KR101486844B1 - 복사 방출 장치 및 복사 방출 장치의 제조 방법 - Google Patents

복사 방출 장치 및 복사 방출 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101486844B1
KR101486844B1 KR1020097016977A KR20097016977A KR101486844B1 KR 101486844 B1 KR101486844 B1 KR 101486844B1 KR 1020097016977 A KR1020097016977 A KR 1020097016977A KR 20097016977 A KR20097016977 A KR 20097016977A KR 101486844 B1 KR101486844 B1 KR 101486844B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
radiation
electrically conductive
electrode layer
contact
Prior art date
Application number
KR1020097016977A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090112700A (ko
Inventor
랄프 팻졸드
위브케 사퍼트
크리스토프 가어디츠
알렉산더 메이더
Original Assignee
오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 filed Critical 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
Publication of KR20090112700A publication Critical patent/KR20090112700A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101486844B1 publication Critical patent/KR101486844B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H10K71/611—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes using printing deposition, e.g. ink jet printing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 복사 투과성 기판(2) 및 상기 복사 투과성 기판(2)상에 배치된 층 시퀀스를 포함하는 복사 방출 장치(1)에 관한 것이며, 상기 층 시퀀스는, 전기적 전압을 인가하기 위한 제1 접촉부(7)를 포함하는 적어도 하나의 제1 전극층(4), 동작 시 복사를 방출하는 적어도 하나의 기능층(5), 상기 기능층(5)상에 위치하며 전기적 전압을 인가하기 위한 제2 접촉부(8)를 포함하는 적어도 하나의 제2 전극층(6)을 포함하고, 상기 기능층(6)은 제1 및 제2 전극층(4/6) 사이에 배치되고, 제1 전극층(4)은 적어도 하나의 전기 전도 경로(3)를 포함하며, 상기 전기 전도 경로는 상호 간에 전기적으로 접촉하는 도전성 입자들을 이용하여 형성된다. 본 발명은 복사 방출 장치의 제조 방법에 관한 것이기도 하며, 본 방법은 기판(2)상에 층 시퀀스를 배치하는 단계를 포함하고, 이 때 적어도 하나의 전기 전도 경로(3)는 인쇄 공정, 바람직하게는 실크 스크린 인쇄 공정을 이용하여 기판(2)상에 도포된다.
Figure R1020097016977
OLED, 버스바, 휘도 가변, 실크 스크린, 산화 아연

Description

복사 방출 장치 및 복사 방출 장치의 제조 방법{RADIATION­EMITTING APPARATUS，AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF A RADIATION­EMITTING APPARATUS}
본 발명은 복사 투과성 기판 및 상기 기판상에 배치된 층 시퀀스를 포함하는 복사 방출 장치에 관한 것으로, 상기 층 시퀀스는 전기적 전압을 인가하기 위한 제1 접촉부의 적어도 하나의 제1 전극층 및 전기적 전압을 인가하기 위한 제2 접촉부를 가진 적어도 하나의 제2 전극층을 포함하고, 이 때, 동작 시 복사를 방출하는 적어도 하나의 기능층은 전극층들 사이에 배치된다. 본 발명은 서두에 기술한 방식에 따른 복사 방출 장치의 제조 방법에 관한 것이기도 하며, 본 방법은 기판 상에 전극층들 및 적어도 하나의 기능층으로 이루어진 층 시퀀스를 배치하는 단계를 포함한다.
본 특허 출원은 독일 특허 출원 10 2007 016 081.1 및 10 2007 002 404.7의 우선권을 주장하며, 이의 개시 내용은 본문에서 참조로 포함된다.
전극층들은 기능층으로부터 방출되는 복사에 대해 반투명하거나 투명하다. 그러므로 생성된 복사는 제1 및/또는 제2 전극면을 투과하여 방출될 수 있다. 순 금속으로 구성되고 투명하지 않은 전극면들에 비해, 금속 외에 다른 성분도 포함하며 투명한 전극면들은 더 낮은 전도성을 가진다. 전극층들을 위한 접촉부들에 인 가된 전압은 접촉부와의 간격이 커지면서 감소하여, 복사 방출 장치의 휘도를 떨어뜨린다.
예를 들면 OLED와 같은 복사 방출 장치는 애노드측에서 예를 들면 인듐 주석 산화물로 실시된다. 상기 물질은 상기 물질의 투명도 때문에 발광 다이오드, 특히 소위 OLED라는 유기 발광 다이오드를 위한 애노드 물질로 양호하게 적합하나, 애노드에 균일한 전류 분포를 얻기에는 충분하지 않은 전도성을 가진다는 단점이 있다. 특히 조명용인 대면적 OLED의 경우, 전극들에 걸쳐 균일한 전류 분포가 중요한데, 그로 인해 OLED의 면에 걸쳐 균일한 광도가 조절되기 때문이다.
복사 방출 장치의 전압 강하는 하나 또는 두 개의, 즉 제1 및 제2 전극층의 전도성에 의해 야기될 수 있다. 제1 및/또는 제2 전극층은 복사 방출 기능층들을 둘러싸는 반투명 또는 투명 전극면일 수 있다. 이 때, 2개의 전극면들 중 하나는 반사성 전극면일 수 있다. 투명한 전극면들의 전도성은 반사성 전극면의 전도성에 비해 2 내지 3 자릿수(order of magnitude)만큼 한정될 수 있다. 상기와 같은 전극면은 전압 강하를 유도하고, 상기 전압 강하는 제1 및/또는 제2 투명 전극면의 접촉부들과의 간격이 커지면서 증가하여, 휘도가 약해질 수 있다.
방출된 복사, 예를 들면 방출된 광은 균일하지 않고, 예를 들면 휘도와 같은 밀도의 차이가 있다.
가능한한 균일한 전류 분포를 달성하기 위해, 애노드 내지 인듐 주석 산화물(ITO)에 직접적으로 얇은 금속선들이 도포된다. 상기 금속선들은 애노드면에 걸쳐 전류 분포를 균일화하여, 전체 OLED 면에 걸쳐 더욱 균일한 광도 분포를 구현한 다. 얇은 금속선들은 리소그라피 공정 및 그 이후의 습식 화학 식각 방법에 의해 예를 들면 유리와 같은 기판상에 직접 도포된다. 따라서, 금속 다층 체계로 구성된 얇은 금속선들이 형성된다. 대안적으로, 금속선들을 형성하기 위해, 기판상에 직접적으로 금속층을 기화시키거나 스퍼터링하는 마스크 공정도 가능하다. 이러한 방법들은 소모적이며 고가여서 상기와 같은 복사 방출 장치의 제작 비용이 상승한다.
본 발명의 과제는 복사 방출 장치의 제조 비용을 줄이는 것이다.
상기 과제는 독립 청구항들에 제공된 처리들로 해결된다. 종속 청구항들은 상기 해결 방법을 바람직한 방식으로 발전시킨다.
복사 투과 기판 및 상기 기판상에 배치된 층 시퀀스를 포함하는 복사 방출 장치가 제안된다. 복사 방출 장치는 애노드로 표현될 수 있는 적어도 하나의 제1 전극층을 더 포함하고, 상기 전극층은 전기적 전압을 인가하기 위한 제1 접촉부를 포함한다. 복사 방출 장치는 동작 시 복사를 방출하는 적어도 하나의 기능층 및 적어도 하나의 제2 전극층을 더 포함하고, 상기 제2 전극층은 캐소드로 표현될 수 있으며 전기적 전압을 인가하기 위한 제2 접촉부를 포함한다. 제2 전극층은 기능층상에 배치된다. 이 때, 기능층은 제1과 제2 전극층 사이에 배치된다.
상호 간에 전기적으로 접촉하는 도전성 입자들을 이용하여 적어도 하나의 전기 전도 경로가 형성되는 것이 제안된다. 이러한 방식으로 형성된 전기 전도 경로는 인쇄법, 특히 실크 스크린 인쇄 방법을 이용하여 제조되는 것이 유리하다. 실크 스크린 인쇄 방법을 수행하기 위해 적합한 인쇄 페이스트가 선택된다. 예를 들면, 리드프레임 제작에 사용되는 인쇄 페이스트가 적합하다. 예를 들면 인쇄 페이스트는 도전성 입자들을 포함한 수용성 또는 알콜 함유 용제계의 현탁액을 포함한다. 이 때, 도전성 입자는 1 ㎛보다 작다. 도전성 입자로는 예를 들면 은 입자, 알루미늄 입자 또는 다른 금속 소재로 이루어진 입자와 같은 금속 입자가 사용된다. 전기 전도 경로를 형성하기 위해, 상기 입자는 실크 스크린 인쇄 공정 이후 상호 간에 직접 접촉해야 한다. 이는, 제조 방법의 유리한 실시예에서, 인쇄 공정 이후 수반된 열 방법 단계에 의해 입자들이 융합되어, 페이스트의 용제가 잔여물 없이 제거될 수 있음으로써, 지지된다.
상기 공정에서 유리한 것은, 도전성 경로들이 이제까지의 방법보다 현저히 효율적으로 제조될 수 있다는 것이다. 이는, 이제까지 공지된 방법에 따라 필요했던 고가의 방법 단계들이 생략된다는 점에 근거한다. 그러므로 예를 들면 금속층의 대면적 도포 단계는 생략된다. 이러한 금속층은, 이후 포토 리소그라피 및 식각 방법을 이용하여 다시 고 비용으로 구조화되어야 한다. 또한, 이에 대해 대안적으로 음영 마스크를 이용하는 금속층들의 기화 내지 스퍼터링 단계도 생략되고 실크 스크린 인쇄 방법으로 대체된다. 그러므로 고 진공 영역에서 고가의 제조 과정이 생략된다.
본 제안된 방법은 버스바(busbar)로 표현되는 전기 전도 경로뿐만 아니라 제1 또는 제2 전극층의 접촉부의 제조에도 적합하다. 보조 금속 배선으로 표현되는 접촉면은 복사 방출 소자에 전기적 전압을 인가하기 위한 역할을 한다.
본 발명의 유리한 실시예는, 전기 전도 경로를 복사 투과 보호층으로 덮는 것을 제안하는데, 상기 복사 투과 보호층은 예를 들면 ZnO와 같은 무기 전도 산화물로 구성된다. 상기 층은 전기 전도 경로 내지 상기 전기 전도 경로를 형성하는 금속 입자의 산화를 방지한다. 복사 방출 장치의 제조 공정내에서 상기 단계 이후 수행되는 정화 공정에서는 상기 경로 내지 금속 입자의 산화 위험이 실질적으로 존재한다.
산화 아연층의 다른 장점은, 산화 아연층의 반도체 특성때문에 일함수 즉 전기 전도 경로, 즉 버스바에서 일어나는 전하 캐리어 교환이 상기 산화 아연층에 의해 제어될 수 있다는 점이다.
전기 전도 경로들은 발광 장치의 전극면과 조합되고, 시간적으로 다르게 및/또는 서로 다른 크기의 전류로 제어될 수 있다. 이를 통해, 시간적으로 다르게 조절할 수 있는 휘도를 가진 발광 장치가 얻어진다. 복사 방출 장치는 기판을 포함하고, 상기 기판상에 제1 전극면이 도포된다. 상기 전극면상에 적어도 2개의 전기 전도 경로들이 있고, 상기 전기 전도 경로들은 제1 전극면과 전기적으로 접촉하고 있다. 전기 전도 경로들상에 적어도 하나의 복사 방출 기능층이 있고, 상기 기능층상에 제2 전극층이 있다. 이 때, 방출된 복사는 인간에게 가시적인 광의 범위에 있다. 적어도 2개의 전기 전도 경로들은, 시간적으로 다르게 및/또는 서로 다른 크기의 전기 전류로 제어될 수 있도록 적응되며, 이 때 가변성 휘도가 얻어진다. 인가된 전류의 펄스형, 경사도, 크기 및 클록킹(clocking)에 의해, 휘도에 대한 기존의 비선형 의존도(nonlinear dependence)가 역동적 조명을 위해 사용될 수 있다. 개별적인 전기 제어는 원하는 활기(aliveness)에 맞춘다.
조명의 활기 내지 생명력은 밝기의 국부적 편차에 의해 구현될 수 있다. 상기 편차는 국부적으로 정적 또는 동적으로 야기될 수 있다. 이를 통해, 육안은 공간 심도를 해상(resolution)할 수 있고, 또한 실내 조명의 활기를 경험할 수 있다.
본 발명의 유리한 실시예에서, 가변적 제어부를 포함하는 복사 방출 장치는 OLED를 말할 수 있고, 바람직하게는 대면적 OLED를 말할 수 있다. 기능층의 물질은 폴리머 및/또는 저분자를 포함할 수 있다.
OLED는 제1 및 제2 전극층을 포함하고, 상기 전극층 중 하나는 캐소드로서, 다른 하나는 애노드로서 연결될 수 있다. 두 개의 전극층들 사이에 적어도 하나의 유기 기능층이 존재하고, 상기 기능층은 예를 들면 방출-, 전자- 및 정공-수송층을 포함할 수 있다. 전압의 인가 시, 캐소드로부터 전자가, 애노드로부터 양 전하(소위 정공)가 방출층에 주입된다. 이러한 전하들이 방출층에서 재조합됨으로써 가시광의 범위에서 복사가 생성된다.
이 때. 적어도 2개의 전기 전도 경로들은 5 ㎛ 내지 10 ㎝, 바람직하게는 500 ㎛ 내지 1 ㎝의 간격으로 전극층상에 배치되는 것이 유리하며, 경우에 따라서 서로 다른 길이로 배치된다. 상기 전기 전도 경로들은 별도로 각각 전기적으로 제어될 수 있다. 이를 위해, 본 발명의 효율적 형성예에서, 전기 전도 경로들은 전류원과 전기 전도적으로 연결되고, 이 때 전류원의 출력 신호는 각 도전로를 위한 개별적 변조 주파수로 조절될 수 있다. 이러한 변조 주파수는 예를 들면 200 ㎐보다 작으며, 바람직하게는 100 ㎐보다 작다. 또한 통계적으로 편차가 있는 주파수 및/또는 진폭도 고려될 수 있다.
대안적으로, 도전로들은 전류원의 접촉을 위한 전기적 단자들을 포함하고, 상기 단자들은 도전로의 서로 다른 말단에 구비될 수 있다.
유리하게는, 제1 접촉부는 제1 전극면의 측면에 구비된다. 이로써, 제1 전극면이 전압을 공급받을 수 있다. 적어도 하나의 기능층은 유기 기능층을 포함할 수 있는 것이 적합하며, 전하 수송층을 포함하는 것이 바람직하다. 기능층의 물질은 폴리머 및/또는 저분자를 포함할 수 있다. 따라서, 복사 방출 장치는 대면적 발광 소자로 매우 양호하게 적합한 유기 발광 다이오드(OLED)이다.
적어도 하나의 기능층은 예를 들면 인화물- 또는 질화물 화합물 반도체계의 무기 기능층일 수 있다. 바람직하게는 일반식 AlnGamIn1-n-mP를 포함하고, 이 때 0≤n≤1, 0≤m≤1 및 n+m≤1인 물질 또는 일반식 AlnGamIn1-n-mN을 포함하고, 이 때 0≤n≤1, 0≤m≤1 및 n+m≤1인 질화물-Ⅲ/Ⅴ-화합물 반도체가 있다.
효율적 실시예에서, 제1 및/또는 제2 전극면의 물질은 금속 산화물을 포함한다. 투명 전도성 산화물(transparent conductive oxides, 약어로 "TCO")은 일반적으로 금속 산화물과 같은 투명 전도성 물질들로, 상기 금속 산화물은 예를 들면 산화 아연, 산화 주석, 산화 카드뮴, 산화 티탄, 산화 인듐 또는 인듐 주석 산화물(ITO)이 있다. 예를 들면 ZnO, SnO2 또는 In2O3와 같은 2원 산화 금속 화합물 외에, 예를 들면 Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 또는 In4So3O12와 같은 3원 산화 금속 화합물, 또는 서로 다른 투명 전도성 산화물의 혼합물이 TCO족에 속한다. 또한, TCO는 화학량론적인 조성에 반드시 상응할 필요는 없으며, p형 또는 n형 도핑될 수 있다. 마찬가지로 투명한 전극들은 PEDOT와 같은 고 전도성 유기 물질들 또는 도핑된 유기층을 포함할 수 있다.
전기 전도 경로들은 복사 방출 장치로부터 방출된 복사에 대해 투명하지 않다. 그럼에도 불구하고, 상기 전기 전도 경로들이 접촉부로부터 멀어지면서 제1 및/또는 제2 전극면에 걸쳐 연장되는 것이 유리하다. 상기 전기 전도 경로들의 분포 밀도는 접촉부와의 간격이 커지면서 작아지는 것이 유리하다. 이를 위해, 인접한 도전로들이 서로 다른 길이를 가지고, 상기 도전로들의 길이 분포가 접촉부로부터 시작하여 적어도 최대값 및 최소값을 포함하는 것이 유리하다. 이러한 실시예의 장점은, 방출된 복사가 제1 및/또는 제3 접촉부와의 간격에 의존하는 가변적 분포 밀도에 의해, 도전로들이 삽입되지 않은 경우의 휘도차를 조정하거나 최소화할 수 있도록 변조된다는 것이다. 접촉부와의 간격이 커짐에 따라 감소하는 도전로들의 분포 밀도에 의해, 제1 및/또는 제2 전극면의 면 커버리지가 가능한 한 낮게 유지된다.
또한, 도전로들의 폭은 수 마이크로미터인 것이 유리하고, 바람직하게는 100 ㎛보다 작고, 더욱 바람직하게는 20 ㎛보다 작다. 이 때의 장점은, 외부 관찰자가 상기 도전로들을 육안으로 인지할 수 없다는 것이다.
또한, 전기 전도 경로의 두께는 100 ㎛보다 작은 범위를 가지고, 바람직하게는 1 ㎛ 내지 3 ㎛의 범위를 가질 수 있다. 이 때의 장점은, 상기 전기 전도 경로들이 제1 및/또는 제2 전극의 표면에서 전기적으로 존재할 수 있고, 마찬가지로 전체 기능층에 도달하여 상기 기능층을 관통할 수 있다. 이러한 경우, 예를 들면 절연성 폴리머층과 같은 절연층이 상기 도전로들을 둘러싼다. 이를 통해, 각각 다른 전극층과의 단락이 방지된다.
이하, 본 발명은 4개의 도면들을 이용한 실시예에 의거하여 더욱 상세히 설명된다.
도 1은 복사 방출 장치의 개략적 단면도를 도시한다.
도 2는 복사 방출 장치의 평면도 및 세부 확대도에서 전기 전도 경로 내지 버스바를 도시한다.
도 3은 전기 전도 경로 내지 버스바의 표면 프로파일을 3차원 도면으로 도시한다.
도 4는 실크 스크린 인쇄된 도전로들을 포함하는 OLED를 사진과 유사한 사시도로 도시한다.
도 1은 복사 방출 장치(1)를 층 형상의 구조로 개략적 단면도로 도시한다. 복사 투과 기판(2)상에 전기 전도 경로들(3)이 도포된다. 이 때, 기판(2)은 예를 들면 투명한 물질로 형성되고, 바람직하게는 복사 방출 장치(1)로부터 방출된 복사에 대해 투명하다. 바람직하게는, 상기 복사는 예를 들면 가시적 범위의 광이다. 전기 전도 경로들(3)은 상호 간에 전기적으로 접촉하는 전기 전도 입자들로 형성된다. 상기 입자들은 실크 스크린 인쇄법을 이용하여 복사 투과 기판(2)상에 도포된 다. 도전성 입자들의 개별적 크기는 1 ㎛이상이다. 바람직하게는, 개별적 도전성 입자들은 금속 물질로 형성된다. 전기 전도 경로들(3)은 1 내지 3 ㎛의 두께 및 50 내지 100 ㎛의 폭을 가진다. 버스바로도 표현되는 전기 전도 경로들(3)은 예를 들면 애노드로 표현되는 제1 전극층(4)과 전기적으로 접촉한다.
도 1의 도시된 실시예에서, 이후, 제1 전극층(4)상에 기능층(5)이 배치된다. 기능층(5)은 전기 전류 및/또는 전기 전압의 영향하에 광을 방출하는 특성을 가진 유기 물질로 구성된다. 기능층(5) 다음에 제2 전극층(6)이 형성된다. 상기 제2 전극층은 캐소드를 형성한다. 실크 스크린 인쇄법을 이용하여 도포된 전기 전도 경로들, 즉 버스바들은 복사 방출 장치의 다른 층들보다 실질적으로 더 큰 두께를 가진다. 도시된 실시예의 버스바들(3)은 가령 1 - 3 ㎛의 두께인 반면, 기능층 및 전극층들은 가령 200 ㎚의 두께를 가진다. 나노 범위의 실크 스크린 인쇄 페이스트를 이용하여 버스바는 100 - 500 ㎚의 층 두께로 제조될 수 있다. 전기 전도 경로들(3) 즉 버스바들(3)과 캐소드층(6) 사이의 단락을 방지하기 위해, 기능층(5) 및 제1 전극층(4)은 상기 버스바들(3) 위에 배치됨으로써, 상기 층들이 버스바들(3)을 덮는다. 따라서, 버스바들(3)과 제2 전극층(6) 사이의 단락이 방지된다. 이는 도 1의 개략적 도면에서 축척에 맞지 않게 도시되어 있다. 도시된 실시예는 전기 전도 경로들(3) 위에 배치되는 보호층(9)을 더 도시한다. 상기 보호층은, 한편으로는 제조 방법의 이후 공정 단계에서 상기 전기 전도 경로들(3)의 산화를 방지하고, 유리하게는, 전기적 반도체의 특성을 포함한다. 따라서, 애노드에서 전하 캐리어 교환에 영향을 미칠 수 있다.
도 2는 평면도 및 상기 평면도의 세부 확대도에서 실크 스크린 인쇄법으로 기판(2)상에 도포된 전기 전도 경로들(3) 즉 버스바들(3)의 현미경 사진 촬영물을 도시한다. 세부 확대도는, 건조 인쇄 공정 이후의 결과로서 버스바내에 입자들이 상호 간에 접촉되어 있는 것을 도시한다. 입자의 전기 전도성에 의해 간단하고 비용이 저렴한 방식으로 기판상에 도포될 수 있는 전기 전도 경로가 형성된다.
도 3은 현미경 촬영물의 3차원 다이어그램으로 도시한 공간 도면이며, 실크 스크린 인쇄법을 이용하여 기판(2)상에 도포된 전기 전도 경로들(3) 중 하나를 도시한다.
도 4는 본 발명의 원칙에 따른 복사 방출 장치(1)의 실시예를 사진과 유사한 도면으로 도시한다. 도시된 실시예는 실크 스크린 인쇄법으로 도포된 전기 전도 경로들(3)을 포함하는 유기 LED(OLED)를 나타낸다. 전기 전도 경로들(3)은 수직 방향으로 제1 접촉부(7)로부터 OLED의 전체 애노드면을 지나 또 다른 제1 접촉부(7)로 연장되며, 투명 애노드에서의 전류 진행을 균일화한다. 기판(2)이 투명하므로 제2 전극층(6) 즉 캐소드도 가시적이다. 도 4는 제1 접촉부(7)와 함께 복사 방출 장치(1)의 전기적 연결을 구현하는 제2 접촉부(8)도 도시한다. 제1 접촉부(7) 및 제2 접촉부(8)도 마찬가지로 실크 스크린 인쇄법을 이용하여 도포된다.
본 발명은 실시예들에 의거한 기재에 한정되지 않는다. 오히려 본 발명은 각 새로운 특징 및 특징들의 각 조합을 포함하며, 이는 특히, 특허 청구 범위의 특징들의 각 조합을 포함하며, 비록 이러한 특징 또는 이러한 조합이 그 자체로 명백하게 특허 청구 범위 또는 실시예들에 제공되지 않더라도 그러하다.

Claims (13)

  1. 복사 투과성 기판(2); 및
    상기 복사 투과성 기판(2)상에 배치되는 층 시퀀스
    를 포함하고, 상기 층 시퀀스는,
    - 전기적 전압을 인가하기 위한 측방향 제1 접촉부(7)를 구비한 적어도 하나의 제1 전극층(4),
    - 동작 시 복사를 방출하는 적어도 하나의 기능층(5),
    - 상기 기능층(5)상에서 전기적 전압을 인가하기 위한 제2 접촉부(8)를 구비한 적어도 하나의 제2 전극층(6)을 포함하고,
    상기 기능층(5)은 상기 제1 전극층(4) 및 제2 전극층(6) 사이에 배치되고,
    상기 제1 전극층(4)은 적어도 두 개의 전기 전도 경로(3)를 포함하고, 상기 전기 전도 경로는 상호 간에 전기적으로 접촉하는 도전성 입자들을 이용하여 형성되고,
    상기 기능층(5) 및 상기 제1 전극층(4)은 상기 전기 전도 경로(3)를 덮도록 상기 전기 전도 경로(3) 위에 배치되는 것인, 복사 방출 장치(1).
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 접촉부(7) 및/또는 제2 접촉부(8)는 도전성 입자들을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 복사 방출 장치(1).
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 도전성 입자들은 서로 융합되는 것을 특징으로 하는 복사 방출 장치(1).
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도전성 입자들은 1 마이크로미터보다 작은 밑면을 가지는 것을 특징으로 하는 복사 방출 장치(1).
  5. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도전성 입자들은 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 복사 방출 장치(1).
  6. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전기 전도 경로(3)는 100 - 500 ㎚의 두께를 가지고, 50 - 100 ㎛의 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 복사 방출 장치(1).
  7. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전기 전도 경로(3)는 보호층(9)에 의해 덮이는 것을 특징으로 하는 복사 방출 장치(1).
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 보호층(9)은 전기적 반도체 특성을 가지는 무기 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 복사 방출 장치(1).
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 보호층(9)은 산화 아연으로 형성되는 것을 특징으로 하는 복사 방출 장치(1).
  10. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 따른 복사 방출 장치를 제조하는 방법에 있어서,
    적어도 하나의 전기 전도 경로(3)를 실크 스크린 인쇄 공정을 이용하여 기판(2)상에 마련하는 단계; 및
    상기 기판(2)상에 층 시퀀스를 배치하는 단계
    를 포함하는 복사 방출 장치의 제조 방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 실크 스크린 인쇄 공정을 위해 도전성 입자들을 포함한 현탁액을 사용하는 것을 특징으로 하는 복사 방출 장치의 제조 방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 인쇄 공정 이후 열 공정이 수반되며, 상기 열 공정에서 온도 상승을 통해 상기 현탁액에 담긴 용제를 제거하고 및/또는 개별적 도전 입자들을 서로 융합시키는 것을 특징으로 하는 복사 방출 장치의 제조 방법.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 인쇄 공정 및/또는 열 공정 이후 보호층(9)을 마련하며, 상기 보호층(9)은 알콜계 용액에서 무기 전기 전도성 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 복사 방출 장치의 제조 방법.
KR1020097016977A 2007-01-17 2008-01-17 복사 방출 장치 및 복사 방출 장치의 제조 방법 KR101486844B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007002404.7 2007-01-17
DE102007002404 2007-01-17
DE102007016081A DE102007016081A1 (de) 2007-01-17 2007-04-03 Strahlungsemittierende Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Vorrichtung
DE102007016081.1 2007-04-03
PCT/EP2008/050520 WO2008087192A2 (de) 2007-01-17 2008-01-17 Strahlungsemittierende vorrichtung und verfahren zur herstellung einer strahlungsemittierenden vorrichtung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090112700A KR20090112700A (ko) 2009-10-28
KR101486844B1 true KR101486844B1 (ko) 2015-01-28

Family

ID=39345154

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097016977A KR101486844B1 (ko) 2007-01-17 2008-01-17 복사 방출 장치 및 복사 방출 장치의 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
EP (2) EP2122708B1 (ko)
KR (1) KR101486844B1 (ko)
CN (1) CN101589484B (ko)
DE (1) DE102007016081A1 (ko)
TW (1) TWI376827B (ko)
WO (1) WO2008087192A2 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013107693B4 (de) 2013-07-18 2021-05-06 Pictiva Displays International Limited Verfahren zum Ausbilden einer Leiterbahnstruktur auf einer Elektrodenfläche eines elektronischen Bauelementes
DE102014110969A1 (de) 2014-08-01 2016-02-04 Osram Oled Gmbh Organisches Bauteil sowie Verfahren zur Herstellung eines organischen Bauteils
DE102014112204A1 (de) 2014-08-26 2016-03-03 Osram Oled Gmbh Optoelektronische Vorrichtung

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030077430A (ko) * 2002-03-26 2003-10-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 그 제조방법
WO2004070845A1 (en) 2003-02-05 2004-08-19 Cambridge Display Technology Limited Organic optoelectronic device
WO2005041217A1 (ja) 2003-10-28 2005-05-06 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. 透明導電積層体とその製造方法及び透明導電積層体を用いたデバイス

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6215244B1 (en) * 1997-06-16 2001-04-10 Canon Kabushiki Kaisha Stacked organic light emitting device with specific electrode arrangement
TW410478B (en) * 1998-05-29 2000-11-01 Lucent Technologies Inc Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode
US6955772B2 (en) * 2001-03-29 2005-10-18 Agfa-Gevaert Aqueous composition containing a polymer or copolymer of a 3,4-dialkoxythiophene and a non-newtonian binder
US6621168B2 (en) * 2000-12-28 2003-09-16 Intel Corporation Interconnected circuit board assembly and system
WO2002085639A1 (en) * 2001-04-25 2002-10-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Edge transfer lithography
AU2002361859A1 (en) * 2001-12-20 2003-07-09 Add-Vision, Inc. Screen printable electrode for organic light emitting device
JP2003203683A (ja) * 2001-12-28 2003-07-18 Fujikura Ltd 光電変換素子用導電性ガラス
KR101145350B1 (ko) * 2003-02-06 2012-05-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 및 표시장치의 제조 방법
US7026660B2 (en) * 2003-04-25 2006-04-11 Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd Interconnection for organic devices
US7274038B2 (en) * 2003-06-30 2007-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Silicon nitride film, a semiconductor device, a display device and a method for manufacturing a silicon nitride film
US7855506B2 (en) * 2003-10-02 2010-12-21 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Electric field light emitting element
DE102004013449B3 (de) * 2004-03-11 2005-12-29 Samsung SDI Co., Ltd., Suwon OLED-Display mit Elektroden hoher Leitfähigkeit und Verfahren zu dessen Herstellung
US7569158B2 (en) * 2004-10-13 2009-08-04 Air Products And Chemicals, Inc. Aqueous dispersions of polythienothiophenes with fluorinated ion exchange polymers as dopants
KR100683766B1 (ko) * 2005-03-30 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030077430A (ko) * 2002-03-26 2003-10-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 그 제조방법
WO2004070845A1 (en) 2003-02-05 2004-08-19 Cambridge Display Technology Limited Organic optoelectronic device
WO2005041217A1 (ja) 2003-10-28 2005-05-06 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. 透明導電積層体とその製造方法及び透明導電積層体を用いたデバイス

Also Published As

Publication number Publication date
TW200840112A (en) 2008-10-01
EP2122708B1 (de) 2013-12-11
TWI376827B (en) 2012-11-11
CN101589484B (zh) 2013-06-19
EP2122708A2 (de) 2009-11-25
WO2008087192A3 (de) 2008-09-04
DE102007016081A1 (de) 2008-07-24
EP2453498B1 (de) 2016-07-27
EP2453498A2 (de) 2012-05-16
CN101589484A (zh) 2009-11-25
KR20090112700A (ko) 2009-10-28
WO2008087192A2 (de) 2008-07-24
EP2453498A3 (de) 2014-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102144314B (zh) 用于制造发射辐射的有机器件的方法以及发射辐射的有机器件
JP5683589B2 (ja) 光電気装置の製造方法
CN101689616B (zh) 有机功能器件及其制造方法
US8791490B2 (en) Organic light-emitting diode, contact arrangement and method for producing an organic light-emitting diode
US20110186905A1 (en) Oled device with covered shunt line
CN103053023B (zh) 光电子装置以及用于制造所述光电子装置的方法
JP2009511940A (ja) 大面積有機ダイオードデバイス及びその製造方法
RU2008129758A (ru) Органическое электролюминесцентное устройство
KR20120123490A (ko) 광전자 소자 어레이
US20120295372A1 (en) Method of maskless manufacturing of oled devices
KR20030017748A (ko) 유기물 전계 효과 트랜지스터와 유기물 발광 다이오드가일체화된 유기물 전기 발광 소자 및 그 제조 방법
KR101424305B1 (ko) 복사 방출 장치
CN104813501B (zh) 光电器件
KR101486844B1 (ko) 복사 방출 장치 및 복사 방출 장치의 제조 방법
US8816335B2 (en) Method for creating serially-connected OLED devices
KR20130061138A (ko) 공간적으로 분리된 발광 영역을 갖춘 ｏｌｅｄ 장치의 제조 방법
JP6143763B2 (ja) 発光デバイスパターンのための改良されたマスキング
KR20160055142A (ko) 복사선 방출 장치 및 그 제조 방법
US10217940B2 (en) Optoelectronic device
US9978964B2 (en) Organic light-emitting component having organic light-emitting diode integrally connected to circuit board

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180111

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190110

Year of fee payment: 5