KR20060101184A - 무기 전자수송층을 포함하는 양자점 발광 다이오드 - Google Patents

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KR20060101184A
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Abstract

본 발명은 무기 전자수송층을 포함하는 양자점 발광 다이오드에 관한 것으로, 본 발명의 양자점 발광 다이오드는 전자수송층이 무기물로 형성됨으로써 높은 전자 이동 속도와 전자 농도를 제공하여 다이오드의 발광효율을 향상시킬 수 있고, 또한 전극과 유기 전자수송층 간의 계면, 양자점 발광층과 유기 전자수송층 간의 계면에서 유-무기 물질 사이에 발생되는 저항을 방지함으로써 다이오드의 발광효율을 향상시킬 수 있다.
무기 전자수송층, 양자점 발광 다이오드, 유-무기 계면

Description

무기 전자수송층을 포함하는 양자점 발광 다이오드{Quantum Dot Light Emitting Diode Comprising Inorganic Electron Transport Layer}
도 1은 종래기술에 의한 양자점 발광 다이오드의 단면 개략도이고,
도 2는 종래기술에 의한 유-무기 합금층을 이용한 발광 다이오드의 단면 개략도이며,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 무기 전자수송층을 포함하는 양자점 발광 다이오드의 단면 개략도이고,
도 4는 본 발명의 실시예 2에서 수득한 양자점 발광 다이오드의 발광 스펙트럼이며,
도 5는 본 발명의 실시예 2에서 수득한 양자점 발광 다이오드의 전류-전압 특성을 도시한 그래프이고,
도 6은 본 발명의 실시예 2에서 수득한 양자점 발광 다이오드의 전압에 따른 단위 면적 당 빛의 밝기를 측정한 그래프이며, 및
도 7은 본 발명의 실시예 2에서 수득한 양자점 발광 다이오드의 전압에 따른 전류 당 빛의 밝기를 측정한 그래프이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10: 기판 40: 양자점 발광층
20: 양극 50: 무기 전자수송층
30: 정공수송층 60: 음극
본 발명은 무기 전자수송층을 포함하는 양자점 발광 다이오드(Quantum Dot Light Emitting Diode)에 관한 것으로, 보다 상세하게는 양자점 유기 발광 다이오드에서 전자수송층(Electron Transport Layer)으로 사용되는 유기 박막을 무기 박막으로 대체한 하이브리드(hybrid) 구조의 양자점 발광 다이오드에 관한 것이다.
종래의 유기 발광 다이오드는 유리 기판 상에 ITO(Induim Tin Oxide) 등의 투명전극을 형성하고, 그 위에 유기 정공수송층을 형성하며, 전자도전성이 있고 강하게 발광하는 Alq3계로 구성된 유기발광층을 적층하고, 그 위에 MgAg 등의 일함수가 작은 전극을 적층하여 형성되는 것이 일반적이다.
그러나, 기존의 유기발광 다이오드는 발광층이 유기물로 구성되어 있기 때문에 휘도를 높이기 위해서 소자의 전류밀도를 증가시키거나 또는 구동전압을 높여 줄 경우, 유기 발광물질의 분해(degradation)가 일어나 수명이 짧아지는 단점이 있었다. 또한, 청색발광의 구현시 단분자 또는 고분자 유기물 발광층의 분해(degradation)가 쉽게 일어나는 문제점이 있었다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여 미국특허 공개 제2004/0023010호는 도 1과 같은 구조를 갖는 양자점 발광 다이오드를 소개하였다. 즉, 상기 미국 공개특허에 개시된 양자점 발광 다이오드는 기존에 발광층으로 사용된 유기물(다이 또는 형광체) 대신 양자점을 발광층으로 이용한 구조로 구성되어 있다. 상기 미국 공개특허의 양자점 발광 다이오드는 유기물 대신 양자점을 발광층으로 이용함으로써 열 이나 수분으로 인한 열화 및 산화(oxidation) 등에 안정하고, 청색발광을 안정적으로 구현하는 장점이 있었다.
그러나, 상기 양자점 유기발광 다이오드는 양자점 발광층과 유기물(다이 또는 형광체)로 형성된 전자수송층 사이의 유-무기 계면에서 결함(defect)이 쉽게 발생하고, 이로 인해 소자 구동시 안정성이 떨어지는 문제가 발생하였다. 또한, 근본적으로 유기 박막은 전자 전달 속도가 느리고 전자 농도가 작기 때문에 전자수송 효율이 정공(hole) 수송 효율에 비해 떨어지는 단점이 있었다.
한편, 미국 특허 제6,023,073호는 도 2와 같이 유기발광 다이오드 디바이스의 구조에서 정공수송층(Hole Transport Layer) 및 전자수송층 중 어느 한 층 또는 두 층 모두가 기존의 유기 박막 대신 무기물이 유기 박막에 박혀 있거나 분산되어 있는 유-무기 합금으로 구성된 하이브리드 유기발광 다이오드 디바이스를 개시하고 있다.
상기 기술은 유-무기 합금을 채용함으로써 기존의 유기 박막에 비해 전자의 농도를 높여 주고, 또한 전자의 이동도를 빠르게 해 주어 전자 또는 정공 수송 효율의 증대를 기대할 수 있다. 그러나, 발광층으로 유기물을 사용하기 때문에 양자점 유기발광 다이오드에 비해 발광층의 안정성이 떨어지는 문제점이 있었다.
국내특허 공개 제2001-71269호는 전자수송층과 정공수송층을 모두 무기물로 대체한 기술을 개시하고 있다. 그러나, 상기 국내 공개특허의 유기전계발광소자는 무기 전자 수송층이 전극과 유기 발광층 사이에 존재하기 때문에 여전히 유-무기 계면이 존재하여 유무기 계면에서 결함이 발생하기 쉽고, 스퍼터링이나 화학 기상 증착법(Chemical Vapor) 등 기상 증착방법을 사용함으로써 제조비용이 상승되는 문제점이 있는 반면, 본 발명에 의한 양자점 발광 다이오드는 무기 전자 수송층이 상부 전극과 양자점 사이에 존재하므로 유-무기 계면이 존재하지 않고, 제조방법에 있어서도 본 발명의 경우는 용액공정이 가능한 스핀코팅 등의 코팅방법을 사용할 수 있다.
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 극복하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 양자점 유기발광 다이오드에서 전자수송층으로 사용되는 유기 박막을 무기 박막으로 대체함으로써 제조공정이 간단하고 제조비용이 저렴하며, 향상된 발광효율을 나타내는 전기발광 소자를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 하나의 측면은 한 쌍의 전극 사이에 양자점 발광층을 포함하는 양자점 발광 다이오드에 있어서, 상기 양자점 발광 다이오드가 양자점 발광층과 상부 전극 사이에 무기 전자수송층을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드에 관련된다.
이하, 본 발명에 관하여 보다 상세하게 설명하기로 한다.
본 발명에 의한 양자점 발광 다이오드는 기존의 양자점 유기발광 다이오드가 정공수송층 및 전자수송층이 모두 유기물로 구성하였던 것과 비교하여 전자수송층으로 무기 박막을 채용하는 것을 특징으로 한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 양자점 발광 다이오드의 개략도이다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 양자점 발광 다이오드는 기판(10) 위에 양극(20), 정공수송층(30), 양자점 발광층(40), 무기 전자 수송층(50) 및 음극(60)을 포함하는 구조를 갖는다. 두 개의 전극 사이에 전압이 인가되면 양극(20)에서는 정공이 정공수송층(30)으로 주입되고, 음극(60)에서는 전자가 전자수송층(50)으로 주입된다. 전자와 정공이 같은 분자에서 만나게 되면 엑시톤이 형성되고, 이 엑시톤이 재결합하면서 발광을 한다.
본 발명의 양자점 발광 다이오드에 사용되는 기판(10)은 통상적으로 사용되는 기판을 사용할 수 있으며, 구체적으로 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리기판 또는 투명 플라스틱 기판이 바람직하다. 더욱 구체적인 예로는 유리기판, 폴리에틸렌테레프탈레이트 기판, 폴리카보네이트 기판 등이 있다.
상기 기판 위에 형성되는 정공의 주입이 용이한 양극(20)의 재료는 전도성 금속 또는 그 산화물로서, 구체적인 예로는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), 니켈(Ni), 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag), 이리듐(Ir) 등을 사용할 수 있다.
정공수송층(30)의 소재로는 통상적으로 사용되는 물질을 모두 사용할 수 있으 며, 구체적으로 PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/PSS(polystyrene)) 유도체, 폴리N-비닐카르바졸(poly-N-vinylcarbazole) 유도체, 폴리페닐렌비닐렌(polyphenylenevinylene) 유도체, 폴리파라페닐렌 (polyparaphenylene) 유도체, 폴리메타크릴레이트(polymethacrylate) 유도체, 폴리 ((9,9-옥틸플루오렌)(poly(9,9-octylfluorene)) 유도체, 폴리(스파이로-플루오렌)(poly(spiro-fluorene)) 유도체, TPD(N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-(1,1'-비페닐)-4,4'-디아민), NPB(N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N-N'-디페닐-벤지딘), m-MTDATA(트리스(3-메틸페닐페닐아미노)-트리페닐아민), TFB(폴리(9,9'-디옥틸플루오렌-co-N-(4-부틸페닐)디페닐아민)) 을 들 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에서 고분자 정공수송층의 두께는 10~100nm가 바람직하다.
본 발명에서 사용가능한 양자점 발광층(40)의 재료는 구체적으로, CdS, CdSe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe 등의 II-VI족 화합물 반도체 나노 결정; GaP, GaAs, InP, InAs 등의 III-V족 화합물 반도체 나노 결정; 또는 PbS, PbSe, PbTe로 구성되는 군에서 선택된다. 또한 상기 양자점들을 ZnS, ZnSe 등과 같은 큰 밴드갭(large bandgap) 물질로 쉘(shell)을 형성한 코어-쉘(core-shell) 결정 등을 선택할 수 있다(예: CdSe/ZnS, CdS/ZnSe, InP/ZnS). 본 발명에서 양자점 발광층의 두께는 3~20nm가 바람직하다.
본 발명의 무기 전자수송층(50)에 사용될 수 있는 무기재료로는 구체적으로, TiO2, ZnO, SiO2, SnO2, WO3, Ta2O3, BaTiO3, BaZrO3, ZrO2, HfO2, Al2O3, Y2O3, ZrSiO4 로 이루어진 군에서 선택된 산화물(oxide); Si3N4와 같은 질화물(nitride); 또는 CdS, ZnSe 및 ZnS로 이루어진 군에서 선택된 반도체(semiconductor)를 예로 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 바람직하게는 TiO2, ZrO2, HfO2 또는 Si3N4이다. 또한, 전자수송층의 두께는 10~100nm 가 바람직하다.
전자 주입을 위한 음극(60)의 재료는 전자 주입이 용이한 일 함수가 작은 금속 또는 그 산화물로서 구체적인 예로는 ITO, Ca, Ba, Ca/Al, LiF/Ca, LiF/Al, BaF2/Al, BaF2/Ca/Al, Al, Mg, Ag:Mg 합금 등을 포함하나, 반드시 이들로 한정되는 것은 아니며, 음극의 두께는 50~200nm인 것이 바람직하다.
본 발명의 양자점 발광 다이오드는 정공이 주입되는 양극(20) 위에 정공수송층(30)을 스핀코팅(spin coating), 캐스팅(casting), 프린팅, 스프레이, 진공증착법, 스퍼터링(sputtering), 화학 기상 증착법(CVD), e-빔 증착(e-beam evaporation)법과 같은 여러 가지 코팅 방법으로 형성하고, 그 위에 양자점 발광층(40)을 기존의 양자점 유기발광 다이오드의 제조방법과 동일한 스핀코팅 등의 코팅 방법으로 형성한다. 또는 유기 고분자 혹은 저분자 정공 수송층은 클로로포름이나 클로로벤젠등의 용매에 녹여서 적당한 양의 양자점 용액과 혼합한 후에 스핀코팅의 방법을 이용하여 정공수송층/양자점의 혼합막 혹은 정공수송층 위에 양자점이 코팅된 구조를 형성한다.
양자점 발광층(40)이 형성되면 그 위에 무기 전자수송층(50)을 형성하는데, 적절한 무기 재료를 선택하여 화학 기상 증착(CVD), 스퍼터링(sputtering), e-빔 증 착(e-beam evaporation), 진공증착법과 같은 기상 코팅법, 또는 보다 저렴하고 저온에서 무기 박막 제조가 가능한 졸-겔(sol-gel)법, 스핀코팅, 프린팅, 캐스팅, 스프레이와 같은 용액 코팅법에 따라 막(film)을 형성하고, 약 50~120℃ 정도의 온도에서 어닐링함으로써 기존의 양자점 발광층(40) 또는 유기물로 제조된 정공수송층(30)의 결함 없이 결정성을 갖는 무기 전자수송층을 형성할 수 있다. 최종적으로 무기 전자수송층 위에 전자가 주입되는 음극(60)을 적층한다.
본 발명의 양자점 발광 다이오드는 상기와 같이 양극(20), 정공수송층(30), 양자점 발광층(40), 무기 전자수송층(50), 음극(60)의 순으로 제작할 수 있으나, 당업자에게 잘 알려져 있는 바와 같이, 음극(60), 무기 전자수송층(50), 양자점 발광층(40), 정공수송층(30), 양극(20) 순으로도 제작할 수 있다.
또한, 본 발명의 양자점 발광 다이오드에서 무기 전자수송층 이외의 제작은 특별한 장치나 방법을 필요로 하지 않으며, 양자점을 발광재료로 사용한 통상의 양자점 발광 다이오드의 제작방법에 따라 제작될 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예는 설명의 목적을 위한 것으로, 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다.
제조예 : CdS 양자점 제조
트리옥틸아민(trioctyl amine) 용매 2.5ml를 환류 냉각기(reflux condensor)가 설치된 25ml 플라스크에서 교반하면서 온도를 180℃로 조절하였다. 카드뮴 디티오 디에틸 카바메이트(cadmium dithio diethyl carbamate) 50mg을 트리옥틸 포스핀(trioctyl phosphine) 0.9ml에 녹이고, 이것을 용매에 빠르게 주입하였다. 반응 시간이 약 10분 정도 경과한 후에 아연 디티오 디에틸 카바메이트(zinc dithio diethyl carbamate) 20mg를 트리옥틸 포스핀 0.3ml에 녹인 용액을 한방울씩 천천히 가하였다. 아연 디티오 디에틸 카바메이트를 첨가하고 약 5분 후에 반응기의 온도를 낮추고, 에탄올을 더하여 반응을 종료(quenching)시켰다. 원심 분리를 하여 합성된 양자점을 분리하여 톨루엔 용매에 분산시켰다.
실시예 1 : 양자점 발광 다이오드의 제조
유리 기판 위에 ITO가 패턴 되어있는 기판을 중성세제, 탈이온수, 물, 이소프로필알콜 등의 용매를 사용하여 순차적으로 세정한 다음, UV-오존 처리를 하였다. ITO 기판 위에 정공수송층인 TPD와 양자점 박막을 형성하였다. 즉, TPD(N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-(1,1'-비페닐)-4,4'-디아민)을 클로로포름 용매에 녹여, 1wt% 농도로 만들고 상기 제조예에서 합성한 CdS 양자점을 클로로포름 용매에 1wt%로 분산시켜 제조한 용액을 TPD 용액과 1:1 로 섞은 용액을 준비하였다. 약 2000rpm에서 1분간 스핀 코팅하고, 이를 건조하여 약 45nm 두께의 TPD/양자점 박막을 형성하였다.
완전히 건조시킨 상기 양자점 발광층 상부에 전자수송층인 TiO2를 40nm 정도의 두께로 e-빔 증착(e-beam evaporation) 방법에 의해 코팅하였다. 그 위에 LiF 5nm, 알루미늄을 200nm 두께로 순차적으로 증착하여 전극을 형성하여 양자점 발광 다이오드를 제조하였다.
수득된 양자점 발광 다이오드에 전기장을 인가하면 다이오드 특성을 나타내었고, ITO 측을 플러스, 알루미늄 측을 마이너스에 바이어스 한 경우, 전류가 전압 증가만큼 증가되었으며, 보통 실내에서 발광이 관찰되었다.
실시예 2 : 양자점 발광 다이오드의 제조
패턴이 되어있는 ITO 음극 위에 TiO2 전구체 졸(precursor sol)(DuPont Tyzor, BTP, 2.5wt% in Buthanol)을 질소분위기 하에서 2000rpm으로 30초 동안 스핀 코팅하였다. 질소 분위기하에서 약 5분간 건조한 후 150?에서 15분간 어닐링하여 약 20nm 두께의 무정형(amorphous) TiO2 박막을 형성하였다. 제조된 TiO2 박막 위에 0.3wt% 적색 CdSe/ZnS 코어/쉘 나노결정(Evidot 630nm absorbance)(제조사: Evident Technology 상품명: Evidot Red (CdSe/ZnS))를 2000rpm 에서 30초간 스핀 코팅하고 50?에서 5분간 건조하였다. 유기박막의 증착을 위해 글로브박스(glovebox) 내에 설비 되어진 열 증발기(thermal evaporator)를 이용하여 NPB(N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N-N'-디페닐-벤지딘)를 약 40 nm 두께로 증착하였다. 최종적으로 패턴(pattern)이 되어진 마스크를 이용하여 Au 전극을 약 100nm 두께로 증착하고 밀봉 유리(encap glass)를 이용해 양자점 발광 다이오드를 산소와 수분이 침투하지 못하도록 실링(sealing)한 후에 글로브박스에서 꺼내어 다이오드의 특성 을 측정하였다.
도 4는 상기 실시예 2에서 제조한 양자점 발광 다이오드의 발광세기를 상온, 상압 조건에서 측정한 한 것으로, 도 4에서 알 수 있는 바와 같이 전압의 세기에 따라 발광의 세기가 증가하는 특성을 갖는 것으로 나타났다. 제조된 소자의 발광면적은 4mm2 이었다.
도 5는 상기 실시예 2에서 제조한 양자점 발광 다이오드의 전류-전압 특성을 상온, 상압 조건에서 측정한 것으로, 도 5에서 알 수 있는 바와 같이 6V~16V 구간에서 전압에 따라 전류가 지수함수적으로 증가하는 특성을 갖는 것으로 나타났다.
도 6은 상기 실시예 2에서 제조한 양자점 발광 다이오드의 전압에 따른 단위 면적당 빛의 밝기를 상온, 상압 조건에서 측정한 것으로, 도 6에서 알 수 있는 바와 같이 전압에 따라 빛의 밝기가 지수함수적으로 증가하고 16v에서 최대 200 Cd/m2의 세기를 갖는 특성을 갖는 것으로 나타났다.
도 7은 상기 실시예 2에서 제조한 양자점 발광 다이오드의 전압에 따른 전류 당 빛의 밝기를 상온, 상압 조건에서 측정한 것으로, 도 7에서 알 수 있는 바와 같이 13V일 때를 기준으로 효율이 증가하다가 감소하는 특성을 갖는 것으로 나타났 다.
이상에서 바람직한 구현예를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 본 발명의 보호범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있으므로, 이러한 다양한 변형예도 본 발명의 보호 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
본 발명의 양자점 발광 다이오드에 의하면, 1) 전자 수송층을 기존의 유기 박막 대신 무기 반도체(semiconductor) 또는 산화물(oxide)을 사용함으로써 전자 수송의 속도와 효율을 높이고 소자의 안정성을 증가시키는 효과를 나타낼 수 있다.
2) ITO 기판 위에 차례로 정공 수송층, 양자점 발광층, 전자수송층의 순으로 박막을 제조할 경우, 무기 박막의 제조로 인해 기존 양자점 발광 다이오드 디바이스 또는 유기 발광 다이오드 디바이스에서 패키징(packaging)을 제공해주는 효과를 가질 수 있으므로, 소자의 안정성 향상과 더불어 공정을 단순화시킬 수 있어 제작비용의 절감효과를 갖는다.
3) 기존 유기 전자수송층과 무기 발광층간의 유-무기 계면 및 상부전극과 전자수송층 간의 유-무기 계면이 무기-무기 계면의 구조로 대체됨으로써 유-무기 계면에 근본적으로 존재하는 계면저항을 줄여 소자의 효율을 증가시키는 효과를 기대할 수 있다.
4) 무기 전자수송층의 제조방법이 용액공정이 가능한(solution processible)한 졸-겔(sol-gel)법을 이용하고 150℃ 이하의 소결 온도에서 결정화가 가능하므로 저렴한 가격의 대면적의 소자제작 공정이 기능하다.

Claims (6)

  1. 한 쌍의 전극 사이에 양자점 발광층을 포함하는 양자점 발광 다이오드에 있어서, 상기 양자점 발광 다이오드가 양자점 발광층과 상부 전극 사이에 무기 전자수송층을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 양자점 발광 다이오드가 기판 위에 양극, 정공수송층, 양자점 발광층, 무기 전자수송층 및 음극을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 무기 전자수송층이 TiO2, ZnO, SiO2, SnO2, WO3, Ta2O3, BaTiO3, BaZrO3, ZrO2, HfO2, Al2O3, Y2O3, ZrSiO4로 이루어진 군에서 선택된 산화물(oxide); Si3N4와 같은 질화물(nitride); 또는 CdS, ZnSe 및 ZnS로 이루어진 군에서 선택된 반도체(semiconductor)로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 양자점 발광층이 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe 등의 II-VI족 화합물 반도체 나노 결정; GaN, GaP, GaAs, InP, InAs 등의 III-V족 화합물 반도체 나노 결정; PbS, PbSe, PbTe, CdSe/ZnS, /ZnSe, InP/ZnS로 구성되는 군에서 선택되는 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  5. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 무기 전자수송층이 졸-겔(sol-gel)법, 스핀코팅, 프린팅, 캐스팅 및 스프레이로 이루어진 군에서 선택되는 용액 코팅법, 또는 화학 기상 증착법(CVD), 스퍼터링(sputtering), e-빔 증착(e-beam evaporation) 및 진공증착법으로 이루어진 군에서 선택되는 기상 코팅법에 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  6. 제 2항에 있어서, 상기 정공수송층이 PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/PSS(polystyrene parasulfonate)) 유도체, 폴리N-비닐카르바졸(poly-N-vinylcarbazole) 유도체, 폴리페닐렌비닐렌(polyphenylenevinylene) 유도체, 폴리파라페닐렌 (polyparaphenylene) 유도체, 폴리메타크릴레이트(polymethaacrylate) 유도체, 폴리 ((9,9-옥틸플루오렌)(poly(9,9-octylfluorene)) 유도체, 폴리(스파이로-플루오렌)(poly(spiro-fluorene)) 유도체로 또는 TPD(N,N'- 디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-(1,1'-비페닐)-4,4'-디아민), NPB(N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N-N'-디페닐-벤지딘), m-MTDATA(트리스(3-메틸페닐페닐아미노)-트리페닐아민), TFB(폴리(9,9'-디옥틸플루오렌-co-N-(4-부틸페닐)디페닐아민))로 이루어진 군에서 선택되는 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100062930A (ko) * 2008-12-01 2010-06-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 조명 장치 및 전자 기기
KR20120061000A (ko) * 2010-10-30 2012-06-12 엘지디스플레이 주식회사 퀀텀 도트 발광소자
KR20120064522A (ko) * 2010-12-09 2012-06-19 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자
KR20140010719A (ko) * 2012-07-16 2014-01-27 삼성전자주식회사 전하응집을 이용한 발광소자 및 그 제조방법
KR20140147983A (ko) * 2013-06-20 2014-12-31 삼성전자주식회사 단일 광자 소자, 단일 광자 방출 전달 장치, 단일 광자 소자의 제조 및 동작 방법
KR20160052764A (ko) * 2008-04-03 2016-05-12 큐디 비젼, 인크. 양자점들을 포함하는 발광 소자
KR20160092129A (ko) * 2015-01-26 2016-08-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR101665450B1 (ko) 2015-05-29 2016-10-13 울산과학기술원 인듐갈륨계 금속 질화물의 양자점을 포함하는 발광소자 및 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 발광장치
US9525148B2 (en) 2008-04-03 2016-12-20 Qd Vision, Inc. Device including quantum dots
KR20170109115A (ko) * 2016-03-17 2017-09-28 삼성디스플레이 주식회사 양자점 발광 소자
WO2020251262A1 (ko) * 2019-06-11 2020-12-17 경북대학교 산학협력단 발광소자 및 이의 제조 방법

Families Citing this family (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5528672B2 (ja) 2005-02-16 2014-06-25 マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー 半導体ナノクリスタルを含む発光デバイス
EP1705959B1 (de) * 2005-03-24 2008-05-07 Schreiner Group GmbH & Co. KG Elektrolumineszenzelement
KR101255232B1 (ko) * 2006-01-27 2013-04-16 삼성디스플레이 주식회사 전자수송층용 조성물, 이로부터 제조된 전자수송층 및전자수송층을 포함하는 유기 전계 발광 소자
WO2007143197A2 (en) 2006-06-02 2007-12-13 Qd Vision, Inc. Light-emitting devices and displays with improved performance
WO2007117672A2 (en) 2006-04-07 2007-10-18 Qd Vision, Inc. Methods of depositing nanomaterial & methods of making a device
WO2007120877A2 (en) * 2006-04-14 2007-10-25 Qd Vision, Inc. Transfer surface for manufacturing a light emitting device
WO2008111947A1 (en) * 2006-06-24 2008-09-18 Qd Vision, Inc. Methods and articles including nanomaterial
US20080001538A1 (en) * 2006-06-29 2008-01-03 Cok Ronald S Led device having improved light output
WO2008033388A2 (en) * 2006-09-12 2008-03-20 Qd Vision, Inc. A composite including nanoparticles, methods, and products including a composite
WO2008063657A2 (en) * 2006-11-21 2008-05-29 Qd Vision, Inc. Light emitting devices and displays with improved performance
US8030664B2 (en) * 2006-12-15 2011-10-04 Samsung Led Co., Ltd. Light emitting device
WO2009014590A2 (en) * 2007-06-25 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Compositions and methods including depositing nanomaterial
WO2009099425A2 (en) 2008-02-07 2009-08-13 Qd Vision, Inc. Flexible devices including semiconductor nanocrystals, arrays, and methods
JP4445556B2 (ja) 2008-02-18 2010-04-07 国立大学法人広島大学 発光素子およびその製造方法
WO2009103124A1 (en) * 2008-02-22 2009-08-27 The University Of Melbourne Semiconductor device including nanocrystals and methods of manufacturing the same
GB2458443A (en) * 2008-02-29 2009-09-23 Univ Dublin City Electroluminescent device
US8044382B2 (en) * 2008-03-26 2011-10-25 Hiroshima University Light-emitting device and method for manufacturing the same
KR101045265B1 (ko) * 2009-05-29 2011-06-29 네오뷰코오롱 주식회사 디스플레이 장치
EP2452372B1 (en) 2009-07-07 2018-12-26 University of Florida Research Foundation, Inc. Stable and all solution processable quantum dot light-emitting diodes
US20110095271A1 (en) * 2009-10-27 2011-04-28 Donal Donat Conor Bradley Hybrid organic light emitting device
KR101097342B1 (ko) 2010-03-09 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 양자점 유기 전계 발광 소자 및 그 형성방법
JP6312433B2 (ja) 2010-05-27 2018-04-18 メルク パテント ゲーエムベーハー フォトルミネセント化合物を備えるアレイを具備する装置
JP5620163B2 (ja) * 2010-06-21 2014-11-05 株式会社日本触媒 有機薄膜電界発光素子、照明装置およびそれに用いられる自己組織化単分子膜材料
CN102031111A (zh) * 2010-12-02 2011-04-27 北京化工大学 指纹显现用水溶性复合InP/ZnS荧光量子点的制备方法
CN102760835B (zh) * 2011-04-27 2015-08-19 苏州大学 有机光伏器件的制作方法
TW201248894A (en) 2011-05-16 2012-12-01 Qd Vision Inc Device including quantum dots and method for making same
EP2541637B1 (de) * 2011-06-30 2022-01-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung mit einer optischen Gitterstruktur und Verfahren zur Herstellung derselben
KR101404919B1 (ko) * 2011-11-08 2014-06-13 건국대학교 산학협력단 전도성 첨가물을 갖는 싸이오펜 고분자 기반 유기 광기전 소자 및 그 제조방법
KR101270968B1 (ko) 2011-12-26 2013-06-11 희성전자 주식회사 발광다이오드 소자
WO2013103440A1 (en) 2012-01-06 2013-07-11 Qd Vision, Inc. Light emitting device including blue emitting quantum dots and method
CN103378299A (zh) * 2012-04-28 2013-10-30 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
JP5994551B2 (ja) * 2012-10-10 2016-09-21 コニカミノルタ株式会社 エレクトロルミネッセンスデバイス
WO2014085469A1 (en) * 2012-11-27 2014-06-05 Massachusetts Institute Of Technology Deposition of semiconductor nanocrystals for light emitting devices
KR20180027643A (ko) * 2013-03-15 2018-03-14 나노코 테크놀로지스 리미티드 광선 요법용 양자점 발광 다이오드
CN104078614A (zh) * 2013-03-29 2014-10-01 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
WO2014209154A1 (en) * 2013-06-27 2014-12-31 Optogan - Organic Lightning Solution, Llc (Optogan-Osr, Llc) Organic light-emitting element with the radiating layer containing quantum dots with modified surface
CN104253247A (zh) * 2014-10-13 2014-12-31 深圳市华星光电技术有限公司 Oled器件的制备方法及其制得的oled器件
CN104241553A (zh) * 2014-10-13 2014-12-24 深圳市华星光电技术有限公司 Oled器件的制备方法及其制得的oled器件
KR101641862B1 (ko) 2014-12-24 2016-07-25 주식회사 나래나노텍 개선된 유기 발광다이오드 및 그 제조 방법
CN104993069A (zh) * 2015-06-09 2015-10-21 宁波工程学院 基于Cu掺杂多元量子点溶液加工发光二极管的构建方法
KR102409391B1 (ko) 2015-10-27 2022-06-15 삼성전자주식회사 양자점을 포함하는 광전자소자
KR102447309B1 (ko) * 2015-12-24 2022-09-26 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
CN105552245B (zh) * 2016-02-18 2017-07-28 京东方科技集团股份有限公司 电致发光器件及其制作方法、显示装置
CN105826482B (zh) * 2016-04-07 2017-12-22 上海大学 绿光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法
KR101812896B1 (ko) 2016-09-26 2017-12-27 경희대학교 산학협력단 용액 공정형 전하 생성 접합을 포함하는 양자점 발광소자 및 그 제조 방법
KR102046602B1 (ko) * 2017-07-31 2019-11-19 이화여자대학교 산학협력단 광전 소자
CN107706315A (zh) * 2017-08-24 2018-02-16 南昌航空大学 一种量子点发光二极管及其制备方法
JP2019071249A (ja) * 2017-10-11 2019-05-09 Dic株式会社 発光素子および画像表示装置
KR102371410B1 (ko) * 2017-10-26 2022-03-04 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드 및 이를 포함하는 발광장치
KR101985102B1 (ko) 2017-10-27 2019-05-31 경희대학교 산학협력단 전하 생성 접합층을 포함하는 박막형 발광소자 및 그 제조 방법
KR101980979B1 (ko) 2017-12-07 2019-05-21 경희대학교 산학협력단 전자 수송층을 포함하는 박막형 발광소자 및 그 제조 방법
WO2019129015A1 (zh) * 2017-12-26 2019-07-04 Tcl集团股份有限公司 一种薄膜及其制备方法与qled器件
CN109980102B (zh) * 2017-12-27 2021-01-29 Tcl科技集团股份有限公司 发光材料及其制备方法和qled器件
US11289667B2 (en) * 2018-02-13 2022-03-29 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device with high electron injection efficiency
KR102191853B1 (ko) 2018-08-16 2020-12-16 동우 화인켐 주식회사 감광성 수지 조성물, 이를 이용하여 제조된 디스플레이 격벽 구조물 및 이를 포함하는 표시장치
KR20200023243A (ko) 2018-08-23 2020-03-04 삼성전자주식회사 양자점 소자 및 양자점
EP3617292A1 (en) 2018-08-30 2020-03-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic device including quantum dots
JP2020072089A (ja) * 2018-10-30 2020-05-07 国立研究開発法人産業技術総合研究所 半導体粒子および電子デバイス
KR102583620B1 (ko) 2018-11-23 2023-09-26 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드 및 이를 포함하는 발광장치
CN111384244B (zh) * 2018-12-27 2021-05-28 Tcl科技集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法
WO2020174604A1 (ja) * 2019-02-27 2020-09-03 シャープ株式会社 発光素子およびそれを用いた表示装置
US11893149B2 (en) * 2019-04-03 2024-02-06 The Johns Hopkins University Flexible transparent membrane light emitting diode array and systems containing the same
CN112289937B (zh) * 2019-07-25 2022-08-23 Tcl科技集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
US11499098B2 (en) 2019-08-29 2022-11-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dots and device including the same
EP3809474B1 (en) 2019-10-18 2023-07-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot light-emitting device and electronic device
US20230157049A1 (en) * 2019-11-14 2023-05-18 Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. Quantum dots light emitting diode, display apparatus, and method of fabricating quantum dots light emitting diode
KR20210076744A (ko) 2019-12-16 2021-06-24 삼성전자주식회사 발광소자와 그 제조방법
CN112331785B (zh) * 2019-12-27 2022-08-30 广东聚华印刷显示技术有限公司 发光器件及其制作方法
CN113122051A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 Tcl集团股份有限公司 量子点墨水及其制备方法、量子点发光二极管
CN113122238A (zh) * 2019-12-31 2021-07-16 Tcl集团股份有限公司 纳米材料及其制备方法、薄膜和发光器件
KR20210149963A (ko) 2020-06-02 2021-12-10 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 이를 포함한 전자 장치 및 이의 제조 방법
KR20220003356A (ko) 2020-07-01 2022-01-10 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
CN113314678B (zh) * 2021-05-28 2024-04-09 北京京东方技术开发有限公司 量子点发光器件、其制作方法及显示装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5537000A (en) * 1994-04-29 1996-07-16 The Regents, University Of California Electroluminescent devices formed using semiconductor nanocrystals as an electron transport media and method of making such electroluminescent devices
KR100332186B1 (ko) * 1995-11-28 2002-05-09 포만 제프리 엘 유기전자발광소자를향상시키기위하여사용된유기/무기합금
JP4486713B2 (ja) * 1997-01-27 2010-06-23 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2000040589A (ja) * 1998-07-22 2000-02-08 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP2000215984A (ja) * 1999-01-26 2000-08-04 Matsushita Electric Works Ltd 有機電界発光素子
JP2000231989A (ja) * 1999-02-10 2000-08-22 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP2000268969A (ja) * 1999-03-17 2000-09-29 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
KR200171269Y1 (ko) 1999-08-24 2000-03-15 김수원 칫솔
US6797412B1 (en) * 2000-04-11 2004-09-28 University Of Connecticut Full color display structures using pseudomorphic cladded quantum dot nanophosphor thin films
JP2005502176A (ja) * 2001-09-04 2005-01-20 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 量子ドットを有するエレクトロルミネセント装置
AU2003218452C1 (en) * 2002-03-29 2009-07-23 Massachusetts Institute Of Technology Light emitting device including semiconductor nanocrystals
JP2004303592A (ja) 2003-03-31 2004-10-28 Mitsubishi Chemicals Corp 電界発光素子及び電界発光素子の製造方法
TW591567B (en) * 2003-06-10 2004-06-11 Ritdisplay Corp Full color display panel with mirror function
JP5528672B2 (ja) * 2005-02-16 2014-06-25 マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー 半導体ナノクリスタルを含む発光デバイス

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190000941A (ko) * 2008-04-03 2019-01-03 삼성 리서치 아메리카 인코포레이티드 양자점들을 포함하는 발광 소자
US10333090B2 (en) 2008-04-03 2019-06-25 Samsung Research America, Inc. Light-emitting device including quantum dots
US9793505B2 (en) 2008-04-03 2017-10-17 Qd Vision, Inc. Light-emitting device including quantum dots
US9525148B2 (en) 2008-04-03 2016-12-20 Qd Vision, Inc. Device including quantum dots
US10164205B2 (en) 2008-04-03 2018-12-25 Samsung Research America, Inc. Device including quantum dots
KR20160052764A (ko) * 2008-04-03 2016-05-12 큐디 비젼, 인크. 양자점들을 포함하는 발광 소자
US9755172B2 (en) 2008-04-03 2017-09-05 Qd Vision, Inc. Device including quantum dots
US11005058B2 (en) 2008-04-03 2021-05-11 Samsung Research America, Inc. Light-emitting device including quantum dots
KR20170121271A (ko) * 2008-04-03 2017-11-01 삼성 리서치 아메리카 인코포레이티드 양자점들을 포함하는 발광 소자
KR20100062930A (ko) * 2008-12-01 2010-06-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 조명 장치 및 전자 기기
KR20120061000A (ko) * 2010-10-30 2012-06-12 엘지디스플레이 주식회사 퀀텀 도트 발광소자
KR20120064522A (ko) * 2010-12-09 2012-06-19 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자
KR20140010719A (ko) * 2012-07-16 2014-01-27 삼성전자주식회사 전하응집을 이용한 발광소자 및 그 제조방법
KR20140147983A (ko) * 2013-06-20 2014-12-31 삼성전자주식회사 단일 광자 소자, 단일 광자 방출 전달 장치, 단일 광자 소자의 제조 및 동작 방법
KR20160092129A (ko) * 2015-01-26 2016-08-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR101665450B1 (ko) 2015-05-29 2016-10-13 울산과학기술원 인듐갈륨계 금속 질화물의 양자점을 포함하는 발광소자 및 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 발광장치
US9947828B2 (en) 2016-03-17 2018-04-17 Samsung Display Co., Ltd. Quantum dot light-emitting device
US10283672B2 (en) 2016-03-17 2019-05-07 Samsung Display Co., Ltd. Quantum dot light-emitting device
US11024765B2 (en) 2016-03-17 2021-06-01 Samsung Display Co., Ltd. Quantum dot light-emitting device
US10658542B2 (en) 2016-03-17 2020-05-19 Samsung Display Co., Ltd. Quantum dot light-emitting device
KR20170109115A (ko) * 2016-03-17 2017-09-28 삼성디스플레이 주식회사 양자점 발광 소자
WO2020251262A1 (ko) * 2019-06-11 2020-12-17 경북대학교 산학협력단 발광소자 및 이의 제조 방법

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