KR101620870B1 - 표면 개질된 산화아연을 전자전달층 물질로 포함하는 발광 다이오드 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone; PVP)으로 표면 개질된 산화아연(zinc oxide; ZnO)을 전자전달층 물질로 포함하는 발광 다이오드(light-emitting diode; LED) 및 폴리비닐피롤리돈으로 표면 개질된 산화아연을 함유하는 발광 다이오드의 전자전달층 형성용 조성물에 관한 것이다.

Description

표면 개질된 산화아연을 전자전달층 물질로 포함하는 발광 다이오드{Light-emitting diode comprising surface modified zinc oxide as material for electron transport layer}
본 발명은 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone; PVP)으로 표면 개질된 산화아연(zinc oxide; ZnO)을 전자전달층 물질로 포함하는 발광 다이오드(light-emitting diode; LED) 및 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone; PVP)으로 표면 개질된 산화아연(zinc oxide; ZnO)을 함유하는 발광 다이오드의 전자전달층 형성용 조성물에 관한 것이다.
유기 발광 다이오드(OLED)는 1987년 이스트만 코닥사에서 Tang이 최초로 밝힌 후부터 차세대 디스플레이로서 큰 관심을 받아왔다. 초기 OLED는 몇 가지 특징을 갖는데, 다중층 박막 필름구조(100 nm 정도의 두께), 작은 유기분자의 이용, 열진공 증발에 의한 필름 형성 등이 그것이다.
3년 후 고분자 발광 다이오드(PLED)가 캠브리지의 Burroughes 등에 의해 보고되었다. OLED와 PLED 모두 작동 메커니즘은 동일하나, 이들 사이의 주된 차이점은 필름형성 방법이다. PLED의 경우, 유기 박막 필름이 콘쥬게이션 고분자 화합물의 용액공정(스핀코팅)에 의해 제조되며, 이는 간단하고 값싼 용액공정을 통해 전자장치를 제조하는 가능성을 열었다.
한편, 양자점 발광 다이오드(QLED)는 상기 OLED 또는 PLED와 유사한 방식의 디스플레이로, 전통적인 OLED 제조공정을 사용할 수 있으며, 양자효율이 높고 색순도가 뛰어나 차세대 디스플레이로 주목받고 있다.
무기 전도체를 기반으로 하는 발광 다이오드와는 달리, 유기 전자발광 장치들은 대면적에 걸친 증착이 가능할 뿐만 아니라, 가요성(flexible) 또는 비평면성(non-planar) 기재(substrate) 상에도 증착 가능하다. 한편, 이들 발광 소자에 사용되는 유기 분자들은 분해될 수 있으며, 특히 습도 및 산화에 민감하다. 이러한 점에서 양자점은 상기 유기 및 무기 발광 다이오드의 장점을 모두 가질 수 있다는 이점이 있다.
정공전달물질 및 전자전달물질로 구성된 층을 각각 정공전달층(hole transport layer; HTL) 및 전자전달층(electron transport layer; ETL)이라고 한다. 상기 발광 다이오드들은 전술한 특징의 발광층이 정공전달층과 전자전달층 사이에 위치한다. 따라서, 전기장이 인가되면 전자와 정공이 서로 다른 측면으로부터 발광층으로 이동하여 발광물질에 포획되고 재결합함으로써 광자를 방출한다. 그러므로, 각각 정공전달물질 또는 전자전달물질을 통해 발광층으로 이동하는 정공 및 전자가 탈출하거나 소멸되지 않고 좁은 영역에서 효율적으로 재결합하여 광자를 방출하도록 하는 것이 중요하다. 이러한 맥락에서 발광 다이오드의 효율을 높이기 위해서 적절한 정공전달물질 및 전자전달물질을 선택하는 것이 매우 중요하다. 현재 상용화되고 있는 LED에서 HTL 및 ETL은 대부분 유기물질로 구성된다. 따라서, 대부분의 유기 전자발광 물질이 전자보다는 정공의 주입 및 전달을 선호하므로 전자와 정공의 재결합은 캐소드 근처에서 이루어지므로, 정공이 캐소드로 접근하는 것을 방지하기 위하여 전자전달층은 전자가 발광층 쪽으로 전달하되 역으로 정공이 캐소드 쪽으로 전달되는 것을 차단할 수 있어야 한다. 현재 이러한 목적으로 전자전달층에 사용되는 물질은 Alq3, BCP 및 TAZ 등이다.
현재의 LED 개발은 휘도 및 효율을 향상시키되 FWHM(full width at half maximum) 및 턴-온 전압을 낮추고, 증착을 배제하는 용액공정으로 진행할 수 있는 것을 목표로 한다. 이러한 측면에서 LED의 각 층을 구성하는 물질을 적절히 조합하여 선택하는 것이 중요할 뿐만 아니라, 증착을 배재한 용액공정으로 전환을 위해서는 특히 전자전달층을 용액공정으로 제조할 수 있는 방법을 발굴하는 것이 중요하다. 현재의 기술로서 애노드로부터 발광층까지는 용액공정에 의해 제조할 수 있다 하더라도 Alq3 등을 전자전달물질로 사용하는 경우 증착에 의한 도입이 불가피 하다.
본 발명자들은 휘도 및 효율을 향상시키되 용액공정으로 발광 다이오드를 제조할 수 있는 방법을 발굴하고자 예의 연구노력한 결과, 산화아연을 전자전달층 물질로 사용하는 경우 특히, 폴리비닐피롤리돈으로 표면 개질된 산화아연을 사용하는 경우 휘도 및 효율이 현저하게 증가할 뿐만 아니라 용액공정에 의한 전자전달층의 도입이 가능하므로 LED를 제조함에 있어서 증착과정을 배제한 용액공정으로 달성할 수 있음을 확인하고 본 발명을 완성하였다.
본 발명의 제1양태는 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone; PVP)으로 표면 개질된 산화아연(zinc oxide; ZnO)을 전자전달층 물질로 포함하는 발광 다이오드(light-emitting diode; LED)를 제공한다.
본 발명의 제2양태는 폴리비닐피롤리돈으로 표면 개질된 산화아연을 함유하는 발광 다이오드의 전자전달층 형성용 조성물을 제공한다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명에 따라 PVP로 표면 개질된 ZnO를 포함하는 전자전달층은 PVP로 표면 개질되었음에도 불구하고 ZnO의 전기적 특성을 보유하는 동시에 PVP에 의한 표면 개질에 의해 분산도 및 전하이동도가 향상된 것이 특징이다. ZnO는 4.4 eV의 LUMO 준위를 갖는 물질로, 일반적으로 금속 캐소드로 널리 사용되는 Al 전극이 4.3 eV임을 고려할 때, 에너지 주입 장벽이 매우 낮으므로 전자주입층 없이도 직접 전극으로부터 전자를 전달받아 발광층에 전달할 수 있다. 또한, 높은 HOMO 준위로 인해 발광층과의 계면에서 발생할 수 있는 정공의 캐소드로의 전달을 차단할 수 있을 뿐만 아니라 PVP에 의한 표면 개질로 분산성 및 전하이동도가 향상되므로, 휘도 및 효율이 향상된 LED를 제공할 수 있다. 또한, 상기 PVP로 표면 개질된 ZnO를 포함하는 전자전달층은 용액공정에 의해 도입될 수 있으므로, 대면적 또는 가요성 디스플레이의 제조에 유용하게 사용될 수 있다.
본 발명의 PVP로 표면 개질된 ZnO를 전자전달층 물질로 포함하는 발광 다이오드는 바람직하게, 투명 애노드, 정공전달층, 발광층, 전자전달층 및 금속 캐소드 순으로 배열되도록 투명 애노드, 정공전달층, 발광층, 전자전달층 및 금속 캐소드를 추가로 포함할 수 있다. 이때, 상기 정공전달층, 발광층 및/또는 전자전달층은 복수의 물질의 혼합물을 포함하는 단일층이거나, 서로 다른 물질을 포함하는 복수의 층이 에너지 준위를 고려하여 적층된 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 PVP로 표면 개질된 ZnO를 전자전달층 물질로 포함하는 발광 다이오드는 전술한 투명 애노드, 정공전달층, 발광층, 전자전달층 및 금속 캐소드 이외에 투명 애노드 이전에 위치한 투명 기판, 투명 애노드와 정공전달층 사이에 위치한 정공주입층 또는 둘 모두를 추가로 포함할 수 있다.
바람직하게, 본 발명에 따른 PVP로 표면 개질된 ZnO를 전자전달층 물질로 포함하는 발광 다이오드는 효율적인 전자전달을 위하여 일반적인 LED 구성에서 상기 전자전달층과 캐소드 사이에 추가로 포함할 수 있는 전자주입층을 포함하지 않고도 효율적인 LED를 구성할 수 있다.
바람직하게, 상기 발광 다이오드는 유기 발광 다이오드(organic light-emitting diode; OLED), 고분자 발광 다이오드(polymer light-emitting diode; PLED) 또는 양자점 발광 다이오드(quantum dot light-emitting diode; QLED)일 수 있다. 보다 바람직하게, 상기 발광 다이오드는 코어쉘 구조의 CdSe/ZnS 양자점을 발광층에 포함하는 양자점 발광 다이오드일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 양자점을 발광물질로서 포함하는 양자점 발광 다이오드는 일반적인 유기 발광 다이오드와 유사한 작동특성을 나타내되, 유기 분자를 발광물질로 포함하는 유기 발광 다이오드 또는 고분자 발광 다이오드에서 나타날 수 있는 유기 분자가 분해되거나, 수분이나 산화에 특히 민감하여 나타날 수 있는 단점을 극복할 수 있다.
바람직하게, 상기 전자전달층은 ZnO 나노입자를 분산시킨 용액에 소정의 중량비로 PVP를 첨가하고 초음파처리한 용액으로 발광층 상에 성막하여 도입될 수 있으나, LED 제작에 사용되는 당업계에 공지된 전자전달층 도입방법을 제한없이 사용할 수 있다.
나아가, 본 발명은 폴리비닐피롤리돈으로 표면 개질된 산화아연을 함유하는 발광 다이오드의 전자전달층 형성용 조성물을 제공할 수 있다.
상기 조성물은 용액 공정에 적절한 용매를 추가로 포함할 수 있다. 이때 사용가능한 용매의 비제한적인 예로는 에탄올, 메탄올, 물 등이 있다.
바람직하게, 상기 전자전달층은 PVP를 사용한 ZnO의 전체 중량의 1 내지 4중량%로 포함할 수 있다. PVP의 함량이 1중량% 미만인 경우, 원하는 정도의 표면개질효과를 나타낼 수 없다. 한편, PVP의 함량이 4중량% 초과인 경우, 과량의 PVP가 오히려 불순물로 작용하여 향상된 성능(휘도 및/또는 효율)을 다시 감소시킬 수 있으므로 원하는 정도의 최적화된 성능을 달성할 수 없다.
바람직하게, 본 발명에 따른 PVP로 표면 개질된 ZnO를 전자전달층 물질로 포함하는 발광 다이오드는 22,000 내지 35000 cd/m2의 휘도를 가질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 보다 바람직하게는 PVP로 표면을 개질하는 조건 등을 최적화함으로써 보다 높은 휘도를 달성할 수 있다.
또한, 바람직하게, 본 발명에 따른 PVP로 표면 개질된 ZnO를 전자전달층 물질로 포함하는 발광 다이오드는 3 내지 5 cd/A의 효율특성을 나타낼 수 있다. 마찬가지로 표면 개질 조건 등을 최적화함으로써 보다 높은 효율특성을 나타내도록 하는 것이 보다 바람직할 수 있다.
본 발명에 따른 전자전달층 물질인 PVP로 표면 개질된 ZnO는 ZnO의 특성인 캐소드 전극과 유사한 수준의 LUMO 준위로 인해 캐소드로부터의 전자 진입 장벽이 낮아 효율적인 전자전달이 가능한 동시에, 높은 HOMO 준위로 인해 발광층과의 계면에서 발생할 수 있는 정공의 캐소드로의 전달을 차단할 수 있을 뿐만 아니라 PVP에 의한 표면 개질로 분산성 및 전하이동도가 향상되었으므로, 휘도 및 효율이 향상된 LED를 제공할 수 있다. 또한, 상기 PVP로 표면 개질된 ZnO를 포함하는 전자전달층은 용액공정에 의해 도입될 수 있으므로, 대면적 또는 가요성 디스플레이의 제조에 유용하게 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 제조예에 따라 합성된 ZnO 나노입자의 결정방향 및 광흡수특성을 나타낸 도이다. (a)에는 합성된 ZnO 나노입자에 대한 XRD 스펙트럼을, (b)에는 이의 흡수 스펙트럼을 도시하였다.
도 2는 본 발명의 제조예에 따라 합성된 ZnO 나노입자의 TEM 이미지를 나타낸 도이다.
도 3은 전자전달층으로서 Alq3을 도입한 QLED 소자의 휘도 및 효율특성을 나타낸 도이다.
도 4는 전자전달층으로서 ZnO 나노입자를 도입한 QLED 소자의 휘도 및 효율특성을 나타낸 도이다.
도 5는 전자전달층으로서 PVP로 표면개질한 ZnO 나노입자를 도입한 QLED 소자의 휘도 및 효율특성을 나타낸 도이다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명의 구성 및 효과를 더욱 상세히 설명하고자 한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
제조예 1: ZnO 나노입자의 합성 및 구조결정
ZnO 나노입자는 당업계에 공지된 졸-겔(sol-gel) 방식으로 합성하였다, 구체적으로 반응물로서 징크 아세테이트 탈수화물(zinc acetate dehydrate; Zn(Ac)2)을 메탄올에 용해시킨 후 60℃로 가열하고 염기성 물질인 수산화칼륨(potassium hydroxide; KOH) 전구체를 주입하여 약 2시간 동안 반응시켰다. 헥산과 이소프로판올을 첨가하여 합성된 입자를 적하시켰다. ZnO 나노입자의 합성여부를 확인하기 위하여 XRD 및 분광분석법을 이용하여 결정성 및 결정크기를 확인하고, 그 결과를 도 1에 나타내었다. 기존에 보고된 논문(Eric A. Meulenkamp, J. Phys. Chem., 1998)에 보고된 ZnO 나노입자 결정성 및 크기 확인방법을 참고하여 상기 합성된 ZnO 나노입자는 Wurtzite 구조의 결정성 및 3.2 nm 급의 크기를 가짐을 확인하였다. 구체적으로, 상기 합성된 ZnO 나노입자는 (100), (002), (101) 방향 비례를 통해 (100)에 비해 (002)의 크기가 큰 것으로 나타난 것으로부터 Wurtzite 구조임을 확인하였다.
Figure 112014037235357-pat00001

또한 투과전자현미경(TEM)을 이용하여 실제 합성된 입자의 크기 및 분포를 확인하였다(도 2). 그 결과 상기 분광분석법을 이용하여 결정한 바와 같이 3 nm 급의 크기를 갖는 입자가 형성되었음을 확인하였다.
실시예 1: 전자전달층으로서 ZnO 나노입자를 도입한 QLED 의 제조 및 특성분석
당업계에 공지된 소재 및 프로토콜을 이용하여 투명전극/정공주입층/정공전달층/양자점발광층/전자전달층/전자주입층/금속전극 순으로 적층하여 제조한 QLED를 제조하였다. 전자전달층으로서 ZnO 나노입자를 사용하였을 때의 QLED의 성능을 확인하기 위하여, 비교군으로는 전자전달층에 Alq3를 사용하여 ITO/PEDOT:PSS/poly-TPD/QDs/ Alq3 /LiF/Al 순으로 적층된 QLED를 제조하여 사용하고 제1실험군으로는 Alq3을 대신하여 상기 제조예 1에서 합성한 ZnO 나노입자를 전자전달층으로 포함하는 ITO/PEDOT:PSS/poly-TPD/QDs/ ZnO /LiF/Al 순으로 적층된 QLED를 제조하여 각각의 특성을 비교하여 확인하였다. 비교군 및 제1실험군으로부터 측정된 휘도 및 효율특성을 각각 도 3 및 4에 나타내었다. 상기 결과를 수치화하여 비교해보면, ZnO를 사용하지 않은 소자의 경우 약 6,000 cd/m2의 휘도와 1.35 cd/A의 효율특성을 나타내는 반면, ZnO를 사용한 소자의 경우 현저하게 향상된 약 20,000 cd/m2의 휘도와 3 cd/A의 효율특성을 나타내었다. 이는 ZnO의 LUMO 준위는 4.4 eV로 Al 전극이 갖는 4.3 eV와의 차이가 적어 에너지 주입 장벽이 매우 낮은 한편, ZnO의 HOMO 준위는 7.8 eV로 높으므로 주입된 정공을 차단하는 정공차단층으로서의 역할이 가능하므로 양자점 내부로의 전자와 정공의 전하 이동 균형을 유도할 수 있어 발광기여도가 향상된 것으로 유추할 수 있다.
실시예 2: 전자전달층으로서 PVP 로 표면개질한 ZnO 나노입자를 도입한 QLED 의 제조 및 특성분석
QLED 성능에 있어서 표면 개질에 의해 분산도 및 전하이동도를 향상시킨 ZnO 나노입자의 효과를 확인하기 위하여 PVP를 표면 리간드로 사용하여 표면이 PVP로 덮인(capped) ZnO 나노입자를 제조하였다. 상기 실시예 1에서 제1실험군으로 사용한 표면 개질되지 않은 ZnO를 포함하는 QLED에서 ZnO를 PVP로 덮인 ZnO 나노입자로 대체하여 제2실험군 QLED를 제조하였다. 상기 실시예 1에서와 동일한 방법으로 제2실험군 QLED의 성능을 측정하고, 그 결과를 도 5에 나타내었다. 도 5에 나타난 바와 같이, 분산도 및 전하이동도가 향상된, 표면이 PVP로 덮인 ZnO 나노입자를 전자수송층으로 사용한 경우 휘도 및 효율특성이 ZnO를 사용한 제1실험군에 비해 각각 약 20% 정도 향상된 것을 확인하였다.

Claims (11)

  1. 순차적으로 투명전극, 정공주입층, 정공전달층, 양자점발광층, 전자전달층, 전자주입층, 금속전극으로 적층되는 발광 다이오드에 대한 것으로,
    상기 투명전극은 ITO이고, 상기 정공주입층은 PEDOT:PSS이며, 상기 정공전달층은 poly-TPD이고, 상기 양자점발광층은 QDs이며, 상기 전자주입층은 LiF이고, 상기 금속전극은 Al이며,
    상기 전자전달층은 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone; PVP)으로 표면 개질된 산화아연(zinc oxide; ZnO)으로, 상기 PVP를 표면 리간드로 사용하여 표면이 PVP로 덮인(capped) ZnO 나노입자를 전자전달층 물질로 포함하며,
    상기 PVP는 상기 PVP로 덮인 ZnO 나노입자의 전체 중량에 대하여 1 내지 4중량%로 포함되며,
    상기 전자전달층은 ZnO 나노입자를 분산시킨 용액에 PVP를 첨가하고 초음파처리한 용액으로 상기 양자점발광층 상에 용액공정으로 성막하여 도입되고,
    휘도가 22,000 내지 35000 cd/m2이고, 효율특성이 3 내지 5 cd/A인 발광 다이오드(light-emitting diode; LED).
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106876599A (zh) * 2017-03-10 2017-06-20 纳晶科技股份有限公司 无机金属化合物、含其的组合物、器件和装置及制作方法
KR20180000181A (ko) 2016-06-22 2018-01-02 고려대학교 산학협력단 다층 투명전극 및 그 제조방법
KR20180000169A (ko) 2016-06-22 2018-01-02 고려대학교 산학협력단 투명전극
KR102011869B1 (ko) * 2018-07-30 2019-08-19 국민대학교산학협력단 광전변환효율 및 장기안정성이 향상된 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조 방법
US10396306B2 (en) 2017-12-27 2019-08-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Electroluminescent device capable of improving luminous efficiency by preventing a leakage current and improving electron transport properties and a display device including the same
US10535829B1 (en) 2018-07-24 2020-01-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot device and display device
US10749130B2 (en) 2018-03-14 2020-08-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Electroluminescent device, and display device comprising thereof
US11233211B2 (en) 2018-03-14 2022-01-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Electroluminescent device, manufacturing method thereof, and display device comprising the same
US20220037609A1 (en) * 2018-12-11 2022-02-03 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method for manufacturing same

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3613829A1 (en) 2018-08-23 2020-02-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot device and quantum dots
CN109292812A (zh) * 2018-12-04 2019-02-01 淮阴工学院 单分散性ZnO量子点水溶胶的制备方法
US20220173348A1 (en) * 2019-03-06 2022-06-02 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
US11499098B2 (en) 2019-08-29 2022-11-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dots and device including the same
WO2021044634A1 (ja) * 2019-09-06 2021-03-11 シャープ株式会社 表示装置、およびその製造方法
EP3809474B1 (en) 2019-10-18 2023-07-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot light-emitting device and electronic device
KR20210076744A (ko) 2019-12-16 2021-06-24 삼성전자주식회사 발광소자와 그 제조방법
KR20220003356A (ko) 2020-07-01 2022-01-10 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130019937A1 (en) * 2011-07-22 2013-01-24 University Of Florida Research Foundation, Inc. Photovoltaic cell enhancement through uvo treatment

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130019937A1 (en) * 2011-07-22 2013-01-24 University Of Florida Research Foundation, Inc. Photovoltaic cell enhancement through uvo treatment

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180000181A (ko) 2016-06-22 2018-01-02 고려대학교 산학협력단 다층 투명전극 및 그 제조방법
KR20180000169A (ko) 2016-06-22 2018-01-02 고려대학교 산학협력단 투명전극
CN106876599A (zh) * 2017-03-10 2017-06-20 纳晶科技股份有限公司 无机金属化合物、含其的组合物、器件和装置及制作方法
US10396306B2 (en) 2017-12-27 2019-08-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Electroluminescent device capable of improving luminous efficiency by preventing a leakage current and improving electron transport properties and a display device including the same
US10749130B2 (en) 2018-03-14 2020-08-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Electroluminescent device, and display device comprising thereof
US11233211B2 (en) 2018-03-14 2022-01-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Electroluminescent device, manufacturing method thereof, and display device comprising the same
US10535829B1 (en) 2018-07-24 2020-01-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot device and display device
KR102011869B1 (ko) * 2018-07-30 2019-08-19 국민대학교산학협력단 광전변환효율 및 장기안정성이 향상된 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조 방법
US20220037609A1 (en) * 2018-12-11 2022-02-03 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method for manufacturing same

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