KR20070038573A - 인듐-주석 혼합 산화물 분말 - Google Patents

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Abstract

1차 입자 응집체로 이루어지고, In2O3로 계산시, 50 내지 90 중량% 산화 인듐 및 SnO2로 계산시, 10 내지 50 중량% 산화 주석을 함유하는, 인듐-주석 혼합 산화물 분말에 관한 것이다. 이는 무기 인듐 화합물 및 유기 주석 화합물의 용액을 분무시키는 단계 및 이를 화염에서 태우는 단계를 통해 제조된다. 이는 전기 전도성 페인트 및 코팅제, 태양 전지 및 IR 및 UV 흡수제의 제조에 및 의학 기술에 사용될 수 있다.
인듐-주석 혼합 산화물 분말

Description

인듐-주석 혼합 산화물 분말 {INDIUM-TIN MIXED OXIDE POWDER}
본 발명은 인듐-주석 혼합 산화물 분말 및 이의 제조 및 이의 용도에 관한 것이다.
인듐-주석 혼합 산화물의 중요성은 이의 우수한 전기 전도도 및 동시에 고투광도에 있다. 이는 주로 예를 들어, 접촉 스크린 또는 전자기파 차폐에 대한 코팅제의 제조에 사용된다.
인듐-주석 혼합 산화물 분말은 일반적으로 가스상 침착 방법으로 수득한다. 이러한 방법에서, 분말을 기판 상에 박층으로 침착시킨다. 이 방법은 비용이 많이 들고 상대적으로 넓은 면적을 코팅하는데에는 부적합하다.
인듐-주석 혼합 산화물 분말은 또한 알칼리성 물질의 존재하에 수용성인 인듐 염과 주석 염의 반응을 통해 수용액으로부터 수득될 수 있다. 우선 수산화물이 형성되고 그 후 다음 단계에서 이를 소성시킬 수 있다. 예를 들어, DE-A-100 22 037은 200 내지 400℃의 온도에서 15 내지 120 분의 체류 시간 동안 환원 조건하의 이러한 수산화물의 소성을 기술한다. 이러한 방법으로 제조된 인듐-주석 혼합 산화물 분말은 흑갈색을 띈다. 이러한 분말은 IR-흡수 조성물의 제조에 적합할 수 있다. 하지만, 이의 저항이 너무 높아서 전기 전도성 페인트 및 코팅제에는 사용 할 수 없다. 착색된 갈색 또한 인듐-주석 혼합 산화물 분말을 많은 분야에 적용하기에는 바람직하지 않다.
WO 00/14017은 우선 인듐-주석 산화물 전구체를 단리시키고, 그 후 소성시키며, 이어서 표면-개질 성분의 존재하에 분산시키는, 액체 매질에서 인듐-주석 산화물 분말을 제조하는 방법을 개시한다. 대부분의 미응집된 분말이 액체 성분의 분리 후에 남아있다.
몇몇 열분해 방법 또한 선행 문헌으로부터 공지되어 있다. JP 05-024836은 염화 인듐 및 염화 주석 증기를 400℃ 이하의 온도로 빠르게 냉각시켜, 수득된 입자를 500℃ 이상의 온도에서 수증기 및(또는) 산소로 처리하는 방법을 개시한다.
EP-A-1277703은 총 3.0 mol/l 이상의 질산 인듐 및 염화 주석을 함유하는 용액을 분무 열분해 시켜 인듐-주석 혼합 산화물 분말을 제조하는 방법을 개시한다. 열분해는 화염에서 또는 외부 가열을 사용해서 수행될 수 있다. 생성된 분말은 작은 BET 비표면적 및 ㎛ 범위의 큰 평균 입도를 가진다.
EP-A-1142830은 유기금속 전구체의 열분해를 통한 나노-스케일 산화물의 제조를 개시한다. 이러한 조건 하의 산화 인듐 전구체와 산화 주석 전구체의 반응 또한 청구한다. 실험은 우수한 전기 전도도를 갖는 인듐-주석 혼합 산화물 분말이 EP-A-1142830에 개시된 방법으로는 수득될 수 없음을 나타낸다.
EP-A-1270511은 인듐 염과 주석 염의 열분해를 통해 수득되는 인듐-주석 혼합 산화물 분말 및 도핑된 인듐-주석 혼합 산화물 분말을 개시한다. 이러한 방법으로 제조된 분말의 X-선 구조 분석은 입방체 산화 인듐 및 정방정계 산화 주석을 보인다. 이러한 분말의 전도도는 너무 낮아서 전기 전도성 페인트 및 코팅제의 분야에 많은 적용을 할 수 없다.
2003년 3월 14일에 출원된 미공개된 독일 특허 출원 제10311645.1-41호는 90 중량% 이상의 산화 인듐 함량 및 40 내지 120 m2/g의 BET 비표면적을 갖는 인듐-주석 혼합 산화물 분말을 기술한다. 이는 500 nm 미만의 평균 원주를 갖는 응집체의 형태로 존재하며 X-선 회절 분석시 하나의 입방체 산화 인듐 상만을 나타낸다. 또다른 특성은 분말이 In2O3 및 SnO3로 이론적으로 계산한 함량보다 적은 산소 함량을 가진다는 것이다.
이것은 인듐 화합물 및 주석 화합물을 함유하는 용액을 분무시키는 단계, 이것을 제1 영역에서 열분해시키는 단계 및 반응기의 제2 영역에서 일정량의 환원 가스를 1 이상의 지점의 열분해 혼합물에 첨가하는 단계를 통해 제조된다. 환원 대기가 여전히 존재하는 또다른 제3 영역에서 수득된 고체를 배기 가스로부터 분리시킨다.
이 방법으로 제조된 분말은 우수한 전기 전도도 및 투광도를 가진다. 유일한 단점은, 다른 선행 문헌에서처럼, 높은 전도성을 달성하기 위해서는 일반적으로 90% 초과의 고비율의 산화 인듐을 요구한다는 것이다. 인듐 성분은 혼합 산화물에 있어 매우 고가이므로, 유사하게 우수한 전도도 값을 나타내며 동시에 더욱 유리하게 제조될 수 있는 분말이 바람직할 것이다.
따라서 본 발명의 목적은 높은 전기 전도도를 가지는 나노-스케일 인듐-주석 혼합 산화물 분말을 제공하는 것인데, 이는 선행 문헌에 비해 감소된 인듐 함량을 가진다.
본 발명의 또다른 목적은 인듐-주석 혼합 산화물 분말의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 1차 입자 응집체로 이루어지며 In2O3으로 계산시, 50 내지 90 중량% 산화 인듐 및, SnO2로 계산시, 10 내지 50 중량% 산화 주석을 함유하는 인듐-주석 혼합 산화물 분말에 관한 것이다.
바람직한 형태에서, 인듐-주석 혼합 산화물 분말은 In2O3로 계산시, 60 내지 85 중량% 산화 인듐 및, SnO2로 계산시, 15 내지 40 중량% 산화 주석을 함유할 수 있다.
산화 인듐 및 산화 주석의 비율은 100 중량%로 표준화된다. 하지만, 인듐-주석 혼합 산화물 분말은 또한 사용되는 물질로부터의 불순물 또는 공정 동안 형성된 불순물을 가질 수 있다. 이들 불순물은 각각의 경우에 분말의 총량을 기준으로, 총 1 중량% 미만, 및 일반적으로 0.5 중량% 미만이다.
따라서 본 발명의 분말은 0.3 중량% 미만의 탄소를 함유할 수 있다. 탄소 함량은 보통, 각각의 경우에 분말의 총량을 기준으로 0.2 중량% 미만이다.
의도적인 분말의 도핑은 근본적으로 오염과는 다르다. 본 발명의 인듐-주석 혼합 산화물 분말은 도핑 성분으로서 1 이상의 금속 및(또는) 금속 산화물을, 분말의 총량을 기준으로, 3 중량% 미만, 특히 바람직하게는 0.01 내지 1 중량% 함유할 수 있다. 적합한 도핑 성분은 알루미늄, 안티몬, 카드뮴, 칼슘, 세륨, 철, 금, 이리듐, 칼륨, 코발트, 구리, 마그네슘, 나트륨, 니켈, 망간, 팔라듐, 플라티늄, 오스뮴, 로듐, 루테늄, 탄탈륨, 티타늄, 은, 규소, 바나듐, 이트륨, 텅스텐, 아연 및 지르코늄으로 이루어지는 군으로부터의 금속 원소 및(또는) 산화물을 포함한다. 칼륨 (산화물), 백금 또는 금이 도핑 성분으로 특히 바람직할 수 있다.
본 발명의 인듐-주석 혼합 산화물 분말은 1차 입자 응집체의 형태로 있다. 응집체의 치수는 사용되는 물질 및 반응 조건에 따른다. 1500 내지 4500 nm2의 평균 응집체 면적, 30 내지 70 nm의 평균 등가 직경 (ECD) 및 200 내지 600 nm의 평균 응집체 직경을 갖는 분말이 바람직할 수 있다. 2500 내지 4000 nm2의 평균 응집체 면적, 40 내지 60 nm의 평균 직경 (ECD) 및 300 내지 500 nm의 평균 응집체 원주를 갖는 본 발명의 인듐-주석 혼합 산화물 분말이 특히 바람직할 수 있다.
30 내지 70 nm의 평균 최소 직경 및 60 내지 120 nm의 평균 최대 직경을 갖는 인듐-주석 혼합 산화물 분말 또한 바람직할 수 있다.
본 발명의 인듐-주석 혼합 산화물 분말의 BET 비표면적에는 제한이 없다. 이것은 바람직하게는, 30 내지 70 m2/g, 특히 바람직하게는 40 내지 60 m2/g의 범위일 수 있다.
본 발명의 인듐-주석 혼합 산화물 분말은 바람직하게는 X-선 회절 분석에서 하나의 산화 인듐 상만을 가진다. In2O3 표준물 (ICDD No. 6-416)에 대해 약간 오프셋 (offset)된 산화 인듐 신호가 일반적으로 검출된다 (도 1 참조; 36 중량% 산화 주석을 갖는 예; X = In2O3 표준물). 반면, 매우 높은 산화 주석 함량인 경우라도, 산화 주석 상은 존재하지 않는다. 이의 이유는 아직까지 밝혀내지 못했다.
본 발명은 또한
- 산화 인듐 전구체로서, 어떠한 염소 원자도 함유하지 않으며, 물 및 C1 내지 C6 알콜, C1 내지 C6 디올 및(또는) C1 내지 C6 글리콜모노알킬에테르로 이루어지는 군으로부터 선택되는 용매의 혼합물에 용해되고, 용액의 pH는 산을 사용하여 3 ≥ pH ≥ 1의 값으로 임의적으로 조절되는, 무기 인듐 화합물, 및
- 산화 주석 전구체로서, C1 내지 C6 알콜, C1 내지 C6 디올, C1 내지 C6 글리콜모노알킬에테르 및(또는) C1 내지 C8 카르복실산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 이상의 용매에 용해되는, 유기 주석 화합물
- 을 합하여, 합한 용액 중의 각각의 전구체 함량은 In2O3 및 SnO2를 기준으로 20 중량% 이하의 인듐 및 주석이고, 전구체 함량은 이후의 혼합 산화물 성분의 원하는 비율에 상응하는, 전구체 용액을 형성하는 단계,
- 전구체 용액을 노즐을 사용하여 분무 가스, 바람직하게는 공기 또는 비활성 담체 가스로 분무시키는 단계, 및
- 이를 연료 가스 및 공기 (1차 공기)와 혼합시키는 단계,
- 연료 가스, 공기 (1차 공기) 및 분무된 전구체 용액의 혼합물을 반응 파이프에 두어 화염에서 태우는 단계,
- 고온 가스 및 고체 생성물을 냉각시키고, 이어서 고체 생성물을 가스로부터 분리시키는 단계
이고, 여기서
- 분무 가스, 공기 (1차 공기) 및 연료 가스로 이루어지는 가스의 총량 중 전구체 용액의 비율은 10 내지 100 g 용액/Nm3 가스이고,
- 연료 가스의 연소에 요구되는 산소에 대한 사용되는 공기에 존재하는 산소의 비로 정의되는 람다는 2 내지 4.5이고,
- 전구체는 화염에서 5 내지 30 밀리초의 체류 시간 동안 존재하고, 및
- 화염에서 0.5 m 이하의 반응 혼합물의 온도는 700 내지 800℃인
인듐-주석 혼합 산화물 분말의 제조 방법에 관한 것이다.
1차 공기 이외에 2차 공기 또는 불활성 가스가 또한 반응 파이프에 공급되는 것이 바람직할 수 있다. 반응 영역의 온도 및 이에 따른 분말 성질은 이에 따라 다양할 수 있다. 2차 공기 또는 불활성 가스의 양은 1차 공기의 양의 50% 내지 150%인 것이 바람직하다.
적합한 연료 가스는 수소, 메탄, 에탄, 프로판 및(또는) 천연 가스를 포함하며, 수소가 특히 바람직하다.
산화 인듐 전구체로서 질산 인듐을 사용하는 것이 특히 바람직하다.
주석(II)카르복실레이트, 예컨대 비스-(2-에틸-헥사노에이트) 주석, 비스-(2-이소옥타노에이트) 주석, 디부틸주석 디라우레이트, 디옥틸주석 디라우레이트, 모노부틸주석 트리스-2-에틸헥사노에이트, 디부틸주석 디데카노에이트, 디부틸주석 디이소옥토에이트, 디부틸주석 디아세테이트, 디부틸주석 말레에이트를 유기 주석 화합물로 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 비스-(2-에틸-헥사노에이트) 주석을 사용하는 것이 특히 바람직하다.
C1 내지 C6 알콜, C1 내지 C6 디올, C1 내지 C6 글리콜모노알킬에테르 및 C1 내지 C8 카르복실산의 선택은 주로 사용되는 산화 인듐 및 산화 주석 전구체 및 이의 농도에 따른다. 산화 인듐 전구체 용액이 산화 주석 전구체와 합해진 경우, 적어도 분무 시간 내에는 용액에 어떠한 혼탁이나 또는 침전이 형성되지 않도록 하는 방식으로 양을 선택하는 것이 필수적인데, 만약 그렇지 않다면 본 발명의 분말이 수득될 수 없기 때문이다.
화염 온도와 같은 화염 파라미터 또한 반응하여 반응 중 이산화탄소 및 물을 형성하는 유기 용매 또는 용매 혼합물의 선택에 의해 영향을 받을 수 있다. BET 비표면적 또는 응집체 크기와 같은 물질 파라미터는 이에 따라 다양할 수 있다.
분무 전에 전구체 용액을 합하는 방식으로 방법을 수행하는 것이 또한 필수적이다. 전구체 용액의 별도의 분무는 본 발명의 인듐-주석 혼합 산화물 분말로 이어지지 않는다.
메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소-프로판올, n-부탄올, 에틸렌글리콜 및 이소프로필글리콜이 특히 적합한 용매로 입증되었다.
C1 내지 C4 카르복실산을 pH를 조절하는 산으로 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 아세트산 및 락트산이 특히 바람직하다.
산화 주석 전구체 용액은 바람직하게는 2-에틸헥산산, 이소옥탄산 또는 헥산산을 함유할 수 있다.
본 발명은 또한 전기 전도성 페인트 및 코팅제, 태양 전지 및 IR 및 UV 흡수제의 제조에 있어서 및 의학 기술에 있어서의 본 발명의 인듐-주석 혼합 산화물 분말의 용도에 관한 것이다.
BET 비표면적을 DIN 66131로 결정하였다.
평균 응집체 원주, 등가 원 직경 (ECD), 평균 응집체 면적 및 평균 1차 입경을 TEM 사진을 평가하여 결정하였다. TEM 사진은 히타치 TEM 기록기 (Hitachi TEM recorder), H-75000-2 타입을 사용하여 얻었고, TEM 기록기의 CCD 카메라를 사용하고 이어서 화상 분석을 통해 TEM 사진을 평가하였다.
분말의 저항도는 상온 및 40% 상대 습도에서 압축 밀도의 함수로 측정하였다. 이러한 목적을 위해, 시료를 두개의 이동 전극 (moving electrode) 사이에 두고 직류를 가한 후 전류 흐름을 결정하였다. 이때 분말의 밀도는 전극 간격이 감소함에 따라 점진적으로 증가하였고, 저항도를 다시 측정하였다. DIN IEC 93에 따라 측정이 행해졌다. 최소 저항도는 물질에 의존하는 최대 압축 밀도로 수득하였 다.
분말의 산소 함량은 로스 마운트사 (Rose Mount)에서 제조된 원소 결정기 NOA5003를 사용하여 결정하였다.
실시예 1
용액 1: 35 중량부 메탄올, 35 중량부 물 및 17 중량부 아세트산 중 13 중량부 질산 인듐 (In2O3으로 계산함)의 용액을 먼저 제조하였다. 용액의 pH는 2.1이였다.
용액 2: 2-에틸헥산산 중 (에틸헥사노에이트)2Sn (29 중량% Sn에 해당함). 용액을 Sn을 기준으로 16.6 중량부로 메탄올로 희석시켰다.
용액 1 및 2를 혼합시켜 88 중량% 산화 인듐 및 12 중량% 산화 주석을 함유하는 인듐-주석 혼합 산화물 분말을 수득하였다. 용액을 합하여 5 Nm3/h 질소를 사용하는 노즐 (직경 0.8 mm)를 통해 분무시키고 1400 g/h의 전달 속도로 반응 파이프로 옮겼다. 4 Nm3/h 수소 및 15 Nm3/h 1차 공기를 포함하는 폭발 가스 화염을 여기서 태웠다. 15 Nm3/h 2차 공기를 추가로 반응 파이프에 공급하였다. 화염에서 0.5 m 아래의 온도는 765℃였다. 그 후 반응 혼합물을 냉각부를 통해 옮겼다. 이어서 수득한 분말을 공지된 방법으로 가스 스트림으로부터 분리하였다.
본 발명의 실시예 2 내지 7을 실시예 1과 유사한 방법으로 수행하였다. 상응하는 양의 공급원료 및 반응 조건은 표 1을 따랐다.
산화 주석 전구체로서, 실시예 2 내지 4에서는 (에틸헥사노에이트)Sn을, 실시예 5에서는 디부틸-Sn-라우레이트를, 및 실시예 6 및 7에서는 (이소옥타노에이트)2Sn을 사용하였다. 실시예 1, 2 및 5 내지 7에서 질산 인듐을 물, 메탄올 및 아세트산의 혼합물에 용해시켰다. 실시예 3에서는 질산 인듐을 물, 락트산 및 n-부탄올의 혼합물에 용해시켰다. 전구체 용액의 처리량은 1400 내지 1520 g/h였다.
모든 실시예에서 분무 가스는 질소였고, 양은 본 발명의 실시예에서 5 Nm3/h였다. 1차 공기 및 2차 공기의 양은 본 발명의 모든 실시예에서 15 Nm3/h였다. m3 가스 당 전구체 용액의 처리량은 본 발명의 실시예에서 51.6 내지 57.0 g/Nm3 가스 (분무 가스 + 1차 공기 + 수소) 또는 33.2 내지 36.5 g/Nm3 가스 (분무 가스 + 1차 공기 + 2차 공기 + 수소)였다.
화염에서 50 cm 아래의 반응기 온도는 본 발명의 실시예에서 720℃ 내지 793 ℃였다.
본 발명의 실시예의 람다 값은 3.15 내지 3.82였다.
본 발명의 실시예의 체류 시간은 25 내지 27 밀리초였다.
실시예 8 내지 12는 비교 실시예이다.
무기 전구체, 즉 물에 용해된 질산 인듐 및 염화 주석을 실시예 8에서 사용하였다.
전구체의 용액인, 물 중 질산 인듐 및 메탄올 중 (에틸헥사노에이트)2Sn을 실시예 9에서는 따로따로 화염으로 옮겼다.
실시예 10 및 11에서 람다값은 청구된 범위를 벗어났다.
실시예 12에서 체류 시간은 청구된 범위를 벗어났다.
표 2는 수득된 분말의 물리화학 값을 나타낸다.
실시예 1 내지 7로부터 본 발명의 분말은 증가하는 저항도 값을 보였다. 하지만, 높은 산화 주석 함량에도, 값들은 여전히 낮았다. 예를 들어, 28 중량%의 산화 주석 함량에서 0.6 g/cm3의 압착 밀도를 갖는 실시예 5의 분말의 저항도는 6 중량%의 산화 주석 함량을 갖는 실시예 8의 분말과 유사하였다.
비교 실시예 9는 두개의 전구체를 화염으로 함께 옮기는 것이 필수적임을 보여준다. 본 실시예에서는 3원 노즐 (ternary nozzle)을 사용하였다. 그 결과 분말은 허용될 수 없는 전도도를 가졌다.
비교 실시예 10의 4.32의 람다값은 청구된 범위를 벗어난 것이였다. 수득된 분말은 높은 BET 비표면적을 가졌으나, 저항도는 여기서도 역시 허용될 수 없었다.
비교 실시예 11의 1.95 람다값 또한 청구된 범위를 벗어난 것이였다. 수득된 분말이 우수한 전도도를 가졌지만, 22 m2/g의 BET 비표면적은 많은 분야에 적용하기에는 너무 낮은 것이였다.
비교 실시예 12의 50 ms의 반응 혼합물의 체류 시간은 청구된 범위를 벗어난 것이였다. 수득된 분말의 저항도는 허용될 수 없었다.
본 발명의 실시예 3, 5, 6 및 7의 분말의 화상 분석 값을 표 3에서 보여준 다.
Figure 112007017019515-PCT00001
Figure 112007017019515-PCT00002
Figure 112007017019515-PCT00003

Claims (10)

1차 입자 응집체로 이루어지고, In2O3로 계산시, 50 내지 90 중량% 산화 인듐 및 SnO2로 계산시, 10 내지 50 중량% 산화 주석을 함유하는 것을 특징으로 하는, 인듐-주석 혼합 산화물 분말.
제1항에 있어서, In2O3로 계산시, 60 내지 85 중량% 산화 인듐 및 SnO2로 계산시, 15 내지 40 중량% 산화 주석을 함유하는 것을 특징으로 하는, 인듐-주석 혼합 산화물 분말.
제1항 또는 제2항에 있어서, 0.3 중량% 미만의 탄소를 함유하는 것을 특징으로 하는, 인듐-주석 혼합 산화물 분말.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 도핑 성분으로서 분말의 총량을 기준으로 3 중량% 미만의 1 이상의 금속 및 (또는) 금속 산화물을 함유하는 것을 특징으로 하는, 인듐-주석 혼합 산화물 분말.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1500 내지 4500 nm2의 평균 응집체 면적, 30 내지 70 nm의 평균 등가 직경 (ECD) 및 200 내지 600 nm의 평균 응집 체 직경을 가지는 것을 특징으로 하는, 인듐-주석 혼합 산화물 분말.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 30 내지 70 nm의 평균 최소 직경 및 60 내지 120 nm의 평균 최대 직경을 가지는 것을 특징으로 하는, 인듐-주석 혼합 산화물 분말.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 30 내지 70 m2/g의 BET 비표면적을 가지는 것을 특징으로 하는, 인듐-주석 혼합 산화물 분말.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, X-선 분석시 하나의 산화 인듐 상만을 나타내는 것을 특징으로 하는, 인듐-주석 혼합 산화물 분말.
- 산화 인듐 전구체로서, 어떠한 염소 원자도 함유하지 않으며, 물 및 C1 내지 C6 알콜, C1 내지 C6 디올 및(또는) C1 내지 C6 글리콜모노알킬에테르로 이루어지는 군으로부터 선택되는 용매의 혼합물에 용해되고, 용액의 pH는 산을 사용하여 3 ≥ pH ≥ 1의 값으로 임의적으로 조절되는, 무기 인듐 화합물, 및
- 산화 주석 전구체로서, C1 내지 C6 알콜, C1 내지 C6 디올, C1 내지 C6 글리콜모노알킬에테르 및(또는) C1 내지 C8 카르복실산으로 이루어지는 군으 로부터 선택되는 1 이상의 용매에 용해되는, 유기 주석 화합물
- 을 합하여, 합한 용액 중의 각각의 전구체 함량은 In2O3 및 SnO2를 기준으로 20 중량% 이하의 인듐 및 주석이고, 전구체 함량은 이후의 혼합 산화물 성분의 원하는 비율에 상응하는, 전구체 용액을 형성하는 단계,
- 전구체 용액을 노즐을 사용하여 분무 가스, 바람직하게는 공기 또는 비활성 담체 가스로 분무시키는 단계, 및
- 이를 연료 가스 및 공기 (1차 공기)와 혼합시키는 단계,
- 연료 가스, 공기 (1차 공기) 및 분무된 전구체 용액의 혼합물을 반응 파이프에 두어 화염에서 태우는 단계,
- 고온 가스 및 고체 생성물을 냉각시키고, 이어서 고체 생성물을 가스로부터 분리시키는 단계
인 것을 특징으로 하고, 여기서
- 분무 가스, 공기 (1차 공기) 및 연료 가스로 이루어지는 가스의 총량 중 전구체 용액의 비율은 10 내지 100 g 용액/Nm3 가스이고,
- 연료 가스의 연소에 요구되는 산소에 대한 사용되는 공기에 존재하는 산소의 비로 정의되는 람다는 2 내지 4.5이고,
- 전구체는 화염에서 5 내지 30 밀리초의 체류 시간 동안 존재하고, 및
- 화염에서 0.5 m 아래의 반응 혼합물의 온도는 700 내지 800℃인
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 인듐-주석 혼합 산화물 분말의 제조 방 법.
전기 전도성 페인트 및 코팅제, 태양 전지 및 IR 및 UV 흡수제의 제조에 있어서 및 의학 기술에 있어서의 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 인듐-주석 혼합 산화물 분말의 용도.
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