CN102144314A - 用于制造发射辐射的有机器件的方法以及发射辐射的有机器件 - Google Patents

用于制造发射辐射的有机器件的方法以及发射辐射的有机器件 Download PDF

Info

Publication number
CN102144314A
CN102144314A CN2009801347469A CN200980134746A CN102144314A CN 102144314 A CN102144314 A CN 102144314A CN 2009801347469 A CN2009801347469 A CN 2009801347469A CN 200980134746 A CN200980134746 A CN 200980134746A CN 102144314 A CN102144314 A CN 102144314A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
conductive layer
electric insulation
electrode layer
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2009801347469A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102144314B (zh
Inventor
克里斯托夫·盖尔迪茨
拉尔夫·佩措尔德
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of CN102144314A publication Critical patent/CN102144314A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102144314B publication Critical patent/CN102144314B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80Constructional details
    • H10K30/81Electrodes
    • H10K30/82Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
    • H10K30/83Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes comprising arrangements for extracting the current from the cell, e.g. metal finger grid systems to reduce the serial resistance of transparent electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/02255Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/814Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/0223Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
    • H01L21/02244Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of a metallic layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/02252Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by plasma treatment, e.g. plasma oxidation of the substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314Inorganic layers
    • H01L21/316Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/3165Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation
    • H01L21/31683Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of metallic layers, e.g. Al deposited on the body, e.g. formation of multi-layer insulating structures
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

提出了一种用于制造发射辐射的有机器件的方法,所述方法尤其是包括以下方法步骤:A)在衬底(1)上提供第一电极层(2),B)在第一电极层(2)上施加结构化的导电层(3),其中导电层(3)具有金属,C)通过金属的氧化在导电层(3)的背离第一电极层(2)的表面(31)上产生电绝缘层(4),该电绝缘层包括导电层(3)的金属的氧化物,D)在第一电极层(2)和电绝缘层(4)上施加至少一个有机功能层(5),以及E)在所述至少一个有机功能层(5)上施加第二电极层(9)。此外,提出了一种发射辐射的有机器件。

Description

用于制造发射辐射的有机器件的方法以及发射辐射的有机器件
本专利申请要求德国专利申请10 2008 045 948.8的优先权,其公开内容通过引用结合于此。
提出了一种用于制造发射辐射的有机器件的方法以及一种发射辐射的有机器件。
用于照明目的的大面积的有机发光二极管(OLED)的一个希望的特性是在有源发光面上的光密度的均匀性。传统的OLED通常具有两个电极层,在其间设置有有机层用于产生和发射光。OLED的电极层由于通常使用的小的层厚度和/或材料而具有比较高的电阻。由于该高的电阻(其导致沿着电极层的延伸方向或者延伸平面的比较低的横向导电性),在高的电流密度情况下沿着延伸方向或者延伸平面出现电压降,该电压将会导致光密度的明显的不均匀性。特别是在要求大的和均匀的发光面的照明应用中,这是不希望的。
至少一个实施形式的任务是,提出一种用于制造具有至少一个有机功能层的发射辐射的有机器件的方法。此外,至少一个实施形式的任务是,提出一种带有至少一个有机功能层的发射辐射的有机器件。
这些任务通过具有独立权利要求的特征的方法和主题来解决。所述方法和主题的有利的实施形式和改进方案在从属权利要求中表明并且此外从以下的描述和附图中得出。
根据一个实施形式,用于制造发射辐射的有机器件的方法尤其是包括以下方法步骤:
A)在衬底上提供第一电极层,
B)在第一电极层上施加结构化的导电层,其中导电层具有金属,
C)通过金属的氧化在导电层的背离第一电极层的表面上产生电绝缘层,该电绝缘层包括导电层的金属的氧化物,
D)在第一电极层和电绝缘层上施加至少一个有机功能层,以及
E)在所述至少一个有机功能层上施加第二电极层。
根据另一实施形式,发射辐射的有机器件尤其是包括:
-在衬底上的第一电极层,
-在第一电极层上的、包括金属的被结构化的导电层,
-电绝缘层,其包括被结构化的导电层的金属的氧化物,所述电绝缘层被设置在导电层的背离第一电极层的表面上,
-至少一个有机功能层,其设置在第一电极层和电绝缘层上,以及
-第二电极层,其设置在所述至少一个有机功能层上。
所有在下面描述的特征、进一步的实施形式和优点同样地涉及前面提及的方法以及前面提及的发射辐射的有机器件。
在此以及在下文中,一层或者一个元件设置或者施加在另一层或者另一元件“上”或者“之上”可以表示:所述一层或者所述一个元件直接地以直接机械和/或电接触设置在所述另一层或者另一元件上。此外,其也可以表示:所述一层或者所述一个元件间接地设置在所述另一层或者另一元件上或之上。在此,其他层和/或元件可以设置在所述一层和所述另一层之间或者设置在所述一个元件和所述另一元件之间。
在此以及在下文中,一层或者一个元件设置在两个另外的层或者元件“之间”可以表示:所述一层或者所述一个元件直接地与所述两个另外的层或者元件之一直接机械和/或电接触或者间接接触地设置,并且与所述两个另外的层或者元件的另一个直接机械和/或电接触或者间接接触地设置。在此,在间接接触的情况下,于是可以将其他的层和/或元件设置在所述一层和所述两个另外的层的至少之一之间或者所述一个元件和两个另外的元件的至少之一之间。
所述至少一个有机功能层可以如下面进一步描述的那样适于在发射辐射的有机器件的工作中产生和发射电磁辐射。在此以及在下文中,术语“辐射”、“电磁辐射”和“光”表示具有在红外至紫外波长范围中的至少一个波长或者频谱成分的电磁辐射。特别是可以表示红外光、可见光和/或紫外光。
通过在第一电极层上的结构化的导电层,可能的是,减小第一电极层的沿着第一电极层的延伸方向和/或延伸平面的电阻。由此,可以借助这里描述的方法制造发射辐射的有机器件,该器件与没有导电层的OLED相比能够实现在第一电极层中并且由此也在所述至少一个有机功能层中的电流密度的更大均匀性。由此可以实现的是,与传统的OLED相比,改进了在所述至少一个有机功能层中产生的电磁辐射的光密度的均匀性。
此外,可以实现一种发射辐射的有机器件,其中结构化的导电层虽然与第一电极层直接电接触,然而并不与至少一个有机功能层直接电接触。这可以通过如下方式实现:在导电层的表面上产生电绝缘层,其背离第一电极层地设置。尤其是,导电层的其上产生电绝缘层的表面可以至少包括导电层的所有背离第一电极层的、与所述至少一个有机功能层邻接的表面。由此可以实现的是,导电层在执行方法步骤C和D之后并不与所述至少一个有机功能层直接电接触。
此外,导电层的其上产生电绝缘层的表面可以包括导电层的所有背离第一电极层的表面,使得导电层在执行方法步骤C之后被第一电极层和电绝缘层完全包围。
在此,这里以及下面的特征,即两个层或者元件“直接电接触”可以表示:所述两个层或者元件彼此直接和紧紧地邻接并且具有共同的界面。在此,可以通过界面在两个层或者元件之间进行载流子交换,即出现电流。而在这里所描述的发射辐射的有机器件情况下,导电层的其上设置有电绝缘层的表面正是由于电绝缘层而并不与有机功能层直接电接触,因为通过带有电绝缘层的表面没有载流子可以在导电层和所述至少一个有机功能层之间交换。
通过在导电层的表面上并且优选至少在导电层的所有背离第一电极层的、与所述至少一个有机功能层直接邻接的表面上产生电绝缘层,可以实现的是,在第一电极层中的电流密度被均匀化,并且同时仅仅在第一电极层和有机功能层之间可以进行载流子交换并且由此出现电流。
由此,例如可以防止的是,与第一电极层和第二电极层之间的距离相比更小的在结构化的导电层和第二电极层之间的距离导致在发射辐射的有机器件的工作中在导电层和第二电极层之间的区域中更高的电场强度,这又会导致更高的电流并且导致在这些区域中的光产生提高。通过电绝缘层,由此可以在发射辐射的有机器件的工作中防止或者至少减少在电流密度中并且由此也在发射辐射的有机器件的光密度中的不希望的不均匀性。此外,在不存在电绝缘层的情况下,由于在导电层和第二电极层之间的区域中更高的电场强度会在这些区域中出现更大的电流,其会导致器件的层材料的局部退化加速直至短路,这会导致整个发射辐射的有机器件的故障。在使光通过下部的透明电极和透明衬底耦合输出的有机器件中,朝着观察者侧通过透明的电极层和透明的衬底的光辐射被导电层遮盖,使得在导电层的区域中的光产生会导致损耗并且因此是不希望的。
通过在导电层上产生电绝缘层,由此如下器件会是可制造的或者被制造,其中在工作中虽然在第一电极层和有机功能层之间进行电载流子交换并且由此出现电流,然而并不在结构化的导电层和有机功能层之间进行电载流子交换并且由此不出现电流,使得第一电极层的侧面的电载流子仅仅可以从第一电极层到达有机功能层中,而不能从导电层到达。由此,可以实现导电层和第一电极层的功能分离,使得导电层尽管其设置在第一电极层和有机功能层之间但是只用于使第一电极层中的电流密度均匀化。
由于通过导电层的金属的氧化来产生电绝缘层,所以还可以有利地保证的是,电绝缘层在方法步骤C中仅仅在导电层上产生并且由此仅仅设置在导电层的至少一个表面上或者此外也优选仅仅设置在导电层的所有背离第一电极层的、与有机功能层直接邻接的表面上。
与这里所描述的方法不同,在目前已知的方法中,为了使导电层电绝缘而在另一工艺步骤中通过沉积来施加附加的绝缘层。其例如可以通过相应的掩模来气相淀积或者通过光刻结构化来与要绝缘的导电层的形状匹配。这种已知的方法具有的缺点是,必须以高精度以及高品质来进行绝缘层的定位。如果这种已知的方法结合这里所描述的第一电极层和导电层来应用,则绝缘层与第一电极层的交迭、即过宽的绝缘层会导致不必要地并且不利地减少发光面积。而过窄的绝缘层会导致上述问题,例如在结构化的导电层的区域中在过窄的绝缘层并未将导电层与有机功能层电绝缘的部位处导致形成提高的电场强度。
借助这里所描述的方法,导电层的表面本身被钝化并且由此被转化为使得产生电绝缘层。为此,导电层的金属被转化为带有金属的氧化物,以下也称为导电层的金属的金属氧化物。这可以通过将导电层的至少一个表面或者导电层的所有背离第一电极层而设置的表面氧化来实现。通过在方法步骤C中的氧化以及产生电绝缘层,由此可以实现的是,导电层相对于有机功能层被钝化,即电绝缘。在此,会出现形成包括在导电层的所有背离第一电极层的表面上的金属氧化物的均匀的电绝缘层,而无需上面提及的附加的在真空中或者借助费时且高成本的光刻技术的施加工艺步骤,以便将附加的绝缘层施加在导电层上。
此外,导电层可以在方法步骤C中通过一种或者多种以下方法来被氧化:等离子体处理,尤其是在氧气等离子体中对第一电极层和结构化的导电层的处理,UV-臭氧处理,反应离子刻蚀和/或湿化学处理。特别地,在方法步骤C中的氧化也可以通过这些方法的组合或者使用这些方法的两种或者更多种来相继地进行。
此外,在方法步骤C中可以将第一电极层关于其针对所述至少一个有机功能层的润湿特性方面和/或其针对电载流子的电学逸出功方面进行修改。这可以意味着,通过该方法在方法步骤C中(通过该方法步骤将导电层的表面氧化)同样地并且同时地将第一电极层进行修改,使得改进前面提及的特性。此外可能的是,通过方法步骤C清洁第一电极层同时用于使导电层的表面氧化,例如以便在方法步骤D之前将有机残留物和污物从第一电极层去除。在此,在这里所描述的方法的情况中确定的是,可以在与导电层的表面氧化相同的方法步骤C中进行第一电极层的清洁并且使第一电极层的逸出功和润湿特性改进或者甚至优化。因此,在这里所描述的方法中,可以将这些效果集成到同一方法中。因此,在这里所描述的用于改进或优化前面所述的第一电极层的特性的方法中,可以省去附加的工艺步骤。
通过氧化在形成金属氧化物的情况下会出现氧原子嵌入导电层的金属的晶格中。根据在方法步骤C中的方法条件,在此可以在导电层的表面的基本上清晰地限制的厚度范围中形成金属氧化物。这可以意味着,金属氧化物在所述的厚度范围中完全地或者至少主要地以金属原子与氧原子的化学计量学上的比例而存在并且能够以金属氧化物层或者金属氧化物层区域的形式表征。此外,根据在方法步骤C中的方法条件,氧含量可以从电绝缘层中的确定深度开始下降。氧含量的这种下降例如可以是指数地或者近似指数地进行。由此,在导电层和电绝缘层之间的过渡部可以是连续的,而并不导致在导电层和电绝缘层之间形成清晰的界面。在电绝缘层和导电层之间的边界在此例如可以是导电层或者电绝缘层中的区域,在该区域中氧原子的含量下降到金属氧化物的化学计量学的氧含量的1/e或者(1/e)2,其中e是欧拉数。
结构化的导电层可以在方法步骤B中例如以第一厚度施加。通过在方法步骤C中在导电层的至少一个背离第一电极层的表面上的金属的氧化以及与此关联地产生电绝缘层,导电层和电绝缘层在该区域中的总厚度可以通过在形成金属氧化物的情况下将氧原子嵌入金属中而大于在方法步骤B之后的导电层的第一厚度。此外,在方法步骤C之后,剩余的导电层的厚度可以小于在方法步骤B之后原始施加的导电层的第一厚度。
在方法步骤B中,可以施加非贵金属作为导电层的金属,该非贵金属至少可以借助上述方法之一来氧化。尤其是在方法步骤B中施加其氧化物是电绝缘的金属。例如,该金属可以具有钛、镁、锆和/铝,或者由其构成。由此,电绝缘层可以在方法步骤C之后具有氧化钛、氧化镁、氧化锆和/或氧化铝或者由其构成。在此要指出的是,这里和下文中描述的金属氧化物原则上表示金属的电绝缘氧化物并且由此表示具有相应氧化态(Oxidationsstufen)的金属的氧化物,即使例如已知了所提及的金属在该金属的某些氧态情况下的其他导电氧化物。
特别优选的是,在方法步骤B中,将铝作为导电层施加在第一电极层上。铝在空气中在正常条件下在所有表面上形成薄的氧化层,而方法步骤B可以在没有氧气的情况下例如在真空中或者在保护气体气氛中被执行,使得在方法步骤C中可以通过前面提及的氧化方法有针对性地制造具有所希望厚度的电绝缘层。
在此,尤其是铝可以具有所谓的自钝化效应,这可以表示,氧化在一定的、例如通过工艺参数可调节的厚度情况下自己停止。
带有导电层并且其上带有电绝缘层的衬底也可以在方法步骤C之后在保护气体气氛之外进一步加工和/或储存,而导电层并不会受有害的影响譬如湿气和/或氧气而损伤。
在方法步骤C中可制造的包括金属氧化物的电绝缘层的厚度在此可以至少具有金属氧化物的单层的厚度。特别优选地,电绝缘层的厚度可以大于或等于5纳米,以便能够实现导电层的充分的电绝缘。此外,可以为有利的是,电绝缘层的厚度小于或等于100纳米并且尤其是小于或等于25纳米。电绝缘层构建得越薄,则导电层和电绝缘层的总厚度也越小,使得有利的是,在发射辐射的有机器件的工作中不会觉察到由于导电层和电绝缘层引起的不必要的光学遮挡。
此外,有机功能层的厚度可以大于导电层和电绝缘层总共的总厚度,使得有机功能层覆盖导电层和电绝缘层并且通过该有条件的不平坦性而在第一电极层上平坦化。
此外,导电层可以在方法步骤B中通过溅射或者气相淀积来施加。在此,导电层可以优选在方法步骤B中带状地结构化并且包括一个或者多个带或者接片。导电层在此例如可以大面积地并且未结构化地施加在第一电极层上,并且随后借助掩模来带状地结构化。在此,大面积地施加的导电层的区域可以借助已知的干化学刻蚀工艺或者湿化学刻蚀工艺来从第一电极层去除,例如也通过使用结构化的光刻胶掩模来从第一电极层去除。可替选地,第一电极层可以在方法步骤B中借助掩模已经带状结构化地气相淀积或者溅射。
此外,也可以使用印刷方法譬如丝网印刷,或者也使用通过掩模的喷射方法(“spray coating(喷射涂覆)”)。
导电层可以在方法步骤B中以宽度小于或等于100微米且大于或等于100纳米的带的形式来施加。各带在此可以均匀地或者带有图案地在部分区域或者在整个第一电极层上延伸,并且例如直地或者弯曲地并且此外彼此平行地、星形地和/或网状地设置。例如,第一电极层可以具有电接触区域,用于将第一电极层电连接到外部的电压供给和/或电流供给。在该情况中,导电层的带优选可以延伸离开电接触区域。
对带状的结构化可替选地或者附加,导电层在方法步骤B中也可以以其他几何形状的形式来结构化,该几何形状适于在第一电极层和在所述至少一个有机功能层中实现均匀的电流密度分布。
此外,在方法步骤A中,可以提供衬底,其具有第一电极层和在衬底和第一电极层之间的另外的导电层。通过所述另外的导电层(其可以设置在第一电极层的朝向衬底的表面上),可以进一步提高第一电极层的横向导电性,并且由此实现在第一电极层中的电流密度的进一步均匀化。
特别地,发射辐射的有机器件可以实施为发射辐射的有机二极管(OLED)。该发射辐射的有机器件为此可以具有有源区,该有源区适于在工作中发射电磁辐射。发射辐射的有机器件可以具有发射辐射的有机层序列,其具有第一电极层、第二电极层和在它们之间的有机层序列,该有机层序列包括至少一个有机功能层。有机层序列除了至少一个有机功能层之外可以具有多个其他的有机功能层。所述至少一个有机功能层或者多个功能层在此例如可以具有电子传输层、电致发光层和/或空穴传输层,或者实施为这种层。有机层序列可以包括有源区,在该有源区中可以通过电子和空穴的复合而产生电磁辐射。
第一电极层和/或第二电极层可以分别大面积地构建。由此,能够实现在有源区中产生的电磁辐射的大面积发射。“大面积”在此可以表示,有机电子器件具有大于或等于数平方毫米、优选大于或等于1平方厘米并且特别优选大于或等于1平方分米的面积。可替选地或者附加地,第一电极和/或第二电极可以至少在部分区域中结构化地构建。由此,可以实现在有源区中产生的电磁辐射的结构化的发射,譬如以像素形式或者象形文字形式的发射。通过在第一电极层上的导电层,可以实现有源层的比在没有这里描述的导电层的OLED情况下更稳定(gleichmaessiger)并且横向上更均匀的馈电。通过更稳定的并且横向上更均匀的馈电,可以实现发射辐射的有机器件的均匀的发光面。
例如,衬底可以包括玻璃、石英、塑料膜、金属、金属箔、硅衬底或者其他合适的衬底材料。如果发射辐射的有机器件实施为所谓的“底部发射器”,即在有源区中产生的电磁辐射通过衬底发射,则衬底可以具有针对第一辐射的至少一部分的透明性。
在底部发射器配置中,有利地第一电极层也可以具有针对有源区中产生的电磁辐射的至少一部分的透明性。可以实施为阳极的并且由此用作空穴注入材料的透明的第一电极层例如可以具有透明导电氧化物或者由透明导电氧化物构成。透明导电氧化物(transparent conductive oxides缩写为“TCO”)是透明导电的材料,通常是金属氧化物例如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或者氧化铟锡(ITO)。除了二元的金属氧化合物例如ZnO、SnO2或者In2O3之外,三元的金属氧化合物例如Zn2SnO4、CdSnO3、ZnSnO3、MgIn2O4、GaInO3、Zn2In2O5或者In4Sn3O12或者不同透明导电氧化物的混合物也属于TCO族。此外,TCO并不一定对应于化学计量学上的组分并且也可以被p掺杂或者n掺杂。
所述至少一个有机功能层或者其中的多个可以具有有机聚合物、有机低聚物、有机单体、有机的非聚合物小分子(“small molecules”)或者其组合物。OLED的合适材料对于本领域技术人员是已知的并且这里不再进一步说明。根据在功能层中的材料,所产生的电磁辐射可以具有紫外至红色光谱范围中的各个波长或者范围或者其组合。
第二电极层可以实施为阴极并且由此用作电子注入材料。作为阴极材料,尤其是铝、钡、铟、银、金、镁、钙或者锂及其化合物、组合物和合金证明是有利的。可替选地或者附加地,第二电极层也可以具有上述TCO之一。可替选地或者附加地,第二电极层也可以透明地实施和/或第一电极层可以实施为阴极而第二电极层实施为阳极。这尤其是意味着,发射辐射的有机器件也可以实施为“顶部发射器”。
此外,第一电极层和/或第二电极层也可以具有一种或者多种导电的有机材料,譬如掺杂的或者未被掺杂的聚苯胺、聚吡咯和/或聚噻吩,和/或碳纳米管(“carbon nanotubes”,CNT)。
此外,发射辐射的有机器件也可以同时实施为底部发射器和顶部发射器,并且具有透明的第一电极层和透明的第二电极层。由此,发射辐射的有机器件可以是透明的。
用于制造发射辐射的有机器件的方法以及发射辐射的有机器件的其他优点、优选的实施形式和改进方案从下文中以及结合附图阐述的实施例中得出。
其中:
图1A至1E示出了根据一个实施例的用于制造发射辐射的有机器件的方法以及发射辐射的有机器件。
所示出的元件及其彼此间的大小关系原则上不能视为合乎比例,更确切地说,各元件譬如层、器件和部件以及区域可以为了更清楚和/或为了更好的理解而可以夸厚或者夸大地示出。
在图1A中示出了根据一个实施例的用于制造发射辐射的有机器件的方法的第一方法步骤A。在此,提供了带有第一电极层2的衬底1。在所示的实施例中,衬底1和第一电极层2透明地实施。在此,衬底1由玻璃构成,而大面积地施加在衬底1上的第一电极层2由氧化铟锡(ITO)构成。在所示的附图中,第一电极层2用作阳极并且由此用作空穴注入层。
对此可替选地,衬底1和/或第一电极层2可以具有在发明内容部分所描述的材料的一种或者多种。
在图1B中示出了另一方法步骤B,其中施加了结构化的导电层3。在所示的实施例中,为此将铝借助热蒸发通过遮挡掩模(Schattenmaske)(未示出)沉积在第一电极层2上。遮挡掩模在此实施为使得导电层3在第一电极层2上构建为在第一电极层2上延伸并且由铝构成的带或者带状区域。对此可替选地,也可以施加在发明内容部分提及的材料之一或者其组合。导电层3的带在此具有数微米的宽度。导电层3的带构建得越宽并且在各相邻的带之间的距离越小,则在第一电极层2中的电流密度可以越好地均匀化。第一电极层2的带越窄,并且在各相邻的两个带之间的距离越大,则越多光可以在以后在发射辐射的有机器件的工作中穿过电极层2和衬底1来发射。
如果第一电极层2具有用于电接触的电接触区域,则有利的是,导电层3的带状区域延伸离开电接触区域,并且于是实现有效地提高第一电极层2的横向导电性或者降低第一电极层2的电阻。在以后的发射辐射的有机器件中,这导致在第一电极层2中的电流密度的均匀化并且由此导致在第一电极层3的整个面上或者在以后的方法步骤中要施加的有源区的整个面上的发光印象的均匀化。
导电层3的每个带状区域都具有背离第一电极层2的表面31,其并不与第一电极层2直接接触。在另一方法步骤C中,在该表面31上借助氧化9产生电绝缘层4,如在图1C中所示。为此,衬底1与第一电极层2和结构化的导电层3一同遭受氧等离子体,这通过箭头9表明。
氧等离子体使得导电层3在表面31上的铝被氧化,并且金属氧化物层、在所示的实施例中为氧化铝层构建为在表面31上的电绝缘层4。电绝缘层4在方法步骤C之后具有大约5纳米至25纳米的厚度。通过氧等离子体或者替选的或附加的在发明内容部分提及的其他氧化方法(如紫外-臭氧处理或者湿化学处理)之一的作用,在所示的实施例中将导电层3的整个表面31氧化,并且在其上产生电绝缘层4,使得导电层3在氧化之后完全被电绝缘层4和第一电极层2包围。通过这种方式,导电层3仅仅与第一电极层2直接电接触,由此,如在发明内容部分所描述的那样,例如在发射辐射的有机器件的工作中,可以避免在导电层3附近的区域中形成具有过高电场强度的区域。
此外,电绝缘层4通过正好在导电层3上的表面31而并不在第一电极层2上的氧化来产生。由此,可以有利地保证电绝缘层4并不不必要地覆盖第一电极层2的区域,这会导致减低通过第一电极层2和衬底1发射的光功率。另一方面,通过这里描述的方法可以保证的是,在导电层3的整个表面31上构建电绝缘层4。
此外,通过氧等离子体实现了提高第一电极层2的可润湿性以及减小了载流子从第一电极层2的ITO的逸出功。此外,通过氧等离子体例如可以去除第一电极层2上的有机污物。因为该效应与第一电极层2有关可以同时借助导电层2的氧化来实现以产生电绝缘层4,因此与已知的OLED制造方法相比无需附加的相应的工艺步骤。
在图1D中示出了另一方法步骤D,其中有机功能层5施加在电绝缘层4以及第一电极层2上。在此,有机功能层5构建为空穴传输层并且具有大于导电层3和电绝缘层4的总厚度的厚度。有机功能层5由此完全覆盖导电层和电绝缘层4。换言之,导电层3以其上的电绝缘层4伸入到有机功能层5中。在此,通过电绝缘层4防止了在导电层3和有机功能层5之间的直接的电接触,使得从衬底侧开始仅仅通过第一电极层2可以注入到有机功能层5中。
在有机功能层5上施加另外的有机功能层,其中在所示的实施例中纯粹示例性地示出了形成有源区的发射层6和其上的电子传输层7。根据有机功能层5、6和7的材料、即聚合物或者有机小分子(“small molecules”),例如也可以施加其他的有机功能层譬如载流子阻挡层或者较少功能的层。
在图1E中所示的其他方法步骤E中,施加带有金属作为阴极的第二电极层8并且由此完成发射辐射的有机器件10。附加地,可以在方法步骤E中例如还将封装(未示出)施加在第二电极层8上,以便保护发射辐射的有机器件10免受譬如湿气或者氧气的有害的影响。
替代所示的实施例,第一电极层2也可以构建为阴极,并且第二电极层8构建为阳极。在此,两个电极层2、8之一或者二者可以透明地实施。有机功能层5于是构建为电极传输层,而有机功能层7于是实施为空穴传输层。
本发明并未通过借助实施例的描述而局限于此。更确切地说,本发明包括任意新的特征和热衷的任意组合,尤其是保护在权利要求中的特征的任意组合,即使该特征或者特征的组合本身并未明确地在权利要求或者实施例中说明。

Claims (14)

1.一种用于制造发射辐射的有机器件的方法,包括以下方法步骤:
A)在衬底(1)上提供第一电极层(2),
B)在第一电极层(2)上施加结构化的导电层(3),其中导电层(3)具有金属,
C)通过金属的氧化在导电层(3)的背离第一电极层(2)的表面(31)上产生电绝缘层(4),该电绝缘层包括导电层(3)的金属的氧化物,
D)在第一电极层(2)和电绝缘层(4)上施加至少一个有机功能层(5),以及
E)在所述至少一个有机功能层(5)上施加第二电极层(9)。
2.根据权利要求1所述的方法,其中
-在方法步骤C中通过一种方法或者方法的组合来氧化,所述方法选自:氧-等离子体处理、紫外-臭氧处理、反应离子刻蚀和湿化学处理。
3.根据上述权利要求之一所述的方法,其中
-在方法步骤C中将第一电极层(2)关于其润湿特性和/其对载流子的电选出功方面进行修改。
4.根据上述权利要求之一所述的方法,其中
-在方法步骤B中施加非贵金属作为导电层(3)的金属,其氧化物是电绝缘的。
5.根据上述权利要求之一所述的方法,其中
-在方法步骤C中产生厚度大于或等于5纳米且小于或等于100纳米的电绝缘层(4)。
6.根据上述权利要求之一所述的方法,其中
-在方法步骤B中通过溅射或者气相淀积来施加导电层(3)。
7.根据上述权利要求之一所述的方法,其中
-在方法步骤B中将导电层(3)带状地结构化。
8.根据权利要求7所述的方法,其中
-导电层(3)的至少一个带在第一电极层(2)的部分区域上延伸。
9.一种发射辐射的有机器件,包括:
-在衬底(1)上的第一电极层(2),
-在第一电极层(2)上的、包括金属的结构化的导电层(3),
-电绝缘层(4),其包括被结构化的导电层的金属的氧化物,所述电绝缘层被设置在导电层(3)的背离第一电极层(2)的表面上,
-至少一个有机功能层(5),其设置在第一电极层(1)和电绝缘层(4)上,以及
-第二电极层(9),其设置在所述至少一个有机功能层(5)上。
10.根据权利要求9所述的器件,其中
-导电层(3)具有非贵金属,其氧化物是电绝缘的。
11.根据权利要求9或10所述的器件,其中
电绝缘层(4)具有大于或等于5纳米且小于或等于100纳米的厚度。
12.根据权利要求9至11之一所述的器件,其中
-导电层(3)带状地结构化。
13.根据权利要求12所述的器件,其中
-导电层(3)具有至少一个宽度大于或等于100纳米且小于或等于100微米的带。
14.根据权利要求9至13之一所述的器件,其中
-电绝缘层(4)具有大于或等于5纳米且小于或等于100纳米的厚度。
CN200980134746.9A 2008-09-04 2009-08-10 用于制造发射辐射的有机器件的方法以及发射辐射的有机器件 Active CN102144314B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008045948A DE102008045948A1 (de) 2008-09-04 2008-09-04 Verfahren zur Herstellung eines organischen strahlungsemittierenden Bauelements und organisches strahlungsemittierendes Bauelement
DE102008045948.8 2008-09-04
PCT/DE2009/001139 WO2010025696A2 (de) 2008-09-04 2009-08-10 Verfahren zur herstellung eines organischen strahlungsemittierenden bauelements und organisches strahlungsemittierendes bauelement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102144314A true CN102144314A (zh) 2011-08-03
CN102144314B CN102144314B (zh) 2015-04-22

Family

ID=41381647

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200980134746.9A Active CN102144314B (zh) 2008-09-04 2009-08-10 用于制造发射辐射的有机器件的方法以及发射辐射的有机器件

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8927325B2 (zh)
EP (1) EP2321863B1 (zh)
JP (1) JP2012502411A (zh)
KR (1) KR20110074518A (zh)
CN (1) CN102144314B (zh)
DE (1) DE102008045948A1 (zh)
WO (1) WO2010025696A2 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104813503A (zh) * 2012-10-15 2015-07-29 赫里亚泰克有限责任公司 用于对光电组件压印母线的方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012014759A1 (en) 2010-07-26 2012-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and manufacturing method of light-emitting device
JP5829070B2 (ja) * 2010-07-26 2015-12-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、照明装置、及び発光装置の作製方法
JP5760913B2 (ja) * 2011-09-30 2015-08-12 三菱マテリアル株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
WO2013144687A1 (en) * 2012-03-26 2013-10-03 Jawaharlal Nehru Centre For Advanced Scientific Research An organic solar cell and methods thereof
EP2833427A4 (en) 2012-05-09 2016-02-24 Lg Chemical Ltd ORGANIC ELECTROCHEMICAL DEVICE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
CN105393376B (zh) * 2013-06-14 2017-11-17 株式会社Lg化学 有机太阳能电池及其制造方法
DE102014110052B4 (de) * 2014-07-17 2020-04-16 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE102014110969A1 (de) 2014-08-01 2016-02-04 Osram Oled Gmbh Organisches Bauteil sowie Verfahren zur Herstellung eines organischen Bauteils
DE102014110978A1 (de) * 2014-08-01 2016-02-04 Osram Oled Gmbh Organisches Licht emittierendes Bauelement
DE102014112204A1 (de) * 2014-08-26 2016-03-03 Osram Oled Gmbh Optoelektronische Vorrichtung
DE102014112618B4 (de) * 2014-09-02 2023-09-07 Pictiva Displays International Limited Organisches Licht emittierendes Bauelement
DE102015101512A1 (de) * 2015-02-03 2016-08-04 Osram Oled Gmbh Organisches elektronisches Bauelement
DE102015106630A1 (de) * 2015-04-29 2016-11-03 Osram Oled Gmbh Organisches lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen lichtemittierenden Bauelements
DE102015110143B4 (de) * 2015-06-24 2023-07-27 Pictiva Displays International Limited Organisches lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen lichtemittierenden Bauelements
DE102015212477A1 (de) * 2015-07-03 2017-01-05 Osram Oled Gmbh Organisches lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen lichtemittierenden Bauelements
DE102015111564A1 (de) * 2015-07-16 2017-01-19 Osram Oled Gmbh Organisches optoelektronisches Bauteil und Herstellungsverfahren hierfür
US20180016687A1 (en) * 2016-07-13 2018-01-18 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Method for producing nanoimprint transfer body
EP3641540A4 (en) * 2018-06-26 2020-12-23 Mycoworks, Inc. FUNGAL COMPOSITES CONSISTING OF MYCELIUM AND AN INTEGRATED MATERIAL
EP3599648A1 (en) * 2018-07-25 2020-01-29 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Photovoltaic device and method of manufacturing the same

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1012377A (ja) * 1996-06-19 1998-01-16 Seiko Epson Corp アクティブマトリックス型有機el表示体の製造方法
TW200535516A (en) * 2004-04-30 2005-11-01 Fujitsu Ltd Liquid crystal display and process for fabricating the same
US20060017375A1 (en) * 2004-07-22 2006-01-26 Sharp Kabushiki Kaisha Organic light emitting element, display device including the same and method for manufacturing organic light emitting element
CN1795571A (zh) * 2003-05-30 2006-06-28 肖特股份公司 制造oled的方法
US20070015294A1 (en) * 2004-05-12 2007-01-18 Headway Technologies Inc. Novel structure/method to fabricate a high-performance magnetic tunneling junction MRAM
TW200746886A (en) * 2005-09-07 2007-12-16 Asahi Glass Co Ltd Base material with auxiliary wiring and method for manufacturing such base material
EP1887628A1 (en) * 2006-07-20 2008-02-13 Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Electro-optical device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11339970A (ja) * 1998-05-26 1999-12-10 Tdk Corp 有機el表示装置
JP2004134282A (ja) * 2002-10-11 2004-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明装置及びそれを用いた画像読取装置
JP2004349138A (ja) 2003-05-23 2004-12-09 Toyota Industries Corp 有機電界発光素子及びその製造方法
AU2007309504B2 (en) * 2006-10-23 2012-09-13 Pacific Biosciences Of California, Inc. Polymerase enzymes and reagents for enhanced nucleic acid sequencing
JP5279254B2 (ja) * 2007-12-18 2013-09-04 キヤノン株式会社 有機発光素子及び表示装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1012377A (ja) * 1996-06-19 1998-01-16 Seiko Epson Corp アクティブマトリックス型有機el表示体の製造方法
CN1795571A (zh) * 2003-05-30 2006-06-28 肖特股份公司 制造oled的方法
TW200535516A (en) * 2004-04-30 2005-11-01 Fujitsu Ltd Liquid crystal display and process for fabricating the same
US20070015294A1 (en) * 2004-05-12 2007-01-18 Headway Technologies Inc. Novel structure/method to fabricate a high-performance magnetic tunneling junction MRAM
US20060017375A1 (en) * 2004-07-22 2006-01-26 Sharp Kabushiki Kaisha Organic light emitting element, display device including the same and method for manufacturing organic light emitting element
TW200746886A (en) * 2005-09-07 2007-12-16 Asahi Glass Co Ltd Base material with auxiliary wiring and method for manufacturing such base material
EP1887628A1 (en) * 2006-07-20 2008-02-13 Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Electro-optical device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104813503A (zh) * 2012-10-15 2015-07-29 赫里亚泰克有限责任公司 用于对光电组件压印母线的方法
CN104813503B (zh) * 2012-10-15 2017-06-09 赫里亚泰克有限责任公司 用于对光电组件压印母线的方法
US9735363B2 (en) 2012-10-15 2017-08-15 Heliatek Gmbh Method for imprinting opto-electronic components with bus bars

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110074518A (ko) 2011-06-30
EP2321863A2 (de) 2011-05-18
JP2012502411A (ja) 2012-01-26
WO2010025696A2 (de) 2010-03-11
DE102008045948A1 (de) 2010-03-11
EP2321863B1 (de) 2018-10-10
CN102144314B (zh) 2015-04-22
US20110266588A1 (en) 2011-11-03
US8927325B2 (en) 2015-01-06
WO2010025696A3 (de) 2010-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102144314B (zh) 用于制造发射辐射的有机器件的方法以及发射辐射的有机器件
US7492096B2 (en) Flat panel display device capable of reducing or preventing a voltage drop and method of fabricating the same
KR101315086B1 (ko) 유기 전자 장치 및 그 제조 방법
US8013516B2 (en) LED device having improved power distribution
US20050212419A1 (en) Encapsulating oled devices
US8791490B2 (en) Organic light-emitting diode, contact arrangement and method for producing an organic light-emitting diode
US7833074B2 (en) Method of making a top-emitting OLED device having improved power distribution
US8227980B2 (en) Organic EL device
US6433358B1 (en) Method for producing an organic light emitting device (OLED) and OLED produced thereby
KR100501571B1 (ko) 디스플레이용 유기 광-방출 소자 및 그 제조방법
EP2355199B1 (en) A method for producing an organic light emitting device
US8969860B2 (en) Organic electroluminescent lighting device and method for manufacturing the lighting device
CN116249371A (zh) 用于高级图案化的准整体阴极接触方法
US20120248472A1 (en) Method for creating serially connected oled devices
JP6143763B2 (ja) 発光デバイスパターンのための改良されたマスキング
KR101486844B1 (ko) 복사 방출 장치 및 복사 방출 장치의 제조 방법
KR100341536B1 (ko) 유기물 발광 디바이스 및 그 제조 방법
KR20160093162A (ko) 표시품질이 향상된 유기발광소자
CN116456770A (zh) 显示基板及其制备方法、显示面板
KR20110103050A (ko) 유기전계 발광소자의 제조 방법
KR20130033100A (ko) 유기전계 발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20160525

Address after: Regensburg, Germany

Patentee after: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Address before: Regensburg, Germany

Patentee before: Osram Opto Semiconductors GmbH