CN104813501A

CN104813501A - 光电器件

Info

Publication number: CN104813501A
Application number: CN201380058561.0A
Authority: CN
Inventors: 蒂尔曼·施伦克尔; 安德鲁·英格尔; 马克·菲利彭斯
Original assignee: Ou Silang Oled Co Ltd
Current assignee: Ou Silang Oled Co Ltd
Priority date: 2012-11-14
Filing date: 2013-11-13
Publication date: 2015-07-29
Anticipated expiration: 2033-11-13
Also published as: CN104813501B; DE102012220724B4; US9502682B2; DE102012220724A1; WO2014076132A1; US20150295204A1

Abstract

本发明涉及一种光电器件，该光电器件包括功能层堆叠体(6)、设计成封装所述层堆叠体的封装层(7)、以及至少一个金属层(8)，其中，所述功能层堆叠体具有在所述器件运行过程中发出电磁辐射的至少一个有机有源层(63)，在层堆叠体的俯视图中，封装层完全覆盖该至少一个有机有源层，以及金属层布置在封装层的背对层堆叠体的一侧上。

Description

光电器件

技术领域

本申请涉及一种光电器件。

背景技术

有机发光二极管(Organic light-emitting diode，OLED)为了照明的目的在大面积上以高功率运行。在该过程中，OLED在表面内相较于边缘处变得更热。这引起了OLED的不均匀老化，其导致了不均匀的亮度。另外，在经常利用平版印刷的方法施加的OLED的薄导体轨道中的高电流导致压降。这同样导致了不均匀的亮度。常规的OLED在其两侧上经常分别设置有玻璃片。玻璃通常具有差的热导率，使得在OLED的运行过程中产生的热不能高效地散出OLED。

发明内容

目的是提供一种包括高效的散热性和均匀的亮度的光电器件。

该目的是通过根据独立权利要求的光电器件来实现的。另外的配置和另外的发展构成从属权利要求的主题。

根据一个实施方式，光电器件包括至少一个功能层堆叠体、用于封装层堆叠体的一个封装层以及至少一个金属层。该功能层堆叠体优选地包括至少一个有机有源层，当该器件处于运行时，该至少一个有机有源层发出电磁辐射。当在投影到层堆叠体上的俯视图中观察时，封装层优选完全覆盖所述至少一个有机有源层。金属层布置在封装层的远离层堆叠体的一侧上。

在此处和下文中，封装层被理解为一层或多层，该一层或多层封装该器件的层堆叠体且保护层堆叠体以防受到环境影响，例如空气湿度或氧气。优选地，该封装层被配置成使得空气湿度和气态的物质不能穿过封装层。

根据一种配置，例如，功能层堆叠体包括具有有机聚合物、有机低聚物、有机单体、有机小分子、非聚合分子或其组合的多个层。特别地，为了确保有效地将空穴注入到所述至少一个有机有源层中，有机功能层堆叠体可以有利地包括采用空穴传输层形式的有机功能层。可以证明对于空穴传输层有利的材料例如为叔胺、咔唑衍生物、导电聚苯胺或聚乙烯二氧噻吩。适合作为用于所述至少一个有机有源层的材料的材料为具有基于荧光性或磷光性的辐射发射的材料，例如聚芴、聚噻吩或聚亚苯基或其衍生物、复合物、混合物或共聚物。此外，有机功能层堆叠体可以包括采用电子传输层形式的功能层。此外，功能层堆叠体还可以包括多个有机有源层，其中，有源层布置在空穴传输层与电子传输层之间且当该器件处于运行时发出电磁辐射。

根据一种配置，金属层布置在封装层上。特别地，金属层邻接封装层。这样的优点是，当该器件处于运行时产生的热可以经由封装层直接散至金属层中并从该元件散出到周围环境。在投影到有源层上的俯视图中，金属层覆盖封装层，特别是在大程度上覆盖封装层。例如，金属层覆盖封装层的远离层堆叠体的外表面的至少75％，特别是至少85％。例如，金属层可以完全覆盖封装层。金属层便利地包含金属，例如铜、银或铝。这种金属层容易地施加于封装层且以良好的热导率为特征。

根据一种配置，该器件包括承载主体。功能层堆叠体布置在承载主体上。特别是，该承载主体在远离层堆叠体的一侧上包括器件的辐射出射面。该承载主体优选地包含玻璃或由玻璃组成。在这方面，承载主体被配置成能使该器件处于运行时产生的电磁辐射透过。该承载主体可以是清晰的、透明的或乳白不透明的。

根据一种配置，该器件包括第一电极和第二电极。电极在层堆叠体的电接触中起作用。例如，层堆叠体至少部分地布置在第一电极和第二电极之间。特别地，第一电极直接施加至承载主体上。第一电极便利地为辐射透过式构造。例如，第一电极对于由有源层产生的辐射具有至少70％、优选至少80％、特别优选至少90％的透过率。特别优选地，第一电极包含至少一种透明导电氧化物(transparent conductive oxide，TCO)。

根据一种配置，第一电极包括第一接触轨道且第二电极包括第二接触轨道。例如，第一接触轨道和第二接触轨道直接布置在承载主体上。这意味着，第一接触轨道和第二接触轨道从而分别与承载主体具有共同边界表面。第一接触轨道和第二接触轨道例如在水平方向上彼此间隔开。水平方向被理解为是指平行于有机有源层的延伸的主平面定向的方向。例如，在承载主体上，第一接触轨道和第二接触轨道分别在平行于承载主体的一个边缘延伸的方向上延伸。

根据一种变型配置，第一接触轨道和第二接触轨道被布置在承载主体上，使得当在投影到封装层上的俯视图中观察时，它们与有机有源层完全不重叠。换句话说，接触轨道在有源层的旁侧延伸。然后，第二电极的子区域可以在有源层的上方和/或下方，从第二接触轨道延伸。该子区域可以由与第二接触轨道相同的材料或不同的材料形成。特别地，第一电极的邻接第一接触轨道的子区域可以在有源层的正下方延伸。第一电极的该子区域可以由与第一接触轨道或第二电极相同的材料或不同的材料形成。

根据一种配置，金属层优选地与第一电极连接。特别地，金属层与第一电极的第一接触轨道处于直接的机械接触和电接触。换句话说，第一金属层和第一接触轨道具有共同边界表面。因此，金属层除了将热从该器件散出之外，还在供电中起作用。这导致了沿第一接触轨道的压降明显减小，由此至少沿第一接触轨道实现均匀的亮度。此外，第一电极可以做得尽可能薄，由此可以提高第一电极对于当器件处于运行时产生的辐射的透过。

根据一种配置，金属层包括第一子区域和第二子区域。例如，第一子区域和第二子区域通过分隔沟槽而在水平方向上彼此分开，使得金属层的子区域之间没有直接的机械接触或电接触。优选地，金属层的第一子区域与第一电极电连接。金属层的第二子区域优选与第二电极电连接。例如，第一子区域和第二子区域分别与第一接触轨道和第二接触轨道处于直接的机械接触且电接触。换句话说，第一子区域和第一接触轨道包括第一共同边界表面。第二子区域和第二接触轨道包括第二共同边界表面。这导致了沿着第一接触轨道和沿着第二接触轨道的压降减小，使得对于该器件，均匀的亮度得以实现。

根据一种配置，该器件具有表面安装式构造。优选地，则该器件的电接触在背面发生，即经由金属层的第一子区域以及第二子区域发生。换句话说，例如，该器件可以安装在具有导电轨道的印刷电路板上，使得金属层的子区域与印刷电路板的导电轨道处于直接的机械接触且电接触。例如，金属层的远离封装层的外表面形成器件的安装表面。这种器件为可易于安装的且可易于电接触的。运行时产生的热经由金属层移除至印刷电路板。

根据一种配置，该器件包括第一绝缘结构。此外，例如，该器件包括第二绝缘结构。特别地，第一绝缘结构和第二绝缘结构在水平方向上彼此间隔开。在水平方向上，例如，第一电极和第二电极通过第一绝缘结构彼此分开。特别地，第一绝缘结构将第二电极的第二接触轨道与第一电极分开。优选地，层堆叠体在第一绝缘结构和第二绝缘结构之间延伸。特别地，层堆叠体通过绝缘结构而在两侧被限定在水平方向上，从而简化施加层堆叠体的过程。

根据一种配置，金属层具有竖直方向上的厚度。竖直方向被理解为指的是，垂直于有机有源层的延伸主平面定向的方向。因此，竖直方向和水平方向彼此垂直。金属层的厚度优选地为封装层的厚度的至少两倍。例如，金属层的厚度为封装层的厚度的至少十倍、优选一百倍。更优选地，金属层的厚度为第一电极和/或第二电极的厚度的至少两倍。例如，金属层的厚度为第一电极和/或第二电极的厚度的至少十倍、优选一百倍。

根据一种配置，封装层的厚度优选小于10μm，例如小于5μm，特别地小于或等于1μm。最薄的封装层改善了从层堆叠体散热到金属层中。

根据一种变型配置，封装层采用薄膜封装的形式。出于本申请的目的，“薄膜封装”被理解为指的是适合于形成相对于大气物质(特别是相对于水分和氧气)的屏障的封装布置。优选地，薄膜封装包含多个薄的无机层，其中屏障效应由所述薄的层来产生。优选地，这种无机层的厚度小于或等于几百纳米(例如200nm)。优选地，薄膜封装在竖直方向上的总厚度小于或等于1μm。

根据一种配置，金属层的厚度例如在1μm与5mm之间，1μm与5mm包括在内。优选地，金属层的厚度总计在0.5mm与3mm之间，0.5mm与3mm包括在内。因此，金属层不仅特别好地适合于散热，而且还可以用作层堆叠体的机械保护。这样，与常规器件形成对比的是，可以在封装层的远离有源层的一侧上省去为了保护而布置的且通常包含玻璃或由玻璃组成的主体。因此，器件处于运行时产生的热可以经由金属层直接被移除到周围环境中，使得特别高效地配置从器件散出热。

附图说明

该光电器件的另外的优点、优选的配置和另外的发展通过下文中结合图1至图4解释的示例性实施方式来呈现，其中：

图1为光电器件的一示例性实施方式的示意图；

图2为光电器件的另一示例性实施方式的截面示意图；

图3为光电器件的又一示例性实施方式的示意图；以及

图4为光电器件的再一示例性实施方式的示意图。

具体实施方式

相同的元件、类似的元件或相同动作的元件在附图中设置有相同的附图标记。在每一种情况下，附图为示意性图示，因此不一定忠实于比例。而是，比较小的元件、特别是层的厚度为了清楚可以以夸大的比例示出。

光电器件的第一示例性实施方式示意性地示出在图1中。

光电器件10包括承载主体1、布置在承载主体上的功能层堆叠体6、封装层7和金属层8。在竖直方向Z上，层堆叠体6布置在承载主体和封装层之间。金属层8具体地直接布置在封装层7的远离层堆叠体6的一侧上。投影到承载主体上的俯视图中，金属层完全覆盖封装层7。

功能层堆叠体6包括有机有源层63。当所述器件处在运行中时，有源层例如以紫外线、可见光的光谱范围或红外光的光谱范围发出电磁辐射。层堆叠体6还包括第一电荷传输层61和第二电荷传输层62，其中，有机有源层63布置在第一电荷传输层61与第二电荷传输层62之间。第一电荷传输层与第二电荷传输层可以分别采用电子传输层和空穴传输层的形式。这些电荷传输层用来将空穴和电子注入到有机有源层63内。此外，层堆叠体6还可以包括电子和/或空穴阻挡层，其未在图1中示出。

承载主体1具有辐射透过式构造。承载主体可以包含玻璃或由玻璃组成。承载主体在远离层堆叠体6的一侧上包括器件10的辐射出射面11。这意味着，当器件处于运行时产生的辐射在辐射出射面11处离开器件。辐射出射面11为平面构型。换句话说，辐射出射面在制造公差的范围内不包括任何弯曲部分。然而，可以想到的是，辐射出射面11包括粗糙的结构，以便提高输出耦合效率，且由器件产生的辐射在所有的发射方向上均匀分布。

器件10还包括用于层堆叠体6的电接触的第一电极2和第二电极3。第一电极具有辐射透过式构造。第一电极可以包含透明导电材料，例如透明导电材料为透明导电氧化物。透明导电氧化物通常为金属氧化物，例如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或氧化铟锡(indium-tin oxide，ITO)。除了二元的金属-氧化合物之外，例如ZnO、SnO2或In2O3，TCO组还包含三元的金属-氧化合物，例如Zn2SnO4、CdSnO3、ZnSnO3、MgIn2O4、GaInO3、Zn2In2O5或In4Sn3O12或不同的透明导电氧化物的混合物。此外，TCO不必符合化学计量成分且还可以为p掺杂或n掺杂的。

第一电极包括第一接触轨道20，其中，该接触轨道在水平方向上布置至层堆叠体的旁侧。第二电极3包括第二接触轨道30，其中，第二接触轨道同样地在水平方向上布置在层堆叠体的旁侧。第一接触轨道20和第二接触轨道30在水平方向上间隔开。此外，第一接触轨道20和第二接触轨道30直接布置在器件的承载主体1上。在投影到承载主体上的俯视图中，层堆叠体6位于第一接触轨道与第二接触轨道之间。特别地，第一接触轨道20和第二接触轨道30未与有机有源层63重叠。

第二接触轨道30和整个的第一电极2可以利用平版印刷方法平坦地施加至承载主体1。在第一电极2与第二接触轨道30之间形成第一绝缘结构4，由此第二接触轨道30与第一电极在水平方向上彼此分开。第二电极3部分地沿竖直方向Z延伸，且完全覆盖第一绝缘结构4。第二电极3还包括与第一电极2在竖直方向Z上间隔开的子区域31。子区域31还邻接层堆叠体6。在投影到承载主体1上的俯视图中，第二电极3的子区域31完全覆盖层堆叠体6。第二电极的子区域31可以由与第二接触轨道30相同的材料形成，或者由与第二接触轨道30不同的材料形成。

除了第一绝缘结构4，器件10还包括第二绝缘结构5。绝缘结构在水平纵向方向Y上延伸并在水平横向方向X上被间隔开。在水平纵向方向Y上，例如绝缘结构彼此平行地延伸。第一绝缘结构4直接布置在承载主体1上。第二绝缘结构5直接布置在第一电极2上。层堆叠体6在水平横向方向X上在第一绝缘结构与第二绝缘结构5之间延伸。换句话说，层堆叠体6被限定在第一绝缘结构4与第二绝缘结构5之间。在投影到承载主体1上的俯视图中，层堆叠体6未显示出与第二电极3的第二接触轨道30的任何重叠。由于绝缘结构4与绝缘结构5之间的布置，功能层堆叠体6的施加过程可以得到简化。

例如，绝缘结构4与绝缘结构5包含至少一种漆。特别地，漆是可光图案化的。漆特别是包括有机材料。绝缘结构可以在例如利用光刻方法涂覆漆层的过程之后形成。可替选地，绝缘结构4和绝缘结构5还可以通过丝网印刷漆或喷漆来制作。丝网印刷漆或喷漆可以特别包含有机填充剂和/或无机填充剂。

绝缘结构4和绝缘结构5还可以包含至少一种无机材料，例如二氧化硅、氮化硅或氧化铝，或者由这样的材料组成。例如，绝缘结构可以通过等离子体沉积、气相沉积或溅射来制作。例如，绝缘结构在制作过程中利用荫罩来施加。可替选地，绝缘结构首先可以平坦地施加，然后被图案化。

在投影到承载主体1上的俯视图中，封装层7完全覆盖第一绝缘结构4、第二绝缘结构5和层堆叠体6。此外，封装层7可以在水平方向上完全包围功能层堆叠体6，使得层堆叠体6被气密封而与封装层和电极或承载主体隔绝。层堆叠体6的气密封装保护层堆叠体的敏感层以防受到外部环境影响，例如以防受到空气湿度或氧气的影响。

在图1中，金属层8直接布置在封装层7上。在投影到承载主体上的俯视图中，金属层完全覆盖封装层。这种布置提高了在器件的运行过程中产生的热散出该器件的效率。用于金属层8的材料可以为铜、银、铝或其它金属。

金属层8可以直接施加在具有电极的已经可操作的层堆叠体6上。例如，利用涂布方法(例如气相沉积、喷墨印刷或刮涂法)将金属层以铜浆或铝浆施加在封装层7上。例如，通过蒸发溶剂以及在如70℃与90℃之间的温度(例如80℃)下退火来硬化金属层8。可替选地，例如为了形成金属层8，首先将金属粉末施加在封装层7上。然后特别是，可以将液态金属施加至该金属粉末，使得金属层8由该金属粉末和液态金属来形成。

在竖直方向Z上，金属层8具有厚度D，其例如总计在1μm与5mm之间，1μm与5mm包括在内。金属层8可以被配置成使得其用来保护封装层7和层堆叠体6以防外部的机械影响。特别地，金属层的厚度D总计在0.5mm与3mm之间，0.5mm与3mm包括在内，例如1mm。这种厚金属层8为器件10提供了足够的保护以防外部的机械影响，使得在该器件的背面上，即在封装层7的远离有源层63的一侧上，可以无需常规器件中所使用的包含玻璃或由玻璃组成的附加的主体。换句话说，光电器件10仅仅包括包含玻璃或由玻璃组成的承载主体1，并且在该器件的正面上，即在承载主体的远离有源层63的一侧上，包括器件的辐射出射面11。

在竖直方向Z上，封装层7具有厚度d。特别地，金属层8的厚度D至少为封装层的厚度d的两倍。例如，金属层8为封装层7的厚度的至少十倍，尤其是一百倍。此外，金属层8的厚度例如为第一电极2和/或第二电极3的接触轨道的厚度的至少两倍。例如，金属层为第一接触轨道和/或第二接触轨道的厚度的至少十倍，尤其是一百倍。特别地，第一接触轨道20的厚度的大小与第一电极2的在主体1上且在有源层63的正下方延伸的子区域相等。例如，第一接触轨道的厚度小于或等于1μm。特别地，第一接触轨道的厚度总计在300nm与800nm之间。

例如，封装层7的厚度d总计在100nm与10μm之间，100nm与10μm包括在内。特别地，封装层的厚度小于1μm。这种薄的封装层7促进热从层堆叠体6散到金属层8中。为了热均匀地分布在整个器件上，金属通常是充分热传导的。这样，OLED在表面上和在器件的边缘处的不均匀老化得以避免。此外，例如，金属层可以平坦地施加并更显著地厚于平版印刷的第一电极2和第二电极3。因此，热主要经由器件的背面散出，由此有利地推迟在器件的正面上的老化过程，特别是辐射出射面的变色。

图2是以沿水平纵向方向的剖面图的光电器件的示例性实施方式的示意图。

该示例性实施方式基本上依照图1中的示例性实施方式。与其形成对比的是，封装层7包括多个层71。层71可以包含无机材料或由无机材料组成。封装层7可以采用薄膜封装的形式，其中，该薄膜封装包括通常厚度小于或等于几百纳米(例如200nm)的多个层。特别地，封装层7可以包含至少一个层71，该至少一个层71利用原子层沉积来沉积，其中该至少一个层71的厚度在一个原子层与20nm之间，一个原子层与20nm包含在内。例如，薄膜封装7的总厚度在100nm与10μm之间，100nm与10μm包含在内。特别地，薄膜封装的总厚度可以小于或等于1μm。

图3为光电器件的另一示例性实施方式的示意图。

该示例性实施方式基本上依照图1中的示例性实施方式。与其形成对比的是，当在投影到承载主体1上的俯视图中观察时，封装层7仅部分地覆盖第一电极2。特别地，金属层8经由第一接触轨道20电连接至第一电极2。金属层8与第一接触轨道20直接机械接触且直接电接触。换句话说，金属层8与第一接触轨道20包括共同边界表面82。共同边界表面82在水平纵向方向Y上延伸。除了散热之外，因此金属层8还在水平纵向方向Y上在供电中起作用，从而减小第一电极中的压降，特别是沿着第一接触轨道20的压降。这使得器件的亮度均匀。另外，第一辐射透过式电极2可以构造成尽可能地薄，从而提高第一电极2的透过率。

例如，封装层7最初施加在承载主体1的整个表面上，使得封装层7完全覆盖第一电极2和第二电极3。在将金属层8施加在封装层7上的过程之前，封装层7例如被移除，使得第一接触轨道20至少部分地暴露。因此，在金属层8和第一电极2之间建立电连接，然后，可以将金属层8平坦地施加至封装层7上和第一电极2上，使得在金属层8和接触轨道20之间产生直接的机械接触以及直接电接触。

图4为光电器件的再一示例性实施方式的示意图。该示例性实施方式基本上依照图3中的示例性实施方式。与其形成对比的是，金属层8包括第一子区域8a和第二子区域8b。第一子区域8a和第二子区域8b在水平方向上间隔开。这意味着金属层8包括将第一子区域8a和第二子区域8b分开的分隔沟槽9。金属层的第一子区域8a经由第一接触轨道20与第一电极2电连接。第一子区域8a与第一接触轨道20包括沿着水平纵向方向Y的共同边界表面82。金属层的第二子区域8b经由第二接触表面30电连接至第二电极。金属层的第二子区域8b和第二接触轨道30在水平纵向方向Y上包括共同边界表面83。共同边界表面82和共同边界表面83分别与有机有源层63在水平方向上间隔开。换句话说，当在投影到承载主体1上的俯视图观察时，有源层63、第一共同边界表面82和第二共同边界表面83完全不重叠。通过金属层8的这种布置，在水平纵向方向Y上实现均匀的电流分布，从而对于该器件实现了均匀的亮度。

此外，器件10可以具有表面安装式构造。例如，器件的电接触经由器件的背面(即经由封装层7的远离有源层63的一侧)进行。换句话说，该器件经由第一子区域8a和第二子区域8b与外部电压源电接触。这种器件是可易于安装的且可易于电接触的。

金属层8的第一子区域8a和第二子区域8b可以在一道工序中制作。在这方面，例如，掩膜被布置在封装层7上并且用于金属层的材料通过该掩膜被直接施加在封装层上。在该过程中，金属层8可以通过气相沉积施加至封装层7或者通过例如铝的快速蒸发施加至封装层7。快速蒸发方法尤其具有的优势是，适合于散热和供电的足够厚度的金属层在短的加工时间内得以制作。分隔沟槽9通过去除该掩膜来形成。

由于在封装层上的金属层的使用，从而在该器件的运行过程中产生的热被有效地散出，进而热被均匀地分布在整个器件上。这可以延长器件的使用寿命。同时，金属层可以用作用于在器件中均匀电流分布的附加的电极，使得该器件的均匀亮度得以实现。此外，金属层可以起到对封装层和/或功能层堆叠体的机械保护作用，使得在该器件的背面上，可以无需导热差的承载主体(例如其包含玻璃或由玻璃组成)。

参照示例性实施方式作出的本发明的描述并不将本发明限于这些实施方式。相反，本发明包含任何新颖的特征和特征的任意组合，特别是包括在权利要求中的特征的任意组合，即使该特征或该组合本身不是在权利要求中或示例性实施方式中明确指出的。

本专利申请要求德国专利申请102012220724.4的优先权，该德国专利申请公开的内容在此通过引用并入本文。

Claims

1.一种光电器件(10)，具有功能层堆叠体(6)、用于封装所述层堆叠体的封装层(7)、以及至少一个金属层(8)，其中，

-所述功能层堆叠体包括至少一个有机有源层(63)，当所述器件处于运行时，所述至少一个有机有源层发出电磁辐射；

-当在投影到所述层堆叠体上的俯视图中观察时，所述封装层完全覆盖所述至少一个有机有源层；以及

-所述金属层布置在所述封装层的远离所述层堆叠体的一侧上。

2.根据前一项权利要求所述的器件，其中，

-所述封装层(7)为薄膜封装，其中，所述薄膜封装的厚度小于或等于1μm；

-所述金属层(8)的厚度至少为所述封装层(7)的厚度的两倍；

-所述金属层覆盖所述封装层(7)的远离所述层堆叠体(6)的外表面的至少75％。

3.根据前述权利要求中任一项所述的器件，其中，所述金属层(8)的厚度(D)在0.5毫米与3毫米之间，0.5毫米与3毫米包含在内。

4.根据前述权利要求中任一项所述的器件，其中，所述金属层(8)直接布置在所述封装层(7)上。

5.根据前述权利要求中任一项所述的器件，包括承载主体(1)，其中，

-所述功能层堆叠体(6)布置在所述承载主体上；以及

-所述承载主体在远离所述层堆叠体的一侧上包括所述器件的辐射出射面(11)。

6.根据前一项权利要求所述的器件，包括用于所述层堆叠体(6)的电接触的第一电极(2)和第二电极(3)，其中，所述层堆叠体至少部分地布置在所述第一电极与所述第二电极之间。

7.根据前一项权利要求所述的器件，其中，所述第一电极(2)包括第一接触轨道(20)，并且所述第二电极(3)包括第二接触轨道(30)，其中，所述第一接触轨道和所述第二接触轨道布置在所述器件的所述承载主体(1)上且在水平方向上彼此间隔开。

8.根据前一项权利要求所述的器件，其中，所述第一接触轨道(20)和所述第二接触轨道(30)直接布置在所述器件的所述承载主体(1)上，且当在投影到所述封装层(7)上的俯视图中观察时，所述第一接触轨道和所述第二接触轨道与所述有机有源层(63)完全不重叠。

9.根据前一项权利要求所述的器件，其中，所述金属层(8)包括第一子区域(8a)和第二子区域(8b)，其中，所述第一子区域经由所述第一接触轨道(20)与所述第一电极(2)电连接，且所述第二子区域经由所述第二接触轨道(30)与所述第二电极(3)电连接。

10.根据前述权利要求中任一项所述的器件，其中，所述金属层(8)与所述第一电极(2)电连接。

11.根据前述权利要求中任一项所述的器件，其中，所述金属层(8)包括第一子区域(8a)和与所述第一子区域在水平方向上间隔开的第二子区域(8b)，其中，

-所述金属层的所述第一子区域与所述第一电极(2)电连接；以及

-所述金属层的所述第二子区域与所述第二电极(3)电连接。

12.根据前一项权利要求所述的器件，其中，所述器件(10)具有表面安装式构造且所述器件的电接触经由所述第一子区域(8a)以及所述第二子区域(8b)在背面进行。

13.根据前述权利要求中任一项所述的器件，包括第一绝缘结构(4)和与所述第一绝缘结构在水平方向上间隔开的第二绝缘结构(5)，其中，所述层堆叠体(6)在所述第一绝缘结构和所述第二绝缘结构之间延伸。

14.根据前述权利要求中任一项所述的器件，其中，所述金属层(8)的厚度(D)至少为所述封装层(7)的厚度(d)的两倍。

15.根据前述权利要求中任一项所述的器件，其中，所述封装层(7)为薄膜封装，其中，所述薄膜封装包含多个无机层(71)。

16.根据前一项权利要求所述的器件，其中，所述薄膜封装的厚度(d)小于或等于1微米。

17.根据前述权利要求中任一项所述的器件，其中，在所述封装层(7)的远离所述有源层(63)的一侧上，所述器件(10)不包含包括玻璃或由玻璃组成的主体。