KR101488116B1 - 인듐주석 산화물 분말, 그 제조 방법, 및 투명 도전성 조성물 - Google Patents

인듐주석 산화물 분말, 그 제조 방법, 및 투명 도전성 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR101488116B1
KR101488116B1 KR1020137000177A KR20137000177A KR101488116B1 KR 101488116 B1 KR101488116 B1 KR 101488116B1 KR 1020137000177 A KR1020137000177 A KR 1020137000177A KR 20137000177 A KR20137000177 A KR 20137000177A KR 101488116 B1 KR101488116 B1 KR 101488116B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
indium tin
tin hydroxide
powder
ito powder
hydroxide
Prior art date
Application number
KR1020137000177A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130041067A (ko
Inventor
신야 시라이시
메구미 나루미
Original Assignee
미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
미쓰비시마테리알덴시카세이가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2010171191A external-priority patent/JP5829386B2/ja
Application filed by 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤, 미쓰비시마테리알덴시카세이가부시키가이샤 filed Critical 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
Publication of KR20130041067A publication Critical patent/KR20130041067A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101488116B1 publication Critical patent/KR101488116B1/ko

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00Making metallic powder or suspensions thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G19/00Compounds of tin
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/006Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with materials of composite character
    • C03C17/008Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with materials of composite character comprising a mixture of materials covered by two or more of the groups C03C17/02, C03C17/06, C03C17/22 and C03C17/28
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09CTREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK  ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
    • C09C1/00Treatment of specific inorganic materials other than fibrous fillers; Preparation of carbon black
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/01Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/04Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/12Surface area
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/60Optical properties, e.g. expressed in CIELAB-values
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/60Optical properties, e.g. expressed in CIELAB-values
    • C01P2006/62L* (lightness axis)
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/60Optical properties, e.g. expressed in CIELAB-values
    • C01P2006/63Optical properties, e.g. expressed in CIELAB-values a* (red-green axis)
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/60Optical properties, e.g. expressed in CIELAB-values
    • C01P2006/64Optical properties, e.g. expressed in CIELAB-values b* (yellow-blue axis)
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/40Coatings comprising at least one inhomogeneous layer
    • C03C2217/43Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase
    • C03C2217/44Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the composition of the continuous phase
    • C03C2217/445Organic continuous phases
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/40Coatings comprising at least one inhomogeneous layer
    • C03C2217/43Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase
    • C03C2217/46Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the dispersed phase
    • C03C2217/47Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the dispersed phase consisting of a specific material
    • C03C2217/475Inorganic materials
    • C03C2217/476Tin oxide or doped tin oxide

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

이 인듐주석 산화물 분말의 일 양태는, 비표면적이 55 ㎡/g 이상이고, 황금색 내지 주황색의 색조를 갖거나, 또는 X 선 회절 차트의 (222) 면의 피크의 반값폭이 0.6°이하이다. 인듐주석 산화물 분말의 다른 양태는, 표면 개질되어, 비표면적이 40 ㎡/g 이상이고, X 선 회절 차트의 (222) 면의 피크의 반값폭이 0.6°이하이고, 또한 농청색의 색조 (Lab 표색계에 있어서 L=30 이하) 를 갖는다. 이 인듐주석 산화물 분말의 제조 방법은, 2 가의 주석 화합물을 사용하고, pH 가 4.0 ∼ 9.3 이고, 액온이 5 ℃ 이상인 조건으로, 건조 분말 상태에서는 황금색 내지 주황색의 색조를 갖는 인듐주석 수산화물을 공침시키는 공정과, 상기 인듐주석 수산화물을 건조, 소성하는 공정을 갖는다.

Description

인듐주석 산화물 분말, 그 제조 방법, 투명 도전성 조성물, 및 인듐주석 수산화물 {INDIUM TIN OXIDE POWDER, PRODUCTION METHOD THEREFOR, TRANSPARENT CONDUCTIVE COMPOSITION, AND INDIUM TIN HYDROXIDE}
본 발명은, 인듐주석 산화물 (ITO) 분말과, 그 제조 방법과, 상기 ITO 분말을 함유하는 투명 도전성 조성물과, 인듐주석 수산화물에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은, 결정성이 높고 미세한 ITO 분말과, 그 제조 방법과, 상기 ITO 분말을 함유하여 투명성이 우수한 도전성 조성물과, 상기 제조 방법의 과정에서 얻어지는 인듐주석 수산화물에 관한 것이다.
본원은, 2010년 7월 29일에, 일본에 출원된 일본 특허출원 2010-171191호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
인듐주석 산화물은 투명 도전성 재료로서 알려져 있다. 예를 들어, 특허문헌 1 에는, Sn/In 비 : 0.005 ∼ 0.3, 비표면적 (BET 값) : 10 ㎡/g 이상, 비저항 : 70 Ω㎝ 이하, Cl 함유량 : 0.1 % 이하, Na 및 K 의 함유량 : 10 ppm 이하, 및 유리 (遊離) 된 In 및 Sn 의 함유량 : 10 ppm 이하인 ITO 분말이 기재되어 있다. 또, 특허문헌 2 에는, 비표면적이 4 ∼ 20 ㎡/g 이고, 분말의 색조가 Lab 표색계에 있어서 L=82 ∼ 91 인 ITO 분말이 기재되어 있다.
ITO 분말은, 도전성 피막이나 열선 차폐층 등을 형성하는 재료로서 사용된다. 예를 들어, ITO 분말을 수지에 분산시켜 도료를 제조한다. 이 도료를 기판에 도포함으로써, 도전성 피막이 형성된다. 혹은, 상기 도료를 수지에 분산시켜 필름을 제조하고, 이 필름을 기판 상에 첩합 (貼合) 함으로써, 도전막이 형성된다. 또는 합판 유리에 상기 필름을 개재함으로써, 도전층이나 열선 차폐층이 형성된다. 이들 도전성 피막 등을 형성하는 경우, 피막의 투명성을 높이기 위해서는, ITO 분말이, 가능한 한 미세한 것이 바람직하다.
특허문헌 1, 2 에 기재되어 있는 ITO 분말의 비표면적은, 겨우 약 20 ㎡/g 이고, 그렇게 크지 않다. 그래서, 투명성을 높이기 위해서 비표면적을 크게 한 ITO 분말이 알려져 있다. 예를 들어, 특허문헌 3 에는, 비표면적이 50 ㎡/g 이상인 ITO 분말이 기재되어 있다. 또, 특허문헌 4 에는, 비표면적이 55 ㎡/g 이상인 ITO 분말이 기재되어 있다.
한편, ITO 분말은, 1 차 입자경이 작아지면, 결정성이 저하되어 도전성이 불량해지는 경향이 있다. 이 때문에, 투명성 및 도전성이 높은 피막을 형성하기 위해서는, 비표면적이 크며 미세하고, 또한 결정성이 높은 ITO 분말이 요구된다.
또한, 특허문헌 3 ∼ 4 에 기재되어 있는 ITO 분말은, 비표면적이 종래품보다 크고 미세하지만, 분말의 색조는 Lab 표색계에 있어서 약 L=52 ∼ 90 (하늘색 ∼ 옅은 하늘색) 이다. 이 분말의 색조에 의하면, 결정성은 그다지 높지 않다.
일본 특허 제3019551호 일본 공개특허공보 2005-322626호 일본 공개특허공보 2005-232399호 일본 공개특허공보 2003-215328호
본 발명은, 미세하고, 또한 결정성이 높고, 이것에 의해 투명성이 우수하고, 또한 높은 도전성을 갖는 도전성 피막 등을 형성할 수 있는 ITO 분말, 그 제조 방법, 상기 ITO 분말을 함유하는 투명 도전성 조성물, 및 인듐주석 수산화물을 제공한다.
본 발명의 인듐주석 산화물 분말의 제 1 양태는, 비표면적이 55 ㎡/g 이상이고, 또한 황금색 내지 주황색의 색조를 갖는다.
본 발명의 인듐주석 산화물 분말의 제 2 양태는, 비표면적이 55 ㎡/g 이상이고, 또한 X 선 회절 차트의 (222) 면의 피크의 반값폭이 0.6°이하이다.
본 발명의 인듐주석 산화물 분말의 제 3 양태는, 표면 개질되어, 비표면적이 40 ㎡/g 이상이고, X 선 회절 차트의 (222) 면의 피크의 반값폭이 0.6°이하이고, 또한 농청색의 색조 (Lab 표색계에 있어서 L=30 이하) 를 갖는다.
본 발명의 투명 도전성 조성물의 일 양태는, 본 발명의 인듐주석 산화물 분말의 제 1 ∼ 3 양태 중 어느 1 개를 함유한다.
본 발명의 투명 도전성 조성물의 일 양태에서는, 상기 투명 도전성 조성물을 사용하여, 상기 인듐주석 산화물 분말의 농도가 6 wt% 인 피막을 유리판 상에 제조했을 경우, 상기 피막의 표면 저항률이 20000 Ω/sq. 이하이고, 또한 전광선 투과율에서 상기 유리판의 투과율을 뺀 Δ투과율이 2 % 이하이고, 상기 투명 도전성 조성물을 사용하여, 상기 인듐주석 산화물 분말의 농도가 20 wt% 인 피막을 유리판 상에 제조했을 경우, 상기 피막의 표면 저항률이 6500 Ω/sq. 이하이고, 또한 전광선 투과율에서 상기 유리판의 투과율을 뺀 Δ투과율이 5 % 이하여도 된다.
본 발명의 인듐주석 산화물 분말의 제조 방법의 일 양태는, 2 가의 주석 화합물을 사용하고, pH 가 4.0 ∼ 9.3 이고, 액온이 5 ℃ 이상인 조건에 의해, 건조 분말 상태에서는 황금색 내지 주황색의 색조를 갖는 인듐주석 수산화물을 공침시키는 공정과, 상기 인듐주석 수산화물을 건조, 소성하는 공정을 갖는다.
본 발명의 인듐주석 산화물 분말의 제조 방법의 일 양태에서는, 상기 인듐주석 수산화물을 공침시키는 공정에 있어서, 3 염화인듐과 2 염화주석의 혼합 수용액과, 알칼리 수용액을 동시에 물에 적하하거나, 혹은, 알칼리 수용액에 상기 혼합 수용액을 적하함으로써, 상기 인듐주석 수산화물을 공침시켜도 된다.
상기 인듐주석 수산화물을 건조, 소성하는 공정에 있어서, 건조와 동시, 또는 건조 후에, 질소 가스만의 분위기하, 또는 수증기, 알코올, 및 암모니아에서 선택되는 어느 1 종을 함유하는 질소 가스의 분위기하에서, 상기 인듐주석 수산화물을 가열 소성하고, 이것에 의해, 표면 개질되어, 비표면적이 40 ㎡/g 이상이고, 또한 농청색의 색조를 갖는 인듐주석 산화물 분말을 제조해도 된다.
본 발명의 인듐주석 수산화물의 일 양태는, 3 염화인듐과 2 염화주석의 혼합 수용액과, 알칼리 수용액을 혼합하여 얻어진 공침전물로 이루어지고, 건조 분말 상태에서는 황금색 내지 주황색의 색조를 갖는다.
또한, 본 발명의 일 양태에 관련된 인듐주석 수산화물은, 세정된 상태여도 건조된 상태여도 상관없다.
본 발명의 ITO 분말의 제 1, 2 양태는, 비표면적이 55 ㎡/g 이상의 미세한 분말이고, 또한, 종래의 ITO 분말과는 상이하고, 건조 분말 상태에서는 황금색의 색조를 갖는다. 또 본 발명의 ITO 분말의 제 3 양태는, 비표면적이 40 ㎡/g 이상의 표면 개질된 분말이고, 또한 짙은 청색 (Lab 표색계에 있어서 L=30 이하) 의 색조를 갖는다. 예를 들어, X 선 회절 차트에 있어서의 (222) 면의 피크의 반값폭이 0.6°이하이고, 결정성이 높은 분말이다.
본 발명의 ITO 분말의 제 1 ∼ 3 양태는, 투명 도전성 조성물로서 사용할 수 있다. 본 발명의 ITO 분말의 제 1 ∼ 3 양태는 미세하기 때문에, 투명성이 우수한 피막을 형성할 수 있다. 또한, 상기 ITO 분말은 결정성이 높기 때문에, 도전성이 양호한 피막을 얻을 수 있다. 또한, 본 발명의 ITO 분말의 제 1 ∼ 3 양태는 열선 차폐 효과가 우수하기 때문에, 높은 투명성을 유지하면서 일사 투과율이 낮은 피막을 형성할 수 있다. 또, 피막의 백화 억제 효과도 우수하다.
도 1 은 표 1 의 No. 1 의 표면 개질된 ITO 분말의 X 선 회절 패턴이다.
도 2 는 도 1 의 부분 확대도이다.
도 3 은 표 1 의 No. 1 의 공침 인듐주석 수산화물의 X 선 회절 패턴이다.
도 4 는 표 1 의 No. 9 의 표면 개질된 ITO 분말의 X 선 회절 패턴이다.
도 5 는 도 4 의 부분 확대도이다.
도 6 은 표 1 의 No. 9 의 공침 인듐주석 수산화물의 X 선 회절 패턴이다.
도 7 은 표 1 의 No. 1 의 공침 인듐주석 수산화물의 TEM 사진이다.
도 8 은 표 1 의 No. 9 의 공침 인듐주석 수산화물의 TEM 사진이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 구체적으로 설명한다.
[ITO 분말]
본 실시형태의 ITO 분말의 비표면적은 55 ㎡/g 이상이다. 이 ITO 분말은, 건조 분말 상태에서는 황금색 (bright yellow) 의 색조를 갖거나, 또는, X 선 회절 차트에 있어서의 (222) 면의 피크의 반값폭이 0.6°이하이다.
또, 본 실시형태의 표면 개질된 ITO 분말의 비표면적은 40 ㎡/g 이상이다. 이 표면 개질된 ITO 분말은, 건조 분말 상태에서는 농청색 (navy blue) 의 색조 (Lab 표색계에 있어서 L=30 이하) 를 갖고, 또한 X 선 회절 차트에 있어서의 (222) 면의 피크의 반값폭이 0.6°이하이다.
또한, 본 명세서에서는, 표면 개질된 ITO 분말을, 간단히 ITO 분말이라고 기재하는 경우가 있다.
[제조 방법]
본 실시형태의 인듐주석 산화물 분말의 제조 방법은, 공침에 의해 인듐주석 수산화물을 얻는 공정과, 상기 인듐주석 수산화물을 건조, 소성하는 공정을 갖는다. 상세하게는, 건조 분말 상태에서는 황금색 (bright yellow) 내지 주황색 (color of persi㎜on (reddish brown or orange-red)) 의 색조를 갖는 인듐주석 수산화물을 공침에 의해 제조한다. 이어서, 이 인듐주석 수산화물을 소성함으로써, 인듐주석 산화물 분말을 제조한다.
(인듐주석 수산화물을 공침시키는 공정)
인듐 이온과 주석 이온을 함유하는 혼합 수용액과, 알칼리 수용액을 혼합하고, 혼합물 (반응 수용액) 중의 인듐 이온과 주석 이온을 알칼리의 존재하에서 침전시킨다. 이것에 의해, 본 실시형태의 인듐과 주석의 공침 수산화물 (공침 인듐주석 수산화물) 이 생성된다.
인듐 이온과 주석 이온을 포함하는 혼합 용액은, SnCl2·2H2O 등의 2 가 주석 화합물을 사용하여 제조된다. 인듐 이온의 원료로는, 3 염화인듐 (InCl3) 을 사용할 수 있다.
반응 수용액의 pH 를 4.0 ∼ 9.3, 바람직하게는 pH 6.0 ∼ 8.0 으로 조정하고, 또한 액온을 5 ℃ 이상, 바람직하게는 10 ℃ ∼ 80 ℃ 로 조정한다. 이것에 의해, 건조 분말 상태에서는 황금색 내지 주황색의 색조를 갖는 공침 인듐주석 수산화물을 침전시킬 수 있다. 건조 분말 상태에서는 황금색 내지 주황색의 색조를 갖는 수산화물은, 종래의 백색 인듐주석 수산화물보다, 결정성이 우수하다.
주석 이온의 원료로서 SnCl4 등의 4 가의 주석 화합물을 사용하면, 백색의 침전물 (인듐주석 수산화물) 이 생성되고, 건조 분말 상태에서는 황금색 내지 주황색의 색조를 갖는 침전물이 얻어지지 않는다. 또, 반응 용액의 pH 가 4.0 보다 낮은 (산성측) 경우, 혹은 반응 용액의 pH 가 9.3 보다 높은 (알칼리측) 경우, 옅은 황색을 띤 백색 (yellowish white) 의 침전물 (인듐주석 수산화물) 이 생성되고, 건조 분말 상태에서는 황금색 내지 주황색의 색조를 갖는 침전물이 얻어지지 않는다. 4 가의 주석 화합물에 의한 백색 침전물이나 상기한 옅은 황색을 띤 백색 침전물은, 모두 황금색 내지 주황색의 색조를 갖는 침전물에 비해, 결정성이 낮다. 이들 침전물을 소성해도, 본 실시형태와 같은 결정성이 높은 ITO 분말을 얻을 수 없다. 또한, 특허문헌 1 의 제조 방법에서는, 4 염화주석을 사용하고 있으므로, 인듐주석 수산화물의 백색의 침전물이 발생되어 있고, 건조 분말 상태에서는 황금색 내지 주황색의 색조를 갖는 침전물은 얻어지지 않는다.
반응시, 반응액의 pH 를 4.0 ∼ 9.3 의 범위로 제어하기 위해서는, 예를 들어, 용기 내의 물에, 혼합 수용액과 알칼리 수용액을 동시에 적하하면 된다. 혹은, 알칼리 수용액에 상기 혼합 수용액을 적하하면 된다. 혼합 수용액으로는, 전술한 바와 같이 3 염화인듐 (InCl3) 과 2 염화주석 (SnCl2·2H2O) 의 혼합 수용액을 사용하면 된다. 또 알칼리 수용액으로는, 암모니아 (NH3) 수용액, 탄산수소암모늄 (NH4HCO3) 수용액 등을 사용하면 된다.
구체적으로는, 실시예 1 ∼ 3 (No. 1 ∼ 3) 에 나타내는 바와 같이, 2 염화주석을 사용하여 혼합 수용액을 제조하고, 반응 수용액의 pH 를 7 로 조정하고, 또한 액온을 10 ℃ ∼ 60 ℃ 로 조정하면, 건조 분말 상태에서는 황금색 내지 주황색의 색조를 갖는 침전물이 생긴다.
한편, 비교예 1 (No. 7) 에 나타내는 바와 같이 반응 수용액의 pH 가 3.0 (4.0 미만) 인 경우, 옅은 황색을 띤 백색의 침전물이 생긴다. 또 비교예 2 (No. 8) 에 나타내는 바와 같이 반응 수용액의 pH 가 9.5 (9.3 초과) 인 경우, 동일하게 옅은 황색을 띤 백색의 침전물이 생긴다.
따라서, 건조 분말 상태에서는 황금색 내지 주황색의 색조를 갖는 공침 인듐주석 수산화물을 생성시키기 위해서는, 반응 수용액의 pH 를 4.0 ∼ 9.3 의 범위로 조정할 필요가 있다. 또한, pH 가 중성에 가까울수록, 침전물은, 건조 분말 상태에서의 색조가 주황색이 되는 경향이 있다. 또한, 비교예 3 (No. 9) 에 나타내는 바와 같이 4 염화주석 (SnCl4) 을 사용하면, 백색 침전이 발생되어, 건조 분말 상태에서는 황금색 내지 주황색의 색조를 갖는 결정성이 높은 침전물은 생기지 않는다.
상기 공침 인듐주석 수산화물의 생성 후, 상기 공침전물 (공침 인듐주석 수산화물) 을 순수로 세정한다. 상청액의 저항률이 5000 Ω·㎝ 이상, 바람직하게는 50000 Ω·㎝ 이상이 될 때까지 세정하고, 이어서, 고액 분리하여 상기 공침전물을 회수한다. 상청액의 저항률이 5000 Ω·㎝ 보다 낮은 경우, 염소 등의 불순물이 충분히 제거되어 있지 않아, 고순도의 인듐주석 산화물 분말을 얻을 수 없다.
상기 인듐주석 수산화물은, 건조 분말 상태에서는 황금색 (bright yellow) 내지 주황색 (color of persi㎜on (reddish brown or orange-red)) 의 색조를 갖고 있고, Lab 표색계에 있어서 L=80 이하, a=-10 ∼ +10, b=+26 이상이다. 예를 들어, 실시예 1 ∼ 6 (No. 1 ∼ No. 6) 에서 얻어진 인듐주석 수산화물의 색조는, L=60.3 ∼ 75.1, a=-2.3 ∼ +4.2, b=+21.9 ∼ +32.2 이다. 또한, 비교예 1 ∼ 3 (No. 7 ∼ 9) 에서 얻어진 인듐주석 수산화물의 색조는 L=91 ∼ 100 이고, 백색계 침전물이다.
(인듐주석 수산화물을 건조, 소성하는 공정)
상기 인듐주석 수산화물을 건조, 소성하여 ITO 분말 (인듐주석 산화물 분말) 을 얻는다. 예를 들어, 대기 분위기 중에 있어서, 100 ∼ 200 ℃ 의 온도에서 2 ∼ 24 시간 가열함으로써 건조한다. 이어서 대기 분위기 중에 있어서, 250 ℃ 이상, 바람직하게는 400 ℃ ∼ 800 ℃ 의 온도에서, 1 ∼ 6 시간 가열하여 소성한다. 소성 온도가 250 ℃ 미만인 경우, 수산화물인 상태로, 산화물이 되지 않는다. 이 소성 처리에 의해 인듐주석 수산화물은 산화되고, 황금색 내지 주황색의 색조를 갖는 인듐주석 산화물 분말을 얻을 수 있다.
대기 분위기 중에서 소성 처리된 상기 ITO 분말은, 황금색 (bright yellow) 내지 주황색 (color of persi㎜on (reddish brown or orange-red)) 의 색조를 갖고 있다. 구체적으로는, Lab 표색계에 있어서, L=80 이하, a=-10 ∼ +10, b=+26 이상이다. 예를 들어, 실시예 1 ∼ 6 (No. 1 ∼ No. 6) 에서 얻어진 ITO 분말의 색조는, L=56.0 ∼ 67.1, a=-1.2 ∼ +2.1, b=+29.5 ∼ +31.5 이다.
한편, 백색계 인듐주석 수산화물을 대기 분위기 중에서 소성하여 얻어진 ITO 분말은, 녹갈색 (olive-green) 이고, 그 색조는, 비교예에 나타내는 바와 같이, Lab 표색계에 있어서 a 값이 -5 이하였다.
상기 ITO 분말은, 55 ㎡/g 이상의 BET 비표면적을 갖는 미세 분말이다. 상기 BET 비표면적은, 바람직하게는 60 ㎡/g 이상이다. 구체적으로는, 실시예 1 ∼ 6 의 ITO 분말의 BET 비표면적은 60 ㎡/g ∼ 85 ㎡/g 이다. 한편, 비교예 1 ∼ 3 의 ITO 분말의 BET 비표면적은 45 ㎡/g ∼ 48 ㎡/g 이다. 이 때문에, 실시예 1 ∼ 6 의 ITO 분말은, 비교예 1 ∼ 3 의 ITO 분말보다 현격히 비표면적이 큰 미세한 분말이다.
황금색 내지 주황색의 색조를 갖는 상기 ITO 분말은, 결정성이 높다. 예를 들어, 실시예 1 의 No. 1 의 ITO 분말은, 도 1 및 도 2 에 나타낸 바와 같이, X 선 회절 차트에 있어서의 (222) 면의 회절 피크의 상대 강도가 크고 (약 3000 cps), 그 반값폭은 0.6°보다 작다 (구체적으로는 0.47°).
한편, 비교예 3 의 No. 9 의 ITO 분말은, 백색 인듐주석 수산화물을 소성하여 제조되고, 녹갈색을 갖고 있다. 도 4 에 나타낸 바와 같이, X 선 회절 차트에 있어서의 (222) 면의 회절 피크의 상대 강도는 2500 cps 이하이고, 그 반값폭은 0.6°보다 크다 (구체적으로는 0.65°).
이와 같이 본 실시형태에 상당하는 ITO 분말은, 비교예의 ITO 분말보다 반값폭이 꽤 작고, 결정성이 높은 분말인 것을 알 수 있다.
상기 공침 인듐주석 수산화물 (공침 In-Sn 수산화물) 의 건조, 소성 처리에 있어서, 혹은 건조, 소성 처리 후에, 표면 개질 처리를 실시해도 된다. ITO 분말을 표면 개질 처리 (표면 처리) 함으로써, 도전성이 향상되고, 더욱 투명 도전성 효과를 높일 수 있다.
표면 개질 처리는, 이하의 (1) ∼ (3) 과 같이, 건조와 동시, 건조 후의 소성시, 또는 소성 후의 각 단계에서 실시할 수 있다.
(1) 전술한 인듐주석 수산화물을 대기 분위기 중에서 건조, 소성하는 처리 대신에, 이하의 조건의 표면 개질 처리를 실시한다. 질소 분위기, 수증기를 함유하는 질소 분위기, 알코올을 함유하는 질소 분위기, 또는 암모니아를 함유하는 질소 분위기 중에서, 250 ∼ 800 ℃ 의 온도에서 30 분 ∼ 6 시간 가열하여, 인듐주석 수산화물을 건조, 소성한다.
(2) 인듐주석 수산화물을 대기 분위기 중에서 100 ℃ ∼ 110 ℃ 의 온도에서 하룻밤 건조하고, 이어서, 전술한 대기 분위기 중에서의 소성 대신에, 이하의 조건의 표면 개질 처리를 실시한다. 질소 분위기, 수증기를 함유하는 질소 분위기, 알코올을 함유하는 질소 분위기, 또는 암모니아를 함유하는 질소 분위기 중에서, 250 ∼ 800 ℃ 의 온도에서 30 분 ∼ 6 시간 가열하여, 인듐주석 수산화물을 소성한다.
(3) 전술한 인듐주석 수산화물을 대기 분위기 중에서 건조, 소성하고, 이어서, 이하 조건의 표면 개질 처리를 실시한다. 질소 분위기, 수증기를 함유하는 질소 분위기, 알코올을 함유하는 질소 분위기, 또는 암모니아를 함유하는 질소 분위기 중에서, 250 ∼ 800 ℃ 의 온도에서 30 분 ∼ 6 시간 가열한다.
상기 (1) ∼ (3) 의 표면 개질 처리에서는, 소성과 동등한 온도에서 가열 처리를 실시하기 때문에, 인듐주석 수산화물에 대해 표면 개질 처리를 실시하면, 건조나 소성도 동시에 실시되게 된다.
또한, 알코올이나 물을 함유하는 표면 처리액을 제조하고, 인듐주석 수산화물 또는 인듐주석 산화물에 상기 표면 처리액을 함침시킨 상태에서, 표면 개질 처리를 실시해도 된다.
표면 개질된 ITO 분말은, 40 ㎡/g 이상의 BET 비표면적을 갖는 짙은 청색의 분말이다. 상기 BET 비표면적은, 바람직하게는 50 ㎡/g 이상이다. 구체적으로는, 표면 개질된 ITO 분말은, Lab 표색계에 있어서, L 값 : 30 이하, a<0, b<0 의 짙은 청색을 띤 색조를 갖는다. 또 X 선 회절 차트의 (222) 면의 피크의 반값폭은 0.6°이하이다.
이 표면 개질된 ITO 분말은 미세하고, 또한 결정성이 높다. 이 때문에, 표면 개질된 ITO 분말을 수지에 혼합하여 피막이나 시트를 형성했을 경우, 높은 투명성을 갖고, 또한 우수한 도전성을 얻을 수 있다.
인듐주석 산화물 (ITO) 은, 3 가의 인듐에 4 가의 주석을 도프함으로써 도전성이 향상되는 것이 알려져 있다. ITO 결정에 존재하는 산소 공공점은 도너 효과를 갖고, 캐리어 전자 밀도를 높여 도전성을 향상시킨다. ITO 분말을 불활성 분위기 중 또는 감압하에서 열처리하면, ITO 결정으로부터 산소가 빠져, 산소 공공점이 증대되고, ITO 의 체적 저항률이 저하되고, 이 때문에, 표면 개질을 실시함으로써, 산소 결함이 증가되어, 도전성을 높일 수 있다.
이상과 같이, 건조 분말 상태에서는 황금색 내지 주황색의 색조를 갖는 인듐주석 수산화물을 소성함으로써, 본 실시형태의 ITO 분말 및 표면 개질된 ITO 분말은 얻어진다. 본 실시형태의 ITO 분말 및 표면 개질된 ITO 분말은, 우수한 도전성을 갖고, 투명성이 높은 피막이나 시트를 형성하기 위한 투명 도전성 조성물로서 사용할 수 있다.
본 실시형태의 ITO 분말을 사용함으로써, 투명성이 높고, 또한 도전성이 우수한 투명 도전성 조성물을 얻을 수 있다. 구체적으로는, 본 실시형태의 ITO 분말을 수지에 분산시켜 도료 (투명 도전성 조성물) 를 제조하고, 이 도료를 유리판에 도포하여 피막을 형성하는 경우, 이하의 특성을 갖는 피막을 형성할 수 있다.
막두께가 0.2 ㎛ 이고, 또한 ITO 분말 농도가 6 wt% 의 피막인 경우, 표면 저항률이 20000 Ω/sq. 이하이고, 또한 전광선 투과율이 89 % 이상이다. 여기서, 전광선 투과율이란, 유리판과, 상기 유리판 상에 형성된 피막을 투과하는 광의 투과율이다. 이 전광선 투과율로부터, 유리판만의 투과율을 뺀 투과율 (Δ투과율) 은 2 % 이하이다.
막두께가 0.2 ㎛ 이고, 또한 ITO 분말 농도가 20 wt% 의 피막인 경우, 표면 저항률이 6500 Ω/sq. 이하이고, 또한 전광선 투과율이 85 % 이상이다. 이 피막의 Δ투과율은 5 % 이하이다.
이와 같이, 투명성이 높고, 또한 도전성이 우수한 피막을 얻을 수 있다.
실시예
이하, 본 실시형태의 실시예를 비교예와 함께 나타낸다.
후술하는 순서에 의해 ITO 분말을 제조하고, 이하의 방법에 따라, ITO 분말 등의 X 선 회절 패턴, 비표면적, 및 색조 (Lab 값) 를 측정하였다.
[X 선 회절 패턴] 리가쿠사 제조의 측정 장치 (제품명 MiniFlexII) 를 사용하여 X 선 회절 패턴을 측정하였다.
[비표면적] 시바타 과학사 제조의 측정 장치 (SA-1100) 를 사용하여 BET 비표면적을 측정하였다.
[색조] 스가 시험기사 제조의 컬러 컴퓨터 (SM-T) 를 사용하여 색조 (Lab 값 (L, a, b)) 를 측정하였다.
[실시예 1 : 시료 No. 1]
염화인듐 (InCl3) 수용액 50 ㎖ (In 함유량 18 g) 와, 2 염화주석 (SnCl2·2H2O) 3.6 g 을 혼합하여 혼합 수용액을 제조하였다. 또, 알칼리 수용액으로서 암모니아 (NH3) 수용액을 제조하였다. 500 ㎖ 가 들어간 용기 내에, 혼합 수용액과, 알칼리 수용액을 동시에 적하하였다. 알칼리 수용액의 첨가량을 조정하고, 용기 내의 혼합물 (반응액) 의 pH 를 7 로 하고, 또한 액온을 30 ℃ 로 조정하여, 30 분간 반응시켰다. 생성된 침전물을 이온 교환수에 의해 반복 경사 세정하였다. 상세하게는, 경사 세정에서는, 상청을 폐기하고, 이어서, 새롭게 이온 교환수를 넣고, 혼합하여, 정치하는 작업을 실시하여, 침전물의 세정을 실시하였다. 상청액의 저항률이 50000 Ω·㎝ 이상이 되었을 때, 침전물 (In/Sn 공침 수산화물) 을 여과 분리하여, 공침 인듐주석 수산화물을 얻었다. 공침 인듐주석 수산화물은, 건조 분말 상태에서는 색조가 주황색 (color of persi㎜on (reddish brown or orange-red)) 인 것을 알 수 있었다.
이 공침 인듐주석 수산화물의 X 선 회절 패턴을 도 3 에 나타낸다. 또, 공침 인듐주석 수산화물 분말의 TEM 사진을 도 7 에 나타낸다. 도 7 에 나타내는 바와 같이, 이 공침 인듐주석 수산화물 분말은, 결정의 형상을 명료하게 인식할 수 있고, 결정성이 높은 것을 알 수 있다.
고액 분리한 공침 인듐주석 수산화물을 110 ℃ 에서 하룻밤 건조시키고, 이어서, 대기 분위기 중, 550 ℃ 에서 3 시간 소성하였다. 얻어진 소성물 중의 응집체를 분쇄하고 풀어, 황금색 (bright yellow) 을 갖는 ITO 분말 약 25 g 을 얻었다.
이 ITO 분말의 Lab 값, 비표면적을 표 1 에 나타낸다.
다음으로, 무수 에탄올 95 중량부에 대해 증류수 5 중량부를 혼합하여 표면 처리액을 제조하였다. 이 표면 처리액에 상기 ITO 분말 25 g 을 넣어 함침시켰다. 이어서, 표면 처리액이 함침된 ITO 분말을 유리 샬레에 넣고, 질소 가스 분위기하, 330 ℃ 에서 2 시간 가열하여 표면 개질 처리를 실시하였다.
표면 개질된 ITO 분말의 색조 (L, a, b) 와 BET 값을 표 1 에 나타낸다.
또, 이 표면 개질된 ITO 분말의 X 선 회절 패턴을 도 1 에 나타낸다. 또한 (222) 면의 회절 피크 부근의 부분 확대도를 도 2 에 나타낸다. 도 1, 2 에 나타낸 바와 같이, 표면 개질된 ITO 분말의 회절 피크의 상대 강도가 크고 (약 3000 cps), 그 반값폭은 0.47°이고, 결정성이 높은 것이 확인되었다. 또, 얻어진 X 선 회절 패턴으로부터, 표면 개질된 ITO 분말의 결정계는, 입방정계인 것을 알 수 있었다.
[실시예 2, 3 : 시료 No. 2, 3]
반응액의 액온을 10 ℃ 또는 60 ℃ 로 조정하였다. 그 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, ITO 분말 및 표면 개질된 ITO 분말을 얻었다. 이들 ITO 분말의 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.
[실시예 4, 5 : 시료 No. 4, 5]
알칼리 수용액 (암모니아 수용액) 의 첨가량을 조정하여 반응액의 pH 를 4.5 또는 8.5 로 조정하였다. 또 액온을 30 ℃ 로 조정하였다. 그 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, ITO 분말 및 표면 개질된 ITO 분말을 얻었다. 이들 ITO 분말의 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.
[실시예 6 : 시료 No. 6]
알칼리 수용액으로서, 암모니아 수용액 대신에, 탄산수소암모늄 (NH4HCO3) 수용액을 사용하였다. 그 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, ITO 분말 및 표면 개질된 ITO 분말을 얻었다. 침전 조건, 침전물의 색조, ITO 분말의 색조 및 비표면적, 표면 처리의 결과를 표 1 에 나타낸다.
[비교예 1 : 비교 시료 No. 7]
알칼리 수용액의 첨가량을 조정하여 반응액의 pH 를 3.0 으로 하였다. 그 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 공침 인듐주석 수산화물을 얻었다. 이 공침 인듐주석 수산화물을 건조시키면, 건조 분말 상태에서 약간 황색을 띤 백색이었다. 이 침전물 (공침 인듐주석 수산화물) 에 대해, 실시예 1 과 동일하게 하여, 건조, 소성, 표면 개질을 실시하고, ITO 분말 및 표면 개질된 ITO 분말을 얻었다. 이들 ITO 분말의 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.
[비교예 2 : 비교 시료 No. 8]
알칼리 수용액의 첨가량을 조정하여 반응액의 pH 를 9.5 로 하였다. 또 액온을 10 ℃ 로 조정하였다. 그 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 공침 인듐주석 수산화물을 얻었다. 이 공침 인듐주석 수산화물을 건조시키면, 건조 분말 상태에서 약간 황색을 띤 백색이었다. 이 침전물 (공침 인듐주석 수산화물) 에 대해, 실시예 1 과 동일하게 하여, 건조, 소성, 표면 개질을 실시하고, ITO 분말 및 표면 개질된 ITO 분말을 얻었다. 이들 ITO 분말의 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.
[비교예 3 : 비교 시료 No. 9]
주석 화합물로서 4 염화주석을 사용하여 농도 55 % 의 SnCl4 수용액을 제조하였다. 이 SnCl4 수용액 14.4 g 과, 염화인듐 (InCl3) 수용액 90 ㎖ (In 함유량 35 g) 를 혼합하여 혼합 수용액을 제조하였다. 이 혼합 수용액에, 탄산수소암모늄 (NH4HCO3) 190 g 을 함유하는 알칼리 수용액 0.6 ℓ 를 첨가하여 혼합물 (반응액) 을 얻었다. 반응액의 pH 를 8 로 조정하고, 또한 액온을 30 ℃ 로 조정하여, 30 분간 반응시켰다. 생성된 침전물을 이온 교환수에 의해 반복 경사 세정하였다. 상청액의 저항률이 50000 Ω·㎝ 이상이 되었을 때, 침전물 (In/Sn 공침 수산화물) 을 여과 분리하여, 공침 인듐주석 수산화물을 얻었다. 이 공침 인듐주석 수산화물은 백색이었다.
이 공침 인듐주석 수산화물의 X 선 회절 패턴을 도 6 에 나타낸다. 또, 공침 인듐주석 수산화물 분말의 TEM 사진을 도 8 에 나타낸다. 도 7 의 공침 인듐주석 수산화물 분말 (실시예 1 의 No. 1) 과 비교하면, 도 8 에 나타낸 공침 인듐주석 수산화물 분말은, 결정의 형상이 불명료하다.
이 공침 인듐주석 수산화물을 110 ℃ 에서 하룻밤 건조시키고, 이어서, 대기 중 550 ℃ 에서 3 시간 소성하였다. 얻어진 소성물 중의 응집체를 분쇄하고 풀어, ITO 분 약 44 g 을 얻었다.
이 ITO 분말의 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.
다음으로, 무수 에탄올 95 중량부에 대해 증류수 5 중량부를 혼합하여 표면 처리액을 제조하였다. 이 표면 처리액에 상기 ITO 분 25 g 을 넣어 함침시켰다. 이어서, 표면 처리액이 함침된 ITO 분말을 유리 샬레에 넣어, 질소 가스 분위기하, 330 ℃ 에서 2 시간 가열하여 표면 개질 처리를 실시하였다.
표면 개질된 ITO 분말의 Lab 값, 비표면적을 표 1 에 나타낸다.
또, 이 표면 개질된 ITO 분말의 X 선 회절 패턴을 도 4 에 나타낸다. 또한 (222) 면의 피크 부근의 부분 확대도를 도 5 에 나타낸다. 도 4, 5 에 나타낸 바와 같이, 이 표면 개질된 ITO 분말의 회절 피크의 상대 강도는 2500 cps 보다 낮고, 그 반값폭은 0.65°이고, 실시예 1 의 표면 개질된 ITO 분말 (시료 No. 1) 보다 결정성이 낮은 것이 확인되었다.
표 1 에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태의 시료 (No. 1 ∼ No. 6) 에서는, 모두 황금색 (bright yellow) 내지 주황색 (color of persi㎜on (reddish brown or orange-red)) 의 공침 인듐주석 수산화물이 생성되었다.
pH 가 본 실시형태에 규정된 범위로부터 벗어나면, 비교예 1 ∼ 2 에 나타내는 바와 같이, 황색을 띤 백색의 침전 (공침 인듐주석 수산화물) 이 생성되었다. 이 침전을 소성하여 얻어지는 ITO 분말은 녹갈색 (olive-green) (L=77.8 ∼ 82.5, a=-7.4 ∼ -7.1, b=16.3 ∼ 17.8) 이었다.
4 염화주석을 사용한 비교예 3 에서는, 백색의 침전 (공침 인듐주석 수산화물) 이 생성되었다. 이 침전을 소성하여 얻어지는 ITO 분말은, 동일하게 녹갈색 (olive-green) (L=77.8, a=-8.7, b=27.9) 이었다.
녹갈색의 ITO 분말 (비교예 3) 을 개질하여 얻어진 표면 개질된 ITO 분말은, 도 5 의 X 선 회절 패턴에 나타낸 바와 같이, (222) 면의 피크의 반값폭이 약 0.65°였다. 한편, 황금색의 ITO 분말 (실시예 1) 을 개질하여 얻어진 표면 개질된 ITO 분말은, (222) 면의 피크의 반값폭이 약 0.47°이고, 비교예 3 의 표면 개질된 ITO 분말보다 결정성이 높은 것을 알 수 있었다.
또, 실시예 1 ∼ 6 에서 대기 소성된 ITO 분말은, 비표면적 (BET 값) 이 60 ㎡/g ∼ 85 ㎡/g 이고, 그 값은, 비교예 1 ∼ 3 의 ITO 분말의 비표면적 (45 ∼ 48 ㎡/g) 보다 현격히 컸다 (대략 2 배 약 (弱)). 이 경향은, 표면 개질 처리된 ITO 분말에 대해서도 동일하다. 이와 같이 본 실시형태의 ITO 분말은, 비교예의 ITO 분말보다 미세하였다. 따라서, 본 실시형태의 ITO 분말을 수지에 혼합하여 피막을 형성하면, 투명성이 높은 피막을 형성할 수 있다.
황금색을 갖는 본 실시형태의 ITO 분말은, 표면 처리되면, 짙은 청색 (L=30 이하) 이 된다. 이 때문에, 본 실시형태의 ITO 분말을 사용하여 피막을 형성하면, 우수한 열선 차폐성을 갖는 피막을 형성할 수 있다. 또 피막은, 백화되기 어려운 이점이 있다.
도 7 에 나타낸 바와 같이, 황금색을 한 공침 인듐주석 수산화물은, 결정성이 높다. 이 결정성이 높은 공침 인듐주석 수산화물을 사용함으로써, 비표면적이 크고, 또한 결정성이 높은 ITO 분말을 얻을 수 있다 (도 1, 2). 이 ITO 분말을 사용하여 도전성 조성물을 제조함으로써, 높은 투명성과 함께 우수한 도전성을 얻을 수 있다.
[실시예 7 : 시료 No. 10]
실시예 1 과 동일하게 하여 ITO 분 약 25 g 을 얻었다.
ITO 분말이 들어간 유리 샬레와, 500 g 의 물이 들어간 다른 유리 샬레를, 이웃하는 상태에서 가열로 내에 배치하였다. 그리고, 질소 가스 분위기하, 330 ℃ 에서 2 시간 가열하여 표면 개질 처리를 실시하였다. 가열시에는, 다른 유리 샬레 중의 물은 증발하기 때문에, 가열로 내는, 수증기를 함유하는 질소 가스 분위기가 된다. 따라서, ITO 분말은, 수증기를 함유하는 질소 가스 분위기 중에서 가열되어 표면 개질되었다.
얻어진 ITO 분말 및 표면 개질된 ITO 분말의 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.
Figure 112013000696706-pct00001
[실시예 8 : 투명 도전성 시험]
시료 No. 1 의 ITO 분말 (실시예 1) 과 시료 No. 9 의 ITO 분말 (비교예 3) 을, 각각 수지에 분산시켜 분산액을 제조하였다. 스핀 코팅에 의해, 150 회전으로, 상기 분산액을 유리판에 도포하여 성막하였다. 또한, 스핀 코팅에 의해, 150 회전으로, 분산액의 도막 상에, 실리카 졸겔액 (실리카 : 1 %) 을 도포하여 성막하였다. 이어서, 도막이 성막된 유리판을 160 ℃ 에서 30 분간 소성하고, 피막을 형성하였다 (막두께 0.2 ㎛).
피막이 형성된 유리판의 전광선 투과율 및 표면 저항값을 측정하였다. 측정 결과를 표 2, 3 에 나타낸다.
또한, 표면 저항값은, 미츠비시 화학 제조 로레스타 AP (MCP-T400) 로 측정하였다. 측정값의 단위 『Ω/sq.』는, 시트 저항의 단위이고, 간단히 『Ω』라고 해도 되는 경우가 있다. 전광선 투과율은, 규격 (JIS K7150) 에 따라, 스가 시험기사 제조의 측정 장치 (HGM-3D) 를 사용하여, 400 ∼ 750 ㎚ 의 가시광 선 영역에서 측정하였다. 전광선 투과율의 측정값은, 유리판의 투과율 (유리판의 투과율 89.0 %, 두께 1 ㎜) 을 포함하고, 피막의 두께 0.2 ㎛ 에 있어서의 값이다. 표 2, 3 에는, 전광선 투과율의 측정값으로부터 유리판의 투과율 (89.0 %) 을 뺀 값 (Δ투과율) 도 병기하였다.
No. 1 의 ITO 분말은, No. 9 의 ITO 분말보다 결정성이 높다. 이 때문에, 표 2, 3 에 나타낸 바와 같이, 분산액 중의 ITO 농도가 동일한 경우를 비교하면, No. 9 의 ITO 분말을 함유하는 피막 (B1 ∼ B5) 보다, No. 1 의 ITO 분말을 함유하는 피막 (A1 ∼ A7) 은, 모두 표면 저항값이 낮고, 또한 전광선 투과율이 높다.
구체적으로는, 막두께가 0.2 ㎛ 이고, ITO 분말 농도가 6 wt% 인 경우, 표면 저항률이 20000 Ω/sq. 이하이고, 또한 전광선 투과율 89 % 이상이었다. 또, 막두께가 0.2 ㎛ 이고, ITO 분말 농도가 20 wt% 인 경우, 표면 저항률이 6500 Ω/sq. 이하이고, 또한 전광선 투과율이 85 % 이상이었다.
본 실시형태의 ITO 분말을 사용함으로써, 상기한 특성을 갖고, 투명성이 높고 도전성이 우수한 피막을 형성할 수 있다.
Figure 112013000696706-pct00002
Figure 112013000696706-pct00003
산업상 이용가능성
본 실시형태의 ITO 분말은, 비표면적이 55 ㎡/g 이상인 미세한 분말이고, 또한 결정성이 높다. 이 때문에, 본 실시형태의 ITO 분말을 사용함으로써, 투명성이 우수하고, 또한 높은 도전성을 갖는 도전성 피막을 형성할 수 있다. 이 때문에, 투명 도전성 피막이나 열선 차폐막 등의 기능성 재료의 제조 공정에 바람직하게 적용할 수 있다.

Claims (9)

  1. 비표면적이 60 ㎡/g ~ 85 ㎡/g 이고, 또한 건조 분말 상태에서 황금색 내지 주황색의 색조를 갖고, 상기 색조는 Lab 표색계에 있어서 L = 56.0 ∼ 67.1, a = -1.2 ~ 2.1, b = 29.5 ~ 31.5 이고,
    X 선 회절 차트의 (222) 면의 피크의 반값폭이 0.6° 보다 작은 것을 특징으로 하는 인듐주석 산화물 분말.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 기재된 인듐주석 산화물 분말을 함유하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 조성물.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 투명 도전성 조성물을 사용하여, 상기 인듐주석 산화물 분말의 농도가 6 wt% 인 피막을 유리판 상에 제조했을 경우, 상기 피막의 표면 저항률이 20000 Ω/sq. 이하이고, 또한 전광선 투과율로부터 상기 유리판의 투과율을 뺀 Δ투과율이 2 % 이하이고,
    상기 투명 도전성 조성물을 사용하여, 상기 인듐주석 산화물 분말의 농도가 20 wt% 인 피막을 유리판 상에 제조했을 경우, 상기 피막의 표면 저항률이 6500 Ω/sq. 이하이고, 또한 전광선 투과율로부터 상기 유리판의 투과율을 뺀 Δ투과율이 5 % 이하인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 조성물.
  6. 2 가의 주석 화합물을 사용하고, pH 가 4.0 ∼ 9.3 이고, 액온이 5 ℃ 이상인 조건에 의해, 건조 분말 상태에서는 황금색 내지 주황색의 색조를 갖는 인듐주석 수산화물을 공침시키는 공정과,
    상기 인듐주석 수산화물을 건조, 소성하는 공정을 갖고,
    상기 인듐주석 수산화물을 건조, 소성하는 공정에 있어서, 알코올 또는 암모니아를 함유하는 질소 가스의 분위기 중에서, 상기 인듐주석 수산화물을 가열 소성하는 것을 특징으로 하는 인듐주석 산화물 분말의 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 인듐주석 수산화물을 공침시키는 공정에 있어서, 3 염화인듐과 2 염화주석의 혼합 수용액과, 알칼리 수용액을 동시에 물에 적하하거나, 혹은, 알칼리 수용액에 상기 혼합 수용액을 적하함으로써, 상기 인듐주석 수산화물을 공침시키는 것을 특징으로 하는 인듐주석 산화물 분말의 제조 방법.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 인듐주석 수산화물을 건조, 소성하는 공정에 있어서, 건조와 동시, 또는 건조 후에, 상기 알코올 또는 상기 암모니아를 함유하는 질소 가스의 분위기하에서, 상기 인듐주석 수산화물을 가열 소성하고, 이것에 의해, 표면 개질되어, 비표면적이 40 ㎡/g 이상이고, 또한 농청색의 색조를 갖는 인듐주석 산화물 분말을 제조하는 것을 특징으로 하는 인듐주석 산화물 분말의 제조 방법.
  9. 삭제
KR1020137000177A 2010-07-29 2010-10-25 인듐주석 산화물 분말, 그 제조 방법, 및 투명 도전성 조성물 KR101488116B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2010-171191 2010-07-29
JP2010171191A JP5829386B2 (ja) 2009-10-16 2010-07-29 結晶性の高い微細なito粉末とその用途および製造方法等
PCT/JP2010/068872 WO2012014337A1 (ja) 2010-07-29 2010-10-25 インジウム錫酸化物粉末、その製造方法、透明導電性組成物、及びインジウム錫水酸化物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130041067A KR20130041067A (ko) 2013-04-24
KR101488116B1 true KR101488116B1 (ko) 2015-01-29

Family

ID=45531609

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137000177A KR101488116B1 (ko) 2010-07-29 2010-10-25 인듐주석 산화물 분말, 그 제조 방법, 및 투명 도전성 조성물

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP2599751B1 (ko)
KR (1) KR101488116B1 (ko)
WO (1) WO2012014337A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014084247A (ja) * 2012-10-23 2014-05-12 Mitsubishi Materials Corp 酸化インジウム錫粉末
CN105957924A (zh) * 2016-06-28 2016-09-21 常州工学院 一种利用ZnO缓冲层制备择优取向ITO光电薄膜的方法
CN113666412B (zh) * 2021-09-26 2023-04-28 烟台佳隆纳米产业有限公司 竹节状纳米氧化铟锡粉体的制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000003618A (ja) * 1998-06-12 2000-01-07 Dowa Mining Co Ltd スズドープ酸化インジウム粉とその製造方法
JP2001058822A (ja) 1999-08-20 2001-03-06 Dowa Mining Co Ltd スズドープ酸化インジウム粉末およびその製造方法
JP2007269543A (ja) 2006-03-31 2007-10-18 Dowa Holdings Co Ltd Ito粉体およびその製造方法、ito導電膜塗料、並びに透明導電膜
JP2008110915A (ja) 2008-01-16 2008-05-15 Dowa Holdings Co Ltd スズドープ酸化インジウム粉

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58186782A (ja) 1982-04-27 1983-10-31 Shishido Shokai:Kk 静電気除去装置
JP4600685B2 (ja) * 1994-05-25 2010-12-15 住友金属鉱山株式会社 紫外線、近赤外線遮へいガラス
JP2972996B2 (ja) * 1997-12-02 1999-11-08 三井金属鉱業株式会社 Ito微粉末及びその製造方法
JP2003215328A (ja) 2002-01-18 2003-07-30 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 日射遮蔽用微粒子とこの微粒子を含む日射遮蔽膜形成用塗布液および日射遮蔽膜
US7115219B2 (en) * 2002-09-11 2006-10-03 Sumitomo Chemical Company, Limited Method of producing Indium Tin Oxide powder
JP2005232399A (ja) 2004-02-23 2005-09-02 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 日射遮蔽用微粒子とこの微粒子を含有する日射遮蔽体並びに日射遮蔽複合体および日射遮蔽体または日射遮蔽複合体の製造に用いられる分散液
JP2005322626A (ja) 2004-04-09 2005-11-17 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 導電性酸化物針状粉末
CN1775693A (zh) * 2005-11-22 2006-05-24 华东理工大学 锡掺杂氧化铟纳米粉体的制备方法
JP4617506B2 (ja) * 2006-03-24 2011-01-26 Dowaエレクトロニクス株式会社 Ito粉体およびその製造方法、ito導電膜用塗料、並びに透明導電膜
EP2116513B1 (de) * 2008-05-06 2017-07-05 Evonik Degussa GmbH Verfahren zur herstellung eines oberflächenmodifizierten agglomerates von indiumzinnoxid, das nach diesem verfahren erhältliche oberflächenmodifizierte agglomerat selbst, sowie eine beschichtungsmasse hiermit

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000003618A (ja) * 1998-06-12 2000-01-07 Dowa Mining Co Ltd スズドープ酸化インジウム粉とその製造方法
JP2001058822A (ja) 1999-08-20 2001-03-06 Dowa Mining Co Ltd スズドープ酸化インジウム粉末およびその製造方法
JP2007269543A (ja) 2006-03-31 2007-10-18 Dowa Holdings Co Ltd Ito粉体およびその製造方法、ito導電膜塗料、並びに透明導電膜
JP2008110915A (ja) 2008-01-16 2008-05-15 Dowa Holdings Co Ltd スズドープ酸化インジウム粉

Also Published As

Publication number Publication date
EP2599751B1 (en) 2018-10-03
WO2012014337A1 (ja) 2012-02-02
EP2599751A4 (en) 2015-03-11
KR20130041067A (ko) 2013-04-24
EP2599751A1 (en) 2013-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101568561B1 (ko) 인듐주석 산화물 분말, 그 제조 방법, 분산액, 도료 및 기능성 박막
Musić et al. Influence of chemical synthesis on the crystallization and properties of zinc oxide
JP5835860B2 (ja) 熱線遮蔽組成物とその製造方法
KR20180018475A (ko) 모놀리식으로 구성된 기재에 기초한 진주빛 안료, 그 제조 방법, 및 그러한 진주빛 안료의 용도
JP5747475B2 (ja) 青色遮蔽黒色粉末とその製造方法および用途
EP3546426B1 (en) Black-film-forming mixed powder and production method therefor
CN111511680A (zh) 黑色遮光膜形成用粉末及其制备方法
KR101488116B1 (ko) 인듐주석 산화물 분말, 그 제조 방법, 및 투명 도전성 조성물
KR100444142B1 (ko) Ito 미분말 및 그의 제조방법
JP4765051B2 (ja) スズドープ酸化インジウム粉
KR101455419B1 (ko) 초미립자 산화아연 및 그의 제조 방법
JP3823520B2 (ja) 無水アンチモン酸亜鉛半導体ガスセンサー及びその製造方法
JP5829386B2 (ja) 結晶性の高い微細なito粉末とその用途および製造方法等
KR101650611B1 (ko) Ito 분말 및 그 제조 방법
Moustafa et al. Impact of molybdenum doping on the structural, optical and dielectric properties of α-Al2− x MoxO3
TWI568676B (zh) ITO powder and its manufacturing method
JP6952051B2 (ja) 赤外線遮蔽材、及び酸化スズ粒子の製造方法
KR102569070B1 (ko) 3 가 금속 도프 육각 판상 산화아연 및 그 제조 방법
JP5885507B2 (ja) インジウム錫酸化物粉末およびその製造方法
JP3838615B2 (ja) スズドープ酸化インジウム粉末およびその製造方法
TWI638778B (zh) 黑色粉末及其製造方法
Saraswathy et al. Enhanced pigmentary properties of rare earth germanates of the type La2CuGe2O8 through CuO6 octahedron distortion
EP4282825A1 (en) Particles having specific low-order titanium oxide crystal composition, method for producing same, and dispersion

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171121

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181129

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191126

Year of fee payment: 6