之資訊。本文中，術語"輸出"為包括傳輸至外部裝置及在諸如記憶體之儲存媒體中累積之概念。處理輸出部分204可或可不包括諸如通信設備之輸出設備。舉例而言，處理輸出部分204可由輸出設備之驅動器軟體或輸出設備之驅動器軟體與該輸出設備之組合實施。
接下來，參看圖2中之流程圖描述資訊處理裝置100之操作。本文中，為了方便起見，描述資訊處理裝置100接收已由半導體製造裝置200或其類似物輸出之針對執行所望處理所設定之設定值及在使半導體製造裝置200根據此設定值執行所望處理之情況下在不同時期獲取之多個狀態值之情況。本文中，假定多個狀態值中之每一者與獲取狀態值時的時間資訊相關聯。
(步驟S201)設定值接收部分101接收由半導體製造裝置200或其類似物輸出之設定值。該接收的設定值至少臨時累積於諸如記憶體(未圖示)之儲存媒體中。
(步驟S202)狀態值接收部分102接收由半導體製造裝置200或其類似物輸出之多個狀態值。該等接收的狀態值累積於諸如記憶體(未圖示)之儲存媒體中。
(步驟S203)校正量計算部分103自校正函數儲存部分106獲取預先儲存之校正函數。
(步驟S204)校正量計算部分103自指定值儲存部分107獲取預先儲存之指定值。
(步驟S205)校正量計算部分103計算在步驟S201中接收之設定值相對於在步驟S204中獲取之指定值的改變量。更具體言之，藉由自設定值減去指定值獲得改變量。
(步驟S206)藉由將在步驟S205中計算之改變量指派至在步驟S203中獲取之校正函數，計算校正量。
(步驟S207)校正部分104將1指派至計數器K。
(步驟S208)校正部分104獲取第K個狀態值。本文中，狀態值接收部分102在累積於記憶體或其類似物(未圖示)中之設定值當中獲取由半導體製造裝置200或其類似物獲取之在時間序列次序上為第K個值的狀態值。
(步驟S209)校正部分104以在步驟S206中獲取之校正量校正在步驟S208中獲取之狀態值。
(步驟S210)輸出部分105輸出在步驟S209中校正之狀態值。舉例而言，輸出部分105將經校正的狀態值儲存於記憶體中、將其顯示於顯示螢幕上或將其傳輸至另一裝置。
(步驟S211)校正部分104將計數器K增加1。
(步驟S212)校正部分104判斷是否存在第K個狀態值。若存在第K個狀態值，則程序返回至步驟S208。若不存在第K個狀態值，則過程結束。
應注意，在圖2中之流程圖中，可在將用於一批之多個設定值、多個指定值、一次獲取之多個狀態值及其類似值表達為一矩陣之狀態下執行上述過程。舉例而言，在待在半導體製造裝置200內之多個區處設定溫度之情況下，可將設定值及指定值表達為元素之數目與區之數目相同的矩陣。此外，在將多個加熱器231之各別功率值或自多個溫度偵測部分241所獲取之溫度獲得之多個值用作狀態值之情況下，可將該等狀態值表達為元素之數目匹配加熱器231之數目或溫度偵測部分241之數目的矩陣。在此情況下，例如，步驟S205、步驟S206、步驟S209及其類似步驟中之過程由矩陣操作執行。
在以上描述中，描述對作為使用一設定值執行處理之結果而獲得之狀態值執行諸如校正之處理的情況。然而，例如，在執行處理同時逐批改變設定值之情況下，可對關於不同設定值而分別獲得之狀態值執行諸如校正之處理。舉例而言，在於步驟S201中可接收多個設定值且於步驟S202中可接收對應於多個設定值之狀態值的情況下，在已遵循上述流程圖對一設定值執行該處理後，可判斷是否存在另一設定值。若存在另一設定值，則程序返回至(例如)步驟S204，其中，如在上述流程圖中，對關於另一設定值而獲得之狀態值重複執行諸如校正之處理。
在圖2中之流程圖中，藉由斷開電力或處理－結束中斷，結束該過程。
半導體製造系統中之半導體製造裝置200根據設定值執行所望處理或者獲取狀態值之上述操作為已知技術，且因此省略其描述。
接下來，描述一種用於獲取上述校正函數之方法。
本文中，首先假定，可為半導體製造裝置設定m個處理條件(m為1或更大的整數)，且可立即自半導體製造裝置200獲取諸如自n個量測目標位置獲取之狀態值的n個狀態值(n為1或更大的整數)。
將用於設定m個處理條件中之第i個處理條件之設定值記為Xi (1 i m)，且將用於設定m個處理條件之設定值記為X，其中X＝(X1 、...、Xi 、...、Xm )。此外，將用於指定待將設定值X轉換為的值之指定值記為x，其中x＝(x1 、...、xi 、...、xm )。用於指定待將設定值X中之每一元素Xi 轉換為的值之指定值x中之每一元素為xi 。將經預測為在使半導體製造裝置使用設定值Xi 執行所望處理之情況下理想地獲得之狀態值記為Q，其中Q＝(Q1 、...、Qj 、...Qn )。將經預測為在使半導體製造裝置使用設定值xi 執行所望處理之情況下理想地獲得之狀態值記為q，其中q＝(q1 、...、qj 、...qn )。此外，分別將第j個狀態值記為Qj 及qj (1jn)。所望處理之實例包括諸如由半導體製造裝置對半導體晶圓執行之熱處理的處理。應注意，指定值x可為任何值，但在設定值X可採用多個值之情況下，多個設定值X之最大值與最小值之間的值或在其附近之值為較佳的。
接下來，將設定值X＝(X1 、...、Xi 、...Xm )轉換為所望設定值Sp，用於設定表達為一矩陣之校正函數。本文中，設定值Sp＝(Sp1 、...、Spi 、...Spm )。設定值Sp之元素可為相同值或不同值。設定值Sp可為任何值，但在設定值X可採用多個值之情況下，多個設定值X之最大值與最小值之間的值或在其附近之值為較佳的。在上述指定值x之附近的值更佳。
首先，使半導體製造裝置200使用設定值Sp執行諸如熱處理之所望處理。接著，獲取在此處理期間自半導體製造裝置200輸出之n個狀態值。狀態值在本文中被稱為初始狀態值。
接下來，僅將設定值Sp中之第一元素增加單位量(本文中，增加一)，且使半導體製造裝置200使用改變的設定值執行所望處理。應注意，雖然在本文中將該元素增加，但亦可將該元素減少該單位量。
接著，獲取在此處理期間自半導體製造裝置200輸出之n個狀態值。藉由自n個狀態值減去初始狀態值，獲得n個狀態值之改變量。將n個狀態值之改變量表達為一矩陣(a1l 、...、ajl 、...、anl )。
按類似方式，僅將設定值Sp中之第i個元素增加單位量(本文中，增加一)，且使半導體製造裝置200使用改變的設定值執行所望處理。藉由自在此處理期間獲得之狀態值減去初始狀態值，獲取狀態值之改變量(a1i 、...、aji 、...、ani )。
依序執行此過程，直至i＝m，且獲得矩陣A，其中當將設定值Sp之第i個元素增加單位量時所獲得之狀態值的改變量經設定為第i行中之值。矩陣A可表達如下。
接著，定義具有作為係數之矩陣A的下列校正函數。
在此校正函數中，△Q＝(△Q1 、...、△Qj 、...△Qn )表示經預測為在設定值為X之情況下獲得之理想狀態值Q與經預測為在設定值為指定值x之情況下獲得之理想狀態值q之間的改變量。校正函數為表示在當設定值自x改變至X時改變量△Q與經預測為根據設定值x及X控制半導體製造裝置200之情況下獲得之狀態值之間的關係之函數。更具體言之，當使用△Q作為校正量來校正使用設定值X自半導體製造裝置200獲取之狀態值時，可將狀態值校正為待在設定值為指定值x之情況下獲得之狀態值。
舉例而言，描述設定值為半導體製造裝置200之處理溫度的設定值之情況。如在上述JP 2002－25997A中，在待根據設定值加以控制之目標(諸如，半導體晶圓)的位置不同於用於偵測溫度之溫度偵測部分的位置之情況下，或者在安置於控制目標位置處以便執行回饋控制之溫度偵測部分的配置不同於經安置以便將狀態值輸出至外部之溫度偵測部分的配置之情況下，在根據設定值控制的位置處之溫度通常採用設定值與狀態值之間的不同值。此外，溫度之差異程度視諸如溫度之設定值之因素而變化，且並非恆定的。為了比較藉由使半導體製造裝置200使用相互不同之一第一設定值及一第二設定值在不同時期執行所望處理而獲得之狀態值，一方法係可以想像的，其中藉由組成在將第二設定值疊加於第一設定值上之情況下獲得之狀態值，藉由自基於第二設定值獲得之狀態值減去第二設定值相對於第一設定值之改變量，將狀態值相互比較。然而，在此情況下，設定值之改變量可能未必匹配藉由根據設定值執行控制而獲得之狀態值的改變量，且因此可能不能將不同的狀態值準確地相互比較。
另一方面，在此實施例中，實際上基於狀態值，獲取表示設定值之改變量與狀態值之改變量之間的關係之校正函數。因此，當將設定值與充當待將設定值轉換為的一值之指定值之間的差指派至校正函數時，可獲得在一理想的情況下之該狀態值之改變量。因此，當使用此改變量作為校正量來校正(本文中，減)狀態值時，可獲得經預測為在設定值為指定值之情況下獲得之一理想的狀態值。
在下文中，描述在此實施例中的半導體製造系統之特定操作。圖3展示半導體製造系統之概念圖。本文中，例如，假定資訊處理裝置100由一電腦10實施。此外，例如，本文中假定半導體製造裝置200中之處理設定值接收部分201、控制部分202、處理狀態值獲取部分203及處理輸出部分204由電腦20實施以用於控制，電腦20為半導體製造裝置200之一部分。應注意，本文中使用之設定值及狀態值為準備用於解釋之值，且與實際設定值或在根據該設定值執行處理時獲得之狀態值不同。
舉例而言，本文中假定半導體製造裝置200為熱處理裝置，且半導體製造裝置200內配置半導體晶圓之區域被分為在垂直方向上配置的五個區Za至Ze。可為半導體製造裝置200中之處理容器211內之五個區Za至Ze中的每一者中之半導體晶圓設定處理溫度，且狀態值接收部分102接收對應於分別由五個溫度偵測部分241a至241e偵測之溫度的五個狀態值。
本文中，為五個區Za至Ze中之半導體晶圓準備兩組不同的溫度設定值。在兩組設定值中，將第一組中之設定值(下文中稱為"第一設定值")記為(700、695、695、705、710)，且將第二組中之設定值(下文中稱為"第二設定值")記為(600、605、600、710、610)。第一設定值表示區Za中之半導體晶圓之溫度經設定為700℃、區Zb中之半導體晶圓之溫度經設定為695℃、區Zc中之半導體晶圓之溫度經設定為695℃、區Zd中之半導體晶圓之溫度經設定為705℃且區Ze中之半導體晶圓之溫度經設定為710℃。第二設定值表示以類似方式設定溫度。在使用第一設定值設定各別區中的半導體晶圓之溫度後，半導體製造裝置200在逐批之基礎上重複地對半導體晶圓執行預定處理。接著，狀態值接收部分102獲取對應於分別由溫度偵測部分241a至241e在處理溫度穩定期間偵測之溫度的每批五個狀態值之各別平均值。
本文中，首先準備校正函數。更具體言之，準備用於設定校正函數之設定值，例如，五個區中的半導體晶圓上之處理溫度的設定值(Sp1 、Sp2 、Sp3 、Sp4 、Sp5 )。接著，使用該等值作為區Za至Ze之設定值，使半導體製造裝置200執行熱處理。在該熱處理期間，基於分別由半導體製造裝置200中之溫度偵測部分241a至241e依序偵測之溫度，處理狀態值獲取部分203依序獲取在溫度偵測部分241a至241e之各別位置處的處理溫度值，且計算在該等位置處的處理溫度之平均值。在該等各別五個位置處的處理溫度之平均值經獲得作為上文描述之初始狀態值T0 。舉例而言，本文中，初始狀態值T0 ＝(T01 、T02 、T03 、T04 、T05 )。
接下來，將用於設定校正函數之設定值改變為(Sp1＋1 、Sp2 、Sp3 、Sp4 、Sp5 )，且以類似方式獲取在五個溫度偵測部分241a至241e之各別位置處的每批處理溫度之平均值T1 ＝(T11 、T12 、T13 、T14 、T15 )。
按類似方式，將用於設定校正函數之設定值改變為(Sp1 、Sp2＋1 、Sp3 、Sp4 、Sp5 )，且獲取處理溫度之平均值T2 ＝(T21 、T22 、T23 、T24 、T25 )。將用於設定校正函數之設定值改變為(Sp1 、Sp2 、Sp3＋1 、Sp4 、Sp5 )，且獲取處理溫度之平均值T3 ＝(T31 、T32 、T33 、T34 、T35 )。將用於設定校正函數之設定值改變為(Sp1 、Sp2 、Sp3 、Sp4＋1 、Sp5 )，且獲取處理溫度之平均值T4 ＝(T41 、T42 、T43 、T44 、T45 )。將用於設定校正函數之設定值改變為(Sp1 、Sp2 、Sp3 、Sp4 、Sp5＋1 )，且獲取處理溫度之平均值T5 ＝(T51 、T52 、T53 、T54 、T55 )。
接著，計算T1 －T0 ＝(a11 、a21 、a31 、a41 、a51 )，T2 －T0 ＝(a12 、a22 、a32 、a42 、a52 )，T3 －T0 ＝(a13 、a23 、a33 、a43 、a53 )，T4 －T0 ＝(a14 、a24 、a34 、a44 、a54 )，T5 －T0 ＝(a15 、a25 、a35 、a45 、a55 )，且獲得將計算結果作為行之矩陣A。矩陣A如下。
接著，定義具有作為係數的矩陣A之下列校正函數。
在此校正函數中，X＝(X1 、X2 、X3 、X4 、X5 )表示當實際執行處理時的溫度之設定值，x＝(x1 、x2 、x3 、x4 、x5 )表示用於指定待將設定值X轉換為的值之指定值，且△Q＝(△Q1 、△Q2 、△Q3 、△Q4 、△Q5 )表示校正量。
接下來，在半導體製造裝置200中設定第一設定值，且執行熱處理。在此熱處理期間，基於分別由半導體製造裝置200中之溫度偵測部分241a至241e依序偵測之溫度，處理狀態值獲取部分203依序獲取在溫度偵測部分241a至241e之各別位置處的處理溫度值，且計算在該等位置處的每批處理溫度之平均值。半導體製造裝置200將第一設定值輸出至資訊處理裝置100。此外，在半導體製造裝置200中，處理輸出部分204將藉由溫度偵測部分241a至241e偵測的在五個各別位置處之處理溫度的平均值輸出至狀態值接收部分102。對於多個批，重複此過程。
設定值接收部分101自半導體製造裝置200接收設定值。
狀態值接收部分102接收在溫度偵測部分241a至241e之位置處之每批處理溫度值的平均值。狀態值接收部分102將獲取的平均值臨時儲存於一記憶體或其類似物中。平均值為狀態值。圖4將平均值展示為一曲線。在圖4中，水平軸表示時期(本文中，批數)，且垂直軸表示由溫度偵測部分241a偵測的溫度之平均值。為了方便起見，此說明書僅描述由一個溫度偵測部分241a偵測之處理溫度值，但對於一批，狀態值接收部分102實際上獲取五個處理溫度值。
接下來，使用上述校正函數，計算校正量。更具體言之，藉由將值指派至上述校正函數之X及x，獲得校正量△Q。作為設定值X，指派第一設定值。作為指定值x，詳言之，在本文中指派第二設定值。因此獲得之校正量△Q為(90、88、91、94、94)。
因此獲得之校正量△Q為改變量，亦即，由溫度偵測部分241偵測且經預測為在使用第一設定值執行熱處理之情況下獲得之理想處理溫度與由溫度偵測部分241偵測且經預測為在使用第二設定值執行熱處理之情況下獲得之理想處理溫度之間的差。當將設定值自第一設定值轉換為第二設定值時，藉由以校正量△Q校正使用第一設定值獲得之處理溫度值，可獲得經預測為在使用第二設定值執行熱處理之情況下獲得之處理溫度。
對於每一批，狀態值接收部分102讀出為由溫度偵測部分241a至241e偵測之處理溫度值的平均值之狀態值。校正部分104自該等狀態值減去校正量△Q，且將所獲得之值臨時儲存於一記憶體或其類似物中。對於所有批，重複此過程。舉例而言，校正部分104自為由溫度偵測部分241a偵測之處理溫度值的平均值之狀態值中之每一者減去△Q1 ＝90(度)。
接下來，在半導體製造裝置200中設定第二設定值，且執行熱處理。在此熱處理期間，基於分別由半導體製造裝置200中之溫度偵測部分241a至241e依序偵測之溫度，處理狀態值獲取部分203依序獲取在溫度偵測部分241a至241e之各別位置處的處理溫度值，且計算在該等位置處的每批處理溫度的平均值。為在五個各別位置處的處理溫度之平均值之狀態值由處理輸出部分204輸出至狀態值接收部分102。對於多個批，重複此過程。
狀態值接收部分102獲取每一批之狀態值。將獲取的狀態值臨時儲存於一記憶體或其類似物中。本文中，待將使用第一設定值獲得之狀態值校正為經預測為在使用第二設定值執行處理之情況下獲得的狀態值，使得並不校正使用第二設定值獲取的狀態值。
輸出部分105(例如)以曲線圖的形式將由校正部分104對在使用第一設定值執行熱處理之情況下獲得之處理溫度執行的校正之結果及在使用第二設定值執行熱處理之情況下獲得之處理溫度顯示於顯示螢幕110上。
圖5展示輸出部分105之一顯示實例，且為展示由校正部分104對在使用第一設定值執行熱處理之情況下獲得之處理溫度的狀態值執行的校正之結果及在使用第二設定值執行熱處理之情況下獲得之處理溫度的曲線圖。在圖5中，水平軸表示時期(本文中，為批數)，且垂直軸表示由溫度偵測部分241a偵測的溫度之平均值。為了方便起見，此說明書僅描述由溫度偵測部分241a偵測之處理溫度值及藉由校正處理溫度而獲得之值，但對於一批，實際上存在五個處理溫度值。校正部分104將在使用第一設定值執行熱處理之情況下獲得之處理溫度值校正為經預測為在使用第二設定值執行熱處理之情況下獲得之處理溫度，但在使用第二設定值執行熱處理之情況下獲得之處理溫度值並未加以校正，因為設定值首先為第二設定值。
舉例而言，如在使用基於如JP 2002－25997A中描述之溫度模型估計之溫度控制在半導體製造裝置200內之預定位置處的溫度之情況下，若在半導體製造裝置200內的根據設定值執行控制之位置與溫度偵測部分241a偵測溫度之位置不同，則即使執行了理想的控制，通常設定值與由溫度偵測部分241a偵測之溫度亦並非相同的溫度。因此，如在圖5中所示，當將經預測為由溫度偵測部分241a在一理想狀態下於使用第一設定值控制半導體製造裝置200內之控制目標位置處的溫度以匹配由設定值設定之溫度的情況下偵測之溫度值記為Ta時，在將溫度Ta作為標準的情況下，為實際上由溫度偵測部分241a在使用第一設定值執行的熱處理期間偵測之溫度值的狀態值似乎在溫度Ta之附近。此外，當將經預測為由溫度偵測部分241a在一理想狀態下於使用第二設定值控制半導體製造裝置200內之控制目標位置處的溫度以匹配由設定值設定之溫度的情況下偵測之溫度值記為Tb時，在將溫度Tb作為標準的情況下，為實際上由溫度偵測部分241a在使用第二設定值執行的熱處理期間偵測之溫度值的狀態值似乎在溫度Tb之附近。因此，藉由檢查量測之處理溫度(狀態值)與Ta及Tb之間的差，可判斷半導體製造裝置200是否正適當地操作。應注意，在圖5中，為了方便起見，展示值Ta、Tb，且並不可能判斷圖5中之實際值。
可將上述校正函數看作定義設定值之改變量與基於設定值預測的狀態值之改變量(本文中，為由溫度偵測部分241偵測的溫度值之改變量)之間的關係之函數。因此，基於第一設定值與第二設定值之間的差，使用校正函數計算之校正量對應於圖5中所示之Ta－Tb之值。因此，當校正部分104藉由使用校正函數獲得之校正量來執行校正時，由溫度偵測部分241a在使用第一設定值執行的熱處理期間偵測之溫度值經校正使得將溫度Ta疊加於溫度Tb上。更具體言之，為當使用兩個設定值(亦即，第一設定值及第二設定值)執行熱處理時獲得之處理溫度值之狀態值經校正，使得充當其分布標準之溫度Ta及Tb得以疊加。舉例而言，當判斷半導體製造裝置200是否正適當地操作時，溫度Ta及Tb可用作標準溫度。因此，當處理溫度之量測結果經疊加使得此等標準值相互匹配時，使用相同的標準，可判斷獲取的關於使用不同設定值執行之處理的狀態值是否正常。結果，可適當地監視獲取的關於使用不同設定值執行之處理的實際量測值，亦即，處理溫度之量測結果。實際上，在此實例中不能指定疊加的溫度Tb，但(例如)當一值顯著不同於處理溫度之疊加的量測結果中之其他值時，可判斷對應於該值之處理存在一些錯誤或者半導體製造裝置200存在一些錯誤。
舉例而言，本文中，由溫度偵測部分241在使用第一設定值執行的處理期間偵測之處理溫度值的平均值經校正使得疊加第一設定值及第二設定值之過程係可以想像的。更具體言之，由於第一區Za之第一設定值與第二設定值之間的差為100℃，因此為了使第一設定值匹配第二設定值，自第一設定值減去100℃，且亦自由溫度偵測部分241在使用第一設定值執行的處理期間偵測之處理溫度值之平均值減去100℃。圖6展示校正部分104執行此過程之情況下的顯示實例。
然而，第一設定值及第二設定值皆與由溫度偵測部分241在理想狀態下偵測之溫度不同，且因此在使用第一設定值或第二設定值作為標準的情況下不能說由溫度偵測部分241偵測之溫度值為分布式的。因此，即使由溫度偵測部分241偵測之溫度值(亦即，狀態值)經校正使得第一設定值及第二設定值得以疊加，作為使用第一設定值及第二設定值執行熱處理之結果而獲得之狀態值亦尚未得到校正，使得各別分布中之標準溫度得到疊加。結果，使用相同的標準，不可能判斷為獲取的關於使用不同設定值執行之處理的處理溫度之量測結果的狀態值是否正常。舉例而言，用於判斷使用第二設定值獲取的狀態值是否適當之諸如臨限值之判斷標準不可用作使用第一設定值獲得的處理溫度之量測結果之判斷標準。因此，有必要基於各別判斷標準個別地判斷使用第一設定值獲得的處理溫度之量測結果及使用第二設定值獲得的處理溫度之量測結果是否正常。因此，不可能同時監視獲取的關於使用不同設定值執行之處理的處理溫度之量測結果。
舉例而言，如在圖8中所示，在如上所述疊加在第一設定值700℃下獲得之狀態值及在第二設定值600℃下獲得之狀態值的情況下，以顯著分散的方式顯示自第一設定值及第二設定值獲得之狀態值，儘管該等狀態值分布於經考慮為對各別設定值係理想的溫度之附近，且因此難以判斷狀態值是否正常。
另一方面，如圖5中所示，在執行如此實施例中描述之校正的情況下，可疊加對於不同設定值而獲得之狀態值，使得疊加經考慮為對各別設定值係理想的溫度。結果，只要狀態值接近正常值，則所有的狀態值可分布於一值之附近，且因此易於判斷狀態值是否正常。
如上所述，根據此實施例，使用校正函數獲得校正量，其為狀態值之基於設定值之改變量而預測的改變量。接著，使用校正量校正狀態值。因此，在該等狀態值得到校正使得在使半導體製造裝置200使用各別設定值執行所望處理之情況下獲得之理想狀態值得到疊加後，可輸出根據各種設定值獲得之狀態值。因此，例如，以疊加方式顯示根據不同設定值獲得之狀態值，且因此可將控制圖或其類似物整合於一個圖中，使得可易於監視半導體製造裝置及其類似物。此外，可簡化管理半導體製造裝置之操作，且因此可易於執行監視半導體製造裝置及其類似物之操作。此外，可以疊加方式顯示根據不同設定值獲得之狀態值，且因此可易於將狀態值相互比較。
此外，在前述實施例中，校正函數之係數係基於在依序將初始值之元素增加單位量之情況下獲得之狀態值而判定的。然而，在本發明中，半導體製造裝置200之轉移函數之穩態增益亦可用作校正函數之係數。轉移函數之穩態增益指在穩定狀態下輸出之改變寬度相對於輸入之改變寬度之比率。此穩態增益對於控制一裝置係必要的，且經預設用於一待加以控制之裝置，諸如此實施例中之半導體製造裝置200。因此，可使用表達為矩陣之穩態增益而非係數A。
舉例而言，當將穩態增益記為Ag 時，可將校正函數表達如下。
△Q＝Ag (X－x)
當使用此校正函數而非之前的校正函數時，達成類似於上文所描述之效果的效果。此外，當以此方式使用半導體製造裝置200之穩態增益時，獲得校正函數之係數的上述操作並非必要。因此，可在不使半導體製造裝置200執行所望處理之情況下設定校正函數，使得可易於設定校正函數。
此外，在此實施例中，亦可應用如圖7中所示之組態，其中：在校正部分104與輸出部分105之間提供一判斷部分108；在判斷部分108處，將一預設臨限值與一由校正部分104校正之值相互比較；基於比較結果，判斷部分108指導輸出部分105輸出表示半導體製造裝置200或其過程是否存在一些錯誤之判斷結果；且回應於此指導，輸出部分105適當地輸出表示半導體製造裝置200或其過程存在一些錯誤之資訊。應注意，此等臨限值之數目可為一個或多個。舉例而言，可提供規定半導體製造裝置適當操作的範圍之上限臨限值及下限臨限值。
圖8展示在無任何處理(諸如，藉由使用校正函數獲得之校正量進行的校正)之情況下輸出為在使用前述實例中描述之第一設定值及第二設定值執行的處理期間獲得之狀態值的處理溫度之情況。
在如圖8中所示之情況下，在並不藉由校正量執行校正之情況下，不疊加為狀態值之處理溫度，例如，用於判斷半導體製造裝置200適當地操作之下限臨限值及上限臨限值分別為用於對應於第一設定值之處理溫度的Th11 及Th12 ，及用於對應於第二設定值之處理溫度的Th21 及Th22 。
在此實施例中，詳言之，藉由使用校正函數獲得之校正量來校正在使用不同設定值執行的處理期間獲得之狀態值，使得充當各別值之分布標準的理想狀態下之狀態值得以疊加。通常，臨限值及其類似值用於設定使用在最理想狀態下之狀態值作為標準經判斷為異常之值的界限。因此，當狀態值經校正使得標準值得到疊加時(亦即，當狀態值經校正使得Ta及Tb得到疊加時)，可共同地使用用於比較之臨限值。因此，針對在使用一設定值執行的處理期間獲得之狀態值所設定之臨限值亦可用於其他設定值。
舉例而言，在如圖9中所示之情況下，藉由以校正量執行校正而疊加作為狀態值之處理溫度，對於對應於第二設定值之處理溫度，若已將臨限值Th21 及Th22 設定為用於判斷半導體製造裝置200正適當地操作之臨限值，則在無任何處理之情況下，臨限值Th21 及Th22 亦可用於在校正部分104校正對應於第一設定值之處理溫度時所獲得之值。
因此，在此實施例中，可共同使用針對使用不同設定值執行之處理所設定的臨限值，且因此可減少設定臨限值之工作及時間。
此外，在前述實例中，描述了設定值為溫度之設定值且狀態值為由溫度偵測部分偵測之溫度值的情況。然而，本發明亦可適用於其他設定值或狀態值。舉例而言，本發明亦可適用於設定值為溫度之設定值且狀態值為由處理狀態值獲取部分203獲取的加熱器231之功率值的情況。
此外，在前述實例中，描述待指派至校正函數之指定值為第二設定值之情況。然而，指定值亦可為不同於第二設定值之值。在此情況下，校正部分104有必要亦藉由使用校正函數獲得之校正量來校正在使用第二設定值執行的處理中獲得之狀態值。
此外，在前述實例中，描述了在使用兩個設定值執行之處理中由溫度偵測部分241偵測的溫度值被疊加之情況。然而，本發明亦可適用於在使用三個或三個以上設定值執行之處理中由溫度偵測部分241偵測的溫度值被疊加之情況。
更具體言之，可應用一組態，其中：設定值接收部分101接收多個設定值；狀態值接收部分102接收分別對應於多個設定值之多個狀態值；校正量計算部分103使用校正函數來計算分別對應於多個狀態值之多個校正量；校正部分104藉由由校正量計算部分103計算之多個校正量來校正分別對應於多個校正量之多個狀態值；且輸出部分105輸出由校正部分校正之多個狀態值。
(實施例2)
圖10為說明此實施例中之半導體製造系統之組態的方塊圖。該半導體製造系統具備一資訊處理裝置300及半導體製造裝置200。
半導體製造裝置200之組態與上文實施例1中一樣，且因此省略其描述。
資訊處理裝置300具備設定值接收部分101、狀態值接收部分102、校正量計算部分103、校正部分104、輸出部分105、校正函數產生部分301及函數產生資訊儲存部分302。
設定值接收部分101、狀態值接收部分102、校正量計算部分103、校正部分104及輸出部分105之組態與上文實施例1中一樣，且因此省略其描述。然而，在此實施例中，校正量計算部分103使用由校正函數產生部分301產生且表示由設定值接收部分101接收之設定值與校正量之間的關係之校正函數來計算對應於由設定值接收部分101接收之設定值的校正量，該校正量為基於設定值預測之狀態值。
校正函數產生部分301使用多組設定值及對應於該設定值之狀態值產生一校正函數。更具體言之，校正函數為表示設定值與為基於設定值預測之狀態值之校正量之間的關係之函數。預測的狀態值特定地指經預測為根據設定值而理想地獲取之狀態值。校正函數為使用多組設定值及對應於該設定值之狀態值獲得之函數，更具體言之，一近似式。校正函數產生部分301基於多組設定值及對應於該設定值之狀態值獲得一校正函數，其為表示設定值與校正量之間的關係之近似式。由校正函數產生部分301產生之近似式可為任何近似式，諸如，r次方程式(r為1或更大之整數)、指數函數或對數函數。此外，校正函數產生部分301可使用任何演算法及其類似方法產生該近似式。基於多組資訊產生近似式及其類似物之過程或組態為已知技術，且因此省略其描述。多組設定值及對應於該設定值之狀態值(該等組由校正函數產生部分301用於產生校正函數)可經準備用於產生校正函數，或可為實際上待由校正量校正之狀態值及用於獲得狀態值之設定值。本文中，描述校正函數產生部分301使用為儲存於函數產生資訊儲存部分302中的多組設定值及對應於該設定值之狀態值之函數產生資訊產生一校正函數之情況。舉例而言，校正函數產生部分301通常可實施為一MPU或一記憶體。通常，校正函數產生部分301之處理程序由軟體加以實施，且軟體儲存於諸如ROM之儲存媒體中。注意，處理程序亦可由硬體(專用電路)加以實施。
應注意，亦可應用下列組態，其中：提供如上文實施例1中之校正函數儲存部分；由使用者設定之校正函數及由其他裝置產生之校正函數而非由校正函數產生部分301產生之校正函數累積於校正函數儲存部分中；且校正函數由校正量計算部分103讀出並使用。
多組設定值及對應於該設定值之狀態值可儲存於函數產生資訊儲存部分302中。可預先儲存該等組，或可累積由設定值接收部分101接收之設定值及由狀態值接收部分102獲取之狀態值。在校正量計算部分103執行第一過程前，可將成組的第一設定值及狀態值儲存於函數產生資訊儲存部分302中。或者，可將成組的由設定值接收部分101接收之設定值及由狀態值接收部分102獲取之狀態值依序添加至函數產生資訊儲存部分302。在此情況下，每次添加資訊時，校正函數產生部分301可再次產生一校正函數且以此校正函數替換其先前的校正函數。通常，函數產生資訊儲存部分302較佳為非揮發性儲存媒體，但亦可實施為揮發性儲存媒體。
接下來，參看圖11中之流程圖描述資訊處理裝置300之操作。在圖11中，與圖2中相同之參考數字表示相同或對應的步驟。本文中，為了方便起見，描述針對執行所望處理所設定之設定值及在使半導體製造裝置200根據此設定值執行所望處理之情況下在不同時期獲取之多個狀態值由半導體製造裝置200或其類似物輸出至資訊處理裝置100之情況。本文中，假定多個狀態值中之每一者與獲取狀態值時的時間資訊相關聯。此外，例如，本文中假定多組設定值及在使半導體製造裝置200根據彼等設定值執行所望處理之情況下獲取之狀態值預先累積於函數產生資訊儲存部分302中。
(步驟S1101)設定值接收部分101接收由半導體製造裝置200或其類似物輸出之設定值。該接收的設定值累積於諸如記憶體(未圖示)之儲存媒體中。應注意，設定值可累積於函數產生資訊儲存部分302中。
(步驟S1102)狀態值接收部分102接收由半導體製造裝置200或其類似物輸出之多個狀態值。該等接收的狀態值累積於諸如記憶體(未圖示)之儲存媒體中。應注意，狀態值可累積於函數產生資訊儲存部分302中。
(步驟S1103)校正函數產生部分301自函數產生資訊儲存部分302讀出多組設定值及對應於該設定值之狀態值，且產生一校正函數。更具體言之，產生在設定值與獲取值之間的一近似式。
(步驟S1104)校正量計算部分103藉由將該設定值指派至在步驟S1103中產生之校正函數來計算對應於在步驟S1101中接收之設定值的校正量。
在以上描述中，描述對作為使用一設定值執行處理之結果而獲得之狀態值執行諸如校正之過程的情況。然而，例如，在執行處理同時逐批改變設定值之情況下，可對關於不同設定值而分別獲得之狀態值執行諸如校正之過程。舉例而言，在於步驟S1101中可接收多個設定值且於步驟S1102中可接收對應於多個設定值之狀態值的情況下，在已遵循上述流程圖對一設定值執行該過程後，可判斷是否存在另一設定值。若存在另一設定值，則程序返回至(例如)步驟S207，其中，如在上述流程圖中，對關於另一設定值而獲得之狀態值重複執行諸如校正之過程。
在圖11中之流程圖中，藉由斷開電力或處理－結束中斷，結束該過程。
接下來，描述一種用於獲取上述校正函數之方法。
首先，對於兩個或兩個以上設定值中之每一者，使半導體製造裝置200多次執行一處理。將獲得之多個狀態值繪示於x軸表示設定值且y軸表示狀態值之曲線圖上，如圖12中所示。本文中，為了方便起見，描述關於來自半導體製造裝置200之一設定值而獲取之一狀態值的情況，亦即，該設定值及該狀態值呈1×1矩陣形式的情況。然而，該設定值及該狀態值可呈一矩陣形式，其中每一者具有多個元素。
接下來，基於該設定值及該狀態值獲得函數y＝f(x)。舉例而言，本文中假定近似式為y＝ax＋b。不存在對獲得近似式之方式的限制。
可將因此獲得之近似式看作表示設定值與理想狀態值之間的關係之函數。因此，藉由將設定值指派至近似式中之x，可獲得被考慮為對於一設定值係理想的狀態值。
在此實施例中，藉由自狀態值減去值y而將自半導體製造裝置200獲得之狀態值表達為相對於一理想狀態值之差，狀態值係作為半導體製造裝置200使用一特殊設定值執行一處理之結果而獲得，且值y係藉由將與上述設定值相同之一設定值指派至近似式中之X而獲得。藉由此過程，使用該近似式，可將對於不同設定值而獲得之狀態值表達為相對於基於每一設定值而預測之理想狀態值之差。如實施例1中所描述，難以比較基於不同設定值而獲得之狀態值，因為其設定值與自其獲得之理想狀態值相互不同。然而，在此實施例中，基於不同設定值而獲得之狀態值經校正為相對於每一設定值之一理想狀態值之差，且因此使用每一設定值之一理想狀態值作為標準，可比較基於不同設定值而獲得之狀態值。
在下文中，描述此實施例中的半導體製造系統之特定操作。該半導體製造系統之概念圖與圖3相同，除了資訊處理裝置300係由電腦10實施之外。舉例而言，本文中假定半導體製造裝置200為熱處理裝置。為了方便起見，描述將半導體製造裝置200內之區Za中的半導體晶圓之設定溫度作為設定值且將加熱器231a之輸出作為狀態值的情況。應注意，本文中使用之設定值及狀態值為準備用於解釋之值，且與實際設定值或當根據該設定值執行處理時獲得之狀態值不同。本文中，描述將加熱器231a之在將熱處理之溫度設定為600℃及700℃之情況下獲得的電功率值相互比較之一實例。此外，描述待經校正的狀態值及對應的設定值用於產生校正函數之情況。更具體言之，描述由設定值接收部分101接收之設定值及由狀態值接收部分102接收之狀態值累積於函數產生資訊儲存部分302中之情況。
首先，將設定值(本文中，設定溫度)設定為600℃，且半導體製造裝置200執行熱處理。半導體製造裝置200將此設定值輸出至設定值接收部分101。狀態值接收部分102在函數產生資訊儲存部分302中累積設定值。此外，在半導體製造裝置200中，在處理溫度穩定期間加熱器231a之電功率由處理狀態值獲取部分203以一預定時序獲取，且該獲取的電功率值由處理輸出部分204輸出至資訊處理裝置300。資訊處理裝置300中之狀態值接收部分102在一記憶體或其類似物(未圖示)中臨時累積電功率值，且計算每一批之平均值。獲取的電功率之平均值在本文中為狀態值。狀態值接收部分102在函數產生資訊儲存部分302中累積與設定溫度相關聯之狀態值。對於多個批，重複此過程。
接下來，將設定值設定為700℃，且以一類似方式對多批執行熱處理。與設定溫度相關聯的獲取的電功率之平均值累積於函數產生資訊儲存部分302中。
圖13將儲存於函數產生資訊儲存部分302中的加熱器231a之功率值展示為x軸表示處理時期(本文中，批數)且y軸表示加熱器231a之功率值(W)的曲線圖。
圖14將儲存於函數產生資訊儲存部分302中的設定溫度及加熱器231a之電功率展示為x軸表示設定溫度且y軸表示加熱器231a之功率值的曲線圖。
接下來，校正函數產生部分301使用儲存於函數產生資訊儲存部分302中的設定溫度及加熱器231a之電功率計算表示如圖14中所示之設定溫度與電功率之間的關係之近似式。本文中，假定獲得之近似式為y＝ax＋b。舉例而言，近似式如圖13中所展示。
接下來，藉由將設定值600指派至由校正函數產生部分301計算之近似式中之x，校正量計算部分103獲得校正量y。將此校正量記為y600 。
校正部分104執行自累積於函數產生資訊儲存部分302中且在將設定值設定為600℃之情況下獲得的每一電功率值減去y600 之校正。將此減法之結果臨時儲存於一記憶體或其類似物(未圖示)中。
以類似方式，藉由將設定值700指派至由校正函數產生部分301計算之近似式中之x，校正量計算部分103獲取校正量y700 。
校正部分104執行自累積於函數產生資訊儲存部分302中且在將設定值設定為700℃之情況下獲得的每一電功率值減去y700 之校正。將此減法之結果臨時儲存於一記憶體或其類似物(未圖示)中。
舉例而言，輸出部分105以如圖15中所示之曲線圖顯示由校正部分104執行之校正的結果。應注意，在該曲線圖上，x軸表示處理時期，且y軸表示加熱器231a之電功率。本文中，y＝0對應於y600 及y700 。
在此實施例中，首先，基於作為在600℃及700℃之設定溫度下藉由半導體製造裝置200執行熱處理之結果而獲得的加熱器231a之電功率值，獲得近似式。接著，自作為在600℃及700℃之設定溫度下藉由半導體製造裝置200執行熱處理之結果而獲得的加熱器231a之電功率值減去為藉由將與設定溫度相同的設定溫度(亦即，600℃及700℃)指派至近似式中之x而獲得的y之值的y600 及y700 ，且因此將為自半導體製造裝置200獲得之狀態值的加熱器231a之電功率值表達為使用加熱器231a之理想電功率值校正的值。藉由此過程，可將對於不同設定溫度而獲得的加熱器231a之電功率值表達為相對於加熱器231a之對於每一設定溫度的理想電功率之差。結果，在此實施例中，可將基於不同設定溫度而獲得之電功率值校正為相對於加熱器231a之對於每一設定溫度的理想電功率之差，且因此使用對於每一設定溫度之理想電功率作為標準，可比較基於不同設定溫度而獲得之功率值。
代替使用由校正函數產生部分301基於如上所述之狀態值產生之校正函數，亦可使用基於由半導體製造裝置200使用兩個或兩個以上設定溫度執行的處理之結果已預先使用如上所述之類似方法而產生之校正函數。
如上所述，根據此實施例，使用校正函數獲得為基於設定值預測之狀態值的校正量，且使用該等校正量校正狀態值。因此，在將狀態值校正為相對於每一理想狀態值之差後，可輸出根據各種設定值而獲得之狀態值。因此，例如，以疊加方式顯示根據不同設定值獲得之狀態值，且因此可將控制圖或其類似物整合於一個圖中，使得可易於監視半導體製造裝置200及其類似物。此外，可簡化管理半導體製造裝置200之操作，且因此可易於執行監視半導體製造裝置200及其類似物之操作。此外，可以疊加方式顯示根據不同設定值獲得之狀態值，且因此可易於將狀態值相互比較。
此外，在此實施例中，亦可應用如實施例1中的圖7中所示之組態，其中：在校正部分104與輸出部分105之間提供判斷部分108；在判斷部分108處將一預設臨限值與一由校正部分104校正之值相互比較；基於比較結果，判斷部分108指導輸出部分105輸出表示半導體製造裝置200或其過程是否存在一些錯誤之判斷結果；且回應於此指導，輸出部分105適當地輸出表示半導體製造裝置200或其過程存在一些錯誤之資訊。應注意，此等臨限值之數目可為一個或多個。舉例而言，可提供規定半導體製造裝置適當操作的範圍之上限臨限值及下限臨限值。
在此情況下，如實施例1中所描述，可共同使用針對不同設定值所設定之臨限值。因此，針對在使用一設定值執行的處理期間獲得之狀態值所設定之臨限值亦可用於其他設定值。因此，在此實施例中，可共同使用針對使用不同設定值執行之處理所設定的臨限值，且因此可減少設定臨限值之工作及時間。
此外，在前述實例中，描述設定值為溫度之設定值且狀態值為加熱器之電功率值的情況。然而，本發明亦可適用於其他設定值或狀態值。
此外，在前述實例中，描述使用兩個設定值執行的處理中加熱器之電功率值被疊加的情況。然而，本發明亦可適用於使用三個或三個以上設定值執行之處理中加熱器之電功率值被疊加之情況。
此外，在此實施例中，使用如實施例1中之校正係數的使用兩個或兩個以上設定值及在使半導體製造裝置使用每一設定值多次執行一預定處理之情況下獲得之多個狀態值產生的校正函數之係數(例如，上述情況下的y＝ax＋b之a)，可如實施例1中一樣校正狀態值。
舉例而言，在前述實例中，700℃與600℃之間的差為100℃，且因此可自為在設定值700℃下獲得之狀態值的電功率值減去作為校正量之值100×a，使得可將為在設定值600℃下獲得之狀態值的電功率值與為在設定值700℃下獲得之狀態值的電功率值相互比較。
此外，在前述實施例中，藉由將資訊處理裝置100或資訊處理裝置300自半導體製造裝置200分離，可將其用作一單一裝置。
(實施例3)
圖16為說明此實施例中之半導體製造系統之組態的圖。該半導體製造系統具備一資訊處理裝置500及一半導體製造裝置600。半導體製造裝置600對含有一半導體之處理目標執行處理。本文中，描述半導體製造裝置600為用於執行包括熱處理之處理的熱處理裝置且處理目標為半導體晶圓之一實例。然而，由半導體製造裝置600對含有一半導體之處理目標執行的處理可為任何處理。更具體言之，本發明之組態亦可適用於半導體製造裝置600呈不同於熱處理裝置之形式的情況，或者處理目標為不同於半導體晶圓之含有一半導體之材料(諸如，半導體晶片)的情況。本文中，資訊處理裝置500及半導體製造裝置600相互連接，使得(例如)可經由一網路(諸如，網際網路或LAN)或一專用信號線交換資訊。
資訊處理裝置500具備一狀態值接收部分501、一標準值儲存部分502、一臨限值儲存部分503、一計算部分504及一輸出部分505。
狀態值接收部分501接收一狀態值，其為獲取的關於在半導體製造裝置600之一處理期間的狀態之值。舉例而言，術語"接收"指獲取或接收輸入之操作。"狀態值"在本文中指當半導體製造裝置600正執行一所望處理時獲取之值。"獲取的關於一處理期間的狀態之值"可為任何值，只要其可加以獲取且可表示半導體製造裝置600之一處理期間的狀態便可。其特定實例包括在處理期間自半導體製造裝置600自身或半導體製造裝置600之內部環境獲取之量測值、使用此量測值計算的計算值及由半導體製造裝置600在處理期間於內部控制之值。此外，亦可使用藉由在統計上處理量測值或其類似值而獲得之值。狀態值之實例包括在處理期間半導體製造裝置600內之溫度的量測值(更具體言之，藉由使用溫度感應器或其類似物在處理容器611內之所望的位置處量測溫度而獲得之值)、藉由使用壓力偵測部分617或其類似物量測處理壓力(空氣壓力)而獲得之值、由瓦特計量測的用於加熱半導體製造裝置600之內部的加熱器之功率值及該等量測值之平均值、最大值、最小值及標準差。此外，狀態值可為基於(例如)處理期間自半導體製造裝置供應至加熱器之電壓或電流而計算的內部加熱器之功率值。由狀態值接收部分501接收之狀態值可為不同量測單位下之多個狀態值。舉例而言，本文中量測單位指狀態值之單位或零點。不同量測單位下之多個狀態值的實例包括半導體製造裝置600內的溫度之量測值、用於加熱半導體製造裝置600之內部的加熱器之功率值及半導體製造裝置600內的壓力(空氣壓力)之量測值。不存在對狀態值接收部分501接收狀態值之方式的限制。舉例而言，狀態值接收部分501可經由一通信線接收自另一設備或其類似物傳輸之狀態值，或可讀出儲存於一儲存媒體或其類似物中之狀態值。此外，狀態值接收部分501可接收自一輸入單元(諸如，數字小鍵盤、鍵盤、滑鼠或選單螢幕)輸入之狀態值。狀態值接收部分501可使接收的狀態值累積於一記憶體或其類似物(未圖示)中。舉例而言，藉由諸如數字小鍵盤或鍵盤的輸入單元之設備驅動器、用於選單螢幕之控制軟體、通信設備之驅動器或用於自儲存媒體讀出資訊之設備(諸如，記憶卡讀取器或CD驅動機)的驅動器，可實施狀態值接收部分501。
為一充當該等狀態值之標準的值之一標準值可儲存於標準值儲存部分502中。充當狀態值之標準的值可為任何值，只要當將狀態值相互比較時，其可被用作標準便可。標準值之實例包括目標值，其充當控制狀態值之目標。標準值可為用於設定當控制半導體製造裝置600時使用且充當控制狀態值之目標之值的設定值、在根據所望設定適當地控制半導體製造裝置600之情況下獲得的狀態值之實際量測值或實際量測值之平均值。此外，例如，標準值可為在使半導體製造裝置600根據所望設定執行所望處理之情況下獲得之兩個或兩個以上狀態值的平均值、最小值或最大值。
標準值儲存部分502較佳為非揮發性儲存媒體，但亦可實施為揮發性儲存媒體。
為一用於判斷狀態值是否為一所望值之值之臨限值可儲存於臨限值儲存部503中。舉例而言，"所望值"為表示半導體製造裝置600適當地操作或其存在一些錯誤或一所望處理已由半導體製造裝置600適當地執行或尚未適當地執行該所望的處理之值。臨限值之特定實例包括表示狀態值為所望值之範圍的上限值及下限值。此外，臨限值儲存部503可具有一充當上限值之臨限值及一充當下限值之臨限值。通常，該等臨限值分別經設定用於不同量測單位下之狀態值。此外，根據由半導體製造裝置600執行的處理之處理條件而設定該等臨限值。舉例而言，"狀態值是否為所望值之判斷"指狀態值是否等於或大於臨限值之判斷、狀態值是否小於臨限值之判斷或狀態值是否處於由兩個臨限值界定之範圍中之判斷。更具體言之，藉由此判斷，基於狀態值，可判斷半導體製造裝置600是否適當地操作或是否已適當地執行了所望處理。預先根據半導體製造裝置600之設計、使用半導體製造裝置600之實驗或模擬或其類似物設定臨限值，且臨限值經累積於臨限值儲存部分503中。在提供充當上限值及下限值之臨限值的情況下，通常將標準值設定為其間之一值。臨限值儲存部分503較佳為非揮發性儲存媒體，但亦可實施為揮發性儲存媒體。
計算部分504計算一關於由該狀態值接收部分501接收之狀態值與標準值之間的差之值與一關於臨限值與標準值之間的差之值之間的比率。本文中，計算部分504自標準值儲存部分502讀出標準值且自臨限值儲存部分503讀出臨限值且適當地使用此等值。"關於狀態值與標準值之間的差之值"通常指狀態值與標準值之間的差，但亦可為此差之絕對值。此外，只要最終獲得的比率值不改變，則關於狀態值與標準值之間的差之值可為藉由對狀態值與標準值之間的差執行預定計算(諸如，以一預定值相乘)而獲得之值。此外，必要時，亦可對狀態值與標準值之間的差執行精細控制，例如，藉由將一預定值添加至其。"關於臨限值與標準值之間的差之值"通常指臨限值與標準值之間的差，但亦可為此差之絕對值。此外，只要最終獲得的比率值不改變，則關於臨限值與標準值之間的差之值可為藉由對臨限值與標準值之間的差執行預定計算(諸如，以一預定值相乘)而獲得之值。此外，必要時，亦可對臨限值與標準值之間的差執行精細控制，例如，藉由將一預定值添加至其。若由狀態值接收部分501接收之狀態值為不同量測單位下之多個狀態值，則對於不同量測單位下之該多個狀態值中的每一者，計算部分504計算一關於由狀態值接收部分接收之狀態值與對應於該狀態值之標準值之間的差之值與一關於對應於該狀態值之臨限值與標準值之間的差之值之間的比率。當將本文中描述之比率記為R時，比率R特定地由以下等式界定。
應注意，必要時，亦可按百分比或其類似方法表達此比率。此外，當始終將比率R設定為一正值時，例如，當待獲得比率之量值時，可使用以下之等式2，其中省略了等式1中之分母的絕對值。
在提供兩個臨限值之情況下，例如，在提供用於設定上限值及下限值以設定所望範圍之兩個臨限值的情況下，計算部分504自臨限值儲存部分503獲取為狀態值所屬之子範圍中的值之臨限值，該子範圍屬於由標準值分為兩個子範圍之狀態值的可能範圍中，且使用此臨限值以計算上述比率。更具體言之，若狀態值大於標準值，則自臨限值儲存部分503讀出大於標準值之臨限值，且此臨限值與標準值之間的差用於計算上述比率。若狀態值小於標準值，則自臨限值儲存部分503讀出小於標準值之臨限值，且此臨限值與標準值之間的差用於計算上述比率。若狀態值與標準值相同，則可使用該等臨限值中之任一者。舉例而言，計算部分504通常可實施為一MPU或一記憶體。通常，計算部分504之處理程序由軟體加以實施，且軟體儲存於諸如ROM之儲存媒體中。注意，處理程序亦可由硬體(專用電路)加以實施。
輸出部分505輸出由計算部分504計算之比率。在由狀態值接收部分501接收之狀態值為不同量測單位下之多個狀態值的情況下，輸出部分505輸出由計算部分504分別對於不同量測單位下之狀態值計算的多個比率。本文中，術語"輸出"為包括在顯示螢幕上顯示、使用印表機在紙或其類似物上列印、傳輸至外部裝置及臨時儲存於諸如記憶體之儲存媒體中之概念。舉例而言，輸出部分505將由計算部分504計算之比率以曲線圖顯示於顯示螢幕或類似物上。此外，可以疊加方式將使用不同量測單位下之多個狀態值所計算之比率顯示於一曲線圖上。輸出部分505可或可不包括諸如顯示螢幕或印表機之輸出設備。舉例而言，輸出部分505可由輸出設備之驅動器軟體或輸出設備之驅動器軟體與該輸出設備之組合實施。
半導體製造裝置600具備處理容器611。舉例而言，處理容器611亦被稱為反應器容器或反應爐。在處理容器611中，含有充當處理目標之半導體晶圓650，且其經受預定的熱處理，諸如，CVD(化學氣相沈積)製程。處理容器611由耐熱且抗腐蝕材料(諸如，石英玻璃)製成。處理容器611具有單一管結構，其中上端及下端為打開的。使上端變窄為小的直徑且其形成排氣部分612。舉例而言，排氣部分612經由一壓力調節部分616連接至一真空泵(未圖示)。壓力調節部分616具有(例如)用於調節壓力之閥，且根據由控制部分601(稍後加以描述)執行之控制，藉由驅動閥打開及關閉閥來調節處理容器611內之壓力。此外，處理容器611包括用於偵測處理容器611內之壓力(空氣壓力)之壓力偵測部分617。壓力偵測部分617偵測壓力，且輸出對應於經偵測壓力之電信號。壓力偵測部分617特定地為一壓力感應器，且可具有任何結構，只要藉此可偵測壓力便可。
將用於將處理氣體或惰性氣體引入至處理容器611中之氣體引入部分613安置於處理容器611之下部中。將與氣源連通之多個氣體供應管614插入至氣體引入部分613中。自氣體引入部分613引入之處理氣體經由處理容器611上升、被供應至半導體晶圓650上之預定熱處理且接著自排氣部分612被排出。管614具備用於偵測自氣體引入部分613引入至處理容器611中之氣體的流率之氣體流率偵測部分618。作為氣體流率偵測部分618，可使用經提供以控制常用半導體製造裝置中之氣體流率的質量流量控制器。通常，質量流量控制器可偵測氣體流率，且輸出經偵測的量測值或其類似值。
處理容器611之凸緣形下端部分615由蓋621(由諸如不銹鋼之耐熱且抗腐蝕材料製成)打開或關閉。蓋621藉由一升降機(未圖示)而垂直移動，藉此在提昇位置處緊閉處理容器611之下端部分615，且在降低位置處打開處理容器611之下端部分615。
用於緊固氣密性之一O形環622安置於處理容器611之下端部分615與蓋621之間。
在蓋621之中心部分處豎直可旋轉地提供一旋轉支撐柱623，且一旋轉台664緊固至旋轉支撐柱623之上端。
此外，用於驅動以旋轉該旋轉支撐柱623之驅動部分665提供於蓋621下方。
在旋轉台664上，置放由石英玻璃製成之舟626(所謂的半導體晶舟)，可在高度方向上以預定間隔將(例如)60個半導體晶圓650安裝於其中。在已降低蓋621之狀態下，將舟626置放於旋轉台664上，當蓋621經提昇以緊閉處理容器611之下端部分615時，將其完全裝載至處理容器611內，且當在已完成處理後降低蓋621時，將其卸載。此外，在一製程期間，當旋轉台664由驅動部分665旋轉時，舟626旋轉，且因此對半導體晶圓650執行均勻的熱處理。
處理容器611由具備一或多個加熱器631之加熱爐630包圍，加熱器631為用於自半導體晶圓650之周邊部分加熱包含於處理容器611中的半導體晶圓650之加熱單元。沿著處理容器611之周邊配置加熱器631。舉例而言，加熱器631具有電阻熱產生部件，且當供應電力時產生熱。作為電阻熱產生部件，較佳地使用在溫度上升及下降特性上優越之碳線或其類似物。然而，不存在對加熱器631之結構或其類似物之限制。本文中，展示由三個加熱器631a至631c組成一或多個加熱器631之實例，但不存在對加熱器之數目的限制。沿著對準半導體晶圓650之方向配置加熱器631a至631c。然而，不存在對配置加熱器631a至631c之點的限制。
沿著處理容器611之外圓周面提供一或多個溫度偵測部分641。本文中，描述由三個溫度偵測部分641a至641c組成一或多個溫度偵測部分641之實例，但不存在對溫度偵測部分641之數目的限制。本文中，在垂直方向上將三個溫度偵測部分641a至641c配置成一列，但不存在對配置溫度偵測部分641之點的限制。溫度偵測部分641a至641c偵測溫度，且輸出對應於所偵測溫度的電信號。溫度偵測部分641a至641c特定地為溫度感應器，且可具有任何結構(諸如，熱電偶)，只要藉此可偵測溫度便可。應注意，不存在對溫度偵測部分641a至641c之配置的限制。如稍後加以描述，溫度偵測部分641a至641c之輸出用於預測配置於舟626中之半導體晶圓650之表面溫度。
半導體製造裝置600進一步具備控制部分601、處理狀態值獲取部分602及處理輸出部分603。
控制部分601根據(例如)用於設定關於處理目標之處理條件的預設設定值控制半導體製造裝置600之各種操作。舉例而言，在已設定處理溫度之情況下，藉由根據由一或多個溫度偵測部分641偵測之溫度對加熱器631之輸出執行所謂的回饋控制，控制部分601執行控制，使得處理容器611內之溫度匹配由設定值設定之溫度。此外，藉由根據由壓力偵測部分617偵測之壓力對壓力調節部分616執行所謂的回饋控制，控制部分601執行控制，使得處理容器611內之壓力匹配由設定值設定之壓力。舉例而言，可將儲存於上述標準值儲存部分502中之標準值作為用於控制之目標值來執行此控制。控制部分601執行不同於上述的整個半導體製造裝置600之控制，諸如，氣體流率之控制、閥之打開/關閉控制及舟提昇之控制，但此控制為已知技術，且因此省略其描述。舉例而言，控制部分601通常可實施為一MPU或一記憶體。通常，控制部分601之處理程序由軟體加以實施，且軟體儲存於諸如ROM之儲存媒體中。注意，處理程序亦可由硬體(專用電路)加以實施。
處理狀態值獲取部分602獲取一狀態值，其為關於在半導體製造裝置600之一處理期間的狀態之值。通常，此狀態值與上述由狀態值接收部分501接收之狀態值相同。狀態值之實例包括由溫度偵測部分641偵測之溫度值(亦即，溫度之量測值)及加熱器631之功率值。舉例而言，在對處理目標執行預定處理之狀態下，基於作為藉由溫度偵測部分641偵測溫度之結果而輸出的信號，處理狀態值獲取部分602獲取為對應於彼信號之溫度值的狀態值。狀態值亦可為由壓力偵測部分617偵測之壓力值，亦即，壓力之量測值。此外，處理狀態值獲取部分602可獲取為由控制部分601控制的加熱器631之功率值的狀態值，或可獲取為基於由瓦特計(未圖示)偵測之功率值的加熱器631之功率值的狀態值。本文中，描述溫度偵測部分641之輸出經一次輸入至控制部分601且溫度偵測部分641之輸出自控制部分601輸出至處理狀態值獲取部分602之情況。然而，溫度偵測部分641之輸出可直接由處理狀態值獲取部分602接收。此外，在此情況下，由處理狀態值獲取部分602接收之輸入可由處理狀態值獲取部分602適當地輸出至控制部分601。舉例而言，處理狀態值獲取部分602通常可實施為一MPU或一記憶體。通常，處理狀態值獲取部分602之處理程序由軟體加以實施，且軟體儲存於諸如ROM之儲存媒體中。注意，處理程序亦可由硬體(專用電路)加以實施。
處理輸出部分603輸出由處理狀態值獲取部分602獲取之狀態值。本文中，描述處理輸出部分603將由處理狀態值獲取部分602獲取之狀態值傳輸至資訊處理裝置500中之狀態值接收部分501之實例。不存在對自處理輸出部分603輸出狀態值至狀態值接收部分501之時序、觸發或其類似物之限制。舉例而言，處理輸出部分603可在每次處理狀態值獲取部分602獲取關於一處理期間之狀態的值時輸出一狀態值，或可在將多個值臨時累積於一諸如記憶體之儲存媒體後輸出多個值。或者，處理輸出部分603可在接收到自資訊處理裝置500輸出狀態值之一指令後輸出一狀態值。本文中，術語"輸出"為包括傳輸至外部裝置及在諸如記憶體之儲存媒體中累積之概念。處理輸出部分603可或可不包括諸如通信設備之輸出設備。舉例而言，處理輸出部分603可由輸出設備之驅動器軟體或輸出設備之驅動器軟體與該輸出設備之組合實施。
接下來，參看圖17中之流程圖描述資訊處理裝置500之操作。本文中，為了方便起見，描述相同量測單位下之多個狀態值(更具體言之，已經自半導體製造裝置600或其類似物傳輸且在不同時期獲取的具有相同單位及零點之多個狀態值)由資訊處理裝置500接收之情況。舉例而言，該等狀態值為相同量測單位下之多個狀態值，其由半導體製造裝置600在使半導體製造裝置600根據預先相同的設定執行所望處理之情況下在不同時期獲取。本文中，假定多個狀態值中之每一者與獲取狀態值時的時間資訊相關聯。本文中，假定，預先設定用於控制狀態值之目標值作為標準值。此外，用於設定在藉由半導體製造裝置600及其類似物之處理經適當地執行之情況下獲得的狀態值之範圍的充當上限值之第一臨限值及充當下限值之第二臨限值預先儲存於臨限值儲存部分503中。應注意，標準值介於第一臨限值與第二臨限值之間。
(步驟S1701)狀態值接收部分501接收由半導體製造裝置600或其類似物輸出之多個狀態值。該等接收的狀態值累積於諸如記憶體(未圖示)之儲存媒體中。
(步驟S1702)計算部分504自標準值儲存部分502獲取預先儲存之標準值。
(步驟S1703)計算部分504自臨限值儲存部分503獲取預先儲存之臨限值。本文中，計算部分504獲取第一臨限值及第二臨限值。
(步驟S1704)計算部分504將1指派至計數器K。
(步驟S1705)計算部分504獲取第K個狀態值。本文中，狀態值接收部分501在累積於記憶體或其類似物(未圖示)中之設定值當中獲取由半導體製造裝置600或其類似物獲取之在時間序列次序上為第K個值的狀態值。
(步驟S1706)計算部分504判斷狀態值是否等於或大於標準值。若狀態值等於或大於標準值，則程序進行至步驟S1707。若狀態值小於標準值，則程序進行至步驟S611。本文中，可判斷狀態值是否大於標準值，而非判斷狀態值是否等於或大於標準值。
(步驟S1707)藉由將在步驟S1703中獲取之第一臨限值指派至以上等式1中之臨限值及將在步驟S1705中獲取之第K個狀態值及在步驟S1702中獲取之標準值分別指派至等式1中之狀態值及標準值，計算部分504計算比率R。經計算的比率R累積於諸如記憶體(未圖示)之儲存媒體中。
(步驟S1708)計算部分504將計數器K增加1。
(步驟S1709)校正部分504判斷是否存在第K個狀態值。若存在第K個狀態值，則程序返回至步驟S1705。若不存在第K個狀態值，則程序繼續進行至步驟S1710。
(步驟S1710)輸出部分505自一記憶體或其類似物讀出由計算部分504計算之比率R，且輸出比率R。舉例而言，輸出部分505將比率R顯示於一曲線圖上。接著，過程結束。
(步驟S1711)藉由將在步驟S1703中獲取之第二臨限值指派至以上等式1中之臨限值及將在步驟S1705中獲取之第K個狀態值及在步驟S1702中獲取之標準值分別指派至等式1中之狀態值及標準值，計算部分504計算比率R。經計算的比率R累積於諸如記憶體(未圖示)之儲存媒體中。
應注意，在圖17中之流程圖中，可在將標準值、臨限值、一次獲取之多個狀態值及其類似值表達為一矩陣之狀態下執行上述過程。舉例而言，在將多個加熱器631之各別功率值或基於由半導體製造裝置600內的多個溫度偵測部分641獲取之溫度而獲得之多個值用作狀態值之情況下，可將該等狀態值表達為元素之數目匹配加熱器631之數目或溫度偵測部分641之數目的矩陣。在此情況下，例如，步驟S1707、步驟S1711及其類似步驟中之過程由矩陣操作執行。
在以上描述中，描述使用相同量測單位下之狀態值的情況。然而，在使用不同量測單位下之狀態值的情況下，例如，在狀態值為不同單位下之狀態值的情況下，在執行了使用相同量測單位下之狀態值獲得比率之過程後，可使用另一量測單位下之狀態值執行一類似過程。舉例而言，在於步驟S1701中可接收不同量測單位下之狀態值的情況下，在已遵循上述流程圖對一量測單位下之狀態值執行了該過程後，可判斷是否存在另一量測單位下之狀態值。舉例而言，若存在另一量測單位下之一狀態值，則程序返回至步驟S1702，且獲取對應於彼量測單位之一標準值及一臨限值，且重複如流程圖中之過程。
在圖17中之流程圖中，藉由斷開電力或處理－結束中斷，結束該過程。
半導體製造系統中之半導體製造裝置600執行所望處理或獲取狀態值之操作為已知技術，且因此省略其描述。
在下文中，描述此實施例中的半導體製造系統之具體操作。圖18展示半導體製造系統之概念圖。舉例而言，本文中假定資訊處理裝置500由一電腦50實施。此外，例如，本文中假定半導體製造裝置600中之控制部分601、處理狀態值獲取部分602及處理輸出部分603由電腦60實施用於控制，電腦60為半導體製造裝置600之一部分。應注意，本文中使用之設定值及狀態值為準備用於解釋之值，且與當使半導體製造裝置600實際執行所望處理時所獲得之實際量測值不同。
舉例而言，本文中假定半導體製造裝置600為熱處理裝置。此外，半導體製造裝置600根據相同處理設定在逐批之基礎上對半導體晶圓重複地執行預定處理，且對於每一批，狀態值接收部分501獲取一第一狀態值(其為由溫度偵測部分641a在處理溫度穩定期間偵測的溫度之平均值)及一第二狀態值(其為由壓力偵測部分617偵測的處理容器611內之平均壓力值)。充當第一狀態值的溫度之單位為度(℃)，且充當第二狀態值的壓力之單位為帕斯卡(Pa)。以此方式，第一狀態值及第二狀態值為不同量測單位(本文中，不同單位)下之值。由處理狀態值獲取部分602獲取之第一狀態值及第二狀態值由處理輸出部分603臨時累積，且將累積的多個第一狀態值及第二狀態值自處理輸出部分603傳輸至資訊處理裝置500。
此外，用於控制充當第一狀態值的溫度之目標值及充當第二狀態值的處理容器611內之壓力的目標值預先儲存於標準值儲存部分502中，分別作為第一狀態值之標準值及第二狀態值之標準值。此等目標值為標準值。此外，用於設定在半導體製造裝置600正執行一適當處理之情況下獲得的充當第一狀態值之溫度及充當第二狀態值之處理容器611內之壓力中的每一者之範圍的充當上限值之臨限值(在下文中稱為"第一臨限值")及充當下限值之臨限值(在下文中稱為"第二臨限值")儲存於臨限值儲存部分503中。假定上述標準值位於第一臨限值與第二臨限值之間。
首先，使半導體製造裝置600執行一預定處理，且處理狀態值獲取部分602在處理期間獲取溫度及壓力。處理狀態值獲取部分602計算每一批之平均溫度值及平均壓力值。處理輸出部分603將經計算的平均溫度值(亦即，第一狀態值)及經計算的平均壓力值(亦即，第二狀態值)臨時累積於一記憶體或其類似物(未圖示)中。對於多個批，重複此過程。
處理輸出部分603將累積的多個第一狀態值及第二狀態值傳輸至資訊處理裝置500。不存在對執行傳輸之時序、觸發或其類似物之限制。然而，本文中假定請求第一狀態值及第二狀態值之指令係自資訊處理裝置500接收，且回應於此指令將累積的多個第一狀態值及第二狀態值傳輸至資訊處理裝置500。
狀態值接收部分501接收多批的充當第一狀態值之平均溫度值及充當第二狀態值之平均壓力值。狀態值接收部分501將接收的第一狀態值及第二狀態值臨時儲存於一記憶體或其類似物中。
圖19將由狀態值接收部分501接收之第一狀態值展示為一曲線圖。在圖19中，水平軸表示時期(本文中，為批數)，且垂直軸表示第一狀態值，亦即，由溫度偵測部分641a偵測的溫度之平均值。此外，TS 表示第一狀態值之標準值，TH 表示第一狀態值之第一臨限值，且TL 表示第一狀態值之第二臨限值。若第一狀態值介於第一臨限值TH 與第二臨限值TL 之間，則判斷半導體製造裝置600已適當地執行了一處理。
圖20將由狀態值接收部分501接收之第二狀態值展示為一曲線圖。在圖20中，水平軸表示時期(本文中，為批數)，且垂直軸表示第二狀態值，亦即，由壓力偵測部分617偵測的平均壓力值。此外，PS 表示第二狀態值之標準值，PH 表示第二狀態值之第一臨限值，且PL 表示第二狀態值之第二臨限值。若第二狀態值介於第一臨限值PH 與第二臨限值PL 之間，則判斷半導體製造裝置600已適當地執行了一處理。
接下來，計算部分504自標準值儲存部分502及臨限值儲存部分503讀出對應於第一狀態值之標準值TS 及第一臨限值TH 與第二臨限值TL 。接著，對於由狀態值接收部分501接收之第一狀態值中的每一者，藉由使用以上等式1執行計算，獲得比率R。本文中，將對於第一狀態值而計算的比率R記為R1 。應注意，表示以上等式1之資訊預先儲存於諸如記憶體(未圖示)之儲存媒體中。
以類似方式，計算部分504自標準值儲存部分502及臨限值儲存部分503讀出對應於第二狀態值之標準值PS 及第一臨限值PH 與第二臨限值PL 。接著，對於由狀態值接收部分501接收之第二狀態值中的每一者，藉由使用以上等式1執行計算，獲得比率R。本文中，將對於第二狀態值而計算的比率R記為R2 。
輸出部分505以疊加方式顯示對於第一狀態值計算的比率R1 之曲線圖及對於第二狀態值計算的比率R2 之曲線圖，使得其零點相互匹配。
舉例而言，圖21展示在資訊處理裝置500之顯示螢幕510上顯示疊加比率R1 及比率R2 的曲線圖之一顯示實例。在圖21中，水平軸表示時期(本文中，批數)，且垂直軸表示比率R。本文中，以疊加方式顯示比率R1 及比率R2 ，但亦可以非疊加方式將其顯示。
在此實例中，獲得藉由分別自不同單位下之第一狀態值及第二狀態值減去充當用於控制的目標值之標準值而獲得之值及藉由自分別對應於第一狀態值及第二狀態值之臨限值減去標準值而獲得之值，且計算其間之比率。因此，若狀態值匹配標準值，則獲得之值(比率)始終為0。此外，若狀態值為第一臨限值與第二臨限值之間的一值，則獲得之值(比率)自－1變化至1。更具體言之，將第一臨限值及第二臨限值設定為係共同臨限值之1及－1。結果，無論在諸如單位之量測單位下的差異，藉由將狀態值疊加使得標準值相互匹配，可易於將不同狀態值相互比較而不視單位而定，且使用共同臨限值，可易於監視由半導體製造裝置600執行之處理中之異常及其類似特徵。舉例而言，在前述實例中，無論輸出值對應於何狀態值，若輸出值大於1或小於－1，則可判斷對應於此值之狀態值大於第一臨限值或小於第二臨限值，因此，使得可能判斷由半導體製造裝置600執行之處理存在一些錯誤。相應地，例如，使用多個曲線圖經整合至一個曲線圖中之控制圖，可監視是否適當地執行了半導體製造裝置之處理。因此，可易於監視半導體製造裝置。
本文中，在簡單地疊加圖19中所示之第一狀態值的曲線圖與圖20中所示之曲線圖同時忽略單位或其類似物使得其標準值相互匹配之情況下，獲得圖22中所示之曲線圖。然而，在此曲線圖中，狀態值具有不同的臨限值。因此，即使在第二狀態值等於或小於第二狀態值之臨限值的情況下，若第二狀態值大於第一狀態值之第一臨限值，則當使用者不能精確地判定狀態值是否為第一狀態值或第二狀態值時，使用者亦可能錯誤地判斷第二狀態值在正常值之範圍外。因此，有必要細心地監視狀態值是第一狀態值或是第二狀態值，且使用者監視之負擔增加了。因此，不可能如在前述實例中易於比較或監視不同量測單位下之狀態值。
在前述實例中，描述使用不同量測單位下之兩個狀態值的情況，但此實施例亦可適用於使用不同量測單位下之三個或三個以上狀態值之情況。
舉例而言，描述以下情況：除了在前述實例中描述的充當第一狀態值之平均溫度值及充當第二狀態值之平均壓力值之外，使用為(例如)引入至半導體製造裝置600之處理容器611內的處理氣體之氣體流率之平均值的第三狀態值。
首先，以類似於如上所述用於溫度及其類似物之方式的方式，處理狀態值獲取部分602獲取(例如)在使半導體製造裝置600執行一預定處理之情況下處理氣體之氣體流率，且接著計算其平均值。氣體流率之平均值充當第三狀態值。接著，處理輸出部分603將第三狀態值與上述第一狀態值及第二狀態值一起傳輸。
狀態值接收部分501接收與第一狀態值及第二狀態值一起傳輸的充當第三狀態值之氣體流率。
圖23將由狀態值接收部分501接收的充當第三狀態值之氣體流率展示為一曲線圖。在圖23中，水平軸表示時期(本文中，批數)，且垂直軸表示一批之氣體流率的平均值。舉例而言，作為氣體流率值，使用藉由用於控制供應至半導體製造裝置600之氣體引入部分613的氣體之流率之質量流量控制器(MFC)而獲得之量測值。此外，GS 表示第三狀態值之標準值，GH 表示第三狀態值之第一臨限值，且GL 表示第三狀態值之第二臨限值。將標準值GS 預先儲存於標準值儲存部分502中，且將臨限值GH 及GL 預先儲存於臨限值儲存部分503中。若第三狀態值介於第一臨限值GH 與第二臨限值GL 之間，則判斷半導體製造裝置600已適當地執行了一處理。
以類似於用於第一狀態值及其類似值之方式的方式，計算部分504自標準值儲存部分502及臨限值儲存部分503讀出對應於第三狀態值之標準值GS 及第一臨限值GH 與第二臨限值GL 。接著，對於由狀態值接收部分501接收之第三狀態值中的每一者，藉由使用以上等式1執行計算，獲得比率R。本文中，將對於第三狀態值而計算的比率R記為R3 。
輸出部分505以疊加方式將對於第三狀態值而計算的比率R3 顯示於如圖21中所示之曲線圖上，其中對於第一狀態值而計算的比率R1 及對於第二狀態值而計算的比率R2 經疊加使得其零點相互匹配。
舉例而言，圖24為在資訊處理裝置500之顯示螢幕510上顯示疊加比率R1 、比率R2 及比率R3 的曲線圖之一顯示實例。在圖24中，水平軸表示時期(本文中，批數)，且垂直軸表示比率R。
同樣在此情況下，若第三狀態值匹配標準值GS ，則獲得之值(比率)始終為0。此外，若第三狀態值為第一臨限值GH 與第二臨限值GL 之間的一值，則獲得之值(比率)自－1變化至1。更具體言之，將第三狀態值之第一臨限值及第二臨限值設定為係第一及第二狀態值及第三狀態值的共同臨限值之1及－1。結果，無論在諸如單位之量測單位下的差異，藉由將狀態值疊加使得標準值相互匹配，可易於將不同狀態值相互比較而不視單位而定，且使用共同臨限值，易於監視藉由半導體製造裝置600之處理中之異常及其類似特徵。
如上所述，根據此實施例，計算一關於由狀態值接收部分501接收之狀態值與標準值之間的差之值與一關於臨限值與標準值之間的差之值之間的每一比率，且因此可將諸如單位之量測單位相互不同之值轉換為考慮各別臨限值之值，而不視單位而定。因此，自不同單位下之狀態值，可獲得適合於諸如比較或監視之資料分析的值。因此，可易於比較或監視不同量測單位下之狀態值。
在此實施例中，在狀態值接收部分501接收不同量測單位下之兩個或兩個以上狀態值之情況下，亦可應用以下組態：如圖25中所示提供多變量分析部分506，且輸出部分505輸出由多變量分析部分506執行的多變量分析之結果，而非由計算部分504計算的比率。
多變量分析部分506使用計算部分504對不同量測單位下之兩個或兩個以上狀態值執行之計算結果執行多變量分析。由多變量分析部分506執行之分析可為任何分析，諸如，使用馬氏距離(Mahalanobis' distance)之判別分析或多元回歸分析。多變量分析為已知技術，且因此省略其詳細描述。舉例而言，多變量分析部分506通常可實施為一MPU或一記憶體。此外，多變量分析中之等式或其類似物之資訊通常儲存於諸如記憶體之儲存媒體中。通常，多變量分析部分506之處理程序由軟體加以實施，且軟體儲存於諸如ROM之儲存媒體中。注意，處理程序亦可由硬體(專用電路)加以實施。
如在習知實例中，在藉由使用標準差對狀態值執行標準化而獲得之資訊用於多變量分析之情況下，當狀態值並非為正常分布時，即使與其他值顯著不同之一狀態值實際上處於可由狀態值採用的正常值之範圍中，作為多變量分析之結果，亦可將該狀態值判斷為與其他值顯著不同之一值，且可將該狀態值評估為一異常值。
然而，在此實施例中，考慮狀態值之臨限值而非標準差來執行狀態值之標準化。因此，即使狀態值並非係正常分布，只要與其他值顯著不同之一狀態值處於基於臨限值判斷為正常之區域中，則亦可減小作為多變量分析之結果將該值判斷為與其他值顯著不同之可能性。藉由此修改之實例，使用不同單位下之狀態值，可考慮各別狀態值之臨限值而執行適當的多變量分析。
此外，在前述實施例中，藉由將資訊處理裝置500自半導體製造裝置600分離，可將其用作一單一裝置。舉例而言，在此情況下，資訊處理裝置500可經由一儲存媒體接收待加以處理之資料。
此外，在前述實例中，描述狀態值為溫度、壓力及氣體流率之情況，但本發明亦可適用於其他狀態值。
同樣，在前述實施例中，藉由單一設備(系統)之整合處理可實現每一處理(每一功能)，或者，藉由多個設備之分散式處理可將其實現。
同樣，在前述實施例中，可藉由專用硬體組態每一組件，或者，可藉由軟體實現之組件可藉由執行一程式而加以實現。舉例而言，藉由讀取並執行已儲存於一諸如硬碟或半導體記憶體之儲存媒體上之軟體程式的程式執行部分(諸如，CPU)，可實現每一組件。
本文中，實施前述實施例中的資訊處理設備之軟體可為以下程式。具體言之，此程式為用於使電腦處理狀態值之程式，該狀態值為一關於在一處理期間之一狀態之值，該處理由一用於根據設定值對含有一半導體之處理目標執行處理的半導體製造裝置執行，該設定值為一用於設定處理條件之值，其中該程式使該電腦執行以下步驟：接收設定值之一設定值接收步驟；接收狀態值之一狀態值接收步驟；使用一校正函數來計算該狀態值之一校正量之校正量計算步驟，該校正函數為一表示該設定值與該校正量之間的一關係之函數；使用在校正量計算步驟中計算之校正量來校正在狀態值接收步驟中接收之狀態值的校正步驟；及輸出在校正步驟中校正之狀態值的輸出步驟。
此外，實施實施例1中的資訊處理裝置之軟體可為以下程式。具體言之，此程式為用於使電腦處理狀態值之程式，該狀態值為一關於在一處理期間之一狀態之值，該處理由一用於根據設定值對含有一半導體之處理目標執行處理的半導體製造裝置執行，該設定值為一用於設定處理條件之值，其中該程式使該電腦執行以下步驟：接收設定值之一設定值接收步驟；接收狀態值之一狀態值接收步驟；使用校正函數來計算對應於在設定值接收步驟中接收之設定值相對於一預定值之一改變量的校正量之校正量計算步驟，該校正函數為一表示該設定值之改變量與該校正量之間的關係之函數，校正量為狀態值的基於設定值之改變量而預測之改變量；使用在校正量計算步驟中計算之校正量來校正在狀態值接收步驟中接收之狀態值的校正步驟；及輸出在校正步驟校正之狀態值的輸出步驟。
此外，實施實施例2中的資訊處理裝置之軟體可為以下程式。具體言之，此程式為用於使電腦處理狀態值之程式，該狀態值為一關於在一處理期間之一狀態之值，該處理由一用於根據設定值對含有一半導體之處理目標執行處理的半導體製造裝置執行，該設定值為一用於設定處理條件之值，其中該程式使該電腦執行以下步驟：接收設定值之一設定值接收步驟；接收狀態值之一狀態值接收步驟；使用校正函數來計算對應於在設定值接收步驟中接收之設定值的校正量之校正量計算步驟該校正函數為表示設定值與校正量之間的關係之函數，該校正量為基於設定值預測之狀態值；使用在校正量計算步驟中計算之校正量來校正在狀態值接收步驟中接收之狀態值的校正步驟；及輸出在校正步驟中校正之狀態值的輸出步驟。
此外，實施實施例3中的資訊處理裝置之軟體可為以下程式。具體言之，此程式為用於使電腦處理狀態值之程式，該狀態值為一關於在一處理期間之一狀態之值，該處理由一用於對含有一半導體之處理目標執行處理的半導體製造裝置執行，其中該程式使該電腦執行以下步驟：接收狀態值之一狀態值接收步驟；計算關於在狀態值接收步驟中接收之狀態值與一充當該狀態值的標準之經儲存標準值之間的差之一值與關於用於判斷該狀態值是否為所望的值之一經儲存臨限值與該標準值之間的差之一值之間的比率之計算步驟；及輸出在計算步驟中計算之比率的輸出步驟。
此外，在此程式中，在狀態值接收步驟中，接收不同量測單位下之多個狀態值，在計算步驟中，計算對應於不同量測單位下之該多個狀態值中之每一者的比率，且在輸出步驟中，輸出在該計算步驟中計算之該多個比率。
此外，該程式為用於使電腦處理狀態值之程式，該狀態值為一關於在一處理期間之一狀態之值，該處理由一用於對含有一半導體之處理目標執行處理的半導體製造裝置執行，其中該程式使該電腦執行以下步驟：接收不同量測單位下之多個狀態值之狀態值接收步驟；對於不同量測單位下之該多個狀態值中之每一者，計算一關於在狀態值接收步驟中接收之狀態值與一充當該狀態值的標準之經儲存標準值之間的差之值與一關於用於判斷該狀態值是否為所望值之一經儲存臨限值與該標準值之間的差之值之間的比率之計算步驟；使用在計算步驟中計算之多個比率執行多變量分析之多變量分析步驟；及輸出在多變量分析步驟中執行的分析之結果之輸出步驟。
此外，在此程式中，在計算步驟中用於計算一比率之臨限值為狀態值所屬之一子範圍中之一值，該子範圍屬於狀態值之由標準值分為兩個子範圍的一可能範圍中。
在上述程式中，在輸出資訊之輸出步驟、接收資訊之接收步驟或其類似步驟中，並不包括由硬體執行之處理(僅可藉由硬體執行之處理)，例如，在輸出步驟中藉由數據機、介面卡或其類似物執行之處理。
同樣，藉由自伺服器或其類似物下載，可執行此程式，或藉由讀取已儲存於一預定儲存媒體(例如，光碟(諸如CD－ROM)、磁碟、半導體記憶體或其類似物)上之程式，可執行此程式。
執行此程式之電腦可為單一電腦或多個電腦。亦即，可執行集中式處理或分散式處理。
同樣，在前述實施例中，應瞭解，一設備中之兩個或兩個以上通信單元(諸如，資訊傳輸部分)可由一媒體實體地實施。
本發明不限於本文中所陳述之實施例。在本發明之範疇內，各種修改係可能的。
此外，在前述實施例中，資訊處理裝置可為單獨裝置或可為主從系統中之伺服器裝置。在後者情況下，輸出部分、接收部分、設定值接收部分及其類似部分經由一通信線接收輸入或將資料輸出至螢幕。
如上所述，根據本發明之資訊處理裝置及其類似物適合於作為用於處理在由半導體製造裝置執行的製造過程期間獲得之資訊的資訊處理裝置及其類似物。詳言之，其用作用於處理作為執行使用不同設定值執行之處理之結果而獲得之資訊的資訊處理裝置及其類似物。詳言之，其用作用於處理諸如單位之量測單位相互不同之值的資訊處理裝置及其類似物。
10．．．電腦
20．．．電腦
50．．．電腦
60．．．電腦
100．．．資訊處理裝置
101．．．設定值接收部分
102．．．狀態值接收部分
103．．．校正量計算部分
104．．．校正部分
105．．．輸出部分
106．．．校正函數儲存部分
107．．．指定值儲存部分
108．．．判斷部分
110．．．顯示螢幕
200．．．半導體製造裝置
201．．．處理設定值接收部分
202．．．控制部分
203．．．處理狀態值獲取部分
204．．．處理輸出部分
211．．．處理容器
212．．．排氣部分
213．．．氣體引入部分
214．．．氣體供應管
215．．．處理容器之下端部分
221．．．蓋
222．．．O形環
223．．．旋轉支撐柱
224．．．旋轉台
225．．．驅動部分
226．．．舟
230．．．加熱爐
231a．．．加熱器
231b．．．加熱器
231c．．．加熱器
231d．．．加熱器
231e．．．加熱器
241a．．．溫度偵測部分
241b．．．溫度偵測部分
241c．．．溫度偵測部分
241d．．．溫度偵測部分
241e．．．溫度偵測部分
250．．．半導體晶圓
300．．．資訊處理裝置
301．．．校正函數產生部分
302．．．函數產生資訊儲存部分
500．．．資訊處理裝置
501．．．狀態值接收部分
502．．．標準值儲存部分
503．．．臨限值儲存部分
504．．．計算部分
505．．．輸出部分
506．．．多變量分析部分
510．．．顯示螢幕
600．．．半導體製造裝置
601．．．控制部分
602．．．處理狀態值獲取部分
603．．．處理輸出部分
611．．．處理容器
612．．．排氣部分
613．．．氣體引入部分
614．．．氣體供應管
615．．．處理容器之下端部分
616．．．壓力調節部分
617．．．壓力偵測部分
618．．．氣體流率偵測部分
621．．．蓋
622．．．O形環
623．．．旋轉支撐柱
626．．．舟
630．．．加熱爐
631a．．．加熱器
631b．．．加熱器
631c．．．加熱器
641a．．．溫度偵測部分
641b．．．溫度偵測部分
641c．．．溫度偵測部分
650．．．半導體晶圓
GH ．．．第三狀態值之第一臨限值
GL ．．．第三狀態值之第二臨限值
GS ．．．第三狀態值之標準值
PH ．．．第二狀態值之第一臨限值
PL ．．．第二狀態值之第二臨限值
PS ．．．第二狀態值之標準值
Ta．．．濕度
Tb．．．溫度
Th11 ．．．對應於第一設定值之處理溫度
Th12 ．．．對應於第一設定值之處理溫度
Th21 ．．．對應於第二設定值之處理溫度/臨限值
Th22 ．．．對應於第二設定值之處理溫度/臨限值
TH ．．．第一狀態值之第一臨限值
TL ．．．第一狀態值之第二臨限值
TS ．．．第一狀態值之標準值
y600 ．．．y值
y700 ．．．y值
Za．．．區
Zb．．．區
Zc．．．區
Zd．．．區
Ze．．．區
圖1為說明實施例1中之半導體製造系統之組態的圖。
圖2為說明半導體製造系統中之資訊處理裝置之操作的流程圖。
圖3為半導體製造系統之概念圖。
圖4為展示由資訊處理裝置接收之狀態值的曲線圖。
圖5為展示資訊處理裝置之一顯示實例的曲線圖。
圖6為展示資訊處理裝置之一顯示實例的曲線圖。
圖7為說明半導體製造系統之一經修改實例的圖。
圖8為展示用於說明資訊處理裝置之顯示實例的曲線圖。
圖9為展示用於說明資訊處理裝置之顯示實例的曲線圖。
圖10為說明實施例2中之半導體製造系統之組態的圖。
圖11為說明半導體製造系統中之資訊處理裝置之操作的流程圖。
圖12為說明設定值與由資訊處理裝置接收之狀態值之間的關係之曲線圖。
圖13為展示資訊處理裝置之一顯示實例的曲線圖。
圖14為說明溫度之設定值與由資訊處理裝置接收的加熱器之功率值之間的關係之曲線圖。
圖15為展示資訊處理裝置之一顯示實例的曲線圖。
圖16為說明實施例3中之半導體製造系統之組態的圖。
圖17為說明半導體製造系統中之資訊處理裝置之操作的流程圖。
圖18為半導體製造系統之概念圖。
圖19為展示半導體製造系統中之第一狀態值的曲線圖。
圖20為展示半導體製造系統中之第二狀態值的曲線圖。
圖21為展示資訊處理裝置之一顯示實例的曲線圖。
圖22為用於說明資訊處理裝置之操作的曲線圖。
圖23為展示半導體製造系統中之第三狀態值的曲線圖。
圖24為展示資訊處理裝置之一顯示實例的曲線圖。
圖25為說明半導體製造系統之一經修改實例的圖。
100．．．資訊處理裝置
101．．．設定值接收部分
102．．．狀態值接收部分
103．．．校正量計算部分
104．．．校正部分
105．．．輸出部分
106．．．校正函數儲存部分
107．．．指定值儲存部分
200．．．半導體製造裝置
201．．．處理設定值接收部分
202．．．控制部分
203．．．處理狀態值獲取部分
204．．．處理輸出部分
211．．．處理容器
212．．．排氣部分
213．．．氣體引入部分
214．．．氣體供應管
215．．．處理容器之下端部分
221．．．蓋
222．．．O形環
223．．．旋轉支撐柱
224．．．旋轉台
225．．．驅動部分
226．．．舟
230．．．加熱爐
231a．．．加熱器
231b．．．加熱器
231c．．．加熱器
231d．．．加熱器
231e．．．加熱器
241a．．．溫度偵測部分
241b．．．溫度偵測部分
241c．．．溫度偵測部分
241d．．．溫度偵測部分
241e．．．溫度偵測部分
250．．．半導體晶圓

Claims (25)

  1. 一種資訊處理裝置，其用於處理(processing)半導體製造裝置之與處理(treatment)期間之狀態相關之值即狀態值，該半導體製造裝置係根據設定處理條件的值即設定值，對含有半導體之處理目標執行處理，該資訊處理裝置包含：設定值接收部分，其接收該設定值；狀態值接收部分，其接收該狀態值；校正量計算部分，其使用校正函數計算校正量，該校正函數為表示該設定值與該狀態值之該校正量之間的關係之函數；校正部分，其使用由該校正量計算部分計算出之校正量來校正由該狀態值接收部分接收之狀態值；及輸出部分，其輸出由該校正部分校正過之狀態值，該校正函數係表示變更過該設定值之情形時的該設定值的改變量與自該設定值的改變量所預測之狀態值的改變量即該校正量之間的關係之函數，該設定值接收部分接收多個設定值，該狀態值接收部分接收分別對應該多個設定值的多個狀態值，該校正量計算部分使用該校正函數，計算在該設定值接收部分所接收之該多個設定值的各個變更為預定之值即指定值之情況時之對於該多個狀態值的各個之校正量，該校正量係對應於與相對於該指定值之該多個設定 值的各個相關之改變量，該校正部分係以該校正量計算部分所計算出之多個校正量，校正分別對應於該多個校正量的該多個狀態值，該輸出部分輸出該校正部分所校正後之多個狀態值。
  2. 一種資訊處理裝置，其用於處理(processing)半導體製造裝置之與處理(treatment)期間之狀態相關之值即狀態值，該半導體製造裝置係根據設定處理條件的值即設定值，對含有半導體之處理目標執行處理，該資訊處理裝置包含：設定值接收部分，其接收該設定值；狀態值接收部分，其接收該狀態值；校正量計算部分，其使用校正函數計算校正量，該校正函數為表示該設定值與該狀態值之該校正量之間的關係之函數；校正部分，其使用由該校正量計算部分計算出之校正量來校正由該狀態值接收部分接收之狀態值；及輸出部分，其輸出由該校正部分校正過之狀態值，該校正函數係表示變更過該設定值之情形時的該設定值的改變量與自該設定值的改變量所預測之狀態值的改變量即該校正量之間的關係之函數，該設定值接收部分接收作為該設定值之第一設定值及第二設定值，該狀態值接收部分接收分別對應於該第一設定值及第二設定值之第一狀態值及第二狀態值， 該校正量計算部分使用該校正函數，計算在該設定值接收部分所接收之第二設定值變更為第一設定值之情形時之與該第二設定值之改變量對應的該第二狀態值之校正量，該校正部分藉由該校正量來校正該第二狀態值，該輸出部分輸出由該校正部分校正過之第二狀態值、及該第一狀態值。
  3. 如請求項1或2之資訊處理裝置，其中該校正函數係將用於設定該校正函數的校正矩陣作為係數之函數，該校正矩陣係對以矩陣表示之所望設定值，使該矩陣之各元素之值依序改變單位量，而使該半導體製造裝置執行了處理之情況下所獲得之狀態值之改變量的值作為每一行之值的矩陣。
  4. 如請求項1或2之資訊處理裝置，其中該校正函數係將該半導體製造裝置之轉移函數的穩態增益作為係數之函數。
  5. 如請求項1或2之資訊處理裝置，其中該校正函數為表示該設定值與對應於該設定值而預測之狀態值即該校正量之間的關係之函數，且該校正量計算部分使用該校正函數來計算對應於由該設定值接收部分所接收之設定值之該校正量。
  6. 如請求項1或2之資訊處理裝置，其中該校正函數為使用多組該設定值及對應於該設定值之該狀態值而獲得之函數。
  7. 如請求項6之資訊處理裝置，其進一步包含校正函數產生部分，其使用多組該設定值及對應於該設定值之該狀態值來產生該校正函數。
  8. 如請求項6之資訊處理裝置，其中該校正函數為以近似式表示之函數，該近似式係使用多組該設定值及對應於該設定值之該狀態值而獲得者。
  9. 如請求項7之資訊處理裝置，其中該校正函數為以近似式表示之函數，該近似式係使用多組該設定值及對應於該設定值之該狀態值而獲得者。
  10. 如請求項1或2之資訊處理裝置，其中該設定值為用於設定該半導體製造裝置內之對該處理目標之處理之條件的值，且該狀態值為表示該半導體製造裝置之該處理目標所配置之位置以外的位置之處理期間的狀態之值。
  11. 如請求項1或2之資訊處理裝置，其中該設定值為該半導體製造裝置內之溫度的設定值，且該狀態值為該半導體製造裝置內之溫度的量測值。
  12. 如請求項1或2之資訊處理裝置，其中該設定值為該半導體製造裝置內之預定位置處之溫度的設定值，且該狀態值為加熱該半導體製造裝置之內部的加熱器之功率值(power value)。
  13. 一種半導體製造系統，其包含用於對含有半導體之處理 目標執行處理之半導體製造裝置及如請求項1至10中任一項之資訊處理裝置，其中該半導體製造裝置包含：處理設定值接收部分，其接收該設定值；控制部分，其根據該設定值控制對該處理目標之處理；處理狀態值獲取部分，其獲取該狀態值；及處理輸出部分，其輸出該狀態值。
  14. 如請求項13之半導體製造系統，其中該半導體製造裝置進一步包含：處理容器，其對該處理目標執行處理；至少一個加熱器，其加熱該處理容器之內部；及至少一個溫度偵測部分，其偵測該處理容器內之溫度，該設定值為用於設定該處理容器內之預定位置處的溫度之值，該控制部分控制該至少一個加熱器來控制處理容器內之溫度，且該處理狀態值獲取部分獲取由該溫度偵測部分偵測到的溫度值即狀態值。
  15. 如請求項14之半導體製造系統，其中該控制部分根據由該至少一個溫度偵測部分偵測到之溫度來控制該處理容器內之溫度。
  16. 如請求項13之半導體製造系統， 其中該半導體製造裝置進一步包含：處理容器，其對該處理目標執行處理；及至少一個加熱器，其加熱該處理容器之內部，該設定值為用於設定該處理容器內之預定位置處的溫度之值，該控制部分控制該至少一個加熱器來控制處理容器內之溫度，且該處理狀態值獲取部分獲取該至少一個加熱器之功率值即狀態值。
  17. 如請求項16之半導體製造系統，其中該半導體製造裝置進一步包含至少一個溫度偵測部分，其偵測該處理容器內之溫度，且該控制部分根據由該至少一個溫度偵測部分偵測到之溫度來控制該處理容器內之溫度。
  18. 一種資訊處理方法，其處理(processing)半導體製造裝置之與處理(treatment)期間之狀態相關之值即狀態值，該半導體製造裝置係根據設定處理條件的值即設定值，對含有半導體之處理目標執行處理，該資訊處理方法包含：設定值接收步驟，其接收該設定值；狀態值接收步驟，其接收該狀態值；校正量計算步驟，其使用校正函數來計算校正量，該校正函數為表示該設定值與該狀態值之該校正量之間的關係之函數； 校正步驟，其使用在該校正量計算步驟中所計算出之校正量來校正在該狀態值接收步驟中所接收到之狀態值；及輸出步驟，其輸出在該校正步驟中所校正後之狀態值，該校正函數係表示變更過該設定值之情形時的該設定值的改變量與自該設定值的改變量所預測之狀態值的改變量即該校正量之間的關係之函數，該設定值接收步驟接收多個設定值，該狀態值接收步驟接收分別對應該多個設定值的多個狀態值，該校正量計算步驟使用該校正函數，計算在該設定值接收步驟所接收之該多個設定值的各個變更為預定之值即指定值之情況時之對於該多個狀態值的各個之校正量，該校正量係對應於與相對於該指定值之該多個設定值的各個相關之改變量，該校正步驟以該校正量計算步驟所計算出的多個校正量，校正分別對應於該多個校正量的該多個狀態值，該輸出步驟輸出該校正步驟所校正後之多個狀態值。
  19. 一種資訊處理方法，其用於處理(processing)半導體製造裝置之與處理(treatment)期間之狀態相關之值即狀態值，該半導體製造裝置係根據設定處理條件的值即設定值，對含有半導體之處理目標執行處理，該資訊處理方法包含： 設定值接收步驟，其接收該設定值；狀態值接收步驟，其接收該狀態值；校正量計算步驟，其使用校正函數來計算校正量，該校正函數為表示該設定值與該狀態值之該校正量之間的關係之函數；校正步驟，其使用在該校正量計算步驟中所計算出之校正量來校正在該狀態值接收步驟中所接收到之狀態值；及輸出步驟，其輸出在該校正步驟中所校正後之狀態值，該校正函數係表示變更過該設定值之情況時的該設定值的改變量與自該設定值的改變量所預測之狀態值的改變量即該校正量之間的關係之函數，該設定值接收步驟接收作為該設定值之第一設定值及第二設定值，該狀態值接收步驟接收分別對應於該第一設定值及第二設定值之第一狀態值及第二狀態值，該校正量計算步驟使用該校正函數，計算在該設定值接收步驟所接收之第二設定值變更為第一設定值之情況時之與該第二設定值之改變量對應的該第二狀態值之校正量，該校正步驟藉由該校正量來校正該第二狀態值，該輸出步驟輸出由該校正步驟校正過之第二狀態值、及該第一狀態值。
  20. 如請求項18或19之資訊處理方法，其中該校正函數為表示該設定值與對應於該設定值而預測之狀態值即校正量之間的關係之函數；且在該校正量計算步驟中，使用該校正函數來計算對應於在該設定值接收步驟中所接收之設定值之該校正量。
  21. 一種程式產品，其用於使電腦執行半導體製造裝置之與處理(treatment)期間之狀態相關之值即狀態值之處理(processing)，該半導體製造裝置係根據設定處理條件的值即設定值，對含有半導體之處理目標執行處理，該程式產品使電腦執行以下步驟：接收該設定值之設定值接收步驟；接收該狀態值之狀態值接收步驟；使用校正函數計算校正量之校正量計算步驟，該校正函數為表示該設定值與該狀態值之該校正量之間的關係之函數；使用在該校正量計算步驟中所計算出之校正量來校正在該狀態值接收步驟中所接收之狀態值的校正步驟；及輸出在該校正步驟中所校正後之狀態值的輸出步驟，該校正函數係表示變更過該設定值之情況時的該設定值的改變量與自該設定值的改變量所預測之狀態值的改變量即該校正量之間的關係之函數，該設定值接收步驟接收多個設定值， 該狀態值接收步驟接收分別對應該多個設定值的多個狀態值，該校正量計算步驟使用該校正函數，計算在該設定值接收步驟所接收之該多個設定值的各個變更為預定之值即指定值之情況時之對於該多個狀態值的各個之校正量，該校正量係對應於與相對於該指定值之該多個設定值的各個相關之改變量，該校正步驟以該校正量計算步驟所計算出的多個校正量，校正分別對應於該多個校正量的該多個狀態值，該輸出步驟輸出該校正步驟所校正後之多個狀態值。
  22. 一種程式產品，其用於使電腦執行半導體製造裝置之與處理(treatment)期間之狀態相關之值即狀態值之處理(processing)，該半導體製造裝置係根據設定處理條件的值即設定值，對含有半導體之處理目標執行處理，該程式產品使電腦執行以下步驟：接收該設定值之設定值接收步驟；接收該狀態值之狀態值接收步驟；使用校正函數計算校正量之校正量計算步驟，該校正函數為表示該設定值與該狀態值之該校正量之間的關係之函數；使用在該校正量計算步驟中所計算出之校正量來校正在該狀態值接收步驟中所接收之狀態值的校正步驟；及輸出在該校正步驟中所校正後之狀態值的輸出步 驟，該校正函數係表示變更過該設定值之情況時的該設定值的改變量與自該設定值的改變量所預測之狀態值的改變量即該校正量之間的關係之函數，該設定值接收步驟接收作為該設定值之第一設定值及第二設定值，該狀態值接收步驟接收分別對應於該第一設定值及第二設定值之第一狀態值及第二狀態值，該校正量計算步驟使用該校正函數，計算在該設定值接收步驟所接收之第二設定值變更為第一設定值之情況時之與該第二設定值之改變量對應的該第二狀態值之校正量，該校正步驟藉由該校正量來校正該第二狀態值，該輸出步驟輸出由該校正步驟校正過之第二狀態值、及該第一狀態值。
  23. 如請求項21或22之程式產品，其中該校正函數為表示該設定值與對應於該設定值而預測之狀態值即該校正量之間的關係之函數；且在該校正量計算步驟中，使用該校正函數來計算對應於在該設定值接收步驟中所接收之設定值之該校正量。
  24. 一種儲存媒體，其儲存程式，該程式係用於使電腦執行半導體製造裝置之與處理(treatment)期間之狀態相關之值即狀態值之處理(processing)，該半導體製造裝置係根據設定處理條件的值即設定值，對含有半導體之處理目 標執行處理，該程式使電腦執行以下步驟：接收該設定值之設定值接收步驟；接收該狀態值之狀態值接收步驟；使用校正函數計算校正量之校正量計算步驟，該校正函數為表示該設定值與該狀態值之該校正量之間的關係之函數；使用在該校正量計算步驟中所計算出之該校正量來校正在該狀態值接收步驟中所接收之狀態值的校正步驟；及輸出在該校正步驟中所校正後之狀態值的輸出步驟，該校正函數係表示變更過該設定值之情況時的該設定值的改變量與自該設定值的改變量所預測之狀態值的改變量即該校正量之間的關係之函數，該設定值接收步驟接收多個設定值，該狀態值接收步驟接收分別對應該多個設定值的多個狀態值，該校正量計算步驟使用該校正函數，計算在該設定值接收步驟所接收之該多個設定值的各個變更為預定之值即指定值之情況時的對於該多個狀態值的各個之校正量，該校正量係對應於與相對於該指定值之該多個設定值的各個相關之改變量，該校正步驟以該校正量計算步驟所計算出的多個校正 量，校正分別對應於該多個校正量的該多個狀態值，該輸出步驟輸出該校正步驟所校正後之多個狀態值。
  25. 一種儲存媒體，其儲存程式，該程式係用於使電腦執行半導體製造裝置之與處理(treatment)期間之狀態相關之值即狀態值之處理(processing)，該半導體製造裝置係根據設定處理條件的值即設定值，對含有半導體之處理目標執行處理，該程式使電腦執行以下步驟：接收該設定值之設定值接收步驟；接收該狀態值之狀態值接收步驟；使用校正函數計算校正量之校正量計算步驟，該校正函數為表示該設定值與該狀態值之該校正量之間的關係之函數；使用在該校正量計算步驟中所計算出之校正量來校正在該狀態值接收步驟中所接收之狀態值的校正步驟；及輸出在該校正步驟中所校正後之狀態值的輸出步驟，該校正函數係表示變更過該設定值之情況的該設定值的改變量與自該設定值的改變量所預測之狀態值的改變量即該校正量之間的關係之函數，該設定值接收步驟接收作為該設定值之第一設定值及第二設定值，該狀態值接收步驟接收分別對應於該第一設定值及第 二設定值之第一狀態值及第二狀態值，該校正量計算步驟使用該校正函數，計算在該設定值接收步驟所接收之第二設定值變更為第一設定值之情況時之與該第二設定值之改變量對應的該第二狀態值之校正量，該校正步驟藉由該校正量來校正該第二狀態值，該輸出步驟輸出由該校正步驟校正過之第二狀態值、及該第一狀態值。
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