KR101424305B1 - 복사 방출 장치 - Google Patents
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 136
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 58
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 claims description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- -1 metal oxide compound Chemical class 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007717 ZnSnO Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
- H01L31/022491—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of a thin transparent metal layer, e.g. gold
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
본 발명은 기판(100) 및 상기 기판상에 배치된 층 시퀀스를 포함하는 복사 방출 장치에 관한 것이다. 상기 층 시퀀스는 전압을 인가하기 위한 제1 접촉부(210)를 구비한 제1 전극면(200), 구동 시 복사를 방출하는 적어도 하나의 기능층(300) 및 제2 전극면(400)을 포함한다. 층 시퀀스에는 복수개의 부분 영역들(330)이 구비되고, 상기 부분 영역들은 외부 관찰자에게 가시적인 복사가 상기 부분 영역들로부터 방출되는 것이 중단되도록 개질된다. 이러한 부분 영역들의 분포 밀도는 상기 부분 영역들과 상기 접촉부와의 간격에 따라 가변한다.
OLED, 영역 개질, 도핑 변조, 절연층, 휘도 균일화
Description
본 특허 출원은 독일 특허 출원 10 2006 055 884.7 및 10 2006 046 234.3의 우선권을 주장하며, 이의 개시 내용은 본문에서 참조로 수용된다.
본 발명은 구동 시 복사를 방출하는 적어도 하나의 기능층을 포함한 복사 방출 장치에 관한 것이다.
복사 방출 장치는 얇은 대면적 발광 소자로서 적합하다. 그러나, 상기 발광 소자의 구조에 의해 래터럴(lateral) 방향을 따라 전압 강하가 일어나며, 상기 전압 강하는 휘도(luminance) 및 밝기에 영향을 미친다. 따라서, 방출된 광은 균일하지 않고, 국부적 휘도 차를 가진다.
본 발명의 과제는, 개선되고 균일화된 휘도를 특징으로 하고 상기에 언급된 단점을 줄여주는 복사 방출 장치를 제공하는 것이다.
상기 과제는 특허 청구 범위 1항에 따른 복사 방출 장치에 의해 해결된다. 더욱 바람직한 형성예 및 다른 복사 방출 장치들은 다른 청구항들의 주제이다.
본 발명의 실시예에 따른 복사 방출 장치에서, 층 시퀀스에는 복수개의 부분 영역들이 삽입되고, 상기 영역들에서 복사의 휘도는 감소된다.
바람직하게는, 상기와 같은 복사 방출 장치는 기판 및 상기 기판상에 배치된 층 시퀀스를 포함한다. 이 때, 층 시퀀스는 전압을 인가하기 위한 제1 접촉부를 구비하여 상기 기판상에 배치된 제1 전극면, 구동 시 복사를 방출하는 적어도 하나의 기능층 및 상기 적어도 하나의 기능층상의 제2 전극면을 포함한다. 이러한 층 시퀀스에는, 복수개의 부분 영역들이 구비되고, 상기 부분 영역들은 외부 관찰자에게 가시적인 복사가 상기 부분 영역들로부터 방출되는 것이 중단되도록 개질된다. 이 때, 이러한 부분 영역들의 분포 밀도는 상기 부분 영역들과 접촉부 사이의 간격에 따라 가변한다. 이 때의 장점은, 복사 방출 장치의 휘도가 접촉부와의 간격에 따라 가변한다는 것이다. 접촉부와의 간격에 의존하는 분포 밀도를 가진 복수개의 부분 영역들은, 변경된 휘도에 반작용할 수 있다. 이 때 더욱 바람직하게는, 상기 개질된 부분 영역들은, 복사 방출 장치에서 상기 개질된 부분 영역들이 없을 경우 일반적으로 휘도가 더 높았을 영역들에 배치된다. 이러한 방식으로, 상기 영역들에서 휘도가 낮아질 수 있고, 따라서 복사 방출 장치의 전체 발광면(복사 방출면)에 걸쳐 더 균일한 휘도 분포가 달성된다. 이러한 점은, 발광 부분 영역들의 휘도가 균일하게 되도록 한다.
본 발명의 다른 실시예의 다른 유리한 특징은, 복사 방출 장치가 외부 관찰자의 육안으로 인지할 수 없는 부분 영역들을 포함한다는 것이다. 또한, 복사 방출 장치는 현미경 범위를 가지는 부분 영역들도 포함할 수 있다. 이를 통해, 외부 관찰자를 위한 발광 인상을 방해하지 않으면서, 상기 관찰자가, 삽입된 부분 영역들에 의해 변경되거나 균일화된 휘도만을 인지하도록 한다.
또한, 본 발명이 포함할 수 있는 유리한 특징은, 복사 방출 장치가 상기 방출된 복사의 휘도를 떨어뜨리는 부분 영역들을 포함한다는 것이다. 이러한 점은, 기능층에서 상기 부분 영역들 없이는 높은 휘도를 가졌을 영역들의 평균 밝기가, 상기 부분 영역들의 삽입에 의해 조정될 수 있다는 장점을 제공한다.
바람직하게는, 제1 접촉부는 제1 전극면의 측면에 구비된다. 따라서, 제1 전극면은 전압을 공급받을 수 있다.
바람직하게는, 제3 접촉부가 제2 전극면의 측면에 구비되어, 상기 제2 전극면이 전압을 공급받을 수 있다.
유리하게는, 적어도 하나의 기능층은 유기 기능층을 포함할 수 있고, 바람직하게는 전하 수송층을 포함할 수 있다. 기능층의 물질은 폴리머 및/또는 저분자를 포함할 수 있다. 복사 방출 장치는 대면적 발광 소자로서 매우 적합한 유기 발광 다이오드(OLED)이다.
적어도 하나의 기능층은 예를 들면 인화물-화합물 반도체계 또는 질화물-화합물 반도체계 무기 기능층일 수 있다. 바람직하게는, 일반식 AlnGamIn1-n-mP를 포함하고, 이 때 0≤n≤1, 0≤m≤1, n+m≤1인 물질들 또는, 바람직하게는 일반식 AlnGamIn1-n-mN을 포함하고, 이 때 0≤n≤1, 0≤m≤1, n+m≤1인 질화물-III/V-화합물 반도체가 있다.
특히, 복사 방출 장치의 전압 강하는 하나 이상의 전극면 즉 제1 전극면 및 제2 전극면의 전도성에 의해 야기될 수 있다. 이 때, 제1 및/또는 제2 전극면은 반투명이나 투명한 전극면일 수 있고, 상기 전극면은 복사 방출 기능층들을 둘러싼다. 이 때, 2개의 전극면들 중 하나의 전극면은 반사 전극면일 수 있다. 투명 전극면의 전도성은 반사 전극면의 전도성에 비해 2개 내지 3개 또는 그 이상의 자릿수(order of magnitude)만큼 한정될 수 있다. 상기와 같은 전극면의 경우 전압 강하가 발생하며, 상기 전압 강하는 제1 및/또는 제2 투명 전극면의 접촉부와 간격이 커질수록 증가하여, 휘도가 약해질 수 있다. 방출된 광은 균일하지 않고, 휘도 차가 발생한다.
또한 바람직하게는, 복사 방출 장치는 제1 및/또는 제2 전극면을 포함할 수 있고, 상기 전극면은 기능층으로부터 방출된 복사에 대해 반투명 또는 투명하다. 이 때의 장점은, 생성된 복사가 제1 및/또는 제2 전극면을 투과하여 방출될 수 있다는 것이다. 두꺼운 순수 금속층들로 구성되어 불투명한 전극면들에 비해, 금속 및/또는 다른 구성 성분도 포함하여 투명한 전극면들이 더 낮은 전도성을 가진다. 접촉부에 인가된 전압은 접촉부와의 간격이 커질수록 감소되어, 복사 방출 장치의 휘도가 감소하게 된다.
유리한 실시예에서, 제1 및/또는 제2 전극면의 물질은 금속 산화물을 포함한다. 투명 전도성 산화물들(transparent conductive oxides, 약어로 "TCO")은 투명한 전도성 물질들로, 일반적으로 예를 들면 산화 아연, 산화 주석, 산화 카드뮴, 산화 티타늄, 산화 인듐 또는 인듐 주석 산화물(ITO)과 같은 금속 산화물이 있다. 예를 들면 ZnO, SnO2 또는 In2O3과 같은 2원 산화 금속 화합물 외에, 예를 들면 Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 또는 In4Sn3O12와 같은 3원 산화 금속 화합물 또는 서로 다른 투명 전도성 산화물의 혼합물들이 TCO족에 속한다. 또한, 이러한 TCO들은 화학량론적인 조성에 반드시 부합될 필요는 없고, p- 또는 n-도핑될 수 있다.
이와 마찬가지로, 투명 전극들은 PEDOT와 같은 고 전도성 유기 물질들 또는 도핑된 유기층 및 예를 들면 Ag와 같은 금속을 포함하거나, 언급된 가능성들의 조합을 포함할 수도 있다.
본 발명의 다른 실시예의 다른 유리한 특징은, 제1과 제2 전극면 사이에서 복수개의 절연성 부재들 및/또는 복사에 대해 불투명한 부재들을 부분 영역들에서 포함하는 복사 방출 장치라는 것이다. 상기 부분 영역들의 분포 밀도 및/또는 기하학적 형상은 제1 및/또는 제3 접촉부와 상기 부재들 사이의 간격에 따라 다시 가변한다. 이러한 부재들의 장점은, 상기 부재들이 접촉부와의 간격에 따라 복사 방출 장치의 밝기를 변경할 수 있다는 것이다. 따라서, 이러한 실시예에서 상기에 언급된 부분 영역들은 절연성 부재들 및/또는 복사에 대해 불투명한 부재들에 의해 개질되는데, 장치로부터의 복사가 상기 부분 영역들로부터 아웃-커플링되는 것이 차단되도록 개질된다
바람직하게는, 절연성 및/또는 불투명 부재들의 분포 밀도는 제1 및/또는 제3 접촉부와의 간격이 커질수록 낮아진다. 또한, 제1 과 제2 전극면 사이에서 구비되는 절연성 및/또는 불투명 부재들은, 상기 부분 영역들에서 장치로부터의 복사 방출을 방지한다. 이 때의 장점은, 층 시퀀스에 있어서, 상기 부재들이 없다면 고 휘도를 가졌을 수 있으며 제1 및/또는 제3 접촉부에 근접하는 영역들에서는 상기 절연성 및/또는 불투명 부재들의 분포 밀도가 높고, 상기 부재들이 없다면 상기 접촉부에 근접한 영역들에 비해 감소된 휘도를 가졌을 수 있으며 상기 접촉부와 더 많이 이격되어 있는 영역들에서는 상기 절연성 및/또는 불투명 부재들의 분포 밀도가 낮다는 것이다. 따라서, 상기 부재들에 의해, 복사 방출은, 일반적으로 낮은 휘도를 가진 영역들보다 일반적으로 높은 휘도를 가진 영역들에서 더 많이 감소된다. 따라서, 분포 밀도의 적합한 가변 시, 상기 면에 걸쳐 발광 휘도차가 감소되거나 균일화된다.
이 때 더욱 바람직하게는, 절연성 및/또는 불투명 부재들의 분포 밀도는, 상기 부재들을 서로 다른 분포 밀도로 포함하는 상기 장치의 다양한 영역들 사이에서, 장치로부터 방출된 복사의 휘도 차가 최대 20%가 되도록 선택된다. 이 때의 장점은, 외부의 관찰자에게 상기와 같은 밝기차가 거의 인지되지 않으며, 개선되고 균일화된 휘도를 전달한다는 것이다.
또한, 절연성 및/또는 불투명 부재들은 선형으로 형성되고, 기능층에서 주기 구조(periodic structure)로 배치될 수 있다. 이러한 주기적 구조는 예를 들면 격자를 포함할 수 있다. 상기 격자는 인접한 선형 부재들 사이에서 격자 간격을 가질 수 있고, 상기 격자 간격은 제1 및/또는 제3 접촉부와의 간격이 커지면서 함께 증가한다. 가변성 주기를 가진 이러한 격자는 복사 방출 장치의 층 시퀀스를 실질적으로 변경시키지 않으면서 상기 장치에 간단하고 경제적인 비용으로 내장된다. 또한, 상기 격자를 장치에 내장하기 위해, 제조 공정이 변경될 필요는 없다.
기능층은 적어도 선형 부재들 사이에 배치될 수 있다. 또한, 인접한 선형 부재들 사이의 기능층의 두께는 부재들의 격자 간격이 커지면서 얇아질 수 있다. 또한, 기능층은 선형 부재들 위에 배치될 수 있다. 따라서, 인접한 선형 부재들 사이에서 기능층의 층 두께는 격자 간격으로 조절될 수 있는데, 적어도 하나의 유기 기능층의 도포 시 상기 격자에 배치된 선형의 절연성 및/또는 불투명 부재들을 경유하여, 전극면 너머로의 조절되지 않은 물질 이송이 방지되거나 감소되기 때문이다. 이러한 일은, 인접한 선형 부재들 사이에 있는 기능층의 물질의 표면 전압에 의해 야기될 수 있다. 절연성 및/또는 불투명 부재들은 유기 기능층의 물질에 대해 전혀 습윤성(wetting)이 없거나, 습윤성이더라도 매우 약하여, 상기 물질 이송이 방지될 수 있다. 예를 들면 스핀 코팅 또는 스퀴징(squeegeeing)과 같은 습식 화학 방법을 이용하여 기능층을 위한 물질을 도포할 때, 기능층의 물질은 선형 절연성 및/또는 불투명 부재들에 의해 한정되는 영역들에서 서로에 대해 독립적으로 응집되고, 격자 간격에 따라 특정한 층 두께가 되도록 건조된다. 기능층의 층 두께는 절연성 및/또는 불투명 부재들의 격자 간격이 커지면서 얇아질 수 있으며, 이는 기능층을 위한 물질 용액의 표면 전압에 의해 야기된다. 인접한 절연성 및/또는 불투명 부재들에 의해 한정되는 영역들에서 기능층은 단일의 층 두께로 형성될 수 있다. 이 때, 선형 부재들이 제1 및/또는 제3 접촉부와의 간격이 커짐에 따라 인접한 선형 부재들 사이의 유기 기능층의 층 두께가 얇아지는데, 인접한 선형 부재들의 간격은 제1 및/또는 제3 접촉부와의 간격이 커지면서 증가하기 때문이다.
또한, 방출된 복사의 세기는 층 두께가 두꺼워지면 감소할 수 있다. 즉, 접촉부와의 간격이 커지면, 인접한 선형 부재들 사이의 격자 간격도 커지고, 따라서, 선형 부재들 사이에 구비되는 기능층의 층 두께는 얇아진다. 접촉부에 근접하고, 그리고 상기 선형 부재들이 없을 경우 복사의 세기가 더 강했을 영역들에서는, 기능층의 두꺼워진 층 두께 뿐만 아니라 더 많은 수의 선형 절연성 및/또는 불투명 부재들에 의해 상기 복사의 세기가 감소하고, 관찰자에게는 전체 전극면에 걸쳐 상기 복사의 세기가 더 균일하다. 방출된 복사의 이러한 균일화에 의해, 관찰자는 방출된 복사의 가능한 다른 변화 또는 결함에 대해 감지하지 못하게 되어, 더욱 개선되고 균일화된 전체 인상을 얻게 된다.
또한, 방출된 복사의 세기는 층 두께가 두꺼워지면서 함께 증가할 수 있다. 또한, 이러한 경우, 상기 면에 걸쳐 균일하게 방출되는 복사를 얻기 위해, 격자 간격은 제1 및/또는 제3 접촉부와의 간격이 커지면서 작아질 수 있다.
유리한 실시예에서, 절연성 부재들은 전기 절연성 부재들을 포함하고, 전기적으로 부도체인 특성 때문에 상기 절연성 부재들이 구비된 층 시퀀스의 부분 영역들에서 복사 방출을 중단시킨다. 따라서, 복사가 상기 부분 영역들에서 중단되어, 상기 복사의 밝기가 상기 면에 걸쳐 상실된다.
또한, 전기 절연성 부재들의 물질은 방출된 복사에 대해 투명할 수 있고, 절연성 부재들의 크기는 유리하게는 수 마이크로미터를 포함하고, 우선적으로는 200 ㎛보다 작고, 바람직하게는 100 ㎛보다 작고, 더욱 바람직하게는 20 ㎛보다 작을 수 있다. 이 때의 장점은, 절연성 부재들 및 그로 인한 복사 방출 장치의 비발광 영역들은 일반적으로 육안으로 해상되지 않으며, 따라서 발광면의 전체 이미지가 방해받지 않는다. 분포 밀도가 가변함으로써, 절연성 부재들이 필요한 만큼만 구비되는 경우에도, 제1 및/또는 제2 전극면에서 상기 전기 절연성 부재에 의한 면 커버리지는 작을 뿐이다.
이를 위해, 전기 절연성 부재들의 물질은 포토 레지스트, 질화물, 세라믹, 산화물 및 유기 절연성 화합물을 포함한 군에서 선택될 수 있다.
다른 유리한 실시예에서, 층 시퀀스의 부분 영역들의 상기 부재들은 방출된 복사에 대해 투명하지 않고, 상기 복사를 반사하고 및/또는 흡수한다. 따라서, 층 시컨스에서 복사의 방출 내지 생성은 중단되지 않고, 복사 방출 장치로부터의 아웃-커플링만 차단된다. 따라서, 장치에서의 밝기 차가 변경된다. 바람직하게는, 불투명 부재들의 물질은 금속을 포함한다.
다른 실시예에서, 불투명 부재들의 금속은 절연성 커버에 의해 둘러싸이고, 상기 커버는 예를 들면 폴리머 커버일 수 있다.
또 다른 실시예에서, 복사에 대해 불투명한 부재들은 전기 전도성 도전로들을 말할 수 있다. 바람직하게는, 이러한 도전로들은 제1 및/또는 제3 접촉부로부터 제1 및/또는 제2 전극면에 걸쳐 연장된다. 상기 도전로들의 분포 밀도는 제1 및/또는 제3 접촉부와의 간격이 증가함에 따라 낮아지는 것이 유리하다. 이를 위해, 인접한 도전로들은 서로 다른 길이를 가지고, 상기 도전로들의 길이 분포는 제1 및/또는 제3 접촉부로부터 시작하여 적어도 최대값 및 최소값을 가진다. 이러한 실시예의 장점은, 제1 및/또는 제3 접촉부와의 간격에 따라 분포 밀도가 가변함으로써 방출된 복사가 변경되되, 상기 도전로들이 삽입되어 있지 않을 때의 휘도차를 균일화시키거나 줄일 수 있도록 변경된다는 것이다. 제1 및/또는 제3 접촉부와의 간격이 커짐에 따라 도전로들의 분포 밀도가 낮아짐으로써, 제1 및/또는 제2 전극면의 면 커버리지는 가능한한 낮게 유지된다.
또한, 제1 및/또는 제3 접촉부는 제1 및/또는 제2 전극면의 모든 측에 구비될 수 있다. 따라서, 제1 및/또는 제3 전극면은 모든 측에서 상기 접촉부에 의해 둘러싸여있다. 도전로들이 예를 들면 인접한 선형 부재들 사이의 격자 간격을 포함한 격자와 같은 주기 구조로 배치된다면, 상기 격자 간격은 제1 및/또는 제3 접촉부와의 간격이 증가함에 따라 함께 커지고, 예를 들면 대향되는 제1 및/또는 제2 접촉부 사이의 중심에서 가장 클 수 있다.
또한, 도전로들의 폭은 유리하게는 수 밀리미터이고, 우선적으로는 200 ㎛보다 작고, 바람직하게는 100 ㎛보다 작고, 더욱 바람직하게는 20 ㎛ 보다 작다. 이것의 장점은, 상기 도전로들이 외부 관찰자의 육안으로 인지될 수 없다는 것이다.
또한, 도전로들의 두께는 유리하게는 200 ㎛보다 작은 범위, 우선적으로는 100 nm 내지 10 ㎛의 범위를 가질 수 있다. 따라서 상기 도전로들은, 상기 도전로들이 제1 및/또는 제2 전극의 표면에 구비될 수 있고, 마찬가지로 전체 기능층에 이르러 상기 기능층을 관통할 수도 있다는 장점이 있다. 이러한 경우, 예를 들면 절연성 폴리머층과 같은 절연층이 상기 도전로들을 둘러싼다. 이를 통해, (제2 의) 다른 전극층과의 단락이 방지된다.
다른 유리한 실시예에서, 제1 전극면은 전압을 인가하기 위한 제2 접촉부를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 제2 전극면은 제4 접촉부를 포함할 수 있다. 또한, 다른 전기 전도성 도전로들도 구비될 수 있으며, 이러한 도전로들은 제2 및/또는 제4 접촉부로부터 시작하여 제1 및/또는 제2 전극면에 걸쳐 연장된다. 이러한 실시예의 장점은, 복사 방출면을 통해 아웃-커플링된 복사의 휘도가, 제1과 제2 및/또는 제3과 제4 접촉부 사이의 영역에서 밝기 최소값을 가지며, 상기 밝기 최소값은 본 발명에 따른 도전로들의 배치에 의해 균일화될 수 있다는 것이다. 이 때 더욱 바람직하게는, 도전로들이 제2 및/또는 제4 접촉부로부터 전극면에 걸쳐 연장될 때 간격이 증가할수록 그 분포 밀도가 낮아지고, 제1과 제2 및/또는 제3과 제4 접촉부로부터 시작하는 도전로들은 겹치지 않아 상기 밝기 최소값을 초과하지 않는다. 또한 바람직하게는, 인접한 도전로들이 서로 다른 길이를 가지고, 제1과 제2 및/또는 제3과 제4 접촉부로부터 시작되는 도전로들의 길이 분포는 각각 적어도 최대값 및 최소값을 가진다. 이 때의 장점은, 도전로들이 제1과 제2 및/또는 제3과 제4 접촉부와의 간격에 따라 다시 가변하면서 낮아지는 분포 밀도를 가진다는 것이다.
또 다른 실시예에서, 제1과 제2 및/또는 제3과 제4 접촉부로부터 시작되는 도전로들의 길이 분포에 있어 최대값들 및 최소값들 끼리 대향할 수 있다. 바람직하게는, 제1과 제2 및/또는 제3과 제4 접촉부로부터 시작되는 도전로들의 길이 분포에 있어 최대값들 및 최소값들은 서로 맞서서 위치가 바뀌도록 배치된다. 최대값들과 최소값들이 서로 맞서서 위치가 바뀌는 경우의 장점은, 밝기 변조가 대칭화된다는 것이다.
본 발명의 다른 실시예의 다른 유리한 특징은, 분지들을 포함하는 도전로들이다. 이 때 바람직하게는, 접촉부와의 간격이 증가하면, 배치되는 분지들은 더 많은 수로 증가한다. 도전로들은 예를 들면 래터럴 전류 밀도에 대해 평행하게 연장될 수 있다. 바람직하게는, 도전로들의 두께 및/또는 폭은 접촉부와의 간격이 증가하면서 감소된다. 이러한 실시예는 도전로들의 준 프랙탈(quasi-fractal) 분포를 나타낸다. 이러한 실시예의 장점은, 밝기가 차단되지 않고, 오히려 본 발명에 따른 도전로들을 설치하여 제1 및/또는 제2 전극면의 전도성이 증가한다는 것이다. 따라서, 도전로들에 의해 증가된 제1 및/또는 제2 전극면의 전도성 때문에, 낮은 휘도를 가진 영역들의 밝기가 향상된다. 그와 동시에, 도전로들에 의한 발광면의 커버리지도 가능한한 적게 유지되는데, 상기 도전로들의 폭은 분지 정도가 클 수록 좁아져서, 복사에 대해 불투명한 도전로들에 의해 덮이는 복사면은 점점 더 적어지기 때문이다.
또 다른 실시예의 다른 유리한 특징은, 제1 및/또는 제2 전극면이 층 시퀀스의 부분 영역들에서 전극 물질의 구조화를 포함하는 복사 방출 장치이다. 바람직하게는, 이러한 구조화의 분포 밀도는 제1 접촉부와의 간격이 커지면서 낮아진다. 상기 변경은, 전극 물질을 포함하지 않는 전극 영역들 즉 정공들을 포함하는 영역들에서도 이루어질 수 있다. 이러한 실시예의 장점은, 전극의 전도성을 변경하여 휘도가 달라진다는 것이다.
또 다른 실시예의 또 다른 유리한 특징은, 적어도 하나의 기능층이 부분 영역들에서 도핑 결핍으로 낮아진 전도성을 가지거나 전하 캐리어에 대한 향상된 주입 장벽(injection barrier)을 포함하는 복사 방출 장치이다. 바람직하게는, 부분 영역들의 분포 밀도는 접촉부와의 간격이 커지면서 낮아진다. 이러한 실시예의 장점은, 접촉부와의 간격에 의존하여 결핍되는 도핑에 의해 휘도가 변경된다는 것이다.
본 발명은, 상기에 열거된 실시예들에 따른 복사 방출 장치를 제조하기 위한 방법에 관한 것이기도 하다. 상기 방법은 기판상에 층 시퀀스를 배치하는 단계를 포함하는데, 이 때 상기 층 시퀀스에 복수개의 부분 영역들을 삽입한다. 관찰자에게 가시적인 복사가 상기 복수개의 부분 영역들로부터 방출되는 일이 중단되도록, 상기 부분 영역들을 개질시킨다. 이 때 상기 부분 영역들의 생성은, 상기 부분 영역들의 분포 밀도가 접촉부와의 간격에 따라 가변하도록 수행한다.
또한, 제1 및 제2 전극면 사이에서 복수개의 절연성 부재들 및/또는 복사에 대해 불투명한 부재들을 상기 부분 영역들에 기상 증착 마스크로 삽입할 수 있다. 이 때의 장점은, 상기 부분 영역들을 상기 층 시퀀스에 일 방법 단계로 삽입한다는 것이다.
또한, 상기 방법에서 제1 및/또는 제2 전극면을 부분 영역들에서 구조화시킬 수 있고 및/또는 기능층을 부분 영역들에서 도핑하지 않을 수 있다.
본 발명은 도면 및 실시예들에 의거하여 더욱 상세하게 설명된다.
도 1은 복수개의 부분영역들을 구비한 복사 방출 장치의 구성을 단면도로 도시한다.
도 2는 종래의 대면적 OLED의 휘도 분포에 대한 실험 그래프 및 시뮬레이션 그래프를 도시한다.
도 3은 종래의 발광 다이오드의 다이오드 특성과 관련된 밝기-전압 특성도를 도시한다.
도 4는 종래의 OLED-면의 전류 밀도를 도시한다.
도 5는 종래의 OLED 단면의 휘도를 도시한다.
도 6은 일 실시예에 따라 제1 접촉부 및 절연성 부재들을 포함한 제1 전극면을 평면도로 도시한다.
도 7은 제1과 제2 접촉부 및 절연성 부재들을 포함한 제1 전극면의 평면도 뿐만 아니라 휘도 분포 및 부재-밀도도 도시한다.
도 8은 복수개의 부분 영역들을 구비한 본 발명에 따른 복사 방출 장치의 다른 실시예 구성을 단면도로 도시한다.
도 9는 도전로들이 배치되어 있는 제1 및 제2 접촉부를 포함한 제1 전극면의 평면도 뿐만 아니라 휘도 분포 및 표면 커버리지도 도시한다.
도 10은 도전로들이 도포되어 있는 제1 전극면의 다른 실시예를 평면도로 도시한다.
도 11은 분지형 도전로들을 구비한 제1 전극면을 평면도로 도시한다.
도 12는 선형으로 형성된 절연성 또는 불투명 부재들 및 제1 접촉부를 구비한 제1 전극면을 평면도로 도시한다.
도 13은 선형으로 형성된 부재들 사이의 층 두께를 가진 도 12에 따른 제1 전극면을 개략적 단면도로 도시한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 복사 방출 장치의 일반적 구성을 도시한다. 기판(100)상에는 제1 접촉부(210) 및 제2 접촉부(220)를 구비한 제1 전극면(200)이 있다. 기판상에 기능층(300)이 배치되고, 상기 기능층은 절연성 부재들(310)을 포함하며, 상기 절연성 부재들은 접촉부와의 간격이 멀어짐에 따라 감소하는 분포 밀도(D)를 포함한다. 도 1에서 분포 밀도(D)가 감소하는 방향은 화살표로 암시된다. 마지막으로, 기능층(300)상에 제2 전극면(400)이 배치된다. 절연성 부재들(310)이 삽입됨으로써, 제1 전극면(200), 기능층(300) 및 제2 전극면(400)으로 이루어진 층 시퀀스는 복수개의 부분 영역들(330)을 포함하고, 상기 부분 영역들은 전체 층 시퀀스를 관통할 수 있거나, 제2 전극면(400)을 돌출할 수 있고, 방출된 복사를 중단시킨다. A는 도 7의 평면도를 위한 절개면이다.
도 2는 종래 OLED의 휘도를 실험 및 시뮬레이션으로 계측한 것을 나타낸다. 다이어그램(E)은, 접촉부를 향한 전극면의 측(x)과 노출된 측(y)에 대한 그래프이다. 휘도(R)는 밝은 영역들에서 높고, 어두운 영역들에서는 낮다. 실험에서는 2개의 상호 대향하는 접촉부들을 구비한 OLED를 계측하였으며, 휘도는 정확히 접촉부들 사이의 중앙 영역에서 최소값을 가진다. 다른 다이어그램(S)에서 도시된 시뮬레이션으로도 매우 유사한 결과가 도출되었다. 여기서도, 접촉부를 향한 전극면의 측(x)과 노출된 측(y)에 대한 그래프가 도시되었고, 휘도(R)는 상기 면에 걸쳐 산출된다. 휘도는 2 개의 접촉부들(상부와 하부의 x-축)과 가장 많이 이격된 영역에서 가장 낮은 값을 가진다. 여기서 중요한 것은, 전극면의 전도성이 접촉부들과의 간격이 멀어지면서 낮아지고, 따라서 더 낮은 휘도를 가지게 된다는 것이다.
도 3은 종래 다이오드의 휘도 차를 다이오드 특성과 관련하여 밝기-전압 특성도로 도시한다. 이 때, x-축에는 전압(V)이, 좌측의 y-축에는 전류 밀도(Cd)가, 우측의 y-축에는 휘도(R)가 도시된다. 전압이 작을 때, 전류 밀도 뿐만아니라 휘도도 낮다. 2개의 곡선은 전압이 커지면서 함께 급증한다. 이는, 전압이 증가하면 전류 밀도 뿐만 아니라 휘도 역시 증가하고, 전압이 작아지면 함께 감소한다는 것을 의미한다.
상기로부터의 결과는 도 4에 도시된다. 여기서는, 종래 OLED-면에서 접촉부 쪽의 측면(x)과 노출된 측면(y)에 의해 펼쳐진 면에 걸쳐, 전극들의 래터럴 전류 밀도(Cd)를 도시한다. 접촉부들에서, 즉 상하부의 x-축에서, 전압은 높고, 따라서 전류 밀도도 높다(긴 화살표). 접촉부들과의 간격은 면의 중심쪽으로 오면서 감소하고, 따라서 전류 밀도도 감소한다(짧은 화살표). 그러므로, 가장 낮은 휘도값을 포함한 휘도 비균일도가 OLED-면에 걸쳐 발생한다.
도 5는 종래 OLED의 휘도 비균일도에 대한 다른 도면이다. 상기 다이어그램은 OLED의 단면을 따라, 제1 접촉부로부터 제2 접촉부에 이르는 노출된 측면(y)을 따르는 휘도 분포를 나타낸다. 좌측의 y-축은 휘도(R)를 나타낸다. 휘도는 측면 가장자리, 즉 접촉부들과 근접한 곳에서 높고 중심으로 가면서 낮아진다. 이러한 점은 실험(E)(이어진 선) 및 시뮬레이션(S)(점)으로 증명되며, 실험 및 시뮬레이션에서 도출된 결과는 양호하게 일치한다.
도 6은 본 발명에 따른 실시예를 도시한다. 상기 도면은 절연성 부재들(310) 및 제1 측면 접촉부(210)를 포함하는 전극면(200)을 노출된 면을 따라 평면도로 도시한다. 하부에는 기판(100)이 존재한다. 상기 측면 접촉부는 연결부(500) 및 전기 전도체(510)를 경유하여 제2 전극면(400)과 결합된다. 명확한 도시를 위해 기능층(300)은 표시되지 않았고, 제2 전극면(400)만 암시되어 있다. 절연성 부재들의 분포 밀도(D)는 접촉부와의 간격이 커지면서 낮아진다. 분포 밀도(D)가 낮아지는 방향은 화살표로 표시된다. 바람직하게는, 이러한 절연성 부재들은 외부 관찰자가 해상할 수 없을 만큼 작다. 그래서, 상기 절연성 부재들은 200 ㎛보다 작고, 바람직하게는 20 ㎛보다 작다. 상기 절연성 부재들은 전기 절연성 부재들이다. 상기 전기 절연성 부재들은, 상기 부재들이 구비되는 부분 영역(330)들에서, 상기 부재들이 없는 경우의 상기 영역들에 일반적으로 존재하는 방출된 복사의 휘도(R)를 감소시키는데, 즉, 상기 전기 절연성 부재들은, 상기 부재들이 구비되는 부분 영역들에서 상기 복사 방출 장치로부터의 복사 방출을 방지한다. 이는, 상기 절연성 부재들의 부도체 특성 때문에 상기 절연성 부재들이 복사를 차단시킴으로써, 복사가 중단되는 것이다. 바람직하게는, 절연성 부재들의 분포 밀도 가변은, 기능층의 면에서 접촉부와의 다양한 간격에 따른 휘도 차가 20%보다 작도록 선택된다. 절연성 부재들은 방출된 복사에 대해 투명한 것이 유리하며, 포토 레지스트, 질화물, 세라믹 및 산화물로 구성될 수 있다. 바람직하게는, 절연성 부재들은 전기 절연성 부재들이다. 또한, 전기 절연성으로 피복된 금속도 가능하다.
도 7은 도 6에 도시된 실시예의 변형예를 도시한다. 상기 도면은 도 1의 면(A)을 따른 평면도로 이해할 수 있다. 여기서는, 제1 접촉부(210) 맞은편에 제2 접촉부(220)가 배치되는데, 2개의 접촉부들은 전기 전도체들(500)과 전기 연결부들(510)을 경유하여 제2 전극면(400)과 결합된다. 하부에는 기판(100)이 있다. 전극면(200)상에는 다시 전기 절연성 부재들(310)이 있다. 명확한 도시를 위해 기능층(300)은 표시되지 않고, 제2 전극면은 암시적으로만 표시된다. 화살표로 도시된 상기 부재들의 분포 밀도(D)는 접촉부와의 간격이 커지면서 낮아지므로, 상기 부재들의 집적도는 상기 면의 중심에서 가장 낮다. 즉, 접촉부에 근접하면서 상기 전기 절연성 부재들이 없었다면 고 휘도(R)를 가졌을 영역들에서는, 많은 부분 영역들(330)의 상기 절연성 부재들이 방출된 복사를 중단시킨다. 반면, 접촉부와 더 많이 이격되면서 상기 전기 절연성 부재들이 없었다면 더 낮은 휘도를 가졌을 영역들에서는 상기 부재들의 분포 밀도가 더 낮으므로 방출된 복사가 근소한 정도로만 중단된다. 따라서, 상기 부재들은 상기 절연성 부재들이 없는 경우의 종래 복사 방출 장치에서 일반적으로 발생하는 휘도 차를 줄이거나 균일화시킨다. 그와 동시에, 상기 낮아진 분포 밀도에 의해, 복사 방출 장치의 면 커버리지가 가능한한 낮을 수 있다. 노출된 측면(y)을 따르는 단면에서 휘도(R)와 부재-밀도(D) 사이의 관계는 도면 옆의 다이어그램으로 도시된다. 절연성 부재들이 없을 때 고 휘도(R1)를 가지는 영역들에서, 상기 부재-밀도(D)도 마찬가지로 높고, 휘도가 낮은 영역들에서는 상기 부재-밀도도 낮다. 따라서, 부재들을 이용한 결과로서의 휘도(R2)는 접촉부들(상축 및 하축)과의 간격과 거의 상관없다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 복사 방출 장치의 일반적 구성을 도시한다. 기판(100)상에 제1 접촉부(210) 및 제2 접촉부(220)를 구비한 제1 전극면(200)이 있다. 기판상에 기능층(300)이 배치되고, 상기 기능층은 전기 전도성 도전로들(320)을 포함하며, 상기 도전로들의 분포 밀도(D)는 접촉부들과의 간격이 커질수록 낮아진다. 분포 밀도가 낮아지는 방향은 화살표로 도시된다. 마지막으로, 기능층(300)상에 제3 접촉부(410) 및 제4 접촉부(420)를 구비한 제2 전극면(400)이 배치된다. 여기서도, 도전로들(320)이 구비되고, 상기 도전로들의 분포 밀도(D)는 접촉부와의 간격이 커질수록 낮아진다. 도전로들(320)이 삽입됨으로써, 제1 전극면(200), 기능층(300) 및 제2 전극면(400)으로 구성된 층 시퀀스는 복수개의 부분 영역들(330)을 포함하고, 상기 부분 영역들은 전체 층 시퀀스를 관통하며, 방출된 복사를 중단시킨다. A는 이하 도면들의 평면도를 위한 절개면이다. 이하 도면들에서는, 제1 전극면(200)에 대해서만 다루긴 하나, 이렇게 다루어진 내용은, 제2 전극면(400)이 반투명 또는 투명 전극면을 말하는 경우 제2 전극면(400)에도 해당한다.
도 9는 본 발명에 따른 장치의 다른 실시예를 도시한다. 상기 도면은 기판(100)상에 배치된 제1 전극면(200)을 도 8의 면(A)을 따른 평면도로 도시하며, 상기 제1 전극면은 제1 접촉부(210) 및 상기 제1 접촉부와 대향하는 제2 접촉부(220)를 구비한다. 2개의 접촉부들은 전기 전도체들(500)과 전기 연결부들(510)을 경유하여 제2 전극면(400)과 결합된다. 전극면상에 도전로들(320)이 배치된다. 이러한 도전로들은 제2 전극면(400)에도 구비될 수 있으나, 이하의 기재는 제1 전 극면(200)에만 관련한다. 도전로들은 각각 접촉부들로부터 제1 전극면에 걸쳐 연장된다. 이 때, 인접한 도전로들은 서로 다른 길이를 가지고, 상기 도전로들의 길이 분포는 접촉부들로부터 시작하여 최대값들 및 최소값들을 가진다. 따라서, 도전로들은 접촉부들과의 간격이 증가함에 따라 래터럴 방향으로 감소하는 분포 밀도(D)를 가지게 되고, 이러한 점이 화살표로 도시되어 있다. 이 때, 가장 길거나 가장 짧은 도전로들 끼리는 서로를 정확히 마주하고 있으나, 접촉하지는 않는다. 따라서, 휘도가 가장 낮은 영역은 도전로들을 포함하지 않는다. 그러므로, 상기 영역에는 면 커버리지가 없다. 반면, 접촉부들과 근접하면서 전기 도전로들이 없을 때 고 휘도를 가졌을 영역에서는 더 큰 면 커버리지가 존재한다. 도전로들의 폭은 200 ㎛보다 작은 것이 유리하고, 바람직하게는 20 ㎛보다 작아서, 외부 관찰자는 상기 도전로들을 인지할 수 없다. 도전로들의 두께는 200 ㎛보다 작은 범위, 바람직하게는 100 nm 내지 10 ㎛의 범위를 가질 수 있는데, 즉 도전로들은 전극면의 표면에만 존재하거나, 상기 전극면상에 놓인 기능층(300)에 도달할 수 있다. 다른 형성예에서, 상기 도전로들은 제2 전극면을 관통할 수 있다. 이러한 경우, 개별 도전로들은 절연층에 의해 둘러싸인다. 전극면의 평면도 외에 다시 다이어그램도 확인할 수 있는데, 상기 다이어그램은 노출된 측면(y)을 따르는 단면에서 휘도(R)와 표면 커버리지(SC) 사이의 관계를 도시한다. 이어진 선은 이상적 곡선을 나타내고, 점선은 실제 곡선을 나타낸다. 도전로들이 없을 경우 고 휘도(R1)를 가진 영역들에서는 표면 커버리지가 크고, 낮은 휘도(R1)를 가진 영역들에서는 표면 커버리지도 낮다. 본 발 명에 따른 도전로들의 배치를 이용하여 그 결과로서의 휘도(R2)가 도출되고, 상기 휘도는 위치(즉 y)와 거의 상관이 없다.
도 10은 도 9에 도시된 실시예의 대안적 예시이다. 여기서는, 전극면(200)상의 도전로들(330)의 길이 분포에 있어 최대값들 및 최소값들 끼리 마주보는 것이 아니라, 서로 맞서서 위치가 바뀌어 있다. 따라서, 접촉부들(210, 220)과 가장 멀리 이격된 영역에서, 도 8의 예시에 비해, 화살표 방향으로 감소하는 분포 밀도(D)가 더 높으나, 휘도 분포는 더욱 대칭화된다. 전극면의 평면도 외에 다이어 그램에서는 도전로들이 없는 상태의 휘도(R1)와 표면 커버리지(SC) 및 결과로서의 휘도(R2)사이의 관계를 도시하는데, 이는 도 6에 도시된 것과 거의 동일하다. 도전로들의 배치에 대한 상기 예시는 제1 및 제2 전극면에도 해당할 수 있다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한다. 여기서는, 일부의 벌집형 전극면상에서 분지형 도전로들(320)을 삽입함으로써 휘도 차가 극복된다. 상기 도전로들의 분지 정도는 접촉부들과의 간격이 증가하면서 함께 증가하는 반면, 상기 도전로들의 두께 및/또는 폭(a)은 감소한다. 따라서, 분지들(340)이 많아도, 면 커버리지는 가능한한 낮게 유지되는 반면, 접촉부들로부터 멀리 이격된 영역들에서의 전도성은 도전로들에 의해 증가된다. 감소하는 분포 밀도(D)의 방향은 화살표로 도시된다. 도전로들의 배치에 대한 이러한 예시는 제1 및 제2 전극면에도 해당할 수 있다.
도 12는 도 7 및 도 9와 유사하게 일 실시예의 변형예를 도시한다. 상기 도 면은 도 1 및 도 8의 면(A)을 따른 평면도로 이해할 수 있다. 여기서는, 제1 접촉부(210)가 전극면(200)의 모든 측에 배치되며, 상기 접촉부는 전기 전도체(510)와 전기 연결부들(500)을 경유하여 제2 전극면(400)과 결합된다. 하부에는 기판(100)이 있다. 전극면(200)상에 전기 절연성이거나 불투명한 선형 부재들(350)이 있고, 상기 부재들은 주기 구조형 즉 격자형으로 배치된다. 격자는 인접한 선형 부재들 사이의 격자 간격(315)을 가지고, 상기 격자 간격은 접촉부(210)와의 간격이 커질수록 증가하며, 가령, 전극면에서 접촉부가 존재하는 측들 사이의 중심에서 가장 크다. 명확한 도시를 위해 기능층(300)은 표시되지 않았고, 제2 전극면(400)은 암시적으로만 표시된다.
즉, 접촉부에 근접하면서 상기 선형 부재들이 없을 때 방출된 복사의 세기가 클 수 있는 영역들에서는, 많은 부분 영역들(330)의 상기 선형 절연성 부재들(350)에 의해, 전극면들 및 기능층들 사이의 전기 접촉이 끊어지며, 따라서 이러한 영역들로부터의 복사 방출이 방지된다. 반면, 접촉부와 간격이 더 크면서 상기 선형의 전기 절연성 부재들이 없을 때 방출된 복사의 세기가 낮을 수 있는 영역들에서는, 격자 간격(315)이 더 크기 때문에, 방출된 복사가 근소한 정도로만 중단된다. 전기 절연성 선형 부재들의 폭은 200 ㎛보다 작고, 바람직하게는 20 ㎛보다 작으며, 상기 부재들의 두께는 200 ㎛보다 작은 범위, 바람직하게는 100 nm 내지 10 ㎛의 범위를 가질 수 있다. 따라서, 외부 관찰자는 상기 부재들을 인지할 수 없다.
선형 부재들(350)이 불투명한 전기 전도성 도전로들인 경우, 상기 도전로들은 제2 전극면(400)상에도 구비될 수 있으나, 이하의 기재는 제1 전극면(200)에만 관련한다. 방출된 복사의 세기가 가장 낮은 영역은 상호 간의 격자 간격이 큰 도전로들에 의해 덮이는 반면, 접촉부와 근접한 영역에서는 격자가 더 조밀하다. 이를 통해, 전기 도전로들이 없을 때 고 휘도를 가졌을, 접촉부와 근접한 영역에는 도전로들에 의한 면 커버리지가 더 크다. 도전로들의 폭은 200 ㎛ 보다 작고, 바람직하게는 20 ㎛보다 작아서, 외부 관찰자는 상기 도전로들을 더 이상 인지할 수 없다. 도전로들의 두께는 200 ㎛보다 작은 범위, 바람직하게는 100 nm 내지 10 ㎛의 범위를 가질 수 있어서, 상기 도전로들이 전극면의 표면에만 존재하거나, 전극면상에 놓인 기능층(300)에 이를 수 있다. 다른 형성예에서, 상기 도전로들은 제2 전극면을 관통할 수 있다. 이러한 경우, 개별 도전로들은 예를 들면 폴리머층과 같은 절연층에 의해 둘러싸인다.
또한, 선형 부재들(350) 사이에 있는 기능층(300)의 층 두께는, 격자 간격(315)이 커질수록 얇아지는 방식으로 가변한다. 도 13에서는, 도 12에서 표시된 축(B)을 따르는 개략적 단면도를 확인할 수 있다. 여기서, 제1 전극면(200) 및 제1 접촉부(210)를 포함한 기판(100)을 확인할 수 있다. 도 13의 사시도에 도시되진 않았으나, 상기 제1 접촉부는 제1 전극면(200)을 모든 측에서 둘러쌀 수 있다. 제1 전극면상에 선형 부재들(350)이 있고, 상기 부재들은 격자형으로 배치되며, 이 때 도 13에는 정렬된 부재들만 표시된다. 선형 부재들은 격자 간격(315)을 가지고, 상기 격자 간격은 접촉부(210)와의 간격이 커질수록 증가하며, 가령 전극면의 중심에서 최대값을 가진다. 선형 부재들(350) 사이에 기능층(300)이 있으며, 상기 기능층의 층 두께(d)는 격자 간격이 증가할수록 감소한다. 명확한 도시를 위해, 도 13에 는 제2 전극면, 제3 접촉부 및 전기 연결부들이 도시되지 않았다.
기능층(300)의 층 두께(d)가 감소하면, 즉 선형 부재들(350)의 격자 간격(315)이 증가하면, 방출된 복사의 세기도 증가할 수 있다. 따라서, 접촉부(210)와 멀리 이격된 영역들에서 복사는 더욱 증가된다. 따라서, 선형 부재들을 구비하지 않은 경우의 종래 복사 방출 장치에서 일반적으로 발생하는 휘도 차는 감소되거나 균일화될 수 있다. 선형 부재들은 불투명 도전로들, 절연층을 구비한 도전로들, 예를 들면 포토레지스트와 같은 전기 절연성 물질들을 포함할 수 있다.
본 발명은 실시예들의 기재에 한정되지 않는다. 오히려 본 발명은 각 새로운 특징 및 특징들의 각 조합을 포함하며, 이러한 점은 특히 특허 청구 범위에서 특징들의 각 조합을 포함한다. 비록 이러한 특징 또는 이러한 조합이 그 자체로 명백하게 특허 청구 범위 또는 실시예들에 제공되지 않더라도 말이다.
Claims (60)
- 복사 방출 장치에 있어서,기판; 및상기 기판에 배치되는 층 시퀀스를 포함하고,상기 층 시퀀스는,전압을 인가하기 위한 제1 접촉부를 구비하는 상기 기판상의 제1 전극면;구동시 복사를 방출하는 적어도 하나의 기능층; 및상기 적어도 하나의 기능층상의 제2 전극면을 포함하고,복수의 부분 영역들이 상기 층 시퀀스에 구비되고, 상기 층 시퀀스는 상기 부분 영역들로부터 외부 관찰자에 가시적인 복사 방출이 중단되도록 수정(modify)되고, 상기 부분 영역들의 분포 밀도는 상기 제1 접촉부로부터의 거리에 따라 가변하고,상기 제1 전극면 및 상기 제2 전극면 사이에 상기 복사에 대해 불투명한 복수의 부재들이 상기 부분 영역들에 구비되고, 상기 부분 영역들의 분포 밀도 또는 기하학적 배치는 상기 제1 접촉부와 상기 부재들 간의 거리에 따라 가변하고,상기 복사에 대해 불투명한 부재들은 전기 전도성 도전로들을 포함하며,인접한 도전로들은 서로 다른 길이를 갖고, 상기 제1 접촉부 또는 제3 접촉부에서 시작(emanate)하는 도전로들의 길이 분포는 적어도 하나의 최대값과 적어도 하나의 최소값을 갖는 것인, 복사 방출 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 부분 영역들은 상기 외부 관찰자의 육안에 의해 인지될 수 없는 것인, 복사 방출 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 방출된 복사의 광밀도(light density)가 상기 부분 영역들에서 감소되는 것인, 복사 방출 장치.
- 삭제
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 접촉부는 상기 제1 전극면의 측면에 구비되는 것인, 복사 방출 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제3 접촉부는 상기 제2 전극면의 측면에 구비되는 것인, 복사 방출 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 적어도 하나의 기능층은 유기(organic) 기능층을 포함하는 것인, 복사 방출 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 적어도 하나의 기능층은 전하 수송층을 포함하는 것인, 복사 방출 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 전극면 또는 상기 제2 전극면은 상기 기능층으로부터 방출되는 복사에 대해 반투명 또는 투명한 것인, 복사 방출 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 전극면 또는 상기 제2 전극면의 물질은 투명 금속 산화물, 유기 전도성 물질 및 도핑된 유기 물질을 포함하는 군에서 선택되는 것인, 복사 방출 장치.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 복사에 대해 불투명한 부재들은 상기 제1 접촉부로부터의 거리가 증가하면서 감소하는 분포 밀도를 갖는 것인, 복사 방출 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 복사에 대해 불투명한 부재들은 상기 제1 전극면과 상기 제2 전극면 사이의 영역들에 구비되고, 상기 부분 영역들에서 상기 장치로부터 복사 방출을 방지하는 것인, 복사 방출 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 복사에 대해 불투명한 부재들의 분포 밀도는 상기 장치의 서로 다른 영역들 - 상기 서로 다른 영역들은 상기 부재들의 분포 밀도가 서로 다름 - 사이에서 상기 장치로부터 방출된 복사의 광밀도의 차이가 최대 20%가 되도록 선택되는 것인, 복사 방출 장치.
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- 제1항에 있어서, 상기 부재들은 상기 방출된 복사에 대해 불투명하고, 상기 부재들이 구비되는 상기 층 시퀀스의 부분 영역들에서 상기 방출된 복사를 반사하거나 흡수하는 것인, 복사 방출 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 불투명한 부재들의 물질은 금속을 포함하는 것인, 복사 방출 장치.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 도전로들은 상기 제1 접촉부 또는 상기 제3 접촉부로부터 상기 제1 전극면 또는 상기 제2 전극면에 걸쳐 연장되는 것인, 복사 방출 장치.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 도전로들의 분포 밀도는 상기 제1 접촉부 또는 상기 제3 접촉부로부터의 거리가 증가하면서 감소하는 것인, 복사 방출 장치.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 도전로들의 폭은 200㎛보다 작은 것인, 복사 방출 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 도전로들은 200㎛보다 작은 범위의 두께를 갖는 것인, 복사 방출 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 도전로들은 상기 제1 전극면 또는 상기 제2 전극면을 관통하는 것인, 복사 방출 장치.
- 삭제
- 제5항에 있어서, 상기 제1 접촉부 또는 상기 제3 접촉부는 상기 제1 전극면 또는 상기 제2 전극면의 모든 측면에 구비되는 것인, 복사 방출 장치.
- 제26항에 있어서, 상기 도전로들은 주기적(periodic) 구조로 배치되는 것인, 복사 방출 장치.
- 제38항에 있어서, 상기 주기적 구조는 격자를 포함하는 것인, 복사 방출 장치.
- 제39항에 있어서, 상기 격자는 인접한 도전로들 사이에서 격자 간격을 갖고, 상기 격자 간격은 상기 제1 접촉부 또는 상기 제3 접촉부로부터의 거리가 증가하면서 증가하는 것인, 복사 방출 장치.
- 제40항에 있어서, 상기 기능층은 적어도 상기 도전로들 사이에 구비되고, 상기 기능층의 두께는 상기 도전로들의 격자 간격이 증가하면서 감소하는 것인, 복사 방출 장치.
- 제41항에 있어서, 상기 방출된 복사의 세기는 상기 기능층의 층 두께가 증가하면서 감소하는 것인, 복사 방출 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 전극면은 전압을 인가하기 위한 제2 접촉부를 포함하는 것인, 복사 방출 장치.
- 제43항에 있어서, 상기 제2 전극면은 제4 접촉부를 포함하는 것인, 복사 방출 장치.
- 제44항에 있어서, 전기 전도성 도전로들이 구비되고, 상기 전기 전도성 도전로들은 상기 제2 접촉부 또는 상기 제4 접촉부에서 시작하여 상기 제1 전극면 또는 상기 제2 전극면에 걸쳐 연장되는 것인, 복사 방출 장치.
- 제45항에 있어서,상기 도전로들의 분포 밀도는 상기 제1 접촉부와 상기 제2 접촉부, 또는 상기 제3 접촉부와 상기 제4 접촉부로부터의 거리가 증가하면서 감소하고,상기 제1 접촉부와 상기 제2 접촉부, 또는 상기 제3 접촉부와 상기 제4 접촉부에서 시작하는 도전로들은 서로 겹치지 않는 것인, 복사 방출 장치.
- 제45항에 있어서, 인접한 도전로들은 서로 다른 길이를 갖고, 상기 제1 접촉부와 상기 제2 접촉부, 또는 상기 제3 접촉부와 상기 제4 접촉부에서 시작하는 도전로들의 길이 분포는 각각 적어도 하나의 최대값 및 적어도 하나의 최소값을 갖는 것인, 복사 방출 장치.
- 제47항에 있어서, 상기 제1 접촉부와 상기 제2 접촉부, 또는 상기 제3 접촉부와 상기 제4 접촉부에서 시작하는 도전로들의 길이 분포의 최대값과 최소값은 서로 대면(opposite)하도록 위치하는 것인, 복사 방출 장치.
- 제47항에 있어서, 상기 제1 접촉부와 상기 제2 접촉부, 또는 상기 제3 접촉부와 상기 제4 접촉부에서 시작하는 도전로의 길이 분포의 최대값과 최소값은 서로 비례하여 변경(shift)되는 것인, 복사 방출 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 도전로들은 분지(branching)들을 포함하는 것인, 복사 방출 장치.
- 제50항에 있어서, 상기 제1 접촉부 또는 상기 제3 접촉부로부터의 거리가 증가하면서 상기 분지들이 더 많이 구비되는 것인, 복사 방출 장치.
- 제43항에 있어서, 상기 도전로들의 두께 또는 폭은 상기 제1 접촉부 또는 상기 제3 접촉부로부터의 거리가 증가하면서 감소하는 것인, 복사 방출 장치.
- 삭제
- 삭제
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 부분 영역들에서 상기 적어도 하나의 기능층은 증가된 구동 전압 또는 도핑(doping) 결핍에 의해 감소된 전도성을 갖는 것인, 복사 방출 장치.
- 제55항에 있어서, 상기 부분 영역들의 분포 밀도는 상기 제1 접촉부로부터의 거리가 증가하면서 감소하는 것인, 복사 방출 장치.
- 제1항 또는 제2항에 따른 복사 방출 장치의 제조 방법에 있어서,기판 상에 층 시퀀스를 배치하는 단계를 포함하고,복수의 부분 영역들은 상기 층 시퀀스에 삽입(introduce)되고, 상기 층 시퀀스는 상기 부분 영역들로부터 외부 관찰자에 가시적인 복사 방출이 중단되도록 수정(modify)되고, 상기 부분 영역들의 분포 밀도는 상기 제1 접촉부로부터의 거리에 따라 가변하는 것인, 복사 방출 장치의 제조 방법.
- 제57항에 있어서, 상기 제1 전극면과 상기 제2 전극면 사이의 복사에 대해 불투명한 복수의 부재들은 증기 증착 마스크(vapor deposition mask)를 이용하여 상기 부분 영역들에서 생성되는 것인, 복사 방출 장치의 제조 방법.
- 삭제
- 제57항에 있어서, 상기 적어도 하나의 기능층은 상기 부분 영역들에서 도핑되지 않는 것인, 복사 방출 장치의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102006046234.3 | 2006-09-29 | ||
| DE102006046234 | 2006-09-29 | ||
| DE102006055884.7 | 2006-11-27 | ||
| DE102006055884.7A DE102006055884B4 (de) | 2006-09-29 | 2006-11-27 | Strahlungsemittierende Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| PCT/DE2007/001637 WO2008040288A2 (de) | 2006-09-29 | 2007-09-11 | Strahlungsemittierende vorrichtung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090057460A KR20090057460A (ko) | 2009-06-05 |
| KR101424305B1 true KR101424305B1 (ko) | 2014-08-01 |
Family
ID=38962611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020097008354A KR101424305B1 (ko) | 2006-09-29 | 2007-09-11 | 복사 방출 장치 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8159129B2 (ko) |
| EP (1) | EP2067190A2 (ko) |
| JP (1) | JP5424882B2 (ko) |
| KR (1) | KR101424305B1 (ko) |
| CN (1) | CN101553941B (ko) |
| DE (1) | DE102006055884B4 (ko) |
| TW (1) | TWI354389B (ko) |
| WO (1) | WO2008040288A2 (ko) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102008011848A1 (de) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen |
| US8643034B2 (en) | 2008-02-29 | 2014-02-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Monolithic, optoelectronic semiconductor body and method for the production thereof |
| DE102008054218A1 (de) | 2008-10-31 | 2010-05-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiodenchip |
| EP2244316A1 (en) | 2009-04-22 | 2010-10-27 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | An electronic device and a method of manufacturing the same |
| DE102010003121A1 (de) | 2010-03-22 | 2011-09-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organische Lichtemittierende Vorrichtung mit homogener Leuchtdichteverteilung |
| DE102014102255B4 (de) | 2014-02-21 | 2021-10-28 | Pictiva Displays International Limited | Organisches lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines organischen lichtemittierenden Bauelements |
| DE102014110969A1 (de) | 2014-08-01 | 2016-02-04 | Osram Oled Gmbh | Organisches Bauteil sowie Verfahren zur Herstellung eines organischen Bauteils |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030017360A1 (en) * | 2001-07-20 | 2003-01-23 | Elizabeth Tai | Structure-defining material for OLEDs |
| KR20060064987A (ko) * | 2004-12-09 | 2006-06-14 | 한국전자통신연구원 | 전도성 잉크와 이를 이용한 유기 반도체 트랜지스터 및 그제작 방법 |
| KR20060073514A (ko) * | 2004-12-24 | 2006-06-28 | 가부시키가이샤 도요다 지도숏키 | 전계발광 소자 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS612296A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-08 | アルプス電気株式会社 | 透明電極 |
| US5309001A (en) * | 1991-11-25 | 1994-05-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting diode having a surface electrode of a tree-like form |
| JP2828187B2 (ja) * | 1993-04-08 | 1998-11-25 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JPH07111339A (ja) * | 1993-10-12 | 1995-04-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 面発光型半導体発光装置 |
| JPH1140362A (ja) * | 1997-07-15 | 1999-02-12 | Casio Comput Co Ltd | 電界発光素子及びその製造方法 |
| GB9718393D0 (en) * | 1997-08-29 | 1997-11-05 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent Device |
| JP2000231985A (ja) * | 1999-02-12 | 2000-08-22 | Denso Corp | 有機ｅｌ素子 |
| TW425726B (en) | 1999-10-08 | 2001-03-11 | Epistar Corp | A high-luminance light emitting diode with distributed contact layer |
| US6512248B1 (en) * | 1999-10-19 | 2003-01-28 | Showa Denko K.K. | Semiconductor light-emitting device, electrode for the device, method for fabricating the electrode, LED lamp using the device, and light source using the LED lamp |
| DE10147887C2 (de) * | 2001-09-28 | 2003-10-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem Kontakt, der eine Mehrzahl von voneinander beabstandeten Kontaktstellen umfaßt |
| JP2003308968A (ja) * | 2002-04-12 | 2003-10-31 | Rohm Co Ltd | エレクトロルミネッセンス発光素子及びその製法 |
| GB0218202D0 (en) * | 2002-08-06 | 2002-09-11 | Avecia Ltd | Organic light emitting diodes |
| JP4114551B2 (ja) * | 2003-06-06 | 2008-07-09 | 株式会社豊田自動織機 | 補助電極を用いた面状発光装置 |
| CN100484352C (zh) | 2003-10-02 | 2009-04-29 | 株式会社丰田自动织机 | 电致发光元件 |
| US20070075636A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Organic electroluminescent element |
| US7498735B2 (en) * | 2005-10-18 | 2009-03-03 | Eastman Kodak Company | OLED device having improved power distribution |
| DE102006013408A1 (de) | 2006-03-17 | 2007-09-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Leuchtdiodenelement |
| US7928537B2 (en) * | 2006-03-31 | 2011-04-19 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent device |
| TWI331483B (en) * | 2006-08-07 | 2010-10-01 | Ritdisplay Corp | Organic light emitting device with heat dissipation structure |
-
2006
- 2006-11-27 DE DE102006055884.7A patent/DE102006055884B4/de active Active
-
2007
- 2007-09-11 EP EP07817510A patent/EP2067190A2/de not_active Withdrawn
- 2007-09-11 US US12/443,324 patent/US8159129B2/en active Active
- 2007-09-11 WO PCT/DE2007/001637 patent/WO2008040288A2/de active Application Filing
- 2007-09-11 JP JP2009529519A patent/JP5424882B2/ja active Active
- 2007-09-11 CN CN200780043888.5A patent/CN101553941B/zh active Active
- 2007-09-11 KR KR1020097008354A patent/KR101424305B1/ko active IP Right Grant
- 2007-09-19 TW TW096134771A patent/TWI354389B/zh not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-03-20 US US13/425,164 patent/US8749134B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030017360A1 (en) * | 2001-07-20 | 2003-01-23 | Elizabeth Tai | Structure-defining material for OLEDs |
| KR20060064987A (ko) * | 2004-12-09 | 2006-06-14 | 한국전자통신연구원 | 전도성 잉크와 이를 이용한 유기 반도체 트랜지스터 및 그제작 방법 |
| KR20060073514A (ko) * | 2004-12-24 | 2006-06-28 | 가부시키가이샤 도요다 지도숏키 | 전계발광 소자 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102006055884A1 (de) | 2008-04-03 |
| JP5424882B2 (ja) | 2014-02-26 |
| US20120176027A1 (en) | 2012-07-12 |
| EP2067190A2 (de) | 2009-06-10 |
| DE102006055884B4 (de) | 2023-03-16 |
| US8159129B2 (en) | 2012-04-17 |
| WO2008040288A3 (de) | 2008-07-24 |
| US20100007269A1 (en) | 2010-01-14 |
| KR20090057460A (ko) | 2009-06-05 |
| US8749134B2 (en) | 2014-06-10 |
| WO2008040288A2 (de) | 2008-04-10 |
| TWI354389B (en) | 2011-12-11 |
| JP2010505248A (ja) | 2010-02-18 |
| TW200816539A (en) | 2008-04-01 |
| CN101553941A (zh) | 2009-10-07 |
| CN101553941B (zh) | 2012-06-20 |
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| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
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|
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