TWI306001B - Electroluminescence element - Google Patents

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1306001 «. 瀵 九、發明說明： 【發明所屬技術領域】 . 本發明與一電致發光元件有關。 • 【先前技術】 - 有機電致發光元件（以下簡稱「有機EL元件」）被應 用於顯示及照明裝置中之發光元件。一個該元件基本上包 含沈積在一透明基板（例如由玻璃所形成者）上，依序由 一陽極電極層、一有機發光層以及一陰極電極層。 φ 當在陽極電極層與陰極電極層間施以電壓時，且電流 因而流經有機發光層時，有機E L元件即發射出光。典型 地，由有機發光層所發出的光通過一陽極或陰極電極層之 電極並因此送到外界。在此情形下，至少光通過之電極是 由可傳送光之透明電極所形成。典型地，透明電極是由比 ‘金屬電極（如鋁或銀所形成之電極）具有較高體電阻率的 氧化銦錫（indium tin oxide，ΙΤΟ)或氧化鋅（ΖηΟ)所形 成。 ® 有機E L元件的亮度受有機發光層的電流密度所影 響，當電流密度變大時亮度也相應增加。如透明電極是由 .氧化銦錫所形成，從電源供應端到電極之較接近電源供應 端的部位的電阻値以及從電源供應端到電極之遠離電源供 . 應端的部位的電阻値的差異相對地變的較大。因此導致有 機發光層的對應部位的電流密度的巨大差異。因此，有機 E L元件的發光區域的亮度變的不一致。 在一種調整有機EL元件的亮度分佈的方法，如日本公 1306001 開專利第2003-123990號所描述者，一透明電極與—由金 屬形成，具有相當高之導電率之輔助電極結合。更明確地’ • 如第1 5圖所示，該方法使用一個包含接觸部的輔助電極 '52。該接觸部有三面與陽極電極層51接觸’沈積於基板 - 50之上。 在這個方法中’輔助電極5 2環繞著透明陽極電極層 51而設置。因而藉由降低透明陽極電極層51與輔助電極 52之對應部位之電阻値而調整有機EL元件的亮度分佈。 Φ 然而，即使在輔助電極5 2中，從電源供應端到輔助電極 5 2之較接近電源供應端的部位的電阻値以及從電源供應端 到輔助電極5 2之遠離電源供應端的部位的電阻値的差異 相對地變的較大。這減少了有機發光層之遠離電源供應端 的部位的電流密度，也同時降低了該部位的亮度。 類似的問題亦同樣發生在無機EL元件。 【發明內容】 基於上述，本發明的目的在於提供一種EL元件，其具 有一種可將EL元件之亮度分佈調整到理想狀態之新穎架 構。此處所定義之亮度分佈之「理想狀態」，是一種實質上 . 均句的狀態’或是一種區別之焦點在於EL元件之的發光區 . 域之理想部位（區域）的狀態。 - 爲了達成上述目的，本發明提供了一種電致發光元 - 件，其包含一第一電極，一第二電極，以及一設置於第一 電極和第二電極之間的發光層。第一電極係由體電阻率高 於弟一電極的材料所形成。一個連接部’其在電氣上連接 1306001 了第一電極與饋線部。連接部的電阻値依連接於第一電極 之饋線部之連接部的位置而不同。 . 本發明亦提供一種電致發光元件，其包含一第一導電 ； 層’一沈積於第一導電層之發光層，以及一形成於發光層 - 之上的第二導電層。第一導電層具有一可連接於一外部驅 動電路的端部。第一導電層係由具有體電阻率高於第二導 電層之材料所形成。輔助電極則是由體電阻率低於第一導 電層之材料所形成。一由體電阻率高於第一導電層之材料 • 所形成之高電阻部。高電阻部是設置於第一導電層與輔助 電極層之間’且鄰近於發光層之一部，沿著發光層的一邊 延伸。高電阻部的長度依沿著發光層之一邊所延伸的方向 且垂直於其長度之寬度而界定。高電阻部的寬度依高電阻 部與端部的距離而不同。 本發明的其他觀點與優點可由下列敘述及附隨的_ 式’配合依本發明之原則所展示之示例而更加明瞭。 【實施方式】 ® 本發明及其目的與優點可藉由下列對目前之較佳實施 例之描述及附隨的圖式，而獲得最佳之理解。 „ 根據本發明之第一實施例之有機E L元件可參照第1 . 圖至第3圖而加以說明。在第—個實施例中，有機el元件 . 亮度分佈之理想狀態與實質上均勻之狀態相對應。 . 如第1A圖及第1B圖所示，有機EL元件11具有一第 一電極13’ 一作爲發光層之有機發光層14，以及一第二電 極1 5 ’依上述順序沈積於—實質上爲長方形的基板1 2上。 .1306001 有_機E L元件1 1進一步包含一饋線部1 6，一輔助電極1 7 ’ 以及多數個連接部18。第一電極13 ’有機發光層14 ’第 . 二電極1 5，饋線部1 6，輔助電極1 7 ’以及一整體上界定 • 連接部1 8之部位’均各自於第一電極1 3之側面中線形成 - 對稱（從第1 A圖之右側或左側觀察）°此外，各圖式僅係 概略之圖示，且各元件爲說明之目的均以放大之尺寸顯 示。各元件之尺寸比例，包括寬度、長度，以及厚度，均 與實際數値有所出入。 # 第一電極13，有機發光層14及第二電極15均具有實 質上爲長方形之形狀。有機發光層14和第一電極13在實 質上具有相同之表面積。第二電極15之表面積小於有機發 光層1 4之表面積小，以避免第二電極1 5和第一電極1 3間 之短路。在第一實施例中，第一電極1 3係對應於陽極，而 第二電極15係對應於陰極。第二電極15具有一形成於第 二電極1 5之一側之端部1 5 a。端部〗5 a將第二電極1 5 a連 接於一外部驅動電路（未圖示）。 饋線部1 6形成於基板1 2上，沿著第一電極1 3的外圍 延伸。饋線部1 6的寬度一致。兩個端部】6a，丨6b形成於 __線部1 6之相反兩端以將饋線部1 6連接於驅動電路（未 :圖示）。饋線部1 6的兩個端部1 6 a，1 6 b以及第二電極1 5 ' 之端部1 5 a沿著有機E L元件π的一側排列。在此狀態， ' 端部1 5 a設置於端部1 6 a，1 6 b之間。 輔助電極1 7安裝於饋線部1 6之上，沿著饋線部1 6的 輪廓延伸。輔助電極]7係由體電阻率較饋線部〗6爲低的 I3〇6〇〇i 材料所製成。輔助電極1 7的寬度一致且小於饋線部1 6的 寬度’以避免輔助電極1 7突出於饋線部1 6而導致與第二 ' 電極1 5的短路。 、 饋線部16與第一電極13藉由設置於基板12之上的連 ' 接部18在電氣上相互連接。在第一實施例中，連接部】8 是以一種當施以DC驅動電壓於饋線部1 6與第二電極} 5 時，於第一電極1 3的外圍產生實質上相當的電位的方式形 成。更明確而言，連接部18係設置於第一電極13的左右 # 兩側，如第1 A圖所示。連接部1 8的中軸依相等間距分隔。 基於說明之目的，第1 A圖中之連接部1 8係依相等間距分 隔。此外，連接部18具有一致的長度及厚度。然而，連接 部1 8的寬度依連接部1 8與對應的端部1 6 a及1 6 b其中之 « 一的距離而不同。此處之「各個連接部1 8的長度」與饋線 部16與第一電極13間的距離（尺寸）相當，稱之爲「第 一尺寸」。「各個連接部〗8的寬度」與連接部18垂直於 由連接部18之長度界定的方向之尺寸相當，稱之爲「第二 • 尺寸」。更明確地說，最接近於對應之端部1 6a及1 6b的 連接部1 8具有最小的寬度。愈遠離對應之端部1 6a及1 6b， 連接部1 8的寬度也隨之變寬。此外，第一電極1 3與對應 於端部1 5 a，1 6 a ’ 1 6 b之一側之相對的一側完全地與對應 . 的連接部1 8相連接，其寬度被適度地調整。在饋線部1 6 與第一電極1 3之間被界定而不與連接部1 8對應的部位爲 不具導電性，因此可避免電流自饋線部1 6流至第一電極 13° .1306001 在第一實施例中，有機E L元件11是以底部發射型 (bottom- emission type)形成’其中光係由有機發光層14發 . 射，而從基板1 2射出。換言之，基板1 2的功用是作爲光 • 出射表面。因此，基板12是由可傳送可見光的材料所製 % - 成，例如玻璃。 第一電極13是一個透明電極，且是由一展現相當高之 可見光傳導率之IT0膜所製成。IT0較金屬（如鋁或銀） 具有較高的體電阻率。饋線部1 6以及連接部1 8是由與第 • 一·電極1 3相同之材料，或ITO所製成。每一個連接部1 8 係藉由在ITO膜上提供一對應的切口而界定。 有機發光層14是由一包括至少一發光層之有機層所 形成。舉例而言，參照第2圖，有機發光層14具有一五層 之結構，包括一電洞注入層19(hole injection layer)、電洞 傳輸層 20 (hole transport layer)、一第一發光層 21a、一第 二發光層2】b及一第三發光層21c。第一至第三發光層21a 至2 U，界定了發光層2 1，其沈積於電洞傳輸層2 0之上。 ^ 也就是說，在第一實施例中，有機發光層14是由包括電洞 注入層19、電洞傳輸層20及發光層21之有機層所形成。 .此外，一由氟化鋰（Li F)形成之電子輸入層1 5b設置於第三 發光層21c以及第二電極15之間。 . 發光層21係藉由依序將屬紅光發光層之第一發光層 . 21a’屬藍光發光層之第二發光層21b，及屬綠光發光層之 第三發光層21c予以沈積於電洞傳輸層2〇，而形成爲白光 發射層。 -10- 1306001

第一發光層2 1 a之形成是以 DCJT作爲摻雜物（dopant)，且其厚度爲5nm。d 之重量百分比爲Ο.5 e DC〗T的代表化學式如下

DCJT 第二發光層21b之形成是以DPVBi作爲主體，以 BCzVBi作爲慘雜物’且其厚度爲30nm°BCzVBi與DPVBi 的重量百分比爲5.0。 第三發光層21c之形成是以Alq3作爲主體，以C545T (一伊士曼一柯達公司之產品名稱）作爲摻雜物，且其厚 度爲20nm。C545 T與Alq3的重量百分比爲1,0。 第二電極15是由可反射從有機發光層14所發出之光 的金屬所形成，例如在第一實施例中爲鋁。輔助電極1 7係 安裝於饋線部，是由具有較高之導電性之金屬所形成，例 如在本實施例中係使用與第二電極1 5相同之材料（鋁）。 —保護部（未顯示）設於第二電極1 5的外部’以保護 有機發光層14免於接觸氧氣及霧氣。舉例而言’保護層係 由鈍化膜或封罐所形成。 製造如上述架構之有機EL元件11之方法將描述如 下。爲了製造有機有機EL元件1 1 ’首先將IT0膜沈積於 1306001 基板1 2之上。該沈積係以目前所習知的薄膜沈積法進行， 例如噴濺（spattering) '真空氣相沈積（vacuurn vapor deposit^011)以及電離沈積（ionization deposition)。然後， ’ 於IT0膜上進行蝕刻’而形成第一電極n，饋線部i6a， - 1 6 b，以及連接部1 8。 接著，有機發光層14形成於第一電極13之上。更明 確地說’有機發光層1 4係藉由例如依序提供提供構成有機 發光層14的層的真空氣相沈積而形成。然後，第二電極 > 1 5形成於有機發光層1 4，輔助電極1 7經由真空氣相沈積 形成於饋線部1 6。換言之，第二電極1 5和輔助電極1 7係 同時形成。最後，則提供一保護部。如果保護部係使用氮 化矽的陶瓷薄膜或類似物，可採用例如電漿化學氣相沈積 法以形成該薄膜。 有機EL元件I 1之運作描述如下。有機EL元件1 1可 作爲區域發光元件，因此可作爲例如液晶顯示器的背光或 照明裝置。 &有機EL元件1 1以連接外部驅動電路（未顯示）的端 部1 6 a，1 6 b，1 5 a而運作。當D C驅動電壓施於饋線部1 6 及第二電極1 5之間時，經由連接部1 8，一電流自饋線部 1 6流向第一電極1 3。然後，電流自第一電極1 3流向有機 發光層1 4以及第二電極1 5。在這種狀態下，有機發光層 14發射出光，且光穿透爲透明電極之第一電極13。然後’ 光從基板1 2射出於外界。 第3圖爲一代表在第1A圖中之有機EL元件11的一 I3Q6001 相對側的饋線部1 6及連接部1 8的電阻値的等效電路的示 意圖。在該圖中，標記R表示對應於在鄰近之連接部18 . 之中軸之間的區段的饋線部1 6的電阻値。標記r 1到r 8分 * 別表示對應之連接部1 8的電阻値。在第一實施例中，連接 部1 8的中軸是以等距的間隔而分隔開。此外，饋線部1 6 寬度爲一致，因此電阻値II即爲相等。另外，由體電阻率 較低之材料所形成之輔助電極1 7係安裝於饋線部1 6之 上。因此，相較於連接部1 8的電阻値r 1到r 8，電阻値R φ 均足夠的小。這使得r 1到r 8的電阻値易於在D C驅動電壓 施於饋線部1 6以及第二電極1 5之間，流入各連接部1 8的 電流量實質上相等的情況下被設定。 更進一步地，由於連接部1 8的位置較接近對應之端部 1 6 a，1 6 b ’在連接部1 8及端部1 6 a，1 6 b電流路徑的總電 阻變得較小，促使了電流進入連接部1 8。在第一實施例中， 當連接部1 8愈遠離對應的端部1 6 a，1 6 b，連接部1 8的電 阻値就變得較小。因此’第一電極1 3外圍部的電位成爲實 • 質上相等。於是’有機EL元件1 1的整體亮度分佈成爲實 質上均勻。 λ 爲了決定有機EL元件11的亮度分佈是否實質上均勻 (整體上而言），從對應於光射出的表面的一側觀察，有 . 機EL元件11的發光區域被區分爲多數個單元區域，單元 區域的最小亮度値除以單元區域的最大亮度値。其結果乘 以1 0 0 ’而得到一百分比。在百分比爲6 0或更高的情形， 有機E L·兀件1 1的亮度分佈被決定爲實質上均勻（就整體 1306001 上而言）。百分比愈高，亮度分佈的均勻性也就增加。當 達百分之百時’亮度分佈成爲均勻。此外，舉例而言，各 單元區域的表面積爲數平方釐米。 第一實施例具有下列優點： (1) 有機EL元件11具有第一電極13，有機發光層 I 4，第二電極1 5以及饋線部1 6。有機發光層！ 4設置於第 一電極1 3以及第二電極I 5之間。第一電極1 3係由體電阻 率較形成第二電極1 5之材料爲高的材料所形成。饋線部 16以及第一電極13藉由連接部丨8在電氣上互相連接。連 接部1 8的電阻値隨連接部〗8連接饋線部1 6與第一電極 1 3的位置而不同。.如此調整了對應之連接部1 8被連接到 第一電極13的連接區域中的電位。依此方式，有機el元 件1 1的亮度分佈被調整至理想狀態。有機E L元件1 1較適 宜應用於顯示及照明裝置，舉例而言，其可以作爲液晶顯 示的背光。 (2) 各連接部1 8均係由與第一電極1 3相同之材料所 製成。因此連接部18與第一電極13係於有機EL元件Η 製造時同時間形成。如此即減少了有機EL元件1 1的製程。 (3 )各連接部1 8的材料與第一電極1 3所使用者相 同，具有較如鋁或銀等金屬爲高之體電阻率。因此，相較 於使用較低體電阻率之材料（如鋁或銀）所製成之連接部 1 8，連接部1 8的電阻値的可調整範圍變的較大。 (4)饋線部係由與形成第一電極1 3相同之材料所形 成。因此’當有機E L元件1 1被製造時，饋線部1 6以及第 -14- 1306001 一電極1 3係同時形成。於是減少了有機E L元件1 1的製程。 (5 )饋線部1 6具有由體電阻率低於饋線部1 6之材料 所形成的輔助電極1 7。因此，對應之連接部1 8連接到第 一電極13的連接區域中的電位透過由體電阻率較高之材 料所形成之連接部1 8而被輕易地調整。 (6) 饋線部1 6經由連接部1 8與第一電極1 3連接。因 此，有機EL元件之設計涉及連接部1 8的之電阻値的調整。 相較於提供單一的連接部1 8之例’這使得對應之連接部 1 8連接到第一電極1 3的連接區域中的電位易於被調整。 (7) 連接部1 8的形狀連接部與對應之饋線部1 6之端 部1 6a，1 6b的距離而不同。因此，連接部1 8的電阻値隨 介於連接部1 8與對應之端部1 6 a，1 6 b的距離而不同’而 可設定連接部1 8連接到第一電極1 3的連接區域中的電位。 (8) 無論連接部18與對應之饋線部.16之端部16a， 1 6b之間的距離，連接部具有相等之長度。然而’連接部 1 8具有隨連接部1 8與端部1 6 a ’ 1 6 b之間的距離而不同的 寬度。也就是說’連接部1 8的電阻値係僅藉由連接部1 8 的寬度的改變而被調整。因此’相較於連接部1 8係由形成 不同的複雜形狀的方式而改變對應之電阻値的情形1對應 之連接部1 8連接到第一電極1 3的連接區域中的電位被輕 易地設定。 (9) 連接部18之電阻値的設定方式係連接部18連接 到第一電極1 3的連接區域中的電位成爲實質上相等。當 D C驅動電壓施於饋線部1 6與第二電極1 5之間時’ 一電流 .1306001 經由連接部1 8自饋線部1 6流至第一電極1 3。因此’在有 機E L元件1 1中，亮度分佈被調整至實質上均勻的狀態。 . 本發明之第二實施例將參照第4圖及第5圖說明如 • 下。第二實施例與第一實施例之不同點在於其有機EL元件 - 包括一不發光部位。第二實施例中相同或類似於對應於第 一實施例中之部分，將給予相同或類似之元件符號，且就 該等部分之詳細說明亦予以省略。此外，在第二實施例中， 有機EL元件可以進一步被設計爲較第一實施例具有更均 φ 勻之亮度分佈者。 第4圖爲一根據本發明之第二個實施例的有機EL元件 22的平面圖’其中有機發光層14及第二電極15均被移除。 第5圖爲舉例說明第4圖中之有機EL元件22之不發光部 位之結構的截面圖。 如第4圖所示’有機EL元件22包含多數個不發光部 2 3。不發光部2 3的分佈密度從第一電極1 3的外圍到中心 逐漸變小。參照第5圖’不發光部2 3係由在第二實施例中 • 的對應部位不設置第一電極1 3而加以界定。此外，各個不 發光部23的尺寸是以小到無法自有機el元件22的外部看 見不發光部2 3爲佳。 不發光部23的形成’舉例而言’是在—IT◦膜沈積於 . 基板1 2上之後，與第一電極1 3，饋線部1 6及連接部1 8 一同經由蝕刻而形成。或者，不發光部2 3亦可在第—電極 1 3完成之後形成。不發光部23係經由蝕刻或一習知之微 製成方法（移除法）’例如以機器在第一電極丨3上進行切 1306001 割而產生。 在第二實施例中，有機E L元件2 2的亮度分佈係 不發光部2 3之設置並結合了連接部1 8的電阻値的調 被調整。如同第一實施例，當施以D C驅動電壓時， 之連接部1 8被連接到第一電極1 3的連接區域的電位 實質上相等。此外，從第一電極]3的外圍部到中心， 光部2 3的分佈密度變得較小。這抑制了發光區域的外 的附近區域的亮度，因而降低了發光區域的外圍部的 與中央部的亮度的差異。因而進一步地改進了有機EL 2 2的売度分佈的實質均勻性。 除了前述第一實施例的第（1)項到第（9)項之優點夕 二實施例具有下列優點： (1〇)有機EL·元件22具有連接部18及不發光部 因此’藉由調整連接部丨8的電阻値以及在發光區域之 光部23的分佈密度，有機EL元件22的亮度分佈可以 整至理想狀態。 (1 1)於設計有機EL元件22時，有機EL元件22 度分佈係根據調整連接部1 8的電阻値而被檢測。隨後 由不發光部2 3的設置，亮度分佈被進一步地調整至理 態。相較於藉由調整連接部]8的電阻値來調整亮度另 此有助於有機E L元件2 2的設計。 本發明之第三實施例將參照第6A圖及第6B圖說 下。第三實施例與第一實施例之不同點在於其提供了 單一的連接部’且連接部的一部的厚度連續性地改變 藉由 整而 對應 成爲 不發 圍部 亮度 元件 卜第 23 ° 不發 被調 的亮 :，藉 想狀 、佈， 明如 -個 。第 1306001 三實施例中相同或類似於對應於第一實施例中之部分，將 給予相同或類似之元件符號’且就該等部分之詳細說明亦 予以省略。此外’在第三實施例中’有機EL元件亦可被設 計爲具有實質上均勻的亮度分佈。 第6A圖是一個顯示有機EL元件24的平面圖，至於 第6B圖則是擷取第6A圖中之B-B帶的截面圖。 如第6Α圖及第6Β圖所示，有機EL元件24具有一單 一的連接饋線部1 6與第一電極1 3的連接部1 8。連接部1 8 對應於第一電極1 3的相對左右兩側部位的厚度連續地改 變。例如：在第一實施例中，各個連接部1 8的該等部位在 距離對應之端部1 6a ’ 1 6b愈遠時，厚度就變得愈大。此一 厚度愈朝端部1 6a ’ 1 6b即逐漸變小。因此，沿著饋線部 1 6延伸的方向所測得之連接部1 8的每一單位長度的電阻 値就變得比距離對應之端部1 6a，1 6b的位置還低。此一電 阻値當距離愈接近端部1 6 a，1 6 b時，即變得較高。換言之， 饋線部1 6沿著第一電極1 3的一邊延伸之連接部1 8的電阻 値隨著連接部1 8和饋線部1 6的延伸方向的位置而不同。 因此’當施以D C驅動電壓時，第一電極1 3的外圍部的電 位成爲實質上相等。有機EL元件24的亮度分佈因而成爲 實質上均勻。 舉例而言，第三實施例的連接部1 8的製造是將—IT〇 膜沈積於基板1 2上’然後連接部1 8經蝕刻或施以一習知 的微製程（移除法），例如以機器切割而因此連續性地改 變連接部1 8的厚度。 -18- .1306001 除了前述第一實施例的第（1 )項到第（5 )項之優點外，第 三實施例具有下列優點： (〗2)有機EL元件24包含單一的連接部18。連接部]8 • 的厚度依連接部1 8連接饋線部1 6與第一電極1 3的位置而 . 不同。因此，藉由調整連接部18的厚度，調整了連接部 1 8沿著饋線部1 6延伸所測得之每一單位長度的電阻値。 所以，有機E L元件2 4的亮度分佈被調整至理想狀態。 (13)由於連接部18是形成一連續體，相較於第—實施 1 例中，連接部1 8是以多數個分離體形成，第一電極1 3外 圍部的電位被以提昇的精確度而調整。 接著，參照第7圖及第8圖以說明本發明之第四實施 例。同樣地，在本實施例中係提供一亮度分佈成爲實質上 均勻的有機EL元件。 第7圖爲一有機EL元件25的平面圖，而第8圖則爲 第7圖中之C-C帶的截面圖。上述兩圖僅爲槪略之圖示， 且基於說明之目的，各元件均以放大之尺寸表示之。各元 > 件之尺寸比例，包括寬度、長度，以及厚度，均與實際數 値有所出入。 如第7圖及第8圖所示，有機EL元件25具有一第一 導電層26, 一作爲發光層之有機發光層27,以及一第二導 電層2 8，依上述順序沈積於基板1 2之上。一輔助電極層 29設置於第一導電層26之外圍之一部位上。一高電阻部 30設置於有機發光層27周圍的第一導電層26及輔助電極 層29之間。換言之，高電阻部30之位置在鄰近有機發光 -1 9 - .130,6001 層27’且位於弟一導電層26及輔助電極層29之間的部位。 高電阻部3 0沿著有機發光層2 7的周圍的一部分延伸。第 一導電層2 6包含連接於一外部驅動電路（未顯示於圖式） 之端部26a，26b。第二導電層28亦包含一端部28a。高電 阻部3 0的長度爲前述沿著有機發光層27的周圍之部分， 而其寬度垂直於該長度。高電阻部30的寬度（從第7圖之 左側或右側觀察）係對應於有機發光層27之介於第一導電 層2 6及輔助電極層2 9間之一部位，隨高電阻部3 0與對應 之第一導電層26的端部26a，26b的距離而不同。高電阻 部3 0的寬度在最接近對應之端部26a，26b的位置達到最 大，而愈遠離端部26a，26b則變得愈小。第一導電層26、 有機發光層27、第二導電層28、輔助電極層29以及高電 阻部3 0均係以第一導電層26的中線而以由第一導電層26 界定之寬度的方向形成對稱（從第7圖之左側或右側觀 察）。 在第四實施例中，第一導電層26面對第二導電層28 的部分相當於申請專利範圍第1項的第一電極。一非對應 於輔助電極層29的有機發光層27的部位相當於申請專利 範圍第1項的發光層。第二導電層2 8相當於申請專利範圍 第1項的第二電極。輔助電極層29及如第8圖中的第一導 電層26的D部位（由第一導電層26與輔助電極層29接觸 的部位及一上側不具層之第二導電層2 8的部位所界定）相 當於申請專利範圍第〗項的饋線部。第8圖中的第—導電 層26的E部位（由第一導電層26僅對應於有機發光層27 -20 - • 1306001 的部位及一第一導電層2 6之對應於高電阻部3 0的部位所 界定）相當於申請專利範圍第1項的連接部。由於高電阻 • 部3 0的寬度隨高電阻部3 0與對應之端部2 6 a，2 6 b間的距 離而不同，E部位的寬度也隨之改變。E部位沿著輔助電極 層29的每一單位長度之電阻値也類似地改變。這些差異如 申請專利範圍第1項所描述，與連接部隨連接部與第一電 極的饋線部的連接位置而異之電阻値相當。 第一導電層26，有機發光層27，第二導電層28，以 > 及輔助電極層29係各自地與第一實施例中的第一電極 13，有機發光層14，第二電極15及輔助電極層17相同之 材料所製成。高電阻部30係由體電阻率較第一導電層26 爲高之材料所形成。在第四實施例中，高電阻部3 0係由與 有機發光層27相同之材料所形成。這使得有機發光層27 與高電阻部3 0可以彼此連續地形成。 由於高電阻部3 0的寬度隨高電阻部與對應之端部 26a，26b間的距離而不同。第一導電層26是由體電阻率 I _ 較金屬高之材料（如IT 0 )所形成。因此，隨著第一導電 層26的E部位的寬度的不同，E部位沿著輔助電極層29 的每一單位長度之電阻値也大幅地改變。因此，調整高電 阻部30的寬度調整了第一導電層26對應於第二導電層28 的外圍部的一部位的因D C驅動電壓施於端部2 6 a，2 6 b及 端部2 8 a之間而產生之電位。例如：在第四實施例中，e 部位的每一單位長度之電阻値在較接近於對應之端部 26a，26b的位置變得較高’而在較遠離端部26a，26b的位 .1306001 層 於 有 罩 於 光 第 第 層 積 26 之 體 29 率 於 29 施 置則變得較低。因此’第一導電層2 6對應於第二導電 2 8的外圍部的部位的電位變得實質上相等。同樣地，由 - 有機EL元件25具有相當於第二導電層28的發光區域， • 機EL元件25具有一實質上均勻的亮度分佈。 - 一如上述架構的有機E L元件2 5係以下列方法形成 更明確地說’第一導電層26先形成於基板12上，然後 藉由一習知的薄膜沈積法，例如真空氣相沈積，利用遮 或其他類似物’有機發光層27及高電阻部30 —起形成 Φ 第一導電層26上。接著，第二導電層28形成於有機發 層2 7上。此外’輔助電極層2 9係以將高電阻部3 0插入 一導電層26且與第一導電層26接觸的方式設置。有如 一實施例’第一導電層26，有機發光層27，第二導電 2 8 ’輔助電極層2 9以及其他類似物係由一習知的薄膜沈 法而形成。 第四實施例具有下列優點： (14)有機EL元件25包含依序設置於第一導電層 鲁 之上的有機發光層27和第二導電層28。第一導電層26 材料之體電阻率較第二導電層28所使用之材料爲高。由 .電阻率低於第一導電層2 6之材料所形成之輔助電極層 係設置於第一導電層2 6上的一個部位。此外，由體電阻 - 高於第一導電層2 6之材料所形成之高電阻部3 〇係設置 _ 有機發光層27外圍面上的第一導電層26及輔助電極層 之間。高電阻部3 0的寬度隨著高電阻部3 0與對應之第 導電層26的端部26a、26b間的距離而不同。在第四實 -22- •1306001 例中，一電流自第一導電層26之對應於輔助電極層29的 部位流向第一導電層2 6之對應於第二導電層2 8的部位。 調整高電阻部30的寬度調整了介於第一導電層26對應於 輔助電極層2 9及第一導電層2 6之對應於第二導電層2 8間 之部位的電阻値。第一導電層26之對應於第二導電層28 的外圍部之部位的電位因而被調整，如此將有機EL元件 2 5的亮度分佈提供調整至理想狀態。 (1 5 )高電阻部3 0和有機發光層2 7係由相同之材料所 形成。因此，在製造有機EL元件2 5時，高電阻部3 0和有 機發光層2 7係同時形成。如此減少了此一製造之步驟。 (16) 有機EL元件25中，高電阻部30和有機發光層 2 7係互相連續地形成。因此，高電阻部3 0可在不需要使 用構造複雜的遮罩的情況下相當輕易地被設置。 (17) 高電阻部30的寬度的設定方式爲，當DC驅動電 壓施於端部26a，26b以及端部28a時，第一導電層26對 應於第二導電層2 8的外圍部的部位的電壓變得實質上相 等。本實施例中之有機E L元件2 5的亮度分佈因而被調整 至實質上均勻的狀態。

本發明之第五實施例將參照第9A圖及第9B圖加以說 明。第五實施例中的有機EL元件與第一實施例中的有機 E L元件在形狀上不同。第五實施例中相同或類似於對應於 第一實施例中之部分，將給予相同或類似之元件符號’且 就該等部分之詳細說明亦均予以省略。此外’在第五實方也 例中，亦可設計爲具有實質上均勻之亮度分佈的有機EL -23- 1306001 元件" 第9A圖爲一有機EL元件31的平面圖’而第9B圖則 - 是擷取第9A圖中之F-F帶的截面圖。此外’上述兩圖僅爲 ' 槪略之圖示，且圖式中之元件均係基於說明之目的’而以 - 放大之尺寸顯示。各元件之尺寸比例’包括寬度、長度’ 以及厚度，均與實際數値有所出入。 如第9A圖所示，有機EL元件31具有一延長之長方 形輪廓，與第一實施例中之有機EL元件11之實質上爲正 • 方形之輪廓不同。換言之，有機EL元件31具有一包括至 少一短邊和一對長邊之延長的輪廓’例如一延長之長方形 輪廓和延長的梯形輪廓。在有機EL元件3 1中，具有均爲 延長輪廓的第一電極13、有機發光層14以及第二電極15’ 依此順序沈積於基板1 2上，因而形成一延長的發光部3 2。 饋線部1 6僅設置於一相對於第一電極1 3的一長邊的位 置。饋線部16及第一電極13藉由多數個連接部18在電氣 上彼此互相連接。連接部18具有具有相等之長度及厚度。 • 然而，愈遠離端部1 6b，連接部1 8的寬度就變得愈大。連 接部1 8的此等尺寸變化使得當施以D C驅動電壓時，第一 ，電極1 3相對於饋線部1 6的一邊具有實質上相等的電位。 每一連接部1 8的「長度」被界定爲介於饋線部1 6及第一 . 電極1 3間的距離。連接部1 8的「寬度」則被界定爲連接 '部18垂直於由連接部18之長度所界定之方向的尺寸（從 第9A圖垂直地觀察）。 如前所述，第一電極13具有包括短邊及長邊的延長之 -24- .1306001 形狀。在此情形下’整體上相較於於延伸方向所延伸之一 代上之一點的電阻値變得非常小。因此，沈積於第一電極 • 13的延長的有機發光層14，其在沿著有機發光層14的各 短邊上的位置具有實質上相等之電流密度，如此抑制了在 - 發光部32的各短邊的延伸方向的延長之發光部32的亮度 變異。此外，在發光部32的各長邊的延伸方向的發光部 32的亮度分佈的調整係與在第一實施例中所描述的同一方 式。也就是說，各連接饋線部16與第一電極13的連接部 β 1 8的電阻値被調整，以調整端部1 6 b到第一電極1 3與連 接部的接觸部的各電流路徑的電阻値。 同樣地，即使饋線部1 6僅設置於相對於第一電極1 3 之一長邊的位置，有機EL元件31的亮度分佈被調整至理 想狀態。此外，不論第一電極1 3的延長的形狀，饋線部 16可以相對於第一電極13整個外圍的方式被設置。 第五實施例具有下列優點： (18) 有機EL元件31 —需要延長光源的設備具有一延 ® 長之長方形輪廓。因此’有機EL元件31可被用於一需要 延長光源的設備，因此提供了被調整至理想狀態的亮度分 佈。 (19) 第一電極13具有一延長之輪廓，且饋線部16僅 設置於相對於第一電極1 3之一長邊的位置。因此，整體上 . 相較於一對應之電流路徑的電阻値，在介於第一電極1 3之 長邊上一定點及一在沿著延伸方向之延伸帶上所界定之點 間的電阻値變得非常的小。相較於以不同且不延長之形狀 -25- 1306001 (例如正方形）所形成之第一電極1 3，如此可易於調整有 機EL元件3 1的亮度分佈。此外，由於饋線部1 6不需覆蓋 廣泛的範圍，有機EL元件3 1可以輕易地被設計和製造。 本發明之第六實施例將參照第1 〇 A圖及第1 0B圖加以 說明。第六實施例中的有機EL元件的形狀與第四實施例的 不同。第六實施例中相同或類似於對應於第四實施例中之 部分，將給予相同或類似之元件符號，且就該等部分之詳 細說明亦予以省略。此外，在第六實施例中，有機EL元件 可以以成爲實質上均勻之亮度分佈的方式被加以設計。 第10A圖係顯示一有機EL元件33之平面圖，而第10B 圖係擷取第10A圖中之G-G帶的截面圖。此外，各圖式僅 爲槪略之圖示，且基於說明之目的，各元件均以放大之尺 寸表示之。各元件之尺寸比例，包括寬度 '長度，以及厚 度，均與實際數値有所出入。 如第10A圖所示，有機EL元件33具有一延長之長方 形輪廓，在有機EL元件33中，均具有呈延長形狀的第一 導電層26’作爲發光層有機發光層27,及第二導電層28, 依上述順序沈積於基板12上，並因而界定了延長的發光部 32。輔助電極層29係形成於對應於第一導電層26的一長 邊的一個位置。高電阻部30係設置於有機發光層27之一 側的第一導電層2 6及輔助電極層2 9間的一個位置。高電 阻部3 0的寬度（由第1 〇 a圖及第1 0B圖中之右側或左側 所測得之尺寸）隨高電阻部3 0與端部2 6 b間的距離而不 同。如此將有機EL元件3 3的亮度分佈調整到實質上均勻 -26 - 1306001 » · 的狀態。具體而言’高電阻部3 0的寬度在最接近端部26b 的位置達到最大’而隨遠離端部2 6 b而變小。 . 第一導電層26具有一包括短邊與長邊之延長的輪 • 廓。在這種情形下’在整體上相較於對應電流路徑的電阻 • 値，介於第一導電層26的一長邊上之某一·定點與一由沿著 各短邊延伸方向延伸之帶上所界定的一點的部位的電阻値 變得非常的小。因此’沈積於第一導電層2 6的延長的有機 發光層27，在沿著各有機發光層27的各短邊的延伸方向 φ 的位置具有實質上相等的電流密度。如此抑制了在發光部 23的各短邊的延伸方向的延長的發光部32的分佈變異。 在發光部2 3的各長邊的延伸方向的發光部3 2的亮度分佈 被以相同於第四實施例中的方法而調整。亦即，在介於第 φ 一導電層2 6和輔助電極層2 9間的高電阻部3 0的寬度被調 '整，以調整從端部1 6b到第一導電層26的部位的各電流路 徑的電阻値。 因此，即使輔助電極層2 9以及高電阻部3 0僅設置於 ® 對應於第一導電層26長邊之一的位置’有機EL元件33 的亮度分配被調整到理想狀態。不論第一導電層2 6之延長 . 的形狀，輔助電極層2 9以及高電阻部3 0可沿第一導電層 2 6的整個外圍設置。 - 第六實施例具有下列優點： " (20)有機EL元件33具有一延長之長方形狀。因此， 有機EL元件33可應用於一需要延長之光源之設備中，而 因此提供一調整至理想狀態之亮度分佈。 -27 - 1306001 (21)第一導電層26具有延長的輪廓且輔助電極層29 以及高電阻部3 0僅設置於對應於第一導電層2 6長邊之一 的位置。因此，在整體上相較於對應電流路徑的電阻値， * 介於第一導電層 26的一長邊上之某一定點與一由沿著各 . 短邊延伸方向延伸之帶上所界定的一點的部位的電阻値變 得非常的小。相較於以不同且非延長之形狀形成的第一導 電層26，這使得有機EL元件33的亮度分佈容易被調整。 此外，由於輔助電極層29和高電阻部30不需覆蓋廣泛之 丨範圍，使得有機EL元件3 3也易於被設計和製造。 顯而易見地，對於熟習技藝的人士而言’本發明可以 在不脫離本發明之精神或範圍的情況下’以各種其他特定 之形式加以實施。特別値得注意的是’本發明可以下列形 式加以實施。 如第1 1 A圖所示，饋線部1 6可藉由多數個具有相等寬 度、長度及厚度之連接部18連接於第一電極13。在這種 情形下，沿著第1 1 A圖中之第一電極1 3的垂直方向每一單 ► 位長度L的連接部1 8的數目隨第一電極1 3所界定的位置 而不同。換言之，連接部18隨著單位長度L而被區分爲數 個組群。每一組群包括一或多個連接部1 8。不論連接部1 8 是屬於何—組群，連接部1 8具有一致的形狀。連接部1 8 的數目隨各組群而不同。在這種情形下’藉由每一單位長 度L的連接部18的數目的改變’對應之第一電極13與連 接部1 8之連接區域的電位被調整。以這種方式’有機E L 元件的亮度分佈成爲實質上均勻。在第11A圖中’端部16a -28 - 1306001 係位於圖中之較低部位。該圖說明了當施以D C驅動電壓 時’連接部1 8的配置實質上等化了在第一電極1 3相對於 • 韻線部1 6的一側的電位。 . 如第1 1 B圖所示，連接饋線部1 6與第一電極1 3之連 ' 接部18可具有相等之寬度與厚度，但不同之長度。在此情 形下’藉由調整連接部1 8之長度，對應之連接部1 8連接 第一電極13的連接區域之電位被調整。以這種方式，有機 EL元件的亮度分佈被調整至理想狀態。在第丨丨b圖中，端 ^ 部1 6a係位於圖式中較低之位置。該圖說明了當施以DC 驅動電壓時’連接部18的配置實質上等化了在第一電極 1 3相對於饋線部1 6的一側的電位。 饋線部1 6和第一電極1 3可透過多數個連接部1 8彼此 連接。連接部1 8的電阻値可藉由改變連接部1 8的形狀而 改變。在這種情形下，連接部1 8的形狀可藉由至少改變連 接部1 8的寬度長度以及厚度之一而加以修改。例如：連接 部1 8的長度和厚度可在寬度維持一致的情形下而不同。或 ® 者’連接部1 8的寬度和厚度可在長度維持~致的情形下而 不同。此外’連接部1 8的寬度和長度可在厚度維持—致的 情形下而不同。又或者，連接部18的寬度、長度和厚度可 全部不同。 • 設置於弟一電極13的外圍部的饋線部16，其寬度不 • 需一致。例如參照第1 1 B圖，縱使饋線部1 6與第一電極 1 3的距離（間隔）爲一致，饋線部1 6的寬度亦可爲不— 致。此外，饋線部1 6可具有一致的寬度及不一致的厚度。 -29 - .1306001 或者，饋線部16可在寬度及厚度上均不一致。 設置於饋線部1 6的輔助電極1 7，只要其不與第一電 • 極〗5發生短路’可爲任何適當之形狀。例如：若饋線部 ' 丨6的寬度如第11B圖中不一致，輔助電極17亦可具有不 « * 一致的寬度。 輔助電極17並不需具有與饋線部16互相配合的形 狀。例如：具有一致的寬度的輔助電極17可與第11A圖中 饋線部1 6呈對角線地設置。 # 饋線部1 6不需沿著第一電極1 3的整個外圍設置。例 如：參照第1 1 A圖及第1 1 B圖，饋線部1 6可僅隨著第一 電極13的外圍部而設置。 第二實施例中的有機EL元件可具有延長的輪廓，如第 Λ 12圖中之有機EL元件34。第12圖爲一根據本發明之另一 '個實施例的有機EL元件34的平面圖，其中有機發光層14 及第二電極15均被移除。該圖顯示一有機EL元件34的亮 度分佈成爲實質上均勻的狀態。饋線部1 6僅設置於相對於 ® 第一電極13之一常邊的一位置。連接部18將饋線部16與 第一電極13連接。在此實施例中，的有機EL元件34的亮 ，度分佈係藉由調整連接部1 8的電阻値且結合一不發光部 23之設置而執行。以這種方式，亮度分佈被進一步調整至 • 理想狀態。第1 2圖的有機EL元件3 4可應用於一需要延長 \ 光源之裝置，因而提供一調整至理想狀態之亮度分佈。

第三實施例之有機E L元件可具有延長的輪廓，如第 13A及第13B圖之有機EL元件35。第13A圖爲有機EL .1306001 元件35的平面圖’而第13B圖則是擷取第13A圖中之Η- Η 帶的截面圖。上述圖式顯示了亮度分佈成爲實質上均勻的 • 狀態。在有機EL元件3 5 ’饋線部1 6與第一電極1 3藉由 . 一單一之連接部彼此連接。饋線部1 6係設置於一相對於第 • 一電極13的一長邊的位置’其亦具有一延長之輪廓。連接 部1 8的厚度隨著連接部1 8與端部1 6b的距離而連續地不 同。舉例來說，爲了獲得實質上均句的亮度分佈，連接部 1 8可作成如第1 3 B圖之形狀。也就是說，連接部1 8的厚 β 度隨著位置遠離端部16b而變大，而隨著位置接近端部i6b 而變小。且在此情形下，有機E L元件3 5可被作爲一需要 延長光源之裝置’因而提供了調整至理想狀態之亮度分佈。 第9、10、12及第13圖中之延長的有機el元件不需 14> 具有單一的端部而可包括多數個端部。這進—步地便於調 整各有機EL元件的亮度分佈。 在說明的實施例中，係藉由以調整連接部1 8的方式而 使亮度分佈成爲實質上均勻。然而，在各有機EL元件的發 W 光區域的某些位置（區域），亮度分佈會變的不均勻。例 如，如第14圖所示，多數個連接部1 8可被設置，其中端 部1 6a係位於較低的位置。在這種情形下，當施以DC驅 動電壓時’有機EL元件中較接近端部而與之分離的位置的 ' 亮度變低。而在這些位置中的中間區域的亮度則相對變高。 . 高電阻部3 0寬度以使有機E L元件的亮度分佈變得實 質上均勻的方式被調整。或者，亦可藉由調整高電阻部3 0 寬度而使元件的發光區域的某一部位（在某特定區域）的 1306001 亮度分佈變的不一致。也就是說，與第7圖中 係沿著輔助電極層2 9連續性地設置之配置不|1 . 3 0可以非連續性的方式沿著輔助電極層2 9設 • 形下，亮度分佈變的不一致。 . 第一電極1 3的材料必不以氧化銦錫爲限， 之材料具有較第二電極15高之體電阻率且具韦 使用任何適當的物質。亦即，舉例而言，第一 1 金屬氧化物’例如氧化銦鋅（indium zinc oxidt • 化鋅以及氧化錫所構成。 第二電極1 5不需由鋁所構成。只要使用體 一電極13爲低且具有導電性之材料，第二電卷 用任何適當的物質。也就是說，第二電極15互 銀、銅以及鉻以及上述金屬之合金所製成。 第二電極15不需反射可見光。 輔助電極1 7不需由銘所形成。只要使用具 且體電阻率較饋線部1 6爲低之材料，輔助電卷 β何適當物質所形成。 在說明的實施例中，連接部1 8係由相同 1 3的材料所形成。然而，連接部1 8可由任何貝 且體電阻率較形成輔助電極17之金屬爲胃之^ * 形成。例如：如果第一電極1 3係由丨丁 〇形成的 . 1 8可由ΙΖ0、氧化鋅或氧化錫所形成。 雖然在說明之實施例中’饋線部1 6係由與 極1 3相同之材料所製成’只要是使用具有導電 胃電阻部3 0 3 ’高電阻部 4。在此情 只要所使用 『導電性，可 t極1 3可由 ;，IZ0)、氧 電阻率較第 返15高可使 「由諸如金、 I有導電性， i 1 7可由任 於第一電極 :有導電性， 適當材料所 I話’連接部 構成第〜_ 〔性的材料， •32- 1306001 饋線部1 6可由鋁、金、銀、銅或鉻等與第二電極1 5相同 之材料所製成。 • 在說明之實施例中’雖然輔助電極1 7係安裝於饋線部 • 1 6之上，但於饋線部1 6中可不設置該輔助電極1 7 ° - 饋線部1 6可包含在非饋線部之終端之任何適當位置 連接饋線部1 6與外部驅動電路之端部。連接部之形狀係隨 著連接部與端部距離而調整，藉此將有機EL元件的亮度分 佈調整至理想狀態。 0 由無機物質形成’設置於有機發光層14及第二電極 1 5之間的電子注入層可被省略。此外，由有機物質形成之 電子注入層可設置於有機發光層14。 有機發光層14不需由電洞注入層19,電洞傳輸層20, 以及發光層21組成。有機發光層14可獨立地由一發光層 形成或與至少爲電動注入層、電洞傳輸層、電洞注入傳輸 層、電洞阻擋層、電子注入層、電子傳輸層、以及電子阻 擋層之一堆疊而形成。 • 在說明的實施例中，有機發光層是發出白光。然而， 有機發光層可獨立地發出紅光、綠光、藍光或黃光，或上 ，述任一種顏色光的組合。 第一電極13、有機發光層14、第二電極15，以及鈍 * 化膜及其類似之物係各自地以習知的薄膜沈積法而形成。 . 咼電阻部3 0的材料不限於使用有機發光層2 7的材 料。局電阻部3 0可由任何適當的材料形成，只要該材料的 體電阻率高於第一導電層所使用之材料即可。因此，舉例 -33 - I3〇6〇q| 來說，高電阻部3 0可由絕緣材料形成。如高電扮 村料與有機發光層27的材料不同，高電阻部3〇 ' 光層27必須分別地形成。 • 高電阻部3 0和有機發光層2 7並不需彼此連| 在說明之實施例中’不發光部2 3係由第一 1 開口所界定。然而’界定不發光部2 3的開口可設 發光層I4或第二電極15。或者，不發光部23可 極之一與有機發光層1 4間設置一絕緣材料而加以 ® 在說明的實施例中’各有機E L元件均係底部 然而，本發明亦可應用於頂部發射型的有機EL元 種情形下，基板1 2可由不透明之才亮料製成，而 1 5則是由透明材料製成。此處之透明度被界定在 光率達1 〇 %以上。 基板12並不需由玻璃製成。如果有機EL元 發射型，只要是使用透明性之材料，基板12可由 之材料所製成。也就是說，基板1 2可由透明樹脂 ^ 克力樹脂所製成。此外，如果有機E L元件是頂部 可使用由矽或金屬製成之不透明基板。或者，舉 若有機EL元件是頂部發射型且使用透明基板，可 射膜於基板上。 • 本發明不限於一具有一作爲發光層之有機 ’ EL元件，而可應用於以一無機層作爲發光層之宑 件。 因此，本發明之示例及實施例應被視爲說 .部3 0的 和有機發 ί地形成。 :極1 3的 置於有機 藉由於電 界定。 發射型。 件。在這 第二電極 可見光透 件是底部 任何適當 ，例如壓 發射型， 例來說， 設置一反 層之有機 :機EL元 明而非限 -34 - .130.6001 制’且本發明並不以此處所述之細節爲限，而可在所附帶 之申請專利範圍之內或與等效之情況下被加以修改。 . 【圖式簡單說明】 ' 第1 A圖爲一根據本發明之第一實施例的有機E L元件 . 的平面圖； 第1B圖爲第1A圖中之A-A帶的截面圖； 第2圖爲顯示第ία圖中之有機EL元件之有機發光層 之結構的部分圖； # 第3圖爲一·代表第1A圖中之有機EL元件之饋線部及 連接部的等效電路的圖形； 第4圖爲一根據本發明之第二實施例的有機el元件的 平面圖’其中有機發光層及第二電極均被移除； 第5圖爲第4圖中之有機EL元件之不發光部位之結構 的截面圖； 第6A圖爲一根據本發明之第三實施例的有機EL元件 的平面圖； Φ 第6B圖爲第6A圖中之B-B帶的截面圖； 第7圖爲一根據本發明之第四實施例的有機EL元件的 _ 平面圖； 第8圖爲桌7圖中之c-c帶的截面圖； . 第9A圖爲一根據本發明之第五實施例的有機EL元件 的平面圖； 第9B圖爲第9A圖中之f-F帶的截面圖； 第1 0A圖爲一根據本發明之第六實施例的有機EL元 -35 - 1306001 件的平面圖； 第10B圖第10A圖中之G-G帶的截面圖； • 弟1 1 A圖爲一顯不依據本發明之另一實施例的一部’ _ 包括饋線部、第一電極及連接部的平面圖； 第1 1 B圖爲一顯示依據本發明之另一實施例的一部’ 包括饋線部、第一電極及連接部的平面圖； 第12圖爲一根據本發明之另一實施例的有機EL元件 的平面圖； • 第13A圖爲一根據本發明之另一實施例的有機EL元 件的平面圖； 第13B圖爲第13A圖中之H-H帶的截面圖； 第14圖爲一顯示依據本發明之另一實施例的一部，包 括饋線部、第一電極及連接部的平面圖；以及 第1 5圖爲一先前技術之有機EL元件之斜視圖。 【主要元件符號說明】 11 有機EL元件 12 基板 13 第一電極 14 有機發光層 15 第二電極 1 5a 端部 16 饋線部 1 6 a 端部 16b 端部 -36- I3Q6001

17 輔助電極 18 連接部 19 電洞注入層 20 電洞傳輸層 2 1a 第一發光層 2 1 b 第一發光層 2 1c 第一發光層 22 有機EL元件 23 不發光部 24 有機EL元件 2 5 有機EL元件 26 第一導電層 26a 端部 26b 端部 27 有機發光層 2 8 第二導電層 28a 端部 29 輔助電極層 3 0 高電阻部 3 1 有機EL元件 32 有機EL元件 3 3 有機EL元件 3 4 有機EL元件 3 5 有機EL元件 -37 -

Claims (1)

1306001 97. 9 . 16 .,- /-； . / 第94146029號「電致發光元件」專利申請案 (2008年9月16日修正） 十、申請專利範圍： 1. 一種電致發光元件（11，22，24 ,25，31 ,33，34, 35)， 其包含： 一第一電極（13); 一第二電極（15)，第一電極係由體電阻率高於第二電 極之材料所形成； —發光層（21)，設置於第一電極和第二電極之間： 一饋線部（1 6 )，沿著第一電極（1 3 )的一側延伸；以及 一連接部（1 8 )’其用以將饋線部電連接於第一電極， 上述元件之特徵在於： 連接部之電阻値隨連接部連接饋線部與第一電極之 位置而不同。 2'如申請專利範圍第1項之元件，其中連接部（1 8)沿著饋 線部（1 6 )延伸的方向所測得之電阻値隨著一沿饋線部 的延伸方向所界定之位置而不同。 3 ·如申請專利範圍第1項之元件，其中形成連接部（丨8)之 材料係使用與第一電極（I3)相同之材料。 4 ·如申請專利範圍第1項之元件，其中形成饋線部（丨6 )之 材料係使用與第一電極（1 3)相同之材料。 5·如申請專利範圍第〗項之元件，其中饋線部（16)包含一 由體電阻率低於饋線部之材料所形成之輔助電極（丨7， 52) 〇 1306001 6. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項的元件，其中 連接部（18)爲複數個連接部之一。 7. 如申請專利範圍第6項之元件， 其中饋線部（16)具有一端部（16a，16b)，可連接於外部 驅動電路，且 其中連接部（1 8)之形狀隨連接部與端部之距離而不同。 8. 如申請專利範圍第7項之元件， 其中每一連接部（18)的長度係從饋線部（16)至第一電極 (13)，而其寬度係垂直於其長度，且 其中連接部具有相等之長度與不相等之寬度。 9 .如申請專利範圍第6項之元件，其中每一連接部（1 8 )具 有至少一個導體，連接部之導體具有同一形狀，導體之 數目依各連接部而不同。 1 0 ·如申請專利範圍第1項至第5項中任一項的元件，其中 饋線部（1 6)以及連接部（1 8)係設置成電致發光元件 (11，22，24，25，31，33，34，35)具有實質上爲整體 均勻之亮度分佈。 1 1 _如申請專利範圍第1項至第5項中任一項的元件，其中 電致發光元件（3 1，3 3，3 4，3 5 )具有長狀之形狀。 1 2 .如申請專利範圍第1 1項之元件，其中第一電極（1 3 )具 有一對短邊以及一對長邊，饋線部（1 6)僅設置於相對於 第一電極之長邊之一的一位置。 Ϊ 3 _如申請專利範圍第丨項至第5項中任一項的元件，其中 不發光部（23)設置於第一及第二電極（13，15)重疊之發

1306001 光區域。 14.如申請專利範圍第13項之元件，其中不發光部（23)爲 複數個不發光部之一’該等不發光部係設置成以便調整 電致發光元件（22，3 4)之亮度分佈至理想狀態。 1 5 ·如申請專利範圍第1項至第5項中任一項的元件，其中 該電致發光元件（11， 22， 24， 25， 31， 33， 34， 35)爲 一區域發光元件。 1 6 .如申請專利範圍第1項至第5項中任一項的元件，其中 電致發光元件（11， 22， 24， 25， 31， 33， 34， 35)係使 用作爲一顯不裝置之背光。 17· —電致發光元件（25，33)，其包括： 一第一導電層（26)，其具有一可連接於外部驅動電路 的端部（26a，26b); 一發光層（27)，其沈積於第一導電層； 一第二導電層（2 8)，其形成於發光層之上，第一導電 層係由體電阻率較形成第二導電層之材料爲高之材料 所形成； 一輔助電極層（29)，其設置於對應於第一導電層之部 位’輔助電極層係由體電阻率較形成第一導電層之材料 爲低之材料所形成；以及 一高電阻部（30) ’其由一體電阻率較形成第一導電層 之材料爲高之材料所形成， 該元件之特徵在於： 高電阻部（30)設置於第一導電層（26)及輔助電極層

1306001 (2 9)之間，而鄰近於發光層（27)之一部位’高電阻部（30) 沿著發光層（2 7 )之一側延伸，其中高電阻部（3 0 )之長度 由沿著發光層（27)的一側延伸的方向界定’其寬度垂直 於其長度，高電阻部（30)之寬度隨高電阻部（30)與端部 (26a，26b)的距離而不同。 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項之元件’其中高電阻部（3 0 )係 由與形成發光層（27)之相同材料所形成。 1 9 ·如申請專利範圍第1 8項之元件，其中高電阻部（3 0)係 從發光層（27)連續地形成。 2 0 _如申請專利範圍第1 7項至第1 9項中任一項之元件，其 中高電阻部（30)係設置成電致發光元件（25，33)之亮度 分佈成爲實質上整體地均勻。 2 1 .如申請專利範圍第1 7項至第1 9項中任一項之元件，其 中電致發光元件（3 3)具有長狀之形狀。 22.如申請專利範圍第21項之元件，其中第一導電層（26) 包含一對短邊與一對長邊，且其中輔助電極層（2 9)以及 高電阻部（30)僅設置於第一導電層（26)中之一個長邊。