KR20060073514A - 전계발광 소자 - Google Patents
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- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 73
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 251
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- DTZWGKCFKSJGPK-VOTSOKGWSA-N (e)-2-(2-methyl-6-(2-(1,1,7,7-tetramethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydropyrido[3,2,1-ij]quinolin-9-yl)vinyl)-4h-pyran-4-ylidene)malononitrile Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 DTZWGKCFKSJGPK-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RAPHUPWIHDYTKU-WXUKJITCSA-N 9-ethyl-3-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-(9-ethylcarbazol-3-yl)ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC(/C=C/C4=CC=C(C=C4)C4=CC=C(C=C4)/C=C/C=4C=C5C6=CC=CC=C6N(C5=CC=4)CC)=CC=C3N(CC)C2=C1 RAPHUPWIHDYTKU-WXUKJITCSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000679365 Homo sapiens Putative tyrosine-protein phosphatase TPTE Proteins 0.000 description 2
- 102100022578 Putative tyrosine-protein phosphatase TPTE Human genes 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 and ccom Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1795—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
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Abstract
유기 EL 소자는 제 1 전극, 제 2 전극, 및 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 배열되는 발광층을 포함한다. 제 1 전극은 제 2 전극의 재료보다 더 높은 체적저항율을 가지는 재료로 형성된다. 접속부는, 급전부를 제 1 전극에 전기적으로 접속시킨다. 접속부의 저항값은, 접속부가 급전부를 제 1 전극에 접속하는 위치에 따라 변한다. 따라서, 전계발광 소자의 휘도분포가 원하는 상태로 조정된다.
전계발광, 유기 EL 소자, 균일한 휘도
Description
도 1a 는 제 1 실시형태에 따른 유기 EL 소자를 나타내는 평면도.
도 1b 는 도 1a 의 A-A 선을 따라 절단된 단면도.
도 2 는 도 1a 의 유기 EL 소자의 유기발광층의 구조를 나타내는 부분도.
도 3 은 도 1a 의 유기 EL 소자의 급전부 및 접속부들의 등가회로를 나타내는 회로도.
도 4 는 유기발광층 및 제 2 전극이 생략된, 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 유기 EL 소자를 나타내는 평면도.
도 5 는 도 4 의 유기 EL 소자의 비발광부의 구조를 나타내는 단면도.
도 6a 는 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 유기 EL 소자를 나타내는 평면도.
도 6b 는 도6a 의 B-B 선을 따라 절단된 단면도.
도 7 은 본 발명의 제 4 실시형태에 따른 유기 EL 소자를 나타내는 평면도.
도 8 은 도 7 의 C-C 선을 따라 절단된 단면도.
도 9a 는 본 발명의 제 5 실시형태에 따른 유기 EL 소자를 나타내는 평면도.
도 9b 는 도 9a 의 F-F 선을 따라 절단된 단면도.
도 10a 는 본 발명의 제 6 실시형태에 따른 유기 EL 소자를 나타내는 단면도.
도 10b 는 도 10a 의 G-G 선을 따라 절단된 단면도.
도 11a 는 본 발명의 다른 실시형태에 따라, 급전부, 제 1 전극, 및 접속부를 포함하는 부분을 나타낸 평면도.
도 11b 는 본 발명의 다른 실시형태에 따라, 급전부, 제 1 전극, 및 접속부를 포함하는 부분을 나타낸 평면도.
도 12 는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 유기 EL 소자를 나타내는 평면도.
도 13a 는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 유기 EL 소자를 나타내는 평면도.
도 13b 는 도 13a 의 H-H 선을 따라 절단된 단면도.
도 14 는 본 발명의 다른 실시형태에 따라, 급전부, 제 1 전극, 및 접속부를 포함하는 부분을 나타낸 평면도.
도 15 는 종래의 유기 EL 소자를 나타내는 사시도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
11, 22, 24, 25, 31, 33, 34, 35 : 유기 EL 소자
13 : 제 1 전극
14, 27 : 유기발광층
15 : 제 2 전극
16 : 급전부
15a, 16a, 16b, 26a, 26b, 28a : 단자부
17 : 보조전극
18 : 접속부
21 : 발광층
26 : 제 1 도전층
28 : 제 2 도전층
29 : 보조전극층
100 : 고저항부
본 발명은 전계발광 소자에 관련된 것이다.
유기 전계발광 소자 (이하, "유기 EL 소자" 라고 함) 는 디스플레이 및 조명 장치에서 발광 소자로 채택된다. 이러한 소자의 하나는 기본적으로, 예를 들어 유리로 형성되는 투명기판상에, 양극전극층, 유기발광층, 음극전극층을 순서대로 포함한다.
유기 EL 소자는 양극전극층과 음극전극층 사이에 전압이 인가되어 유기발광층에 전류가 흐를 때 빛을 발한다. 일반적으로, 유기발광층에 의해 방출된 빛은, 양극전극층 또는 음극전극층의 전극을 통해 외부로 방출된다. 이 경우, 적어도 빛이 통과하는 전극은 빛을 투과시키는 투명전극으로 형성된다. 일반적으로, 투명전극은, 알루미늄 또는 은과 같은 금속으로 형성된 전극보다 더 높은 체적저항을 가지는 ITO (인듐 주석산화물) 또는 ZnO (산화납) 로 형성된다.
유기 EL 소자의 휘도는 유기발광층의 전류밀도에 의해 영향을 받고, 전류밀도가 높아질수록 휘도가 높아진다. 투명전극이 ITO 로 형성되는 경우, 전원단자에서부터 전원단자에 가까운 전극의 일부까지의 전기저항과 전원단자에서부터 전원단자로부터 먼 전극의 일부까지의 전기저항 사이의 차이는, 상대적으로 커진다. 이것은 유기발광층의 대응하는 부분들의 전류밀도 사이의 상대적으로 큰 차이를 유발한다. 따라서, 유기 EL 소자의 발광 영역의 휘도가 불균일하게 될 수도 있다.
유기 EL 소자의 휘도분포를 조정하는 방법에서, 일본의 특허 공개공보 제 2003-123990 호에 개시된 바와 같이, 투명전극이, 상대적으로 높은 전기전도율을 가지는 금속으로 형성되는 보조전극과 결합된다. 보다 구체적으로, 도 15 에 나타낸 바와 같이, 이 방법은 접점부를 포함하는 보조전극 (52) 을 이용한다. 접점부는, 기판 (50) 상에 배치된 투명양극층 (51) 과 접하여 지지되는 3 개의 변을 가진다.
이 방법에서는, 투명양극층 (51) 의 주위에 보조전극 (52) 이 제공된다. 따라서, 보조전극 (52) 에 대응하는 투명양극층 (51) 부분의 전기저항을 낮춤으로써 유기 EL 소자의 휘도분포가 조정된다. 그러나, 보조전극 (52) 에서도, 전원단자에서부터 전워단자에 가까운 보조전극 (52) 의 일부까지의 전기저항값과 전원단자에서부터 전원단자로부터 먼 보조전극 (52) 의 일부까지의 전기저항값 사이의 차이가 상대적으로 커진다. 이것은 유기발광층의 전력공급단자로부터 먼 부분의 전류밀도를 감소시켜, 대응하는 부분의 휘도를 감소시킨다.
또한, 무기 EL 소자에 있어서도 유사한 문제가 발생한다.
따라서, 본 발명의 목적은 EL 소자의 휘도분포를 원하는 상태로 조정하기 위한 신규 구조를 가지는 EL 소자를 제공하는 것이다. 여기서, "원하는 상태" 는 소자의 휘도분포가 실질적으로 균일한 상태 또는 EL 소자의 발광 영역의 원하는 부분 (영역) 에서 초점상 (focally) 상이한 상태로 정의된다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 제 1 전극, 제 2 전극, 및 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 배열된 발광층을 포함하는 전계발광 소자를 제공한다. 제 1 전극은 제 2 전극의 재료보다 더 높은 체적저항율 (volume resistivity) 을 가지는 재료로 형성된다. 접속부는, 급전부를 제 1 전극에 전기적으로 접속한다. 접속부의 저항값은 접속부가 급전부를 제 1 전극에 접속하는 위치에 따라 다르다.
또한, 본 발명은 제 1 도전층, 제 1 도전층 상에 적층된 발광층, 및 발광층 상에 형성되는 제 2 도전층을 포함하는 전계발광 소자를 제공한다. 제 1 도전층은 외부구동회로에 접속될 수 있는 단자부를 가진다. 제 1 도전층은 제 2 도전층의 재료보다 더 높은 체적저항율을 가지는 재료로 형성된다. 보조전극층이 제 1 도전층의 일부를 따라 제공된다. 보조전극층은 제 1 도전층의 재료보다 더 낮은 체적저항율을 가지는 재료로 형성된다. 고저항부는 제 1 도전층의 재료보다 더 높은 체적저항율을 가지는 재료로 형성된다. 고저항부는, 제 1 도전층과 보조전극층 사이에서, 발광층의 측면을 따라 연장되는 발광층의 일부에 이웃 하게 배열된다. 고저항부는 발광층의 측면이 연장되는 방향을 따라 정의되는 길이, 및 그 길이에 수직인 폭을 가진다. 고저항부의 폭은 고저항부와 단자부의 간격에 따라 다르다.
발명의 다른 양태들 및 이점들이, 발명의 원리를 예시하는 수단을 나타내는 첨부도면들을 참조한 이하의 설명으로부터 보다 명백해 질 것이다.
이하, 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 유기 EL 소자 (11) 를 도 1 내지 도 3 을 참조하여 설명한다. 제 1 실시형태에서, 유기 EL 소자 (11) 의 휘도분포의 원하는 상태는, 실질적으로 균일한 상태에 대응한다.
도 1a 및 도 1b 에 나타낸 바와 같이, 유기 EL 소자 (11) 는, 실질적으로 직사각형의 기판 (12) 상에 제 1 전극 (13), 발광층으로서의 유기발광층 (14), 및 제 2 전극 (15) 을 순서대로 가진다. 또한, 유기 EL 소자 (11) 는 급전부 (16), 보조전극 (17), 및 복수의 접속부 (18) 를 포함한다. 제 1 전극 (13), 유기발광층 (14), 제 2 전극 (15), 급전부 (16), 보조전극 (17), 및 일체로서 접속부 (18) 를 정의하는 부분은 각각, 제 1 전극 (13) 의 (도 1a 에서 좌우로 관측되는) 폭 방향의 중심선 (lateral midline) 대해 서로 대칭이 되도록 형성된다. 또한, 각 도면은, 개략적으로 나타낸 것에 불과하며, 구성요소들은 예시적인 목적을 위해 과장된 치수로 도시되어 있다. 따라서, 폭, 길이, 및 두께를 포함하는 구성요소들의 치수 비율은 실제 값과 동일하지 않다.
제 1 전극 (13), 유기발광층 (14), 및 제 2 전극 (15) 은 각각 실질적으로 직사각형 형상을 가진다. 유기발광층 (14) 및 제 1 전극 (13) 은 실질적으로 동일한 면적을 가진다. 또한 제 2 전극 (15) 은 제 2 전극 (15) 과 제 1 전극 (13) 사이의 단락 회로를 방지하기 위해, 유기발광층 (14) 보다 더 작은 면적을 가진다. 제 1 실시형태에서는, 제 1 전극 (13) 이 양극에 대응하고, 제 2 전극 (15) 이 음극에 대응한다. 제 2 전극 (15) 은 제 2 전극 (15) 의 한 변에 형성된 단자부 (15a) 를 가진다. 단자부 (15a) 는 제 2 전극 (15) 을 외부구동회로 (미도시) 에 접속한다.
급전부 (16) 는 기판 (12) 상에 제 1 전극 (13) 의 외주 (outer circumference) 를 따라 연장되어 형성된다. 급전부 (16) 의 폭은 균일하다. 급전부 (16) 를 외부구동회로 (미도시) 에 접속하기 위해, 급전부 (16) 의 양단에 2 개의 단자부 (16a, 16b) 가 형성된다. 급전부 (16) 의 단자부 (16a, 16b) 및 제 2 전극 (15) 의 단자부 (15a) 는 유기 EL 소자 (11) 의 한 변을 따라 배열된다. 이 상태에서, 단자부 (15a) 가 단자부 (16a 및 16b) 의 사이에 배열된다.
급전부 (16) 의 아웃라인을 따라 연장되는 보조전극 (17) 이 급전부 (16) 상에 실장된다. 보조전극 (17) 은 급전부 (16) 보다 더 낮은 체적저항율을 가지는 재료로 형성된다. 보조전극 (17) 의 폭은 균일하고 보조전극 (17) 이 급전부 (16) 로부터 돌출해서 제 2 전극 (15) 과 단락하지 않도록 급전부 (16) 의 폭보다 작다.
급전부 (16) 및 제 1 전극 (13) 은 기판 (12) 상에 제공되는 접속부 (18) 들에 의해 서로 전기적으로 접속된다. 제 1 실시형태에서는, 급전부 (16) 와 제 2 전극 (15) 사이에 직류 구동 전압이 인가되었을 때, 제 1 전극 (13) 의 외주에 실질적으로 동일한 전위가 유발되도록 접속부 (18) 가 형성된다. 보다 구체적으로, 도 1a 에 나타낸 바와 같이, 접속부 (18) 는 제 1 전극 (13) 의 좌측 및 우측을 따라 배열된다. 접속부 (18) 들의 중심축은 동일한 간격으로 이격되어 있다. 예시적인 목적으로, 도 1a 에서, 접속부 (18) 들은 동일한 간격으로 이격되어 있다. 또한, 접속부는 (18) 는 일정한 길이 및 일정한 두께를 가진다. 그러나, 접속부 (18) 들의 폭은, 접속부 (18) 와 단자부 (16a 및 16b) 중 대응하는 하나와의 사이의 간격에 따라 상이하다. 여기서, "각 접속부 (18) 의 길이" 는, 급전부 (16) 와 제 1 전극 (13) 사이의 간격 (치수) 을 의미하고, "제 1 치수" 로 칭해진다. "각 접속부 (18) 의 폭" 은, 접속부 (18) 의 길이에 의해 정의되는 방향에 직교하는 접속부 (18) 의 치수에 대응하고, "제 2 치수" 로 칭해진다. 보다 구체적으로, 대응하는 단자부 (16a, 16b) 에 가장 가까운 접속부 (18) 가 최소 폭을 가진다. 접속부 (18) 가 대응하는 단자부 (16a, 16b) 로부터 더 멀어질수록 접속부 (18) 의 폭은 증가한다. 또한, 단자부 (15a, 16a, 16b) 에 대응하는 변에 대향하는 제 1 전극 (13) 의 변은, 대응하는 접속부 (18) 에 완전히 접속되며, 그 폭이 적당하게 조정된다. 접속부 (18) 에 대응하지 않는, 급전부 (16) 와 제 1 전극 (13) 사이에서 정의되는 부분들은, 비도전성이고, 따라서 급전부 (16) 로부터 제 1 전극 (13) 으로 전류가 흐르는 것을 방지한다.
제 1 실시형태에서, 유기 EL 소자 (11) 는, 유기발광층 (14) 에 의해 방출된 빛이 기판 (12) 으로부터 출사하는 하부발광형 (bottom-emission type) 으로 형성 된다. 즉, 기판 (12) 이 빛출사면으로 기능한다. 따라서, 기판 (12) 은 가시광선을 투과시키는 재료, 예를 들어, 유리로 형성된다.
제 1 전극 (13) 은 투명전극이고, 가시광선에 대해 높은 투과율을 나타내는 ITO 막으로 형성된다. ITO 는 알루미늄 또는 은과 같은 금속보다 더 높은 체적저항율을 가진다. 급전부 (16) 및 접속부 (18) 는 제 1 전극 (13) 과 동일한 재료, 즉 ITO 로 형성된다. 접속부 (18) 각각은 ITO 막에 대응하는 슬릿을 제공함으로써 정의된다.
유기발광층 (14) 은, 적어도 발광층을 포함하는 유기층으로 형성된다. 예를 들어, 도 2 를 참조하면, 유기발광층 (14) 은, 정공주입층 (19), 정공수송층 (20), 제 1 발광층 (21a), 제 2 발광층 (21b), 및 제 3 발광층 (21c) 을 포함하는 5 층 구조를 가진다. 발광층 (21) 을 정의하는 제 1 내지 제 3 발광층 (21a 내지 21c) 은, 정공수송층 (20) 상에 적층된다. 즉, 제 1 실시형태에서, 유기발광층 (14) 은, 발광층 (21) 뿐만 아니라 정공주입층 (19) 및 정공수송층 (20) 을 포함하는 유기층으로 형성된다. 또한, 제 3 발광층 (21c) 과 제 2 전극 (15) 사이에, 불화 리듐 (LiF) 으로 형성되는 전자주입층 (15b) 이 제공된다.
발광층 (21) 은, 정공수송층 (20) 상에, 제 1 발광층 (21a), 즉, 적색발광층, 제 2 발광층 (21b), 즉, 청색발광층, 및 제 3 발광층 (21c), 즉, 녹색발광층을 적층함으로써, 백색발광층으로 형성된다.
제 1 발광층 (21a) 은, 호스트로서의 TPTE 및 불순물로서의 DCJT 로 형성되고, 5 ㎚ 의 두께를 가진다. DCJT 의 함유량은 TPTE 에 대하여 O.5 wt% 이다. DCJT 은 다음 화학식으로 나타낸다.
제 2 발광층 (21b) 은, 호스트로서의 DPVBi 및 불순물로서의 BCzVBi 로 형성되고, 30 ㎚ 의 두께를 가진다. BCzVBi 의 함유량은 DPVBi 에 대해 5.0 wt% 이다.
제 3 발광층 (21c) 은, 호스트로서의 Alq3 및 불순물로서의 C545T (이스트만-코닥사의 제품명) 로 형성되고, 20㎚ 의 두께를 가진다. C545T 의 함유량은 Alq3 에 대하여 1.0 wt% 이다.
제 2 전극 (15) 은, 유기발광층 (14) 에 의해 방출된 빛을 반사하는 금속재료, 예를 들어, 제 1 실시형태의 알루미늄으로 형성된다. 급전부 (16) 상에 탑재된 보조전극 (17) 은, 더 큰 전기전도율을 가지는 금속, 예를 들어, 이 실시형태에서는, 제 2 전극 (15) 의 재료와 동일한 재료 (알루미늄) 로 형성된다.
제 2 전극 (15) 의 외측에는, 유기발광층 (14) 을 산소 및 수분으로부터 보호하기 위한 보호부 (미도시) 가 제공된다. 보호부는, 예를 들어, 패시베이션 (passivation) 막 또는 밀봉캔으로 형성된다.
이하, 전술한 바와 같이 구성되는 유기 EL 소자 (11) 를 제조하는 방법을 설명한다. 유기 EL 소자 (11) 를 제조하기 위해, 먼저, 기판 (12) 상에 ITO 막을 적층한다. 이러한 적층은, 스퍼터링법, 진공증기증착, 이온화 증착법과 같은 공지의 박막 증착 방법에 의해 수행된다. 다음으로, ITO 막에 대해 에칭을 수행하고, 따라서, 제 1 전극 (13), 급전부 (16), 단자부 (16a, 16b), 및 접속부 (18) 가 제공된다.
다음으로, 제 1 전극 (13) 상에, 유기발광층 (14) 을 형성한다. 보다 구체적으로, 유기발광층 (14) 은, 예를 들어 진공증기증착을 통해, 유기발광층 (14) 을 구성하는 층들을 순차적으로 적층함으로써 형성된다. 그 후, 진공증기증착을 통해, 유기발광층 (14) 상에 제 2 전극 (15) 을 형성하고, 급전부 (16) 상에 보조전극 (17) 을 형성한다. 즉, 제 2 전극 (15) 및 보조전극 (17) 은 동시에 형성된다. 최후에 보호부를 형성한다. 질화 규소 등의 세라믹 막이 보호부로 채택되는 경우, 예를 들어 플라즈마 CVD 법이 필름을 형성하는데 이용될 수도 있다.
이하, 전술한 바와 같이, 유기 EL 소자 (11) 의 작용 (operation) 을 설명한다. 유기 EL 소자 (11) 는, 영역 발광 소자로 기능할 수도 있으며, 따라서 예를 들어 액정 디스플레이 또는 조명장치의 백라이트로서 이용될 수도 있다.
유기 EL 소자 (11) 는, 단자부 (16a, 16b, 15a) 가 외부구동회로 (미도시) 에 접속된 상태에서 동작한다. 급전부 (16) 와 제 2 전극 (15) 사이에 직류구동 전압이 인가될 때, 급전부 (16) 로부터 접속부 (18) 를 거쳐서 제 1 전극 (13) 으로 흐른다. 또한, 제 1 전극 (13) 으로부터 유기발광층 (14) 및 제 2 전극 (15) 으로 전류가 흐른다. 이 상태에서, 유기발광층 (14) 은 빛을 방출하고, 그 빛은 투명전극인 제 1 전극 (13) 을 통해 투과된다. 그러면 빛은 기판 (12) 으로부터 외부로 방출된다.
도 3 은, 도 1a 의 유기 EL 소자 (11) 의 마주보는 변들 중 하나의 급전부 (16) 및 접속부 (18) 의 저항값들을 나타내는 등가회로도이다. 회로도에서, 인덱스 R 은, 이웃하는 접속부 (18) 의 중심축들 사이의 섹션에 대응하는, 급전부 (16) 의 일부의 저항값을 나타낸다. 인덱스 r1 내지 r8 은 각각, 각 접속부 (18) 들 중 하나에 대응하는 저항값을 나타낸다. 제 1 실시형태에서, 접속부 (18) 의 중심축 사이의 거리는 동일한 간격으로 이격된다. 또한, 급전부 (16) 의 폭은 일정하다. 따라서, 저항 R 이 동일해진다. 또한, 더 낮은 체적저항율의 재료로 형성되는 보조전극 (17) 이 급전부 (16) 상에 탑재된다. 따라서, 저항 R 은 접속부 (18) 의 저항 r1 내지 r8 에 비해 충분히 작다. 이것은, 급전부 (16) 와 제 2 전극 (15) 사이에 직류구동 전압이 인가되었을 때, 접속부 (18) 각각으로 흘러들어가는 전류량이 실질적으로 동일해지도록 r1 내지 r8 을 설정하는 것을 용이하게 만든다.
또한, 접속부 (18) 가 대응하는 단자부 (16a, 16b) 에 더 가깝게 위치될수록, 접속부 (18) 와 단자부 (16a, 16b) 사이의 전류 경로의 총 저항이 작아지며, 접속부 (18) 의 전류 흐름을 촉진시킨다. 제 1 실시형태에서, 접속부 (18) 들이 대응하는 단자부 (16a, 16b) 로부터 더 멀수록, 접속부 (18) 의 저항값들이 작 아진다. 따라서, 제 1 전극 (13) 의 외주부분의 전위는 실질적으로 균일해진다. 따라서, 유기 EL 소자 (11) 의 휘도분포는 전체로서 실질적으로 균일해진다.
유기 EL 소자 (11) 의 휘도분포가 (전체로서) 실질적으로 균일한지 여부를 판정하기 위해, 유기 EL 소자 (110) 의 발광영역은 발광면에 대응하는 측면으로부터 관측했을 때 복수의 단위영역들로 분할된다. 단위영역의 최소 휘도값이 단위영역들의 최대 휘도값으로 나누어진다. 그 결과에 100 을 곱해 퍼센티지를 얻는다. 60 % 이상이면, 유기 EL 소자 (11) 의 휘도분포가 실질적으로 균일한 것으로 판정된다. 퍼센티지가 더 커질수록, 휘도분포의 균일성이 증가한다. 100 % 에서, 휘도분포는 균일해진다. 또, 예를 들어, 각 유닛 존의 면적은 수 ㎜2 이다.
제 1 실시형태는 이하의 이점들을 가진다.
(1) 유기 EL 소자 (11) 는, 제 1 전극 (13), 유기발광층 (14), 제 2 전극 (15), 및 급전부 (16) 를 가진다. 유기발광층 (14) 은 제 1 전극 (13) 과 제 2 전극 (15) 사이에 배열된다. 제 1 전극 (13) 은 제 2 전극 (15) 에 보다 높은 체적저항율을 가지는 재료로 형성된다. 급전부 (16) 및 제 1 전극 (13) 은 접속부 (18) 들에 의해 전기적으로 접속된다. 접속부 (18) 들의 저항값들은, 접속부 (18) 가 급전부 (16) 를 제 1 전극 (13) 에 접속하는 위치에 따라 상이하다. 이것은, 대응하는 접속부 (18) 가 제 1 전극 (13) 에 접속되는 접속 영역의 전위를 조정한다. 이 방식으로, 유기 EL 소자 (11) 의 휘도분포가 원하는 상태로 조정된다. 바람직하게는, 유기 EL 소자 (11) 는 디스플레이 및 조명장치에 이용되고, 예를 들어 액정디스플레이의 백라이트로 이용될 수도 있다.
(2) 접속부 (18) 각각은 제 1 전극 (13) 의 재료같은 재료로 형성된다. 따라서, 접속부 (18) 및 제 1 전극 (13) 은, 유기 EL 소자 (11) 가 제조될 때 동시에 형성된다. 이것은 유기 EL 소자 (11) 의 제조 단계의 수를 감소시킨다.
(3) 제 1 전극 (13) 의 재료와 동일한 각 접속부 (18) 의 재료는, 알루미늄 또는 은과 같은 금속보다 더 높은 체적저항율을 가진다. 따라서, 접속부 (18) 들이 알루미늄 또는 은과 같은 더 낮은 체적저항율을 가지는 재료로 형성되는 경우에 비해, 각 접속부 (18) 의 저항값의 조정가능 범위가 더 커진다.
(4) 급전부 (16) 는 제 1 전극 (13) 의 재료와 동일한 재료로 형성된다. 따라서, 유기 EL 소자 (11) 가 제조될 때, 급전부 (16) 및 제 1 전극 (13) 이 동시에 형성된다. 따라서, 유기 EL 소자 (11) 의 제조 단계의 수가 감소된다.
(5) 급전부 (16) 는, 급전부 (16) 보다 더 낮은 체적저항율의 재료로 형성된 보조전극 (17) 을 가진다. 따라서, 더 높은 체적저항율을 가지는 재료로 형성된 접속부 (18) 에 의해, 대응하는 접속부 (18) 가 제 1 전극 (13) 에 접속되는 접속 영역들의 전위가 용이하게 조정된다.
(6) 급전부 (16) 는 접속부 (18) 들을 통해 제 1 전극 (13) 에 접속된다. 따라서, 유기 EL 소자 (11) 의 설계는 접속부 (18) 들의 저항값들의 조정을 수반한다. 이것은, 단일 접속부 (18) 가 제공되는 경우에 비해, 대응하는 접속부 (18) 가 제 1 전극 (13) 에 접속되는 접속 영역의 전위의 조정을 용이하게 한다.
(7) 접속부 (18) 의 형상은, 접속부 (18) 와 급전부 (16) 의 대응하는 단자부 (16a, 16b) 사이의 간격에 따라 상이하다. 따라서, 접속부 (18) 와 대응하는 단자부 (16a, 16b) 사이의 간격에 따라 접속부 (18) 의 저항값들이 상이함으로써, 접속부 (18) 가 제 1 전극 (13) 에 접속되는 접속 영역의 전위가 설정될 수 있다.
(8) 접속부 (18) 들은, 접속부 (18) 와 급전부 (16) 의 대응하는 단자부 (16a, 16b) 사이의 간격에 관계없이 동일한 길이를 가진다. 그러나, 접속부 (18) 는, 접속부 (18) 와 단자부 (16a, 16b) 사이의 간격에 따라 달라지는 상이한 폭을 가진다. 즉, 접속부 (18) 의 저항값은 단지 접속부 (18) 의 폭을 다르게함으로써 조정된다. 따라서, 접속부 (18) 가 상이한 복잡한 형상으로 형성하는 방식으로 대응하는 저항값을 변화시키는 경우에 비해, 대응하는 접속부 (18) 가 제 1 전극 (13) 에 접속되는 접속 영역의 전위가 용이하게 설정된다.
(9) 복수의 접속부 (18) 의 저항치는, 급전부 (16) 와 제 2 전극 (15) 사이에 직류구동 전압이 인가될 때 접속부 (18) 가 제 1 전극 (13) 에 접속되는 접속 영역의 전위가 실질적으로 동일해지는 방식으로 설정된다. 직류구동 전압이 인가될 때, 급전부 (16) 로부터 제 1 전극 (13) 으로 접속부 (18) 를 통해 전류가 흐른다. 따라서, 유기 EL 소자 (11) 에서, 휘도분포가 실질적으로 균일한 상태로 조정된다.
이하, 도 4 및 도 5 를 참조하여 본 발명의 제 2 실시형태를 설명한다. 제 2 실시형태는, 유기 EL 소자가 비발광부를 포함하는 점에서 제 1 실시형태와 다르다. 제 1 실시형태의 동일하거나 유사한 대응 부분에 동일하거나 유사한 인용 부호가 제공되고, 이들 부분들에 대한 상세한 설명은 생략한다. 또, 제 2 실시형태에서, 유기 EL 소자가 제 1 실시형태에 비해 더욱 균일한 휘도분포를 가지도록 설계될 수도 있다.
도 4 는 유기 EL 소자 (22) 에서 유기발광층 (14) 및 제 2 전극 (15) 을 생략한 평면도이다. 도 5 는 유기 EL 소자 (22) 의 비발광부의 구조를 예시로서 나타내는 단면도이다.
도 4 에 나타낸 바와 같이, 유기 EL 소자 (22) 는 복수의 비발광부 (23) 를 포함한다. 비발광부 (23) 의 분포 밀도는, 제 1 전극 (13) 의 가장자리부분으로부터 중심부로 향함에 따라 작아진다. 도 5 에 나타낸 바와 같이, 비발광부 (23) 는, 제 2 실시형태의 대응하는 부분에 제 1 전극 (13) 을 제공하지 않음으로써 정의된다. 또한, 각 비발광부 (23) 의 크기는, 비발광부 (23) 가 유기 EL 소자 (22) 의 외부로부터 보이지 않도록 충분히 작은 것이 바람직하다.
예를 들어, 비발광부 (23) 는, 기판 (12) 상에 ITO 막이 적층된 후, 에칭을 통해, 제 1 전극 (13), 급전부 (16), 및 접속부 (18) 와 함께 형성된다. 이와 다르게는, 비발광부 (23) 는 제 1 전극 (13) 을 완성된 후 형성될 수도 있다. 비발광부 (23) 는, 에칭 또는 제 1 전극 (13) 에 대해 수행되는 기계에 의한 컷팅과 같은 공지의 미세가공방법 (제거법) 을 통해 제공된다.
제 2 실시형태에서, 유기 EL 소자 (22) 의 휘도분포는, 접속부 (18) 들의 저 항값들의 조정 및 비발광부를 제공함으로써 조정된다. 제 1 실시형태와 마찬가지로, 직류구동 전압이 인가될 때, 대응하는 접속부 (18) 가 제 1 전극 (13) 에 접속되는 접속 영역들의 전위가 실질적으로 동일하게 된다. 또한, 비발광부 (23) 의 분포 밀도는, 제 1 전극 (13) 의 가장자리부분으로부터 중심부에 가까이 감에 따라 감소된다. 이것은 발광 영역의 가장자리부분 근처의 휘도를 억제함으로써 발광 영역의 가장자리부분의 휘도와 중심부의 휘도 사이의 차이를 감소시킨다. 따라서, 유기 EL 소자 (22) 의 휘도분포의 균일성이 더욱 향상된다.
제 2 실시형태는, 제 1 실시형태의 효과 (1) 내지 (9) 에 추가적으로 이하의 효과를 가진다.
(10) 유기 EL 소자 (22) 는, 접속부 (18) 들 및 비발광부 (23) 들을 가진다. 따라서, 각접속부 (18) 의 저항값 및 발광 영역의 비발광부 (23) 의 분포 밀도를 조정함으로써, 유기 EL 소자 (22) 의 휘도분포가 원하는 상태로 더욱 조정된다.
(11) 유기 EL 소자 (22) 의 설계시에, 접속부 (18) 들의 저항값을 조정한 후, 소자의 휘도분포를 확인한다. 그 후, 비발광부 (23) 를 제공함으로써 휘도분포가 원하는 상태로 조정된다. 이것은, 접속부 (18) 의 단지 저항값을 조정함으로써 휘도분포를 조정하는 경우에 비해, 유기 EL 소자 (22) 의 설계를 용이하게 한다.
이하, 도 6a 및 도 6b 를 참조하여 본 발명의 제 3 실시형태를 설명한다. 제 3 실시형태는, 하나의 접속부가 제공되고 접속부의 일부의 두께가 연속적으로 달라지는 점에서 상기 제 1 실시형태와 다르다. 제 1 실시형태의 대응하는 부 분과 동일하거나 유사한 제 3 실시형태의 부분에는 동일하거나 유사한 인용 부호가 제공되고, 이 부분들에 대한 상세한 설명은 생략한다. 또, 제 3 실시형태에서, 유기 EL 소자가 실질적으로 균일한 휘도분포를 가지도록 설계될 수도 있다.
도 6a 는 유기 EL 소자 (24) 를 나타내는 평면도이고, 도 6b 는 도 6a 의 B-B 선을 따라 절단된 단면도이다.
도 6a 및 도 6b 에 나타낸 바와 같이, 유기 EL 소자 (24) 는, 급전부 (16) 를 제 1 전극 (13) 에 접속하는 하나의 접속부 (18) 를 가진다. 제 1 전극 (13) 의 대향하는 좌측 및 우측과 대응하는 접속부 (18) 부분의 두께가 연속적으로 변한다. 예를 들어, 제 3 실시형태에서, 접속부 (18) 의 이 부분들 각각의 두께는, 대응하는 단자부 (16a, 16b) 로부터 더 먼 부분에서는 더 두껍다. 이러한 두께는 단자부 (16a, 16b) 로 가까이 감에 따라 점점 얇아진다. 따라서, 급전부가 연장되는 방향을 따라 측정되는 접속부 (18) 의 단위길이당의 저항값은, 단자부 (16a, 16b) 에서 더 먼 위치에서 더 낮아진다. 이러한 값은 단자부 (16a, 16b) 에 더 가까운 위치에서 더 높아진다. 즉, 급전부 (16) 는 제 1 전극 (13) 의 일측을 따라 연장된다. 급전부 (16) 가 연장되는 방향을 따라 측정되는 접속부 (18) 의 저항값은, 급전부 (16) 의 연장방향에 대한 접속부 (18) 의 위치에 따라 달라진다. 따라서, 직류구동 전압이 인가될 때 제 1 전극 (13) 의 외주 부분들의 전위는 실질적으로 같아진다. 따라서, 유기 EL 소자 (24) 의 휘도분포는 실질적으로 균일해지다.
제 3 실시형태의 접속부 (18) 를 제조하기 위해, 예를 들어, 기판 (12) 상에 ITO 막이 형성된 후, 접속부 (18) 는 두께를 연속적으로 변하게하는 방식으로 에칭 또는 기계에 의한 컷팅과 같은 공지의 미세가공방법 (제거법) 을 적용받는다.
제 3 실시형태는 제 1 실시형태의 효과 (1) 내지 (5) 이외에도 이하의 효과를 가진다.
(12) 유기 EL 소자 (24) 는 하나의 접속부 (18) 를 포함한다. 접속부 (18) 의 두께는 접속부 (18) 가 급전부 (16) 를 제 1 전극 (13) 에 접속하는 위치에 따라 달라진다. 따라서, 접속부 (18) 의 두께를 조정함으로써, 급전부 (16) 가 연장되는 방향을 따라 측정되는 접속부 (18) 의 단위길이당의 저항값이 조정된다. 따라서, 유기 EL 소자 (24) 의 휘도분포가 원하는 상태로 조정된다.
(13) 접속부 (18) 가 하나의 연속적인 몸체로 형성되기 때문에, 접속부 (18) 가 복수의 개별 몸체로 형성되는 제 1 실시형태에 비해, 제 1 전극 (13) 의 외주부의 전위가 향상된 정확도로 조정된다.
이하, 도 7 및 도 8 을 참조하여 본 발명의 제 4 실시형태를 설명한다. 또, 이 실시형태에서도, 소자의 휘도분포가 실질적으로 균일하게 되도록, 유기 EL 소자가 제공된다.
도 7 은 유기 EL 소자 (25) 를 나타내는 평면도이고, 도 8 은 도 7 의 C-C 선을 따라 절단된 단면도이다. 각 도면은, 개략적으로 나타낸 것에 불과하며, 구성요소들은 예시적인 목적을 위해 과장된 치수로 도시되어 있다. 따라서, 폭, 길이, 및 두께를 포함하는 구성요소들의 치수 비율은 실제 값과 동일하지 않다.
도 7 및 도 8 에 나타낸 바와 같이, 유기 EL 소자 (25) 는, 기판 (12) 상에 순서대로 적층된, 제 1 도전층 (26), 발광층으로서의 유기발광층 (27), 및 제 2 도전층 (28) 을 가진다. 제 1 도전층 (26) 의 외주상의 일부에는 보조전극층 (29) 이 제공된다. 유기발광층 (27) 의 외주 상에 제 1 도전층 (26) 과 보조전극층 (29) 사이에 고저항부 (30) 가 배열된다. 즉, 고저항부 (30) 는, 유기발광층 (27) 의 일부에 이웃하게 위치되고, 제 1 도전층 (26) 과 보조전극층 (29) 사이에 존재한다. 고저항부 (30) 는 유기발광층 (27) 의 외주의 일부를 따라 연장된다. 제 1 도전층 (26) 은 외부구동회로 (미도시) 가 접속되는 단자부 (26a, 26b) 를 포함한다. 또한, 제 2 도전층 (28) 도 단자부 (28a) 를 가진다. 고저항부 (30) 는 유기발광층 (27) 의 전술한 외주의 일부를 따르는 길이 및 길이에 수직인 폭을 가진다. 제 1 도전층 (26) 과 보조전극층 (29) 사이의 유기 발광층 (27) 의 일부를 따라 제공되는 고저항부 (30) 의 폭 (도 7 의 좌우측 방향의 길이) 은, 고저항부 (30) 와 제 1 도전층 (26) 의 대응하는 단자부 (26a, 26b) 사이의 간격에 따라 달라진다. 고저항부 (30) 의 폭은, 대응하는 단자부 (26a, 26b) 에 가장 가까운 위치에서 최대화되고, 단자부 (26a, 26b) 로부터 더 멀수록 감소한다. 제 1 도전층 (26), 유기발광층 (27), 제 2 도전층 (28), 보조전극층 (29), 및 고저항부 (30) 는, 제 1 도전층 (26) 의 폭으로 정의되는 방향 (도 7 에 있어서의 좌우측 방향) 의 제 1 도전층 (26) 의 중심선에 대하여 서로 대칭이 되도록 형성된다.
제 4 실시형태에서, 제 2 도전층 (28) 을 마주보는 제 1 도전층 (26) 의 부분은 청구항 1 의 제 1 전극에 대응한다. 유기발광층 (27) 의, 보조전극층 (29) 에 대응하는 부분 이외의 부분은 청구항 1 의 발광층에 대응한다. 제 2 도전층 (28) 은 청구항 1 의 제 2 전극에 대응한다. 도 8 에 나타낸 보조전극층 (29) 및 제 1 도전층 (26) 의 부분 D (보조전극층 (29) 과 접촉해서 지지되는 제 1 도전층 (26) 의 부분, 및 제 1 도전층 (26) 에서 상단면에 층을 가지지 않는 부분으로 정의되는) 는, 청구항 1 의 급전부에 대응한다. 또한, 도 8 에 나타낸 제 1 도전층 (26) 의 부분 E (유기발광층 (27) 에만 대응되는 제 1 도전층 (26) 의 부분 및 고저항부 (30) 에 대응되는 제 1 도전층 (26) 의 부분으로 정의되는) 는, 청구항 1 의 접속부에 대응한다. 고저항부 (30) 의 폭은 고저항부 (30) 와 대응하는 단자부 (26a, 26b) 사이의 간격에 따라 달라지기 때문에, 부분 E 의 폭이 대응해서 변한다. 또한, 보조전극층 (29) 을 따른 부분 E 의 단위길이당 저항값도 유사하게 변한다. 청구항 1 에서 설명하는 바와 같이, 이 변화들은, 접속부가 급전부를 제 1 전극에 접속하는 위치에 따른 접속부의 저항값의 변화에 대응한다.
제 1 도전층 (26), 유기발광층 (27), 제 2 도전층 (28), 및 보조전극층 (29) 은, 제 1 실시형태의 제 1 전극 (13), 유기발광층 (14), 제 2 전극 (15), 및 보조전극 (17) 과 동일한 재료로 형성된다. 고저항부 (30) 는 제 1 도전층 (26) 보다 더 높은 체적저항율을 가지는 재료로 형성된다. 제 4 실시형태에서, 고저항부 (30) 는 유기발광층 (27) 의 재료와 동일한 재료로 형성된다. 이것은 유기발광층 (27) 및 고저항부 (30) 가 서로로부터 연속하게 형성될 수 있게 한다.
고저항부 (30) 의 폭이 고저항부 (30) 와 그에 대응하는 단자부 (26a, 26b) 사이의 간격에 따라 변하면, 제 1 도전층 (26) 의 부분 E 의 폭도 대응하게 변한다. 제 1 도전층 (26) 은 ITO 와 같은 금속보다 더 높은 체적저항율의 재료로 형성된다. 따라서, 제 1 도전층 (26) 의 부분 E 의 폭의 변화에 따라, 보조전극 (29) 을 따른 부분 E 의 단위길이당 저항값이 크게 변한다. 따라서, 고저항부 (30) 의 폭의 조정은, 단자부 (26a, 26b) 와 단자부 (28a) 사이에 인가된 직류구동 전압에 응답하여 생성되는, 제 2 도전층 (28) 의 외주부에 대응하는 제 1 도전층 (26) 의 부분의 전위를 조정한다. 예를 들어, 제 4 실시형태에서는, 부분 E 의 단위길이당 저항값이, 대응하는 단자부 (26a, 26b) 에 가까운 부분에서 더 높아지고, 단자부 (26a, 26b) 로부터 더 먼 위치에서 더 낮아진다. 따라서, 제 2 도전층 (28) 의 외주부에 대응하는 제 1 도전층 (26) 의 부분의 전위가 실질적으로 같아진다. 따라서, 유기 EL 소자 (25) 는 제 2 도전층 (28) 에 대응하는 발광 영역을 가지기 때문에, 유기 EL 소자 (25) 는 실질적으로 균일한 휘도분포를 가진다.
전술한 바와 같이 구성되는 유기 EL 소자 (25) 는 이하의 방법으로 형성된다. 보다 구체적으로, 먼저, 기판 (12) 상에 제 １ 도전층 (26) 이 적층된다. 그 후, 진공증기증착과 같은 공지의 박막 증착 방법에 의해, 마스크 등을 이용하여 유기발광층 (27) 및 고저항부 (30) 가 함께 형성된다. 다음으로, 유기발광층 (27) 상에 제 2 도전층 (28) 이 제공된다. 또한, 제 1 도전층 (26) 과 함께 고저항부 (30) 를 샌드위치하고, 제 １ 도전층 (26) 과 접촉하는 방식으로 보조전극층 (29) 이 제공된다. 제 1 도전층 (26), 유기발광층 (27), 제 2 도전층 (28), 보조전극층 (29) 등은, 제 1 실시형태와 마찬가지로, 공지의 박막 증착 방법에 의해 형성된다.
제 4 실시형태는 이하의 효과를 가진다.
(14) 유기 EL 소자 (25) 는, 제 1 도전층 (26) 상에, 유기발광층 (27) 및 제 2 도전층 (28) 을 순서로 포함한다. 제 1 도전층 (26) 의 재료는 제 2 도전층 (28) 의 재료보다 더 높은 체적저항율을 가진다. 제 1 도전층 (26) 보다 더 낮은 체적저항율의 재료로 형성된 보조전극층 (29) 이, 제 1 도전층 (26) 상의 일부에 설치된다. 또한 제 1 도전층 (26) 보다 더 높은 체적저항율의 재료로 형성된 고저항부 (30) 가, 유기발광층 (27) 의 측면들의 외주상에 제 1 도전층 (26) 과 보조전극층 (29) 사이의 위치에 제공된다. 고저항부 (30) 의 폭은, 고저항부 (30) 와 그에 대응하는 제 1 도전층 (26) 의 단자부 (26a, 26b) 사이의 간격에 따라 변한다. 제 4 실시형태에서는, 보조전극층 (29) 에 대응하는 제 1 도전층 (26) 의 부분으로부터 제 2 도전층 (28) 에 대응하는 제 1 도전층 (26) 의 부분으로 전류가 흐른다. 고저항부 (30) 의 폭의 조정은, 보조전극층 (29) 에 대응하는 제 1 도전층 (26) 과 제 2 도전층 (28) 에 대응하는 제 1 도전층 (26) 사이의 부분의 저항값을 조정한다. 따라서, 제 2 도전층 (28) 의 외주부에 대응하는 제 1 도전층 (26) 의 부분의 전위가 조정된다. 이것은 유기 EL 소자 (25) 의 휘도분포를 원하는 상태로 조정한다.
(15) 고저항부 (30) 및 유기발광층 (27) 은 동일한 재료로 형성된다. 따라서, 유기EL 소자 (25) 제조시에, 고저항부 (30) 및 유기발광층 (27) 이 동시에 형성된다. 이것은 이러한 제조의 단계의 수를 감소시킨다.
(16) 유기 EL 소자 (25) 에서, 고저항부 (30) 및 유기발광층 (27) 은 서로로부터 연속하게 형성된다. 따라서, 복잡하게 구성되는 마스크를 이용하지 않고 상대적으로 용이하게 고저항부 (30) 가 제공된다.
(17) 고저항부 (30) 의 폭은, 단자부 (26a, 26b) 와 단자부 (28a) 사이에 직류구동 전압을 인가시, 제 2 도전층 (28) 의 외주부에 대응하는 제 1 도전층 (26) 의 부분의 전위가 실질적으로 같아지도록 설정된다. 따라서, 이 실시형태의 유기 EL 소자 (25) 는 실질적으로 균일한 상태로 조정된 휘도분포를 가진다.
이하, 도 9a 및 도 9b 를 참조하여 제 5 실시형태를 설명한다. 제 5 실시형태의 유기 EL 소자는 그 형상이 제 1 실시형태의 형상과 다르다. 제 1 실시형태의 부분에 대응하는 동일하거나 유사한 제 5 실시형태의 부분에는 동일하거나 유사한 인용부호가 제공되고, 이 부분들에 대한 상세한 설명은 생략한다. 또한, 제 5 실시형태에 있어서도, 휘도분포가 실질적으로 일정하게 되도록 유기 EL 소자는 설계될 수도 있다.
도 9a 는 유기 EL 소자 (31) 을 나타내는 평면도이고, 도 9b 는 도 9a 의 F-F 선을 따라 절단된 단면도이다. 또한, 도면 각각은 단지 개략적인 도면에 불과하며, 구성요소들은 예시적인 목적을 위해 과장된 크기로 도시되어있다. 따라서, 폭, 길이, 및 두께를 포함하는 구성요소들의 치수비율은 실제 값과 동일하지 않다.
도 9a 에 나타낸 바와 같이, 유기 EL 소자 (31) 는, 제 1 실시형태의 유기 EL 소자 (11) 의 실질적으로 정사각형 아웃라인과 달리, 가늘고 긴 직사각형 아웃라인을 가진다. 즉, 유기 EL 소자 (31) 는, 가늘고 긴 직사각형 아웃라인 및 가늘고 긴 사다리꼴 아웃라인과 같은, 적어도 하나의 짧은 변 및 한 쌍의 더 긴 변을 포함하는 가늘고 긴 아웃라인을 가진다. 유기 EL 소자 (31) 에서, 각각 모두 가늘고 긴 아웃라인을 가지는, 제 1 전극 (13), 유기발광층 (14), 및 제 2 전극 (15) 이, 기판 (12) 상에 이 순서대로 적층되어 가늘고 긴 발광부 (32) 를 형성한다. 급전부 (16) 는, 제 1 전극 (13) 의 긴 변 중 하나와 대향하는 위치에만 제공된다. 급전부 (16) 와 제 1 전극 (13) 은, 복수의 접속부 (18) 를 통해 전기적으로 접속된다. 접속부 (18) 들은 동일한 길이 및 동일한 두께를 가진다. 그러나, 접속부 (18) 가 단자부 (16a) 로부터 더 멀수록 접속부 (18) 의 폭은 더 커진다. 이러한 접속부 (18) 의 크기결정 (sizing) 은, 직류구동 전압이 인가될 때, 급전부 (16) 에 대향하는 제 1 전극 (13) 이 실질적으로 동일한 전위를 가질 수 있게 한다. 각 접속부 (18) 의 "길이" 는, 급전부 (16) 와 제 1 전극 (13) 사이의 간격으로 정의된다. 접속부의 "폭" 은, (도 9a 에서 수직으로 관측했을 때) 접속부 (18) 의 길이에 의해 정의되는 방향에 직교하는 접속부 (18) 의 크기로 정의된다.
전술한 바와 같이, 제 1 전극 (13) 은 짧은 변 및 긴 변을 포함하는 가늘고 긴 형상을 가진다. 이 경우, 긴 변 중 하나 상의 임의의 점과 짧은 변의 연장 방향으로 연장되는 선 상에 정의되는 점 사이의 부분의 저항값은, 대응하는 전류 경로 전체의 저항값에 비해 극히 작다. 따라서, 제 1 전극 (13) 상에 적층되는 가늘고 긴 유기발광층 (14) 은, 발광층 (14) 의 짧은 변의 연장되는 방향을 따르는 위치에서 실질적으로 동일한 전류밀도를 가진다. 이것은, 발광부 (32) 의 짧은 변 각각의 연장되는 방향에서, 가늘고 긴 발광부 (32) 의 휘도 차이를 억제한다. 또한, 발광부 (32) 의 긴 변 각각의 연장되는 방향에서, 발광부 (32) 의 휘도분포는 제 1 실시형태서 설명한 동일한 방식으로 조정된다. 즉, 각각 급전부 (16) 를 제 1 전극 (13) 에 접속하는 접속부 (18) 의 저항값들은, 단자부 (16b) 로부터 제 1 전극 (13) 과 접속부 (18) 사이의 접점부들까지의 전류경로 각각의 저항값을 조정하도록 조정된다.
따라서, 제 1 전극 (13) 의 긴 변 중 하나에 대향하는 위치에만 제공된 급전부 (16) 로도, 유기 EL 소자 (31) 의 휘도분포가 원하는 상태로 조정된다. 또한, 제 1 전극의 가늘고 긴 형상에과 무관하게, 급전부 (16) 는 제 1 전극 (13) 의 외주부 전체와 대향하도록 배열될 수도 있다.
제 5 실시형태는 이하의 효과를 가진다.
(18) 유기 EL 소자 (31) 는, 가늘고 긴 직사각형 아웃라인을 가진다. 따라서, 유기 EL 소자 (31) 는 가늘고 긴 광원을 필요로 하는 장치에 이용되어 원하는 상태로 조정된 휘도분포를 제공할 수도 있다.
(19) 제 1 전극 (13) 은 가늘고 긴 아웃라인을 가지고, 급전부 (16) 는 제 1 전극 (13) 의 긴 변 중 하나와 대향하는 위치에만 설치된다. 따라서, 제 1 전극 (13) 의 긴 변 상의 임의인 점과 각 짧은 변의 연장되는 방향을 따라 연장되는 선 상에 정의되는 점 사이의 부분의 저항값은, 대응하는 전류 경로 전체의 저항값 에 비해 극히 작아진다. 이것은 제 1 전극 (13) 이 상이하고 가늘고 긴 형상이 아닌 형상으로 형성되는 경우에 비해, 유기 EL 소자 (31) 의 휘도분포의 조정을 용이하게 한다. 또한, 급전부가 넓은 범위를 커버할 필요가 없어, 유기 EL 소자 (31) 가 설계 및 제조하기 용이해진다.
이하, 도 10a 및 도 10b 를 참조하여 본 발명의 제 6 실시형태를 설명한다. 제 6 실시형태의 유기 EL 소자는 제 4 실시형태의 유기 EL 소자와 다른 형상을 가진다. 제 4 실시형태의 동일하거나 유사한 대응하는 부분인 제 6 실시형태의 부분에는 동일하거나 유사한 인용부호가 제공되고, 이 부분들의 상세한 설명은 생략한다. 또한, 제 6 실시형태에서도, 유기 EL 소자는, 휘도분포가 실질적으로 균일해지도록 설계될 수도 있다.
도 10a 는 유기 EL 소자 (33) 의 평면도이고, 도 10b 는 도 10a 의 G-G 선을 따라 절단된 단면도이다. 또한, 각 도면은, 개략적으로 나타낸 것에 불과하며, 구성요소들은 예시적인 목적을 위해 과장된 치수로 도시되어 있다. 따라서, 폭, 길이, 및 두께를 포함하는 구성요소들의 치수 비율은 실제 값과 동일하지 않다.
도 10a 에 나타낸 바와 같이, 유기 EL 소자 (33) 는 가늘고 긴 직사각형 아웃라인을 가진다. 유기 EL 소자 (33) 에서, 모두 가늘고 긴 형상을 가지는, 제 １도전층 (26), 발광층으로서의 유기발광층 (27), 및 제 2 도전층 (28) 이 기판 (12) 에 이 순서대로 적층되어 가늘고 긴 발광부 (32) 를 정의한다. 제 1 도전층 (26) 의 긴 변 중 하나에 대응하는 위치에 보조전극층 (29) 이 형성된다. 유기발광층 (27) 의 한 변상의 제 1 도전층 (26) 과 보조전극층 (29) 사이에, 고저 항부 (30) 가 배열된다. 고저항부 (30) 의 폭 (도 10a 및 도 10b 에서 우향 또는 좌향으로 측정되는 치수) 은, 고저항부 (30) 와 단자부 (26b) 사이의 간격에 따라 변한다. 이것은 유기 EL 소자 (33) 의 휘도분포를 실질적으로 균일한 상태로 조정한다. 보다 구체적으로, 고저항부 (30) 의 폭은, 단자부 (26b) 에 가장 가까운 위치에서 최대화되고, 단자부 (26b) 에서 멀어질수록 줄어든다.
제 1 도전층 (26) 은 짧은 변 및 긴 변을 포함하는 가늘고 긴 아웃라인을 가진다. 이 경우, 제 1 도전층 (26) 의 긴 변 중 하나 상의 임의의 점과 짧은 변 각각의 연장되는 방향을 따른 선 상에 정의되는 점 사이의 부분의 저항값은, 대응하는 전류 경로 전체의 저항값에 비해 극히 작다. 따라서, 제 1 도전층 (26) 상에 적층되는 가늘고 긴 형상의 유기발광층 (27) 은, 유기 발광층 (27) 의 짧은 변 각각의 연장되는 방향을 따라 각 위치에서 실질적으로 동일한 전류밀도를 가진다. 이것은 발광부 (32) 의 짧은 변 각각의 연장되는 방향에서 가늘고 긴 발광부 (32) 의 휘도 차이를 억제한다. 발광부 (32) 의 긴 변 각각의 연장되는 방향에서 발광부 (32) 의 휘도분포는, 제 4 실시형태에서와 같은 방식으로 조정된다. 즉, 제 1 도전층 (26) 과 보조전극층 (29) 사이의 고저항부 (30) 의 폭은, 단자부 (26b) 로부터 제 1 도전층 (26) 까지의 전류경로 각각의 저항값을 조정하도록 조정된다.
따라서, 보조전극층 (29) 및 고저항부 (30) 가, 제 1 도전층 (26) 의 긴 변 중 하나에 대응하는 위치에만 제공됨에도 불구하고, 유기 EL 소자 (33) 의 휘도분포는 원하는 상태로 조정된다. 또한, 제 1 도전층 (26) 의 가늘고 긴 형상에 관계없이, 보조전극층 (29) 및 고저항부 (30) 가 제 1 도전층 (26) 의 전체 외주를 따라 제공될 수도 있다.
제 6 실시형태는 이하의 효과를 가진다.
(20) 유기 EL 소자 (33) 는, 가늘고 긴 직사각형 형상을 가진다. 따라서, 유기 EL 소자 (33) 는 가늘고 긴 광원을 필요로 하는 장치에도 이용될 수 있어, 원하는 상태로 조정된 휘도분포를 제공한다.
(21) 제 1 도전층 (26) 은, 가늘고 긴 아웃라인을 가지고, 보조전극층 (29) 및 고저항부 (30) 는 제 1 도전층 (26) 의 긴 변 중 하나에 대향하는 위치에만 제공된다. 따라서, 제 1 도전층 (26) 의 긴 변 중 하나 상의 임의의 점과 짧은 변 각각의 연장되는 방향을 따라 연장되는 선 상에 정의되는 점 사이의 부분의 저항값은, 대응하는 전류 경로 전체의 저항값에 비해 극히 작아진다. 이것은 제 1 도전층 (26) 이, 정사각형 형상과 같이, 상이하고 가늘고 긴 형상이 아닌 형상으로 형성되는 경우에 비해, 유기 EL 소자 (33) 의 휘도분포의 조정을 용이하게 한다. 또한, 보조전극층 (29) 및 고저항부 (30) 가 넓은 범위를 커버할 필요가 없기 때문에, 유기 EL 소자 (33) 는 설계하고 제조하기 용이해진다.
본 발명은 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다수의 다른 특정 형태로 구현될 수도 있음이 당업자에게 명확하다. 특히, 발명은 이하의 형태로 구현될 수도 있다.
도 11a 에 나타낸 바와 같이, 급전부 (16) 는, 동일한 폭, 길이, 및 두께를 가지는 복수의 접속부 (18) 에 의해 제 1 전극 (13) 에 접속될 수도 있다. 이 경우, 도 11a 의 제 1 전극 (13) 의 수직 방향을 따라 단위 길이 L 당 접속부 (18) 의 개수는, 제 1 전극 (13) 에서 정의된 위치들에 따라 변한다. 즉, 접속부 (18) 들은 단위 길이 L 에 따라 복수의 그룹으로 분할된다. 각 그룹은 하나 이상의 접속부 (18) 를 포함한다. 접속부 (18) 는, 그 접속부 (18) 가 어느 그룹에 속하는 지에 관계없이 균일한 형상을 가진다. 접속부 (18) 의 개수는 그룹별로 상이하다. 이 경우, 단위 길이 L 당 접속부 (18) 의 개수를 다르게 함으로써, 제 1 전극 (13) 이 접속부 (18) 에 접속되는 대응 접속 영역의 전위가 조정된다. 이러한 방식으로, 유기 EL 소자의 휘도분포가 실질적으로 균일해진다. 도 11a 에서, 단자부 (16a) 는 도면의 하측에 위치된다. 도면은, 직류구동 전압이 인가될 때, 급전부 (16) 에 대향하는 제 1 전극 (13) 의 변에서의 전위를 실질적으로 균일화하는 접속부 (18) 들의 배열을 나타낸다.
도 11b 에 나타낸 바와 같이, 급전부 (16) 를 제 1 전극 (13) 에 접속하는 접속부 (18) 들은, 동일한 폭, 동일한 두께, 및 동일한 길이를 가질 수도 있다. 이 경우, 접속부의 길이를 조정함으로써, 대응하는 접속부 (18) 가 제 1 전극 (13) 에 접속되는 접속영역의 전위가 조정된다. 이 방식으로, 유기 EL 소자의 휘도분포가 원하는 상태로 조정된다. 도 11b 에서, 단자부 (16a) 가 도면의 하측에 위치된다. 도면은, 직류구동 전압이 인가될 때, 급전부 (16) 에 대향하는 제 1 전극 (13) 의 변에서의 전위를 실질적으로 균일화하는 접속부 (18) 들의 배열을 나타낸다.
급전부 (16) 및 제 1 전극 (13) 은 복수의 접속부 (18) 에 의해 서로 접속될 수도 있다. 접속부 (18) 들의 저항값은 접속부 (18) 의 형상을 다르게함으로써 달라진다. 이 경우, 접속부 (18) 의 형상은 각 접속부 (18) 의 폭, 길이, 및 두께 중 적어도 하나를 다르게함으로써 수정될 수도 있다. 예를 들어, 폭은 균일하게 유지된 채로 접속부 (18) 의 길이 및 두께가 상이할 수도 있다. 이와 다르게는, 길이가 균일하게 유지된 채로 접속부 (18) 의 폭 및 두께가 상이해질 수도 있다. 또한, 두께가 균일하게 유지된 채로 접속부 (18) 의 폭 및 길이가 상이할 수도 있다. 또한, 접속부 (18) 의 폭, 길이, 및 두께가 전부 상이할 수도 있다.
제 1 전극 (13) 의 외주부에 배열되는 급전부 (16) 의 폭은, 일정할 필요가 없다. 도 11b 를 참조하면, 예를 들어, 급전부 (16) 와 제 1 전극 (13) 사이의 간격 (거리) 이 균일하더라도, 급전부 (16) 의 폭은 불균일할 수도 있다. 또한, 급전부 (16) 는 균일한 폭 및 불균일한 두께를 가질 수도 있다. 이와 다르게는, 급전부 (16) 는 균일한 폭 및 균일한 두께를 모두 가지지 못할 수도 있다.
급전부 (16) 에 제공되는 보조전극 (17) 은, 보조전극 (17) 이 제 2 기판 (15) 과 단락되지 않는 한 임의의 적당한 방식으로 형상화 될 수도 있다. 예를 들어, 도 11b 에 나타낸 바와 같이, 급전부 (16) 의 폭이 불균일한 경우, 보조전극 (17) 도 또한 불균일한 폭을 가질 수도 있다.
급전부 (16) 에 제공되는 보조전극 (17) 은, 급전부 (16) 의 형상과 일치하는 형상을 가질 필요는 없다. 예를 들어, 균일한 폭을 가지는 보조전극이 도 11A 의 급전부 (16) 에 대해 대각선으로 배열될 수도 있다.
급전부 (16) 는 제 1 전극 (13) 의 외주 전체를 따라 배열될 필요가 없다. 예를 들어, 도 11a 및 도 11b 를 참조하면, 급전부 (16) 는 제 1 전극 (13) 의 외주부의 일부만을 따라 제공될 수도 있다.
제 2 실시형태의 유기 EL 소자는, 도 12 의 유기 EL 소자 (34) 와 같이 가늘고 긴 아웃라인을 가질 수도 있다. 도 12 는, 유기발광층 (14) 및 제 2 전극 (15) 이 제거된 유기 EL 소자 (34) 를 나타내는 평면도이다. 도면은 유기 EL 소자 (34) 의 휘도분포가 실질적으로 균일해지는 상태를 나타낸다. 급전부 (16) 는 제 1 전극 (13) 의 긴 변 중 하나에 대향하는 위치에만 제공된다. 접속부 (18) 들은 급전부 (16) 를 제 1 전극 (13) 에 접속한다. 이 실시형태에서, 유기 EL 소자 (34) 의 휘도분포의 조정은, 접속부 (18) 의 저항값들을 조정함으로써 그리고 비발광부 (23) 를 제공함으로써 수행된다. 이 방식으로, 휘도분포가 원하는 상태로 더 조정된다. 도 12 의 유기 EL 소자 (34) 는, 가늘고 긴 광원을 필요로 하는 장치에 이용될 수 있어, 원하는 상태로 조정된 휘도분포를 제공한다.
제 3 실시형태의 유기 EL 소자는, 도 13a 및 도 13b 의 유기 EL 소자 (35) 와 같이, 가늘고 긴 아웃라인을 가질 수도 있다. 도 13a 는 유기 EL 소자 (35) 를 나타내는 평면도이고, 도 13b 는 도 13a 의 H-H 선을 따라 절단된 단면도이다. 도면들은 휘도분포가 실질적으로 균일해지는 상태를 나타낸다. 유기 EL 소자 (35) 에서, 급전부 (16) 및 제 1 전극 (13) 은 하나의 접속부 (18) 에 의해 서로 접속된다. 급전부 (16) 는, 또한 가늘고 긴 아웃라인을 가지는, 제 1 전극 (13) 의 긴 변 중 하나에 대향하는 위치에 제공된다. 접속부 (18) 의 두께는 접속부 (18) 와 단자부 (16b) 사이의 간격에 따라 연속적으로 다르다. 예를 들어, 실질적으로 균일한 휘도분포를 획득하기 위해, 접속부 (18) 는 도 13b 에 나타낸 바와 같이 형상화될 수도 있다. 즉, 접속부 (18) 의 두께는 단자부 (16b) 로부터 더 먼 위치에서 더 커지고, 단자부 (16b) 에 더 가까운 위치에서 더 작아진다. 또한, 이 경우, 유기 EL 소자 (35) 는 가늘고 긴 광원을 필요로 하는 장치에 이용될 수 있어, 원하는 상태로 조정된 휘도분포를 제공한다.
도 9, 도 10, 도 12 및 도 13 의 가늘고 긴 유기 EL 소자들은, 하나의 단자부를 가져야 하는 것이 아니라 복수의 단자부를 포함할 수도 있다. 또한, 이것은 각 유기 EL 소자의 휘도분포의 조정을 용이하게 한다.
예로 든 실시형태들에서, 접속부 (18) 는 휘도분포가 실질적으로 균일해지는 방식으로 조정된다. 그러나, 휘도분포는, 유기 EL 소자의 발광영역의 특정 위치에서 (특정 영역에서) 불균일해질 수도 있다. 예를 들어, 복수의 접속부 (18) 가 도 14 에 나타낸 바와 같이, 단자부 (16a) 가 하측에 배치되게 배열될 수도 있다. 이 경우, 직류구동 전압이 인가될 때, 유기 EL 소자의 휘도는, 단자부 (16a) 에 가까운 위치 및 먼 위치에서 낮아진다. 이들 위치 사이의 중간 영역의 휘도는 높아진다.
고저항부 (30) 의 폭은, 유기 EL 소자의 휘도분포가 실질적으로 균일하게 되도록 조정된다. 이와 다르게는, 고저항부 (30) 의 폭은, 휘도분포가 소자의 발광영역의 특정 위치에서 (특정 영역에서) 불균일하게 되도록 조정될 수도 있다. 즉, 고저항부 (30) 가 보조전극층 (29) 을 따라 연속적으로 제공되는 도 7 의 배열과 달리, 고저항부 (30) 가 보조전극층 (29) 을 따라 불연속적인 방식으로 형성될 수도 있다. 이 경우, 휘도분포는 불균일하게 된다.
제 1 전극 (13) 의 재료는 ITO 에 한정되는 것이 아니라, 그 재료가 제 2 전극 (15) 에 보다 더 높은 체적저항율을 가지고 도전성이기만 하면, 임의의 적합한 물질일 수도 있다. 즉, 제 1 전극 (13) 은 예를 들어, IZO (인듐 아연 산화물) 과 같은 금속 산화물, ZnO (아연 산화물), 및 산화 주석으로 형성될 수도 있다.
제 2 전극 (15) 은 반드시 알루미늄으로 형성되어야 하는 것은 아니다. 제 2 전극 (15) 의 재료는, 그 재료가 제 1 전극 (13) 에 보다 더 낮은 체적저항율을 가지고 도전성이기만 하면 임의의 적합한 물질일 수도 있다. 즉, 제 2 전극 (15) 은, 금, 은, 동, 및 크콤, 및 이 금속들의 합금과 같은 금속으로 형성될 수도 있다.
제 2 전극 (15) 은 가시광선을 반사해야하는 것은 아니다.
보조전극 (17) 은 알루미늄으로 형성되어야 하는 것은 아니다. 보조전극 (17) 의 재료는, 그 재료가 도전성이고 급전부 (16) 에 보다 더 낮은 체적저항율을 가지는 한, 임의의 적합한 물질일 수도 있다.
예로 든 실시형태들에서, 접속부 (18) 는 제 1 전극 (13) 의 재료와 동일한 재료로 형성된다. 그러나, 접속부 (18) 는, 도전성이고 보조전극 (17) 을 형성하는 금속보다 더 높은 체적저항을 가지는 임의의 적합한 물질로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 제 1 전극 (13) 이 ITO 로 형성되는 겨우, 접속부 (18) 는, IZO, ZnO, 또는 산화주석으로 형성될 수도 있다.
급전부 (16) 가, 예시된 실시형태들에서 제 1 전극 (13) 의 재료와 동일한 재료로 형성되더라도, 급전부 (16) 는 재료가 도전성인 한 제 1 전극 (13) 의 재료와 상이한 재료로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 급전부 (16) 는 알루미늄, 금, 은, 동, 또는 크롬의 제 2 전극 (15) 의 재료와 동일한 재료로 형성될 수도 있다.
예시된 실시형태들에서, 보조전극 (17) 이 급전부 상에 탑재되지만, 보조전극 (17) 이 급전부 (16) 에 제공되지 않을 수도 있다.
급전부 (16) 는, 급전부의 단부 이외의 위치에, 급전부 (16) 를 외부구동회로에 접속하기 위한 단자부를 포함할 수도 있다. 접속부의 형상은 접속부와 단자부 사이의 간격에 따라 조정되어, 유기 EL 소자의 휘도분포를 원하는 상태로 조정한다.
유기발광층 (14) 과 제 2 전극 (15) 사이에 배열되는, 무기물질로 형성되는 전자주입층은 생략될 수도 있다. 또한, 유기물질로 형성되는 전자주입층이 유기발광층 (14) 에 제공될 수도 있다.
유기발광층 (14) 은, 정공주입층 (19), 정공수송층 (20) 및 발광층 (21) 으로 구성되어야만 하는 것은 아니다. 유기발광층 (14) 은, 발광층에 의해 독립적으로, 또는 정공주입층, 정공수송층, 정공주입수송층, 정공저지층, 전자주입층, 전자수송층, 및 전자저지층 중 하나 이상과 적층됨으로써 형성될 수도 있다.
예시된 실시형태들에서, 유기발광층 (14) 은 백색광을 방출한다. 그러 나, 유기발광층 (14) 은 적색광, 녹색광, 청색광, 또는 황색광을 독립적으로, 또는 이 색상들의 조합으로 발광한다.
제 1 전극 (13), 유기발광층 (14), 제 2 전극 (15), 패시베이션 막 등은, 각각 공지의 박막증착법에 으해 형성된다.
고저항부 (30) 의 재료는 유기발광층 (27) 의 재료로 한정되는 것은 아니다. 고저항부 (30) 는, 재료의 체적저항율이 제 1 도전층 (26) 의 재료보다 더 높기만 하면 임의의 적합한 재료로 형성될 수도 있다. 따라서, 고저항부 (30) 는, 예를 들어, 절연체로 형성될 수도 있다. 고저항부 (30) 의 재료가 유기발광층 (27) 의 재료와 상이한 경우, 고저항부 (30) 및 유기발광층 (27) 은 서로 개별적으로 형성되어야 한다.
고저항부 (30) 및 유기발광부 (27) 는 서로로부터 연속적이어야만 하는 것은 아니다.
예시된 실시형태들에서, 비발광부 (23) 는 제 1 전극 (13) 에 제공된 개구부 (openings) 에 의해 정의된다. 그러나, 비발광부 (23) 를 정의하는 개구부는 유기발광층 (14) 또는 제 2 전극 (15) 에 제공될 수도 있다. 이와 다르게는, 비발광부 (23) 는, 전극 중 하나와 유기발광층 (14) 사이에 절연체를 배열함으로써 정의될 수도 있다.
예시된 실시형태들에서, 유기 EL 소자 각각은 하부발광형 (bottom emission type) 이다. 그러나, 본 발명은 상부발광형 (top emission type) 유기 EL 소자에 제공될 수도 있다. 이 경우, 기판 (12) 은 불투명 재료로 형성될 수도 있 고, 제 2 전극 (15) 는 투명 금속으로 형성된다. 여기서 투명성은 10 % 이상의 가시광선 투과율로 정의된다.
기판 (12) 은 유리로 형성되어야만 하는 것은 아니다. 유기 EL 소자가 하부발광형인 경우, 기판 (12) 은, 재료가 투명하기만 하면 임의의 적합한 재료로 형성될 수도 있다. 즉, 기판 (12) 은 아크릴수지와 같은 투명한 수지로 형성될 수도 있다. 또한, 유기 EL 소자가 상부발광형인 경우, 실리콘 또는 금속으로 형성된 불투명한 기판이 채택될 수도 있다. 이와 다르게는, 유기 EL 소자 상부발광형이고 투명기판을 채택하는 경우, 기판상에 예들 들어, 반사부재가 배열된다.
본 발명은 발광층으로서 유기층을 가지는 유기 EL 소자에 한정되는 것이 아니라 발광층으로서 무기층을 가지는 무기 EL 소자에 적용될 수도 있다.
따라서, 본 예 및 실시형태는 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 간주되어야하고, 발명은 여기서 주어진 상세한 설명에 한하지 않고 첨부된 청구항들의 범위 및 그 균등범위 내에서 수정될 수도 있다.
본 발명의 전계발광 소자에 의해, 소자의 휘도분포를 원하는 상태로 균일하게 할 수 있다.
Claims (22)
- 제 1 전극 (13);제 2 전극 (15);상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 배열되는 발광층 (21);급전부 (16); 및상기 급전부를 상기 제 1 전극에 전기적으로 접속하기 위한 접속부 (18) 를 포함하는 전계발광 소자 (11, 22, 24, 25, 31, 33, 34, 및 35) 로서,상기 제 1 전극은 상기 제 2 전극을 형성하는 재료보다 더 높은 체적저항율을 가지는 재료로 형성되고,상기 접속부는 상기 접속부가 상기 급전부를 상기 제 1 전극에 접속하는 위치에 따라 변하는 저항값을 가지는, 전계발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 급전부 (16) 는 상기 제 1 전극 (13) 의 일 변을 따라 연장되고,상기 접속부 (18) 의 저항값은, 상기 급전부가 연장되는 방향을 따라 측정될 때 상기 급전부의 연장되는 방향을 따라 정의되는 위치에 따라 변하는, 전계발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 접속부는 (18) 상기 제 1 전극 (13) 의 재료와 동일한 재료로 형성되는, 전계발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 급전부 (16) 는 상기 제 1 전극 (13) 의 재료와 동일한 재료로 형성되는, 전계발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 급전부 (16) 는 상기 급전부의 재료보다 더 낮은 체적저항율을 가지는 재료로 형성되는 보조전극 (17 및 52) 을 포함하는, 전계발광 소자.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 접속부 (18) 는 복수의 접속부 중 하나인, 전계발광 소자.
- 제 6 항에 있어서,상기 급전부 (16) 는 외부구동회로에 접속될 수 있는 단자부 (16a 및 16b) 를 가지고,상기 접속부 (18) 들은 상기 접속부들과 상기 단자부 사이의 간격들에 따라 서로 상이하게 형상화되는, 전계발광 소자.
- 제 7 항에 있어서,상기 접속부 (18) 각각은 상기 급전부 (16) 로부터 상기 제 1 전극 (13) 까지의 길이, 및 상기 길이에 수직인 폭을 가지고,상기 접속부들은 동일한 길이 및 상이한 폭을 가지는, 전계발광 소자.
- 제 6 항에 있어서,상기 접속부 (18) 각각은 하나 이상의 도전체를 가지고,상기 접속부들의 도전체들은 동일하게 형상화되고,상기 도전체들의 개수는 상기 접속부 마다 상이한, 전계발광 소자.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 급전부 (16) 및 상기 접속부 (18) 는, 전계발광 소자 (11, 22, 24, 25, 31, 33, 34, 및 35) 가 전체로서 실질적으로 균일한 휘도분포를 가지도록 배열되는, 전계발광 소자.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전계발광 소자 (31, 33, 34, 및 35) 는 가늘고 긴 (elongated) 형상을 가지는, 전계발광 소자.
- 제 11 항에 있어서,상기 제 1 전극 (13) 은 한 쌍의 짧은 변 및 한 쌍의 긴 변을 가지고,상기 급전부 (16) 는 상기 제 1 전극의 긴 변 중 하나에 대향하는 위치에만 배열되는, 전계발광 소자.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 전극 (13 및 15) 이 오버랩되는 발광영역에 비발광부 (23) 가 제공되는, 전계발광 소자.
- 제 13 항에 있어서,상기 비발광부 (23) 는 복수의 비발광부 중 하나이고,상기 비발광부는 상기 전계발광 소자 (22 및 34) 의 휘도분포를 원하는 상태로 조정하도록 배열되는, 전계발광 소자.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전계발광 소자 (11, 22, 24, 25, 31, 33, 34 및 35) 는 영역 발광 소자인, 전계발광 소자.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전계발광 소자 (11, 22, 24, 25, 31, 33, 34 및 35) 는 디스플레이의 백라이트로 채택되는, 전계발광 소자.
- 외부구동회로에 접속될 수 있는 단자부 (26a 및 26b) 를 가지는 제 1 도전층 (26);상기 제 1 전극층에 적층되는 발광층 (27);상기 발광층 상에 형성되는 제 2 도전층 (28);상기 제 1 도전층의 위치에 따라 제공되는 보조전극층 (29); 및상기 제 1 도전층의 재료에 비해 상대적으로 높은 체적저항율을 가지는 재료로 형성되는 고저항부 (30) 를 포함하는 전계발광 소자로서,상기 제 1 도전층은 상기 제 2 도전층을 형성하는 재료보다 더 높은 체적저항율을 가지는 재료로 형성되고,상기 보조전극층은 상기 제 1 도전층의 재료보다 더 낮은 체적저항율을 가지는 재료로 형성되고,상기 고저항부 (30) 는 상기 제 1 도전층 (26) 과 상기 보조전극층 (29) 사이에 상기 발광층 (30) 의 일부에 이웃하게 배열되고,상기 고저항부 (30) 는 상기 발광층 (27) 의 일 변을 따라 연장되고,상기 고저항부 (30) 는 상기 발광층 (27) 의 변이 연장되는 방향을 따라 정의되는 길이 및 상기 길이에 수직인 폭을 가지고,상기 고저항부 (30) 의 상기 폭은, 상기 고저항부 (30) 와 상기 단자부 (26a 및 26b) 사이의 간격에 따라 변하는, 전계발광 소자.
- 제 17 항에 있어서,상기 고저항부 (30) 는 상기 발광층 (27) 을 형성하는 재료와 동일한 재료로 형성되는, 전계발광 소자.
- 제 18 항에 있어서,상기 고저항부 (30) 는 상기 발광층 (27) 으로부터 연속적으로 형성되는, 전계발광 소자.
- 제 17 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 고저항부 (30) 는 상기 전계발광 소자 (25, 33) 의 휘도분포가 전체적으로 실질적으로 균일하게 되도록 배열되는, 전계발광 소자.
- 제 17 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전계발광 소자 (33) 는 가늘고 긴 형상을 가지는, 전계발광 소자.
- 제 21 항에 있어서,상기 제 1 도전층 (26) 은 한 쌍의 짧은 변 및 한 쌍의 긴 변을 포함하고,상기 보조전극층 (29) 및 상기 고저항부 (30) 는, 상기 제 1 도전층 (26) 의 긴 변 중 하나 상에만 제공되는, 전계발광 소자.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2004-00374360 | 2004-12-24 | ||
| JP2004374360 | 2004-12-24 | ||
| JP2005180032A JP4561490B2 (ja) | 2004-12-24 | 2005-06-21 | エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPJP-P-2005-00180032 | 2005-06-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060073514A true KR20060073514A (ko) | 2006-06-28 |
| KR100752973B1 KR100752973B1 (ko) | 2007-08-30 |
Family
ID=36071988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050128676A KR100752973B1 (ko) | 2004-12-24 | 2005-12-23 | 전계발광 소자 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7521861B2 (ko) |
| EP (1) | EP1679939A3 (ko) |
| JP (1) | JP4561490B2 (ko) |
| KR (1) | KR100752973B1 (ko) |
| CN (1) | CN1832642A (ko) |
| TW (1) | TWI306001B (ko) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100739300B1 (ko) * | 2006-07-31 | 2007-07-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
| KR20120108285A (ko) * | 2011-03-23 | 2012-10-05 | 주성엔지니어링(주) | 발광 소자 |
| US8749134B2 (en) | 2006-09-29 | 2014-06-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light emitting device with a layer sequence having electrode surfaces and partial regions |
| KR101407753B1 (ko) * | 2012-01-05 | 2014-06-16 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 무선 급전식 발광 소자 및 발광 장치 |
| US9646614B2 (en) | 2000-03-16 | 2017-05-09 | Apple Inc. | Fast, language-independent method for user authentication by voice |
| CN109301080A (zh) * | 2017-07-24 | 2019-02-01 | 固安翌光科技有限公司 | 一种有机电致发光器件 |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100484352C (zh) * | 2003-10-02 | 2009-04-29 | 株式会社丰田自动织机 | 电致发光元件 |
| JP4830411B2 (ja) * | 2005-09-07 | 2011-12-07 | 株式会社豊田自動織機 | 有機ｅｌ装置の製造方法 |
| DE102006016373A1 (de) * | 2006-04-05 | 2007-10-11 | Merck Patent Gmbh | Großflächige OLED's mit homogener Lichtemission |
| WO2008126267A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-23 | Pioneer Corporation | 発光装置 |
| WO2008126269A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-23 | Pioneer Corporation | 発光装置 |
| JP4798050B2 (ja) * | 2007-04-03 | 2011-10-19 | 株式会社豊田自動織機 | スキャナ用光源 |
| JP5541872B2 (ja) * | 2009-02-26 | 2014-07-09 | パナソニック株式会社 | 面状発光装置および照明器具 |
| JP5695312B2 (ja) * | 2009-10-27 | 2015-04-01 | ローム株式会社 | 有機ｅｌ装置 |
| DE102010003121A1 (de) * | 2010-03-22 | 2011-09-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organische Lichtemittierende Vorrichtung mit homogener Leuchtdichteverteilung |
| DE102010029848A1 (de) * | 2010-04-30 | 2012-01-12 | Ledon Oled Lighting Gmbh & Co.Kg | Flächiger Leuchtkörper mit homogener Leuchtdichte und Verfahren zum Erhöhen der Homogenität der Leuchtdichte eines flächigen Leuchtkörpers |
| JPWO2011155306A1 (ja) * | 2010-06-07 | 2013-08-01 | Ｎｅｃライティング株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス照明装置 |
| AT13715U1 (de) * | 2012-04-17 | 2014-07-15 | Tridonic Uk Ltd | Organische Leuchtdiodenanordnung und Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdiodenanordnung |
| JPWO2013160985A1 (ja) * | 2012-04-23 | 2015-12-21 | パイオニア株式会社 | 有機ｅｌパネル |
| WO2013161004A1 (ja) * | 2012-04-24 | 2013-10-31 | パイオニア株式会社 | 有機ｅｌパネル |
| JP6069947B2 (ja) * | 2012-08-18 | 2017-02-01 | セイコーエプソン株式会社 | 照明装置、電子機器、撮像装置、検査装置 |
| JP6486829B2 (ja) * | 2012-11-16 | 2019-03-20 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機発光素子およびその製造方法 |
| EP3078068B1 (en) * | 2013-12-03 | 2020-03-11 | OLEDWorks GmbH | Current distribution in an organic light emitting diode device |
| CN103702467B (zh) * | 2013-12-13 | 2018-07-24 | 固安翌光科技有限公司 | 一种oled照明光源 |
| JP2016170963A (ja) * | 2015-03-12 | 2016-09-23 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
| WO2019082950A1 (ja) * | 2017-10-27 | 2019-05-02 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
| CN109037466B (zh) * | 2018-08-08 | 2019-08-02 | 华域视觉科技(上海)有限公司 | Oled屏体器件、车灯、以及oled屏体器件中分流单元的制造方法 |
| KR102631169B1 (ko) * | 2018-12-31 | 2024-01-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 조명장치 |
| JP2021184401A (ja) * | 2020-12-25 | 2021-12-02 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03107188A (ja) * | 1989-09-20 | 1991-05-07 | Olympus Optical Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| JPH05315073A (ja) * | 1991-04-19 | 1993-11-26 | Ricoh Co Ltd | Ｅｌ素子 |
| JPH05226076A (ja) * | 1992-02-12 | 1993-09-03 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | Ｅｌ発光体 |
| JP3277567B2 (ja) * | 1992-10-14 | 2002-04-22 | 株式会社デンソー | Ｅｌ表示器及びその駆動回路 |
| JPH09292623A (ja) | 1996-04-24 | 1997-11-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示基板とそれを用いる液晶表示器 |
| JPH103987A (ja) * | 1996-06-12 | 1998-01-06 | Futaba Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH1012386A (ja) * | 1996-06-24 | 1998-01-16 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
| JP3622874B2 (ja) * | 1996-07-31 | 2005-02-23 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
| JPH1063198A (ja) * | 1996-08-19 | 1998-03-06 | Denso Corp | マトリクス型ｅｌ表示装置 |
| JP4434411B2 (ja) | 2000-02-16 | 2010-03-17 | 出光興産株式会社 | アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法 |
| JP2001244069A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-09-07 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2002108252A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネセンス表示パネル |
| JP4896318B2 (ja) * | 2001-09-10 | 2012-03-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| JP2003123990A (ja) | 2001-10-17 | 2003-04-25 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| SG126714A1 (en) | 2002-01-24 | 2006-11-29 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP4271972B2 (ja) | 2003-03-27 | 2009-06-03 | オプトレックス株式会社 | 有機ｅｌ表示装置用配線基板の製造方法 |
| JP4242203B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2009-03-25 | ローム株式会社 | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP4020060B2 (ja) | 2003-08-29 | 2007-12-12 | 株式会社豊田自動織機 | 有機電界発光素子 |
-
2005
- 2005-06-21 JP JP2005180032A patent/JP4561490B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-21 US US11/316,089 patent/US7521861B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-23 KR KR1020050128676A patent/KR100752973B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-12-23 EP EP05028280A patent/EP1679939A3/en not_active Withdrawn
- 2005-12-23 TW TW094146029A patent/TWI306001B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-12-23 CN CNA2005101358359A patent/CN1832642A/zh active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9646614B2 (en) | 2000-03-16 | 2017-05-09 | Apple Inc. | Fast, language-independent method for user authentication by voice |
| KR100739300B1 (ko) * | 2006-07-31 | 2007-07-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
| US8749134B2 (en) | 2006-09-29 | 2014-06-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light emitting device with a layer sequence having electrode surfaces and partial regions |
| KR101424305B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2014-08-01 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | 복사 방출 장치 |
| KR20120108285A (ko) * | 2011-03-23 | 2012-10-05 | 주성엔지니어링(주) | 발광 소자 |
| KR101407753B1 (ko) * | 2012-01-05 | 2014-06-16 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 무선 급전식 발광 소자 및 발광 장치 |
| US9030098B2 (en) | 2012-01-05 | 2015-05-12 | Nitto Denko Corporation | Wireless electric power supply type light-emitting element and light-emitting device |
| CN109301080A (zh) * | 2017-07-24 | 2019-02-01 | 固安翌光科技有限公司 | 一种有机电致发光器件 |
| CN109301080B (zh) * | 2017-07-24 | 2024-03-05 | 固安翌光科技有限公司 | 一种有机电致发光器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1679939A3 (en) | 2010-11-24 |
| EP1679939A2 (en) | 2006-07-12 |
| TW200629979A (en) | 2006-08-16 |
| KR100752973B1 (ko) | 2007-08-30 |
| US20060214157A1 (en) | 2006-09-28 |
| TWI306001B (en) | 2009-02-01 |
| CN1832642A (zh) | 2006-09-13 |
| US7521861B2 (en) | 2009-04-21 |
| JP2006202717A (ja) | 2006-08-03 |
| JP4561490B2 (ja) | 2010-10-13 |
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Legal Events
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| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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