KR20070006602A - 증기 건조 방법, 그 장치, 증기 처리 장치 및 증기 발생용기록 매체 - Google Patents

증기 건조 방법, 그 장치, 증기 처리 장치 및 증기 발생용기록 매체 Download PDF

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노부타카 구로다
미키오 나카시마
오사무 츠다
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Abstract

증기 건조 장치는, 반도체 웨이퍼(W)를 수용하는 처리실(1a)과, 이 처리실(1a) 내에 IPA 증기 또는 N2 가스를 공급하는 공급 노즐(2)과, IPA 공급원(8) 및 N2 가스 공급원(5)에 접속되어, IPA와 N2 가스의 혼합 유체를 생성하는 2 유체 노즐(3)과, 2 유체 노즐(3)에 의해 생성된 혼합 유체를 가열하여 IPA 증기를 생성하는 증기 발생 장치(10)와, 2 유체 노즐(3)의 일차측에 접속하는 N2 가스 공급관(23)과, 2 유체 노즐의 이차측에 접속하는 혼합 유체 공급관(22)을 구비하고 있다. N2 가스 공급관과 혼합 유체 공급관(22)을 접속하는 분기관(25)에, 개폐 밸브(V2)가 설치되어 있다. 우선, N2 가스를 2 유체 노즐(3)에 공급하고, 또한 IPA 공급원(8)으로부터 공급되는 IPA를 2 유체 노즐(3)에 공급하여, 혼합 유체를 생성하고, 처리실(1a)에 공급하여 제1 건조 공정을 행한다. 다음에, N2 가스 공급원(5)으로부터의 N2 가스를 2 유체 노즐(3) 및 분기관(25)을 통해 처리실(1a)에 공급하여 제2 건조 공정을 행한다.

Description

증기 건조 방법, 그 장치, 증기 처리 장치 및 증기 발생용 기록 매체{VAPOR DRYING METHOD, APPARATUS THEREFOR, VAPOR TREATING APPARATUS AND STORAGE MEDIUM FOR PRODUCING VAPOR}
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 증기 건조 장치를 적용한 세정·건조 처리 시스템의 개략 구성도이다.
도 2는 본 발명에 있어서의 혼합 유체 생성 수단(2 유체 노즐)을 도시하는 개략 단면도이다.
도 3은 본 발명에 있어서의 증기 생성 수단(증기 발생 장치)을 도시하는 개략 단면도이다.
도 4(a)는 증기 발생 장치의 주요부를 도시하는 단면도, 도 4(b)는 도 4(a)의 I-I선을 따르는 단면도이다.
도 5는 증기 건조 장치의 동작 양태를 도시하는 흐름도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 증기 발생 장치를 적용한 세정·건조 처리 시스템의 개략 구성도이다.
도 7은 본 발명에 따른 증기 발생 장치를 도시하는 개략 단면도이다.
도 8(a)는 본 발명에 있어서의 증기 발생기의 주요부를 도시하는 단면도, 도 8(b)는 도 8(a)의 Ⅱ부를 도시하는 확대 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1: 처리 용기 2: 공급 노즐
3: 2 유체 노즐 4: IPA 탱크
5: N2 가스 공급원 10: 증기 발생 장치
21: 증기 공급관 22: 혼합 유체 공급관
23: N2 가스 공급관 24: IPA 공급관
25: 분기관
본 발명은, 증기 건조 방법과 그 장치 및 그 기록 매체에 관한 것이다.
종래, 액체 또는 액체적 유체 등의 액을 함유하는 유체, 예컨대, 질소 가스(N2 가스) 등의 불활성 가스 중에 안개형의 유기 용매, 예컨대 IPA(이소프로필알콜)를 혼합한 혼합 유체를 증발시키고, 그 증발 가스를 피처리체(피건조체)에 접촉시켜 건조 처리하는 IPA 건조 기술이 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
상기 증기 건조 방법(장치)에 따르면, 피처리체, 예컨대 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 함)를 수용한 처리실 내에, IPA와 N2 가스와의 혼합 유체로 이루어지는 증기를 공급하여 제1 건조를 행한 후, 처리실 내에 N2 가스만을 공급하여, 웨이 퍼에 부착된 IPA를 기화하여 제거하는 제2 건조를 실시할 수 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 평10-125649호 공보
그러나, 종래의 이런 유형의 증기 건조 방법(장치)에서는, IPA와 N2 가스를 혼합 수단에 의해 혼합한 후에 가열하기 때문에, IPA와 N2 가스와의 혼합에 최적의 범위가 있고, 이 때문에 혼합 수단으로 흐를 수 있는 N2 가스의 유량이 제한되고 있다. 또한, 제1 건조 공정 후에, 연속하여 제2 건조 공정을 행하는 경우, 혼합 수단에 N2 가스만을 공급하여 N2 가스를 처리실 내로 공급하고 있다.
이와 같이, 혼합 수단에 공급 가능한 N2 가스의 유량은, IPA의 혼합에 최적의 범위로 설정되어 있기 때문에, 유량이 한정된다. 이 때문에, 이 N2 가스를 제2 건조에 사용하면, 공급량이 적기 때문에 제2 건조 처리 시간이 길어져, 워터마크의 발생 등 건조 성능에 영향을 준다고 하는 문제가 있었다. 또한, 소량의 불활성 가스를 장시간 공급함으로써, 불활성 가스의 낭비가 생길 우려도 있다.
본 발명은 이러한 점을 고려하여 이루어진 것으로, 건조 시간의 단축 및 건조 성능의 향상이 도모되는 동시에, 불활성 가스를 유효하게 이용할 수 있도록 한 증기 건조 방법, 증기 건조 장치 및 그 기록 매체를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명은, 불활성 가스 공급관으로부터의 불활성 가스와 용제 공급관으로부 터의 용제를 혼합 유체 생성 수단으로 혼합하여 혼합 유체를 생성하는 혼합 공정과, 상기 혼합 유체를 혼합 유체 가열 수단으로 가열하여 증기를 생성하는 증기 생성 공정과, 상기 증기 생성 공정에서 생성된 증기를 처리실 내로 공급하여, 피처리체를 건조시키는 제1 건조 공정과, 불활성 가스를 불활성 가스 가열 수단으로 가열하는 가열 공정과, 상기 가열 공정에서 가열된 불활성 가스를 상기 처리실 내로 공급하여 피처리체를 건조시키는 제2 건조 공정을 구비하고, 상기 제1 건조 공정과 제2 건조 공정에 사용하는 불활성 가스의 공급량을 별개로 설정하는 동시에, 제1 건조 공정에 대한 제2 건조 공정시의 불활성 가스의 공급량을 증가시키는 것을 특징으로 하는 증기 건조 방법이다.
본 발명은, 증기 건조 방법에 있어서, 상기 제1 건조 공정 후, 제2 건조 공정에 있어서, 혼합 유체 생성 수단의 일차측에 접속하는 분기관을 통해 불활성 가스를 처리실 내로 공급하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 증기 건조 방법이다.
본 발명은, 증기 건조 방법에 있어서, 상기 혼합 유체 생성 수단에 접속되는 용제 공급관에 개재 설치된 개폐 밸브의 이차측에, 불활성 가스를 공급하여, 상기 혼합 유체 생성 수단에 잔류하는 용제를 제거하는 것을 특징으로 하는 증기 건조 방법이다.
본 발명은, 피처리체를 수용하는 처리실과, 용제 공급원과, 불활성 가스 공급원과, 용제 공급원 및 불활성 가스 공급원에 각각 용제 공급관 및 불활성 가스 공급관을 통해 접속되어, 용제와 불활성 가스의 혼합 유체를 생성하는 혼합 유체 생성 수단과, 상기 혼합 유체 생성 수단에 의해 생성된 혼합 유체를 혼합 유체 공 급관을 통해 받고, 가열 수단으로 가열하여 증기를 생성하는 증기 생성 수단을 구비하며, 상기 혼합 유체 생성 수단에 접속된 불활성 가스 공급관과, 혼합 유체 생성 수단에 접속된 혼합 유체 공급관을, 개폐 밸브를 개재 설치한 분기관을 통해 접속하여, 상기 불활성 가스 공급원으로부터 공급되는 불활성 가스를, 상기 분기관 및 상기 혼합 유체 생성 수단을 통해 상기 처리실 내로 공급할 수 있게 한 것을 특징으로 하는 증기 건조 장치이다.
본 발명은, 증기 건조 장치에 있어서, 상기 혼합 유체 생성 수단에 접속하는 용제 공급관에 개폐 밸브가 설치되고, 이 개폐 밸브의 이차측에, 불활성 가스 공급관으로부터 분기되고 또 개폐 밸브를 갖는 보조 분기관을 접속하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 증기 건조 장치이다.
본 발명은, 증기 건조 장치에 있어서, 상기 증기 생성 수단으로 생성된 증기의 처리실 안으로의 공급 작용, 상기 분기관의 개폐 밸브의 개폐 작용 및 상기 증기 생성 수단의 가열 수단으로 가열된 불활성 가스의 처리실 안으로의 공급 작용을 제어하는 제1 제어 수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 증기 건조 장치이다.
본 발명은, 증기 건조 장치에 있어서, 상기 보조 분기관의 개폐 밸브를 개폐 제어하는 제2 제어 수단을 더 구비하며, 상기 제2 제어 수단에 의해 상기 보조 분기관의 개폐 밸브를 개방하여, 혼합 유체 생성 수단 내에 잔류하는 용제를 제거할 수 있게 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 증기 건조 장치이다.
본 발명은, 컴퓨터에 제어 프로그램을 실행시키는 소프트웨어가 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서, 상기 제어 프로그램은, 실행시에, 불활성 가스 공 급관으로부터의 불활성 가스와 용제 공급관으로부터의 용제를 혼합 유체 생성 수단으로 혼합하여 혼합 유체를 생성하는 혼합 공정과, 상기 혼합 유체를 혼합 유체 가열 수단으로 가열하여 증기를 생성하는 증기 생성 공정과, 상기 증기 생성 공정에서 생성된 증기를 처리실 내로 공급하여, 피처리체를 건조시키는 제1 건조 공정과, 불활성 가스를 불활성 가스 가열 수단으로 가열하는 가열 공정과, 상기 가열 공정에서 가열된 불활성 가스를 상기 처리실 내로 공급하여 피처리체를 건조시키는 제2 건조 공정을 구비하며, 상기 제1 건조 공정과 제2 건조 공정에 사용하는 불활성 가스의 공급량을 별개로 설정하는 동시에, 제1 건조 공정에 대한 제2 건조 공정시의 불활성 가스의 공급량을 증가시키는 것을 특징으로 하는 증기 건조 방법이 실행되도록 컴퓨터가 증기 건조 장치를 제어하는 것임을 특징으로 하는 증기 건조용 기록 매체이다.
본 발명은, 증기 건조용 기록 매체에 있어서, 상기 제어 프로그램은, 실행시에, 제1 건조 공정 후, 제2 건조 공정에서, 혼합 유체 생성 수단의 일차측에 접속하는 분기관을 통해 불활성 가스를 처리실 내로 공급하는 공정이 더 실행되도록, 컴퓨터가 증기 건조 장치를 제어하는 것임을 특징으로 하는 증기 건조용 기록 매체이다.
본 발명은, 컴퓨터의 제어 프로그램에 있어서, 상기 제어 프로그램은, 실행시에, 불활성 가스 공급관으로부터의 불활성 가스와 용제 공급관으로부터의 용제를 혼합 유체 생성 수단으로 혼합하여 혼합 유체를 생성하는 혼합 공정과, 상기 혼합 유체를 혼합 유체 가열 수단으로 가열하여 증기를 생성하는 증기 생성 공정과, 상 기 증기 생성 공정에서 생성된 증기를 처리실 내로 공급하여, 피처리체를 건조시키는 제1 건조 공정과, 불활성 가스를 불활성 가스 가열 수단으로 가열하는 가열 공정과, 상기 가열 공정에서 가열된 불활성 가스를 상기 처리실 내로 공급하여 피처리체를 건조시키는 제2 건조 공정을 구비하며, 상기 제1 건조 공정과 제2 건조 공정에 사용하는 불활성 가스의 공급량을 별개로 설정하는 동시에, 제1 건조 공정에 대한 제2 건조 공정시의 불활성 가스의 공급량을 증가시키는 것을 특징으로 하는 증기 건조 방법이 실행되도록, 컴퓨터가 증기 건조 장치를 제어하는 것임을 특징으로 하는 증기 건조용 프로그램이다.
본 발명은, 프로그램에 있어서, 상기 제어 프로그램은, 실행시에, 제1 건조 공정 후, 혼합 유체 생성 수단의 일차측에 접속하는 분기관을 통해 불활성 가스를 처리실 내로 공급하는 공정이 더 실행되도록, 컴퓨터가 증기 건조 장치를 제어하는 것임을 특징으로 하는 프로그램이다.
본 발명은, 액을 함유하는 유체를 실질적으로 증발시키는 기화 공정과, 증발한 유체를 소정의 온도까지 승온하는 승온 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 증기 발생 방법이다.
본 발명은, 증기 발생 방법에 있어서, 상기 기화 공정에서, 상기 액을 함유하는 유체를 상기 액의 비점 이상으로 가열하는 것을 특징으로 하는 증기 발생 방법이다.
본 발명은, 증기 발생 방법에 있어서, 상기 기화 공정에 의해서 증발한 유체의 온도를 검출하고, 그 검출 온도에 기초하여 기화 공정의 가열 온도를 제어하는 동시에, 상기 승온 공정에 의해서 승온된 증기의 온도를 검출하고, 그 검출 온도에 기초하여 승온 공정의 가열 온도를 제어하는 것을 특징으로 하는 증기 발생 방법이다.
본 발명은, 액을 함유하는 유체를 가열하여 실질적으로 증발시키는 제1 가열 유닛과, 증발한 유체를 소정의 온도까지 가열하여 승온하는 제2 가열 유닛을 구비하는 것을 특징으로 하는 증기 발생 장치이다.
본 발명은, 증기 발생 장치에 있어서, 상기 제1 가열 유닛은, 상기 액을 함유하는 유체를 상기 액의 비점 이상으로 가열할 수 있게 되는 것을 특징으로 하는 증기 발생 장치이다.
본 발명은, 증기 발생 장치에 있어서, 상기 제1 가열 유닛에 의해서 증발한 유체의 온도를 검출하는 제1 온도 검출 수단과, 상기 제2 가열 유닛에 의해서 승온된 증기의 온도를 검출하는 제2 온도 검출 수단과, 상기 제1 온도 검출 수단에 의해서 검출된 온도에 기초하여 상기 제1 가열 유닛의 가열 온도를 제어하는 동시에, 상기 제2 온도 검출 수단에 의해서 검출된 온도에 기초하여 상기 제2 가열 유닛의 가열 온도를 제어하는 제어 수단을 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 증기 발생 장치이다.
본 발명은, 처리 용기 내에 처리용 증기를 공급하는 증기 공급 수단과, 액을 함유하는 유체의 생성 수단과, 상기 증기 공급 수단과 유체 생성 수단을 접속하는 관로와, 상기 관로 도중에 배치되어 상기 액을 함유하는 유체를 가열하여 실질적으로 증발시키는 제1 가열 유닛과, 상기 관로 도중에 배치되어 상기 증발한 유체를 소정의 온도까지 가열하여 승온하는 제2 가열 유닛을 구비하는 것을 특징으로 하는 증기 처리 장치이다.
본 발명은, 증기 처리 장치에 있어서, 상기 제1 가열 유닛이, 상기 액을 함유하는 유체를 상기 액의 비점 이상으로 가열할 수 있게 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 증기 처리 장치이다.
본 발명은, 증기 처리 장치에 있어서, 상기 제1 가열 유닛에 의해서 증발한 유체의 온도를 검출하는 제1 온도 검출 수단과, 상기 제2 가열 유닛에 의해서 승온된 증기의 온도를 검출하는 제2 온도 검출 수단과, 상기 제1 온도 검출 수단에 의해서 검출된 온도에 기초하여 상기 제1 가열 유닛의 가열 온도를 제어하는 동시에, 상기 제2 온도 검출 수단에 의해서 검출된 온도에 기초하여 상기 제2 가열 유닛의 가열 온도를 제어하는 제어 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 증기 처리 장치이다.
본 발명은, 컴퓨터에 제어 프로그램을 실행시키는 소프트웨어가 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서, 상기 제어 프로그램은, 실행시에, 액을 함유하는 유체를 실질적으로 증발시키는 기화 공정과, 증발한 유체를 소정의 온도까지 승온하는 승온 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 증기 발생 방법이 실행되도록, 컴퓨터가 증기 발생 장치를 제어하는 것임을 특징으로 하는 증기 발생용 기록 매체이다.
본 발명은, 컴퓨터의 제어 프로그램에 있어서, 상기 제어 프로그램은, 실행시에, 액을 함유하는 유체를 실질적으로 증발시키는 기화 공정과, 증발한 유체를 소정의 온도까지 승온하는 승온 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 증기 발생 방법이 실행되도록, 컴퓨터가 증기 발생 장치를 제어하는 것임을 특징으로 하는 증기 발생용 프로그램이다.
본 발명에 따르면, 피처리체를 수용하는 처리실 내에 증기를 공급하여, 피처리체를 건조시키는 제1 건조 공정을 행한 후, 가열된 불활성 가스를 처리실 내로 공급하여, 피처리체를 건조시키는 제2 건조 공정을 행한다. 제2 건조 공정에 있어서, 제1 건조 공정시의 불활성 가스의 공급량보다 많은 유량의 불활성 가스를 처리실 내로 공급하여 피처리체에 부착된 용제를 제거할 수 있다.
본 발명에 따르면, 제1 건조 공정 후, 혼합 유체 생성 수단의 일차측에 접속하는 분기관을 통해 불활성 가스를 처리실 내로 공급함으로써, 제2 건조 공정에 있어서의 불활성 가스의 유량을 증대시킬 수 있다.
본 발명에 따르면, 혼합 유체 생성 수단에 접속하는 용제 공급관에 개재 설치되는 개폐 밸브의 이차측에, 불활성 가스 공급관으로부터 분기되는 보조 분기관을 접속함으로써, 혼합 유체 생성 수단 내에 잔류하는 용제를 보조 분기관으로부터 공급되는 불활성 가스에 의해서 제거할 수 있다.
본 발명에 따르면, 제1 가열 유닛에 의한 기화 공정에 의해, 액을 함유하는 유체를 가열하여 실질적으로 증발시킨 후, 제2 가열 유닛에 의한 승온 공정에 의해, 증발한 유체를 소정의 온도까지 승온할 수 있다. 이 때, 제1 온도 검출 수단이 제1 가열 유닛에 의해서 증발한 유체의 온도를 검출하고, 그 검출 온도를 제어 수단에 전달하여, 제어 수단으로부터의 제어 신호에 기초하여 제1 가열 유닛의 가열 온도를 제어하는 동시에, 제2 온도 검출 수단이 제2 가열 유닛에 의해서 승온된 증기의 온도를 검출하고, 그 검출 신호를 제어 수단에 전달하여, 제어 수단으로부터의 제어 신호에 기초하여 제2 가열 유닛의 가열 온도를 제어할 수 있다.
본 발명에 따르면, 유체 생성 수단에 의해서 생성되어 관로 안으로 흐르는 액을 함유하는 유체를, 제1 가열 유닛의 기화 공정에 의해 가열하여 실질적으로 증발시킨다. 다음에 제2 가열 유닛의 승온 공정에 의해, 증발한 유체를 소정의 처리 온도까지 승온하고, 처리 온도까지 승온된 증기를 증기 공급 수단에 의해서 처리 용기 내로 공급할 수 있다. 이 때, 제1 온도 검출 수단이 제1 가열 유닛에 의해서 증발한 유체의 온도를 검출하여, 그 검출 온도를 제어 수단으로 전달하고, 제어 수단으로부터의 제어 신호에 기초하여 제1 가열 유닛의 가열 온도를 제어한다. 동시에 제2 온도 검출 수단이 제2 가열 유닛에 의해서 승온된 증기의 온도를 검출하고, 그 검출 신호를 제어 수단에 전달하여, 제어 수단으로부터의 제어 신호에 기초하여 제2 가열 유닛의 가열 온도를 제어할 수 있다.
본 발명에 따르면, 상기한 바와 같이 구성되어 있기 때문에, 다음과 같은 우수한 효과를 얻을 수 있다.
본 발명에 따르면, 피처리체를 수용하는 처리실 내에 증기를 공급하여, 피처리체를 건조시키는 제1 건조 공정을 행한 후, 가열된 불활성 가스를 처리실 내로 공급하여, 피처리체를 건조시키는 제2 건조 공정을 행한다. 제2 건조 공정에 있어서, 제1 건조 공정시의 불활성 가스의 공급량보다 많은 유량의 불활성 가스를 처리실 내로 공급하여 피처리체에 부착된 용제를 제거할 수 있기 때문에, 건조 시간의 단축 및 건조 성능의 향상이 도모되는 동시에, 불활성 가스의 유효 이용을 도모할 수 있다.
본 발명에 따르면, 제1 건조 공정 후, 혼합 유체 생성 수단의 일차측에 접속하는 분기관을 통해 불활성 가스를 처리실 내로 공급함으로써, 제2 건조 공정에 있어서의 불활성 가스의 유량을 증대시킬 수 있기 때문에, 더욱 불활성 가스의 유효 이용을 도모할 수 있는 동시에, 건조 시간의 단축을 도모할 수 있다.
본 발명에 따르면, 혼합 유체 생성 수단에 접속하는 용제 공급관에 개재 설치되는 개폐 밸브의 이차측에, 불활성 가스 공급관으로부터 분기되는 보조 분기관을 접속함으로써, 혼합 유체 생성 수단 내에 잔류하는 용제를 보조 분기관으로부터 공급되는 불활성 가스에 의해서 제거할 수 있기 때문에, 이후의 건조 공정의 시동시에 용제가 처리실 내로 공급되는 것을 더욱 확실하게 방지할 수 있는 동시에, 처리 정밀도의 향상을 도모할 수 있다.
본 발명에 따르면, 액을 함유하는 유체를 실질적으로 가열하여 증발시킨 후, 증발한 유체를 소정의 온도까지 승온할 수 있기 때문에, 증기 생성 시간의 단축을 도모할 수 있는 동시에, 액분을 함유하지 않고 처리 온도에 알맞은 온도의 증기를 안정적이고 또 효율적으로 생성할 수 있다.
본 발명에 따르면, 제1 가열 유닛에 의해서 증발한 유체의 온도를 검출하는 동시에, 제2 가열 유닛에 의해서 승온된 증기의 온도를 검출하여, 그 검출 온도에 기초하여 제1 가열 유닛의 가열 온도를 제어하는 동시에, 제2 가열 유닛의 가열 온도를 제어하기 때문에, 더욱 증기를 안정적이고 또한 효율적으로 생성할 수 있으 며, 또한, 장치의 신뢰성 향상이 도모된다.
본 발명에 따르면, 유체 생성 수단에 의해서 생성되어 관로 안으로 흐르는 액을 함유하는 유체를 가열하여 실질적으로 증발한 후, 증발된 유체를 소정의 처리 온도까지 승온하여, 증기 공급 수단에 의해서 처리 용기 내로 공급할 수 있기 때문에, 증기 생성 시간의 단축이 도모되는 동시에, 액분을 함유하지 않고 처리 온도에 알맞은 온도의 증기를 안정적이고 또한 효율적으로 생성할 수 있다. 따라서, 증기에 의한 처리 효율의 향상을 도모할 수 있다.
본 발명에 따르면, 제1 가열 유닛에 의해서 증발한 유체의 온도를 검출하는 동시에, 제2 가열 유닛에 의해서 승온된 증기의 온도를 검출하여, 그 검출 온도에 기초하여 제1 가열 유닛의 가열 온도를 제어하는 동시에, 제2 가열 유닛의 가열 온도를 제어하기 때문에, 더욱 증기를 안정적이고 또한 효율적으로 생성할 수 있는 동시에, 처리 효율의 향상을 도모할 수 있고, 또한, 장치 신뢰성의 향상을 도모할 수 있다.
<제1 실시형태>
이하에, 본 발명의 최량의 실시형태를 첨부 도면에 기초하여 상세히 설명한다. 여기서는, 본 발명에 따른 증기 건조 장치를 반도체 웨이퍼의 세정·건조 처리 시스템에 적용한 경우에 관해서 설명한다.
도 1은 상기 세정·건조 처리 시스템의 전체를 도시하는 개략 구성도, 도 2는 본 발명에 있어서의 혼합 유체 생성 수단을 도시하는 개략 단면도이다.
상기 세정·건조 처리 시스템은, 피처리체인 반도체 웨이퍼(W)[이하, 웨이퍼 (W)라 함]를 수용하는 처리실(1a)을 갖는 처리 용기(1)와, 이 처리 용기(1) 내의 웨이퍼(W)를 향하여 건조용의 증기 또는 불활성 가스, 예컨대 질소(N2) 가스를 공급(분사)하는 공급 수단인 공급 노즐(2)과, 증기 용제인 IPA(이소프로필알콜)과 N2 가스의 혼합 유체의 증기를 생성하는 증기 생성 수단인 증기 발생 장치(10)와, IPA와 N2 가스의 혼합 유체, 즉 N2 가스 중에 안개형의 IPA를 혼합한 혼합 유체를 생성하는 혼합 유체 생성 수단인 2 유체 노즐(3)과, 용제 공급원인 IPA 공급원(8)에 접속하는 IPA 액을 저류하는 탱크(4)[이하, IPA 탱크(4)라 함]와, 불활성 가스 공급원인 N2 가스 공급원(5)과, 상기 공급 노즐(2), 증기 발생 장치(10), 2 유체 노즐(3), IPA 탱크(4) 및 N2 가스 공급원(5)을 접속하는 증기 공급관(21), 혼합 유체 공급관(22), N2 가스 공급관(23) 및 IPA 공급관(24)과, N2 가스 공급관(23)과 혼합 유체 공급관(22)을 접속하는 개폐 밸브(V2)를 갖는 분기관(25)과, IPA 공급관(24)에 있어서의 2 유체 노즐(3)측 부근에 개재 설치되는 개폐 밸브(V3)의 이차측과 N2 가스 공급관(23)을 접속하는 보조 분기관(27)을 구비하고 있다.
상기 2 유체 노즐(3)은 도 2에 도시한 바와 같이, N2 가스 공급관(23)에 접속하는 N2 가스 공급로(3a)와, IPA 공급관(24)에 접속하는 IPA 공급로(3b)와, 이들 공급로(3a, 3b) 안을 흐르는 N2 가스와 IPA를 혼합하는 혼합실(3c) 및 혼합실(3c)에 연통되는 동시에 혼합 유체 공급관(22)에 접속하는 혼합 유체 공급로(3d)를 구비하 며, 액상의 IPA를 N2 가스의 유속으로 안개형으로 하여 증기 발생 장치(10)에 공급하도록 구성되어 있다. 이 2 유체 노즐(3)에 있어서의 N2 가스 공급로(3a)에 접속되는 N2 가스 공급관(23)에는 N2 가스 공급원(5)측으로부터 순차적으로 감압 밸브(6), 개폐 밸브(V1), 매스플로우 컨트롤러(MF) 및 필터(F1)가 설치되어 있다. 또한, N2 가스 공급관(23)과 혼합 유체 공급관(22)은 분기관(25)을 통해 접속되어 있고, 이 분기관(25)에는 2 유체 노즐(3)과 병렬되는 개폐 밸브(V2)가 개재 설치되어 있다.
이와 같이, N2 가스 공급관(23)과 혼합 유체 공급관(22)을 분기관(25)을 통해 접속하는 동시에, 분기관(25)에 2 유체 노즐(3)과 병렬되는 개폐 밸브(V2)를 개재 설치함으로써, IPA 건조 처리시(제1 건조 공정시)에는, 개폐 밸브(V2)를 닫아 2 유체 노즐(3)로부터 IPA와 N2 가스의 혼합 유체를 공급한다. N2 가스만에 의한 건조 처리시(제2 건조 공정시)에는, 2 유체 노즐(3)로부터 N2 가스만을 공급하는 동시에, 개폐 밸브(V2)를 열어 분기관(25)으로부터 N2 가스를 공급함으로써 N2 가스를 대량으로 흐르게 할 수 있다. 한편, 개폐 밸브(V2)를 열고 있는 경우, 분기관(25)의 유로 면적은 2 유체 노즐(3)의 유량 면적에 비해 훨씬 크기 때문에, N2 가스의 대부분은 분기관(25)을 통해 흐른다. 즉, 제1 건조 공정시에는, N2 가스 공급원(5)으로부터 2 유체 노즐(3) 및 처리실(1a)에 혼합 유체를 생성하는 데에 알맞은 N2 가스의 유량을 공급한다. 제2 건조 공정시에는, 상기 혼합 유체를 생성하는 데에 알맞은 N2 가스의 유량에 더하여, N2 가스 공급원(5)으로부터 N2 가스 공급관(23)을 통해 분기관(25)을 흐르는 N2 가스를 처리실(1a) 내로 공급한다. 이 때문에, N2 가스 공급원(5)으로부터 공급되는 N2 가스를 적절하게 설정하여, 제1 건조 처리와 제2 건조 처리를 효율적으로 행할 수 있다. 또, 제2 건조 공정시에 있어서, 공급되는 N2 가스의 유량을, 제1 건조 공정시보다 많게 하도록 하더라도 좋다. 한편, 2 유체 노즐(3)의 일차측 혹은 이차측에 도시하지 않는 개폐 밸브를 설치하여, 증기를 생성할 때는 그 개폐 밸브를 열어 두고, N2 가스만을 공급할 때는 개폐 밸브를 닫아 두는 식으로 하여, 2 유체 노즐(3)측의 경로와 분기관(25)측의 경로를 전환하도록 하더라도 좋다. 이에 따라, N2 건조시에 2 유체 노즐(3)에 잔류한 IPA가 처리실(1a) 내로 공급되는 것이 방지된다.
한편, 상기 개폐 밸브(V1, V2, V3)는 제어 수단(제1 제어 수단), 예컨대 중앙 연산 처리 장치(40)[이하, CPU(40)라 함]에 전기적으로 접속되어 있어, CPU(40)로부터의 제어 신호에 기초하여 개폐 제어되도록 구성되어 있다.
또한, 2 유체 노즐(3)에 있어서의 IPA 공급로(3b)는, IPA 공급관(24)을 통해 IPA 탱크(4)의 바닥부에 형성된 토출구(4a)에 접속되어 있다. 이 경우, 토출구(4a)는 2개 형성되어 있으며, 한 쪽의 토출구(4a)에 접속되는 IPA 공급관(24)에 대하여, 다른 쪽의 토출구(4a)에 접속되는 IPA 공급 분기관(24A)이 IPA 공급관(24)의 도중에 접속되어 있다. 그리고, 이 IPA 공급 분기관(24A)과 IPA 공급관(24)에 각각 서로 병렬로 왕복 구동식의 IPA 공급 펌프(PA, PB)가 개재 설치되어 있다. 한편, IPA 공급 분기관(24A)과 IPA 공급관(24)에 있어서의 IPA 공급 펌프(PA, PB)의 이차측(토출측)에는 각각 역지 밸브(Vc)가 개재 설치되어 있고, IPA 공급관(24)에 있어서의 IPA 공급 분기관(24A)과의 접속부의 이차측에는 압력 스위치(PSW)와 필터(F3)가 개재 설치되어 있다. 양 IPA 공급 펌프(PA, PB) 및 압력 스위치(PSW)는 CPU(40)에 전기적으로 접속되어 있으며, CPU(40)로부터의 제어 신호에 기초하여 서로 위상차를 갖고서 작동하도록 구성되어 있다. 이와 같이 양 IPA 공급 펌프(PA, PB)에 위상차를 갖게 하여 작동시킴으로써, IPA의 공급시의 맥동을 억제하는 동시에, IPA의 공급량을 정확하게 할 수 있다. 이 때, 압력 스위치(PSW)에 의해서 IPA 공급펌프(PA, PB)의 압력을 모니터함으로써 유량이 확인된다.
한편, IPA 탱크(4)의 상단과, IPA 탱크(4)의 바닥부에 설치된 드레인구(4b)에 접속하는 탱크 드레인관(27a)에 IPA량 측정용의 관(28)이 접속되어 있다. 이 측정용 관(28)에는 위쪽으로부터 순차적으로, IPA 탱크(4) 내의 IPA의 상한량을 검출하는 상한 센서(Sa), IPA의 적량을 검출하는 적량 센서(Sb), IPA 공급 펌프(PA, PB)의 동작을 체크하는 체크 센서(Sc) 및 하한량을 검출하는 하한 센서(Sd)가 개재 설치되어 있다. 이들 센서(Sa∼Sd)는 CPU(40)에 전기적으로 접속되어 있으며, 센서(Sa∼Sd)에 의해서 검출된 신호가 CPU(40)에 전달되고, CPU(40)로부터의 제어 신호에 기초하여 IPA 공급 펌프(PA, PB)의 작동·정지나 IPA 공급원(8)과 IPA 탱크(4)를 접속하는 공급관(9)에 개재 설치된 개폐 밸브(V0)의 개폐 등이 행해지도록 되어 있다. 한편, 이 경우, 체크 센서(Sc)에는, IPA의 토출 시작에서부터 규정의 통과점까지의 시간을 토출 유량으로부터 계산하여, 확인하는 시퀀스가 내장되어 있다.
또한, IPA 탱크(4)의 상단에는, 오버플로우관(60)이 접속되어 있고, 이 오버플로우관(60)의 도중에, N2 가스 공급관(23)의 N2 가스 공급원(5)측에서 분기된 N2 가스 분기 공급관(23A)이 접속되어 있다. 한편, N2 가스 분기 공급관(23A)에는, N2 가스 공급원(5)측으로부터 순차적으로 감압 밸브(6A), 수동식의 개폐 밸브(Va), 오리피스(7A) 및 필터(F2)가 개재 설치되는 동시에, 오버플로우관(60)의 접속부의 전방(일차측)에는 오리피스(29a)가 개재 설치되어 있다.
이와 같이 구성함으로써, 오버플로우관(60)을 통해 IPA 탱크(4) 내에 항상 N2 가스를 공급할 수 있기 때문에, IPA 탱크(4)로부터 IPA를 토출할 때에 오버플로우관(60)으로부터 오염된 기체가 IPA 탱크(4) 안으로 침입하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 오버플로우관(60) 도중에 N2 가스를 공급함으로써, 다음과 같은 문제를 해결할 수 있다. 즉, IPA 탱크(4)에 직접 N2 가스를 공급하면, IPA 탱크(4) 내의 IPA의 액면의 가스 공간의 IPA 분위기의 농도를 저하시켜, IPA가 휘발되기 쉽게 되어, 낭비를 발생하지만, 오버플로우관(60) 도중에 N2 가스를 공급함으로써, 이러한 문제를 해결할 수 있다.
또한, IPA 공급관(24) 중 2 유체 노즐(3)의 IPA 공급부측 부근에는 개폐 밸브(V3)가 개재 설치되어 있고, 이 개폐 밸브(V3)의 이차측과 2 유체 노즐(3)과의 사이에는 N2 가스 공급관(23)으로부터 분기된 보조 분기관(27)이 접속되어 있다. 이 보조 분기관(27)에는 2 유체 노즐(3)측으로부터 순차적으로 개폐 밸브(V4)와 오리피스(29b)가 개재 설치되어 있다.
이와 같이, IPA 공급관(24) 중 개폐 밸브(V3)의 이차측과 2 유체 노즐(3)과의 사이에, N2 가스 공급관(23)으로부터 분기된 보조 분기관(27)을 접속함으로써, IPA 공급 펌프(PA, PB)에 의한 IPA의 공급이 종료된 후, 2 유체 노즐(3)까지의 IPA 공급관(24) 중에 잔류하는 IPA를 N2 가스로 2 유체 노즐(3)로 보내, IPA 공급관(24) 속에 IPA가 남지 않도록 할 수 있다. 따라서, N2 가스에 의한 건조 처리시에 IPA가 공급될 우려가 없어진다. 한편, 개폐 밸브(V4)는 CPU(40)의 제2 제어 수단에 의해 제어된다.
한편, IPA 공급관(24) 중 개폐 밸브(V3)의 일차측 부근에는, 개폐 밸브(V5)를 개재 설치한 IPA 드레인관(80)이 접속되어 있다. 이 경우, 개폐 밸브(V5) 대신에 안전 밸브를 IPA 드레인관(80)에 개재 설치하더라도 좋다.
또한, 상기 증기 발생 장치(10), 2 유체 노즐(3), IPA 탱크(4), IPA 공급 펌프(PA, PB) 및 이들의 배관류는 외기로부터 차단된 클린룸(70) 내에 배치되어 있고, 클린룸(70) 내에는 N2 가스 공급원(5A)에 접속하는 N2 가스 공급관(23B)을 통해 청정화된 N2 가스가 공급되도록 구성되어 있다(도 1 참조). N2 가스 공급관(23B)에는 N2 가스 공급원(5A)측으로부터 순차적으로 감압 밸브(6B), 수동식의 개폐 밸브 (Vb) 및 오리피스(7B)가 개재 설치되어 있다.
한편, 상기 개폐 밸브(V1, V2, V3) 이외의 개폐 밸브(V0, V4, V5)나 매스플로우 컨트롤러(MF) 등의 기기류도 CPU(40)에 전기적으로 접속되어 있고, CPU(40)로부터의 제어 신호에 기초하여 작동하도록 구성되어 있다.
한편, 증기 발생 장치(10)는 도 3에 도시한 바와 같이, 2 유체 노즐(3)의 토출구에 혼합 유체 공급관(22)을 통해 접속되어, 2 유체 노즐(3)에 의해서 생성된 IPA와 N2 가스의 혼합 유체를 증발시키는 제1 가열 수단인 제1 가열 유닛(11)[이하, 기화 유닛(11)이라 함]과, 기화 유닛(11)에 의해서 증발한 유체를 소정의 처리 온도(예컨대, 150∼200℃)까지 승온하는 제2 가열 수단인 제2 가열 유닛(12)[이하, 승온 유닛(12)이라 함]을 구비하고 있다.
또한, 증기 발생 장치(10)는, 기화 유닛(11)에 의해서 증발한 혼합 유체의 온도를 검출하는 후술하는 제1 온도 검출 수단(31b)[이하, 증발 온도 검출 수단(31b)이라 함]과, 승온 유닛(12)으로 승온된 증기의 온도를 검출하는 후술하는 제2 온도 검출 수단(32c)[이하, 승온 온도 검출 수단(32c)이라 함]과, 증발 온도 검출 수단(31b)이 검출한 온도에 기초하여 기화 유닛(11)을 구성하는 가열 수단의 가열 온도, 즉 후술하는 할로겐 램프(13)의 전류를 제어하는 동시에, 승온 온도 검출 수단(32c)이 검출한 온도에 기초하여 승온 유닛(12)을 구성하는 가열 수단의 가열 온도, 즉 후술하는 할로겐 램프(13)의 전류를 제어하는 CPU(40)를 구비하고 있다.
이 경우, 기화 유닛(11)은 2개의 증기 발생기(15)를 구비하고, 승온 유닛 (12)은 3개의 증기 발생기(15)를 구비하고 있다. 한편, 기화 유닛(11)과 승온 유닛(12)에 있어서의 증기 발생기(15)의 수는 이것에 한정되는 것은 아니다.
증기 발생기(15)는, 가열원으로 광에너지를 이용하고 있고, 이 광에너지를 열에너지로 변환하여 간접적으로 혼합 유체에 열을 전하는 구조로 되어 있다. 즉, 증기 발생기(15)는 도 4에 도시한 바와 같이, 내벽면에 단열재(16)를 고정한 밀폐 통 형상의, 예컨대 스테인리스제의 용기 본체(17)와, 이 용기 본체(17)의 중심축부에 가설되는 가열 수단인 할로겐 램프(13)와, 이 할로겐 램프(13)와의 사이에 간극을 두고서 할로겐 램프(13)를 포위하는 동시에 인접끼리가 서로 접촉하는 나선형을 이루는 스파이럴관(14)을 구비하고 있다. 한편, 스파이럴관(14)의 일단은 용기 본체(17)의 일단측의 측벽을 관통하여 유체의 유입구(14a)를 형성하고, 타단은 용기 본체(17)의 타단측의 측벽을 관통해서 유체의 유출구(14b)를 형성하고 있다. 또한, 스파이럴관(14)은 스테인리스제의 파이프 부재로서 형성되어 있고, 그 표면에는 복사광 흡수용의 흑색 도료(18)[도 8의 (a), (b) 참조]가 도장되어 있다. 이와 같이 스파이럴관(14)의 표면에 복사광 흡수용의 흑색 도료를 도장함으로써, 할로겐 램프(13)로부터 조사된 광이 흑색 도료에 흡수되어 열에너지로 변환되어 스파이럴관(14)을 통해 간접적으로 스파이럴관(14) 안을 흐르는 유체에 균일하고 또 효율적으로 열전도할 수 있다.
한편, 용기 본체(17)의 일단측의 측벽에는, N2 가스 공급구(17a)가 형성되어 있어, N2 가스 공급원(5A)으로부터 공급되는 N2 가스를 용기 본체(17) 내로 공급함 으로써, 용기 본체(17) 내에 N2 가스를 공급하는 동시에, 외부 분위기, 예컨대 IPA 분위기가 용기 본체(17) 내에 침입하는 것을 방지할 수 있어, 증기 발생기(15)의 안전성 향상이 도모되고 있다.
상기한 바와 같이 구성되는 증기 발생기(15)에 따르면, 유입구(14a)에서 유출구(14b)로 흐르는 N2 가스 중에 안개형의 IPA를 혼합한 혼합 유체를, 할로겐 램프(13)로부터 조사된 광에너지를 흡수하는 흑색 도료와 스파이럴관(14)을 통해 간접적으로 가열한다. 기화 유닛(11)에 있어서는 혼합 유체를 증발하고, 승온 유닛(12)에 있어서는 증발된 혼합 유체를 소정의 처리 온도로 가열할 수 있다.
한편, 기화 유닛(11)을 구성하는 2개의 증기 발생기(15) 중 일차측에 배치되는 증기 발생기(15)의 유입구(14a)는 혼합 유체 공급관(22)을 통해 2 유체 노즐(3)에 접속되고, 유출구(14b)는 제1 접속관(19a)을 통해 이차측에 배치되는 증기 발생기(15)의 유입구(14a)에 접속되어 있다.
또한, 기화 유닛(11)의 이차측에 배치되는 증기 발생기(15)의 유출구(14b)와 승온 유닛(12)의 일차측에 배치되는 증기 발생기(15)의 유입구(14a)는 제2 접속관(19b)을 통해 접속되고, 승온 유닛(12)의 일차측의 증기 발생기(15)의 유출구(14b)와 중간부에 배치되는 증기 발생기(15)의 유출구(14b)는 제3 접속관(19c)을 통해 접속되고, 중간부의 증기 발생기(15)의 유출구(14b)와 승온 유닛(12)의 이차측에 배치되는 증기 발생기(15)의 유입구(14a)는 제4 접속관(19d)을 통해 접속되고 있다.
또한, 증기 발생 장치(10)에 있어서, 제2 접속관(19b)에는 기화 유닛(11)에 있어서의 증기 발생기(15)에 의해 증발한 유체의 온도를 검출하는 증발 온도 검출 수단인 증발 온도 센서(31b)가 개재 설치되어 있다.
또, 승온 유닛(12)의 이차측의 증기 발생기(15)의 유출구(14b)에 접속되는 증기 공급관(21)의 증기 발생기(15)측에는. 증기 발생기(15)에 의해 승온된 증기의 온도를 검출하는 승온 온도 검출 수단인 승온 온도 센서(32c)가 개재 설치되어 있다.
한편, 제1 접속관(19a), 제3 접속관(19c) 및 제4 접속관(19d)에는 각각 모니터용의 온도 센서(31a, 32a 및 32b)가 개재 설치되어 있다.
상기 증발 온도 센서(31b)와 승온 온도 센서(32c)는 CPU(40)에 전기적으로 접속되어 있어, 검출된 온도 정보가 CPU(40)에 전달된다. CPU(40)로부터의 제어 신호에 기초하여 각 증기 발생기(15)의 할로겐 램프(13)에 접속하는 전력 조정기(50A, 50B)가 작동함으로써, 기화 공정 및 승온 공정의 온도가 제어되도록 되어 있다. 즉, 증발 온도 센서(31b)에 의해서 검출된 기화 유닛(11)에 있어서의 온도 정보는 CPU(40)로부터 전류 조정기(50A)에 전달되어 기화 유닛(11)의 할로겐 램프(13)가 제어된다. 또한, 승온 온도 센서(32c)에 의해서 검출된 승온 유닛(12)에 있어서의 온도 정보는 CPU(40)로부터 전류 조정기(50B)에 전달되어 승온 유닛(12)의 할로겐 램프(13)가 제어된다. 이 경우, 기화 유닛(11)에 있어서의 증기 발생기(15)의 할로겐 램프(13)는 증기 용제인 IPA의 비점(82.4℃)보다 약간 높은 온도, 예컨대 IPA의 비점보다 +20℃ 이하, 바람직하게는 +10℃ 이하로 설정되고 있다. 또한, 승온 유닛(12)에 있어서의 증기 발생기(15)의 할로겐 램프(13)는 증발한 증기를 처리 온도(150∼200℃)로 승온하도록 설정되어 있다. 한편, 모니터용 온도 센서(31a, 32a, 32b)에 의해서 검출된 온도 정보는 CPU(40)에 전달되어, CPU(40)로부터의 제어 신호에 기초하여 도시하지 않는 모니터 등에 표시됨으로써, 증기 발생 장치(10)에 있어서의 증기의 상태를 감시할 수 있도록 되어 있다.
상기 CPU(40)는 컴퓨터(100)에 내장되어 있고, 컴퓨터(100)는 CPU(40)에 접속된 입출력부(101)와, 처리 공정을 작성하기 위한 처리 공정 입력 화면을 표시하는 표시부(102)와, 입출력부(101)에 끼워지는 동시에 컴퓨터(100)에 제어 프로그램을 실행시키는 소프트웨어가 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체(103)(기록 매체)가 구비되어 있으며, 제어 프로그램에 기초하여, 실행시에, IPA와 N2 가스를 혼합하여 혼합 유체를 생성하는 혼합 공정과, 혼합 유체를 가열 수단인 기화 유닛(11) 및 승온 유닛(12)으로 가열하여 증기를 생성하는 증기 생성 공정과, 증기 생성 공정에서 생성된 증기를 공급 노즐(2)을 통해 처리실(1a) 내로 공급하여, 웨이퍼(W)를 건조시키는 제1 건조 공정과, N2 가스를 기화 유닛(11) 및 승온 유닛(12)으로 가열하는 가열 공정과, 가열 공정에서 가열된 N2 가스를 공급 노즐(2)을 통해 처리실(1a) 내로 공급하여, 웨이퍼(W)를 건조시키는 제2 건조 공정이 실행되도록, 컴퓨터(100)가 증기 건조 장치를 제어하도록 형성되어 있다.
또한, 제어 프로그램에 기초하여, 제1 건조 공정 후, 2 유체 노즐(3)의 일차측에 접속하는 분기관(25)에 개재 설치되는 개폐 밸브(V2)를 개방하여 N2 가스를 처 리실(1a) 내로 공급하는 공정이 실행되도록, 컴퓨터(100)가 증기 건조 장치를 제어하도록 형성되어 있다.
상기 기록 매체(103)는, 컴퓨터(100)에 고정적으로 설치되는 것, 혹은 컴퓨터(100)에 설치된 판독 장치에 착탈이 자유롭게 끼워져 그 판독 장치에 의해 읽어들일 수 있는 것이라도 좋다. 가장 전형적인 실시형태에 있어서는, 기록 매체(103)는 기판 처리 장치 제조사의 서비스맨에 의해서 제어 소프트웨어가 인스톨된 하드디스크 드라이브이다. 다른 실시형태에 있어서는, 기록 매체(103)는 제어 소프트웨어가 기록된 CD-ROM 또는 DVD-ROM과 같은 읽어내기 전용의 리무버블 디스크이며, 이러한 리무버블 디스크는 컴퓨터(100)에 설치된 광학적 판독 장치에 의해서 읽어들여진다. 기록 매체(103)는 RAM(random access memory) 또는 ROM(read only memory)의 어느 형식의 것이라도 좋고, 또한, 기록 매체(103)는 카셋트식의 ROM과 같은 것이라도 좋다. 요컨대, 컴퓨터의 기술 분야에서 알려져 있는 임의의 것을 기록 매체(103)로서 이용할 수 있다. 한편, 복수의 증기 건조 장치가 배치되는 공장에서는, 각 증기 건조 장치의 컴퓨터(100)를 통괄적으로 제어하는 관리 컴퓨터에 제어 소프트웨어가 저장되어 있더라도 좋다. 이 경우, 각 증기 건조 장치에 통신 회선을 통해 관리 컴퓨터에 의해 주사되어, 소정의 프로세스를 실행한다.
한편, 증기 공급관(21)에는 히터를 지닌 메탈 필터(90)가 개재 설치되어 있고, 이 메탈 필터(90)에 의해서 처리에 들어가게 되는 증기 중의 불순물이 제거되도록 되어 있다.
또한, 기화 유닛(11)과 기화 유닛(12)에 의해서 N2 가스와 IPA의 혼합 유체를 가열하는 혼합 유체 가열 수단이 구성된다. 또한, 이 기화 유닛(11)과 기화 유닛(12)에 의해, N2 가스를 가열하는 불활성 가스 가열 수단이 구성되지만, N2 가스를 독자적인 불활성 가스 가열 수단에 의해 가열하더라도 좋다.
이어서, 증기 건조 장치의 동작 형태에 관해서, 도 1 및 도 5에 도시하는 흐름도를 참조하여 설명한다. 우선, 개폐 밸브(V1)를 열어 N2 가스 공급원(5)으로부터 N2 가스를 N2 가스 공급관(23) 내에 충전한다. 이 형태에서, 개폐 밸브(V0)를 열어 IPA 공급원(8)으로부터 IPA를 IPA 탱크(4) 내로 공급하여 IPA를 저류한다.
이어서, 처리 용기(1) 내에 웨이퍼(W)를 투입하여 린스 처리를 행한다(단계 5-1). 그 후, 증기 발생 장치(10)의 할로겐 램프(13)를 통전하는 동시에, 개폐 밸브(V2)를 열어, 2 유체 노즐(3)을 흐르는 약 100 리터의 N2 가스와 분기관(25)을 흐르는 대량, 예컨대 200 리터의 N2 가스를, 기화 유닛(11) 및 승온 유닛(12)의 증기 발생기(15)를 구성하는 스파이럴관(14) 안을 흐르게 하면서 할로겐 램프(13)로부터의 광에너지에 의해서 가열하고, 가열된 핫 N2 가스를 처리 용기(1) 내로 공급하여 처리 용기(1) 안을 N2 분위기로 치환한다(단계 5-2). 그 후, 개폐 밸브(V2)를 닫아 2 유체 노즐(3)로부터만 약 100 리터의 N2 가스를 공급한다.
이어서, IPA 공급관(24)에 개재 설치된 개폐 밸브(V3)를 여는 동시에, IPA 공급 펌프(PA, PB)를 구동하여 2 유체 노즐(3)에 IPA를 공급한다. 이 때, 체크 센서(Sc)에 의해서 IPA가 적량 공급되고 있는지가 감시된다. 이와 같이 하여 IPA가 공급되면, 2 유체 노즐(3)에 의해서 액상의 IPA가 N2 가스에 혼합되어 혼합 유체가 생성되고(단계 5-3), 혼합 유체 공급관(22)을 통해 증기 발생 장치(10)의 기화 유닛(11)에 공급되며, 기화 유닛(11)의 증기 발생기(15)에 의해서 IPA의 비점(82.4℃)보다 높고 승온 온도보다 낮은 온도, 예컨대 83℃에서 혼합 유체가 증발된다. 증발된 혼합 유체는 이어서 승온 유닛(12)의 증기 발생기(15)에 공급되어, 마찬가지로, 승온 유닛(12)의 증기 발생기(15)에 의해서 처리 온도, 예컨대 200℃까지 승온하여, 용제 증기(IPA 증기)가 생성된다(단계 5-4). 이 때, 증발 온도 센서(31b)와 승온 온도 센서(32c)에 의해서 기화 유닛(11)의 증발 온도가 검출되는 동시에, 증발한 유체의 온도가 검출되고, 그 검출 정보가 CPU(40)에 전달되어, CPU(40)로부터의 제어 신호에 의해서 전류 조정기(50A, 50B)가 제어됨으로써, 증발 온도 및 승온 온도가 적정 온도로 유지된다.
그리고, 증기 발생 장치(10)에 의해서 생성된 IPA 증기는 증기 공급관(21)을 통해 공급 노즐(2)로부터 처리 용기(1) 내의 웨이퍼(W)를 향하여 공급되어, 웨이퍼(W)의 IPA 건조가 행해진다(제1 건조 공정 : 단계 5-5).
IPA 건조를 한 후, IPA 공급 펌프(PA, PB)의 구동을 정지하고, 그 후, 개폐 밸브(V3)를 닫는다. 이어서, 보조 분기관(27)에 개재 설치된 개폐 밸브(V4)를 여는 동시에, IPA 드레인관(80)에 개재 설치된 개폐 밸브(V5)를 열어, IPA 공급관(24)에 있어서의 2 유체 노즐(3)과 개폐 밸브(V3) 사이에 잔류하는 IPA를 N2 가스에 의해서 압출한다(단계 5-6). 이에 따라, 다음 건조 공정의 시동시에 IPA가 처리 용기(1) 내로 공급되는 것을 확실하게 방지할 수 있다.
이어서, 개폐 밸브(V2)를 다시 열어 N2 가스를 분기관(25) 및 2 유체 노즐(3)의 쌍방으로부터 대유량(약 300 리터) 흐르게 하여, N2 가스에 의해서 웨이퍼(W)에 부착되는 IPA를 기화하여 제거한다(제2 건조 공정 : 단계 5-7).
N2 가스에 의한 건조를 행한 후, 증기 발생 장치(10)의 할로겐 램프(13)의 전원을 끊는 동시에, 개폐 밸브(V1)를 닫아 처리를 종료한다.
한편, 상기 실시형태에서는, 본 발명에 따른 증기 건조 장치가, IPA와 N2 가스의 혼합 유체의 증기에 의한 웨이퍼(W)의 건조 장치에 적용되는 경우에 관해서 설명했지만, 본 발명은, 웨이퍼(W) 이외의 피처리체, 예컨대 LCD 유리 기판의 건조 장치에 적용할 수 있다.
<제2 실시형태>
이하에, 본 발명의 최량의 실시형태를 첨부 도면에 기초하여 상세히 설명한다. 여기서는, 본 발명에 따른 증기 처리 장치를 반도체 웨이퍼의 세정·건조 처리 시스템에 적용한 경우에 관해서 설명한다.
도 6은 상기 세정·건조 처리 시스템의 전체를 도시하는 개략 구성도, 도 7은 본 발명에 따른 상기 처리 장치의 주요부를 도시하는 개략 단면도이다.
상기 세정·건조 처리 시스템은, 피처리체인 반도체 웨이퍼(W)[이하, 웨이퍼(W)라 함]를 수용하는 처리실(1a)을 갖는 처리 용기(1)와, 이 처리 용기(1) 내의 웨이퍼(W)를 향하여 건조용 증기를 공급(분사)하는 증기 공급 수단인 증기 공급 노즐(2)과, IPA(이소프로필알콜)와 N2 가스의 혼합 유체의 증기를 생성하는 본 발명에 따른 증기 발생 장치(10)와, IPA와 N2 가스의 혼합 유체, 즉 N2 가스 중에 안개형의 IPA를 혼합한 혼합 유체를 생성하는 혼합 유체 생성 수단인 2 유체 노즐(3)과, IPA 공급원에 접속하는 IPA액을 저류하는 탱크(4)[이하, IPA 탱크(4)라 함]와, N2 가스 공급원(5)과, 상기 증기 공급 노즐(2), 증기 발생 장치(10), 2 유체 노즐(3), IPA 탱크(4) 및 N2 가스 공급원(5)을 접속하는 증기 공급 관로(21), 혼합 유체 공급 관로(22), N2 가스 공급 관로(23) 및 IPA 공급 관로(24)를 구비하고 있다.
상기 증기 발생 장치(10)는 도 7에 도시한 바와 같이, 2 유체 노즐(3)의 토출구(30c)에 혼합 유체 공급 관로(22)를 통해 접속되어, 2 유체 노즐(3)에 의해서 생성된 IPA와 N2 가스의 혼합 유체를 증발하는 제1 가열 유닛(11)[이하, 기화 유닛(11)이라 함]과, 기화 유닛(11)에 의해서 증발한 유체를 소정의 처리 온도(예컨대, 150∼200℃)까지 승온하는 제2 가열 유닛(12)[이하, 승온 유닛(12)이라 함]을 구비하고 있다.
또한, 증기 발생 장치(10)는, 기화 유닛(11)에 의해서 증발한 혼합 유체의 온도를 검출하는 후술하는 제1 온도 검출 수단(31b)[이하, 증발 온도 검출 수단 (31b)이라 함]과, 승온 유닛(12)으로 승온된 증기의 온도를 검출하는 후술하는 제2 온도 검출 수단(32c)[이하, 승온 온도 검출 수단(32c)이라 함]과, 증발 온도 검출 수단(31b)이 검출한 온도에 기초하여 기화 유닛(11)을 구성하는 가열 수단의 가열 온도, 즉 후술하는 할로겐 램프(13)의 전류를 제어하는 동시에, 승온 온도 검출 수단(32c)이 검출한 온도에 기초하여 승온 유닛(12)을 구성하는 가열 수단의 가열 온도, 즉 후술하는 할로겐 램프(13)의 전류를 제어하는 제어 수단(40)[이하, CPU(40)라 함]을 구비하고 있다.
이 경우, 기화 유닛(11)은 2개의 증기 발생기(15)를 구비하고, 승온 유닛(12)은 3개의 증기 발생기(15)를 구비하고 있다. 한편, 기화 유닛(11)과 승온 유닛(12)에 있어서의 증기 발생기(15)의 수는 이것에 한정되는 것은 아니다.
증기 발생기(15)는 가열원으로 광에너지를 이용하고 있고, 이 광에너지를 열에너지로 변환하여 간접적으로 혼합 유체에 열을 전하는 구조로 되어 있다. 즉, 증기 발생기(15)는 도 4에 도시한 바와 같이, 내벽면에 단열재(16)를 고정한 밀폐 통 형상의 예컨대 스테인리스제의 용기 본체(17)와, 이 용기 본체(17)의 중심축부에 가설되는 가열 수단인 할로겐 램프(13)와, 이 할로겐 램프(13)와의 사이에 간극을 두고서 할로겐 램프(13)를 포위하는 동시에 인접끼리 서로 접촉하는 나선형을 이루는 스파이럴관(14)을 구비하고 있다. 한편, 스파이럴관(14)의 일단은 용기 본체(17)의 일단측의 측벽을 관통하여 유체의 유입구(14a)를 형성하고, 타단은 용기 본체(17)의 타단측의 측벽을 관통하여 유체의 유출구(14b)를 형성하고 있다. 또한, 스파이럴관(14)은 스테인리스제의 파이프 부재로 형성되어 있고, 그 표면에는 복사 광 흡수용의 흑색 도료(18)가 도장되어 있다[도 8의 (a), (b) 참조]. 이와 같이 스파이럴관(14)의 표면에 복사광 흡수용의 흑색 도료(18)를 도장함으로써, 할로겐 램프(13)로부터 조사된 광이 흑색 도료(18)에 흡수되어 열에너지로 변환되어 스파이럴관(14)을 통해 간접적으로 스파이럴관(14) 안을 흐르는 유체에 균일하고 또 효율적으로 열전도하는 것이 가능하다.
한편, 용기 본체(17)의 일단측의 측벽에는, N2 가스 공급구(17a)가 설치되어 있고, 후술하는 N2 가스 공급원(5A)으로부터 공급되는 N2 가스를 용기 본체(17) 내로 공급함으로써, 용기 본체(17) 내에 N2 가스를 공급하는 동시에, 외부 분위기, 예컨대 IPA 분위기가 용기 본체(17) 내에 침입하는 것을 방지할 수 있어, 증기 발생기(15)의 안전성의 향상이 도모되고 있다.
상기한 바와 같이 구성되는 증기 발생기(15)에 따르면, 유입구(14a)에서 유출구(14b)로 흐르는 N2 가스 중에 안개형의 IPA를 혼합한 혼합 유체를, 할로겐 램프(13)로부터 조사된 광에너지를 흡수하는 흑색 도료(18)와 스파이럴관(14)을 통해 간접적으로 가열하여, 기화 유닛(11)에 있어서는 혼합 유체를 증발하고, 승온 유닛(12)에 있어서는 증발된 혼합 유체를 소정의 처리 온도로 가열할 수 있다.
한편, 기화 유닛(11)을 구성하는 2개의 증기 발생기(15) 중 일차측에 배치되는 증기 발생기(15)의 유입구(14a)는 혼합 유체 공급 관로(22)를 통해 2 유체 노즐(3)에 접속되고, 유출구(14b)는 제1 접속 관로(19a)를 통해 이차측에 배치되는 증기 발생기(15)의 유입구(14a)에 접속되어 있다.
또한, 기화 유닛(11)의 이차측에 배치되는 증기 발생기(15)의 유출구(14b)와 승온 유닛(12)의 일차측에 배치되는 증기 발생기(15)의 유입구(14a)는 제2 접속관로(19b)를 통해 접속되고, 승온 유닛(12)의 일차측의 증기 발생기(15)의 유출구(14b)와 중간에 배치되는 증기 발생기(15)의 유출구(14b)는 제3 접속 관로(19c)를 통해 접속되고, 중간부의 증기 발생기(15)의 유출구(14b)와 승온 유닛(12)의 이차측에 배치되는 증기 발생기(15)의 유입구(14a)는 제4 접속 관로(19d)를 통해 접속되어 있다.
또한, 증기 발생 장치(10)에 있어서, 제2 접속 관로(19b)에는 기화 유닛(11)에 있어서의 증기 발생기(15)에 의해 증발한 유체의 온도를 검출하는 증발 온도 검출 수단인 증발 온도 센서(31b)가 개재 설치되어 있다.
또한, 승온 유닛(12)의 이차측의 증기 발생기(15)의 유출구(14b)에 접속되는 증기 공급 관로(21)의 증기 발생기(15)측에는 증기 발생기(15)에 의해 승온된 증기의 온도를 검출하는 승온 온도 검출 수단인 승온 온도 센서(32c)가 개재 설치되어 있다.
한편, 제1 접속 관로(19a), 제3 접속 관로(19c) 및 제4 접속 관로(19d)에는 모니터용의 온도 센서(31a, 32a 및 32b)가 개재 설치되어 있다.
상기 증발 온도 센서(31b)와 승온 온도 센서(32c)는 CPU(40)에 전기적으로 접속되어 있어, 검출된 온도 정보가 CPU(40)에 전달된다. CPU(40)로부터의 제어 신호에 기초하여 각 증기 발생기(15)의 할로겐 램프(13)에 접속하는 전력 조정기(50A, 50B)가 작동함으로써, 기화 공정 및 승온 공정의 온도가 제어되도록 되어 있 다. 즉, 증발 온도 센서(31b)에 의해서 검출된 기화 유닛(11)에 있어서의 온도 정보는 CPU(40)로부터 전류 조정기(50A)에 전달되어 기화 유닛(11)의 할로겐 램프(13)가 제어된다. 또한, 승온 온도 센서(32c)에 의해서 검출된 승온 유닛(12)에 있어서의 온도 정보는 CPU(40)로부터 전류 조정기(50B)에 전달되어 승온 유닛(12)의 할로겐 램프(13)가 제어된다. 이 경우, 기화 유닛(11)에 있어서의 증기 발생기(15)의 할로겐 램프(13)는 증기 매체인 IPA의 비점(82.4℃)보다 약간 높은 온도, 예컨대 IPA의 비점보다 +20℃ 이하, 바람직하게는 +10℃ 이하로 설정되고 있다. 또한, 승온 유닛(12)에 있어서의 증기 발생기(15)의 할로겐 램프(13)는 증발한 증기를 처리 온도(150∼200℃)로 승온하도록 설정되어 있다. 한편, 모니터용 온도 센서(31a, 32a, 32b)에 의해서 검출된 온도 정보는 CPU(40)에 전달되어, CPU(40)로부터의 제어 신호에 기초하여 도시하지 않는 모니터 등에 표시됨으로써, 증기 발생 장치(10)에 있어서의 증기의 상태를 감시할 수 있게 되어 있다.
상기 CPU(40)에는, 컴퓨터에 제어 프로그램을 실행시키는 소프트웨어가 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체(기록 매체)가 구비되어 있으며, 제어 프로그램에 기초하여, 실행시에, 액을 함유하는 유체를 실질적으로 증발시키는 기화 공정과, 증발한 유체를 소정의 온도까지 승온하는 승온 공정이 실행되도록, 컴퓨터가 증기 발생 장치(10)를 제어하도록 형성되어 있다.
한편, 증기 공급 관로(21)에는 히터를 지닌 메탈 필터(90)가 개재 설치되어 있어, 이 메탈 필터(90)에 의해서 처리에 들어가게 되는 증기 중의 불순물이 제거되도록 되어 있다.
한편, 2 유체 노즐(3)은, 액상의 IPA를 N2 가스의 유속으로 안개형으로 하여 증기 발생 장치(10)에 공급하도록 구성되어 있다. 이 2 유체 노즐(3)에 있어서의 N2 가스 공급구(30b)는 N2 가스 공급 관로(23)를 통해 N2 가스 공급원(5)에 접속되어 있다. 이 경우, N2 가스 공급 관로(23)에는 N2 가스 공급원(5)측으로부터 순차적으로 감압 밸브(6), 개폐 밸브(V1), 매스플로우 컨트롤러(MF) 및 필터(F1)가 개재 설치되어 있다. 또한, N2 가스 공급 관로(23)와 혼합 유체 공급 관로(22)는 분기관(25)을 통해 접속되어 있고, 이 분기관(25)에는 2 유체 노즐(3)과 병렬되는 개폐 밸브(V2)가 개재 설치되어 있다.
이와 같이, N2 가스 공급 관로(23)와 혼합 유체 공급 관로(22)를 분기관(25)을 통해 접속하는 동시에, 분기관(25)에 2 유체 노즐(3)과 병렬하는 개폐 밸브(V2)를 개재 설치함으로써, IPA 건조 처리시에는, 개폐 밸브(V2)를 닫아 2 유체 노즐(3)로부터 IPA와 N2 가스의 혼합 유체를 공급한다. N2 가스만에 의한 건조 처리시에는, 2 유체 노즐(3)로부터 N2 가스만을 흐르게 하는 동시에, 개폐 밸브(V2)를 열어 분기관(25)으로부터도 N2 가스를 흐르게 함으로써 N2 가스를 대량으로 흐르게 할 수 있다. 따라서, N2 가스에 의한 건조 처리를 효율적으로 행할 수 있다.
또한, 2 유체 노즐(3)에 있어서의 IPA 공급구(30a)는 IPA 공급 관로(24)를 통해 IPA 탱크(4)의 바닥부에 설치된 토출구(4a)에 접속되어 있다. 이 경우, 토출 구(4a)는 2개 형성되어 있으며, 한 쪽의 토출구(4a)에 접속되는 IPA 공급 관로(24)에 대하여, 다른 쪽의 토출구(4a)에 접속되는 IPA 공급 분기 관로(24A)가 IPA 공급 관로(24)의 도중에 접속되어 있다. 그리고, 이 IPA 공급 분기 관로(24A)와 IPA 공급 관로(24)에 각각 서로 병렬로 왕복 구동식의 IPA 공급 펌프(PA, PB)가 개재 설치되어 있다. 한편, IPA 공급 분기 관로(24A)와 IPA 공급 관로(24)에 있어서의 IPA 공급 펌프(PA, PB)의 이차측(토출측)에는 역지 밸브(Vc)가 개재 설치되어 있고, IPA 공급 관로(24)에 있어서의 IPA 공급 분기 관로(24A)와의 접속부의 이차측에는 압력 스위치(PSW)와 필터(F3)가 개재 설치되어 있다. 양 IPA 공급 펌프(PA, PB) 및 압력 스위치(PSW)는 CPU(40)에 전기적으로 접속되어 있어, CPU(40)로부터의 제어 신호에 기초하여 서로 위상차를 갖고서 작동하도록 구성되어 있다. 이와 같이 양 IPA 공급 펌프(PA, PB)에 위상차를 갖게 하여 작동시킬 수 있음으로써, IPA의 공급시의 맥동을 억제하는 동시에, IPA의 공급량을 정확하게 할 수 있다. 이 때, 압력 스위치(PSW)에 의해서 IPA 공급 펌프(PA, PB)의 압력을 모니터함으로써 유량이 확인된다.
한편, IPA 탱크(4)의 상단과, IPA 탱크(4)의 바닥부에 형성된 드레인구(4b)에 접속하는 탱크 드레인 관로(27a)에 IPA량 측정용의 관로(28)가 접속되어 있다. 이 측정용 관로(28)에는 위쪽으로부터 순차적으로, IPA 탱크(4) 내의 IPA의 상한량을 검출하는 상한 센서(Sa), IPA의 적량을 검출하는 적량 센서(Sb), IPA 공급 펌프(PA, PB)의 동작을 체크하는 체크 센서(Sc) 및 하한량을 검출하는 하한 센서(Sd)가 개재 설치되어 있다. 이들 센서(Sa∼Sd)는 CPU(40)에 전기적으로 접속되어 있어, 센서(Sa∼Sd)에 의해서 검출된 신호가 CPU(40)에 전달되고, CPU(40)로부터의 제어 신호에 기초하여 IPA 공급 펌프(PA, PB)의 작동·정지나 IPA 공급원(8)과 IPA 탱크(4)를 접속하는 공급 관로(9)에 개재 설치된 개폐 밸브(VO)의 개폐 등이 행해지도록 되어 있다. 한편 이 경우, 체크 센서(Sc)에는 IPA의 토출 시작에서부터 규정의 통과점까지의 시간을 토출 유량으로부터 계산하여 확인하는 시퀀스가 내장되어 있다.
또한, IPA 탱크(4)의 상단에는, 오버플로우 관로(69)가 접속되어 있으며, 이 오버플로우 관로(60) 도중에, N2 가스 공급 관로(23)의 N2 가스 공급원(5)측에서 분기된 N2 가스 분기 공급 관로(23A)가 접속되어 있다. 한편, N2 가스 분기 공급 관로(23A)에는 N2 가스 공급원(5)측으로부터 순차적으로 감압 밸브(6A), 수동식의 개폐 밸브(Va), 오리피스(7A) 및 필터(F2)가 개재 설치되는 동시에, 오버플로우 관로(60)의 접속부의 전방측(일차측)에는 오리피스(29a)가 개재 설치되어 있다.
이와 같이 구성함으로써, 오버플로우 관로(60)를 통해 IPA 탱크(4) 내에 항상 N2 가스를 공급할 수 있기 때문에, IPA 탱크(4)로부터 IPA를 토출할 때에 오버플로우 관로(60)로부터 오염된 기체가 IPA 탱크(4) 안으로 침입하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 오버플로우 관로(60) 도중에 N2 가스를 공급함으로써, 다음과 같은 문제를 해결할 수 있다. 즉, IPA 탱크(4)에 직접 N2 가스를 공급하면, IPA 탱크(4) 내의 IPA의 액면의 가스 공간의 IPA 분위기의 농도를 내려, IPA가 휘발되기 쉽게 되 어, 낭비가 발생하지만, 오버플로우 관로(60)의 도중에 N2 가스를 공급함으로써, 이러한 문제를 해결할 수 있다.
또한, IPA 공급 관로(24) 중 2 유체 노즐(3)의 IPA 공급구(30a)측 부근에는 개폐 밸브(V3)가 개재 설치되어 있다. 이 경우, IPA 공급 관로(24)에 있어서의 개폐 밸브(V3)와 2 유체 노즐(3) 사이에는, N2 가스 공급 관로(23)로부터 분기된 제2 N2 가스 분기 관로(보조 분기관)(27)가 접속되어 있다. 이 제2 N2 가스 분기 관로(27)에는 2 유체 노즐(3)측으로부터 순차적으로 개폐 밸브(V4)와 오리피스(29b)가 개재 설치되어 있다.
이와 같이, IPA 공급 관로(24) 중 개폐 밸브(V3)와 2 유체 노즐(3) 사이에, N2 가스 공급 관로(23)로부터 분기된 제2 N2 가스 분기 관로(27)를 접속함으로써, IPA 공급 펌프(PA, PB)에 의한 IPA의 공급이 종료된 후, 2 유체 노즐(3)까지의 IPA 공급 관로(24) 중에 잔류하는 IPA를 N2 가스로 2 유체 노즐(3)로 보내어, IPA 공급 관로(24) 중에 IPA가 남지 않도록 할 수 있다. 따라서, N2 가스에 의한 건조 처리시에 IPA가 공급될 우려가 없어진다.
한편, IPA 공급 관로(24) 중 개폐 밸브(V3)의 일차측 부근에는, 개폐 밸브(V5)를 개재 설치한 IPA 드레인 관로(80)가 접속되어 있다. 이 경우, 개폐 밸브(V5) 대신에 안전 밸브를 IPA 드레인 관로(80)에 개재 설치하더라도 좋다.
또한, 상기 증기 발생 장치(10), 2 유체 노즐(3), IPA 탱크(4), IPA 공급 펌 프(PA, PB) 및 이들의 배관류는, 외기로부터 차단된 클린룸(70) 내에 배치되어 있고, 클린룸(70) 내에는 N2 가스 공급원(5A)에 접속하는 N2 가스 공급 관로(23B)를 통해 청정화된 N2 가스가 공급되도록 구성되어 있다(도 6 참조). N2 가스 공급 관로(23B)에는, N2 가스 공급원(5A)측으로부터 순차적으로 감압 밸브(6B), 수동식의 개폐 밸브(Vb) 및 오리피스(7B)가 개재 설치되어 있다.
한편, 상기 개폐 밸브(V0, V1∼V5), 매스플로우 컨트롤러(MF) 등의 기기류는 CPU(40)에 전기적으로 접속되어 있고, CPU(40)로부터의 제어 신호에 기초하여 작동하도록 구성되어 있다.
이어서, 증기 처리 장치의 동작 양태에 관해서 설명한다. 우선, 개폐 밸브(V1)를 열어 N2 가스 공급원(5)으로부터 N2 가스를 N2 가스 공급 관로(23) 내에 충전한다. 이 상태에서, 개폐 밸브(V0)를 열어 IPA 공급원(8)으로부터 IPA를 IPA 탱크(4) 내로 공급하여 IPA를 저류한다.
이어서, 처리 용기(1) 내에 웨이퍼(W)를 투입하여, 린스 처리를 행한 후, 증기 발생 장치(10)의 할로겐 램프(13)를 통전하는 동시에, 개폐 밸브(V2)를 열어, 2 유체 노즐(3)을 흐르는 약 100 리터의 N2 가스와 분기관(25)을 흐르는 대량 예컨대 200 리터의 N2 가스를, 기화 유닛(11) 및 승온 유닛(12)의 증기 발생기(15)를 구성하는 스파이럴관(14) 안을 흐르게 하면서 할로겐 램프(13)로부터의 광에너지에 의해서 가열하고, 가열된 핫 N2 가스를 처리 용기(1) 내로 공급하여 처리 용기(1) 안 을 N2 분위기로 치환한다. 그 후, 개폐 밸브(V2)를 닫아 2 유체 노즐(3)에서만 약 100 리터의 N2 가스를 공급한다.
이어서, IPA 공급 관로(24)에 개재 설치된 개폐 밸브(V3)를 여는 동시에, IPA 공급 펌프(PA, PB)를 구동하여 2 유체 노즐(3)에 IPA를 공급한다. 이 때, 체크센서(Sc)에 의해서 IPA가 적량 공급되고 있는지가 감시된다. 이와 같이 하여 IPA가 공급되면, 2 유체 노즐(3)에 의해서 액상의 IPA가 N2 가스에 혼합되어 혼합 유체가 생성되고, 혼합 유체 공급 관로(22)를 통해 증기 발생 장치(10)의 기화 유닛(11)에 공급되어, 기화 유닛(11)의 증기 발생기(15)에 의해서 IPA의 비점(82.4℃)보다 높고 승온 온도보다 낮은 온도, 예컨대 83℃에서 혼합 유체가 증발된다. 증발된 혼합 유체는, 이어서 승온 유닛(12)의 증기 발생기(15)에 공급되어, 마찬가지로, 승온 유닛(12)의 증기 발생기(15)에 의해서 처리 온도, 예컨대 200℃까지 승온된다. 이 때, 증발 온도 센서(31b)와 승온 온도 센서(32c)에 의해서 기화 유닛(11)의 증발 온도가 검출되는 동시에, 증발한 유체의 온도가 검출되어, 그 검출 정보가 CPU(40)에 전달되고, CPU(40)로부터의 제어 신호에 의해서 전류 조정기(50A, 50B)가 제어됨으로써, 증발 온도 및 승온 온도가 적정 온도로 유지된다.
그리고, 증기 발생 장치(10)에 의해서 생성된 증기는, 증기 공급 관로(21)를 통해 증기 공급 노즐(2)로부터 처리 용기(1) 내의 웨이퍼(W)를 향하여 공급되어, 웨이퍼(W)의 IPA 건조가 행해진다.
IPA 건조를 행한 후, IPA 공급 펌프(PA, PB)의 구동을 정지하고, 그 후, 개 폐 밸브(V3)를 닫는다. 이어서, 제2 N2 가스 공급 분기 관로(27)에 개재 설치된 개폐 밸브(V4)를 여는 동시에, IPA 드레인 관로(80)에 개재 설치된 개폐 밸브(V5)를 열어, IPA 공급 관로(24)에 있어서의 2 유체 노즐(3)과 개폐 밸브(V3) 사이에 잔류하는 IPA를 N2 가스에 의해서 압출한다. 이에 따라, 다음 건조 공정의 시동시에 IPA가 처리 용기(1) 내로 공급되는 것을 확실하게 방지할 수 있다.
이어서, 개폐 밸브(V2)를 다시 열어 N2 가스를 분기 관로(26) 및 2 유체 노즐(3)의 쌍방으로부터 대유량(약 300 리터) 흐르게 하여, N2 가스에 의해서 웨이퍼(W)에 부착되는 IPA를 제거한다.
N2 가스에 의한 건조를 행한 후, 증기 발생 장치(10)의 할로겐 램프(13)의 전원을 끊는 동시에, 개폐 밸브(V1)를 닫아 처리를 종료한다.
한편, 상기 실시형태에서는, 본 발명에 따른 증기 발생 장치 및 증기 처리 장치가, IPA와 N2 가스의 혼합 유체의 증기에 의한 웨이퍼(W)의 건조 장치에 적용되는 경우에 관해서 설명했지만, 본 발명은, 웨이퍼(W) 이외의 피처리체, 예컨대 LCD 유리 기판의 건조 장치에 적용할 수 있다. 또한, IPA와 N2 가스의 혼합 유체 이외의 액을 함유하는 혼합 유체의 증기 발생 장치나 증기 처리 장치에도 적용할 수 있다.
한편, 상기 실시형태에 있어서는, 증기 발생 장치(10)를 구성하는 복수의 증기 발생기(15)를 위에서 아래로 직렬로 접속되어 구성하고 있지만, 시스템 구성에 따라서, 예컨대, 아래에서 위, 좌측에서 우측(우측에서 좌측)으로 접속하여 구성할 수 있다.
그러나, 상기 실시 형태와 같이 아래쪽으로부터 위쪽 방향으로 접속함으로써、전단부의 증기 발생기(15)에 있어서, 가열이 불충분하여 IPA가 증기 발생기(15) 내에서 액화되었다고 해도, 후단의 증기 발생기(15)로 액화된 IPA가 가기 어렵게 되기 때문에, 증기 발생기(15) 내에서 액화된 IPA에 기인한 파티클의 발생도 보다 저감되게 되므로, 파티클을 저감하기 위해서는 보다 바람직하다.
본 발명에 따르면, 피처리체를 수용하는 처리실 내에 증기를 공급하여, 피처리체를 건조시키는 제1 건조 공정을 행한 후, 가열된 불활성 가스를 처리실 내로 공급하여, 피처리체를 건조시키는 제2 건조 공정을 행한다. 제2 건조 공정에 있어서, 제1 건조 공정시의 불활성 가스의 공급량보다 많은 유량의 불활성 가스를 처리실 내로 공급하여 피처리체에 부착된 용제를 제거할 수 있기 때문에, 건조 시간의 단축 및 건조 성능의 향상이 도모되는 동시에, 불활성 가스의 유효 이용을 도모할 수 있다.
본 발명에 따르면, 제1 건조 공정 후, 혼합 유체 생성 수단의 일차측에 접속하는 분기관을 통해 불활성 가스를 처리실 내로 공급함으로써, 제2 건조 공정에 있어서의 불활성 가스의 유량을 증대시킬 수 있기 때문에, 더욱 불활성 가스의 유효 이용을 도모할 수 있는 동시에, 건조 시간의 단축을 도모할 수 있다.
본 발명에 따르면, 혼합 유체 생성 수단에 접속하는 용제 공급관에 개재 설치되는 개폐 밸브의 이차측에, 불활성 가스 공급관으로부터 분기되는 보조 분기관 을 접속함으로써, 혼합 유체 생성 수단 내에 잔류하는 용제를 보조 분기관으로부터 공급되는 불활성 가스에 의해서 제거할 수 있기 때문에, 이후의 건조 공정의 시동시에 용제가 처리실 내로 공급되는 것을 더욱 확실하게 방지할 수 있는 동시에, 처리 정밀도의 향상을 도모할 수 있다.
본 발명에 따르면, 액을 함유하는 유체를 실질적으로 가열하여 증발시킨 후, 증발한 유체를 소정의 온도까지 승온할 수 있기 때문에, 증기 생성 시간의 단축을 도모할 수 있는 동시에, 액분을 함유하지 않고 처리 온도에 알맞은 온도의 증기를 안정적이고 또 효율적으로 생성할 수 있다.
본 발명에 따르면, 제1 가열 유닛에 의해서 증발한 유체의 온도를 검출하는 동시에, 제2 가열 유닛에 의해서 승온된 증기의 온도를 검출하여, 그 검출 온도에 기초하여 제1 가열 유닛의 가열 온도를 제어하는 동시에, 제2 가열 유닛의 가열 온도를 제어하기 때문에, 더욱 증기를 안정적이고 또한 효율적으로 생성할 수 있으며, 또한, 장치의 신뢰성 향상이 도모된다.
본 발명에 따르면, 유체 생성 수단에 의해서 생성되어 관로 안으로 흐르는 액을 함유하는 유체를 가열하여 실질적으로 증발한 후, 증발된 유체를 소정의 처리 온도까지 승온하여, 증기 공급 수단에 의해서 처리 용기 내로 공급할 수 있기 때문에, 증기 생성 시간의 단축이 도모되는 동시에, 액분을 함유하지 않고 처리 온도에 알맞은 온도의 증기를 안정적이고 또한 효율적으로 생성할 수 있다. 따라서, 증기에 의한 처리 효율의 향상을 도모할 수 있다.
본 발명에 따르면, 제1 가열 유닛에 의해서 증발한 유체의 온도를 검출하는 동시에, 제2 가열 유닛에 의해서 승온된 증기의 온도를 검출하여, 그 검출 온도에 기초하여 제1 가열 유닛의 가열 온도를 제어하는 동시에, 제2 가열 유닛의 가열 온도를 제어하기 때문에, 더욱 증기를 안정적이고 또한 효율적으로 생성할 수 있는 동시에, 처리 효율의 향상을 도모할 수 있고, 또한, 장치 신뢰성의 향상을 도모할 수 있다.

Claims (19)

  1. 불활성 가스 공급관으로부터의 불활성 가스와 용제 공급관으로부터의 용제를 혼합 유체 생성 수단으로 혼합하여 혼합 유체를 생성하는 혼합 공정과,
    상기 혼합 유체를 혼합 유체 가열 수단으로 가열하여 증기를 생성하는 증기 생성 공정과,
    상기 증기 생성 공정에서 생성된 증기를 처리실 내로 공급하여, 피처리체를 건조시키는 제1 건조 공정과,
    불활성 가스를 불활성 가스 가열 수단으로 가열하는 가열 공정과,
    상기 가열 공정에서 가열된 불활성 가스를 상기 처리실 내로 공급하여 피처리체를 건조시키는 제2 건조 공정
    을 포함하고, 상기 제1 건조 공정과 제2 건조 공정에 사용하는 불활성 가스의 공급량을 별개로 설정하는 동시에, 제1 건조 공정에 대한 제2 건조 공정시의 불활성 가스의 공급량을 증가시키는 것을 특징으로 하는 증기 건조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 건조 공정 후, 제2 건조 공정에서, 혼합 유체 생성 수단의 일차측에 접속하는 분기관을 통해 불활성 가스를 처리실 내로 공급하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 증기 건조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 혼합 유체 생성 수단에 접속되는 용제 공급관에 개재 설치된 개폐 밸브의 이차측에 불활성 가스를 공급하여, 상기 혼합 유체 생성 수단에 잔류하는 용제를 제거하는 것을 특징으로 하는 증기 건조 방법.
  4. 피처리체를 수용하는 처리실과,
    용제 공급원과,
    불활성 가스 공급원과,
    용제 공급원 및 불활성 가스 공급원에 각각 용제 공급관 및 불활성 가스 공급관을 통해 접속되어, 용제와 불활성 가스의 혼합 유체를 생성하는 혼합 유체 생성 수단과,
    상기 혼합 유체 생성 수단에 의해 생성된 혼합 유체를 혼합 유체 공급관을 통해 받아, 가열 수단으로 가열하여 증기를 생성하는 증기 생성 수단
    을 구비하고, 상기 혼합 유체 생성 수단에 접속된 불활성 가스 공급관과, 혼합 유체 생성 수단에 접속된 혼합 유체 공급관을, 개폐 밸브를 개재 설치한 분기관을 통해 접속하고, 상기 불활성 가스 공급원으로부터 공급되는 불활성 가스를, 상기 분기관 및 상기 혼합 유체 생성 수단을 통해 상기 처리실 내로 공급할 수 있게 한 것을 특징으로 하는 증기 건조 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 혼합 유체 생성 수단에 접속하는 용제 공급관에 개폐 밸브가 설치되고, 이 개폐 밸브의 이차측에, 불활성 가스 공급관으로부터 분기되고 개폐 밸브를 갖는 보조 분기관을 접속하는 것을 특징으로 하는 증기 건조 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 생성 수단으로 생성된 증기의 처리실 안으로의 공급 작용, 상기 분기관의 개폐 밸브의 개폐 작용 및 상기 증기 생성 수단의 가열 수단으로 가열된 불활성 가스의 처리실 안으로의 공급 작용을 제어하는 제1 제어 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 증기 건조 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 보조 분기관의 개폐 밸브를 개폐 제어하는 제2 제어 수단을 더 구비하고, 상기 제2 제어 수단에 의해 상기 보조 분기관의 개폐 밸브를 개방하여, 혼합 유체 생성 수단 내에 잔류하는 용제를 제거할 수 있게 형성되는 것을 특징으로 하는 증기 건조 장치.
  8. 컴퓨터에 제어 프로그램을 실행시키는 소프트웨어가 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서,
    상기 제어 프로그램은, 실행시에, 불활성 가스 공급관으로부터의 불활성 가스와 용제 공급관으로부터의 용제를 혼합 유체 생성 수단으로 혼합하여 혼합 유체를 생성하는 혼합 공정과, 상기 혼합 유체를 혼합 유체 가열 수단으로 가열하여 증기를 생성하는 증기 생성 공정과, 상기 증기 생성 공정에서 생성된 증기를 처리실 내로 공급하여, 피처리체를 건조시키는 제1 건조 공정과, 불활성 가스를 불활성 가스 가열 수단으로 가열하는 가열 공정과, 상기 가열 공정에서 가열된 불활성 가스를 상기 처리실 내로 공급하여 피처리체를 건조시키는 제2 건조 공정을 포함하고, 상기 제1 건조 공정과 제2 건조 공정에 사용하는 불활성 가스의 공급량을 별개로 설정하는 동시에, 제1 건조 공정에 대한 제2 건조 공정시의 불활성 가스의 공급량을 증가시키는 것을 특징으로 하는 증기 건조 방법이 실행되도록, 컴퓨터가 증기 건조 장치를 제어하는 것을 특징으로 하는 증기 건조용 기록 매체.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제어 프로그램은, 실행시에, 제1 건조 공정 후, 제2 건조 공정에서, 혼합 유체 생성 수단의 일차측에 접속하는 분기관을 통해 불활성 가스를 처리실 내로 공급하는 공정이 더 실행되도록, 컴퓨터가 증기 건조 장치를 제어하는 것을 특징으로 하는 증기 건조용 기록 매체.
  10. 액을 함유하는 유체를 실질적으로 증발시키는 기화 공정과,
    증발한 유체를 소정의 온도까지 승온하는 승온 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 증기 발생 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 기화 공정에서, 상기 액을 함유하는 유체를 상기 액의 비점 이상으로 가열하는 것을 특징으로 하는 증기 발생 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 기화 공정에 의해서 증발한 유체의 온도를 검출하고, 그 검출 온도에 기초하여 기화 공정의 가열 온도를 제어하는 동시에, 상기 승온 공정에 의해서 승온된 증기의 온도를 검출하고, 그 검출 온도에 기초하여 승온 공정 의 가열 온도를 제어하는 것을 특징으로 하는 증기 발생 방법.
  13. 액을 함유하는 유체를 가열하여 실질적으로 증발시키는 제1 가열 유닛과,
    증발한 유체를 소정의 온도까지 가열하여 승온하는 제2 가열 유닛
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 증기 발생 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1 가열 유닛은, 상기 액을 함유하는 유체를 상기 액의 비점 이상으로 가열할 수 있도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 증기 발생 장치.
  15. 제13항에 있어서, 상기 제1 가열 유닛에 의해서 증발한 유체의 온도를 검출하는 제1 온도 검출 수단과,
    상기 제2 가열 유닛에 의해서 승온된 증기의 온도를 검출하는 제2 온도 검출 수단과,
    상기 제1 온도 검출 수단에 의해서 검출된 온도에 기초하여 상기 제1 가열 유닛의 가열 온도를 제어하는 동시에, 상기 제2 온도 검출 수단에 의해서 검출된 온도에 기초하여 상기 제2 가열 유닛의 가열 온도를 제어하는 제어 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 증기 발생 장치.
  16. 처리 용기 내에 처리용 증기를 공급하는 증기 공급 수단과,
    액을 함유하는 유체의 생성 수단과,
    상기 증기 공급 수단과 유체 생성 수단을 접속하는 관로와,
    상기 관로 도중에 배치되어 상기 액을 함유하는 유체를 가열하여 실질적으로 증발시키는 제1 가열 유닛과,
    상기 관로 도중에 배치되어 상기 증발한 유체를 소정의 온도까지 가열하여 승온하는 제2 가열 유닛
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 증기 처리 장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제1 가열 유닛은, 상기 액을 함유하는 유체를 상기 액의 비점 이상으로 가열할 수 있도록 형성되는 것을 특징으로 하는 증기 처리 장치.
  18. 제16항에 있어서, 상기 제1 가열 유닛에 의해서 증발한 유체의 온도를 검출하는 제1 온도 검출 수단과,
    상기 제2 가열 유닛에 의해서 승온된 증기의 온도를 검출하는 제2 온도 검출 수단과,
    상기 제1 온도 검출 수단에 의해서 검출된 온도에 기초하여 상기 제1 가열 유닛의 가열 온도를 제어하는 동시에, 상기 제2 온도 검출 수단에 의해서 검출된 온도에 기초하여 상기 제2 가열 유닛의 가열 온도를 제어하는 제어 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 증기 처리 장치.
  19. 컴퓨터에 제어 프로그램을 실행시키는 소프트웨어가 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서,
    상기 제어 프로그램은, 실행시에, 액을 함유하는 유체를 실질적으로 증발시키는 기화 공정과, 증발한 유체를 소정의 온도까지 승온하는 승온 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 증기 발생 방법이 실행되도록, 컴퓨터가 증기 발생 장치를 제어하는 것을 특징으로 하는 증기 발생용 기록 매체.
KR1020060063794A 2005-07-08 2006-07-07 증기 건조 방법, 그 장치, 증기 처리 장치 및 증기 발생용기록 매체 KR101111008B1 (ko)

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TW (1) TW200714843A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11462417B2 (en) 2017-08-18 2022-10-04 Applied Materials, Inc. High pressure and high temperature anneal chamber
US11694912B2 (en) 2017-08-18 2023-07-04 Applied Materials, Inc. High pressure and high temperature anneal chamber

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7637029B2 (en) * 2005-07-08 2009-12-29 Tokyo Electron Limited Vapor drying method, apparatus and recording medium for use in the method
JP4758846B2 (ja) * 2005-11-18 2011-08-31 東京エレクトロン株式会社 乾燥装置、乾燥方法、及び乾燥プログラム、並びに、これらを有する基板処理装置、基板処理方法、及び基板処理プログラム
JP2007273758A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR100786700B1 (ko) * 2006-07-14 2007-12-21 삼성전자주식회사 건조 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
JP4762835B2 (ja) 2006-09-07 2011-08-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、プログラムおよびプログラム記録媒体
US20090087566A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-02 Masahiro Kimura Substrate treating apparatus and substrate treating method
US8701308B2 (en) * 2008-06-02 2014-04-22 Tokyo Electron Limited Fluid heater, manufacturing method thereof, substrate processing apparatus including fluid heater, and substrate processing method
JP4862903B2 (ja) * 2009-03-06 2012-01-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、濾材の再生方法及び記憶媒体
US20120260517A1 (en) * 2011-04-18 2012-10-18 Lam Research Corporation Apparatus and Method for Reducing Substrate Pattern Collapse During Drying Operations
CN102809264A (zh) * 2011-06-01 2012-12-05 微宏动力系统（湖州）有限公司 用于锂离子电池制造的干燥方法
JP6543481B2 (ja) 2015-02-23 2019-07-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 蒸気供給装置、蒸気乾燥装置、蒸気供給方法および蒸気乾燥方法
US10119191B2 (en) * 2016-06-08 2018-11-06 Applied Materials, Inc. High flow gas diffuser assemblies, systems, and methods
US10971354B2 (en) 2016-07-15 2021-04-06 Applied Materials, Inc. Drying high aspect ratio features
US10546762B2 (en) * 2016-11-18 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Drying high aspect ratio features
US11355366B2 (en) * 2018-08-30 2022-06-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems and methods for shuttered wafer cleaning
KR102489739B1 (ko) * 2019-09-26 2023-01-20 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 처리액 공급 방법
US11705345B2 (en) * 2020-04-30 2023-07-18 Edwards Vacuum Llc Semiconductor system with steam generator and reactor

Family Cites Families (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3152872A (en) * 1964-10-13 figure
US1480804A (en) * 1920-09-30 1924-01-15 Wood Products And By Products Process of treating lumber
USRE19986E (en) * 1926-08-30 1936-05-26 Dry cleaning apparatus
US1721686A (en) * 1926-11-22 1929-07-23 Russell Vail N Method of extracting oils from oleaginous materials
US2114776A (en) * 1934-05-02 1938-04-19 Prosperity Co Inc Dry cleaning machine
US2016552A (en) * 1934-06-13 1935-10-08 Mccreery Jesse Dry cleaning apparatus
US2400726A (en) * 1935-09-26 1946-05-21 Howard V Wright Apparatus for treating fabrics
US2369366A (en) * 1941-02-11 1945-02-13 Leo M O'neill Drier and method of drying
US2422536A (en) * 1943-01-11 1947-06-17 William J Finnegan Apparatus for treatment of foods by dehydration or refrigeration comprising trucks and a treating inclosure
US2467435A (en) * 1944-08-25 1949-04-19 Anderson Co V D Solvent recovery distillation system
US2573966A (en) * 1947-02-19 1951-11-06 Us Hoffman Machinery Corp Method of dry cleaning
US2681512A (en) * 1949-04-20 1954-06-22 Us Hoffman Machinery Corp Dry cleaning system
US2818719A (en) * 1952-05-19 1958-01-07 Kermit R Cline Combined washing and drying apparatus
US3018562A (en) * 1958-06-05 1962-01-30 Philco Corp Clothes drying apparatus with moisture condensing means
US2897600A (en) * 1958-08-13 1959-08-04 Robert P Graham Process of dehydrating biological materials
US3131035A (en) * 1960-11-25 1964-04-28 Reginald T Erickson Method of heat recovery from waste gases containing vapor
US3203110A (en) * 1961-05-16 1965-08-31 Fuhring Heinrich Chemical cleaning apparatus
US3212197A (en) * 1961-06-08 1965-10-19 James R Crawford Drying method and apparatus
US3113445A (en) * 1961-11-06 1963-12-10 Whirlpool Co Fabric cleaning apparatus with recovery control means
US3233338A (en) * 1961-12-22 1966-02-08 Burroughs Corp Drying apparatus
US3110544A (en) * 1963-04-05 1963-11-12 Robert J Patch Cleaning method
US3256613A (en) * 1963-04-05 1966-06-21 Robert J Patch Fabric treatment
US3218728A (en) * 1963-04-08 1965-11-23 Fmc Corp Low pressure carrier gas sublimation
US3267701A (en) * 1964-02-12 1966-08-23 Whirlpool Co Fabric conditioner for clothes dryer
US3273256A (en) * 1964-11-02 1966-09-20 Borg Warner Dry cleaning machine
US3516174A (en) * 1968-02-26 1970-06-23 Fedders Corp Control arrangement for dry cleaning machines
US3714719A (en) * 1971-02-01 1973-02-06 Wayne T & Ass Apparatus for desolventizing solvent extracted milled rice and rice bran
US3934354A (en) * 1973-12-17 1976-01-27 Hope Henry F Drying rollers
US4064636A (en) * 1976-01-02 1977-12-27 Delta And Pine Land Company Of Mississippi Apparatus for delinting cottonseed
US4077467A (en) * 1976-01-28 1978-03-07 Spigarelli Donald J Method and apparatus for soldering, fusing or brazing
US4086705A (en) * 1977-04-01 1978-05-02 Wehr Robert L Dry cleaning system with solvent recovery
JPS56100280A (en) * 1979-08-28 1981-08-12 Hideyuki Nishizawa Washing drier for glass small tube
US4319410A (en) * 1980-06-24 1982-03-16 The Brandt Company Dryer system for drilling mud cuttings
US4497121A (en) * 1981-05-04 1985-02-05 Polaroid Corporation Process simulator
US4545134A (en) * 1983-04-01 1985-10-08 The Boc Group, Inc. Dual vessel heat exchange systems
US4685220A (en) * 1983-09-02 1987-08-11 American Toxic Disposal Partners Method and apparatus for separating dioxin from fluidizable solids
FR2556083B1 (fr) * 1983-10-11 1986-04-25 Piezo Ceram Electronique Machine perfectionnee de chauffage d'un article ou produit par condensation de vapeur sur celui-ci
US4635380A (en) * 1984-05-29 1987-01-13 Crown Iron Works Company Method and apparatus for heat treating flowable materials
US4736758A (en) * 1985-04-15 1988-04-12 Wacom Co., Ltd. Vapor drying apparatus
US4640344A (en) * 1986-03-04 1987-02-03 Manco Corporation Self-cleaning, rotary heat exchanger
US4665628A (en) * 1986-03-31 1987-05-19 Raytheon Company Recuperative clothes dryer with enhanced recirculation and air flow
DE3766831D1 (de) * 1986-10-29 1991-01-31 Josef Dipl Ing Merai Verfahren zum entwaessern von abwasserschlamm und anlage zur durchfuehrung des verfahrens.
US5105556A (en) * 1987-08-12 1992-04-21 Hitachi, Ltd. Vapor washing process and apparatus
US4841645A (en) * 1987-12-08 1989-06-27 Micro Contamination Components Industries Vapor dryer
US5020237A (en) * 1989-01-03 1991-06-04 The J. M. Smucker Company Method and apparatus for dehydrating fruit
US5047123A (en) * 1989-06-09 1991-09-10 Hydro-Tek, Inc. Apparatus for clarifying liquids
US4977688A (en) * 1989-10-27 1990-12-18 Semifab Incorporated Vapor device and method for drying articles such as semiconductor wafers with substances such as isopropyl alcohol
US5248393A (en) * 1990-01-31 1993-09-28 S&K Products International, Inc. Solvent reprocessing system
US5081772A (en) * 1990-05-17 1992-01-21 Rochester Midland Corporation Condensation vapor degreaser
AU650045B2 (en) * 1990-09-12 1994-06-09 Lifecell Corporation Method and apparatus for cryopreparation dry stabilization and rehydration of biological suspensions
US5335425A (en) * 1991-08-14 1994-08-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dry-processing apparatus for heating and drying objects to be processed
US5425183A (en) * 1991-12-04 1995-06-20 Vacon Technologies, Inc. Method and apparatus for producing and delivering solvent vapor to vessel interiors for treating residue deposits and coatings
JPH08189768A (ja) * 1994-11-07 1996-07-23 Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk 蒸気乾燥装置、それを組込んだ洗浄装置および蒸気乾燥方法
TW301761B (ko) * 1994-11-29 1997-04-01 Sharp Kk
US5715612A (en) * 1995-08-17 1998-02-10 Schwenkler; Robert S. Method for precision drying surfaces
KR100189779B1 (ko) * 1995-12-04 1999-06-01 윤종용 웨이퍼의 건조장치
KR980012044A (ko) * 1996-03-01 1998-04-30 히가시 데츠로 기판건조장치 및 기판건조방법
JPH10125649A (ja) 1996-10-23 1998-05-15 Tokyo Electron Ltd 蒸気発生装置および該装置の処理液排出方法
US6159360A (en) * 1996-11-22 2000-12-12 Heinkel Industriezentrifugen Gmbh & Co. Invertible filter centrifuge including a solids drier
JP3230051B2 (ja) * 1997-05-16 2001-11-19 東京エレクトロン株式会社 乾燥処理方法及びその装置
JP3897404B2 (ja) * 1997-07-22 2007-03-22 オメガセミコン電子株式会社 ベーパ乾燥装置及び乾燥方法
US5884640A (en) * 1997-08-07 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for drying substrates
JP3194036B2 (ja) * 1997-09-17 2001-07-30 東京エレクトロン株式会社 乾燥処理装置及び乾燥処理方法
US5913981A (en) * 1998-03-05 1999-06-22 Micron Technology, Inc. Method of rinsing and drying semiconductor wafers in a chamber with a moveable side wall
JP3604906B2 (ja) 1998-06-09 2004-12-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び方法
JP3557599B2 (ja) * 1998-08-07 2004-08-25 東京エレクトロン株式会社 蒸気処理装置
US6328809B1 (en) 1998-10-09 2001-12-11 Scp Global Technologies, Inc. Vapor drying system and method
US6272770B1 (en) * 1999-12-15 2001-08-14 American Dryer Corporation Washer/dryer combination with cold water and vacuum
AUPQ737500A0 (en) * 2000-05-08 2000-06-01 Kwik-Zip Pty Ltd Borehole casing centraliser
KR100417040B1 (ko) 2000-08-03 2004-02-05 삼성전자주식회사 웨이퍼를 건조시키기 위한 방법 및 이를 수행하기 위한웨이퍼 건조장치
EP1224021B8 (de) * 2000-09-05 2016-02-24 Hedrich GmbH Vorrichtung zur aufbereitung von transformatoren
JP2003179025A (ja) * 2001-09-27 2003-06-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6763605B2 (en) * 2002-05-31 2004-07-20 Baker Hughes Incorporated Centrifugal drill cuttings drying apparatus
US6918192B2 (en) * 2002-11-07 2005-07-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Substrate drying system
JP3592702B1 (ja) * 2003-08-12 2004-11-24 エス・イー・エス株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
RU2006114770A (ru) * 2003-09-29 2007-11-10 Селф Пропеллед Рисерч энд Дивелопмент Спешелистс,эЛэЛСи (US) Сушильное устройство (варианты), стиральное устройство и сушильная камера (варианты)
TWI240952B (en) 2003-10-28 2005-10-01 Samsung Electronics Co Ltd System for rinsing and drying semiconductor substrates and method therefor
KR100564582B1 (ko) 2003-10-28 2006-03-29 삼성전자주식회사 전자 소자 기판의 표면 처리 장치 및 이를 이용한 표면처리 방법
US20070186340A1 (en) * 2003-11-21 2007-08-16 Brian Gay Coating apparatus and method
US20060236556A1 (en) * 2005-04-25 2006-10-26 Viking Range Corporation Dishwasher drying system
US7637029B2 (en) * 2005-07-08 2009-12-29 Tokyo Electron Limited Vapor drying method, apparatus and recording medium for use in the method
JP4762835B2 (ja) 2006-09-07 2011-08-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、プログラムおよびプログラム記録媒体
US20090077825A1 (en) * 2007-07-17 2009-03-26 Semiconductor Analytical Services, Inc. (Sas Inc.) Apparatus and method for cleaning and drying solid objects
US20090178295A1 (en) * 2008-01-15 2009-07-16 The Dial Corporation Apparatus and methods for treating fabrics in a laundry dryer

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11462417B2 (en) 2017-08-18 2022-10-04 Applied Materials, Inc. High pressure and high temperature anneal chamber
US11469113B2 (en) * 2017-08-18 2022-10-11 Applied Materials, Inc. High pressure and high temperature anneal chamber
US11694912B2 (en) 2017-08-18 2023-07-04 Applied Materials, Inc. High pressure and high temperature anneal chamber

Also Published As

Publication number Publication date
US7637029B2 (en) 2009-12-29
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KR101111008B1 (ko) 2012-04-06
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DE602006005992D1 (de) 2009-05-14
US20070006483A1 (en) 2007-01-11
TW200714843A (en) 2007-04-16

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